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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024062780
(43)【公開日】2024-05-10
(54)【発明の名称】半導体装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/60 20060101AFI20240501BHJP
【ＦＩ】
H01L21/60 301A
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022170856
(22)【出願日】2022-10-25
(71)【出願人】
【識別番号】302062931
【氏名又は名称】ルネサスエレクトロニクス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002066
【氏名又は名称】弁理士法人筒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】高石 竜勢
【テーマコード（参考）】
5F044
【Ｆターム（参考）】
5F044AA14
5F044DD01
5F044DD02
(57)【要約】
【課題】半導体装置の特性変動を抑制する。
【解決手段】ワイヤボンディング装置のモニタに表示される十字線を構成する横線５００Ａを第１目印ＭＫ１の第１線分ＬＳ１と重ね合わせ、且つ、十字線を構成する縦線５００Ｂを第２目印ＭＫ２の第１線分ＬＳ２と重ね合わせることで、ボンディング領域ＢＲを特定する。
【選択図】図８
【解決手段】ワイヤボンディング装置のモニタに表示される十字線を構成する横線５００Ａを第１目印ＭＫ１の第１線分ＬＳ１と重ね合わせ、且つ、十字線を構成する縦線５００Ｂを第２目印ＭＫ２の第１線分ＬＳ２と重ね合わせることで、ボンディング領域ＢＲを特定する。
【選択図】図８
【特許請求の範囲】
【請求項1】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）主面、前記主面上に形成されたパッド、および、前記主面上に形成された絶縁膜、を有する半導体チップを準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記絶縁膜に形成された開口部内において露出する前記パッドの一部において、ボンディング領域を特定する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記パッドの前記ボンディング領域にボンディングワイヤを接続する工程、
ここで、
前記パッドの平面形状は、第１辺と、前記第１辺と交差する第２辺と、を備える四角形から成り、
前記開口部の平面形状は、第１辺と、前記第１辺と交差する第２辺と、を備える四角形から成り、
前記パッドの前記第１辺または前記開口部の前記第１辺には、さらに、第１目印が設けられており、
前記パッドの前記第２辺または前記開口部の前記第２辺には、さらに、第２目印が設けられており、
前記第１目印は、前記第１辺の第１位置において前記第１辺と直交する第１線分を有し、
前記第２目印は、前記第２辺の第１位置において前記第２辺と直交する第１線分を有し、
前記（ｂ）工程では、ワイヤボンディング装置のモニタに表示される十字線を構成する横線を前記第１目印の前記第１線分と重ね合わせ、且つ、前記十字線を構成する縦線を前記第２目印の前記第１線分と重ね合わせることで、前記ボンディング領域を特定する。
（ａ）主面、前記主面上に形成されたパッド、および、前記主面上に形成された絶縁膜、を有する半導体チップを準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記絶縁膜に形成された開口部内において露出する前記パッドの一部において、ボンディング領域を特定する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記パッドの前記ボンディング領域にボンディングワイヤを接続する工程、
ここで、
前記パッドの平面形状は、第１辺と、前記第１辺と交差する第２辺と、を備える四角形から成り、
前記開口部の平面形状は、第１辺と、前記第１辺と交差する第２辺と、を備える四角形から成り、
前記パッドの前記第１辺または前記開口部の前記第１辺には、さらに、第１目印が設けられており、
