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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024005997
(43)【公開日】2024-01-17
(54)【発明の名称】透明導電性フィルムの製造方法
(51)【国際特許分類】
C23C 14/08 20060101AFI20240110BHJP
C23C 14/56 20060101ALI20240110BHJP
【ＦＩ】
C23C14/08 K
C23C14/56 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022106519
(22)【出願日】2022-06-30
(71)【出願人】
【識別番号】000003964
【氏名又は名称】日東電工株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100103517
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 寛之
(74)【代理人】
【識別番号】100149607
【弁理士】
【氏名又は名称】宇田 新一
(72)【発明者】
【氏名】藤野 望
(72)【発明者】
【氏名】鴉田 泰介
(72)【発明者】
【氏名】鷹尾 寛行
【テーマコード（参考）】
4K029
【Ｆターム（参考）】
4K029AA11
4K029AA25
4K029BA45
4K029BA47
4K029BA50
4K029BA58
4K029BA60
4K029BB02
4K029CA06
4K029DC05
4K029DC09
4K029DC16
4K029GA01
4K029JA10
(57)【要約】
【課題】生産性に優れる透明導電性フィルムの製造方法を提供すること。
【解決手段】透明導電性フィルム３の製造方法は、長尺の基材１の厚み方向一方面に、透明導電層２を形成する。透明導電性フィルム３の製造方法は、基材１を準備する第１工程と、真空雰囲気下で、基材１の厚み方向一方面に、透明導電層２の一部を形成する第２工程と、真空雰囲気下で、透明導電層２の一部を加熱しながら、透明導電層２の一部の厚み方向一方面に、透明導電層２の残部を形成する第３工程とを備える。
【選択図】図１
【解決手段】透明導電性フィルム３の製造方法は、長尺の基材１の厚み方向一方面に、透明導電層２を形成する。透明導電性フィルム３の製造方法は、基材１を準備する第１工程と、真空雰囲気下で、基材１の厚み方向一方面に、透明導電層２の一部を形成する第２工程と、真空雰囲気下で、透明導電層２の一部を加熱しながら、透明導電層２の一部の厚み方向一方面に、透明導電層２の残部を形成する第３工程とを備える。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
長尺の基材の厚み方向一方面に、透明導電層を形成する透明導電性フィルムの製造方法であって、
前記基材を準備する第１工程と、
真空雰囲気下で、前記基材の厚み方向一方面に、透明導電層の一部を形成する第２工程と、
真空雰囲気下で、前記透明導電層の一部を加熱しながら、前記透明導電層の一部の厚み方向一方面に、前記透明導電層の残部を形成する第３工程とを備える、透明導電性フィルムの製造方法。
前記基材を準備する第１工程と、
真空雰囲気下で、前記基材の厚み方向一方面に、透明導電層の一部を形成する第２工程と、
真空雰囲気下で、前記透明導電層の一部を加熱しながら、前記透明導電層の一部の厚み方向一方面に、前記透明導電層の残部を形成する第３工程とを備える、透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項2】
前記第３工程の後に、前記透明導電層を加熱する第４工程を備える、請求項１に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項3】
真空雰囲気下で、前記第４工程を実施する、請求項２に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項4】
大気雰囲気下で、前記第４工程を実施する、請求項２に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項5】
前記第３工程では、成膜ロールの表面に接触する前記基材に対して、前記透明導電層を形成し、前記成膜ロールを加熱することにより、前記透明導電層の一部を加熱する、請求項１～４のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項6】
前記第２工程では、独立した成膜室に配置されたターゲットによって、透明導電層の一部が形成され、
前記第３工程では、独立した成膜室に配置されたターゲットによって、透明導電層の残部が形成される、請求項１～４のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
前記第３工程では、独立した成膜室に配置されたターゲットによって、透明導電層の残部が形成される、請求項１～４のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項7】
前記第３工程を終了した前記透明導電層が、結晶質である、請求項１～４のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項8】
クリプトンガスを含む希ガスの存在下において、前記第２工程および／または前記第３工程を実施する、請求項１～４のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、透明導電性フィルムの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来から、ロールトゥロール方式により、基材フィルム上に透明導電層を積層して、導電性フィルムを製造する方法が知られている。
【0003】
このような方法として、例えば、ロールトゥロール方式により、長尺のＰＥＴフィルム基材を搬送しながら、非晶質の透明導電性膜をスパッタリングにより形成して、その後、非晶質の透明導電性膜が形成されたＰＥＴフィルム基材を加熱して、透明導電性膜を結晶化させ、透明導電性フィルムを製造する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１５－１４６２４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
一方、透明導電性フィルムの製造方法には、より一層、高い生産性が要求される。
【0006】
本発明は、生産性に優れる透明導電性フィルムの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明［１］は、長尺の基材の厚み方向一方面に、透明導電層を形成する透明導電性フィルムの製造方法であって、前記基材を準備する第１工程と、真空雰囲気下で、前記基材の厚み方向一方面に、透明導電層の一部を形成する第２工程と、真空雰囲気下で、前記透明導電層の一部を加熱しながら、前記透明導電層の一部の厚み方向一方面に、前記透明導電層の残部を形成する第３工程とを備える、透明導電性フィルムの製造方法である。
【0008】
本発明［２］は、前記第３工程の後に、前記透明導電層を加熱する第４工程を備える、上記［１］に記載の透明導電性フィルムの製造方法を含んでいる。
【0009】
本発明［３］は、真空雰囲気下で、前記第４工程を実施する、上記［２］に記載の透明導電性フィルムの製造方法を含んでいる。
【0010】
本発明［４］は、大気雰囲気下で、前記第４工程を実施する、上記［２］に記載の透明導電性フィルムの製造方法を含んでいる。
【0011】
本発明［５］は、前記第３工程では、成膜ロールの表面に接触する前記基材に対して、前記透明導電層を形成し、前記成膜ロールを加熱することにより、前記透明導電層の一部を加熱する、上記［１］～［４］のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法を含んでいる。
【0012】
本発明［６］は、前記第２工程では、独立した成膜室に配置されたターゲットによって、透明導電層の一部が形成され、前記第３工程では、独立した成膜室に配置されたターゲットによって、透明導電層の残部が形成される、上記［１］～［５］のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法を含んでいる。
【0013】
本発明［７］は、前記第３工程を終了した前記透明導電層が、結晶質である、上記［１］～［６］のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法を含んでいる。
