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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024060332
(43)【公開日】2024-05-02
(54)【発明の名称】成膜装置及びそのクリーニング方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/205 20060101AFI20240424BHJP
H01L 21/31 20060101ALI20240424BHJP
H01L 21/3065 20060101ALI20240424BHJP
C23C 16/44 20060101ALI20240424BHJP
【ＦＩ】
H01L21/205
H01L21/31 B
H01L21/302 101H
C23C16/44 J
【審査請求】有
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022167641
(22)【出願日】2022-10-19
(71)【出願人】
【識別番号】300075751
【氏名又は名称】株式会社オプトラン
(74)【代理人】
【識別番号】100133411
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 龍郎
(74)【代理人】
【識別番号】100067677
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 彰司
(72)【発明者】
【氏名】内田 利英
【テーマコード（参考）】
4K030
5F004
5F045
【Ｆターム（参考）】
4K030DA06
4K030EA04
4K030FA01
4K030JA06
4K030JA12
4K030KA45
5F004AA15
5F004BA03
5F004DA18
5F004DA26
5F004DB01
5F004DB03
5F004DB07
5F045AA08
5F045AB02
5F045AB32
5F045AB33
5F045AC01
5F045AC16
5F045BB14
5F045DP03
5F045EB06
5F045EF03
5F045EH18
(57)【要約】
【課題】真空チャンバ内を万遍なくクリーニングすることにより、基板の品質を確保することが可能な成膜装置及びその製造方法の提供。
【解決手段】本発明に係る成膜装置１は、真空チャンバ１０と、プラズマを発生させるアプリケータ部２０と、真空排気ポンプ５０とを備えている。アプリケータ部２０は、真空チャンバ１０内にクリーニングガスを導入するガス導入口２０Ａと、プラズマ化されたクリーニングガスを吐出するガス吐出口２０Ｄとを有し、真空チャンバ１０の連通口１０Ａとガス吐出口２０Ｄとを連結することより、真空チャンバ１０と隣り合うように配置されている。連通口１０Ａにおける真空チャンバ１０の内面側には、収容空間Ｓに延在するチューブ部材１１が接続されている。クリーニングガスは、フッ素系ガスからなっている。
【選択図】 図１
【解決手段】本発明に係る成膜装置１は、真空チャンバ１０と、プラズマを発生させるアプリケータ部２０と、真空排気ポンプ５０とを備えている。アプリケータ部２０は、真空チャンバ１０内にクリーニングガスを導入するガス導入口２０Ａと、プラズマ化されたクリーニングガスを吐出するガス吐出口２０Ｄとを有し、真空チャンバ１０の連通口１０Ａとガス吐出口２０Ｄとを連結することより、真空チャンバ１０と隣り合うように配置されている。連通口１０Ａにおける真空チャンバ１０の内面側には、収容空間Ｓに延在するチューブ部材１１が接続されている。クリーニングガスは、フッ素系ガスからなっている。
【選択図】 図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板に薄膜を形成する成膜装置であって、
前記基板を収容する収容空間と、該収容空間に連通する連通口とを有する真空チャンバと、
プラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記収容空間を排気する排気手段と、
を備え、
前記プラズマ発生手段は、
前記真空チャンバ内に付着する付着物を除去するためのクリーニングガスを導入するガス導入口と、
プラズマ化された前記クリーニングガスを吐出するガス吐出口と、
を有し、
前記連通口における前記真空チャンバの外面側と前記ガス吐出口とを連結することより、前記真空チャンバと隣り合うように配され、
前記連通口における前記真空チャンバの内面側には、前記収容空間に延在する管状部材が接続され、
前記クリーニングガスは、フッ素系ガスからなる、成膜装置。
前記基板を収容する収容空間と、該収容空間に連通する連通口とを有する真空チャンバと、
プラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記収容空間を排気する排気手段と、
を備え、
前記プラズマ発生手段は、
前記真空チャンバ内に付着する付着物を除去するためのクリーニングガスを導入するガス導入口と、
プラズマ化された前記クリーニングガスを吐出するガス吐出口と、
を有し、
前記連通口における前記真空チャンバの外面側と前記ガス吐出口とを連結することより、前記真空チャンバと隣り合うように配され、
前記連通口における前記真空チャンバの内面側には、前記収容空間に延在する管状部材が接続され、
前記クリーニングガスは、フッ素系ガスからなる、成膜装置。
【請求項2】
前記クリーニングガスは、六フッ化硫黄（ＳＦ６）を少なくとも含む、請求項１に記載の成膜装置。
【請求項3】
前記クリーニングガスは、前記六フッ化硫黄の含有率が８０％以上である、請求項２に記載の成膜装置。
【請求項4】
前記クリーニングガスは、前記六フッ化硫黄の含有率が１００％である、請求項３に記載の成膜装置。
【請求項5】
前記クリーニングガスは、前記ガス吐出口から６００ｍｍ離れた位置における洗浄速度が２０μｍ／ｍiｎ以上となるような成分構成からなる、請求項１に記載の成膜装置。
【請求項6】
前記管状部材は、該管状部材の周壁を径方向に貫通する貫通孔を有する、請求項１に記載の成膜装置。
【請求項7】
前記管状部材は、前記連通口から延びる延在方向を回転中心として回動自在に構成され、
前記管状部材を回動可能な駆動手段を更に備える、請求項６に記載の成膜装置。
前記管状部材を回動可能な駆動手段を更に備える、請求項６に記載の成膜装置。
【請求項8】
前記管状部材は、フッ素樹脂からなる、請求項１～７の何れか１項に記載の成膜装置。
【請求項9】
前記薄膜は、ケイ素（Ｓｉ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、ガラス、有機材料、及び酸化物材料のうちの何れか１つからなる、請求項１～７の何れか１項に記載の成膜装置。
【請求項10】
請求項１～７の何れか１項に記載の成膜装置のクリーニング方法であって、
前記プラズマ発生手段によって前記プラズマ化された前記クリーニングガスを前記真空チャンバ内に供給するクリーニングガス供給工程と、
前記排気手段によって前記真空チャンバ内に吐出された前記クリーニングガスを排気するクリーニングガス排気工程と、
を含む、成膜装置のクリーニング方法。
前記プラズマ発生手段によって前記プラズマ化された前記クリーニングガスを前記真空チャンバ内に供給するクリーニングガス供給工程と、
前記排気手段によって前記真空チャンバ内に吐出された前記クリーニングガスを排気するクリーニングガス排気工程と、
を含む、成膜装置のクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、成膜装置及びそのクリーニング方法に関し、特に、基板に薄膜を形成する成膜装置及びそのクリーニング方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来から、真空チャンバ内にマイクロ波プラズマを導入して、基板（例えば、ガラス基板）に薄膜（例えば、ケイ素（Ｓｉ））を形成する技術が知られている。
このような真空チャンバでは、基板に薄膜を形成する処理（以下「成膜処理」という）を行った際に、内壁面等に成膜成分（以下「付着物」という）が付着し易く、これが原因で内部にパーティクルが発生しがちである。斯かる場合、良好な薄膜の形成を妨げる一因になるため、真空チャンバ内に存在する付着物を速やかに除去することが必要となる。
このような真空チャンバでは、基板に薄膜を形成する処理（以下「成膜処理」という）を行った際に、内壁面等に成膜成分（以下「付着物」という）が付着し易く、これが原因で内部にパーティクルが発生しがちである。斯かる場合、良好な薄膜の形成を妨げる一因になるため、真空チャンバ内に存在する付着物を速やかに除去することが必要となる。
【0003】
そこで、真空チャンバ内をクリーニングするための技術が各種提案されている。このようなクリーニング技術として、例えば、特許文献１に記載のクリーニング方法がある。
【0004】
特許文献１に記載のクリーニング方法（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ（ＡＭＡＴ）社）は、（１）基板保持具上に配置されたガス供給部を介して、真空チャンバ内に、六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）と酸素の混合ガスからなる、クリーニングガスを導入する、（２）プラズマ化されたクリーニングガスによって、基板保持具に付着した薄膜を除去する、といった手順でクリーニングを行うように構成されたものである。