前記パッドの前記第２辺または前記開口部の前記第２辺には、さらに、第２目印が設けられており、
前記第１目印は、前記第１辺の第１位置において前記第１辺と直交する第１線分を有し、
前記第２目印は、前記第２辺の第１位置において前記第２辺と直交する第１線分を有し、
前記（ｂ）工程では、ワイヤボンディング装置のモニタに表示される十字線を構成する横線を前記第１目印の前記第１線分と重ね合わせ、且つ、前記十字線を構成する縦線を前記第２目印の前記第１線分と重ね合わせることで、前記ボンディング領域を特定する。
【請求項2】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程では、前記ワイヤボンディング装置が、前記横線を前記第１目印の前記第１線分と重ね合わせ、且つ、前記縦線を前記第２目印の前記第１線分と重ね合わせることで、前記ボンディング領域を特定する。
前記（ｂ）工程では、前記ワイヤボンディング装置が、前記横線を前記第１目印の前記第１線分と重ね合わせ、且つ、前記縦線を前記第２目印の前記第１線分と重ね合わせることで、前記ボンディング領域を特定する。
【請求項3】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１目印は、前記第１目印の前記第１線分と交差し、且つ、前記第１辺に沿って延びる第２線分を有し、
前記第２目印は、前記第２目印の前記第１線分と交差し、且つ、前記第２辺に沿って延びる第２線分を有する。
前記第１目印は、前記第１目印の前記第１線分と交差し、且つ、前記第１辺に沿って延びる第２線分を有し、
前記第２目印は、前記第２目印の前記第１線分と交差し、且つ、前記第２辺に沿って延びる第２線分を有する。
【請求項4】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁膜は、
前記主面上に形成された無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上に形成された有機絶縁膜と、
から成り、
前記開口部は、
前記無機絶縁膜に形成された第１開口部と、
前記有機絶縁膜に形成された第２開口部と、
から成り、
前記第１目印は、前記第１開口部の前記第１辺に設けられており、
前記第２目印は、前記第１開口部の前記第２辺に設けられている。
前記絶縁膜は、
前記主面上に形成された無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上に形成された有機絶縁膜と、
から成り、
前記開口部は、
前記無機絶縁膜に形成された第１開口部と、
前記有機絶縁膜に形成された第２開口部と、
から成り、
前記第１目印は、前記第１開口部の前記第１辺に設けられており、
前記第２目印は、前記第１開口部の前記第２辺に設けられている。
【請求項5】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１辺の前記第１位置は、前記第１辺の中心であり、
前記第２辺の前記第１位置は、前記第２辺の中心である。
前記第１辺の前記第１位置は、前記第１辺の中心であり、
前記第２辺の前記第１位置は、前記第２辺の中心である。
【請求項6】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記パッドは、さらに、前記パッドの前記第１辺と交差し、且つ、前記パッドの前記第２辺と対向する第３辺を有し、
前記開口部は、さらに、前記開口部の前記第１辺と交差し、且つ、前記開口部の前記第２辺と対向する第３辺を有し、
前記パッドまたは前記開口部の前記第３辺には、さらに、第３目印が設けられており、
前記第３目印は、前記第３辺の第１位置において前記第３辺と直交する第１線分を有し、
前記（ｂ）工程では、前記横線を前記第１目印の前記第１線分と重ね合わせ、且つ、前記縦線を前記第２目印の前記第１線分および前記第３目印の前記第１線分と重ね合わせることで、前記ボンディング領域を特定する。
前記パッドは、さらに、前記パッドの前記第１辺と交差し、且つ、前記パッドの前記第２辺と対向する第３辺を有し、
前記開口部は、さらに、前記開口部の前記第１辺と交差し、且つ、前記開口部の前記第２辺と対向する第３辺を有し、
前記パッドまたは前記開口部の前記第３辺には、さらに、第３目印が設けられており、
前記第３目印は、前記第３辺の第１位置において前記第３辺と直交する第１線分を有し、
