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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024061410
(43)【公開日】2024-05-07
(54)【発明の名称】発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/50 20100101AFI20240425BHJP
【ＦＩ】
H01L33/50
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022169347
(22)【出願日】2022-10-21
(71)【出願人】
【識別番号】000002303
【氏名又は名称】スタンレー電気株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000800
【氏名又は名称】デロイトトーマツ弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】田辺 麻衣子
【テーマコード（参考）】
5F142
【Ｆターム（参考）】
5F142AA02
5F142AA26
5F142BA02
5F142BA32
5F142CA11
5F142CA13
5F142CB03
5F142CB12
5F142CB23
5F142CD02
5F142CD16
5F142CD17
5F142CD44
5F142CD47
5F142CG04
5F142CG05
5F142CG32
5F142DA14
5F142FA18
5F142GA11
5F142GA29
(57)【要約】 （修正有）
【課題】発光素子から出射される光の損失が低減され、滲みが防止され、高い光出力が得られる発光装置を提供する。
【解決手段】対向する２つの主面を備えた基板１１と、基板１１の一方の主面である上面上に配置された半導体発光素子２０と、半導体発光素子２０上に配置された光変換部材２２と、光変換部材２２の半導体発光素子２０に対向する面及び基板１１の上面を覆いつつ、半導体発光素子２０を埋設する第１被覆部材２３と、を備え、第１被覆部材２３は、光変換部材２２の半導体発光素子２０に対向する面２２Ｂの外周縁から光変換部材２２の側面を露出しつつ外方に延在し、基板１１は、上面視において、光変換部材２２を包含しつつ光変換部材２２の外側面よりも外方に突出し、光変換部材２２は、上面視において、半導体発光素子２０を包含しつつ半導体発光素子２０の外側面よりも外方に突出している半導体発光装置１０。
【選択図】図１Ｂ
【解決手段】対向する２つの主面を備えた基板１１と、基板１１の一方の主面である上面上に配置された半導体発光素子２０と、半導体発光素子２０上に配置された光変換部材２２と、光変換部材２２の半導体発光素子２０に対向する面及び基板１１の上面を覆いつつ、半導体発光素子２０を埋設する第１被覆部材２３と、を備え、第１被覆部材２３は、光変換部材２２の半導体発光素子２０に対向する面２２Ｂの外周縁から光変換部材２２の側面を露出しつつ外方に延在し、基板１１は、上面視において、光変換部材２２を包含しつつ光変換部材２２の外側面よりも外方に突出し、光変換部材２２は、上面視において、半導体発光素子２０を包含しつつ半導体発光素子２０の外側面よりも外方に突出している半導体発光装置１０。
【選択図】図１Ｂ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
対向する２つの主面を備えた基板と、
前記基板の一方の主面である上面上に配置された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子上に配置された光変換部材と、
前記光変換部材の前記半導体発光素子に対向する面及び前記基板の上面を覆いつつ、前記半導体発光素子を埋設する第１被覆部材と、を備え、
前記第１被覆部材は、前記光変換部材の前記半導体発光素子に対向する面の外周縁から前記光変換部材の側面を露出しつつ外方に延在し、
前記基板は、上面視において、前記光変換部材を包含しつつ前記光変換部材の外側面よりも外方に突出し、
前記光変換部材は、上面視において、前記半導体発光素子を包含しつつ前記半導体発光素子の外側面よりも外方に突出している半導体発光装置。
前記基板の一方の主面である上面上に配置された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子上に配置された光変換部材と、
前記光変換部材の前記半導体発光素子に対向する面及び前記基板の上面を覆いつつ、前記半導体発光素子を埋設する第１被覆部材と、を備え、
前記第１被覆部材は、前記光変換部材の前記半導体発光素子に対向する面の外周縁から前記光変換部材の側面を露出しつつ外方に延在し、
前記基板は、上面視において、前記光変換部材を包含しつつ前記光変換部材の外側面よりも外方に突出し、
前記光変換部材は、上面視において、前記半導体発光素子を包含しつつ前記半導体発光素子の外側面よりも外方に突出している半導体発光装置。
【請求項2】
前記光変換部材は光変換粒子を有し、
前記光変換部材は、前記半導体発光素子から出射される光及び前記光変換粒子から出射される光を散乱する光散乱性を有する請求項１に記載の半導体発光装置。
前記光変換部材は、前記半導体発光素子から出射される光及び前記光変換粒子から出射される光を散乱する光散乱性を有する請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項3】
前記第１被覆部材は、前記半導体発光素子及び前記光変換部材から出射される光を反射する光反射性を有する請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項4】
前記第１被覆部材は、前記半導体発光素子から出射される光及び前記光変換部材に含まれる前記光変換粒子から出射される光を反射する光反射性粒子を含有する請求項３に記載の半導体発光装置。
【請求項5】
前記半導体発光素子と前記光変換部材との間に、前記半導体発光素子の上面から出射する光を前記光変換部材の下面に入光するように設けられた接着部材を有する請求項１または請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項6】
前記接着部材の側面は、前記第１被覆部材により被覆されている請求項５に記載の半導体発光装置。
【請求項7】
少なくとも前記光変換部材の側面と前記第１被覆部材の上面とを被覆する透光性の第２被覆部材を備え、
