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特開2024-61738キャリア付金属箔、及びそれを用いたミリ波アンテナ基板の製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024061738
(43)【公開日】2024-05-08
(54)【発明の名称】キャリア付金属箔、及びそれを用いたミリ波アンテナ基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
B32B 9/00 20060101AFI20240426BHJP
B32B 9/04 20060101ALI20240426BHJP
B32B 15/04 20060101ALI20240426BHJP
B32B 7/06 20190101ALI20240426BHJP
【ＦＩ】
B32B9/00 A
B32B9/04
B32B15/04 B
B32B7/06
【審査請求】有
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024028281
(22)【出願日】2024-02-28
(62)【分割の表示】P 2020557561の分割
【原出願日】2019-11-19
(31)【優先権主張番号】P 2018217756
(32)【優先日】2018-11-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2019118303
(32)【優先日】2019-06-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2019180631
(32)【優先日】2019-09-30
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000006183
【氏名又は名称】三井金属鉱業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100113365
【弁理士】
【氏名又は名称】高村 雅晴
(74)【代理人】
【識別番号】100209336
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 悠
(74)【代理人】
【識別番号】100218800
【弁理士】
【氏名又は名称】河内 亮
(72)【発明者】
【氏名】小宮 未希子
(72)【発明者】
【氏名】柳井 威範
(72)【発明者】
【氏名】石井 林太郎
(72)【発明者】
【氏名】松浦 宜範
(57)【要約】
【課題】キャリアの剥離性及び金属層の選択エッチング性に優れ、これを用いて製造された半導体パッケージ（例えばミリ波アンテナ基板）における伝送損失及び抵抗の低減を実現可能な、キャリア付金属箔を提供する。
【解決手段】（ａ）キャリアと、（ｂ）キャリア上に設けられる剥離機能層であって、（ｂ１）キャリアに近い側の、厚さが１０ｎｍを超え２００ｎｍ未満である密着層、及び（ｂ２）キャリアから遠い側の、厚さが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である剥離補助層を含む、剥離機能層と、（ｃ）剥離機能層上に設けられる複合金属層であって、（ｃ１）剥離補助層に近い側の炭素層、及び（ｃ２）剥離補助層から遠い側の、主としてＡｕ又はＰｔで構成される第１金属層を含む、複合金属層とを備えた、キャリア付金属箔。
【選択図】図１
【解決手段】（ａ）キャリアと、（ｂ）キャリア上に設けられる剥離機能層であって、（ｂ１）キャリアに近い側の、厚さが１０ｎｍを超え２００ｎｍ未満である密着層、及び（ｂ２）キャリアから遠い側の、厚さが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である剥離補助層を含む、剥離機能層と、（ｃ）剥離機能層上に設けられる複合金属層であって、（ｃ１）剥離補助層に近い側の炭素層、及び（ｃ２）剥離補助層から遠い側の、主としてＡｕ又はＰｔで構成される第１金属層を含む、複合金属層とを備えた、キャリア付金属箔。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
（ａ）キャリアと、
（ｂ）前記キャリア上に設けられる剥離機能層であって、
（ｂ１）前記キャリアに近い側の、厚さが１０ｎｍを超え２００ｎｍ未満である密着層、及び
（ｂ２）前記キャリアから遠い側の、厚さが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である剥離補助層を含む、剥離機能層と、
（ｃ）前記剥離機能層上に設けられる複合金属層であって、
（ｃ１）前記剥離補助層に近い側の炭素層、及び
（ｃ２）前記剥離補助層から遠い側の、主としてＡｕ又はＰｔで構成される第１金属層を含む、複合金属層と、
を備えた、キャリア付金属箔。
（ｂ）前記キャリア上に設けられる剥離機能層であって、
（ｂ１）前記キャリアに近い側の、厚さが１０ｎｍを超え２００ｎｍ未満である密着層、及び
（ｂ２）前記キャリアから遠い側の、厚さが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である剥離補助層を含む、剥離機能層と、
（ｃ）前記剥離機能層上に設けられる複合金属層であって、
（ｃ１）前記剥離補助層に近い側の炭素層、及び
（ｃ２）前記剥離補助層から遠い側の、主としてＡｕ又はＰｔで構成される第１金属層を含む、複合金属層と、
を備えた、キャリア付金属箔。
【請求項2】
前記キャリアが、ガラス、シリコン、又はセラミックスで構成される、請求項１に記載のキャリア付金属箔。
【請求項3】
前記剥離機能層が、前記密着層及び／又は前記剥離補助層として、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｗ、ＴｉＮ、及びＴａＮからなる群から選択される少なくとも１種を８０原子％以上含む層を少なくとも１層備える、請求項１又は２に記載のキャリア付金属箔。
【請求項4】
前記密着層の厚さＴ１に対する前記剥離補助層の厚さＴ２の比であるＴ２／Ｔ１が１を超え２０以下である、請求項１～３のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
【請求項5】
前記炭素層がアモルファスカーボンを含む、請求項１～４のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
【請求項6】
前記第１金属層が５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の厚さを有する、請求項１～５のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
【請求項7】
前記複合金属層が、
（ｃ３）前記炭素層と前記第１金属層との間に設けられ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ、及びＰｄからなる群から選択される少なくとも１種を５０原子％以上含む第２金属層をさらに含む、請求項１～６のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
（ｃ３）前記炭素層と前記第１金属層との間に設けられ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ、及びＰｄからなる群から選択される少なくとも１種を５０原子％以上含む第２金属層をさらに含む、請求項１～６のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
【請求項8】
前記第２金属層が５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の厚さを有する、請求項７に記載のキャリア付金属箔。
【請求項9】
前記複合金属層が、
（ｃ４）前記第１金属層の前記炭素層から遠い側の面に設けられ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ、及びＰｄからなる群から選択される少なくとも１種を合計で５０原子％以上含むバリア層をさらに含む、請求項１～８のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
（ｃ４）前記第１金属層の前記炭素層から遠い側の面に設けられ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ、及びＰｄからなる群から選択される少なくとも１種を合計で５０原子％以上含むバリア層をさらに含む、請求項１～８のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
【請求項10】
ミリ波アンテナ基板の製造に用いられる、請求項１～９のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔。
【請求項11】
請求項１～９のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔を用いてミリ波アンテナ基板を製造することを含む、ミリ波アンテナ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、キャリア付金属箔、及びそれを用いたミリ波アンテナ基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、プリント配線板の実装密度を上げて小型化するために、プリント配線板の多層化が広く行われるようになってきている。このような多層プリント配線板は、携帯用電子機器の多くで、軽量化や小型化を目的として利用されている。そして、この多層プリント配線板には、層間絶縁層の更なる厚さの低減、及び配線板としてのより一層の軽量化が要求されている。
【0003】
このような要求を満たす技術として、コアレスビルドアップ法を用いた多層プリント配線板の製造方法が採用されている。コアレスビルドアップ法とは、いわゆるコア基板を用いることなく、絶縁層と配線層とを交互に積層（ビルドアップ）して多層化する方法である。コアレスビルドアップ法においては、支持体と多層プリント配線板との剥離を容易に行えるように、キャリア付銅箔を使用することが提案されている。例えば、特許文献１（特開２００５－１０１１３７号公報）には、キャリア付銅箔のキャリア面に絶縁樹脂層を貼り付けて支持体とし、キャリア付銅箔の極薄銅層側にフォトレジスト加工、パターン電解銅めっき、レジスト除去等の工程により第一の配線導体を形成した後、ビルドアップ配線層を形成し、キャリア付支持基板を剥離し、極薄銅層を除去することを含む、半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法が開示されている。
【0004】
また、特許文献１に示されるような埋め込み回路の微細化のため、極薄銅層の厚さを１μｍ以下としたキャリア付銅箔が望まれる。そこで、極薄銅層の厚さ低減を実現するため、スパッタリング等の気相法により極薄銅層を形成することが提案されている。例えば、特許文献２（国際公開第２０１７／１５０２８３号）には、ガラス又はセラミックス等のキャリア上に、剥離層、反射防止層、及び極薄銅層がスパッタリングにより形成されたキャリア付銅箔が開示されている。また、特許文献３（国際公開第２０１７／１５０２８４号）には、ガラス又はセラミックス等のキャリア上に、中間層（例えば密着金属層及び剥離補助層）、剥離層及び極薄銅層（例えば膜厚３００ｎｍ）がスパッタリングにより形成されたキャリア付銅箔が開示されている。特許文献２及び３には、所定の金属で構成される中間層を介在させることでキャリアの機械的剥離強度の優れた安定性をもたらすことや、反射防止層が望ましい暗色を呈することで、画像検査（例えば自動画像検査（ＡＯＩ））における視認性を向上させることも教示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２００５－１０１１３７号公報
【特許文献2】国際公開第２０１７／１５０２８３号
【特許文献3】国際公開第２０１７／１５０２８４号
【発明の概要】
【0006】
ところで、近年、自動車分野において衝突防止機能等の安全運転支援システムの普及が進んでおり、かかるシステムにおいて車載用ミリ波レーダーが活用されている。また、情報通信技術分野においては、広帯域確保及び大容量伝送が可能なミリ波通信に関する技術開発が進められている。したがって、これらの用途等に適したミリ波用の半導体パッケージ（以下、「ミリ波アンテナ基板」とする）の需要も高まっているといえる。ここで、ミリ波アンテナ基板等の製造においては、Ａｕめっきを用いた微細回路形成手法が用いられる。この点、従来のキャリア付銅箔を用いてミリ波アンテナ基板等を作製した場合、Ｃｕの化学的安定性が低いため、抵抗（例えばＡｕめっきとの接続抵抗）が高くなる等の問題が起こりうる。また、ミリ波アンテナ基板等の製造においては、干渉を低減すべく絶縁層として比較的厚い樹脂（例えば厚さ２００μｍ以上）をキャリア付金属箔に積層することから、キャリア付金属箔はかかる樹脂からの応力の影響を受けやすく、それ故、キャリアの剥離が不安定となりうる。
