特開 2024-62676 アンテナモジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024062676

(43)【公開日】2024-05-10

(54)【発明の名称】アンテナモジュール

(51)【国際特許分類】

   H01Q 23/00 20060101AFI20240501BHJP

   H01Q 1/52 20060101ALI20240501BHJP

   H01Q 13/08 20060101ALI20240501BHJP

   H01Q 21/06 20060101ALI20240501BHJP

【ＦＩ】

H01Q23/00

H01Q1/52

H01Q13/08

H01Q21/06

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022170676

(22)【出願日】2022-10-25

(71)【出願人】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100124062

【弁理士】

【氏名又は名称】三上 敬史

(72)【発明者】

【氏名】手塚 謙一

(72)【発明者】

【氏名】川▲崎▼ 青空

(72)【発明者】

【氏名】▲高▼根 晋

(72)【発明者】

【氏名】二俣 陽介

(72)【発明者】

【氏名】深沢 康文

【テーマコード（参考）】

5J021

5J045

5J046

【Ｆターム（参考）】

5J021AA02

5J021AB06

5J021FA23

5J021JA08

5J045AA27

5J045AB02

5J045DA10

5J046AA06

5J046AB13

5J046UA03

(57)【要約】

【課題】良好な外観を有するアンテナモジュールを提供する。
【解決手段】アンテナモジュール１によれば、給電電極１３Ｈ，１３Ｖを備える誘電体層２の外層側に、高い破壊靱性値を有する誘電体層３（又は誘電体層４）を配置することができる。高い破壊靱性値を有する材料は、亀裂が進展しにくい材料である。従って、アンテナモジュール１の外層側には、チッピング等が発生しにくい誘電体層を配置することができる。従って、チッピング等を抑制して、アンテナモジュールの外観を良好にすることができる。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

少なくとも第１の放射電極、及び前記第１の放射電極と結合する第１の給電電極を備えるアンテナモジュールであって、
前記第１の給電電極を備える第１の誘電体層と、
前記第１の給電電極の厚み方向における、前記第１の誘電体層の一方側に配置される第２の誘電体層と、を備え、
前記第２の誘電体層の破壊靱性値は、前記第１の誘電体層の破壊靱性値より大きい、アンテナモジュール。

【請求項2】

前記第２の誘電体層のヤング率は、第１の誘電体層のヤング率より大きい、請求項１に記載のアンテナモジュール。

【請求項3】

前記第１の給電電極よりも前記厚み方向における他方側に配置されるグランド電極を更に備える、請求項１に記載のアンテナモジュール。

【請求項4】

前記第１の放射電極は、前記第２の誘電体層に配置される、請求項１に記載のアンテナモジュール。

【請求項5】

前記第１の放射電極は、前記第１の誘電体層の前記一方側の主面上に配置され、前記第２の誘電体層で覆われている、請求項１に記載のアンテナモジュール。

【請求項6】

前記厚み方向における前記第１の誘電体層の他方側に配置される第３の誘電体層を更に備える、請求項１に記載のアンテナモジュール。

【請求項7】

前記第３の誘電体層は、フィルタ回路パターンを有する、請求項６に記載のアンテナモジュール。

【請求項8】

前記第３の誘電体層の破壊靭性値は、前記第１の誘電体層の破壊靭性値より大きい、請求項６に記載のアンテナモジュール。

【請求項9】

前記第３の誘電体層のヤング率は、前記第１の誘電体層のヤング率より大きい、請求項６に記載のアンテナモジュール。

【請求項10】

前記第１の放射電極、及び前記第１の給電電極の周囲に配置される複数の柱状のグランド導体を備える、請求項１に記載のアンテナモジュール。

【請求項11】

前記複数のグランド導体の前記厚み方向における前記一方側の端部は、前記第２の誘電体層に覆われている、請求項１０に記載のアンテナモジュール。

【請求項12】

第２の放射電極、及び前記第２の放射電極と結合する第２の給電電極を更に備え、
前記第１の誘電体層は、前記第２の給電電極を有する、請求項１に記載のアンテナモジュール。

