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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024006028
(43)【公開日】2024-01-17
(54)【発明の名称】弾性波装置、高周波モジュール及び通信装置
(51)【国際特許分類】
H03H 9/25 20060101AFI20240110BHJP
H03H 9/17 20060101ALI20240110BHJP
H03H 9/02 20060101ALI20240110BHJP
H01L 25/00 20060101ALI20240110BHJP
【ＦＩ】
H03H9/25 A
H03H9/17 F
H03H9/02 G
H01L25/00 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022106564
(22)【出願日】2022-06-30
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110002527
【氏名又は名称】弁理士法人北斗特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】川崎 幸一郎
(72)【発明者】
【氏名】豊田 泰之
(72)【発明者】
【氏名】福島 正宏
(72)【発明者】
【氏名】豊永 元寛
【テーマコード（参考）】
5J097
5J108
【Ｆターム（参考）】
5J097AA25
5J097BB15
5J097EE08
5J097FF04
5J097FF05
5J097JJ03
5J097JJ06
5J097JJ07
5J097JJ09
5J097JJ10
5J097KK09
5J097KK10
5J097LL06
5J108AA07
5J108BB08
5J108EE03
5J108EE04
5J108EE05
5J108EE07
5J108EE13
5J108GG03
5J108GG05
5J108GG18
(57)【要約】
【課題】特性劣化を抑制する。
【解決手段】支持層２は、第１方向Ｄ１において基板１とカバー層３との間に配置されている。カバー層３は、樹脂３２及びフィラー３３を含む。第２方向を法線方向とする一断面ＣＳ１において、第３方向Ｄ３における支持層２の周縁２２１とカバー層３との接点Ｐ１１と、フィラー３３と、が第１方向Ｄ１で重なっている。一断面ＣＳ１の第１方向Ｄ１において、支持層２のうち第３方向Ｄ３の長さが最小長さｍ４となる第１位置Ｐ１は、支持層２のうち第３方向Ｄ３の長さが最大長さｍ５となる第２位置Ｐ２と支持層２のうちカバー層３と接触している第３位置Ｐ３との間に位置している。一断面ＣＳ１の第３方向Ｄ３において、フィラー３３の長さｍ１は、支持層２の最大長さｍ５と最小長さｍ４との差分の１／２の長さｍ３よりも長い。
【選択図】図３
【解決手段】支持層２は、第１方向Ｄ１において基板１とカバー層３との間に配置されている。カバー層３は、樹脂３２及びフィラー３３を含む。第２方向を法線方向とする一断面ＣＳ１において、第３方向Ｄ３における支持層２の周縁２２１とカバー層３との接点Ｐ１１と、フィラー３３と、が第１方向Ｄ１で重なっている。一断面ＣＳ１の第１方向Ｄ１において、支持層２のうち第３方向Ｄ３の長さが最小長さｍ４となる第１位置Ｐ１は、支持層２のうち第３方向Ｄ３の長さが最大長さｍ５となる第２位置Ｐ２と支持層２のうちカバー層３と接触している第３位置Ｐ３との間に位置している。一断面ＣＳ１の第３方向Ｄ３において、フィラー３３の長さｍ１は、支持層２の最大長さｍ５と最小長さｍ４との差分の１／２の長さｍ３よりも長い。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
カバー層と、
前記基板の厚さ方向である第１方向において前記基板と前記カバー層との間に配置されている支持層と、を備え、
前記基板と前記支持層と前記カバー層とで中空空間が形成されており、
前記カバー層は、樹脂及びフィラーを含み、
前記第１方向と直交する第２方向を法線方向とする一断面において、前記第１方向及び前記第２方向と直交する第３方向における前記支持層の周縁と前記カバー層との接点と、前記フィラーと、が前記第１方向で重なっており、
前記一断面の前記第１方向において、前記支持層のうち前記第３方向の長さが最小長さとなる第１位置は、前記支持層のうち前記第３方向の長さが最大長さとなる第２位置と前記支持層のうち前記カバー層と接触している第３位置との間に位置しており、
前記一断面の前記第３方向において、前記フィラーの長さは、前記支持層の前記最大長さと前記最小長さとの差分の１／２の長さよりも長い、
弾性波装置。
カバー層と、
前記基板の厚さ方向である第１方向において前記基板と前記カバー層との間に配置されている支持層と、を備え、
前記基板と前記支持層と前記カバー層とで中空空間が形成されており、
前記カバー層は、樹脂及びフィラーを含み、
前記第１方向と直交する第２方向を法線方向とする一断面において、前記第１方向及び前記第２方向と直交する第３方向における前記支持層の周縁と前記カバー層との接点と、前記フィラーと、が前記第１方向で重なっており、
前記一断面の前記第１方向において、前記支持層のうち前記第３方向の長さが最小長さとなる第１位置は、前記支持層のうち前記第３方向の長さが最大長さとなる第２位置と前記支持層のうち前記カバー層と接触している第３位置との間に位置しており、
前記一断面の前記第３方向において、前記フィラーの長さは、前記支持層の前記最大長さと前記最小長さとの差分の１／２の長さよりも長い、
弾性波装置。
【請求項2】
前記カバー層は、前記フィラーである第１フィラーとは異なる第２フィラーを更に含み、
前記一断面の前記第３方向において、前記第２フィラーの長さである第２長さは、前記第１フィラーの長さである第１長さよりも短い、
請求項１に記載の弾性波装置。
前記一断面の前記第３方向において、前記第２フィラーの長さである第２長さは、前記第１フィラーの長さである第１長さよりも短い、
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項3】
前記カバー層は、前記支持層と接触する領域を含む主面を有し、
前記一断面の前記第１方向において、前記第２フィラーは、前記カバー層の前記主面と前記第１フィラーとの間に位置している、
請求項２に記載の弾性波装置。
前記一断面の前記第１方向において、前記第２フィラーは、前記カバー層の前記主面と前記第１フィラーとの間に位置している、
請求項２に記載の弾性波装置。
【請求項4】
前記一断面の前記第３方向において、前記第２長さは、前記差分の１／２の前記長さよりも短い、
請求項２又は３に記載の弾性波装置。
請求項２又は３に記載の弾性波装置。
【請求項5】
前記一断面の前記第３方向において、前記第２長さは、前記第１長さの１／４以下である、
請求項２又は３に記載の弾性波装置。
請求項２又は３に記載の弾性波装置。
【請求項6】
前記第１フィラーは、２μｍ以上の直径を有する球体である、
請求項２又は３に記載の弾性波装置。
請求項２又は３に記載の弾性波装置。
【請求項7】
前記第１フィラーは、４μｍ以上の直径を有する球体である、
請求項６に記載の弾性波装置。
請求項６に記載の弾性波装置。
【請求項8】
前記カバー層は、前記フィラーを複数含み、
前記複数のフィラーは、
第１特定フィラーと、
前記第１特定フィラーとは異なる第２特定フィラーと、を含み、
前記支持層は、前記周縁として、
第１周縁と、
前記第１周縁とは異なる第２周縁と、を有し、
前記一断面において、
前記第１特定フィラーは、前記第１周縁と前記カバー層との接点である第１接点と前記第１方向で重なっており、
前記第２特定フィラーは、前記第２周縁と前記カバー層との接点である第２接点と前記第１方向で重なっている、
請求項１に記載の弾性波装置。
前記複数のフィラーは、
第１特定フィラーと、
前記第１特定フィラーとは異なる第２特定フィラーと、を含み、
前記支持層は、前記周縁として、
第１周縁と、
前記第１周縁とは異なる第２周縁と、を有し、
前記一断面において、
前記第１特定フィラーは、前記第１周縁と前記カバー層との接点である第１接点と前記第１方向で重なっており、
前記第２特定フィラーは、前記第２周縁と前記カバー層との接点である第２接点と前記第１方向で重なっている、
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項9】
前記中空空間に位置するように前記基板に配置されている機能電極を更に備え、
前記支持層は、前記第１方向からの平面視において前記機能電極を囲んでいる枠状部を含む、
請求項８に記載の弾性波装置。
前記支持層は、前記第１方向からの平面視において前記機能電極を囲んでいる枠状部を含む、
請求項８に記載の弾性波装置。
【請求項10】
前記機能電極を複数備え、
前記支持層は、前記第３方向において、前記複数の機能電極のうち隣接する２つの機能電極の間に配置されている柱状部を更に含む、
請求項９に記載の弾性波装置。
前記支持層は、前記第３方向において、前記複数の機能電極のうち隣接する２つの機能電極の間に配置されている柱状部を更に含む、
請求項９に記載の弾性波装置。
【請求項11】
前記枠状部は、前記第１周縁及び前記第２周縁を有し、
前記第１周縁及び前記第２周縁は、前記第３方向において前記機能電極側に位置している、
請求項９又は１０に記載の弾性波装置。
前記第１周縁及び前記第２周縁は、前記第３方向において前記機能電極側に位置している、
請求項９又は１０に記載の弾性波装置。
【請求項12】
前記基板は、圧電性基板であり、
前記機能電極は、ＩＤＴ電極である、
請求項９又は１０に記載の弾性波装置。
前記機能電極は、ＩＤＴ電極である、
請求項９又は１０に記載の弾性波装置。
【請求項13】
前記機能電極を複数備え、
前記基板に配置されており、前記複数の機能電極のうち少なくとも１つの機能電極に接続されている配線部を更に備え、
前記配線部は、前記第３方向において、前記複数の機能電極のうち隣接する２つの機能電極の間に位置しており、
前記第１方向において、前記配線部の厚さは、前記隣接する２つの機能電極の各々の厚さよりも厚い、
請求項９又は１０に記載の弾性波装置。
前記基板に配置されており、前記複数の機能電極のうち少なくとも１つの機能電極に接続されている配線部を更に備え、
前記配線部は、前記第３方向において、前記複数の機能電極のうち隣接する２つの機能電極の間に位置しており、
前記第１方向において、前記配線部の厚さは、前記隣接する２つの機能電極の各々の厚さよりも厚い、
請求項９又は１０に記載の弾性波装置。
【請求項14】
前記配線部は、第１配線層及び第２配線層を有し、
前記第１配線層は、前記第１方向において前記基板と前記第２配線層との間に配置されており、
前記第３方向において、前記第２配線層の長さは、前記第１配線層の長さよりも短い、
請求項１３に記載の弾性波装置。
前記第１配線層は、前記第１方向において前記基板と前記第２配線層との間に配置されており、
前記第３方向において、前記第２配線層の長さは、前記第１配線層の長さよりも短い、
請求項１３に記載の弾性波装置。
【請求項15】
前記配線部は、前記第１方向において前記第１配線層と前記第２配線層との間に位置している絶縁層を更に有する、
請求項１４に記載の弾性波装置。
請求項１４に記載の弾性波装置。
【請求項16】
前記第１配線層の材料と前記複数の機能電極の各々の材料とは同じである、
請求項１４に記載の弾性波装置。
請求項１４に記載の弾性波装置。
【請求項17】
請求項１に記載の弾性波装置と、
前記弾性波装置が配置されている実装基板と、を備える、
高周波モジュール。
前記弾性波装置が配置されている実装基板と、を備える、
高周波モジュール。
【請求項18】
請求項１７に記載の高周波モジュールと、
前記高周波モジュールに接続されている信号処理回路と、を備える、
通信装置。
前記高周波モジュールに接続されている信号処理回路と、を備える、
