特開 2024-59153 電流センサ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024059153

(43)【公開日】2024-05-01

(54)【発明の名称】電流センサ

(51)【国際特許分類】

   G01R 15/20 20060101AFI20240423BHJP

【ＦＩ】

G01R15/20 D

G01R15/20 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022166655

(22)【出願日】2022-10-18

(71)【出願人】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110001195

【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】指宿 隆弘

【テーマコード（参考）】

2G025

【Ｆターム（参考）】

2G025AA00

2G025AA07

2G025AA11

2G025AA15

2G025AB01

2G025AC01

(57)【要約】      （修正有）

【課題】互いに隣り合う複数の導電体にそれぞれ対応する複数の磁気センサを通過する磁場の磁束密度を大きくしつつ、検知精度を向上させる。
【解決手段】電流センサ１は、第１導電体１０Ａと、第２導電体１０Ｂと、第１磁気センサ２０Ａと、第２磁気センサ２０Ｂと、遮蔽板３０Ａと、第１集磁板４０Ａと、第２集磁板４０Ｂとを備えている。第１導電体１０Ａ及び第２導電体１０Ｂは、それぞれ第１方向Ｄ１に沿って電流を流す。第１磁気センサ２０Ａ及び第２磁気センサ２０Ｂは、第１導電体１０Ａ及び第２導電体１０Ｂの電流による磁場をそれぞれ検知する。第１集磁板４０Ａは、第１導電体１０Ａと遮蔽板３０Ａの間で第１導電体１０Ａ及び遮蔽板３０Ａと離隔して位置する。第２集磁板４０Ｂは、第２導電体１０Ｂと遮蔽板３０Ａの間で第２導電体１０Ｂ及び遮蔽板３０Ａと離隔して位置する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１方向に延び、前記第１方向に沿って電流を流す第１導電体と、
前記第１導電体と離隔しつつ前記第１方向に延び、前記第１方向に沿って電流を流す第２導電体と、
前記第１方向、および、前記第１導電体と前記第２導電体とが並ぶ第２方向の両方に直交する第３方向において、前記第１導電体と並んでおり、前記第１導電体を流れる電流により生じる磁場を検知する第１磁気センサと、
前記第３方向において前記第２導電体と並んでおり、前記第２導電体を流れる電流により生じる磁場を検知する第２磁気センサと、
前記第１導電体および前記第１磁気センサと、前記第２導電体および前記第２磁気センサとの間に位置する遮蔽板と、
前記第１導電体と前記遮蔽板との間において前記第１導電体および前記遮蔽板のそれぞれと離隔して位置する第１集磁板と、
前記第２導電体と前記遮蔽板との間において前記第２導電体および前記遮蔽板のそれぞれと離隔して位置する第２集磁板とを備え、
前記第１方向における前記第１集磁板の長さは前記遮蔽板の長さより短く、かつ、前記第３方向における前記第１集磁板の長さは前記遮蔽板の長さより短く、
前記第１方向における前記第２集磁板の長さは前記遮蔽板の長さより短く、かつ、前記第３方向における前記第２集磁板の長さは前記遮蔽板の長さより短い、電流センサ。

【請求項2】

前記第１集磁板は、前記第１集磁板の前記第３方向における一方端縁および他方端縁の各々が前記第１集磁板の前記第３方向における中心に向かって切り欠かれることで形成された一対の切欠部を有している、請求項１に記載の電流センサ。

【請求項3】

一対の前記切欠部は、前記第３方向を向く端面が前記第２方向から見た時に湾曲するように形成されている、請求項２に記載の電流センサ。

【請求項4】

前記第１磁気センサおよび前記第２磁気センサは、各々が、トンネル型磁気抵抗センサまたは巨大磁気抵抗センサである、請求項２に記載の電流センサ。

【請求項5】

前記第１磁気センサおよび前記第２磁気センサは、各々が、前記第２方向における磁界強度を検出する、請求項２に記載の電流センサ。

【請求項6】

前記遮蔽板、前記第１集磁板、および、前記第２集磁板は、各々が、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）およびニッケル（Ｎｉ）のうち、２種類以上の金属を含む磁性体である、請求項１に記載の電流センサ。

【請求項7】

前記第１導電体、前記第２導電体、前記第１磁気センサ、前記第２磁気センサ、前記遮蔽板、前記第１集磁板および前記第２集磁板の各々から見て、前記第３方向における一方側に位置しつつ、前記第２方向に沿って延びる、少なくとも１つの外側集磁板をさらに備える、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の電流センサ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、電流センサに関する。

【背景技術】

【0002】

従来の電流センサを開示した文献として、特開２０００－２９２４５５号公報（特許文献１）および特開２０２１－１３５１８６号公報（特許文献２）がある。

【0003】

特許文献１には、通電の有無や電流の大きさを非接触で検出する、従来の電流検出装置が開示されている。当該電流検出装置は、並列された複数の電線の間を磁性体からなる磁気遮蔽板で仕切り、各電線の直上にあって磁気遮蔽板で囲われた内側に電磁変換素子を配置したことを特徴とする。磁気遮蔽板は、パーマロイなどの透磁率の高い磁性材料の薄板から構成されるものであり、各電線に流れる電流により生ずる磁界を遮断することで、隣接する電線間の磁界の相互漏洩を防止する。

【0004】

特許文献２には、導電体と、検知素子と、磁性体コアとを備えた従来の電流センサが開示されている。導電体は、所定の方向に延伸し、当該所定の方向に電流が流れる電流測定部を有する。検知素子は、導電体を流れる電流により生じる磁場を検知する。磁性体コアは、導電体と検知素子を検知素子の感磁方向の両側から挟み込む２枚の板状の磁性体を有する。磁性体コアは、電流測定部を流れる電流により生じる磁場を集磁して検知素子を通過する磁束密度を大きくする機能を有する。磁性体コアは、例えば、ケイ素鋼板などの軟磁性体からなる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０００－２９２４５５号公報

【特許文献2】特開２０２１－１３５１８６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

特許文献１においては、磁気遮蔽板によって、ある電線の磁界が、隣の電線に対応する電磁変換素子（磁気センサ）へ影響を与えることが抑制されている。しかしながら、磁気遮蔽板によって磁界が過剰に集められ、電磁変換素子を通過する磁束密度が小さくなる場合がある。

