特開 2024-62172 バラン回路、半導体装置、およびレーダ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024062172

(43)【公開日】2024-05-09

(54)【発明の名称】バラン回路、半導体装置、およびレーダ

(51)【国際特許分類】

   H01P 5/10 20060101AFI20240430BHJP

【ＦＩ】

H01P5/10 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022170005

(22)【出願日】2022-10-24

(71)【出願人】

【識別番号】000003078

【氏名又は名称】株式会社東芝

(71)【出願人】

【識別番号】598076591

【氏名又は名称】東芝インフラシステムズ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003708

【氏名又は名称】弁理士法人鈴榮特許綜合事務所

(72)【発明者】

【氏名】吉田 大広

(57)【要約】

【課題】 広帯域特性を向上させること。
【解決手段】 実施形態のバラン回路は、第１の入力ポートに通じる線路端とオープンポートに通じる線路端とを有する第１の線路と、第２の入力ポートに通じる線路端と電極に通じる線路端とを有する第２の線路と、第３の入力ポートに通じる線路端と前記電極に通じる線路端とを有する第３の線路とを備え、前記第１の線路の一部と前記第２の線路の一部とが渦巻き状に並走し、最外周に前記第２の線路の一部が配置され、最内周に前記第１の線路の一部が配置された、第１のスパイラルパターンが形成されており、前記第１の線路の一部と前記第３の線路の一部とが渦巻き状に並走し、最外周に前記第１の線路の一部が配置され、最内周に前記第３の線路の一部が配置された、第２のスパイラルパターン形成されている。
【選択図】 図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の入力ポートに通じる線路端とオープンポートに通じる線路端とを有する第１の線路と、
第２の入力ポートに通じる線路端と電極に通じる線路端とを有する第２の線路と、
第３の入力ポートに通じる線路端と前記電極に通じる線路端とを有する第３の線路と
を備え、
前記第１の線路の一部と前記第２の線路の一部とが渦巻き状に並走し、最外周に前記第２の線路の一部が配置され、最内周に前記第１の線路の一部が配置された、第１のスパイラルパターンが形成されており、
前記第１の線路の一部と前記第３の線路の一部とが渦巻き状に並走し、最外周に前記第１の線路の一部が配置され、最内周に前記第３の線路の一部が配置された、第２のスパイラルパターンが形成されている、
バラン回路。

【請求項2】

前記第１のスパイラルパターンの中心部と前記第２のスパイラルパターンの中心部とを結ぶ線を境目とする両側のうち、前記第１の入力ポートに通じる線路端が配置される側と同じ側に、前記オープンポートに通じる線路端と、前記第２の入力ポートに通じる線路端と、前記第３の入力ポートに通じる線路端とが配置されている、
請求項１に記載のバラン回路。

【請求項3】

前記第１の入力ポートに通じる線路端は、前記第１のスパイラルパターンの最外周に配置される前記第２の線路の一部の内周側に配置されている、
請求項１に記載のバラン回路。

【請求項4】

前記第１のスパイラルパターンの最内周に配置される前記第１の線路の一部は、ブリッジを介して、前記第２のスパイラルパターンの最内周に配置される前記第３の線路の一部の外周側に配置される前記第１の線路の一部と繋がっている、
請求項１に記載のバラン回路。

【請求項5】

前記第２の入力ポートに通じる線路端は、ブリッジを介して、前記第１のスパイラルパターンの最内周に配置される前記第１の線路の一部の外周側に配置される前記第２の線路の一部と繋がっている、
請求項１に記載のバラン回路。

【請求項6】

前記第１の入力ポートに通じる線路端は、前記第２の入力ポートに通じる線路端よりも、前記第２のスパイラルパターンに近い位置に配置されており、
前記オープンポートに通じる線路端は、前記第３の入力ポートに通じる線路端よりも、前記第１のスパイラルパターンに近い位置に配置されている、
請求項１に記載のバラン回路。

【請求項7】

請求項１乃至６のいずれか１項に記載のバラン回路を備える半導体装置。

【請求項8】

請求項１乃至６のいずれか１項に記載のバラン回路を備えるレーダ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、バラン回路、半導体装置、およびレーダに関する。

