特開 2024-61778 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024061778

(43)【公開日】2024-05-08

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   H10K 59/35 20230101AFI20240426BHJP

   H10K 59/12 20230101ALI20240426BHJP

   H10K 59/80 20230101ALI20240426BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240426BHJP

【ＦＩ】

H10K59/35 553

H10K59/12

H10K59/80

G09F9/30 365

G09F9/30 338

【審査請求】有

【請求項の数】1

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024034629

(22)【出願日】2024-03-07

(62)【分割の表示】P 2023186523の分割

【原出願日】2020-10-15

(31)【優先権主張番号】P 2019200562

(32)【優先日】2019-11-05

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000002185

【氏名又は名称】ソニーグループ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】三並 徹雄

(57)【要約】

【課題】簡素な構成、構造で精細度を高める。
【解決手段】表示装置は、複数の発光素子群が、第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に配列された表示装置であって、各発光素子群は、複数の発光素子ユニットから構成されており、各発光素子ユニットは、第１の色を出射する１つの第１発光素子、第２の色を出射する１つの第２発光素子、及び、第３の色を出射する１つの第３発光素子から構成されており、各発光素子群は、第１発光素子を駆動する第１駆動回路、第２発光素子を駆動する第２駆動回路、及び、第３発光素子を駆動する第３駆動回路を備えており、各発光素子群において、第１駆動回路の数は第１発光素子の数と等しく、第２駆動回路の数は第２発光素子の数よりも少なく、第３駆動回路の数は第３発光素子の数よりも少ない。
【選択図】図１Ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の発光素子群が、第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に配列された表示装置であって、
各発光素子群は、複数の発光素子ユニットから構成されており、
各発光素子ユニットは、第１の色を出射する１つの第１発光素子、第２の色を出射する１つの第２発光素子、及び、第３の色を出射する１つの第３発光素子から構成されており、
各発光素子群は、第１発光素子を駆動する第１駆動回路、第２発光素子を駆動する第２駆動回路、及び、第３発光素子を駆動する第３駆動回路を備えており、
各発光素子群において、第１駆動回路の数は第１発光素子の数と等しく、第２駆動回路の数は第２発光素子の数よりも少なく、第３駆動回路の数は第３発光素子の数よりも少ない表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、単に、『有機ＥＬ表示装置』と略称する）の模式的な一部断面図を図２４に示す。シリコン半導体基板から成る第１基板４１に駆動回路２０’が配置されており、第１電極３１が、第１基板４１上に形成された絶縁層２６の上に設けられている。そして、第１電極３１の上に有機層３３が蒸着法や印刷法等に基づき形成され、更に、有機層３３の上に第２電極３２、平坦化層３５、カラーフィルタ層ＣＦが形成されている。そして、このような構造が、封止樹脂層３６を介して第２基板４２に貼り合わされている。図２４中の参照番号に関しては、実施例１において説明する。

【0003】

発光素子ユニット（１画素）は、通常、赤色光を発光する赤色光発光素子１２Ｒ、緑色光を発光する緑色光発光素子１２Ｇ、及び、青色光を発光する青色光発光素子１２Ｂの３つの発光素子（副画素）から構成されている。輝度を高めるために、これに加えて、白色光を発光する白色光発光素子を加える構成もある。また、精細度を高めるために、或る色を発光する発光素子の数を他の色を発光する発光素子に比べて間引く、所謂、ペンタイル（Pen Tile）型のような配置も周知である（例えば、特開２０１３－１８７１８７号公報参照）。

【0004】

そして、１つの発光素子に対して、１つの駆動回路が設けられている。図２５Ａ及び図２６Ａには、デルタ配列及びストライプ配列を有する発光素子ユニットにおける発光素子の配列を示す。また、図２５Ｂ及び図２６Ｂには、１つの発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂに対して設けられた１つの駆動回路ＤＣ_R，ＤＣ_G，ＤＣ_Bを図示する。発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと駆動回路ＤＣ_R，ＤＣ_G，ＤＣ_Bとは、図示しないコンタクトホール及び配線層によって接続されている。図２５Ａ及び図２６Ａには、４×２個（８組）の発光素子ユニット（画素）を図示しているし、図２５Ｂ及び図２６Ｂには、４×２個（８組）の駆動回路を図示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１３－１８７１８７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

ところで、このような構造を有する有機ＥＬ表示装置の精細度を高めるために画素ピッチを小さくする場合、発光素子の形成ピッチ、及び、駆動回路の形成ピッチの両方を小さくする必要がある。駆動回路の形成ピッチを小さくするためには、駆動回路を構成するトランジスタや容量、配線等のデザインシュリンクを行う必要がある。然るに、有機ＥＬ表示装置では比較的高電圧が必要なこととも相まって、駆動回路の形成ピッチを小さくすることは、屡々、困難である。

【0007】

従って、本開示の目的は、簡素な構成、構造で精細度を高めることができる表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、複数の発光素子群が、第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に配列された表示装置であって、
各発光素子群は、複数の発光素子ユニットから構成されており、
各発光素子ユニットは、第１の色を出射する１つの第１発光素子、第２の色を出射する１つの第２発光素子、及び、第３の色を出射する１つの第３発光素子から構成されており、
各発光素子群は、第１発光素子を駆動する第１駆動回路、第２発光素子を駆動する第２駆動回路、及び、第３発光素子を駆動する第３駆動回路を備えており、
各発光素子群において、第１駆動回路の数は第１発光素子の数と等しく、第２駆動回路の数は第２発光素子の数よりも少なく、第３駆動回路の数は第３発光素子の数よりも少ない。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１Ａ、図１Ｂ及び図１Ｃは、それぞれ、実施例１の表示装置における発光素子群の模式的な部分的平面図、駆動回路の配置を模式的に示す図、及び、駆動回路及び信号線の配置を模式的に示す図である。

【図2】図２は、実施例１の表示装置の模式的な一部断面図である。

【図3】図３は、図２に示す表示装置の［Ａ］で示す部分に繋がった、実施例１の表示装置の模式的な一部断面図である。

【図4】図４Ａは、実施例２の表示装置における発光素子群の模式的な部分的平面図であり、図４Ｂ及び図４Ｃは、駆動回路の配置を模式的に示す図である。

【図5】図５は、実施例２の表示装置における駆動回路及び信号線の配置を模式的に示す図である。

【図6】図６Ａ及び図６Ｂは、実施例２の表示装置における駆動回路及び信号線の配置を模式的に示す図である。

【図7】図７Ａは、実施例３の表示装置における発光素子群の模式的な部分的平面図であり、図７Ｂ、図７Ｃ及び図７Ｄは、駆動回路の配置を模式的に示す図である。

【図8】図８Ａ及び図８Ｂは、それぞれ、実施例４の表示装置における発光素子群の模式的な部分的平面図、及び、駆動回路の配置を模式的に示す図である。

【図9】図９Ａ及び図９Ｂは、それぞれ、実施例５の表示装置における発光素子群の模式的な部分的平面図、及び、駆動回路の配置を模式的に示す図である。

【図10】図１０Ａ及び図１０Ｂは、それぞれ、実施例５の表示装置の変形例における発光素子群の模式的な部分的平面図、及び、駆動回路の配置を模式的に示す図である。

【図11】図１１は、実施例１の表示装置の変形例－１の模式的な一部断面図である。

【図12】図１２は、実施例１の表示装置の変形例－２の模式的な一部断面図である。

【図13】図１３は、実施例１の表示装置の変形例－３の模式的な一部断面図である。

【図14】図１４は、実施例１の表示装置の変形例－４の模式的な一部断面図である。

【図15】図１５は、実施例６の頭部装着型ディスプレイを構成する画像表示装置の概念図である。

【図16】図１６は、実施例６の頭部装着型ディスプレイを上方から眺めた模式図である。

【図17】図１７は、実施例６の頭部装着型ディスプレイを正面から眺めた模式図である。

【図18】図１８Ａ及び図１８Ｂは、それぞれ、実施例６の頭部装着型ディスプレイを側方から眺めた模式図、及び、実施例５の頭部装着型ディスプレイにおける反射型体積ホログラム回折格子の一部を拡大して示す模式的な断面図である。

【図19】図１９Ａ及び図１９Ｂは、本開示の表示装置をレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラに適用した例を示し、デジタルスチルカメラの正面図を図１９Ａに、背面図を図１９Ｂに示す。

【図20】図２０は、本開示の表示装置の全体の回路構成を示すブロック図である。

【図21】図２１は、図２０に示す表示装置に含まれる発光素子及び駆動回路の等価回路図である。

【図22】図２２は、図２１に示した発光素子及び駆動回路の動作説明に供するタイミングチャートである。

【図23】図２３は、階調平均を説明するための図である。

【図24】図２４は、従来の表示装置の模式的な一部断面図である。

【図25】図２５Ａ及び図２５Ｂは、それぞれ、従来の表示装置における発光素子群の模式的な部分的平面図、及び、駆動回路の配置を模式的に示す図である。

【図26】図２６Ａ及び図２６Ｂは、それぞれ、従来の表示装置における発光素子群の模式的な部分的平面図、及び、駆動回路の配置を模式的に示す図である。

【図27】図２７Ａ及び図２７Ｂは、共振器構造を有する第１例及び第２例の発光素子の概念図である。

【図28】図２８Ａ及び図２８Ｂは、共振器構造を有する第３例及び第４例の発光素子の概念図である。

【図29】図２９Ａ及び図２９Ｂは、共振器構造を有する第５例及び第６例の発光素子の概念図である。

【図30】図３０Ａは、共振器構造を有する第７例の発光素子の概念図であり、図３０Ｂ及び図３０Ｃは、共振器構造を有する第８例の発光素子の概念図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の表示装置、第１の形態の表示装置）
３．実施例２（実施例１の変形、第２の形態の表示装置）
４．実施例３（実施例１の別の変形）
５．実施例４（実施例１の更に別の変形）
６．実施例５（実施例１及び実施例２の変形）
７．その他

【0011】

〈本開示の表示装置、全般に関する説明〉
本開示の表示装置は、第２の方向に延びる第１信号線、第２の方向に延びる第２信号線、及び、第２の方向に延びる第３信号線を更に備えており、
各発光素子群において、発光素子ユニットは第１の方向に沿って配列されており、
第１駆動回路、第２駆動回路及び第３駆動回路は第１の方向に沿って配列されており、
第１駆動回路のそれぞれは、第１信号線のそれぞれに接続されており、
第２駆動回路のそれぞれは、第２信号線のそれぞれに接続されており、
第３駆動回路のそれぞれは、第３信号線のそれぞれに接続されている形態とすることができる。尚、このような形態の表示装置を、便宜上、『第１の形態の表示装置』と呼ぶ。

【0012】

あるいは又、本開示の表示装置は、第２の方向に延びる第１信号線、第２の方向に延びる第２信号線、及び、第２の方向に延びる第３信号線を更に備えており、
各発光素子群において、発光素子ユニットは第２の方向に沿って配列されており、
第１駆動回路、第２駆動回路及び第３駆動回路は第２の方向に沿って配列されており、
第１駆動回路の全ては、共有された１本の第１信号線に接続されており、
第２駆動回路及び第３駆動回路は、共有された１本の第２信号線に接続されている形態とすることができる。尚、このような形態の表示装置を、便宜上、『第２の形態の表示装置』と呼ぶ。

【0013】

更には、これらの好ましい形態を含む本開示の表示装置にあっては、各発光素子群において、第１発光素子の数をＭ₁、第２発光素子の数をＭ₂、第３発光素子の数をＭ₃、第１駆動回路の数をＮ₁、第２駆動回路の数をＮ₂、第３駆動回路の数をＮ₃としたとき、
Ｍ₁＝Ｍ₂＝Ｍ₃＝２
Ｎ₁＝２
Ｎ₂＝Ｎ₃＝１
を満足する構成とすることができる。

【0014】

ここで、第１の形態の表示装置にあっては、第１信号線の数をＳＬ₁、第２信号線の数をＳＬ数をＳＬ₂、第３信号線の数をＳＬ₃としたとき、
Ｎ₁＝ＳＬ₁＝２
Ｎ₂＝ＳＬ₂＝１
Ｎ₃＝ＳＬ₃＝１
の関係にある。

【0015】

更には、これらの好ましい形態、構成を含む本開示の表示装置において、
第２駆動回路には、２つの第２発光素子のそれぞれに対する信号が階調平均された信号が供給され、
第３駆動回路には、２つの第３発光素子のそれぞれに対する信号が階調平均された信号が供給される構成とすることができる。

【0016】

あるいは又、第１の形態の表示装置にあっては、各発光素子群において、第１発光素子の数をＭ₁、第２発光素子の数をＭ₂、第３発光素子の数をＭ₃、第１駆動回路の数をＮ₁、第２駆動回路の数をＮ₂、第３駆動回路の数をＮ₃としたとき、
Ｍ₁＝Ｍ₂＝Ｍ₃＝４
Ｎ₁＝４
Ｎ₂＝２
Ｎ₃＝１
を満足する構成とすることができる。

【0017】

ここで、第１の形態の表示装置にあっては、第１信号線の数をＳＬ₁、第２信号線の数をＳＬ数をＳＬ₂、第３信号線の数をＳＬ₃としたとき、
Ｎ₁＝ＳＬ₁＝４
Ｎ₂＝ＳＬ₂＝２
Ｎ₃＝ＳＬ₃＝１
の関係にある。

【0018】

更には、これらの好ましい形態、構成を含む本開示の表示装置において、
第２駆動回路には、２つの第２発光素子のそれぞれに対する信号が階調平均された信号が供給され、
第３駆動回路には、４つの第３発光素子のそれぞれに対する信号が階調平均された信号が供給される形態とすることができる。

【0019】

更には、これらの好ましい形態、構成を含む本開示の表示装置にあっては、各発光素子ユニットにおいて、第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子の配列は、デルタ配列である形態とすることもできるし、ストライプ配列である形態とすることもできる。

【0020】

更には、これらの好ましい形態、構成を含む本開示の表示装置において、第１の色は緑色であり、第２の色は赤色であり、第３の色は青色である形態とすることができる。あるいは又、第１の色は黄色であり、第２の色はシアン色であり、第３の色はマゼンタ色である形態とすることができる。但し、これらに限定するものではない。

【0021】

更には、これらの好ましい形態、構成を含む本開示の表示装置において、
各発光素子ユニットは、更に、第４の色を出射する１つの第４発光素子を有しており、
各発光素子群は、更に、第４発光素子を駆動する第４駆動回路を備えており、
各発光素子群において、第４駆動回路の数は、第４発光素子の数と等しいか、それ以下の数である形態とすることができ、この場合、第１の色は緑色であり、第２の色は赤色であり、第３の色は青色であり、第４の色は白色である形態とすることができる。あるいは又、第１の色は黄色であり、第２の色はシアン色であり、第３の色はマゼンタ色であり、第４の色は白色である形態とすることができる。但し、これらに限定するものではない。