【0007】

また、特許文献２においては、磁性体コアによって、検知素子（磁気センサ）を通過する磁束密度が大きくなっている。しかしながら、このような電流センサが並んで配置される際には、電流測定部に隣り合う他の電流測定部によって発生する磁場も磁性体コアによって集磁される場合がある。ひいては、電流センサの検知精度が低下するおそれがある。

【0008】

本開示は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、互いに隣り合う複数の導電体にそれぞれ対応する複数の磁気センサを通過する磁場の磁束密度を大きくしつつ、検知精度を向上させることができる、電流センサを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本開示に基づく電流センサは、第１導電体と、第２導電体と、第１磁気センサと、第２磁気センサと、遮蔽板と、第１集磁板と、第２集磁板とを備えている。第１導電体は、第１方向に延び、第１方向に沿って電流を流す。第２導電体は第１導電体と離隔しつつ第１方向に延び、第１方向に沿って電流を流す。第１磁気センサは、第１方向、および、第１導電体と第２導電体とが並ぶ第２方向の両方に直交する第３方向において、第１導電体と並んでおり、第１導電体を流れる電流により生じる磁場を検知する。第２磁気センサは、第３方向において第２導電体と並んでおり、第２導電体を流れる電流により生じる磁場を検知する。遮蔽板は、第１導電体および第１磁気センサと、第２導電体および第２磁気センサとの間に位置する。第１集磁板は、第１導電体と遮蔽板との間において第１導電体および遮蔽板のそれぞれと離隔して位置する。第２集磁板は、第２導電体と遮蔽板との間において第２導電体および遮蔽板のそれぞれと離隔して位置する。第１方向における第１集磁板の長さは遮蔽板の長さより短く、かつ、第３方向における第１集磁板の長さは遮蔽板の長さより短い。第１方向における第２集磁板の長さは遮蔽板の長さより短く、かつ、第３方向における第２集磁板の長さは遮蔽板の長さより短い。

【発明の効果】

【0010】

本開示によれば、遮蔽板によって、第２導電体に流れた電流により発生した第２磁界が第１磁気センサによって検知されることが抑制されて、電流センサの検知精度が向上する。そして、第１方向および第３方向において遮蔽板より大きさの小さい第１集磁板によって、第１導電体の近傍においては、第１導電体に流れた電流により発生した第１磁界が集められ、第１磁気センサを通過する第１磁界の磁束密度を高くすることができる。これと同様に、遮蔽板によって第１磁界が第２磁気センサによって検知されることが抑制されて、電流センサの検知精度が向上する。そして、第１方向および第３方向において遮蔽板より大きさの小さい第２集磁板によって、第２導電体の近傍においては第２磁界が集められ、第２磁気センサにおける第２磁界の磁束密度を高くすることができる。

【0011】

したがって、本開示によれば、互いに隣り合う複数の導電体に対応する複数の磁気センサを通過する磁場の磁束密度を大きくしつつ、検知精度が向上した電流センサを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本開示の実施形態１に係る電流センサを示す斜視図である。

【図2】本開示の実施形態１に係る電流センサを示す正面図である。

【図3】図２の電流センサをＩＩＩ－ＩＩＩ線矢印方向から見たときの断面図である。

【図4】本開示の実施形態１における第１集磁板を示す斜視図である。

【図5】本開示の実施形態１における第１集磁板の第１変形例を示す斜視図である。

【図6】本開示の実施形態１における第１集磁板の第１変形例を示す側面図である。

【図7】本開示の実施形態１における第１集磁板の第２変形例を示す斜視図である。

【図8】本開示の実施形態１における第１集磁板の第２変形例を示す側面図である。

【図9】本開示の実施形態１における第１集磁板の第３変形例を示す斜視図である。

【図10】本開示の実施形態１における第１集磁板の第３変形例を示す側面図である。

【図11】本開示の実施形態２に係る電流センサを示す正面図である。

【図12】図１１の電流センサをＸＩＩ－ＸＩＩ線矢印方向から見たときの断面図である。

【図13】本開示の実施形態３に係る電流センサを示す正面図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、本開示の各実施形態に係る電流センサについて図を参照して説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。また、以下の実施形態の説明において、上または下の概念に言及する際には、絶対的な上または下を意味するとは限らず、図示された姿勢の中での相対的な上または下を意味する場合がある。

【0014】

（実施形態１）
図１は、本開示の実施形態１に係る電流センサを示す斜視図である。図２は、本開示の実施形態１に係る電流センサを示す正面図である。図３は、図２の電流センサをＩＩＩ－ＩＩＩ線矢印方向から見たときの断面図である。

【0015】

図１から図３に示すように、本開示の一実施形態に係る電流センサ１は、第１導電体１０Ａと、第２導電体１０Ｂと、第３導電体１０Ｃと、第１磁気センサ２０Ａと、第２磁気センサ２０Ｂと、第３磁気センサ２０Ｃと、（第１）遮蔽板３０Ａと、第２遮蔽板３０Ｂと、第３遮蔽板３０Ｃと、第４遮蔽板３０Ｄと、第１集磁板４０Ａと、第２集磁板４０Ｂと、第３集磁板４０Ｃと、第４集磁板４０Ｄと、第５集磁板４０Ｅとを備えている。図３においては、見やすさのため第１導電体１０Ａを破線で示している。

【0016】

第１導電体１０Ａは、第１方向Ｄ１に延び、第１方向Ｄ１に沿って電流を流す。第２導電体１０Ｂは、第１導電体１０Ａと離隔しつつ第１方向Ｄ１に延び、第１方向Ｄ１に沿って電流を流す。第２導電体１０Ｂは、第２方向Ｄ２において第１導電体１０Ａと並んで位置している。第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１に直交する方向である。第３導電体１０Ｃは、第２導電体１０Ｂと離隔しつつ第１方向Ｄ１に延び、第１方向Ｄ１に沿って電流を流す。第３導電体１０Ｃは、第２方向Ｄ２において第１導電体１０Ａおよび第２導電体１０Ｂと並んで位置している。第３導電体１０Ｃは、第２導電体１０Ｂから見て第１導電体１０Ａとは反対側に位置している。

