知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024006029
(43)【公開日】2024-01-17
(54)【発明の名称】弾性波装置、高周波モジュール、及び、通信装置
(51)【国際特許分類】
H03H 9/25 20060101AFI20240110BHJP
H01L 23/02 20060101ALI20240110BHJP
H01L 23/08 20060101ALI20240110BHJP
【ＦＩ】
H03H9/25 A
H01L23/02 B
H01L23/08 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022106565
(22)【出願日】2022-06-30
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110002527
【氏名又は名称】弁理士法人北斗特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】川崎 幸一郎
(72)【発明者】
【氏名】豊田 泰之
(72)【発明者】
【氏名】福島 正宏
(72)【発明者】
【氏名】豊永 元寛
【テーマコード（参考）】
5J097
【Ｆターム（参考）】
5J097AA24
5J097AA25
5J097BB11
5J097EE08
5J097FF04
5J097FF05
5J097HA04
5J097HA05
5J097HA07
5J097HA08
5J097JJ04
5J097JJ06
5J097JJ07
5J097JJ09
5J097JJ10
5J097KK08
5J097KK09
5J097KK10
5J097LL08
(57)【要約】
【課題】貫通電極の支持層及びカバー層に対する相対移動を低減することが可能な弾性波装置を提供する。
【解決手段】カバー層３は、樹脂及びフィラーを含む。貫通電極６は、カバー層３の貫通部が第１部分を、支持層２の貫通部が第２部分を含む。第２方向を法線方向とする一断面で、第１部分の第３方向Ｄ３の幅は、第１位置で、基板１からの距離が第１位置より長い第２位置よりも広く、第１位置と第２位置との間で第１位置からの距離が短くなるほど徐々に広がる。基板１の厚さ方向の第１方向Ｄ１は第２方向及び第３方向Ｄ３と直交し、第３方向Ｄ３は第２方向と直交する。上記一断面で、第２部分の第３方向Ｄ３の幅は、第３位置で、基板１からの距離が第３位置より長い第４位置より狭く、第３位置と第４位置との間で第３位置からの距離が短くなるほど徐々に狭まる。第１方向Ｄ１からの平面視で第１部分はフィラーと重なる。
【選択図】図２
【解決手段】カバー層３は、樹脂及びフィラーを含む。貫通電極６は、カバー層３の貫通部が第１部分を、支持層２の貫通部が第２部分を含む。第２方向を法線方向とする一断面で、第１部分の第３方向Ｄ３の幅は、第１位置で、基板１からの距離が第１位置より長い第２位置よりも広く、第１位置と第２位置との間で第１位置からの距離が短くなるほど徐々に広がる。基板１の厚さ方向の第１方向Ｄ１は第２方向及び第３方向Ｄ３と直交し、第３方向Ｄ３は第２方向と直交する。上記一断面で、第２部分の第３方向Ｄ３の幅は、第３位置で、基板１からの距離が第３位置より長い第４位置より狭く、第３位置と第４位置との間で第３位置からの距離が短くなるほど徐々に狭まる。第１方向Ｄ１からの平面視で第１部分はフィラーと重なる。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
カバー層と、
前記基板の厚さ方向である第１方向において前記基板と前記カバー層との間に配置されている支持層と、
前記カバー層と前記支持層とを前記第１方向に貫通する貫通電極と、を備え、
前記カバー層は、樹脂及びフィラーを含み、
前記貫通電極のうち前記カバー層を貫通する部分は、第１部分を含み、
前記貫通電極のうち前記支持層を貫通する部分は、第２部分を含み、
前記第１方向と直交する第２方向を法線方向とする一断面において、
前記第１部分は、前記第１方向及び前記第２方向と直交する第３方向において、第１位置における幅が、前記基板からの距離が前記第１位置よりも長い第２位置における幅よりも広く、かつ、前記第１位置と前記第２位置との間において、前記第１位置からの距離が短くなるにつれて前記第３方向の幅が徐々に広がる形状であり、
前記第２部分は、前記第３方向において、第３位置における幅が、前記基板からの距離が前記第３位置よりも長い第４位置における幅よりも狭く、かつ、前記第３位置と前記第４位置との間において、前記第３位置からの距離が短くなるにつれて前記第３方向の幅が徐々に狭くなる形状であり、
前記第１方向からの平面視において、前記第１部分は、前記フィラーと重なる、
弾性波装置。
カバー層と、
前記基板の厚さ方向である第１方向において前記基板と前記カバー層との間に配置されている支持層と、
前記カバー層と前記支持層とを前記第１方向に貫通する貫通電極と、を備え、
前記カバー層は、樹脂及びフィラーを含み、
前記貫通電極のうち前記カバー層を貫通する部分は、第１部分を含み、
前記貫通電極のうち前記支持層を貫通する部分は、第２部分を含み、
前記第１方向と直交する第２方向を法線方向とする一断面において、
前記第１部分は、前記第１方向及び前記第２方向と直交する第３方向において、第１位置における幅が、前記基板からの距離が前記第１位置よりも長い第２位置における幅よりも広く、かつ、前記第１位置と前記第２位置との間において、前記第１位置からの距離が短くなるにつれて前記第３方向の幅が徐々に広がる形状であり、
前記第２部分は、前記第３方向において、第３位置における幅が、前記基板からの距離が前記第３位置よりも長い第４位置における幅よりも狭く、かつ、前記第３位置と前記第４位置との間において、前記第３位置からの距離が短くなるにつれて前記第３方向の幅が徐々に狭くなる形状であり、
前記第１方向からの平面視において、前記第１部分は、前記フィラーと重なる、
弾性波装置。
【請求項2】
前記フィラーは、平板状、くさび状、針状、又は、繊維状の部分を含む、
請求項１に記載の弾性波装置。
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項3】
前記貫通電極の前記第１部分は、前記第３方向に突出する突出部を有する、
請求項１に記載の弾性波装置。
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項4】
前記第３方向における前記フィラーの長さは、前記突出部の前記第３方向における突出量より大きい、
請求項３に記載の弾性波装置。
請求項３に記載の弾性波装置。
【請求項5】
前記第３方向における前記フィラーの長さは、前記第１位置における前記貫通電極の前記第３方向の幅と、前記第２位置における前記貫通電極の前記第３方向の幅との差の１／２よりも大きい、
請求項１に記載の弾性波装置。
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項6】
前記カバー層は、
前記支持層と接する第１主面を含む第１領域と、
前記第１主面と対向する第２主面を含む第２領域と、を有し、
前記カバー層の前記第１領域と前記第２領域とは、いずれも前記フィラーを含む、
請求項１に記載の弾性波装置。
前記支持層と接する第１主面を含む第１領域と、
前記第１主面と対向する第２主面を含む第２領域と、を有し、
前記カバー層の前記第１領域と前記第２領域とは、いずれも前記フィラーを含む、
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項7】
機能電極を更に備え、
前記基板と前記支持層と前記カバー層とで中空空間が形成されており、
前記機能電極は前記中空空間に位置するように前記基板に配置されており、
前記一断面において、前記支持層の端は、前記基板の端まで延伸しており、
第５位置における前記支持層の厚さは、前記基板の端からの距離が前記第５位置より長い第６位置における前記支持層の厚さより薄い、
請求項１に記載の弾性波装置。
前記基板と前記支持層と前記カバー層とで中空空間が形成されており、
前記機能電極は前記中空空間に位置するように前記基板に配置されており、
前記一断面において、前記支持層の端は、前記基板の端まで延伸しており、
第５位置における前記支持層の厚さは、前記基板の端からの距離が前記第５位置より長い第６位置における前記支持層の厚さより薄い、
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項8】
前記一断面において、
前記カバー層の前記フィラーの含有率は、前記支持層のフィラーの含有率よりも大きい、
請求項１に記載の弾性波装置。
前記カバー層の前記フィラーの含有率は、前記支持層のフィラーの含有率よりも大きい、
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項9】
前記一断面において、前記支持層はフィラーを含まない、
請求項１に記載の弾性波装置。
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項10】
前記基板の厚さ方向からの平面視において前記基板は多角形状であり、
前記一断面は、前記多角形の頂点の少なくとも１つを含む、
請求項７に記載の弾性波装置。
前記一断面は、前記多角形の頂点の少なくとも１つを含む、
請求項７に記載の弾性波装置。
【請求項11】
前記支持層と前記カバー層とは、前記第１方向に接しており、
前記貫通電極の前記第１位置は、前記第２部分に接しており、
前記貫通電極の前記第４位置は、前記第１部分に接している、
請求項１に記載の弾性波装置。
前記貫通電極の前記第１位置は、前記第２部分に接しており、
前記貫通電極の前記第４位置は、前記第１部分に接している、
請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項12】
基板と、
カバー層と、
前記基板の厚さ方向である第１方向において前記基板と前記カバー層との間に配置されている支持層と、
前記カバー層と前記支持層とを前記第１方向に貫通する貫通電極と、を備え、
前記カバー層は、樹脂及びフィラーを含み、
前記貫通電極のうち前記カバー層を貫通する部分は、第１部分を含み、
前記貫通電極のうち前記支持層を貫通する部分は、第２部分を含み、
前記第１方向と直交する第２方向を法線方向とする一断面において、
前記第１部分は、前記第１方向及び前記第２方向と直交する第３方向において、第１位置における幅が、前記基板からの距離が前記第１位置よりも長い第２位置における幅よりも広く、
前記第２部分は、前記第３方向において、第３位置における幅が、前記基板からの距離が前記第３位置よりも長い第４位置における幅よりも狭く、
前記第１方向からの平面視において、前記第１部分は、前記フィラーと重なる、
弾性波装置。
カバー層と、
前記基板の厚さ方向である第１方向において前記基板と前記カバー層との間に配置されている支持層と、
前記カバー層と前記支持層とを前記第１方向に貫通する貫通電極と、を備え、
前記カバー層は、樹脂及びフィラーを含み、
前記貫通電極のうち前記カバー層を貫通する部分は、第１部分を含み、
前記貫通電極のうち前記支持層を貫通する部分は、第２部分を含み、
前記第１方向と直交する第２方向を法線方向とする一断面において、
前記第１部分は、前記第１方向及び前記第２方向と直交する第３方向において、第１位置における幅が、前記基板からの距離が前記第１位置よりも長い第２位置における幅よりも広く、
前記第２部分は、前記第３方向において、第３位置における幅が、前記基板からの距離が前記第３位置よりも長い第４位置における幅よりも狭く、
前記第１方向からの平面視において、前記第１部分は、前記フィラーと重なる、
弾性波装置。
【請求項13】
基板と、
カバー層と、
前記基板の厚さ方向である第１方向において前記基板と前記カバー層との間に配置されている支持層と、
前記カバー層と前記支持層とを前記第１方向に貫通する貫通電極と、を備え、
前記カバー層は、樹脂及びフィラーを含み、
前記貫通電極のうち前記カバー層を貫通する部分は、突出部を有し、
前記第１方向と直交する第２方向を法線方向とする一断面において、
前記突出部は前記第１方向及び前記第２方向と直交する第３方向に突出し、かつ、前記突出部の突出量は、前記基板からの距離が長くなるほど徐々に小さくなり、
前記貫通電極のうち前記支持層を貫通する部分は、前記第３方向において、前記基板からの距離が長くなるほど幅が徐々に狭くなる部分を含み、
前記第１方向からの平面視において、前記突出部は、前記フィラーと重なる、
弾性波装置。
カバー層と、
前記基板の厚さ方向である第１方向において前記基板と前記カバー層との間に配置されている支持層と、
前記カバー層と前記支持層とを前記第１方向に貫通する貫通電極と、を備え、
前記カバー層は、樹脂及びフィラーを含み、
前記貫通電極のうち前記カバー層を貫通する部分は、突出部を有し、
前記第１方向と直交する第２方向を法線方向とする一断面において、
前記突出部は前記第１方向及び前記第２方向と直交する第３方向に突出し、かつ、前記突出部の突出量は、前記基板からの距離が長くなるほど徐々に小さくなり、
前記貫通電極のうち前記支持層を貫通する部分は、前記第３方向において、前記基板からの距離が長くなるほど幅が徐々に狭くなる部分を含み、
前記第１方向からの平面視において、前記突出部は、前記フィラーと重なる、
弾性波装置。
【請求項14】
請求項１から１３のいずれか１項に記載の弾性波装置と、
前記弾性波装置が配置されている実装基板と、を備える、
高周波モジュール。
前記弾性波装置が配置されている実装基板と、を備える、
高周波モジュール。
【請求項15】
請求項１４に記載の高周波モジュールと、
前記高周波モジュールに接続されている信号処理回路と、を備える、
通信装置。
前記高周波モジュールに接続されている信号処理回路と、を備える、
