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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024062430
(43)【公開日】2024-05-10
(54)【発明の名称】半導体装置及び半導体装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 23/12 20060101AFI20240501BHJP
H01L 25/07 20060101ALI20240501BHJP
【ＦＩ】
H01L23/12 F
H01L23/12 B
H01L25/08 Y
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022170240
(22)【出願日】2022-10-25
(71)【出願人】
【識別番号】318010018
【氏名又は名称】キオクシア株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100176599
【弁理士】
【氏名又は名称】高橋 拓也
(74)【代理人】
【識別番号】100205095
【弁理士】
【氏名又は名称】小林 啓一
(74)【代理人】
【識別番号】100208775
【弁理士】
【氏名又は名称】栗田 雅章
(72)【発明者】
【氏名】岡田 恵治
(57)【要約】
【課題】本発明の一実施形態では、基板上の配置の自由度を高めることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態によれば、半導体装置は、基板と、スペーサと、第１部材と、を備える。スペーサは、基板上に設けられ、基板に対向する第１面と、第１面と反対の面である第２面と、第２面となす角度が０度より大きく９０度未満である少なくとも一部を有する第３面と、を含む。第１部材は、基板上に設けられ、基板からスペーサに向かう第１方向から見た場合、スペーサと少なくとも一部が重複し、かつスペーサと接しない。
【選択図】図２
【解決手段】本発明の実施形態によれば、半導体装置は、基板と、スペーサと、第１部材と、を備える。スペーサは、基板上に設けられ、基板に対向する第１面と、第１面と反対の面である第２面と、第２面となす角度が０度より大きく９０度未満である少なくとも一部を有する第３面と、を含む。第１部材は、基板上に設けられ、基板からスペーサに向かう第１方向から見た場合、スペーサと少なくとも一部が重複し、かつスペーサと接しない。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板上に設けられ、前記基板に対向する第１面と、前記第１面と反対の面である第２面と、前記第２面となす角度が０度より大きく９０度未満である少なくとも一部を有する第３面と、を含むスペーサと、
前記基板上に設けられ、前記基板から前記スペーサに向かう第１方向から見た場合、前記スペーサと少なくとも一部が重複し、かつ前記スペーサと接しない第１部材と、
を備える半導体装置。
前記基板上に設けられ、前記基板に対向する第１面と、前記第１面と反対の面である第２面と、前記第２面となす角度が０度より大きく９０度未満である少なくとも一部を有する第３面と、を含むスペーサと、
前記基板上に設けられ、前記基板から前記スペーサに向かう第１方向から見た場合、前記スペーサと少なくとも一部が重複し、かつ前記スペーサと接しない第１部材と、
を備える半導体装置。
【請求項2】
前記第１面は前記第２面より小さい請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第１方向と交差する第２方向から見た場合、前記スペーサは台形である請求項２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記角度は、３０度以上であり９０度未満である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第１方向と交差する第２方向から見た場合、前記スペーサは平行四辺形である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項6】
基板と、
前記基板の上方に設けられ、前記基板に対向する第１面と、前記第１面と反対の面であり、前記第１面より大きい第２面と、前記第１面から前記第２面に向かう第１方向に延伸する第３面と、を含むスペーサと、
前記第１方向から見た場合、前記スペーサと少なくとも一部が重複し、前記スペーサと接しない第１部材と、
を備える半導体装置。
前記基板の上方に設けられ、前記基板に対向する第１面と、前記第１面と反対の面であり、前記第１面より大きい第２面と、前記第１面から前記第２面に向かう第１方向に延伸する第３面と、を含むスペーサと、
前記第１方向から見た場合、前記スペーサと少なくとも一部が重複し、前記スペーサと接しない第１部材と、
を備える半導体装置。
【請求項7】
前記スペーサは、前記第１方向と交差する第２方向から見た場合、Ｌ字型又はＴ字型である請求項６に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記スペーサは、前記基板上に設けられ、かつ前記第１面を有する第１スペーサと、前記第１スペーサの上方に設けられ、かつ前記第２面を有する第２スペーサと、を含む請求項６に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第１方向において、前記第１スペーサの厚さは前記第２スペーサの厚さよりも大きい請求項８に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記第２スペーサの前記第３面は、段差又は前記第２面に対して０度より大きく９０度未満である角度を有する請求項８に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記第１部材は、コンデンサ、金属ワイヤ、及び樹脂のいずれかである請求項１又は請求項６に記載の半導体装置。
【請求項12】
前記スペーサは、樹脂、シリコン、セラミックス、及び金属のいずれかを含む請求項１又は請求項６に記載の半導体装置。
【請求項13】
第１方向となす角度が０度以上かつ９０度未満の第１角度に傾けてスペーサをダイシングするステップと、
前記第１方向となす角度が０度以上かつ９０度未満の第２角度に傾けて前記スペーサをさらにダイシングするステップと、
前記第１方向から見た場合に前記基板上に設けられた第１部材と少なくとも一部が重複し、かつ前記第１部材と接しない位置に前記ダイシングされたスペーサを設けるステップと、
を備える半導体装置の製造方法。
前記第１方向となす角度が０度以上かつ９０度未満の第２角度に傾けて前記スペーサをさらにダイシングするステップと、
前記第１方向から見た場合に前記基板上に設けられた第１部材と少なくとも一部が重複し、かつ前記第１部材と接しない位置に前記ダイシングされたスペーサを設けるステップと、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項14】