このようなクリーニング方法によれば、基板保持具等に付着した付着物を有効に除去することができるため、パーティクルの発生を抑えつつ、成膜処理を連続的に行うことが可能である。
このようなクリーニング方法によれば、基板保持具等に付着した付着物を有効に除去することができるため、パーティクルの発生を抑えつつ、成膜処理を連続的に行うことが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２００１－１３１７５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、特許文献１に記載のクリーニング方法では、プラズマ化されたクリーニングガスを、主として、基板保持具に向けて吹き付けるように構成されているため、真空チャンバ内に万遍なく分布させることが困難である。
【0007】
すなわち、特許文献１に記載のクリーニング技術では、真空チャンバ内を万遍なくクリーニングし難い構成となっているため、成膜処理時に、上部内壁面等に付着した付着物が剥がれて成膜中の基板に落下（薄膜に混入）する虞が多分にあり、斯かる場合、基板の品質が低下するといった問題が生じる。
【0008】
この点、特許文献１に記載のクリーニング技術は、基板の品質を確保する面において、十分とはいい難く、未だ改善の余地があるものといえる。なお、このような問題は、近年の真空チャンバの大型化に伴って、顕著になっていくことが想定される。
【0009】
本発明は、このような課題を解消するためになされたものであり、真空チャンバ内を万遍なくクリーニングすることにより、基板の品質を確保することが可能な成膜装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記課題は、本発明に係る成膜装置によれば、基板に薄膜を形成する成膜装置であって、前記基板を収容する収容空間と、該収容空間に連通する連通口とを有する真空チャンバと、プラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記収容空間を排気する排気手段と、を備え、前記プラズマ発生手段は、前記真空チャンバ内に付着する付着物を除去するためのクリーニングガスを導入するガス導入口と、プラズマ化された前記クリーニングガスを吐出するガス吐出口と、を有し、前記連通口における前記真空チャンバの外面側と前記ガス吐出口とを連結することより、前記真空チャンバと隣り合うように配され、前記連通口における前記真空チャンバの内面側には、前記収容空間に延在する管状部材が接続され、前記クリーニングガスは、フッ素系ガスからなる、ことにより解決される。
【0011】
なお、前記成膜装置に係る発明においては、前記クリーニングガスは、六フッ化硫黄（ＳＦ６）を少なくとも含む、と好適である。
この場合、前記クリーニングガスは、前記六フッ化硫黄の含有率が８０％以上である、ことが好適であり、１００％である、ことがより好適である。
この場合、前記クリーニングガスは、前記六フッ化硫黄の含有率が８０％以上である、ことが好適であり、１００％である、ことがより好適である。
【0012】
また、前記成膜装置に係る発明においては、前記クリーニングガスは、前記ガス吐出口から６００ｍｍ離れた位置における洗浄速度が２０μｍ／ｍiｎ以上となるような成分構成からなる、と好適である。
【0013】
さらに、前記成膜装置に係る発明においては、前記管状部材は、該管状部材の周壁を径方向に貫通する貫通孔を有する、と好適である。
この場合、前記管状部材は、前記連通口から延びる延在方向を回転中心として回動自在に構成され、前記管状部材を回動可能な駆動手段を更に備える、とより好適である。
この場合、前記管状部材は、前記連通口から延びる延在方向を回転中心として回動自在に構成され、前記管状部材を回動可能な駆動手段を更に備える、とより好適である。
【0014】
また、前記成膜装置に係る発明においては、前記管状部材は、フッ素樹脂からなる、と好適である。
【0015】
さらに、前記成膜装置に係る発明においては、前記薄膜は、ケイ素（Ｓｉ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、ガラス、有機材料、及び酸化物材料のうちの何れか１つからなる、と好適である。
【0016】
上記課題は、本発明に係る成膜装置のクリーニング方法によれば、前記プラズマ発生手段によって前記プラズマ化された前記クリーニングガスを前記真空チャンバ内に供給するクリーニングガス供給工程と、前記排気手段によって前記真空チャンバ内に吐出された前記クリーニングガスを排気するクリーニングガス排気工程と、を含む、ことにより解決される。
【発明の効果】
【0017】
以上のように、本発明に係る成膜装置及びその製造方法によれば、比較的簡易な構成でありながらも、真空チャンバ内を万遍なくクリーニングすることができ、ひいては、基板の品質を確実に確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下、本発明の成膜装置及びそのクリーニング方法を、その好ましい一実施形態に基づき図面を参照しつつ説明する。図１は本実施形態に係る成膜装置１の概要を示す概要図、図２は成膜装置１の作業プロセスを説明するためのフローチャートである。
【0020】
＜成膜装置１の全体構成＞
図１に示すように、本実施形態に係る成膜装置１は、基板（例えば、ガラス基板、図示省略）に薄膜を形成する装置であり、真空チャンバ１０と、アプリケータ部２０と、マイクロ波生成部３０と、クリーニングガス供給部４０と、真空排気ポンプ５０と、制御装置６０とを含んで構成されている。なお、上記成膜装置１と、真空チャンバ１０と、アプリケータ部２０と、真空排気ポンプ５０とが、それぞれ、特許請求の範囲に記載の「成膜装置」と、「真空チャンバ」と、「プラズマ発生手段」と、「排気手段」とに該当する。
図１に示すように、本実施形態に係る成膜装置１は、基板（例えば、ガラス基板、図示省略）に薄膜を形成する装置であり、真空チャンバ１０と、アプリケータ部２０と、マイクロ波生成部３０と、クリーニングガス供給部４０と、真空排気ポンプ５０と、制御装置６０とを含んで構成されている。なお、上記成膜装置１と、真空チャンバ１０と、アプリケータ部２０と、真空排気ポンプ５０とが、それぞれ、特許請求の範囲に記載の「成膜装置」と、「真空チャンバ」と、「プラズマ発生手段」と、「排気手段」とに該当する。
【0021】
（真空チャンバ１０）
本実施形態に係る真空チャンバ１０は、ステンレス等の金属製部材からなり、基板を収容する収容空間Ｓが形成されたＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）容器である。収容空間Ｓには、基板を保持する基板保持具（図示省略、以下「付属部材」という）等が配置されている。なお、上記収容空間Ｓが特許請求の範囲に記載の「収容空間」に該当する。
本実施形態における基板への薄膜の形成は、公知のＣＶＤ法（化学気相成長法）を用いることにより行われる。詳しくは後述するが、このような薄膜は、収容空間Ｓにプラズマ化された成膜ガスを導入する処理（成膜処理）を行うことにより形成される。
本実施形態に係る真空チャンバ１０は、ステンレス等の金属製部材からなり、基板を収容する収容空間Ｓが形成されたＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）容器である。収容空間Ｓには、基板を保持する基板保持具（図示省略、以下「付属部材」という）等が配置されている。なお、上記収容空間Ｓが特許請求の範囲に記載の「収容空間」に該当する。
本実施形態における基板への薄膜の形成は、公知のＣＶＤ法（化学気相成長法）を用いることにより行われる。詳しくは後述するが、このような薄膜は、収容空間Ｓにプラズマ化された成膜ガスを導入する処理（成膜処理）を行うことにより形成される。
【0022】
本実施形態において、薄膜は、ケイ素（Ｓｉ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、ガラス、有機材料及び酸化物材料のうちの何れか１つからなり、成膜ガスは、このような薄膜を形成することが可能なガス、例えば、シラン（ＳｉＨ4）、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）及びアルゴン（Ａｒ）からなる混合ガス等が用いられる。
【0023】
真空チャンバ１０の上部側と下部側とには、それぞれ、収容空間Ｓに連通する連通口１０Ａと排気口１０Ｂとが形成されている。なお、上記連通口１０Ａと、クリーニングガスとが、それぞれ、特許請求の範囲に記載の「連通口」と、「クリーニングガス」とに該当する。
【0024】
連通口１０Ａには、真空チャンバ１０の外面側に、プラズマ化されたクリーニングガスを収容空間Ｓに導入するアプリケータ部２０が直結される一方、その内面側に、チューブ部材１１が連結されるようになっている。なお、上記チューブ部材１１が特許請求の範囲に記載の「管状部材」に該当する。
クリーニングガスは、成膜処理を行った際に、収容空間Ｓを画成する真空チャンバ１０の内面や、収容空間Ｓに収容される付属部材に付着する付着物、すなわち、薄膜を構成する成膜成分（ケイ素、窒化ケイ素、ガラス、有機材料及び酸化物材料）を除去するためのガスである。
本実施形態に係るクリーニングガスは、六フッ化硫黄（ＳＦ６）を含有するフッ素系ガスが用いられる。
