特開 2024-62540 弾性波デバイス、および、弾性波デバイスの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024062540

(43)【公開日】2024-05-10

(54)【発明の名称】弾性波デバイス、および、弾性波デバイスの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/25 20060101AFI20240501BHJP

   H03H 3/08 20060101ALI20240501BHJP

【ＦＩ】

H03H9/25 C

H03H3/08

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022170430

(22)【出願日】2022-10-25

(71)【出願人】

【識別番号】518453730

【氏名又は名称】三安ジャパンテクノロジー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100098202

【弁理士】

【氏名又は名称】中村 信彦

(72)【発明者】

【氏名】金子 裕臣

【テーマコード（参考）】

5J097

【Ｆターム（参考）】

5J097AA26

5J097BB02

5J097BB11

5J097EE08

5J097FF04

5J097HA03

5J097JJ06

5J097JJ09

5J097KK10

(57)【要約】

【課題】弾性波デバイスを構成するデバイスチップの熱を外部に放熱しやすくする構造を、その構造の複雑化を招くことなく、かつ、その製造工程の複雑化を招くことなく、合理的に備えさせる。
【解決手段】共振器７の形成された機能面３ａと、この機能面３ａに対向する背面３ｂとを持ったデバイスチップ３を備えてなる弾性波デバイス１である。前記機能面３ａは、所定の境界Ｌに囲まれた面内に前記共振器７を位置させる主要面部３ｅと、前記主要面部３ｅ外に位置される付随面部３ｇとからなり、前記デバイスチップ３における前記主要面部３ｅと前記背面３ｂとに挟まれた部分となる主要部３ｆの体積に占める圧電体３ｒの割合が、前記デバイスチップ３における前記付随面部３ｇと前記背面３ｂとに挟まれた部分となる付随部３ｈの体積に占める前記圧電体ｒの割合よりも大きくなるようにしてなる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

共振器の形成された機能面と、この機能面に対向する背面とを持ったデバイスチップを備えてなる弾性波デバイスであって、
前記機能面は、所定の境界に囲まれた面内に前記共振器を位置させる主要面部と、前記主要面部外に位置される付随面部とからなり、
前記デバイスチップにおける前記主要面部と前記背面とに挟まれた部分となる主要部の体積に占める圧電体の割合が、前記デバイスチップにおける前記付随面部と前記背面とに挟まれた部分となる付随部の体積に占める前記圧電体の割合よりも大きくなるようにしてなる、弾性波デバイス。

【請求項2】

前記付随部の全体又はその一部を、前記圧電体よりも熱伝導率の高いセラミクスから構成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項3】

共振器の形成された機能面と、この機能面に対向する背面とを持ったデバイスチップを備えてなる弾性波デバイスであって、
前記機能面は、所定の境界に囲まれた面内に前記共振器を位置させる主要面部と、前記主要面部外に位置される付随面部とからなり、
前記デバイスチップにおける前記付随面部と前記背面とに挟まれた部分となる付随部の体積に占める熱伝導率を１０Ｗ／ｍＫ以上とする物質の割合が、前記デバイスチップにおける前記主要面部と前記背面とに挟まれた部分となる主要部の体積に占める前記熱伝導率を１０Ｗ／ｍＫ以上とする物質の割合よりも大きくなるようにしてなる、弾性波デバイス。

【請求項4】

前記主要部を構成する島状残存部と、この島状残存部の周囲にあって前記主要面部よりも前記背面側に位置する受け面を形成させるエッチング加工部と、このエッチング加工部の前記受け面上に堆積されて前記付随部を構成する埋め戻し部とを備えてなる、請求項１又は請求項３に記載の弾性波デバイス。

【請求項5】

請求項１又は請求項３に記載の弾性波デバイスの製造方法であって、
前記デバイスチップとなるウエハの一面に共振器を形成するステップと、
前記ウエハの他面側であって前記デバイスチップの前記主要部となる領域にマスクすると共に、前記デバイスチップの前記付随部となる領域にエッチングを施すステップと、
前記エッチングが施された領域にセラミクスを堆積させて埋め戻すステップとを含む、弾性波デバイスの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