前記ダイシングされたスペーサは、第１面及び、前記基板に対向し、前記第１面より大きい第２面を有する請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項15】
前記第１角度は０度より大きく９０度未満であり、
前記第２角度は０度より大きく６０度以下、又は０度である、請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
前記第２角度は０度より大きく６０度以下、又は０度である、請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項16】
前記第１角度は、０度より大きく６０度以下であり、
前記第２角度は前記第１角度と同じ角度である、請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
前記第２角度は前記第１角度と同じ角度である、請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本実施形態は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置では、基板の主面に半導体チップ及びスペーサが設けられ、スペーサの上方に複数の他の半導体チップが設けられることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特許第５３６４７５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の一実施形態では、基板上の配置の自由度を高めることが可能な半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の実施形態によれば、半導体装置は、基板と、スペーサと、第１部材と、を備える。スペーサは、基板上に設けられ、基板に対向する第１面と、第１面と反対の面である第２面と、第２面となす角度が０度より大きく９０度未満である少なくとも一部を有する第３面と、を含む。第１部材は、基板上に設けられ、基板からスペーサに向かう第１方向から見た場合、スペーサと少なくとも一部が重複し、かつスペーサと接しない。
【0006】
本発明の実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、第１方向となす角度が０度以上かつ９０度未満の第１角度に傾けてスペーサをダイシングするステップと、第１方向となす角度が０度以上かつ９０度未満の第２角度に傾けてスペーサをさらにダイシングするステップと、第１方向から見た場合に基板上に設けられた第１部材と少なくとも一部が重複し、かつ第１部材と接しない位置にダイシングされたスペーサを設けるステップと、を備える。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】第１実施形態に係る半導体装置の平面図。
【図2】第１実施形態に係る半導体装置のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図。
【図3】第１実施形態に係るスペーサの製造方法を表す工程図。
【図4】第１実施形態に係るスペーサの製造方法を表す工程図。
【図5】第１実施形態に係るスペーサの製造方法を表す工程図。
【図6】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を表す工程図。
【図7】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を表す工程図。
【図8】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を表す工程図。
【図9】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を表す工程図。
【図10】第１実施形態の変形例に係る半導体装置の平面図。
【図11】第１実施形態の変形例に係る半導体装置の断面図。
【図12】第２実施形態に係る半導体装置の平面図。
【図13】第２実施形態に係る半導体装置のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿う断面図。
【図14】第３実施形態に係る半導体装置の平面図。
【図15】第３実施形態に係る半導体装置のＸＶ－ＸＶ線に沿う断面図。
【図16】第３実施形態に係るスペーサの製造方法を表す工程図。
【図17】第４実施形態に係る半導体装置のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿う断面図。
【図18】第４実施形態に係るスペーサの製造方法を表す工程図。
【図19】第４実施形態に係るスペーサの製造方法を表す工程図。
【図20】第４実施形態に係るスペーサの製造方法を表す工程図。
【図21】第４実施形態に係るスペーサの製造方法を表す工程図。
【図22】第４実施形態に係るスペーサの製造方法を表す工程図。
【図23】第４実施形態に係るスペーサの製造方法を表す工程図。
【図24】第４実施形態に係るスペーサの製造方法を表す工程図。
【図25】第４実施形態に係るスペーサの製造方法の別の一例を表す工程図。
【図26】第４実施形態に係るスペーサの製造方法の別の一例を表す工程図。
【図27】第４実施形態に係るスペーサの製造方法の別の一例を表す工程図。
【図28】第４実施形態の変形例１に係る半導体装置のＸＸＶＩＩＩ－ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図。
【図29】第４実施形態の変形例２に係る半導体装置のＸＸＩＸ－ＸＸＩＸ線に沿う断面図。
【図30】第４実施形態の変形例２に係るスペーサの製造方法を表す工程図。
【図31】第４実施形態の変形例２に係るスペーサの製造方法を表す工程図。
【図32】第５実施形態に係る半導体装置のＸＸＸＩＩ－ＸＸＸＩＩ線に沿う断面図。
【図33】第５実施形態に係る半導体装置の製造方法を表す工程図。
【図34】第５実施形態に係る半導体装置の製造方法を表す工程図。
【図35】第５実施形態の変形例に係る半導体装置の基板の断面図。
【図36】第６実施形態の変形例に係る半導体装置のＸＸＸＶＩ－ＸＸＸＶＩ線に沿う断面図。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、発明を実施するための実施形態について、図面を参照して説明する。なお、図面は模式的なものであり、例えば厚さと平面寸法との関係、各層の厚さの比率等は現実のものとは異なる場合がある。また、実施形態において、実質的に同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
【0009】
Ｘ方向及びＹ方向は、後述する基板１０の主面に沿う方向である。Ｙ方向は、Ｘ方向と交差する方向である。Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向と交差する方向であり、基板１０の厚さ方向である。本実施形態では、Ｚ方向は基板１０の主面に対する鉛直方向に対応している。Ｚ方向は、「第１方向」の一例である。Ｘ方向は、「第２方向」の一例である。Ｙ方向は、「第３方向」の一例である。本実施形態の説明では、ＸＺ平面における半導体装置１の断面図を例に挙げて説明するが、ＹＺ平面における半導体装置１の断面図に対しても同様の構成とすることができるため、ＹＺ平面における半導体装置１の断面図の説明は省略する。