通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、一般に弾性波装置、高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、基板と支持層とカバー層とを備える弾性波装置、弾性波装置を備える高周波モジュール、及び高周波モジュールを備える通信装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、圧電基板と、外周枠支持層（支持層）と、カバー層と、を備える弾性表面波装置（弾性波装置）が記載されている。外周枠支持層は、圧電基板の主面に配置されている。カバー層は、支持層上に配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１７－１１８３６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、特許文献１に記載の弾性表面波装置（弾性波装置）では、当該弾性表面波装置をモジュール化する際に外部から加わる応力によって特性が劣化する場合がある。
【0005】
本発明の目的は、特性劣化を抑制することが可能な弾性波装置、高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一態様に係る弾性波装置は、基板と、カバー層と、支持層と、を備える。前記支持層は、前記基板の厚さ方向である第１方向において前記基板と前記カバー層との間に配置されている。前記基板と前記支持層と前記カバー層とで中空空間が形成されている。前記カバー層は、樹脂及びフィラーを含む。一断面において、第３方向における前記支持層の周縁と前記カバー層との接点と、前記フィラーと、が前記第１方向で重なっている。前記一断面は、前記第１方向と直交する第２方向を法線方向とする断面である。前記第３方向は、前記第１方向及び前記第２方向と直交する方向である。前記一断面の前記第１方向において、前記支持層のうち前記第３方向の長さが最小長さとなる第１位置は、前記支持層のうち前記第３方向の長さが最大長さとなる第２位置と前記支持層のうち前記カバー層と接触している第３位置との間に位置している。前記一断面の前記第３方向において、前記フィラーの長さは、前記支持層の前記最大長さと前記最小長さとの差分の１／２の長さよりも長い。
【0007】
本発明の一態様に係る高周波モジュールは、前記弾性波装置と、実装基板と、を備える。前記実装基板は、前記弾性波装置が配置されている。
【0008】
本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールに接続されている。
【発明の効果】
【0009】
本発明の一態様に係る弾性波装置、高周波モジュール及び通信装置によれば、特性劣化を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、実施形態１～１４に係る弾性波装置、高周波モジュール及び通信装置について、図面を参照して説明する。下記の実施形態１～１４等において参照する図２～図３０は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
【0012】
（実施形態１）
（１）弾性波装置、高周波モジュール及び通信装置の構成
実施形態１に係る弾性波装置、高周波モジュール及び通信装置の構成について、図面を参照して説明する。
（１）弾性波装置、高周波モジュール及び通信装置の構成
実施形態１に係る弾性波装置、高周波モジュール及び通信装置の構成について、図面を参照して説明する。
【0013】
（１．１）弾性波装置
実施形態１に係る弾性波装置１０は、図２に示すように、基板１と、支持層２と、カバー層３と、を備える。支持層２は、基板１の厚さ方向である第１方向Ｄ１において基板１とカバー層３との間に配置されている。弾性波装置１０では、基板１と支持層２とカバー層３とで中空空間ｓ１が形成されている。中空空間ｓ１は、後述の機能電極４を配置するための空間である。カバー層３は、図３に示すように、樹脂３２及びフィラー３３（以下、「第１フィラー３３」ともいう）を含む。
実施形態１に係る弾性波装置１０は、図２に示すように、基板１と、支持層２と、カバー層３と、を備える。支持層２は、基板１の厚さ方向である第１方向Ｄ１において基板１とカバー層３との間に配置されている。弾性波装置１０では、基板１と支持層２とカバー層３とで中空空間ｓ１が形成されている。中空空間ｓ１は、後述の機能電極４を配置するための空間である。カバー層３は、図３に示すように、樹脂３２及びフィラー３３（以下、「第１フィラー３３」ともいう）を含む。
【0014】
また、実施形態１に係る弾性波装置１０は、図２に示すように、複数（図示例では２つ）の機能電極４と、複数（図示例では２つ）の配線電極５と、複数（図示例では２つ）の貫通電極６と、複数（図示例では２つ）の外部接続電極７と、を更に備える。
【0015】
実施形態１に係る弾性波装置１０は、ＷＬＰ（Wafer Level Package）型の弾性波装置であり、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタとして用いられる。ＷＬＰ型の弾性波装置１０とは、支持層２、カバー層３、機能電極４、配線電極５、貫通電極６及び外部接続電極７を基板１に実装するための工程をウェハレベルで行い、最後に、ウェハを切断して得られる弾性波装置である。
【0016】
（１．２）高周波モジュール
高周波モジュール２０は、例えば、図１に示すように、通信装置１００に用いられる。通信装置１００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、携帯電話であることに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）であってもよい。高周波モジュール２０は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（登録商標、Third Generation Partnership Project） ＬＴＥ（登録商標、Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ ＮＲ（New Radio）である。
高周波モジュール２０は、例えば、図１に示すように、通信装置１００に用いられる。通信装置１００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、携帯電話であることに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）であってもよい。高周波モジュール２０は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（登録商標、Third Generation Partnership Project） ＬＴＥ（登録商標、Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ ＮＲ（New Radio）である。
【0017】
高周波モジュール２０は、図２に示すように、弾性波装置１０と、実装基板１１と、を備える。実装基板１１には、弾性波装置１０が配置されている。また、高周波モジュール２０は、樹脂層１２と、金属電極層１３と、を更に備える。ただし、高周波モジュール２０において、樹脂層１２及び金属電極層１３は、必須の構成要素ではない。
【0018】
実装基板１１は、図２に示すように、第１主面１１１及び第２主面１１２を有する。第１主面１１１及び第２主面１１２は、実装基板１１の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において互いに対向する。上述の弾性波装置１０は、実装基板１１の第１主面１１１に配置されている。図２の例では、弾性波装置１０は、実装基板１１の第１主面１１１に実装されている。なお、弾性波装置１０において、弾性波装置１０の一部が実装基板１１の第１主面１１１に実装されており、弾性波装置１０の残りが実装基板１１に内装されていてもよい。
【0019】
樹脂層１２は、図２に示すように、実装基板１１の第１主面１１１に配置されている。樹脂層１２は、実装基板１１の第１主面１１１に配置されている弾性波装置１０を覆っている。樹脂層１２は、電気絶縁性を有する。樹脂層１２は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。樹脂層１２は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。
【0020】
金属電極層１３は、図２に示すように、樹脂層１２を覆っている。金属電極層１３は、導電性を有する。高周波モジュール２０では、金属電極層１３は、例えば、高周波モジュール２０の内外の電磁シールドを目的として設けられているシールド層である。金属電極層１３は、複数の金属層を積層した多層構造を有しているが、多層構造に限らず、１つの金属層であってもよい。１つの金属層は、１又は複数種の金属を含む。金属電極層１３は、樹脂層１２における実装基板１１側とは反対側の主面１２１と、樹脂層１２の外周面（図示せず）と、実装基板１１の外周面（図示せず）と、を覆っている。金属電極層１３は、実装基板１１のグランド層（図示せず）の外周面の少なくとも一部と接触している。これにより、金属電極層１３の電位をグランド層の電位と同じにすることができる。
【0021】
（１．３）通信装置
通信装置１００は、図１に示すように、高周波モジュール２０と、信号処理回路３０と、を備える。信号処理回路３０は、高周波モジュール２０に接続されている。通信装置１００は、アンテナ４０を更に備える。通信装置１００は、高周波モジュール２０が実装された回路基板（図示せず）を更に備える。回路基板は、例えば、プリント配線板である。回路基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。
通信装置１００は、図１に示すように、高周波モジュール２０と、信号処理回路３０と、を備える。信号処理回路３０は、高周波モジュール２０に接続されている。通信装置１００は、アンテナ４０を更に備える。通信装置１００は、高周波モジュール２０が実装された回路基板（図示せず）を更に備える。回路基板は、例えば、プリント配線板である。回路基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。
【0022】
アンテナ４０は、高周波モジュール２０のアンテナ端子（図示せず）に接続されている。アンテナ４０は、高周波モジュール２０から出力された送信信号を電波にて放射する送信機能と、受信信号を電波として外部から受信して高周波モジュール２０に出力する受信機能と、を有する。
【0023】
信号処理回路３０は、ＲＦ信号処理回路３０１と、ベースバンド信号処理回路３０２と、を含む。
【0024】
ＲＦ信号処理回路３０１は、例えば、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）である。ＲＦ信号処理回路３０１は、高周波信号（送信信号、受信信号）に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路３０１は、例えば、ベースバンド信号処理回路３０２から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を高周波モジュール２０に出力する。また、ＲＦ信号処理回路３０１は、例えば、高周波モジュール２０から出力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路３０２に出力する。
【0025】
ベースバンド信号処理回路３０２は、例えば、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路３０２は、外部からの受信信号に対して所定の信号処理を行う。ベースバンド信号処理回路３０２で処理された受信信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、又は、通話のための音声信号として使用される。
【0026】
（２）弾性波装置の各構成要素
次に、実施形態１に係る弾性波装置１０の各構成要素について、図面を参照して説明する。
次に、実施形態１に係る弾性波装置１０の各構成要素について、図面を参照して説明する。
【0027】
（２．１）基板
基板１は、例えば、圧電性基板である。より具体的には、基板１は、例えば、圧電基板である。圧電基板の材料は、例えば、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、又は水晶である。
基板１は、例えば、圧電性基板である。より具体的には、基板１は、例えば、圧電基板である。圧電基板の材料は、例えば、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、又は水晶である。