【0017】

第１導電体１０Ａ、第２導電体１０Ｂおよび第３導電体１０Ｃの各々は、たとえばバスバである。第１導電体１０Ａおよび第３導電体１０Ｃは、第１方向Ｄ１のうちの一方の方向に電流を流し、第２導電体１０Ｂは、第１方向Ｄ１のうちの他方の方向に電流を流す。

【0018】

第１導電体１０Ａ、第２導電体１０Ｂおよび第３導電体１０Ｃの各々の寸法は特に限定されない。これらの導電体の延在方向から見たときの幅寸法（図２に示される断面の第２方向Ｄ２における寸法）は、たとえば９ｍｍであり、高さ寸法（図２示される断面の第３方向Ｄ３における寸法）は、たとえば５ｍｍである。第１方向Ｄ１から見た時の第１導電体１０Ａの中心と、第２導電体１０Ｂの中心との距離はたとえば２５ｍｍである。第１方向Ｄ１から見た時の第２導電体１０Ｂの中心と、第３導電体１０Ｃの中心との距離も、たとえば２５ｍｍである。

【0019】

第１磁気センサ２０Ａは、第１導電体１０Ａを流れる電流により生じる磁場を検知する。第１磁気センサ２０Ａは、第１方向Ｄ１および第２方向Ｄ２の両方に直交する第３方向Ｄ３において第１導電体１０Ａと並んでいる。なお、本明細書においては、第３方向Ｄ３のうち第１導電体１０Ａから第１磁気センサ２０Ａを見た時の方向を上方という場合がある。

【0020】

第１磁気センサ２０Ａは、第１方向Ｄ１から見たときに、第１磁気センサ２０Ａの中心と第１導電体１０Ａの中心が第３方向Ｄ３において並ぶように位置している。

【0021】

第２磁気センサ２０Ｂは、第２導電体１０Ｂを流れる電流により生じる磁場を検知する。第２磁気センサ２０Ｂは、第３方向Ｄ３において第２導電体１０Ｂと並んでいる。第２磁気センサ２０Ｂは、第２導電体１０Ｂの上方に位置している。

【0022】

第２磁気センサ２０Ｂは、第１方向Ｄ１から見たときに、第２磁気センサ２０Ｂの中心と第２導電体１０Ｂの中心が第３方向Ｄ３において並ぶように位置している。

【0023】

第３磁気センサ２０Ｃは、第３導電体１０Ｃを流れる電流により生じる磁場を検知する。第３磁気センサ２０Ｃは、第３方向Ｄ３において第３導電体１０Ｃと並んでいる。第３磁気センサ２０Ｃは、第３導電体１０Ｃの上方に位置している。

【0024】

第３磁気センサ２０Ｃは、第１方向Ｄ１から見たときに、第３磁気センサ２０Ｃの中心と第３導電体１０Ｃの中心が第３方向Ｄ３において並ぶように位置している。

【0025】

第１磁気センサ２０Ａ、第２磁気センサ２０Ｂおよび第３磁気センサ２０Ｃは、第２方向Ｄ２に並んでいる。ただし、第１磁気センサ２０Ａ、第２磁気センサ２０Ｂおよび第３磁気センサ２０Ｃは、第２方向Ｄ２に並んでいなくてもよい。

【0026】

第１磁気センサ２０Ａ、第２磁気センサ２０Ｂおよび第３磁気センサ２０Ｃは、各々が、トンネル型磁気抵抗（ＴＭＲ）センサまたは巨大磁気抵抗センサ（ＧＭＲ）である。

【0027】

第１磁気センサ２０Ａ、第２磁気センサ２０Ｂおよび第３磁気センサ２０Ｃは、各々が、第２方向Ｄ２における磁界強度を検出する。第１磁気センサ２０Ａ、第２磁気センサ２０Ｂおよび第３磁気センサ２０Ｃは、第１方向Ｄ１における磁界強度をさらに検出可能であってもよく、第３方向Ｄ３における磁界強度をさらに検出可能であってもよい。

【0028】

遮蔽板３０Ａは、第１導電体１０Ａおよび第１磁気センサ２０Ａと、第２導電体１０Ｂおよび第２磁気センサ２０Ｂとの間に位置する。この遮蔽板３０Ａによって、第１導電体１０Ａに流れた電流により発生した第１磁界Ｂ１が第２磁気センサ２０Ｂによって検知されることが抑制されて、電流センサ１の検知精度が向上する。また、遮蔽板３０Ａによって、第２導電体１０Ｂに流れた電流により発生した第２磁界Ｂ２が第１磁気センサ２０Ａによって検知されることが抑制されて、電流センサ１の検知精度が向上する。

【0029】

遮蔽板３０Ａは、第１方向Ｄ１および第３方向Ｄ３の両方に平行に延びている。遮蔽板３０Ａと第１導電体１０Ａとの距離、および、遮蔽板３０Ａと第２導電体１０Ｂとの距離は、互いに略等しい。遮蔽板３０Ａの外形形状は特に限定されないが、図面に示されるようにたとえば直方体である。

【0030】

第２遮蔽板３０Ｂは、第１導電体１０Ａから見て遮蔽板３０Ａの反対側に位置している。第２遮蔽板３０Ｂは、第１方向Ｄ１および第３方向Ｄ３の両方に平行に延びている。第２遮蔽板３０Ｂと第１導電体１０Ａとの距離は、遮蔽板３０Ａと第１導電体１０Ａとの距離に略等しい。第２遮蔽板３０Ｂの外形形状は特に限定されないが、図面に示されるようにたとえば直方体である。より具体的には、第２遮蔽板３０Ｂは、第２方向に直交する仮想面に関して遮蔽板３０Ａと面対称となるように配置されていることが好ましい。