【0007】
本発明者らは、今般、キャリアの剥離に寄与する層の厚さを特定の範囲に制御し、かつ、主としてＡｕ又はＰｔで構成された金属層を採用することで、キャリアの剥離性及び金属層の選択エッチング性に優れ、これを用いて製造された半導体パッケージ（例えばミリ波アンテナ基板）における伝送損失及び抵抗の低減を実現可能な、キャリア付金属箔を提供できるとの知見を得た。
【0008】
したがって、本発明の目的は、キャリアの剥離性及び金属層の選択エッチング性に優れ、これを用いて製造された半導体パッケージ（例えばミリ波アンテナ基板）における伝送損失及び抵抗の低減を実現可能な、キャリア付金属箔を提供することにある。
【0009】
本発明の一態様によれば、
（ａ）キャリアと、
（ｂ）前記キャリア上に設けられる剥離機能層であって、
（ｂ１）前記キャリアに近い側の、厚さが１０ｎｍを超え２００ｎｍ未満である密着層、及び
（ｂ２）前記キャリアから遠い側の、厚さが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である剥離補助層を含む、剥離機能層と、
（ｃ）前記剥離機能層上に設けられる複合金属層であって、
（ｃ１）前記剥離補助層に近い側の炭素層、及び
（ｃ２）前記剥離補助層から遠い側の、主としてＡｕ又はＰｔで構成される第１金属層を含む、複合金属層と、
を備えた、キャリア付金属箔が提供される。
（ａ）キャリアと、
（ｂ）前記キャリア上に設けられる剥離機能層であって、
（ｂ１）前記キャリアに近い側の、厚さが１０ｎｍを超え２００ｎｍ未満である密着層、及び
（ｂ２）前記キャリアから遠い側の、厚さが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である剥離補助層を含む、剥離機能層と、
（ｃ）前記剥離機能層上に設けられる複合金属層であって、
（ｃ１）前記剥離補助層に近い側の炭素層、及び
（ｃ２）前記剥離補助層から遠い側の、主としてＡｕ又はＰｔで構成される第１金属層を含む、複合金属層と、
を備えた、キャリア付金属箔が提供される。
【0010】
本発明の他の一態様によれば、前記キャリア付金属箔を用いてミリ波アンテナ基板を製造することを含む、ミリ波アンテナ基板の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本発明のキャリア付金属箔の一例を示す模式断面図である。
【図2】本発明のキャリア付金属箔の他の一例を示す模式断面図である。
【図3】本発明のミリ波アンテナ基板の製造方法の一例を示す工程流れ図であり、前半の工程（工程（ｉ）～（ｉｉｉ））を示す図である。
【図5】本発明のミリ波アンテナ基板の製造方法の他の一例を示す工程流れ図であり、前半の工程（工程（ｉ）～（ｉｉｉ））を示す図である。
【図7】実施例の評価２－１における伝送損失測定用サンプルの作製手順を示す工程流れ図であり、前半の工程（工程（ｉ）～（ｉｉｉ））を示す図である。
【図10】実施例の評価２－２における伝送損失測定用サンプルの作製手順を示す工程流れ図であり、前半の工程（工程（ｉ）～（ｉｉｉ））を示す図である。
【図12】実施例の評価３－１及び３－２における配線パターンのエッジ部分の角度θを示す断面模式図である。
【図13】実施例の評価３－２におけるコアレス支持体の作製手順を示す工程流れ図であり、前半の工程（工程（ｉ）～（ｉｉｉ））を示す図である。
【図15】実施例の評価４における接続抵抗測定用サンプルの作製手順（工程（ｉ）～（ｉｖ））を示す工程流れ図である。
【図16】実施例の評価４における接続抵抗測定用サンプルを用いたＩ－Ｖ測定を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
キャリア付金属箔
本発明のキャリア付金属箔の一例が図１及び２に模式的に示される。図１及び２に示されるように、キャリア付金属箔１０は、キャリア１２と、剥離機能層１４と、複合金属層２０とをこの順に備えたものである。剥離機能層１４はキャリア１２上に設けられ、キャリア１２に近い側の密着層１６、及びキャリア１２から遠い側の剥離補助層１８を含む。密着層１６は、厚さが１０ｎｍを超え２００ｎｍ未満の層である。剥離補助層１８は、厚さが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の層である。複合金属層２０は剥離機能層１４上に設けられ、剥離補助層１８に近い側の炭素層２２、及び剥離補助層１８から遠い側の第１金属層２６を含む。第１金属層２６は主としてＡｕ又はＰｔで構成される層である。図２に示されるように、複合金属層２０は、炭素層２２と第１金属層２６との間に第２金属層２４をさらに含んでいてもよい。また、複合金属層２０は、第１金属層２６の炭素層２２から遠い側の面にバリア層２８をさらに含んでいてもよい。キャリア１２の両面に上下対称となるように上述の各種層を順に備えてなる構成としてもよい。このように、キャリア１２の剥離に寄与する層（すなわち密着層１６及び剥離補助層１８）の厚さを特定の範囲に制御し、かつ、主としてＡｕ又はＰｔで構成された金属層（すなわち第１金属層２６）を採用することで、キャリアの剥離性及び金属層の選択エッチング性に優れたキャリア付金属箔を提供することが可能となる。また、このキャリア付金属箔１０を用いて製造された半導体パッケージ（例えばミリ波アンテナ基板）における伝送損失及び抵抗の低減を実現することが可能となる。
本発明のキャリア付金属箔の一例が図１及び２に模式的に示される。図１及び２に示されるように、キャリア付金属箔１０は、キャリア１２と、剥離機能層１４と、複合金属層２０とをこの順に備えたものである。剥離機能層１４はキャリア１２上に設けられ、キャリア１２に近い側の密着層１６、及びキャリア１２から遠い側の剥離補助層１８を含む。密着層１６は、厚さが１０ｎｍを超え２００ｎｍ未満の層である。剥離補助層１８は、厚さが５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の層である。複合金属層２０は剥離機能層１４上に設けられ、剥離補助層１８に近い側の炭素層２２、及び剥離補助層１８から遠い側の第１金属層２６を含む。第１金属層２６は主としてＡｕ又はＰｔで構成される層である。図２に示されるように、複合金属層２０は、炭素層２２と第１金属層２６との間に第２金属層２４をさらに含んでいてもよい。また、複合金属層２０は、第１金属層２６の炭素層２２から遠い側の面にバリア層２８をさらに含んでいてもよい。キャリア１２の両面に上下対称となるように上述の各種層を順に備えてなる構成としてもよい。このように、キャリア１２の剥離に寄与する層（すなわち密着層１６及び剥離補助層１８）の厚さを特定の範囲に制御し、かつ、主としてＡｕ又はＰｔで構成された金属層（すなわち第１金属層２６）を採用することで、キャリアの剥離性及び金属層の選択エッチング性に優れたキャリア付金属箔を提供することが可能となる。また、このキャリア付金属箔１０を用いて製造された半導体パッケージ（例えばミリ波アンテナ基板）における伝送損失及び抵抗の低減を実現することが可能となる。
【0013】
キャリア１２の材質はガラス、セラミックス、シリコン、樹脂、及び金属のいずれであってもよい。好ましくは、キャリア１２は、ガラス、シリコン又はセラミックスで構成される。キャリア１２の形態はシート、フィルム及び板のいずれであってもよい。また、キャリア１２はこれらのシート、フィルム及び板等が積層されたものであってもよい。例えば、キャリア１２はガラス板、セラミックス板、シリコンウェハ、金属板等といった剛性を有する支持体として機能しうるものであってもよいし、金属箔や樹脂フィルム等といった剛性を有しない形態であってもよい。キャリア１２を構成する金属の好ましい例としては、銅、チタン、ニッケル、ステンレススチール、アルミニウム等が挙げられる。セラミックスの好ましい例としては、アルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、その他各種ファインセラミックス等が挙げられる。樹脂の好ましい例としては、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアミド、ポリイミド、ナイロン、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ（登録商標））、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）等が挙げられる。より好ましくは、電子素子を搭載する際の加熱に伴うコアレス支持体の反り防止の観点から、熱膨張係数（ＣＴＥ）が２５ｐｐｍ／Ｋ未満（典型的には１．０ｐｐｍ／Ｋ以上２３ｐｐｍ／Ｋ以下）の材料であり、そのような材料の例としては、上述したような各種樹脂（特にポリイミド、液晶ポリマー等の低熱膨張樹脂）、ガラス、シリコン及びセラミックス等が挙げられる。また、ハンドリング性やチップ実装時の平坦性確保の観点から、キャリア１２はビッカース硬度が１００ＨＶ以上であるのが好ましく、より好ましくは１５０ＨＶ以上２５００ＨＶ以下である。これらの特性を満たす材料として、キャリア１２はガラス、シリコン又はセラミックスで構成されるのが好ましく、より好ましくはガラス又はセラミックスで構成され、特に好ましくはガラスで構成される。ガラスから構成されるキャリア１２としては、例えばガラス板が挙げられる。ガラスをキャリア１２として用いた場合、軽量で、熱膨脹係数が低く、絶縁性が高く、剛直で表面が平坦なため、第１金属層２６の表面を極度に平滑にできる等の利点がある。また、キャリア１２がガラスである場合、微細回路形成に有利な表面平坦性（コプラナリティ）を有している点、配線製造工程におけるデスミアや各種めっき工程において耐薬品性を有している点、キャリア付金属箔１０からキャリア１２を剥離する際に化学的分離法が採用できる点等の利点がある。キャリア１２を構成するガラスの好ましい例としては、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、及びそれらの組合せが挙げられ、より好ましくは無アルカリガラス、ソーダライムガラス、及びそれらの組合せであり、特に好ましくは無アルカリガラスである。無アルカリガラスは、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、及び酸化カルシウムや酸化バリウム等のアルカリ土類金属酸化物を主成分とし、更にホウ酸を含有する、アルカリ金属を実質的に含有しないガラスのことである。この無アルカリガラスは、０℃から３５０℃までの広い温度帯域において熱膨脹係数が３ｐｐｍ／Ｋ以上５ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲で低く安定しているため、加熱を伴うプロセスにおけるガラスの反りを最小限にできるとの利点がある。キャリア１２の厚さは１００μｍ以上２０００μｍ以下が好ましく、より好ましくは３００μｍ以上１８００μｍ以下、さらに好ましくは４００μｍ以上１１００μｍ以下である。このような範囲内の厚さであると、ハンドリングに支障を来さない適切な強度を確保しながら配線の薄型化、及び電子部品搭載時に生じる反りの低減を実現することができる。
【0014】
キャリア１２の密着層１６に隣接する側の表面は、レーザー顕微鏡を用いてＪＩＳ Ｂ ０６０１－２００１に準拠して測定される、０．１ｎｍ以上７０ｎｍ以下の算術平均粗さＲａを有するのが好ましく、より好ましくは０．５ｎｍ以上６０ｎｍ以下、さらに好ましくは１．０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、特に好ましくは１．５ｎｍ以上４０ｎｍ以下、最も好ましくは２．０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。このようにキャリア１２表面の算術平均粗さが小さいほど、第１金属層２６の炭素層２２と反対側の表面（第１金属層２６の外側表面）において望ましく低い算術平均粗さＲａをもたらすことができ、それにより、第１金属層２６を用いて形成される配線において、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が１３μｍ以下／１３μｍ以下（例えば１２μｍ／１２μｍから２μｍ／２μｍまで）といった程度にまで高度に微細化された配線パターンを形成するのに適したものとなる。
【0015】
剥離機能層１４は、キャリア１２と炭素層２２との間に介在して、キャリア１２の安定的な剥離に寄与する層である。前述したように、剥離機能層１４は、キャリア１２に近い側の密着層１６、及びキャリア１２から遠い側の剥離補助層１８を含む。この点、密着層１６及び剥離補助層１８の厚さをそれぞれ所定の範囲に制御することで、キャリア付金属箔１０に所望の剥離強度を付与することが可能となる。剥離機能層１４は、キャリア付金属箔１０の剥離機能をより一層向上させる点から、密着層１６及び／又は剥離補助層１８として、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｗ、ＴｉＮ、及びＴａＮからなる群から選択される少なくとも１種を８０原子％以上（好ましくは８５原子％以上、より好ましくは９０原子％以上）含む層を少なくとも１層備えるのが好ましい。剥離機能層１４における上記元素又は成分の含有率の上限値は特に限定されず、１００原子％であってもよいが、９８％以下であるのが現実的である。剥離機能層１４における上記元素又は成分の含有率はＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析することにより測定される値とする。