【0028】
基板１は、図２に示すように、第１主面１０１及び第２主面１０２を有する。第１主面１０１及び第２主面１０２は、基板１の厚さ方向である第１方向Ｄ１において互いに対向する。基板１は、第１方向Ｄ１からの平面視において長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば、正方形状であってもよい。基板１は、後述の支持層２の枠状部２１及びカバー層３と共に中空空間ｓ１を形成する。すなわち、中空空間ｓ１は、基板１と支持層２とカバー層３とで形成されている。中空空間ｓ１には、例えば、空気、不活性ガス（例えば、窒素ガス）等の気体が封入される。
【0029】
（２．２）支持層
支持層２は、図２に示すように、基板１の第１主面１０１上に形成されており、第１方向Ｄ１において基板１とカバー層３との間に配置されている。支持層２は、図２に示すように、枠状部２１と、柱状部２２と、を有する。
支持層２は、図２に示すように、基板１の第１主面１０１上に形成されており、第１方向Ｄ１において基板１とカバー層３との間に配置されている。支持層２は、図２に示すように、枠状部２１と、柱状部２２と、を有する。
【0030】
枠状部２１は、第１方向Ｄ１からの平面視において矩形の枠状であり、基板１の第１主面１０１に配置されている複数の機能電極４を囲んでいる。また、枠状部２１は、第１方向Ｄ１からの平面視において基板１の外縁に沿って形成されている。
【0031】
柱状部２２は、第１方向Ｄ１と直交する方向（図２の紙面に垂直な方向）である第２方向Ｄ２からの平面視において矩形状であり、第２方向Ｄ２に沿って延びている。ここでいう「第２方向Ｄ２」は、後述の図１４の「第２方向Ｄ２」に相当する方向である。柱状部２２は、例えば、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２と直交する第３方向Ｄ３に沿って並ぶ２つの機能電極４の間に位置し、中空空間ｓ１を２つの空間に仕切っている。ここで、第２方向Ｄ２及び第３方向Ｄ３の各々は、基板１の第１主面１０１（又は第２主面１０２）と平行な方向である。
【0032】
支持層２は、電気絶縁性を有する。支持層２の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の合成樹脂である。
【0033】
（２．３）カバー層
カバー層３は、例えば、平板状である。カバー層３は、第１方向Ｄ１からの平面視において長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば、正方形状であってもよい。カバー層３は、第１方向Ｄ１からの平面視において基板１とほぼ同じ大きさである。カバー層３は、支持層２上に配置されている。カバー層３の厚さｈ１は、例えば、５５μｍ～６５μｍである。
カバー層３は、例えば、平板状である。カバー層３は、第１方向Ｄ１からの平面視において長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば、正方形状であってもよい。カバー層３は、第１方向Ｄ１からの平面視において基板１とほぼ同じ大きさである。カバー層３は、支持層２上に配置されている。カバー層３の厚さｈ１は、例えば、５５μｍ～６５μｍである。
【0034】
カバー層３は、主面３１を有する。主面３１は、第１方向Ｄ１において、基板１の第１主面１０１と対向する面であって、支持層２と接触する第１領域３１１及び第２領域３１２を含む。第１領域３１１は、支持層２のうち枠状部２１と接触する領域である。第２領域３１２は、支持層２のうち柱状部２２と接触する領域である。
【0035】
カバー層３は、電気絶縁性を有する。カバー層３は、図３に示すように、樹脂３２を含む。また、カバー層３は、複数の第１フィラー３３と、複数の第２フィラー３４と、を更に含む。樹脂３２は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はフェノール樹脂であるが、これらの材料に限定されない。複数の第１フィラー３３及び複数の第２フィラー３４の各々の材料は、例えば、無機材料である。複数の第１フィラー３３及び複数の第２フィラー３４の各々の材料は、例えば、酸化シリカ又はセラミックであるが、これらの材料に限定されない。
【0036】
（２．４）機能電極
図２に示すように、複数の機能電極４の各々は、例えば、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極である。ＩＤＴ電極の材料は、例えば、アルミニウム、銅、白金、金、銀、チタン、ニッケル、クロム、モリブデン、若しくはタングステン、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等の適宜の金属材料である。また、ＩＤＴ電極は、これらの金属、又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。
図２に示すように、複数の機能電極４の各々は、例えば、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極である。ＩＤＴ電極の材料は、例えば、アルミニウム、銅、白金、金、銀、チタン、ニッケル、クロム、モリブデン、若しくはタングステン、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等の適宜の金属材料である。また、ＩＤＴ電極は、これらの金属、又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。
【0037】
ＩＤＴ電極は、図示を省略するが、第１バスバーと、第２バスバーと、複数の第１電極指と、複数の第２電極指と、を含む。ＩＤＴ電極は、基板１の第１主面１０１に配置されている。
【0038】
第１バスバーは、第３方向Ｄ３を長手方向とする長尺状に形成されており、複数の第１電極指と電気的に接続されている。第２バスバーは、第３方向Ｄ３を長手方向とする長尺状に形成されており、複数の第２電極指と電気的に接続されている。
【0039】
複数の第１電極指は、第３方向Ｄ３に沿って等間隔に並んでいる。複数の第１電極指の各々は、第２方向Ｄ２を長手方向とする長尺状に形成されている。複数の第２電極指は、第３方向Ｄ３において等間隔に並んでいる。複数の第２電極指の各々は、第２方向Ｄ２を長手方向とする長尺状に形成されている。複数の第１電極指及び複数の第２電極指は、第３方向Ｄ３において１本ずつ交互に並んでいる。
【0040】
第１電極指及び第２電極指の幅をＷＡとし、隣り合う第１電極指と第２電極指とのスペース幅をＳＡとした場合、ＩＤＴ電極において、デューティ比は、ＷＡ／（ＷＡ＋ＳＡ）で定義される。ＩＤＴ電極のデューティ比は、例えば、０．５である。ＩＤＴ電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたとき、波長λは、電極指周期と等しい。電極指周期は、複数の第１電極指又は複数の第２電極指の繰り返し周期ＰλＡで定義される。したがって、繰り返し周期ＰλＡとλとは等しい。ＩＤＴ電極のデューティ比は、電極指周期の２分の１の値（ＷＡ＋ＳＡ）に対する第１電極指及び第２電極指の幅ＷＡの比である。
【0041】
（２．５）配線電極
配線電極５は、外部接続電極７と機能電極４とを電気的に接続している。配線電極５の材料は、例えば、アルミニウム、銅、白金、金、銀、チタン、ニッケル、クロム、モリブデン、若しくはタングステン、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等の適宜の金属材料である。また、配線電極５は、これらの金属、又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。図２の例では、配線電極５は２層構造である。
配線電極５は、外部接続電極７と機能電極４とを電気的に接続している。配線電極５の材料は、例えば、アルミニウム、銅、白金、金、銀、チタン、ニッケル、クロム、モリブデン、若しくはタングステン、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等の適宜の金属材料である。また、配線電極５は、これらの金属、又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。図２の例では、配線電極５は２層構造である。
【0042】
（２．６）貫通電極
貫通電極６は、第１方向Ｄ１において、支持層２及びカバー層３を貫通している。貫通電極６は、配線電極５上に形成されており、配線電極５と電気的に接続されている。貫通電極６は、アンダーバンプメタル層を構成する。貫通電極６の材料は、例えば、銅、若しくはニッケル、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等の適宜の金属材料である。
貫通電極６は、第１方向Ｄ１において、支持層２及びカバー層３を貫通している。貫通電極６は、配線電極５上に形成されており、配線電極５と電気的に接続されている。貫通電極６は、アンダーバンプメタル層を構成する。貫通電極６の材料は、例えば、銅、若しくはニッケル、又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等の適宜の金属材料である。
【0043】
貫通電極６は、図２に示すように、例えば、円錐台形状である。図２に示す貫通電極６では、第１底面の長さｄ１は、第２底面の長さｄ２よりも長い。長さｄ１は、例えば、１００μｍ～１１０μｍである。長さｄ２は、例えば、４５μｍ～５５μｍである。
【0044】
（２．７）外部接続電極
複数の外部接続電極７の各々は、貫通電極６上に形成されている。外部接続電極７は、例えば、バンプである。外部接続電極７は、導電性を有する。外部接続電極７は、貫通電極６と接合されており、貫通電極６と電気的に接続されている。外部接続電極７の材料は、例えば、はんだ、金、又は銅等である。なお、外部接続電極７は、プローブ痕が残っていてもよい。プローブ痕は、弾性波装置１０の電気的な異常を検査するためのプローブによる検査痕である。プローブ痕は、実装基板１１への実装前の外部接続電極７に発生するが、実装基板１１への実装後の外部接続電極７に残っていてもよい。
複数の外部接続電極７の各々は、貫通電極６上に形成されている。外部接続電極７は、例えば、バンプである。外部接続電極７は、導電性を有する。外部接続電極７は、貫通電極６と接合されており、貫通電極６と電気的に接続されている。外部接続電極７の材料は、例えば、はんだ、金、又は銅等である。なお、外部接続電極７は、プローブ痕が残っていてもよい。プローブ痕は、弾性波装置１０の電気的な異常を検査するためのプローブによる検査痕である。プローブ痕は、実装基板１１への実装前の外部接続電極７に発生するが、実装基板１１への実装後の外部接続電極７に残っていてもよい。
【0045】
（３）支持層及びカバー層の詳細
次に、支持層２及びカバー層３の詳細について、図３及び図４を参照して説明する。図３は、図２のＸ１部拡大図であって、第２方向Ｄ２（図２の紙面に垂直な方向）を法線方向とする一断面ＣＳ１の拡大図である。図４は、比較例に係る弾性波装置の一断面ＣＳ１の拡大図である。なお、図３及び図４では、樹脂３２とフィラー３３、３４とを識別しやすいように、樹脂３２にドットハッチングを付している。
次に、支持層２及びカバー層３の詳細について、図３及び図４を参照して説明する。図３は、図２のＸ１部拡大図であって、第２方向Ｄ２（図２の紙面に垂直な方向）を法線方向とする一断面ＣＳ１の拡大図である。図４は、比較例に係る弾性波装置の一断面ＣＳ１の拡大図である。なお、図３及び図４では、樹脂３２とフィラー３３、３４とを識別しやすいように、樹脂３２にドットハッチングを付している。
【0046】
比較例に係る弾性波装置では、カバー層３は、図４に示すように、複数のフィラー３３を含む。複数のフィラー３３の各々は、例えば、球体であって、ほぼ同じ大きさである。第３方向Ｄ３における各フィラー３３の長さ、つまり各フィラー３３の直径は、例えば、０．１μｍである。
【0047】
比較例に係る弾性波装置は、高周波モジュールの製造工程において、実装基板の主面に実装された後、樹脂層によりモールドされるが、この際、樹脂層を形成する樹脂からの応力が基板１を介して支持層２に加えられる。これにより、図４に示すように、支持層２の一部（先端部）がカバー層３内に入り込んだ状態になる。その結果、中空空間ｓ１の形状が所望の形状にならず、弾性波装置の特性が劣化する可能性がある。