【0010】
（第１実施形態）
本実施形態に係る半導体装置１は、図１及び図２に示すように、基板１０、スペーサ２０、半導体チップ３０、半導体チップ４０、ボンディングワイヤ５０、部品６０、封止樹脂７０、及び外部電極８０を備える。
本実施形態に係る半導体装置１は、図１及び図２に示すように、基板１０、スペーサ２０、半導体チップ３０、半導体チップ４０、ボンディングワイヤ５０、部品６０、封止樹脂７０、及び外部電極８０を備える。
【0011】
基板１０上には、スペーサ２０、半導体チップ３０、及び部品６０が設けられる。スペーサ２０、半導体チップ３０、及び部品６０が設けられる面を基板１０の主面とする。また、基板１０のスペーサ２０、半導体チップ３０、及び部品６０が設けられる面と反対の面に、外部電極８０が設けられる。基板１０の外部電極８０が設けられる面を基板１０の裏面とする。
【0012】
スペーサ２０は、接着層２５を含む。スペーサ２０は、接着層２５により基板１０上に接着される。スペーサ２０は、図１に示すように、半導体チップ３０の周囲に設けられる。本実施形態では、半導体チップ３０とＸ方向に並ぶ２つのスペーサ２０ｘと、半導体チップ３０とＹ方向に並ぶ２つのスペーサ２０ｙと、合計４つのスペーサ２０が設けられる。なお、スペーサ２０の数は４つに限定されず、少なくとも一つのスペーサ２０が半導体チップ３０の周囲に設けられていれば良い。スペーサ２０は、例えば、樹脂、シリコン、セラミックス、及び金属のいずれかを含む。本実施形態において、スペーサ２０はシリコンを含む。接着層２５は、例えばＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）である。
【0013】
スペーサ２０は、第１面２０ａ、第２面２０ｂ、第３面２０ｃ、及び第４面２０ｄを有する。第１面２０ａは、接着層２５に接し、基板１０に対向する面である。第２面２０ｂは、第１面２０ａと反対の面である。また、第２面２０ｂは、第１面２０ａよりも大きい。言い換えると、第１面２０ａは第２面２０ｂよりも小さい。また、第１面２０ａ及び第２面２０ｂは略平行である。第３面２０ｃは、第１面２０ａ及び第２面２０ｂと接する面である。また、第３面２０ｃはＺ方向に延伸する。第４面２０ｄは、第１面２０ａ及び第２面２０ｂと接し、第３面２０ｃと対向する面である。また、第４面２０ｄは、Ｘ方向において第３面２０ｃよりも半導体チップ３０から遠い。第４面２０ｄはＺ方向に延伸する。また、第３面２０ｃと第２面２０ｂとの二つの面のなす角度θは、０度より大きく９０度未満である。第４面２０ｄと第２面２０ｂとの二つの面のなす角度θは、０度より大きく９０度未満である。なお、角度θは３０度以上であり９０度未満であればなお良い。角度θを３０度以上とすることにより、スペーサ２０の角が欠けてしまう可能性を抑制することができる。さらに、角度θは３０度以上であり６０度以下であればなお良い。角度θを６０度以下とすることにより、第１面２０ａを第２面２０ｂよりもより小さくすることができる。すなわち、本実施形態において、Ｙ方向から見た場合、スペーサ２０は第３面２０ｃ及び第４面２０ｄに傾斜を含む台形である。
【0014】
半導体チップ３０は、例えば、コントローラチップである。以降コントローラ３０と称する。コントローラ３０は、基板１０上に設けられる。コントローラ３０は、半導体チップ４０を制御する。本実施形態において、コントローラ３０の素子は、例えば基板１０と対向する面に設けられる。すなわち、コントローラ３０は基板１０にフリップチップ実装されている。また、コントローラ３０は、図２に示すように、例えば第１部材としての樹脂３５により基板１０上にさらに固定される。本実施形態において、樹脂３５は、実装部品や接続部品を封止する樹脂のフィレット及びブリードである。樹脂３５は、例えば、ＵＦ（Ｕｒｅａ Ｆｏｒｍａｌｄｅｈｙｄｅ Ｒｅｓｉｎ）、ＮＣＰ（Ｎｏｎ－ＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＰａｓｔｅ）、ＮＣＦ（Ｎｏｎ Ｃｒｉｍｐ Ｆａｂｒｉｃ） である。また、樹脂３５の少なくとも一部は、Ｚ方向において、基板１０とスペーサ２０との間に設けられる。本実施形態において、スペーサ２０の第３面２０ｃ側に設けられた樹脂３５の少なくとも一部は、Ｚ方向において、基板１０とスペーサ２０との間に設けられる。すなわち、Ｚ方向から見た場合、樹脂３５の少なくとも一部はスペーサ２０と重複する。また、Ｘ方向において、樹脂３５はスペーサ２０とコントローラ３０との間に設けられる。樹脂３５は、スペーサ２０と電気的に独立している。又は、樹脂３５はスペーサ２０と直接接しない。なお、第１部材としての樹脂３５が無くても良い。また第１部材は、樹脂３５に限定されず、コンデンサを含む実装部品及び金属ワイヤを含む接続部品であっても良い。例えば、ボンディングワイヤを用いてコントローラ３０と基板１０とが電気的に接続されている場合、第１部材はボンディングワイヤである。
【0015】
半導体チップ４０は、スペーサ２０の上方に設けられる。本実施形態では、半導体チップ４０がＺ方向に四つ積層されているが、スペーサ２０の上方に少なくとも一つ設けられていれば良い。また、半導体チップ４０は接着層４５を含む。半導体チップ４０は、接着層４５によりスペーサ２０又はＺ方向下段の半導体チップ４０に接着される。接着層４５は、半導体チップ４０をスペーサ２０又はＺ方向下段の半導体チップ４０に接着するだけでなく、接着時に半導体チップ４０にかかるストレスを軽減することが可能である。そのため、接着層４５の厚さが大きいほどストレスを軽減することができる。一方で、接着層４５の厚さが大きいほど、半導体装置１の厚さが大きくなってしまう可能性がある。本実施形態において、半導体チップ４０は、例えばボンディングワイヤ５０を用いて基板１０及びコントローラ３０と電気的に接続される。半導体チップ４０は、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのチップである。
【0016】
第１部材としての部品６０は、例えば、コンデンサを含む実装部品、金属ワイヤを含む接続部品、及び実装部品や接続部品を封止する樹脂のフィレット及びブリードである。部品６０の少なくとも一部は、Ｚ方向において、基板１０とスペーサ２０との間に設けられる。本実施形態において、スペーサ２０の第４面２０ｄ側に設けられた部品６０の少なくとも一部は、Ｚ方向において、基板１０とスペーサ２０との間に設けられる。すなわち、Ｚ方向から見た場合、部品６０の少なくとも一部はスペーサ２０と重複する。また、Ｘ方向において、スペーサ２０は、部品６０とコントローラ３０との間に設けられる。部品６０は、スペーサ２０と電気的に独立している。又は、部品６０はスペーサ２０と直接接しない。なお、第１部材としての部品６０が無くても良い。また、図１において部品６０を二つ図示しているが、部品６０の配置や個数はこれに限定されない。
【0017】
封止樹脂７０は、基板１０、スペーサ２０、コントローラ３０、半導体チップ４０、ボンディングワイヤ５０、及び部品６０等を封止する樹脂である。また、図２に示す基板１０、スペーサ２０、コントローラ３０、最下段の半導体チップ４０に囲まれたスペースＳにも封止樹脂７０が充填されている。封止樹脂７０は、例えば、エポキシ樹脂を含む。封止樹脂７０は、例えばＭＵＦ（ＭｏｌｄＵｎｄｅｒ Ｆｉｌｌ）であっても良い。