【背景技術】

【0002】

バラン（Balun）回路にはいくつかの種類があり、代表的なものとして、差動型、ルスロフ（Ruthroff）型、マーチャント（Marchand）型が挙げられる。これらの中で、マーチャント型は、広帯域特性に優れるものとして知られている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００４－０５６７９９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

マーチャント型のバラン回路は、他の種類のバラン回路に比べて広帯域特性に優れるが、回路が複雑であり、回路バランスをとるのが難しい。特に複雑な不要輻射の影響により電磁界的なアンバランスが生じ、安定した周波数範囲が狭くなってしまうことがある。

【0005】

発明が解決しようとする課題は、広帯域特性を向上させることのできる、バラン回路、半導体装置、およびレーダを提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

実施形態のバラン回路は、第１の入力ポートに通じる線路端とオープンポートに通じる線路端とを有する第１の線路と、第２の入力ポートに通じる線路端と電極に通じる線路端とを有する第２の線路と、第３の入力ポートに通じる線路端と前記電極に通じる線路端とを有する第３の線路とを備え、前記第１の線路の一部と前記第２の線路の一部とが渦巻き状に並走し、最外周に前記第２の線路の一部が配置され、最内周に前記第１の線路の一部が配置された、第１のスパイラルパターンが形成されており、前記第１の線路の一部と前記第３の線路の一部とが渦巻き状に並走し、最外周に前記第１の線路の一部が配置され、最内周に前記第３の線路の一部が配置された、第２のスパイラルパターン形成されている。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、実施形態に係るマーチャント型バラン回路のレイアウトの概念（モデル）を示す図である。

【図2】図２は、バラン回路の基本的な電気的等価回路を示す図である。

【図3】図３は、実施形態に係るマーチャント型バラン回路を実装した半導体装置の構成例を示す図である。

【図4】図４は、半導体装置のブリッジ１０ｂ近傍における縦断面形状を示す図である。

【図5】図５は、半導体装置の金属層４０及びビアホール構造部４０ａ近傍における縦断面形状を示す図である。

【図6】図６は、周波数に対するポート毎の分配振幅を示すグラフである。

【図7】図７は、周波数に対する各ポートの挿入損比を示すグラフである。

【図8】図８は、周波数に対する各ポートの分配振幅差を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照して、実施の形態について説明する。

【0009】

図１は、実施形態に係るマーチャント型バラン回路のレイアウトの概念（モデル）を示す図である。また、図２は、バラン回路の基本的な電気的等価回路を示す図である。

【0010】

本実施形態では、周波数変換器に用いられるマーチャント型バラン回路の例を挙げる。本実施形態に係るマーチャント型バラン回路は、ＭＭＩＣ（Monolithic Microwave Integrated Circuit）の形態で半導体装置に実装される。さらにこの半導体装置はレーダのＲＦ部に搭載されるものとする。

【0011】

図１に示されるマーチャント型バラン回路は、第１の入力ポート１（以降、「ポート１」と称す）とオープンポート１’（以降、「ポート１’」と称す）とを繋ぐ第１の線路１０と、第２の入力ポート２（以降、「ポート２」と称す）とグランド（ＧＮＤ）とを繋ぐ第２の線路２０と、第３の入力ポート３（以降、「ポート３」と称す）とグランド（ＧＮＤ）とを繋ぐ第３の線路３０とを備える。

【0012】

当該バラン回路では、第１の線路１０の線路部分１１と第２の線路２０の線路部分２１との電磁結合（electromagnetic coupling）により、第１のランゲカプラ（Lange Coupler）が構成される。また、第１の線路１０の線路部分１２と第３の線路３０の線路部分３１との電磁結合により、第２のランゲカプラが構成される。

【0013】

図２に示される電気的等価回路においては、上記したポート１，２，３は、それぞれ、アナログポート（ＲＦポート、ローカルポート、インタフェースポート等）に接続される。それぞれのアナログポートから見たインピーダンスは原理的には等価であるため、どのポートがどの端子に割り当てられても良い。但し、それぞれのアナログポートの周波数インピーダンスは理想的な５０Ωからずれているため、補正用パラメータ変換回路などが付加されることがある。更に、バランスを取るための補助的なキャパシタやインダクタンスが付加される場合もあるが、基本的な回路は二対のトランスを備えていることに変わりはない。図２の例では、ポート１は、トランス部Ｔｒ１の一次側に接続され、ポート２，３は、トランス部Ｔｒ１の二次側に（ポート２についてはトランスＴ１の二次側に、ポート３についてはトランスＴ２の二次側に）接続されている。