この発明は、モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用するのに適した弾性波デバイスの改良、および、その製造に適した製造方法の提供に関する。

【背景技術】

【0002】

モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用される弾性波デバイスとして、パッケージ基板にバンプを介してデバイスチップを実装させてなるものがある（図１２参照）。

【0003】

図１２中、符号１００はパッケージ基板、符号１０１はデバイスチップ、符号１０２はバンプ、符号１０３はデバイスチップ側に形成されたバンプパッド（電極パッド）、符号１０４はパッケージ基板１００側に形成されたバンプパッド（電極パッド）、符号１０５は弾性波デバイスをマザーボードに接続するための外部電極パッドである。デバイスチップ１０１とパッケージ基板１００との間には前記バンプ１０２及びバンプパッド１０３、１０４の厚さ分の隙間が形成される。パッケージ基板１００の一面側には封止樹脂層１０６が前記隙間を気密封止するように形成されており、これにより弾性波デバイスは中空構造部１０７（内部空間ないしエアキャビティ）を備えている。デバイスチップ１０１は前記中空構造部１０７に臨んだ領域にＩＤＴ電極を含む共振器１０８などの機能素子を有している。

【0004】

ここで、弾性波デバイスにおいては少なからず挿入損失により熱が生じるが、デバイスチップを構成する圧電体は熱伝導率が低く放熱性が悪い。圧電体として利用されるタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムの熱伝導率は約４から６Ｗ／ｍＫ程度である。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

この発明が解決しようとする主たる問題点は、この種の弾性波デバイスに対し、これを構成するデバイスチップの熱を外部に放熱しやすくする構造を、その構造の複雑化を招くことなく、かつ、その製造工程の複雑化を招くことなく、合理的に備えさせる点にある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

前記課題を達成するために、この発明にあっては、第一の観点から、弾性波デバイスを、共振器の形成された機能面と、この機能面に対向する背面とを持ったデバイスチップを備えてなる弾性波デバイスであって、
前記機能面は、所定の境界に囲まれた面内に前記共振器を位置させる主要面部と、前記主要面部外に位置される付随面部とからなり、
前記デバイスチップにおける前記主要面部と前記背面とに挟まれた部分となる主要部の体積に占める圧電体の割合が、前記デバイスチップにおける前記付随面部と前記背面とに挟まれた部分となる付随部の体積に占める前記圧電体の割合よりも大きくなるようにしてなる、ものとした。

【0007】

前記付随部の全体又はその一部を、セラミクスから構成させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。

【0008】

また、前記課題を達成するために、この発明にあっては、第二の観点から、弾性波デバイスを、
共振器の形成された機能面と、この機能面に対向する背面とを持ったデバイスチップを備えてなる弾性波デバイスであって、
前記機能面は、所定の境界に囲まれた面内に前記共振器を位置させる主要面部と、前記主要面部外に位置される付随面部とからなり、
前記デバイスチップにおける前記付随面部と前記背面とに挟まれた部分となる付随部の体積に占める熱伝導率を１０Ｗ／ｍＫ以上とする物質の割合が、前記デバイスチップにおける前記主要面部と前記背面とに挟まれた部分となる主要部の体積に占める前記熱伝導率を１０Ｗ／ｍＫ以上とする物質の割合よりも大きくなるようにしてなる、ものとした。

【0009】

また、前記第一の観点および第二の観点にかかる弾性波デバイスを、前記主要部を構成する島状残存部と、この島状残存部の周囲にあって前記主要面部よりも前記背面側に位置する受け面を形成させるエッチング加工部と、このエッチング加工部の前記受け面上に堆積されて前記付随部を構成する埋め戻し部とを備えたものとすることが、この発明の態様の一つとされる。