【0016】
キャリア付金属箔１０は、密着層１６の厚さＴ１に対する剥離補助層１８の厚さＴ２の比であるＴ２／Ｔ１が１を超え２０以下であるのが好ましく、より好ましくは１．５以上１５以下、さらに好ましくは２以上１０以下、特に好ましくは２．５以上６以下である。Ｔ２／Ｔ１を上記範囲内とすることで、例えば２４０℃以上３４０℃以下といった幅広い温度域での熱処理を施した場合であっても、炭素層２２が有する剥離機能の低下を抑制することができる。密着層１６及び剥離補助層１８の厚さの比が剥離性に影響を及ぼすメカニズムは必ずしも定かではないが、上記厚さの比を変化させることで、加熱時におけるキャリア付金属箔１０の各層を構成する元素の拡散挙動に変化が生じることによるものと考えられる。
【0017】
密着層１６は、キャリア１２と剥離補助層１８との密着性を確保するためにキャリア１２と剥離補助層１８の間に介在させる層である。したがって、剥離補助層１８よりも相対的にキャリア１２との密着性に優れた成分で構成されるのが好ましい。かかる観点から、密着層１６はＣｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｗ、ＴｉＮ、及びＴａＮからなる群から選択される少なくとも１種で構成される層であるのが好ましく、より好ましくはＴｉ、Ｔａ、ＴｉＮ、及びＴａＮからなる群から選択される少なくとも１種、さらに好ましくはＴｉ、及びＴｉＮからなる群から選択される少なくとも１種、特に好ましくはＴｉで構成される層である。密着層１６は、ＸＰＳにより測定される上記金属又は成分の含有率が８０原子％以上であるのが好ましく、より好ましくは８５原子％以上、さらに好ましくは９０原子％以上である。また、密着層１６における上記金属又は成分の含有率の上限値は特に限定されず１００原子％であってもよいが、９８原子％以下が現実的である。密着層１６は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。また、特に制限されるものではないが、密着層１６の成膜後に大気に暴露される場合、それに起因して混入する酸素の存在は許容される。密着層１６は、ＸＰＳにより測定される酸素含有率が０原子％以上５原子％以下であるのが典型的であり、より典型的には０．０５原子％以上４原子％以下、さらに典型的には０．１原子％以上３原子％以下である。密着層１６は、いかなる方法で製造されたものであってもよいが、ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法により形成された層であるのが膜厚分布の均一性を向上できる点で特に好ましい。
【0018】
密着層１６の厚さＴ１は、１０ｎｍを超え２００ｎｍ未満であり、好ましくは１５ｎｍ以上１８０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下、特に好ましくは４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、最も好ましくは４０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である。このような範囲内であると、キャリア１２と剥離補助層１８との適度な密着性を確保しつつ、絶縁樹脂積層時の真空プレス等の熱処理に伴う剥離機能の低下（剥離強度の上昇）を効果的に抑制することが可能となる。密着層１６の厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
【0019】
剥離補助層１８は、キャリア１２の剥離強度を所望の値に制御する点から、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｗ、ＴｉＮ、及びＴａＮからなる群から選択される少なくとも１種で構成される層であるのが好ましく、より好ましくはＣｕ、Ｎｉ、ＡｌＺｎ、及びＷからなる群から選択される少なくとも１種、さらに好ましくはＣｕ、Ｎｉ、及びＡｌからなる群から選択される少なくとも１種、特に好ましくはＣｕで構成される層である。剥離補助層１８は、ＸＰＳにより測定される上記金属又は成分の含有率が８０原子％以上であるのが好ましく、より好ましくは８５原子％以上、さらに好ましくは９０原子％以上である。また、剥離補助層１８における上記金属又は成分の含有率の上限値は特に限定されず１００原子％であってもよいが、９８原子％以下が現実的である。剥離補助層１８は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。また、特に制限されるものではないが、剥離補助層１８の成膜後に大気に暴露される場合、それに起因して混入する酸素の存在は許容される。剥離補助層１８は、ＸＰＳにより測定される酸素含有率が０原子％以上５原子％以下であるのが典型的であり、より典型的には０．０５原子％以上４原子％以下、さらに典型的には０．１原子％以上３原子％以下である。剥離補助層１８は、いかなる方法で製造されたものであってもよいが、ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法により形成された層であるのが膜厚分布の均一性を向上できる点で特に好ましい。
【0020】
剥離補助層１８の厚さＴ２は、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、好ましくは１００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、さらに好ましくは２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、特に好ましくは２５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。このような範囲内であると、剥離機能の低下（剥離強度の上昇）を効果的に抑制できるとともに、ミリ波アンテナ基板製造等のプロセス中におけるデラミネーション（基板の層間剥離）の発生をも効果的に抑制することが可能となる。剥離補助層１８の厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
【0021】
複合金属層２０は、剥離補助層１８に近い側の炭素層２２と、剥離補助層１８から遠い側の第１金属層２６とを含む。複合金属層２０は、炭素層２２と第１金属層２６との間に第２金属層２４をさらに含んでいてもよい。また、複合金属層２０は、第１金属層２６の炭素層２２から遠い側の面にバリア層２８をさらに含んでいてもよい。複合金属層２０の厚さは５１ｎｍ以上３２２０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下、さらに好ましくは３００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。複合金属層２０の厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
【0022】
炭素層２２は主として炭素を含んでなる層であり、好ましくは主として炭素又は炭化水素からなる層であり、より好ましくは硬質炭素膜であるアモルファスカーボンからなる。したがって、炭素層２２はアモルファスカーボンを含むのが好ましい。炭素層２２はＸＰＳにより測定される炭素濃度が６０原子％以上であるのが好ましく、より好ましくは７０原子％以上、さらに好ましくは８０原子％以上、特に好ましくは８５原子％以上である。炭素濃度の上限値は特に限定されず１００原子％であってもよいが、９８原子％以下が現実的である。炭素層２２は不可避不純物（例えば雰囲気等の周囲環境に由来する酸素、炭素、水素等）を含みうる。また、炭素層２２には第１金属層２６、又は存在する場合には第２金属層２４の成膜手法に起因して金属原子（例えばＡｕ、Ｐｔ等）が混入しうる。炭素は剥離機能層１４との相互拡散性及び反応性が小さく、３００℃を超える温度でのプレス加工等を受けても、第１金属層２６（存在する場合には第２金属層２４）と接合界面との間での高温加熱による金属結合の形成を防止して、キャリアの引き剥がし除去が容易な状態を維持することができる。この炭素層２２もスパッタリング等の気相法により形成された層であるのがアモルファスカーボン中の過度な不純物を抑制する点、前述の密着層１６及び剥離補助層１８の成膜との連続生産性の点などから好ましい。炭素層２２の厚さは１ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
【0023】
第１金属層２６は主としてＡｕ又はＰｔで構成される層であり、好ましくは主としてＡｕで構成される層である。これらの元素はＣｕ等の他の金属元素と比べて化学的安定性が高く、それ故キャリア付金属箔１０を用いて製造されたミリ波アンテナ基板において、伝送損失及び接続抵抗の低減を望ましく実現することができる。また、ミリ波アンテナ基板は、アンテナの指向性を担保すべく配線の端部形状が保たれている（すなわち配線のエッジ部分の角度が９０°に近い）ことが望ましいと考えられるところ、これらの金属は選択エッチング性に優れるため、Ａｕエッチングを伴う配線形成（パターニング）の際に、上記端部形状を実現しやすいといえる。第１金属層２６を構成する上記金属は、純金属であってもよいし、合金であってもよい。第１金属層２６は、ＸＰＳにより測定される上記金属（例えばＡｕ）の含有率が６０原子％以上であるのが好ましく、より好ましくは７０原子％以上、さらに好ましくは８０原子％以上、特に好ましくは９０原子％以上である。また、第１金属層２６における上記金属（例えばＡｕ）の含有率の上限値は特に限定されず、１００原子％であってもよいが、９８原子％以下が典型的である。第１金属層２６を構成する金属は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。第１金属層２６はスパッタリング等の気相法により形成された層であるのが好ましい。第１金属層２６は５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の厚さを有するのが好ましく、より好ましくは７０ｎｍ以上１５００ｎｍ以下、さらに好ましくは１００ｎｍ以上８００ｎｍ以下、特に好ましくは２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
【0024】
第２金属層２４は、キャリア付金属箔１０に対してエッチングストッパー機能や反射防止機能等の所望の機能を付与するものであることが好ましい。第２金属層２４を構成する金属の好ましい例としては、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｄ及びそれらの組合せが挙げられ、より好ましくはＴｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ及びそれらの組合せ、さらに好ましくはＴｉ、Ｔａ、Ｎｉ及びそれらの組合せ、特に好ましくはＴｉ、Ｔａ及びそれらの組合せ、最も好ましくはＴｉである。第２金属層２４を構成する上記金属は、純金属であってもよいし、合金であってもよい。第２金属層２４は、ＸＰＳにより測定される上記金属の含有率が５０原子％以上であるのが好ましく、より好ましくは６０原子％以上、さらに好ましくは７０原子％以上、特に好ましくは８０原子％以上である。また、第２金属層２４における上記金属の含有率の上限値は特に限定されず、１００原子％であってもよいが、９８原子％以下が典型的である。これらの元素は、フラッシュエッチング液（例えばＡｕフラッシュエッチング液）に対して溶解しないという性質を有し、その結果、フラッシュエッチング液に対して優れた耐薬品性を呈することができる。したがって、第２金属層２４は、後述する第１金属層２６よりもフラッシュエッチング液によってエッチングされにくい層となり、それ故エッチングストッパー層として機能しうる。また、第２金属層２４を構成する上述の金属は光の反射を防止する機能も有するため、第２金属層２４は、画像検査（例えば自動画像検査（ＡＯＩ））において視認性を向上させるための反射防止層としても機能しうる。第２金属層２４は、窒素を含んでいてもよく、ＸＰＳにより測定される窒素含有率が典型的には０原子％以上５０原子％以下であり、より典型的には１０原子％以上、さらに典型的には２０原子％以上、特に典型的には３０原子％以上である。第２金属層２４を構成する金属は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。第２金属層２４はスパッタリング等の気相法により形成された層であるのが好ましい。第２金属層２４の厚さは、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは１００ｎｍ以上８００ｎｍ以下、さらに好ましくは２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下、特に好ましくは３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