【0031】

第３遮蔽板３０Ｃは、第２導電体１０Ｂから見た時に、第１導電体１０Ａから見たときの遮蔽板３０Ａとして採用され得る構成と同様の構成を有することができる。第３遮蔽板３０Ｃは、第２導電体１０Ｂから見た時に、第１導電体１０Ａから見たときの第２遮蔽板３０Ｂとして採用され得る構成と同様の構成を有することがきる。第３遮蔽板３０Ｃおよび第４遮蔽板３０Ｄは、第３導電体１０Ｃから見た時に、第１導電体１０Ａから見たときの遮蔽板３０Ａおよび第２遮蔽板３０Ｂとして採用される得る構成と同様の構成をそれぞれ有することができる。

【0032】

本実施形態において、これらの遮蔽板（遮蔽板３０Ａ、第２遮蔽板３０Ｂ、第３遮蔽板３０Ｃおよび第４遮蔽板３０Ｄ）の各々について、第１方向Ｄ１における寸法はたとえば２８ｍｍであり、第２方向Ｄ２における寸法はたとえば５ｍｍであり、第３方向Ｄ３における寸法は例えば３２ｍｍまたは４８ｍｍである。

【0033】

遮蔽板３０Ａ、第２遮蔽板３０Ｂ、第３遮蔽板３０Ｃおよび第４遮蔽板３０Ｄは、各々が、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）およびニッケル（Ｎｉ）のうち、２種類以上の金属を含む磁性体である。各遮蔽板がこのような磁性体であることにより、磁界の遮蔽効果が向上する。

【0034】

各遮蔽板は、軟磁気特性向上のための１以上の添加元素をさらに含んでいてもよい。添加元素としては、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、バナジウム（Ｖ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、および、タングステン（Ｗ）などが挙げられる。

【0035】

第１集磁板４０Ａは、第１導電体１０Ａと遮蔽板３０Ａとの間において第１導電体１０Ａおよび遮蔽板３０Ａのそれぞれと離隔して位置する。第１方向Ｄ１における第１集磁板４０Ａの長さは遮蔽板３０Ａの長さより短く、かつ、第３方向Ｄ３における第１集磁板４０Ａの長さは遮蔽板３０Ａの長さより短い。

【0036】

上記の構成のように、第１方向Ｄ１および第３方向Ｄ３において遮蔽板３０Ａより大きさの小さい第１集磁板４０Ａによって、第１導電体１０Ａの近傍においては、第１磁界Ｂ１が集められ、第１磁気センサ２０Ａを通過する第１磁界Ｂ１の磁束密度を高くすることができる。なお、第１集磁板４０Ａの具体的な構成は後述する。

【0037】

第２集磁板４０Ｂは、第２導電体１０Ｂと遮蔽板３０Ａとの間において第２導電体１０Ｂおよび遮蔽板３０Ａのそれぞれと離隔して位置する。第１方向Ｄ１における第２集磁板４０Ｂの長さは遮蔽板３０Ａの長さより短く、かつ、第３方向Ｄ３における第２集磁板４０Ｂの長さは遮蔽板３０Ａの長さより短い。

【0038】

上記の構成のように、第１方向Ｄ１および第３方向Ｄ３において遮蔽板３０Ａより大きさの小さい第２集磁板４０Ｂによって、第２導電体１０Ｂの近傍においては、第２磁界Ｂ２が集められ、第１磁気センサ２０Ａを通過する第１磁界Ｂ１の磁束密度を高くすることができる。

【0039】

なお、第２集磁板４０Ｂが有する構成は、第１集磁板４０Ａが有し得る構成と同様であってもよい。また、第２導電体１０Ｂ、第２磁気センサ２０Ｂおよび遮蔽板３０Ａに関して第２集磁板４０Ｂが有する構成は、第１導電体１０Ａ、第１磁気センサ２０Ａおよび遮蔽板３０Ａに関して第１集磁板４０Ａが有し得る構成と同様の構成であってもよい。

【0040】

第１集磁板４０Ａの構成の詳細について説明する。図４は、本開示の実施形態１における第１集磁板を示す斜視図である。

【0041】

図１から図４に示すように、第１集磁板４０Ａは、第１集磁板４０Ａの第３方向Ｄ３における一方端縁４１および他方端縁４２の各々が第１集磁板４０Ａの第３方向Ｄ３における中心に向かって切り欠かれることで形成された一対の切欠部４３を有している。

【0042】

上記の構成によれば、第１集磁板４０Ａによって集磁された第３方向Ｄ３に沿って延びる第１磁界Ｂ１の磁束線の一部が、切欠部４３の外形形状に沿うように延びるように誘導され、さらに遮蔽板３０Ａに誘導される（図３参照）。結果として、切欠部４３から第１磁気センサ２０Ａに向かう磁界（または、電流の流れる方向が逆であれば、第１磁気センサ２０Ａから切欠部４３に向かう磁界）の磁束密度が若干小さくなる。したがって、第１集磁板４０Ａを配置することで第１磁気センサ２０Ａにおける第１磁界Ｂ１の磁束密度を高くしつつも、切欠部４３によって第１磁気センサ２０Ａを通過する磁場の強さを大きさを最適化することが容易となる。

【0043】

本実施形態において、第１集磁板４０Ａの一方端縁４１は、第１集磁板４０Ａの上側の端縁である。第１集磁板４０Ａの他方端縁４２は、第１集磁板４０Ａの下側の端縁である。一方端縁４１側の切欠部４３が形成されることで、第２方向Ｄ２から見て第１磁気センサ２０Ａは第１集磁板４０Ａと重ならないように位置しているが、第１集磁板４０Ａの一方端縁４１は、第１磁気センサ２０Ａより上方に位置している。

【0044】

第１集磁板４０Ａは、一対の切欠部４３を有することにより、第２方向Ｄ２から見て略Ｈ字状の外形を有している。第２方向Ｄ２から見た時に、第１集磁板４０Ａは、第１磁気センサ２０Ａより下方かつ第１方向Ｄ１における第１磁気センサ２０Ａの両側に位置している。

【0045】

第１集磁板４０Ａの他方端縁４２側の切欠部４３の構成は特に限定されない。他方端縁４２側の切欠部４３は、第３方向Ｄ３に直交する仮想平面に関して一方端縁４１側の切欠部４３と面対称となるように形成されていることが好ましい。また、第１集磁板４０Ａの第３方向Ｄ３における中心は、第２方向Ｄ２から見て第１導電体１０Ａと重なるように位置している。