【0014】
本発明［８］は、クリプトンガスを含む希ガスの存在下において、前記第２工程および／または前記第３工程を実施する、上記［１］～［７］のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムの製造方法を含んでいる。
【発明の効果】
【0015】
本発明の透明導電性フィルムの製造方法では、第２工程において、透明導電層の一部を形成し、また、第３工程において、透明導電層の一部を加熱しながら、透明導電層の残部を形成する。第３工程において、透明導電層の一部が加熱されているため、透明導電層の一部とともに、透明導電層の残部が結晶化する。つまり、第３工程において、透明導電層の形成、および、透明導電層の結晶化を同時にできる。そのため、生産性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【発明を実施するための形態】
【0017】
本発明の透明導電性フィルムの製造方法の一実施形態は、長尺の基材１を、長手方向に搬送しながら、長尺の基材１の厚み方向一方面に、透明導電層２を形成する。
【0018】
以下、この方法で用いられるフィルム製造装置の一実施形態について、図１を参照して、説明する。
【0019】
＜フィルム製造装置＞
図１において、紙面左右方向は、搬送方向である。紙面右側は、搬送方向下流側である。紙面左側は、搬送方向上流側である。なお、搬送方向は、隣り合うユニット間における搬送方向であって、各ユニット内での搬送方向ではない。紙厚方向は、幅方向である。紙面手前側は、幅方向一方側である。紙面奥側は、幅方向他方側である。紙面上下方向は、上下方向である。紙面上側は、上側である。紙面下側は、下側である。
図１において、紙面左右方向は、搬送方向である。紙面右側は、搬送方向下流側である。紙面左側は、搬送方向上流側である。なお、搬送方向は、隣り合うユニット間における搬送方向であって、各ユニット内での搬送方向ではない。紙厚方向は、幅方向である。紙面手前側は、幅方向一方側である。紙面奥側は、幅方向他方側である。紙面上下方向は、上下方向である。紙面上側は、上側である。紙面下側は、下側である。
【0020】
フィルム製造装置１０は、長尺の透明導電性フィルム３を製造するための装置である。フィルム製造装置１０は、図１に示すように、送出ユニット５と、スパッタユニット６と、第１アニールユニット７と、巻取ユニット８とを備える。
【0021】
［送出ユニット］
送出ユニット５は、送出ロール１１と、第１ガイドロール１２と、送出チャンバー１３とを備える。
送出ユニット５は、送出ロール１１と、第１ガイドロール１２と、送出チャンバー１３とを備える。
【0022】
送出ロール１１は、長尺の基材１を送出するための回転軸を有する円柱部材である。送出ロール１１は、フィルム製造装置１０の搬送方向最上流に配置されている。送出ロール１１には、送出ロール１１を回転させるためのモータ（図示せず）が接続されている。
【0023】
第１ガイドロール１２は、送出ロール１１から送出される長尺の基材１をスパッタユニット６にガイドする回転部材である。第１ガイドロール１２は、送出ロール１１の搬送方向下流側かつ第２ガイドロール１４（後述）の搬送方向上流側に配置されている。
【0024】
送出チャンバー１３は、送出ロール１１および第１ガイドロール１２を収容するケーシングである。送出チャンバー１３には、内部を真空可能とする真空ユニットが設けられている（図示せず）。
【0025】
［スパッタユニット］
スパッタユニット６は、送出ユニット５から搬送される長尺の基材１に、スパッタリング法により透明導電層２の一部を積層（形成）する。スパッタユニット６は、送出ユニット５の搬送方向下流側かつ第１アニールユニット７の搬送方向上流側に、これらと隣接するように配置されている。スパッタユニット６は、第２ガイドロール１４と、第３ガイドロール１５と、第１成膜ロール１６と、複数の第１成膜室１７（図１では４つの第１成膜室１７）と、第４ガイドロール１８と、第１チャンバー１９とを備える。
スパッタユニット６は、送出ユニット５から搬送される長尺の基材１に、スパッタリング法により透明導電層２の一部を積層（形成）する。スパッタユニット６は、送出ユニット５の搬送方向下流側かつ第１アニールユニット７の搬送方向上流側に、これらと隣接するように配置されている。スパッタユニット６は、第２ガイドロール１４と、第３ガイドロール１５と、第１成膜ロール１６と、複数の第１成膜室１７（図１では４つの第１成膜室１７）と、第４ガイドロール１８と、第１チャンバー１９とを備える。
【0026】
第２ガイドロール１４は、送出ユニット５（第１ガイドロール１２）から搬送される長尺の基材１を第３ガイドロール１５にガイドする回転部材である。第２ガイドロール１４は、第１ガイドロール１２の搬送方向下流側かつ第３ガイドロール１５の搬送方向上流側に配置されている。
【0027】
第３ガイドロール１５は、第２ガイドロール１４から搬送される長尺の基材１を第１成膜ロール１６にガイドする回転部材である。第３ガイドロール１５は、第２ガイドロール１４の搬送方向下流側かつ第１成膜ロール１６の搬送方向上流側に配置されている。
【0028】
第１成膜ロール１６は、長尺の基材１に透明導電層２の一部を積層（形成）するための回転軸を有する円柱部材である。第１成膜ロール１６は、長尺の基材１を第１成膜ロール１６の周面に沿って搬送する。第１成膜ロール１６は、第３ガイドロール１５の搬送方向下流側かつ第４ガイドロール１８の搬送方向上流側に配置されている。
【0029】
複数の第１成膜室１７は、第１成膜ロール１６の側方および下方に、第１成膜ロール１６の周方向に並び、第１成膜ロール１６と対向配置されている。具体的には、複数の第１成膜室１７（第１成膜室１７Ａ～第１成膜室１７Ｄ）は、搬送方向上流側から搬送方向下流側に順に、隣接して配置されている。
【0030】
また、各第１成膜室１７は、壁４０によって、区画されている。つまり、各第１成膜室１７は、独立した成膜室である。
【0031】
また、各第１成膜室１７には、第１ターゲット３１が配置されている。第１ターゲット３１は、任意の電源（例えば、直流電源や交流電源）を用いて、電力を印加することができる。また、電力を印加するために、第１ターゲット３１の、第１成膜ロール１６と反対の側にはマグネットが配置されている（図示せず）。つまり、第２工程では、独立した第１成膜室１７に配置された第１ターゲット３１によって、透明導電層２の一部が形成される。そのため、各第１成膜室１７（各第１ターゲット３１）に対して、独立した成膜条件（例えば、放電出力、および、スパッタリングガス）を設定することができる。
【0032】
第１ターゲット３１は、透明導電層２を構成する原子を含む材料から形成されており、好ましくは、透明導電層２の材料から形成されている。第１ターゲット３１は、第１成膜ロール１６の付近に配置されている。具体的には、第１ターゲット３１は、第１成膜ロール１６の下側に、第１成膜ロール１６と間隔を隔てて対向配置されている。
【0033】
そして、複数の第１ターゲット３１（第１ターゲット３１Ａ～第１ターゲット３１Ｄ）は、第１成膜ロール１６の周方向に並び、搬送方向上流側から搬送方向下流側に順に、互いに間隔を隔てて配置されている。
【0034】
第４ガイドロール１８は、第１成膜ロール１６から搬送される長尺の基材１（透明導電層２の一部が積層（形成）された長尺の基材１）を、第１アニールユニット７にガイドする回転部材である。第４ガイドロール１８は、第１成膜ロール１６の搬送方向下流側かつ第５ガイドロール２０（後述）の搬送方向上流側に配置されている。
【0035】
第１チャンバー１９は、第２ガイドロール１４、第３ガイドロール１５、第１成膜ロール１６、複数の第１成膜室１７、および、第４ガイドロール１８を収容するケーシングである。第１チャンバー１９には、内部を真空可能とする真空ユニットが設けられている（図示せず）。
【0036】
［第１アニールユニット］
第１アニールユニット７は、スパッタユニット６から搬送される長尺の基材１（透明導電層２の一部が積層（形成）された長尺の基材１）を、加熱しながら、スパッタリング法により透明導電層２の残部を積層（形成）する。第１アニールユニット７は、スパッタユニット６の搬送方向下流側かつ巻取ユニット８の搬送方向上流側に、これらと隣接するように配置されている。第１アニールユニット７は、第５ガイドロール２０と、第６ガイドロール２１と、第２成膜ロール２２と、複数の第２成膜室２３（図１では３つの第２成膜室２３）と、第７ガイドロール２４と、第２チャンバー２５とを備える。