【0018】
外部電極８０は、基板１０の裏面に設けられる。外部電極８０の一部は露出されており、半導体装置１の外部と電気的に接続することが可能である。
【0019】
図３から図５を用いて、本実施形態に係るスペーサ２０の製造方法を説明する。スペーサ２００は、主面２００ａ及び主面２００ａの反対の面である裏面２００ｂを含む。本実施形態において、スペーサ２００はシリコンウェハである。なお、スペーサ２００は、スペーサ２０と同じ材料であれば良い。すなわち、スペーサ２００は、例えば、樹脂、シリコン、セラミックス、及び金属のいずれかを含む。スペーサ２００の主面２００ａに接着層２５を設け、図３に示すように、接着層２５が加工テーブル１００と接するようにスペーサ２００を加工テーブル１００に載せる。なお、加工テーブル１００上にあらかじめ接着層２５が設けられ、スペーサ２００の主面２００ａが接着層２５と接するようにスペーサ２００を加工テーブル１００に載せても良い。
【0020】
図４に示すように、ブレード３００を角度α傾けてスペーサ２００をダイシングする。図５に示すように、ブレード３００を角度－α傾けてスペーサ２００をダイシングする。以上より、接着層２５を含むスペーサ２０が完成する。なお、図４及び図５の工程の順序は限定されず、図５の工程の後に図４の工程を行っても良い。
【0021】
なお、第３面２０ｃと第２面２０ｂとの二つの面のなす角度θ及び第４面２０ｄと第２面２０ｂとの二つの面のなす角度θは、ブレード３００の傾きに基づき、以下の式が成り立つ。
θ＝９０－α ・・・（１）
したがって、ブレード３００が取り得る角度αによって第３面２０ｃ及び第４面２０ｄの第２面２０ｂに対して取り得る角度θは変化する。角度αは、０度より大きく９０度未満である。なお、角度αは０度より大きく６０度以下であればなお良い。さらに、角度αは３０度以上６０度以下であればなお良い。
なお、角度α及び角度θは、スペーサ２０の製造工程におけるブレード３００の傾きの誤差を考慮した角度であっても良い。すなわち、ブレード３００の傾き角度αが０度以上５度以下の場合、製造誤差とみなし、角度αは約０度であるとする。したがって、その場合に角度θが０度より大きく９０度未満としたときは、実際には角度θは０度より大きく８５度未満であることを意味する。
θ＝９０－α ・・・（１）
したがって、ブレード３００が取り得る角度αによって第３面２０ｃ及び第４面２０ｄの第２面２０ｂに対して取り得る角度θは変化する。角度αは、０度より大きく９０度未満である。なお、角度αは０度より大きく６０度以下であればなお良い。さらに、角度αは３０度以上６０度以下であればなお良い。
なお、角度α及び角度θは、スペーサ２０の製造工程におけるブレード３００の傾きの誤差を考慮した角度であっても良い。すなわち、ブレード３００の傾き角度αが０度以上５度以下の場合、製造誤差とみなし、角度αは約０度であるとする。したがって、その場合に角度θが０度より大きく９０度未満としたときは、実際には角度θは０度より大きく８５度未満であることを意味する。
【0022】
図６から図９を用いて、本実施形態に係る半導体装置１の製造方法を説明する。
図６に示すように、基板１０上にコントローラ３０及び部品６０を設ける。コントローラ３０は樹脂３５により基板１０にさらに固定される。続いて、図７に示すように、基板１０上にスペーサ２０を設ける。例えば、第１面２０ａの接着層２５を基板１０に押し付けて、スペーサ２０と基板１０とを接着させる。これにより、Ｚ方向において、部品６０の少なくとも一部の上方に、スペーサ２０が設けられる。図８に示すように、複数の半導体チップ４０をスペーサ２０の上方に設ける。例えば、半導体チップ４０の接着層４５をスペーサ２０又はＺ方向下段の半導体チップ４０に押し付けて、半導体チップ４０と、スペーサ２０又はＺ方向下段の半導体チップ４０と、を接着させる。
図６に示すように、基板１０上にコントローラ３０及び部品６０を設ける。コントローラ３０は樹脂３５により基板１０にさらに固定される。続いて、図７に示すように、基板１０上にスペーサ２０を設ける。例えば、第１面２０ａの接着層２５を基板１０に押し付けて、スペーサ２０と基板１０とを接着させる。これにより、Ｚ方向において、部品６０の少なくとも一部の上方に、スペーサ２０が設けられる。図８に示すように、複数の半導体チップ４０をスペーサ２０の上方に設ける。例えば、半導体チップ４０の接着層４５をスペーサ２０又はＺ方向下段の半導体チップ４０に押し付けて、半導体チップ４０と、スペーサ２０又はＺ方向下段の半導体チップ４０と、を接着させる。
【0023】
図９に示すように、半導体チップ４０と基板１０とを、ボンディングワイヤ５０を用いて電気的に接続する。そして、基板１０の主面のスペーサ２０、コントローラ３０、半導体チップ４０、ボンディングワイヤ５０、及び部品６０を封止樹脂７０で封止する。また、基板１０の裏面に外部電極８０を接合する。以上より、図２に示す本実施形態における半導体装置１が完成する。
【0024】
なお、複数の半導体チップ４０を設ける工程と、ボンディングワイヤ５０を用いて半導体チップ４０と基板１０とを電気的に接続する工程の順序はこれに限定されない。例えば、最下段の半導体チップ４０をスペーサ２０の上方に設けた後に、ボンディングワイヤ５０を用いて最下段の半導体チップ４０と基板１０とを電気的に接続し、その後、その他の複数の半導体チップ４０を最下段の半導体チップ４０の上方に設けても良い。
【0025】
本実施形態によれば、スペーサ２０をＹ方向から見て第３面２０ｃ及び第４面２０ｄに傾斜を含む台形にしたことにより、基板１０上の配置の自由度を高め、半導体装置１の厚さを薄くし、封止樹脂７０の充填率を高めることができる。
【0026】
具体的には、スペーサ２０の第１面２０ａを第２面２０ｂよりも小さくしたことにより、スペーサ２０はスペーサ２０のＸ方向に設けられた第１部材との接触を回避しやすくなる。すなわち、Ｚ方向から見た場合、スペーサ２０とスペーサ２０のＸ方向に設けられた部品６０及び樹脂３５とのマージンを小さくすることが可能である。したがって、基板１０上の配置の自由度を高められる。例えば、スペーサ２０の厚さを５０ｕｍ、ブレードの傾きの角度αを１５度（第３面２０ｃと第２面２０ｂとの二つの面のなす角度θは７５度）とした場合、第１面１０ａは第２面２０ｂよりも約２６．８ｕｍ小さくすることができる。また、基板１０自体を小さくすることも可能である。
また、スペーサ２０の第２面２０ｂを第１面２０ａよりも大きくしたことにより、半導体チップ４０をスペーサ２０に接着する際に、半導体チップ４０へのストレスを軽減させることが可能である。そのため、接着層４５の厚さを薄くすることができる。
さらに、スペーサ２０の第１面２０ａを第２面２０ｂよりも小さくしたことにより、スペースＳが広がる。したがって、封止樹脂７０の充填率を高めることが可能である。
また、スペーサ２０の第２面２０ｂを第１面２０ａよりも大きくしたことにより、半導体チップ４０をスペーサ２０に接着する際に、半導体チップ４０へのストレスを軽減させることが可能である。そのため、接着層４５の厚さを薄くすることができる。