【0046】

一対の切欠部４３は、第３方向Ｄ３を向く端面４３１が第２方向Ｄ２から見た時に湾曲するように形成されている。これにより、湾曲にした端面４３１に沿って磁束線が誘導されやすくなり、切欠部４３から第１磁気センサ２０Ａに向かう磁界（または、電流の流れる方向が逆であれば、第１磁気センサ２０Ａから切欠部４３に向かう磁界）の磁束密度が容易に小さくなる。このため、第１磁気センサ２０Ａを通過する第１磁界Ｂ１の大きさを切欠部４３によって最適化することがより容易となる。本実施形態において、切欠部４３の端面４３１は第２方向Ｄ２から見て一様に湾曲している。

【0047】

切欠部４３が形成されることで互いに分離した一方端縁４１同士の距離は、特に限定されないが、たとえば１２ｍｍである。また、切欠部４３が形成されることで互いに分離した他方端縁４２同士の距離は、特に限定されないが、たとえば１２ｍｍである。切欠部４３の第３方向Ｄ３における切り欠き寸法は、たとえば８ｍｍである。

【0048】

なお、切欠部４３は、本実施形態における形状に限定されず、第１磁界Ｂ１の磁束線を誘導可能である限り様々な形状をとり得る。図５は、本開示の実施形態１における第１集磁板の第１変形例を示す斜視図である。図６は、本開示の実施形態１における第１集磁板の第１変形例を示す側面図である。

【0049】

図５および図６に示すように、第１変形例に係る第１集磁板４０ａにおいては、第３方向Ｄ３を向く端面４３１ａが、第３方向Ｄ３に直交する平面である。切欠部４３は、一対の内側面４３２をさらに有する。一方端縁４１側において、一対の内側面４３２の各々は、一方端縁４１と端面４３１ａとを接続する。他方端縁４２側において、一対の内側面４３２の各々は、他方端縁４２と端面４３１ａとを接続する。

【0050】

図７は、本開示の実施形態１における第１集磁板の第２変形例を示す斜視図である。図８は、本開示の実施形態１における第１集磁板の第２変形例を示す側面図である。

【0051】

図７および図８に示すように、第２変形例に係る第１集磁板４０ｂにおいては、第３方向Ｄ３を向く端面４３１ｂが、第２方向Ｄ２から見た時に円弧状に延びており、具体的には半円状に延びている。切欠部４３は、第１変形例と同様の一対の内側面４３２を有する。切欠部４３は、一対の内側面４３２を有していなくてもよい。

【0052】

図９は、本開示の実施形態１における第１集磁板の第３変形例を示す斜視図である。図１０は、本開示の実施形態１における第１集磁板の第３変形例を示す側面図である。

【0053】

図９および図１０に示すように、第３変形例に係る第１集磁板４０ｃの一対の切欠部４３の各々において、第３方向Ｄ３を向く複数の端面４３１ｃが形成されている。第１方向Ｄ１において互いに隣り合う端面４３１ｃは、第３方向Ｄ３において異なる位置に位置している。これにより、第２方向Ｄ２から見て切欠部４３が段部を有している。

【0054】

なお、本開示の実施形態１においては、図１に示すように、第３集磁板４０Ｃが有する構成が、第１集磁板４０Ａが有し得る構成と同様であってもよい。また、第１導電体１０Ａ、第１磁気センサ２０Ａおよび第２遮蔽板３０Ｂに関して第３集磁板４０Ｃが有する構成は、第１導電体１０Ａ、第１磁気センサ２０Ａおよび遮蔽板３０Ａに関して第１集磁板４０Ａが有し得る構成と同様の構成であってもよい。

【0055】

第４集磁板４０Ｄが有する構成は、第２集磁板４０Ｂが有し得る構成と同様であってもよい。また、第２導電体１０Ｂ、第２磁気センサ２０Ｂおよび第３遮蔽板３０Ｃに関して第４集磁板４０Ｄが有する構成は、第２導電体１０Ｂ、第２磁気センサ２０Ｂおよび遮蔽板３０Ａに関して第２集磁板４０Ｂが有し得る構成と同様の構成であってもよい。

【0056】

第５集磁板４０Ｅが有する構成は、第４集磁板４０Ｄが有し得る構成と同様であってもよい。また、第３導電体１０Ｃ、第３磁気センサ２０Ｃおよび第３遮蔽板３０Ｃに関して第５集磁板４０Ｅが有する構成は、第２導電体１０Ｂ、第２磁気センサ２０Ｂおよび第３遮蔽板３０Ｃに関して第４集磁板４０Ｄが有し得る構成と同様の構成であってもよい。

【0057】

第６集磁板４０Ｆが有する構成は、第５集磁板４０Ｅが有し得る構成と同様であってもよい。また、第３導電体１０Ｃ、第３磁気センサ２０Ｃおよび第４遮蔽板３０Ｄに関して第６集磁板４０Ｆが有する構成は、第３導電体１０Ｃ、第３磁気センサ２０Ｃおよび第３遮蔽板３０Ｃに関して第５集磁板４０Ｅが有する構成と同様の構成であってもよい。

【0058】

本実施形態において、これらの集磁板（第１集磁板４０Ａ、第２集磁板４０Ｂ、第３集磁板４０Ｃ、第４集磁板４０Ｄ、第５集磁板４０Ｅおよび第６集磁板４０Ｆ）の各々について、第１方向Ｄ１における寸法は、各導電体の幅寸法のたとえば１倍以上３倍以下（たとえば９ｍｍ以上２７ｍｍ以下）であり、第２方向Ｄ２における寸法は、隣り合う導電体までの距離（たとえば１６ｍｍ）の１／８以上１／４以下（たとえば２ｍｍ以上４ｍｍ以下）であり、第３方向Ｄ３における寸法は、各導電体の高さ寸法のたとえば１．５倍以上４倍以下（たとえば７．５ｍｍ以上２０ｍｍ以下）である。

