特開 2024-60046 配線回路基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024060046

(43)【公開日】2024-05-01

(54)【発明の名称】配線回路基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20240423BHJP

   H05K 1/03 20060101ALI20240423BHJP

   H05K 3/28 20060101ALI20240423BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 P

H05K1/03 610N

H05K3/28 C

【審査請求】有

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024038115

(22)【出願日】2024-03-12

(62)【分割の表示】P 2019166948の分割

【原出願日】2019-09-13

(71)【出願人】

【識別番号】000003964

【氏名又は名称】日東電工株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003812

【氏名又は名称】弁理士法人いくみ特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】松富 亮人

(72)【発明者】

【氏名】程野 将行

(57)【要約】

【課題】高周波信号の伝送効率を向上できながら、薄型化が図れた配線回路基板を提供すること。
【解決手段】配線回路基板１は、ベース絶縁層２と、ベース絶縁層２の厚み方向一方面に配置される導体層３と、ベース絶縁層２の厚み方向一方面に、導体層３を被覆するように配置されるカバー絶縁層４と、ベース絶縁層２の厚み方向他方面および幅方向両側面と、カバー絶縁層４の厚み方向一方面および幅方向両側面とに配置されるシールド層５とを備える。ベース絶縁層２およびカバー絶縁層４の少なくとも一方が、多孔質樹脂層１０を有する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ベース絶縁層と、
前記ベース絶縁層の厚み方向一方面に配置される導体層と、
前記ベース絶縁層の厚み方向一方面に、前記導体層を被覆するように配置されるカバー絶縁層と、
前記ベース絶縁層の厚み方向他方面および幅方向両側面と、前記カバー絶縁層の厚み方向一方面および幅方向両側面とに配置されるシールド層と
を備え、
前記ベース絶縁層および前記カバー絶縁層の少なくとも一方が、多孔質樹脂層を有することを特徴とする、配線回路基板。

【請求項2】

前記導体層の厚み方向他方面と前記ベース絶縁層の厚み方向他方面との距離Ｔ１に対する、前記導体層の厚み方向一方面と前記カバー絶縁層の厚み方向一方面との距離Ｔ２の比（Ｔ２／Ｔ１）が、０．９以上、１．１以下であることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。

【請求項3】

前記多孔質樹脂層が、独立気泡構造を有することを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。

【請求項4】

前記多孔質樹脂層の空孔率が、５０％以上であることを特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載の配線回路基板。

【請求項5】

前記多孔質樹脂層の材料が、ポリイミド樹脂であることを特徴とする、請求項１～４のいずれか一項に記載の配線回路基板。

【請求項6】

前記ベース絶縁層および前記カバー絶縁層が、多孔質樹脂層からなることを特徴とする、請求項１～５のいずれか一項に記載の配線回路基板。

【請求項7】

前記ベース絶縁層が、前記多孔質樹脂層からなり、
前記カバー絶縁層は、
前記導体層の厚み方向一方面および幅方向両側面と、前記ベース絶縁層の厚み方向一方面において厚み方向に投影したときに前記導体層に重ならない部分に接触する接着剤層と、
前記接着剤層の厚み方向一方面に接触する前記多孔質樹脂層とを備えることを特徴とする、請求項１～６のいずれか一項に記載の配線回路基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線回路基板に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、電気伝送路として同軸ケーブルが用いられている。

【0003】

例えば、導体と、その外周面に配置されるジャケット層（絶縁層）と、その外周面に配置されるシールド層とを備える高周波電力伝送用同軸ケーブルが提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。特許文献１に記載の高周波電力伝送用同軸ケーブルでは、ジャケット層が、中実な架橋ポリエチレン樹脂からなる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１４－２２１４６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

近年、高周波電力伝送用同軸ケーブルには、高周波信号のより高い伝送効率および薄型化が求められる。

【0006】

しかし、特許文献１の記載の高周波電力伝送用同軸ケーブルでは、ジャケット層が、中実な架橋ポリエチレン樹脂からなるので、伝送効率の向上にも限界がある。

【0007】

また、特許文献１の記載の高周波電力伝送用同軸ケーブルは、そもそも、同軸ケーブルの構造を有するため、薄型化が困難であるという不具合がある。

【0008】

本発明は、高周波信号の伝送効率を向上できながら、薄型化が図れた配線回路基板を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明（１）は、ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の厚み方向一方面に配置される導体層と、前記ベース絶縁層の厚み方向一方面に、前記導体層を被覆するように配置されるカバー絶縁層と、前記ベース絶縁層の厚み方向他方面および幅方向両側面と、前記カバー絶縁層の厚み方向一方面および幅方向両側面とに配置されるシールド層とを備え、前記ベース絶縁層および前記カバー絶縁層の少なくとも一方が、多孔質樹脂層を有する、配線回路基板を含む。