【請求項13】

前記厚み方向における前記第１の誘電体層の他方側に配置される第３の誘電体層を更に備え、
前記第１の誘電体層は、前記第１の給電電極及び前記第２の給電電極と、前記第３の誘電体層との間に分配回路パターンを有する、請求項１２に記載のアンテナモジュール。

【請求項14】

前記第２の誘電体層と前記第３の誘電体層は、同じ誘電体から構成される、請求項６に記載のアンテナモジュール。

【請求項15】

前記第１の誘電体層、前記第２の誘電体層、及び前記第３の誘電体層は、低温焼成セラミックから構成される、請求項６に記載のアンテナモジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、アンテナモジュールに関する。

【背景技術】

【0002】

従来、アンテナモジュールとして、特許文献１に記載されたものが知られている。このアンテナモジュールは、給電電極が設けられた誘電体層と、他の回路（ハイパスフィルタ回路）が設けられた誘電体層と、を備える。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】国際公開第２０１８／０７４３７７号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ここで、上述のようなアンテナモジュールにおいては、誘電体層にチッピング等が発生することで、外観が損なわれるという問題が生じる。

【0005】

そこで、本開示は、良好な外観を有するアンテナモジュールを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一側面に係るアンテナモジュールは、少なくとも第１の放射電極、及び第１の放射電極と結合する第１の給電電極を備えるアンテナモジュールであって、第１の給電電極を備える第１の誘電体層と、第１の給電電極の厚み方向における、第１の誘電体層の一方側に配置される第２の誘電体層と、を備え、第２の誘電体層の破壊靱性値は、第１の誘電体層の破壊靱性値より大きい。

【発明の効果】

【0007】

本開示の一側面によれば、良好な外観を有するアンテナモジュールを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本開示の一実施形態によるアンテナモジュールの外観を示す略斜視図である。

【図2】本開示の一実施形態によるアンテナモジュールの外観を示す略斜視図である。

【図3】本実施形態によるアンテナモジュールの内部構造を説明するための模式図である。

【図4】アンテナモジュールから誘電体層を削除した状態を示す略斜視図である。

【図5】放電電極及び給電電極付近の様子を示す断面図である。

【図6】誘電体層の層構成を示す概略断面図である。

【図7】誘電体層の層構成を示す概略断面図である。

【図8】各誘電体層に用いる誘電体の特性を示す表である。

【図9】各誘電体層に用いる誘電体のチッピングの様子を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、本開示のいくつかの実施形態について詳細に説明する。ただし、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。

【0010】

図１は、本開示の一実施形態によるアンテナモジュール１の外観を示す略斜視図であり、放射面側から見た状態を示している。図２は、本開示の一実施形態によるアンテナモジュール１の外観を示す略斜視図であり、実装面側から見た状態を示している。 図３は、アンテナモジュール１の内部構造を説明するための模式図であり、マザーボード５に実装した状態を模式的に示している。図４は、アンテナモジュール１から誘電体層２～４を削除した状態を示す略斜視図である。

【0011】

以下、添付図面を参照しながら、本開示の実施形態について詳細に説明する。

【0012】

図１及び図２は、本開示の一実施形態によるアンテナモジュール１の外観を示す略斜視図であり、図１は放射面側から見た状態、図２は実装面側から見た状態を示している。

【0013】

図１及び図２に示すように、本実施形態によるアンテナモジュール１は、アンテナ層ＡＮＴと、フィルタ層ＦＩＬと、フィルタ層ＦＩＬとアンテナ層ＡＮＴの間に積層された分配層ＤＩＶとを有している。

