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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024062694
(43)【公開日】2024-05-10
(54)【発明の名称】半導体装置の検査方法
(51)【国際特許分類】
G01R 31/00 20060101AFI20240501BHJP
【ＦＩ】
G01R31/00
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022170712
(22)【出願日】2022-10-25
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110000408
【氏名又は名称】弁理士法人高橋・林アンドパートナーズ
(72)【発明者】
【氏名】碇 昌之
(72)【発明者】
【氏名】藤沢 晃彦
【テーマコード（参考）】
2G036
【Ｆターム（参考）】
2G036AA25
2G036BA33
(57)【要約】
【課題】液晶を用いた半導体装置の欠陥を簡易に判定することができる、半導体装置の検査方法を提供すること。
【解決手段】各々が液晶を含む、ｘ方向および前記ｘ方向と交差するｙ方向にマトリクス状に配置された複数の反射素子を含む半導体装置の検査方法であって、複数のセンサ電極を含むセンサヘッドを、半導体装置の上に配置し、複数の反射素子の各々において、液晶の誘電率が所定の第１状態となるように半導体装置に第１の電圧信号を入力した後、複数のセンサ電極を介して、複数の反射素子の各々に対応する第１の容量を取得し、複数の反射素子の各々において、液晶の誘電率が所定の第２状態となるように半導体装置に第２の電圧信号を入力した後、複数のセンサ電極を介して、複数の反射素子の各々に対応する第２の容量を取得し、第１の容量と前記第２の容量との差分値を算出し、差分値が所定のしきい値以下であるか否かを判定する。
【選択図】図５
【解決手段】各々が液晶を含む、ｘ方向および前記ｘ方向と交差するｙ方向にマトリクス状に配置された複数の反射素子を含む半導体装置の検査方法であって、複数のセンサ電極を含むセンサヘッドを、半導体装置の上に配置し、複数の反射素子の各々において、液晶の誘電率が所定の第１状態となるように半導体装置に第１の電圧信号を入力した後、複数のセンサ電極を介して、複数の反射素子の各々に対応する第１の容量を取得し、複数の反射素子の各々において、液晶の誘電率が所定の第２状態となるように半導体装置に第２の電圧信号を入力した後、複数のセンサ電極を介して、複数の反射素子の各々に対応する第２の容量を取得し、第１の容量と前記第２の容量との差分値を算出し、差分値が所定のしきい値以下であるか否かを判定する。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
各々が液晶を含む、ｘ方向および前記ｘ方向と交差するｙ方向にマトリクス状に配置された複数の反射素子を含む半導体装置の検査方法であって、
複数のセンサ電極を含むセンサヘッドを、前記半導体装置の上に配置し、
前記複数の反射素子の各々において、前記液晶の誘電率が所定の第１状態となるように前記半導体装置に第１の電圧信号を入力した後、前記複数のセンサ電極を介して、前記複数の反射素子の各々に対応する第１の容量を取得し、
前記複数の反射素子の各々において、前記液晶の誘電率が所定の第２状態となるように前記半導体装置に第２の電圧信号を入力した後、前記複数のセンサ電極を介して、前記複数の反射素子の各々に対応する第２の容量を取得し、
前記第１の容量と前記第２の容量との差分値を算出し、
前記差分値が所定のしきい値以下であるか否かを判定する、半導体装置の検査方法。
複数のセンサ電極を含むセンサヘッドを、前記半導体装置の上に配置し、
前記複数の反射素子の各々において、前記液晶の誘電率が所定の第１状態となるように前記半導体装置に第１の電圧信号を入力した後、前記複数のセンサ電極を介して、前記複数の反射素子の各々に対応する第１の容量を取得し、
前記複数の反射素子の各々において、前記液晶の誘電率が所定の第２状態となるように前記半導体装置に第２の電圧信号を入力した後、前記複数のセンサ電極を介して、前記複数の反射素子の各々に対応する第２の容量を取得し、
前記第１の容量と前記第２の容量との差分値を算出し、
前記差分値が所定のしきい値以下であるか否かを判定する、半導体装置の検査方法。
【請求項2】
前記複数のセンサ電極は、前記ｘ方向および前記ｙ方向にマトリクス状に配置されている、請求項１に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項3】
前記複数のセンサ電極は、前記ｘ方向に延在する複数の第１のセンサ電極と前記ｙ方向に延在する複数の第２のセンサ電極と、含む、請求項１に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項4】
前記複数のセンサ電極が前記半導体装置と非接触となるように、前記センサヘッドが配置される、請求項１に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項5】
前記液晶の配向を制御するパッチ電極が非透光性である、請求項１に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項6】
前記ｘ方向および前記ｙ方向の少なくとも１つの方向において、前記複数のセンサ電極の各々の幅は、前記液晶の配向を制御するパッチ電極の幅よりも小さい、請求項１に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項7】
各々が液晶を含む、ｘ方向および前記ｘ方向と交差するｙ方向にマトリクス状に配置された複数の反射素子を含む半導体装置の検査方法であって、
前記ｘ方向および前記ｙ方向にマトリクス状に配置された複数のセンサ電極を含むセンサヘッドを、前記半導体装置の上に配置し、
前記複数の反射素子において、前記ｘ方向および前記ｙ方向の隣接する２つの反射素子の一方の前記液晶の誘電率が所定の第１状態となり、および他方の前記液晶の誘電率が所定の第２状態となるように前記半導体装置に電圧信号を入力した後、前記複数のセンサ電極を介して、前記複数の反射素子の各々に対応する容量を取得し、
前記ｘ方向および前記ｙ方向の各々において隣接する２つの反射素子の２つの取得された前記容量の差分値を算出し、
前記差分値が所定のしきい値以下であるか否かを判定する、半導体装置の検査方法。
前記ｘ方向および前記ｙ方向にマトリクス状に配置された複数のセンサ電極を含むセンサヘッドを、前記半導体装置の上に配置し、
前記複数の反射素子において、前記ｘ方向および前記ｙ方向の隣接する２つの反射素子の一方の前記液晶の誘電率が所定の第１状態となり、および他方の前記液晶の誘電率が所定の第２状態となるように前記半導体装置に電圧信号を入力した後、前記複数のセンサ電極を介して、前記複数の反射素子の各々に対応する容量を取得し、
前記ｘ方向および前記ｙ方向の各々において隣接する２つの反射素子の２つの取得された前記容量の差分値を算出し、
前記差分値が所定のしきい値以下であるか否かを判定する、半導体装置の検査方法。