前記第２被覆部材は、空気層より大きく前記光変換部材より小さい屈折率を有する請求項１に記載の半導体発光装置。
前記第２被覆部材は、空気層より大きく前記光変換部材より小さい屈折率を有する請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項8】
前記半導体発光素子を複数個備え、
前記光変換部材は、上面視において、当該複数の半導体発光素子の全体を包含しつつ当該複数の半導体発光素子の全体の外縁よりも外方に突出している請求項１に記載の半導体発光装置。
前記光変換部材は、上面視において、当該複数の半導体発光素子の全体を包含しつつ当該複数の半導体発光素子の全体の外縁よりも外方に突出している請求項１に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光装置、特に発光ダイオード（ＬＥＤ）などの半導体発光素子が実装された発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体発光素子が実装された発光装置は、各種の照明や表示装置に利用されている。特に近年、半導体発光素子が実装された発光装置は、更なる発光出力及び発光効率の向上が求められている。また、車両用ヘッドライトなどの光源として、高出力な発光装置が求められている。
さらに、表示装置のバックライト用光源として小型化も求められている。
さらに、表示装置のバックライト用光源として小型化も求められている。
【0003】
例えば、特許文献１には、発光素子と、発光素子からの出射光を光透過部材に導光する導光部材と、発光素子及び光透過部材の一方の表面を被覆する被覆部材とを備えた発光装置が開示されている。
また、特許文献２には、ケースと、発光層を含む積層体を有するＬＥＤ素子とを備えた発光装置において、コーティング材がケース内に充填されている発光装置が開示されている。
また、特許文献２には、ケースと、発光層を含む積層体を有するＬＥＤ素子とを備えた発光装置において、コーティング材がケース内に充填されている発光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１０－２１９３２４号公報
【特許文献2】特開２００７－１９０９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、光透過部材と被覆部材とを用いた発光装置には、光の損失が発生するという問題があった。
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、発光素子から出射される光の損失が低減され、高い光出力が得られる発光装置を提供することを目的としている。
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、発光素子から出射される光の損失が低減され、高い光出力が得られる発光装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の１実施形態による発光装置は、
対向する２つの主面を備えた基板と、
前記基板の一方の主面である上面上に配置された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子上に配置された光変換部材と、
前記光変換部材の前記半導体発光素子に対向する面及び前記基板の上面を覆いつつ、前記半導体発光素子を埋設する第１被覆部材と、を備え、
前記第１被覆部材は、前記光変換部材の前記半導体発光素子に対向する面の外周縁から前記光変換部材の側面を露出しつつ外方に延在し、
前記基板は、上面視において、前記光変換部材を包含しつつ前記光変換部材の外側面よりも外方に突出し、
前記光変換部材は、上面視において、前記半導体発光素子を包含しつつ前記半導体発光素子の外側面よりも外方に突出している半導体発光装置。
対向する２つの主面を備えた基板と、
前記基板の一方の主面である上面上に配置された半導体発光素子と、
前記半導体発光素子上に配置された光変換部材と、
前記光変換部材の前記半導体発光素子に対向する面及び前記基板の上面を覆いつつ、前記半導体発光素子を埋設する第１被覆部材と、を備え、
前記第１被覆部材は、前記光変換部材の前記半導体発光素子に対向する面の外周縁から前記光変換部材の側面を露出しつつ外方に延在し、
前記基板は、上面視において、前記光変換部材を包含しつつ前記光変換部材の外側面よりも外方に突出し、
前記光変換部材は、上面視において、前記半導体発光素子を包含しつつ前記半導体発光素子の外側面よりも外方に突出している半導体発光装置。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1A】第１の実施形態の発光装置を示した概念図であり、上面側から見たときの斜視図である。
【図2A】第１の実施形態の発光素子を示した概念図である。
【図2B】発光素子を示した概念図である。
【図2C】発光素子を示した概念図である。
【図2D】発光素子を基板及び光変換部材に接続した状態の概念図。
【図3】発光装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図4A】発光装置の製造工程Ｓ１を示す断面図である。
【図4B】発光装置の製造工程Ｓ２を示す断面図である。
【図4C】発光装置の製造工程Ｓ３を示す断面図である。
【図4D】発光装置の製造工程Ｓ４を示す断面図である。
【図4E】発光装置の製造工程Ｓ５を示す断面図である。
【図4F】発光装置の製造工程Ｓ６を示す断面図である。
【図5A】第１の実施形態の変形例１による発光装置を示した断面図である。
【図5B】第１の実施形態の変形例２による発光装置を示した断面図である。
【図6A】第２の実施形態による発光装置を示した概念図であり、上面側から見たときの斜視図である。
【図6B】光変換部材の設置及び、第１被覆部材を充填する前の第２の実施形態による発光装置を示した概念図であり、上面側から見たときの斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下においては、本発明の好適な実施形態について説明するが、適宜改変し、組合せてもよい。また、以下の説明及び添付図面において、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符を付して説明する。
［第１の実施形態］
［第１の実施形態］
【0009】
図１Ａは、本発明の第１の実施形態による発光装置１０を示した概念図であり、上面側から見たときの斜視図である。図１Ｂは、図１Ａに示すＡ－Ａ線に沿った断面図である。