【0014】

アンテナ層ＡＮＴは、誘電体層２，３と、誘電体層３に埋め込まれた放射電極１０Ａ（第１の放射電極），放射電極１０Ｂ（第２の放射電極）を有している。本実施形態では、放射電極１０Ａ，１０Ｂは、誘電体層３に配置される。また、アンテナ層ＡＮＴは、積層方向（ｚ方向）から見た平面視で、放射電極１０Ａを取り囲む複数のグランド導体１１Ａと、放射電極１０Ｂを取り囲む複数のグランド導体１１Ｂを有している。グランド導体１１Ａ，１１Ｂは、誘電体層２を貫通するよう、ｚ方向に延在する柱状の導体である。複数のグランド導体１１Ａは、所定のｘｙ平面にてリング状のグランドリング１２Ａに接続され、複数のグランド導体１１Ｂは、所定のｘｙ平面にてリング状のグランドリング１２Ｂに接続されている。複数のグランド導体１１Ａ，１１Ｂに囲まれた空間には、後述する給電電極が設けられる。このように、グランド導体１１Ａは、放射電極１０Ａ、及び給電電極１３Ｖ，１３Ｈの周囲に配置される。グランド導体１１Ｂは、放射電極１０Ｂ、及び給電電極１４Ｖ，１４Ｈの周囲に配置される。複数のグランド導体１１Ａ，１１Ｂのｚ方向における正側の端部は、誘電体層３に覆われている。

【0015】

分配層ＤＩＶは、誘電体層２と、誘電体層２に埋め込まれた導体パターンによって構成される。フィルタ層ＦＩＬは、誘電体層４と、誘電体層４に埋め込まれた導体パターンによって構成される。フィルタ層ＦＩＬ及び分配層ＤＩＶの詳細については後述する。フィルタ層ＦＩＬはマザーボードに対する実装面を構成する。実装面には、信号端子４０Ｖ，４０Ｈと、複数のグランド端子４０Ｇが設けられている。信号端子４０Ｖは垂直偏波のアンテナ信号を入出力するための端子であり、信号端子４０Ｈは水平偏波のアンテナ信号を入出力するための端子である。グランド端子４０Ｇにはグランド電位が与えられる。

【0016】

図３は、本実施形態によるアンテナモジュール１の内部構造を説明するための模式図であり、マザーボード５に実装した状態を模式的に示している。

【0017】

図３に示すように、フィルタ層ＦＩＬと分配層ＤＩＶの間には、グランド電極Ｇ１が設けられ、分配層ＤＩＶとアンテナ層ＡＮＴの間には、グランド電極Ｇ２が設けられている。グランド電極Ｇ１は誘電体層４に埋め込まれている。グランド電極Ｇ２は、誘電体層４と誘電体層２の界面に設けられている。

【0018】

フィルタ層ＦＩＬにはフィルタ回路パターン３０Ｖが設けられている。フィルタ回路パターン３０Ｖはバンドパスフィルタであり、信号端子４０Ｖに接続される。フィルタ回路パターン３０Ｖは、積層方向から見た平面視で複数のグランド導体３１に取り囲まれている。グランド導体３１は、誘電体層４を貫通するよう、ｚ方向に延在する柱状の導体である。図３には示されていないが、フィルタ層ＦＩＬには、信号端子４０Ｈに接続された別のフィルタ回路パターンも含まれている。

【0019】

分配層ＤＩＶは、分配回路パターン２０Ｖが設けられている。分配回路パターン２０Ｖは、フィルタ回路パターン３０Ｖから給電されるアンテナ信号を放射電極１０Ａ，１０Ｂに分配する回路である。分配回路パターン２０Ｖは、積層方向から見た平面視で複数のグランド導体２１に取り囲まれている。グランド導体２１は、誘電体層２を貫通するよう、ｚ方向に延在する柱状の導体である。図３には示されていないが、分配層ＤＩＶには、別のフィルタ回路パターンに接続された別の分配回路パターンも含まれている。誘電体層２は、後述の給電電極１３Ｖ，１３Ｈ及び給電電極１４Ｖ，１４Ｈと、誘電体層４との間に分配回路パターン２０Ｖを有する。