クリーニングガスは、成膜処理を行った際に、収容空間Ｓを画成する真空チャンバ１０の内面や、収容空間Ｓに収容される付属部材に付着する付着物、すなわち、薄膜を構成する成膜成分（ケイ素、窒化ケイ素、ガラス、有機材料及び酸化物材料）を除去するためのガスである。
本実施形態に係るクリーニングガスは、六フッ化硫黄（ＳＦ６）を含有するフッ素系ガスが用いられる。
【0025】
チューブ部材１１には、延在方向に沿って所定の間隔を空けて、複数（本実施形態では「４箇所」）の貫通孔１１ａ～１１ｄが形成されている（図１及び図３参照）。なお、上記貫通孔１１a～１１ｄが特許請求の範囲に記載の「貫通孔」に該当する。
本実施形態では、貫通孔１１ａ～１１ｄを介して、クリーニングガスが噴射されるように構成される。この点、貫通孔１１ａ～１１ｄは、クリーニングガスを噴射する噴射口として機能するものといえる。なお、図１及び図３に示す例では、チューブ部材１１の延在端部が、閉塞されているものを示しているが、開放されていても構わない。
本実施形態では、貫通孔１１ａ～１１ｄを介して、クリーニングガスが噴射されるように構成される。この点、貫通孔１１ａ～１１ｄは、クリーニングガスを噴射する噴射口として機能するものといえる。なお、図１及び図３に示す例では、チューブ部材１１の延在端部が、閉塞されているものを示しているが、開放されていても構わない。
【0026】
チューブ部材１１は、（１）クリーニングガス、プラズマ、高温環境等による変形等を抑制しつつ、（２）プラズマの失活を抑制したり、加工容易性を担保等する観点から、フッ素樹脂により形成されていることが好ましく、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＴＥ：ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）により形成することがより好ましい。これにより、真空チャンバ１０及び付属部材の形状、当該付属部材の配置位置等に応じて、クリーニングガスを噴射する貫通孔１１ａの数を増やしたり、チューブ部材１１の長さを短くしたりする加工等を容易に行うことが可能になる。なお、チューブ部材１１は、上記したフッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン含む）に限られず、例えば、石英、セラミックスを用いて形成することも可能である。
【0027】
真空チャンバ１０には、アプリケータ部２０、マイクロ波生成部３０及びクリーニングガス供給部４０から構成される設備（以下「クリーニングガス供給設備」という）の他、成膜ガスを収容空間Ｓに供給するための設備（以下「成膜ガス供給設備」という）が接続されている。クリーニングガス供給設備（アプリケータ部２０、マイクロ波生成部３０、クリーニングガス供給部４０）についての詳細な説明は後述する
このような成膜ガス供給設備は、収容空間Ｓに成膜ガスを供給することで基板に薄膜を形成することができれば、各種方式による設備を採用することができる。成膜ガス供給設備としては、例えば、（１）成膜ガスを収容空間Ｓに導入する前にプラズマ化する方式（例えば、本実施形態に係るクリーニングガス供給設備のような方式）のものや、（２）成膜ガスを収容空間Ｓに導入した後にプラズマ化する方式（例えば、上記先行技術文献（特開２００１－１３１７５２号公報）のような方式）のものが挙げられる。
以下においては、説明の便宜上、成膜装置１に、前者の成膜ガス供給設備（図１の「成膜ガス供給部４５」参照）が接続されていることを前提として説明する。成膜ガス供給設備（アプリケータ部２０、マイクロ波生成部３０、成膜ガス供給設備４５）についての詳細な説明は後述する。
このような成膜ガス供給設備は、収容空間Ｓに成膜ガスを供給することで基板に薄膜を形成することができれば、各種方式による設備を採用することができる。成膜ガス供給設備としては、例えば、（１）成膜ガスを収容空間Ｓに導入する前にプラズマ化する方式（例えば、本実施形態に係るクリーニングガス供給設備のような方式）のものや、（２）成膜ガスを収容空間Ｓに導入した後にプラズマ化する方式（例えば、上記先行技術文献（特開２００１－１３１７５２号公報）のような方式）のものが挙げられる。
以下においては、説明の便宜上、成膜装置１に、前者の成膜ガス供給設備（図１の「成膜ガス供給部４５」参照）が接続されていることを前提として説明する。成膜ガス供給設備（アプリケータ部２０、マイクロ波生成部３０、成膜ガス供給設備４５）についての詳細な説明は後述する。
【0028】
排気口１０Ｂには、排気路５１を介して真空排気ポンプ５０が接続されている。これにより、本実施形態では、収容空間Ｓ内の成膜ガスやクリーニングガス等を外部に排気することができると共に、収容空間Ｓを真空状態にすることが可能になっている。
【0029】
（アプリケータ部２０）
アプリケータ部２０は、クリーニングガス供給部４０から供給されるクリーニングガスや成膜ガス供給部４５から供給される成膜ガスをプラズマ化するための装置である。以下においては、成膜ガス及びクリーニングガスを区別する必要がない場合を除き、これらを総称して「ガス」ということとする。
アプリケータ部２０は、ガス導入口２０Ａと、マイクロ波導入口２０Ｂと、空間部２０Ｃと、ガス吐出口２０Ｄとを含んで構成されている。なお、上記ガス導入口２０Ａと、ガス吐出口２０Ｄとが、それぞれ、特許請求の範囲に記載の「ガス導入口」と、「ガス吐出口」とに該当する。
アプリケータ部２０は、クリーニングガス供給部４０から供給されるクリーニングガスや成膜ガス供給部４５から供給される成膜ガスをプラズマ化するための装置である。以下においては、成膜ガス及びクリーニングガスを区別する必要がない場合を除き、これらを総称して「ガス」ということとする。
アプリケータ部２０は、ガス導入口２０Ａと、マイクロ波導入口２０Ｂと、空間部２０Ｃと、ガス吐出口２０Ｄとを含んで構成されている。なお、上記ガス導入口２０Ａと、ガス吐出口２０Ｄとが、それぞれ、特許請求の範囲に記載の「ガス導入口」と、「ガス吐出口」とに該当する。
【0030】
ガス導入口２０Ａは、後述するガス供給路４３に接続され、当該ガス供給路４３を介して供給されるガスを空間部２０Ｃに導入するための開口である。
マイクロ波導入口２０Ｂは、後述する導波路３４に接続され、当該導波路３４を介して供給されるマイクロ波を空間部２０Ｃに導波するための開口である。
空間部２０Ｃは、ガス導入口２０Ａを介して導入されたガスに対して、マイクロ波導入口２０Ｂを介して供給されたマイクロ波を照射する領域である。これにより、プラズマ化されたガス（以下「マイクロ波プラズマガス」ともいう）が生成（ガスのプラズマが励起）されることになる。
ガス吐出口２０Ｄは、真空チャンバ１０の連通口１０Ａに直結され、空間部２０Ｃで生成されたマイクロ波プラズマガスを吐出する開口である。
マイクロ波導入口２０Ｂは、後述する導波路３４に接続され、当該導波路３４を介して供給されるマイクロ波を空間部２０Ｃに導波するための開口である。
空間部２０Ｃは、ガス導入口２０Ａを介して導入されたガスに対して、マイクロ波導入口２０Ｂを介して供給されたマイクロ波を照射する領域である。これにより、プラズマ化されたガス（以下「マイクロ波プラズマガス」ともいう）が生成（ガスのプラズマが励起）されることになる。
ガス吐出口２０Ｄは、真空チャンバ１０の連通口１０Ａに直結され、空間部２０Ｃで生成されたマイクロ波プラズマガスを吐出する開口である。
【0031】
真空チャンバ１０は、連通口１０Ａとガス吐出口２０Ｄとを接続した状態で、真空チャンバ１０の上部に隣り合うように配置される。この点、本実施形態に係る真空チャンバ１０は、空間部２０Ｃで生成されたプラズマ化されたガスを、チューブ部材１１の貫通孔１１ａ～１１ｄを介して、すぐさま、収容空間Ｓに噴射できるように構成されたものといえる。
【0032】
なお、図１に示す例では、真空チャンバ１０の連通口１０Ａに、アプリケータ部２０のガス吐出口２０Ｄを篏入させることでこれらを連結するように構成したが、これらを連結する連結態様はこれに限られるものではない。例えば、ガス吐出口２０Ｄに連通口１０Ａを篏入させることでこれらを連結してもよく、別体の管状部材を介してこれらを連結しても構わない。
【0033】
（マイクロ波生成部３０）
マイクロ波生成部３０は、高電圧電源３３（例えば、３～８ｋＶ）に接続されたマグネトロン（Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ）３１と、高周波整合器３２とを含んで構成されている。
マグネトロン３１それ自体は、今や公知であるため、その構成や動作等についての詳しい説明を省略するが、本実施形態においても、所定周波数（例えば、２.４５ＧＨｚ）のマイクロ波を発生させ、これを出力するように構成されている。
本実施形態に係るマグネトロン３１は、高周波整合器３２を有する導波路３４を介して、アプリケータ部２０のマイクロ波導入口２０Ｂに接続され、制御装置６０から出力される電圧調整信号等に基づいて、マイクロ波出力を安定させるための電圧出力の調整等を行う。これにより、ガスが流通するアプリケータ部２０の空間部２０Ｃに、マイクロ波を照射することが可能になっている。
高周波整合器３２は、アプリケータ部２０から反射される反射マイクロ波を低減して、当該反射マイクロ波の電力を調整（インピーダンス整合）するように機能するものである。なお、このような高周波整合器３２としては、例えば、公知のマッチャー（Ｍａｔｃｈｅｒ）を用いることが可能である。
マイクロ波生成部３０は、高電圧電源３３（例えば、３～８ｋＶ）に接続されたマグネトロン（Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ）３１と、高周波整合器３２とを含んで構成されている。