【0010】

また、前記課題を達成するために、この発明にあっては、第三の観点から、弾性波デバイスの製造方法を、前記第一の観点および第二の観点にかかる弾性波デバイスの製造方法であって、
前記デバイスチップとなるウエハの一面に共振器を形成するステップと、
前記ウエハの他面側であって前記デバイスチップの前記主要部となる領域にマスクすると共に、前記デバイスチップの前記付随部となる領域にエッチングを施すステップと、
前記エッチングが施された領域にセラミクスを堆積させて埋め戻すステップとを含む、ものとした。

【発明の効果】

【0011】

この発明によれば、この種の弾性波デバイスを構成するデバイスチップの熱を外部に放熱しやすくする構造を、デバイスチップにおける前記主要部と前記付随部とを前記のように構成することにより、その構造の複雑化を招くことなく、かつ、その製造工程の複雑化を招くことなく、合理的に備えさせることができる。これによって、付随部を通じてデバイスチップの外部に熱を逃がしやすくして、弾性波デバイスの耐電力性などの信頼性を適切に向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】図１は、この発明の一実施の形態にかかる弾性波デバイスを構成するデバイスチップの構成図であり、図２のＡ－Ａ線位置でデバイスチップを見て示している。

【図2】図２は、前記弾性波デバイスの断面構成図であり、図１におけるＢ－Ｂ線相当位置で断面にしている。

【図3】図３は、前記弾性波デバイスの断面構成図であり、図１におけるＣ－Ｃ線相当位置で断面にしている。

【図4】図４は、前記弾性波デバイスの断面構成図であり、図１におけるＤ－Ｄ線相当位置で断面にしている。

【図5】図５は、前記弾性波デバイスを構成するデバイスチップの斜視構成図である。

【図6】図６は、前記デバイスチップに形成される共振器の一例を示した構成図である。

【図7】図７は、前記デバイスチップに形成される回路の一例を示した構成図である。

【図8】図８は、前記弾性波デバイスの製造工程中のステップの一つを示した平面構成図であり、前記デバイスチップとなるウエハの一部の様子を示している。

【図9】図９は、前記弾性波デバイスのの製造工程の各ステップを示した要部断面構成図であり、ａ図、ｂ図、ｃ図、ｄ図の順で進行する。

【図10】図１０は、前記弾性波デバイスのの製造工程の各ステップを示した要部断面構成図であり、図９に続く工程を示しており、ｅ図、ｆ図の順で進行する。

【図11】図１１は、図１～図１０に示される弾性波デバイスの構成の一部変更例を示した断面構成図である。

【図12】図１２は、従来の弾性波デバイスの断面構成図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、図１～図１１に基づいて、この発明の典型的な実施の形態について、説明する。この実施の形態にかかる弾性波デバイス１は、モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用するのに適したものである。

【0014】

かかる弾性波デバイス１は、パッケージ基板２の一面２ａに、共振器７の形成された機能面３ａを向き合わせて前記パッケージ基板２に実装されたデバイスチップ３を備えている。

【0015】

典型的には、前記デバイスチップ３は、一辺を０．５ないし１ｍｍとし、厚さを０．１５ないし０．２ｍｍとする四角形の板状をなすように構成される。また、前記パッケージ基板２は、一辺を０．７ないし３ｍｍとし、厚さを０．１５ないし０．２ｍｍとする四角形の板状をなすように構成される。弾性波デバイス１は厚さを０．４ないし０．６ｍｍ程度とする。

【0016】

その断面構造を図２に示す。図中符号３はデバイスチップ、符号３ａはその機能面、符号３ｂは機能面３ａに対向する背面、符号７は共振器、符号３ｃはデバイスチップ３側のバンプパッド（電極パッド）、符号２はパッケージ基板、符号２ｂはパッケージ基板２側のバンプパッド、符号４は金などの導電性金属からなるバンプ、符号２ｃはパッケージ基板２の前記一面２ａに対向する他面に形成された弾性波デバイス１を図示しないマザーボードに接続するための外部電極パッドである。

【0017】

前記共振器７を含む前記デバイスチップ３側の回路９（図７に一例を示す。）と前記パッケージ基板２側の回路（図示は省略する。）とは、デバイスチップ３側のバンプパッド３ｃとパッケージ基板２側のバンプパッド２ｂとの間に介在されて、両バンプパッド２ｂ、３ｃにそれぞれ固着されたバンプ４によって電気的に接続されている。バンプパッド２ｂ、３ｃおよびバンプ４はなじみの良い金属同士、典型的には金やアルミニウムから構成されて接合される。