さらに、スペーサ２０の第１面２０ａを第２面２０ｂよりも小さくしたことにより、スペースＳが広がる。したがって、封止樹脂７０の充填率を高めることが可能である。
【0027】
なお、本実施形態では、コントローラ３０とスペーサ２０とが並ぶ方向におけるスペーサ２０の第３面２０ｃ及び第４面２０ｄについて説明した。しかし、図１０に示すように、スペーサ２０の第１面２０ａから第４面２０ｄの全てに接するスペーサ２０の第５面及び第６面においても同様の構成であっても良い。すなわち、Ｚ方向から見た場合、第１面２０ａの四辺が第２面２０ｂの四辺よりもスペーサ２０の中央側に位置していても良い。
【0028】
また、本実施形態において、スペーサ２０上に半導体チップ４０を設けた半導体装置１を説明したが、これに限定されない。図１１に示すように、例えば、スペーサ２０上にスペーサ９０が設けられても良い。スペーサ９０は接着層９５を含む。スペーサ９０は、接着層９５によりスペーサ２０上に設けられる。接着層９５は、接着層４５と同様にスペーサ９０をスペーサ２０に接着するだけでなく、接着時にスペーサ９０にかかるストレスを軽減することが可能である。なお、スペーサ９０は、例えば、樹脂、シリコン、セラミックス、及び金属のいずれかを含む。スペーサ２０とスペーサ９０は同じ材料であっても良いし、異なる材料であっても良い。
【0029】
（第２実施形態）
第１実施形態とは、スペーサ２０のＹ方向からみた形状が異なる。
図１２及び図１３を用いて本実施形態に係る半導体装置１の構成を説明する。本実施形態において、半導体装置１は、スペーサ２０の代わりにスペーサ１２０を備える。また、スペーサ１２０の基本的な構成はスペーサ２０と同様である。ただし、接着層２５の代わりに接着層１２５を含む。また、第１面２０ａ、第２面２０ｂ、第３面２０ｃ及び第４面２０ｄの代わりに第１面１２０ａ、第２面１２０ｂ、第３面１２０ｃ及び第４面１２０ｄを含む。
第１実施形態とは、スペーサ２０のＹ方向からみた形状が異なる。
図１２及び図１３を用いて本実施形態に係る半導体装置１の構成を説明する。本実施形態において、半導体装置１は、スペーサ２０の代わりにスペーサ１２０を備える。また、スペーサ１２０の基本的な構成はスペーサ２０と同様である。ただし、接着層２５の代わりに接着層１２５を含む。また、第１面２０ａ、第２面２０ｂ、第３面２０ｃ及び第４面２０ｄの代わりに第１面１２０ａ、第２面１２０ｂ、第３面１２０ｃ及び第４面１２０ｄを含む。
【0030】
本実施形態において、第１面１２０ａと第２面１２０ｂとは略同じ面積である。第４面１２０ｄは、第３面１２０ｃと略平行である。第３面１２０ｃと第２面１２０ｂとの二つの面がなす角度θ及び第４面１２０ｄと第１面１２０ａとの二つの面のなす角度θは、０度より大きく９０度未満である。なお、角度θは３０度以上であり９０度未満であればなお良い。すなわち、本実施形態において、Ｙ方向から見た場合、スペーサ１２０は平行四辺形である。
【0031】
樹脂３５の少なくとも一部は、Ｚ方向において、基板１０とスペーサ１２０との間に設けられる。すなわち、Ｚ方向から見た場合、樹脂３５の少なくとも一部はスペーサ１２０と重複する。
【0032】
本実施形態に係るスペーサ１２０の製造方法は、図３及び図４と同様である。すなわち、図５の工程がないため第１実施形態よりも製造工程が少ない。また、本実施形態に係る半導体装置１の製造方法は、図６から図９と同様である。
【0033】
本実施形態によれば、スペーサ１２０をＹ方向から見て平行四辺形にしたことにより、第１実施形態と同様に基板１０上の配置の自由度を高め、封止樹脂７０の充填率を高めることができる。具体的には、スペーサ１２０は第３面１２０ｃ側に設けられた第１部材との接触を回避しやすくなる。したがって、Ｚ方向から見た場合、スペーサ１２０と樹脂３５とのマージンを小さくすることが可能である。さらに、第１実施形態と比較して、スペーサ１２０の製造工程を減らすことができる。
【0034】
（第３実施形態）
第１実施形態とは、スペーサ２０のＹ方向からみた形状が異なる。
図１４及び図１５を用いて本実施形態に係る半導体装置１の構成を説明する。本実施形態において、半導体装置１は、スペーサ２０の代わりにスペーサ２２０を備える。また、スペーサ２２０の基本的な構成はスペーサ２０と同様である。ただし、接着層２５の代わりに接着層２２５を含む。また、第１面２０ａ、第２面２０ｂ、第３面２０ｃ及び第４面２０ｄの代わりに第１面２２０ａ、第２面２２０ｂ、第３面２２０ｃ及び第４面２２０ｄを含む。
第１実施形態とは、スペーサ２０のＹ方向からみた形状が異なる。
図１４及び図１５を用いて本実施形態に係る半導体装置１の構成を説明する。本実施形態において、半導体装置１は、スペーサ２０の代わりにスペーサ２２０を備える。また、スペーサ２２０の基本的な構成はスペーサ２０と同様である。ただし、接着層２５の代わりに接着層２２５を含む。また、第１面２０ａ、第２面２０ｂ、第３面２０ｃ及び第４面２０ｄの代わりに第１面２２０ａ、第２面２２０ｂ、第３面２２０ｃ及び第４面２２０ｄを含む。
【0035】
本実施形態において、第４面２２０ｄと第１面２２０ａとの二つの面のなす角度は約９０度である。第４面２２０ｄと第１面２２０ａとの二つの面のなす角度は約９０度である。すなわち、本実施形態において、Ｙ方向から見た場合、スペーサ１２０は第４面２２０ｄに傾斜を含む台形である。
【0036】
樹脂３５の少なくとも一部は、Ｚ方向において、基板１０とスペーサ２０との間に設けられる。すなわち、Ｚ方向から見た場合、樹脂３５の少なくとも一部はスペーサ２０と重複する。
【0037】
図１６を用いて、本実施形態に係るスペーサ２２０の製造方法を説明する。図３及び図４の工程は第１実施形態と同様である。図４に続いて、図１６に示すようにブレード３００を傾けず（角度α＝０°）にスペーサ２２０をダイシングする。以上より、スペーサ２２０が完成する。なお、図４及び図１６の工程の順序はこれに限定されず、図１６の工程の後に図４の工程を行っても良い。
【0038】
本実施形態によれば、スペーサ２２０をＹ方向から見て第４面２２０ｄに傾斜を含む台形にしたことにより、第１実施形態と同様に、基板１０上の配置の自由度を高め、半導体装置１の厚さを薄くし、封止樹脂７０の充填率を高めることができる。
【0039】
具体的には、スペーサ２２０の第１面２２０ａを第２面２２０ｂよりも小さくしたことにより、第３面２２０ｃ側に設けられた第１部材との接触を回避しやすくなる。すなわち、Ｚ方向から見た場合、スペーサ２２０と樹脂３５とのマージンを小さくすることが可能である。したがって、基板１０上の配置の自由度を高められる。例えば、スペーサ２０の厚さを５０ｕｍ、ブレード３００の傾きの角度αを１５度（第３面２０ｃと第２面２０ｂとの二つの面のなす角度θは７５度）とした場合、第１面２１０ａは第２面２２０ｂよりも約１３．４ｕｍ小さくすることができる。
【0040】
（第４実施形態）
第１実施形態とは、スペーサ２０のＹ方向からみた形状が異なる。