通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は弾性波装置、高周波モジュール、及び、通信装置に関し、特に、基板と支持層とを備える弾性波装置、高周波モジュール、及び、通信装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、圧電基板と、外周枠支持層（支持層）と、カバー層と、柱状電極（貫通電極）と、を備える弾性表面波装置（弾性波装置）が記載されている。外周枠支持層は、圧電基板の主面に配置されている。カバー層は、外周枠支持層上に配置されている。柱状電極は、外周枠支持層と、カバー層とを貫通している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１７－１１８３６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、弾性波装置において、貫通電極がカバー層から抜ける方向に支持層及びカバー層と貫通電極とが相対移動する可能性がある。
【0005】
本発明の目的は、貫通電極の支持層及び貫通電極に対する相対移動を低減することが可能な弾性波装置、高周波モジュール及び通信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一態様に係る弾性波装置は、基板と、カバー層と、支持層と、貫通電極と、を備える。前記支持層は、第１方向において前記基板と前記カバー層との間に配置されている。前記第１方向は、前記基板の厚さ方向である。前記貫通電極は、前記カバー層と前記支持層とを第１方向に貫通する。前記カバー層は、樹脂及びフィラーを含む。前記貫通電極のうち前記カバー層を貫通する部分は、第１部分を含む。前記貫通電極のうち前記支持層を貫通する部分は、第２部分を含む。第２方向を法線とする一断面において、前記第１部分は、第３方向において、第１位置における幅が、第２位置における幅よりも広い形状である。前記第２方向は、前記第１方向と直交する。前記第３方向は、第１位置における前記第１方向及び前記第２方向と直交する。前記第２位置は、前記基板からの距離が前記第１位置よりも長い。前記一断面において、前記第１部分は、更に、前記第１位置と前記第２位置との間において、前記第１位置からの距離が短い位置ほど前記第３方向の幅が広く、前記第２位置からの距離が短い位置ほど前記第３方向の幅が狭い形状である。前記一断面において、前記第２部分は、前記第３方向において、第３位置における幅が、第４位置における幅よりも狭い形状である。前記第４位置は、前記基板からの距離が前記第３位置よりも長い。前記一断面において、前記第２部分は、更に、前記第３位置と前記第４位置との間において、前記第３位置からの距離が短い位置ほど前記第３方向の幅が狭く、前記第４位置からの距離が短い位置ほど前記第３方向の幅が広い形状である。前記第１方向からの平面視において、前記第１部分は、前記フィラーと重なる。
【0007】
本発明の他の一態様に係る弾性波装置は、基板と、カバー層と、支持層と、貫通電極と、を備える。前記支持層は、第１方向において前記基板と前記カバー層との間に配置されている。前記第１方向は、前記基板の厚さ方向である。前記貫通電極は、前記カバー層と前記支持層とを第１方向に貫通する。前記カバー層は、樹脂及びフィラーを含む。前記貫通電極のうち前記カバー層を貫通する部分は、第１部分を含む。前記貫通電極のうち前記支持層を貫通する部分は、第２部分を含む。第２方向を法線とする一断面において、前記第１部分は、第３方向において、第１位置における幅が、第２位置における幅よりも広い形状である。前記第２方向は、前記第１方向と直交する。前記第３方向は、第１位置における前記第１方向及び前記第２方向と直交する。前記第２位置は、前記基板からの距離が前記第１位置よりも長い。前記一断面において、前記第２部分は、前記第３方向において、第３位置における幅が、第４位置における幅よりも狭い形状である。前記第４位置は、前記基板からの距離が前記第３位置よりも長い。前記第１方向からの平面視において、前記第１部分は、前記フィラーと重なる。
【0008】
本発明の他の一態様に係る弾性波装置は、基板と、カバー層と、支持層と、貫通電極と、を備える。前記支持層は、第１方向において前記基板と前記カバー層との間に配置されている。前記第１方向は、前記基板の厚さ方向である。前記貫通電極は、前記カバー層と前記支持層とを前記第１方向に貫通する。前記カバー層は、樹脂及びフィラーを含む。前記貫通電極のうち前記カバー層を貫通する部分は、突出部を有する。第２方向を法線方向とする一断面において、前記突出部は第３方向に突出する。前記一断面において、前記突出部の突出量は、前記基板からの距離が長い位置ほど小さくなる。前記第２方向は、前記第１方向と直交する。前記第３方向は、前記第１方向及び前記第２方向と直交する。前記一断面において、前記貫通電極のうち前記支持層を貫通する部分は、前記第３方向において、前記基板からの距離が長い位置ほど幅が狭くなる部分を含む。前記第１方向からの平面視において、前記突出部は、前記フィラーと重なる。
【0009】
本発明の一態様に係る高周波モジュールは、前記弾性波装置と、実装基板と、を備える。前記実装基板には、前記弾性波装置が配置されている。
【0010】
本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールに接続されている。
【発明の効果】
【0011】
本発明の一態様に係る弾性波装置、高周波モジュール、及び通信装置によれば、弾性波装置において貫通電極の支持層及び貫通電極に対する相対移動を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、実施形態１～１１に係る弾性波装置、高周波モジュール及び通信装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の実施形態１～１１等において参照する各図は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
【0014】
（実施形態１）
（１）弾性波装置、高周波モジュール及び通信装置の構成
実施形態１に係る弾性波装置、高周波モジュール及び通信装置の構成について、図面を参照して説明する。
（１）弾性波装置、高周波モジュール及び通信装置の構成
実施形態１に係る弾性波装置、高周波モジュール及び通信装置の構成について、図面を参照して説明する。
【0015】
（１．１）弾性波装置
実施形態１に係る弾性波装置１０は、図２に示すように、基板１と、支持層２と、カバー層３と、を備える。支持層２は、基板１の厚さ方向（以下、「第１方向」という）Ｄ１において基板１とカバー層３との間に配置されている。弾性波装置１０では、基板１と支持層２とカバー層３とで中空空間ｓ１が形成されている。中空空間ｓ１は、後述の機能電極４を配置するための空間である。カバー層３は、図３に示すように、樹脂３１及びフィラー３２を含む。
実施形態１に係る弾性波装置１０は、図２に示すように、基板１と、支持層２と、カバー層３と、を備える。支持層２は、基板１の厚さ方向（以下、「第１方向」という）Ｄ１において基板１とカバー層３との間に配置されている。弾性波装置１０では、基板１と支持層２とカバー層３とで中空空間ｓ１が形成されている。中空空間ｓ１は、後述の機能電極４を配置するための空間である。カバー層３は、図３に示すように、樹脂３１及びフィラー３２を含む。
【0016】
また、実施形態１に係る弾性波装置１０は、図２に示すように、複数（図示例では２つ）の機能電極４と複数（図示例では２つ）の配線電極５と、複数（図示例では２つ）の貫通電極６と、複数（図示例では２つ）の外部接続電極７と、を更に備える。
【0017】
実施形態１に係る弾性波装置１０は、ＷＬＰ（Wafer Level Package）型の弾性波装置であり、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタとして用いられる。ＷＬＰ型の弾性波装置１０とは、支持層２、カバー層３、機能電極４、配線電極５、貫通電極６及び外部接続電極７を基板１に実装するための工程をウェハレベルで行い、最後に、ウェハを切断して得られる弾性波装置である。
【0018】
（１．２）高周波モジュール
高周波モジュール２０は、図１に示すように、例えば、通信装置１００に用いられる。通信装置１００は、例えば、スマートフォンのような携帯電話である。なお、通信装置１００は、携帯電話であることに限定されず、例えば、スマートウォッチのようなウェアラブル端末等であってもよい。高周波モジュール２０は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（登録商標、Third Generation Partnership Project） ＬＴＥ（登録商標、Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ ＮＲ（New Radio）である。
高周波モジュール２０は、図１に示すように、例えば、通信装置１００に用いられる。通信装置１００は、例えば、スマートフォンのような携帯電話である。なお、通信装置１００は、携帯電話であることに限定されず、例えば、スマートウォッチのようなウェアラブル端末等であってもよい。高周波モジュール２０は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（登録商標、Third Generation Partnership Project） ＬＴＥ（登録商標、Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ ＮＲ（New Radio）である。
【0019】
高周波モジュール２０は、図２に示すように、弾性波装置１０と、実装基板１１と、を備える。実装基板１１には、弾性波装置１０が配置されている。また、高周波モジュール２０は、樹脂層１２と、金属電極層１３と、を更に備える。ただし、高周波モジュール２０において、樹脂層１２及び金属電極層１３は、必須の構成要素ではない。
【0020】
実装基板１１は、図２に示すように、実装基板１１の厚さ方向（第１方向Ｄ１）において互いに対向する主面１１１及び主面１１２を有する。主面１１１には、弾性波装置１０が配置されている。なお、弾性波装置１０において、弾性波装置１０の一部が実装基板１１の主面１１１に実装されており、弾性波装置１０の残りが実装基板１１に内装されていてもよい。
【0021】
樹脂層１２は、図２に示すように、実装基板１１の主面１１１に配置されている。樹脂層１２は、実装基板１１の主面１１１に配置されている弾性波装置１０を覆っている。樹脂層１２は、電気絶縁性を有する。樹脂層１２は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。樹脂層１２は、樹脂のほかにフィラーを含んでもよい。
【0022】
金属電極層１３は、図２に示すように、樹脂層１２を覆っている。金属電極層１３は、導電性を有する。高周波モジュール２０では、金属電極層１３は、例えば、高周波モジュール２０の内外の電磁シールドを目的として設けられているシールド層である。金属電極層１３は、複数の金属層を積層した多層構造を有しているが、多層構造に限らず、１つの金属層であってもよい。１つの金属層は、１又は複数種の金属を含む。金属電極層１３は、樹脂層１２における実装基板１１側とは反対側の主面１２１と、樹脂層１２の外周面（図示せず）と、実装基板１１の外周面（図示せず）と、を覆っている。金属電極層１３は、実装基板１１のグランド層（図示せず）の外周面の少なくとも一部と接触している。これにより、金属電極層１３の電位をグランド層の電位と同じにすることができる。
【0023】
（１．３）通信装置
通信装置１００は、図１に示すように、高周波モジュール２０と、信号処理回路３０と、アンテナ４０と、を備える。信号処理回路３０は、高周波モジュール２０に接続されている。通信装置１００は、高周波モジュール２０が実装された回路基板（図示せず）を更に備える。回路基板は、例えば、プリント配線板である。回路基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。
通信装置１００は、図１に示すように、高周波モジュール２０と、信号処理回路３０と、アンテナ４０と、を備える。信号処理回路３０は、高周波モジュール２０に接続されている。通信装置１００は、高周波モジュール２０が実装された回路基板（図示せず）を更に備える。回路基板は、例えば、プリント配線板である。回路基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。
【0024】
アンテナ４０は、高周波モジュール２０のアンテナ端子（図示せず）に接続されている。アンテナ４０は、高周波モジュール２０から出力された送信信号を電波にて放射する送信機能と、受信信号を電波として外部から受信して高周波モジュール２０に出力する受信機能と、を有する。
【0025】
信号処理回路３０は、ＲＦ信号処理回路３０１と、ベースバンド信号処理回路３０２と、を含む。信号処理回路３０は、高周波モジュール２０を通る信号を処理する。より詳細には、信号処理回路３０は、送信信号及び受信信号を処理する。
【0026】
ＲＦ信号処理回路３０１は、例えば、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）である。ＲＦ信号処理回路３０１は、高周波信号に対する信号処理を行う。
【0027】
ＲＦ信号処理回路３０１は、ベースバンド信号処理回路３０２から出力された高周波信号に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を高周波モジュール２０に出力する。
【0028】
また、ＲＦ信号処理回路３０１は、高周波モジュール２０から出力された高周波信号に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路３０２に出力する。
【0029】