【0025】
バリア層２８は、第１金属層２６を構成する金属（すなわちＡｕ又はＰｔ）と、第１金属層２６上（すなわちキャリア付金属箔１０のキャリア１２と反対側の表面）に形成されうる配線層を構成する金属（例えばＣｕ）との金属間化合物の形成を抑制するための層である。金属間化合物の形成をより効果的に抑制する点から、バリア層２８を構成する金属の好ましい例としては、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｄ及びそれらの組合せが挙げられ、より好ましくはＴａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ、及びそれらの組合せである。バリア層２８を構成する上記金属は、純金属であってもよいし、合金であってもよい。バリア層２８は、ＸＰＳにより測定される上記金属の含有率が５０原子％以上であるのが好ましく、より好ましくは６０原子％以上、さらに好ましくは７０原子％以上、特に好ましくは８０原子％以上である。また、バリア層２８における上記金属の含有率の上限値は特に限定されず、１００原子％であってもよいが、９８原子％以下が典型的である。バリア層２８を構成する金属は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。バリア層２８はスパッタリング等の気相法により形成された層であるのが好ましい。バリア層２８の厚さは、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは２ｎｍ以上１００ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以上７０ｎｍ以下、特に好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
【0026】
密着層１６、剥離補助層１８、炭素層２２、第２金属層２４、第１金属層２６及びバリア層２８はいずれも物理気相堆積（ＰＶＤ）膜、すなわち物理気相堆積（ＰＶＤ）法により形成された膜であるのが好ましく、より好ましくはスパッタ膜、すなわちスパッタリングにより形成された膜である。
【0027】
キャリア付金属箔１０全体の厚さは特に限定されないが、好ましくは５００μｍ以上３０００μｍ以下、より好ましくは７００μｍ以上２５００μｍ以下、さらに好ましくは９００μｍ以上２０００μｍ以下、特に好ましくは１０００μｍ以上１７００μｍ以下である。キャリア付金属箔１０のサイズは特に限定されないが、好ましくは１０ｃｍ角以上、より好ましくは２０ｃｍ角以上、さらに好ましくは２５ｃｍ角以上である。キャリア付金属箔１０のサイズの上限は特に限定されないが、１０００ｃｍ角が上限の１つの目安として挙げられる。また、キャリア付金属箔１０は、配線の形成前後において、それ自体単独でハンドリング可能な形態である。
【0028】
キャリア付金属箔の製造方法
本発明のキャリア付金属箔１０は、キャリア１２を用意し、キャリア１２上に、密着層１６、剥離補助層１８、炭素層２２、所望により第２金属層２４、第１金属層２６、及び所望によりバリア層２８を形成することにより製造することができる。密着層１６、剥離補助層１８、炭素層２２、第２金属層２４（存在する場合）、第１金属層２６、及びバリア層２８（存在する場合）の各層の成膜は、極薄化によるファインピッチ化に対応しやすい観点から、物理気相堆積（ＰＶＤ）法により行われるのが好ましい。物理気相堆積（ＰＶＤ）法の例としては、スパッタリング法、真空蒸着法、及びイオンプレーティング法が挙げられるが、０．０５ｎｍから５０００ｎｍまでといった幅広い範囲で膜厚制御できる点、広い幅ないし面積にわたって膜厚均一性を確保できる点等から、最も好ましくはスパッタリング法である。特に、密着層１６、剥離補助層１８、炭素層２２、第２金属層２４（存在する場合）、第１金属層２６、及びバリア層２８（存在する場合）の全ての層をスパッタリング法により形成することで、製造効率が格段に高くなる。物理気相堆積（ＰＶＤ）法による成膜は公知の気相成膜装置を用いて公知の条件に従って行えばよく特に限定されない。例えば、スパッタリング法を採用する場合、スパッタリング方式は、マグネトロンスパッタリング、２極スパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法等、公知の種々の方法であってよいが、マグネトロンスパッタリングが、成膜速度が速く生産性が高い点で好ましい。スパッタリングはＤＣ（直流）及びＲＦ（高周波）のいずれの電源で行ってもよい。また、ターゲット形状も広く知られているプレート型ターゲットを使用することができるが、ターゲット使用効率の観点から円筒形ターゲットを用いることが望ましい。以下、密着層１６、剥離補助層１８、炭素層２２、第２金属層２４（存在する場合）、第１金属層２６、及びバリア層２８（存在する場合）の各層の物理気相堆積（ＰＶＤ）法（好ましくはスパッタリング法）による成膜について説明する。
本発明のキャリア付金属箔１０は、キャリア１２を用意し、キャリア１２上に、密着層１６、剥離補助層１８、炭素層２２、所望により第２金属層２４、第１金属層２６、及び所望によりバリア層２８を形成することにより製造することができる。密着層１６、剥離補助層１８、炭素層２２、第２金属層２４（存在する場合）、第１金属層２６、及びバリア層２８（存在する場合）の各層の成膜は、極薄化によるファインピッチ化に対応しやすい観点から、物理気相堆積（ＰＶＤ）法により行われるのが好ましい。物理気相堆積（ＰＶＤ）法の例としては、スパッタリング法、真空蒸着法、及びイオンプレーティング法が挙げられるが、０．０５ｎｍから５０００ｎｍまでといった幅広い範囲で膜厚制御できる点、広い幅ないし面積にわたって膜厚均一性を確保できる点等から、最も好ましくはスパッタリング法である。特に、密着層１６、剥離補助層１８、炭素層２２、第２金属層２４（存在する場合）、第１金属層２６、及びバリア層２８（存在する場合）の全ての層をスパッタリング法により形成することで、製造効率が格段に高くなる。物理気相堆積（ＰＶＤ）法による成膜は公知の気相成膜装置を用いて公知の条件に従って行えばよく特に限定されない。例えば、スパッタリング法を採用する場合、スパッタリング方式は、マグネトロンスパッタリング、２極スパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法等、公知の種々の方法であってよいが、マグネトロンスパッタリングが、成膜速度が速く生産性が高い点で好ましい。スパッタリングはＤＣ（直流）及びＲＦ（高周波）のいずれの電源で行ってもよい。また、ターゲット形状も広く知られているプレート型ターゲットを使用することができるが、ターゲット使用効率の観点から円筒形ターゲットを用いることが望ましい。以下、密着層１６、剥離補助層１８、炭素層２２、第２金属層２４（存在する場合）、第１金属層２６、及びバリア層２８（存在する場合）の各層の物理気相堆積（ＰＶＤ）法（好ましくはスパッタリング法）による成膜について説明する。
【0029】
密着層１６及び剥離補助層１８の物理気相堆積（ＰＶＤ）法（好ましくはスパッタリング法）による成膜は、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｚｎ及びＷからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成されるターゲットを用い、非酸化性雰囲気下でマグネトロンスパッタリングにより行われるのが膜厚分布均一性を向上できる点で好ましい。ターゲットの純度は９９．９ｗｔ％以上が好ましい。スパッタリングに用いるガスとしては、アルゴンガス等の不活性ガスを用いるのが好ましい。このとき、ＴｉＮターゲット、ＴａＮターゲット、チタンターゲット又はタンタルターゲットを用いて、アルゴンガス（必要に応じて更に窒素ガス）中でスパッタリングを行うことにより、ＴｉＮ又はＴａＮで構成される密着層１６及び／又は剥離補助層１８を形成することができる。アルゴンガス等の流量はスパッタリングチャンバーサイズ及び成膜条件に応じて適宜決定すればよく特に限定されない。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、連続的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１Ｐａ以上２０Ｐａ以下の範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガス等の流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５Ｗ／ｃｍ２以上１０．０Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内で適宜設定すればよい。
【0030】
炭素層２２の物理気相堆積（ＰＶＤ）法（好ましくはスパッタリング法）による成膜は、カーボンターゲットを用いてアルゴン等の不活性雰囲気下で行われるのが好ましい。カーボンターゲットはグラファイトで構成されるのが好ましいが、不可避不純物（例えば雰囲気等の周囲環境に由来する酸素や炭素）を含みうる。カーボンターゲットの純度は９９．９９ｗｔ％以上が好ましく、より好ましくは９９．９９９ｗｔ％以上である。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、連続的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１Ｐａ以上２０Ｐａ以下の範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５Ｗ／ｃｍ２以上１０．０Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内で適宜設定すればよい。
【0031】
第２金属層２４及びバリア層２８の物理気相堆積（ＰＶＤ）法（好ましくはスパッタリング法）による成膜は、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ及びＰｄからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成されるターゲットを用いて、マグネトロンスパッタ法により行われるのが好ましい。ターゲットの純度は９９．９％以上が好ましい。特に、第２金属層２４及びバリア層２８のマグネトロンスパッタ法による成膜は、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、圧力０．１Ｐａ以上２０Ｐａ以下で行われるのが好ましい。スパッタリング圧力は、より好ましくは０．２Ｐａ以上１５Ｐａ以下、さらに好ましくは０．３Ｐａ以上１０Ｐａ以下である。なお、上記圧力範囲の制御は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することにより行えばよい。アルゴンガスの流量はスパッタリングチャンバーサイズ及び成膜条件に応じて適宜決定すればよく特に限定されない。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり１．０Ｗ／ｃｍ２以上１５．０Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内で適宜設定すればよい。また、製膜時にキャリア温度を一定に保持するのが、安定した膜特性（例えば膜抵抗や結晶サイズ）を得やすい点で好ましい。成膜時のキャリア温度は２５℃以上３００℃以下の範囲内で調整することが好ましく、より好ましくは４０℃以上２００℃以下、さらに好ましくは５０℃以上１５０℃以下の範囲内である。
【0032】
第１金属層２６の物理気相堆積（ＰＶＤ）法（好ましくはスパッタリング法）による成膜は、Ａｕ及びＰｔからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成されるターゲットを用いてアルゴン等の不活性雰囲気下で行われるのが好ましい。ターゲットは金属又は合金で構成されるのが好ましいが、不可避不純物を含みうる。ターゲットの純度は９９．９％以上が好ましく、より好ましくは９９．９９％、さらに好ましくは９９．９９９％以上である。第１金属層２６の気相成膜時の温度上昇を避けるため、スパッタリングの際、ステージの冷却機構を設けてもよい。また、異常放電やプラズマ照射不良などの稼働不良なく、安定的に成膜する観点から成膜時の圧力は０．１Ｐａ以上２０Ｐａ以下の範囲で行うことが好ましい。この圧力範囲は、装置構造、容量、真空ポンプの排気容量、成膜電源の定格容量等に応じ、成膜電力、アルゴンガスの流量を調整することで設定すればよい。また、スパッタリング電力は成膜の膜厚均一性、生産性等を考慮してターゲットの単位面積あたり０．０５Ｗ／ｃｍ２以上１０．０Ｗ／ｃｍ２以下の範囲内で適宜設定すればよい。
