特開 2024-59320 表示装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024059320

(43)【公開日】2024-05-01

(54)【発明の名称】表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/10 20060101AFI20240423BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20240423BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20240423BHJP

   H05B 33/04 20060101ALI20240423BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20240423BHJP

   H05B 33/22 20060101ALI20240423BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20240423BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240423BHJP

【ＦＩ】

H05B33/10

H05B33/14 A

H01L27/32

H05B33/04

H05B33/12 Z

H05B33/12 B

H05B33/22 Z

G09F9/00 338

G09F9/30 365

G09F9/30 309

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022166932

(22)【出願日】2022-10-18

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】石田 有親

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC45

3K107DD89

3K107EE46

3K107EE49

3K107FF15

3K107GG14

3K107GG56

3K107GG57

5C094AA02

5C094BA03

5C094BA27

5C094CA19

5C094DA07

5C094DA13

5C094FA01

5C094FA02

5C094GB10

5C094JA08

5G435AA01

5G435BB05

5G435CC09

5G435HH02

5G435KK05

5G435KK10

(57)【要約】

【課題】 表示品位を向上させることが可能な表示装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 一実施形態に係る表示装置の製造方法は、下電極と、前記下電極を覆う有機層と、前記有機層を覆う上電極と、を含む複数の表示素子を形成し、前記複数の表示素子を個別に封止する第１封止層を形成し、前記複数の表示素子のうち、不良を有する表示素子があるか否かを検査し、前記検査することによって前記不良を有する表示素子が確認された場合、前記不良を有する表示素子を封止する前記第１封止層を貫通するリペア孔を形成する、ことを含む。
【選択図】 図１１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

下電極と、前記下電極を覆う有機層と、前記有機層を覆う上電極と、を含む複数の表示素子を形成し、
前記複数の表示素子を個別に封止する第１封止層を形成し、
前記複数の表示素子のうち、不良を有する表示素子があるか否かを検査し、
前記検査することによって前記不良を有する表示素子が確認された場合、前記不良を有する表示素子を封止する前記第１封止層を貫通するリペア孔を形成する、
ことを含む表示装置の製造方法。

【請求項2】

前記複数の表示素子を形成することは、
前記下電極を形成し、
前記下電極を覆う前記有機層を形成し、
前記有機層を覆う前記上電極を形成すること、を含む、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項3】

前記下電極を形成した後に、前記下電極と重なる画素開口を有するリブを形成し、
前記リブを形成した後に、隣り合う前記画素開口の間において前記リブの上に配置される隔壁を形成する、
ことをさらに含む請求項２に記載の表示装置の製造方法。

【請求項4】

前記リペア孔は、前記画素開口と重なり、
前記リペア孔の面積は、前記画素開口の面積よりも小さい、
請求項３に記載の表示装置の製造方法。

【請求項5】

前記リペア孔を形成した後、前記第１封止層を覆い、前記リペア孔を満たす樹脂層を形成する、
ことをさらに含む請求項１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項6】

前記リペア孔は、前記上電極をさらに貫通する、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項7】

前記リペア孔は、前記有機層をさらに貫通する、
請求項６に記載の表示装置の製造方法。

【請求項8】

前記第１封止層を形成した後、前記第１封止層を覆う樹脂層を形成する、ことをさらに含み、
前記リペア孔は、前記樹脂層および前記第１封止層を貫通する、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。

【請求項9】

前記樹脂層を形成した後、前記樹脂層を覆う第２封止層を形成する、ことをさらに含み、
前記リペア孔は、前記第２封止層、前記樹脂層、および前記第１封止層を貫通する、
請求項８に記載の表示装置の製造方法。

【請求項10】

前記リペア孔を形成した後、前記第２封止層を覆い、前記リペア孔を満たす接着層を形成する、
ことをさらに含む請求項９に記載の表示装置の製造方法。

【請求項11】

前記リペア孔は、前記不良を有する表示素子に向けてレーザ光を照射することによって形成される、
請求項１に記載の表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。