【0010】

本発明（２）は、前記導体層の厚み方向他方面と前記ベース絶縁層の厚み方向他方面との距離Ｔ１に対する、前記導体層の厚み方向一方面と前記カバー絶縁層の厚み方向一方面との距離Ｔ２の比（Ｔ２／Ｔ１）が、０．９以上、１．１以下である、（１）に記載の配線回路基板を含む。

【0011】

本発明（３）は、前記多孔質樹脂層が、独立気泡構造を有する、（１）または（２）に記載の配線回路基板を含む。

【0012】

本発明（４）は、前記多孔質樹脂層の空孔率が、５０％以上である、（１）～（３）のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。

【0013】

本発明（５）は、前記多孔質樹脂層の材料が、ポリイミド樹脂である、（１）～（４）のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。

【0014】

本発明（６）は、前記ベース絶縁層および前記カバー絶縁層が、多孔質樹脂層からなる、（１）～（５）のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。

【0015】

本発明（７）は、前記ベース絶縁層が、前記多孔質樹脂層からなり、前記カバー絶縁層は、前記導体層の厚み方向一方面および幅方向両側面と、前記ベース絶縁層の厚み方向一方面において厚み方向に投影したときに前記導体層に重ならない部分に接触する接着剤層と、前記接着剤層の厚み方向一方面に接触する前記多孔質樹脂層とを備える、（１）～（６）のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。

【発明の効果】

【0016】

本発明の配線回路基板では、ベース絶縁層およびカバー絶縁層の少なくとも一方が、多孔質樹脂層を有するので、高周波信号の伝送効率を向上できる。

【0017】

本発明の配線回路基板は、ベース絶縁層およびカバー絶縁層が層状であるので、薄型化できる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】図１は、本発明の配線回路基板の第１実施形態の断面図である。

【図2】図２Ａ～図２Ｆは、図１に示す配線回路基板の製造工程図であり、図２Ａが、他方側シールド層とベース絶縁層とを準備する工程、図２Ｂが、導体層を配置する工程、図２Ｃが、カバー絶縁層を配置する工程、図２Ｄが、一方側シールド層を配置する工程、図２Ｅが、開口部を形成する工程、図２Ｆが、側部シールド層を配置する工程を示す。

【図3】図３は、図１に示す配線回路基板の変形例（導体層が複数の配線を含む態様）の断面図である。

【図4】図４は、本発明の配線回路基板の第２実施形態（カバー絶縁層が多孔質樹脂層および接着剤層を含む態様）の断面図である。

【図5】図５Ａ～図５Ｆは、図４に示す配線回路基板の製造工程図であり、図５Ａが、接着剤層を配置する工程、図５Ｂが、カバー絶縁層を接着剤層に接触させる工程、図５Ｃが、開口部を形成する工程、図５Ｄが、側部シールド層を配置する工程を示す。

【図6】図６は、図４に示す配線回路基板の変形例（導体層が複数の配線を含む態様）の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

＜第１実施形態＞
本発明の配線回路基板の第１実施形態を、図１を参照して説明する。

【0020】

図１に示すように、配線回路基板１は、例えば、信号（電気信号）を伝送する伝送路であり、好ましくは、高周波信号（具体的には、周波数が１ＧＨｚ以上、さらには、周波数が２ＧＨｚ以上、また、１００ＧＨｚ以下の信号）を伝送する高周波伝送路（高周波信号の伝送用ケーブル）である。配線回路基板１は、伝送方向に沿って延びる平帯形状をする。また、配線回路基板１は、伝送方向に直交する断面視において、所定の厚みを有し、幅方向（伝送方向および厚み方向に直交する方向）に広がる略矩形状を有する。配線回路基板１は、ベース絶縁層２と、導体層３と、カバー絶縁層４と、シールド層５とを備える。

【0021】

ベース絶縁層２は、幅方向に長い断面視略矩形状を有する。

【0022】

ベース絶縁層２の厚みＴ１は、導体層３の厚み方向他方面とベース絶縁層２の厚み方向他方面との距離Ｔ１である。具体的には、ベース絶縁層２の厚みＴ１は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、７５μｍ以下である。また、配線回路基板１の厚みＴ０に対するベース絶縁層２の厚みＴ１の比（Ｔ１／Ｔ０）は、例えば、０．１５以上、好ましくは、０．３以上であり、また、例えば、０．６以下、好ましくは、０．４５以下である。

【0023】

ベース絶縁層２の幅Ｗ１は、ベース絶縁層２の幅方向両側面間の距離Ｗ１である。具体的には、ベース絶縁層２の幅Ｗ１は、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、２５０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、３５０μｍ以下である。配線回路基板１の幅Ｗ０に対するベース絶縁層２の幅Ｗ１の比（Ｗ１／Ｗ０）は、例えば、０．８以上、好ましくは、０．９以上であり、また、例えば、１以下、好ましくは、０．９９以下である。