ベースバンド信号処理回路３０２は、例えば、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路３０２は、信号処理回路３０の外部からの送信信号に対する所定の信号処理を行う。ベースバンド信号処理回路３０２で処理された受信信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、又は、通話のための音声信号として使用される。
【0030】
（２）弾性波装置の各構成要素
次に、弾性波装置１０の各構成要素について、図面を参照して説明する。
次に、弾性波装置１０の各構成要素について、図面を参照して説明する。
【0031】
（２．１）基板
基板１は、例えば、圧電性基板である。より詳細には、基板１は、例えば、圧電基板である。圧電基板の材料は、例えば、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、又は、水晶である。
基板１は、例えば、圧電性基板である。より詳細には、基板１は、例えば、圧電基板である。圧電基板の材料は、例えば、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、又は、水晶である。
【0032】
基板１は、図２に示すように、第１方向Ｄ１において互いに対向する主面１０１及び主面１０２を有する。第１方向Ｄ１からの平面視で、基板１は長方形状であるが、これに限らず、例えば正方形状であってもよい。基板１は、後述の支持層２の枠状部２１及びカバー層３と共に中空空間ｓ１を形成する。すなわち、中空空間ｓ１は、基板１と支持層２とカバー層３とで形成されている。中空空間ｓ１には、例えば、空気、不活性ガス（例えば、窒素ガス）等の気体が封入されている。
【0033】
（２．２）支持層
支持層２は、図２に示すように、基板１の主面１０１上に形成されており、第１方向Ｄ１において基板１とカバー層３との間に配置されている。支持層２は、枠状部２１と、柱状部２２と、を有する。
支持層２は、図２に示すように、基板１の主面１０１上に形成されており、第１方向Ｄ１において基板１とカバー層３との間に配置されている。支持層２は、枠状部２１と、柱状部２２と、を有する。
【0034】
枠状部２１は、第１方向Ｄ１からの平面視において矩形の形状であり、基板１の主面１０１に配置されている複数の機能電極４を囲んでいる。また、枠状部２１は、第１方向Ｄ１からの平面視において基板１の外縁に沿って形成されている。
【0035】
柱状部２２は、第１方向Ｄ１と直交する方向である第２方向Ｄ２からの平面視において矩形状であり、第２方向Ｄ２に沿って伸びている。ここでいう「第２方向Ｄ２」は、後述の図５の「第２方向Ｄ２」に相当する方向である。柱状部２２は、例えば、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２と直交する第３方向Ｄ３に沿って並ぶ２つの機能電極４の間に位置し、中空空間ｓ１を２つの空間に区切っている。ここで、第２方向Ｄ２及び第３方向Ｄ３の各々は、基板１の主面１０１（又は主面１０２）と平行な方向である。
【0036】
支持層２は、電気絶縁性を有する。支持層２の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。なお、支持層２は、フィラーを含まない。なお、支持層２は、フィラーを含まない構成に限定されず、フィラーを含んでもよい。
【0037】
（２．３）カバー層
カバー層３は、例えば、平板状である。カバー層３は、第１方向Ｄ１からの平面視において長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば、正方形状であってもよい。カバー層３は、第１方向Ｄ１からの平面視において基板１と略同じ大きさである。カバー層３は、支持層２上に配置されている。
カバー層３は、例えば、平板状である。カバー層３は、第１方向Ｄ１からの平面視において長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば、正方形状であってもよい。カバー層３は、第１方向Ｄ１からの平面視において基板１と略同じ大きさである。カバー層３は、支持層２上に配置されている。
【0038】
カバー層３は、第１方向Ｄ１において互いに対向する第１主面３４及び第２主面３５を有する。カバー層３の第１主面３４は、少なくとも一部が支持層２と接している。カバー層３の厚さは、例えば、３０μｍ以上６０μｍ以下である。
【0039】
カバー層３は、電気絶縁性を有する。カバー層３は、図３に示すように、樹脂３１及び複数のフィラー３２を含む。樹脂３１は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はフェノール樹脂であるが、これらの材料に限定されない。フィラー３２の材料は、例えば、無機材料である。フィラー３２の材料は、例えば、酸化シリカやセラミック等の無機材料であるが、これに限定されない。また、フィラー３２の形状は、例えば、球状である。フィラー３２の直径は、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下である。なお、フィラー３２の形状は、球状に限らず、例えば、板状、うろこ状、くさび状、針状、繊維状であってもよい。フィラー３２は、少なくとも第１方向Ｄ１において、カバー層３の全域に含まれる。したがって、すなわち、カバー層３は、第１主面３４を含む第１領域３４１において、フィラー３２を含む。また、カバー層３は、第２主面３５を含む第２領域３５１において、フィラー３２を含む。実施形態１に係るカバー層３は、カバー層３の全域においてフィラー３２を含んでいる。
【0040】
（２．４）機能電極
図２に示すように、複数の機能電極４の各々は、例えば、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極である。ＩＤＴ電極の材料は、例えば、アルミニウム、銅、白金、金、銀、チタン、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料である。また、ＩＤＴ電極は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。
図２に示すように、複数の機能電極４の各々は、例えば、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極である。ＩＤＴ電極の材料は、例えば、アルミニウム、銅、白金、金、銀、チタン、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料である。また、ＩＤＴ電極は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。
【0041】
ＩＤＴ電極は、図示を省略するが、第１バスバーと、第２バスバーと、複数の第１電極指と、複数の第２電極指と、を含む。ＩＤＴ電極は、基板１の主面１０１に配置されている。
【0042】
第１バスバーは、第３方向Ｄ３を長手方向とする長尺状に形成されており、複数の第１電極指と電気的に接続されている。第２バスバーは、第３方向Ｄ３を長手方向とする長尺状に形成されており、複数の第２電極指と電気的に接続されている。
【0043】
複数の第１電極指は、第３方向Ｄ３に沿って等間隔に並んでいる。複数の第１電極指の各々は、第２方向Ｄ２を長手方向とする長尺状に形成されている。複数の第２電極指は、第３方向Ｄ３において等間隔に並んでいる。複数の第２電極指の各々は、第２方向Ｄ２を長手方向とする長尺状に形成されている。複数の第１電極指及び複数の第２電極指は、第３方向Ｄ３において１本ずつ交互に並んでいる。
【0044】
第１電極指及び第２電極指の幅をＷＡとし、隣り合う第１電極指と第２電極指とのスペース幅をＳＡとした場合、ＩＤＴ電極において、デューティ比は、ＷＡ／（ＷＡ＋ＳＡ）で定義される。ＩＤＴ電極のデューティ比は、例えば、０．５である。ＩＤＴ電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたとき、波長λは、電極指周期と等しい。電極指周期は、複数の第１電極指又は複数の第２電極指の繰り返し周期ＰλＡで定義される。したがって、繰り返し周期ＰλＡとλとは等しい。ＩＤＴ電極のデューティ比は、電極指周期の２分の１の値（ＷＡ＋ＳＡ）に対する第１電極指及び第２電極指の幅ＷＡの比である。
【0045】
（２．５）配線電極
配線電極５は、外部接続電極７と機能電極４とを電気的に接続している。配線電極５の材料は、例えば、アルミニウム、銅、白金、金、銀、チタン、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料である。また、配線電極５は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。図２の例では、配線電極５は２層構造である。
配線電極５は、外部接続電極７と機能電極４とを電気的に接続している。配線電極５の材料は、例えば、アルミニウム、銅、白金、金、銀、チタン、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料である。また、配線電極５は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。図２の例では、配線電極５は２層構造である。
【0046】
（２．６）貫通電極
貫通電極６は、第１方向Ｄ１において、支持層２とカバー層３とを貫通している。貫通電極６は、配線電極５上に形成されており、配線電極５と電気的に接続されている。貫通電極６は、アンダーバンプメタル層を形成する。貫通電極６の材料は、例えば、銅、ニッケル又はこれらの金属を主体とする合金等の適宜の金属材料である。
貫通電極６は、第１方向Ｄ１において、支持層２とカバー層３とを貫通している。貫通電極６は、配線電極５上に形成されており、配線電極５と電気的に接続されている。貫通電極６は、アンダーバンプメタル層を形成する。貫通電極６の材料は、例えば、銅、ニッケル又はこれらの金属を主体とする合金等の適宜の金属材料である。
【0047】
（２．７）外部接続電極
複数の外部接続電極７の各々は、貫通電極６上に形成されている。外部接続電極７は、例えば、バンプである。外部接続電極７は、導電性を有する。外部接続電極７は、貫通電極６と接合されており、貫通電極６と電気的に接続されている。外部接続電極７の材料は、例えば、はんだ、金、又は銅等である。なお、外部接続電極７は、プローブ痕が残っていてもよい。プローブ痕は、弾性波装置１０の電気的な異常を検査するためのプローブによる検査痕である。プローブ痕は、実装基板１１への実装前の外部接続電極７に発生するが、実装基板１１への実装後の外部接続電極７に残っていてもよい。
複数の外部接続電極７の各々は、貫通電極６上に形成されている。外部接続電極７は、例えば、バンプである。外部接続電極７は、導電性を有する。外部接続電極７は、貫通電極６と接合されており、貫通電極６と電気的に接続されている。外部接続電極７の材料は、例えば、はんだ、金、又は銅等である。なお、外部接続電極７は、プローブ痕が残っていてもよい。プローブ痕は、弾性波装置１０の電気的な異常を検査するためのプローブによる検査痕である。プローブ痕は、実装基板１１への実装前の外部接続電極７に発生するが、実装基板１１への実装後の外部接続電極７に残っていてもよい。
【0048】
（３）貫通電極の詳細
（３．１）貫通電極とカバー層との関係
貫通電極６は、図３に示すように、第２方向Ｄ２を法線方向とする一断面ＣＳ１において、以下の条件（第１の条件、第２の条件）を満たす第１部分６１を含む。第１の条件として、一断面ＣＳ１における第１部分６１の形状は、図３に示すように、位置Ｐ１における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ１が、位置Ｐ２における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ２より広い。幅ｄ１は、例えば、７５μｍ以上８５μｍ以下である。幅ｄ２は、例えば、７０μｍ以上８０μｍ以下である。ここで、位置Ｐ１及び位置Ｐ２は、いずれも貫通電極６内の位置であって、第１方向Ｄ１に沿って並ぶ。さらに、位置Ｐ２と基板１との間の距離は、位置Ｐ１と基板１との距離よりも長い。すなわち、位置Ｐ２は、基板１からの距離が位置Ｐ１よりも長い。第１方向Ｄ１において、位置Ｐ１は、位置Ｐ２と基板１との間に存在する。第２の条件として、一断面ＣＳ１における第１部分６１の形状は、位置Ｐ１と位置Ｐ２との間において、位置Ｐ１からの距離が短くなるにつれて貫通電極６の第３方向に沿った幅が徐々に広がる形状である。ここで、「位置Ｐ１からの距離が短くなるにつれて貫通電極６の第３方向に沿った幅が徐々に広がる」とは、位置Ｐ１と位置Ｐ２との間のいずれかの位置において、貫通電極６の第３方向に沿った幅が、位置Ｐ１における幅ｄ１よりも狭く、かつ、位置Ｐ２における幅ｄ２より広いことをいう。例えば、貫通電極６は、位置Ｐ１からの距離が短い位置ほど貫通電極６の第３方向Ｄ３に沿った幅が広く、位置Ｐ２からの距離が短い位置ほど貫通電極６の第３方向Ｄ３に沿った幅が狭い。但し、貫通電極６の第３方向に沿った幅は、位置Ｐ１と位置Ｐ２との間において幅ｄ１を超えなければよく、必ずしも基板１に近づくほど貫通電極６の第３方向に沿った幅が単純増加しなくてもよい。
（３．１）貫通電極とカバー層との関係