【0033】
ミリ波アンテナ基板の製造方法
本発明のキャリア付金属箔１０はミリ波アンテナ基板の製造に用いられるのが好ましい。すなわち、本発明の好ましい態様によれば、前述したキャリア付金属箔１０を用いてミリ波アンテナ基板を製造することを含む、ミリ波アンテナ基板の製造方法、あるいは前述したキャリア付金属箔１０を用いて得られたミリ波アンテナ基板が提供される。本発明のキャリア付金属箔１０を用いることで、前述したように伝送損失及び抵抗が望ましく低減されたミリ波アンテナ基板を提供することができる。以下、本発明のキャリア付金属箔１０を用いたミリ波アンテナ基板の好ましい製造方法の一例について説明する。この方法は、（１）キャリア付金属箔に絶縁層及び配線層を積層して回路形成を行い、（２）ＩＣチップを実装し、（３）キャリアを剥離し、（４）第２金属層（存在する場合）のエッチング除去を行った後、（５）パターニングによりアンテナ形成を行うことを含む。
本発明のキャリア付金属箔１０はミリ波アンテナ基板の製造に用いられるのが好ましい。すなわち、本発明の好ましい態様によれば、前述したキャリア付金属箔１０を用いてミリ波アンテナ基板を製造することを含む、ミリ波アンテナ基板の製造方法、あるいは前述したキャリア付金属箔１０を用いて得られたミリ波アンテナ基板が提供される。本発明のキャリア付金属箔１０を用いることで、前述したように伝送損失及び抵抗が望ましく低減されたミリ波アンテナ基板を提供することができる。以下、本発明のキャリア付金属箔１０を用いたミリ波アンテナ基板の好ましい製造方法の一例について説明する。この方法は、（１）キャリア付金属箔に絶縁層及び配線層を積層して回路形成を行い、（２）ＩＣチップを実装し、（３）キャリアを剥離し、（４）第２金属層（存在する場合）のエッチング除去を行った後、（５）パターニングによりアンテナ形成を行うことを含む。
【0034】
（１）回路形成
キャリア付金属箔１０を用意し（図３（ｉ））、このキャリア付金属箔１０の第１金属層２６側（存在する場合にはバリア層２８側）の表面に絶縁層及び配線層を積層して回路基板３０が形成された積層体３２を得る（図３（ｉｉ））。回路基板３０の形成手法は特に限定されるものではなく、例えば特許文献１に示されるような公知のコアレスビルドアップ法により所望の絶縁層及び配線層を形成することができる。ミリ波アンテナ基板における干渉を低減するために、回路基板３０における絶縁樹脂（絶縁層）の厚さは１００μｍ以上とするのが好ましく、より好ましくは２００μｍ以上５００μｍ以下である。絶縁樹脂の好ましい例としては、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。例えば、絶縁樹脂として味の素ファインテクノ株式会社製のＡＢＦ－ＧＸＴ３１を好ましく用いることができる。絶縁層には絶縁性を向上する等の観点からシリカ、アルミナ等の各種無機粒子からなるフィラー粒子等が含有されていてもよい。また、絶縁層は複数の層で構成されていてもよい。
キャリア付金属箔１０を用意し（図３（ｉ））、このキャリア付金属箔１０の第１金属層２６側（存在する場合にはバリア層２８側）の表面に絶縁層及び配線層を積層して回路基板３０が形成された積層体３２を得る（図３（ｉｉ））。回路基板３０の形成手法は特に限定されるものではなく、例えば特許文献１に示されるような公知のコアレスビルドアップ法により所望の絶縁層及び配線層を形成することができる。ミリ波アンテナ基板における干渉を低減するために、回路基板３０における絶縁樹脂（絶縁層）の厚さは１００μｍ以上とするのが好ましく、より好ましくは２００μｍ以上５００μｍ以下である。絶縁樹脂の好ましい例としては、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。例えば、絶縁樹脂として味の素ファインテクノ株式会社製のＡＢＦ－ＧＸＴ３１を好ましく用いることができる。絶縁層には絶縁性を向上する等の観点からシリカ、アルミナ等の各種無機粒子からなるフィラー粒子等が含有されていてもよい。また、絶縁層は複数の層で構成されていてもよい。
【0035】
（２）ＩＣチップの実装
回路基板３０の外側表面（すなわちキャリア付金属箔１０と反対側の表面）にミリ波用のＩＣチップ３４を実装する（図３（ｉｉｉ））。なお、本明細書において、「ミリ波」とは、２４ＧＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の周波数の電波を指すものとする。また、本明細書において、「ＩＣ（集積回路）」は、ＣＰＵ（中央処理装置）、ＤＳＰ（デジタルシグナルプロセッサ）、メモリ、ＰＭＩＣ（パワーマネジメントＩＣ）、ＲＦＩＣ（高周波集積回路（例えばＧＰＳ（全地球測位システム））等の各種ＩＣを幅広く包含するものである。チップ実装の方式の例としては、フリップチップ実装方式、ダイボンディング方式等が挙げられる。フリップチップ実装方式は、ＩＣチップ３４の実装パッドと、回路基板３０の配線層との接合を行う方式である。この実装パッド上には柱状電極（ピラー）やはんだバンプ等が形成されてもよく、実装前に回路基板３０の表面に封止樹脂膜であるＮＣＦ（Ｎｏｎ－Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）等を貼り付けてもよい。接合は、はんだ等の低融点金属を用いて行われるのが好ましいが、異方導電性フィルム等を用いてもよい。ダイボンディング接着方式は、配線層に対して、ＩＣチップ３４の実装パッド面と反対側の面を接着する方式である。この接着には、熱硬化樹脂と熱伝導性の無機フィラーを含む樹脂組成物である、ペーストやフィルムを用いるのが好ましい。ＩＣチップ３４はエポキシ樹脂等の公知の封止材を用いて樹脂封止されるのが好ましい。
回路基板３０の外側表面（すなわちキャリア付金属箔１０と反対側の表面）にミリ波用のＩＣチップ３４を実装する（図３（ｉｉｉ））。なお、本明細書において、「ミリ波」とは、２４ＧＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の周波数の電波を指すものとする。また、本明細書において、「ＩＣ（集積回路）」は、ＣＰＵ（中央処理装置）、ＤＳＰ（デジタルシグナルプロセッサ）、メモリ、ＰＭＩＣ（パワーマネジメントＩＣ）、ＲＦＩＣ（高周波集積回路（例えばＧＰＳ（全地球測位システム））等の各種ＩＣを幅広く包含するものである。チップ実装の方式の例としては、フリップチップ実装方式、ダイボンディング方式等が挙げられる。フリップチップ実装方式は、ＩＣチップ３４の実装パッドと、回路基板３０の配線層との接合を行う方式である。この実装パッド上には柱状電極（ピラー）やはんだバンプ等が形成されてもよく、実装前に回路基板３０の表面に封止樹脂膜であるＮＣＦ（Ｎｏｎ－Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）等を貼り付けてもよい。接合は、はんだ等の低融点金属を用いて行われるのが好ましいが、異方導電性フィルム等を用いてもよい。ダイボンディング接着方式は、配線層に対して、ＩＣチップ３４の実装パッド面と反対側の面を接着する方式である。この接着には、熱硬化樹脂と熱伝導性の無機フィラーを含む樹脂組成物である、ペーストやフィルムを用いるのが好ましい。ＩＣチップ３４はエポキシ樹脂等の公知の封止材を用いて樹脂封止されるのが好ましい。
【0036】
（３）キャリアの剥離
ＩＣチップ３４が実装された積層体３２から、キャリア１２を剥離機能層１４とともに炭素層２２の位置で剥離する（図４（ｉｖ））。こうすることで、第２金属層２４（存在する場合）が積層体３２の外側表面に露出する。なお、前述した回路基板３０の形成時に厚い絶縁樹脂（例えば厚さ２００μｍ以上）を用いた場合、キャリア付金属箔は当該絶縁樹脂からの応力の影響を受けやすく、剥離強度が不安定となりうる。この点、前述したように、本発明のキャリア付金属箔１０は密着層１６及び剥離補助層１８の厚さが所定の範囲に制御されているため、キャリア１２の剥離を安定的に行うことが可能となる。
ＩＣチップ３４が実装された積層体３２から、キャリア１２を剥離機能層１４とともに炭素層２２の位置で剥離する（図４（ｉｖ））。こうすることで、第２金属層２４（存在する場合）が積層体３２の外側表面に露出する。なお、前述した回路基板３０の形成時に厚い絶縁樹脂（例えば厚さ２００μｍ以上）を用いた場合、キャリア付金属箔は当該絶縁樹脂からの応力の影響を受けやすく、剥離強度が不安定となりうる。この点、前述したように、本発明のキャリア付金属箔１０は密着層１６及び剥離補助層１８の厚さが所定の範囲に制御されているため、キャリア１２の剥離を安定的に行うことが可能となる。
【0037】
（４）第２金属層のエッチング除去
第２金属層２４が存在する場合には、市販のエッチング液等を用いて積層体３２から第２金属層２４をエッチング除去して、第１金属層２６を積層体３２の外側表面に露出させる（図４（ｖ））。第２金属層２４のエッチングは公知の手法に基づき行えばよく、特に限定されない。
第２金属層２４が存在する場合には、市販のエッチング液等を用いて積層体３２から第２金属層２４をエッチング除去して、第１金属層２６を積層体３２の外側表面に露出させる（図４（ｖ））。第２金属層２４のエッチングは公知の手法に基づき行えばよく、特に限定されない。
【0038】
（５）アンテナ形成
積層体３２の第１金属層２６側の表面（ＩＣチップ３４と反対側の表面）に対してパターニングを施すことにより、アンテナ３８が形成されたミリ波アンテナ基板４０を得る（図４（ｖｉ））。アンテナ３８の形成手法の一例としては、まず、積層体３２の第１金属層２６側の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、露光及び現像を行い、所定パターンのフォトレジスト層（図示せず）を形成する。第１金属層２６の露出表面（すなわちフォトレジスト層でマスキングされていない部分）に無電解めっき（例えば無電解Ａｕめっき）を行い、無電解めっき層３６を形成した後、フォトレジスト層を剥離する。こうすることで、第１金属層２６、存在する場合にはバリア層２８、及び無電解めっき層３６が配線パターン状に残ってアンテナ３８を形成する一方、配線パターンを形成しない部分の第１金属層２６が露出する。その後、露出した第１金属層２６の不要部分、及び存在する場合にはバリア層２８の不要部分をエッチング液で除去することにより、アンテナ３８が形成されたミリ波アンテナ基板４０を得ることができる。なお、従来のキャリア付銅箔を用いてミリ波アンテナ基板を作製する場合には、銅層と無電解めっき層（例えばＡｕ層）との密着性を確保すべく、無電解めっき層の形成を行う前に無電解Ｎｉめっき等を行うことを要し、これにより抵抗が高くなりうる。これに対して、本発明のキャリア付金属箔１０によれば、第１金属層２６をＡｕ等で構成することから無電解Ｎｉめっきが不要となり、結果としてミリ波アンテナ基板においてより一層低い抵抗を実現することができる。
積層体３２の第１金属層２６側の表面（ＩＣチップ３４と反対側の表面）に対してパターニングを施すことにより、アンテナ３８が形成されたミリ波アンテナ基板４０を得る（図４（ｖｉ））。アンテナ３８の形成手法の一例としては、まず、積層体３２の第１金属層２６側の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、露光及び現像を行い、所定パターンのフォトレジスト層（図示せず）を形成する。第１金属層２６の露出表面（すなわちフォトレジスト層でマスキングされていない部分）に無電解めっき（例えば無電解Ａｕめっき）を行い、無電解めっき層３６を形成した後、フォトレジスト層を剥離する。こうすることで、第１金属層２６、存在する場合にはバリア層２８、及び無電解めっき層３６が配線パターン状に残ってアンテナ３８を形成する一方、配線パターンを形成しない部分の第１金属層２６が露出する。その後、露出した第１金属層２６の不要部分、及び存在する場合にはバリア層２８の不要部分をエッチング液で除去することにより、アンテナ３８が形成されたミリ波アンテナ基板４０を得ることができる。なお、従来のキャリア付銅箔を用いてミリ波アンテナ基板を作製する場合には、銅層と無電解めっき層（例えばＡｕ層）との密着性を確保すべく、無電解めっき層の形成を行う前に無電解Ｎｉめっき等を行うことを要し、これにより抵抗が高くなりうる。これに対して、本発明のキャリア付金属箔１０によれば、第１金属層２６をＡｕ等で構成することから無電解Ｎｉめっきが不要となり、結果としてミリ波アンテナ基板においてより一層低い抵抗を実現することができる。
【0039】
アンテナ３８の一部又は全部は埋め込み回路の形であってもよい。すなわち、上記（１）における樹脂積層前に、第１金属層２６、及び存在する場合にはバリア層２８に対してパターニングを施してもよく、こうすることで配線層の一部が埋め込み回路の形で表面に組み込まれた積層体３２を得ることができる（図５（ｉｉ））。なお、バリア層２８が存在しない場合には、上記パターニングを行う前に、第１金属層２６表面に対してスパッタリング等によりＮｉ薄膜等を形成しておくのが好ましい。その後、積層体３２に対して上記（２）～（５）の各種工程を行うことにより、アンテナ３８の一部又は全部が埋め込み回路であるミリ波アンテナ基板４０を得ることができる（図５及び６参照）。かかる手順にてミリ波アンテナ基板４０を作製する場合、上記（５）のアンテナ形成工程において、フォトレジスト層形成の前に無電解めっき（例えば無電解Ａｕめっき）を行ってシード層を形成しておくのが望ましい。