本明細書においては、基板１１に対して発光素子２０が設けられた方向を上方といい、その逆を下方という。また、上面視において基板１１の中心に向かう方向を内方といい、その逆を外方という。
本明細書においては、基板１１に対して発光素子２０が設けられた方向を上方といい、その逆を下方という。また、上面視において基板１１の中心に向かう方向を内方といい、その逆を外方という。
【0010】
発光装置１０は、上面及び下面を備えた基板１１と、基板１１の上面上に実装された発光素子２０と、発光素子２０の出射面（上面）の上に接着部材２１を介して設けられた上面視において当該出射面より面積の大きい下面２２Ｂを有する光変換部材２２と、発光素子２０及び接着部材２１の側面と光変換部材２２の下面を被覆する反射性の第１被覆部材２３とを有している。
【0011】
（基板）
基板１１としては、ガラスエポキシ基板（ガラス繊維強化エポキシ樹脂基板）が用いられている。なお、基板１１の基体には、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、窒化アルミ（ＡｌＮ）などの絶縁性のセラミック基板を用いることができる。
基板１１としては、ガラスエポキシ基板（ガラス繊維強化エポキシ樹脂基板）が用いられている。なお、基板１１の基体には、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、窒化アルミ（ＡｌＮ）などの絶縁性のセラミック基板を用いることができる。
【0012】
基板１１は、互いに対向する主面である上面及び下面を備えた矩形の板状に形成されている。図１Ａ及び図１Ｂに示すように、上面視において、基板１１は光変換部材２２を包含する大きさを有し、基板１１の全ての外側面は光変換部材２２の外側面よりも外方に突出している。
【0013】
基板１１には第１配線電極１２Ａ及び第２配線電極１２Ｂが設けられている。また基板１１は、第１貫通電極２８Ａ及び第２貫通電極２８Ｂと、第１実装電極１３Ａ及び第２実装電極１３Ｂとを有している。以後、第１配線電極１２Ａ及び第２配線電極１２Ｂ、第１貫通電極２８Ａ及び第２貫通電極２８Ｂ、第１実装電極１３Ａ及び第２実装電極１３Ｂの各々を区別しない場合には単に配線電極１２、貫通電極２８、実装電極１３と記載する。
【0014】
基板１１の上面には、第１及び第２配線電極１２Ａ，１２Ｂが設けられている。また、基板１１は、第１及び第２配線電極１２Ａ，１２Ｂにそれぞれ電気的に接続された第１及び第２貫通電極２８Ａ、２８Ｂを有している。基板１１の下面には、第１及び第２貫通電極２８Ａ、２８Ｂにそれぞれ電気的に接続され、回路基板等（図示しない）に接合される第１実装電極１３Ａ及び第２実装電極１３Ｂが設けられている。
【0015】
第１配線電極１２Ａ及び第２配線電極１２Ｂの各々には、発光素子２０が載置される発光素子載置領域に加え、保護素子が載置される保護素子配置領域を備えている。第１配線電極１２Ａ及び第２配線電極１２Ｂ間には、発光素子２０と並列に保護素子（図示しない）が実装されている。保護素子は、異常電圧により、発光素子２０を破損して不灯になることを防止するものであり、ツェナーダイオードのほか、コンデンサ、バリスタを用いることができる。
【0016】
第１実装電極１３Ａ及び第２実装電極１３Ｂの各々は、発光素子２０に電力を供給するアノード電極及びカソード電極である。
【0017】
（発光素子）
発光素子２０は、図２Ａに示すように、ｎ型半導体層と発光層及びｐ型半導体層を備えた半導体発光機能層２６と、半導体発光機能層２６の上面に設けられた透光基板２５と、半導体発光機能層２６の下面に設けられた第１素子電極２７Ａ及び第２素子電極２７Ｂとを有するＬＥＤ（light-emitting diode）である。半導体発光機能層２６は、ＧａＮ系化合物半導体である。なお、ＡｌＩｎＧａＰ系、ＩｎＧａＡｓ系の化合物半導体とすることもできる。また透光基板２５は、半導体発光機能層２６から出射される光を透過する透光性のサファイア（Ａｌ2Ｏ3）である。なお、透光基板２５としては窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を用いることもできる。
発光素子２０は、図２Ａに示すように、ｎ型半導体層と発光層及びｐ型半導体層を備えた半導体発光機能層２６と、半導体発光機能層２６の上面に設けられた透光基板２５と、半導体発光機能層２６の下面に設けられた第１素子電極２７Ａ及び第２素子電極２７Ｂとを有するＬＥＤ（light-emitting diode）である。半導体発光機能層２６は、ＧａＮ系化合物半導体である。なお、ＡｌＩｎＧａＰ系、ＩｎＧａＡｓ系の化合物半導体とすることもできる。また透光基板２５は、半導体発光機能層２６から出射される光を透過する透光性のサファイア（Ａｌ2Ｏ3）である。なお、透光基板２５としては窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を用いることもできる。
【0018】
第１素子電極２７Ａは半導体発光機能層２６のｐ型半導体に接続され、第２素子電極２７Ｂは半導体発光機能層２６のｎ型半導体に接続される。そして当該第１及び第２素子電極２７Ａ、２７Ｂが、それぞれ基板１１の上面に設けられた第１及び第２配線電極１２Ａ、１２Ｂに接合部材１４を介して接合されている。発光素子２０は、発光装置１０の第１実装電極１３Ａ及び第２実装電極１３Ｂへ通電することにより発光層から青色光を出射する。出射された光は透光基板２５を透光して、当該透光基板２５の上面から出射される。なお、このように発光素子２０の第１及び第２素子電極２７Ａ、２７Ｂを基板１１の第１及び第２配線電極１２Ａ、１２Ｂへ接合する態様をフリップチップ接合と言い、この用途に用いる発光素子２０をフリップチップと言う。
【0019】
（光変換部材）
光変換部材２２は、通過する発光素子２０から出射された光（一次光）の一部または全部を吸収し、当該光の波長より長波長に変換して出射（二次光）する光変換粒子を含んでいる。光変換部材２２は、母材としてのアルミナ、光変換粒子としてのセリウム賦活イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ：Ｃｅ）蛍光体粒子を含んだセラミック蛍光体である。光変換部材２２から出射される光は、青色の一次光と緑黄色の二次光が混色された白色光である。また、母材としてのアルミナの屈折率は１．７、光変換粒子としてのＹＡＧ：Ｃｅの屈折率は１．８４と異なっており光散乱性を有している。よって、光変換部材２２の上面及び側面からは略同等な色相の白色光が出射される。なお、青色の一次光の全部を変換する光変換部材２２を用いた場合には、緑黄色の二次光のみが出射する。