【0059】

本実施形態において、これらの集磁板（第１集磁板４０Ａ、第２集磁板４０Ｂ、第３集磁板４０Ｃ、第４集磁板４０Ｄ、第５集磁板４０Ｅおよび第６集磁板４０Ｆ）の各々について、第１方向Ｄ１における寸法はたとえば２０ｍｍであり、第２方向Ｄ２における寸法はたとえば３ｍｍであり、第３方向Ｄ３における寸法はたとえば２０ｍｍである。

【0060】

なお、上述した遮蔽板（遮蔽板３０Ａ、第２遮蔽板３０Ｂ、第３遮蔽板３０Ｃおよび第４遮蔽板３０Ｄ）の各々について、第１方向Ｄ１における寸法は、集磁板の第１方向Ｄ１における寸法のたとえば１．２倍以上３倍以下（たとえば２４ｍｍ以上６０ｍｍ以下）であり、第２方向Ｄ２における寸法は、集磁板の第２方向Ｄ２における寸法のたとえば１倍以上３倍以下（たとえば３ｍｍ以上９ｍｍ以下）であり、第３方向Ｄ３における寸法は、集磁板の第３方向Ｄ３における寸法のたとえば１．５倍以上３倍以下（たとえば３０ｍｍ以上６０ｍｍ以下）である。

【0061】

第１集磁板４０Ａ、第２集磁板４０Ｂ、第３集磁板４０Ｃ、第４集磁板４０Ｄ、第５集磁板４０Ｅおよび第６集磁板４０Ｆは、各々が、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）およびニッケル（Ｎｉ）のうち、２種類以上の金属を含む磁性体である。各集磁板がこのような磁性体であることにより、各集磁板の磁界の集磁効果が向上する。

【0062】

各集磁板は、軟磁気特性向上のための１以上の添加元素をさらに含んでいてもよい。添加元素としては、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、バナジウム（Ｖ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、および、タングステン（Ｗ）などが挙げられる。

【0063】

上述のように、本開示の実施形態に係る電流センサ１は、第１導電体１０Ａと、第２導電体１０Ｂと、第１磁気センサ２０Ａと、第２磁気センサ２０Ｂと、遮蔽板３０Ａと、第１集磁板４０Ａと、第２集磁板４０Ｂとを備えている。第１導電体１０Ａは、第１方向Ｄ１に延び、第１方向Ｄ１に沿って電流を流す。第２導電体１０Ｂは第１導電体１０Ａと離隔しつつ第１方向Ｄ１に延び、第１方向Ｄ１に沿って電流を流す。第１磁気センサ２０Ａは、第１方向Ｄ１、および、第１導電体１０Ａと第２導電体１０Ｂとが並ぶ第２方向Ｄ２の両方に直交する第３方向Ｄ３において、第１導電体１０Ａと並んでおり、第１導電体１０Ａを流れる電流により生じる磁場を検知する。第２磁気センサ２０Ｂは、第３方向Ｄ３において第２導電体１０Ｂと並んでおり、第２導電体１０Ｂを流れる電流により生じる磁場を検知する。遮蔽板３０Ａは、第１導電体１０Ａおよび第１磁気センサ２０Ａと、第２導電体１０Ｂおよび第２磁気センサ２０Ｂとの間に位置する。第１集磁板４０Ａは、第１導電体１０Ａと遮蔽板３０Ａとの間において第１導電体１０Ａおよび遮蔽板３０Ａのそれぞれと離隔して位置する。第２集磁板４０Ｂは、第２導電体１０Ｂと遮蔽板３０Ａとの間において第２導電体１０Ｂおよび遮蔽板３０Ａのそれぞれと離隔して位置する。第１方向Ｄ１における第１集磁板４０Ａの長さは遮蔽板３０Ａの長さより短く、かつ、第３方向Ｄ３における第１集磁板４０Ａの長さは遮蔽板３０Ａの長さより短い。第１方向Ｄ１における第２集磁板４０Ｂの長さは遮蔽板３０Ａの長さより短く、かつ、第３方向Ｄ３における第２集磁板４０Ｂの長さは遮蔽板３０Ａの長さより短い。

【0064】

上記の構成によれば、遮蔽板３０Ａによって、第２導電体１０Ｂに流れた電流により発生した第２磁界Ｂ２が第１磁気センサ２０Ａによって検知されることが抑制されて、電流センサ１の検知精度が向上する。そして、第１方向Ｄ１および第３方向Ｄ３において遮蔽板３０Ａより大きさの小さい第１集磁板４０Ａによって、第１導電体１０Ａの近傍においては、第１導電体１０Ａに流れた電流により発生した第１磁界Ｂ１が集められ、第１磁気センサ２０Ａを通過する第１磁界Ｂ１の磁束密度を高くすることができる。これと同様に、遮蔽板３０Ａによって第１磁界Ｂ１が第２磁気センサ２０Ｂによって検知されることが抑制されて、電流センサ１の検知精度が向上する。そして、第１方向Ｄ１および第３方向Ｄ３において遮蔽板３０Ａより大きさの小さい第２集磁板４０Ｂによって、第２導電体１０Ｂの近傍においては第２磁界Ｂ２が集められ、第２磁気センサ２０Ｂにおける第２磁界Ｂ２の磁束密度を高くすることができる。

【0065】

したがって、本開示によれば、互いに隣り合う複数の導電体に対応する複数の磁気センサを通過する磁場の磁束密度を大きくしつつ、検知精度が向上した電流センサ１を提供できる。

【0066】

第１集磁板４０Ａは、第１集磁板４０Ａの第３方向Ｄ３における一方端縁４１および他方端縁４２の各々が第１集磁板４０Ａの第３方向Ｄ３における中心に向かって切り欠かれることで形成された一対の切欠部４３を有している。

【0067】

上記の構成によれば、第１集磁板４０Ａによって集磁された第３方向Ｄ３に沿って延びる第１磁界Ｂ１の磁束線の一部が、切欠部４３の外形形状に沿うように延びるように誘導され、さらに遮蔽板３０Ａに誘導される。結果として、切欠部４３から第１磁気センサ２０Ａに向かう磁界、または、第１磁気センサ２０Ａから切欠部４３に向かう磁界の磁束密度が若干小さくなる。したがって、第１集磁板４０Ａを配置することで第１磁気センサ２０Ａにおける第１磁界Ｂ１の磁束密度を高くしつつも、切欠部４３によって第１磁気センサ２０Ａを通過する磁場の強さを最適化することが容易となる。