【0003】

上記のような表示装置を製造するにあたり、表示装置の表示品位を向上させるために輝点状態の表示素子を非発光としたい要望がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報

【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報

【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報

【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報

【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報

【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号

【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の目的は、表示品位を向上させることが可能な表示装置の製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一実施形態に係る表示装置の製造方法は、下電極と、前記下電極を覆う有機層と、前記有機層を覆う上電極と、を含む複数の表示素子を形成し、前記複数の表示素子を個別に封止する第１封止層を形成し、前記複数の表示素子のうち、不良を有する表示素子があるか否かを検査し、前記検査することによって前記不良を有する表示素子が確認された場合、前記不良を有する表示素子を封止する前記第１封止層を貫通するリペア孔を形成する、ことを含む。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。

【図2】図２は、副画素のレイアウトの一例を示す図である。

【図3】図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図4】図４は、表示装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。

【図5】図５は、表示装置の製造工程の一部を示す概略的な断面図である。

【図6】図６は、図５に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図7】図７は、図６に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図8】図８は、図７に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図9】図９は、図８に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図10】図１０は、図９に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図11】図１１は、図１０に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図12】図１２は、図１１に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図13】図１３は、リペア孔に適用し得る構造の他の例を示す概略的な断面図である。

【図14】図１４は、第２本実施形態に係る表示装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。

【図15】図１５は、表示装置の製造工程の一部を示す概略的な断面図である。

【図16】図１６は、図１５に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0009】

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚは、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面に対して法線方向である。また、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面と平行に各種要素を見ることを平面視という。

【0010】

各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

【0011】

［第１実施形態］
図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

【0012】

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形、あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

【0013】

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３を含んでいる。一例では、副画素ＳＰ１は青色であり、副画素ＳＰ２は緑色であり、副画素ＳＰ３は赤色である。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素を含んでもよい。

【0014】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥと、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば、薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

【0015】

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。

【0016】

表示素子ＤＥは、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は青色の波長域の光を放つ表示素子ＤＥを備え、副画素ＳＰ２は緑色の波長域の光を放つ表示素子ＤＥを備え、副画素ＳＰ３は赤色の波長域の光を放つ表示素子ＤＥを備えている。

【0017】

なお、画素回路１の構成は図示した例に限られない。画素回路１は、例えば、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

【0018】

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。図２に示す例においては、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２とが第１方向Ｘに並んでいる。副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ３も第１方向Ｘに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３とが第２方向Ｙに並んでいる。

【0019】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２，ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは、図２に示す例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

【0020】

表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１において画素開口ＡＰ１を有し、副画素ＳＰ２において画素開口ＡＰ２を有し、副画素ＳＰ３において画素開口ＡＰ３を有している。

【0021】

図２に示す例においては、画素開口ＡＰ１の面積が画素開口ＡＰ２の面積よりも大きい。画素開口ＡＰ１の面積は、画素開口ＡＰ３の面積よりも大きい。さらに、画素開口ＡＰ３の面積は、画素開口ＡＰ２の面積よりも小さい。

【0022】

隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の境界に配置されている。隔壁６は、平面視において、リブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙと、を有している。

【0023】

複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ２と画素開口ＡＰ３との間、および第２方向に隣り合う２つの画素開口ＡＰ１の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１と画素開口ＡＰ２との間、および第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１と画素開口ＡＰ３との間にそれぞれ配置されている。

【0024】

図２に示す例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において、開口を有するということもできる。

【0025】

副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、および有機層ＯＲ３を備えている。

【0026】

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、および有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、および有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３，および有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層をさらに含んでもよい。

【0027】

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて、副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて、副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて、副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