第１アニールユニット７は、スパッタユニット６から搬送される長尺の基材１（透明導電層２の一部が積層（形成）された長尺の基材１）を、加熱しながら、スパッタリング法により透明導電層２の残部を積層（形成）する。第１アニールユニット７は、スパッタユニット６の搬送方向下流側かつ巻取ユニット８の搬送方向上流側に、これらと隣接するように配置されている。第１アニールユニット７は、第５ガイドロール２０と、第６ガイドロール２１と、第２成膜ロール２２と、複数の第２成膜室２３（図１では３つの第２成膜室２３）と、第７ガイドロール２４と、第２チャンバー２５とを備える。
【0037】
第５ガイドロール２０は、スパッタユニット６（第４ガイドロール１８）から搬送される長尺の基材１（透明導電層２の一部が積層（形成）された長尺の基材１）を第６ガイドロール２１にガイドする回転部材である。第５ガイドロール２０は、第４ガイドロール１８の搬送方向下流側かつ第６ガイドロール２１の搬送方向上流側に配置されている。
【0038】
第６ガイドロール２１は、第５ガイドロール２０から搬送される長尺の基材１を第２成膜ロール２２にガイドする回転部材である。第６ガイドロール２１は、第５ガイドロール２０の搬送方向下流側かつ第２成膜ロール２２の搬送方向上流側に配置されている。
【0039】
第２成膜ロール２２は、長尺の基材１に透明導電層２の残部を積層（形成）するための回転軸を有する円柱部材である。第２成膜ロール２２は、長尺の基材１を第２成膜ロール２２の周面に沿って搬送する。第２成膜ロール２２は、第６ガイドロール２１の搬送方向下流側かつ第７ガイドロール２４の搬送方向上流側に配置されている。
【0040】
複数の第２成膜室２３は、第２成膜ロール２２の側方および下方に、第２成膜ロール２２の周方向に並び、第２成膜ロール２２と対向配置されている。具体的には、複数の第２成膜室２３（第２成膜室２３Ａ～第２成膜室２３Ｃ）は、搬送方向上流側から搬送方向下流側に順に、隣接して配置されている。
【0041】
また、各第２成膜室２３は、壁４０によって、区画されている。つまり、各第２成膜室２３は、それぞれ独立した成膜室である。
【0042】
また、各第２成膜室２３には、第２ターゲット３２が配置されている。つまり、第３工程では、独立した第２成膜室２３に配置された第２ターゲット３２によって、透明導電層２の残部が形成される。そのため、各第２成膜室２３（各第２ターゲット３２）に対して、独立した成膜条件（例えば、放電出力、および、スパッタリングガス）を設定することができる。
【0043】
第２ターゲット３２は、透明導電層２を構成する原子を含む材料から形成されており、好ましくは、透明導電層２の材料から形成されている。第２ターゲット３２は、第２成膜ロール２２の付近に配置されている。具体的には、第２ターゲット３２は、第２成膜ロール２２の下側に、第２成膜ロール２２と間隔を隔てて対向配置されている。
【0044】
そして、複数の第２ターゲット３２（第２ターゲット３２Ａ～第２ターゲット３２Ｃ）が、第２成膜ロール２２の周方向に並び、搬送方向上流側から搬送方向下流側に順に、互いに間隔を隔てて配置されている。
【0045】
第７ガイドロール２４は、第２成膜ロール２２から搬送される長尺の透明導電性フィルム３を、巻取ユニット８にガイドする回転部材である。第７ガイドロール２４は、第２成膜ロール２２の搬送方向下流側かつ第８ガイドロール２６（後述）の搬送方向上流側に配置されている。
【0046】
第２チャンバー２５は、第５ガイドロール２０、第６ガイドロール２１、第２成膜ロール２、複数の第２成膜室２３、および、第７ガイドロール２４を収容するケーシングである。第２チャンバー２５には、内部を真空可能とする真空ユニットが設けられている（図示せず）。
【0047】
［巻取ユニット］
巻取ユニット８は、第８ガイドロール２６と、巻取ロール２７と、巻取チャンバー２８とを備える。巻取ユニット８は、スパッタユニット６の搬送方向下流側に、スパッタユニット６と隣接するように配置されている。
巻取ユニット８は、第８ガイドロール２６と、巻取ロール２７と、巻取チャンバー２８とを備える。巻取ユニット８は、スパッタユニット６の搬送方向下流側に、スパッタユニット６と隣接するように配置されている。
【0048】
第８ガイドロール２６は、第１アニールユニット７から搬送される長尺の透明導電性フィルム３を巻取ロール２７にガイドする回転部材である。第８ガイドロール２６は、第７ガイドロール２４の搬送方向下流側かつ巻取ロール２７の搬送方向上流側に配置されている。
【0049】
巻取ロール２７は、透明導電性フィルム３を巻き取るための回転軸を有する円柱部材である。巻取ロール２７は、フィルム製造装置１０の搬送方向最下流に配置されている。巻取ロール２７は、巻取ロール２７を回転させるためのモータ（図示せず）が接続されている。
【0050】
巻取チャンバー２８は、第８ガイドロール２６および巻取ロール２７を収容するケーシングである。巻取チャンバー２８には、内部を真空可能とする真空ユニットが設けられている（図示せず）。
【0051】
＜透明導電性フィルムの製造方法＞
次に、フィルム製造装置１０を用いて透明導電性フィルム３を製造する方法の一実施形態を説明する。
次に、フィルム製造装置１０を用いて透明導電性フィルム３を製造する方法の一実施形態を説明する。
【0052】
透明導電性フィルム３の製造方法は、長尺の基材１を、長手方向に搬送しながら、長尺の基材１の厚み方向一方面に、透明導電層２を形成する。
【0053】
詳しくは、透明導電性フィルム３の製造方法は、長尺の基材１を準備する第１工程と、真空雰囲気下で、長尺の基材１の厚み方向一方面に、透明導電層２の一部を形成する第２工程と、真空雰囲気下で、透明導電層２の一部を加熱しながら、透明導電層２の一部の厚み方向一方面に、透明導電層２の残部を形成する第３工程とを備える。
【0054】
［第１工程］
第１工程では、長尺の基材１を準備する。
第１工程では、長尺の基材１を準備する。
【0055】
長尺の基材１としては、例えば、長尺の高分子フィルムが挙げられる。高分子フィルムの材料としては、例えば、オレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、（メタ）アクリル樹脂（アクリル樹脂および／またはメタクリル樹脂）、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、および、ポリスチレン樹脂が挙げられる。オレフィン樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、および、シクロオレフィンポリマーが挙げられる。ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、および、ポリエチレンナフタレートが挙げられる。（メタ）アクリル樹脂としては、例えば、ポリメタクリレートが挙げられる。長尺の基材１の材料としては、好ましくは、ポリエステル樹脂、より好ましくは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。
【0056】
長尺の基材１の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上、また、例えば、５００μｍ以下である。
【0057】
長尺の基材１の厚みが、上記下限以上であれば、搬送性およびハンドリングに優れる。
【0058】
長尺の基材１の厚みが、上記上限以下であれば、生産性に優れる。
【0059】
また、長尺の基材１の短手方向長さ（幅方向長さ）は、例えば、１００ｍｍ以上、好ましくは、２００ｍｍ以上、また、例えば、５０００ｍｍ以下、好ましくは、２０００ｍｍ以下である。
【0060】
また、長尺の基材１の厚み方向一方面および／または厚み方向他方面には、予め、機能層を配置することができる。長尺の基材１の厚み方向一方面に機能層を配置する場合には、例えば、透明導電性フィルム３は、長尺の基材１と、機能層と、透明導電層２とを、厚み方向一方側に向かって順に備える。また、長尺の基材１の厚み方向他方面に機能層を配置する場合には、透明導電性フィルム３は、例えば、機能層と、長尺の基材１と、透明導電層２とを、厚み方向一方側に向かって順に備える。
【0061】
長尺の基材１の厚み方向一方面に配置する機能層としては、例えば、ハードコート層、光学調整層などが挙げられる。長尺の基材１の厚み方向他方面に配置する機能層としては、例えば、アンチブロッキング層が挙げられる。
【0062】
ハードコート層は、ハードコート組成物から形成される。
【0063】
ハードコート組成物は、樹脂、および、必要により、粒子を含有する。
【0064】