マグネトロン３１それ自体は、今や公知であるため、その構成や動作等についての詳しい説明を省略するが、本実施形態においても、所定周波数（例えば、２.４５ＧＨｚ）のマイクロ波を発生させ、これを出力するように構成されている。
本実施形態に係るマグネトロン３１は、高周波整合器３２を有する導波路３４を介して、アプリケータ部２０のマイクロ波導入口２０Ｂに接続され、制御装置６０から出力される電圧調整信号等に基づいて、マイクロ波出力を安定させるための電圧出力の調整等を行う。これにより、ガスが流通するアプリケータ部２０の空間部２０Ｃに、マイクロ波を照射することが可能になっている。
高周波整合器３２は、アプリケータ部２０から反射される反射マイクロ波を低減して、当該反射マイクロ波の電力を調整（インピーダンス整合）するように機能するものである。なお、このような高周波整合器３２としては、例えば、公知のマッチャー（Ｍａｔｃｈｅｒ）を用いることが可能である。
【0034】
（クリーニングガス供給部４０）
クリーニングガス供給部４０は、アプリケータ部２０にクリーニングガスを供給するための設備であり、クリーニングガス供給源４１と、流量調整装置４２とを含んで構成されている。
クリーニングガス供給源４１は、ガス供給路４３を介して、アプリケータ部２０のガス導入口２０Ａに接続され、流量調整装置４２は、ガス供給路４３中の所定位置に取り付けられる。
流量調整装置４２は、制御装置６０から出力される流量調整信号等に基づいて、弁体の開閉やクリーニングガスの流量調整を行う。すなわち、本実施形態では、真空チャンバ１０の収容空間Ｓをクリーニングするときに限って、クリーニングガスを、アプリケータ部２０を介して収容空間Ｓに供給することが可能になっている。なお、流量調整装置４２としては、例えば、マスフローコントローラー（ＭＦＣ：Ｍａｓｓ Ｆｌｏｗ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を用いることが可能である。
クリーニングガス供給部４０は、アプリケータ部２０にクリーニングガスを供給するための設備であり、クリーニングガス供給源４１と、流量調整装置４２とを含んで構成されている。
クリーニングガス供給源４１は、ガス供給路４３を介して、アプリケータ部２０のガス導入口２０Ａに接続され、流量調整装置４２は、ガス供給路４３中の所定位置に取り付けられる。
流量調整装置４２は、制御装置６０から出力される流量調整信号等に基づいて、弁体の開閉やクリーニングガスの流量調整を行う。すなわち、本実施形態では、真空チャンバ１０の収容空間Ｓをクリーニングするときに限って、クリーニングガスを、アプリケータ部２０を介して収容空間Ｓに供給することが可能になっている。なお、流量調整装置４２としては、例えば、マスフローコントローラー（ＭＦＣ：Ｍａｓｓ Ｆｌｏｗ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を用いることが可能である。
【0035】
（成膜ガス供給部４５）
成膜ガス供給部４５は、アプリケータ部２０に成膜ガスを供給するための設備である。
成膜ガス供給部４５は、クリーニングガス供給部４０と同様に、成膜ガス供給源４６と、流量調整装置４２´とを含んで構成されている。なお、図１に示す成膜ガス供給部４５は、成膜ガス供給設備の一例にすぎないものであり、上記した他の方式の設備を採用することが可能である。
成膜ガス供給部４５は、アプリケータ部２０に成膜ガスを供給するための設備である。
成膜ガス供給部４５は、クリーニングガス供給部４０と同様に、成膜ガス供給源４６と、流量調整装置４２´とを含んで構成されている。なお、図１に示す成膜ガス供給部４５は、成膜ガス供給設備の一例にすぎないものであり、上記した他の方式の設備を採用することが可能である。
【0036】
図１に示す例では、アプリケータ部２０と流量調整装置４２とを接続する側のガス供給路４３に分岐部４４が設けられ、成膜ガス供給源４６が分岐路４７を介して分岐部４４に接続されている。
流量調整装置４２´は、分岐路４７の途中位置に設けられ、流量調整装置４２と同様に、制御装置６０から出力される流量調整信号等に基づいて、弁体の開閉や成膜ガスの流量調整等を行う。なお、流量調整装置４２´としては、流量調整装置４２と同様に、マスフローコントローラーを用いることが可能である。
流量調整装置４２´は、分岐路４７の途中位置に設けられ、流量調整装置４２と同様に、制御装置６０から出力される流量調整信号等に基づいて、弁体の開閉や成膜ガスの流量調整等を行う。なお、流量調整装置４２´としては、流量調整装置４２と同様に、マスフローコントローラーを用いることが可能である。
【0037】
図１に示す例では、このように構成されているため、流量調整装置４２,４２´をそれぞれ制御することによって、クリーニングガス及び成膜ガスの何れか一方を収容空間Ｓに供給することが可能になっている。
【0038】
なお、図１に示す例では、ガス供給路４３に分岐路４７を設け、クリーニングガス及び成膜ガスを（共通の）アプリケータ部２０を介して収容空間Ｓに供給するように構成したが、これらガスを互いに異なるアプリケータを介して収容空間Ｓに供給することも可能である。このような構成は、例えば、（１）真空チャンバ１０に連通口１０Ａとは異なる連通口を設け、（２）当該異なる連通口と成膜ガス用のアプリケータ部とを接続すると共に、（３）成膜ガス用のアプリケータ部と成膜ガス供給路とを接続する、ことにより実現することが可能である。このとき、成膜ガス用のアプリケータ部には、アプリケータ部２０と同一のマイクロ波生成部３０を接続してもよく、これとは別のマイクロ波生成部を接続しても構わない。
【0039】
（真空排気ポンプ５０）
真空排気ポンプ５０は、制御装置６０から出力される排気量調整信号等に基づいて、収容空間Ｓを所望の真空度に減圧することが可能な装置であり、真空チャンバ１０の排気口１０Ｂに排気路５１を介して接続されている。真空排気ポンプ５０としては、例えば、ドライポンプ（Ｄｒｙ Ｐｕｍｐ）やターボ分子ポンプ(Ｔｕｒｂｏ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｐｕｍｐ)を用いることができる。
真空排気ポンプ５０は、制御装置６０から出力される排気量調整信号等に基づいて、収容空間Ｓを所望の真空度に減圧することが可能な装置であり、真空チャンバ１０の排気口１０Ｂに排気路５１を介して接続されている。真空排気ポンプ５０としては、例えば、ドライポンプ（Ｄｒｙ Ｐｕｍｐ）やターボ分子ポンプ(Ｔｕｒｂｏ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｐｕｍｐ)を用いることができる。
【0040】
（制御装置６０）
制御装置６０は、例えば、公知のパーソナルコンピュータシステム（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｓｙｓｔｅｍ）からなり、中央処理部（ＣＰＵ：Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）や記憶部等を有している。本実施形態に係る制御装置６０は、マグネトロン３１、流量調整装置４２，４２´及び真空排気ポンプ５０等と電気的に接続されている。
中央処理部は、記憶部に記憶された各種プログラムを読み込み、所定の演算処理を実行して、表示部（図示省略）に所定の画像を表示等させる制御を行う。これに加え、中央処理部は、例えば、（１）マグネトロン３１に電圧調整信号等を出力して、マイクロ波出力を安定させるための電圧出力の調整をすると共に、（２）流量調整装置４２（流量調整装置４２´）に流量調整信号等を出力して、クリーニングガス（成膜ガス）の流量の調整をする他、（３）真空排気ポンプ５０に排気量調整信号等を出力して、収容空間Ｓを真空状態にするためのモータの発停や回転数の調整等をする制御などを行う。
制御装置６０は、例えば、公知のパーソナルコンピュータシステム（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｓｙｓｔｅｍ）からなり、中央処理部（ＣＰＵ：Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）や記憶部等を有している。本実施形態に係る制御装置６０は、マグネトロン３１、流量調整装置４２，４２´及び真空排気ポンプ５０等と電気的に接続されている。
中央処理部は、記憶部に記憶された各種プログラムを読み込み、所定の演算処理を実行して、表示部（図示省略）に所定の画像を表示等させる制御を行う。これに加え、中央処理部は、例えば、（１）マグネトロン３１に電圧調整信号等を出力して、マイクロ波出力を安定させるための電圧出力の調整をすると共に、（２）流量調整装置４２（流量調整装置４２´）に流量調整信号等を出力して、クリーニングガス（成膜ガス）の流量の調整をする他、（３）真空排気ポンプ５０に排気量調整信号等を出力して、収容空間Ｓを真空状態にするためのモータの発停や回転数の調整等をする制御などを行う。
【0041】
＜成膜装置１の作業プロセス＞
次に、成膜装置１による作業プロセスについて図１及び図２を参照しつつ説明する。
なお、以下においては、説明の便宜上、（１）成膜処理を行う際に、基板が基板保持具に自動的に保持されること、（２）成膜処理を行った後、基板が収容空間Ｓから自動的に搬出されること、を前提として説明する。
次に、成膜装置１による作業プロセスについて図１及び図２を参照しつつ説明する。