図１７を用いて本実施形態に係る半導体装置１の構成を説明する。本実施形態において、半導体装置１は、スペーサ２０の代わりにスペーサ３２０を備える。また、スペーサ３２０の基本的な構成はスペーサ２０と同様である。ただし、接着層２５の代わりに接着層３２５を含む。また、第１面２０ａ、第２面２０ｂ、第３面２０ｃ及び第４面２０ｄの代わりに第１面３２０ａ、第２面３２０ｂ、第３面３２０ｃ及び第４面３２０ｄを含む。本実施形態において、第３面３２０ｃと第１面３２０ａとの二つの面のなす角度は約９０度である。第３面３２０ｃ及と第１第２面３２０ｂとの二つの面のなす角度は約９０度である。第４面３２０ｄと第１面３２０ａとの二つの面のなす角度は約９０度である。第４面３２０ｄ及と第１第２面３２０ｂとの二つの面のなす角度は約９０度である。
第１実施形態とは、スペーサ２０のＹ方向からみた形状が異なる。
図１７を用いて本実施形態に係る半導体装置１の構成を説明する。本実施形態において、半導体装置１は、スペーサ２０の代わりにスペーサ３２０を備える。また、スペーサ３２０の基本的な構成はスペーサ２０と同様である。ただし、接着層２５の代わりに接着層３２５を含む。また、第１面２０ａ、第２面２０ｂ、第３面２０ｃ及び第４面２０ｄの代わりに第１面３２０ａ、第２面３２０ｂ、第３面３２０ｃ及び第４面３２０ｄを含む。本実施形態において、第３面３２０ｃと第１面３２０ａとの二つの面のなす角度は約９０度である。第３面３２０ｃ及と第１第２面３２０ｂとの二つの面のなす角度は約９０度である。第４面３２０ｄと第１面３２０ａとの二つの面のなす角度は約９０度である。第４面３２０ｄ及と第１第２面３２０ｂとの二つの面のなす角度は約９０度である。
【0041】
また、スペーサ３２０は、第１部分３２０ｉ及び第２部分３２０ｉｉを含む。第１部分３２０ｉは、Ｚ方向において基板１０側に位置する。第１部分３２０ｉのＸ方向の長さは、第１面３２０ａのＸ方向の長さと同じである。第２部分３２０ｉｉは、第１部分３２０ｉ上に位置する。第２部分３２０ｉｉのＸ方向の長さは、第２面３２０ｂのＸ方向の長さと同じである。したがって、第１部分３２０ｉの方が第２部分３２０ｉｉよりも、Ｘ方向の長さが短い。また、Ｘ方向において、第１部分３２０ｉのコントローラ３０から一番遠い辺までの距離は、第２部分３２０ｉｉのコントローラ３０から一番遠い辺までの距離と略同じである。したがって、Ｙ方向から見た場合、スペーサ３２０はＬ字型である。言い換えると、第３面３２０ｃは段差を有する。また、第１部分３２０ｉの厚さｈ１は第２部分３２０ｉｉの厚さｈ２よりも大きい（ｈ１＞ｈ２）。第１部分３２０ｉの厚さｈ１の方が第２部分３２０ｉｉの厚さｈ２よりも大きいことにより、より樹脂３５を回避しやすくなる。本実施形態において、例えば第１部分３２０ｉの厚さｈ１と第２部分３２０ｉｉの厚さｈ２の比率は２：１である。
【0042】
樹脂３５の少なくとも一部は、Ｚ方向において、基板１０とスペーサ３２０との間に設けられる。すなわち、Ｚ方向から見た場合、樹脂３５の少なくとも一部はスペーサ２０と重複する。
【0043】
図１８から図２７を用いて本実施形態に係るスペーサ３２０の製造方法を二つ説明する。まず図１８から図２４を用いて、本実施形態に係るスペーサ３２０の一つ目の製造方法を説明する。図１８に示すように、スペーサ２００の主面２００ａがＺ方向負側に位置するように配置する。図１９に示すように、ダイシングブレード３００でスペーサ２００の裏面２００ｂから所定の厚さをダイシングする。
【0044】
続いて、裏面２００ｂに保護テープ４００を設ける。保護テープ４００が設けられたスペーサ２００の主面２００ａと裏面２００ｂをＺ方向において反転させる。図２０に示すように、ホイール３０２でスペーサ２００の主面２００ａを研削する。この時、図１９でダイシングした位置に少なくとも一部が重なる厚さまでスペーサ２００を研削する。図２１に示すように、ダイシングブレード３００よりＸ方向の幅が広いダイシングブレード３０４で、スペーサ２００を主面２００ａから約３分の２の厚さまでダイシングする。図２１においてダイシングする厚さは、第１部分３２０ｉの厚さｈ１と第２部分３２０ｉｉの厚さｈ２の比率に基づく。
【0045】
図２２に示すように、保護テープ４００を除去し、スペーサ２００の主面２００ａに接着層３２５及びダイシングテープ５００を順に設ける。接着層３２５及びダイシングテープ５００を貼付したスペーサ２００をＺ方向において反転させる。続いて、図２３に示すように、ダイシングテープ５００側から接着層３２５及びダイシングテープ５００と共にスペーサ２００をピックアップ装置６００により突き上げて個片化する。以上より、図２４に示すような接着層３２５を含むスペーサ３２０が完成する。なお、一つ目の製造方法では、ダイシングテープ５００および接着層３２５をピックアップ装置６００で突き上げて個片化しているため、接着層３２５は断面がなめらかではない。
【0046】
続いて図２５から図２７を用いて、本実施形態に係るスペーサ３２０の二つ目の製造方法を説明する。なお、本実施形態に係るスペーサ３２０の一つ目の製造方法と図１８から図２０までは同様である。
図２５に示すように、スペーサ２００の主面２００ａに接着層３２５を設ける。続いて、図示しないダイシングブレード３０４で、スペーサ２００及び接着層３２５を主面２００ａから約３分の２の厚さまでダイシングする。そして図２６に示すように、接着層３２５上にダイシングテープ５００を設け、裏面２００ｂの保護テープ４００を除去する。なお、裏面２００ｂの保護テープ４００を取り除くタイミングは接着層３２５上にダイシングテープ５００を貼付する前であっても良い。
図２５に示すように、スペーサ２００の主面２００ａに接着層３２５を設ける。続いて、図示しないダイシングブレード３０４で、スペーサ２００及び接着層３２５を主面２００ａから約３分の２の厚さまでダイシングする。そして図２６に示すように、接着層３２５上にダイシングテープ５００を設け、裏面２００ｂの保護テープ４００を除去する。なお、裏面２００ｂの保護テープ４００を取り除くタイミングは接着層３２５上にダイシングテープ５００を貼付する前であっても良い。
【0047】
続いてスペーサ２００の主面２００ａと裏面２００ｂをＺ方向において反転させる。ダイシングテープ５００側からスペーサを図示しないピックアップ装置６００で突き上げて個片化し、図２７に示すような接着層３２５を含むスペーサ３２０が完成する。二つ目の製造方法では、接着層３２５をダイシングブレード３０４によりダイシングするため、接着層３２５の断面は一つ目の製造方法と比較してなめらかである
【0048】
本実施形態によれば、第１部分３２０ｉの方が第２部分３２０ｉｉよりも小さく、Ｙ方向から見た場合に第３面３２０ｃが段差を有する形状にしたことにより、第３実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、本実施形態に係るスペーサ３２０の製造方法ではブレード３００、３０４を傾ける必要がない。したがって角度をつけることができないブレード３００、３０４であっても製造可能である。
【0049】
（変形例１）
図２８を用いて第４実施形態の変形例１を説明する。変形例１において、第２部分３２０ｉｉの第３面３２０ｃと第２面３２０ｂとの二つの面のなす角度は０度より大きく９０度未満である。すなわち、第３面３２０ｃは少なくとも一部に斜面を含む。
図２８を用いて第４実施形態の変形例１を説明する。変形例１において、第２部分３２０ｉｉの第３面３２０ｃと第２面３２０ｂとの二つの面のなす角度は０度より大きく９０度未満である。すなわち、第３面３２０ｃは少なくとも一部に斜面を含む。
【0050】