樹脂としては、例えば、硬化性樹脂、熱可塑性樹脂（例えば、ポリオレフィン樹脂）などが挙げられ、好ましくは、硬化性樹脂が挙げられる。硬化性樹脂としては、例えば、活性エネルギー線（具体的には、紫外線、電子線など）の照射により硬化する活性エネルギー線硬化性樹脂、および、加熱により硬化する熱硬化性樹脂が挙げられ、好ましくは、活性エネルギー線硬化性樹脂が挙げられる。活性エネルギー線硬化性樹脂は、例えば、分子中に重合性炭素－炭素二重結合を有する官能基を有するポリマーが挙げられる。そのような官能基としては、例えば、ビニル基、（メタ）アクリロイル基（メタクリロイル基および／またはアクリロイル基）が挙げられる。活性エネルギー線硬化性樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル系紫外線硬化性樹脂が挙げられる。（メタ）アクリル系紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、および、エポキシアクリレートが挙げられる。樹脂は、単独使用または２種以上併用することができる。
【0065】
粒子としては、例えば、無機粒子、および、有機粒子が挙げられる。無機粒子としては、例えば、金属酸化物粒子および炭酸塩粒子が挙げられる。金属酸化物粒子としては、例えば、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、および、酸化錫が挙げられる。炭酸塩粒子としては、例えば、炭酸カルシウムが挙げられる。有機粒子としては、例えば、架橋アクリル樹脂粒子が挙げられる。粒子は、単独使用または２種以上併用することができる。
【0066】
そして、ハードコート組成物は、樹脂および必要により配合される粒子を混合することにより得られる。
【0067】
また、ハードコート組成物には、必要により、レベリング剤、チクソトロピー剤、帯電防止剤などの公知の添加剤を配合することができる。
【0068】
ハードコート層を形成するには、ハードコート組成物の希釈液を長尺の基材１の厚み方向一方面に塗布し、乾燥後、紫外線照射により、ハードコート組成物を硬化させる。
【0069】
これにより、ハードコート層を形成する。
【0070】
ハードコート層の厚みは、耐擦傷性の観点から、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、３μｍ以下である。
【0071】
なお、ハードコート層の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡を用いて、断面観察により測定することができる。
【0072】
このような場合には、得られる透明導電性フィルム３は、長尺の基材１と、ハードコート層と、透明導電層２とを順に備える。
【0073】
光学調整層は、透明導電層２のパターン視認を抑制したり、透明導電性フィルム３内の界面での反射を抑制しつつ、透明導電性フィルム３に優れた透明性を確保するために、透明導電性フィルム３の光学物性（例えば、屈折率）を調整する層である。
【0074】
光学調整層は、例えば、光学調整組成物から形成される。
【0075】
光学調整組成物は、上記した樹脂および上記した粒子を含有する。
【0076】
樹脂としては、ハードコート組成物で挙げた樹脂が挙げられる。
【0077】
粒子としては、ハードコート組成物で挙げた粒子が挙げられる。
【0078】
そして、光学調整組成物は、樹脂および粒子を混合することにより得られる。
【0079】
光学調整組成物は、さらに、レベリング剤、チクソトロピー剤、帯電防止剤などの公知の添加剤を含有することができる。
【0080】
光学調整層を形成するには、光学調整組成物の希釈液を長尺の基材１の厚み方向一方面に塗布し、乾燥後、紫外線照射により、光学調整組成物を硬化させる。
【0081】
これにより、光学調整層を形成する。
【0082】
光学調整層の厚みは、耐擦傷性の観点から、例えば、５ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上、より好ましくは、５０ｎｍ以上であり、また、例えば、５００ｎｍ以下、好ましくは、２００ｎｍ以下、より好ましくは、１００ｎｍ以下である。光学調整層の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡を用いて、断面観察により測定することができる。
【0083】
このような場合には、得られる透明導電性フィルム３は、長尺の基材１と、光学調整層と、透明導電層２とを順に備える。
【0084】
アンチブロッキング層は、透明導電性フィルム３を厚み方向に積層した場合などに、互いに接触する複数の透明導電性フィルム３のそれぞれの表面に耐ブロッキング性を付与する。
【0085】
アンチブロッキング層の材料は、例えば、アンチブロッキング組成物である。
【0086】
アンチブロッキング組成物としては、例えば、特開２０１６－１７９６８６号公報に記載の混合物が挙げられる。
【0087】
アンチブロッキング層を形成するには、アンチブロッキング組成物の希釈液を長尺の基材１の厚み方向他方面に塗布し、乾燥後、紫外線照射により、アンチブロッキング組成物を硬化させる。
【0088】
これにより、アンチブロッキング層を形成する。
【0089】
アンチブロッキング層の厚みは、例えば、０．１μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下である。
【0090】
このような場合には、得られる透明導電性フィルム３は、アンチブロッキング層と、長尺の基材１と、透明導電層２とを順に備える。
【0091】
長尺の基材１には、１層または２層以上の機能層を配置することができ、好ましくは、長尺の基材１には、予め、ハードコート層を配置する。
【0092】
そして、長尺の基材１を送出ロール１１に配置する。すなわち、長尺の基材１がロール状に巻回されたロール体を、送出ロール１１に装着する。
【0093】
これにより、長尺の基材１を準備する。
【0094】
［第２工程］
第２工程では、真空雰囲気下で、長尺の基材１の厚み方向一方面に、透明導電層２の一部を形成する。
第２工程では、真空雰囲気下で、長尺の基材１の厚み方向一方面に、透明導電層２の一部を形成する。
【0095】
第２工程では、まず、長尺の基材１を長手方向に搬送する。
【0096】
長尺の基材１を長手方向に搬送するには、送出ロール１１および巻取ロール２７をモータにより回転駆動させて、長尺の基材１を送出ロール１１から送り出し、第１ガイドロール１２、第２ガイドロール１４、第３ガイドロール１５、第１成膜ロール１６、第４ガイドロール１８、第５ガイドロール２０、第６ガイドロール２１、第２成膜ロール２２、第７ガイドロール２４、および、第８ガイドロール２６で順に搬送して、巻取ロール２７により巻き取る。
【0097】
これにより、長尺の基材１が、ロールトゥロール方式にて、送出ロール１１から巻取ロール２７まで搬送方向に搬送される。
【0098】
搬送速度は、例えば、０．５ｍ／分以上、好ましくは、１ｍ／分以上、より好ましくは、２．０ｍ／分以上であり、また、例えば、５０ｍ／分以下、好ましくは、２０ｍ／分以下、より好ましくは、１５ｍ／分以下である。
【0099】
次いで、長尺の基材１を長手方向に搬送しながら、真空雰囲気下で、長尺の基材１の厚み方向一方面に、透明導電層２の一部を形成する。
【0100】
具体的には、長尺の基材１は、第１成膜ロール１６の表面に周方向に沿って接触しながら搬送される。そして、搬送される長尺の基材１に対して、真空雰囲気下で、スパッタリングを実施する。すなわち、スパッタユニット６を作動させて、長尺の基材１に透明導電層２の一部を形成する。
【0101】
具体的には、真空下の第１チャンバー１９の内部（複数の第１成膜室１７の内部）に、スパッタリングガスとしての希ガスを供給するとともに、電圧を印加して、ガスを第１ターゲット３１（第１ターゲット３１Ａ～第１ターゲット３１Ｄ）に衝突させる。その結果、第１成膜ロール１６の側方および下方において、搬送方向上流側から搬送されてくる長尺の基材１の下面（一方面）に、第１ターゲット３１（第１ターゲット３１Ａ～第１ターゲット３１Ｄ）からはじき出されたターゲット材料が付着され、透明導電層２の一部が形成される。
【0102】
つまり、この方法では、透明導電層２の一部は、長尺の基材１を第１成膜ロール１６の周面に沿って搬送しながら、スパッタリングによって形成される。
【0103】
また、上記したように、第２工程は、スパッタリングガス（希ガス）の存在下で実施する。
【0104】
希ガスとしては、例えば、アルゴンガス、クリプトンガス、および、キセノンガス、好ましくは、クリプトンガス、および、キセノンガス、より好ましくは、クリプトンガスが挙げられる。つまり、より好ましくは、製造コストおよび生産性の観点から、第２工程は、クリプトンガスを含む希ガスの存在下で実施する。詳しくは、クリプトンは、アルゴンよりも重原子であり、また、アルゴンよりも高電圧になるため、スパッタリングの速度が速くなり、その結果、生産性が向上する。