【0020】

図４は、アンテナモジュール１から誘電体層２～４を削除した状態を示す略斜視図である。

【0021】

図４に示すように、複数のグランド導体１１Ａに囲まれた空間には、ｚ方向から見て放射電極１０Ａと重なる給電電極１３Ｖ，１３Ｈ（第１の給電電極）が設けられている。給電電極１３Ｖ，１３Ｈは、放射電極１０Ａと結合する。誘電体層２が、給電電極１３Ｖ，１３Ｈを有する。このうち、給電電極１３Ｖはｙ方向を長手方向とする導体パターンであり、放射電極１０Ａに垂直偏波のアンテナ信号ＳＶを供給する。一方、給電電極１３Ｈはｘ方向を長手方向とする導体パターンであり、放射電極１０Ａに水平偏波のアンテナ信号ＳＨを供給する。給電電極１３Ｖ，１３Ｈは、それぞれ導体パターンの一方の端部寄りの位置において、フィルタ回路パターン３０Ｖ及び分配回路パターン２０Ｖ（図３参照）を介してアンテナ信号が供給される。そのため、放射電極１０Ａに対する給電電極１３Ｖの給電位置は、放射電極１０Ａに対する給電電極１３Ｈの給電位置と９０°異なっている。

【0022】

同様に、複数のグランド導体１１Ｂに囲まれた空間には、ｚ方向から見て放射電極１０Ｂと重なる給電電極１４Ｖ，１４Ｈ（第２の給電電極）が設けられている。給電電極１４Ｖ，１４Ｈは、放射電極１０Ｂと結合する。誘電体層２が、給電電極１４Ｖ，１４Ｈを有する。このうち、給電電極１４Ｖはｙ方向を長手方向とする導体パターンであり、放射電極１０Ｂに垂直偏波のアンテナ信号ＳＶを供給する。一方、給電電極１４Ｈはｘ方向を長手方向とする導体パターンであり、放射電極１０Ｂに水平偏波のアンテナ信号ＳＨを供給する。給電電極１４Ｖ，１４Ｈは、それぞれ導体パターンの一方の端部寄りの位置において、フィルタ回路パターン３０及び分配回路パターン２０Ｖ（図３参照）を介してアンテナ信号が供給される。そのため、放射電極１０Ｂに対する給電電極１４Ｖの給電位置は、放射電極１０Ｂに対する給電電極１４Ｈの給電位置と９０°異なっている。

【0023】

アンテナ層ＡＮＴの下方には、大面積のグランド電極Ｇ１～Ｇ３が設けられている。グランド電極Ｇ１～Ｇ３は、給電電極１３Ｖ，１３Ｈ及び給電電極１４Ｖ，１４Ｈよりもｚ軸方向の負側に配置される。グランド電極Ｇ１とグランド電極Ｇ２に挟まれた領域は分配層ＤＩＶである。グランド電極Ｇ１とグランド電極Ｇ２は、複数のグランド導体２１によって接続されている。ここで、グランド電極Ｇ１，Ｇ２はいずれも、ｚ方向から見た平面視で、複数のグランド導体１１Ａに囲まれた空間と重なる領域Ｓ１と、複数のグランド導体１１Ｂに囲まれた空間と重なる領域Ｓ２と、領域Ｓ１と領域Ｓ２を接続する領域Ｓ３を有している。そして、領域Ｓ３のｙ方向における幅は、領域Ｓ１，Ｓ２のｙ方向における幅よりも狭い。これにより、グランド電極Ｇ１，Ｇ２を介した放射電極１０Ａ，１０Ｂの相互干渉が低減することから、放射電極１０Ａと放射電極１０Ｂの独立性が高められる。

【0024】

グランド電極Ｇ１とグランド電極Ｇ３に挟まれた領域はフィルタ層ＦＩＬである。グランド電極Ｇ１とグランド電極Ｇ３は、複数のグランド導体３１によって接続されている。グランド電極Ｇ３のｙ方向における幅は一定であっても構わない。

【0025】

図５を参照して、誘電体層３における放射電極１０Ａの位置について説明する。図５（ａ）に示すように、放射電極１０Ａは、誘電体層３に配置される。このときは、誘電体層３は二層以上の層構造によって構成される。また、図５（ｂ）に示すように、放射電極１０Ａは、誘電体層２のｚ方向における正側の主面２ａ上に配置されてよい。