【0028】

図２に示す例において、コンタクトホールＣＨ２，ＣＨ３は、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ２と画素開口ＡＰ３との間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。コンタクトホールＣＨ１は、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ１の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。他の例として、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３の少なくとも一部が第１隔壁６ｘと重なっていなくてもよい。

【0029】

図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、および電源線ＰＬなどの各種回路および配線を含む。

【0030】

回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３に示す断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３はいずれも有機絶縁層１２に設けられている。

【0031】

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、図３に示す例において、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。リブ５は、上述の画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。

【0032】

隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２と、を含む。上部６２も下部６１と同様に、導電性を有してもよい。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３に示す例においては、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。

【0033】

有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて、下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と向かいあっている。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて、下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と向かいあっている。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて、下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と向かいあっている。

【0034】

図３に示す例においては、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１が配置され、上電極ＵＥ２の上にキャップ層ＣＰ２が配置され、上電極ＵＥ３の上にキャップ層ＣＰ３が配置されている。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の光学特性を調整する。

【0035】

有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、およびキャップ層ＣＰ１の一部は、上部６２の上に位置している。この一部は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、およびキャップ層ＣＰ１の他の部分と離間している。

【0036】

同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、およびキャップ層ＣＰ２の一部は上部６２の上に位置し、この一部は有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、およびキャップ層ＣＰ２の他の部分と離間している。

【0037】

さらに、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、およびキャップ層ＣＰ３の一部は上部６２の上に位置し、この一部は有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、およびキャップ層ＣＰ３の他の部分と離間している。

【0038】

副画素ＳＰ１には封止層ＳＥ１が配置され、副画素ＳＰ２には封止層ＳＥ２が配置され、副画素ＳＰ３には封止層ＳＥ３が配置されている。本実施形態において、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、第１封止層に相当する。

【0039】

封止層ＳＥ１は、副画素ＳＰ１を囲う隔壁６のうち副画素ＳＰ１寄りの部分やキャップ層ＣＰ１を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、副画素ＳＰ２を囲う隔壁６のうち副画素ＳＰ２寄りの部分やキャップ層ＣＰ２を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、副画素ＳＰ３を囲う隔壁６のうち副画素ＳＰ３寄りの部分やキャップ層ＣＰ３を連続的に覆っている。

【0040】

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の端部（周縁部）は、上部６２の上に位置している。図３に示す例においては、左方の隔壁６の上部６２の上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、および封止層ＳＥ１と、この上部６２の上に位置する有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、および封止層ＳＥ３とが離間している。

【0041】

また、右方の隔壁６の上部６２の上に位置する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、および封止層ＳＥ１と、この上部６２の上に位置する有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、および封止層ＳＥ２とが離間している。

【0042】

隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の境界に配置されている。より具体的には、第２隔壁６ｙ（図中左方）の下部６１は、有機層ＯＲ１と有機層ＯＲ３との間、上電極ＵＥ１と上電極ＵＥ３との間、キャップ層ＣＰ１とキャップ層ＣＰ３との間に位置している。

【0043】

同様に、第２隔壁６ｙ（図中右方）の下部６１は、有機層ＯＲ１と有機層ＯＲ２との間、上電極ＵＥ１と上電極ＵＥ２との間、キャップ層ＣＰ１とキャップ層ＣＰ２との間に位置している。封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、複数の表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を個別に封止している。

【0044】

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３によって覆われている。樹脂層１３は、封止層１４（第２封止層）によって覆われている。表示装置ＤＳＰは、封止層１４と向かいあう基板１６をさらに備えている。基板１６は、透明な接着層１５によって、封止層１４と接着されている。封止層１４は、接着層１５によって覆われている。

【0045】

有機絶縁層１２および樹脂層１３は、有機絶縁材料で形成されている。接着層１５としては、例えば、ＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）を用いることができる。

【0046】

リブ５、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３、および封止層１４は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁材料で形成されている。

【0047】

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば、銀（Ａｇ）で形成された中間層と、この中間層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層と、を有している。各導電性酸化物層は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、またはＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。