【0024】

ベース絶縁層２の幅Ｗ１に対する厚みＴ１の比（Ｔ１／Ｗ１）は、例えば、２．０以下、好ましくは、１．５以下、より好ましくは、１．０以下であり、また、例えば、０．１以上である。

【0025】

ベース絶縁層２の寸法が上記範囲にあれば、配線回路基板１は、高周波信号の伝送効率を向上できながら、薄型化が図られる。

【0026】

ベース絶縁層２は、多孔質樹脂層１０（図１の括弧書き参照）である。多孔質樹脂層１０は、微細な空孔（気孔）を多数有している。多孔質樹脂層１０は、好ましくは、独立気泡構造を有する。多孔質樹脂層１０が独立気泡構造を有する場合には、配線回路基板１における高周波信号の伝送効率を向上できる。

【0027】

ベース絶縁層２の多孔質樹脂層１０における空孔率は、例えば、５０％以上、好ましくは、６０％以上、より好ましくは、７０％以上、さらに好ましくは、８０％以上であり、また、例えば、１００％未満である。多孔質樹脂層１０の空孔率は、国際公開２０１８／１８６４８６号公報に記載に従って、測定される。多孔質樹脂層１０の空孔率が上記した下限以上であれば、配線回路基板１における高周波信号の伝送効率を向上できる。

【0028】

ベース絶縁層２の多孔質樹脂層１０における平均孔径は、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、５μｍ以下であり、また、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上である。多孔質樹脂層１０における平均孔径は、国際公開２０１８／１８６４８６号公報に記載に従って、測定される。

【0029】

ベース絶縁層２の多孔質樹脂層１０の材料としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの樹脂が挙げられる。好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。

【0030】

熱硬化性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂（熱硬化性ポリイミド樹脂）、熱硬化性フッ化ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂、フッ素樹脂（含フッ素オレフィンの重合体（具体的には、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）など））、液晶ポリマー（ＬＣＰ）などが挙げられる。これらは、単独使用または２種以上併用することができる。好ましくは、ポリイミド樹脂が挙げられる。多孔質樹脂層１０の材料が、ポリイミド樹脂であれば、低コストおよび低誘電率を確保しつつ、配線回路基板１における高周波信号の伝送特性を向上できる。

【0031】

ベース絶縁層２の周波数１０ＧＨｚにおける誘電率は、例えば、３．０以下、好ましくは、２．５以下、より好ましくは、２．０以下である。

【0032】

導体層３は、ベース絶縁層２の厚み方向一方面に配置されている。具体的には、導体層３は、ベース絶縁層２の厚み方向一方面における中央部に接触している。導体層３は、例えば、１つの配線１３である。

【0033】

断面視において、ベース絶縁層２の厚み方向一方面における中央部（導体層３が接触する部分）より幅方向一方側に位置する一方側部分１１の長さＬ１に対する、ベース絶縁層２の厚み方向一方面における中央部（導体層３が接触する部分）より幅方向他方側に位置する他方側部分１２の長さＬ２の比（Ｌ２／Ｌ１）は、例えば、０．９以上、好ましくは、０．９５以上であり、また、例えば、１．１以下、好ましくは、１．０５以下である。
ベース絶縁層２における一方側部分１１の長さＬ１と、他方側部分１２の長さＬ２とが略同一であることが好適である。一方側部分１１および他方側部分１２の寸法が上記範囲にあれば、配線回路基板１は、高周波信号の伝送効率を向上できながら、薄型化が図られる。

【0034】

配線１３は、幅方向に長い断面視略矩形状を有する。

【0035】

導体層３の材料は、特に限定されず、例えば、銅、鉄、銀、金、アルミニウム、ニッケル、それらの合金（ステンレス、青銅）などの金属が挙げられる。低い電気抵抗を得る観点から、好ましくは、銅、金が挙げられる。

【0036】

導体層３の厚みＴ３は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。配線回路基板１の厚みＴ０に対する導体層３の厚みＴ３の比（Ｔ３／Ｔ０）は、例えば、０．５以下、好ましくは、０．３以下、より好ましくは、０．２以下であり、また、例えば、０．０１以上、好ましくは、０．０５以上である。