【0018】

パッケージ基板２の一面２ａ（デバイスチップ３の実装側の面）とこの一面２ａに向き合うデバイスチップ３の機能面３ａとの間には、前記バンプ４及びバンプパッド２ｂ、３ｃの厚さ分の隙間が形成される。

【0019】

このようにパッケージ基板２の一面２ａ上にデバイスチップ３を実装させた状態から、パッケージ基板２の一面２ａ側に、封止樹脂層５が形成される。封止樹脂層５は、デバイスチップ３の機能面３ａに対向する背面３ｂと、デバイスチップ３の厚さ方向に沿った側面３ｄとを覆うと共に、デバイスチップ３の縁側においてデバイスチップ３とパッケージ基板２との間の前記隙間に入り込んでデバイスチップ３の全周に亘って前記隙間を気密封止している。これにより、デバイスチップ３の機能面３ａとパッケージ基板２の一面２ａとの間には中空構造部６（内部空間ないしエアキャビティ）が形成されている。

【0020】

デバイスチップ３は、前記機能面３ａにおける中空構造部６に臨んだ部分に、共振器７を備えたものとなっている。

【0021】

デバイスチップ３は、弾性波を伝搬させる機能を持つ。デバイスチップ３には、典型的には、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムなどの圧電体３ｒが用いられる。また、デバイスチップ３は、これら圧電体３ｒを、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスなどの支持体３ｓに積層させて、構成される場合もある。

【0022】

図６にＳＡＷフィルタとなる共振器７の一例を示す。共振器７はＩＤＴ電極７ｃと、ＩＤＴ電極７ｃを挟むようにして形成される反射器７ｄとを有する。ＩＤＴ電極７ｃは、電極対からなり、各電極対は弾性波の伝搬方向ｘに長さ方向を交叉させるように平行配列された複数の電極指７ｅ同士をこれらの一端側においてバスバー７ｆで接続させてなる。反射器７ｄは、弾性波の伝搬方向ｘに長さ方向を交叉させるように平行配列された複数の電極指７ｅの端部間をバスバー７ｆで接続させてなる。
かかる共振器７は、典型的には、フォトリソグラフィ技術により形成された導電性金属膜によって構成される。
また、かかる共振器７は、一つのデバイスチップ３上に、複数形成される場合もある。

【0023】

図７に一つのデバイスチップ３上に備えられる回路９の一例の概念を示す。符号７ａは入出力ポート間に直列に接続された共振器７、符号７ｂは入出力ポート間に並列に接続された共振器７、符号８はグランド、符号９ａは配線パターンを示す。共振器７の数や配置は必要に応じて変更される。すなわち、図７の回路によってラダー型フィルタが構成されるようになっている。

【0024】

デバイスチップ３における機能面３ａは、主要面部３ｅと付随面部３ｇとから構成されている。主要面部３ｅは、機能面３ａの一部であって、所定の境界Ｌに囲まれた面内に前記共振器７を位置させる領域である。付随面部３ｇは、機能面３ａの一部であって、前記主要面部３ｅ外に位置される領域である。

【0025】

前記境界Ｌは、デバイスチップ３の設計において設定される境界であって、図示の例では機能面３ａに認識可能な形で設けられてはいない。典型的には、図６に示されるように、共振器７を構成するパターンとの間に５μｍ程度の距離ｓを開けた位置を境界Ｌとして設定する。

【0026】

図示の例では、前記境界Ｌは、デバイスチップ３の一辺に平行をなす境目Ｌ１（境界線）と、前記一辺に隣り合う他の一辺に平行をなす境目Ｌ２とを持つ設定となっている。例えば、図１における一番上に位置される主要面部３ｅは、図１の上下方向に間隔を開けて規定された一対の境目Ｌ１と、図１の左右方向に間隔を開けて規定された一対の境目Ｌ２とによって囲まれた左右方向に長い四角形の領域として設定されている。