【0048】

上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えば、マグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。

【0049】

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、それぞれ複数の発光層を含んでもよい。

【0050】

キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば、透明な複数の薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。

【0051】

また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、省略されてもよい。

【0052】

隔壁６には、共通電圧が供給される。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて、画素電圧が供給される。

【0053】

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、電圧の印加に応じて発光する。より具体的には、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が青色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２との間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３との間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が赤色の波長域の光を放つ。

【0054】

基板１６は、例えば、偏光板などの光学素子、保護フィルム、カバーガラスまたはタッチパネルである。基板１６は、光学素子、保護フィルム、カバーガラスおよびタッチパネルなどの機能が異なる２種類以上の要素を接着層で貼り合わせた積層体であってもよい。

【0055】

続いて、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。
図４は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。図５乃至図１２は、それぞれ表示装置ＤＳＰの製造工程の一部を示す概略的な断面図である。図５乃至図１２においては、基板１０および回路層１１等を省略している。

【0056】

表示装置ＤＳＰの製造においては、まず、基板１０の上に回路層１１および有機絶縁層１２が形成される（工程ＰＲ１）。

【0057】

工程ＰＲ１の後、図５に示すように、有機絶縁層１２の上に下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成され（工程ＰＲ２）、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３を覆うリブ５が形成され（工程ＰＲ３）、リブ５の上に配置される隔壁６が形成される（工程ＰＲ４）。画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３は、工程ＰＲ４の前に形成されてもよいし、工程ＰＲ４の後に形成されてもよい。

【0058】

続いて、複数の表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成するための工程が実施される。本実施形態においては、表示素子ＤＥ１が最初に形成され、表示素子ＤＥ２が次に形成され、表示素子ＤＥ３が最後に形成される場合を想定する。ただし、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の形成順は、この例に限られない。

【0059】

表示素子ＤＥ１の形成にあたっては、図６に示すように、画素開口ＡＰ１を通じ下電極ＬＥ１に接触する有機層ＯＲ１、有機層ＯＲ１を覆う上電極ＵＥ１、上電極ＵＥ１を覆うキャップ層ＣＰ１が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ１および隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ１がＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって、形成される（工程ＰＲ５）。

【0060】

これら有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１および封止層ＳＥ１は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ１だけでなく、副画素ＳＰ２，ＳＰ３にも配置されている。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、およびキャップ層ＣＰ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。

【0061】

図４に示すフローチャートにおいて、工程ＰＲ５の後、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、および封止層ＳＥ１がパターニングされる（工程ＰＲ６）。このパターニングにおいては、図７に示すように、封止層ＳＥ１の上にレジストＲが配置される。レジストＲは、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部とを覆っている。

【0062】

その後、レジストＲをマスクとしたエッチングにより、図８に示すように、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、および封止層ＳＥ１のうちレジストＲから露出した部分が除去される。このエッチングは、例えば、封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１、および有機層ＯＲ１に対して順に実施されるウェットエッチングおよびドライエッチングを含む。

【0063】

図８に示した工程の後、レジストＲが除去される。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２，ＳＰ３に表示素子および封止層が形成されていない基板を得ることができる。

【0064】

表示素子ＤＥ２は、表示素子ＤＥ１と同様の手順で形成される。すなわち、工程ＰＲ６の後、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触する有機層ＯＲ２、有機層ＯＲ２を覆う上電極ＵＥ２、上電極ＵＥ２を覆うキャップ層ＣＰ２が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ２および隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ２がＣＶＤによって形成される（工程ＰＲ７）。

【0065】

これら有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、および封止層ＳＥ２は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ２だけでなく、副画素ＳＰ１，ＳＰ３にも配置される。

【0066】

工程ＰＲ７の後、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、および封止層ＳＥ２がウェットエッチングおよびドライエッチングによりパターニングされる（工程ＰＲ８）。このパターニングの流れは、工程ＰＲ６と同様である。