変形例１に係るスペーサ３２０は、例えば、３Ｄプリンタを用いて製造する。製造方法はこれに限定されず、スペーサ３２０の型にスペーサ３２０の材料を流し込んで製造しても良い。
【0051】
（変形例２）
図２９を用いて第４実施形態の変形例２を説明する。変形例２において、Ｙ方向から見た場合、第２部分３２０ｉｉの第３面３２０ｃは複数の段差を有する。
図２９を用いて第４実施形態の変形例２を説明する。変形例２において、Ｙ方向から見た場合、第２部分３２０ｉｉの第３面３２０ｃは複数の段差を有する。
【0052】
図３０及び図３１を用いて、変形例２に係るスペーサ３２０の製造方法を説明する。第４実施形態と同様に図１８に示すようにスペーサ２００を配置する。そして図３０に示すように、ダイシングブレード３０６を用いてダイシングを行う。続いて、図３１に示すように、ダイシングプレード３０６よりもＸ方向の幅が小さいダイシングブレード３０８を用いてダイシングを行う。ダイシングする厚さは、図３０に示したダイシングの工程より厚い。以上のように、ダイシングする回数が増える度にダイシングする厚さは厚く、ダイシングブレードのＸ方向の幅は小さくして繰り返しダイシングを行うことにより、図２９に示すスペーサ３２０が完成する。なお、図３０及び図３１の製造方法に限定されない。同じ幅のダイシングブレードを用いて、ダイシングする厚さとダイシングするＸ方向の位置を変えて繰り返しダイシングしても良い。また、Ｘ方向の長さが異なる複数のスペーサを積層し第２部分３２０ｉｉを形成しても良い。変形例２に係るスペーサ３２０を変形例１と同様の方法で製造しても良い。
【0053】
（第５実施形態）
第１実施形態とは、スペーサ２０の構造が異なる。具体的には、スペーサが面積の異なる複数のスペーサを含む。
図３２を用いて本実施形態に係る半導体装置１の構成を説明する。本実施形態において、半導体装置１は、スペーサ２０の代わりにスペーサ４２０を備える。スペーサ４２０の基本的な構成はスペーサ２０と同様である。ただし、スペーサ４２０は、第１面２０ａ、第２面２０ｂ、第３面２０ｃ及び第４面２０ｄの代わりに第１面４２０ａ、第２面４２０ｂ、第３面４２０ｃ及び第４面４２０ｄを含む。
第１実施形態とは、スペーサ２０の構造が異なる。具体的には、スペーサが面積の異なる複数のスペーサを含む。
図３２を用いて本実施形態に係る半導体装置１の構成を説明する。本実施形態において、半導体装置１は、スペーサ２０の代わりにスペーサ４２０を備える。スペーサ４２０の基本的な構成はスペーサ２０と同様である。ただし、スペーサ４２０は、第１面２０ａ、第２面２０ｂ、第３面２０ｃ及び第４面２０ｄの代わりに第１面４２０ａ、第２面４２０ｂ、第３面４２０ｃ及び第４面４２０ｄを含む。
【0054】
本実施形態において、スペーサ４２０は、第１スペーサ４２２及び第２スペーサ４２４を含む。第２スペーサ４２４の面積は、第１スペーサ４２２の面積よりも大きい。第１スペーサ４２２及び第２スペーサ４２４の基本的な構成はスペーサ２０と同様である。ただし、第１スペーサ４２２及び第２スペーサ４２４は、接着層２５の代わりにそれぞれ接着層４２５を含む。また、第１スペーサ４２２は、第１面２０ａ、第２面２０ｂ、第３面２０ｃ及び第４面２０ｄの代わりに第１面４２２ａ、第２面４２２ｂ、第３面４２２ｃ及び第４面４２２ｄを含む。第２スペーサ４２４は、第１面２０ａ、第２面２０ｂ、第３面２０ｃ及び第４面２０ｄの代わりに第１面４２４ａ、第２面４２４ｂ、第３面４２４ｃ及び第４面４２４ｄを含む。
【0055】
本実施形態において、第１面４２０ａは第１面４２２ａ及び第１面４２４ａを有する。第２面４２０ｂは第２面４２２ｂ及び第２面４２４ｂを有する。第３面４２０ｃは第３面４２２ｃ及び第３面４２４ｃを有する。第４面４２０ｄは第４面４２２ｄ及び第４面４２４ｄを有する。
また、本実施形態において、第３面４２２ｃ及び第３面４２４ｃは、第１面４２０ａ及び第２面４２０ｂに対して約９０度である。第４面４２２ｄ及び第４面４２４ｄは、第１面４２０ａ及び第２面４２０ｂに対して約９０度である。
また、本実施形態において、第３面４２２ｃ及び第３面４２４ｃは、第１面４２０ａ及び第２面４２０ｂに対して約９０度である。第４面４２２ｄ及び第４面４２４ｄは、第１面４２０ａ及び第２面４２０ｂに対して約９０度である。
【0056】
本実施形態において、第２スペーサ４２４は、第１スペーサ４２２の上方に設けられる。また、第１スペーサ４２２の厚さｈ３は第２スペーサ４２４の厚さｈ４よりも大きい（ｈ３＞ｈ４）。本実施形態において、第１スペーサ４２２の厚さｈ３と第２スペーサ４２４の厚さｈ４の比率は、例えば２：１である。また、Ｘ方向において、第１スペーサ４２２のコントローラ３０から一番遠い辺までの距離は、第２スペーサ４２４のコントローラ３０から一番遠い辺までの距離と略同じである。なお、本実施形態ではスペーサ４２０が第１スペーサ４２２及び第２スペーサ４２４の二つのスペーサを含むが、三つ以上のスペーサを含んでいても良い。スペーサ４２０が三つ以上のスペーサを含む場合、少なくとも二つのスペーサの面積が異なっていれば良い。また、Ｚ方向において、少なくとも二つのスペーサのうち基板１０から遠いスペーサの面積の方が大きい。
【0057】
樹脂３５の少なくとも一部は、Ｚ方向において、基板１０とスペーサ４２０との間に設けられる。すなわち、Ｚ方向から見た場合、樹脂３５の少なくとも一部はスペーサ２０と重複する。
【0058】
図３３及び図３４を用いて本実施形態に係る半導体装置１の製造方法を説明する。
図６と同様に、基板１０上にコントローラ３０及び部品６０を設ける。コントローラ３０は樹脂３５により基板１０にさらに固定される。続いて、図３３に示すように、基板１０上に第１スペーサ４２２を設ける。例えば、第１面４２２ａの接着層４２５を基板１０に押し付けて、第１スペーサ４２２と基板１０とを接着させる。図３３に示すように、第１スペーサ４２２の上方に第２スペーサ４２４を設ける。例えば、第１面４２４ａの接着層４２５を第１スペーサ４２２に押し付けて、第２スペーサ４２４と第１スペーサ４２２とを接着させる。その後、第１実施形態の図８以降の工程と同様にして、図３２に示す本実施形態に係る半導体記憶装置１が完成する。
図６と同様に、基板１０上にコントローラ３０及び部品６０を設ける。コントローラ３０は樹脂３５により基板１０にさらに固定される。続いて、図３３に示すように、基板１０上に第１スペーサ４２２を設ける。例えば、第１面４２２ａの接着層４２５を基板１０に押し付けて、第１スペーサ４２２と基板１０とを接着させる。図３３に示すように、第１スペーサ４２２の上方に第２スペーサ４２４を設ける。例えば、第１面４２４ａの接着層４２５を第１スペーサ４２２に押し付けて、第２スペーサ４２４と第１スペーサ４２２とを接着させる。その後、第１実施形態の図８以降の工程と同様にして、図３２に示す本実施形態に係る半導体記憶装置１が完成する。
【0059】
本実施形態によれば、スペーサ４２０が第１スペーサ４２２、及び第１スペーサ４２２の上方に設けられ、第１スペーサ４２２よりも面積が大きい第２スペーサ４２４を含むことにより、第３実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態に係る第１スペーサ４２２及び第２スペーサ４２４はブレード３００を傾けて製造する必要がなく、同様の工程で製造することが可能である。さらに、第４実施形態と比較して、ブレード３００及びブレード３０２といった複数種類のブレードを用いる必要がないため製造工程を減らすことができる。