【0026】

次に、図６（ａ）を参照して、誘電体層２，３，４について説明する。誘電体層３は、誘電体層２のｚ方向における正側に配置される。誘電体層４は、誘電体層４のｚ方向における負側に配置される。誘電体層２の一部及び誘電体層３によってアンテナ層ＡＮＴが構成される。誘電体層２の他の一部によって分配層ＤＩＶが構成される。誘電体層４によってフィルタ層ＦＩＬが構成される。本実施形態では、誘電体層２が請求項における「第１の誘電体層」の一例であり、誘電体層３が請求項における「第２の誘電体層」の一例であり、誘電体層４が請求項における「第３の誘電体層」の一例である。また、ｚ方向における正側が請求項における「給電電極の厚み方向における一方側」の一例であり、ｚ方向における負側が請求項における「給電電極の厚み方向における他方側」の一例である。

【0027】

誘電体層４を構成する誘電体材料は、誘電体層２を構成する誘電体材料よりも高い誘電率を有していてよい。誘電体層３を構成する誘電体材料は、誘電体層４を構成する誘電体材料と同じであってもよい。

【0028】

誘電体層３の破壊靱性値は、誘電体層２の破壊靱性値より大きい。また、誘電体層４の破壊靭性値は、誘電体層２の破壊靭性値より大きい。破壊靱性とは、材料に亀裂が入り進展するときに、材料がどれくらい抵抗できるのかという特性である。一般的にねばり強さととらえられる。ファインセラミックスの破壊靱性値の測定方法は、「ＪＩＳ Ｒ １６０７」に規定される。誘電体層２の破壊靱性値は、０．５～２．５の範囲であってよい。誘電体層３，４の破壊靱性値は、誘電体層２の破壊靱性値よりも１．５倍～２．５倍大きくてよい。なお、破壊靭性値については、アンテナモジュール１の製品を直接測定して求めてもよいが、製品サイズによっては、直接測定することに替えて、誘電体層の成分を分析して得られた組成に基づいて測定用の誘電体層を作製し、作製した誘電体層を測定して破壊靭性値を求めてもよい。

【0029】

誘電体層３のヤング率は、誘電体層２のヤング率より大きい。また、誘電体層４のヤング率は、誘電体層２のヤング率より大きい。材料力学による「フックの法則」では、応力とひずみとの間に比例関係があると定められ、ヤング率をＥとして垂直応力をσ、縦ひずみをεとしたときに「σ＝Ｅε」の関係式が成り立つ。ヤング率が大きいということは剛性が高く（変形しにくい）、加工精度が良くなることを示す。誘電体層２のヤング率は、３０～８０の範囲であってよい。誘電体層３，４のヤング率は、誘電体層２のヤング率よりも１．５倍～４倍大きくてよい。

【0030】

誘電体層２，３，４の材料として、セラミック材料が採用される。誘電体層２，３，４は、低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）から構成されてよい。誘電体層の破壊靭性値を大きくする方法として、誘電体層に用いられるセラミック材料内の気孔を少なくして高密度化する方法、誘電体層に粒子形状が板状または柱状となるセラミック材料を用いる方法、誘電体層に用いられるセラミック材料のヤング率を大きくする方法などがある。一例として、誘電体層３，４に用いられるセラミック材料の気孔を、誘電体層２に用いられるセラミック材料の気孔より少なくして高密度化することが挙げられる。これにより、誘電体層３，４の破壊靭性値を誘電体層２の破壊靭性値より大きくすることができる。また、誘電体層に用いられるセラミック材料内の気孔を少なくして高密度化する方法、誘電体層に粒子形状が板状または柱状となるセラミック材料を用いる方法は、誘電体層のヤング率を大きくすることができる。

【0031】

アンテナモジュール１における層構成は特に限定されず、図６（ｂ）に示す構成を採用してもよい。図６（ｂ）に示すアンテナモジュール１では、誘電体層３によってアンテナ層ＡＮＴが構成される。誘電体層２によって分配層ＤＩＶが構成される。誘電体層４によってフィルタ層ＦＩＬが構成される。