【0027】

図示の例では、デバイスチップ３の機能面３ａに複数の共振器７が形成されており、各共振器７に対応して機能面３ａに複数の主要面部３ｅが設定されている。

【0028】

デバイスチップ３の機能面３ａにおける前記のように設定された主要面部３ｅ以外の領域が前記付随面部３ｇとして設定される。図示の例では、おおむね、デバイスチップ３の四つの隅部３ｉの近傍に位置する領域と、隣り合う隅部３ｉ間に亘る四つの縁部３ｊの近傍に位置する領域とが、付随面部３ｇに設定されている。また、隣り合う主要面部３ｅ間に挟まれた領域も付随面部３ｇに設定されている。図示の例では、かかる付随面部３ｇに、バンプパッド３ｃ、および、配線パターン９ａ（図１において図示は省略する。）が形成されるようになっている。図示の例では、各主要面部３ｅは付随面部３ｇに取り囲まれた状態になっており、また、主要面部３ｅとデバイスチップ３の縁部との間にはいずれの位置においても付随面部３ｇが位置されるようになっている。

【0029】

そして、この実施の形態にあっては、前記デバイスチップ３における前記主要面部３ｅと前記背面３ｂとに挟まれた部分となる主要部３ｆの体積に占める圧電体３ｒの割合が、前記デバイスチップ３における前記付随面部３ｇと前記背面３ｂとに挟まれた部分となる付随部３ｈの体積に占める圧電体３ｒの割合よりも大きくなるようにしてある。

【0030】

より具体的には、かかる主要部３ｆとは、デバイスチップ３における、主要面部３ｅと、デバイスチップ３の機能面３ａに直交する向きから主要面部３ｅを見たときにこの主要面部３ｅの真裏に位置される主要面部３ｅと実質的に等しい広さと主要面部３ｅに倣った輪郭とを持ったデバイスチップ３の背面３ｂの一部（以下、この背面３ｂの一部を対応主要面部３ｋと称する。）とに挟まれた部分を意味している。
そして、より具体的には、前記付随部３ｈとは、デバイスチップ３における前記主要部３ｆ以外の部分を意味している。

【0031】

弾性波デバイスにおいては少なからず挿入損失により熱が生じるが、デバイスチップ３を構成する圧電体３ｒは熱伝導率が低く放熱性が悪い。前記タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムの熱伝導率は約４から６Ｗ／ｍＫ程度である。前記のようにデバイスチップ３に主要面部３ｅとそれに対応した主要部３ｆ、付随面部３ｇとそれに対応した付随部３ｈを設定し、主要部３ｆの体積に占める圧電体３ｒの割合が付随部３ｈの体積に占める圧電体３ｒの割合よりも大きく、すなわち、付随部３ｈの体積に占める圧電体３ｒの割合が主要部３ｆの体積に占める圧電体３ｒの割合よりも小さくなるようにすれば、付随部３ｈを通じてデバイスチップ３の外部に熱を逃がしやすくして、弾性波デバイスの耐電力性などの信頼性を向上させることが可能となる。

【0032】

主要部３ｆの体積は、おおむね主要面部３ｅと対応主要面部３ｋとデバイスチップ３の厚さ（機能面３ａと背面３ｂとの間の距離）とにより算出される。付随部３ｈの体積は、デバイスチップ３の全体積から主要部３ｆの体積を除いた値となる。

【0033】

好ましくは、前記デバイスチップ３における付随部３ｈの体積に占める熱伝導率を１０Ｗ／ｍＫ以上とする物質の割合が、前記デバイスチップ３における主要部３ｆの体積に占める前記熱伝導率を１０Ｗ／ｍＫ以上とする物質の割合よりも大きくなるようにする。