前記（ｂ）工程では、前記横線を前記第１目印の前記第１線分と重ね合わせ、且つ、前記縦線を前記第２目印の前記第１線分および前記第３目印の前記第１線分と重ね合わせることで、前記ボンディング領域を特定する。
【請求項7】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記パッドまたは前記開口部には、前記第１目印および前記第２目印の他に段差パターンが形成されており、
前記パッドまたは前記開口部は、前記（ｂ）工程に先立って前記パッドおよび前記開口部が形成された半導体チップを認識する工程において、前記半導体チップを認識するための認識パターンとなる。
前記パッドまたは前記開口部には、前記第１目印および前記第２目印の他に段差パターンが形成されており、
前記パッドまたは前記開口部は、前記（ｂ）工程に先立って前記パッドおよび前記開口部が形成された半導体チップを認識する工程において、前記半導体チップを認識するための認識パターンとなる。
【請求項8】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップは、
パワーＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴからなるパワートランジスタと、
前記パワートランジスタを流れる電流を検出するためのセンストランジスタと、
を有し、
前記パッドは、前記パワーＭＯＳＦＥＴのソースパッドあるいは前記ＩＧＢＴのエミッタパッドである。
前記半導体チップは、
パワーＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴからなるパワートランジスタと、
前記パワートランジスタを流れる電流を検出するためのセンストランジスタと、
を有し、
前記パッドは、前記パワーＭＯＳＦＥＴのソースパッドあるいは前記ＩＧＢＴのエミッタパッドである。
【請求項9】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１目印および前記第２目印のそれぞれは、凸部または凹部から構成されている。
前記第１目印および前記第２目印のそれぞれは、凸部または凹部から構成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、例えば、ボンディングワイヤを有する半導体装置の製造方法に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【0002】
特開平２－９０６３４号公報（特許文献１）には、ワイヤボンダの位置決めクロスマークに対応して、スリットまたは突起からなる位置合わせマークを有するボンディングパッドを備える半導体装置に関する技術が記載されている。
【0003】
特開２０００－１２６０３号公報（特許文献２）には、ボンディングパッドに対して、ボンディングパッドの中心を視覚的に認識させる形状を付与する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開平２－９０６３４号公報
【特許文献2】特開２０００－１２６０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
例えば、半導体チップの表面に形成されたパッドにボンディングワイヤを接続する構成を有する半導体装置がある。この半導体装置では、ボンディングワイヤを接続するボンディング位置の位置ずれに起因する半導体装置の特性変動を抑制するため、ボンディングワイヤを接続するパッドのボンディング領域を正確に特定することが要求される。すなわち、ボンディングワイヤを有する半導体装置では、ボンディングワイヤを接続するパッドのボンディング領域を正確に特定することができる工夫が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【0006】
一実施の形態における半導体装置の製造方法は、（ａ）主面、主面上に形成されたパッド、および、主面上に形成された絶縁膜、を有する半導体チップを準備する工程、（ｂ）（ａ）工程の後、絶縁膜に形成された開口部内において露出するパッドの一部において、ボンディング領域を特定する工程、（ｃ）（ｂ）工程の後、パッドのボンディング領域にボンディングワイヤを接続する工程、を備える。
【0007】