【0067】

工程ＰＲ８を経ると、図９に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２および封止層ＳＥ２が形成され、副画素ＳＰ３に表示素子および封止層が形成されていない基板を得ることができる。

【0068】

表示素子ＤＥ３は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２と同様の手順で形成される。すなわち、工程ＰＲ８の後、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触する有機層ＯＲ３、有機層ＯＲ３を覆う上電極ＵＥ３、上電極ＵＥ３を覆うキャップ層ＣＰ３が蒸着によって順に形成されるとともに、キャップ層ＣＰ３および隔壁６を連続的に覆う封止層ＳＥ３がＣＶＤによって形成される（工程ＰＲ９）。

【0069】

これら有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、および封止層ＳＥ３は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ３だけでなく、副画素ＳＰ１，ＳＰ２にも配置される。

【0070】

工程ＰＲ９の後、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、および封止層ＳＥ３がウェットエッチングおよびドライエッチングによりパターニングされる（工程ＰＲ１０）。このパターニングの流れは、工程ＰＲ６，ＰＲ８と同様である。

【0071】

工程ＰＲ１０を経ると、図１０に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２および封止層ＳＥ２が形成され、副画素ＳＰ３に表示素子ＤＥ３および封止層ＳＥ３が形成された基板を得ることができる。

【0072】

工程ＰＲ１０の後、複数の表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を検査する工程が実施される（工程ＰＲ１１）。複数の表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の検査は、例えば、複数の表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の各々に電圧を印加し、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３を発光させることで実施される。

【0073】

工程ＰＲ１１の検査によって、複数の表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３のうち、不良を有する表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３があるか否かの確認が実施される（工程ＰＲ１２）。工程ＰＲ１１の検査において、例えば、輝点状態の表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３が確認された場合、不良を有する表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３があると判定される（工程ＰＲ１２のＹＥＳ）。

【0074】

ここで、輝点状態とは、信号線ＳＬを通じて画素回路１（図１に示す）に供給される信号（画素電圧）によらずに、常に高輝度で表示素子が発光する状態を意味する。このような輝点状態の表示素子は、表示装置ＤＳＰの表示品位の低下の一つとなり得る。

【0075】

不良を有する表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３がないと判定された場合（工程ＰＲ１２のＮｏ）、樹脂層１３、封止層１４、および接着層１５が順に形成され、接着層１５の上に基板１６が配置される（工程ＰＲ１４）。

【0076】

ここで、少なくとも１つの表示素子ＤＥ１が不良を有する場合を想定する。不良を有する表示素子ＤＥ１があると判定された場合（工程ＰＲ１２のＹｅｓ）、図１１に示すように、少なくとも封止層ＳＥ１を貫通するリペア孔ＯＰが形成される（工程ＰＲ１３）。

【0077】

リペア孔ＯＰは、封止層ＳＥ１を貫通する貫通孔Ｐ１を少なくとも有している。リペア孔ＯＰは、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１、有機層ＯＲ１、および下電極ＬＥ１と重なる。

【0078】

リペア孔ＯＰは、図１１に示す例において、画素開口ＡＰ１と重なる位置に形成されている。リペア孔ＯＰの深さは、画素開口ＡＰ１と重なる部分における封止層ＳＥ１の厚さと実質的に等しい。

【0079】

リペア孔ＯＰの面積は、図１１に示す例において、画素開口ＡＰ１の面積よりも小さい。リペア孔ＯＰは、例えば、図１１に示すように、封止層ＳＥ１に向けてレーザ光７０を照射することによって形成される。レーザ光７０は、一例では、ＹＡＧレーザから照射されるが、この例に限られない。

【0080】

工程ＰＲ１３を経ると、図１１に示すように、リペア孔ＯＰが形成された基板を得ることができる。リペア孔ＯＰが形成されることによって、リペア孔ＯＰを介して表示素子ＤＥ１に水分が浸入する。