【0105】
また、スパッタリングガスの種類は、各第１成膜室１７に、個別に選択でき、好ましくは、第１成膜室１７Ａ～第１成膜室１７Ｄにおいて、クリプトンガスを選択する。
【0106】
また、スパッタリング法によって、透明導電層２を配置する場合には、スパッタリングガス（希ガス）が透明導電層２に取り込まれる。つまり、透明導電層２は、希ガス原子（好ましくは、クリプトン原子）を含む。
【0107】
透明導電層２において、希ガス原子（好ましくは、クリプトン原子）の含有量は、例えば、０．５原子％以下であり、好ましくは、０．２原子％以下、より好ましくは、０．１原子％以下、さらに好ましくは、０．１原子％未満である。
【0108】
上記含有量の下限は、蛍光Ｘ線分析装置により、希ガス原子の存在を確認できたときに対応する割合であり、少なくとも、０．０００１原子％以上である。
【0109】
また、スパッタリングガスとして、上記希ガスととも、反応性ガス（例えば、酸素ガス）を併用することもできる。
【0110】
反応性ガスの流量は、各第１成膜室１７に対して、個別に調整できる。希ガスおよび反応性ガスの総量に対する反応性ガスの流量は、例えば、０．１流量％以上、好ましくは、０．５流量％以上、また、例えば、５．０流量％以下、好ましくは、４．０流量％以下である。また、好ましくは、第１成膜室１７Ａの反応性ガスの流量は、第１成膜室１７Ｂ～各第１成膜室１７Ｄの反応性ガスの流量よりも低く調整される。
【0111】
また、印加される出力（放電出力）は、各第１成膜室１７に対して、個別に調整できる。放電出力は、例えば、０．１Ｗ／ｍｍ以上、好ましくは、０．５Ｗ／ｍｍ以上、より好ましくは、１．０Ｗ／ｍｍ以上、また、例えば、２０Ｗ／ｍｍ以下、好ましくは、１０Ｗ／ｍｍ以下、より好ましくは、７．０Ｗ／ｍｍ以下である。また、好ましくは、第１成膜室１７Ａの放電出力は、第１成膜室１７Ｂ～各第１成膜室１７Ｄの放電出力よりも低く調整される。また、印加される電圧（成膜電圧）は、各第１成膜室１７に対して、個別に調整できる。成膜電圧の絶対値は、例えば、１０Ｖ以上、好ましくは、１００Ｖ以上、また、例えば、６００Ｖ以下、好ましくは、５００Ｖ以下、好ましくは、４００Ｖ以下である。また、好ましくは、第１成膜室１７Ａの成膜電圧は、第１成膜室１７Ｂ～各第１成膜室１７Ｄの成膜電圧よりも低く調整される。
【0112】
第１ターゲット３１の材料、すなわち、透明導電層２（透明導電層２の一部）の材料は、例えば、インジウム系酸化物（例えば、インジウムスズ複合酸化物、インジウム亜鉛複合酸化物、および、インジウムガリウム複合酸化物）アンチモンスズ複合酸化物などの金属酸化物、例えば、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化クロム、窒化ガリウムおよびこれらの複合窒化物などの金属窒化物、例えば、金、銀、銅、ニッケルおよびこれらの合金などの金属などが挙げられ、好ましくは、インジウム系酸化物が挙げられ、より好ましくは、インジウムスズ複合酸化物が挙げられる。
【0113】
つまり、好ましくは、透明導電層２（透明導電層２の一部）は、インジウム系酸化物を主成分として含み、より好ましくは、インジウムスズ複合酸化物を主成分として含む。
【0114】
透明導電層２（透明導電層２の一部）は、インジウム系酸化物を主成分として含むと、透明導電層２の比抵抗を低くできる。
【0115】
透明導電層２（透明導電層２の一部）の材料としてインジウムスズ複合酸化物を用いる場合、酸化スズの含有割合は、酸化スズおよび酸化インジウムの合計量に対して、例えば、０．５質量％以上、好ましくは、２質量％以上、また、例えば、２０質量％以下、好ましくは、１５質量％以下である。
【0116】
酸化スズの含有割合が上記した下限以上であれば、低抵抗化が促進される。酸化スズの含有割合が上記した上限以下であれば、透明導電層２（透明導電層２の一部）は、強度および結晶性に優れる。
【0117】
また、第１ターゲット３１からはじき出されたターゲット材料は、長尺の基材１に衝突して、熱エネルギーを生じるため、この方法では、第１成膜ロール１６によって、透明導電層２の一部を冷却し、透明導電層２の一部の結晶化を抑制する。
【0118】
詳しくは、第１成膜ロール１６の温度は、例えば、－２０℃以上、好ましくは、－１０℃以上、また、例えば、５０℃以下、好ましくは、２０℃以下、より好ましくは、０℃以下である。
【0119】
第１成膜ロール１６の温度が、上記下限以上または上記上限以下であれば、透明導電層２（透明導電層２の一部）十分に冷却することができ、透明導電層２（透明導電層２の一部）の結晶化を抑制できる（非晶質の透明導電層２の一部を得ることができる。）。
【0120】
［第３工程］
第３工程では、真空雰囲気下で、透明導電層２の一部を加熱しながら、透明導電層２の一部の厚み方向一方面に、透明導電層２の残部を形成する。
第３工程では、真空雰囲気下で、透明導電層２の一部を加熱しながら、透明導電層２の一部の厚み方向一方面に、透明導電層２の残部を形成する。
【0121】
具体的には、長尺の基材１は、第２成膜ロール２２の表面に周方向に沿って接触しながら搬送される。そして、搬送される長尺の基材１に対して、真空雰囲気下で、透明導電層２の一部を加熱しながら、スパッタリングを実施する。すなわち、第１アニールユニット７を作動させて、透明導電層２の残部の形成と、透明導電層２の結晶化とを同時に実施する。
【0122】
具体的には、真空下の第２チャンバー２５の内部（複数の第２成膜室２３の内部）に、スパッタリングガスとしての希ガスを供給するとともに、電圧を印加して、ガスを第２ターゲット３２（第２ターゲット３２Ａ～第２ターゲット３２Ｃ）に衝突させる。その結果、第２成膜ロール２２の側方および下方において、搬送方向上流側から搬送されてくる長尺の基材１における透明導電層２の一部の下面（一方面）に、第２ターゲット３２（第２ターゲット３２Ａ～第２ターゲット３２Ｃ）からはじき出されたターゲット材料が付着され、透明導電層２の残部が形成される。
【0123】
つまり、この方法では、透明導電層２の残部は、長尺の基材１を第１成膜ロール１６の周面に沿って搬送しながら、スパッタリングによって形成される。
【0124】
また、上記したように、第３工程は、スパッタリングガス（希ガス）の存在下で実施する。
【0125】
希ガスとしては、第２工程において例示した希ガスが挙げられ、好ましくは、クリプトンガスが挙げられる。つまり、より好ましくは、製造コストおよび生産性の観点から、第３工程は、クリプトンガスを含む希ガスの存在下で実施する。詳しくは、クリプトンは、アルゴンよりも重原子であり、また、アルゴンよりも高電圧になるため、スパッタリングの速度が速くなり、その結果、生産性が向上する。
【0126】
また、スパッタリングガスの種類は、各第２成膜室２３に、個別に選択でき、好ましくは、第２成膜室２３Ａ～第２成膜室２３Ｃにおいて、クリプトンガスを選択する。
【0127】
反応性ガスの流量は、各第２成膜室２３に対して、個別に調整できる。希ガスおよび反応性ガスの総量に対する反応性ガスの流量は、第２工程における反応性ガスの流量と同様である。
【0128】
また、印加される出力（放電出力）は、各第２成膜室２３に対して、個別に調整できる。放電出力は、第２工程における放電出力と同様である。透明導電層２の一部の厚みを形成する、各第１成膜室１７の合計放電出力の合計に対する、透明導電層２の残部の厚みを形成する、各第２成膜室２３の合計放電出力の比（各第２成膜室２３の合計放電出力／各第１成膜室１７の合計放電出力）は、例えば、０．０１０以上、好ましくは、０．０３０以上、より好ましくは、０．０５０以上、さらに好ましくは、０．０６０以上、とりわけ好ましくは、０．０８０以上、特に好ましくは、０．１００以上であり、また、例えば、０．８００以下、好ましくは、０．５００以下、より好ましくは、０．４００、さらに好ましくは、０．３００以下、とりわけ好ましくは、０．２００以下である。印加される電圧（成膜電圧）は、各第２成膜室２３に対して、個別に調整できる。成膜電圧は、第２工程における成膜電圧と同様である。
【0129】
第２ターゲット３２の材料は、第１ターゲット３１の材料と同様である。好ましくは、第２ターゲット３２の材料として、インジウム系複合酸化物が挙げられ、より好ましくは、インジウムスズ複合酸化物が挙げられる。
【0130】
また、この方法では、第２成膜ロール２２によって、透明導電層２の一部を加熱して、透明導電層２の一部とともに、透明導電層２の残部を結晶化させる。
【0131】
詳しくは、第２成膜ロール２２の温度は、例えば、８０℃以上、好ましくは、１００℃以上、より好ましくは、１５０℃以上、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下である。