【0068】

一対の切欠部４３は、第３方向Ｄ３を向く端面４３１が第２方向Ｄ２から見た時に湾曲するように形成されている。

【0069】

上記の構成によれば、湾曲にした端面４３１に沿って磁束線が誘導されやすくなり、切欠部４３から第１磁気センサ２０Ａに向かう磁界、または、第１磁気センサ２０Ａから切欠部４３に向かう磁界の磁束密度が容易に小さくなる。このため、第１磁気センサ２０Ａを通過する第１磁界Ｂ１の大きさを切欠部４３によって最適化することがより容易となる。

【0070】

第１磁気センサ２０Ａおよび第２磁気センサ２０Ｂは、各々が、トンネル型磁気抵抗センサまたは巨大磁気抵抗センサである。

【0071】

本実施形態においては、上記のように第１磁気センサ２０Ａおよび第２磁気センサ２０Ｂの各々がトンネル型磁気抵抗センサまたは巨大磁気抵抗センサであるため、磁界密度検知可能範囲に上限がある。本実施形態に係るセンサにおいては、切欠部４３によって、これらの磁気センサを通過する磁束密度を、磁界密度検知可能範囲の上限近くに調節することが容易となる。

【0072】

第１磁気センサ２０Ａおよび第２磁気センサ２０Ｂは、各々が、第２方向Ｄ２における磁界強度を検出する。

【0073】

本実施形態においては、切欠部４３によって、第２方向Ｄ２に沿って切欠部４３から第１磁気センサ２０Ａに向かう磁界、または、第２方向Ｄ２に沿って第１磁気センサ２０Ａから切欠部４３に向かう磁界の磁束密度が若干小さくなる。このため、上記のように第１磁気センサ２０Ａおよび第２磁気センサ２０Ｂの各々が、第２方向Ｄ２における磁界強度を検出する場合には、上記切欠部４３による磁束密度調整が効果が顕著になる。

【0074】

遮蔽板３０Ａ、第１集磁板４０Ａ、および、第２集磁板４０Ｂは、各々が、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）およびニッケル（Ｎｉ）のうち、２種類以上の金属を含む磁性体である。

【0075】

遮蔽板３０Ａがこのような磁性体であることにより、磁界の遮蔽効果が向上する。また、第１集磁板４０Ａおよび第２集磁板４０Ｂがこのような磁性体であることにより磁界の集磁効果が向上する。

【0076】

（実施形態２）
以下、本開示の実施形態２に係る電流センサについて説明する。本開示の実施形態２に係る電流センサは、各集磁板の構成が本開示の実施形態２に係る電流センサ１と異なる。よって、本開示の実施形態１に係る電流センサ１と同様である構成については説明を繰り返さない。

【0077】

図１１は、本開示の実施形態２に係る電流センサを示す正面図である。図１２は、図１１の電流センサをＸＩＩ－ＸＩＩ線矢印方向から見たときの断面図である。図１２においては、見やすさのため第１導電体１０Ａを破線で示している。

【0078】

本開示の実施形態２に係る電流センサ１ｘにおいては、第１集磁板４０Ａｘが、一対の切欠部を有していない。しかしながら、本開示の実施形態１と同様に、第１方向Ｄ１における第１集磁板４０Ａｘの長さは遮蔽板３０Ａの長さより短く、かつ、第３方向Ｄ３における第１集磁板４０Ａｘの長さは遮蔽板３０Ａの長さより短い。第１方向Ｄ１における第２集磁板４０Ｂの長さは遮蔽板３０Ａの長さより短く、かつ、第３方向Ｄ３における第２集磁板４０Ｂの長さは遮蔽板３０Ａの長さより短い。このため、本開示の実施形態２に係る電流センサ１ｘは、本開示の実施形態１に係る電流センサ１と同様に、互いに隣り合う複数の導電体に対応する複数の磁気センサを通過する磁場の磁束密度を大きくしつつ、検知精度が向上している。

【0079】

本実施形態においては、第１集磁板４０Ａｘの一方端縁４１は、第３方向Ｄ３に直交する方向に延びる、平面状である。第１集磁板４０Ａｘの一方端縁４１は、第２方向Ｄ２から見て、第１磁気センサ２０Ａより下方に位置している。これにより、第１集磁板４０Ａを配置することで第１磁気センサ２０Ａにおける第１磁界Ｂ１の磁束密度を大きくしつつも、第１磁気センサ２０Ａを通過する磁界の強さが大きくなりすぎないように調整することが可能となる。しかしながら、一方端縁４１の第３方向Ｄ３における位置を調整するよりも、実施形態１のように切欠部４３を形成するほうが、容易に磁界の強さを調整できる。

【0080】

第１集磁板４０Ａｘの第３方向Ｄ３における寸法は特に限定されないが、たとえば８ｍｍである。なお、図１１に示されるように、本実施形態においても実施形態１と同様、第１集磁板４０Ａｘ以外の集磁板が第１集磁板４０Ａｘの構成と同様または類似の構成を有することができる。

【0081】

（実施形態３）
以下、本開示の実施形態３に係る電流センサについて説明する。本開示の実施形態３に係る電流センサは、外側集磁板をさらに備える点で、本開示の実施形態１に係る電流センサと異なる。よって、本開示の実施形態１に係る電流センサと同様である構成については説明を繰り返さない。

【0082】

図１３は、本開示の実施形態３に係る電流センサを示す正面図である。図１３に示すように、本開示の実施形態３に係る電流センサ１ｙは、少なくとも１つの外側集磁板５０ｙをさらに備える。外側集磁板５０ｙは、第１導電体１０Ａ、第２導電体１０Ｂ、第１磁気センサ２０Ａ、第２磁気センサ２０Ｂ、遮蔽板３０Ａ、第１集磁板４０Ａおよび第２集磁板４０Ｂの各々から見て、第３方向Ｄ３における一方側に位置しつつ、第２方向Ｄ２に沿って延びている。