【0081】

図１１に示す例においては、リペア孔ＯＰを通じてキャップ層ＣＰ１が露出している。このため、水分はキャップ層ＣＰ１から有機層ＯＲ１に向けて浸入し得る。この水分は、例えば、大気中の水分であってもよい。また、この水分は、工程ＰＲ１３以降の洗浄工程で用いられる洗浄液に含まれるものであってもよい。さらには、工程ＰＲ１３以降にリペア孔ＯＰを通じて表示素子ＤＥ１に水分を浸入させるための工程が実施されてもよい。

【0082】

表示素子ＤＥ１に水分が浸入することによって、有機層ＯＲ１が劣化し、不良を有する表示素子ＤＥ１が輝点状態から発光しない滅点状態へ変化し、輝点状態が解消される。

【0083】

リペア孔ＯＰが形成された後、図１２に示すように、樹脂層１３、封止層１４および接着層１５が順に形成され、接着層１５の上に基板１６が配置される（工程ＰＲ１４）。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。

【0084】

封止層ＳＥ１の上に樹脂層１３が形成される際、樹脂層１３の一部がリペア孔ＯＰを満たす。このため、樹脂層１３は、リペア孔ＯＰに位置する充填部１３１を有する。樹脂層１３に含まれる水分がリペア孔ＯＰを通じて浸入し、表示素子ＤＥ１が滅点状態となってもよい。

【0085】

図１３は、リペア孔ＯＰに適用し得る構造の他の例を示す概略的な断面図である。リペア孔ＯＰは、図１３に示す例において、封止層ＳＥ１，キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１、および有機層ＯＲ１を貫通している。言い換えると、リペア孔ＯＰは、封止層ＳＥ１に形成された貫通孔Ｐ１と、キャップ層ＣＰ１に形成された貫通孔Ｐ２と、上電極ＵＥ１に形成された貫通孔Ｐ３と、有機層ＯＲ１に形成された貫通孔Ｐ４と、を有している。

【0086】

リペア孔ＯＰは、他の例として、封止層ＳＥ１，キャップ層ＣＰ１、および上電極ＵＥ１を貫通し、有機層ＯＲ１を貫通していなくてもよい。言い換えると、リペア孔ＯＰは、封止層ＳＥ１に形成された貫通孔Ｐ１、キャップ層ＣＰ１に形成された貫通孔Ｐ２、上電極ＵＥ１に形成された貫通孔Ｐ３を有し、有機層ＯＲ１に形成された貫通孔Ｐ４を有していなくてもよい。

【0087】

リペア孔ＯＰは、さらに他の例として、封止層ＳＥ１およびキャップ層ＣＰ１を貫通し、有機層ＯＲ１および上電極ＵＥ１を貫通していなくてもよい。言い換えると、リペア孔ＯＰは、封止層ＳＥ１に形成された貫通孔Ｐ１およびキャップ層ＣＰ１に形成された貫通孔Ｐ２を有し、上電極ＵＥ１に形成された貫通孔Ｐ３および有機層ＯＲ１に形成された貫通孔Ｐ４を有していなくてもよい。

【0088】

リペア孔ＯＰを深くすることよって、水分が有機層ＯＲ１に入りやすくなる。その結果、不良を有する表示素子ＤＥ１を確実に非発光とすることができる。ただし、リペア孔ＯＰが下電極ＬＥ１を貫通すると、有機絶縁層１２やその下方の回路層１１に水分が浸入し得る。そのため、リペア孔ＯＰは、下電極ＬＥ１を貫通しないほうが好ましい。

【0089】

本実施形態においては、表示素子ＤＥ１が不良を有する場合を想定したが、表示素子ＤＥ２，ＤＥ３が不良を有する場合においても同様に、工程ＰＲ１３においてリペア孔ＯＰが形成される。