【0048】
一方、実施形態１に係る弾性波装置１０では、カバー層３は、図３に示すように、第１フィラー３３と、第２フィラー３４と、を含む。第１フィラー３３及び第２フィラー３４の各々は、例えば、球体である。第１フィラー３３の直径ｍ１は、例えば、４μｍである。第２フィラー３４の直径ｍ２は、例えば、０．１μｍである。すなわち、実施形態１に係る弾性波装置１０では、一断面ＣＳ１の第３方向Ｄ３において、第２フィラー３４の長さである第２長さ（以下、「第２長さｍ２」ともいう）は、第１フィラー３３の長さである第１長さ（以下、「第１長さｍ１」ともいう）よりも短い。また、一断面ＣＳ１の第３方向Ｄ３において、第２長さｍ２は、第１長さｍ１の１／４以下である。このように、第１フィラー３３よりも直径の小さい第２フィラー３４がカバー層３に含まれていることにより、カバー層３の強度を高めることが可能となる。
【0049】
これに対し、カバー層３が、樹脂３２及び第１フィラー３３を含み、第２フィラー３４を含まない場合（すなわち相対的に直径の大きい第１フィラー３３のみを含む場合）、カバー層３の弾性率が低下する。これにより、枠状部２１から遠い中空空間ｓ１の中央部分で大きく撓み、中空空間ｓ１の形成不良が生じる場合がある。
【0050】
ここで、図３に示す第１位置Ｐ１、第２位置Ｐ２及び第３位置Ｐ３は、第１方向Ｄ１における支持層２の位置である。第２位置Ｐ２は、支持層２のうち第３方向Ｄ３における長さが最大長さｍ５となる位置である。第３位置Ｐ３は、支持層２のうちカバー層３と接触する位置である。第１位置Ｐ１は、第１方向Ｄ１において第２位置Ｐ２と第３位置Ｐ３との間であって、支持層２のうち第３方向Ｄ３における長さが最小長さｍ４となる位置である。
【0051】
また、図３に示す接点Ｐ１１は、第３方向Ｄ３における支持層２の周縁２２１とカバー層３の主面３１とが接触する点である。ここで、「支持層の周縁」は、基板の厚さ方向である第１方向と直交する第２方向を法線方向とする一断面において、支持層の外周を形成する４つの周縁のうち、第１方向及び第２方向と直交する第３方向に並んでいる２つの周縁をいう。実施形態１に係る弾性波装置１０では、図３に示すように、一断面ＣＳ１において、複数の第１フィラー３３のうち第１フィラー３３０と接点Ｐ１１とが第１方向Ｄ１で重なっている。これにより、高周波モジュール２０の製造工程において、樹脂層１２を形成する樹脂からの応力が基板１を介して支持層２に加えられた場合でも、この応力を第１フィラー３３０が受けることにより、支持層２がカバー層３内に入り込むことを抑制することが可能となる。その結果、中空空間ｓ１の形状が所望の形状となり、弾性波装置１０の特性劣化を抑制することが可能となる。
【0052】
また、実施形態１に係る弾性波装置１０では、一断面ＣＳ１の第３方向Ｄ３において、第１フィラー３３の第１長さｍ１は、長さｍ３よりも長い。長さｍ３は、支持層２の最大長さｍ５と最小長さｍ４との差分の１／２の長さである。長さｍ３は、例えば、１μｍである。上述したように、第２フィラー３４の第２長さｍ２は０．１μｍであるため、一断面ＣＳ１の第３方向Ｄ３において、第２長さｍ２は、長さｍ３よりも短い。
【0053】
また、実施形態１に係る弾性波装置１０では、図３に示すように、一断面ＣＳ１の第１方向Ｄ１において、第２フィラー３４は、複数の第１フィラー３３のうち第１フィラー３３０とカバー層３の主面３１との間に位置している。これにより、支持層２がカバー層３内に入り込むことを更に抑制することが可能となる。
【0054】
さらに、図３に示すように、複数の第１フィラー３３のうち第１フィラー３３０の表面とカバー層３の主面３１との最短距離ｍ０は、支持層２の高さｈ２よりも短い。
【0055】
ところで、実施形態１に係る弾性波装置１０では、上述したように、カバー層３の厚さｈ１（図２参照）は、５５μｍ～６５μｍである。また、実施形態１に係る弾性波装置１０では、上述したように、カバー層３は、相対的に直径の大きい第１フィラー３３を含んでいる。このため、カバー層３の透過率が低くなっている。
【0056】
なお、第１フィラー３３の直径（第１長さ）ｍ１は４μｍであることに限らず、２μｍ以上であればよい。すなわち、第１フィラー３３の直径ｍ１は、２μｍ以上、４μｍ未満であってもよい。より好ましくは、第１フィラー３３の直径ｍ１は、４μｍ以上であることが好ましい。また、第１フィラー３３の直径ｍ１の上限値は、カバー層３の厚さｈ１と同じであることが好ましい。
【0057】
（４）貫通電極の詳細
次に、貫通電極６の詳細について、図５を参照して説明する。貫通電極６は、上述したように、第１底面の長さｄ１が第２底面の長さｄ２よりも大きい円錐台形状である（図２参照）。貫通電極６は、図５に示すように、複数の凹凸部６１１を有する。複数の凹凸部６１１の各々は、貫通電極６の外周面６１に設けられている。ここで、カバー層３は、上述したように、第２フィラー３４よりも直径の大きい第１フィラー３３を含んでいる。このため、カバー層３と貫通電極６との境界部分に存在する第１フィラー３３によって、貫通電極６の外周面６１に複数の凹凸部６１１が形成される。そして、複数の凹凸部６１１の各々の凹部に入り込んだ第１フィラー３３によるアンカー効果によって、カバー層３に対する貫通電極６の密着性が向上するという利点がある。
次に、貫通電極６の詳細について、図５を参照して説明する。貫通電極６は、上述したように、第１底面の長さｄ１が第２底面の長さｄ２よりも大きい円錐台形状である（図２参照）。貫通電極６は、図５に示すように、複数の凹凸部６１１を有する。複数の凹凸部６１１の各々は、貫通電極６の外周面６１に設けられている。ここで、カバー層３は、上述したように、第２フィラー３４よりも直径の大きい第１フィラー３３を含んでいる。このため、カバー層３と貫通電極６との境界部分に存在する第１フィラー３３によって、貫通電極６の外周面６１に複数の凹凸部６１１が形成される。そして、複数の凹凸部６１１の各々の凹部に入り込んだ第１フィラー３３によるアンカー効果によって、カバー層３に対する貫通電極６の密着性が向上するという利点がある。
【0058】
ここで、各凹凸部６１１における凹凸寸法の最大値は、弾性波装置１０を通過する高周波信号の通過帯域の下端周波数における表皮深さの３倍以下であることが好ましい。一例として、上記下端周波数が２ＧＨｚである場合には表皮深さは３．５μｍであるため、凹凸寸法の最大値は１０．５μｍ以下である。また、各凹凸部６１１における凹凸寸法の最大値は、弾性波装置１０を通過する高周波信号の通過帯域よりも高周波側の減衰帯域の上端周波数における表皮深さの３倍以上であることが好ましい。ここで、「高周波信号の通過帯域よりも高周波側の減衰帯域の上端周波数」は、高周波信号の通過帯域よりも高周波側にある１以上の減衰帯域のうち任意の減衰帯域の上限周波数をいう。一例として、上記上端周波数が４０ＧＨｚである場合には表皮深さは０．８μｍであるため、凹凸寸法の最大値は２．４μｍ以上である。すなわち、凹凸寸法の最大値は、２．４μｍ以上、１０．５μｍ以下である。これにより、高周波信号の不要な周波数成分を減衰させることが可能となり、結果的にフィルタ特性が向上するという利点がある。
【0059】
図５の例では、凹凸部６１１が貫通電極６の外周面６１の一部に設けられているが、凹凸部６１１は、貫通電極６の外周面６１の全体に設けられていてもよい。これにより、フィルタ特性が更に向上するという利点がある。
【0060】
（５）効果
実施形態１に係る弾性波装置１０では、図３に示すように、第１フィラー３３の第１長さｍ１は、長さｍ３よりも長く、一断面ＣＳ１において、第３方向Ｄ３における支持層２の周縁２２１とカバー層３との接点Ｐ１１と、第１フィラー３３と、が第１方向Ｄ１で重なっている。これにより、高周波モジュール２０の製造工程において、樹脂層１２を形成する樹脂からの応力が基板１を介して支持層２に加えられた場合でも、この応力を第１フィラー３３が受けることができるので、支持層２がカバー層３内に入り込むことを抑制することが可能となる。その結果、中空空間ｓ１が所望の形状となり、弾性波装置１０の特性劣化を抑制することが可能となる。
実施形態１に係る弾性波装置１０では、図３に示すように、第１フィラー３３の第１長さｍ１は、長さｍ３よりも長く、一断面ＣＳ１において、第３方向Ｄ３における支持層２の周縁２２１とカバー層３との接点Ｐ１１と、第１フィラー３３と、が第１方向Ｄ１で重なっている。これにより、高周波モジュール２０の製造工程において、樹脂層１２を形成する樹脂からの応力が基板１を介して支持層２に加えられた場合でも、この応力を第１フィラー３３が受けることができるので、支持層２がカバー層３内に入り込むことを抑制することが可能となる。その結果、中空空間ｓ１が所望の形状となり、弾性波装置１０の特性劣化を抑制することが可能となる。
【0061】
また、実施形態１に係る弾性波装置１０では、カバー層３は、第１フィラー３３とは異なる第２フィラー３４を更に含んでおり、第２フィラー３４の第２長さｍ２は、第１フィラー３３の第１長さｍ１よりも短い。また、第２フィラー３４の第２長さｍ２は、長さｍ３よりも短い。さらに、第２フィラー３４の第２長さｍ２は、第１フィラー３３の第１長さｍ１の１／４以下である。これにより、第２フィラー３４がカバー層３に含まれていない場合に比べて、カバー層３の強度を高めることが可能となる。
【0062】
また、実施形態１に係る弾性波装置１０では、一断面ＣＳ１の第１方向Ｄ１において、第２フィラー３４は、カバー層３の主面３１と第１フィラー３３との間に位置している。これにより、支持層２がカバー層３内に入り込むことを更に抑制することが可能となる。
【0063】
ここで、「要素は、基板の第１主面に配置されている」は、要素が基板の第１主面上に直接実装されている場合だけでなく、基板で隔された第１主面側の空間及び第２主面側の空間のうち、第１主面側の空間に要素が配置されている場合を含む。つまり、「要素は、基板の第１主面に配置されている」は、要素が基板の第１主面上に、他の回路素子又は電極等を介して実装されている場合を含む。要素は、例えば、機能電極４である。要素が機能電極４である場合、基板は基板１であり、第１主面は第１主面１０１であり、第２主面は第２主面１０２である。また、要素は、例えば、弾性波装置１０である。要素が弾性波装置１０である場合、基板は実装基板１１であり、第１主面は第１主面１１１であり、第２主面は第２主面１１２である。なお、以下の実施形態２～１４においても同様である。
【0064】
（実施形態２）
実施形態２に係る弾性波装置１０について、図６を参照して説明する。実施形態２に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態２に係る弾性波装置１０について、図６を参照して説明する。実施形態２に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0065】
実施形態２に係る弾性波装置１０は、図６に示すように、第１方向Ｄ１において、支持層２とカバー層３との間に空隙ｖ１が形成されている点で、実施形態１に係る弾性波装置１０と相違する。
【0066】
実施形態２に係る弾性波装置１０においても、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様、支持層２がカバー層３内に入り込むことを抑制することが可能となり、その結果、中空空間ｓ１を所望の形状にすることが可能となる。これにより、弾性波装置１０の特性劣化を抑制することが可能となる。
【0067】
（実施形態３）
実施形態３に係る弾性波装置１０について、図７を参照して説明する。実施形態３に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態３に係る弾性波装置１０について、図７を参照して説明する。実施形態３に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0068】
実施形態３に係る弾性波装置１０は、図７に示すように、貫通電極６の形状が異なっている点で、実施形態１に係る弾性波装置１０と相違する。
【0069】