【0022】

更には、これらの好ましい形態、構成を含む本開示の表示装置において、第１発光素子の発光部の大きさは、第２発光素子の発光部の大きさ及び第３発光素子の発光部の大きさよりも大きい形態とすることができる。そして、これによって、第１発光素子の発光量を、第２発光素子の発光量、第３発光素子の発光量よりも多くすることができるし、あるいは又、第１発光素子の発光量、第２発光素子の発光量、第３発光素子の発光量の適切化を図ることができ、画質の向上を図ることができる。第１発光素子が緑色光を出射し、第２発光素子が赤色光を出射し、第３発光素子が青色光を出射し、第４発光素子が白色光を出射すると想定した場合、輝度の観点からは、第１発光素子や第４発光素子の発光領域の大きさを、第２発光素子や第３発光素子の発光領域の大きさよりも大きくすることが好ましい。また、発光素子の寿命の観点からは、第３発光素子の発光領域の大きさを、第１発光素子や第２発光素子、第４発光素子の発光領域の大きさよりも大きくすることが好ましい。

【0023】

更には、これらの好ましい形態、構成を含む本開示の表示装置において、発光素子は有機エレクトロルミネッセンス素子から構成されている形態とすることができる。

【0024】

以下、発光素子に備えられた発光部が有機エレクトロルミネッセンス層を含む形態に関して、即ち、本開示の表示装置が有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）から構成されている形態に関して、説明を行う。

【0025】

表示装置は、
第１基板、及び、第２基板、並びに、
第１基板と第２基板との間に位置し、２次元状に配列された複数の発光素子、
を備えており、
発光素子は発光部を含み、
第１基板の上に形成された基体上に設けられた発光部は、
第１電極、
第２電極、及び、
第１電極と第２電極とによって挟まれた有機層（有機エレクトロルミネッセンス層を含む発光層を含む）、
を少なくとも備えており、
有機層からの光が、第２基板を介して外部に出射され、あるいは又、第１基板を介して外部に出射される。

【0026】

即ち、本開示の表示装置を、第２基板から光を出射するトップエミッション方式（上面発光方式）の表示装置（上面発光型表示装置）とすることもできるし、第１基板から光を出射するボトムエミッション方式（下面発光方式）の表示装置（下面発光型表示装置）とすることもできる。

【0027】

発光部は、上述したとおり、第１基板側から第１電極、有機層及び第２電極から構成されている。第１電極が有機層の一部と接している構成とすることができるし、有機層が第１電極の一部と接している構成とすることができる。具体的には、第１電極の大きさは有機層よりも小さい構成とすることができるし、あるいは又、第１電極の大きさは有機層と同じ大きさであるが、第１電極と有機層との間の一部分に絶縁層が形成されている構成とすることもできるし、あるいは又、第１電極の大きさは有機層より大きい構成とすることもできる。発光部の大きさとは、第１電極と有機層が接している領域（発光領域）の大きさである。

【0028】

そして、有機層は白色光を出射する形態とすることができ、この場合、有機層は、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層から構成されている形態とすることができる。具体的には、有機層は、赤色（波長：６２０ｎｍ乃至７５０ｎｍ）を発光する赤色光発光層、緑色（波長：４９５ｎｍ乃至５７０ｎｍ）を発光する緑色光発光層、及び、青色（波長：４５０ｎｍ乃至４９５ｎｍ）を発光する青色光発光層の３層が積層された積層構造を有する形態とすることができ、全体として白色を発光する。あるいは又、有機層は、青色を発光する青色光発光層、及び、黄色を発光する黄色光発光層の２層が積層された構造とすることができ、全体として白色を発光する。あるいは又、有機層は、青色を発光する青色光発光層、及び、橙色を発光する橙色光発光層の２層が積層された構造とすることができ、全体として白色を発光する。有機層は、複数の発光素子において共通化されていてもよいし、各発光素子において個別に設けられていてもよい。そして、このような白色を発光する有機層（発光部）と赤色カラーフィルタ層（あるいは赤色カラーフィルタ層として機能する平坦化層）とを組み合わせることで赤色光発光素子が構成され、白色を発光する有機層（発光部）と緑色カラーフィルタ層（あるいは緑色カラーフィルタ層として機能する平坦化層）とを組み合わせることで緑色光発光素子が構成され、白色を発光する有機層（発光部）と青色カラーフィルタ層（あるいは青色カラーフィルタ層として機能する平坦化層）とを組み合わせることで青色光発光素子が構成される。平坦化層については、後述する。上述したとおり、赤色光発光素子、緑色光発光素子及び青色光発光素子といった副画素の組合せによって発光素子ユニット（１画素）が構成される。場合によっては、上述したとおり、赤色光発光素子、緑色光発光素子、青色光発光素子及び白色（あるいは第４の色）を出射する発光素子（あるいは補色光を出射する発光素子）によって発光素子ユニット（１画素）を構成してもよい。異なる色を発光する少なくとも２層の発光層から構成されている形態にあっては、実際には、異なる色を発光する発光層が混合し、明確に各層に分離されていない場合がある。

【0029】

あるいは又、有機層は、１層の発光層から構成されている形態とすることができる。この場合、発光素子を、例えば、赤色光発光層を含む有機層を有する赤色光発光素子、緑色光発光層を含む有機層を有する緑色光発光素子、あるいは、青色光発光層を含む有機層を有する青色光発光素子から構成することができる。カラー表示の表示装置の場合、これらの３種類の発光素子（副画素）から発光素子ユニット（１画素）が構成される。尚、カラーフィルタ層の形成は、原則、不要であるが、色純度向上のためにカラーフィルタ層を設けてもよい。あるいは又、１副画素を、赤色光発光層を含む有機層を有する赤色光発光素子、緑色光発光層を含む有機層を有する緑色光発光素子、及び、青色光発光層を含む有機層を有する青色光発光素子の積層構造から構成することもできる。

【0030】

基体は第１基板の上あるいは上方に形成されている。基体を構成する材料として、絶縁材料、例えば、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、ＳｉＯＮを例示することができる。基体は、基体を構成する材料に適した形成方法、具体的には、例えば、各種ＣＶＤ法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法、メッキ法、電着法、浸漬法、ゾル－ゲル法等の公知の方法に基づき形成することができる。

【0031】

基体の下あるいは下方に、駆動回路が設けられている。駆動回路は、例えば、第１基板を構成するシリコン半導体基板に形成されたトランジスタ（具体的には、例えば、ＭＯＳＦＥＴ）や、第１基板を構成する各種基板に設けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成されている。駆動回路を構成するトランジスタやＴＦＴと第１電極とは、基体等に形成されたコンタクトホール（コンタクトプラグ）及び配線層を介して接続されている形態とすることができる。駆動回路は、周知の回路構成とすることができる。第２電極は、表示装置の外周部（具体的には、後述する画素アレイ部７２の外周部）において、基体等に形成されたコンタクトホール（コンタクトプラグ）を介して駆動部と接続される。

【0032】

第１電極は、各発光素子毎に設けられている。有機層は、各発光素子毎に設けられており、あるいは又、発光素子に共通して設けられている。第２電極は、複数の発光素子において共通電極とされていてもよい。即ち、第２電極は、所謂ベタ電極とされていてもよい。基体の下方あるいは下には第１基板が配置されており、第２電極の上方に第２基板が配置されている。第１基板側に発光素子が形成されており、発光部は基体上に設けられている。

【0033】

第１基板あるいは第２基板を、シリコン半導体基板、高歪点ガラス基板、ソーダガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ₂）基板、硼珪酸ガラス（Ｎａ₂Ｏ・Ｂ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂）基板、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）基板、鉛ガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ₂）基板、表面に絶縁材料層が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁材料層が形成された石英基板、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）に例示される有機ポリマー（高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチックフィルムやプラスチックシート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有する）から構成することができる。第１基板と第２基板を構成する材料は、同じであっても、異なっていてもよい。但し、上面発光型表示装置の場合、第２基板は発光素子からの光に対して透明であることが要求されるし、下面発光型表示装置の場合、第１基板は発光素子からの光に対して透明であることが要求される。

【0034】

第１電極を構成する材料として、第１電極をアノード電極として機能させる場合、例えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、タンタル（Ｔａ）といった仕事関数の高い金属あるいは合金（例えば、銀を主成分とし、０．３質量％乃至１質量％のパラジウム（Ｐｄ）と０．３質量％乃至１質量％の銅（Ｃｕ）とを含むＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金や、Ａｌ－Ｎｄ合金、Ａｌ－Ｃｕ合金、Ａｌ－Ｃｕ－Ｎｉ合金）を挙げることができる。更には、アルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウムを含む合金等の仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料を用いる場合には、適切な正孔注入層を設けるなどして正孔注入特性を向上させることで、アノード電極として用いることができる。第１電極の厚さとして、０．１μｍ乃至１μｍを例示することができる。あるいは又、後述する光反射層を設ける場合、発光素子からの光に対して透明であることが第１電極には要求されるので、第１電極を構成する材料として、酸化インジウム、インジウム－錫酸化物（ＩＴＯ，Indium Tin Oxide，ＳｎドープのＩｎ₂Ｏ₃、結晶性ＩＴＯ及びアモルファスＩＴＯを含む）、インジウム－亜鉛酸化物（ＩＺＯ，Indium Zinc Oxide）、インジウム－ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム・ドープのガリウム－亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ，Ｉｎ－ＧａＺｎＯ₄）、ＩＦＯ（ＦドープのＩｎ₂Ｏ₃）、ＩＴｉＯ（ＴｉドープのＩｎ₂Ｏ₃）、ＩｎＳｎ、ＩｎＳｎＺｎＯ、酸化錫（ＳｎＯ₂）、ＡＴＯ（ＳｂドープのＳｎＯ₂）、ＦＴＯ（ＦドープのＳｎＯ₂）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化アルミニウム・ドープの酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウム・ドープの酸化亜鉛（ＧＺＯ）、ＢドープのＺｎＯ、ＡｌＭｇＺｎＯ（酸化アルミニウム及び酸化マグネシウム・ドープの酸化亜鉛）、酸化アンチモン、酸化チタン、ＮｉＯ、スピネル型酸化物、ＹｂＦｅ₂Ｏ₄構造を有する酸化物、ガリウム酸化物、チタン酸化物、ニオブ酸化物、ニッケル酸化物等を母層とする透明導電性材料といった各種透明導電材料を挙げることができる。あるいは又、誘電体多層膜やアルミニウム（Ａｌ）あるいはその合金（例えば、Ａｌ－Ｃｕ－Ｎｉ合金）といった光反射性の高い反射膜上に、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）や、インジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を積層した構造とすることもできる。一方、第１電極をカソード電極として機能させる場合、仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましいが、アノード電極として用いられる光反射率の高い導電材料に適切な電子注入層を設けるなどして電子注入特性を向上させることで、カソード電極として用いることもできる。

【0035】

第２電極を構成する材料（半光透過材料あるいは光透過材料）として、第２電極をカソード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、有機層（発光層）に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と銀（Ａｇ）［例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金（Ｍｇ－Ａｇ合金）］、マグネシウム－カルシウムとの合金（Ｍｇ－Ｃａ合金）、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）の合金（Ａｌ－Ｌｉ合金）等の仕事関数の小さい金属あるいは合金を挙げることができ、中でも、Ｍｇ－Ａｇ合金が好ましく、マグネシウムと銀との体積比として、Ｍｇ：Ａｇ＝５：１～３０：１を例示することができる。あるいは又、マグネシウムとカルシウムとの体積比として、Ｍｇ：Ｃａ＝２：１～１０：１を例示することができる。第２電極の厚さとして、４ｎｍ乃至５０ｎｍ、好ましくは、４ｎｍ乃至２０ｎｍ、より好ましくは６ｎｍ乃至１２ｎｍを例示することができる。あるいは又、Ａｇ－Ｎｄ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｃｕ、Ａｕ及びＡｌ－Ｃｕから成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。あるいは又、第２電極を、有機層側から、上述した材料層と、例えばＩＴＯやＩＺＯから成る所謂透明電極（例えば、厚さ３×１０^-8ｍ乃至１×１０^-6ｍ）との積層構造とすることもできる。第２電極に対して、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金等の低抵抗材料から成るバス電極（補助電極）を設け、第２電極全体として低抵抗化を図ってもよい。第２電極の平均光透過率は５０％乃至９０％、好ましくは６０％乃至９０％であることが望ましい。一方、第２電極をアノード電極として機能させる場合、必要に応じて発光光を透過し、しかも、仕事関数の値の大きな導電材料から構成することが望ましい。

【0036】

第１電極や第２電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）やＭＯＣＶＤ法、イオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等を挙げることができる。各種印刷法やメッキ法によれば、直接、所望の形状（パターン）を有する第１電極や第２電極を形成することが可能である。尚、有機層を形成した後、第２電極を形成する場合、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さな成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、有機層のダメージ発生を防止するといった観点から好ましい。有機層にダメージが発生すると、リーク電流の発生による「滅点」と呼ばれる非発光画素（あるいは非発光副画素）が生じる虞がある。

【0037】

有機層は有機発光材料を含む発光層を備えているが、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザを照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、係るメタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることで有機層を得ることができる。

【0038】

発光素子と発光素子との間に遮光部を設けてもよい。遮光部を構成する遮光材料として、具体的には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、ＭｏＳｉ₂等の光を遮光することができる材料を挙げることができる。遮光部は、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法等によって形成することができる。

【0039】

第２電極を覆うように保護層が形成されていることが好ましい。また、保護層上あるいは上方にレンズ部材が形成されている形態、あるいは又、保護層上あるいは上方にカラーフィルタ層が形成され、カラーフィルタ層上あるいは上方にレンズ部材が形成されている形態、あるいは又、保護層上あるいは上方にレンズ部材が形成され、レンズ部材上あるいは上方にカラーフィルタ層が形成されている形態とすることができる。そして、これらの上に更に平坦化層が形成されている形態とすることができる。前述したとおり、カラーフィルタ層として機能する平坦化層を設けてもよい。

【0040】

レンズ部材は、半球状、あるいは、球の一部から構成されている形態とすることができるし、広くは、レンズとして機能するのに適した形状から構成されている形態とすることができる。レンズ部材（オンチップマイクロレンズ）は、例えば、アクリル系樹脂やエポキシ系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド系樹脂等の透明樹脂材料、ＳｉＯ₂等の透明無機材料から構成することができ、透明樹脂材料を、メルトフローさせることで得ることができるし、あるいは又、エッチバックすることで得ることができるし、あるいは又、グレートーンマスクを用いたフォトリソグラフィ技術とエッチング法の組合せで得ることができるし、ナノプリント法に基づき透明樹脂材料をレンズ形状に形成するといった方法によって得ることもできる。

【0041】

カラーフィルタ層とカラーフィルタ層との間には、あるいは又、カラーフィルタ層とカラーフィルタ層との間の上方には、あるいは又、隣接するレンズ部材の間には、光吸収層（ブラックマトリクス層）が形成されている形態とすることができ、これによっても、隣接した発光素子間における混色の発生を確実に抑制することができる。光吸収層（ブラックマトリクス層）は、例えば、黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜（具体的には、例えば、黒色のポリイミド系樹脂）から成り、あるいは又、薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタから構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属、金属窒化物あるいは金属酸化物から成る薄膜を２層以上積層して成り、薄膜の干渉を利用して光を減衰させる。薄膜フィルタとして、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ₂Ｏ₃）とを交互に積層したものを挙げることができる。

【0042】

保護層や平坦化層を構成する材料として、アクリル系樹脂を例示することができるし、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣ、アモルファスシリコン（α－Ｓｉ）、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂を例示することもできる。保護層や平坦化層は、単層構成とすることもできるし、複数層から構成することもできる。保護層や平坦化層の形成方法として、各種ＣＶＤ法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法等の公知の方法に基づき形成することができる。また、保護層や平坦化層の形成方法として、更には、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を採用することもできる。保護層や平坦化層は、複数の発光素子において共通化されていてもよいし、各発光素子において個別に設けられていてもよい。