光変換部材２２は、通過する発光素子２０から出射された光（一次光）の一部または全部を吸収し、当該光の波長より長波長に変換して出射（二次光）する光変換粒子を含んでいる。光変換部材２２は、母材としてのアルミナ、光変換粒子としてのセリウム賦活イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ：Ｃｅ）蛍光体粒子を含んだセラミック蛍光体である。光変換部材２２から出射される光は、青色の一次光と緑黄色の二次光が混色された白色光である。また、母材としてのアルミナの屈折率は１．７、光変換粒子としてのＹＡＧ：Ｃｅの屈折率は１．８４と異なっており光散乱性を有している。よって、光変換部材２２の上面及び側面からは略同等な色相の白色光が出射される。なお、青色の一次光の全部を変換する光変換部材２２を用いた場合には、緑黄色の二次光のみが出射する。
【0020】
図１Ｂに示すように、光変換部材２２は透光性の接着部材２１によって発光素子２０の上面に接着されている。また、上面視において、光変換部材２２は発光素子２０及び接着部材２１を包含する大きさを有し、光変換部材２２の全ての外側面は発光素子２０及び接着部材２１の外側面よりも外方に突出している。なお、接着部材２１の外側面は発光素子２０の外側面を延長した面より、若干凸状又は凹状に出っ張り引っ込みしていてもよい。
【0021】
このように、上面視において、光変換部材２２の全ての外側面が発光素子２０及び接着部材２１の外側面よりも外方に突出していることにより、青色の一次光及び緑黄色の二次光が、光変換部材２２の上面と略同じ比率で外側面から出射させることができる。すなわち、色ムラの発生を防止できる。
【0022】
また、光変換部材２２は発光素子２０の出射面（上面）より幅広な受光面２２Ｂ（下面）を持ち、発光素子２０の出射面から接着部材２１を経由して光変換部材２２の受光面２２Ｂまでの光路の全周は、第１被覆部材２３により覆われているため、発光素子２０から出射される出射光（１次光）の光漏れを防止できる。つまり、発光素子２０からの出射光が光変換部材２２に取り込まれやすくなり、高い光出力が得られる。
【0023】
また、上面視において光変換部材２２の中心は発光素子２０の中心に一致するようにアライメントされて配置されており、光変換部材２２の外側面は、発光素子２０の外側面に対して突出長ＰＯだけ突出している。ここで、突出長ＰＯは、上面視における光変換部材２２の幅ＰＳから上面視における発光素子２０の幅ＣＳを減算した値の１／２（すなわち、ＰＯ＝（ＰＳ－ＣＳ）／２）である。なお、突出長ＰＯは、発光素子２０の幅ＣＳに対して３％～７％であることが好ましい。
例えば、発光素子２０の幅ＣＳが１．００ｍｍであり、光変換部材２２の突出長ＰＯが、発光素子２０の幅ＣＳに対して５％である場合には、光変換部材２２の幅ＰＳは１．１０ｍｍであり、光変換部材２２の突出長ＰＯは０．０５ｍｍである。
例えば、発光素子２０の幅ＣＳが１．００ｍｍであり、光変換部材２２の突出長ＰＯが、発光素子２０の幅ＣＳに対して５％である場合には、光変換部材２２の幅ＰＳは１．１０ｍｍであり、光変換部材２２の突出長ＰＯは０．０５ｍｍである。
【0024】
光変換部材２２の突出長ＰＯが大きいと、光変換部材２２の外周部まで発光素子２０からの出射光が届かずに輝度低下が顕在化することがある。また、光変換部材２２の突出長ＰＯが小さいと、発光素子２０の出射光が支配的になり色ズレが大きくなる。また、光変換部材２２と第１被覆部材２３との接着面を設けられなくなる。
【0025】
なお、上記したように、光変換部材２２の突出量ＰＯが（ＰＳ－ＣＳ）／２、すなわち光変換部材２２の対向する２つの側面の突出量ＰＯが等しいことが好ましい。さらに、光変換部材２２の４つの側面の突出量ＰＯが等しいことが好ましい。しかしながら、これに限定されず、各側面の突出量ＰＯが互いに異なっていてもよい。具体的には、光変換部材２２と発光素子２０の中心ズレは、突出長ＰＯが前述の範囲であれば問題ない。
【0026】
光変換部材２２は、上面視において矩形であり、その上面２２Ａ及び受光面２２Ｂ（下面）は、両面とも略平坦な面であり、かつ、対向する両面が互いに略平行に形成されており、光変換部材２２は全体として板状に形成されている。また、上面２２Ａ及び受光面２２Ｂの表面は、微視的に観察すると、アルミナ母材及びＹＡＧ：Ｃｅ光変換粒子の粒子に由来する微細な凹凸を有している。光変換部材２２は矩形で平坦な面を有する板状に限らず、加工による凹凸構造又はポリッシング等による平滑な面性状を有することもできる。また、上面２２Ａおよび／または外側面に透光性の保護膜が形成されていてもよい。例えば、汚れ弾きのよいフッ素樹脂薄膜、耐候性を有するガラス薄膜、指向特性を制御する誘電体多層膜などがある。
【0027】
光変換部材２２の母材としては、透光性のセラミック又はガラス類の無機材、透光性の樹脂材などを用いることができる。また、光変換粒子としては、セリウム賦活イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ：Ｃｅ）蛍光体、セリウム賦活ルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬｕＡＧ：Ｃｅ）蛍光体、ユーロピウム又は／及びセリウム賦活オルトシリケート（（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＳｉＯ4：Ｅｕ，Ｃｅ）蛍光体、セリウム賦活テルビウム・アルミニウム・ガーネット（ＴＡＧ：Ｃｅ）、ユーロピウム賦活αサイアロン蛍光体（α－ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ）、ユーロピウム賦活βサイアロン蛍光体（β－ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ）、マンガン賦活カリウム・フルオロ珪酸カリウム（ＫＦＳ：Ｍｎ）などを用いることができ、励起光の波長や所望の色調などによって異なる種類の光変換粒子を適宜選択して用いることができる。また、１つの発光装置１０に複数の発光素子２０が搭載されている場合には、各発光素子２０に同じ／または異なる光変換粒子を含有した光変換部材２２を用いることもできる。
【0028】