【0037】

導体層３（配線１３）の幅Ｗ３は、ベース絶縁層２の幅Ｗ１より狭い。導体層３の幅Ｗ３は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。ベース絶縁層２の幅Ｗ１に対する導体層３の幅Ｗ３の比（Ｗ３／Ｗ１）は、例えば、０．７５以下、好ましくは、０．５０以下、より好ましくは、０．２５以下であり、また、例えば、０．０１以上、好ましくは、０．０５以上である。導体層３において幅Ｗ３に対する厚みＴ４の比（Ｔ４／Ｗ３）は、例えば、０．７５以下、好ましくは、０．５以下であり、また、例えば、０．０１以上である。

【0038】

導体層３の寸法が上記範囲にあれば、配線回路基板１は、高周波信号の伝送効率を向上できながら、薄型化が図られる。

【0039】

導体層３は、中実な緻密層である。そのため、導体層３の空孔率は、実質的に０％である。

【0040】

カバー絶縁層４は、ベース絶縁層２の厚み方向一方面に、導体層３を被覆するように配置される。具体的には、カバー絶縁層４は、導体層３の周囲のベース絶縁層２の厚み方向一方面と、導体層３の厚み方向一方面および幅方向両側面とに接触している。なお、導体層３の周囲のベース絶縁層２は、厚み方向に投影したときに、ベース絶縁層２において、導体層３の重ならない部分である。カバー絶縁層４は、断面視において、厚み方向他方側に向かって開放される略コ字（Ｕ字）形状を有する。カバー絶縁層４の厚み方向一方面は、平坦である。カバー絶縁層４の幅方向両側面のそれぞれは、ベース絶縁層２の幅方向両側面のそれぞれと面一である。

【0041】

カバー絶縁層４の厚みＴ２は、導体層３の厚み方向一方面とカバー絶縁層４の厚み方向一方面との距離Ｔ２である。カバー絶縁層４の厚みＴ２は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、７５μｍ以下である。また、配線回路基板１の厚みＴ０に対するカバー絶縁層４の厚みＴ２の比（Ｔ１／Ｔ０）は、例えば、０．１５以上、好ましくは、０．３以上であり、また、例えば、０．６以下、好ましくは、０．４５以下である。カバー絶縁層４の寸法が上記範囲にあれば、配線回路基板１は、高周波信号の伝送効率を向上できながら、薄型化が図られる。

【0042】

ベース絶縁層２の厚みＴ１に対するカバー絶縁層４の厚みＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）は、例えば、０．９以上、好ましくは、０．９５以上であり、また、例えば、１．１以下、好ましくは、１．０５以下である。ベース絶縁層２の厚みＴ１に対するカバー絶縁層４の厚みＴ２の比（Ｔ２／Ｔ１）が、上記した下限以上、上限以下であれば、高周波信号の高い伝送効率を確保できる。

【0043】

ベース絶縁層２の厚みＴ１が、ベース絶縁層２に面するシールド層５（後述する他方側シールド層６）から導体層３までの長さであり、また、カバー絶縁層４の厚みＴ２が、カバー絶縁層４に面するシールド層５（後述する一方側シールド層７）から導体層３までの長さであり、それらの比（Ｔ２／Ｔ１）が、０．９以上、１．１以下であれば、上記した２つの長さを実質的に同一することができる。換言すれば、カバー絶縁層４の厚みＴ２は、ベース絶縁層２の厚みＴ１と略同一にできる。

【0044】

そのため、ベース絶縁層２に面するシールド層５（他方側シールド層６）より厚み方向他方側からの磁界の導体層３への影響を、カバー絶縁層４に面するシールド層５（一方側シールド層７）より厚み方向一方側からの磁界の導体層３への影響で相殺できる。そのため、外部の磁界が導体層３に及ぼす影響を抑制できる。その結果、この配線回路基板１は、高周波信号の伝送効率をより一層向上できる。

【0045】

カバー絶縁層４の幅Ｗ２は、ベース絶縁層２の幅Ｗ１と同一である。配線回路基板１の幅Ｗ０に対するカバー絶縁層４の幅Ｗ２の比（Ｗ２／Ｗ０）は、例えば、０．８以上、好ましくは、０．９以上であり、また、例えば、１以下、好ましくは、０．９９以下である。カバー絶縁層４の幅Ｗ２に対する厚みＴ２の比（Ｔ２／Ｗ２）は、例えば、２．０以下、好ましくは、１．５以下、より好ましくは、１．０以下であり、また、例えば、０．１以上である。カバー絶縁層４の寸法が上記範囲にあれば、配線回路基板１は、高周波信号の伝送効率を向上できながら、薄型化が図られる。

【0046】

カバー絶縁層４は、多孔質樹脂層１０である。カバー絶縁層４の多孔質樹脂層１０は、ベース絶縁層２の多孔質樹脂層１０と同様の構造（独立気泡構造）、物性（空孔率、平均孔径および誘電率）および材料（樹脂）（好ましくは、ポリイミド樹脂）等を有する。