【実施例0040】
本発明を以下の例によってさらに具体的に説明する。
【0041】
例１
キャリア１２上に、密着層１６、剥離補助層１８、炭素層２２、第２金属層２４及び第１金属層２６をこの順に成膜してキャリア付金属箔１０を製造した。具体的な手順は以下のとおりである。
キャリア１２上に、密着層１６、剥離補助層１８、炭素層２２、第２金属層２４及び第１金属層２６をこの順に成膜してキャリア付金属箔１０を製造した。具体的な手順は以下のとおりである。
【0042】
（１）キャリアの準備
キャリア１２として厚さ１．１ｍｍのガラスシート（材質：ソーダライムガラス、算術平均粗さＲａ：０．６ｎｍ）を用意した。
キャリア１２として厚さ１．１ｍｍのガラスシート（材質：ソーダライムガラス、算術平均粗さＲａ：０．６ｎｍ）を用意した。
【0043】
（２）密着層の形成
キャリア１２上に、密着層１６として厚さ５０ｎｍのチタン層をスパッタリング法により形成した。このスパッタリングは以下の装置を用いて以下の条件で行った。
・装置：枚葉式マグネトロンスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
・ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のチタンターゲット（純度９９．９９９％）
・到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
・スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
・スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
・成膜時温度：４０℃
キャリア１２上に、密着層１６として厚さ５０ｎｍのチタン層をスパッタリング法により形成した。このスパッタリングは以下の装置を用いて以下の条件で行った。
・装置：枚葉式マグネトロンスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
・ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のチタンターゲット（純度９９．９９９％）
・到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
・スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
・スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
・成膜時温度：４０℃
【0044】
（３）剥離補助層の形成
密着層１６のキャリア１２とは反対の面側に、剥離補助層１８として厚さ２００ｎｍの銅層をスパッタリング法により形成した。このスパッタリングは以下の装置を用いて以下の条件で行った。
・装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
・ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）の銅ターゲット（純度９９．９８％）
・到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
・ガス：アルゴンガス（流量：１００ｓｃｃｍ）
・スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
・スパッタリング電力：１０００Ｗ（６．２Ｗ／ｃｍ２）
・成膜時温度：４０℃
密着層１６のキャリア１２とは反対の面側に、剥離補助層１８として厚さ２００ｎｍの銅層をスパッタリング法により形成した。このスパッタリングは以下の装置を用いて以下の条件で行った。
・装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
・ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）の銅ターゲット（純度９９．９８％）
・到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
・ガス：アルゴンガス（流量：１００ｓｃｃｍ）
・スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
・スパッタリング電力：１０００Ｗ（６．２Ｗ／ｃｍ２）
・成膜時温度：４０℃
【0045】
（４）炭素層の形成
剥離補助層１８の密着層１６とは反対の面側に、炭素層２２として厚み６ｎｍのアモルファスカーボン層をスパッタリング法により形成した。このスパッタリングは以下の装置を用いて以下の条件で行った。
・装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
・ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）の炭素ターゲット（純度９９．９９９％）
・到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
・ガス：アルゴンガス（流量：１００ｓｃｃｍ）
・スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
・スパッタリング電力：２５０Ｗ（０．７Ｗ／ｃｍ２）
・成膜時温度：４０℃
剥離補助層１８の密着層１６とは反対の面側に、炭素層２２として厚み６ｎｍのアモルファスカーボン層をスパッタリング法により形成した。このスパッタリングは以下の装置を用いて以下の条件で行った。
・装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
・ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）の炭素ターゲット（純度９９．９９９％）
・到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
・ガス：アルゴンガス（流量：１００ｓｃｃｍ）
・スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
・スパッタリング電力：２５０Ｗ（０．７Ｗ／ｃｍ２）
・成膜時温度：４０℃
【0046】
（５）第２金属層の形成
炭素層２２の剥離補助層１８とは反対の面側に、第２金属層２４として厚さ１００ｎｍのチタン層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
・装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
・ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のチタンターゲット（純度９９．９９９％）
・キャリアガス：アルゴンガス（流量：１００ｓｃｃｍ）
・到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
・スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
・スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
炭素層２２の剥離補助層１８とは反対の面側に、第２金属層２４として厚さ１００ｎｍのチタン層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
・装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
・ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のチタンターゲット（純度９９．９９９％）
・キャリアガス：アルゴンガス（流量：１００ｓｃｃｍ）
・到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
・スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
・スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
【0047】
（６）第１金属層の形成
第２金属層２４の剥離補助層１８とは反対の面側に、第１金属層２６として厚さ３００ｎｍのＡｕ層をスパッタリング法により形成した。このスパッタリングは以下の装置を用いて以下の条件で行った。
・装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
・ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）の金ターゲット（純度９９．９９％）
・到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
・ガス：アルゴンガス（流量：１００ｓｃｃｍ）
・スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
・スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
・成膜時温度：４０℃
第２金属層２４の剥離補助層１８とは反対の面側に、第１金属層２６として厚さ３００ｎｍのＡｕ層をスパッタリング法により形成した。このスパッタリングは以下の装置を用いて以下の条件で行った。
・装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
・ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）の金ターゲット（純度９９．９９％）
・到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
・ガス：アルゴンガス（流量：１００ｓｃｃｍ）
・スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
・スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
・成膜時温度：４０℃
【0048】
例２
上記（６）の第１金属層２６の形成後、バリア層２８の形成を以下のように行ったこと以外は、例１と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
上記（６）の第１金属層２６の形成後、バリア層２８の形成を以下のように行ったこと以外は、例１と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
【0049】
（７）バリア層の形成
第１金属層２６の第２金属層２４とは反対の面側に、バリア層として厚さ３０ｎｍのニッケル層をスパッタリング法により形成した。このスパッタリングは以下の装置を用いて以下の条件で行った。
・装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
・ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のニッケルターゲット（純度９９．９％）
・キャリアガス：アルゴンガス（流量：１００ｓｃｃｍ）
・到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
・スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
・スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
第１金属層２６の第２金属層２４とは反対の面側に、バリア層として厚さ３０ｎｍのニッケル層をスパッタリング法により形成した。このスパッタリングは以下の装置を用いて以下の条件で行った。
・装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
・ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のニッケルターゲット（純度９９．９％）
・キャリアガス：アルゴンガス（流量：１００ｓｃｃｍ）
・到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
・スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
・スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
【0050】
例３（比較）
第１金属層２６としてＡｕ層の代わりに銅層を形成すべく、スパッタリングターゲットを銅ターゲット（純度９９．９８％）としたこと以外は、例１と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