光変換部材２２は、光変換粒子を含んだセラミック焼結体、ガラス成形体又は樹脂成形体などから形成されていてもよい。例えば、アルミナにＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体を混合したセラミック焼結体、またソーダガラス、ホウ珪酸ガラスまたは窒素成分を含むナイトガラスなどのガラスにβサイアロン蛍光体を混合したガラス成形体、シリコーン樹脂にオルトシリケート蛍光体を混合した樹脂成型体などを用いることができる。
【0029】
光変換部材２２の光散乱性が不十分な場合は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などの光散乱性の粒子を添加して光散乱性を向上することができる。または、光散乱効果のあるサイズの気孔（ポア）を含ませて光散乱性を向上することもできる。
【0030】
なお、上記の実施形態においては、光変換部材２２が設けられた場合について説明したが、これに限定されない。例えば、発光装置１０の出射光を発光素子２０の出射光のみとしたい場合（光変換部材２２に光変換粒子を混合しない場合）は、前述のように光変換部材２２に光散乱性の粒子だけを添加する構成とすることもできる。
【0031】
（第１被覆部材）
図１Ｂに示すように、第１被覆部材２３は、光変換部材２２の発光素子２０に対向する面２２Ｂの外周縁、すなわち、光変換部材２２の受光面２２Ｂ（下面）の辺を起点として光変換部材２２の側面を露出しつつ光変換部材２２の外方に延在している。また、第１被覆部材２３は、基板１１の上面（２３Ｄ）、基板１１上に実装された発光素子２０及び接着部材２１の側面（２３Ｃ）を被覆するとともに、光変換部材２２の受光面２２Ｂ（下面）を被覆している。換言すれば、発光素子２０は第１被覆部材２３よって埋設され封止されている。
図１Ｂに示すように、第１被覆部材２３は、光変換部材２２の発光素子２０に対向する面２２Ｂの外周縁、すなわち、光変換部材２２の受光面２２Ｂ（下面）の辺を起点として光変換部材２２の側面を露出しつつ光変換部材２２の外方に延在している。また、第１被覆部材２３は、基板１１の上面（２３Ｄ）、基板１１上に実装された発光素子２０及び接着部材２１の側面（２３Ｃ）を被覆するとともに、光変換部材２２の受光面２２Ｂ（下面）を被覆している。換言すれば、発光素子２０は第１被覆部材２３よって埋設され封止されている。
【0032】
また、第１被覆部材２３の露出面は、光変換部材２２の下面の外周縁から外方に向けて下方に傾斜して延在させた延在面２３Ａ（上面）と、延在面２３Ａの外周縁から基板１１の上面の外周縁に向かって鉛直方向に延びる外側面２３Ｂからなる。
本実施形態において、延在面２３Ａ及び外側面２３Ｂは、発光装置１０の表面である。
本実施形態において、延在面２３Ａ及び外側面２３Ｂは、発光装置１０の表面である。
【0033】
本実施形態において、延在面２３Ａは、側面視において、光変換部材２２の外周縁の下端から外方かつ下方に凹状に湾曲する曲面であるが、延在面２３Ａは、外方かつ下方に凸状に湾曲する曲面でもよく、その形状は平面でもあってもよい。また、延在面２３Ａと外側面２３Ｂが連続的に繋がっていてもよい。
【0034】
また、光変換部材２２の下面２２Ｂの外周縁から外方への突出長ＴＷは、ＰＴ≦ＴＷ≦ＰＳを満たすことが好ましい。突出長ＴＷの最小値が光変換部材２２の厚みＰＴ未満であると、光変換部材２２の側面から出射光の反射効率が低下する。また、突出長ＴＷが光変換部材２２の幅ＰＳを超えると発光装置１０のサイズが光変換部材２２に対して不必要に大きくなるからである。
【0035】
第１被覆部材２３の母材は、透光性のシリコーン樹脂を用いている。なお、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂などからなる透光性の樹脂材料を用いることができる。
【0036】
第１被覆部材２３は、光反射材として光反射性を有する酸化チタン（ＴｉＯ2）粒子が含有されている。光変換部材２２の外側面は第１被覆部材２３により被覆されていないため、光変換部材２２の外側面から出射された出射光が第１被覆部材２３の延在面２３Ａで反射されることにより、軸上方向の光出力を向上することができる。
【0037】
例えば、光変換部材の外側面が第１被覆部材で覆われている場合には、第１被覆部材における光変換部材との当接部（例えば、光変換部材との当接面から０．２ｍｍ程度）において光損失が発生する。具体的には、当該部分に光滲みが生じる。
本実施形態によれば、光変換部材２２の外側面が第１被覆部材２３で覆われていないため、光変換部材２２の外側面から光を取り出せるため光損失を防止でき、高い光出力が得られる。また、同時に指向特性を広くできる。
本実施形態によれば、光変換部材２２の外側面が第１被覆部材２３で覆われていないため、光変換部材２２の外側面から光を取り出せるため光損失を防止でき、高い光出力が得られる。また、同時に指向特性を広くできる。
【0038】
より詳細には、光変換部材の外側面の上端まで被覆部材で覆われている点が異なるだけで、他の構成を全て同じにした比較サンプルを作成し、比較サンプルと本実施形態を同条件下で光出力（全光束：ｌｍ）と半値角（光出力が最大値の半分になる指向角）を比較した結果、比較サンプルの光出力は４００ｌｍであり、指向特性の半値角は１２０°であった。対して、本実施形態の光出力は４２０ｌｍであり、指向特性の半値角は１２５°であった。すなわち、本実施形態の光出力は比較サンプルに対して５％向上した。また、指向特性の半値角は５°拡大した。
【0039】
なお、第１被覆部材２３に含有させるＴｉＯ２粒子としては、例えば、粒径は２００ｎｍ～３００ｎｍであり、かつ、含有量は８～６０ｗｔ％であることが好ましい。ＴｉＯ２粒子の粒径が２００ｎｍ～３００ｎｍであることにより、ミー散乱が発生し、拡散反射性に優れるからである。
なお、本実施形態では光反射材としてＴｉＯ２粒子を用いたが、ＴｉＯ２粒子のほか、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粒子などを用いることができる。
なお、本実施形態では光反射材としてＴｉＯ２粒子を用いたが、ＴｉＯ２粒子のほか、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粒子などを用いることができる。
【0040】
また、上記においては、延在面２３Ａが、光変換部材２２の下面２２Ｂの外周縁から外方に向けて下方に傾斜して延在している場合について説明したが、これに限られない。延在面２３Ａは、光変換部材２２の下面２２Ｂの外周縁から外方に向けて上方に傾斜して延在してもよい。また、延在面２３Ａは、光変換部材２２の下面２２Ｂの外周縁から外方に向けて光変換部材２２の下面２２Ｂと平行に延在してもよい。つまり、延在面２３Ａは光変換部材２２の下面２２Ｂに対して傾斜していなくてもよい。