なお、以下においては、説明の便宜上、（１）成膜処理を行う際に、基板が基板保持具に自動的に保持されること、（２）成膜処理を行った後、基板が収容空間Ｓから自動的に搬出されること、を前提として説明する。
【0042】
図２に示すように、本実施形態に係る成膜装置１の作業プロセスは、成膜工程Ｓ１００と、クリーニング工程Ｓ２００とを含んで構成されている。なお、成膜装置１により行われる上記クリーニング工程Ｓ２００が特許請求の範囲に記載の「成膜装置のクリーニング方法」に該当する。
【0043】
（成膜工程Ｓ１００）
図１及び図２に示すように、成膜工程Ｓ１００では、基板保持具（図示省略）に保持された基板に薄膜を形成する処理を行う。
具体的に、成膜工程Ｓ１００では、収容空間Ｓを真空状態にする処理（以下「減圧処理」という）を行った後、成膜処理を行うように構成される。
図１及び図２に示すように、成膜工程Ｓ１００では、基板保持具（図示省略）に保持された基板に薄膜を形成する処理を行う。
具体的に、成膜工程Ｓ１００では、収容空間Ｓを真空状態にする処理（以下「減圧処理」という）を行った後、成膜処理を行うように構成される。
【0044】
減圧処理は、真空チャンバ１０を封止した状態、例えば、流量調整装置４２，４２´のそれぞれを閉塞した状態で、真空排気ポンプ５０を駆動することにより行われる。
真空排気ポンプ５０は、制御装置６０から出力される制御信号（例えば、排気量調整信号）に基づいて、モータの発停や回転数の調整等の制御を行う。
真空排気ポンプ５０は、制御装置６０から出力される制御信号（例えば、排気量調整信号）に基づいて、モータの発停や回転数の調整等の制御を行う。
【0045】
成膜工程Ｓ１００は、収容空間Ｓが所定の真空度になった後、その状態が安定したことを条件に開始される。なお、本実施形態では、成膜処理が完了するまで、真空排気ポンプ５０を駆動することによって、収容空間Ｓの真空度が維持されるように構成となっている。
具体的に、成膜工程Ｓ１００では、アプリケータ部２０へのクリーニングガスの流出を停止させた状態（流量調整装置４２を閉止した状態）で、（１）マグネトロン３１を駆動して、アプリケータ部２０に所定周波数（例えば、２.４５ＧＨｚ）のマイクロ波を供給すると共に、（２）流量調整装置４２´を制御して、アプリケータ部２０に成膜ガスを供給する処理を行う。このようなマグネトロン３１の駆動や流量調整装置４２´の制御は、上記したように、制御装置６０から出力される制御信号に基づいて行われる。これにより、アプリケータ部２０で生成されたマイクロ波プラズマガス（成膜ガス）が、チューブ部材１１の貫通孔１１ａ～１１ｄを介して収容空間Ｓに導入され、基板に所定膜厚の薄膜が形成されることとなる。
なお、本実施形態に係る成膜ガスは、上記したように、ケイ素（Ｓｉ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、ガラス、有機材料、及び酸化物材料のうちの何れか１つからなる薄膜を基板に生成するためのガス、例えば、シラン（ＳｉＨ4）、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）及びアルゴン（Ａｒ）からなる混合ガスが用いられる。
具体的に、成膜工程Ｓ１００では、アプリケータ部２０へのクリーニングガスの流出を停止させた状態（流量調整装置４２を閉止した状態）で、（１）マグネトロン３１を駆動して、アプリケータ部２０に所定周波数（例えば、２.４５ＧＨｚ）のマイクロ波を供給すると共に、（２）流量調整装置４２´を制御して、アプリケータ部２０に成膜ガスを供給する処理を行う。このようなマグネトロン３１の駆動や流量調整装置４２´の制御は、上記したように、制御装置６０から出力される制御信号に基づいて行われる。これにより、アプリケータ部２０で生成されたマイクロ波プラズマガス（成膜ガス）が、チューブ部材１１の貫通孔１１ａ～１１ｄを介して収容空間Ｓに導入され、基板に所定膜厚の薄膜が形成されることとなる。
なお、本実施形態に係る成膜ガスは、上記したように、ケイ素（Ｓｉ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、ガラス、有機材料、及び酸化物材料のうちの何れか１つからなる薄膜を基板に生成するためのガス、例えば、シラン（ＳｉＨ4）、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）及びアルゴン（Ａｒ）からなる混合ガスが用いられる。
【0046】
成膜工程Ｓ１００は、基板に所定膜厚の薄膜が形成されると、マグネトロン３１の駆動を停止すると共に、アプリケータ部２０への成膜ガスの供給を停止して終了する。
なお、成膜工程Ｓ１００を行うと、上記した成膜成分は、基板以外にも、収容空間Ｓを画成する真空チャンバ１０の内壁面や収容空間Ｓに配置される付属部材にも付着する。このような付着物は、成膜工程Ｓ１００を行った際に、基板に形成される薄膜に混入する虞があり、斯かる場合、基板の品質が低下するといった問題が生じる。そこで、本実施形態では、このような問題を解消するべく、成膜工程Ｓ１００を行った後、後述するクリーニング工程Ｓ２００を行うように構成されている。
なお、成膜工程Ｓ１００を行うと、上記した成膜成分は、基板以外にも、収容空間Ｓを画成する真空チャンバ１０の内壁面や収容空間Ｓに配置される付属部材にも付着する。このような付着物は、成膜工程Ｓ１００を行った際に、基板に形成される薄膜に混入する虞があり、斯かる場合、基板の品質が低下するといった問題が生じる。そこで、本実施形態では、このような問題を解消するべく、成膜工程Ｓ１００を行った後、後述するクリーニング工程Ｓ２００を行うように構成されている。
【0047】
（クリーニング工程Ｓ２００）
クリーニング工程Ｓ２００では、クリーニングガスを用いて、収容空間Ｓ内で付着した付着物（成膜成分）を除去する処理を行う。
本実施形態に係るクリーニングガスは、上記したように、六フッ化硫黄（ＳＦ６）を含有するフッ素系ガスが用いられる。なお、図２に示す例では、成膜工程Ｓ１００を行った後、続けて、クリーニング工程Ｓ２００を行うようにしているが、成膜処理Ｓ１００を所定回数（例えば「５回」）行った後に、クリーニング処理Ｓ２００を行うようにすることも可能である。
クリーニング工程Ｓ２００では、クリーニングガスを用いて、収容空間Ｓ内で付着した付着物（成膜成分）を除去する処理を行う。
本実施形態に係るクリーニングガスは、上記したように、六フッ化硫黄（ＳＦ６）を含有するフッ素系ガスが用いられる。なお、図２に示す例では、成膜工程Ｓ１００を行った後、続けて、クリーニング工程Ｓ２００を行うようにしているが、成膜処理Ｓ１００を所定回数（例えば「５回」）行った後に、クリーニング処理Ｓ２００を行うようにすることも可能である。
【0048】
図２に示すように、クリーニング工程Ｓ２００は、クリーニングガス供給工程Ｓ２０１と、クリーニングガス排気工程Ｓ２０２とを含んで構成されている。なお、上記クリーニングガス供給工程Ｓ１００と、クリーニングガス排気工程Ｓ２００とが、特許請求の範囲に記載の「クリーニングガス供給工程」と、「クリーニングガス排気工程」とに該当する。
【0049】
（クリーニングガス供給工程Ｓ２０１）
クリーニングガス供給工程Ｓ２０１では、プラズマ化されたクリーニングガスを収容空間Ｓに供給する処理を行う。
具体的に、クリーニングガス供給工程Ｓ２０１では、アプリケータ部２０への成膜ガスの流出を停止させた状態（流量調整装置４２´を閉止した状態）で、（１）マグネトロン３１を駆動して、アプリケータ部２０に所定周波数（例えば、２.４５ＧＨｚ）のマイクロ波を供給すると共に、（２）流量調整装置４２を制御して、アプリケータ部２０にクリーニングガスを供給する処理を行う。このようなマグネトロン３１の駆動や流量調整装置４２の制御は、制御装置６０から出力される制御信号に基づいて行われる。これにより、アプリケータ部２０で生成されたマイクロ波プラズマガス（クリーニングガス）が、チューブ部材１１の貫通孔１１ａ～１１ｄを介して収容空間Ｓに導入されることとなる。
詳しくは後述するが、収容空間Ｓ内に存在する付着物は、プラズマ化されたクリーニングガスと接触した際に、スパッタ作用により分解除去（ガス化）される。
クリーニングガス供給工程Ｓ２０１では、プラズマ化されたクリーニングガスを収容空間Ｓに供給する処理を行う。
具体的に、クリーニングガス供給工程Ｓ２０１では、アプリケータ部２０への成膜ガスの流出を停止させた状態（流量調整装置４２´を閉止した状態）で、（１）マグネトロン３１を駆動して、アプリケータ部２０に所定周波数（例えば、２.４５ＧＨｚ）のマイクロ波を供給すると共に、（２）流量調整装置４２を制御して、アプリケータ部２０にクリーニングガスを供給する処理を行う。このようなマグネトロン３１の駆動や流量調整装置４２の制御は、制御装置６０から出力される制御信号に基づいて行われる。これにより、アプリケータ部２０で生成されたマイクロ波プラズマガス（クリーニングガス）が、チューブ部材１１の貫通孔１１ａ～１１ｄを介して収容空間Ｓに導入されることとなる。
詳しくは後述するが、収容空間Ｓ内に存在する付着物は、プラズマ化されたクリーニングガスと接触した際に、スパッタ作用により分解除去（ガス化）される。
【0050】
（クリーニングガス排気工程Ｓ２０２）
クリーニングガス排気工程Ｓ２０２では、収容空間Ｓを減圧した状態で排気する処理を行う。
具体的に、クリーニングガス排気工程Ｓ２０２では、制御装置６０から出力される排気量調整信号に基づいて、真空排気ポンプ５０のモータ回転数を調整等して収容空間Ｓに存在する各種ガスを外部に排出する処理を行う。これにより、クリーニングガス供給工程Ｓ２０１で分解除去された付着物が外部に排出されることとなる。