【0060】
（変形例）
図３５を用いて第５実施形態の変形例を説明する。変形例において、基板１０は少なくとも１つのスペーサを含む。具体的には、基板１０は第１スペーサ４２２を含む。すなわち、第１スペーサ４２２は、基板１０の一部である。したがってスペーサ４２０は基板１０の一部及び第２スペーサ４２４を含む。第１スペーサ４２２は、例えば基板１０と同じ材料である。なお、第１スペーサ４２２は基板１０に含まれていればよく、基板１０のその他の部分と材料が異なっていても良い。
図３５を用いて第５実施形態の変形例を説明する。変形例において、基板１０は少なくとも１つのスペーサを含む。具体的には、基板１０は第１スペーサ４２２を含む。すなわち、第１スペーサ４２２は、基板１０の一部である。したがってスペーサ４２０は基板１０の一部及び第２スペーサ４２４を含む。第１スペーサ４２２は、例えば基板１０と同じ材料である。なお、第１スペーサ４２２は基板１０に含まれていればよく、基板１０のその他の部分と材料が異なっていても良い。
【0061】
（第６実施形態）
第１実施形態とは、スペーサ２０の構造が異なる。具体的には、スペーサが面積の異なる複数のスペーサを含む。
図３６を用いて本実施形態に係る半導体装置１の構成を説明する。本実施形態において、半導体装置１は、スペーサ２０の代わりにスペーサ５２０を備える。スペーサ５２０の基本的な構成はスペーサ２０と同様である。ただし、スペーサ５２０は、第１面２０ａ、第２面２０ｂ、第３面２０ｃ及び第４面２０ｄの代わりに第１面５２０ａ、第２面５２０ｂ、第３面５２０ｃ及び第４面５２０ｄを含む。
第１実施形態とは、スペーサ２０の構造が異なる。具体的には、スペーサが面積の異なる複数のスペーサを含む。
図３６を用いて本実施形態に係る半導体装置１の構成を説明する。本実施形態において、半導体装置１は、スペーサ２０の代わりにスペーサ５２０を備える。スペーサ５２０の基本的な構成はスペーサ２０と同様である。ただし、スペーサ５２０は、第１面２０ａ、第２面２０ｂ、第３面２０ｃ及び第４面２０ｄの代わりに第１面５２０ａ、第２面５２０ｂ、第３面５２０ｃ及び第４面５２０ｄを含む。
【0062】
本実施形態において、スペーサ５２０は、第１スペーサ５２２及び第２スペーサ５２４を含む。第２スペーサ５２４の面積は、第１スペーサ５２２の面積よりも大きい。第１スペーサ５２２及び第２スペーサ５２４の基本的な構成はスペーサ２０と同様である。ただし、第１スペーサ５２２及び第２スペーサ５２４は、接着層２５の代わりにそれぞれ接着層５２５を含む。また、第１スペーサ５２２は、第１面２０ａ、第２面２０ｂ、第３面２０ｃ及び第４面２０ｄの代わりに第１面５２２ａ、第２面５２２ｂ、第３面５２２ｃ及び第４面５２２ｄを含む。第２スペーサ５２４は、第１面２０ａ、第２面２０ｂ、第３面２０ｃ及び第４面２０ｄの代わりに第１面５２４ａ、第２面５２４ｂ、第３面５２４ｃ及び第４面５２４ｄを含む。
【0063】
本実施形態において、第１面５２０ａは第１面５２２ａ及び第１面５２４ａを有する。第２面５２０ｂは第２面５２２ｂ及び第２面５２４ｂを有する。第３面５２０ｃは第３面５２２ｃ及び第３面５２４ｃを有する。第４面５２０ｄは第４面５２２ｄ及び第４面５２４ｄを有する。
また、本実施形態において、第３面５２２ｃ及び第３面５２４ｃは、第１面５２０ａ及び第２面５２０ｂに対して約９０度である。第４面５２２ｄ及び第４面５２４ｄは、第１面５２０ａ及び第２面５２０ｂに対して約９０度である。
また、本実施形態において、第３面５２２ｃ及び第３面５２４ｃは、第１面５２０ａ及び第２面５２０ｂに対して約９０度である。第４面５２２ｄ及び第４面５２４ｄは、第１面５２０ａ及び第２面５２０ｂに対して約９０度である。
【0064】
本実施形態において、第２スペーサ５２４は、第１スペーサ５２２の上方に設けられる。また、第１スペーサ５２２の厚さｈ５は、第２スペーサ５２４の厚さｈ６よりも大きい（ｈ５＞ｈ６）。第１スペーサ５２２の厚さｈ５は、部品６０の厚さｈ７よりも大きい（ｈ５＞ｈ７）。本実施形態において、第１スペーサ５２２の厚さｈ５と第２スペーサ５２４の厚さｈ６の比率は、例えば２：１である。また、Ｘ方向において、第１スペーサ５２２のコントローラ３０から一番遠い辺までの距離は、第２スペーサ５２４のコントローラ３０から一番遠い辺までの距離より短い。Ｘ方向において、第１スペーサ５２２のコントローラ３０から一番近い辺までの距離は、第２スペーサ５２４のコントローラ３０から一番近い辺までの距離より長い。したがって、Ｙ方向から見た場合、スペーサ５２０はＴ字型である。なお、Ｙ方向から見た場合、第２スペーサ５２４は第１スペーサ５２２よりもＸ方向両側の長さが長ければよく、Ｔ字型に限定されない。
【0065】
なお、本実施形態ではスペーサ５２０が第１スペーサ５２２及び第２スペーサ５２４の二つのスペーサを含むが、三つ以上のスペーサを含んでいても良い。スペーサ５２０が三つ以上のスペーサを含む場合、少なくとも二つのスペーサの面積が異なっていれば良い。また、Ｚ方向において、少なくとも二つのスペーサのうち基板１０から遠いスペーサの面積の方が大きい。また、Ｙ方向から見た場合、少なくとも二つのスペーサのうち、基板１０から遠いスペーサは、基板１０に近いスペーサよりもＸ方向両側の長さが長い。
【0066】
本実施形態において、第１部材の少なくとも一部は、Ｚ方向において、基板１０とスペーサ５２０との間に設けられる。すなわち、Ｚ方向から見た場合、樹脂３５の少なくとも一部及び部品６０の少なくとも一部はスペーサ５２０と重複する。
【0067】
本実施形態に係る半導体装置１の製造方法は第５実施形態と同様である。
【0068】
本実施形態によれば、Ｙ方向から見た場合、第２スペーサ５２４が第１スペーサ５２２よりもＸ方向両側の長さが長い形状にしたことにより、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態に係る第１スペーサ５２２及び第２スペーサ５２４はブレード３００を傾けて製造する必要がなく、同様の工程で製造することが可能である。さらに、第４実施形態と比較して、ブレード３００及びブレード３０２といった複数種類のブレードを用いる必要がないため製造工程を減らすことができる。
【0069】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【0070】
１・・・半導体装置、１０・・・基板、２０、９０、１２０、２００、２２０、３２０、４２０、５２０・・・スペーサ、２５、４５、９５、１２５、２２５、３２５、４２５、５２５・・・接着層、４２２、５２２・・・第１スペーサ、４２４、５２４・・・第２スペーサ、３０・・・コントローラ（半導体チップ）、３５・・・樹脂、４０・・・半導体チップ、５０・・・ボンディングワイヤ、６０・・・部品、７０・・・封止樹脂、８０・・・外部電極、１００・・・加工テーブル、３００、３０４、３０６、３０８・・・ダイシングブレード、３０２・・・ホイール、４００・・・保護テープ、５００・・・ダイシングテープ。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