【0047】

シールド層５は、断面視において、ベース絶縁層２およびカバー絶縁層４の外周面を被覆する。具体的には、シールド層５は、ベース絶縁層２の厚み方向他方面および幅方向両側面と、カバー絶縁層４の厚み方向一方面および幅方向両側面とに配置されている。ベース絶縁層２の幅方向一側面に配置されるシールド層５と、カバー絶縁層４の幅方向一側面に配置されるシールド層５とは、厚み方向に連続する。ベース絶縁層２の幅方向他側面に配置されるシールド層５と、カバー絶縁層４の幅方向他側面に配置されるシールド層５とは、厚み方向に連続する。そのため、シールド層５は、断面視において、略矩形枠形状を有する。

【0048】

また、シールド層５は、グランド層（接地層）であって、図示しない伝送方向の一端部で、接地されている（０電位になっている）。

【0049】

シールド層５の厚みＴ４は、例えば、０．０１μｍ以上、好ましくは、０．１μｍ以上であり、また、例えば、１８μｍ以下、好ましくは、１２μｍ以下である。なお、シールド層５の厚みＴ４は、断面視において、ベース絶縁層２およびカバー絶縁層４の周方向にわたって略同一である。配線回路基板１の厚みＴ０に対するシールド層５の厚みＴ４の比（Ｔ４／Ｔ０）は、例えば、０．１以下、好ましくは、０．０１以下、より好ましくは、０．００１以下であり、また、例えば、０．０００１以上である。また、導体層３の厚みＴ３に対するシールド層５の厚みＴ４の比（Ｔ４／Ｔ３）は、例えば、１以下、好ましくは、０．１以下、より好ましくは、０．０１以下であり、また、例えば、０．０００１以上である。

【0050】

シールド層５の材料は、導体層３の材料と同様である。シールド層５は、中実な緻密層である。そのため、シールド層５の空孔率は、実質的に０％である。

【0051】

次に、この配線回路基板１の製造方法の一例を、図２Ａ～図２Ｆを参照して説明する。なお、以下の各工程のそれぞれは、例えば、国際公開２０１８／１８６４８６号公報に記載に従って実施することができる。

【0052】

図２Ａに示すように、まず、この方法では、他方側シールド層６と、その厚み方向一方面に配置されるベース絶縁層２とを準備する。なお、他方側シールド層６は、シールド層５に含まれる層であって、ベース絶縁層２の厚み方向他方面に配置される部分である。ベース絶縁層２が他方側シールド層６に予め積層された積層体を準備できる。また、まず、他方側シールド層６を準備し、次いで、ベース絶縁層２を他方側シールド層６の厚み方向一方面に配置することもできる。

【0053】

図２Ｂに示すように、次いで、この方法では、導体層３を、ベース絶縁層２の厚み方向一方面に配置する。例えば、アディティブ法またはサブトラクティブ法などによって、配線１３を有する導体層３をベース絶縁層２の厚み方向一方面に形成する。

【0054】

図２Ｃに示すように、次いで、この方法では、カバー絶縁層４を、ベース絶縁層２の厚み方向一方面に、導体層３を被覆するように配置する。

【0055】

図２Ｄに示すように、次いで、この方法では、一方側シールド層７を、カバー絶縁層４の厚み方向一方面に配置する。例えば、めっき、スパッタリングなどによって、一方側シールド層７を、カバー絶縁層４の厚み方向一方面の全面に形成する。なお、一方側シールド層７は、シールド層５に含まれる層であって、カバー絶縁層４の厚み方向一方面に配置される部分である。

【0056】

図２Ｅに示すように、次いで、この方法では、開口部８を、他方側シールド層６、ベース絶縁層２、カバー絶縁層４および一方側シールド層７に形成する。具体的には、他方側シールド層６、ベース絶縁層２、カバー絶縁層４および一方側シールド層７において、厚み方向に投影したときに、導体層３と重ならない領域において、開口部８を形成する。開口部８は、厚み方向に投影したときに、導体層３を挟むように、２つ設けられている。開口部８は、例えば、他方側シールド層６、ベース絶縁層２、カバー絶縁層４および一方側シールド層７を厚み方向に貫通するスリットである。また、開口部８は、伝送方向に沿って延びる。これによって、開口部８の内側に配線回路基板１（側面にシールド層５がまだ形成されていない配線回路基板１）が区画される。配線回路基板１は、開口部８より外側の外側部分から分離される。