【0032】

アンテナモジュール１の誘電体層は二種類の層で構成されてもよい。例えば、図６（ｃ）に示す構成を採用してもよい。図６（ｃ）に示すアンテナモジュール１では、誘電体層２によってアンテナ層ＡＮＴが構成される。誘電体層２によって分配層ＤＩＶが構成される。誘電体層４によってフィルタ層ＦＩＬが構成される。この場合、誘電体層２が請求項における「第１の誘電体層」の一例であり、誘電体層４が請求項における「第２の誘電体層」の一例である。また、ｚ方向における負側が請求項における「給電電極の厚み方向における一方側」の一例であり、ｚ方向における正側が請求項における「給電電極の厚み方向における他方側」の一例である。当該関係は、後述の図７（ｂ）のアンテナモジュール１においても成り立つ。

【0033】

アンテナモジュール１では、分配層ＤＩＶは省略されてよい。例えば、図７（ａ）（ｂ）を示す構成を採用してもよい。図７（ａ）に示すアンテナモジュール１では、誘電体層３及び誘電体層２によってアンテナ層ＡＮＴが構成される。誘電体層４によってフィルタ層ＦＩＬが構成される。図７（ｂ）に示すアンテナモジュール１では、誘電体層２によってアンテナ層ＡＮＴが構成される。誘電体層４によってフィルタ層ＦＩＬが構成される。

【0034】

アンテナモジュール１では、分配層ＤＩＶ及びフィルタ層ＦＩＬは省略されてよい。例えば、図７（ｃ）を示す構成を採用してもよい。図７（ｃ）に示すアンテナモジュール１では、誘電体層３及び誘電体層２によってアンテナ層ＡＮＴが構成される。このように、本明細書における「アンテナモジュール」には、アンテナ層ＡＮＴのみによって構成される製品も含まれる。

【0035】

次に、本実施形態に係るアンテナモジュール１の作用・効果について説明する。

【0036】

アンテナモジュール１は、少なくとも放射電極１０Ａ、及び放射電極１０Ａと結合する給電電極１３Ｈ，１３Ｖを備えるアンテナモジュール１であって、給電電極１３Ｈ，１３Ｖを備える誘電体層２と、給電電極１３Ｈ，１３Ｖの厚み方向における、誘電体層２の一方側に配置される誘電体層３（又は誘電体層４）と、を備え、誘電体層３（又は誘電体層４）の破壊靱性値は、誘電体層２の破壊靱性値より大きい。

【0037】

このアンテナモジュール１によれば、給電電極１３Ｈ，１３Ｖを備える誘電体層２の外層側に、高い破壊靱性値を有する誘電体層３（又は誘電体層４）を配置することができる。高い破壊靱性値を有する材料は、亀裂が進展しにくい材料である。従って、アンテナモジュール１の外層側には、チッピング等が発生しにくい誘電体層を配置することができる。従って、チッピング等を抑制して、アンテナモジュールの外観を良好にすることができる。

【0038】

誘電体層３（又は誘電体層４）のヤング率は、誘電体層２のヤング率より大きくてよい。高いヤング率を有する材料は、剛性が高く変形しにくいため加工精度が良い材料である。従って、アンテナモジュール１の外層側には、加工精度が良くチッピング等が発生しにくい誘電体層を配置することができる。従って、チッピング等を抑制して、アンテナモジュールの外観を良好にすることができる。

【0039】

アンテナモジュール１は、給電電極１３Ｈ，１３Ｖよりも厚み方向における他方側に配置されるグランド電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３を更に備えてよい。この場合、誘電体層２に対して、グランド電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３と反対側に破壊靱性値が高い誘電体層３を配置することができ、アンテナモジュール１の表層側におけるチッピング等を抑制して、アンテナモジュール１の外観を良好にすることができる。

【0040】

放射電極１０Ａは、誘電体層３に配置されてよい。この場合、高い破壊靱性値を有する誘電体層３の内部に放射電極１０Ａが配置される。そのため、表層に近い位置に放射電極１０Ａが配置されることで高い放射効率を実現することができる。

【0041】

放射電極１０Ａは、誘電体層２の一方側の主面２ａ上に配置され、誘電体層３で覆われてよい。この場合、誘電体層２の主面２ａ上の放射電極１０Ａを高い破壊靱性値を有する誘電体層３で覆うことができる。そのため、放射電極１０Ａを外部からの衝撃から十分に保護することができる。