【0014】

図２に示される回路を半導体装置に適用する場合、ＭＳＬ（Microwave Strip Line）を用いてトランスをランゲカプラで実現するのが最も一般的である。本実施形態においても同様の手法を用いる。すなわち、図１に示されるバラン回路では、各線路をＭＳＬ配線とし、二対のトランスを第１のランゲカプラおよび第２のランゲカプラにて実現する。この場合、第１の線路１０の線路部分１１は、トランスの一次側線路に相当し、第２の線路２０の線路部分２１は、二次側線路に相当する。また、第１の線路１０の線路部分１２は、トランスの一次側線路に相当し、第３の線路３０の線路部分３１は、二次側線路に相当する。

【0015】

図１に示されるマーチャント型バラン回路は、各線路の配置が、一般的なマーチャント型バラン回路とは異なる。すなわち、図１に示されるように、ポート１とポート１’とを繋ぐ第１の線路１０を境目とする紙面の上側と下側のうち、下側に、第２の線路２０の線路部分２１と第３の線路３０の線路部分３１の両方が配置されている。一般的なマーチャント型バラン回路では、第２の線路２０の線路部分２１と第３の線路３０の線路部分３１とが、紙面中心に対して点対称の関係となるように配置される。

【0016】

図３は、実施形態に係るマーチャント型バラン回路を実装した半導体装置の構成例を示す図である。

【0017】

図３に示される半導体装置は、基板１００（例えば電気的に絶縁性または半絶縁性を有する半導体基板）を上下からそれぞれ挟むように配置される上側の絶縁層１０１（例えばＳｉＯ_２、ＳｉＮ等の絶縁膜）と下側の電極（ＧＮＤ）１０２（図３では図示せず）のうち、絶縁層１０１上に、マーチャント型バラン回路を備える。なお、図３の例では、基板１００上の絶縁層１０１の面積が広めに表現されているが、この例に限られるものではない。当該面積は図３の例よりも小さくてもよい。

【0018】

マーチャント型バラン回路は、二対のスパイラルインダクタンスを形成するものとして、第１のスパイラルパターン６０Ａおよび第２のスパイラルパターン６０Ｂを有する。第１のスパイラルパターン６０Ａは、前述した第１のランゲカプラに相当する。第２のスパイラルパターン６０Ｂは、前述した第２のランゲカプラに相当する。

【0019】

具体的には、絶縁層１０１上に、前述したポート１，１’，２，３が配置されるとともに、基板１００下の電極（ＧＮＤ）１０２に通じるビアホール構造部（金属）４０ａ上に、金属層４０が配置される。更に、前述した第１の線路１０、第２の線路２０、および第３の線路３０が絶縁層１０１上に配置される。各線路は、設計帯域の最小周波数の１／４波長の電気長を有するものとする。

【0020】

第１の線路１０は、線路端１０ａ、ブリッジ１０ｂ、ブリッジ１０ｃ、接続部１０ｄ、および線路端１０ｅを有する。第２の線路２０は、線路端２ａ、ブリッジ２ｂ、および線路端２ｃを有する。第３の線路３０は、線路端３ａ、ブリッジ３ｂ、および線路端３ｃを有する。

【0021】

１つ目のスパイラルインダクタンスを形成する第１のスパイラルパターン６０Ａは、第１の線路１０の一部（前述した線路部分１１に相当）と第２の線路２０の一部（前述した線路部分２１に相当）とが矩形の渦巻き状に一定の空間（ギャップ）を保ちながら並走することで形成されている。この場合、第１のスパイラルパターン６０Ａにおいては、最外周に第２の線路２０の一部が配置され、最内周に第１の線路１０の一部が配置されている。

【0022】

言い換えると、第１のスパイラルパターン６０Ａにおいては、最外周に二次側線路の巻線が配置され、その内周側に一次側線路の巻線が配置される関係となっており、また、最内周に一次側線路の巻線が配置され、その外側に二次側線路の巻線が配置される関係となっている。