第１金属層２６としてＡｕ層の代わりに銅層を形成すべく、スパッタリングターゲットを銅ターゲット（純度９９．９８％）としたこと以外は、例１と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
【0051】
例４
第２金属層２４及びバリア層２８としてチタン層又はニッケル層の代わりにタンタル層を形成すべく、スパッタリングターゲットをタンタルターゲット（純度９９．９％）としたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
第２金属層２４及びバリア層２８としてチタン層又はニッケル層の代わりにタンタル層を形成すべく、スパッタリングターゲットをタンタルターゲット（純度９９．９％）としたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
【0052】
例５
第２金属層２４としてチタン層の代わりにニッケル層を形成すべく、スパッタリングターゲットをニッケルターゲット（純度９９．９％）としたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
第２金属層２４としてチタン層の代わりにニッケル層を形成すべく、スパッタリングターゲットをニッケルターゲット（純度９９．９％）としたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
【0053】
例６
第２金属層２４及びバリア層２８としてチタン層又はニッケル層の代わりにタングステン層を形成すべく、スパッタリングターゲットをタングステンターゲット（純度９９．９％）としたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
第２金属層２４及びバリア層２８としてチタン層又はニッケル層の代わりにタングステン層を形成すべく、スパッタリングターゲットをタングステンターゲット（純度９９．９％）としたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
【0054】
例７
第２金属層２４及びバリア層２８としてチタン層又はニッケル層の代わりにクロム層を形成すべく、スパッタリングターゲットをクロムターゲット（純度９９．９％）としたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
第２金属層２４及びバリア層２８としてチタン層又はニッケル層の代わりにクロム層を形成すべく、スパッタリングターゲットをクロムターゲット（純度９９．９％）としたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
【0055】
例８
第２金属層２４及びバリア層２８としてチタン層又はニッケル層の代わりにパラジウム層を形成すべく、スパッタリングターゲットをパラジウムターゲット（純度９９．９％）としたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
第２金属層２４及びバリア層２８としてチタン層又はニッケル層の代わりにパラジウム層を形成すべく、スパッタリングターゲットをパラジウムターゲット（純度９９．９％）としたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
【0056】
例９
剥離補助層１８の厚さを３００ｎｍとしたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
剥離補助層１８の厚さを３００ｎｍとしたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
【0057】
例１０
剥離補助層１８の厚さを１００ｎｍとしたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
剥離補助層１８の厚さを１００ｎｍとしたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
【0058】
例１１
密着層１６の厚さを１００ｎｍとしたこと、及び剥離補助層１８の厚さを５０ｎｍとしたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
密着層１６の厚さを１００ｎｍとしたこと、及び剥離補助層１８の厚さを５０ｎｍとしたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
【0059】
例１２
密着層１６の厚さを１５０ｎｍとしたこと、及び剥離補助層１８の厚さを５００ｎｍとしたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
密着層１６の厚さを１５０ｎｍとしたこと、及び剥離補助層１８の厚さを５００ｎｍとしたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
【0060】
例１３（比較）
密着層１６の厚さを１０ｎｍとしたこと、及び剥離補助層１８の厚さを３０ｎｍとしたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
密着層１６の厚さを１０ｎｍとしたこと、及び剥離補助層１８の厚さを３０ｎｍとしたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
【0061】
例１４（比較）
密着層１６の厚さを２００ｎｍとしたこと、及び剥離補助層１８の厚さを６００ｎｍとしたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
密着層１６の厚さを２００ｎｍとしたこと、及び剥離補助層１８の厚さを６００ｎｍとしたこと以外は、例２と同様にしてキャリア付金属箔の作製を行った。
【0062】
評価
例１～１４のキャリア付金属箔１０について、以下に示されるとおり、各種評価を行った。評価結果は表１に示されるとおりであった。なお、表１中「－」と記載した箇所については該当する評価を実施していない。
例１～１４のキャリア付金属箔１０について、以下に示されるとおり、各種評価を行った。評価結果は表１に示されるとおりであった。なお、表１中「－」と記載した箇所については該当する評価を実施していない。
【0063】
＜評価１：剥離性＞
キャリア付金属箔１０の剥離強度の測定を以下のように行った。まず、キャリア付金属箔１０の第１金属層２６（存在する場合にはバリア層２８）側の表面に、厚さ１８μｍのパネル電解銅めっきを施し、めっきアップ層を形成した。ここで、例１については、ＡｕとＣｕとの接着性を担保する目的で、パネル電解銅めっき前に無電解Ｎｉめっきを行った。めっきアップ層が形成されたキャリア付金属箔１０に対して、電子部品実装を想定した半田リフロー（２６０℃以上で２分間保持）の熱処理を行った後、室温まで自然冷却させて銅張積層板を得た。得られた銅張積層板に対して、ＪＩＳ Ｃ ６４８１－１９９６に準拠して、めっきアップ層と一体となった複合金属層２０を剥離した時の剥離強度（ｇｆ／ｃｍ）を測定した。このとき、測定幅は５０ｍｍとし、測定長さは２０ｍｍとした。こうして得られた剥離強度（平均値）を以下の基準で格付け評価した。
‐評価Ａ：剥離強度が３ｇｆ／ｃｍ以上１０ｇｆ／ｃｍ以下
‐評価Ｂ：剥離強度が１ｇｆ／ｃｍ以上３０ｇｆ／ｃｍ以下（ただし評価Ａに該当するものは除く）
‐評価Ｃ：剥離強度が１ｇｆ／ｃｍ未満又は３０ｇｆ／ｃｍを超え５０ｇｆ／ｃｍ未満
‐評価Ｄ：剥離強度が５０ｇｆ／ｃｍ以上
キャリア付金属箔１０の剥離強度の測定を以下のように行った。まず、キャリア付金属箔１０の第１金属層２６（存在する場合にはバリア層２８）側の表面に、厚さ１８μｍのパネル電解銅めっきを施し、めっきアップ層を形成した。ここで、例１については、ＡｕとＣｕとの接着性を担保する目的で、パネル電解銅めっき前に無電解Ｎｉめっきを行った。めっきアップ層が形成されたキャリア付金属箔１０に対して、電子部品実装を想定した半田リフロー（２６０℃以上で２分間保持）の熱処理を行った後、室温まで自然冷却させて銅張積層板を得た。得られた銅張積層板に対して、ＪＩＳ Ｃ ６４８１－１９９６に準拠して、めっきアップ層と一体となった複合金属層２０を剥離した時の剥離強度（ｇｆ／ｃｍ）を測定した。このとき、測定幅は５０ｍｍとし、測定長さは２０ｍｍとした。こうして得られた剥離強度（平均値）を以下の基準で格付け評価した。
‐評価Ａ：剥離強度が３ｇｆ／ｃｍ以上１０ｇｆ／ｃｍ以下
‐評価Ｂ：剥離強度が１ｇｆ／ｃｍ以上３０ｇｆ／ｃｍ以下（ただし評価Ａに該当するものは除く）
‐評価Ｃ：剥離強度が１ｇｆ／ｃｍ未満又は３０ｇｆ／ｃｍを超え５０ｇｆ／ｃｍ未満
‐評価Ｄ：剥離強度が５０ｇｆ／ｃｍ以上
【0064】
＜評価２－１：伝送損失（樹脂積層後パターニング）＞
例１～８のキャリア付金属箔１０について、図７及び８に示される手順により伝送損失測定用サンプル１１０を作製し、伝送損失の測定及び評価を行った。
例１～８のキャリア付金属箔１０について、図７及び８に示される手順により伝送損失測定用サンプル１１０を作製し、伝送損失の測定及び評価を行った。
【0065】
まず、厚さ３５μｍの絶縁樹脂フィルム（味の素ファインテクノ株式会社製、ＡＢＦ－ＧＸＴ３１、比誘電率３．４）を６枚積層して絶縁樹脂基材１０２とした（図７（ｉ））。この絶縁樹脂基材１０２の片面にキャリア付金属箔１０の第１金属層２６側（存在する場合にはバリア層２８側）を接合させ、真空プレス機を使用して、温度１００℃、圧力０．７ＭＰａ、プレス時間９０秒の条件で積層し、絶縁樹脂基材１０２の厚さｈが約２００μｍの金属張積層板１０４を得た（図７（ｉｉ））。
【0066】
次に、金属張積層板１０４の絶縁樹脂基材１０２側（キャリア付金属箔１０と反対側）の表面に、グランド層１０６として厚さ１８μｍのＣｕ箔を真空プレスにより接合した（図７（ｉｉｉ））。真空プレスは、温度１００℃、圧力０．７ＭＰａ、１２０秒の条件で行った。その後、絶縁樹脂基材１０２にキュアを施した。キュアは１７０℃、３０分で仮硬化させた後、２００℃、６０分で本硬化を行った。
【0067】
その後、金属張積層板１０４からキャリア１２を剥離機能層１４とともに炭素層２２の位置で剥離した（図８（ｉｖ））。金属張積層板１０４の片面側に露出した第２金属層２４をエッチングで除去することで、第１金属層２６を露出させた。こうして、第１金属層２６、絶縁樹脂基材１０２、及びグランド層１０６がこの順に積層された両面金属張積層板１０７を得た（図８（ｖ））。得られた両面金属張積層板１０７の第１金属層２６側の表面を水洗及び乾燥した。
【0068】
両面金属張積層板１０７の第１金属層２６側の表面に感光性ドライフィルム（図示せず）を貼り付け、露光、現像、及び無電解Ａｕめっきを行った。現像は、現像液として１．０重量％炭酸ナトリウム水溶液を用いて、２５℃で２分間、シャワー方式により行った。ドライフィルム（フォトレジスト層）を剥離した後、第１金属層２６（存在する場合には更にバリア層２８）の不要部分をエッチングで除去した。このようなパターニングを行うことで、シグナルライン１０８を形成し、特性インピーダンスが５０Ω、差動インピーダンスが１００Ωとなるマイクロストリップラインとした（図８（ｖｉ））。より具体的には、シグナルライン１０８の回路幅Ｗが０．４７ｍｍ、厚さｔが２０μｍとなるようにパターニングを行い、上記特性インピーダンス及び差動インピーダンスとすべく、必要に応じてさらにパターニングによる微調整を行った（図９）。なお、例３については、Ａｕ（無電解Ａｕめっき）とＣｕ（第１金属層２６）との密着性を担保すべく、無電解Ａｕめっき前に無電解Ｎｉめっきを行った。一方、グランド層１０６にはエッチングを施さなかった。こうして、マイクロストリップラインを有する伝送損失測定用サンプル１１０を得た（図８（ｖｉ）及び図９）。
【0069】
得られた伝送損失測定用サンプル１１０のマイクロストリップラインに対して、ベクターネットワークアナライザーを用いて、周波数１ＧＨｚから５０ＧＨｚまでの伝送損失を測定した。周波数５ＧＨｚにおける伝送損失Ｓ１、及び周波数５０ＧＨｚにおける伝送損失Ｓ２から伝送損失の比率Ｓ２１（＝（Ｓ２／Ｓ１）×１００（％））を求め、以下の基準で格付け評価した。
‐評価Ａ：伝送損失の比率Ｓ２１が３３０％以下。
‐評価Ｂ：伝送損失の比率Ｓ２１が３３０％より大きく、４５０％以下。
‐評価Ｃ：伝送損失の比率Ｓ２１が４５０％より大きい。
‐評価Ａ：伝送損失の比率Ｓ２１が３３０％以下。
‐評価Ｂ：伝送損失の比率Ｓ２１が３３０％より大きく、４５０％以下。
‐評価Ｃ：伝送損失の比率Ｓ２１が４５０％より大きい。
【0070】
＜評価２－２：伝送損失（樹脂積層前パターニング）＞
例１～３及び９～１４のキャリア付金属箔１０について、図１０及び１１に示される手順により伝送損失測定用サンプル１１０’を作製し、伝送損失の測定及び評価を行った。
例１～３及び９～１４のキャリア付金属箔１０について、図１０及び１１に示される手順により伝送損失測定用サンプル１１０’を作製し、伝送損失の測定及び評価を行った。
【0071】