クリーニングガス排気工程Ｓ２０２では、収容空間Ｓを減圧した状態で排気する処理を行う。
具体的に、クリーニングガス排気工程Ｓ２０２では、制御装置６０から出力される排気量調整信号に基づいて、真空排気ポンプ５０のモータ回転数を調整等して収容空間Ｓに存在する各種ガスを外部に排出する処理を行う。これにより、クリーニングガス供給工程Ｓ２０１で分解除去された付着物が外部に排出されることとなる。
【0051】
本実施形態に係るクリーニング工程Ｓ２００は、収容空間Ｓを排気しつつ減圧した状態で、プラズマ化されたクリーニングガスを収容空間Ｓに導入するように構成されている。
この点、本実施形態では、クリーニングガス排気工程Ｓ２０２を行った状態で、クリーニングガス供給工程Ｓ２０１を行うように構成されたものといえる。なお、クリーニングガス供給工程Ｓ２０１及びクリーニングガス排気工程Ｓ２０２を行う順番、期間等は、これに限られたものではなく、例えば、クリーニングガス供給工程Ｓ２０１を行った後に、クリーニングガス供給工程Ｓ２０２を行ってもよい。
この点、本実施形態では、クリーニングガス排気工程Ｓ２０２を行った状態で、クリーニングガス供給工程Ｓ２０１を行うように構成されたものといえる。なお、クリーニングガス供給工程Ｓ２０１及びクリーニングガス排気工程Ｓ２０２を行う順番、期間等は、これに限られたものではなく、例えば、クリーニングガス供給工程Ｓ２０１を行った後に、クリーニングガス供給工程Ｓ２０２を行ってもよい。
【0052】
ここで、プラズマ化されたクリーニングガスによる付着物の分解除去について、理解を容易にするため、付着物（成膜成分）が「ケイ素（Ｓｉ）」、クリーニングガスが「六フッ化硫黄（ＳＦ６）」（含有率（ガス濃度）１００％）である場合を例にとって説明する。
「六フッ化硫黄（ＳＦ６）」からなるクリーニングガスは、アプリケータ部２０の空間部２０Ｃでマイクロ波が照射されると、そのエネルギーによって、「六フッ化硫黄（ＳＦ６）」におけるＳ－Ｆ結合が解離され、「フッ素（Ｆ）」が生成される。
そして、このようなガスが、収容空間Ｓに存在する付着物（Ｓｉ）に接触すると、「フッ素（Ｆ）」が「Ｓｉ（ケイ素）＋４Ｆ（フッ素）→ＳｉＦ4（四フッ化ケイ素）」といった化学反応をするため、その進行に応じて、付着物（成膜成分）が徐々に分解除去（ガス化）される。なお、このようにして分解除去された付着物は、真空排気ポンプ５０によって吸引され、外部に排出されることとなる。
「六フッ化硫黄（ＳＦ６）」からなるクリーニングガスは、アプリケータ部２０の空間部２０Ｃでマイクロ波が照射されると、そのエネルギーによって、「六フッ化硫黄（ＳＦ６）」におけるＳ－Ｆ結合が解離され、「フッ素（Ｆ）」が生成される。
そして、このようなガスが、収容空間Ｓに存在する付着物（Ｓｉ）に接触すると、「フッ素（Ｆ）」が「Ｓｉ（ケイ素）＋４Ｆ（フッ素）→ＳｉＦ4（四フッ化ケイ素）」といった化学反応をするため、その進行に応じて、付着物（成膜成分）が徐々に分解除去（ガス化）される。なお、このようにして分解除去された付着物は、真空排気ポンプ５０によって吸引され、外部に排出されることとなる。
【0053】
このように、本実施形態では、真空チャンバ１０の連通口１０Ａとアプリケータ部２０のガス吐出口２０Ｄとを連結することによって、アプリケータ部２０が、真空チャンバ１０と隣り合うように配置されている。
このため、本実施形態では、プラズマ化されたクリーニングガス（フッ素系ガス）を、収容空間Ｓにダイレクトに供給することができるので、アプリケータ部２０で生成されたフッ素（Ｆ）ラジカルを、活性化した状態のまま、収容空間Ｓに存在する付着物（成膜成分）に効率良く接触させることが可能である。その結果、収容空間Ｓ内に存在する付着物を効率的に分解除去することが可能なため、真空チャンバ１０を確実かつ短時間にクリーニングすることができる。
このため、本実施形態では、プラズマ化されたクリーニングガス（フッ素系ガス）を、収容空間Ｓにダイレクトに供給することができるので、アプリケータ部２０で生成されたフッ素（Ｆ）ラジカルを、活性化した状態のまま、収容空間Ｓに存在する付着物（成膜成分）に効率良く接触させることが可能である。その結果、収容空間Ｓ内に存在する付着物を効率的に分解除去することが可能なため、真空チャンバ１０を確実かつ短時間にクリーニングすることができる。
【0054】
また、本実施形態では、アプリケータ部２０でプラズマ化されたクリーニングガスが、収容空間Ｓに延在するチューブ部材１１を流通した後、貫通孔１１ａ～１１ｄから噴射されることによって、収容空間Ｓに供給されるように構成されている。
すなわち、本実施形態では、プラズマ化されたクリーニングガスを、所望の位置を目掛けて吹き付けることができる他、効率的に拡散することができるので、収容空間Ｓ内で万遍なく分布させることが可能である。その結果、大型の真空チャンバであっても、プラズマ化されたクリーニングガスを付着物に良好に接触させることが可能なため、その内部を効率良くクリーニングすることができる。
すなわち、本実施形態では、プラズマ化されたクリーニングガスを、所望の位置を目掛けて吹き付けることができる他、効率的に拡散することができるので、収容空間Ｓ内で万遍なく分布させることが可能である。その結果、大型の真空チャンバであっても、プラズマ化されたクリーニングガスを付着物に良好に接触させることが可能なため、その内部を効率良くクリーニングすることができる。
【0055】
さらに、本実施形態では、クリーニングガスを収容空間Ｓに導入している間中（クリーニングガス供給工程Ｓ２０１）、収容空間Ｓが真空排気ポンプ５０により排気されるように構成されている（クリーニングガス排気工程Ｓ２０２）。
すなわち、本実施形態では、分解除去（ガス化）された付着物を外部に随時排出することができるため、収容空間Ｓ内を円滑にクリーンな状態とすることが可能である。
すなわち、本実施形態では、分解除去（ガス化）された付着物を外部に随時排出することができるため、収容空間Ｓ内を円滑にクリーンな状態とすることが可能である。
【0056】
また、本実施形態では、収容空間Ｓにクリーニングガスを導入しつつ排気するように構成されているため、当該クリーニングガスを収容空間Ｓ内で良好に攪拌・分布等させることが可能である。
すなわち、本実施形態によれば、収容空間Ｓに存在する付着物（成膜成分）に、クリーニングガスを、より効率的に接触させることが可能なため、クリーニングガスによるクリーニング効果を更に高めることができる。
すなわち、本実施形態によれば、収容空間Ｓに存在する付着物（成膜成分）に、クリーニングガスを、より効率的に接触させることが可能なため、クリーニングガスによるクリーニング効果を更に高めることができる。
【0057】
＜試験＞
なお、本実施形態では、クリーニングガスとして、六フッ化硫黄（ＳＦ６）を含有するフッ素系ガスを用いたが、その含有率は、８０％以上であることが好ましく、１００％であることが好ましい。
以下、その理由について、成膜装置１を用いて行った試験結果に基づき、図１及び図３～図６を参照しつつ説明する。
なお、本実施形態では、クリーニングガスとして、六フッ化硫黄（ＳＦ６）を含有するフッ素系ガスを用いたが、その含有率は、８０％以上であることが好ましく、１００％であることが好ましい。
以下、その理由について、成膜装置１を用いて行った試験結果に基づき、図１及び図３～図６を参照しつつ説明する。
【0058】
本試験では、クリーニングガスによるクリーニング効果を検証するため、「試験１」及び「試験２」の２つの試験を行った。
「試験１」は、六フッ化硫黄を含有するクリーニングガスを用いてクリーニングした際のクリーニング速度（μｍ／ｍｉｎ）と、六フッ化エタンを含有するクリーニングガスを用いてクリーニングをした際のクリーニング速度とを比較するための試験である。なお、六フッ化エタンは、クリーニングガスとして広く一般的に用いられるものである（例えば、上記「先行技術文献」参照）。
「試験２」は、ガス吐出口２０Ｄから１５０ｍｍ離れた位置をクリーニングした際のクリーニング速度と、ガス吐出口２０Ｄから６００ｍｍ離れた位置をクリーニングした際のクリーニング速度とを比較するための試験である。なお、上記クリーニング速度が特許請求の範囲に記載の「洗浄速度」に該当する。
「試験１」は、六フッ化硫黄を含有するクリーニングガスを用いてクリーニングした際のクリーニング速度（μｍ／ｍｉｎ）と、六フッ化エタンを含有するクリーニングガスを用いてクリーニングをした際のクリーニング速度とを比較するための試験である。なお、六フッ化エタンは、クリーニングガスとして広く一般的に用いられるものである（例えば、上記「先行技術文献」参照）。
「試験２」は、ガス吐出口２０Ｄから１５０ｍｍ離れた位置をクリーニングした際のクリーニング速度と、ガス吐出口２０Ｄから６００ｍｍ離れた位置をクリーニングした際のクリーニング速度とを比較するための試験である。なお、上記クリーニング速度が特許請求の範囲に記載の「洗浄速度」に該当する。
【0059】
「試験１」及び「試験２」では、以下の条件の成膜装置１を用いて、クリーニング速度の測定を行った。
・クリーニングガスの圧力：１１０Ｐａ
・クリーニングガスの流量：１０００ｓｃｃｍ
・マグネトロン３１の消費電力：２０００Ｗ
・真空チャンバ１０の収容空間Ｓのサイズ：幅１１００ｍｍ（図３の「幅Ｗ」）、奥行き７５０ｍｍ（図３の「奥行きＤ」）、高さ７００ｍｍ（図３の「高さＨ」）
・クリーニングガスの圧力：１１０Ｐａ
・クリーニングガスの流量：１０００ｓｃｃｍ
・マグネトロン３１の消費電力：２０００Ｗ