【0090】

表示素子ＤＥ２が不良を有する場合、少なくとも封止層ＳＥ２を貫通するリペア孔ＯＰが形成される。表示素子ＤＥ３が不良を有する場合、少なくとも封止層ＳＥ３を貫通するリペア孔ＯＰが形成される。

【0091】

また、不良を有する表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３が複数ある場合には、不良を有する表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の各々に対して、リペア孔ＯＰが形成される。

【0092】

仮に輝点状態の表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３が存在すると、その表示色が常にユーザに視認されることとなり、表示装置ＤＳＰの表示品位が低下する。これに対し、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの製造方法においては、検査の工程にて不良を有する表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３が確認された場合、不良を有する表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を覆う封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３にリペア孔ＯＰが形成される。

【0093】

これにより、不良を有する表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３が輝点状態から滅点状態に変化する。その結果、不良を有する表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３による表示装置ＤＳＰの表示品位の低下が抑制される。

【0094】

本実施形態において、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、複数の表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を個別に封止している。より具体的には、リブ５の上に配置される隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３の間に位置している。隣り合う有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３、およびキャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、隔壁６によって分断されている。

【0095】

これにより、リペア孔ＯＰから浸入した水分が、不良を有する表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３から隣り合う正常な表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３へ浸入することを抑制できる。また、リブ５は無機絶縁材料によって形成されているため、水分がリブ５を介して隣り合う正常な表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３へ浸入することも抑制できる。

【0096】

その結果、不良を有する表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３に加えて隣り合う正常な表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３までもが滅点状態となり、表示領域ＤＡにいわゆるダークスポットが生じることを抑制できる。言い換えると、本実施形態であれば、不良を有する表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を選択的に非発光とすることができる。

【0097】

以上のように、本実施形態の構成によれば、表示品位を向上させることが可能な表示装置ＤＳＰの製造方法を提供することができる。その他にも、本実施形態からは種々の好適な効果を得ることができる。

【0098】

［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成のうち、特に言及しない部分については第１実施形態と同様のものを適用できる。

【0099】

図１４は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。図１５および図１６は、それぞれ表示装置ＤＳＰの製造工程の一部を示す概略的な断面図である。図１５および図１６においては、基板１０および回路層１１等を省略している。

【0100】

本実施形態における工程ＰＲ１乃至工程ＰＲ１０は、第１実施形態と同様である。本実施形態においては、工程ＰＲ１０の後、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３を覆う樹脂層１３、および封止層１４が順に形成される（工程ＰＲ２１）。

【0101】

工程ＰＲ２１の後、複数の表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を検査する工程が実施される（工程ＰＲ２２）。工程ＰＲ２２の検査においては、第１実施形態における工程ＰＲ１１と同様に、複数の表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３のうち、不良を有する表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３があるか否かの確認が実施される（工程ＰＲ２３）。

【0102】

工程ＰＲ２２の検査において、例えば、輝点状態の表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３が確認された場合、不良を有する表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３があると判定される（工程ＰＲ２３のＹＥＳ）。不良を有する表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３がないと判定された場合（工程ＰＲ２３のＮｏ）、封止層１４の上に接着層１５が形成され、接着層１５の上に基板１６が配置される（工程ＰＲ２５）。

【0103】

ここで、表示素子ＤＥ１が不良を有する場合を想定する。不良を有する表示素子ＤＥ１があると判定された場合（工程ＰＲ２３のＹｅｓ）、図１５に示すようにリペア孔ＯＰが形成される（工程ＰＲ２４）。

【0104】

本実施形態において、リペア孔ＯＰは、封止層１４、樹脂層１３、および封止層ＳＥ１を貫通している。言い換えると、リペア孔ＯＰは、樹脂層１３を貫通する貫通孔Ｐ５と、封止層１４を貫通する貫通孔Ｐ６と、封止層ＳＥ１を貫通する貫通孔Ｐ１と、を有している。リペア孔ＯＰは、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１、有機層ＯＲ１、および下電極ＬＥ１と重なる。