【請求項8】
前記複数のセンサ電極は、前記ｘ方向および前記ｙ方向にマトリクス状に配置されている、請求項７に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項9】
前記複数のセンサ電極は、前記ｘ方向に延在する複数の第１のセンサ電極と前記ｙ方向に延在する複数の第２のセンサ電極と、含む、請求項７に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項10】
前記複数のセンサ電極が前記半導体装置と非接触となるように、前記センサヘッドが配置される、請求項７に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項11】
前記液晶の配向を制御するパッチ電極が非透光性である、請求項７に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項12】
前記ｘ方向および前記ｙ方向の少なくとも１つの方向において、前記複数のセンサ電極の各々の幅は、前記液晶の配向を制御するパッチ電極の幅よりも小さい、請求項７に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項13】
各々が液晶を含む、ｘ方向および前記ｘ方向と交差するｙ方向にマトリクス状に配置された複数の反射素子を含む半導体装置の検査方法であって、
前記ｘ方向および前記ｙ方向にマトリクス状に配置された複数のセンサ電極を含むセンサヘッドを、前記半導体装置の上に配置し、
前記複数の反射素子において、前記ｘ方向の隣接する２つの反射素子の一方の前記液晶の誘電率が所定の第１状態となり、および他方の前記液晶の誘電率が所定の第２状態となるように前記半導体装置に電圧信号を入力した後、前記複数のセンサ電極を介して、前記複数の反射素子の各々に対応する容量を取得し、
前記ｘ方向において隣接する２つの反射素子の２つの取得された前記容量の差分値を算出し、
前記差分値が所定のしきい値以下であるか否かを判定する、半導体装置の検査方法。
前記ｘ方向および前記ｙ方向にマトリクス状に配置された複数のセンサ電極を含むセンサヘッドを、前記半導体装置の上に配置し、
前記複数の反射素子において、前記ｘ方向の隣接する２つの反射素子の一方の前記液晶の誘電率が所定の第１状態となり、および他方の前記液晶の誘電率が所定の第２状態となるように前記半導体装置に電圧信号を入力した後、前記複数のセンサ電極を介して、前記複数の反射素子の各々に対応する容量を取得し、
前記ｘ方向において隣接する２つの反射素子の２つの取得された前記容量の差分値を算出し、
前記差分値が所定のしきい値以下であるか否かを判定する、半導体装置の検査方法。
【請求項14】
前記複数のセンサ電極は、前記ｘ方向および前記ｙ方向にマトリクス状に配置されている、請求項１３に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項15】
前記複数のセンサ電極は、前記ｘ方向に延在する複数の第１のセンサ電極と前記ｙ方向に延在する複数の第２のセンサ電極と、含む、請求項１３に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項16】
前記複数のセンサ電極が前記半導体装置と非接触となるように、前記センサヘッドが配置される、請求項１３に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項17】
前記液晶の配向を制御するパッチ電極が非透光性である、請求項１３に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項18】
前記ｘ方向において、前記複数のセンサ電極の各々の幅は、前記液晶の配向を制御するパッチ電極の幅よりも小さい、請求項１３に記載の半導体装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の一実施形態は、半導体装置、特に、液晶を用いた半導体装置の検査方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、液晶ディスプレイの検査においては、液晶ディスプレイを駆動させ、目視により、またはカメラを用いる自動光学検査（Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ：ＡＯＩ）により表示状態の観察を行っている。しかしながら、近年、液晶の利用が、液晶ディスプレイのような表示デバイスだけでなく、液晶アンテナまたは液晶レンズのような非表示デバイスにまで拡大している。このような非表示デバイスでは、例えば、パッチ電極が非透光性であるなど、表示を目的としたデバイスではないため、表示状態の観察によって非表示デバイスの欠陥を検出することが困難である。一方、特許文献１には、金属などの導電性パターンに対して適用することができる容量を利用した検査方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００１－２９５３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１では、半導体装置の導電パターンに直流電圧を与えた後、導電性パターンに対向して配置された検出電極を垂直方向に振動させ、導電性パターンと検出電極との間の容量の変化を検出し、導電性パターンの欠陥の有無を判定している。しかしながら、特許文献１に開示された方法では、導電性パターンごとに検出電極による容量の検出が必要である。そのため、半導体装置の検査に時間を要し、結果として、半導体装置のコストが上昇する要因となっていた。
【0005】
本発明の一実施形態は、上記問題に鑑み、液晶を用いた半導体装置の欠陥を簡易に判定することができる、半導体装置の検査方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法は、各々が液晶を含む、ｘ方向およびｘ方向と交差するｙ方向にマトリクス状に配置された複数の反射素子を含む半導体装置の検査方法であって、複数のセンサ電極を含むセンサヘッドを、半導体装置の上に配置し、複数の反射素子の各々において、液晶の誘電率が所定の第１状態となるように半導体装置に第１の電圧信号を入力した後、複数のセンサ電極を介して、複数の反射素子の各々に対応する第１の容量を取得し、複数の反射素子の各々において、液晶の誘電率が所定の第２状態となるように半導体装置に第２の電圧信号を入力した後、複数のセンサ電極を介して、複数の反射素子の各々に対応する第２の容量を取得し、第１の容量と第２の容量との差分値を算出し、差分値が所定のしきい値以下であるか否かを判定する。
【0007】
また、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法は、各々が液晶を含む、ｘ方向およびｘ方向と交差するｙ方向にマトリクス状に配置された複数の反射素子を含む半導体装置の検査方法であって、ｘ方向およびｙ方向にマトリクス状に配置された複数のセンサ電極を含むセンサヘッドを、半導体装置の上に配置し、複数の反射素子において、ｘ方向およびｙ方向の隣接する２つの反射素子の一方の液晶の誘電率が所定の第１状態となり、および他方の液晶の誘電率が所定の第２状態となるように半導体装置に電圧信号を入力加した後、複数のセンサ電極を介して、複数の反射素子の各々に対応する容量を取得し、ｘ方向およびｙ方向の各々において隣接する２つの反射素子の２つの取得された容量の差分値を算出し、差分値が所定のしきい値以下であるか否かを判定する。