貫通電極６は、図７に示すように、第１部分６ａと、第２部分６ｂと、を含む。第１部分６ａと第２部分６ｂとは、第１方向Ｄ１に沿って並んでいる。第１部分６ａの最大長さｄ３は、第２部分６ｂの最大長さｄ４よりも大きい。また、第２部分６ｂの最大長さｄ４は、第１部分６ａの最小長さｄ３１と同じである。すなわち、第２部分６ｂは、第１部分６ａの一端（図７の上端）において第１部分６ａと一体に形成されている。
【0070】
また、貫通電極６は、図７に示すように、複数の凹凸部６１１を有する。複数の凹凸部６１１は、カバー層３と貫通電極６との境界部分に存在する第１フィラー３３によって、貫通電極６の外周面６１に形成される。そして、複数の凹凸部６１１の各々の凹部に入り込んだ第１フィラー３３によるアンカー効果によって、カバー層３に対する貫通電極６の密着性が向上するという利点がある。
【0071】
実施形態３に係る弾性波装置１０においても、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様、支持層２がカバー層３内に入り込むことを抑制することが可能となり、その結果、中空空間ｓ１を所望の形状にすることが可能となる。これにより、弾性波装置１０の特性劣化を抑制することが可能となる。
【0072】
（実施形態４）
実施形態４に係る弾性波装置１０について、図８～図１０を参照して説明する。実施形態４に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、図８では、配線電極５の図示を省略している。
実施形態４に係る弾性波装置１０について、図８～図１０を参照して説明する。実施形態４に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、図８では、配線電極５の図示を省略している。
【0073】
実施形態４に係る弾性波装置１０は、図８に示すように、貫通電極６の形状が異なっている点で、実施形態１に係る弾性波装置１０と相違する。また、実施形態４に係る弾性波装置１０は、図９に示すように、フィラー３３の形状がくさび形状、又は板状である点で、実施形態１に係る弾性波装置１０と相違する。
【0074】
貫通電極６は、図８に示すように、第１部分６ｃと、第２部分６ｄと、を含む。第１部分６ｃは、貫通電極６のうち支持層２に対応する部分である。第２部分６ｄは、貫通電極６のうちカバー層３に対応する部分である。
【0075】
第１部分６ｃは、例えば、円錐台形状である。より詳細には、第１部分６ｃは、第１方向Ｄ１における第１端（図８の下端）から第２端（図８の上端）に向けて、第３方向Ｄ３の長さが徐々に短くなるような円錐台形状である。第１部分６ｃでは、第１端の長さｄ５は第２端の長さｄ６よりも大きい。長さｄ５は、例えば、６８μｍ～７３μｍである。長さｄ６は、例えば、６５μｍ～７０μｍである。
【0076】
第２部分６ｄは、例えば、円錐台形状である。より詳細には、第２部分６ｄは、第１方向Ｄ１における第１端（図８の上端）から第２端（図８の下端）に向けて、第３方向Ｄ３の長さが徐々に短くなるような円錐台形状である。第２部分６ｄでは、第１端の長さｄ７は第２端の長さｄ８よりも大きい。長さｄ７は、例えば、７８μｍ～８３μｍである。長さｄ８は、例えば、７２μｍ～７７μｍである。
【0077】
カバー層３は、図９に示すように、樹脂３２及び複数のフィラー３３を含む。フィラー３３の形状は、例えば、くさび形状（先細り形状）、又は板状である。
【0078】
また、支持層２は、図１０に示すように、第１方向Ｄ１における第１端Ｐ４から第２端Ｐ５に向けて、第３方向Ｄ３の長さが徐々に長くなっている。第３方向Ｄ３において、第１端Ｐ４の長さと第２端Ｐ５の長さとの差分ｍ６は、例えば、１．５μｍである。
【0079】
実施形態４に係る弾性波装置１０では、第１部分６ｃにおいて長さが短くなる向き（図８の上向き）と、第２部分６ｄにおいて長さが短くなる向き（図８の下向き）とが互いに逆向きである。これにより、支持層２及びカバー層３に対する貫通電極６の密着性が向上するという利点がある。より詳細には、第１部分６ｃでは、第１端の長さｄ５が第２端の長さｄ６よりも長くなっており、第１端から第２端に向かう向き（図８の上向き）の抜けが規制される。また、第２部分６ｄでは、第１端の長さｄ７が第２端の長さｄ８よりも長くなっており、第１端から第２端に向かう向き（図８の下向き）の抜けが規制される。
【0080】
また、実施形態４に係る弾性波装置１０においても、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様、支持層２がカバー層３内に入り込むことを抑制することが可能となり、その結果、中空空間ｓ１を所望の形状にすることが可能となる。これにより、弾性波装置１０の特性劣化を抑制することが可能となる。
【0081】
（実施形態５）
実施形態５に係る弾性波装置１０について、図１１～図１３を参照して説明する。実施形態５に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態５に係る弾性波装置１０について、図１１～図１３を参照して説明する。実施形態５に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0082】
実施形態５に係る弾性波装置１０は、図１１に示すように、貫通電極６の形状が異なっている点で、実施形態１に係る弾性波装置１０と相違する。また、実施形態５に係る弾性波装置１０は、図１２に示すように、フィラー３３の形状がくさび形状、又は板状である点で、実施形態１に係る弾性波装置１０と相違する。
【0083】
貫通電極６は、図１１に示すように、第１部分６ｅと、第２部分６ｆと、第３部分６ｇと、を含む。第１部分６ｅは、貫通電極６のうち支持層２に対応する部分である。第２部分６ｆ及び第３部分６ｇは、貫通電極６のうちカバー層３に対応する部分である。
【0084】
第１部分６ｅは、例えば、円錐台形状である。より詳細には、第１部分６ｅは、第１方向Ｄ１における第１端（図１１の下端）から第２端（図１１の上端）に向けて、第３方向Ｄ３の長さが徐々に短くなるような円錐台形状である。第１部分６ｅでは、第１端の長さｄ９は第２端の長さｄ１０よりも長い。長さｄ９は、例えば、４１μｍ～４５μｍである。長さｄ１０は、例えば、３８μｍ～４２μｍである。
【0085】
第２部分６ｆは、例えば、円錐台形状である。より詳細には、第２部分６ｆは、第１方向Ｄ１における第１端（図１１の上端）から第２端（図１１の下端）に向けて、第３方向Ｄ３の長さが徐々に短くなるような円錐台形状である。第２部分６ｆでは、第１端の長さｄ１１は第２端の長さｄ１２よりも長い。長さｄ１１は、例えば、５８μｍである。長さｄ１２は、例えば、４２μｍである。
【0086】
第３部分６ｇは、例えば、円錐台形状である。より詳細には、第３部分６ｇは、第１方向Ｄ１における第１端（図１１の上端）から第２端（図１１の下端）に向けて、第３方向Ｄ３の長さが徐々に長くなるような円錐台形状である。また、第１方向Ｄ１における第３部分６ｇの表面（図１１の下面）は、下向き（第２部分６ｆとは反対向き）に凸となる曲面形状である。第２部分６ｆでは、第１端の長さｄ１２は第２端の長さｄ１３よりも短い。長さｄ１２は、例えば、４２μｍである。長さｄ１３は、例えば、５３μｍである。
【0087】
カバー層３は、図１２に示すように、樹脂３２及びフィラー３３を含む。フィラー３３の形状は、例えば、くさび形状、又は板状である。
【0088】
また、支持層２は、図１３に示すように、第１方向Ｄ１における第１端Ｐ６から第２端Ｐ７に向けて、第３方向Ｄ３の長さが徐々に長くなっている。第３方向Ｄ３において、第１端Ｐ６の長さと第２端Ｐ７の長さとの差分ｍ７は、例えば、１．５μｍである。さらに、支持層２は、第３方向Ｄ３における貫通電極６の第１部分６ｅとの境界部分に、「だれ」が生じている。
【0089】
実施形態５に係る弾性波装置１０では、第１部分６ｅにおいて長さが短くなる向き（図１１の上向き）と、第２部分６ｆにおいて長さが短くなる向き（図１１の下向き）とが互いに逆向きである。これにより、支持層２及びカバー層３に対する貫通電極６の密着性が向上するという利点がある。より詳細には、第１部分６ｅでは、第１端の長さｄ９が第２端の長さｄ１０よりも長くなっており、第１端から第２端に向かう向き（図１１の上向き）の抜けが規制される。また、第２部分６ｆでは、第１端の長さｄ１１が第２端の長さｄ１２よりも長くなっており、第１端から第２端に向かう向き（図１１の下向き）の抜けが規制される。
【0090】
また、実施形態５に係る弾性波装置１０においても、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様、支持層２がカバー層３内に入り込むことを抑制することが可能となり、その結果、中空空間ｓ１を所望の形状にすることが可能となる。これにより、弾性波装置１０の特性劣化を抑制することが可能となる。
【0091】
（実施形態６）
実施形態６に係る弾性波装置１０について、図１４～図１７を参照して説明する。実施形態６に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、図１４の二点鎖線５０は、弾性波装置１０のパッケージの外縁（以下、「パッケージ外縁５０」ともいう）である。
実施形態６に係る弾性波装置１０について、図１４～図１７を参照して説明する。実施形態６に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、図１４の二点鎖線５０は、弾性波装置１０のパッケージの外縁（以下、「パッケージ外縁５０」ともいう）である。
【0092】
実施形態６に係る弾性波装置１０は、図１４に示すように、支持層２が複数（図示例では３つ）の柱状部２２を含む点で、実施形態１に係る弾性波装置１０と相違する。
【0093】
支持層２は、図１４に示すように、枠状部２１と、複数（図示例では３つ）の柱状部２２と、を含む。枠状部２１は、第１方向Ｄ１（紙面に垂直な方向）からの平面視において、第２方向Ｄ２に比べて第３方向Ｄ３に長い矩形の枠状である。また、枠状部２１は、第１方向Ｄ１からの平面視において、全体的にパッケージ外縁５０よりも内側に位置しているが、四隅においてはパッケージ外縁５０まで延びている。
【0094】
複数の柱状部２２は、第１方向Ｄ１からの平面視において、枠状部２１で囲まれた領域である中空空間ｓ１において、第３方向Ｄ３に沿って等間隔に並んでいる。これにより、中空空間ｓ１が４つの空間に仕切られている。
【0095】
ここで、図１５は、実施形態６に係る弾性波装置１０のダイシング工程を示す概念図である。図１５の例では、ダイシング工程において、矢印Ａ１の方向から第１ダイシングブレード２０１にてカバー層３、支持層２、基板１の一部（図１５の下端部）の順に切削した後、矢印Ａ２の方向から第２ダイシングブレード２０２にて基板１の残部を切削する。これにより、複数の弾性波装置１０を含むウェハから複数の弾性波装置１０がチップ化される。
【0096】
図１４のＸ７部では、支持層２の枠状部２１がパッケージ外縁５０よりも内側に位置しており、上述のダイシング工程において、基板１及びカバー層３が切削され、支持層２の枠状部２１は切削されない。これにより、図１４のＸ７部では、図１６に示すような切削面６０になる。一方、図１４のＸ８部では、支持層２の枠状部２１がパッケージ外縁５０まで延びており、上述のダイシング工程において、基板１、支持層２の枠状部２１及びカバー層３のすべてが切削される。これにより、図１４のＸ８部では、図１７に示すような切削面６０になる。
【0097】
実施形態６に係る弾性波装置１０では、第１ダイシングブレード２０１及び第２ダイシングブレード２０２を用いて２段階で切削しており、１つのダイシングブレードにて切削する場合に比べてチッピングを改善することが可能となる。
【0098】
上述のダイシング工程において、例えば、第１ダイシングブレード２０１にてカバー層３及び支持層２を切削した後、第２ダイシングブレード２０２にて基板１を切削してもよい。また、上述のダイシング工程において、例えば、第１ダイシングブレード２０１にてカバー層３を切削した後、第２ダイシングブレード２０２にて基板１及び支持層２を切削してもよい。いずれの場合でも、１つのダイシングブレードにて切削する場合に比べてチッピングを改善することが可能となる。
【0099】
（実施形態７）
実施形態７に係る弾性波装置１０について、図１８～図２０を参照して説明する。実施形態７に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、図１８の二点鎖線５０は、弾性波装置１０のパッケージの外縁（以下、「パッケージ外縁５０」ともいう）である。