・真空チャンバ１０の収容空間Ｓのサイズ：幅１１００ｍｍ（図３の「幅Ｗ」）、奥行き７５０ｍｍ（図３の「奥行きＤ」）、高さ７００ｍｍ（図３の「高さＨ」）
【0060】
また、「試験１」及び「試験２」では、外面にケイ素（Ｓｉ）等の付着物（成膜成分）が付着した試料、例えば、薄膜が形成された基板に相当する基板相当品を用いて、クリーニング速度を測定している。
【0061】
（試験１）
図４は、「試験１」の測定結果を示すグラフであり、六フッ化硫黄を含有するガスを用いた場合のクリーニング速度と、六フッ化エタンを含有するガスを用いた場合のクリーニング速度との比較結果をグラフ化したものである。
「試験１」は、以下の試験条件でクリーニング速度を測定した。
・試料の配置位置：アプリケータ部２０のガス吐出口２０Ｄから１５０ｍｍ離れた位置
・クリーニングガス１：六フッ化硫黄（ＳＦ６）及び酸素（Ｏ２）の混合ガス（六フッ化硫黄の含有率が１００％である場合を除く）
・クリーニングガス２（比較例）：六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）及び酸素（Ｏ２）の混合ガス（六フッ化エタンの含有率が１００％である場合を除く）
・クリーニング速度の測定：六フッ化硫黄及び六フッ化エタンの各所定含有率毎
図４は、「試験１」の測定結果を示すグラフであり、六フッ化硫黄を含有するガスを用いた場合のクリーニング速度と、六フッ化エタンを含有するガスを用いた場合のクリーニング速度との比較結果をグラフ化したものである。
「試験１」は、以下の試験条件でクリーニング速度を測定した。
・試料の配置位置：アプリケータ部２０のガス吐出口２０Ｄから１５０ｍｍ離れた位置
・クリーニングガス１：六フッ化硫黄（ＳＦ６）及び酸素（Ｏ２）の混合ガス（六フッ化硫黄の含有率が１００％である場合を除く）
・クリーニングガス２（比較例）：六フッ化エタン（Ｃ2Ｆ6）及び酸素（Ｏ２）の混合ガス（六フッ化エタンの含有率が１００％である場合を除く）
・クリーニング速度の測定：六フッ化硫黄及び六フッ化エタンの各所定含有率毎
【0062】
図４に示すグラフからは、六フッ化硫黄を含有するガスを用いた場合、含有率が８０％を超えると、クリーニング速度が４５～５０μｍ／ｍｉｎといった比較的高い値で推移していることが読み取れる。これに対し、六フッ化エタンを含有するガスを用いた場合、クリーニング速度が、含有率が５０％のときに最も高い値（５μｍ／ｍｉｎ程度）を示し、全般的に低い値（０～５μｍ／ｍｉｎ）で推移していることが読み取れる。
【0063】
このように、図４に示すグラフによれば、六フッ化硫黄と六フッ化エタンとは、クリーニング速度の各最高値を比較しても明らかなように、前者が５０μｍ／ｍｉｎ（含有率８０％等）であるのに対し、後者が前者の１／１０倍の５μｍ／ｍｉｎ（含有率５０％）であることが分かる。この点、「試験１」によれば、六フッ化硫黄は、六フッ化エタンよりもクリーニング効果が高いものといえる。
【0064】
（試験２）
図５は、「試験２」の測定結果を示すグラフであり、六フッ化硫黄を用いて、ガス吐出口２０Ｄから１５０ｍｍ離れた位置をクリーニングした場合のクリーニング速度と、ガス吐出口２０Ｄから６００ｍｍ離れた位置をクリーニングした場合のクリーニング速度との比較結果をグラフ化したものである。
「試験２」は、以下の試験条件でクリーニング速度を測定した。
・試料の配置位置：アプリケータ部２０のガス吐出口２０Ｄから１５０ｍｍ離れた位置と６００ｍｍ離れた位置
・クリーニングガス：六フッ化硫黄（ＳＦ６）及び酸素（Ｏ２）の混合ガス（六フッ化硫黄の含有率が１００％である場合を除く）
・クリーニング速度の測定：試料の配置位置毎、六フッ化硫黄の所定含有率毎
図５は、「試験２」の測定結果を示すグラフであり、六フッ化硫黄を用いて、ガス吐出口２０Ｄから１５０ｍｍ離れた位置をクリーニングした場合のクリーニング速度と、ガス吐出口２０Ｄから６００ｍｍ離れた位置をクリーニングした場合のクリーニング速度との比較結果をグラフ化したものである。
「試験２」は、以下の試験条件でクリーニング速度を測定した。
・試料の配置位置：アプリケータ部２０のガス吐出口２０Ｄから１５０ｍｍ離れた位置と６００ｍｍ離れた位置
・クリーニングガス：六フッ化硫黄（ＳＦ６）及び酸素（Ｏ２）の混合ガス（六フッ化硫黄の含有率が１００％である場合を除く）
・クリーニング速度の測定：試料の配置位置毎、六フッ化硫黄の所定含有率毎
【0065】
図５に示すグラフからは、ガス吐出口２０Ｄから試料までの距離が１５０ｍｍである場合、六フッ化硫黄の含有率が８０％を超えると、クリーニング速度が４５～５０μｍ／ｍｉｎといった比較的高い値で推移していることが読み取れる。これに対し、ガス吐出口２０Ｄから試料までの距離が６００ｍｍである場合、六フッ化硫黄の含有率が８０％以下であると、クリーニング速度が５μｍ／ｍｉｎといった比較的低い値で推移するが、その含有率が８０％を超えると、クリーニング速度が急激に上昇し、１００％に達すると、クリーニング速度が２０μｍ／ｍｉｎまで上昇することが読み取れる。
【0066】
このように、図５に示すグラフによれば、六フッ化硫黄の含有率が、８０％以上、より好ましくは１００％である場合、アプリケータ部２０のガス吐出口２０Ｄからクリーニング対象までの距離の大小を問わず、クリーニング効果を確実に発揮できるといった評価結果を得ることができた。
【0067】
ところで、図５に示すグラフからは、アプリケータ部２０のガス吐出口２０Ｄから試料までの距離が１５０ｍｍの場合と６００ｍｍの場合とでは、後者の方が、全般的にクリーニング速度（クリーニング効果）が低いことが読み取れる。すなわち、六フッ化硫黄が非含有のフッ素系ガスであっても、後者のクリーニング速度と同様なクリーニング速度を得ることができれば、六フッ化硫黄が含有されたガスと同様のクリーニング効果（図５参照）が期待することができる。
そこで、後者の試験結果をみると、六フッ化硫黄の含有率が１００％のとき、クリーニング速度が一番速い２０μｍ／ｍｉｎであった。この点、クリーニングガスとして、六フッ化硫黄が非含有のフッ素系ガスを用いる場合、アプリケータ部２０のガス吐出口２０Ｄから６００ｍｍ離れた位置におけるクリーニング速度が２０μｍ／ｍｉｎ以上、といった条件を満たすことが好ましいといえる。
そこで、後者の試験結果をみると、六フッ化硫黄の含有率が１００％のとき、クリーニング速度が一番速い２０μｍ／ｍｉｎであった。この点、クリーニングガスとして、六フッ化硫黄が非含有のフッ素系ガスを用いる場合、アプリケータ部２０のガス吐出口２０Ｄから６００ｍｍ離れた位置におけるクリーニング速度が２０μｍ／ｍｉｎ以上、といった条件を満たすことが好ましいといえる。
【0068】
（試験３）
上記したように、本実施形態では、クリーニングガスが、チューブ部材１１の貫通孔１１ａ～１１ｄから噴射されて収容空間Ｓに導入されるように構成されている。
そこで、チューブ部材１１を介したクリーニングガスのクリーニング効果を検証するため、上記「試験１」及び「試験２」に加え、「試験３」を行った。
「試験３」では、「試験１」及び「試験２」と同一の成膜装置１、例えば、真空チャンバ１０であれば、収容空間Ｓが、幅Ｄ：１１００ｍｍ、奥行きＤ：７５０ｍｍ、高さＨ：７００ｍｍの大きさに形成されたものを使用した（図３参照）。
また、「試験３」では、クリーニングガスとして、六フッ化硫黄の含有率が１００％のガスを使用した。
上記したように、本実施形態では、クリーニングガスが、チューブ部材１１の貫通孔１１ａ～１１ｄから噴射されて収容空間Ｓに導入されるように構成されている。
そこで、チューブ部材１１を介したクリーニングガスのクリーニング効果を検証するため、上記「試験１」及び「試験２」に加え、「試験３」を行った。
「試験３」では、「試験１」及び「試験２」と同一の成膜装置１、例えば、真空チャンバ１０であれば、収容空間Ｓが、幅Ｄ：１１００ｍｍ、奥行きＤ：７５０ｍｍ、高さＨ：７００ｍｍの大きさに形成されたものを使用した（図３参照）。
また、「試験３」では、クリーニングガスとして、六フッ化硫黄の含有率が１００％のガスを使用した。
【0069】
「試験３」では、以下の形状等のチューブ部材１１を使用した（図３参照）。
・材質：ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＴＥ）
・形状・直管形状
・サイズ：全長４００ｍｍ，外径４０ｍｍ，内径２３ｍｍ
・貫通孔１１ａ～１１ｄの孔径：１２ｍｍ
・上端部から貫通孔１１ａの距離（高さｈ１）、貫通孔１１ａ，１１ｂ間の距離（高さｈ２）：５０ｍｍ
・貫通孔１１ｂ，１１ｃ間の距離（高さｈ３）、貫通孔１１ｃ，１１ｄ間の距離（高さｈ４）、貫通孔１１ｄから延設端部の距離（高さｈ５）：１００ｍｍ
・材質：ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＴＥ）
・形状・直管形状
・サイズ：全長４００ｍｍ，外径４０ｍｍ，内径２３ｍｍ
・貫通孔１１ａ～１１ｄの孔径：１２ｍｍ
・上端部から貫通孔１１ａの距離（高さｈ１）、貫通孔１１ａ，１１ｂ間の距離（高さｈ２）：５０ｍｍ
・貫通孔１１ｂ，１１ｃ間の距離（高さｈ３）、貫通孔１１ｃ，１１ｄ間の距離（高さｈ４）、貫通孔１１ｄから延設端部の距離（高さｈ５）：１００ｍｍ
【0070】
「試験３」では、上記「試験１」及び「試験２」と同一の試料を使用した（図３の「試料ＳＰ１，ＳＰ２」参照）。
試料ＳＰ１は、貫通孔１１ｂから水平距離で１５０ｍｍ（図３の「幅ｗ１」参照）の位置に設ける一方、試料ＳＰ２は、貫通孔１１ｄから水平距離１５０ｍｍ（図３の「幅ｗ２」参照）の位置に設けた。