【0023】

２つ目のスパイラルインダクタンスを形成する第２のスパイラルパターン６０Ｂは、第１の線路１０の一部（前述した線路部分１２に相当）と第３の線路３０の一部（前述した線路部分３１に相当）とが矩形の渦巻き状に一定の空間（ギャップ）を保ちながら並走することで形成されている。この場合、第２のスパイラルパターン６０Ｂにおいては、最外周に前記第１の線路１０の一部が配置され、最内周に第３の線路３０の一部が配置されている。

【0024】

言い換えると、第２のスパイラルパターン６０Ｂにおいては、最外周に一次側線路の巻線が配置され、その内周側に二次側線路の巻線が配置される関係となっており、また、最内周に二次側線路の巻線が配置され、その外周側に一次側線路の巻線が配置される関係となっている。

【0025】

すなわち、本実施形態に係るマーチャント型バラン回路は、その外形形状が左側と右側とで非対称となっている。この点は、一般的なマーチャント型バラン回路と異なる点である。

【0026】

図４は、半導体装置のブリッジ１０ｂ近傍における縦断面形状を示す図である。なお、ブリッジ１０ｃ，２ｂ，３ｂも同様の形状を有する。そのため、ここではブリッジ１０ｃ，２ｂ，３ｂ近傍の形状の図示や説明を省略し、ブリッジ１０ｂ近傍の形状を中心に説明する。

【0027】

半導体装置は、前述したように基板１００の上側に絶縁層１０１を備え、基板１００の下側に電極（ＧＮＤ）１０２を備える。絶縁層１０１上には、並走する第１の線路１０および第２の線路２０が配置されている。

【0028】

ブリッジ１０ｂは、エアブリッジと呼ばれる構造によりその下方にて並走する第１の線路１０および第２の線路２０と接触しないように上方にて立体的に交叉する。具体的には、ブリッジ１０ｂは、コイル状（螺旋状）の形状を成しており、ブリッジ１０ｂの下方にある複数本の第１の線路１０と第２の線路２０との間の各空間には、ブリッジ１０ｂのコイル形状の下側部分を支える複数のバンプ（絶縁物）５０が絶縁層１０１上に配置されている。そのため、ブリッジ１０ｂは、その下側部分が複数のバンプ５０により支えられることにより、下方にて並走する第１の線路１０および第２の線路２０と接触することなく上方にて立体的に交叉することができる。

【0029】

図５は、半導体装置の金属層４０及びビアホール構造部４０ａ近傍における縦断面形状を示す図である。

【0030】

図５に示されるように、第２の線路２０の線路端２ｃは、ワイヤ（金属）又はエアブリッジ構造４０ｂにより金属層４０と電気的に接続されており、また、第３の線路３０の線路端３ｃは、ワイヤ（金属）又はエアブリッジ構造４０ｂにより金属層４０と電気的に接続されている。金属層４０は、ビアホール構造部（金属）４０ａにより、基板１００下の電極（ＧＮＤ）１０２に電気的に接続されている。

【0031】

以下、第１の線路１０、第２の線路２０、第３の線路３０の構成について、具体的に説明する。

【0032】

第１の線路１０は、第１のスパイラルパターン６０Ａ側において、ポート１に通じる線路端１０ａから、最外周にある第２の線路２０と並走し、共に反時計回りに矩形の渦を巻きながら第１のスパイラルパターン６０Ａの中心部へ向かう。

【0033】

第１の線路１０は、第１のスパイラルパターン６０Ａの中心部において、線路端１０ａからの長さが設計帯域の最小周波数の１／４波長の電気長に達する。このとき、第１の線路１０は、第１のスパイラルパターン６０Ａの最内周に位置しており、そこからブリッジ１０ｂを通じて下方の各線路を跨いで、装置中央の絶縁層１０１に渡る。さらに第１の線路１０は、ブリッジ１０ｃにより下方の各線路を跨いで、第２のスパイラルパターン６０Ｂの中心部へ渡る。さらに第１の線路１０は、第３の線路３０を跨ぎ、接続部１０ｄに達する。

【0034】

第１の線路１０は、第２のスパイラルパターン６０Ｂ側において、接続部１０ｄから、最内周にある第２の線路２０と並走し、共に反時計回りに矩形の渦を巻きながら第２のスパイラルパターン６０Ｂの外周部へ向かう。