【0083】

上記の構成によれば、各導電体により発生する磁界とは異なる外部磁場ＢＥが第２方向Ｄ２に沿って発生している際には、外部磁場ＢＥの磁束線が外側集磁板５０ｙに誘導されるため、各磁気センサによる外部磁場ＢＥの誤検知が抑制される。

【0084】

なお、本実施形態において、上記少なくとも１つの外側集磁板５０ｙは、第３導電体１０Ｃ、第３磁気センサ２０Ｃ、第２遮蔽板３０Ｂ、第３遮蔽板３０Ｃ、第４遮蔽板３０Ｄ、第３集磁板４０Ｃ、第４集磁板４０Ｄ、第５集磁板４０Ｅおよび第６集磁板４０Ｆの各々から見ても、第３方向Ｄ３における上記一方側に位置しつつ、第２方向Ｄ２に沿って延びている。電流センサ１ｙが１つの外側集磁板５０ｙを有する場合には、上記一方側は上側（すなわち、各磁気センサに近い側）であることが好ましい。

【0085】

さらに、本実施形態に係る電流センサ１ｙは、２つの外側集磁板５０ｙを備える。他方の外側集磁板５０ｙは、第１導電体１０Ａ、第２導電体１０Ｂ、第３導電体１０Ｃ、第１磁気センサ２０Ａ、第２磁気センサ２０Ｂ、第３磁気センサ２０Ｃ、遮蔽板３０Ａ、第２遮蔽板３０Ｂ、第３遮蔽板３０Ｃ、第４遮蔽板３０Ｄ、第１集磁板４０Ａ、第２集磁板４０Ｂ、第３集磁板４０Ｃ、第４集磁板４０Ｄ、第５集磁板４０Ｅおよび第６集磁板４０Ｆの各々から見て、第３方向Ｄ３における他方側に位置しつつ、第２方向Ｄ２に沿って延びている。

【0086】

（付記）
以上のように、本実施形態においては、以下のような開示を含む。

【0087】

＜１＞
第１方向に延び、前記第１方向に沿って電流を流す第１導電体と、
前記第１導電体と離隔しつつ前記第１方向に延び、前記第１方向に沿って電流を流す第２導電体と、
前記第１方向、および、前記第１導電体と前記第２導電体とが並ぶ第２方向の両方に直交する第３方向において、前記第１導電体と並んでおり、前記第１導電体を流れる電流により生じる磁場を検知する第１磁気センサと、
前記第３方向において前記第２導電体と並んでおり、前記第２導電体を流れる電流により生じる磁場を検知する第２磁気センサと、
前記第１導電体および前記第１磁気センサと、前記第２導電体および前記第２磁気センサとの間に位置する遮蔽板と、
前記第１導電体と前記遮蔽板との間において前記第１導電体および前記遮蔽板のそれぞれと離隔して位置する第１集磁板と、
前記第２導電体と前記遮蔽板との間において前記第２導電体および前記遮蔽板のそれぞれと離隔して位置する第２集磁板とを備え、
前記第１方向における前記第１集磁板の長さは前記遮蔽板の長さより短く、かつ、前記第３方向における前記第１集磁板の長さは前記遮蔽板の長さより短く、
前記第１方向における前記第２集磁板の長さは前記遮蔽板の長さより短く、かつ、前記第３方向における前記第２集磁板の長さは前記遮蔽板の長さより短い、電流センサ。

【0088】

＜２＞
前記第１集磁板は、前記第１集磁板の前記第３方向における一方端縁および他方端縁の各々が前記第１集磁板の前記第３方向における中心に向かって切り欠かれることで形成された一対の切欠部を有している、＜１＞に記載の電流センサ。

【0089】

＜３＞
一対の前記切欠部は、前記第３方向を向く端面が前記第２方向から見た時に湾曲するように形成されている、＜２＞に記載の電流センサ。

【0090】

＜４＞
前記第１磁気センサおよび前記第２磁気センサは、各々が、トンネル型磁気抵抗センサまたは巨大磁気抵抗センサである、＜１＞から＜３＞のいずれか１つに記載の電流センサ。

【0091】

＜５＞
前記第１磁気センサおよび前記第２磁気センサは、各々が、前記第２方向における磁界強度を検出する、＜１＞から＜４＞のいずれか１つに記載の電流センサ。

【0092】

＜６＞
前記遮蔽板、前記第１集磁板、および、前記第２集磁板は、各々が、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）およびニッケル（Ｎｉ）のうち、２種類以上の金属を含む磁性体である、＜１＞から＜５＞のいずれか１つに記載の電流センサ。

【0093】

＜７＞
前記第１導電体、前記第２導電体、前記第１磁気センサ、前記第２磁気センサ、前記遮蔽板、前記第１集磁板および前記第２集磁板の各々から見て、前記第３方向における一方側に位置しつつ、前記第２方向に沿って延びる、少なくとも１つの外側集磁板をさらに備える、＜１＞から＜６＞のいずれか１つに記載の電流センサ。

【0094】

上述した実施形態の説明において、組み合わせ可能な構成を相互に組み合わせてもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

【符号の説明】

【0095】

１，１ｘ，１ｙ 電流センサ、１０Ａ 第１導電体、１０Ｂ 第２導電体、１０Ｃ 第３導電体、２０Ａ 第１磁気センサ、２０Ｂ 第２磁気センサ、２０Ｃ 第３磁気センサ、３０Ａ （第１）遮蔽板、３０Ｂ 第２遮蔽板、３０Ｃ 第３遮蔽板、３０Ｄ 第４遮蔽板、４０Ａ，４０Ａｘ，４０ａ，４０ｂ，４０ｃ 第１集磁板、４０Ｂ 第２集磁板、４０Ｃ 第３集磁板、４０Ｄ 第４集磁板、４０Ｅ 第５集磁板、４０Ｆ 第６集磁板、４１ 一方端縁、４２ 他方端縁、４３ 切欠部、４３１，４３１ａ，４３１ｂ，４３１ｃ 端面、４３２ 内側面、５０ｙ 外側集磁板、Ｂ１ 第１磁界、Ｂ２ 第２磁界、ＢＥ 外部磁場、Ｄ１ 第１方向、Ｄ２ 第２方向、Ｄ３ 第３方向。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】