【0057】

開口部８の形成は、例えば、レーザー、ダイシングソー、ドリルなどが用いられる。

【0058】

図２Ｆに示すように、次いで、この方法では、側部シールド層９を、ベース絶縁層２の幅方向両側面と、カバー絶縁層４の幅方向両側面とに形成する。なお、側部シールド層９は、シールド層５に含まれる層である。側部シールド層９の形成方法は、一方側シールド層７の形成方法と同様である。側部シールド層９の厚み方向他端部は、他方側シールド層６の幅方向両端部に連続する。側部シールド層９の厚み方向一端部は、一方側シールド層７の幅方向両端部に連続する。これによって、他方側シールド層６、一方側シールド層７および側部シールド層９からなるシールド層５が形成される。なお、図２Ｆでは、シールド層５において、他方側シールド層６および側部シールド層９の界面と、一方側シールド層７および側部シールド層９の界面とを明瞭に示しているが、これらは、不明瞭であったり、界面が観察されなくてもよい。

【0059】

これによって、ベース絶縁層２と、導体層３と、カバー絶縁層４と、シールド層５とを備える配線回路基板１を得る。

【0060】

図１に示すように、配線回路基板１の厚みＴ０は、例えば、６００μｍ以下、好ましくは、３００μｍ以下、より好ましくは、２００μｍ以下であり、また、例えば、１０μｍ以上である。配線回路基板１の幅Ｗ０は、例えば、１００μｍ以上、好ましく、６００μｍ以下である。配線回路基板１の幅Ｗ０に対する厚みＴ０の比（Ｔ０／Ｗ０）は、例えば、６以下、好ましくは、３以下、より好ましくは、１以下であり、また、例えば、０．１以上である。

【0061】

例えば、ベース絶縁層２の厚みＴ１が５０μｍ、カバー絶縁層４の厚みＴ２が５０μｍであり、ベース絶縁層２の厚み方向一方面における一方側部分１１の長さＬ１および他方側部分１２の長さＬ２がともに１００μｍであり、また、ベース絶縁層２およびカバー絶縁層４の多孔質樹脂層１０が、空孔率が８０％であり、ポリイミド樹脂からなる独立気泡構造を有し、厚みＴ３が１２μｍ、幅Ｗ３が５０μｍである導体層３に１０ＧＨｚの高周波信号が流れるときの、厚みＴ０が１１２μｍの配線回路基板１の伝送損失は、例えば、５ｄＢ／１００ｍｍ未満、好ましくは、４ｄＢ／１００ｍｍ以下、より好ましくは、３ｄＢ／１００ｍｍ以下、さらに好ましくは、２．５ｄＢ／１００ｍｍ以下である。そのため、この配線回路基板１は、高周波信号の伝送特性に優れる。

【0062】

＜第１実施形態の作用効果＞
この配線回路基板１では、ベース絶縁層２およびカバー絶縁層４が多孔質樹脂層１０であるので、高周波信号の伝送効率を向上できる。

【0063】

また、配線回路基板１は、ベース絶縁層２およびカバー絶縁層４が層状であるので、薄型化できる。

【0064】

また、ベース絶縁層２の厚みＴ１と、カバー絶縁層４の厚みＴ２とが、０．９以上、１．１以下であれば、他方側シールド層６（ベース絶縁層２に面するシールド層５）から導体層３までの距離Ｔ１と、一方側シールド層７（カバー絶縁層４に面するシールド層５）から導体層３までの距離Ｔ２とを実質的に同一にできる。そのため、他方側シールド層６より厚み方向他方側からの磁界の導体層３への影響を、一方側シールド層７より厚み方向一方側からの磁界との影響の導体層３への影響で相殺できる。そのため、外部の磁界が導体層３に及ぼす影響を抑制できる。その結果、この配線回路基板１は、高周波信号の伝送効率をより一層向上できる。

【0065】

配線回路基板１は、同軸ケーブルに代替する伝送用ケーブルとして好適に用いられる。

【0066】

＜第１実施形態の変形例＞
以下の各変形例において、上記した第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、第１実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。

【0067】

ベース絶縁層２が、多孔質樹脂層１０でなく、緻密な樹脂層（非多孔質樹脂層）であってもよい。または、カバー絶縁層４が、多孔質樹脂層１０でなく、緻密な樹脂層（非多孔質樹脂層）であってもよい。要するに、ベース絶縁層２およびカバー絶縁層４のうち、いずれかが、多孔質樹脂層１０であればよい。

【0068】

好ましくは、第１実施形態のように、ベース絶縁層２およびカバー絶縁層４の両方が、多孔質樹脂層１０である。第１実施形態であれば、高周波信号の伝送効率をより一層向上でき、併せて、より一層薄型化できる。

【0069】

図３に示すように、導体層３は、複数の配線１３を含むことができる。複数の配線１３は、幅方向において、互いに間隔を隔てて配置される。好ましくは、複数の配線１３は、幅方向において、等間隔が隔てられる。隣り合う配線１３の間隔Ｓは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。また、隣り合う配線１３の間隔Ｓに対する配線１３の幅Ｗ３の比（Ｗ３／Ｓ）は、例えば、０．９以上、好ましくは、０．９５以上であり、また、例えば、１．１以下、好ましくは、１．０５以下である。