【0035】

第１の線路１０は、第２のスパイラルパターン６０Ｂの外周部において、接続部１０ｄからの長さが設計帯域の最小周波数の１／４波長の電気長に達する。このとき、第１の線路１０は、第１のスパイラルパターン６０Ａの最内周に位置しており、線路端１０ｅに達する。線路端１０ｅは、ポート１'に通じる。

【0036】

第２の線路２０は、第１のスパイラルパターン６０Ａ側において、ポート２に通じる線路端２ａから、ブリッジ２ｂにより下方の各線路を跨いで、第１のスパイラルパターン６０Ａの中心部へ渡る。第２の線路２０は、第１のスパイラルパターン６０Ａの中心部において、最内周にある第１の線路１０と並走し、共に時計回りに矩形の渦を巻きながら第１のスパイラルパターン６０Ａの外周部へ向かう。

【0037】

第２の線路２０は、第１のスパイラルパターン６０Ａの外周部において、線路端２ａからの長さが設計帯域の最小周波数の１／４波長の電気長に達する。このとき、第２の線路２０は、第１のスパイラルパターン６０Ａの最外周に位置しており、線路端２ｃに達する。線路端２ｃは、金属層４０およびビアホール構造部４０ａを通じて、基板１００下の電極（ＧＮＤ）１０２に通じる。

【0038】

第３の線路３０は、第２のスパイラルパターン６０Ｂ側において、ポート３に通じる線路端３ａから、ブリッジ３ｂにより下方の各線路を跨いで、第２のスパイラルパターン６０Ｂの中心部へ渡る。このとき、第３の線路３０は、第２のスパイラルパターン６０Ｂの最内周に位置しており、その外周側にある第１の線路１０と並走し、共に反時計回りに矩形の渦を巻きながら第２のスパイラルパターン６０Ｂの外周部へ向かう。

【0039】

第３の線路３０は、第２のスパイラルパターン６０Ｂの外周部において、線路端３ａからの長さが設計帯域の最小周波数の１／４波長の電気長に達する。このとき、第３の線路３０は、第２のスパイラルパターン６０Ｂの最外周にある第１の線路１０の内周側に位置しており、線路端３ｃに達する。線路端３ｃは、金属層４０およびビアホール構造部４０ａを通じて、基板１００下の電極（ＧＮＤ）１０２に通じる。

【0040】

また、図３に示されるマーチャント型バラン回路は、一般的なマーチャント型バラン回路と異なる点として、以下に示すような特徴を有する。

【0041】

・各ポートに通じる線路端１０ａ，１０ｅ，２ａ，３ａがすべて同じ側（図３の下側）に配置される点
第１のスパイラルパターン６０Ａの中心部と第２のスパイラルパターン６０Ｂの中心部とを結ぶ線を境目とする両側のうち、ポート１に通じる線路端１０ａが配置される側と同じ側に、ポート１'に通じる線路端１０ｅと、ポート２に通じる線路端２ａと、ポート３に通じる線路端３ａとが配置されている。

【0042】

・線路端１０ａの配置が一般的なマーチャント型バラン回路と異なる点
第１の入力ポート１に通じる線路端１０ａは、第１のスパイラルパターン６０Ａの最外周に配置される第２の線路２０の一部の内周側に配置されている。

【0043】

ブリッジ１０ｂ，１０ｃの配置が一般的なマーチャント型バラン回路と異なる点
第１のスパイラルパターン６０Ａの最内周に配置される第１の線路１０の一部は、ブリッジ１０ｂ，１０ｃを介して、第２のスパイラルパターン６０Ｂの最内周に配置される第３の線路３０の一部の外周側に配置される第１の線路１０の一部と繋がっている。

【0044】

・ブリッジ２ｂの配置が一般的なマーチャント型バラン回路と異なる点
ポート２に通じる線路端２ａは、ブリッジ２ｂを介して、第１のスパイラルパターン６０Ａの最内周に配置される第１の線路１０の一部の外周側に配置される第２の線路２０の一部と繋がっている。

【0045】

・ポート１，１’に通じる線路端１０ａ，１０ｅの位置が一般的なマーチャント型バラン回路と異なる点
ポート１に通じる線路端１０ａは、ポート２に通じる線路端２ａよりも、第２のスパイラルパターン６０Ｂに近い位置に配置されており、ポート１’に通じる線路端１０ｅは、ポート３に通じる線路端３ａよりも、第１のスパイラルパターン６０Ａに近い位置に配置されている。