【0008】
また、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法は、各々が液晶を含む、ｘ方向およびｘ方向と交差するｙ方向にマトリクス状に配置された複数の反射素子を含む半導体装置の検査方法であって、ｘ方向およびｙ方向にマトリクス状に配置された複数のセンサ電極を含むセンサヘッドを、半導体装置の上に配置し、複数の反射素子において、ｘ方向の隣接する２つの反射素子の一方の液晶の誘電率が所定の第１状態となり、および他方の液晶の誘電率が所定の第２状態となるように半導体装置に電圧信号を入力した後、複数のセンサ電極を介して、複数の反射素子の各々に対応する容量を取得し、ｘ方向において隣接する２つの反射素子の２つの取得された容量の差分値を算出し、差分値が所定のしきい値以下であるか否かを判定する。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において使用される検査装置の構成を示す模式図である。
【図2】本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において使用される検査装置の構成を示すブロック図である。
【図3】本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、センサ電極による容量の検出を説明する模式的な回路図である。
【図4】本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、反射素子に対応する容量を説明する模式図である。
【図5】本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法を示すフローチャートである。
【図6】本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、半導体装置の反射素子に入力される電圧信号を示す模式図である。
【図7】本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、反射素子に欠陥がある場合に算出される差分値の模式図である。
【図8】本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、反射素子に欠陥がある場合に算出される差分値の模式図である。
【図9】本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、反射素子に欠陥がある場合に算出される差分値を示す模式図である。
【図10】本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法を示すフローチャートである。
【図11】本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、半導体装置の反射素子に入力される電圧信号を示す模式図である。
【図12】本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、反射素子に欠陥がある場合に算出される差分値を示す模式図である。
【図13】本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、反射素子に欠陥がある場合に算出される差分値を示す模式図である。
【図14】本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法を示すフローチャートである。
【図15】本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、半導体装置の反射素子に入力される電圧信号を示す模式図である。
【図16】本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、反射素子に欠陥がある場合に算出される差分値を示す模式図である。
【図17】本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において使用される検査装置の構成を示す模式図である。
【図18】本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、第１のセンサ電極および第２のセンサ電極による容量の検出を説明する模式的な回路図である。
【図19】本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、反射素子に対応する容量を説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下に、本発明の各実施形態について、図面を参照しつつ説明する。以下の開示はあくまで一例にすぎない。当業者が、発明の主旨を保ちつつ、実施形態の構成を適宜変更することによって容易に想到し得る構成は、当然に本発明の範囲に含有される。図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合がある。しかし、図示された形状はあくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【0011】
本明細書において、半導体装置の検査方法の実施時を基準として、基板からセンサヘッドに向かう方向を上または上方という。逆に、センサヘッドから基板に向かう方向を下または下方という。このように、原則として、基板とセンサヘッドとの位置関係を基準として、上方または下方と定義するが、場合により、上述した上下関係が逆になる場合がある。
【0012】
本明細書において「αはＡ、ＢまたはＣを含む」、「αはＡ、ＢおよびＣのいずれかを含む」、「αはＡ、ＢおよびＣからなる群から選択される一つを含む」、といった表現は、特に明示が無い限り、αがＡ～Ｃの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。
【0013】
本明細書において、「反射素子」とは、液晶の配向が制御されるように画定され、または実質的に画定される最小単位をいう。例えば、液晶反射板においては、１つのパッチ電極と共通電極との間に挟まれる液晶材料が含まれるように画定され、または実質的に画定される領域を含む単位であるが、液晶反射板以外の半導体装置において同等の構造を含むものであれば同等物と捉えることができる。例えば、液晶ディスプレイにおいては、１つの画素が、前述の最小単位に該当する。
【0014】
なお、以下の各実施形態は、技術的な矛盾を生じない限り、互いに組み合わせることができる。
【0015】
【0016】
【0017】
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において使用される検査装置１０の構成を示す模式図である。また、図２は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において使用される検査装置１０の構成を示すブロック図である。