【0070】

＜第２実施形態＞
第２実施形態において、上記した第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、第２実施形態は、特記する以外、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、第１実施形態、その変形例および第２実施形態を適宜組み合わせることができる。

【0071】

本発明の配線回路基板の第２実施形態を、図４を参照して説明する。

【0072】

図４に示すように、カバー絶縁層４は、接着剤層１５と、多孔質樹脂層１０とを備える。カバー絶縁層４は、接着剤層１５と、多孔質樹脂層１０とを厚み方向一方側に向かって順に備える。好ましくは、カバー絶縁層４は、接着剤層１５と、多孔質樹脂層１０とのみを備える。

【0073】

接着剤層１５は、ベース絶縁層２の厚み方向一方面に、導体層３を被覆するように配置される。接着剤層１５は、導体層３の厚み方向一方面および幅方向両側面と、ベース絶縁層２の厚み方向一方面において厚み方向に投影したときに導体層３に重ならない部分（具体的には、一方側部分１１および他方側部分１２）に接触する。接着剤層１５の厚み方向一方面は、ベース絶縁層２の厚み方向一方面に平行する。接着剤層１５の幅方向両側面のそれぞれは、ベース絶縁層２の幅方向両側面のそれぞれと面一である。接着剤層１５は、断面視において、厚み方向他方側に向かって開放される略コ字（Ｕ字）形状を有する。

【0074】

接着剤層１５の材料としては、特に限定されず、例えば、ホットメルト型接着剤、熱硬化型接着剤などの型の接着剤が挙げられる。そのような接着剤として、例えば、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤などが挙げられる。接着剤層１５の材料としては、好ましくは、低誘電率である材料が選択される。厚み方向に投影したときに、導体層３に重なる接着剤層１５の厚みＴ５は、例えば、２μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下である。カバー絶縁層４の厚みＴ２に対する接着剤層１５の厚みＴ５の比（Ｔ５／Ｔ２）は、例えば、１０以下、好ましくは、１以下であり、また、例えば、０．０１以上、好ましくは、０．１以上である。多孔質樹脂層１０の寸法が上記範囲にあれば、配線回路基板１は、高周波信号の伝送効率を向上できながら、薄型化が図られる。

【0075】

カバー絶縁層４における多孔質樹脂層１０は、接着剤層１５の厚み方向一方面に配置されている。具体的には、カバー絶縁層４は、接着剤層１５の厚み方向一方面の全面に接触する。カバー絶縁層４における多孔質樹脂層１０は、幅方向に長い断面視略矩形状を有する。多孔質樹脂層１０の幅方向両側面のそれぞれは、接着剤層１５の幅方向両側面のそれぞれと面一である。多孔質樹脂層１０の厚みＴ６は、接着剤層１５の厚み方向一方面と多孔質樹脂層１０の厚み方向一方面との距離Ｔ６である。カバー絶縁層４における多孔質樹脂層１０の厚みＴ６は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２５μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、７５μｍ以下である。接着剤層１５の厚みＴ５に対する、カバー絶縁層４における多孔質樹脂層１０の厚みＴ６の比（Ｔ６／Ｔ５）は、例えば、０．１以上、好ましくは、０．５以上であり、また、例えば、１０以下、好ましくは、５以下である。カバー絶縁層４の厚みＴ２に対する多孔質樹脂層１０の厚みＴ６の比（Ｔ６／Ｔ２）は、例えば、１以下、好ましくは、０．９以下であり、また、例えば、０．０５以上、好ましくは、０．５以上である。多孔質樹脂層１０の寸法が上記範囲にあれば、配線回路基板１は、高周波信号の伝送効率を向上できながら、薄型化が図られる。

【0076】

次に、第２実施形態の配線回路基板１の製造方法の一例を、図２Ｂおよび図５Ａ～図５Ｄを参照して説明する。なお、以下の各工程のそれぞれは、例えば、国際公開２０１８／１８６４８６号公報に記載に従って実施することができる。

【0077】

図２Ｂに示すように、まず、この方法では、他方側シールド層６と、ベース絶縁層２と、導体層３とを準備する。その後、図５Ａに示すように、接着剤層１５を、ベース絶縁層２および導体層３に配置する。例えば、接着剤のワニスをベース絶縁層２および導体層３に対して塗布し、その後、乾燥させる。または、剥離シートの表面に予め形成された接着剤層１５を、ベース絶縁層２および導体層３に対して転写する。