【0105】

リペア孔ＯＰは、図１５に示す例において、画素開口ＡＰ１と重なる位置に形成されている。リペア孔ＯＰの深さは、画素開口ＡＰ１と重なる部分における、封止層１４、樹脂層１３、および封止層ＳＥ１の厚さの合計と実質的に等しい。リペア孔ＯＰの面積は、図１５に示す例において、画素開口ＡＰ１の面積よりも小さい。

【0106】

工程ＰＲ２４を経ると、図１５に示すように、リペア孔ＯＰが形成された基板を得ることができる。リペア孔ＯＰが形成されることによって、リペア孔ＯＰを介して水分が浸入する。表示素子ＤＥ１に水分が浸入することによって、有機層ＯＲ１が劣化し、表示素子ＤＥ１が非発光となる。これにより、表示素子ＤＥ１の輝点状態が解消される。

【0107】

リペア孔ＯＰが形成された後、図１６に示すように、封止層１４の上に接着層１５が形成され、接着層１５の上に基板１６が配置される（工程ＰＲ２５）。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。

【0108】

封止層１４の上に接着層１５が形成される際、接着層１５の一部がリペア孔ＯＰを満たす。このため、接着層１５は、リペア孔ＯＰに位置する充填部１５１を有する。接着層１５に含まれる水分がリペア孔ＯＰを通じて浸入し、表示素子ＤＥ１が滅点状態となってもよい。

【0109】

本実施形態においては、封止層１４が形成された後にリペア孔ＯＰが形成されているが、リペア孔ＯＰは、封止層１４が形成される前に形成されてもよい。

【0110】

本実施形態においても、第１実施形態と同様に、リペア孔ＯＰは、キャップ層ＣＰ１に形成された貫通孔Ｐ２をさらに有してもよいし、キャップ層ＣＰ１に形成された貫通孔Ｐ２および上電極ＵＥ１に形成された貫通孔Ｐ３をさらに有してもよい。

【0111】

リペア孔ＯＰは、他の例として、キャップ層ＣＰ１に形成された貫通孔Ｐ２、上電極ＵＥ１に形成された貫通孔Ｐ３、および有機層ＯＲ１に形成された貫通孔Ｐ４をさらに有してもよい。

【0112】

本実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。すわなち、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの製造方法においても、不良を有する表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を覆う封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３を貫通するリペア孔ＯＰが形成される。これにより、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３を水分が劣化させ、不良を有する表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を輝点状態から発光しない滅点状態へ変化させることができる。

【0113】

これにより、不良を有する表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３による表示装置ＤＳＰの表示品位の低下を抑制することができる。その結果、本実施形態であれば、表示品位を向上させることが可能な表示装置ＤＳＰの製造方法を提供することができる。

【0114】

上述の各実施形態において、リペア孔ＯＰは、不良を有する表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を覆う封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３に１つ形成される場合を説明したが、リペア孔ＯＰは、不良を有する表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を覆う封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の各々に対して複数形成されてもよい。上述の本実施形態において、リペア孔ＯＰは、レーザ光７０によって形成されるが、リペア孔ＯＰは、機械的手段によって形成されてもよい。

【0115】

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置およびその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置およびその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

【0116】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0117】

また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0118】

１…画素回路、２…画素スイッチ、３…駆動トランジスタ、４…キャパシタ、５…リブ、
６…隔壁、１０…基板、１１…回路層、１２…有機絶縁層、１３…樹脂層、１４…封止層、１５…接着層、１６…基板、ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…画素開口、ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３…キャップ層、ＤＡ…表示領域、ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３…表示素子、ＤＳＰ…表示装置、ＧＬ…走査線、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＯＰ…リペア孔、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＰＬ…電源線、ＰＸ…画素、ＳＡ…周辺領域、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】