【0018】
図１に示すように、検査装置１０は、センサヘッド１００、制御装置２００、およびステージ３００を含む。センサヘッド１００は、ｘ方向およびｘ方向と交差する方向にマトリクス状に配置された複数のセンサ電極１１０を含む。検査装置１０によって検査される半導体装置５００は、ステージ３００上に載置される。半導体装置５００は、ｘ方向およびｙ方向にマトリクス状に配置された複数の反射素子５１０を含む。半導体装置５００の検査の際には、センサヘッド１００は、半導体装置５００上に（ｘ方向およびｚ方向と交差するｚ方向に）配置される。具体的には、半導体装置５００の検査の際には、複数のセンサ電極１１０が、複数の反射素子５１０と対向するように、センサヘッド１００が半導体装置５００に近接して配置される。すなわち、複数のセンサ電極１１０を半導体装置５００に接触させる必要はなく、非接触で半導体装置５００を検査することができる。
【0019】
半導体装置５００は、液晶を含み、例えば、液晶表示装置、液晶アンテナ、または液晶レンズなどであるが、これらに限られない。複数の反射素子５１０内には、液晶および液晶に電圧を印加するパッチ電極（特に、液晶の配向を制御するパッチ電極）を含む。パッチ電極は、透光性を有していてもよく、非透光性を有していてもよい。
【0020】
図１には図示しないが、センサヘッド１００には、センサヘッド１００をｘ方向およびｙ方向に移動可能なセンサヘッド駆動部１４０が設けられている（図２参照）。そのため、センサヘッド１００は、ｘ方向およびｙ方向に移動することができる。また、図１には図示しないが、ステージ３００には、ステージ３００をｘ方向およびｙ方向に移動可能なステージ駆動部３１０が設けられている（図２参照）。そのため、ステージ３００に載置された半導体装置５００を、ｘ方向およびｙ方向に移動させることができる。詳細は後述するが、検査装置１０を使用した検査では、複数のセンサ電極１１０で検出される容量を利用する。そのため、センサヘッド１００またはステージ３００をｘ方向またはｙ方向に移動させながら、複数のセンサ電極１１０を用いて、センサヘッド１００と半導体装置５００との間の容量を検出する。
【0021】
ｘ方向およびｙ方向の少なくとも１つの方向において、複数のセンサ電極１１０の各々の幅は、反射素子５１０の幅よりも小さく、好ましくはパッチ電極の幅よりも小さい。そのため、１つの反射素子５１０に対応する容量は、複数のセンサ電極１１０のうちのいくつかの電極によって検出される。したがって、センサヘッド１００に含まれる複数のセンサ電極１１０が、すべての反射素子５１０に対応する容量を検出することができるように、センサヘッド１００またはステージ３００をｘ方向またはｙ方向に移動させる。
【0022】
センサヘッド１００には、端子部１２０が設けられている。複数のセンサ電極１１０は、それぞれ、端子部１２０の複数の端子と電気的に接続されている。また、端子部１２０は、接続部１３０を介して、制御装置２００と電気的に接続されている。そのため、複数のセンサ電極１１０の各々で検出された信号（具体的には、容量に対応する信号）は、端子部１２０および接続部１３０を介して、制御装置２００に入力される。なお、制御装置２００からの信号をセンサヘッド１００に入力することもできる。
【0023】
図２に示すように、制御装置２００は、センサヘッド駆動制御部２１０、ステージ駆動制御部２２０、電圧信号生成部２３０、容量取得部２４０、差分値算出部２５０、判定部２６０、および記憶部２７０を含む。制御装置２００は、いわゆるコンピュータであり、所定のプログラムを実行することにより機能する。制御装置２００は、例えば、データまたは情報を用いて演算処理を行う中央演算装置（ＣＰＵ）、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、または画像処理装置（ＧＰＵ）を含む。また、制御装置２００は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）、もしくはソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）などの記憶装置、または通信インターフェースを含む。
【0024】
センサヘッド駆動制御部２１０は、センサヘッド駆動部１４０と接続され、センサヘッド駆動部１４０に制御信号を送信することができる。センサヘッド駆動制御部２１０から送信される制御信号に基づき、センサヘッド１００が、ｘ方向およびｙ方向に移動する。
【0025】
ステージ駆動制御部２２０は、ステージ駆動部３１０と接続され、ステージ駆動部３１０に制御信号を送信することができる。ステージ駆動制御部２２０から送信される制御信号に基づき、ステージ駆動部３１０が、ステージ３００をｘ方向およびｙ方向に移動させる。
【0026】
電圧信号生成部２３０は、センサヘッド１００および半導体装置５００に入力される電圧信号を生成することができる。例えば、電圧信号生成部２３０は、直流電圧信号または交流（矩形波）電圧信号などを生成することができる。
【0027】
容量取得部２４０は、複数のセンサ電極１１０を介して、複数の反射素子５１０の各々に対応する容量を取得することができる。詳細は後述するが、半導体装置５００の検査においては、複数の反射素子５１０の各々に電圧信号を入力しながら、複数のセンサ電極１１０を用いて容量を検出する。容量取得部２４０は、複数の反射素子５１０ごとに、複数のセンサ電極１１０によって検出された１つまたはいくつかの容量を合計し、複数の反射素子５１０の各々に対応する容量を取得する。なお、取得された複数の反射素子５１０の各々に対応する容量は、記憶部２７０に格納しておくことができる。
【0028】
差分値算出部２５０は、容量取得部２４０によって取得された２つの容量の差分値を算出することができる。例えば、差分値算出部２５０は、反射素子５１０に第１の電圧信号が入力されたときに取得される第１の容量と、反射素子５１０に第２の電圧信号が入力されたときに取得される第２の容量との差分値を算出することができる。
【0029】
判定部２６０は、差分値算出部２５０によって算出された差分値に基づき、半導体装置５００に欠陥が含まれているか否かを判定することができる。具体的には、判定部２６０は、算出された差分値と記憶部２７０に格納されたしきい値２７１とを比較し、半導体装置５００の欠陥の有無を判定する。なお、しきい値２７１は、ユーザが自由に設定することができる。
【0030】
【0031】
図３は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、センサ電極１１０の容量の検出を説明する模式的な回路図である。
【0032】
図３には、センサヘッド１００の検出回路および反射素子５１０の反射素子回路が図示されている。なお、検出回路および反射素子回路は、図３に示す構成に限られない。また、図３では、説明の便宜上、１つの反射素子５１０に対して１つのセンサ電極１１０が図示されている。
【0033】
図３に示す検出回路は、センサ電極１１０、増幅器ＡＭＰ、および補償容量ＣＡＭＰを含む。センサ電極１１０によって検出された信号は、増幅器ＡＭＰによって増幅され、出力される。