まず、キャリア付金属箔１０の第１金属層２６側（存在する場合にはバリア層２８側）の表面を水洗及び乾燥した。キャリア付金属箔１０の第１金属層２６側（存在する場合にはバリア層２８側）の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、露光及び現像を行ってフォトレジスト層（図示せず）を形成した。第１金属層２６（存在する場合には更にバリア層２８）の不要部分をエッチングで除去することでシグナルライン用の回路１０３を形成し、その後フォトレジスト層を剥離した（図１０（ｉ））。
【0072】
次いで、厚さ３５μｍの絶縁樹脂フィルム（味の素ファインテクノ株式会社製、ＡＢＦ－ＧＸＴ３１、比誘電率３．４）を６枚積層した絶縁樹脂基材１０２を用意した。この絶縁樹脂基材１０２の片面に、回路１０３が形成されたキャリア付金属箔１０のキャリア１２と反対側（回路１０３が形成された側）の面を接合させ、真空プレス機を使用して、温度１００℃、圧力０．７ＭＰａ、プレス時間９０秒の条件で積層した。こうして、絶縁樹脂基材１０２の厚さｈが約２００μｍの金属張積層板１０４’を得た（図１０（ｉｉ））。
【0073】
次に、金属張積層板１０４’の絶縁樹脂基材１０２側（キャリア付金属箔１０と反対側）の表面に、グランド層１０６として厚さ１８μｍのＣｕ箔を真空プレスにより接合した（図１０（ｉｉｉ））。真空プレスは、温度１００℃、圧力０．７ＭＰａ、１２０秒の条件で行った。その後、絶縁樹脂基材１０２にキュアを施した。キュアは１７０℃、３０分で仮硬化させた後、２００℃、６０分で本硬化を行った。
【0074】
その後、金属張積層板１０４’からキャリア１２を剥離機能層１４とともに炭素層２２の位置で剥離した（図１１（ｉｖ））。金属張積層板１０４’の片面側に露出した第２金属層２４をエッチングで除去して、回路１０３を露出させた（図１１（ｖ））。
【0075】
金属張積層板１０４’の回路１０３側（グランド層１０６と反対側）の表面に感光性ドライフィルム（図示せず）を貼り付け、回路１０３以外の部分がレジストで覆われるように露光及び現像を行った。レジストで覆われていない回路１０３上に無電解Ａｕめっきを行い、その後ドライフィルム（フォトレジスト層）を剥離した。このようなパターニングを行うことで、シグナルライン１０８’を形成し、特性インピーダンスが５０Ω、差動インピーダンスが１００Ωとなるマイクロストリップラインとした（図１１（ｖｉ））。より具体的には、シグナルライン１０８’の回路幅Ｗが０．４７ｍｍ、厚さｔが２０μｍとなるようにパターニングを行い、上記特性インピーダンス及び差動インピーダンスとすべく、必要に応じてさらにパターニングによる微調整を行った。なお、例３については、Ａｕ（無電解Ａｕめっき）とＣｕ（回路１０３）との密着性を担保すべく、無電解Ａｕめっき前に無電解Ｎｉめっきを行った。このようにしてシグナルライン１０８’の一部（すなわち回路１０３）が絶縁樹脂基材１０２の表面に組み込まれた形のマイクロストリップラインを有する伝送損失測定用サンプル１１０’を得た（図１１（ｖｉ））。
【0076】
得られた伝送損失測定用サンプル１１０’のマイクロストリップラインに対して、ベクターネットワークアナライザー（Ａｇｉｌｅｎｔ社製、ＶＮＡ Ｅ５０７１Ｃ）を用いて、周波数１ＧＨｚから５０ＧＨｚまでの伝送損失を測定した。周波数５ＧＨｚにおける伝送損失Ｓ１、及び周波数５０ＧＨｚにおける伝送損失Ｓ２から伝送損失の比率Ｓ２１（＝（Ｓ２／Ｓ１）×１００（％））を求め、以下の基準で格付け評価した。
‐評価Ａ：伝送損失の比率Ｓ２１が３３０％以下。
‐評価Ｂ：伝送損失の比率Ｓ２１が３３０％より大きく、４５０％以下。
‐評価Ｃ：伝送損失の比率Ｓ２１が４５０％より大きい。
‐評価Ａ：伝送損失の比率Ｓ２１が３３０％以下。
‐評価Ｂ：伝送損失の比率Ｓ２１が３３０％より大きく、４５０％以下。
‐評価Ｃ：伝送損失の比率Ｓ２１が４５０％より大きい。
【0077】
＜評価３－１：選択エッチング性（樹脂積層後パターニング）＞
例１～８のキャリア付金属箔１０について、配線パターン付きのコアレス支持体を作製し、選択エッチング性の測定及び評価を行った。
例１～８のキャリア付金属箔１０について、配線パターン付きのコアレス支持体を作製し、選択エッチング性の測定及び評価を行った。
【0078】
まず、評価２－１と同様の手順により、第１金属層２６、絶縁樹脂基材１０２、及びグランド層１０６がこの順に積層された両面金属張積層板１０７を得た。両面金属張積層板１０７の第１金属層２６側の表面を水洗及び乾燥した。両面金属張積層板１０７の第１金属層２６側の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）＝５μｍ／５μｍのパターンを与えるように露光及び現像を行ってフォトレジスト層を形成した。現像は、現像液として１．０重量％炭酸ナトリウム水溶液を用いて、２５℃で２分間、シャワー方式により行った。第１金属層２６の露出表面（すなわちフォトレジスト層でマスキングされていない部分）に対して無電解Ａｕめっきを施した後、フォトレジスト層を剥離した。こうすることで、第１金属層２６、存在する場合にはバリア層２８、及び無電解Ａｕめっき層が配線パターン状に残る一方、配線パターンを形成しない部分の第１金属層２６が露出した。
【0079】
その後、露出した第１金属層２６の不要部分、及び存在する場合にはバリア層２８の不要部分をエッチング除去することにより、配線パターン付きのコアレス支持体を形成した。得られた配線パターンの断面形状をＳＥＭ観察し、図１２に示されるように、絶縁樹脂基材１０２に対する配線パターン１１２のエッジ部分の角度θを測定した。求めたエッジ部分の角度θを以下の基準で格付け評価した。
‐評価Ａ：エッジ部分の角度θが８７°以上９３°以下
‐評価Ｂ：エッジ部分の角度θが８０°以上８７°未満、又は９３°より大きく１００°以下。
‐評価Ｃ：エッジ部分の角度θが６０°以上８０°未満、又は１００°より大きく１２０°以下。
‐評価Ｄ：エッジ部分の角度θが６０°未満、又は１２０°より大きい。
‐評価Ａ：エッジ部分の角度θが８７°以上９３°以下
‐評価Ｂ：エッジ部分の角度θが８０°以上８７°未満、又は９３°より大きく１００°以下。
‐評価Ｃ：エッジ部分の角度θが６０°以上８０°未満、又は１００°より大きく１２０°以下。
‐評価Ｄ：エッジ部分の角度θが６０°未満、又は１２０°より大きい。
【0080】
＜評価３－２：選択エッチング性（樹脂積層前パターニング）＞
例１～３及び９～１４のキャリア付金属箔１０について、図１３及び１４に示される手順により配線パターン付きのコアレス支持体１１６を作製し、選択エッチング性を測定及び評価した。
例１～３及び９～１４のキャリア付金属箔１０について、図１３及び１４に示される手順により配線パターン付きのコアレス支持体１１６を作製し、選択エッチング性を測定及び評価した。
【0081】
まず、キャリア付金属箔１０の第１金属層２６側（存在する場合にはバリア層２８側）の表面を水洗及び乾燥した。キャリア付金属箔１０の第１金属層２６側（存在する場合にはバリア層２８側）の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、露光及び現像を行ってフォトレジスト層（図示せず）を形成した。第１金属層２６（存在する場合には更にバリア層２８）の不要部分をエッチングで除去することでライン／スペース（Ｌ／Ｓ）＝５μｍ／５μｍの回路１０５を形成し、その後フォトレジスト層を剥離した（図１３（ｉ））。
【0082】
次いで、厚さ３５μｍの絶縁樹脂フィルム（味の素ファインテクノ株式会社製、ＡＢＦ－ＧＸＴ３１、比誘電率３．４）を６枚積層した絶縁樹脂基材１０２を用意した。この絶縁樹脂基材１０２の片面に、回路１０５が形成されたキャリア付金属箔１０のキャリア１２と反対側（回路１０５が形成された側）の面を接合させ、真空プレス機を使用して、温度１００℃、圧力０．７ＭＰａ、プレス時間９０秒の条件で積層した。こうして、絶縁樹脂基材１０２の厚さｈが約２００μｍの金属張積層板１１４を得た（図１３（ｉｉ））。
【0083】
その後、評価２－２と同様の手順により、金属張積層板１１４の絶縁樹脂基材１０２側（キャリア付金属箔１０と反対側）の表面に、グランド層１０６として厚さ１８μｍのＣｕ箔を真空プレスにより接合した（図１３（ｉｉｉ））。金属張積層板１１４からキャリア１２を剥離機能層１４とともに炭素層２２の位置で剥離した（図１４（ｉｖ））。金属張積層板１１４の片面側に露出した第２金属層２４をエッチングで除去して、回路１０５を露出させた（図１４（ｖ））。金属張積層板１１４の回路１０５側の表面を水洗及び乾燥した。
【0084】
さらにその後、金属張積層板１１４の回路１０５側（グランド層１０６と反対側）の表面に感光性ドライフィルム（図示せず）を貼り付け、回路１０５以外の部分がレジストで覆われるように露光及び現像を行った。現像は評価３－１と同様の条件で行った。レジストで覆われていない回路１０５上に無電解Ａｕめっきを施し、その後ドライフィルム（フォトレジスト層）を剥離した。こうして、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）＝５μｍ／５μｍの配線パターン１１２を有するコアレス支持体１１６を形成した（図１４（ｖｉ））。得られた配線パターンの断面形状をＳＥＭ観察し、図１２に示されるように、絶縁樹脂基材１０２に対する配線パターン１１２のエッジ部分の角度θを測定した。求めたエッジ部分の角度θを評価３－１と同様の基準で格付け評価した。
【0085】
＜評価４：Ｃｕめっき接続抵抗＞
例１、２及び４～１４のキャリア付金属箔１０について、図１５に示される手順により接続抵抗測定用サンプル１２４を作製し、Ｃｕめっき接続抵抗を評価した。
例１、２及び４～１４のキャリア付金属箔１０について、図１５に示される手順により接続抵抗測定用サンプル１２４を作製し、Ｃｕめっき接続抵抗を評価した。
【0086】
まず、キャリア付金属箔１０の第１金属層２６側（存在する場合にはバリア層２８側）を厚さ３５μｍの絶縁樹脂フィルム１０１（味の素ファインテクノ株式会社製、ＡＢＦ－ＧＸＴ３１、比誘電率３．４）に接合させ、真空プレス及び絶縁樹脂フィルムのキュアを施して、金属張積層板１１８を得た（図１５（ｉ））。ここで、真空プレス及び絶縁樹脂フィルム１０１のキュアは、評価２－１における金属張積層板１０４とグランド層１０６の接合と同様の条件で行った。また、図１５（ｉ）に示されるように、後述するＩ－Ｖ測定を実施するため、金属張積層板１１８には第１金属層２６（存在する場合にはバリア層２８）が露出する（すなわち絶縁樹脂フィルム１０１を接合させない）領域Ｒを設けた。
【0087】
次いで、金属張積層板１１８に対して、ＣＯ２レーザーを用いて、絶縁樹脂フィルム１０１を貫通して第１金属層２６（存在する場合にはバリア層２８）に到達する直径３０μｍのビアＶを形成した（図１５（ｉｉ））。その後、ビアＶ底部から絶縁樹脂フィルム１０１の表面を覆うまでＣｕめっき１２０を施した（図１５（ｉｉｉ））。Ｃｕめっき１２０は、絶縁樹脂フィルム１０１の表面、ビアＶの側面、及びビアＶの底面に厚さ１μｍ程度の無電解Ｃｕめっきを行った後、電解Ｃｕめっきにてビアフィルを行うことにより形成した。Ｃｕめっき１２０の厚さは５５μｍ（ビアＶ部分が約３５μｍ、及び絶縁樹脂フィルム１０１の表面を覆う部分が約２０μｍ）とした。金属張積層板１１８のＣｕめっき１２０表面に感光性ドライフィルムを張り付け、露光及び現像により、ビアＶ部分を覆うように３００μｍ×３００μｍのフォトレジスト層（図示せず）を形成した。Ｃｕめっき１２０の不要部分（すなわちフォトレジスト層で覆われていない部分）をエッチングで除去し、その後フォトレジスト層を剥離することで、Ｃｕ電極１２２が形成された接続抵抗測定用サンプル１２４を得た（図１５（ｉｖ））。
【0088】
得られた接続抵抗測定用サンプル１２４に対して、第１金属層２６（存在する場合にはバリア層２８）及びＣｕ電極１２２のＩ－Ｖ測定を実施し、Ｃｕめっきの接続抵抗（ＨＡＳＴ試験前抵抗Ｒ１）を算出した（図１６参照）。測定は四端子法を用いて行った。接続抵抗測定用サンプル１２４に対してＨＡＳＴ試験（８５℃、８５％ＲＨ、２００時間）を行った後、第１金属層２６（存在する場合にはバリア層２８）及びＣｕ電極１２２のＩ－Ｖ測定を再度実施し、ＨＡＳＴ試験後のＣｕめっきの接続抵抗（ＨＡＳＴ試験後抵抗Ｒ２）を算出した。ＨＡＳＴ試験前後抵抗増加率（＝（（Ｒ２－Ｒ１）／Ｒ１）×１００（％））を求め、以下の基準で格付け評価した。なお、接続抵抗測定用サンプル１２４は４つ準備し、各々の結果の平均値を評価に用いた。
‐評価Ａ：ＨＡＳＴ試験前後抵抗増加率が１０％以下。
‐評価Ｂ：ＨＡＳＴ試験前後抵抗増加率が１０％より大きく２０％以下。
‐評価Ｃ：ＨＡＳＴ試験前後抵抗増加率が２０％より大きく５０％以下。
‐評価Ｄ：ＨＡＳＴ試験前後抵抗増加率が５０％より大きい。
‐評価Ａ：ＨＡＳＴ試験前後抵抗増加率が１０％以下。
‐評価Ｂ：ＨＡＳＴ試験前後抵抗増加率が１０％より大きく２０％以下。
‐評価Ｃ：ＨＡＳＴ試験前後抵抗増加率が２０％より大きく５０％以下。
‐評価Ｄ：ＨＡＳＴ試験前後抵抗増加率が５０％より大きい。
【0089】
【表1】
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】