貫通電極６は、図３に示すように、第２方向Ｄ２を法線方向とする一断面ＣＳ１において、以下の条件（第１の条件、第２の条件）を満たす第１部分６１を含む。第１の条件として、一断面ＣＳ１における第１部分６１の形状は、図３に示すように、位置Ｐ１における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ１が、位置Ｐ２における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ２より広い。幅ｄ１は、例えば、７５μｍ以上８５μｍ以下である。幅ｄ２は、例えば、７０μｍ以上８０μｍ以下である。ここで、位置Ｐ１及び位置Ｐ２は、いずれも貫通電極６内の位置であって、第１方向Ｄ１に沿って並ぶ。さらに、位置Ｐ２と基板１との間の距離は、位置Ｐ１と基板１との距離よりも長い。すなわち、位置Ｐ２は、基板１からの距離が位置Ｐ１よりも長い。第１方向Ｄ１において、位置Ｐ１は、位置Ｐ２と基板１との間に存在する。第２の条件として、一断面ＣＳ１における第１部分６１の形状は、位置Ｐ１と位置Ｐ２との間において、位置Ｐ１からの距離が短くなるにつれて貫通電極６の第３方向に沿った幅が徐々に広がる形状である。ここで、「位置Ｐ１からの距離が短くなるにつれて貫通電極６の第３方向に沿った幅が徐々に広がる」とは、位置Ｐ１と位置Ｐ２との間のいずれかの位置において、貫通電極６の第３方向に沿った幅が、位置Ｐ１における幅ｄ１よりも狭く、かつ、位置Ｐ２における幅ｄ２より広いことをいう。例えば、貫通電極６は、位置Ｐ１からの距離が短い位置ほど貫通電極６の第３方向Ｄ３に沿った幅が広く、位置Ｐ２からの距離が短い位置ほど貫通電極６の第３方向Ｄ３に沿った幅が狭い。但し、貫通電極６の第３方向に沿った幅は、位置Ｐ１と位置Ｐ２との間において幅ｄ１を超えなければよく、必ずしも基板１に近づくほど貫通電極６の第３方向に沿った幅が単純増加しなくてもよい。
【0049】
これにより、第１方向Ｄ１に沿って貫通電極６がカバー層３から脱落する向きに、貫通電極６がカバー層３に対して相対移動することを低減することができる。実施形態１では、貫通電極６のカバー層３を貫通する部分は全体が第１部分６１である。したがって、実施形態１では、位置Ｐ１は、カバー層３の支持層２との境界面を含む平面と貫通電極６とが交差する領域内に存在する。また、位置Ｐ２は、カバー層３の第２主面３５を含む平面と貫通電極６とが交差する領域内に存在する。なお、貫通電極６のカバー層３を貫通する部分は全域が第１部分６１である必要はなく、貫通電極６のカバー層３を貫通する部分の少なくとも一部が第１部分６１であればよい。
【0050】
貫通電極６の第１部分６１の一断面ＣＳ１における形状は、例えば、台形である。また、貫通電極６の第１部分６１の一断面ＣＳ１における形状は、例えば、略台形であってもよい。上述したように、カバー層３はフィラー３２を含む。したがって、カバー層３と貫通電極６との境界面は滑らかな平面ではなく凹凸が存在している場合がある。貫通電極６の第１部分６１の一断面ＣＳ１における形状が略台形であるとは、一断面ＣＳ１においてカバー層３と貫通電極６の第１部分６１との境界を直線で近似した場合の形状が台形であることをいう。
【0051】
貫通電極６の第１部分６１の形状は、例えば、円錐台状である。または、貫通電極６の第１部分６１は、中心部６１１と、第３方向Ｄ３に突出する突出部６１２とを含む、としてもよい。中心部６１１とは、貫通電極６の支持層２を貫通する部分における形状と同一の形状の部分であり、突出部６１２とは、中心部６１１から第３方向Ｄ３に突出する部分である。突出部６１２は、例えば、支持層２からの距離が長い位置Ｐ２では第３方向Ｄ３に沿った突出量が小さく、支持層２からの距離が短い位置Ｐ１では第３方向Ｄ３に沿った突出量が大きい。実施形態１では、位置Ｐ１において、突出部６１２は、突出量ｍ２である。突出量ｍ２は、例えば、位置Ｐ１における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ１と位置Ｐ２における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ２の差の１／２である長さ（ｄ１－ｄ２）／２と等しい。
【0052】
（３．２）貫通電極と支持層との関係
貫通電極６は、一断面ＣＳ１の少なくとも一部において、以下の条件を満たす第２部分６２を含む。ここで、第２部分６２は、以下の条件を満たす形状を有している。第１の条件として、一断面ＣＳ１において第２部分６２の形状は、図３に示すように、位置Ｐ３における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ３が、位置Ｐ４における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ４より狭い。幅ｄ３は、例えば、６５μｍ以上７０μｍである。また、幅ｄ４は、例えば、７０μｍ以上７５μｍ以下である。ここで、位置Ｐ３及び位置Ｐ４は、いずれも貫通電極６内の位置であって、第１方向Ｄ１に沿って並ぶ。さらに、位置Ｐ４と基板１との間の距離は、位置Ｐ３と基板１との距離よりも長い。すなわち、位置Ｐ４は、基板１からの距離が位置Ｐ３よりも長い。第１方向Ｄ１において、位置Ｐ３は、位置Ｐ４と基板１との間に存在する。第２の条件として、一断面ＣＳ１において第２部分６２の形状は、位置Ｐ３と位置Ｐ４との間において、位置Ｐ３からの距離が短くなるにつれて貫通電極６の第３方向に沿った幅が徐々に狭くなる形状である。ここで、「位置Ｐ３からの距離が短くなるにつれて貫通電極６の第３方向に沿った幅が徐々に狭くなる」とは、位置Ｐ３と位置Ｐ４との間のいずれかの位置において、貫通電極６の第３方向に沿った幅が、位置Ｐ３における幅ｄｄよりも広く、かつ、位置Ｐ４における幅ｄ４より狭いことをいう。例えば、貫通電極６は、位置Ｐ３からの距離が短い位置ほど貫通電極６の第３方向Ｄ３に沿った幅が狭く、位置Ｐ４からの距離が短い位置ほど貫通電極６の第３方向Ｄ３に沿った幅が広い。但し、貫通電極６の第３方向に沿った幅は、位置Ｐ３と位置Ｐ４との間において幅ｄ４を超えなければよく、必ずしも基板１に近づくほど貫通電極６の第３方向に沿った幅が単純減少しなくてもよい。
貫通電極６は、一断面ＣＳ１の少なくとも一部において、以下の条件を満たす第２部分６２を含む。ここで、第２部分６２は、以下の条件を満たす形状を有している。第１の条件として、一断面ＣＳ１において第２部分６２の形状は、図３に示すように、位置Ｐ３における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ３が、位置Ｐ４における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ４より狭い。幅ｄ３は、例えば、６５μｍ以上７０μｍである。また、幅ｄ４は、例えば、７０μｍ以上７５μｍ以下である。ここで、位置Ｐ３及び位置Ｐ４は、いずれも貫通電極６内の位置であって、第１方向Ｄ１に沿って並ぶ。さらに、位置Ｐ４と基板１との間の距離は、位置Ｐ３と基板１との距離よりも長い。すなわち、位置Ｐ４は、基板１からの距離が位置Ｐ３よりも長い。第１方向Ｄ１において、位置Ｐ３は、位置Ｐ４と基板１との間に存在する。第２の条件として、一断面ＣＳ１において第２部分６２の形状は、位置Ｐ３と位置Ｐ４との間において、位置Ｐ３からの距離が短くなるにつれて貫通電極６の第３方向に沿った幅が徐々に狭くなる形状である。ここで、「位置Ｐ３からの距離が短くなるにつれて貫通電極６の第３方向に沿った幅が徐々に狭くなる」とは、位置Ｐ３と位置Ｐ４との間のいずれかの位置において、貫通電極６の第３方向に沿った幅が、位置Ｐ３における幅ｄｄよりも広く、かつ、位置Ｐ４における幅ｄ４より狭いことをいう。例えば、貫通電極６は、位置Ｐ３からの距離が短い位置ほど貫通電極６の第３方向Ｄ３に沿った幅が狭く、位置Ｐ４からの距離が短い位置ほど貫通電極６の第３方向Ｄ３に沿った幅が広い。但し、貫通電極６の第３方向に沿った幅は、位置Ｐ３と位置Ｐ４との間において幅ｄ４を超えなければよく、必ずしも基板１に近づくほど貫通電極６の第３方向に沿った幅が単純減少しなくてもよい。
【0053】
これにより、第１方向Ｄ１に沿って貫通電極６が基板１に入り込む向きに、貫通電極６が支持層２に対して相対移動することを低減することができる。実施形態１では、貫通電極６の支持層２を貫通する部分は大部分が第２部分６２である。なお、貫通電極６の支持層２を貫通する部分は全域が第２部分６２であってもよく、第４位置Ｐ４が、支持層２のカバー層３との境界面を含む平面と貫通電極６とが交差する領域内に存在してもよい。
【0054】
貫通電極６の第２部分６２の一断面ＣＳ１における形状は、例えば、台形である。また、貫通電極６の第２部分６２の形状は、例えば、円錐台状である。なお、貫通電極６の第２部分６２の形状は円錐台状に限られず、例えば、四角錐台状などの多角錐台状であってもよい。また、貫通電極６の第２部分６２は、一断面ＣＳ１における形状と、第３方向Ｄ３を法線方向とする断面における形状とが異なっていてもよい。
【0055】
（３．３）貫通電極とカバー層に含まれるフィラーとの関係
一断面ＣＳ１において、貫通電極６の第１部分６１の少なくとも一部と、カバー層３に含まれる少なくとも１つのフィラー３２１の少なくとも一部とは第１方向Ｄ１に沿って並ぶ。したがって、第１方向Ｄ１からの平面視において、貫通電極６の第１部分６１の少なくとも一部と、カバー層３に含まれる少なくとも１つのフィラー３２１の少なくとも一部とが重なる。より詳細には、フィラー３２１の少なくとも一部より支持層２側に、貫通電極６の第１部分６１の少なくとも一部が位置している。したがって、第１方向Ｄ１に沿って貫通電極６がカバー層３から脱落する方向に、貫通電極６がカバー層３に対して相対移動することをフィラー３２１が妨げる。すなわち、第１方向Ｄ１に沿った方向の貫通電極６とカバー層３との相対移動を低減することが可能となる。
一断面ＣＳ１において、貫通電極６の第１部分６１の少なくとも一部と、カバー層３に含まれる少なくとも１つのフィラー３２１の少なくとも一部とは第１方向Ｄ１に沿って並ぶ。したがって、第１方向Ｄ１からの平面視において、貫通電極６の第１部分６１の少なくとも一部と、カバー層３に含まれる少なくとも１つのフィラー３２１の少なくとも一部とが重なる。より詳細には、フィラー３２１の少なくとも一部より支持層２側に、貫通電極６の第１部分６１の少なくとも一部が位置している。したがって、第１方向Ｄ１に沿って貫通電極６がカバー層３から脱落する方向に、貫通電極６がカバー層３に対して相対移動することをフィラー３２１が妨げる。すなわち、第１方向Ｄ１に沿った方向の貫通電極６とカバー層３との相対移動を低減することが可能となる。
【0056】
また、フィラー３２１の第３方向Ｄ３における幅ｍ１は、以下の条件を満たしてもよい。フィラー３２１の第３方向Ｄ３における幅ｍ１は、突出部６１２の突出量より大きくてもよい。例えば、フィラー３２１の第３方向Ｄ３における幅ｍ１は、図３では突出部６１２の突出量ｍ２より小さいが、突出部６１２の突出量ｍ２より大きい構成であってもよい。これにより、フィラー３２１と貫通電極６との間のアンカー効果がより強化されるため、第１方向Ｄ１に沿って貫通電極６がカバー層３から脱落する向きに、貫通電極６がカバー層３に対して相対移動することを低減する効果がより強化される。
【0057】
また、フィラー３２１の第３方向Ｄ３における幅ｍ１は、第１部分６１の第１位置Ｐ１における貫通電極６の第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ１と、第２位置Ｐ２における貫通電極６の第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ２との差の１／２である長さ（ｄ１－ｄ２）／２より大きくてもよい。これにより、フィラー３２１と貫通電極６との間のアンカー効果がより強化されるため、第１方向Ｄ１に沿って貫通電極６がカバー層３から脱落する向きに、貫通電極６がカバー層３に対して相対移動することを低減することがより強化される。
【0058】
（３．４）カバー層のフィラー含有率と支持層のフィラー含有率との関係
カバー層３に含まれるフィラー３２の含有率は、支持層２のフィラーの含有率より大きいことが好ましい。特に、カバー層３の支持層２との界面付近のフィラー含有率は、支持層２のカバー層３との界面付近のフィラー含有率より大きいことが好ましい。
カバー層３に含まれるフィラー３２の含有率は、支持層２のフィラーの含有率より大きいことが好ましい。特に、カバー層３の支持層２との界面付近のフィラー含有率は、支持層２のカバー層３との界面付近のフィラー含有率より大きいことが好ましい。
【0059】
ここで、支持層２及びカバー層３におけるフィラーの含有率について説明する。支持層２におけるフィラーの含有率とは、支持層２の単位体積当たりのフィラーの体積の割合である。また、カバー層３におけるフィラー３２の含有率とは、カバー層３の単位体積当たりのフィラー３２の体積の割合である。なお、一断面ＣＳ１における支持層２の単位面積当たりのフィラーの面積の割合を、支持層２におけるフィラーの含有率であるとみなしてもよい。同様に、一断面ＣＳ１におけるカバー層３の単位面積当たりのフィラー３２の断面積の割合を、カバー層３におけるフィラー３２の含有率であるとみなしてもよい。なお、単位面積に対応する領域は、支持層２とカバー層３との境界面付近であることが好ましい。また、単位面積は、第３方向Ｄ３における幅が、貫通電極６の第３方向Ｄ３における幅と同程度以上であることが好ましい。
【0060】
図４は、実施形態１に係る弾性波装置１０において、支持層２及びカバー層３におけるフィラーの含有率の算出方法を示す拡大断面図である。カバー層３におけるフィラー３２の含有率は、図４に示すように、領域３３の面積に占めるフィラー３２の断面積の合計値の割合である。ここで、領域３３は、第１方向Ｄ１において支持層２と接しており、かつ、第３方向Ｄ３における幅ｍ３は、貫通電極６の第３方向Ｄ３における幅より大きいことが好ましい。一方、支持層２におけるフィラーの含有率は、領域２３の面積に占めるフィラーの断面積の合計値の割合である。領域２３は、第１方向Ｄ１においてカバー層３と接しており、かつ、第３方向Ｄ３における幅ｍ３が貫通電極６の第３方向Ｄ３における幅以上である。ここで、支持層２はフィラーを含まないから、フィラーの含有率は０である。したがって、カバー層３のフィラー３２の含有率がどの程度にあるかに関わらず、実施形態１に係る弾性波装置１０では、カバー層３に含まれるフィラー３２の含有率は、支持層２のフィラーの含有率より大きい。また、実施形態１に係る弾性波装置１０では、カバー層３の支持層２との界面付近のフィラー含有率は、支持層２のカバー層３との界面付近のフィラー含有率よりも大きい。
【0061】
（４）効果