【0043】

平坦化層と第２基板とは、例えば、樹脂層（封止樹脂層）を介して接合される。樹脂層（封止樹脂層）を構成する材料として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。樹脂層（封止樹脂層）が平坦化層を兼用していてもよい。

【0044】

上述したとおり、場合によっては、平坦化層はカラーフィルタ層としての機能を有する形態とすることもできる。このような平坦化層は、周知のカラーレジスト材料から構成すればよい。白色を出射する発光素子にあっては透明なフィルタを配設すればよい。このように平坦化層をカラーフィルタ層としても機能させることで、有機層と平坦化層（カラーフィルタ層）とが近接するので、発光素子から出射する光を広角化させても混色の防止を効果的に図ることができ、視野角特性が向上する。但し、カラーフィルタ層を、平坦化層とは別に、独立して、平坦化層上あるいは上方、平坦化層の下あるいは下方に設けてもよい。

【0045】

表示装置の光を出射する最外面（具体的には、例えば、第２基板の外面）には、紫外線吸収層、汚染防止層、ハードコート層、帯電防止層を形成してもよいし、保護部材（例えば、カバーガラス）を配してもよい。

【0046】

表示装置においては、絶縁層や層間絶縁膜が形成されるが、これらを構成する絶縁材料として、ＳｉＯ₂、ＮＳＧ（ノンドープ・シリケート・ガラス）、ＢＰＳＧ（ホウ素・リン・シリケート・ガラス）、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＳｂＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide、低温ＣＶＤ－ＳｉＯ₂）、低融点ガラス、ガラスペースト等のＳｉＯ_X系材料（シリコン系酸化膜を構成する材料）；ＳｉＯＮ系材料を含むＳｉＮ系材料；ＳｉＯＣ；ＳｉＯＦ；ＳｉＣＮを挙げることができる。あるいは又、酸化チタン（ＴｉＯ₂）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化クロム（ＣｒＯ_x）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）、酸化スズ（ＳｎＯ₂）、酸化バナジウム（ＶＯ_x）といった無機絶縁材料を挙げることができる。あるいは又、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂といった各種樹脂や、ＳｉＯＣＨ、有機ＳＯＧ、フッ素系樹脂といった低誘電率絶縁材料（例えば、誘電率ｋ（＝ε／ε₀）が例えば３．５以下の材料であり、具体的には、例えば、フルオロカーボン、シクロパーフルオロカーボンポリマー、ベンゾシクロブテン、環状フッ素系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、アモルファステトラフルオロエチレン、ポリアリールエーテル、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、パリレン（ポリパラキシリレン）、フッ化フラーレン）を挙げることができるし、Ｓｉｌｋ（The Dow Chemical Co. の商標であり、塗布型低誘電率層間絶縁膜材料）、Ｆｌａｒｅ（Honeywell Electronic Materials Co. の商標であり、ポリアリルエーテル（ＰＡＥ）系材料）を例示することもできる。そして、これらを、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。場合によっては、基体を、以上に説明した材料から構成してもよい。絶縁層や層間絶縁膜、基体は、各種ＣＶＤ法、各種塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法、メッキ法、電着法、浸漬法、ゾル－ゲル法等の公知の方法に基づき形成することができる。

【0047】

有機ＥＬ表示装置は、更に一層の光取出し効率の向上を図るために、共振器構造を有することが好ましい。具体的には、第１電極と有機層との界面によって構成された第１界面（あるいは、第１電極の下に層間絶縁膜が設けられ、層間絶縁膜の下に光反射層が設けられた構造にあっては、光反射層と層間絶縁膜との界面によって構成された第１界面）と、第２電極と有機層との界面によって構成された第２界面との間で、発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２電極から出射させる。そして、発光層の最大発光位置から第１界面までの光学距離をＯＬ₁、発光層の最大発光位置から第２界面までの光学距離をＯＬ₂とし、ｍ₁及びｍ₂を整数としたとき、以下の式（１－１）及び式（１－２）を満たす構成とすることができる。

【0048】

０．７｛－Φ₁／（２π）＋ｍ₁｝≦２×ＯＬ₁／λ≦１．２｛－Φ₁／（２π）＋ｍ₁｝ （１－１）
０．７｛－Φ₂／（２π）＋ｍ₂｝≦２×ＯＬ₂／λ≦１．２｛－Φ₂／（２π）＋ｍ₂｝ （１－２）
ここで、
λ ：発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長（あるいは又、発光層で発生した光の内の所望の波長）
Φ₁：第１界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）。但し、－２π＜Φ₁≦０
Φ₂：第２界面で反射される光の位相シフト量（単位：ラジアン）。但し、－２π＜Φ₂≦０
である。

【0049】

ここで、ｍ₁の値は０以上の値であり、ｍ₂の値は、ｍ₁の値と独立して、０以上の値であるが、（ｍ₁，ｍ₂）＝（０，０）である形態、（ｍ₁，ｍ₂）＝（０，１）である形態、（ｍ₁，ｍ₂）＝（１，０）である形態、（ｍ₁，ｍ₂）＝（１，１）である形態を例示することができる。

【0050】

発光層の最大発光位置から第１界面までの距離Ｌ₁とは、発光層の最大発光位置から第１界面までの実際の距離（物理的距離）を指し、発光層の最大発光位置から第２界面までの距離Ｌ₂とは、発光層の最大発光位置から第２界面までの実際の距離（物理的距離）を指す。また、光学距離とは、光路長とも呼ばれ、一般に、屈折率ｎの媒質中を距離Ｌだけ光線が通過したときのｎ×Ｌを指す。以下においても、同様である。従って、平均屈折率をｎ_aveとしたとき、
ＯＬ₁＝Ｌ₁×ｎ_ave
ＯＬ₂＝Ｌ₂×ｎ_ave
の関係がある。ここで、平均屈折率ｎ_aveとは、有機層（あるいは、有機層、第１電極及び層間絶縁膜）を構成する各層の屈折率と厚さの積を合計し、有機層（あるいは、有機層、第１電極及び層間絶縁膜）の厚さで除したものである。

【0051】

発光層で発生した光の内の所望の波長λ（具体的には、例えば、赤色の波長、緑色の波長、青色の波長）を決定し、式（１－１）及び式（１－２）に基づき発光素子におけるＯＬ₁，ＯＬ₂等の各種パラメータを求めて、発光素子を設計すればよい。

【0052】

第１電極又は光反射層及び第２電極は入射した光の一部を吸収し、残りを反射する。従って、反射される光に位相シフトが生じる。この位相シフト量Φ₁，Φ₂は、第１電極又は光反射層及び第２電極を構成する材料の複素屈折率の実数部分と虚数部分の値を、例えばエリプソメータを用いて測定し、これらの値に基づく計算を行うことで求めることができる（例えば、"Principles of Optic", Max Born and Emil Wolf, 1974 (PERGAMON PRESS) 参照）。有機層や層間絶縁膜等の屈折率も、あるいは又、第１電極の屈折率も、あるいは又、第１電極が入射した光の一部を吸収し、残りを反射する場合の第１電極の屈折率も、エリプソメータを用いて測定することで求めることができる。

【0053】

光反射層を構成する材料として、アルミニウム、アルミニウム合金（例えば、Ａｌ－ＮｄやＡｌ－Ｃｕ）、Ａｌ／Ｔｉ積層構造、Ａｌ－Ｃｕ／Ｔｉ積層構造、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、銀合金（例えば、Ａｇ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ、Ａｇ－Ｓｍ－Ｃｕ）を挙げることができ、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等によって形成することができる。光反射層を構成する材料に依っては、成膜される光反射層の結晶状態の制御のために、例えば、ＴｉＮから成る下地層を形成しておくことが好ましい。

【0054】

このように、共振器構造を有する有機ＥＬ表示装置にあっては、実際には、白色を発光する有機層と赤色カラーフィルタ層（あるいは赤色カラーフィルタ層として機能する平坦化層）とを組み合わせることで構成された赤色光発光素子は、発光層で発光した赤色光を共振させて、赤味がかった光（赤色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極から出射する。また、白色を発光する有機層と緑色カラーフィルタ層（あるいは緑色カラーフィルタ層として機能する平坦化層）とを組み合わせることで構成された緑色光発光素子は、発光層で発光した緑色光を共振させて、緑味がかった光（緑色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極から出射する。更には、白色を発光する有機層と青色カラーフィルタ層（あるいは青色カラーフィルタ層として機能する平坦化層）とを組み合わせることで構成された青色光発光素子は、発光層で発光した青色光を共振させて、青味がかった光（青色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極から出射する。即ち、発光層で発生した光の内の所望の波長λ（具体的には、赤色の波長、緑色の波長、青色の波長）を決定し、式（１－１）及び式（１－２）に基づき、赤色光発光素子、緑色光発光素子、青色光発光素子のそれぞれにおけるＯＬ₁，ＯＬ₂等の各種パラメータを求めて、各発光素子を設計すればよい。例えば、特開２０１２－２１６４９５号公報の段落番号［００４１］には、有機層を共振部とした共振器構造を有する有機ＥＬ素子が開示されており、発光点（発光面）から反射面までの距離を適切に調整することが可能となるため、有機層の膜厚は、８０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、１５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下であることがより好ましいと記載されている。

【0055】

有機ＥＬ表示装置にあっては、正孔輸送層（正孔供給層）の厚さと電子輸送層（電子供給層）の厚さは、概ね等しいことが望ましい。あるいは又、正孔輸送層（正孔供給層）よりも電子輸送層（電子供給層）を厚くしてもよく、これによって、低い駆動電圧で高効率化に必要な、且つ、発光層への十分な電子供給が可能となる。即ち、アノード電極に相当する第１電極と発光層との間に正孔輸送層を配置し、しかも、電子輸送層よりも薄い膜厚で形成することで、正孔の供給を増大させることが可能となる。そして、これにより、正孔と電子の過不足がなく、且つ、キャリア供給量も十分多いキャリアバランスを得ることができるため、高い発光効率を得ることができる。また、正孔と電子の過不足がないことで、キャリアバランスが崩れ難く、駆動劣化が抑制され、発光寿命を長くすることができる。

【0056】

表示装置は、例えば、パーソナルコンピュータを構成するモニタ装置として使用することができるし、テレビジョン受像機や携帯電話、ＰＤＡ（携帯情報端末，Personal Digital Assistant）、ゲーム機器に組み込まれたモニタ装置、プロジェクタに組み込まれた表示装置として使用することができる。あるいは又、電子ビューファインダ（Electronic View Finder，ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（Head Mounted Display，ＨＭＤ）に適用することができるし、ＶＲ（Virtual Reality）用、ＭＲ（Mixed Reality）用、あるいは、ＡＲ（Augmented Reality）用の表示装置に適用することができる。あるいは又、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子ＰＯＰにおける画像表示装置を構成することができる。本開示の表示装置を発光装置として使用し、液晶表示装置用のバックライト装置や面状光源装置を含む各種照明装置を構成することができる。

【0057】

［実施例１］
実施例１は、本開示の表示装置、第１の形態の表示装置に関する。実施例１の表示装置における発光素子群の模式的な部分的平面図を図１Ａに示し、駆動回路の配置を模式的に図１Ｂに示し、駆動回路及び信号線の配置を模式的に図１Ｃに示し、実施例１の表示装置の模式的な一部断面図を図２、及び、図２に示す表示装置の［Ａ］で示す部分に繋がった表示装置の模式的な一部断面図を図３に示す。図１Ａには４つ（４組）の発光素子ユニットを図示し、図１Ｂ及び図１Ｃには、４つ（４組）の駆動回路を図示する。

【0058】

ここで、図１Ａ、図４Ａには、４つ（４組）の発光素子ユニットを図示し、図１Ｂ、図１Ｃ、図４Ｂ、図４Ｃ、図５、図６Ａ、図６Ｂ、図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃ、図７Ｄには、４組の駆動回路を図示する。また、図８Ａ、図９Ａ、図１０Ａには、２つ（２組）の発光素子ユニットを図示し、図８Ｂ、図９Ｂ、図１０Ｂには、２組の駆動回路を図示する。また、図面では、便宜上、第１の方向を「Ｘ」で示し、第２の方向を「Ｙ」で示す。発光素子群の模式的な部分的平面図において、１つの発光素子群を実線で囲み、発光素子を点線で囲んだ。更には、信号線を一点鎖線で示す。

【0059】

尚、以下の説明において、発光素子１２Ｇ₁及び発光素子１２Ｇ₂等、緑色光を出射する発光素子を総称して『発光素子１２Ｇ』と呼び、発光素子１２Ｒ₁及び発光素子１２Ｒ₂等、赤色光を出射する発光素子を総称して『発光素子１２Ｒ』と呼び、発光素子１２Ｂ₁及び発光素子１２Ｂ₂等、青色光を出射する発光素子を総称して『発光素子１２Ｂ』と呼び、発光素子１２Ｗ₁及び発光素子１２Ｗ₂等、白色光を出射する発光素子を総称して『発光素子１２Ｗ』と呼び、発光素子１２Ｇ、発光素子１２Ｒ、発光素子１２Ｂ、発光素子１２Ｗを総称して『発光素子１２』と呼ぶ場合がある。

【0060】

実施例１の表示装置は、複数の発光素子群１０が、第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に配列されており、
各発光素子群１０は、複数の発光素子ユニット１１から構成されており、
各発光素子ユニット１１は、第１の色を出射する１つの第１発光素子１２Ｇ、第２の色を出射する１つの第２発光素子１２Ｒ、及び、第３の色を出射する１つの第３発光素子１２Ｂから構成されており、
各発光素子群１０は、第１発光素子１２Ｇを駆動する第１駆動回路、第２発光素子１２Ｒを駆動する第２駆動回路、及び、第３発光素子１２Ｂを駆動する第３駆動回路を備えており、
各発光素子群１０において、第１駆動回路の数は第１発光素子１２Ｇの数と等しく、第２駆動回路の数は第２発光素子１２Ｒの数よりも少なく、第３駆動回路の数は第３発光素子１２Ｂの数よりも少ない。

【0061】

そして、実施例１の表示装置は、第２の方向に延びる第１信号線、第２の方向に延びる第２信号線、及び、第２の方向に延びる第３信号線を更に備えており、
各発光素子群１０において、発光素子ユニット１１は第１の方向に沿って配列されており、
第１駆動回路、第２駆動回路及び第３駆動回路は第１の方向に沿って配列されており、
第１駆動回路のそれぞれは、第１信号線のそれぞれに接続されており、
第２駆動回路のそれぞれは、第２信号線のそれぞれに接続されており、
第３駆動回路のそれぞれは、第３信号線のそれぞれに接続されている。

【0062】

具体的には、実施例１の表示装置にあっては、各発光素子群１０において、第１発光素子１２Ｇの数をＭ₁、第２発光素子１２Ｒの数をＭ₂、第３発光素子１２Ｂの数をＭ₃、第１駆動回路の数をＮ₁、第２駆動回路の数をＮ₂、第３駆動回路の数をＮ₃としたとき、
Ｍ₁＝Ｍ₂＝Ｍ₃＝２
Ｎ₁＝２
Ｎ₂＝Ｎ₃＝１
を満足する。実施例１にあっては、発光素子群１０は２つの発光素子ユニット１１から構成されている。即ち、
第１の発光素子ユニット１１₁は、発光素子１２Ｇ₁、発光素子１２Ｒ₁、発光素子１２Ｂ₁から構成されており、
第２の発光素子ユニット１１₂は、発光素子１２Ｇ₂、発光素子１２Ｒ₂、発光素子１２Ｂ₂から構成されている。