【0132】
これにより、長尺の基材１と、透明導電層２とを、厚み方向一方面に順に備える透明導電性フィルム３が得られる。
【0133】
その後、第２成膜ロール２２の下側で作製された透明導電性フィルム３は、第２成膜ロール２２および第８ガイドロール２６により、搬送方向下流側の巻取ロール２７に向かって搬送される。
【0134】
得られた透明導電性フィルム３において、透明導電層２は、好ましくは、結晶質である。透明導電層２が、結晶質であれば、後述する比抵抗を小さくできる。
【0135】
なお、透明導電層２の結晶質性の確認方法については、後述する実施例で詳述する。
【0136】
透明導電層２の厚みは、例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは、２０ｎｍ以上、また、例えば、３００ｎｍ以下、好ましくは、２００ｎｍ以下、より好ましくは、１７０ｎｍ以下である。詳しくは、透明導電層２の一部の厚みは、例えば、５ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上、また、例えば、２９０ｎｍ以下、好ましくは、２００ｎｍ以下、好ましくは、１６０ｎｍ以下である。また、透明導電層２の残部の厚みは、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、５ｎｍ以上、より好ましくは、１０ｎｍ以上、また、例えば、２００ｎｍ以下、好ましくは、１００ｎｍ以下である。また、透明導電層２の一部の厚みに対する透明導電層２の残部の厚みの比（透明導電層２の残部の厚み／透明導電層２の一部の厚み）は、例えば、０．０１以上、好ましくは、０．０３以上、より好ましくは、０．０５以上、さらに好ましくは、０．０６以上、とりわけ好ましくは、０．０８以上、特に好ましくは、０．１０以上であり、また、例えば、０．８０以下、好ましくは、０．５０以下、より好ましくは、０．４０、さらに好ましくは、０．３０、とりわけ好ましくは、０．２０以下である。
【0137】
なお、透明導電層２の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡を用いて、透明導電性フィルム３の断面を観察することにより測定することができる。
【0138】
透明導電層２の比抵抗は、例えば、４．０×１０－４Ω・ｃｍ以下、好ましくは、３．０×１０－４Ω・ｃｍ以下、より好ましくは、２．２×１０－４Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは、２．０×１０－４Ω・ｃｍ以下である。
【0139】
なお、比抵抗は、ＪＩＳ Ｋ７１９４に準拠して、４端子法により測定した表面抵抗値と、透明導電層２の厚みとを乗ずることにより求めることができる。
【0140】
透明導電層２の表面抵抗値は、例えば、２００Ω／□以下、好ましくは、１００Ω／□以下、より好ましくは、５０Ω／□以下である。
【0141】
透明導電層２の表面抵抗値の下限は、特に限定されない。例えば、透明導電層２の表面抵抗値は、通常、０Ω／□超過、また、１Ω／□以上である。
【0142】
なお、表面抵抗値は、ＪＩＳ Ｋ７１９４に準拠して、４端子法により測定することができる。
【0143】
＜作用効果＞
透明導電性フィルム３の製造方法では、第２工程において、透明導電層２の一部を形成し、また、第３工程において、透明導電層２の一部を加熱しながら、透明導電層２の残部を形成する。第３工程において、透明導電層２の一部が加熱されているため、透明導電層２の一部とともに、透明導電層２の残部を結晶化する。つまり、第３工程において、透明導電層２の形成と、透明導電層２の結晶化を同時にできる。そのため、生産性の向上を図ることができる。
透明導電性フィルム３の製造方法では、第２工程において、透明導電層２の一部を形成し、また、第３工程において、透明導電層２の一部を加熱しながら、透明導電層２の残部を形成する。第３工程において、透明導電層２の一部が加熱されているため、透明導電層２の一部とともに、透明導電層２の残部を結晶化する。つまり、第３工程において、透明導電層２の形成と、透明導電層２の結晶化を同時にできる。そのため、生産性の向上を図ることができる。
【0144】
＜変形例＞
変形例において、一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態および変形例を適宜組み合わせることができる。
変形例において、一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態および変形例を適宜組み合わせることができる。
【0145】
一実施形態では、第１成膜室１７は、４つであったが、その数は、特に限定されない。
【0146】
一実施形態では、第２成膜室２３は、３つであったが、その数は、特に限定されない。
【0147】
一実施形態では、第３工程において、第２成膜ロール２２を加熱することにより、透明導電層２の一部を加熱するが、第２成膜ロール２２とともに、または、第２成膜ロール２２に代えて、加熱ヒータ（図示せず）を用いることもできる。好ましくは、透明導電性フィルム３に対して物理的に接触することにより、透明導電層２に熱を均一に与え、結晶化を促進する観点から、第２成膜ロール２２を加熱することにより、透明導電層２の一部を加熱する。
【0148】
また、透明導電性フィルム３の製造方法は、第３工程の後に、透明導電層２を加熱する第４工程を備えることもできる。
【0149】
以下、第４工程を実施できるフィルム製造装置の変形例について、図２を参照して、説明する。
【0150】
フィルム製造装置１０は、第１アニールユニット７と、巻取ユニット８との間に、第２アニールユニット９を備える。
【0151】
第２アニールユニット９は、第１アニールユニット７から搬送される透明導電性フィルム３を、加熱する。第２アニールユニット９は、第１アニールユニット７の搬送方向下流側かつ巻取ユニット８の搬送方向上流側に、これらと隣接するように配置されている。
【0152】
第２アニールユニット９は、第９ガイドロール２９と、第１０ガイドロール３０と、加熱ロール３１と、第１１ガイドロール３２と、第３チャンバー３３とを備える。
【0153】
第９ガイドロール２９は、第１アニールユニット７（第７ガイドロール２４）から搬送される透明導電性フィルム３を第１０ガイドロール３０にガイドする回転部材である。第９ガイドロール２９は、第７ガイドロール２４の搬送方向下流側かつ第１０ガイドロール３０の搬送方向上流側に配置されている。
【0154】
第１０ガイドロール３０は、第９ガイドロール２９から搬送される透明導電性フィルム３を加熱ロール３１にガイドする回転部材である。第１０ガイドロール３０は、第９ガイドロール２９の搬送方向下流側かつ加熱ロール３１の搬送方向上流側に配置されている。
【0155】
加熱ロール３１は、透明導電層２を加熱するための回転軸を有する円柱部材である。加熱ロール３１は、透明導電性フィルム３を加熱ロール３１の周面に沿って搬送する。加熱ロール３１は、第１０ガイドロール３０の搬送方向下流側かつ第１１ガイドロール３２の搬送方向上流側に配置されている。
【0156】
第１１ガイドロール３２は、加熱ロール３１から搬送される長尺の透明導電性フィルム３を、巻取ユニット８にガイドする回転部材である。第１１ガイドロール３２は、加熱ロール３１の搬送方向下流側かつ第８ガイドロール２６の搬送方向上流側に配置されている。
【0157】
第３チャンバー３３は、第９ガイドロール２９、第１０ガイドロール３０、加熱ロール３１、および、第１１ガイドロール３２を収容するケーシングである。第３チャンバー３３には、内部を真空可能とする真空ユニットが設けられている。
【0158】
そして、第４工程では、第３工程の後に、透明導電層２を加熱する。
【0159】
具体的には、長尺の基材１（透明導電性フィルム３）は、加熱ロール３１の表面に周方向に沿って接触しながら搬送される。そして、搬送される長尺の基材１（透明導電性フィルム３）に対して、真空雰囲気下で、透明導電層２を加熱する。すなわち、第２アニールユニット９を作動させて、透明導電層２を結晶化する。
【0160】
より具体的には、加熱ロール３１によって、透明導電層２を加熱する。
【0161】
詳しくは、加熱ロール３１の温度は、例えば、８０℃以上、好ましくは、１００℃以上、より好ましくは、１５０℃以上、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下である。
【0162】
また、上記した説明では、第４工程において、加熱ロール３１を加熱することによって、透明導電層２を加熱するが、加熱ロール３１とともに、または、加熱ロール３１に代えて、加熱ヒータ（図示せず）を用いることもできる。好ましくは、透明導電層２に熱を均一に与え、結晶化を促進する観点から、加熱ロール３１を加熱することによって、透明導電層２の一部を加熱する。