実施形態１に係る弾性波装置１０では、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２を法線方向とする一断面ＣＳ１において、貫通電極６のカバー層３を貫通する部分が第１部分６１を少なくとも含む。第１部分６１は、一断面ＣＳ１において、基板１からの距離が短い位置Ｐ１における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ１が、基板１からの距離が長い位置Ｐ２における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ２よりも広い。また、第１部分６１は、一断面ＣＳ１において、位置Ｐ１と位置Ｐ２との間における第３方向Ｄ３に沿った幅は、位置Ｐ１からの距離が短い位置ほど広く、位置Ｐ２からの距離が短い位置ほど狭い。これにより、貫通電極６がカバー層３から脱落することを抑止することができる。
実施形態１に係る弾性波装置１０では、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２を法線方向とする一断面ＣＳ１において、貫通電極６のカバー層３を貫通する部分が第１部分６１を少なくとも含む。第１部分６１は、一断面ＣＳ１において、基板１からの距離が短い位置Ｐ１における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ１が、基板１からの距離が長い位置Ｐ２における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ２よりも広い。また、第１部分６１は、一断面ＣＳ１において、位置Ｐ１と位置Ｐ２との間における第３方向Ｄ３に沿った幅は、位置Ｐ１からの距離が短い位置ほど広く、位置Ｐ２からの距離が短い位置ほど狭い。これにより、貫通電極６がカバー層３から脱落することを抑止することができる。
【0062】
また、実施形態１に係る弾性波装置１０では、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２を法線方向とする一断面ＣＳ１において、貫通電極６の支持層２を貫通する部分が第２部分６２を少なくとも含む。第２部分６２は、一断面ＣＳ１において、基板１からの距離が短い位置Ｐ３における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ３が、基板１からの距離が長い位置Ｐ４における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ４よりも狭い。また、第２部分６２は、一断面ＣＳ１において、位置Ｐ３と位置Ｐ４との間における第３方向Ｄ３に沿った幅は、位置Ｐ３からの距離が短い位置ほど狭く、位置Ｐ４からの距離が短い位置ほど広い。これにより、貫通電極６が基板１に入り込む方向に、貫通電極６が支持層２に対して相対移動することを低減させることが可能となる。
【0063】
また、実施形態１に係る弾性波装置１０では、カバー層３に含まれる少なくとも１つのフィラー３２１の第３方向Ｄ３における幅ｍ１は、以下の条件を満たす。フィラー３２１の第３方向Ｄ３における幅ｍ１は、突出部６１２の突出量ｍ２より大きい。これにより、フィラー３２１と貫通電極６との間のアンカー効果が発揮されるため、第１方向Ｄ１に沿って貫通電極６がカバー層３から脱落する向きに、貫通電極６がカバー層３に対して相対移動することを低減させることが可能となる。
【0064】
また、実施形態１に係る弾性波装置１０では、フィラー３２１の第３方向Ｄ３における幅ｍ１は、第１部分６１の位置Ｐ１における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ１と、位置Ｐ２における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ２との差の１／２より大きい。これにより、フィラー３２１と貫通電極６との間のアンカー効果が発揮されるため、第１方向Ｄ１に沿って貫通電極６がカバー層３から脱落する向きに、貫通電極６がカバー層３に対して相対移動することを低減させることが可能となる。
【0065】
（実施形態２）
実施形態２に係る弾性波装置１０について、図面を参照して説明する。実施形態２に係る弾性波装置に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同様の符号を付して説明を省略する。なお、図５の二点鎖線５０は、弾性波装置１０のパッケージの外縁（以下、「パッケージ外縁５０」という）である。
実施形態２に係る弾性波装置１０について、図面を参照して説明する。実施形態２に係る弾性波装置に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同様の符号を付して説明を省略する。なお、図５の二点鎖線５０は、弾性波装置１０のパッケージの外縁（以下、「パッケージ外縁５０」という）である。
【0066】
実施形態２に係る弾性波装置１０は、図５に示すように、支持層２が複数（実施例では３つ）の柱状部２２を含む。枠状部２１は、第１方向Ｄ１からの平面視において、第２方向Ｄ２に比べて第３方向Ｄ３に長い矩形の枠状である。また、枠状部２１は、第１方向Ｄ１からの平面視において、全体的にパッケージ外縁５０よりも内側に位置しているが、四隅においてはパッケージ外縁５０まで延びている。
【0067】
複数の柱状部２２は、第１方向Ｄ１からの平面視において、枠状部２１で囲まれた領域である中空空間ｓ１において、第３方向Ｄ３に沿って等間隔に並んでいる。これにより、中空空間ｓ１が４つの空間に仕切られている。
【0068】
ここで、図６は、実施形態２に係る弾性波装置１０のダイシング工程を示す概念図である。図６の例では、ダイシング工程において、矢印Ａ１の方向から第１ダイシングブレード２０１にてカバー層３、支持層２、基板１の一部（図６の下端部）の順に切削した後、矢印Ａ２の方向から第２ダイシングブレード２０２にて基板１の残部を切削する。これにより、複数の弾性波装置１０を含むウェハから複数の弾性波装置１０がチップ化される。
【0069】
図５のＸ３部では、支持層２の枠状部２１がパッケージ外縁５０よりも内側に位置しており、上述のダイシング工程において、基板１及びカバー層３が切削され、支持層２の枠状部２１は切削されない。これにより、図５のＸ３部では、図７に示すような切削面６０になる。一方、図５のＸ４部では、支持層２の枠状部２１がパッケージ外縁５０まで延びており、上述のダイシング工程において、基板１、支持層２の枠状部２１及びカバーの全てが切削される。これにより、図５のＸ４部では、図８に示すような切削面６０になる。
【0070】
ここで、図５のＸ４部では、図８に示すように、支持層２の枠状部２１の切削面６０１では、位置Ｐ１１における支持層２の厚さｈ１は、位置Ｐ１２における支持層２の厚さｈ２よりも薄い。位置Ｐ１１と基板１の端部との距離は、位置Ｐ１２と基板１の端部との距離よりも短い。
【0071】
この構成により、弾性波装置１０は熱応力による基板１の割れの発生の程度を低減させることができる。上述したように、基板１は圧電基板であるのに対し、カバー層３は、樹脂及びフィラー３２を含んでいる。したがって、基板１の線膨張係数よりも、カバー層３の線膨張係数が大きい。そのため、高温環境下で弾性波装置１０を実装基板１１に実装した後に高周波モジュール２０を冷却すると、弾性波装置１０に第１方向Ｄ１に直交する向きに熱応力が生じる。
【0072】
しかしながら、実施形態２に係る弾性波装置１０では、支持層２がフィラーを含まない。したがって、支持層２がカバー層３よりも変形しやすいため、カバー層３と基板１との線膨張係数の差に起因する熱応力を支持層２が緩和し、基板１に印加される熱応力を緩和することができる。また、実施形態２に係る弾性波装置１０では、支持層２の厚さは、第１方向Ｄ１からの平面視において基板１の端部からの距離が長い位置ほど厚く、基板１の端部からの距離が短い位置ほど薄い。したがって、基板１の端部からの距離が短い位置ほど支持層２の厚さが薄く支持層２から基板１への熱応力が伝達されにくく、基板１の端部への応力集中を低減させることができる。さらに、図５のＸ４部は、第１方向Ｄ１からの平面視において長方形である基板１の頂点に位置しているため、割れが生じやすい基板１の頂点において、割れの発生の程度を低減させることができる。
【0073】
また、実施形態２に係る弾性波装置１０では、カバー層３がフィラー３２を含むため、カバー層３の厚さを薄くすることができる。したがって、カバー層３に起因する熱応力が増大することを抑制することが容易となる。さらに、実施形態１に係る弾性波装置１０では、基板１の端部の一部は、基板１の端部の一部以外の部分よりも機能電極４側に位置している。したがって、基板１の端部において熱応力の応力集中を抑制することができる。
【0074】
従って、実施形態２に係る弾性波装置１０では、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様の効果に加えて、熱応力による基板１の割れの発生の程度を低減させる効果を奏する。
【0075】
（変形例１）
変形例１に係る弾性波装置１０について説明する。変形例１に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
変形例１に係る弾性波装置１０について説明する。変形例１に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0076】
図９に示すように、変形例１に係る弾性波装置１０のカバー層３は、複数の平板状のフィラー３２を含む。フィラー３２の形状は、例えば、平板状、くさび状、うろこ状、針状を含む。
【0077】
変形例１に係る弾性波装置１０では、カバー層３に含まれる少なくとも１つのフィラー３２ａの第３方向Ｄ３における幅ｍ４は、以下の条件を満たしてもよい。例えば、フィラー３２ａの第３方向Ｄ３における幅ｍ４は、突出部６１２の突出量ｍ２（図３参照）より大きくてもよい。これにより、フィラー３２ａと貫通電極６との間のアンカー効果がより強化されるため、第１方向Ｄ１に沿って貫通電極６がカバー層３から脱落する向きに、貫通電極６がカバー層３に対して相対移動することを低減させる効果がより強化される。
【0078】
また、変形例１に係る弾性波装置１０では、例えば、フィラー３２ａの第３方向Ｄ３における幅ｍ４は、第１部分６１の位置Ｐ１における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ１（図３参照）と、位置Ｐ２における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ２（図３参照）との差の１／２より大きくてもよい。これにより、フィラー３２ａと貫通電極６との間のアンカー効果がより強化されるため、第１方向Ｄ１に沿って貫通電極６がカバー層３から脱落する向きに、貫通電極６がカバー層３に対して相対移動することを低減させる効果がより強化される。
【0079】
また、変形例１に係る弾性波装置１０では、フィラー３２の形状は、平板状、くさび状、うろこ状、針状の少なくとも１つを含む。したがって、フィラー３２ａの長軸方向と第３方向Ｄ３との向きの差が小さい場合には、フィラー３２ａの体積に対して第３方向Ｄ３における幅ｍ４を大きくすることができ、フィラー３２ａと貫通電極６との間のアンカー効果を強化することができる。
【0080】
したがって、変形例１に係る弾性波装置１０においても、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様に、貫通電極６とフィラー３２ａを含むカバー層３との間のアンカー効果により、貫通電極６のカバー層３に対する第１方向Ｄ１に沿った相対移動を低減させることが可能となる。
【0081】
（変形例２）
変形例２に係る弾性波装置１０について説明する。変形例２に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
変形例２に係る弾性波装置１０について説明する。変形例２に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0082】
図１０に示すように、変形例２に係る弾性波装置１０のカバー層３は、複数の平板状のフィラー３２を含む。より詳細には、フィラー３２の形状は、例えば、平板状、くさび状、うろこ状、針状を含む。
【0083】
変形例２に係る弾性波装置１０では、カバー層３に含まれる少なくとも１つのフィラー３２ｂの第３方向Ｄ３における幅ｍ５は、以下の条件を満たしてもよい。例えば、フィラー３２ｂの第３方向Ｄ３における幅ｍ５は、突出部６１２の突出量ｍ２（図３参照）より大きくてもよい。これにより、フィラー３２ｂと貫通電極６との間のアンカー効果がより強化されるため、第１方向Ｄ１に沿って貫通電極６がカバー層３から脱落する向きに、貫通電極６がカバー層３に対して相対移動することを低減させる効果がより強化される。
【0084】
また、変形例２に係る弾性波装置１０では、例えば、フィラー３２ｂの第３方向Ｄ３における幅ｍ５は、第１部分６１の位置Ｐ１における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ１（図３参照）と、位置Ｐ２における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ２（図３参照）との差の１／２より大きくてもよい。これにより、フィラー３２ｂと貫通電極６との間のアンカー効果がより強化されるため、第１方向Ｄ１に沿って貫通電極６がカバー層３から脱落する向きに、貫通電極６がカバー層３に対して相対移動することを低減させる効果がより強化される。
【0085】
また、変形例２に係る弾性波装置１０では、フィラー３２の形状は、平板状、くさび状、うろこ状、針状の少なくとも１つを含む。したがって、フィラー３２ｂの長軸方向と第３方向Ｄ３との向きの差が小さい場合には、フィラー３２ｂの体積に対して第３方向Ｄ３における幅ｍ５を大きくすることができ、フィラー３２ｂと貫通電極６との間のアンカー効果を強化することができる。
【0086】