【0042】

アンテナモジュール１は、厚み方向における誘電体層２の他方側に配置される誘電体層４を更に備えてよい。この場合、アンテナモジュール１は、誘電体層３の反対側に、他の回路等を設けることが可能となる。

【0043】

誘電体層４は、フィルタ回路パターン３０Ｖを有してよい。この場合、余分な伝送路を削減できることから、アンテナモジュール１の伝送損失を抑えることができる。

【0044】

誘電体層４の破壊靭性値は、誘電体層２の破壊靭性値より大きくてよい。この場合、誘電体層２が、高い破壊靱性値を有する誘電体層３，４で両側から挟まれる。そのため、アンテナモジュール１の両側の外観を良好にすることができる。

【0045】

誘電体層４のヤング率は、誘電体層２のヤング率より大きくてよい。この場合、アンテナモジュール１の他方側の外層側には、加工精度が良くチッピング等が発生しにくい誘電体層を配置することができる。

【0046】

アンテナモジュール１は、放射電極１０Ａ、及び給電電極１３Ｈ，１３Ｖの周囲に配置される複数の柱状のグランド導体１１Ａを備えてよい。この場合、放射電極１０Ａ及び給電電極１３Ｈ，１３Ｖを含むアンテナ素子をアレー状に配置した際に周囲の他のアンテナ素子とのアイソレーションを高めることができる。

【0047】

複数のグランド導体１１Ａの厚み方向における一方側の端部は、誘電体層３に覆われていてよい。この場合、高い破壊靱性値を有する誘電体層３が、グランド導体１１Ａの端部を覆うことができる。

【0048】

アンテナモジュール１は、放射電極１０Ｂ、及び放射電極１０Ｂと結合する給電電極１４Ｈ，１４Ｖを更に備え、誘電体層２は、給電電極１４Ｈ，１４Ｖを有してよい。この場合、アンテナモジュール１は、二組の放射電極及び給電電極を有することができる。

【0049】

アンテナモジュール１は、厚み方向における誘電体層２の他方側に配置される誘電体層４を更に備え、誘電体層２は、給電電極１３Ｈ，１３Ｖ及び給電電極１４Ｈ，１４Ｖと、誘電体層４との間に分配回路パターン２０Ｖを有してよい。この場合、アンテナモジュール１に複数のアンテナ素子を一体化できることから、アンテナモジュール１とアンテナ信号を供給するＩＣとの接続構造を簡素化できる。

【0050】

誘電体層３と誘電体層４は、同じ誘電体から構成されてよい。この場合、複数の誘電体層を形成するために準備する誘電体の種類を低減できる。

【0051】

誘電体層２、誘電体層３、及び誘電体層４は、低温焼成セラミックから構成されてよい。この場合、アンテナモジュール１をミリ波帯で使用する場合に低損失を図ることができる。

【0052】

図８を参照して、誘電体層３，４及び誘電体層２のチッピングの発生の難さについて説明する。図８の「誘電率」には、誘電体層３，４に用いる誘電体、及び誘電体層２に用いる誘電体の比誘電率が記載される。「剛性（ヤング率）」には、誘電体層３，４に用いる誘電体、及び誘電体層２に用いる誘電体のヤング率が記載される。ヤング率は、ＪＩＳ Ｒ １６０２に基づいて測定される。具体的に、静的弾性率試験方法でヤング率を測定した。「破壊靱性値」には、誘電体層３，４に用いる誘電体、及び誘電体層２に用いる誘電体の破壊靱性値が記載される。破壊靱性値は、ＪＩＳ Ｒ １６０７に基づいて測定される。具体的に、破壊靭性試験方法で破壊靱性値を測定した。図９（ａ）は、誘電体層３，４に用いる誘電体を長方形に切断したときに四方の端部に発生したチッピングの様子を示す。図９（ｂ）は、誘電体層３，４に用いる誘電体を長方形に切断したときに四方の端部に発生したチッピングの様子を示す。図９（ｂ）において丸囲んだ箇所に示すように、誘電体層２に用いる誘電体においては、大きなチッピングが確認された。これに対し、図９（ａ）に示すように、誘電体層３，４に示す誘電体においては、チッピングが抑制できることが確認された。