【0034】

かかる付随部３ｈは、その全体又はその一部を、圧電体３ｒよりも熱伝導率の高いセラミクスから構成させることが好ましい。
かかるセラミクスとしては、典型的には、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、アルミナを用いることが好ましい。
セラミクスの形成条件によって値に差は生じるものの、窒化アルミニウムの熱伝導率は１３０ないし２３０Ｗ／ｍＫ程度、窒化ケイ素の熱伝導率は２０ないし１００Ｗ／ｍＫ程度、アルミナの熱伝導率は２０ないし４０Ｗ／ｍＫ程度である。

【0035】

より詳細には、図示の例では、前記デバイスチップ３は、前記主要部３ｆを構成する島状残存部３ｍと、この島状残存部３ｍの周囲にあって前記主要面部３ｅよりも前記背面３ｂ側に位置する受け面３ｏを形成させるエッチング加工部３ｎと、このエッチング加工部３ｎの前記受け面３ｏ上に堆積されて前記付随部３ｈを構成する埋め戻し部３ｐとを備えた構成となっている。

【0036】

デバイスチップ３となる後述のウエハ１０を全体として圧電体３ｒによって構成した場合、図２～図４に示されるように、島状残存部３ｍは主要面部３ｅと背面３ｂとに亘る範囲で圧電体３ｒによって構成される。
この場合、埋め戻し部３ｐを圧電体３ｒよりも熱伝導率の高いセラミクスによって構成することで、付随部３ｈの体積に占める圧電体３ｒの割合を主要部３ｆの体積に占める圧電体３ｒの割合よりも小さくすることができる。

【0037】

一方、デバイスチップ３となる後述のウエハ１０を、図１１に示されるように、機能面３ａ側に位置されるタンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムからなる圧電体３ｒと、背面側に位置する支持体３ｓとの積層構造とした場合、島状残存部３ｍは主要面部３ｅ側では圧電体３ｒにより構成され、背面３ｂ側では支持体３ｓによって構成される。
この場合、埋め戻し部３ｐを熱伝導率を１０Ｗ／ｍＫ以上とする物質によって構成することで、付随部３ｈの体積に占める熱伝導率を１０Ｗ／ｍＫ以上とする物質の割合を主要部３ｆの体積に占める熱伝導率を１０Ｗ／ｍＫ以上とする物質の割合よりも大きくすることができる。

【0038】

いずれの場合も、デバイスチップ３の機能面３ａは全体としてタンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムからなる圧電体３ｒにより構成される。一方、デバイスチップ３の背面３ｂは、図１～図１０に示される場合には対応主要面部３ｋではタンタル酸リチウム又はニオブ酸リチウムからなる圧電体３ｒにより構成され、付随面部３ｇではセラミクスにより構成され、図５に示されるように両者の境界Ｌが認識可能となる。また、デバイスチップ３の裏面は、図１１に示される場合には対応主要面部３ｋでは支持体３ｓにより構成され、付随面部３ｇでは熱伝導率を１０Ｗ／ｍＫ以上とする物質により構成され、両者の境界Ｌが認識可能となる。

【0039】

エッチング加工部３ｎの受け面３ｏと主要面部３ｅとの間のデバイスチップ３の厚さ方向３ｑの距離を小さくすればする程、デバイスチップ３の厚さ方向３ｑでの埋め戻し部３ｐの厚みを増加させることができ、放熱性は向上される。

【0040】

図示の例では、付随面部３ｇに形成されたバンプパッド２ｂ上に形成されたバンプ４を介してデバイスチップ３とパッケージ基板２を接合するようにしていることから、主要部３ｆに生じた熱を付随部３ｈから効率的にバンプ４を通じてパッケージ基板２側に逃すようになっている。

【0041】

以上に説明した弾性波デバイス１は、以下のようにすることで、適切且つ合理的に製造し得る。この実施の形態にかかる弾性波デバイス１の製造ステップの要部を図８ないし図１０に示す。