実施形態７に係る弾性波装置１０について、図１８～図２０を参照して説明する。実施形態７に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、図１８の二点鎖線５０は、弾性波装置１０のパッケージの外縁（以下、「パッケージ外縁５０」ともいう）である。
【0100】
実施形態７に係る弾性波装置１０は、図１８に示すように、機能電極４が配置されている領域Ｒ１～Ｒ６を除いた残りの領域に支持層２が設けられている点で、実施形態１に係る弾性波装置１０と相違する。
【0101】
実施形態７に係る弾性波装置１０では、図１８に示すように、機能電極４が配置されている複数（図示例では６つ）の領域Ｒ１～Ｒ６を除いた残りの領域に支持層２が設けられている。
【0102】
図１８のＸ９部では、上述のダイシング工程において、１つのダイシングブレードにて切削した場合、図１９に示すように、基板１、支持層２及びカバー層３の積層方向（図１９の上下方向）に沿った直線状の切削面６０になる。
【0103】
一方、上述のダイシング工程において、第１ダイシングブレードにてカバー層３、支持層２、基板１の一部（図２０の下端部）の順に切削した後、第２ダイシングブレードにて基板１の残部を切削した場合、図２０に示すように、第１ダイシングブレード及び第２ダイシングブレードの形状に沿った切削面６０になる。
【0104】
（実施形態８）
実施形態８に係る弾性波装置１０について、図２１を参照して説明する。実施形態８に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態８に係る弾性波装置１０について、図２１を参照して説明する。実施形態８に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0105】
実施形態８に係る弾性波装置１０は、基板１の代わりに、支持基板９１と圧電体層９２とを備えている点で、実施形態１に係る弾性波装置１０と相違する。
【0106】
実施形態８に係る弾性波装置１０は、図２１に示すように、支持基板９１と、圧電体層９２と、機能電極４と、を備える。また、実施形態８に係る弾性波装置１０は、支持層２と、カバー層３と、複数の配線電極５と、複数の貫通電極６と、複数の外部接続電極７と、を更に備える。
【0107】
支持基板９１は、例えば、シリコン基板である。支持基板９１は、支持基板９１の厚さ方向（図２１の上下方向）からの平面視において長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば、正方形状であってもよい。支持基板９１の厚さは、例えば、１２０μｍである。支持基板９１では、圧電体層９２を伝搬する弾性波の音速よりも、支持基板９１を伝搬するバルク波の音速が高速である。
【0108】
支持基板９１の材料は、シリコンに限定されない。支持基板９１は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。
【0109】
圧電体層９２は、支持基板９１に支持されている。圧電体層９２の材料は、例えば、リチウムタンタレートである。圧電体層９２の厚さは、例えば、ＩＤＴ電極（機能電極４）の電極指ピッチ（電極指周期）Ｐ０で定まる弾性波の波長をλとしたとき、３．５λ以下である。なお、圧電体層９２の厚さは、３．５λ以下であることに限定されず、３．５λより大きくてもよい。
【0110】
圧電体層９２の材料は、リチウムタンタレートに限定されない。圧電体層９２の材料は、例えば、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又はチタン酸ジルコン酸鉛であってもよい。
【0111】
実施形態８に係る弾性波装置１０においても、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様、支持層２がカバー層３内に入り込むことを抑制することが可能となり、その結果、中空空間ｓ１を所望の形状にすることが可能となる。これにより、弾性波装置１０の特性劣化を抑制することが可能となる。
【0112】
（実施形態９）
実施形態９に係る弾性波装置１０について、図２２を参照して説明する。実施形態９に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。また、実施形態９に係る弾性波装置１０に関し、実施形態８に係る弾性波装置１０（図２１参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態９に係る弾性波装置１０について、図２２を参照して説明する。実施形態９に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。また、実施形態９に係る弾性波装置１０に関し、実施形態８に係る弾性波装置１０（図２１参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0113】
実施形態９に係る弾性波装置１０は、低音速膜９３を更に備えている点で、実施形態８に係る弾性波装置１０と相違する。
【0114】
実施形態９に係る弾性波装置１０は、図２２に示すように、支持基板９１と、圧電体層９２と、低音速膜９３と、機能電極４と、を備える。また、実施形態９に係る弾性波装置１０は、支持層２と、カバー層３と、複数の配線電極５と、複数の貫通電極６と、複数の外部接続電極７と、を更に備える。
【0115】
低音速膜９３は、支持基板９１の厚さ方向（図２２の上下方向）において支持基板９１と圧電体層９２との間に配置されている。低音速膜９３の材料は、例えば、酸化ケイ素である。低音速膜９３は、圧電体層９２を伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜９３を伝搬するバルク波の音速が低速となる膜である。低音速膜９３の厚さは、例えば、ＩＤＴ電極（機能電極４）の電極指ピッチ（電極指周期）Ｐ０で定まる弾性波の波長をλとしたとき、２．０λ以下であることが好ましい。
【0116】
低音速膜９３の材料は、酸化ケイ素に限定されない。低音速膜９３の材料は、例えば、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素、若しくはホウ素を加えた化合物、又は、上記各材料を主成分とする材料であってもよい。
【0117】
実施形態９に係る弾性波装置１０においても、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様、支持層２がカバー層３内に入り込むことを抑制することが可能となり、その結果、中空空間ｓ１を所望の形状にすることが可能となる。これにより、弾性波装置１０の特性劣化を抑制することが可能となる。
【0118】
（実施形態１０）
実施形態１０に係る弾性波装置１０について、図２３を参照して説明する。実施形態１０に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。また、実施形態１０に係る弾性波装置１０に関し、実施形態９に係る弾性波装置１０（図２２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態１０に係る弾性波装置１０について、図２３を参照して説明する。実施形態１０に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。また、実施形態１０に係る弾性波装置１０に関し、実施形態９に係る弾性波装置１０（図２２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0119】
実施形態１０に係る弾性波装置１０は、高音速膜９４を更に備えている点で、実施形態９に係る弾性波装置１０と相違する。
【0120】
実施形態１０に係る弾性波装置１０は、図２３に示すように、支持基板９１と、圧電体層９２と、低音速膜９３と、高音速膜９４と、機能電極４と、を備える。また、実施形態１０に係る弾性波装置１０は、支持層２と、カバー層３と、複数の配線電極５と、複数の貫通電極６と、複数の外部接続電極７と、を更に備える。
【0121】
高音速膜９４は、支持基板９１の厚さ方向（図２３の上下方向）において支持基板９１と低音速膜９３との間に配置されている。高音速膜９４の材料は、例えば、窒化ケイ素である。高音速膜９４は、圧電体層９２を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速膜９４を伝搬するバルク波の音速が高速となる膜である。高音速膜９４の厚さは、例えば、２００ｎｍ、３００ｎｍ、４００ｎｍ、６００ｎｍである。高音速膜９４の厚さは、厚いほど好ましい。
【0122】
高音速膜９４の材料は、窒化ケイ素に限定されない。高音速膜９４の材料は、例えば、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、シリコン、サファイア、圧電体（リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、又は水晶）、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料であってもよい。また、高音速膜９４の材料は、上述したいずれかの材料を主成分とする材料、又は、上述したいずれかの材料を含む混合物を主成分とする材料であってもよい。
【0123】
実施形態１０に係る弾性波装置１０においても、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様、支持層２がカバー層３内に入り込むことを抑制することが可能となり、その結果、中空空間ｓ１を所望の形状にすることが可能となる。これにより、弾性波装置１０の特性劣化を抑制することが可能となる。
【0124】
（実施形態１１）
実施形態１１に係る弾性波装置１０について、図２４を参照して説明する。実施形態１１に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態１１に係る弾性波装置１０について、図２４を参照して説明する。実施形態１１に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0125】
実施形態１１に係る弾性波装置１０は、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタである点で、実施形態１に係る弾性波装置１０と相違する。
【0126】
実施形態１１に係る弾性波装置１０は、図２４に示すように、支持基板９１と、電気絶縁膜９５と、下部電極９６と、圧電体膜９７と、上部電極９８と、を備える。また、実施形態１１に係る弾性波装置１０は、支持層２と、カバー層３と、複数の配線電極５と、複数の貫通電極６と、複数の外部接続電極７と、を更に備える。実施形態１１に係る弾性波装置１０は、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）型のＢＡＷフィルタである。
【0127】
支持基板９１は、例えば、シリコン基板又はスピネル基板である。電気絶縁膜９５は、支持基板９１上に配置されている。電気絶縁膜９５は、例えば、シリコン酸化膜である。下部電極９６、圧電体膜９７及び上部電極９８は、支持基板９１に支持されている。圧電体膜９７は、下部電極９６上に配置されている。上部電極９８は、圧電体膜９７上に配置されている。圧電体膜９７の材料は、例えば、窒化アルミニウム、窒化スカンジウムアルミニウム、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト又はチタン酸シルコン酸鉛である。また、実施形態１１に係る弾性波装置１０では、電気絶縁膜９５と下部電極９６との間に空洞９９が設けられている。
【0128】
実施形態１１に係る弾性波装置１０においても、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様、支持層２がカバー層３内に入り込むことを抑制することが可能となり、その結果、中空空間ｓ１を所望の形状にすることが可能となる。これにより、弾性波装置１０の特性劣化を抑制することが可能となる。
【0129】
（実施形態１２）