【0163】
また、上記した説明では、真空雰囲気下で、第４工程を実施するが、大気雰囲気下で、第４工程を実施することもできる。詳しくは、スパッタリングと同一工程内で透明導電層２の結晶化を促進し、生産性を向上する観点から、真空雰囲気下が選択され、透明導電層２の酸化を促進することで、安定的に、透明導電層２の結晶化を図る観点から、大気雰囲気下が選択される。
【実施例0164】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【0165】
１．透明導電性フィルムの製造
＜実施例１＞
透明導電性フィルムの製造には、図１に示すフィルム製造装置１０を用いた。
［第１工程］
長尺の基材１としてのＰＥＴフィルム（厚さ５０μｍ，東レ社製）の厚み方向一方面に、アクリル樹脂を含有する紫外線硬化性樹脂を塗布して塗膜を形成した。次に、紫外線照射によって当該塗膜を硬化させた。これにより、長尺の基材１の厚み方向一方面に、ハードコート層（厚さ２μｍ）を形成した。次いで、長尺の基材１をロール体として送出ロール１１に装着した。これにより、長尺の基材１を準備した。
＜実施例１＞
透明導電性フィルムの製造には、図１に示すフィルム製造装置１０を用いた。
［第１工程］
長尺の基材１としてのＰＥＴフィルム（厚さ５０μｍ，東レ社製）の厚み方向一方面に、アクリル樹脂を含有する紫外線硬化性樹脂を塗布して塗膜を形成した。次に、紫外線照射によって当該塗膜を硬化させた。これにより、長尺の基材１の厚み方向一方面に、ハードコート層（厚さ２μｍ）を形成した。次いで、長尺の基材１をロール体として送出ロール１１に装着した。これにより、長尺の基材１を準備した。
【0166】
［第２工程］
次いで、送出ロール１１および巻取ロール２７をモータにより回転駆動させて、長尺の基材１を長手方向に搬送した。このとき、搬送速度は、２．３ｍ／分とした。
次いで、送出ロール１１および巻取ロール２７をモータにより回転駆動させて、長尺の基材１を長手方向に搬送した。このとき、搬送速度は、２．３ｍ／分とした。
【0167】
次いで、長尺の基材１を長手方向に搬送しながら、真空雰囲気下で、スパッタリング（反応性スパッタリング法）を実施した。すなわち、スパッタユニット６を作動させて、長尺の基材１に透明導電層２の一部を形成した。
【0168】
スパッタリング条件は以下の通りである。
［第１成膜室１７Ａ］
スパッタリング電源：ＤＣ電源
放電出力：１．０５Ｗ／ｍｍ
ターゲット上の水平磁場強度：９０ｍＴ
スパッタリングガス：成膜室内の水分圧が０．９×１０－４Ｐａ以下に至るまで真空排気した後、クリプトンガス（希ガス）および酸素ガス（反応性ガス）を供給
クリプトンガスおよび酸素ガスの総量に対する酸素ガスの流量：約２．３流量％
圧力：０．２Ｐａ
［第１成膜室１７Ｂ～第１成膜室１７Ｄ］
スパッタリング電源、ターゲット上の水平磁場強度、スパッタリングガスおよび圧力：第１成膜室１７Ａと同じ
放電出力：６．０５Ｗ／ｍｍ
クリプトンガスおよび酸素ガスの総量に対する酸素ガスの流量：約３．６流量％
［ターゲット］
第１ターゲット３１Ａ～第１ターゲット３１Ｄ：酸化インジウムと酸化スズとの焼結体（酸化スズ濃度１０質量％のインジウムスズ複合酸化物）
［第１成膜ロール１６］
温度：－５℃
［第１成膜室１７Ａ］
スパッタリング電源：ＤＣ電源
放電出力：１．０５Ｗ／ｍｍ
ターゲット上の水平磁場強度：９０ｍＴ
スパッタリングガス：成膜室内の水分圧が０．９×１０－４Ｐａ以下に至るまで真空排気した後、クリプトンガス（希ガス）および酸素ガス（反応性ガス）を供給
クリプトンガスおよび酸素ガスの総量に対する酸素ガスの流量：約２．３流量％
圧力：０．２Ｐａ
［第１成膜室１７Ｂ～第１成膜室１７Ｄ］
スパッタリング電源、ターゲット上の水平磁場強度、スパッタリングガスおよび圧力：第１成膜室１７Ａと同じ
放電出力：６．０５Ｗ／ｍｍ
クリプトンガスおよび酸素ガスの総量に対する酸素ガスの流量：約３．６流量％
［ターゲット］
第１ターゲット３１Ａ～第１ターゲット３１Ｄ：酸化インジウムと酸化スズとの焼結体（酸化スズ濃度１０質量％のインジウムスズ複合酸化物）
［第１成膜ロール１６］
温度：－５℃
【0169】
［第３工程］
長尺の基材１を長手方向に搬送しながら、真空雰囲気下で、透明導電層２の一部を加熱しながら、スパッタリング（反応性スパッタリング法）を実施した。すなわち、第１アニールユニット７を作動させて、透明導電層２の残部の形成と、透明導電層２の結晶化とを同時に実施した。
長尺の基材１を長手方向に搬送しながら、真空雰囲気下で、透明導電層２の一部を加熱しながら、スパッタリング（反応性スパッタリング法）を実施した。すなわち、第１アニールユニット７を作動させて、透明導電層２の残部の形成と、透明導電層２の結晶化とを同時に実施した。
【0170】
スパッタリングにおける条件は以下の通りである。
［第２成膜室２３Ａ～第２成膜室２３Ｃ］
スパッタリング電源、放電出力、ターゲット上の水平磁場強度、スパッタリングガスおよび圧力：第１成膜室１７Ａと同じ
クリプトンガスおよび酸素ガスの総量に対する酸素ガスの流量：約０．７流量％
［ターゲット］
第２ターゲット３２Ａ～第２ターゲット３２Ｃ：第１ターゲット３１Ａと同じ
［第２成膜ロール２２］
温度：１６０℃
以上により、透明導電性フィルム３を得た。
［第２成膜室２３Ａ～第２成膜室２３Ｃ］
スパッタリング電源、放電出力、ターゲット上の水平磁場強度、スパッタリングガスおよび圧力：第１成膜室１７Ａと同じ
クリプトンガスおよび酸素ガスの総量に対する酸素ガスの流量：約０．７流量％
［ターゲット］
第２ターゲット３２Ａ～第２ターゲット３２Ｃ：第１ターゲット３１Ａと同じ
［第２成膜ロール２２］
温度：１６０℃
以上により、透明導電性フィルム３を得た。
【0171】
＜実施例２＞
実施例１と同様の手順で、透明導電性フィルム３を得た。
実施例１と同様の手順で、透明導電性フィルム３を得た。
【0172】
但し、第２工程において、実施例１と同じ厚みの透明導電層２を得るために、搬送速度を２．１ｍ／分に変更した。
【0173】
また、第２工程において、以下のスパッタリング条件を変更した。
［第１成膜室１７Ａ］
スパッタリングガス：成膜室内の水分圧が０．９×１０－４Ｐａ以下に至るまで真空排気した後、クリプトンガス（希ガス）および酸素ガス（反応性ガス）を供給
クリプトンガスおよび酸素ガスの総量に対する酸素ガスの流量：約２．２流量％
圧力：０．２Ｐａ
［第１成膜室１７Ｂ～第１成膜室１７Ｄ］
スパッタリング電源、ターゲット上の水平磁場強度、スパッタリングガスおよび圧力：第１成膜室１７Ａと同じ
放電出力：６．０５Ｗ／ｍｍ
クリプトンガスおよび酸素ガスの総量に対する酸素ガスの流量：約３．４流量％
［第１成膜室１７Ａ］
スパッタリングガス：成膜室内の水分圧が０．９×１０－４Ｐａ以下に至るまで真空排気した後、クリプトンガス（希ガス）および酸素ガス（反応性ガス）を供給
クリプトンガスおよび酸素ガスの総量に対する酸素ガスの流量：約２．２流量％
圧力：０．２Ｐａ
［第１成膜室１７Ｂ～第１成膜室１７Ｄ］
スパッタリング電源、ターゲット上の水平磁場強度、スパッタリングガスおよび圧力：第１成膜室１７Ａと同じ
放電出力：６．０５Ｗ／ｍｍ
クリプトンガスおよび酸素ガスの総量に対する酸素ガスの流量：約３．４流量％
【0174】
また、第３工程において、以下のスパッタリング条件を変更した。
［第２成膜室２３Ａ］
スパッタリング電源、放電出力、ターゲット上の水平磁場強度、スパッタリングガスおよび圧力：第１成膜室１７Ａと同じ
クリプトンガスおよび酸素ガスの総量に対する酸素ガスの流量：約０．７流量％
［第２成膜室２３Ｂ～第２成膜室２３Ｃ］
スパッタリングを実施しなかった。
［第２成膜室２３Ａ］
スパッタリング電源、放電出力、ターゲット上の水平磁場強度、スパッタリングガスおよび圧力：第１成膜室１７Ａと同じ
クリプトンガスおよび酸素ガスの総量に対する酸素ガスの流量：約０．７流量％
［第２成膜室２３Ｂ～第２成膜室２３Ｃ］
スパッタリングを実施しなかった。
【0175】
＜実施例３＞
実施例２と同様の手順で、透明導電性フィルム３を得た。但し、第２工程において、実施例２と同じ厚みの透明導電層２を得るために、搬送速度を２．０ｍ／分に変更し、また、第１成膜室１７Ａ～第１成膜室１７Ｄ、および、第２成膜室２３Ａにおけるスパッタリングガスを、クリプトンガスから、アルゴンガスに変更した。
実施例２と同様の手順で、透明導電性フィルム３を得た。但し、第２工程において、実施例２と同じ厚みの透明導電層２を得るために、搬送速度を２．０ｍ／分に変更し、また、第１成膜室１７Ａ～第１成膜室１７Ｄ、および、第２成膜室２３Ａにおけるスパッタリングガスを、クリプトンガスから、アルゴンガスに変更した。