【0053】

本開示は上述の実施形態に限定されるものではない。

【0054】

例えば、図１～３に示すアンテナモジュール１の各導体の形状や配置は一例にすぎず、適宜変更してもよい。

【0055】

本開示に係る技術には、以下の構成例が含まれるが、これに限定されるものではない。

【0056】

［形態１］
少なくとも第１の放射電極、及び前記第１の放射電極と結合する第１の給電電極を備えるアンテナモジュールであって、
前記第１の給電電極を備える第１の誘電体層と、
前記第１の給電電極の厚み方向における、前記第１の誘電体層の一方側に配置される第２の誘電体層と、を備え、
前記第２の誘電体層の破壊靱性値は、前記第１の誘電体層の破壊靱性値より大きい、アンテナモジュール。
［形態２］
前記第２の誘電体層のヤング率は、第１の誘電体層のヤング率より大きい、形態１に記載のアンテナモジュール。
［形態３］
前記第１の給電電極よりも前記厚み方向における他方側に配置されるグランド電極を更に備える、形態１又は２に記載のアンテナモジュール。
［形態４］
前記第１の放射電極は、前記第２の誘電体層に配置される、形態１～３の何れか一項に記載のアンテナモジュール。
［形態５］
前記第１の放射電極は、前記第１の誘電体層の前記一方側の主面上に配置され、前記第２の誘電体層で覆われている、形態１～４の何れか一項に記載のアンテナモジュール。
［形態６］
前記厚み方向における前記第１の誘電体層の他方側に配置される第３の誘電体層を更に備える、形態１～５の何れか一項に記載のアンテナモジュール。
［形態７］
前記第３の誘電体層は、フィルタ回路パターンを有する、形態６に記載のアンテナモジュール。
［形態８］
前記第３の誘電体層の破壊靭性値は、前記第１の誘電体層の破壊靭性値より大きい、形態６又は７に記載のアンテナモジュール。
［形態９］
前記第３の誘電体層のヤング率は、前記第１の誘電体層のヤング率より大きい、形態６～８の何れか一項に記載のアンテナモジュール。
［形態１０］
前記第１の放射電極、及び前記第１の給電電極の周囲に配置される複数の柱状のグランド導体を備える、形態１～９の何れか一項に記載のアンテナモジュール。
［形態１１］
前記複数のグランド導体の前記厚み方向における前記一方側の端部は、前記第２の誘電体層に覆われている、形態１０の何れか一項に記載のアンテナモジュール。
［形態１２］
第２の放射電極、及び前記第２の放射電極と結合する第２の給電電極を更に備え、
前記第１の誘電体層は、前記第２の給電電極を有する、形態１～１１の何れか一項に記載のアンテナモジュール。
［形態１３］
前記厚み方向における前記第１の誘電体層の他方側に配置される第３の誘電体層を更に備え、
前記第１の誘電体層は、前記第１の給電電極及び前記第２の給電電極と、前記第３の誘電体層との間に分配回路パターンを有する、形態１２に記載のアンテナモジュール。
［形態１４］
前記第２の誘電体層と前記第３の誘電体層は、同じ誘電体から構成される、形態６～８の何れか一項に記載のアンテナモジュール。
［形態１５］
前記第１の誘電体層、前記第２の誘電体層、及び前記第３の誘電体層は、低温焼成セラミックから構成される、形態６～８の何れか一項に記載のアンテナモジュール。

【符号の説明】

【0057】

１…アンテナモジュール、２…誘電体層（第１の誘電体層）、３…誘電体層（第２の誘電体層）、４…誘電体層（第３の誘電体層、第２の誘電体層）、１０Ａ…放射電極（第１の放射電極）、１０Ｂ…放射電極（第２の放射電極）、１１Ａ…グランド導体、１３Ｈ，１３Ｖ…給電電極（第１の給電電極）、１４Ｈ，１４Ｖ…給電電極（第２の給電電極）、２０Ｖ…分配回路パターン、３０Ｖ…フィルタ回路パターン、Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３…グランド電極、ＤＩＶ…分配層、ＦＩＬ…フィルタ層。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】