【0041】
（発光装置の製造方法）
以下に第１の実施形態の発光装置１０の製造方法についてフローチャート及び図面を参照して詳細に説明する。図３は、発光装置１０の製造方法を示すフローチャートである。また、図４Ａ～４Ｆは、各工程を示す断面図である。また、各図において、発光装置１０毎に分割する際の切断線を破線で示している。
以下に第１の実施形態の発光装置１０の製造方法についてフローチャート及び図面を参照して詳細に説明する。図３は、発光装置１０の製造方法を示すフローチャートである。また、図４Ａ～４Ｆは、各工程を示す断面図である。また、各図において、発光装置１０毎に分割する際の切断線を破線で示している。
【0042】
（Ｓ１）準備
第１及び第２配線電極１２Ａ，１２Ｂと、第１及び第２貫通電極２８Ａ，２８Ｂと、第１実装電極１３Ａ及び第２実装電極１３Ｂとを有するガラスエポキシ基板１１を準備する（図４Ａ）。
ガラスエポキシ基板１１の上面には、第１及び第２配線電極１２Ａ，１２Ｂが設けられている。また、ガラスエポキシ基板１１は、第１及び第２配線電極１２Ａ，１２Ｂにそれぞれ電気的に接続された第１及び第２貫通電極２８Ａ、２８Ｂを有している。ガラスエポキシ基板１１の裏面には、第１及び第２貫通電極２８Ａ、２８Ｂにそれぞれ電気的に接続された第１実装電極１３Ａ及び第２実装電極１３Ｂが設けられている。
第１及び第２配線電極１２Ａ，１２Ｂと、第１及び第２貫通電極２８Ａ，２８Ｂと、第１実装電極１３Ａ及び第２実装電極１３Ｂとを有するガラスエポキシ基板１１を準備する（図４Ａ）。
ガラスエポキシ基板１１の上面には、第１及び第２配線電極１２Ａ，１２Ｂが設けられている。また、ガラスエポキシ基板１１は、第１及び第２配線電極１２Ａ，１２Ｂにそれぞれ電気的に接続された第１及び第２貫通電極２８Ａ、２８Ｂを有している。ガラスエポキシ基板１１の裏面には、第１及び第２貫通電極２８Ａ、２８Ｂにそれぞれ電気的に接続された第１実装電極１３Ａ及び第２実装電極１３Ｂが設けられている。
【0043】
（Ｓ２）素子実装工程
発光素子２０及び保護素子が実装される第１及び第２配線電極１２Ａ、１２Ｂ上に接合部材１４として金錫（Ａｕ－Ｓｎ）クリームはんだを塗布する。次に、発光素子２０、保護素子を金錫クリームはんだ上に載置する。
リフロー炉で３００℃まで加熱して金錫クリームはんだを溶融・固化して発光素子２０、保護素子を第１及び第２配線電極１２Ａ、１２Ｂ上に実装する（図４Ｂ）。
発光素子２０及び保護素子が実装される第１及び第２配線電極１２Ａ、１２Ｂ上に接合部材１４として金錫（Ａｕ－Ｓｎ）クリームはんだを塗布する。次に、発光素子２０、保護素子を金錫クリームはんだ上に載置する。
リフロー炉で３００℃まで加熱して金錫クリームはんだを溶融・固化して発光素子２０、保護素子を第１及び第２配線電極１２Ａ、１２Ｂ上に実装する（図４Ｂ）。
【0044】
（Ｓ３）光変換部材接着工程
接着部材２１である透光性の接着剤であるシリコーン樹脂を発光素子２０の出光面（上面）に塗布する。次に、光変換部材２２を発光素子２０上に載置する。１８０℃で３０分間加熱して、シリコーン樹脂を仮硬化して光変換部材２２を接着する（図４Ｃ）。
接着部材２１である透光性の接着剤であるシリコーン樹脂を発光素子２０の出光面（上面）に塗布する。次に、光変換部材２２を発光素子２０上に載置する。１８０℃で３０分間加熱して、シリコーン樹脂を仮硬化して光変換部材２２を接着する（図４Ｃ）。
【0045】
（Ｓ４）枠体形成工程
ガラスエポキシ基板１１の最外周に低温硬化型の樹脂にて枠体８０を形成する。１５０℃で１０分間加熱して、樹脂を硬化する。樹脂は、光硬化樹脂を用いてもよい（図４Ｄ）。
ガラスエポキシ基板１１の最外周に低温硬化型の樹脂にて枠体８０を形成する。１５０℃で１０分間加熱して、樹脂を硬化する。樹脂は、光硬化樹脂を用いてもよい（図４Ｄ）。
【0046】
（Ｓ５）第１被覆部材形成工程
枠体８０の内側に、酸化チタン粒子を混合したシリコーン樹脂からなる第１被覆部材２３を光変換部材２２の外側縁の下端に接する高さまで充填する。その後、１５０℃で１２０分間加熱してシリコーン樹脂を硬化させる。このとき、接着部材２１も本硬化される。また、シリコーン樹脂の体積が減少して延在面２３Ａとなる部分が凹状の湾曲形状に形成される（図４Ｅ）。
枠体８０の内側に、酸化チタン粒子を混合したシリコーン樹脂からなる第１被覆部材２３を光変換部材２２の外側縁の下端に接する高さまで充填する。その後、１５０℃で１２０分間加熱してシリコーン樹脂を硬化させる。このとき、接着部材２１も本硬化される。また、シリコーン樹脂の体積が減少して延在面２３Ａとなる部分が凹状の湾曲形状に形成される（図４Ｅ）。
【0047】
（Ｓ６）個片化工程
ダイサーで発光装置１０の単位毎に切断し、個片化する。以上の工程により、発光装置１０が製造される（図４Ｆ）。
ダイサーで発光装置１０の単位毎に切断し、個片化する。以上の工程により、発光装置１０が製造される（図４Ｆ）。
【0048】
本発明によれば、製造工程（Ｓ４）において樹脂製の枠体を形成することで、第１被覆部材２３を充填するためのケースなどの別部材が不要である。そのため、製造工程がより簡易に発光装置１０を製造することができる。
【0049】
以上、説明したように、本発明によれば、発光素子２０から出射される光の損失が低減され、高い光出力が得られる発光装置１０を提供することができる。また、指向特性を広角化できる。
なお、本実施形態においては、発光素子２０として、透光性の基板付きフリップチップを用いたが、用いられる発光素子はこれに限定されない。例えば、以下に例示する発光素子を用いることもできる。
なお、本実施形態においては、発光素子２０として、透光性の基板付きフリップチップを用いたが、用いられる発光素子はこれに限定されない。例えば、以下に例示する発光素子を用いることもできる。
【0050】
図２Ｂは、支持基板付き片面電極チップである発光素子３０を示している。発光素子３０は、第１及び第２素子電極３４Ａ、３４Ｂと、第１及び第２素子電極３４Ａ、３４Ｂ上に設けられた支持基板３３と、支持基板３３上に設けられた接合層３２と、接合層３２上に設けられたｐ型半導体、ｎ型半導体及び発光層を含む半導体発光機能層３１とを有している。
支持基板３３には、主にシリコン（Ｓｉ）またはセラミックが用いられる。
第１素子電極３４Ａは半導体発光機能層３１のｐ型半導体に接続され、第２素子電極３４Ｂは半導体発光機能層３１のｎ型半導体に接続されている。