すなわち、「試験３」では、アプリケータ部２０のガス吐出口２０Ｄ（図１参照）から試料ＳＰ１までの距離（ガス供給距離）を２５０ｍｍ（ｈ１＋ｈ２+ｗ１）、試料ＳＰ１までの距離を４５０ｍｍ（ｈ１＋ｈ２+ｈ３＋ｈ４+ｗ２）に設定して、クリーニング速度の測定を行った（図３及び図６参照）。
試料ＳＰ１は、貫通孔１１ｂから水平距離で１５０ｍｍ（図３の「幅ｗ１」参照）の位置に設ける一方、試料ＳＰ２は、貫通孔１１ｄから水平距離１５０ｍｍ（図３の「幅ｗ２」参照）の位置に設けた。
すなわち、「試験３」では、アプリケータ部２０のガス吐出口２０Ｄ（図１参照）から試料ＳＰ１までの距離（ガス供給距離）を２５０ｍｍ（ｈ１＋ｈ２+ｗ１）、試料ＳＰ１までの距離を４５０ｍｍ（ｈ１＋ｈ２+ｈ３＋ｈ４+ｗ２）に設定して、クリーニング速度の測定を行った（図３及び図６参照）。
【0071】
図６は、「試験３」の測定結果を示す表である。
図６に示すように、「試験３」を行った結果、試料ＳＰ１ではクリーニング速度１４.８４μｍ／ｍｉｎ、試料ＳＰ２ではクリーニング速度１２.９６μｍ／ｍｉｎという測定結果を得ることができた。
このような結果から、チューブ部材１１を介してクリーニングガスを収容空間Ｓに供給した場合でも、何ら遜色なく、高いクリーニング効果を確保できることを実証することができた。
図６に示すように、「試験３」を行った結果、試料ＳＰ１ではクリーニング速度１４.８４μｍ／ｍｉｎ、試料ＳＰ２ではクリーニング速度１２.９６μｍ／ｍｉｎという測定結果を得ることができた。
このような結果から、チューブ部材１１を介してクリーニングガスを収容空間Ｓに供給した場合でも、何ら遜色なく、高いクリーニング効果を確保できることを実証することができた。
【0072】
以上のように、本実施形態では、真空チャンバ１０の連通口１０Ａとアプリケータ部２０のガス吐出口２０Ｄとを連結することによって、アプリケータ部２０が、真空チャンバ１０と隣り合うように配置されている。
このため、本実施形態では、プラズマ化されたクリーニングガス（フッ素系ガス）を、収容空間Ｓにダイレクトに供給することができるので、アプリケータ部２０で生成されたフッ素ラジカルを、活性化した状態のまま、収容空間Ｓに存在する付着物に効率良く接触させることが可能である。その結果、収容空間Ｓ内に存在する付着物を効率的に分解除去することが可能なため、真空チャンバ１０を確実かつ短時間にクリーニングすることができる。
このため、本実施形態では、プラズマ化されたクリーニングガス（フッ素系ガス）を、収容空間Ｓにダイレクトに供給することができるので、アプリケータ部２０で生成されたフッ素ラジカルを、活性化した状態のまま、収容空間Ｓに存在する付着物に効率良く接触させることが可能である。その結果、収容空間Ｓ内に存在する付着物を効率的に分解除去することが可能なため、真空チャンバ１０を確実かつ短時間にクリーニングすることができる。
【0073】
さらに、本実施形態では、アプリケータ部２０でプラズマ化されたクリーニングガスが、収容空間Ｓに延在するチューブ部材１１を流通した後、貫通孔１１ａ～１１ｄから噴射されることで、収容空間Ｓに供給されるように構成されている。
すなわち、本実施形態では、プラズマ化されたクリーニングガスを、所望の位置を目掛けて吹き付けることができる他、効率的に拡散することができるので、収容空間Ｓ内で万遍なく分布させることが可能である。その結果、大型の真空チャンバであっても、プラズマ化されたクリーニングガスを付着物に良好に接触させることが可能なため、その内部を効率良くクリーニングすることができる。
すなわち、本実施形態では、プラズマ化されたクリーニングガスを、所望の位置を目掛けて吹き付けることができる他、効率的に拡散することができるので、収容空間Ｓ内で万遍なく分布させることが可能である。その結果、大型の真空チャンバであっても、プラズマ化されたクリーニングガスを付着物に良好に接触させることが可能なため、その内部を効率良くクリーニングすることができる。
【0074】
このように、本実施形態によれば、成膜処理を行う真空チャンバ１０を常にクリーンな状態に維持することが可能なため、基板の品質を確実に確保することができる。
【0075】
なお、図１及び図３に示す例では、チューブ部材１１を直管状に形成したが、その他の形状、例えば、Ｌ字状、分岐部を有するＴ字状、湾曲状に形成することもできる。
また、その内径は、同一に形成する必要はなく、例えば、延在端部に向けて漸次縮径又は拡径させることも可能である。
さらに、図１及び図３に示す例では、チューブ部材１１に貫通孔を４つ形成したが、３つ以下であってもよく、５つ以上であっても構わない。
また、貫通孔を複数形成した場合にあっては、図１及び図３に示すように、延設方向に沿って１列に形成する必要はなく、ランダムに形成することも可能である。
また、その内径は、同一に形成する必要はなく、例えば、延在端部に向けて漸次縮径又は拡径させることも可能である。
さらに、図１及び図３に示す例では、チューブ部材１１に貫通孔を４つ形成したが、３つ以下であってもよく、５つ以上であっても構わない。
また、貫通孔を複数形成した場合にあっては、図１及び図３に示すように、延設方向に沿って１列に形成する必要はなく、ランダムに形成することも可能である。
【0076】
さらに、チューブ部材１１は、真空チャンバ１０の連通口１０Ａに、着脱自在に構成することが好ましい。このように構成すれば、チューブ部材１１が破損・損傷等した際に容易に交換することができるばかりか、所望の形状等のチューブ部材（例えば、上記したＬ字状のチューブ部材）を連通口１０Ａに取り付けることで、真空チャンバ１０内を効果的にクリーニングすることが可能になる。
【0077】
また、チューブ部材１１は、真空チャンバ１０に回動可能に構成することもできる。このような構成は、例えば、図７に示すように、
・パイプ状の真空シャフト１２を、真空チャンバ１０の連通口１０Ａに気密良く回転自在に取り付ける、
・真空シャフト１２の一端部を、アプリケータ部２０のガス吐出口２０Ｄ（図１参照）に気密良く回転自在に取り付けると共に、その他端部を、チューブ部材１１に内挿固定する、
・真空チャンバ１０の外部において、駆動部１３（例えば、モータ）を配置する、
・真空シャフト１２と、駆動部１３の回転軸１３ａとを無端ベルト１４（例えば、タイミングベルト）を用いて接続する、
といった作業を行うことにより実現することが可能である。
・パイプ状の真空シャフト１２を、真空チャンバ１０の連通口１０Ａに気密良く回転自在に取り付ける、
・真空シャフト１２の一端部を、アプリケータ部２０のガス吐出口２０Ｄ（図１参照）に気密良く回転自在に取り付けると共に、その他端部を、チューブ部材１１に内挿固定する、
・真空チャンバ１０の外部において、駆動部１３（例えば、モータ）を配置する、
・真空シャフト１２と、駆動部１３の回転軸１３ａとを無端ベルト１４（例えば、タイミングベルト）を用いて接続する、
といった作業を行うことにより実現することが可能である。
【0078】
このように構成すれば、所望の方向にクリーニングガスを吐出させることが可能なため、収容空間Ｓにクリーニングガスをより万遍なく分布させることもでき、その結果、真空チャンバ１０内を効果的にクリーニングすることができる。なお、上記駆動部１３が特許請求の範囲に記載の「駆動手段」に該当する。
【0079】
以上、本発明者によってなされた発明を適用した実施形態について説明したが、この実施形態による本発明の開示の一部をなす論述および図面により、本発明は限定されるものではない。すなわち、この実施形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施形態、実例および運用技術等はすべて本発明の範疇に含まれることはもちろんであることを付け加えておく。
【符号の説明】
【0080】
１ 成膜装置
１０ 真空チャンバ
１０Ａ 連通口
１０Ｂ 排気口
１１ チューブ部材（管状部材）
１１ａ～１１ｄ 貫通孔
１１ｅ 鍔部
１２ 真空シャフト
１３ 駆動部
１３ａ 回転軸
１４ 無端ベルト
２０ アプリケータ部（プラズマ発生手段）
２０Ａ ガス導入口
２０Ｂ マイクロ波導入口
２０Ｃ 空間部
２０Ｄ ガス吐出口
３０ マイクロ波生成部
３１ マグネトロン
３２ 高周波整合器
３３ 高電圧電源
３４ 導波路
４０ クリーニングガス供給部
４１ クリーニングガス供給源
４２,４２´ 流量調整装置
４３ ガス供給路
４４ 分岐部
４５ 成膜ガス供給部
４６ 成膜ガス供給源
４７ 分岐路
５０ 真空排気ポンプ（排気手段）
５１ 排気路
６０ 制御装置
Ｓ 収容空間
ＳＰ１,ＳＰ２ 試料
Ｗ,ｗ１,ｗ２ 幅
Ｄ 奥行き
Ｈ,ｈ１～ｈ５ 高さ
１０ 真空チャンバ
１０Ａ 連通口
１０Ｂ 排気口
１１ チューブ部材（管状部材）
１１ａ～１１ｄ 貫通孔
１１ｅ 鍔部
１２ 真空シャフト
１３ 駆動部
１３ａ 回転軸
１４ 無端ベルト
２０ アプリケータ部（プラズマ発生手段）
２０Ａ ガス導入口
２０Ｂ マイクロ波導入口
２０Ｃ 空間部
２０Ｄ ガス吐出口
３０ マイクロ波生成部
３１ マグネトロン
３２ 高周波整合器
３３ 高電圧電源
３４ 導波路
４０ クリーニングガス供給部
４１ クリーニングガス供給源
４２,４２´ 流量調整装置
４３ ガス供給路
４４ 分岐部
４５ 成膜ガス供給部
４６ 成膜ガス供給源
４７ 分岐路
５０ 真空排気ポンプ（排気手段）
５１ 排気路
６０ 制御装置
Ｓ 収容空間
ＳＰ１,ＳＰ２ 試料
Ｗ,ｗ１,ｗ２ 幅
Ｄ 奥行き
Ｈ,ｈ１～ｈ５ 高さ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】