【0034】
図３に示す反射素子回路は、液晶容量ＣＬＣ、保持容量ＣＳ、トランジスタＴｒ、共通線ＣＬ、ゲート線ＧＬ、および信号線ＳＬを含む。液晶容量ＣＬＣを形成する一対の電極の一方である共通電極は、共通線ＣＬと接続され、液晶容量ＣＬＣを形成する一対の電極の他方であるパッチ電極は、トランジスタＴｒのソース電極およびドレイン電極の一方と接続されている。トランジスタＴｒのソース電極およびドレイン電極の他方は、信号線ＳＬと接続されている。また、トランジスタＴｒのゲート電極には、ゲート線ＧＬが接続されている。保持容量Ｃｓを形成する一対の電極の一方は、パッチ電極ならびにソース電極およびドレイン電極の一方と接続され、保持容量Ｃｓを形成する一対の電極の他方は、接地されている。
【0035】
電圧信号生成部２３０によって生成された交流電圧信号は、検出回路の増幅器ＡＭＰ、共通線ＣＬ、および信号線ＳＬに入力される。また、電圧信号生成部２３０によって生成された直流電圧信号は、ゲート電極に入力される。なお、半導体装置５００がゲート駆動回路およびソース駆動回路を含む場合は、ゲート駆動回路およびソース駆動回路を介して、反射素子５１０に、各電圧信号が入力される。
【0036】
センサ電極１１０を反射素子５１０に近接させると、センサ電極１１０と反射素子５１０との間にさまざまな容量が生成される。例えば、容量Ｃ１はセンサ電極１１０と信号線ＳＬとの間に形成される容量であり、容量Ｃ２はセンサ電極１１０とゲート線ＧＬとの間に形成される容量であり、容量Ｃ３はセンサ電極１１０とパッチ電極との間に形成される容量であり、Ｃ４はセンサ電極１１０と共通電極または共通線との間に形成される容量であり、Ｃ５はセンサ電極１１０と接地線との間に形成される容量である。このように、検査装置１０では、センサ電極１１０を近接させることにより容量が形成される、いわゆる自己容量方式によって容量を検出することができる。センサ電極１１０から出力される信号は、センサ電極１１０と反射素子５１０との間に形成されたあらゆる容量（例えば、容量Ｃ１～容量Ｃ５など）が合算されたものとなる。
【0037】
図４は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、反射素子５１０に対応する容量を説明する模式図である。
【0038】
【0039】
図４に示すように、液晶ＬＣを挟持するパッチ電極ＥＰＩＸと共通電極ＥＣＯＭとの間には、液晶容量ＣＬＣが形成されている。また、個々のセンサ電極１１０と１つの反射素子５１０との間に形成される容量は上述したとおりであるが、１つの反射素子５１０あたりでは、１つの反射素子５１０に対応する複数のセンサ電極１１０の容量が合算された容量ＣＳＥＮ－ＰＩＸが形成されると考えることができる。したがって、１つの反射素子５１０に対応する複数のセンサ電極１１０は、直列に接続された容量ＣＳＥＮ－ＰＩＸおよび容量ＣＬＣを検出する。すなわち、反射素子５１０に対応する複数のセンサ電極１１０は、式（１）で表される容量Ｃｄｅｔを検出することができる。
【0040】
【数1】
【0041】
液晶ＬＣの状態が変化すると、ＣＬＣが変化する。そのため、式（１）から理解されるように、液晶ＬＣの状態が変化すると、複数のセンサ電極１１０で検出される容量Ｃｄｅｔが変化する。したがって、容量取得部２４０は、反射素子５１０に対応する複数のセンサ電極１１０を選択することにより、反射素子５１０に対応する容量Ｃｄｅｔを取得することができる。
【0042】
［３．半導体装置の検査方法］
図５は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法を示すフローチャートである。図６は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、半導体装置５００の反射素子５１０に入力される電圧信号を示す模式図である。なお、図６では、便宜上、６×６の反射素子５１０が図示されている。
図５は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法を示すフローチャートである。図６は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、半導体装置５００の反射素子５１０に入力される電圧信号を示す模式図である。なお、図６では、便宜上、６×６の反射素子５１０が図示されている。
【0043】
図５に示すフローチャートは、ステップＳ１１０～ステップＳ１７０を含む。以下では、ステップＳ１１０～ステップＳ１７０を順に説明する。
【0044】
ステップＳ１１０では、センサヘッド１００が、半導体装置５００上に配置される。具体的には、複数のセンサ電極１１０が、反射素子５１０と対向するように、センサヘッド１００が半導体装置５００に近接して配置される。半導体装置５００内のすべての反射素子５１０に対応する容量を取得するため、適宜、センサヘッド１００またはステージ３００を移動する。センサヘッド１００の移動は、センサヘッド駆動制御部２１０からの制御信号に基づいて実行される。また、ステージ３００の移動は、ステージ駆動制御部２２０からの制御信号に基づいて実行される。
【0045】
ステップＳ１２０では、反射素子５１０において前記液晶の誘電率が所定の第１状態となるように、半導体装置５００に第１の電圧信号が入力される。第１の電圧信号は、電圧信号生成部２３０によって生成される。第１の電圧信号は、例えば、複数の反射素子５１０の各々のパッチ電極に印加される。ここで、所定の第１状態とは、液晶反射板において、パッチ電極と共通電極とに挟持された液晶の誘電率が最も小さくなる状態であることをいう。すなわち、第１の電圧信号は、液晶が所定の第１状態を維持する電圧信号である（図６参照）。
【0046】
なお、ステップＳ１２０における第１の電圧信号は、所定の時間だけ入力されてもよい。
【0047】
ステップＳ１３０では、複数のセンサ電極１１０を介して、反射素子５１０に対応する第１の容量Ｃｄｅｔ－１を取得する。第１の容量Ｃｄｅｔ－１は、第１の電圧信号が印加されたときの液晶の状態と対応した容量である。具体的には、容量取得部２４０は、１つの反射素子５１０と対応したセンサ電極１１０を選択し、選択されたセンサ電極１１０で検出された容量を合算し、第１の容量Ｃｄｅｔ－１を取得する。同様にして、半導体装置５００に含まれる複数の反射素子５１０の各々の第１の容量Ｃｄｅｔ－１を取得する。複数の反射素子５１０の各々の取得された第１の容量Ｃｄｅｔ－１は、記憶部２７０に格納される。
【0048】
ステップＳ１４０では、複数の反射素子５１０において前記液晶の誘電率が所定の第２状態となるように、半導体装置５００に第２の電圧信号が入力される。第２の電圧信号は、電圧信号生成部２３０によって生成される。第２の電圧信号も、例えば、複数の反射素子５１０の各々のパッチ電極に印加される。ここで、所定の第１状態とは、液晶反射板において、パッチ電極と共通電極とに挟持された液晶の誘電率が最も大きくなる状態であることをいう。すなわち、第２の電圧信号は、液晶が所定の第２状態に変化する電圧信号である（図６参照）。
【0049】