【0063】

そして、第１信号線の数をＳＬ₁、第２信号線の数をＳＬ数をＳＬ₂、第３信号線の数をＳＬ₃としたとき、
Ｎ₁＝ＳＬ₁＝２
Ｎ₂＝ＳＬ₂＝１
Ｎ₃＝ＳＬ₃＝１
の関係にある。

【0064】

ここで、
２つの第１発光素子１２Ｇを、参照番号１２Ｇ₁，１２Ｇ₂で表し、
２つの第２発光素子１２Ｒを、参照番号１２Ｒ₁，１２Ｒ₂で表し、
２つの第３発光素子１２Ｂを、参照番号１２Ｂ₁，１２Ｂ₂で表す。

【0065】

また、
２つの第１駆動回路を、参照番号ＤＲ_G1，ＤＲ_G2で表し、
１つの第２駆動回路を、参照番号ＤＲ_R12で表し、
１つの第３駆動回路を、参照番号ＤＲ_B12で表す。

【0066】

更には、
２本の第１信号線を、参照番号ＳＬ_G1，ＳＬ_G2で表し、
１本の第２信号線を、参照番号ＳＬ_R12で表し、
１本の第３信号線を、参照番号ＳＬ_B12で表す。

【0067】

より具体的には、
第１駆動回路ＤＲ_G1は、第１信号線ＳＬ_G1に接続されており、
第１駆動回路ＤＲ_G2は、第１信号線ＳＬ_G2のそれぞれに接続されており、
１つの第２駆動回路ＤＲ_R12は、第２信号線ＳＬ_R12に接続されており、
１つの第３駆動回路ＤＲ_B12は、第３信号線ＳＬ_B12に接続されている。

【0068】

そして、
第２駆動回路ＤＲ_R12には、２つの第２発光素子１２Ｒ₁，１２Ｒ₂のそれぞれに対する信号が階調平均された信号ＤＴ_R12が供給され、
第３駆動回路ＤＲ_B12には、２つの第３発光素子１２Ｂ₁，１２Ｂ₂のそれぞれに対する信号が階調平均された信号ＤＴ_B12が供給される。

【0069】

具体的には、後述する水平セレクタから、第１信号線ＳＬ_G1を介して、第１発光素子１２Ｇ₁の輝度を制御するデータ信号ＤＴ_G1が第１駆動回路ＤＲ_G1に送られ、第１発光素子１２Ｇ₁の輝度制御がなされ、第１信号線ＳＬ_G2を介して、第１発光素子１２Ｇ₂の輝度を制御するデータ信号ＤＴ_G2が第１駆動回路ＤＲ_G2に送られ、第１発光素子１２Ｇ₂の輝度制御がなされる。

【0070】

また、水平セレクタにおいて、第２発光素子１２Ｒ₁の輝度を制御するデータ信号及び第２発光素子１２Ｒ₂の輝度を制御するデータ信号の階調平均Ｔ_R12が求められ、第２信号線ＳＬ_R12を介して、第２発光素子１２Ｒ₁，１２Ｒ₂の輝度を制御する階調平均Ｔ_R12に基づく信号（データ信号）ＤＴ_R12が第２駆動回路ＤＲ_R12に送られ、第２発光素子１２Ｒ₁，１２Ｒ₂の輝度制御がなされる。更には、水平セレクタにおいて、第３発光素子１２Ｂ₁の輝度を制御するデータ信号及び第３発光素子１２Ｂ₂の輝度を制御するデータ信号の階調平均Ｔ_B12が求められ、第３信号線ＳＬ_B12を介して、第３発光素子１２Ｂ₁，１２Ｂ₂の輝度を制御する階調平均Ｔ_B12に基づく信号（データ信号）ＤＴ_B12が第３駆動回路ＤＲ_B12に送られ、第３発光素子１２Ｂ₁，１２Ｂ₂の輝度制御がなされる。

【0071】

図２３に模式図を示すように、一般に、入力階調Ｔと輝度Ｌとの間には、ｋを定数としたとき、例えば、
Ｌ＝ｋ×Ｔ^2.2
の関係がある。「２．２」はガンマ値である。従って、例えば、「１００」階調を有するデータ信号における輝度と、「２００」階調を有するデータ信号における輝度とを平均化する場合、水平セレクタは、（１００＋２００）／２＝１５０階調のデータ信号を出力するのではなく、データ信号として、輝度の平均が得られるような階調平均を第２発光素子１２Ｒ₁，１２Ｒ₂及び第３発光素子１２Ｂ₁，１２Ｂ₂に送出する必要がある。即ち、例えば、本来、第２発光素子１２Ｒ₁において表示すべき画像の輝度をＬ_R1、第２発光素子１２Ｒ₂において表示すべき画像の輝度をＬ_R2とすると、第２発光素子１２Ｒ₁，１２Ｒ₂において表示すべき画像の平均輝度は［（Ｌ_R1＋Ｌ_R2）／２］となる。従って、
［（Ｌ_R1＋Ｌ_R2）／２］＝ｋ×Ｔ_R12 ^2.2
を満足する階調平均Ｔ_R12、更には、階調平均Ｔ_R12に基づくデータ信号ＤＴ_R12を水平セレクタは生成し、第２信号線ＳＬ_R12を介して、第２発光素子１２Ｒ₁，１２Ｒ₂に送出すればよい。第３発光素子１２Ｂ₁，１２Ｂ₂においても同様である。

【0072】

実施例１の表示装置にあっては、各発光素子ユニット１１において、第１発光素子１２Ｇ、第２発光素子１２Ｒ及び第３発光素子１２Ｂの配列を、デルタ配列とした。

【0073】

また、実施例１の発光素子において、限定するものではないが、第１の色は緑色であり、第２の色は赤色であり、第３の色は青色である形態とした。発光素子１２は有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）から構成されており、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）から構成されており、また、アクティブマトリクス表示装置である。

【0074】

具体的には、実施例１あるいは後述する実施例２～実施例５の表示装置は、
第１基板４１、及び、第２基板４２、並びに、
第１基板４１と第２基板４２との間に位置し、２次元状に配列された複数の発光素子１２（１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）、
を備えており、
発光素子１２（１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）は発光部３０を含み、
第１基板４１の上に形成された基体２６上に設けられた発光部３０は、
第１電極３１、
第２電極３２、及び、
第１電極３１と第２電極３２とによって挟まれた有機層（有機エレクトロルミネッセンス層を含む発光層を有する）３３、
を少なくとも備えており、
有機層３３からの光が、第２基板４２を介して外部に出射される。

【0075】

より具体的には、各発光素子１２（１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）に含まれる発光部３０は、第１基板４１の上に形成された基体２６上に設けられており、
発光部３０は、
第１電極３１、
第１電極３１の上に形成された有機層（有機エレクトロルミネッセンス層）３３、及び、
有機層３３の上に形成された第２電極３２、
を少なくとも備えている。

【0076】

そして、第２電極３２の上には、第２電極３２を覆うようにアクリル系樹脂から成る保護層３４が形成されている。保護層３４の頂面又は上方には（実施例１あるいは後述する実施例２～実施例５にあっては、具体的には、保護層３４の上には）、周知の方法で、周知の材料から成るカラーフィルタ層ＣＦが形成されており、カラーフィルタ層ＣＦの上には平坦化層３５が形成されている。尚、発光部３０及びカラーフィルタ層ＣＦの外形形状を、例えば円形としたが、このような形状に限定されるものではない。

【0077】

カラーフィルタ層ＣＦ（ＣＦ_R，ＣＦ_G，ＣＦ_B）上に形成された平坦化層３５は、封止樹脂層３６を介して第２基板４２に貼り合わされている。封止樹脂層３６を構成する材料として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。カラーフィルタ層ＣＦは、第１基板側に形成されたＯＣＣＦ（オンチップカラーフィルタ層）である。そして、これによって、有機層３３とカラーフィルタ層ＣＦとの間の距離を短くすることができ、有機層３３から出射した光が隣接する他色のカラーフィルタ層ＣＦに入射して混色が生じることを抑制することができる。場合によっては、平坦化層３５を省略し、カラーフィルタ層ＣＦを封止樹脂層３６を介して第２基板４２に貼り合わせてもよい。

【0078】

有機ＥＬ素子から構成された実施例１～実施例５の発光素子１２において、有機層３３は、赤色光発光層、緑色光発光層及び青色光発光層の積層構造を有する。前述したように、１つの発光素子ユニット（１画素）は、赤色光発光素子１２Ｒ、緑色光発光素子１２Ｇ及び青色光発光素子１２Ｂの３つの発光素子から構成されている。発光素子１２を構成する有機層３３は白色光を発光し、各発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、白色光を発光する有機層３３とカラーフィルタ層ＣＦ_R，ＣＦ_G，ＣＦ_Bとの組合せから構成されている。赤色を表示すべき赤色光発光素子１２Ｒには赤色カラーフィルタ層ＣＦ_Rが備えられており、緑色を表示すべき緑色光発光素子１２Ｇには緑色カラーフィルタ層ＣＦ_Gが備えられており、青色を表示すべき青色光発光素子１２Ｂには青色カラーフィルタ層ＣＦ_Bが備えられている。赤色光発光素子１２Ｒ、緑色光発光素子１２Ｇ及び青色光発光素子１２Ｂは、カラーフィルタ層、発光層の位置を除き、実質的に同じ構成、構造を有する。画素数は、例えば１９２０×１０８０であり、１つの発光素子（表示素子）は１つの副画素を構成し、発光素子（具体的には有機ＥＬ素子）は画素数の３倍である。

【0079】

ＣＶＤ法に基づき形成されたＳｉＯ₂から成る基体２６の下方には、駆動回路が設けられている。駆動回路は周知の回路構成とすることができる。駆動回路は、第１基板４１に相当するシリコン半導体基板に形成されたトランジスタ（具体的には、ＭＯＳＦＥＴ）から構成されている。ＭＯＳＦＥＴから構成されたトランジスタ２０は、第１基板４１上に形成されたゲート絶縁層２２、ゲート絶縁層２２上に形成されたゲート電極２１、第１基板４１に形成されたソース／ドレイン領域２４、ソース／ドレイン領域２４の間に形成されたチャネル形成領域２３、並びに、チャネル形成領域２３及びソース／ドレイン領域２４を取り囲む素子分離領域２５から構成されている。基体２６は、下層層間絶縁層２６Ａ及び上層層間絶縁層２６Ｂから構成されている。

【0080】

そして、第１発光素子１２Ｇ₁において、トランジスタ２０（第１駆動回路ＤＲ_G1）と第１電極３１とは、下層層間絶縁層２６Ａに設けられたコンタクトプラグ２７Ａ、下層層間絶縁層２６Ａ上に設けられたパッド部２７Ｃ_G1、コンタクトプラグ２７Ｂを介して電気的に接続されている。また、第１発光素子１２Ｇ₂において、トランジスタ２０（第１駆動回路ＤＲ_G2）と第１電極３１とは、下層層間絶縁層２６Ａに設けられたコンタクトプラグ２７Ａ、下層層間絶縁層２６Ａ上に設けられたパッド部２７Ｃ_G2、コンタクトプラグ２７Ｂを介して電気的に接続されている。

【0081】

第２発光素子１２Ｒ₁において、トランジスタ２０（第２駆動回路ＤＲ_R12）と第１電極３１とは、下層層間絶縁層２６Ａに設けられたコンタクトプラグ２７Ａ、下層層間絶縁層２６Ａ上に設けられたパッド部２７Ｃ_B12-A、コンタクトプラグ２７Ｂを介して電気的に接続されている。また、第２発光素子１２Ｒ₂において、トランジスタ２０（第２駆動回路ＤＲ_R12）と第１電極３１とは、下層層間絶縁層２６Ａに設けられたコンタクトプラグ２７Ａ、下層層間絶縁層２６Ａ上に設けられたパッド部２７Ｃ_B12-A、下層層間絶縁層２６Ａ上に設けられた配線層（図示せず）、下層層間絶縁層２６Ａ上に設けられたパッド部２７Ｃ_B12-B、コンタクトプラグ２７Ｂを介して電気的に接続されている。

【0082】

第３発光素子１２Ｂ₁において、トランジスタ２０（第３駆動回路ＤＲ_B12）と第１電極３１とは、下層層間絶縁層２６Ａに設けられたコンタクトプラグ２７Ａ、下層層間絶縁層２６Ａ上に設けられたパッド部２７Ｃ_B12-A、コンタクトプラグ２７Ｂを介して電気的に接続されている。また、第３発光素子１２Ｂ₂において、トランジスタ２０（第３駆動回路ＤＲ_B12）と第１電極３１とは、下層層間絶縁層２６Ａに設けられたコンタクトプラグ２７Ａ、下層層間絶縁層２６Ａ上に設けられたパッド部２７Ｃ_B12-A、下層層間絶縁層２６Ａ上に設けられた配線層（図示せず）、下層層間絶縁層２６Ａ上に設けられたパッド部２７Ｃ_B12-B、コンタクトプラグ２７Ｂを介して電気的に接続されている。

【0083】

尚、図面においては、１つの駆動回路につき、１つのトランジスタ２０を図示した。

【0084】

第２電極３２は、表示装置の外周部（具体的には、後述する画素アレイ部７２の外周部）において、基体２６に形成された図示しないコンタクトホール（コンタクトプラグ）を介して駆動部と接続されている。表示装置の外周部において、第２電極３２の下方に第２電極３２に接続された補助電極を設け、補助電極を駆動回路と接続してもよい。

【0085】

第１電極３１はアノード電極として機能し、第２電極３２はカソード電極として機能する。第１電極３１は、光反射材料層、具体的には、例えば、Ａｌ－Ｎｄ合金層、Ａｌ－Ｃｕ合金層、Ａｌ－Ｔｉ合金層とＩＴＯ層の積層構造から成り、第２電極３２は、ＩＴＯ等の透明導電材料から成る。第１電極３１は、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき、基体２６の上に形成されている。また、第２電極３２は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法によって成膜されており、パターニングされていない。有機層３３もパターニングされていない。但し、これに限定するものではなく、有機層３３をパターニングしてもよい。即ち、有機層３３を副画素毎に塗り分け、赤色光発光素子の有機層３３を赤色を発光する有機層から構成し、緑色光発光素子の有機層３３を緑色を発光する有機層から構成し、青色光発光素子の有機層３３を青色を発光する有機層から構成してもよい。

【0086】

実施例１において、有機層３３は、正孔注入層（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）、正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transport Layer）、発光層、電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）、及び、電子注入層（ＥＩＬ：Electron InjectionLayer）の積層構造を有する。発光層は、異なる色を発光する少なくとも２層の発光層から構成されており、前述したとおり、有機層３３から出射される光は白色である。具体的には、有機層は、上述したとおり、赤色を発光する赤色光発光層、緑色を発光する緑色光発光層、及び、青色を発光する青色光発光層の３層が積層された構造を有する。有機層を、青色を発光する青色光発光層、及び、黄色を発光する黄色光発光層の２層が積層された構造とすることもできるし、青色を発光する青色光発光層、及び、橙色を発光する橙色光発光層の２層が積層された構造とすることができる。