ここで、パッドの平面形状は、第１辺と、第１辺と交差する第２辺と、を備える四角形から成り、開口部の平面形状は、第１辺と、第１辺と交差する第２辺と、を備える四角形から成る。そして、パッドの第１辺または開口部の第１辺には、さらに、第１目印が設けられており、パッドの第２辺または開口部の第２辺には、さらに、第２目印が設けられている。このとき、第１目印は、第１辺の第１位置において第１辺と直交する第１線分を有し、第２目印は、第２辺の第１位置において第２辺と直交する第１線分を有する。
【0008】
ここで、（ｂ）工程では、ワイヤボンディング装置のモニタに表示される十字線を構成する横線を第１目印の第１線分と重ね合わせ、且つ、十字線を構成する縦線を第２目印の第１線分と重ね合わせることで、ボンディング領域を特定する。
【発明の効果】
【0009】
一実施の形態によれば、ボンディングワイヤを接続するボンディング位置の位置ずれを抑制できる結果、位置ずれに起因する半導体装置の特性変動を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】パワートランジスタおよびパワートランジスタを制御する制御回路を含む半導体装置の回路構成を示す図である。
【図2】封止体を透視したパッケージ構造体の側面図である。
【図3】封止体を透視したパッケージ構造体の上面図である。
【図4】パッケージ構造体の下面図である。
【図5】パッケージ構造体の組立工程を説明するフローチャートである。
【図6】ワイヤボンディング工程の詳細を説明するフローチャートである。
【図7】関連技術における「ティーチング」を説明する図である。
【図8】基本思想を説明する図である。
【図9】回転ずれを考慮した場合の基本思想を説明する図である。
【図10】パッド構造を示す断面図である。
【図11】具現化態様において、（ａ）は、パッドの平面形状を示す図であり、（ｂ）は、カバー膜に形成された第１開口部の平面形状を示す図であり、（ｃ）は、有機絶縁膜に形成された第２開口部の平面形状を示す図である。
【図12】変形例１におけるパッド構造を示す平面図である。
【図13】変形例２におけるパッド構造を示す図であり、（ａ）は、パッドの平面形状を示す図であり、（ｂ）は、カバー膜に形成された第１開口部の平面形状を示す図であり、（ｃ）は、有機絶縁膜に形成された第２開口部の平面形状を示す図である。
【図14】変形例３におけるパッド構造を示す図であり、（ａ）は、パッドの平面形状を示す図であり、（ｂ）は、カバー膜に形成された第１開口部の平面形状を示す図であり、（ｃ）は、有機絶縁膜に形成された第２開口部の平面形状を示す図である。
【図15】変形例４におけるパッド構造を示す図であり、（ａ）は、パッドの平面形状を示す図であり、（ｂ）は、カバー膜に形成された第１開口部の平面形状を示す図であり、（ｃ）は、有機絶縁膜に形成された第２開口部の平面形状を示す図である。
【図16】ワイヤボンディング装置の概略構成を示すブロック図である。
【図17】ティーチング部の構成を示すブロック図である。
【図18】ワイヤボンディング装置の動作を説明するフローチャートである。
【図19】（ａ）は、関連技術におけるボンディング位置の位置ずれ量と頻度との関係を示すグラフであり、（ｂ）は、実施の形態におけるボンディング位置の位置ずれ量と頻度との関係を示すグラフである。
【図20】変形例５におけるパッド構造を示す平面図である。
【図21】変形例６におけるパッド構造を説明する平面図である。
【図22】変形例７におけるパッド構造を説明する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。
【0012】
＜パワートランジスタおよび制御回路の構成＞
図１は、パワートランジスタおよびパワートランジスタを制御する制御回路を含む半導体装置ＳＡ１の回路構成を示す図である。ここで、パワートランジスタは、例えば、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）である。
図１は、パワートランジスタおよびパワートランジスタを制御する制御回路を含む半導体装置ＳＡ１の回路構成を示す図である。ここで、パワートランジスタは、例えば、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）である。
【0013】
図１において、半導体装置ＳＡ１は、スイッチング回路１００と制御回路２００とを有しており、スイッチング回路１００は、パワートランジスタからなるメイントランジスタ１０と、センストランジスタ２０と、温度センサ３０とを有している。