したがって、変形例２に係る弾性波装置１０においても、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様の効果を奏する。
【0087】
（実施形態３）
実施形態３に係る弾性波装置１０について説明する。実施形態３に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態３に係る弾性波装置１０について説明する。実施形態３に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0088】
実施形態３に係る弾性波装置１０では、カバー層３と貫通電極６とが、以下の関係にある。すなわち、貫通電極６のカバー層３を貫通する部分は、一断面ＣＳ１において、第１部分６１を含む。
【0089】
実施形態３に係る弾性波装置１０では、図１１に示すように、貫通電極６のカバー層３を貫通する部分は、一断面ＣＳ１において、複数の第１部分６１を含む。複数の第１部分６１は、第１部分６１ａと、第１部分６１ｂと、を含む。
【0090】
第１部分６１ａでは、一断面ＣＳ１において、基板１からの距離が短い位置Ｐ５における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ５が、基板１からの距離が長い位置Ｐ６における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ６より広い。位置Ｐ５及び位置Ｐ６は、貫通電極６内において、第１方向Ｄ１に沿って並ぶ。また、位置Ｐ６は、基板１からの距離が位置Ｐ５よりも長い。第１方向Ｄ１において、位置Ｐ５は、位置Ｐ６と基板１との間に存在する。また、一断面ＣＳ１において、第１部分６１ａの少なくとも一部と、カバー層３に含まれる少なくとも１つのフィラー３２ｃの少なくとも一部が、第１方向Ｄ１に沿って並ぶ。すなわち、第１方向Ｄ１からの平面視において、第１部分６１ａの少なくとも一部と、フィラー３２ｃの少なくとも一部とが重なる。また、フィラー３２ｃの少なくとも一部より支持層２側に、第１部分６１ａの少なくとも一部が位置している。さらに、フィラー３２ｃの第３方向Ｄ３における幅は、貫通電極６の位置Ｐ５における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ５と位置Ｐ６における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ６との差の１／２より大きい。
【0091】
また、第１部分６１ｂでは、一断面ＣＳ１において、基板１からの距離が短い位置Ｐ７における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ７が、基板１からの距離が長い位置Ｐ８における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ８より広い。位置Ｐ７及び位置Ｐ８は、貫通電極６内において、第１方向Ｄ１に沿って並ぶ。また、位置Ｐ８は、基板１からの距離が位置Ｐ７よりも長い。第１方向Ｄ１において、位置Ｐ７は、位置Ｐ８と基板１との間に存在する。また、一断面ＣＳ１において、第１部分６１ｂの少なくとも一部と、カバー層３に含まれる少なくとも１つのフィラー３２ｄの少なくとも一部が、第１方向Ｄ１に沿って並ぶ。すなわち、第１方向Ｄ１からの平面視において、第１部分６１ｂの少なくとも一部と、フィラー３２ｄの少なくとも一部とが重なる。また、フィラー３２ｄの少なくとも一部より支持層２側に、第１部分６１ｂの少なくとも一部が位置している。さらに、フィラー３２ｄの第３方向Ｄ３における幅は、貫通電極６の位置Ｐ７における第３方向Ｄ３に沿った幅と位置Ｐ８における第３方向Ｄ３に沿った幅との差の１／２より大きい。
【0092】
実施形態３に係る弾性波装置１０では、上述したように、貫通電極６のカバー層３を貫通する部分は、一断面ＣＳ１において、第１部分６１を複数含む。また、複数の第１部分６１の各々は、フィラー３２ｃ及び３２ｄの各々に対し、実施形態１における第１部分６１とフィラー３２１との関係と同様の関係を有している。したがって、実施形態３に係る弾性波装置１０においても、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様に、第１方向Ｄ１に沿って貫通電極６がカバー層３から脱落する向きに、貫通電極６がカバー層３に対して相対移動することを低減することが可能となる。
【0093】
（実施形態４）
実施形態４に係る弾性波装置１０について説明する。実施形態４に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態４に係る弾性波装置１０について説明する。実施形態４に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0094】
実施形態４に係る弾性波装置１０では、カバー層３と貫通電極６とが、以下の関係にある。すなわち、貫通電極６のカバー層３を貫通する部分は、一断面ＣＳ１において、第１部分６１を含む。
【0095】
実施形態４に係る弾性波装置１０では、図１２に示すように、貫通電極６のカバー層３を貫通する部分は、一断面ＣＳ１において、第１部分６１ｃを含む。
【0096】
第１部分６１ｃでは、一断面ＣＳ１において、基板１からの距離が短い位置Ｐ９における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ９が、基板１からの距離が長い位置Ｐ１０における第３方向Ｄ３に沿った幅ｄ１０より広い。位置Ｐ９及び位置Ｐ１０は、貫通電極６内において、第１方向Ｄ１に沿って並ぶ。また、位置Ｐ１０は、基板１からの距離が位置Ｐ９よりも長い。第１方向Ｄ１において、位置Ｐ９は、位置Ｐ１０と基板１との間に存在する。また、一断面ＣＳ１において、第１部分６１ｃの少なくとも一部と、カバー層３に含まれる少なくとも１つのフィラー３２ｅの少なくとも一部が、第１方向Ｄ１に沿って並ぶ。すなわち、第１方向Ｄ１からの平面視において、第１部分６１ｃの少なくとも一部と、フィラー３２ｅの少なくとも一部とが重なる。また、フィラー３２ｅの少なくとも一部より支持層２側に、第１部分６１ｃの少なくとも一部が位置している。さらに、フィラー３２ｅの第３方向Ｄ３における幅は、貫通電極６の位置Ｐ９における第３方向Ｄ３に沿った幅と位置Ｐ１０における第３方向Ｄ３に沿った幅との差の１／２より大きい。
【0097】
したがって、実施形態４に係る弾性波装置１０においても、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様に、第１方向Ｄ１に沿って貫通電極がカバー層３から脱落する向きに、貫通電極６がカバー層３に対して相対移動することを低減させることが可能となる。
【0098】
（実施形態５）
実施形態５に係る弾性波装置１０について説明する。実施形態５に係る弾性波装置１０に関し、実施形態２に係る弾性波装置１０と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態５に係る弾性波装置１０について説明する。実施形態５に係る弾性波装置１０に関し、実施形態２に係る弾性波装置１０と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0099】
実施形態５に係る弾性波装置１０の支持層２は、図１３に示すように、第１方向Ｄ１からの平面視において、基板１の主面１０１のうち、機能電極４が配置されている領域Ｒ１～Ｒ６を除いた他の領域に支持層２が設けられている。
【0100】
また、図１４は、実施形態５に係る弾性波装置１０において、図１４のＸ５部に対応する拡大断面図である。図１４に示すように、支持層２及びカバー層３の端部と、基板１の端部の一部は、基板１の端部の一部以外の部分よりも機能電極４側に位置している。また、支持層２の端部では、基板１の端部からの距離が短い位置ほど支持層２の膜厚が薄く、基板１の端部からの距離が長い位置ほど支持層２の膜厚が厚い。
【0101】
この構成により、実施形態５に係る弾性波装置１０では、実施形態２に係る弾性波装置１０と同様に、熱応力による基板１の割れの発生の程度を低減させることができる。
【0102】
（実施形態６）
実施形態６に係る弾性波装置１０について説明する。実施形態６に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様の構成については、同様の符号を付して説明を省略する。
実施形態６に係る弾性波装置１０について説明する。実施形態６に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様の構成については、同様の符号を付して説明を省略する。
【0103】
図１５に示すように、実施形態６に係る弾性波装置１０は、支持層２に替えて支持層２ａを備える。支持層２ａは、樹脂２５及びフィラー２４を含む。樹脂２５の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂であるが、これに限定されない。フィラー２４の材料は、例えば、酸化シリカやセラミック等の無機材料であるが、これに限定されない。また、フィラー２４の形状は、例えば、球状であるが、球状に限らず、例えば、板状、うろこ状、くさび状であってもよい。
【0104】
支持層２ａに含まれるフィラー２４の含有率は、カバー層３に含まれるフィラー３２の含有率よりも小さい。特に、支持層２ａのカバー層３との界面付近のフィラー含有率は、カバー層３の支持層２との界面付近のフィラー含有率よりも小さい。
【0105】
図１５は、実施形態６に係る弾性波装置１０において、支持層２及びカバー層３におけるフィラーの含有率の算出方法を示す拡大断面図である。カバー層３におけるフィラー３２の含有率は、図１５に示すように、領域３３の面積に占めるフィラー３２の断面積の合計値の割合である。ここで、領域３３は、第１方向Ｄ１において支持層２と接しており、かつ、第３方向Ｄ３における幅ｍ３は、貫通電極６の第３方向Ｄ３における幅より大きいことが好ましい。一方、支持層２におけるフィラー２４の含有率は、領域２３の面積に占めるフィラー２４の断面積の合計値の割合である。領域２３は、第１方向Ｄ１においてカバー層３と接しており、かつ、第３方向Ｄ３における幅ｍ３が貫通電極６の第３方向Ｄ３における幅以上である。実施形態６に係る弾性波装置１０では、カバー層３に含まれるフィラー３２の含有率は、支持層２ａのフィラー２４の含有率より大きい。また、実施形態６に係る弾性波装置１０では、カバー層３の支持層２との界面付近のフィラー含有率は、支持層２ａのカバー層３との界面付近のフィラー含有率よりも大きい。
【0106】
実施形態６に係る弾性波装置１０によれば、支持層２ａはカバー層３よりも変形しやすいため、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様の効果を奏する。
【0107】
（実施形態７）
実施形態７に係る弾性波装置１０について、図１６を参照して説明する。実施形態７に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態７に係る弾性波装置１０について、図１６を参照して説明する。実施形態７に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0108】
実施形態７に係る弾性波装置１０は、基板１の替わりに、圧電膜８１と基板１ａを備える。
【0109】
圧電膜８１は、基板１ａの主面１０１上に設けられる。圧電膜８１は、基板１ａの厚さ方向に互いに対向する主面８１１及び主面８１２を備える。圧電膜８１の主面８１１は、基板１ａに接している。機能電極４は、圧電膜８１の主面８１２上に形成されている。圧電膜の材料は、例えば、リチウムニオベイト又はリチウムタンタレートである。
【0110】
基板１ａは、圧電膜８１と機能電極４とを支持する支持基板である。基板１ａの材料は、シリコンである。基板１ａは、伝搬するバルク波の音速が圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも高速である高音速支持基板を構成している。なお、基板１ａの材料は、シリコンに限らず、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドのいずれかを主成分として含む材料であってもよい。
【0111】
実施形態７に係る弾性波装置１０においても、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様に、貫通電極６の支持層２及びカバー層３に対する第１方向Ｄ１に沿った相対移動を低減させることが可能となる。
【0112】
（実施形態８）
実施形態８に係る弾性波装置１０について、図１７を参照して説明する。実施形態８に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）及び実施形態７に係る弾性波装置（図１６参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態８に係る弾性波装置１０について、図１７を参照して説明する。実施形態８に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）及び実施形態７に係る弾性波装置（図１６参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0113】
実施形態８に係る弾性波装置１０は、実施形態７に係る弾性波装置１０と比較して、低音速膜８２を更に備える。
【0114】
低音速膜８２は、基板１ａと圧電膜８１との間に設けられる。より詳細には、低音速膜８２は、基板１ａの主面１０１と、圧電膜８１の主面８１２とに接している。低音速膜８２を伝搬するバルク波の音速は、圧電膜８１を伝搬する弾性波の音速よりも低速である。これにより、弾性波エネルギーの圧電膜８１及び機能電極４への閉じ込め効果を高めることができる。低音速膜８２の材料は、例えば、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素、若しくはホウ素を加えた化合物、又は、上記各材料を主成分とする材料である。