【0087】

正孔注入層は、正孔注入効率を高める層であると共に、リークを防止するバッファ層として機能し、厚さは、例えば２ｎｍ乃至１０ｎｍ程度である。正孔注入層は、例えば、以下の式（Ａ）又は式（Ｂ）で表されるヘキサアザトリフェニレン誘導体から成る。尚、正孔注入層の端面が第２電極と接した状態になると、画素間の輝度バラツキ発生の主たる原因となり、表示画質の低下につながる。

【0088】

【化1】

【0089】

ここで、Ｒ¹～Ｒ⁶は、それぞれ、独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシ基、アミノ基、アルールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシ基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、又は、シリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲ^m（ｍ＝１～６）は環状構造を介して互いに結合してもよい。また、Ｘ¹～Ｘ⁶は、それぞれ、独立に、炭素又は窒素原子である。

【0090】

【化2】

【0091】

正孔輸送層は発光層への正孔輸送効率を高める層である。発光層では、電界が加わると電子と正孔との再結合が起こり、光を発生する。電子輸送層は発光層への電子輸送効率を高める層であり、電子注入層は発光層への電子注入効率を高める層である。

【0092】

正孔輸送層は、例えば、厚さが４０ｎｍ程度の４，４’，４”－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）又はα－ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）から成る。

【0093】

発光層は、混色により白色光を生じる発光層であり、例えば、上述したとおり、赤色光発光層、緑色光発光層及び青色光発光層が積層されて成る。

【0094】

赤色光発光層では、電界が加わることにより、第１電極３１から注入された正孔の一部と、第２電極３２から注入された電子の一部とが再結合して、赤色の光が発生する。このような赤色光発光層は、例えば、赤色発光材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種の材料を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性の材料であってもよいし、燐光性の材料であってもよい。厚さが５ｎｍ程度の赤色光発光層は、例えば、４，４－ビス（２，２－ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に、２，６－ビス［（４’－メトキシジフェニルアミノ）スチリル］－１，５－ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０質量％混合したものから成る。

【0095】

緑色光発光層では、電界が加わることにより、第１電極３１から注入された正孔の一部と、第２電極３２から注入された電子の一部とが再結合して、緑色の光が発生する。このような緑色光発光層は、例えば、緑色発光材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種の材料を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性の材料であってもよいし、燐光性の材料であってもよい。厚さが１０ｎｍ程度の緑色光発光層は、例えば、ＤＰＶＢｉに、クマリン６を５質量％混合したものから成る。

【0096】

青色光発光層では、電界が加わることにより、第１電極３１から注入された正孔の一部と、第２電極３２から注入された電子の一部とが再結合して、青色の光が発生する。このような青色光発光層は、例えば、青色発光材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び両電荷輸送性材料の内、少なくとも１種の材料を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性の材料であってもよいし、燐光性の材料であってもよい。厚さが３０ｎｍ程度の青色光発光層は、例えば、ＤＰＶＢｉに、４，４’－ビス［２－｛４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５質量％混合したものから成る。

【0097】

厚さが２０ｎｍ程度の電子輸送層は、例えば、８－ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）から成る。厚さが０．３ｎｍ程度の電子注入層は、例えば、ＬｉＦあるいはＬｉ₂Ｏ等から成る。

【0098】

但し、各層を構成する材料は例示であり、これらの材料に限定するものではない。発光層を燐光性の材料から構成すれば、蛍光性の材料から構成した場合と比較して２．５倍～３倍程度の輝度増加を図ることができる。また、発光層を、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ，Thermally Activated Delayed Fluorescence）材料から構成することもできる。また、例えば、発光層は、青色光発光層と黄色光発光層から構成されていてもよいし、青色光発光層と橙色光発光層から構成されていてもよい。

【0099】

発光素子１２は、有機層３３を共振部とした共振器構造を有している。発光面から反射面までの距離（具体的には、発光面から第１電極３１及び第２電極３２までの距離）を適切に調整するために、有機層３３の厚さは、８×１０^-8ｍ以上、５×１０^-7ｍ以下であることが好ましく、１．５×１０^-7ｍ以上、３．５×１０^-7ｍ以下であることがより好ましい。共振器構造を有する有機ＥＬ表示装置にあっては、実際には、赤色光発光素子１２Ｒは、発光層で発光した赤色光を共振させて、赤味がかった光（赤色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極３２から出射する。また、緑色光発光素子１２Ｇは、発光層で発光した緑色光を共振させて、緑味がかった光（緑色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極３２から出射する。更には、青色光発光素子１２Ｂは、発光層で発光した青色光を共振させて、青味がかった光（青色の領域に光スペクトルのピークを有する光）を第２電極３２から出射する。

【0100】

以下、図１及び図２に示した実施例１の発光素子１２の製造方法の概要を説明する。

【0101】

［工程－１００］
先ず、シリコン半導体基板（第１基板４１）に駆動回路を公知のＭＯＳＦＥＴ製造プロセスに基づき形成する。

【0102】

［工程－１１０］
次いで、ＣＶＤ法に基づき全面に下層層間絶縁層２６Ａを形成する。そして、トランジスタ２０の一方のソース／ドレイン領域２４の上方に位置する下層層間絶縁層２６Ａの部分に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき接続孔を形成し、接続孔を含む下層層間絶縁層２６Ａの上に金属層を、例えば、スパッタリング法に基づき形成し、更に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき金属層をパターニングすることで、コンタクトホール（コンタクトプラグ）２７Ａ及びパッド部２７Ｃを形成することができるし、パッド部２７Ｃとパッド部とを結ぶ配線（図示せず）を形成することができる。

【0103】

［工程－１２０］
そして、全面に上層層間絶縁層２６Ｂを形成し、所望のパッド部２７Ｃの上方に位置する上層層間絶縁層２６Ｂの部分に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき接続孔を形成し、接続孔を含む上層層間絶縁層２６Ｂの上に金属層を、例えば、スパッタリング法に基づき形成し、次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき金属層をパターニングすることで、基体２６の一部分の上に第１電極３１を形成することができる。第１電極３１は、各発光素子毎に分離されている。併せて、接続孔内に第１電極３１とトランジスタ２０とを電気的に接続するコンタクトホール（コンタクトプラグ）２７Ｂを形成することができる。

【0104】

［工程－１３０］
次に、例えば、ＣＶＤ法に基づき、全面に絶縁層２８を形成した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、第１電極３１と第１電極３１との間の基体２６の上に絶縁層２８を残す。

【0105】

［工程－１４０］
その後、第１電極３１及び絶縁層２８の上に、有機層３３を、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法といったＰＶＤ法、スピンコート法やダイコート法等のコーティング法等によって成膜する。場合によっては、有機層３３を所望の形状にパターニングしてもよい。

【0106】

［工程－１５０］
次いで、例えば真空蒸着法等に基づき、全面に第２電極３２を形成する。場合によっては、第２電極３２を所望の形状にパターニングしてもよい。このようにして、第１電極３１上に、有機層３３及び第２電極３２を形成することができる。

【0107】

［工程－１６０］
その後、塗布法に基づき、全面に保護層３４を形成した後、保護層３４の頂面を平坦化処理する。塗布法に基づき保護層３４を形成することができるので、加工プロセスの制約が少なく、材料選択幅が広く、高屈折率材料の使用が可能となる。その後、周知の方法で、保護層３４の上にカラーフィルタ層ＣＦ（ＣＦ_R，ＣＦ_G，ＣＦ_B）を形成する。

【0108】

［工程－１７０］
そして、カラーフィルタ層ＣＦの上に平坦化層３５を形成する。その後、平坦化層３５と第２基板４２とをアクリル系接着剤から成る封止樹脂層３６によって貼り合わせる。こうして、図１、図２に示した発光素子（有機ＥＬ素子）１２、実施例１の表示装置を得ることができる。このように、第２基板側にカラーフィルタ層ＣＦを設けるのではなく、第１基板側にカラーフィルタ層ＣＦを設ける、所謂ＯＣＣＦ型とすることで、有機層３３とカラーフィルタ層ＣＦとの間の距離を短くすることができる。

【0109】

実施例１の表示装置にあっては、第２発光素子及び第３発光素子を駆動するための第２駆動回路及び第３駆動回路が間引かれている。従って、発光素子全体の数に対する駆動回路全体の数の削減を図ることができる。即ち、駆動回路の形成ピッチを小さくすること無く、多くの発光素子を配設することが可能となり、発光素子の精細度を高めることが可能となる。あるいは又、駆動回路の密度を低下させることができ、これによって、表示装置の製造歩留りの向上、画質品位の向上、低製造コスト化を図ることができる。しかも、発光素子群の構成、構造は、従来の表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、表示装置の設計、製造等に関して、従来の表示装置からの大幅な変更をしなくてもよいし、発光素子群の配置・配列の如何を問わず、適用することができる。また、発光素子群と駆動回路とを高い自由度で組み合わせることが可能となる。尚、緑色は、赤色や青色よりも視認性が高い。従って、１つの発光素子群において、２つの緑色光発光素子を独立に駆動し、２つの赤色光発光素子を平均化されたデータ信号に基づき駆動し、２つの青色光発光素子を平均化されたデータ信号に基づき駆動しても、表示装置に表示される画像の画質に、特段、問題は生じない。

【0110】

以下、駆動部について説明するが、実施例１～実施例６における表示装置の全体の回路構成を示すブロック図を図２０に示し、図２０に示す表示装置に含まれる発光素子及び駆動回路の等価回路図を図２１に示し、図２１に示した副画素７６の動作説明に供するタイミングチャートを図２２に示す。

【0111】

表示装置７１は、画素アレイ部７２とこれを駆動する駆動部（７３，７４，７５）を備えている。

【0112】

画素アレイ部７２は、
第１の方向に延びる走査線ＷＳＬ₁₀₁～ＷＳＬ_10m、
第２の方向に延びる信号線（ＳＬ）ＤＴＬ₁₀₁～ＤＴＬ_10n、
走査線と信号線が交差する領域に配された副画素（ＰＸＬＣ）７６、及び、
第１の方向に沿って配列された副画素７６に対応して配された電源線ＤＳＬ₁₀₁～ＤＳＬ_10m、
を備えている。

【0113】

駆動部（７３，７４，７５）は、
各走査線ＷＳＬ₁₀₁～ＷＳＬ_10mに、順次、制御信号を供給して、副画素７６を行単位で線順次走査するライトスキャナ（主スキャナＷＳＣＮ）７４、
この線順次走査に合わせて、各電源線ＤＳＬ₁₀₁～ＤＳＬ_10mに対して第１電位及び第２電位に切り換わる電圧を供給する電源スキャナ（ＤＳＣＮ）７５、及び、
この線順次走査に合わせて、第２の方向に延びる信号線ＤＴＬ₁₀₁～ＤＴＬ_10nに画像信号となる信号電位（データ信号）と基準電位とを供給する水平セレクタ（信号セレクタＨＳＥＬ）７３、
を備えている。

【0114】

副画素７６は、有機ＥＬ素子で代表される発光素子１２、サンプリング用トランジスタ８１、駆動用トランジスタ８２、及び、保持容量８３を含む。

【0115】

サンプリング用トランジスタ８１のゲート部は走査線ＷＳＬ₁₀₁に接続されており、ソース／ドレイン領域の一方は信号線ＤＴＬ₁₀₁に接続されており、他方は駆動用トランジスタ８２のゲート部８２Ａに接続されている。駆動用トランジスタ８２の一方のソース／ドレイン領域８２Ｃは発光素子１２に接続されており、他方のソース／ドレイン領域８２Ｂは電源線ＤＳＬ₁₀₁に接続されている。発光素子１２の第２電極３２は接地配線８４に接続されている。接地配線８４は全ての副画素７６に対して共通に配線されている。保持容量８３の一端は、駆動用トランジスタ８２の一方のソース／ドレイン領域８２Ｃに接続されており、他端は駆動用トランジスタ８２のゲート部８２Ａに接続されている。

【0116】

サンプリング用トランジスタ８１は、走査線ＷＳＬ₁₀₁から供給された制御信号に応じて導通し、信号線ＤＴＬ₁₀₁から供給された信号電位をサンプリングして保持容量８３に保持させる。駆動用トランジスタ８２は、第１電位にある電源線ＤＳＬ₁₀₁から電流の供給を受け、保持容量８３に保持された信号電位に応じて駆動電流を発光素子１２に流す。電源スキャナ（ＤＳＣＮ）７５は、サンプリング用トランジスタ８１が導通した後であって、水平セレクタ（ＨＳＥＬ）７３が信号線ＤＴＬ₁₀₁に基準電位を供給している間に、電源線ＤＳＬ₁₀₁を第１電位と第２電位との間で切り替え、以て、駆動用トランジスタ８２の閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧を保持容量８３に保持させる。かかる閾値電圧補正機能により、表示装置７１は、副画素毎にばらつく駆動用トランジスタ８２の閾値電圧の影響をキャンセルすることができる。

【0117】

図２１に示した副画素７６は、上述した閾値電圧補正機能に加え、移動度補正機能を備えている。即ち、水平セレクタ（ＨＳＥＬ）７３は、サンプリング用トランジスタ８１が導通した後、第１のタイミングで信号線ＤＴＬ₁₀₁を基準電位から信号電位に切り換える一方、ライトスキャナ（ＷＳＣＮ）７４は、第１のタイミングの後、第２のタイミングで走査線ＷＳＬ₁₀₁に対する制御信号の印加を解除してサンプリング用トランジスタ８１を非道通状態とし、第１のタイミングと第２のタイミングとの間の期間を適切に設定することで、保持容量８３に信号電位を保持する際、駆動用トランジスタ８２の移動度μに対する補正を信号電位に加える。この場合、駆動部（７３，７４，７５）は、水平セレクタ７３が供給する画像信号とライトスキャナ７４が供給する制御信号との相対的な位相差を調整して、第１のタイミングと第２のタイミングとの間の期間（移動度補正期間）を最適化することができる。また、水平セレクタ７３は、基準電位から信号電位に切り換わる画像信号の立ち上がりに傾斜をつけて、第１のタイミングと第２のタイミングとの間の移動度補正期間を信号電位に自動的に追従させることもできる。

【0118】

そして、更に、ブートストラップ機能を備えている。即ち、ライトスキャナ（ＷＳＣＮ）７４は、保持容量８３に信号電位が保持された段階で、走査線ＷＳＬ₁₀₁に対する制御信号の印加を解除し、サンプリング用トランジスタ８１を非導通状態にして、駆動用トランジスタ８２のゲート部８２Ａを信号線ＤＴＬ₁₀₁から電気的に切り離し、以て、駆動用トランジスタ８２のソース電位Ｖ_sの変動にゲート電位Ｖ_gを連動させ、ゲート－ソース間電圧Ｖ_gsを一定に維持することができる。

【0119】

図２２は、図２１に示した副画素７６の動作説明に供するタイミングチャートである。時間軸を共通にして、走査線（ＷＳＬ₁₀₁）の電位変化、電源線（ＤＳＬ₁₀₁）の電位変化及び信号線（ＤＴＬ₁₀₁）の電位変化を表示している。また、これらの電位変化と併せて、駆動用トランジスタ８２のゲート電位Ｖ_g及びソース電位Ｖ_sの変化も表示している。