支持基板３３には、主にシリコン（Ｓｉ）またはセラミックが用いられる。
第１素子電極３４Ａは半導体発光機能層３１のｐ型半導体に接続され、第２素子電極３４Ｂは半導体発光機能層３１のｎ型半導体に接続されている。
【0051】
図２Ｃは、支持基板付き上下両面電極チップである発光素子４０を示している。発光素子４０は、支持基板４３と、支持基板４３上に設けられた接合層４２と、接合層４２上に設けられたｐ型半導体、ｎ型半導体及び発光層を含む半導体発光機能層４１を有している。
支持基板４３の上面には第１素子電極４４Ａ、支持基板４３の下面には第２素子電極４４Ｂが設けられている。
支持基板４３の上面には第１素子電極４４Ａ、支持基板４３の下面には第２素子電極４４Ｂが設けられている。
【0052】
支持基板４３には、主にシリコンまたはセラミックが用いられる。
第１素子電極４４Ａは、半導体発光機能層４１のｐ型半導体に接続され、第２素子電極４４Ｂは半導体発光機能層４１のｎ型半導体に接続されている。図２Ｄに示したように、第１素子電極４４Ａは金バンプを介して基板１１の上面の第１配線電極１２Ａ（図示せず）とワイヤ４６によりワイヤボンディングされている。また素子電極４４Ｂは第２配線電極１２Ｂ（図示せず）と接続部材１４を介して接合されている。
第１素子電極４４Ａは、半導体発光機能層４１のｐ型半導体に接続され、第２素子電極４４Ｂは半導体発光機能層４１のｎ型半導体に接続されている。図２Ｄに示したように、第１素子電極４４Ａは金バンプを介して基板１１の上面の第１配線電極１２Ａ（図示せず）とワイヤ４６によりワイヤボンディングされている。また素子電極４４Ｂは第２配線電極１２Ｂ（図示せず）と接続部材１４を介して接合されている。
【0053】
そのため、当該ワイヤ４６が光変換部材２２と接触しないように、接着部材２１にスペーサ４５を含有させている。これにより、光変換部材２２の下面２２Ｂと発光素子４０の第１素子電極４４Ａに接続しているワイヤ４６と離間させることができる。
【0054】
具体的には、粒径７０μｍのスペーサ４５により光変換部材２２の下面２２Ｂと発光素子４０の上面との離間距離は７０μｍ確保され、高さ２０μｍの金バンプ上にワイヤ径３０μｍのワイヤ４６が接続された箇所においても、光変換部材２２の下面２２Ｂと干渉しなくなる。なお、スペーサ４５には、軟質ガラスまたは樹脂を用いることができる。
【0055】
［第１の実施形態の変形例１］
第１の実施形態の変形例１について説明する。なお、本発明の第１の実施形態による発光装置１０と同一の構成については適宜説明を省略する。
図５Ａに示すように、第１の実施形態の変形例１に係る発光装置５０は、上面及び下面を備えた基板１１と、基板１１の上面上に実装された発光素子２０と、発光素子２０の出射面（上面）上に設けられた光変換部材２２と、第１被覆部材２３と、第２被覆部材２４とを有している。
第１の実施形態の変形例１について説明する。なお、本発明の第１の実施形態による発光装置１０と同一の構成については適宜説明を省略する。
図５Ａに示すように、第１の実施形態の変形例１に係る発光装置５０は、上面及び下面を備えた基板１１と、基板１１の上面上に実装された発光素子２０と、発光素子２０の出射面（上面）上に設けられた光変換部材２２と、第１被覆部材２３と、第２被覆部材２４とを有している。
【0056】
第２被覆部材２４は、光変換部材２２の外側面と第１被覆部材２３の延在面２３Ａを被覆している。詳細には、第２被覆部材２４は、光変換部材２２の上面２２Ａの外周縁から外方に向けて下方に傾斜して延在させた上面と、光変換部材２２の外側面と覆う内周面と、第２被覆部材２４の上面から基板１１の上面の外周縁に向かって鉛直方向に延びる外側面と、第１被覆部材２３の延在面２３Ａの全面を覆う下面とを有している。
この場合、第２被覆部材２４により光変換部材２２を固定することができ、また、発光装置５０の外表面と発光素子２０との封止厚みを増すことができ、耐候性が向上する。
この場合、第２被覆部材２４により光変換部材２２を固定することができ、また、発光装置５０の外表面と発光素子２０との封止厚みを増すことができ、耐候性が向上する。
【0057】
第２被覆部材２４は、光変換部材２２の屈折率（平均屈折率）より小さく空気層の屈折率よりも大きい透光性のシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン樹脂などからなる透光性の樹脂材料を用いることができる。
したがって、光変換部材２２、第２被覆部材２４、空気層の順に屈折率が段階的に変化することで、光変換部材２２からの出射光の光取り出し効率を向上させることができる。
したがって、光変換部材２２、第２被覆部材２４、空気層の順に屈折率が段階的に変化することで、光変換部材２２からの出射光の光取り出し効率を向上させることができる。
【0058】
［第１の実施形態の変形例２］
第１の実施形態の変形例２について説明する。変形例２においては、図５Ｂに示すように、第２被覆部材２４が光変換部材２２の上面２２Ａの全体を覆う構成している。この場合、光変換部材２２の上面２２Ａから出射された出射光の光取り出し効率を向上させることができるとともに光変換部材２２の上面２２Ａ及び光変換部材２２の外側面を保護することができる。
第１の実施形態の変形例２について説明する。変形例２においては、図５Ｂに示すように、第２被覆部材２４が光変換部材２２の上面２２Ａの全体を覆う構成している。この場合、光変換部材２２の上面２２Ａから出射された出射光の光取り出し効率を向上させることができるとともに光変換部材２２の上面２２Ａ及び光変換部材２２の外側面を保護することができる。
【0059】
第２被覆部材２４には、拡散材を混合することができる。拡散材の含有により、色度の角度依存性（色分離）を向上させることができる。拡散材としては、例えば、ミー散乱領域の粒子より大きい粒径のアルミナ粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子などを用いることができる。また、その粒径は、３～５０μｍであることが好ましい。
【0060】
［第２の実施形態］
第２の実施形態について説明する。なお、本発明の第１の実施形態による発光装置１０と同一の構成については適宜説明を省略する。
第２の実施形態に係る発光装置６０は、上面及び下面を備えた基板１１と、基板１１の上面上に実装された複数の発光素子２０と、発光素子２０の出射面（上面）上に設けられた光変換部材２２と、第１被覆部材２３とを有している。
第２の実施形態について説明する。なお、本発明の第１の実施形態による発光装置１０と同一の構成については適宜説明を省略する。