【0115】
実施形態８に係る弾性波装置１０においても、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様に、貫通電極６の支持層２及びカバー層３に対する第１方向Ｄ１に沿った相対移動を低減させることが可能となる。
【0116】
（実施形態９）
実施形態９に係る弾性波装置１０について、図１８を参照して説明する。実施形態９に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）及び実施形態８に係る弾性波装置（図１７参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態９に係る弾性波装置１０について、図１８を参照して説明する。実施形態９に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）及び実施形態８に係る弾性波装置（図１７参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0117】
実施形態８に係る弾性波装置１０は、実施形態７に係る弾性波装置１０と比較して、高音速膜８３を更に備える。
【0118】
高音速膜８３は、基板１ａと低音速膜８２との間に設けられる。高音速膜８３を伝搬するバルク波の音速は、低音速膜８２を伝搬する弾性波の音速よりも高速である。これにより、弾性波エネルギーの高音速膜８３及び基板１ａへの漏洩を低減することができる。高音速膜８３の材料は、例えば、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドのいずれかを主成分として含む材料である。
【0119】
実施形態９に係る弾性波装置１０においても、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様に、貫通電極６の支持層２及びカバー層３に対する第１方向Ｄ１に沿った相対移動を低減させることが可能となる。
【0120】
（実施形態１０）
実施形態１０に係る弾性波装置１０について、図１９を参照して説明する。実施形態１０に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態１０に係る弾性波装置１０について、図１９を参照して説明する。実施形態１０に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0121】
実施形態１０に係る弾性波装置１０は、基板１と機能電極４とに替えて、基板１ａと電気絶縁膜８４と下部電極４ａと圧電膜８５と上部電極４ｂとを備える。実施形態１０に係る弾性波装置は、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）型のバルク弾性波（ＢＡＷ：Bulk Acoustic Wave）フィルタである。
【0122】
電気絶縁膜８４は、基板１ａと下部電極４ａとの間に設けられる。電気絶縁膜８４の材料は、例えば、酸化シリコンである。
【0123】
圧電膜８５は、下部電極４ａと上部電極４ｂとに挟まれている。圧電膜８５の材料は、例えば、窒化アルミニウム、窒化スカンジウムアルミニウム、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト又はチタン酸ジルコン酸鉛である。また、下部電極４ａの圧電膜８５と接触している部分と、電気絶縁膜８４との間には空洞ｓ２が設けられている。
【0124】
実施形態１０に係る弾性波装置１０においても、実施形態１に係る弾性波装置１０と同様に、貫通電極６の支持層２及びカバー層３に対する第１方向Ｄ１に沿った相対移動を低減させることが可能となる。
【0125】
（実施形態１１）
実施形態１１に係る弾性波装置１０について、図２０を参照して説明する。実施形態１０に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）及び実施形態１０に係る弾性波装置１０（図１９参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態１１に係る弾性波装置１０について、図２０を参照して説明する。実施形態１０に係る弾性波装置１０に関し、実施形態１に係る弾性波装置１０（図２参照）及び実施形態１０に係る弾性波装置１０（図１９参照）と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0126】
実施形態１１に係る弾性波装置１０は、実施形態１０に係る弾性波装置１０に対し、電気絶縁膜８４に替えて音響多層膜８６を備える。実施形態１１に係る弾性波装置１０は、ＳＭＲ（Solid Mounted Resonator）型のＢＡＷフィルタである。
【0127】
音響多層膜８６は、圧電膜８５で発生したバルク弾性波を反射する。音響多層膜８６は、複数の低音響インピーダンス層８６１と複数の高音響インピーダンス層８６２とが基板１ａの厚さ方向において一層ごとに交互に並んだ構造を有する。複数の低音響インピーダンス層８６１の各々は、相対的に音響インピーダンスの低い層である。複数の高音響インピーダンス層８６２の各々は、相対的に音響インピーダンスの高い層である。低音響インピーダンス層８６１の材料は、例えば、酸化ケイ素である。高音響インピーダンス層８６２の材料は、例えば、白金である。
【0128】
（変形例）
実施形態１～１１において、一断面ＣＳ１において第２部分６２は貫通電極６が支持層２を貫通する部分の一部であるが、これに限られず、例えば、一断面ＣＳ１において第２部分６２は貫通電極６の支持層２を貫通する部分の全域であるとしてもよい。例えば、一断面ＣＳ１において第２部分６２が貫通電極６の支持層２を貫通する部分の全域であり、第１部分６１が貫通電極６のカバー層３を貫通する部分の全域であってもよい。この場合、一断面ＣＳ１において第１部分６１と第２部分６２とが第１方向に沿って接している。すなわち、第１位置Ｐ１は、第２部分６２に接し、第４位置Ｐ４は、第１部分６１に接している。この構成であれば、貫通電極６において、支持層２と第２部分６２との間のアンカー効果が第１部分６１にも及び、カバー層３と第１部分６１との間のアンカー効果が第２部分６２にも及ぶ。したがって、貫通電極６の支持層２及びカバー層３に対する相対移動を低減させる効果がさらに強化される。
実施形態１～１１において、一断面ＣＳ１において第２部分６２は貫通電極６が支持層２を貫通する部分の一部であるが、これに限られず、例えば、一断面ＣＳ１において第２部分６２は貫通電極６の支持層２を貫通する部分の全域であるとしてもよい。例えば、一断面ＣＳ１において第２部分６２が貫通電極６の支持層２を貫通する部分の全域であり、第１部分６１が貫通電極６のカバー層３を貫通する部分の全域であってもよい。この場合、一断面ＣＳ１において第１部分６１と第２部分６２とが第１方向に沿って接している。すなわち、第１位置Ｐ１は、第２部分６２に接し、第４位置Ｐ４は、第１部分６１に接している。この構成であれば、貫通電極６において、支持層２と第２部分６２との間のアンカー効果が第１部分６１にも及び、カバー層３と第１部分６１との間のアンカー効果が第２部分６２にも及ぶ。したがって、貫通電極６の支持層２及びカバー層３に対する相対移動を低減させる効果がさらに強化される。
【0129】
実施形態１～１１において、一断面ＣＳ１において貫通電極６が支持層２を貫通する部分は１つの第２部分６２を含むが、これに限られず、例えば、一断面ＣＳ１において貫通電極６が支持層２を貫通する部分は複数の第２部分６２を含んでもよい。この構成によっても、支持層２と第２部分６２との間のアンカー効果により、貫通電極６の支持層２及びカバー層３に対する相対移動を低減させることが可能となる。
【0130】
ここで、「要素は、基板の第１主面に配置されている」は、要素が基板の第１主面上に直接実装されている場合だけでなく、基板で隔された第１主面側の空間及び第２主面側の空間のうち、第１主面側の空間に要素が配置されている場合を含む。つまり、「要素は、基板の第１主面に配置されている」は、要素が基板の第１主面上に、他の回路素子又は電極等を介して実装されている場合を含む。要素は、例えば、支持層２であるが、支持層２に限定されない。基板は、例えば、基板１である。基板が基板１である場合、第１主面は主面１０１であり、第２主面は主面１０２である
（態様）
本明細書には、以下の態様が開示されている。
（態様）
本明細書には、以下の態様が開示されている。
【0131】
第１の態様に係る弾性波装置（１０）は、基板（１；１ａ）と、カバー層（３）と、支持層（２；２ａ）と、貫通電極（６）と、を備える。支持層（２；２ａ）は、第１方向（Ｄ１）において基板（１；１ａ）とカバー層（３）との間に配置されている。第１方向（Ｄ１）は、基板（１；１ａ）の厚さ方向である。貫通電極（６）は、カバー層（３）と支持層（２；２ａ）とを第１方向（Ｄ１）に貫通する。カバー層（３）は、樹脂及びフィラー（３２）を含む。貫通電極（６）のうちカバー層（３）を貫通する部分は、第１部分（６１；６１ａ，６１ｂ；６１ｃ）を含む。貫通電極（６）のうち支持層（２；２ａ）を貫通する部分は、第２部分（６２）を含む。第２方向（Ｄ２）を法線方向とする一断面（ＣＳ１）において、第１部分（６１）は、第３方向において、第１位置（Ｐ１；Ｐ５，Ｐ７；Ｐ９）における幅（ｄ１；ｄ５、ｄ７；ｄ９）が、第２位置（Ｐ２；Ｐ６、Ｐ８；Ｐ１０）における幅（ｄ２；ｄ６、ｄ８；ｄ１０）よりも広い形状である。第２方向（Ｄ２）は、第１方向（Ｄ１）と直交する。第３方向（Ｄ３）は、第１方向（Ｄ１）及び第２方向（Ｄ２）と直交する。第２位置（Ｐ２；Ｐ６、Ｐ８；Ｐ１０）は、基板（１；１ａ）からの距離が第１位置（Ｐ１；Ｐ５，Ｐ７；Ｐ９）よりも長い。一断面（ＣＳ１）において、第１部分（６１；６１ａ，６１ｂ；６１ｃ）は、更に、第１位置（Ｐ１；Ｐ５，Ｐ７；Ｐ９）と第２位置（Ｐ２；Ｐ６、Ｐ８；Ｐ１０）との間において、第１位置（Ｐ１；Ｐ５，Ｐ７；Ｐ９）からの距離が短くなるにつれて第３方向（Ｄ３）の幅が徐々に広がる形状である。一断面（ＣＳ１）において、第２部分（６２）は、第３方向（Ｄ３）において、第３位置（Ｐ３）における幅（ｄ３）が、第４位置（Ｐ４）における幅（ｄ４）よりも狭い形状である。第４位置（Ｐ４）は、基板（１；１ａ）からの距離が第３位置（Ｐ３）よりも長い。一断面（ＣＳ１）において、第２部分（６２）は、更に、第３位置（Ｐ３）と第４位置（Ｐ４）との間において、第３位置（Ｐ３）からの距離が短くなるにつれて第３方向（Ｄ３）の幅が狭くなる形状である。第１方向（Ｄ１）からの平面視において、第１部分（６１；６１ａ，６１ｂ；６１ｃ）は、フィラー（３２１；３２ｃ、３２ｄ；３２ｅ）と重なる。
【0132】
上記態様に係る弾性波装置（１０）によれば、貫通電極（６）の第１部分（６１；６１ａ，６１ｂ；６１ｃ）とカバー層（３）及びカバー層（３）が含むフィラー（３２１；３２ｃ、３２ｄ；３２ｅ）との間のアンカー効果により、貫通電極（６）がカバー層（３）から脱落することを抑止することができる。また、弾性波装置（１０）によれば、貫通電極（６）の第２部分（６２）と支持層（２；２ａ）との間のアンカー効果により、貫通電極（６）が支持層（２；２ａ）に対して基板（１；１ａ）側に相対移動することを低減させることができる。したがって、貫通電極（６）の支持層（２；２ａ）及びカバー層（３）に対する相対移動を低減させることが可能となる。
【0133】
第２の態様に係る弾性波装置（１０）では、第１の態様において、フィラー（３２；３２ｂ；３２ｃ；３２ｄ；３２ｅ）は、平板状、くさび状、針状、又は、繊維状の部分を含む。
【0134】
上記態様に係る弾性波装置（１０）によれば、貫通電極（６）の第１部分（６１；６１ａ，６１ｂ；６１ｃ）とカバー層（３）及びカバー層（３）が含むフィラー（３２；３２ａ；３２ｂ；３２ｃ、３２ｄ；３２ｅ）との間のアンカー効果を強化することが可能となる。
【0135】
第３の態様に係る弾性波装置（１０）では、第１又は第２の態様において、貫通電極（６）の第１部分（６１）は、第３方向（Ｄ３）に突出する突出部（６１２）を有する。
【0136】
上記態様に係る弾性波装置（１０）によれば、貫通電極（６）の第１部分（６１）に含まれる突出部（６１２）とカバー層（３）との間のアンカー効果により、貫通電極（６）がカバー層（３）から脱落することを抑止することができる。
【0137】
第４の態様に係る弾性波装置（１０）では、第３の態様において、第３方向（Ｄ３）におけるフィラー（３２１）の長さ（ｍ１）は、突出部（６１２）の第３方向（Ｄ３）における突出量（ｍ２）より大きい。
【0138】
上記態様に係る弾性波装置（１０）によれば、貫通電極（６）の第１部分（６１）に含まれる突出部（６１２）とカバー層（３）のフィラー（３２１）との間のアンカー効果により、貫通電極（６）がカバー層（３）から脱落することを抑止することができる。
【0139】
第５の態様に係る弾性波装置（１０）では、第１から第４の態様のいずれかにおいて、第３方向（Ｄ３）におけるフィラー（３２１；３２ｃ、３２ｄ；３２ｅ）の長さ（ｍ１；ｍ４；ｍ５）は、第１位置（Ｐ１）における貫通電極（６）の第３方向（Ｄ３）の幅（ｄ１）と、第２位置（Ｐ２）における貫通電極（６）の第３方向（Ｄ３）の幅（ｄ２）との差の１／２よりも大きい。
【0140】
上記態様に係る弾性波装置（１０）によれば、貫通電極（６）の第１部分（６１）とカバー層（３）のフィラー（３２１；３２ｃ、３２ｄ；３２ｅ）との間のアンカー効果により、貫通電極（６）がカバー層（３）から脱落することを抑止することができる。
【0141】
第６の態様に係る弾性波装置（１０）では、第１から第４の態様のいずれかにおいて、カバー層（３）は、第１領域（３４１）と、第２領域（３５１）と、を有する。第１領域（３４１）は、第１主面（３４）を含む。第１主面（３４）は、支持層（２；２ａ）と接している。第２領域（３５１）は、第２主面（３５）を含む。第２主面（３５）は、第１主面（３４）と対向している。カバー層（３）の第１領域（３４１）と第２領域（３５１）とは、いずれもフィラー（３２）を含む。