【0120】

このタイミングチャートは、副画素７６の動作の遷移に合わせて期間を（Ｂ）～（Ｇ）のように便宜的に区切ってある。発光期間（Ｂ）では発光素子１２が発光状態にある。発光期間（Ｂ）の後、線順次走査の新しいフィールドに入り、先ず、最初の期間（Ｃ）で、駆動用トランジスタ８２のゲート電位Ｖ_gが初期化される。次の期間（Ｄ）に進み、駆動用トランジスタ８２のソース電位Ｖ_sも初期化される。このように駆動用トランジスタ８２のゲート電位Ｖ_g及びソース電位Ｖ_sを初期化することで、閾値電圧補正動作の準備が完了する。続いて、閾値電圧補正期間（Ｅ）で実際に閾値電圧補正動作が行われ、駆動用トランジスタ８２のゲート部８２Ａと一方のソース／ドレイン領域８２Ｃとの間に閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧が保持される。実際には、閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧が、駆動用トランジスタ８２のゲート部８２Ａと一方のソース／ドレイン領域８２Ｃとの間に接続された保持容量８３に書き込まれる。その後、サンプリング期間／移動度補正期間（Ｆ）に進み、画像信号の信号電位Ｖ_inが閾値電圧Ｖ_thに足し込まれる形で保持容量８３に書き込まれると共に、移動度補正用の電圧ΔＶが保持容量８３に保持された電圧から差し引かれる。その後、発光期間（Ｇ）に進み、信号電位Ｖ_inに応じた輝度で発光素子が発光する。その際、信号電位Ｖ_inは閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧と移動度補正用の電圧ΔＶとによって調整されているため、発光素子１２の発光輝度は、駆動用トランジスタ８２の閾値電圧Ｖ_thや移動度μのばらつきの影響を受けることがない。尚、発光期間（Ｇ）の最初でブートストラップ動作が行われ、駆動用トランジスタ８２のゲート－ソース間電圧Ｖ_gs（＝Ｖ_in＋Ｖ_th－ΔＶ）を一定に維持したまま、駆動用トランジスタ８２のゲート電位Ｖ_g及びソース電位Ｖ_sが上昇する。

【0121】

以上、２つのトランジスタから駆動回路が構成された例を説明したが、駆動回路は、３のトランジスタ、４のトランジスタ、５つのトランジスタ、６つのトランジスタ等から構成された周知の回路構成とすることもできる。また、第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子の各駆動回路において、各種トランジスタ、保持容量の定数や仕様を同じとしてもよいし、発光素子毎に変えてもよい。

【0122】

［実施例２］
実施例２は、実施例１の変形であり、第２の形態の表示装置に関する。実施例２の表示装置における発光素子群の模式的な部分的平面図を図４Ａに示し、駆動回路の配置を模式的に図４Ｂ及び図４Ｃに示し、駆動回路及び信号線の配置を模式的に図５、図６Ａ及び図６Ｂに示す。尚、図４Ｂと図４Ｃでは、第２駆動回路と第３駆動回路の第２の方向に沿った配置が異なっている。

【0123】

実施例２の表示装置は、第２の方向に延びる第１信号線、第２の方向に延びる第２信号線、及び、第２の方向に延びる第３信号線を更に備えており、
各発光素子群１０において、発光素子ユニット１１は第２の方向に沿って配列されており、
第１駆動回路ＤＲ_G1，ＤＲ_G2、第２駆動回路ＤＲ_R12及び第３駆動回路ＤＲ_B12は第２の方向に沿って配列されており、
第１駆動回路の全てＤＲ_G1，ＤＲ_G2は、共有された１本の第１信号線ＳＬ_G12に接続されており、
第２駆動回路ＤＲ_R12及び第３駆動回路ＤＲ_B12は、共有された１本の第２信号線ＳＬ_R-B12に接続されている。

【0124】

一般に、表示装置を観察する観察者にあっては、表示装置の水平方向の視認性が高い。実施例２の表示装置にあっては、第２発光素子及び第３発光素子は、水平方向（図示した例では第１の方向）には従来の表示装置と同様に配列されている一方、垂直方向（図示した例では第２の方向）には２つの発光素子が同じ輝度の画像を表示する。一方、実施例１の表示装置にあっては、第２発光素子及び第３発光素子は、垂直方向（図示した例では第２の方向）には従来の表示装置と同様に配列されている一方、水平方向（図示した例では第１の方向）には２つの発光素子が同じ輝度の画像を表示する。従って、実施例２の表示装置の方が、実施例１の表示装置よりも、観察者にとってより高品位の画像を表示することができる。但し、信号線に関しては、実施例１の表示装置の方が実施例２の表示装置よりも簡素化を図ることができる。従って、これらを考慮して、実施例１の表示装置を採用するか、実施例２の表示装置を採用するかを決定すればよい。

【0125】

図６Ａ及び図６Ｂに、実施例２の表示装置における駆動回路及び信号線の配置の変形例を模式的に示す。図５に示した例にあっては、第２駆動回路ＤＲ_R12及び第３駆動回路ＤＲ_B12は、共有された１本の第２信号線ＳＬ_R-B12に接続されている。一方、図６Ａ及び図６Ｂに示す例では、第２駆動回路ＤＲ_R12は、１本の第２信号線ＳＬ_R12に接続されており、第３駆動回路ＤＲ_B12は、１本の第３信号線ＳＬ_B12に接続されている。図６Ａと図６Ｂとでは、第２信号線ＳＬ_R12と第３信号線ＳＬ_B12の配置関係が異なっている。

【0126】

以上の点を除き、実施例２の表示装置の構成、構造は、実施例１の表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。

【0127】

［実施例３］
実施例３の実施例１の変形である。実施例３の表示装置における発光素子群の模式的な部分的平面図を図７Ａに示し、駆動回路の配置を模式的に図７Ｂ、図７Ｃ及び図７Ｄに示す。実施例３の第１の形態の表示装置にあっては、各発光素子ユニットにおいて、第１発光素子１２Ｇ₁，１２Ｇ₂、第２発光素子１２Ｒ₁，１２Ｒ₂及び第３発光素子１２Ｂ₁，１２Ｂ₂の配列は、ストライプ配列である。図７Ｂに示す駆動回路ＤＲ_G1，ＤＲ_G2，ＤＲ_R12，ＤＲ_B12の配置は、図１Ｂに示した実施例１の表示装置と同様であるし、図７Ｃ、図７Ｄに示す駆動回路ＤＲ_G1，ＤＲ_G2，ＤＲ_R12，ＤＲ_B12の配置は、実質的に、図４Ｂ及び図４Ｃに示した実施例２の表示装置と同様である。

【0128】

以上の点を除き、実施例３の表示装置の構成、構造は、実施例１の表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。

【0129】

［実施例４］
実施例４は、実施例１～実施例３の変形である。実施例４の表示装置における発光素子群１０の模式的な部分的平面図を図８Ａに示し、駆動回路の配置を模式的に図８Ｂに示す。実施例４の第１の形態の表示装置にあっては、各発光素子群１０において、第１発光素子１２Ｇの数をＭ₁、第２発光素子１２Ｒの数をＭ₂、第３発光素子１２Ｂの数をＭ₃、第１駆動回路の数をＮ₁、第２駆動回路の数をＮ₂、第３駆動回路の数をＮ₃としたとき、
Ｍ₁＝Ｍ₂＝Ｍ₃＝４
Ｎ₁＝４
Ｎ₂＝２
Ｎ₃＝１
を満足する。ここで、第１信号線の数をＳＬ₁、第２信号線の数をＳＬ数をＳＬ₂、第３信号線の数をＳＬ₃としたとき、
Ｎ₁＝ＳＬ₁＝４
Ｎ₂＝ＳＬ₂＝２
Ｎ₃＝ＳＬ₃＝１
の関係にある。

【0130】

即ち、実施例４の発光素子群（１画素）は４つの発光素子ユニット（副画素）から構成されている。具体的には、
第１の発光素子ユニット１１₁は、発光素子１２Ｇ₁，１２Ｒ₁，１２Ｂ₁から構成されており、
第２の発光素子ユニット１１₂は、発光素子１２Ｇ₂，１２Ｒ₂，１２Ｂ₂から構成されており、
第３の発光素子ユニット１１₃は、発光素子１２Ｇ₃，１２Ｒ₃，１２Ｂ₃から構成されており、
第４の発光素子ユニット１１₄は、発光素子１２Ｇ₄，１２Ｒ₄，１２Ｂ₄から構成されている。

【0131】

実施例４の表示装置にあっても、各発光素子ユニット１１において、第１発光素子１２Ｇ、第２発光素子１２Ｒ及び第３発光素子１２Ｂの配列を、デルタ配列とした。

【0132】

そして、実施例４の表示装置は、第２の方向に延びる第１信号線ＳＬ₁、第２の方向に延びる第２信号線ＳＬ₂、及び、第２の方向に延びる第３信号線ＳＬ₃を備えており、
各発光素子群１０において、発光素子ユニット１１は第１の方向に沿って配列されており、
第１駆動回路ＤＲ_G1，ＤＲ_G2，ＤＲ_G3，ＤＲ_G4、第２駆動回路ＤＲ_R12，ＤＲ_R34、第３駆動回路ＤＲ_B1234は第１の方向に沿って配列されており、
第１駆動回路ＤＲ_G1は、第１信号線ＳＬ₁に接続されており、
第１駆動回路ＤＲ_G2は、第１信号線ＳＬ₂に接続されており、
第１駆動回路ＤＲ_G3は、第１信号線ＳＬ₃に接続されており、
第１駆動回路ＤＲ_G4は、第１信号線ＳＬ₄に接続されており、
第２駆動回路ＤＲ_R12は、第２信号線（第１信号線ＳＬ₁と共用されている）に接続されており、
第２駆動回路ＤＲ_R34は、第２信号線（第１信号線ＳＬ₃と共用されている）に接続されており、
第３駆動回路ＤＲ_B1234は、第３信号線（第１信号線ＳＬ₂と共用されている）に接続されている。

【0133】

尚、第１信号線ＳＬ_G4は、隣接する発光素子群を構成する第１駆動回路ＤＲ_G4が接続された第１信号線ＳＬ_G4と共用されている。

【0134】

そして、
第２駆動回路ＤＲ_R12には、２つの第２発光素子１２Ｒ₁，１２Ｒ₂のそれぞれに対する信号が階調平均された信号が供給され、
第２駆動回路ＤＲ_R34には、２つの第２発光素子１２Ｒ₃，１２Ｒ₄のそれぞれに対する信号が階調平均された信号が供給され、
第３駆動回路ＤＲ_B1234には、４つの第３発光素子１２Ｂ₁，１２Ｂ₂，１２Ｂ₃，１２Ｂ₄のそれぞれに対する信号が階調平均された信号が供給される。

【0135】

具体的には、水平セレクタから、
第１信号線ＳＬ₁を介して、第１発光素子１２Ｇ₁の輝度を制御するデータ信号が第１駆動回路ＤＲ_G1に送られ、第１発光素子１２Ｇ₁の輝度制御がなされ、
第１信号線ＳＬ₂を介して、第１発光素子１２Ｇ₂の輝度を制御するデータ信号が第１駆動回路ＤＲ_G2に送られ、第１発光素子１２Ｇ₂の輝度制御がなされ、
第１信号線ＳＬ₃を介して、第１発光素子１２Ｇ₃の輝度を制御するデータ信号が第１駆動回路ＤＲ_G3に送られ、第１発光素子１２Ｇ₃の輝度制御がなされ、
第１信号線ＳＬ₄を介して、第１発光素子１２Ｇ₄の輝度を制御するデータ信号が第１駆動回路ＤＲ_G4に送られ、第１発光素子１２Ｇ₄の輝度制御がなされる。

【0136】

また、水平セレクタにおいて、
第２発光素子１２Ｒ₁の輝度を制御するデータ信号ＤＴ_R1及び第２発光素子１２Ｒ₂の輝度を制御するデータ信号ＤＴ_R2が、前述したと同様にして階調平均Ｔ_R12に基づき求められ、第２信号線を介して、第２駆動回路ＤＲ_R12に送られ、第２発光素子１２Ｒ₁，１２Ｒ₂の輝度制御がなされ、
第２発光素子１２Ｒ₃の輝度を制御するデータ信号ＤＴ_R3及び第２発光素子１２Ｒ₄の輝度を制御するデータ信号ＤＴ_R4が、前述したと同様にして階調平均Ｔ_R34に基づき求められ、第２信号線を介して、第２駆動回路ＤＲ_R34に送られ、第２発光素子１２Ｒ₃，１２Ｒ₄の輝度制御がなされる。

【0137】

更には、水平セレクタにおいて、第３発光素子１２Ｂ₁の輝度を制御するデータ信号ＤＴ_B1、第３発光素子１２Ｂ₂の輝度を制御するデータ信号ＤＴ_B2、第３発光素子１２Ｂ₃の輝度を制御するデータ信号ＤＴ_B3、第３発光素子１２Ｂ₄の輝度を制御するデータ信号ＤＴ_B4が、前述したと同様にして階調平均Ｔ_B1234に基づき求められ、第３信号線を介して、第３駆動回路ＤＲ_B1234に送られ、第３発光素子１２Ｂ₁，１２Ｂ₂，１２Ｂ₃，１２Ｂ₄の輝度制御がなされる。

【0138】

以上の点を除き、実施例４の表示装置の構成、構造は、実施例１の表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。尚、発光素子の配列をストライプ配列とすることもできるし、表示装置を第２の形態の表示装置とすることもできる。

【0139】

［実施例５］
実施例５も、実施例１～実施例３の変形である。実施例５の第１の形態の表示装置における発光素子群の模式的な部分的平面図を図９Ａに示し、駆動回路の配置を模式的に図９Ｂに示す。

【0140】

実施例５の表示装置（第１の形態の表示装置）において、
各発光素子ユニット１１は、更に、第４の色を出射する１つの第４発光素子１２Ｗ₁，１２Ｗ₂を有しており、
各発光素子群１０は、更に、第４発光素子１２Ｗ₁，１２Ｗ₂を駆動する第４駆動回路ＤＲ_W1，ＤＲ_W2を備えており、
各発光素子群１０において、第４駆動回路ＤＲ_W1，ＤＲ_W2の数は、第４発光素子１２Ｗ₁，１２Ｗ₂の数と等しいか、それ以下の数である。具体的には、実施例５にあっては、等しい。そして、第１の色は緑色であり、第２の色は赤色であり、第３の色は青色であり、第４の色は白色である形態とすることができる。

【0141】

実施例５の表示装置の変形例（第２の形態の表示装置）における発光素子群の模式的な部分的平面図を図１０Ａに示し、駆動回路の配置を模式的に図１０Ｂに示す。

【0142】

以上の点を除き、実施例５の表示装置の構成、構造は、実施例１あるいは実施例２の表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。尚、発光素子の配列をストライプ配列とすることもできるし、表示装置を第２の形態の表示装置とすることもできる。

【0143】

［実施例６］
実施例６においては、実施例１～実施例５において説明した表示装置を、頭部装着型ディスプレイ（ＨＭＤ）に適用した。実施例６の頭部装着型ディスプレイを構成する画像表示装置の概念図を図１５に示し、実施例６の頭部装着型ディスプレイを上方から眺めた模式図を図１６に示し、正面から眺めた模式図を図１７に示し、側方から眺めた模式図を図１８Ａに示す。また、実施例６の表示装置における反射型体積ホログラム回折格子の一部を拡大して示す模式的な断面図を図１８Ｂに示す。