実施形態１２に係る弾性波装置１０について、図２５を参照して説明する。実施形態１２に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。また、実施形態１２に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１１に係る弾性波装置１０（図２４参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態１２に係る弾性波装置１０について、図２５を参照して説明する。実施形態１２に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。また、実施形態１２に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１１に係る弾性波装置１０（図２４参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0130】
実施形態１２に係る弾性波装置１０は、ＳＭＲ（Solid Mounted Resonator）型のＢＡＷフィルタである点で、実施形態１１に係る弾性波装置１０と相違する。
【0131】
実施形態１２に係る弾性波装置１０は、図２５に示すように、支持基板９１と、音響多層膜９５Ａと、下部電極９６と、圧電体膜９７と、上部電極９８と、を備える。また、実施形態１２に係る弾性波装置１０は、支持層２と、カバー層３と、複数の配線電極５と、複数の貫通電極６と、複数の外部接続電極７と、を更に備える。実施形態１２に係る弾性波装置１０は、ＳＭＲ型のＢＡＷフィルタである。
【0132】
音響多層膜９５Ａは、圧電体膜９７で発生したバルク弾性波を反射する。音響多層膜９５Ａは、複数の高音響インピーダンス層９５１と複数の低音響インピーダンス層９５２とが支持基板９１の厚さ方向（図２５の上下方向）において一層ごとに交互に並んだ構造である。複数の高音響インピーダンス層９５１の各々は、相対的に音響インピーダンスの高い層である。複数の低音響インピーダンス層９５２の各々は、相対的に音響インピーダンスの低い層である。高音響インピーダンス層９５１の材料は、例えば、白金である。低音響インピーダンス層９５２の材料は、例えば、酸化ケイ素である。
【0133】
実施形態１２に係る弾性波装置１０においても、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様、支持層２がカバー層３内に入り込むことを抑制することが可能となり、その結果、中空空間ｓ１を所望の形状にすることが可能となる。これにより、弾性波装置１０の特性劣化を抑制することが可能となる。
【0134】
（実施形態１３）
実施形態１３に係る弾性波装置１０について、図２６を参照して説明する。実施形態１３に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態１３に係る弾性波装置１０について、図２６を参照して説明する。実施形態１３に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0135】
実施形態１３に係る弾性波装置１０は、図２６に示すように、第１接点Ｐ２１と第１特定フィラー３３１とが第１方向Ｄ１で重なっており、かつ、第２接点Ｐ２２と第２特定フィラー３３２とが第１方向Ｄ１で重なっている点で、実施形態１に係る弾性波装置１０と相違する。
【0136】
実施形態１３に係る弾性波装置１０は、図２６に示すように、基板１と、支持層２と、カバー層３と、機能電極４と、を備える。また、実施形態１３に係る弾性波装置１０は、複数の配線電極５と、複数の貫通電極６と、複数の外部接続電極７と、を更に備える。
【0137】
支持層２は、図２６に示すように、枠状部２１を含む。枠状部２１は、第１周縁２１１、及び第１周縁２１１とは異なる第２周縁２１２を有する。第１周縁２１１及び第２周縁２１２は、第３方向Ｄ３において機能電極４側に位置している。図２６の例では、第１周縁２１１と第２周縁２１２とは、第３方向Ｄ３において互いに対向している。第１周縁２１１は、第１接点Ｐ２１においてカバー層３に接触している。第２周縁２１２は、第２接点Ｐ２２においてカバー層３に接触している。
【0138】
カバー層３は、図２６に示すように、複数（図示例では２つ）のフィラー３３を含む。複数のフィラー３３は、第１特定フィラー３３１と、第１特定フィラー３３１とは異なる第２特定フィラー３３２と、を含む。第１特定フィラー３３１は、第１接点Ｐ２１と第１方向Ｄ１で重なっている。第２特定フィラー３３２は、第２接点Ｐ２２と第１方向Ｄ１で重なっている。
【0139】
実施形態１３に係る弾性波装置１０では、支持層２の第１周縁２１１とカバー層３との第１接点Ｐ２１と、第１特定フィラー３３１とが第１方向Ｄ１で重なっており、かつ、支持層２の第２周縁２１２とカバー層３との第２接点Ｐ２２と、第２特定フィラー３３２とが第１方向Ｄ１で重なっている。これにより、支持層２がカバー層３内に入り込むことを更に抑制することが可能となり、その結果、弾性波装置１０の特性劣化を更に抑制することが可能となる。
【0140】
（実施形態１４）
実施形態１４に係る弾性波装置１０について、図２７～図３０を参照して説明する。実施形態１４に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態１４に係る弾性波装置１０について、図２７～図３０を参照して説明する。実施形態１４に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0141】
実施形態１４に係る弾性波装置１０は、図２７に示すように、第３方向Ｄ３に沿って並んでいる２つの機能電極４の間に配線部８が位置している点で、実施形態１に係る弾性波装置１０と相違する。また、実施形態１４に係る弾性波装置１０は、縦結合型の弾性波フィルタである点で、実施形態１に係る弾性波装置１０と相違する。
【0142】
実施形態１４に係る弾性波装置１０は、図２７に示すように、基板１と、支持層２と、カバー層３と、複数（図示例では２つ）の機能電極４と、を備える。また、実施形態１４に係る弾性波装置１０は、複数の配線電極５と、複数の貫通電極６と、複数の外部接続電極７と、配線部８と、を更に備える。実施形態１４では、支持層２は、枠状部２１を含む。
【0143】
配線部８は、図２７に示すように、基板１の第１主面１０１に配置されている。配線部８は、第３方向Ｄ３に沿って並んでいる２つの機能電極４の間に位置している。配線部８は、例えば、２つの機能電極４のうち少なくとも一方の機能電極４に接続されている。
【0144】
配線部８は、第１配線層８１及び第２配線層８２を有する。第１配線層８１は、例えば、グランド配線である。第２配線層８２は、例えば、高周波信号が通過する信号配線である。第１配線層８１は、第１方向Ｄ１において基板１と第２配線層８２と間に配置されている。また、配線部８は、絶縁層８３を更に有する。絶縁層８３は、第１配線層８１と第２配線層８２とを絶縁するための層である。絶縁層８３は、第１方向Ｄ１において第１配線層８１と第２配線層８２との間に位置している。すなわち、配線部８では、基板１の第１主面１０１から離れる向き（図２７の下向き）に、第１配線層８１、絶縁層８３、第２配線層８２の順に積層されている。なお、第１配線層８１の材料は、複数の機能電極４の各々の材料と同じであることが好ましい。これにより、第１配線層８１及び複数の機能電極４を同一行程で形成することが可能となる。
【0145】
第１方向Ｄ１において、配線部８の厚さｔ１は、複数の機能電極４の各々の厚さｔ２よりも厚い。このため、高周波モジュールの製造工程において樹脂層を形成する樹脂からの応力によって基板１が変形しても、配線部８がカバー層３に接触するので、各機能電極４がカバー層３に接触することを抑制することが可能となる。その結果、各機能電極４がカバー層３に接触することによる特性劣化を抑制することが可能となる。また、基板１が変形した場合には、配線部８によって支持することができるので、支持層２の幅寸法を小さくすることも可能となる。
【0146】
図２８は、各機能電極４が配置されている領域Ｒ７，Ｒ８と、配線部８が配置されている領域Ｒ９との位置関係を示す平面図である。図２８の領域Ｒ１０は、中空空間ｓ１の領域を示している。図２８において、「ｃ１」は中空空間ｓ１の重心であり、「ｃ２」は領域Ｒ９に配置されている配線部８の重心であり、「ｃ３」は領域Ｒ７に配置されている機能電極４の重心であり、「ｃ４」は領域Ｒ８に配置されている機能電極４の重心である。ここで、「中空空間ｓ１の重心ｃ１」とは、中空空間ｓ１内に物体が充填されているとした場合における当該物体の重心をいう。また、「配線部８の重心ｃ２」とは、第１方向Ｄ１からの平面視において、配線部８における第２方向Ｄ２の２つの外縁に沿った２つの直線と、配線部８における第３方向Ｄ３の２つの外縁に沿った２つの直線と、で囲まれた領域の重心（中心）をいう。また、「機能電極４の重心ｃ３，ｃ４」とは、第１方向Ｄ１からの平面視において、機能電極４に含まれるすべての電極指における第２方向Ｄ２の２つの外縁に沿った２つの直線と、すべての電極指における第３方向Ｄ３の２つの外縁に沿った２つの直線と、で囲まれた領域の重心（中心）をいう。
【0147】
図２８の例では、中空空間ｓ１の重心ｃ１と配線部８の重心ｃ２との距離ｍ８は、中空空間ｓ１の重心ｃ１と機能電極４の重心ｃ３との距離ｍ９よりも短く、かつ、中空空間ｓ１の重心ｃ１と機能電極４の重心ｃ４との距離ｍ１０よりも短い。すなわち、配線部８の重心ｃ２が、中空空間ｓ１の重心ｃ１に最も近い。
【0148】
第３方向Ｄ３において、第２配線層８２の長さｍ１３は、第１配線層８１の長さｍ１１よりも短い。また、第３方向Ｄ３において、第２配線層８２の長さｍ１３は、絶縁層８３の長さｍ１２よりも短い。また、第３方向Ｄ３において、絶縁層８３の長さｍ１２は、第１配線層８１の長さｍ１１よりも短い。すなわち、第３方向Ｄ３において、第１配線層８１の長さｍ１１が最も長く、第２配線層８２の長さｍ１３が最も短い。これにより、配線部８は、図２９に示すような階段形状になっている。このため、例えば、高周波モジュールの製造工程において、樹脂層１２を形成する樹脂１２０がカバー層３を透過して中空空間ｓ１内に漏れ出した場合でも、図２９の矢印Ａ３に示すように、第２配線層８２、絶縁層８３、第１配線層８１の外周面に沿って樹脂１２０が基板１側（図２９の上側）に移動するので、樹脂１２０が機能電極４に伝わりにくいという利点がある。結果として、弾性波装置１０の特性劣化を抑制することが可能となる。また、第１方向Ｄ１からの平面視においても、図３０の矢印Ａ４に示すように、例えば、絶縁層８３の表面に沿って第２方向Ｄ２に樹脂１２０が移動するので、樹脂１２０が機能電極４に伝わりにくく、結果的に弾性波装置１０の特性劣化を抑制することが可能となる。
【0149】
（態様）
本明細書には、以下の態様が開示されている。
本明細書には、以下の態様が開示されている。
【0150】
第１の態様に係る弾性波装置（１０）は、基板（１）と、カバー層（３）と、支持層（２）と、を備える。支持層（２）は、第１方向（Ｄ１）において基板（１）とカバー層（３）との間に配置されている。第１方向（Ｄ１）は、基板（１）の厚さ方向である。弾性波装置（１０）では、基板（１）と支持層（２）とカバー層（３）とで中空空間（ｓ１）が形成されている。カバー層（３）は、樹脂（３２）及びフィラー（３３）を含む。第２方向（Ｄ２）を法線方向とする一断面（ＣＳ１）において、第３方向（Ｄ３）における支持層（２）の周縁（２２１）とカバー層（３）との接点（Ｐ１１）と、フィラー（３３）と、が第１方向（Ｄ１）で重なっている。第２方向（Ｄ２）は、第１方向（Ｄ１）と直交する方向である。第３方向（Ｄ３）は、第１方向（Ｄ１）及び第２方向（Ｄ２）と直交する方向である。一断面（ＣＳ１）の第１方向（Ｄ１）において、支持層（２）のうち第３方向（Ｄ３）の長さが最小長さ（ｍ４）となる第１位置（Ｐ１）は、支持層（２）のうち第３方向（Ｄ３）の長さが最大長さ（ｍ５）となる第２位置（Ｐ２）と支持層（２）のうちカバー層（３）と接触している第３位置（Ｐ３）との間に位置している。一断面（ＣＳ１）の第３方向（Ｄ３）において、フィラー（３３）の長さ（ｍ１）は、支持層（２）の最大長さ（ｍ５）と最小長さ（ｍ４）との差分の１／２の長さ（ｍ３）よりも長い。
【0151】