【0042】

先ず、前記デバイスチップ３となるウエハ１０の一面１０ａ上の一つのデバイスチップ３を構成する領域１０ｂに対してそれぞれ、共振器７、バンプパッド３ｃ、図示しない配線パターン９ａを形成させる（ステップ１／図８、図９（ａ））。ウエハ１０としては典型的にはタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムの単結晶ウエハや、これらの薄ウエハとスピネルなどの支持体３ｓウエハとを接合してなる、工業規格化された直径４インチウエハ１０が用いられ、直径４インチウエハ１０の場合一つのウエハ１０より２万個程度のデバイスチップ３が生成される。図８はウエハ１０の一部を示しており、同図中符号１０ｃはダイシングラインである。

【0043】

次いで、前記ウエハ１０の他面１０ｄにおける前記デバイスチップ３の前記主要部３ｆとなる領域、具体的には前記対応主要面部３ｋとなる領域にマスク１１を形成する（ステップ２／図９（ｂ））。

【0044】

次いで、前記ウエハ１０の他面１０ｄにおける前記デバイスチップ３の前記付随部３ｈとなる領域にエッチングを施す（ステップ３／図９（ｃ））。前記マスク１１直下に前記島状残存部３ｍが形成され、島状残存部３ｍの周囲に前記受け面３ｏを残すようにエッチング加工部３ｎ（凹所）を形成させるようにする。このエッチングとしては、異方性を有する反応性イオンエッチングを用いるのが好ましい。

【0045】

次いで、前記マスク１１を除去する（ステップ４／図９（ｄ））。

【0046】

次いで、前記ウエハ１０における前記エッチングが施された領域にセラミクス１２を堆積させて埋め戻す。
典型的には、熱伝導率を１０Ｗ／ｍＫ以上とするセラミクス１２による層を前記ウエハ１０の他面１０ｄ全体に形成した後（ステップ５／図１０（ｅ））、島状残存部３ｍの頂面（対応主要面部３ｋ）と実質的に等しくなる高さまで前記セラミクス１２による層を研削し、平坦な背面３ｂを形成させる（ステップ６／図１０（ｆ））。前記セラミクス１２による層の形成にはデバイスチップ３に加熱による影響を与えることが少ないエアロゾルデポジション法を用いることが好ましい。

【0047】

この後、前記各領域１０ｂにおいてそれぞれ、バンプパッド３ｂ上にバンプ４を形成させ、
次いで、ウエハ１０に対するダイシングにより、ウエハ１０から独立したデバイスチップ３を複数生成し、
次いで、ステップ５で得られたデバイスチップ３をパッケージ基板２となる集合基板（図示は省略する、）にフリップチップ実装する。

【0048】

最後に、パッケージ基板２となる集合基板（図示は省略する。）のデバイスチップ３の実装側に封止樹脂層５を形成させると共に、かかる集合基板にダイシングを施すことで、本発明に係る構造を備えた弾性波デバイス１が生成される。

【0049】

なお、当然のことながら、本発明は以上に説明した実施態様に限定されるものではなく、本発明の目的を達成し得るすべての実施態様を含むものである。

【符号の説明】

【0050】

１ 弾性波デバイス
２ パッケージ基板
２ａ 一面
２ｂ バンプパッド
２ｃ 外部電極パッド
３ デバイスチップ
３ａ 機能面
３ｂ 背面
３ｃ バンプパッド
３ｄ 側面
３ｅ 主要面部
３ｆ 主要部
３ｇ 付随面部
３ｈ 付随部
３ｉ 隅部
３ｊ 縁部
３ｋ 対応主要面部
３ｍ 島状残存部
３ｎ エッチング加工部
３ｏ 受け面
３ｐ 埋め戻し部
３ｑ 厚さ方向
３ｒ 圧電体
３ｓ 支持体
４ バンプ
５ 封止樹脂層
６ 中空構造部
７、７ａ、７ｂ 共振器
７ｃ ＩＤＴ電極
７ｄ 反射器
７ｅ 電極指
７ｆ バスバー
８ グランド
９ 回路
９ａ 配線パターン
１０ ウエハ
１０ａ 一面
１０ｂ 領域
１０ｃ ダイシングライン
１０ｄ 他面
１１ マスク
１２ セラミクス
ｘ 伝搬方向
Ｌ 境界
Ｌ１ 境目
Ｌ２ 境目
ｓ 距離

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】