【0046】

以下に、このように構成されたバラン回路の広帯域特性を検証した結果を示す。

【0047】

なお、バラン回路はプロセスルールに大きく依存するため、ここでは特定の回路設計ルールにて設計した結果の例を示す。当該設計では、線路幅を１５μｍ、線路間隔を１０μｍ、基板（ガリウムヒ素基板）の厚さを１００μｍとし、λ／４線路設定の中心周波数を７ＧＨｚとしている。

【0048】

図６は、周波数に対するポート毎の分配振幅を示すグラフである。

【0049】

図６のグラフでは、マルチホップ帯域の周波数を４～１２ＧＨｚとした場合のポート毎の分配振幅を示している。図６中、波形Ｗ１はポート１からポート２への分配振幅を、波形Ｗ０はポート１からポート３への分配振幅を示す。

【0050】

図６のグラフから、２つの分配振幅が理想的な対称形になっていることがわかる。これは、不要輻射の影響による電磁界的な非対称が打ち消されているためであり、２つのランゲカプラ間で発生する定在波が小さくなっていると考えられる。４ＧＨｚ～１２ＧＨｚの帯域で一般的なバラン回路と比べた場合、ポート毎のロスバランスで３ｄＢ近く改善していることを確認できた。図６中のｍ１１は５ＧＨｚにおける分配振幅を示し、ｍ１２は９ＧＨｚにおける分配振幅を示す。ｍ１１とｍ１２とでは、分配振幅の差が殆ど見られないが、一般的なバラン回路では、その分配振幅の差は３ｄＢ程度ある。

【0051】

図７は、周波数に対する各ポートの挿入損比を示すグラフである。

【0052】

図７では、挿入損比が波形Ｗ２で示されている。図７中のｍ２１は５ＧＨｚにおける挿入損比を示し、ｍ２２は９ＧＨｚにおける挿入損比を示す。ｍ２１とｍ２２とでは、挿入損比の差はわずかであるが、一般的なバラン回路では、その挿入損比の差は０．５ｄＢ程度ある。

【0053】

図８は、周波数に対する各ポートの分配振幅差を示すグラフである。

【0054】

図８では、分配振幅差が波形Ｗ３で示されている。図８中のｍ３１は５ＧＨｚにおける分配振幅差を示し、ｍ３２は９ＧＨｚにおける分配振幅差を示す。ｍ２１とｍ２２とでは、分配振幅差の違いは殆ど見られない。この点は、一般的なバラン回路と同様である。

【0055】

これらの検証結果から、本実施形態に係るバラン回路の広帯域特性が従来よりも向上していることを確認できた。

【0056】

このように本実施形態に係るバラン回路によれば、広い周波数範囲において、分配振幅、挿入損比、分配振幅差の安定した良好な特性を実現することができる。また、本実施形態に係るバラン回路を搭載した半導体装置を用いることにより、例えばレーダシステムのＲＦ部に適用する場合、４～１２ＧＨｚに相当するＣバンドからＸバンドにかけた広いマルチホップが可能になり、しかも送受のバランスが６ｄＢ近く改善することが可能になる。このことは、レーダ性能の改善にも大きな影響を及ぼすことになる。

【0057】

以上詳述したように、実施形態によれば、広帯域特性を向上させることができる。

【0058】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0059】

１…第１の入力ポート、１’…オープンポート、２…第２の入力ポート、２ａ…線路端、２ｂ…ブリッジ、２ｃ…線路端、３…第３の入力ポート、３ａ…線路端、３ｂ…ブリッジ、３ｃ…線路端、１０…第１の線路、１０ａ…線路端、１０ｂ…ブリッジ、１０ｃ…ブリッジ、１０ｄ…接続部、１０ｅ…線路端、１１，１２…線路部分、２０…第２の線路、２１…線路部分、３０…第３の線路、３１…線路部分、４０…金属層、４０ａ…ビアホール構造部、４０ｂ…ワイヤ又はエアブリッジ構造、１００…基板、１０１…絶縁層（絶縁膜）、１０２…電極（ＧＮＤ）。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】