なお、ステップＳ１４０における第２の電圧信号の入力は、所定の時間のみ実行される。ここで、所定の時間とは、液晶が初期配向状態から別の配向状態に変化する時間であり、適宜、ユーザによって設定されてもよい。
【0050】
ステップＳ１５０では、複数のセンサ電極１１０を介して、反射素子５１０に対応する第２の容量Ｃｄｅｔ－２を取得する。第２の容量Ｃｄｅｔ－２は、第２の電圧信号が印加されたときの液晶の状態と対応した容量である。具体的には、容量取得部２４０は、１つの反射素子５１０と対応したセンサ電極１１０を選択し、選択されたセンサ電極１１０で検出された容量を合算し、第２の容量Ｃｄｅｔ－２を取得する。同様にして、半導体装置５００に含まれる複数の反射素子５１０の各々の第２の容量Ｃｄｅｔ－２を取得する。複数の反射素子５１０の各々の取得された第２の容量Ｃｄｅｔ－２は、記憶部２７０に格納される。
【0051】
ステップＳ１６０では、差分値算出部２５０が、第１の容量Ｃｄｅｔ－１と第２の容量Ｃｄｅｔ－２との差分値（絶対値）を算出する。
【0052】
ステップＳ１７０では、判定部２６０が、差分値に基づき、半導体装置５００の欠陥の有無を判定する。具体的には、判定部２６０は、差分値が、しきい値以下であるか否かを判定する。半導体装置５００に欠陥があると、差分値は小さくなる。そのため、差分値がしきい値以下であるとき、判定部２６０は、半導体装置５００が欠陥品であると判定する。一方、差分値がしきい値を超えるとき、判定部２６０は、半導体装置５００が正常品であると判定する。
【0053】
【0054】
【0055】
図７には、差分値がしきい値以下である１つの欠陥のある反射素子５１０ｄが示されている。反射素子５１０ｄ内で配線が断線しているとき、ステップＳ１４０において反射素子５１０ｄ内の液晶に電圧信号が十分に印加されないため、ステップＳ１５０において取得される第２の容量Ｃｄｅｔ－２は第１の容量Ｃｄｅｔ－１に近い値となる。この場合、第１の容量Ｃｄｅｔ－１と第２の容量Ｃｄｅｔ－２との差が小さくなるため、算出される差分値が減少する。
【0056】
図８には、信号線ＳＬが延在するｙ方向において、途中から端部まで差分値がしきい値以下である３つの欠陥のある反射素子５１０ｄ（第１の反射素子５１０ｄ－１～第３の反射素子５１０ｄ－３）が示されている。信号線ＳＬが断線していると、断線が発生している第１の反射素子５１０ｄ－１から端部の第３の反射素子５１０ｄ－３まで、ステップＳ１４０において反射素子５１０ｄ内の液晶に電圧信号が十分に印加されないため、ステップＳ１５０において取得される第２の容量Ｃｄｅｔ－２は第１の容量Ｃｄｅｔ－１に近い値となる。この場合、第１の容量Ｃｄｅｔ－１と第２の容量Ｃｄｅｔ－２との差が小さくなるため、算出される差分値が減少する。図８に示される反射素子５１０ｄの欠陥は、反射素子５１０ｄ内で発生しているものではないが、信号線ＳＬの欠陥が、反射素子５１０ｄに対応する容量に反映される。そのため、本実施形態に係る半導体装置の検査方法によれば、反射素子５１０内の欠陥に限られず、信号線ＳＬの欠陥を検出することができる。
【0057】
図９には、ゲート線ＧＬが延在するｘ方向において、ｘ方向の一列すべての差分値がしきい値以下である６つの欠陥のある反射素子５１０ｄ（第１の反射素子５１０ｄ－１～第６の反射素子５１０ｄ－６）が示されている。ゲート線ＧＬが断線していると、断線が発生している列に含まれるすべての反射素子５１０ｄにおいて、ステップＳ１４０において反射素子５１０ｄ内の液晶に電圧信号が十分に印加されないため、ステップＳ１５０において取得される第２の容量Ｃｄｅｔ－２は第１の容量Ｃｄｅｔ－１に近い値となる。この場合、第１の容量Ｃｄｅｔ－１と第２の容量Ｃｄｅｔ－２との差が小さくなるため、算出される差分値が減少する。図９に示される反射素子５１０ｄの欠陥は、反射素子５１０ｄ内で発生しているものではないが、ゲート線ＧＬの欠陥が、反射素子５１０ｄに対応する容量に反映されれる。そのため、本実施形態に係る半導体装置の検査方法によれば、反射素子５１０内の欠陥に限られず、ゲート線ＧＬの欠陥を検出することも可能である。
【0058】
【0059】
以上説明したように、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法によれば、複数のセンサ電極１１０を含むセンサヘッド１００を用いて、半導体装置５００の複数の反射素子５１０の各々に対応する容量を取得することができる。反射素子５１０に対応する容量には、反射素子５１０、信号線ＳＬ、およびゲート線ＧＬなどのさまざまな欠陥が反映される。そのため、反射素子５１０に対応する容量の変化に基づき、半導体装置５００の欠陥を簡易に判定することができる。
【0060】
以下では、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法のいくつかの変形例について説明する。なお、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法の変形は、以下で説明する変形例に限定されるものではない。
【0061】
＜変形例１＞
図１０～図１３を参照して、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法の一変形例について説明する。なお、以下の説明において、上述した構成と同一または類似の構成の説明を省略する場合がある。
図１０～図１３を参照して、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法の一変形例について説明する。なお、以下の説明において、上述した構成と同一または類似の構成の説明を省略する場合がある。
【0062】
図１０は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法を示すフローチャートである。図１１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、半導体装置５００の反射素子５１０に入力される電圧信号を示す模式図である。
【0063】
図１０に示すフローチャートは、ステップＳ２１０～ステップＳ２５０を含む。以下では、ステップＳ２１０～ステップＳ２５０を順に説明する。
【0064】
ステップＳ２１０は、ステップＳ１１０と同様であるため、説明を省略する。
【0065】
ステップＳ２２０では、ｘ方向およびｙ方向において隣接する２つの反射素子５１０の一方の液晶の誘電率が所定の第１状態となり、および他方の液晶の誘電率が所定の第２状態となるように、半導体装置５００に電圧信号が入力される。すなわち、ステップＳ２２０では、複数の反射素子５１０がチェック状に第１状態（図１１中の反射素子５１０－１参照）および第２状態（図１１中の反射素子５１０－２参照）となるように半導体装置５００に電圧信号が入力される。
【0066】
なお、ステップＳ２２０における電圧信号の入力は、所定の時間のみ実行される。
【0067】
ステップＳ２３０では、複数のセンサ電極１１０を介して、反射素子５１０に対応する容量Ｃｄｅｔを取得する。具体的には、容量取得部２４０は、１つの反射素子５１０と対応したセンサ電極１１０を選択し、選択されたセンサ電極１１０で検出された容量を合算し、容量Ｃｄｅｔを取得する。同様にして、半導体装置５００に含まれる複数の反射素子５１０の各々の容量Ｃｄｅｔを取得する。複数の反射素子５１０の各々の取得された容量Ｃｄｅｔは、記憶部２７０に格納される。