【0144】

実施例６の画像表示装置１００は、
実施例１～実施例５において説明した表示装置１１１から成る画像形成装置１１０、
導光板１２１、
導光板１２１に取り付けられた第１偏向手段１３１、及び、
導光板１２１に取り付けられた第２偏向手段１３２、
を備えている。そして、
画像形成装置１１０からの光は、第１偏向手段１３１において偏向され（あるいは反射され）、導光板１２１の内部を全反射により伝播し、第２偏向手段１３２において偏向され、観察者１５０の瞳１５１に向けて出射される。

【0145】

導光板１２１及び第２偏向手段１３２から構成された系は、半透過型（シースルー型）である。

【0146】

実施例６の頭部装着型ディスプレイは、
（Ａ）観察者１５０の頭部に装着されるフレーム１４０（例えば、眼鏡型のフレーム１４０）、並びに、
（Ｂ）フレーム１４０に取り付けられた画像表示装置１００、
を備えている。尚、実施例６の頭部装着型ディスプレイを、具体的には、２つの画像表示装置を備えた両眼型としたが、１つ備えた片眼型としてもよい。画像表示装置１００は、フレーム１４０に、固定して取り付けられていてもよいし、着脱自在に取り付けられていてもよい。頭部装着型ディスプレイは、例えば、観察者１５０の瞳１５１に、直接、画像を描画する直描タイプの頭部装着型ディスプレイである。

【0147】

導光板１２１は、画像形成装置１１０からの光が入射する第１面１２２、及び、第１面１２２と対向する第２面１２３を有している。即ち、光学ガラスやプラスチック材料から成る導光板１２１は、導光板１２１の内部全反射による光伝播方向（ｘ方向）と平行に延びる２つの平行面（第１面１２２及び第２面１２３）を有している。第１面１２２と第２面１２３とは対向している。そして、第１偏向手段１３１は、導光板１２１の第２面１２３上に配置されており（具体的には、貼り合わされており）、第２偏向手段１３２は、導光板１２１の第２面１２３上に配置されている（具体的には、貼り合わされている）。

【0148】

第１偏向手段（第１回折格子部材）１３１は、ホログラム回折格子、具体的には、反射型体積ホログラム回折格子から成り、第２偏向手段（第２回折格子部材）１３２も、ホログラム回折格子、具体的には、反射型体積ホログラム回折格子から成る。第１偏向手段１３１を構成するホログラム回折格子の内部には第１の干渉縞が形成されており、第２偏向手段１３２を構成するホログラム回折格子の内部には第２の干渉縞が形成されている。

【0149】

第１偏向手段１３１は、第２面１２３から導光板１２１に入射された平行光が導光板１２１の内部で全反射されるように、回折反射する。第２偏向手段１３２は、導光板１２１の内部を全反射により伝播した光を回折反射し、観察者１５０の瞳１５１へと導く。第２偏向手段１３２によって導光板１２１における虚像形成領域が構成される。第１偏向手段１３１及び第２偏向手段１３２の軸線はｘ方向と平行であり、法線はｚ方向と平行である。フォトポリマー材料から成る各反射型体積ホログラム回折格子には、１種類の波長帯域（あるいは、波長）に対応する干渉縞が形成されており、従来の方法で作製されている。反射型体積ホログラム回折格子に形成された干渉縞のピッチは一定であり、干渉縞は直線状であり、ｙ方向に平行である。

【0150】

図１８Ｂに反射型体積ホログラム回折格子の拡大した模式的な一部断面図を示す。反射型体積ホログラム回折格子には、傾斜角（スラント角）φを有する干渉縞が形成されている。ここで、傾斜角φとは、反射型体積ホログラム回折格子の表面と干渉縞の成す角度を指す。干渉縞は、反射型体積ホログラム回折格子の内部から表面に亙り、形成されている。干渉縞は、ブラッグ条件を満たしている。ここで、ブラッグ条件とは、以下の式（Ａ）を満足する条件を指す。式（Ａ）中、ｍは正の整数、λは波長、ｄは格子面のピッチ（干渉縞を含む仮想平面の法線方向の間隔）、Θは干渉縞へ入射する角度の余角を意味する。また、入射角ψにて回折格子部材に光が侵入した場合の、Θ、傾斜角φ、入射角ψの関係は、式（Ｂ）のとおりである。

【0151】

ｍ・λ＝２・ｄ・ｓｉｎ（Θ） （Ａ）
Θ＝９０°－（φ＋ψ） （Ｂ）

【0152】

実施例６において、画像形成装置１１０を構成する表示装置１１１は実施例１の表示装置から構成されるが、これに限定するものではない。画像形成装置１１０の全体は筐体１１２内に納められている。尚、表示装置１１１から出射された画像の表示寸法、表示位置等を制御するために表示装置１１１から出射された画像が通過する光学系を配置してもよい。如何なる光学系を配置するかは、頭部装着型ディスプレイや画像形成装置１１０に要求される仕様に依存する。１つの表示装置１１１から両眼に画像を送出する形式の頭部装着型ディスプレイや画像形成装置にあっては、実施例１～実施例５の表示装置を採用すればよい。

【0153】

フレーム１４０は、観察者１５０の正面に配置されるフロント部１４１と、フロント部１４１の両端に蝶番１４２を介して回動自在に取り付けられた２つのテンプル部１４３と、各テンプル部１４３の先端部に取り付けられたモダン部（先セル、耳あて、イヤーパッドとも呼ばれる）１４４から成る。また、ノーズパッド１４０’が取り付けられている。即ち、フレーム１４０及びノーズパッド１４０’の組立体は、基本的には、通常の眼鏡と略同じ構造を有する。更には、各筐体１１２が、取付け部材１４９によってテンプル部１４３に取り付けられている。フレーム１４０は、金属又はプラスチックから作製されている。尚、各筐体１１２は、取付け部材１４９によってテンプル部１４３に着脱自在に取り付けられていてもよい。また、眼鏡を所有し、装着している観察者に対しては、観察者の所有する眼鏡のフレーム１４０のテンプル部１４３に、各筐体１１２を取付け部材１４９によって着脱自在に取り付けてもよい。各筐体１１２を、テンプル部１４３の外側に取り付けてもよいし、テンプル部１４３の内側に取り付けてもよい。あるいは又、フロント部１４１に備えられたリムに、導光板１２１を嵌め込んでもよい。

【0154】

更には、一方の画像形成装置１１０から延びる配線（信号線や電源線等）１４５が、テンプル部１４３、及び、モダン部１４４の内部を介して、モダン部１４４の先端部から外部に延び、制御装置（制御回路、制御手段）１４８に接続されている。更には、各画像形成装置１１０はヘッドホン部１４６を備えており、各画像形成装置１１０から延びるヘッドホン部用配線１４６’が、テンプル部１４３、及び、モダン部１４４の内部を介して、モダン部１４４の先端部からヘッドホン部１４６へと延びている。ヘッドホン部用配線１４６’は、より具体的には、モダン部１４４の先端部から、耳介（耳殻）の後ろ側を回り込むようにしてヘッドホン部１４６へと延びている。このような構成にすることで、ヘッドホン部１４６やヘッドホン部用配線１４６’が乱雑に配置されているといった印象を与えることがなく、すっきりとした頭部装着型ディスプレイとすることができる。

【0155】

配線（信号線や電源線等）１４５は、上述したとおり、制御装置（制御回路）１４８に接続されており、制御装置１４８において画像表示のための処理がなされる。制御装置１４８は周知の回路から構成することができる。

【0156】

フロント部１４１の中央部分１４１’に、必要に応じて、ＣＣＤあるいはＣＭＯＳセンサから成る固体撮像素子とレンズ（これらは図示せず）とから構成されたカメラ１４７が、適切な取付部材（図示せず）によって取り付けられている。カメラ１４７からの信号は、カメラ１４７から延びる配線（図示せず）を介して制御装置（制御回路）１４８に送出される。

【0157】

実施例６の画像表示装置にあっては、或る瞬間に表示装置１１１から出射された光（例えば、１画素分あるいは１副画素分の大きさに相当する）は、平行光とされる。そして、この光は、観察者１５０の瞳１５１（具体的には、水晶体）に到達し、水晶体を通過した光は、最終的に、観察者１５０の瞳１５１の網膜において結像する。

【0158】

あるいは又、頭部装着型ディスプレイは、例えば、直接、画像（光束）を観察者の網膜に投影することにより画像を表示する、マクスウェル視に基づく網膜投影型ディスプレイ、具体的には網膜投影型ヘッドマウントディスプレイとすることもできる。

【0159】

以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した表示装置（有機ＥＬ表示装置）、発光素子（有機ＥＬ素子）の構成、構造の構成は例示であり、適宜、変更することができるし、表示装置の製造方法も例示であり、適宜、変更することができる。表示装置として、有機ＥＬ表示装置の他、液晶表示装置を挙げることもできる。実施例においては、駆動回路をＭＯＳＦＥＴから構成したが、ＴＦＴから構成することもできる。第１電極や第２電極を、単層構造としてもよいし、多層構造としてもよい。

【0160】

第１発光素子１２Ｇの発光部の大きさを、第２発光素子１２Ｒの発光部の大きさ及び第３発光素子１２Ｂの発光部の大きさよりも大きくしてもよい。即ち、第１発光素子１２Ｇの発光領域の大きさを、第２発光素子１２Ｒの発光領域の大きさ及び第３発光素子１２Ｂの発光領域の大きさよりも大きくしてもよい。

【0161】

発光素子のそれぞれを、有機層が赤色を生じさせる赤色光発光素子１２Ｒ、有機層が緑色を生じさせる緑色光発光素子１２Ｇ、有機層が青色を生じさせる青色光発光素子１２Ｂから構成し、これらの３種類の発光素子を発光素子ユニット（１画素）を組み合わせることもできる。尚、この場合、カラーフィルタ層を省略してもよいし、色純度向上のためにカラーフィルタ層を設けてもよい。

【0162】

実施例１の表示装置の変形例－１の模式的な一部断面図を図１１に示すように、発光部３０から出射された光が通過するレンズ部材（オンチップマイクロレンズ）５０を、発光部３０の上方の保護層３４の部分に設けてもよい。

【0163】

また、実施例１の表示装置の変形例－２の模式的な一部断面図を図１２に示すように、第１基板４１と対向する第２基板４２の内面上に、カラーフィルタ層ＣＦ（ＣＦ_R，ＣＦ_G，ＣＦ_B）を設けてもよい。カラーフィルタ層ＣＦと平坦化層３５とは、アクリル系接着剤から成る封止樹脂層３６によって貼り合わされている。平坦化層３５を省略し、封止樹脂層３６によってカラーフィルタ層ＣＦと保護層３４とを貼り合わせてもよい。

【0164】

更には、実施例１の表示装置の変形例－３の模式的な一部断面図を図１３に示すように、隣接する発光素子のカラーフィルタ層ＣＦの間には光吸収層（ブラックマトリクス層）ＢＭが形成されている形態とすることができる。ブラックマトリクス層ＢＭは、例えば、黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜（具体的には、例えば、黒色のポリイミド系樹脂）から成る。

【0165】

また、実施例１の表示装置の変形例－４の模式的な一部断面を図１４に示すように、隣接する発光素子のカラーフィルタ層ＣＦの間の上方には光吸収層（ブラックマトリクス層）ＢＭ’が形成されている形態とすることもできる。また、これらの変形例－３及び変形例－４を組み合わせることもできるし、これらの各種の変形例あるいは変形例の組合せを他の実施例に適用することもできる。

【0166】

平坦化層がカラーフィルタ層としての機能を有する形態とすることもできる。即ち、このような機能を有する平坦化層を、周知のカラーレジスト材料から構成すればよい。このように平坦化層をカラーフィルタ層としても機能させることで、有機層と平坦化層とを近接して配置することが可能となり、発光素子から出射する光を広角化させても混色の防止を効果的に図ることができ、視野角特性が向上する。

【0167】

或る発光素子に隣接した発光素子に、或る発光素子から出射した光が侵入し、光学的クロストークが発生することを防止するために、発光素子と発光素子との間に遮光部を設けてもよい。即ち、発光素子と発光素子との間に溝部を形成し、この溝部を遮光材料で埋め込んで遮光部を形成してもよい。このように遮光部を設ければ、或る発光素子から出射した光が隣接発光素子に侵入する割合を低減させることができ、混色が発生し、画素全体の色度が所望の色度からずれてしまうといった現象の発生を抑制することができる。そして、混色を防止することができるので、画素を単色発光させたときの色純度が増加し、色度点が深くなる。それ故、色域が広くなり、表示装置の色表現の幅が広がる。また、色純度を向上させるため各画素に対してカラーフィルタ層を配置しているが、発光素子の構成に依っては、カラーフィルタ層の薄膜化若しくはカラーフィルタ層の省略が可能となり、カラーフィルタ層で吸収されていた光を取り出すことが可能となり、結果として発光効率の向上につながる。あるいは又、光吸収層（ブラックマトリクス層）に遮光性を付与してもよい。

【0168】

発光部から出射された光の進行方向を制御する導光部（光反射部、リフレクター部）を備えていてもよい。導光部は、具体的には、発光部から出射された光を反射する材料から構成すればよく、例えば、金属材料や合金材料、発光部から出射された光が通過する媒質の屈折率よりも小さな屈折率を有する誘電体材料（絶縁材料）や誘電体材料の多層構成を挙げることができる。具体的には、金属材料や合金材料として、例えば、アルミニウム（Ａｌ）層、アルミニウム合金層（例えば、Ａｌ－Ｎｄ層）、クロム（Ｃｒ）層、銀（Ａｇ）層、銀合金層（例えば、Ａｇ－Ｃｕ層、Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ層、Ａｇ－Ｓｍ－Ｃｕ層）を挙げることができ、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等によって形成することができる。導光部の光反射部の形状として、例えば、円筒形の側面を挙げることができる。

【0169】

本開示の表示装置をレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラに適用することができる。デジタルスチルカメラの正面図を図１９Ａに示し、背面図を図１９Ｂに示す。このレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラは、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）２１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）２１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部２１３を有している。そして、カメラ本体部２１１の背面略中央にはモニタ２１４が設けられている。モニタ２１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）２１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ２１５を覗くことによって、撮影レンズユニット２１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。このような構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラにおいて、電子ビューファインダ２１５として本開示の表示装置を用いることができる。

【0170】

共振器構造を設ける場合、第１電極３１よりも下方に（第１基板４１側に）光反射層３７を形成してもよい。即ち、基体２６の上に光反射層３７を設け、光反射層３７を覆う層間絶縁膜３８の上に第１電極３１を設ける場合、第１電極３１、光反射層３７、層間絶縁膜３８を、前述した材料から構成すればよい。光反射層３７は、コンタクトホール（コンタクトプラグ）２７に接続されていてもよいし、接続されていなくともよい。

【0171】

以下、図２７Ａ（第１例）、図２７Ｂ（第２例）、図２８Ａ（第３例）、図２８Ｂ（第４例）、図２９Ａ（第５例）、図２９Ｂ（第６例）、図３０Ａ（第７例）、並びに、図３０Ｂ及び図３０Ｃ（第８例）を参照して、第１例～第８例に基づき共振器構造について説明する。ここで、第１例～第４例、第７例において、第１電極及び第２電極は、各発光部において同じ厚さを有する。一方、第５例～第６例において、第１電極は、各発光部において異なる厚さを有し、第２電極は、各発光部において同じ厚さを有する。また、第８例において、第１電極は、各発光部において異なる厚さを有する場合もあるし、同じ厚さを有する場合もあり、第２電極は、各発光部において同じ厚さを有する。