【0078】

図５Ａに示すように、別途、一方側シールド層７と、その厚み方向他方面に配置される多孔質樹脂層１０を準備する。多孔質樹脂層１０が一方側シールド層７の厚み方向他方面に予め積層された積層体を準備できる。また、まず、一方側シールド層７を準備し、次いで、多孔質樹脂層１０を一方側シールド層７の厚み方向他方面に配置することもできる。

【0079】

図５Ａの矢印および図５Ｂに示すように、次いで、この方法では、多孔質樹脂層１０を接着剤層１５に接触させる。具体的には、多孔質樹脂層１０の厚み方向他方面と、接着剤層１５の厚み方向一方面とを接触させる。これにより、カバー絶縁層４の多孔質樹脂層１０が、接着剤層１５を介して、導体層３およびベース絶縁層２に接着する。同時に、多孔質樹脂層１０および接着剤層１５を備えるカバー絶縁層４が形成される。

【0080】

図５Ｃに示すように、次いで、この方法では、開口部８を、他方側シールド層６、ベース絶縁層２、カバー絶縁層４（接着剤層１５、多孔質樹脂層１０）および一方側シールド層７に形成する。

【0081】

図５Ｄに示すように、次いで、この方法では、側部シールド層９を形成する。側部シールド層９を、ベース絶縁層２の幅方向両側面と、カバー絶縁層４の幅方向両側面とに形成する。なお、側部シールド層９を、カバー絶縁層４の接着剤層１５の幅方向両側面にも形成する。

【0082】

これにより、ベース絶縁層２と、導体層３と、カバー絶縁層４と、シールド層５とを備え、カバー絶縁層４が多孔質樹脂層１０および接着剤層１５を備える配線回路基板１を得る。

【0083】

＜第２実施形態の作用効果＞
この配線回路基板１によれば、多孔質樹脂層１０をカバー絶縁層４に設けながら、かかる多孔質樹脂層１０を、接着剤層１５を介してベース絶縁層２および導体層３に簡単に接着できる。そのため、簡便な方法で、配線回路基板１を得ることができる。

【0084】

＜第２実施形態の変形例＞
以下の各変形例において、上記した第２実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、第２実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、第１、第２実施形態およびそれらの変形例を適宜組み合わせることができる。

【0085】

図６に示すように、導体層３は、複数の配線１３を含むことができる。

【0086】

図５Ａで描画しないが、まず、接着剤層１５を、カバー絶縁層４における多孔質樹脂層１０の厚み方向他方面に配置し、これをベース絶縁層２および導体層３に対して接触させることもできる。

【符号の説明】

【0087】

１ 配線回路基板１
２ ベース絶縁層２
３ 導体層３
４ カバー絶縁層４
５ シールド層５
１０ 多孔質樹脂層１０
１５ 接着剤層１５

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【手続補正書】

【提出日】2024-03-14

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ベース絶縁層と、
前記ベース絶縁層の厚み方向一方面に配置される導体層と、
前記ベース絶縁層の厚み方向一方面に、前記導体層を被覆するように配置されるカバー絶縁層と、
前記ベース絶縁層の厚み方向他方面および幅方向両側面と、前記カバー絶縁層の厚み方向一方面および幅方向両側面とに配置されるシールド層と
を備え、
前記ベース絶縁層および前記カバー絶縁層の少なくとも一方が、多孔質樹脂層を有し、
前記導体層の厚み方向他方面と前記ベース絶縁層の厚み方向他方面との距離Ｔ１が、１０μｍ以上、７５μｍ以下であり、
前記導体層の厚み方向他方面と前記ベース絶縁層の厚み方向他方面との距離Ｔ１に対する、前記導体層の厚み方向一方面と前記カバー絶縁層の厚み方向一方面との距離Ｔ２の比（Ｔ２／Ｔ１）が、０．９以上、１．１以下であることを特徴とする、配線回路基板。

【請求項2】

前記多孔質樹脂層が、独立気泡構造を有することを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。

【請求項3】

前記多孔質樹脂層の空孔率が、５０％以上であることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。

【請求項4】

前記多孔質樹脂層の材料が、ポリイミド樹脂であることを特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載の配線回路基板。

【請求項5】

前記ベース絶縁層および前記カバー絶縁層が、多孔質樹脂層からなることを特徴とする、請求項１～４のいずれか一項に記載の配線回路基板。

【請求項6】

前記ベース絶縁層が、前記多孔質樹脂層からなり、
前記カバー絶縁層は、
前記導体層の厚み方向一方面および幅方向両側面と、前記ベース絶縁層の厚み方向一方面において厚み方向に投影したときに前記導体層に重ならない部分に接触する接着剤層と、
前記接着剤層の厚み方向一方面に接触する前記多孔質樹脂層とを備えることを特徴とする、請求項１～４のいずれか一項に記載の配線回路基板。