【0176】
＜実施例４＞
実施例１と同様の手順で、透明導電性フィルム３を得た。
実施例１と同様の手順で、透明導電性フィルム３を得た。
【0177】
但し、第２工程において、搬送速度を１０．２ｍ／分に変更した。
【0178】
また、第２工程において、以下のスパッタリング条件を変更した。
［第１成膜室１７Ｂおよび第１成膜室１７Ｃ］
［第１成膜室１７Ｂおよび第１成膜室１７Ｃ］
【0179】
クリプトンガスおよび酸素ガスの総量に対する酸素ガスの流量：約３．９流量％
［第１成膜室１７Ｄ］
スパッタリングを実施しなかった。
［ターゲット］
第１ターゲット３１Ｃ：酸化インジウムと酸化スズとの焼結体（酸化スズ濃度３質量％のインジウムスズ複合酸化物）
［第１成膜室１７Ｄ］
スパッタリングを実施しなかった。
［ターゲット］
第１ターゲット３１Ｃ：酸化インジウムと酸化スズとの焼結体（酸化スズ濃度３質量％のインジウムスズ複合酸化物）
【0180】
また、第３工程において、以下のスパッタリング条件を変更した。
［第２成膜室２３Ａ］
クリプトンガスおよび酸素ガスの総量に対する酸素ガスの流量：約０．７流量％
［第２成膜室２３Ｂ～第２成膜室２３Ｃ］
スパッタリングを実施しなかった。
［ターゲット］
第２ターゲット３２Ａ：酸化インジウムと酸化スズとの焼結体（酸化スズ濃度３質量％のインジウムスズ複合酸化物）
［第２成膜室２３Ａ］
クリプトンガスおよび酸素ガスの総量に対する酸素ガスの流量：約０．７流量％
［第２成膜室２３Ｂ～第２成膜室２３Ｃ］
スパッタリングを実施しなかった。
［ターゲット］
第２ターゲット３２Ａ：酸化インジウムと酸化スズとの焼結体（酸化スズ濃度３質量％のインジウムスズ複合酸化物）
【0181】
＜比較例１＞
実施例１と同様の手順で、透明導電性フィルム３を得た。
実施例１と同様の手順で、透明導電性フィルム３を得た。
【0182】
但し、第２工程において、実施例１および２と同じ厚みの透明導電層２を得るために、搬送速度を２．０ｍ／分に変更した。
【0183】
また、第３工程において、以下のスパッタリング条件を変更した。
［第２成膜室２３Ａ～第２成膜室２３Ｃ］
スパッタリングを実施しなかった。
［第２成膜室２３Ａ～第２成膜室２３Ｃ］
スパッタリングを実施しなかった。
【0184】
＜比較例２＞
実施例２と同様の手順で、透明導電性フィルム３を得た。
実施例２と同様の手順で、透明導電性フィルム３を得た。
【0185】
但し、第２工程において、実施例３と同じ厚みの透明導電層２を得るために、搬送速度を１．９ｍ／分に変更した。
【0186】
また、第３工程において、以下のスパッタリング条件を変更した。
［第２成膜室２３Ａ～第２成膜室２３Ｃ］
スパッタリングを実施しなかった。
［第２成膜室２３Ａ～第２成膜室２３Ｃ］
スパッタリングを実施しなかった。
【0187】
＜比較例３＞
実施例３と同様の手順で、透明導電性フィルム３を得た。
実施例３と同様の手順で、透明導電性フィルム３を得た。
【0188】
但し、第２工程において、実施例４と同じ厚みの透明導電層２を得るために、搬送速度を９．４ｍ／分に変更した。
【0189】
また、第３工程において、以下のスパッタリング条件を変更した。
［第２成膜室２３Ａ～第２成膜室２３Ｃ］
スパッタリングを実施しなかった。
［第２成膜室２３Ａ～第２成膜室２３Ｃ］
スパッタリングを実施しなかった。
【0190】
２．評価
＜透明導電層の厚さ＞
各実施例、および、各比較例における透明導電層の厚さを、ＦＥ－ＴＥＭ観察により測定した。具体的には、まず、ＦＩＢマイクロサンプリング法により、各実施例、および、各比較例における各透明導電層の断面観察用サンプルを作製した。ＦＩＢマイクロサンプリング法では、ＦＩＢ装置（商品名「ＦＢ２２００」、Ｈｉｔａｃｈｉ製）を使用し、加速電圧を１０ｋＶとした。次に、断面観察用サンプルにおける透明導電層の厚さを、ＦＥ－ＴＥＭ観察によって測定した。ＦＥ－ＴＥＭ観察では、ＦＥ－ＴＥＭ装置（商品名「ＪＥＭ－２８００」，ＪＥＯＬ製）を使用し、加速電圧を２００ｋＶとした。その結果を表１に示す。
＜透明導電層の厚さ＞
各実施例、および、各比較例における透明導電層の厚さを、ＦＥ－ＴＥＭ観察により測定した。具体的には、まず、ＦＩＢマイクロサンプリング法により、各実施例、および、各比較例における各透明導電層の断面観察用サンプルを作製した。ＦＩＢマイクロサンプリング法では、ＦＩＢ装置（商品名「ＦＢ２２００」、Ｈｉｔａｃｈｉ製）を使用し、加速電圧を１０ｋＶとした。次に、断面観察用サンプルにおける透明導電層の厚さを、ＦＥ－ＴＥＭ観察によって測定した。ＦＥ－ＴＥＭ観察では、ＦＥ－ＴＥＭ装置（商品名「ＪＥＭ－２８００」，ＪＥＯＬ製）を使用し、加速電圧を２００ｋＶとした。その結果を表１に示す。
【0191】
＜透明導電層の結晶性＞
各実施例、および、各比較例の透明導電性フィルムを切り出し、ウルトラミクロトームの試料ホルダに固定した。次いで、ＩＴＯ膜面に対して極鋭角にミクロトームナイフを設置し、切断面がＩＴＯ膜面と略平行となるように切削して観察試料を得た。この観察試料を、透過型電子顕微鏡を用いて、平面視で結晶粒を観察した（観察倍率は、結晶粒が明瞭に観察できる倍率に調整した。）。観察の結果、結晶粒の存在する領域が、７０％以上、１００％以下であれば、結晶質であると判定した。ここで、結晶粒の最末端である結晶粒界近傍では、不可避的に結晶性が低くなる場合があり、結晶質であっても、１００％である必要性はない。なお、実施例１～３の透明導電層は、略全面に結晶粒が観察された。
各実施例、および、各比較例の透明導電性フィルムを切り出し、ウルトラミクロトームの試料ホルダに固定した。次いで、ＩＴＯ膜面に対して極鋭角にミクロトームナイフを設置し、切断面がＩＴＯ膜面と略平行となるように切削して観察試料を得た。この観察試料を、透過型電子顕微鏡を用いて、平面視で結晶粒を観察した（観察倍率は、結晶粒が明瞭に観察できる倍率に調整した。）。観察の結果、結晶粒の存在する領域が、７０％以上、１００％以下であれば、結晶質であると判定した。ここで、結晶粒の最末端である結晶粒界近傍では、不可避的に結晶性が低くなる場合があり、結晶質であっても、１００％である必要性はない。なお、実施例１～３の透明導電層は、略全面に結晶粒が観察された。
【0192】
＜搬送速度＞
各実施例、および、各比較例を作成する際の成膜環境および条件（スパッタリング電源、放電出力、ターゲット、ターゲット上の水平磁場強度、スパッタリングガス、酸素ガスおよび圧力）において、各実施例、および、各比較例の、透明導電層の厚みを得るために必要となる、基材１の長手方向の搬送速度を求めた。
各実施例、および、各比較例を作成する際の成膜環境および条件（スパッタリング電源、放電出力、ターゲット、ターゲット上の水平磁場強度、スパッタリングガス、酸素ガスおよび圧力）において、各実施例、および、各比較例の、透明導電層の厚みを得るために必要となる、基材１の長手方向の搬送速度を求めた。
【0193】
＜考察＞
実施例１および実施例２と比較例１とでは、第２成膜ロールの条件（放電出力および温度）および搬送速度を除いて、同じ条件である。そして、実施例１および実施例２と比較例１とを比較すると、第２工程において、透明導電層の一部を形成し、第３工程において、透明導電層の一部を加熱しながら、透明導電層の残部を形成した実施例１および実施例２は、第２工程において、透明導電層の全部を形成し、第３工程において、透明導電層を形成しなかった比較例１に比べて、搬送速度が高いとわかる。
実施例１および実施例２と比較例１とでは、第２成膜ロールの条件（放電出力および温度）および搬送速度を除いて、同じ条件である。そして、実施例１および実施例２と比較例１とを比較すると、第２工程において、透明導電層の一部を形成し、第３工程において、透明導電層の一部を加熱しながら、透明導電層の残部を形成した実施例１および実施例２は、第２工程において、透明導電層の全部を形成し、第３工程において、透明導電層を形成しなかった比較例１に比べて、搬送速度が高いとわかる。
【0194】
このことから、第２工程において、透明導電層の一部を形成し、第３工程において、透明導電層の一部を加熱しながら、透明導電層の残部を形成すれば、生産性が向上するとわかる。
【0195】
このことは、実施例３と比較例２との比較、および、実施例４と比較例３との比較でも同様である。
【0196】
【表1】
【符号の説明】
【0197】
１ 長尺の基材
２ 透明導電層
３ 透明導電性フィルム
１６ 第１成膜ロール
１７ 第１成膜室
２２ 第２成膜ロール
２３ 第２成膜室
２ 透明導電層
３ 透明導電性フィルム
１６ 第１成膜ロール
１７ 第１成膜室
２２ 第２成膜ロール
２３ 第２成膜室
【図1】
【図2】