第２の実施形態に係る発光装置６０は、上面及び下面を備えた基板１１と、基板１１の上面上に実装された複数の発光素子２０と、発光素子２０の出射面（上面）上に設けられた光変換部材２２と、第１被覆部材２３とを有している。
【0061】
図６Ｂに示すように、発光装置６０は発光素子２０を４つ有し、４つの発光素子２０は２行２列のマトリクス状に互いに離間して配列されている。
そして、４つの発光素子２０の全体の仮想外周縁（発光素子２０の外側の辺を結んだ仮想線）は矩形であり、光変換部材２２の外周縁も４つの発光素子２０の仮想外周縁から等距離となる矩形状である。したがって、効率的で均一な光変換を行うことができる。
そして、４つの発光素子２０の全体の仮想外周縁（発光素子２０の外側の辺を結んだ仮想線）は矩形であり、光変換部材２２の外周縁も４つの発光素子２０の仮想外周縁から等距離となる矩形状である。したがって、効率的で均一な光変換を行うことができる。
【0062】
各発光素子２０の離間距離は、光変換部材２２の突出長ＰＯの１倍以上２倍以下であることが好ましい。
各発光素子２０の離間距離が２倍超だと、光変換部材２２において発光素子２０の出射光が届かない部分の光出力が減衰して輝度ムラを発生する。また、１倍未満だと、光出力の向上率が低下する。
各発光素子２０の離間距離が２倍超だと、光変換部材２２において発光素子２０の出射光が届かない部分の光出力が減衰して輝度ムラを発生する。また、１倍未満だと、光出力の向上率が低下する。
【0063】
４つの発光素子２０は第１及び第２配線電極１２Ａ，１２Ｂと第１中継配線電極１２Ｃ、第２中継配線電極１２Ｄ及び第３中継配線電極１２Ｅとによって、直列接続されている。したがって、４つの発光素子２０には、同一な電流を流すことができる。
また、保護素子９０は上面視における４つの発光素子２０の配置の中心に位置する。また、保護素子９０は、当該４つの発光素子２０の位置まで延在した第１配線電極１２Ａと第２配線電極１２Ｂに接続されている。この配置により光出力の損失を防止できる。
また、保護素子９０は上面視における４つの発光素子２０の配置の中心に位置する。また、保護素子９０は、当該４つの発光素子２０の位置まで延在した第１配線電極１２Ａと第２配線電極１２Ｂに接続されている。この配置により光出力の損失を防止できる。
【0064】
なお、本実施形態においては、複数の発光素子２０を第１及び第２配線電極１２Ａ，１２Ｂによって、直列接続させたが、並列接続させてもよい。
また、本実施形態においては、発光素子２０の数を４つとしたが、その数は２つでも３つでもよく、５つ以上でもよい。すなわち、光変換部材２２が矩形となるように、発光素子２０を１行２列、１行３列、１行４列、・・・、ｍ行ｎ列（ｍ、ｎは整数）に配列できる。
また、本実施形態においては、発光素子２０の数を４つとしたが、その数は２つでも３つでもよく、５つ以上でもよい。すなわち、光変換部材２２が矩形となるように、発光素子２０を１行２列、１行３列、１行４列、・・・、ｍ行ｎ列（ｍ、ｎは整数）に配列できる。
【0065】
図６Ａ、図６Ｂ及び図６Ｃに示すように、上面視において、光変換部材２２は４つの所定距離だけ離間して載置された発光素子２０を包含する大きさ及び配置で設けられている。つまり、光変換部材２２は、当該複数の発光素子２０の全体の仮想外周縁よりも外方に突出長ＰＯだけ突出している。また、複数の発光素子２０の離間距離も突出長ＰＯの１～２倍のだけ離間して載置されている。
【0066】
そのため、光変換部材２２はすべての発光素子２０の出射面（上面）より幅広な受光面２２Ｂ（下面）を持ち、発光素子２０の出射面から光変換部材２２の受光面２２Ｂまでの光路の周囲は、第１被覆部材２３により覆われているため、発光素子２０からの出射される出射光の光漏れが防止される。
つまり、発光素子２０からの出射光が光変換部材２２に取り込まれやすくなり、高い光出力が得られる。また、配光特性も広角化できる。
つまり、発光素子２０からの出射光が光変換部材２２に取り込まれやすくなり、高い光出力が得られる。また、配光特性も広角化できる。
【0067】
当該複数の発光素子２０の出射面（上面）は、基板１１から同一の高さであることが好ましい。しかしながら、複数の発光素子２０の出射面の基板１１からの高さにバラツキがあっても、上述の構造に加え、透光性の接着部材２１と当該接着部材２１の側面を第１被覆部材２３で被覆する構造により、発光装置５０から出射する光出力のバラツキを抑えることができる。
【0068】
以上、詳細に説明したように、発光素子から出射される光の損失が低減され、高い光出力が得られる半導体発光装置を提供することができる。
【符号の説明】
【0069】
１０ 発光装置
１１ 基板
１２ 配線
１２Ａ 第１配線電極
１２Ｂ 第２配線電極
１３ 実装電極
１３Ａ 第１実装電極
１３Ｂ 第２実装電極
１４ 接合部材
２０ 発光素子
２１ 接着部材
２２ 光変換部材
２３ 第１被覆部材
２４ 第２被覆部材
２５ 透光基板
２６ 半導体発光機能層
２７Ａ 第１素子電極
２７Ｂ 第２素子電極
２８Ａ 第１貫通電極
２８Ｂ 第２貫通電極
３０ 発光素子
３１ 半導体発光機能層
３２ 接合層
３３ 支持基板
３４Ａ 第１素子電極
３４Ｂ 第２素子電極
４０ 発光素子
４１ 半導体発光機能層
４２ 接合層
４３ 支持基板
４４Ａ 第１素子電極
４４Ｂ 第２素子電極
４５ スペーサ
４６ ワイヤ
５０ 発光装置
６０ 発光装置
７０ 発光装置
８０ 枠体
９０ 保護素子
１１ 基板
１２ 配線
１２Ａ 第１配線電極
１２Ｂ 第２配線電極
１３ 実装電極
１３Ａ 第１実装電極
１３Ｂ 第２実装電極
１４ 接合部材
２０ 発光素子
２１ 接着部材
２２ 光変換部材
２３ 第１被覆部材
２４ 第２被覆部材
２５ 透光基板
２６ 半導体発光機能層
２７Ａ 第１素子電極
２７Ｂ 第２素子電極
２８Ａ 第１貫通電極
２８Ｂ 第２貫通電極
３０ 発光素子
３１ 半導体発光機能層
３２ 接合層
３３ 支持基板
３４Ａ 第１素子電極
３４Ｂ 第２素子電極
４０ 発光素子
４１ 半導体発光機能層
４２ 接合層
４３ 支持基板
４４Ａ 第１素子電極
４４Ｂ 第２素子電極
４５ スペーサ
４６ ワイヤ
５０ 発光装置
６０ 発光装置
７０ 発光装置
８０ 枠体
９０ 保護素子
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図4F】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図6C】