【0142】
上記態様に係る弾性波装置（１０）によれば、カバー層（３）が少なくとも第１方向（Ｄ１）における両端にフィラー（３２）を含むため、カバー層（３）の第１方向（Ｄ１）における厚さを薄くすることができる。したがって、熱応力による基板（１；１ａ）の割れの発生の程度を低減させることができる。
【0143】
第７の態様に係る弾性波装置（１０）は、第１から第６の態様のいずれかにおいて、機能電極（４）を更に備える。機能電極（４；４ａ、４ｂ）は、基板（１；１ａ）の主面（１０１）に配置されている。機能電極（４；４ａ、４ｂ）は、基板（１；１ａ）、支持層（２；２ａ）及びカバー層（３）に囲まれた中空空間（ｓ１）に配置されている。一断面（ＣＳ１）において、支持層（２；２ａ）の端は、基板（１；１ａ）の端まで延伸している。第５位置（Ｐ１１）における支持層（２；２ａ）の厚さ（ｈ１）は、第６位置（Ｐ１２）における支持層（２；２ａ）の厚さ（ｈ２）より薄い。第６位置（Ｐ１２）は、基板（１；１ａ）の端からの距離が第５位置（Ｐ１１）よりも長い。
【0144】
上記態様に係る弾性波装置（１０）によれば、カバー層（３）及び支持層（２；２ａ）と、基板（１；１ａ）との線膨張係数の差に起因する熱応力が基板（１；１ａ）と支持層（２；２ａ）との境界面に集中しづらくなる。したがって、弾性波装置（１０）では熱応力による基板（１；１ａ）の割れの発生が生じにくい。
【0145】
第８の態様に係る弾性波装置（１０）では、第１から第７の態様のいずれかにおいて、一断面（ＣＳ１）において、カバー層（３）のフィラー（３２）の含有率は、支持層（２ａ）のフィラー（２４）の含有率よりも大きい。
【0146】
上記態様に係る弾性波装置（１０）によれば、支持層（２ａ）がカバー層（３）よりも変形しやすいため、熱応力が基板（１；１ａ）と支持層（２ａ）との境界面に集中しづらくなる。したがって、弾性波装置（１０）では熱応力による基板（１；１ａ）の割れの発生が生じにくい。
【0147】
第９の態様に係る弾性波装置（１０）では、第１から第７の態様のいずれかにおいて、一断面（ＣＳ１）において、支持層（２）はフィラーを含まない。
【0148】
上記態様に係る弾性波装置（１０）によれば、支持層（２）がカバー層（３）よりも変形しやすいため、熱応力が基板（１；１ａ）と支持層（２）との境界面に集中しづらくなる。したがって、弾性波装置（１０）では熱応力による基板（１；１ａ）の割れの発生が生じにくい。
【0149】
第１０の態様に係る弾性波装置（１０）では、第７から第９の態様のいずれかにおいて、第１方向（Ｄ１）からの平面視において基板（１；１ａ）は多角形状である。一断面（ＣＳ１）は、多角形の頂点の少なくとも１つを含む。
【0150】
上記態様に係る弾性波装置（１０）によれば、熱応力が基板（１；１ａ）と支持層（２；２ａ）との境界面に集中しづらくなる。したがって、弾性波装置（１０）では熱応力による基板（１；１ａ）の割れの発生が生じにくい。
【0151】
第１１の態様に係る弾性波装置（１０）では、第１から第１０の態様のいずれかにおいて、支持層（２；２ａ）とカバー層（３）とは、第１方向（Ｄ１）に接している。貫通電極（６）の第１位置は、第２部分（６２）に接している。貫通電極（６）の第４位置は、第１部分（６１）に接している。
【0152】
上記態様に係る弾性波装置（１０）によれば、貫通電極（６）と支持層（２；２ａ）及びカバー層（３）との間のアンカー効果が強化される。したがって、貫通電極（６）の支持層（２；２ａ）及びカバー層（３）に対する相対移動を低減させることが可能となる。
【0153】
第１２の態様に係る弾性波装置（１０）は、基板（１；１ａ）と、カバー層（３）と、支持層（２；２ａ）と、貫通電極（６）と、を備える。基板（１；１ａ）は、主面（１０１）を有する。支持層（２；２ａ）は、基板（１；１ａ）とカバー層（３）との間において基板（１；１ａ）の主面（１０１）に配置されている。貫通電極（６）は、カバー層（３）と支持層（２；２ａ）とを第１方向（Ｄ１）に貫通する。第１方向（Ｄ１）は、基板（１；１ａ）の厚さ方向である。カバー層（３）は、樹脂（３１）及びフィラー（３２）を含む。貫通電極（６）のうちカバー層（３）を貫通する部分は、第１部分（６１；６１ａ，６１ｂ；６１ｃ）を含む。貫通電極（６）のうち支持層（２；２ａ）を貫通する部分は、第２部分（６２）を含む。第２方向（Ｄ２）を法線方向とする一断面（ＣＳ１）において、第１部分（６１）は、第３方向（Ｄ３）において、第１位置（Ｐ１；Ｐ５，Ｐ７；Ｐ９）における幅（ｄ１；ｄ５、ｄ７；ｄ９）が、第２位置（Ｐ２；Ｐ６、Ｐ８；Ｐ１０）における幅（ｄ２；ｄ６、ｄ８；ｄ１０）よりも広い形状である。第２方向（Ｄ２）は、第１方向（Ｄ１）と直交する。第３方向（Ｄ３）は、第１方向（Ｄ１）及び第２方向（Ｄ２）と直交する。第２位置（Ｐ２；Ｐ６、Ｐ８；Ｐ１０）は、基板（１；１ａ）からの距離が第１位置（Ｐ１；Ｐ５，Ｐ７；Ｐ９）よりも長い。一断面（ＣＳ１）において、第２部分（６２）は、第３方向（Ｄ３）において、第３位置（Ｐ３）における幅（ｄ３）が、第４位置（Ｐ４）における幅（ｄ４）よりも狭い形状である。第４位置（Ｐ４）は、基板（１；１ａ）からの距離が第３位置（Ｐ３）よりも長い。第１方向（Ｄ１）からの平面視において、第１部分（６１；６１ａ，６１ｂ；６１ｃ）は、フィラー（３２１；３２ｃ、３２ｄ；３２ｅ）と重なる。
【0154】
上記態様に係る弾性波装置（１０）によれば、貫通電極（６）の第１部分（６１；６１ａ，６１ｂ；６１ｃ）とカバー層（３）及びカバー層（３）が含むフィラー（３２１；３２ｃ、３２ｄ；３２ｅ）との間のアンカー効果により、貫通電極（６）がカバー層（３）から脱落することを抑止することができる。また、弾性波装置（１０）によれば、貫通電極（６）の第２部分（６２）と支持層（２；２ａ）との間のアンカー効果により、貫通電極（６）が支持層（２；２ａ）に対して基板（１；１ａ）側に相対移動することを低減させることができる。したがって、貫通電極（６）の支持層（２；２ａ）及びカバー層（３）に対する相対移動を低減させることが可能となる。
【0155】
第１３の態様に係る弾性波装置（１０）は、基板（１；１ａ）と、カバー層（３）と、支持層（２；２ａ）と、貫通電極（６）と、を備える。支持層（２；２ａ）は、第１方向（Ｄ１）において基板（１；１ａ）とカバー層（３）との間に配置されている。第１方向（Ｄ１）は、基板（１；１ａ）の厚さ方向である。貫通電極（６）は、カバー層（３）と支持層（２；２ａ）とを第１方向（Ｄ１）に貫通する。カバー層（３）は、樹脂（３１）及びフィラー（３２）を含む。貫通電極（６）のうちカバー層（３）を貫通する部分は、突出部（６１２）を有する。第２方向（Ｄ２）を法線方向とする一断面（ＣＳ１）において、突出部（６１２）は第３方向（Ｄ３）に突出する。第２方向（Ｄ２）は、第１方向（Ｄ１）と直交する。第３方向（Ｄ３）は、第１方向（Ｄ１）及び第２方向（Ｄ２）と直交する。一断面（ＣＳ１）において、突出部（６１２）の突出量（ｍ２）は、基板（１；１ａ）からの距離が長くなるほど徐々に小さくなる。一断面（ＣＳ１）において、貫通電極（６）のうち支持層（２；２ａ）を貫通する部分は、第３方向（Ｄ３）において、基板（１）からの距離が長くなるほど幅が徐々に狭くなる部分（６２）を含む。第１方向（Ｄ１）からの平面視において、突出部（６１２）は、フィラー（３２１）と重なる。
【0156】
上記態様に係る弾性波装置（１０）によれば、貫通電極（６）の突出部（６１２）とカバー層（３）及びカバー層（３）が含むフィラー（３２１）との間のアンカー効果により、貫通電極（６）がカバー層（３）から脱落することを抑止することができる。また、弾性波装置（１０）によれば、貫通電極（６）の部分（６２）と支持層（２；２ａ）との間のアンカー効果により、貫通電極（６）が支持層（２；２ａ）に対して基板（１；１ａ）側に相対移動することを低減させることができる。したがって、貫通電極（６）の支持層（２；２ａ）及びカバー層（３）に対する相対移動を低減させることが可能となる。
【0157】
第１４の態様に係る高周波モジュール（２０）は、第１から第１３の態様のいずれかに係る弾性波装置（１０）と、実装基板（１１）と、を備える。実装基板（１１）には、弾性波装置（１０）が配置されている。
【0158】
上記態様に係る高周波モジュール（２０）によれば、貫通電極（６）の第１部分（６１；６１ａ，６１ｂ；６１ｃ）とカバー層（３）及びカバー層（３）が含むフィラー（３２１；３２ｃ、３２ｄ；３２ｅ）との間のアンカー効果により、貫通電極（６）がカバー層（３）から脱落することを抑止することができる。また、弾性波装置（１０）によれば、貫通電極（６）の第２部分（６２）と支持層（２；２ａ）との間のアンカー効果により、貫通電極（６）が支持層（２；２ａ）に対して基板（１；１ａ）側に相対移動することを低減させることができる。したがって、貫通電極（６）の支持層（２；２ａ）及びカバー層（３）に対する相対移動を低減させることが可能となる。
【0159】
第１５の態様に係る通信装置（１００）は、第１３の態様に係る高周波モジュール（２０）と、信号処理回路（３０）と、を備える。信号処理回路（３０）は、高周波モジュール（２０）に接続されている。
【0160】
上記態様に係る通信装置（１００）によれば、貫通電極（６）の第１部分（６１；６１ａ，６１ｂ；６１ｃ）とカバー層（３）及びカバー層（３）が含むフィラー（３２１；３２ｃ、３２ｄ；３２ｅ）との間のアンカー効果により、貫通電極（６）がカバー層（３）から脱落することを抑止することができる。また、弾性波装置（１０）によれば、貫通電極（６）の第２部分（６２）と支持層（２；２ａ）との間のアンカー効果により、貫通電極（６）が支持層（２；２ａ）に対して基板（１；１ａ）側に相対移動することを低減させることができる。したがって、貫通電極（６）の支持層（２；２ａ）及びカバー層（３）に対する相対移動を低減させることが可能となる。
【符号の説明】
【0161】
１０ 弾性波装置
１、１ａ 基板
１０１ 主面
１０２ 主面
２、２ａ 支持層
２１ 枠状部
２２ 柱状部
２３ 領域
２４ フィラー
２５ 樹脂
３ カバー層
３１ 樹脂
３２、３２１、３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅ フィラー
３３ 領域
３４ 第１主面
３４１ 第１領域
３５ 第２主面
３５１ 第２領域
４ 機能電極
４ａ 下部電極（機能電極）
４ｂ 上部電極（機能電極）
５ 配線電極
６ 貫通電極
６１、６１ａ、６１ｂ、６１ｃ 第１部分
６１１ 中心部
６１２ 突出部
６２ 第２部分
７ 外部接続電極
５０ パッケージ外縁
６０ 切削面
６０１ 切削面
８１ 圧電膜
８１１ 主面
８１２ 主面
８２ 低音速膜
８３ 高音速膜
８４ 電気絶縁膜
８５ 圧電膜
８６ 音響多層膜
８６１ 低音響インピーダンス層
８６２ 高音響インピーダンス層
１１ 実装基板
１１１ 主面
１１２ 主面
１２ 樹脂層
１２１ 主面
１３ 金属電極層
２０ 高周波モジュール
３０ 信号処理回路
３０１ ＲＦ信号処理回路
３０２ ベースバンド信号処理回路
４０ アンテナ
１００ 通信装置
２０１ 第１ダイシングブレード
２０２ 第２ダイシングブレード
Ｄ１ 基板の厚さ方向（第１方向）
Ｄ２ 第２方向
Ｄ３ 第３方向
ＣＳ１ 一断面
ｍ１、ｍ４、ｍ５ フィラーの幅
ｍ２ 突出量
ｍ３ 領域の幅
Ｐ１、Ｐ５、Ｐ７、Ｐ９ 位置（第１位置）
Ｐ２、Ｐ６、Ｐ８、Ｐ１０ 位置（第２位置）
Ｐ３ 位置（第３位置）
Ｐ４ 位置（第４位置）
Ｐ１１ 位置（第５位置）
Ｐ１２ 位置（第６位置）
ｈ１、ｈ２ 支持層の厚さ
ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５、ｄ６、ｄ７、ｄ８、ｄ９、ｄ１０ 貫通電極の幅
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６ 領域
ｓ１ 中空空間
ｓ２ 空洞
１、１ａ 基板
１０１ 主面
１０２ 主面
２、２ａ 支持層
２１ 枠状部
２２ 柱状部
２３ 領域
２４ フィラー
２５ 樹脂
３ カバー層
３１ 樹脂
３２、３２１、３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅ フィラー
３３ 領域
３４ 第１主面
３４１ 第１領域
３５ 第２主面
３５１ 第２領域
４ 機能電極
４ａ 下部電極（機能電極）
４ｂ 上部電極（機能電極）
５ 配線電極
６ 貫通電極
６１、６１ａ、６１ｂ、６１ｃ 第１部分
６１１ 中心部
６１２ 突出部
６２ 第２部分
７ 外部接続電極
５０ パッケージ外縁
６０ 切削面
６０１ 切削面
８１ 圧電膜
８１１ 主面
８１２ 主面
８２ 低音速膜
８３ 高音速膜
８４ 電気絶縁膜
８５ 圧電膜
８６ 音響多層膜
８６１ 低音響インピーダンス層
８６２ 高音響インピーダンス層
１１ 実装基板
１１１ 主面
１１２ 主面
１２ 樹脂層
１２１ 主面
１３ 金属電極層
２０ 高周波モジュール
３０ 信号処理回路
３０１ ＲＦ信号処理回路
３０２ ベースバンド信号処理回路
４０ アンテナ
１００ 通信装置
２０１ 第１ダイシングブレード
２０２ 第２ダイシングブレード
Ｄ１ 基板の厚さ方向（第１方向）
Ｄ２ 第２方向
Ｄ３ 第３方向
ＣＳ１ 一断面
ｍ１、ｍ４、ｍ５ フィラーの幅
ｍ２ 突出量
ｍ３ 領域の幅
Ｐ１、Ｐ５、Ｐ７、Ｐ９ 位置（第１位置）
Ｐ２、Ｐ６、Ｐ８、Ｐ１０ 位置（第２位置）
Ｐ３ 位置（第３位置）
Ｐ４ 位置（第４位置）
Ｐ１１ 位置（第５位置）
Ｐ１２ 位置（第６位置）
ｈ１、ｈ２ 支持層の厚さ
ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５、ｄ６、ｄ７、ｄ８、ｄ９、ｄ１０ 貫通電極の幅
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６ 領域
ｓ１ 中空空間
ｓ２ 空洞
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】