【0068】
ステップＳ２４０では、差分値算出部２５０が、ｘ方向およびｙ方向において隣接する２つの反射素子５１０の容量間の差分値（絶対値）を算出する。ｘ方向およびｙ方向において隣接する２つの反射素子５１０の容量は、第１状態である反射素子５１０－１に対応する容量および第２状態である反射素子５１０－２に対応する容量である。１つの反射素子５１０がｘ方向およびｙ方向において隣接する反射素子５１０は２つ～４つのいずれかである。そのため、複数の反射素子５１０の各々において、２つ～４つの差分値が取得される。
【0069】
ステップＳ２５０は、ステップＳ１７０と同様であるため、説明を省略する。但し、複数の反射素子５１０の各々は、２つ～４つの差分値を有するため、判定部２６０は、２つ～４つの差分値のいずれについても、しきい値以下であるか否かを判定する。
【0070】
【0071】
【0072】
図１２には、差分値がしきい値である隣接する２つの反射素子５１０ｄが示されている。隣接している２つの反射素子５１０ｄにおいて短絡していると、ステップＳ２２０において第１状態となるはずの反射素子５１０ｄ内の液晶に電圧信号が十分に印加されない。そのため、短絡が発生している２つの隣接する反射素子５１０ｄでは、ステップＳ２３０において取得される容量Ｃｄｅｔが、第２状態である反射素子５１０－２の容量Ｃｄｅｔに近い値となる。この場合、隣接する２つの反射素子５１０ｄにおいて、算出される差分値が減少する。
【0073】
図１３には、差分値がしきい値以下である隣接する２列の反射素子５１０ｄ－Ｌが示されている。ｙ方向に延在する２つの信号線ＳＬが短絡していると、ステップＳ２２０において第１状態となるはずの反射素子５１０ｄ内の液晶に電圧信号が十分に印加されない。そのため、短絡が発生している列の反射素子５１０ｄ－Ｌでは、ステップＳ２３０において取得される容量Ｃｄｅｔが、第２状態である反射素子５１０－２の容量Ｃｄｅｔに近い値となる。この場合、ｘ方向において隣接する２列の反射素子５１０－Ｌにおいて、算出される差分値が減少する。図１３に示される２列の反射素子５１０ｄ－Ｌの欠陥は、反射素子５１０ｄ内で発生しているものではないが、信号線ＳＬの欠陥が、反射素子５１０ｄに対応する容量に反映される。そのため、本変形例に係る半導体装置の検査方法によれば、反射素子５１０内の欠陥に限られず、信号線ＳＬの欠陥を検出することができる。
【0074】
＜変形例２＞
図１４～図１６を参照して、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法の別の変形例について説明する。なお、以下の説明において、上述した構成と同一または類似の構成の説明を省略する場合がある。
図１４～図１６を参照して、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法の別の変形例について説明する。なお、以下の説明において、上述した構成と同一または類似の構成の説明を省略する場合がある。
【0075】
図１４は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法を示すフローチャートである。図１５は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、半導体装置５００の反射素子５１０に入力される電圧信号を示す模式図である。なお、図１５では、便宜上、６×６の反射素子５１０が図示されている。
【0076】
図１４に示すフローチャートは、ステップＳ３１０～ステップＳ３５０を含む。以下では、ステップＳ３１０～ステップＳ３５０を順に説明する。
【0077】
ステップＳ３１０は、ステップＳ１１０と同様であるため、説明を省略する。
【0078】
ステップＳ３２０では、ｙ方向に沿った一列の反射素子５１０の液晶の誘電率が第１状態または第２状態となるように、半導体装置５００に電圧信号が入力される。ｘ方向では、第１状態である一列の反射素子５１０－Ｌ１と第２状態である一列の反射素子５１０－Ｌ２とが交互に配列されている。すなわち、ステップＳ３２０では、複数の反射素子５１０がストライプ状に第１態および第２状態となるように半導体装置５００に電圧信号が入力される（図１５参照）。
【0079】
なお、ステップＳ３２０における電圧信号の入力は、所定の時間のみ実行される。
【0080】
ステップＳ３３０では、複数のセンサ電極１１０を介して、反射素子５１０に対応する容量Ｃｄｅｔを取得する。具体的には、容量取得部２４０は、１つの反射素子５１０と対応したセンサ電極１１０を選択し、選択されたセンサ電極１１０で検出された容量を合算し、容量Ｃｄｅｔを取得する。同様にして、半導体装置５００に含まれる複数の反射素子５１０の各々の容量Ｃｄｅｔを取得する。複数の反射素子５１０の各々の取得された容量Ｃｄｅｔは、記憶部２７０に格納される。
【0081】
ステップＳ３４０では、差分値算出部２５０が、ｘ方向において隣接する２つの反射素子５１０の容量間の差分値（絶対値）を算出する。ｘ方向において隣接する２つの反射素子５１０の容量は、第１状態である反射素子５１０に対応する容量および第２状態である反射素子５１０に対応する容量である。１つの反射素子５１０がｘ方向において隣接する反射素子５１０は１つまたは２つである。そのため、複数の反射素子５１０の各々において、１つまたは２つの差分値が取得される。
【0082】
ステップＳ３５０は、ステップＳ１７０と同様であるため、説明を省略する。なお、２つの差分値を有する反射素子５１０においては、判定部２６０は、２つの差分値のいずれについても、しきい値以下であるか否かを判定する。
【0083】
ここで、図１６を参照して、半導体装置５００の欠陥が反映される差分値の減少について説明する。
【0084】
図１６は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、反射素子５１０に欠陥がある場合に算出される差分値を示す模式図である。
【0085】
図１６には、差分値がしきい値以下である隣接する２列の反射素子５１０ｄ－Ｌが示されている。ｙ方向に延在する隣接する２つの信号線ＳＬが短絡していると、ステップＳ３２０において第１状態となるはずの反射素子５１０ｄ内の液晶に電圧信号が十分に印加されない。そのため、短絡が発生している列の反射素子５１０ｄ－Ｌでは、ステップＳ３３０において取得される容量Ｃｄｅｔが、第２状態である反射素子５１０の容量Ｃｄｅｔに近い値となる。この場合、ｘ方向において隣接する２列の反射素子５１０－Ｌにおいて、算出される差分値が減少する。図１６に示される２列の反射素子５１０ｄ－Ｌの欠陥は、反射素子５１０ｄ内で発生しているものではないが、信号線ＳＬの欠陥が、反射素子５１０ｄに対応する容量に反映される。そのため、本変形例に係る半導体装置の検査方法によれば、反射素子５１０内の欠陥に限られず、信号線ＳＬの欠陥を検出することができる。
【0086】
以上、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法におけるいくつかの変形例について説明したが、本実施形態では、これらの変形例を組み合わせた実施も可能である。