この態様によれば、フィラー（３３）の長さ（ｍ１）は、長さ（ｍ３）よりも長く、一断面（ＣＳ１）において、第３方向（Ｄ３）における支持層（２）の周縁（２２１）とカバー層（３）との接点（Ｐ１１）と、フィラー（３３）と、が第１方向（Ｄ１）で重なっている。これにより、高周波モジュール（２０）の製造工程において、樹脂層（１２）を形成する樹脂からの応力が基板（１）を介して支持層（２）に加えられた場合でも、この応力をフィラー（３３）が受けることができるので、支持層（２）がカバー層（３）内に入り込むことを抑制することが可能となる。その結果、中空空間（ｓ１）を所望の形状にすることが可能となり、弾性波装置（１０）の特性劣化を抑制することが可能となる。
【0152】
第２の態様に係る弾性波装置（１０）では、第１の態様において、カバー層（３）は、第２フィラー（３４）を更に含む。第２フィラー（３４）は、フィラー（３３）である第１フィラー（３３）とは異なる。一断面（ＣＳ１）の第３方向（Ｄ３）において、第２フィラー（３４）の長さである第２長さ（ｍ２）は、第１フィラー（３３）の長さである第１長さ（ｍ１）よりも短い。
【0153】
この態様によれば、カバー層（３）の強度を高めることが可能となる。
【0154】
第３の態様に係る弾性波装置（１０）では、第２の態様において、カバー層（３）は、支持層（２）と接触する領域（３１１，３１２）を含む主面（３１）を有する。一断面（ＣＳ１）の第１方向（Ｄ１）において、第２フィラー（３４）は、カバー層（３）の主面（３１）と第１フィラー（３３）との間に位置している。
【0155】
この態様によれば、支持層（２）がカバー層（３）内に入り込むことを更に抑制することが可能となる。
【0156】
第４の態様に係る弾性波装置（１０）では、第２又は第３の態様において、一断面（ＣＳ１）の第３方向（Ｄ３）において、第２長さ（ｍ２）は、上記差分の１／２の長さ（ｍ３）よりも短い。
【0157】
この態様によれば、カバー層（３）の強度を高めることが可能となる。
【0158】
第５の態様に係る弾性波装置（１０）では、第２又は第３の態様において、一断面（ＣＳ１）の第３方向（Ｄ３）において、第２長さ（ｍ２）は、第１長さ（ｍ１）の１／４以下である。
【0159】
この態様によれば、カバー層（３）の強度を高めることが可能となる。
【0160】
第６の態様に係る弾性波装置（１０）では、第２～第５の態様のいずれか１つにおいて、第１フィラー（３３）は、２μｍ以上の直径を有する球体である。
【0161】
この態様によれば、第１フィラー（３３）が２μｍ未満の直径を有する球体である場合に比べて、支持層（２）がカバー層（３）内に入り込むことを抑制することが可能となる。
【0162】
第７の態様に係る弾性波装置（１０）では、第６の態様において、第１フィラー（３３）は、４μｍ以上の直径を有する球体である。
【0163】
この態様によれば、第１フィラー（３３）が、４μｍ未満の直径を有する球体である場合に比べて、支持層（２）がカバー層（３）内に入り込むことを抑制することが可能となる。
【0164】
第８の態様に係る弾性波装置（１０）では、第１～第７の態様のいずれか１つにおいて、カバー層（３）は、フィラー（３３）を複数含む。複数のフィラー（３３）は、第１特定フィラー（３３１）と、第１特定フィラー（３３１）とは異なる第２特定フィラー（３３２）と、を含む。支持層（２）は、周縁として、第１周縁（２１１）と、第１周縁（２１１）とは異なる第２周縁（２１２）と、を有する。一断面（ＣＳ１）において、第１特定フィラー（３３１）は、第１周縁（２１１）とカバー層（３）との接点である第１接点（Ｐ２１）と第１方向（Ｄ１）で重なっている。一断面（ＣＳ１）において、第２特定フィラー（３３２）は、第２周縁（２１２）とカバー層（３）との接点である第２接点（Ｐ２２）と第１方向（Ｄ１）で重なっている。
【0165】
この態様によれば、支持層（２）がカバー層（３）内に入り込むことを更に抑制することが可能となる。
【0166】
第９の態様に係る弾性波装置（１０）は、第１～第８の態様のいずれか１つにおいて、機能電極（４）を更に備える。機能電極（４）は、中空空間（ｓ１）に位置するように基板（１）に配置されている。支持層（２）は、枠状部（２１）を含む。枠状部（２１）は、第１方向（Ｄ１）からの平面視において機能電極（４）を囲んでいる。
【0167】
この態様によれば、機能電極（４）を配置するための中空空間（ｓ１）を形成することが可能となる。
【0168】
第１０の態様に係る弾性波装置（１０）は、第９の態様において、機能電極（４）を複数備える。支持層（２）は、柱状部（２２）を更に含む。柱状部（２２）は、第３方向（Ｄ３）において、複数の機能電極（４）のうち隣接する２つの機能電極（４）の間に配置されている。
【0169】
この態様によれば、隣接する２つの機能電極（４）を柱状部（２２）によって仕切ることが可能となる。
【0170】
第１１の態様に係る弾性波装置（１０）では、第９又は第１０の態様において、枠状部（２１）は、第１周縁（２１１）及び第２周縁（２１２）を有する。第１周縁（２１１）及び第２周縁（２１２）は、第３方向（Ｄ３）において機能電極（４）側に位置している。
【0171】
この態様によれば、中空空間（ｓ１）の変形を抑制することが可能となる。
【0172】
第１２の態様に係る弾性波装置（１０）では、第９～第１１の態様のいずれか１つにおいて、基板（１）は、圧電性基板である。機能電極（４）は、ＩＤＴ電極である。
【0173】
この態様によれば、弾性波装置（１０）の薄型化を図ることが可能となる。
【0174】
第１３の態様に係る弾性波装置（１０）は、第９～第１２の態様のいずれか１つにおいて、機能電極（４）を複数備える。弾性波装置（１０）は、配線部（８）を更に備える。配線部（８）は、基板（１）に配置されており、複数の機能電極（４）のうち少なくとも１つの機能電極（４）に接続されている。配線部（８）は、第３方向（Ｄ３）において、複数の機能電極（４）のうち隣接する２つの機能電極（４）の間に位置している。第１方向（Ｄ１）における配線部（８）の厚さ（ｔ１）は、第１方向（Ｄ１）における隣接する２つの機能電極（４）の各々の厚さ（ｔ２）よりも厚い。
【0175】
この態様によれば、中空空間（ｓ１）が第１方向（Ｄ１）に変形した場合には配線部（８）がカバー層（３）に接触するので、機能電極（４）がカバー層（３）に接触することによる特性劣化を抑制することが可能となる。
【0176】
第１４の態様に係る弾性波装置（１０）では、第１３の態様において、配線部（８）は、第１配線層（８１）及び第２配線層（８２）を有する。第１配線層（８１）は、第１方向（Ｄ１）において基板（１）と第２配線層（８２）との間に配置されている。第３方向（Ｄ３）において、第２配線層（８２）の長さ（ｍ１３）は、第１配線層（８１）の長さ（ｍ１１）よりも短い。
【0177】
この態様によれば、高周波モジュール（２０）の樹脂層（１２）を形成する際に、樹脂層（１２）を形成する樹脂（１２０）が中空空間（ｓ１）内に漏れ出した場合でも、第１配線層（８１）及び第２配線層（８２）の外周面に沿って基板（１）側に移動し、機能電極（４）側に移動しにくくなっている。これにより、樹脂（１２０）による弾性波装置（１０）の特性劣化を抑制することが可能となる。
【0178】
第１５の態様に係る弾性波装置（１０）では、第１４の態様において、配線部（８）は、絶縁層（８３）を更に備える。絶縁層（８３）は、第１方向（Ｄ１）において第１配線層（８１）と第２配線層（８２）との間に位置している。
【0179】
この態様によれば、第１配線層（８１）と第２配線層（８２）とを絶縁することが可能となる。
【0180】
第１６の態様に係る弾性波装置（１０）では、第１４又は第１５の態様において、第１配線層（８１）の材料と複数の機能電極（４）の各々の材料とは同じである。
【0181】
この態様によれば、第１配線層（８１）と複数の機能電極（４）とを同時に形成することができるので、第１配線層（８１）と複数の機能電極（４）とを別々に形成する場合に比べて、製造時間の短縮化を図ることが可能となる。
【0182】
第１７の態様に係る高周波モジュール（２０）は、第１～第１６の態様のいずれか１つの弾性波装置（１０）と、実装基板（１１）と、を備える。実装基板（１１）は、弾性波装置（１０）が配置されている。
【0183】
この態様によれば、弾性波装置（１０）の特性劣化を抑制することが可能となる。
【0184】
第１８の態様に係る通信装置（１００）は、第１７の態様に係る高周波モジュール（２０）と、信号処理回路（３０）と、を備える。信号処理回路（３０）は、高周波モジュール（２０）に接続されている。
【0185】
この態様によれば、弾性波装置（１０）の特性劣化を抑制することが可能となる。
【符号の説明】
【0186】
１ 基板
２ 支持層
３ カバー層
４ 機能電極
５ 配線電極
６ 貫通電極
６ａ 大径部
６ｂ 小径部
６ｃ 第１部分
６ｄ 第２部分
６ｅ 第１部分
６ｆ 第２部分
６ｇ 第３部分
７ 外部接続電極
８ 配線部
１０ 弾性波装置
１１ 実装基板
１２ 樹脂層
１３ 金属電極層
２０ 高周波モジュール
２１ 枠状部
２２ 柱状部
３０ 信号処理回路
３１ 主面
３２ 樹脂
３３ 第１フィラー（フィラー）
３４ 第２フィラー
４０ アンテナ
５０ パッケージ外縁
６０ 切削面
６１ 外周面
８１ 第１配線層
８２ 第２配線層
８３ 絶縁層
９１ 支持基板
９２ 圧電体層
９３ 低音速膜
９４ 高音速膜
９５ 電気絶縁膜
９５Ａ 音響多層膜
１００ 通信装置
１０１ 第１主面
１０２ 第２主面
１１１ 第１主面
１１２ 第２主面
１２０ 樹脂
２００ 貫通孔
２０１ 第１ダイシングブレード
２０２ 第２ダイシングブレード
２１１ 第１周縁（周縁）
２１２ 第２周縁（周縁）
２２１ 周縁
３０１ ＲＦ信号処理回路
３０２ ベースバンド信号処理回路
３１１ 第１領域（領域）
３１２ 第２領域（領域）
３３０ 第１フィラー
３３１ 第１特定フィラー
３３２ 第２特定フィラー
６１１ 凹凸部
９５１ 高音響インピーダンス層
９５２ 低音響インピーダンス層
ｃ１～ｃ４ 重心
ＣＳ１ 一断面
ｄ１～ｄ１３ 長さ
Ｄ１ 第１方向（厚さ方向）
Ｄ２ 第２方向
Ｄ３ 第３方向
ｈ１ 厚さ
ｍ１ 第１長さ（長さ、直径）
ｍ２ 第２長さ（直径）
ｍ３ 長さ
ｍ４ 最小長さ
ｍ５ 最大長さ
ｍ６，ｍ７ 差分
ｍ８～ｍ１０ 距離
ｍ１１～ｍ１３ 長さ
Ｐ１ 第１位置
Ｐ２ 第２位置
Ｐ３ 第３位置
Ｐ４，Ｐ６ 第１端点
Ｐ５，Ｐ７ 第２端点
Ｐ１１ 接点
Ｐ２１ 第１接点（接点）
Ｐ２２ 第２接点（接点）
Ｒ１～Ｒ１０ 領域
ｓ１ 中空空間
ｔ１，ｔ２ 厚さ
ｖ１ 空隙
２ 支持層
３ カバー層
４ 機能電極
５ 配線電極
６ 貫通電極
６ａ 大径部
６ｂ 小径部
６ｃ 第１部分
６ｄ 第２部分
６ｅ 第１部分
６ｆ 第２部分
６ｇ 第３部分
７ 外部接続電極
８ 配線部
１０ 弾性波装置
１１ 実装基板
１２ 樹脂層
１３ 金属電極層
２０ 高周波モジュール
２１ 枠状部
２２ 柱状部
３０ 信号処理回路
３１ 主面
３２ 樹脂
３３ 第１フィラー（フィラー）
３４ 第２フィラー
４０ アンテナ
５０ パッケージ外縁
６０ 切削面
６１ 外周面
８１ 第１配線層
８２ 第２配線層
８３ 絶縁層
９１ 支持基板
９２ 圧電体層
９３ 低音速膜
９４ 高音速膜
９５ 電気絶縁膜
９５Ａ 音響多層膜
１００ 通信装置
１０１ 第１主面
１０２ 第２主面
１１１ 第１主面
１１２ 第２主面
１２０ 樹脂
２００ 貫通孔
２０１ 第１ダイシングブレード
２０２ 第２ダイシングブレード
２１１ 第１周縁（周縁）
２１２ 第２周縁（周縁）
２２１ 周縁
３０１ ＲＦ信号処理回路
３０２ ベースバンド信号処理回路
３１１ 第１領域（領域）
３１２ 第２領域（領域）
３３０ 第１フィラー
３３１ 第１特定フィラー
３３２ 第２特定フィラー
６１１ 凹凸部
９５１ 高音響インピーダンス層
９５２ 低音響インピーダンス層
ｃ１～ｃ４ 重心
ＣＳ１ 一断面
ｄ１～ｄ１３ 長さ
Ｄ１ 第１方向（厚さ方向）
Ｄ２ 第２方向
Ｄ３ 第３方向
ｈ１ 厚さ
ｍ１ 第１長さ（長さ、直径）
ｍ２ 第２長さ（直径）
ｍ３ 長さ
ｍ４ 最小長さ
ｍ５ 最大長さ
ｍ６，ｍ７ 差分
ｍ８～ｍ１０ 距離
ｍ１１～ｍ１３ 長さ
Ｐ１ 第１位置
Ｐ２ 第２位置
Ｐ３ 第３位置
Ｐ４，Ｐ６ 第１端点
Ｐ５，Ｐ７ 第２端点
Ｐ１１ 接点
Ｐ２１ 第１接点（接点）
Ｐ２２ 第２接点（接点）
Ｒ１～Ｒ１０ 領域
ｓ１ 中空空間
ｔ１，ｔ２ 厚さ
ｖ１ 空隙
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】