【0172】

尚、以下の説明において、第１発光素子１２₁、第２発光素子１２₂及び第３発光素子１２₃を構成する発光部を参照番号３０₁，３０₂，３０₃で表し、第１電極を参照番号３１₁，３１₂，３１₃で表し、第２電極を参照番号３２₁，３２₂，３２₃で表し、有機層を参照番号３３₁，３３₂，３３₃で表し、光反射層を参照番号３７₁、３７₂、３７₃で表し、層間絶縁膜を参照番号３８₁，３８₂，３８₃，３８₁’，３８₂’，３８₃’で表す。以下の説明において、使用する材料は例示であり、適宜、変更することができる。

【0173】

図示した例では、式（１－１）及び式（１－２）から導かれる第１発光素子１２₁、第２発光素子１２₂及び第３発光素子１２₃の共振器長を、第１発光素子１２₁、第２発光素子１２₂、第３発光素子１２₃の順で短くしたが、これに限定するものではなく、ｍ₁，ｍ₂の値を、適宜、設定することで最適な共振器長を決定すればよい。

【0174】

共振器構造の第１例を有する発光素子の概念図を図２７Ａに示し、共振器構造の第２例を有する発光素子の概念図を図２７Ｂに示し、共振器構造の第３例を有する発光素子の概念図を図２８Ａに示し、共振器構造の第４例を有する発光素子の概念図を図２８Ｂに示す。第１例～第６例、第８例の一部において、発光部３０の第１電極３１の下に層間絶縁膜３８，３８’が形成されており、層間絶縁膜３８，３８’の下に光反射層３７が形成されている。第１例～第４例において、層間絶縁膜３８，３８’の厚さは、発光部３０₁，３０₂，３０₃において異なる。そして、層間絶縁膜３８₁，３８₂，３８₃，３８₁’，３８₂’，３８₃’の厚さを適切に設定することで、発光部３０の発光波長に対して最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。

【0175】

第１例では、発光部３０₁，３０₂，３０₃において、第１界面（図面においては、点線で示す）は同じレベルとされる一方、第２界面（図面においては、一点鎖線で示す）のレベルは、発光部３０₁，３０₂，３０₃において異なる。また、第２例では、発光部３０₁，３０₂，３０₃において、第１界面は異なるレベルとされる一方、第２界面のレベルは、発光部３０₁，３０₂，３０₃において同じである。

【0176】

第２例において、層間絶縁膜３８₁’，３８₂’，３８₃’は、光反射層３７の表面が酸化された酸化膜から構成されている。酸化膜から成る層間絶縁膜３８’は、光反射層３７を構成する材料に依存して、例えば、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、チタン酸化物、マグネシウム酸化物、ジルコニウム酸化物等から構成される。光反射層３７の表面の酸化は、例えば、以下の方法で行うことができる。即ち、容器の中に充填された電解液中に、光反射層３７が形成された第１基板４１を浸漬する。また、光反射層３７と対向するように陰極を配置する。そして、光反射層３７を陽極として、光反射層３７を陽極酸化する。陽極酸化による酸化膜の膜厚は、陽極である光反射層３７と陰極との電位差に比例する。それ故、光反射層３７₁、３７₂、３７₃のそれぞれに発光部３０₁，３０₂，３０₃に応じた電圧を印加した状態で陽極酸化を行う。これによって、厚さの異なる酸化膜から成る層間絶縁膜３８₁’，３８₂’，３８₃’を、一括して、光反射層３７の表面に形成することができる。光反射層３７₁、３７₂、３７₃の厚さ、層間絶縁膜３８₁’，３８₂’，３８₃’の厚さは、発光部３０₁，３０₂，３０₃によって異なる。

【0177】

第３例にあっては、光反射層３７の下に下地膜３９が配設されており、下地膜３９は、発光部３０₁，３０₂，３０₃において、異なる厚さを有する。即ち、図示した例では、発光部３０₁、発光部３０₂、発光部３０₃の順に、下地膜３９の厚さは厚い。

【0178】

第４例にあっては、成膜時の光反射層３７₁，３７₂，３７₃の厚さが、発光部３０₁，３０₂，３０₃において異なる。第３例～第４例では、発光部３０₁，３０₂，３０₃において、第２界面は同じレベルとされる一方、第１界面のレベルは、発光部３０₁，３０₂，３０₃において異なる。

【0179】

第５例～第６例においては、第１電極３１₁，３１₂，３１₃の厚さが、発光部３０₁，３０₂，３０₃において異なる。光反射層３７は各発光部３０において同じ厚さを有する。

【0180】

第５例において、第１界面のレベルは、発光部３０₁，３０₂，３０₃において同じである一方、第２界面のレベルは、発光部３０₁，３０₂，３０₃において異なる。

【0181】

第６例においては、光反射層３７の下に下地膜３９が配設されており、下地膜３９は、発光部３０₁，３０₂，３０₃において、異なる厚さを有する。即ち、図示した例では、発光部３０₁、発光部３０₂、発光部３０₃の順に、下地膜３９の厚さは厚い。第６例では、発光部３０₁，３０₂，３０₃において、第２界面は同じレベルとされる一方、第１界面のレベルは、発光部３０₁，３０₂，３０₃において異なる。

【0182】

第７例において、第１電極３１₁，３１₂，３１₃は光反射層を兼ねており、第１電極３１₁，３１₂，３１₃を構成する材料の光学定数（具体的には、位相シフト量）が、発光部３０₁，３０₂，３０₃によって異なる。例えば、発光部３０₁の第１電極３１₁を銅（Ｃｕ）から構成し、発光部３０₂の第１電極３１₂と発光部３０₃の第１電極３１₃をアルミニウム（Ａｌ）から構成すればよい。

【0183】

また、第８例において、第１電極３１₁，３１₂は光反射層を兼ねており、第１電極３１₁，３１₂を構成する材料の光学定数（具体的には、位相シフト量）が、発光部３０₁，３０₂によって異なる。例えば、発光部３０₁の第１電極３１₁を銅（Ｃｕ）から構成し、発光部３０₂の第１電極３１₂と発光部３０₃の第１電極３１₃をアルミニウム（Ａｌ）から構成すればよい。第８例では、例えば、発光部３０₁，３０₂に第７例を適用し、発光部３０₃に第１例を適用している。第１電極３１₁，３１₂，３１₃の厚さは、異なっていてもよいし、同じであってよい。

【0184】

尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《表示装置》
複数の発光素子群が、第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に配列された表示装置であって、
各発光素子群は、複数の発光素子ユニットから構成されており、
各発光素子ユニットは、第１の色を出射する１つの第１発光素子、第２の色を出射する１つの第２発光素子、及び、第３の色を出射する１つの第３発光素子から構成されており、
各発光素子群は、第１発光素子を駆動する第１駆動回路、第２発光素子を駆動する第２駆動回路、及び、第３発光素子を駆動する第３駆動回路を備えており、
各発光素子群において、第１駆動回路の数は第１発光素子の数と等しく、第２駆動回路の数は第２発光素子の数よりも少なく、第３駆動回路の数は第３発光素子の数よりも少ない表示装置。
［Ａ０２］第２の方向に延びる第１信号線、第２の方向に延びる第２信号線、及び、第２の方向に延びる第３信号線を更に備えており、
各発光素子群において、発光素子ユニットは第１の方向に沿って配列されており、
第１駆動回路、第２駆動回路及び第３駆動回路は第１の方向に沿って配列されており、
第１駆動回路のそれぞれは、第１信号線のそれぞれに接続されており、
第２駆動回路のそれぞれは、第２信号線のそれぞれに接続されており、
第３駆動回路のそれぞれは、第３信号線のそれぞれに接続されている［Ａ０１］に記載の表示装置。
［Ａ０３］第２の方向に延びる第１信号線、第２の方向に延びる第２信号線、及び、第２の方向に延びる第３信号線を更に備えており、
各発光素子群において、発光素子ユニットは第２の方向に沿って配列されており、
第１駆動回路、第２駆動回路及び第３駆動回路は第２の方向に沿って配列されており、
第１駆動回路の全ては、共有された１本の第１信号線に接続されており、
第２駆動回路及び第３駆動回路は、共有された１本の第２信号線に接続されている［Ａ０１］に記載の表示装置。
［Ａ０４］各発光素子群において、第１発光素子の数をＭ₁、第２発光素子の数をＭ₂、第３発光素子の数をＭ₃、第１駆動回路の数をＮ₁、第２駆動回路の数をＮ₂、第３駆動回路の数をＮ₃としたとき、
Ｍ₁＝Ｍ₂＝Ｍ₃＝２
Ｎ₁＝２
Ｎ₂＝Ｎ₃＝１
を満足する［Ａ０１］乃至［Ａ０３］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ０５］第２駆動回路には、２つの第２発光素子のそれぞれに対する信号が階調平均された信号が供給され、
第３駆動回路には、２つの第３発光素子のそれぞれに対する信号が階調平均された信号が供給される［Ａ０４］に記載の表示装置。
［Ａ０６］各発光素子群において、第１発光素子の数をＭ₁、第２発光素子の数をＭ₂、第３発光素子の数をＭ₃、第１駆動回路の数をＮ₁、第２駆動回路の数をＮ₂、第３駆動回路の数をＮ₃としたとき、
Ｍ₁＝Ｍ₂＝Ｍ₃＝４
Ｎ₁＝４
Ｎ₂＝２
Ｎ₃＝１
を満足する［Ａ０２］に記載の表示装置。
［Ａ０７］第２駆動回路には、２つの第２発光素子のそれぞれに対する信号が階調平均された信号が供給され、
第３駆動回路には、４つの第３発光素子のそれぞれに対する信号が階調平均された信号が供給される［Ａ０６］に記載の表示装置。
［Ａ０８］各発光素子ユニットにおいて、第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子の配列は、デルタ配列である［Ａ０１］乃至［Ａ０７］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ０９］各発光素子ユニットにおいて、第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子の配列は、ストライプ配列である［Ａ０１］乃至［Ａ０７］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１０］第１の色は緑色であり、第２の色は赤色であり、第３の色は青色である［Ａ０１］乃至［Ａ０９］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１１］各発光素子ユニットは、更に、第４の色を出射する１つの第４発光素子を有しており、
各発光素子群は、更に、第４発光素子を駆動する第４駆動回路を備えており、
各発光素子群において、第４駆動回路の数は、第４発光素子の数と等しいか、それ以下の数である［Ａ０１］乃至［Ａ１０］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１２］第１の色は緑色であり、第２の色は赤色であり、第３の色は青色であり、第４の色は白色である［Ａ１１］に記載の表示装置。
［Ａ１３］第１発光素子の発光部の大きさは、第２発光素子の発光部の大きさ及び第３発光素子の発光部の大きさよりも大きい［Ａ０１］乃至［Ａ１２］のいずれか１項に記載の表示装置。
［Ａ１４］発光素子は有機エレクトロルミネッセンス素子から構成されている［Ａ０１］乃至［Ａ１３］のいずれか１項に記載の表示装置。

【符号の説明】

【0185】

１０・・・発光素子群、１１，１１₁，１１₂，１１₃，１１₄・・・発光素子ユニット、１２・・・発光素子、１２Ｇ，１２Ｇ₁，１２Ｇ₂，１２Ｇ₃，１２Ｇ₄・・・第１発光素子、１２Ｒ，１２Ｒ₁，１２Ｒ₂，１２Ｒ₃，１２Ｒ₄・・・第２発光素子、１２Ｂ，１２Ｂ₁，１２Ｒ₂，１２Ｂ₃，１２Ｂ₄・・・第３発光素子、１２Ｗ，１２Ｗ₁，１２Ｗ₂・・・第４発光素子、ＤＲ_G1，ＤＲ_G2，ＤＲ_G3，ＤＲ_G4・・・第１駆動回路、ＤＲ_R12，ＤＲ_R34・・・第２駆動回路、ＤＲ_B12，ＤＲ_B34・・・第３駆動回路、ＤＲ_W1，ＤＲ_W2・・・第４駆動回路、ＳＬ_G1，ＳＬ_G2・・・第１信号線、ＳＬ_R12，ＳＬ₂・・・第２信号線、ＳＬ_B12，ＳＬ₃・・・第３信号線、ＳＬ₁，ＳＬ₂，ＳＬ₃，ＳＬ₄・・・第１信号線、ＳＬ_G12，ＳＬ_R-B12・・・共有された信号線、ＤＴ_G1，ＤＴ_G2，ＤＴ_R12，ＤＴ_B12・・・データ信号、Ｔ_R12，Ｔ_B12・・・階調平均、２０・・・トランジスタ、２２・・・ゲート絶縁層、２１・・・ゲート電極、２４・・・ソース／ドレイン領域、２３・・・チャネル形成領域、２４・・・ソース／ドレイン領域、２５・・・素子分離領域、２６・・・基体、２６Ａ・・・下層層間絶縁層、２６Ｂ・・・上層層間絶縁層、２７Ａ，２７Ｂ・・・コンタクトプラグ、２７Ｃ_G1，２７Ｃ_G2，２７Ｃ_B12-A，２７Ｃ_B12-A，２７Ｃ_B12-B，２７Ｃ_B12-A，２７Ｃ_B12-A，２７Ｃ_B12-B・・・パッド部、２８・・・絶縁層、３０・・・発光部、３１・・・第１電極、３２・・・第２電極、３３・・・有機層（有機エレクトロルミネッセンス層を含む発光層を有する）、３４・・・保護層、ＣＦ，ＣＦ_R，ＣＦ_G，ＣＦ_B・・・カラーフィルタ層、３５・・・平坦化層、３６・・・封止樹脂層、３７・・・光反射層、３８・・・層間絶縁膜、３９・・・下地層、４１・・・第１基板、４２・・・第２基板、５０・・・レンズ部材（オンチップマイクロレンズ）、ＢＭ，ＢＭ’・・・光吸収層（ブラックマトリクス層）、１００・・・画像表示装置、１１０・・・画像形成装置、１１１・・・表示装置、１１２・・・筐体、１２１・・・導光板、１２２・・・導光板の第１面、１２３・・・導光板の第２面、１３１・・・第１偏向手段、１３２・・・第２偏向手段、１４０・・・フレーム、１４０’・・・ノーズパッド、１４１・・・フロント部、１４１’・・・フロント部の中央部分、１４２・・・蝶番、１４３・・・テンプル部、１４４・・・モダン部（先セル、耳あて、イヤーパッド）、１４５・・・配線（信号線や電源線等）、１４６・・・ヘッドホン部、１４６’・・・ヘッドホン部用配線、１４７・・・カメラ、１４８・・・制御装置（制御回路、制御手段）、１４９・・・取付け部材、１５０・・・観察者、１５１・・・瞳、２１１・・・カメラ本体部（カメラボディ）、２１２・・・撮影レンズユニット（交換レンズ）、２１３・・・グリップ部、２１４・・・モニタ、２１５・・・電子ビューファインダ（接眼窓）

【図1A】

【図1B】

【図1C】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図8A】

【図8B】

【図9A】

【図9B】

【図10A】

【図10B】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18A】

【図18B】

【図19A】

【図19B】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25A】

【図25B】

【図26A】

【図26B】

【図27A】

【図27B】

【図28A】

【図28B】

【図29A】

【図29B】

【図30A】

【図30B】

【図30C】