【0087】
【0088】
［１．検査装置の構成］
本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法においては、検査装置１０Ａを使用する。そこで、図１７を参照して、検査装置１０Ａの構成について説明する。なお、以下では、検査装置１０の構成と同一または類似の構成の説明を省略する場合がある。
本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法においては、検査装置１０Ａを使用する。そこで、図１７を参照して、検査装置１０Ａの構成について説明する。なお、以下では、検査装置１０の構成と同一または類似の構成の説明を省略する場合がある。
【0089】
図１７は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において使用される検査装置１０Ａの構成を示す模式図である。
【0090】
図１７に示すように、検査装置１０Ａは、センサヘッド１００Ａ、制御装置２００、およびステージ３００を含む。センサヘッド１００Ａは、ｘ方向に延在する複数の第１のセンサ電極１１０Ａ－１およびｙ方向に延在する複数の第２のセンサ電極１１０Ａ－２を含む。複数の第２のセンサ電極１１０Ａ－２は、絶縁体を介して、複数の第１のセンサ電極１１０Ａ－１と重畳している。複数の第１のセンサ電極１１０Ａ－１および複数の第２のセンサ電極１１０Ａ－２は、それぞれ、端子部１２０の複数の端子と電気的に接続されている。制御装置２００からの信号が複数の第２のセンサ電極１１０Ａ－２に入力され、複数の第１のセンサ電極１１０Ａ－１からの信号が制御装置２００に入力される。
【0091】
【0092】
図１８は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、第１のセンサ電極１１０Ａ－１および第２のセンサ電極１１０Ａ－２による容量の検出を説明する模式的な回路図である。
【0093】
図１８には、センサヘッド１００Ａの検出回路および反射素子５１０の反射素子回路が図示されている。なお、検出回路および反射素子回路は、図１８に示す構成に限られない。また、図１８では、説明の便宜上、１つの反射素子５１０に対して１つの第１のセンサ電極１１０Ａ－１と１つの第２のセンサ電極１１０Ａ－２とが重畳している部分が図示されている。
【0094】
図１８に示す検出回路は、第１のセンサ電極１１０Ａ－１、第２のセンサ電極１１０Ａ－２、および増幅器ＡＭＰを含む。第２のセンサ電極１１０Ａ－２には、制御装置２００の電圧信号生成部２３０によって生成された交流電圧信号が入力される。このとき、第１のセンサ電極１１０Ａ－１と第２のセンサ電極１１０Ａ－２との間には、電極間容量Ｃ１２が形成される。
【0095】
第１のセンサ電極１１０Ａ－１を反射素子５１０に近接させると、第１のセンサ電極１１０Ａ－１および第２のセンサ電極１１０Ａ－２との間にさまざまな容量が生成される（図１８中の容量Ｃ１～Ｃ１０参照）。電極間容量Ｃ１２は、反射素子５１０によって形成される容量（容量Ｃ１～容量Ｃ１０および液晶容量ＣＬＣなど）の影響により変化する。このように、検査装置１０Ａでは、電極間容量Ｃ１２の変化を検出する、いわゆる相互容量方式によって容量を検出することができる。
【0096】
図１９は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法において、反射素子に対応する容量を説明する模式図である。
【0097】
図１８では、１つの反射素子５１０に対して１つの第１のセンサ電極１１０Ａ－１と１つの第２のセンサ電極１１０Ａ－２とが重畳している部分が対応しているものとして説明したが、実際には、図１９に示すように、１つの反射素子５１０に対して第１のセンサ電極１１０Ａ－１と第２のセンサ電極１１０Ａ－２との重複部分が複数対向している。
【0098】
図１９に示すように、液晶ＬＣを挟持するパッチ電極ＥＰＩＸと共通電極ＥＣＯＭとの間には、液晶容量ＣＬＣが形成されている。また、第１のセンサ電極１１０Ａ－１と第２のセンサ電極１１０Ａ－２との重複部分と、１つの反射素子５１０との間に形成される容量は上述したとおりであるが、ここでは、上述した容量を第１のセンサ電極１１０Ａ－１および反射素子５１０によって形成される容量ＣＳＥＮ１－ＰＩＸと、第２のセンサ電極１１０Ａ－２および反射素子５２０によって形成される容量ＣＳＥＮ２－ＰＩＸとに分けて考える。この場合、反射素子５１０に対応する複数の第１のセンサ電極１１０Ａ－１は、式（２）で表される容量Ｃｄｅｔを検出することができる。
【0099】
【数2】
【0100】
液晶ＬＣの状態が変化すると、ＣＬＣが変化する。そのため、式（２）から理解されるように、液晶ＬＣの状態が変化すると、複数の第１のセンサ電極１１０Ａ－１で検出される容量Ｃｄｅｔが変化する。したがって、容量取得部２４０は、反射素子５１０に対応する複数の第１のセンサ電極１１０Ａ－１および複数の第２のセンサ電極１１０Ａ－２を選択することにより、反射素子５１０に対応する容量Ｃｄｅｔを取得することができる。
【0101】
［３．半導体装置の検査方法］
検査装置１０Ａを使用する半導体装置の検査方法は、基本的には、第１実施形態で説明した半導体装置の検査方法と同様である。そのため、ここでは、説明を省略する。
検査装置１０Ａを使用する半導体装置の検査方法は、基本的には、第１実施形態で説明した半導体装置の検査方法と同様である。そのため、ここでは、説明を省略する。
【0102】
以上説明したように、本発明の一実施形態に係る半導体装置の検査方法によれば、複数の第１のセンサ電極１１０Ａ－１および第２のセンサ電極１１０Ａ－２を含むセンサヘッド１００を用いて、半導体装置５００の複数の反射素子５１０の各々に対応する容量を取得することができる。反射素子５１０に対応する容量には、反射素子５１０、信号線ＳＬ、およびゲート線ＧＬなどのさまざまな欠陥が反映される。そのため、反射素子５１０に対応する容量の変化に基づき、半導体装置５００の欠陥を簡易に判定することができる。
【0103】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または工程の追加、省略、もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0104】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0105】
１０、１０Ａ：検査装置、 １００、１００Ａ：センサヘッド、 １１０センサ電極、 １１０Ａ－１：第１のセンサ電極、 １１０Ａ－２：第２のセンサ電極、 １２０：端子部、 １３０：接続部、 １４０：センサヘッド駆動部、 ２００：制御装置、 ２１０：センサヘッド駆動制御部、 ２２０：ステージ駆動制御部、 ２３０：電圧信号生成部、 ２４０：容量取得部、 ２５０：差分値算出部、 ２６０：判定部、 ２７０：記憶部、 ２７１：しきい値、 ３００：ステージ、 ３１０：ステージ駆動部、 ５００：半導体装置、 ５１０：反射素子、 ５１０ｄ：欠陥のある反射素子
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】