【0014】
このように構成されているスイッチング回路１００において、メイントランジスタ１０は、電源電位を供給する電源端子であるリードＬＤ４と出力端子であるリードＬＤ１（リードＬＤ７）との間に設けられており、電源端子と出力端子との間を流れる電流のオン／オフを行うためのスイッチング素子として機能する。一方、センストランジスタ２０は、メイントランジスタ１０を流れる電流の電流値を検出する機能を有し、温度センサ３０は、スイッチング回路１００の温度を検出する機能を有している。
【0015】
続いて、制御回路２００は、スイッチング回路１００を制御する機能を有し、例えば、メイントランジスタ１０のゲート電極やセンストランジスタ２０のゲート電極にゲート電圧を印加するプリドライバを含んでいる。そして、図１において、制御回路２００は、半導体装置ＳＡ１の入力端子であるリードＬＤ３およびリードＬＤ６、グランド端子であるリードＬＤ２、制御回路２００からの出力を半導体装置ＳＡ１の外部に出力するための出力端子であるリードＬＤ５と電気的に接続されている。
【0016】
制御回路２００は、リードＬＤ３から入力される制御信号に基づいて、スイッチング回路１００に含まれるメイントランジスタ１０のオン／オフを制御するように構成されている。すなわち、制御回路２００は、メイントランジスタ１０のゲート電極に印加されるゲート電圧を切り替えることにより、メイントランジスタ１０のオン／オフを制御する。
【0017】
このようにして、メイントランジスタ１０のオン／オフ制御によって、メイントランジスタ１０のソースと電気的に接続された出力端子であるリードＬＤ１から半導体装置ＳＡ１の外部に接続される負荷に供給される電流を制御することができる。
【0018】
このようにして、半導体装置ＳＡ１が回路構成されている。
【0019】
＜半導体装置の構成＞
次に、半導体装置ＳＡ１の実装構成の一例について説明する。
次に、半導体装置ＳＡ１の実装構成の一例について説明する。
【0020】
図２は封止体ＭＲを透視したパッケージ構造体ＰＫＧの側面図である。
【0021】
図２に示すように、パッケージ構造体ＰＫＧは、チップ搭載部であるダイパッドＤＰを有し、このダイパッドＤＰ上に半田や銀ペーストを原料とする導電性接着材４０を介して半導体チップＣＨＰ１が搭載されている。この半導体チップＣＨＰ１には、パワートランジスタが形成されている。そして、半導体チップＣＨＰ１上には、絶縁性接着材５０を介して半導体チップＣＨＰ２が搭載されている。この半導体チップＣＨＰ２には、パワートランジスタを制御する制御回路が形成されている。また、半導体チップＣＨＰ１の表面に形成されているソースパッド（図示せず）とリードＬＤ７とがボンディングワイヤＷ２で接続されている。そして、少なくとも、ダイパッドＤＰ上に搭載されている半導体チップＣＨＰ１、半導体チップＣＨＰ１上に搭載されている半導体チップＣＨＰ２およびボンディングワイヤＷ２は、封止体ＭＲで覆われている。
【0022】
次に、図３は封止体ＭＲを透視したパッケージ構造体ＰＫＧの上面図である。
【0023】
図３に示すように、半導体チップＣＨＰ１の表面は、ソースパッドＳＰ１が形成されている第１領域と、ソースパッドＳＰ２が形成されている第２領域と、平面視において第１領域と第２領域で挟まれた第３領域を有しており、第３領域には、絶縁性接着材（図示せず）を介して半導体チップＣＨＰ２が搭載されている。
【0024】
そして、ソースパッドＳＰ１は、ボンディングワイヤＷ１を介してリードＬＤ１と接続されている。一方、ソースパッドＳＰ２は、ボンディングワイヤＷ２を介してリードＬＤ２と接続されている。さらに、半導体チップＣＨＰ１には、複数のパッドＰＤ３が形成されている一方、半導体チップＣＨＰ２には、複数のパッドＰＤ４および複数のパッドＰＤ５が形成されている。このとき、複数のパッドＰＤ３のそれぞれは、ボンディングワイヤＷ３を介して複数のパッドＰＤ４のそれぞれと接続されており、複数のパッドＰＤ５のそれぞれは、ボンディングワイヤＷ４を介してリードＬＤ２、リードＬＤ３、リードＬＤ５またはリードＬＤ６と接続されている。また、ダイパッドＤＰは、リードＬＤ４と接続されている。ここで、ボンディングワイヤＷ１およびボンディングワイヤＷ２の幅（および径）は、ボンディングワイヤＷ３およびボンディングワイヤＷ４の幅（および径）よりも太くなっている。
【0025】
続いて、図４はパッケージ構造体ＰＫＧの下面図である。
【0026】
図４に示すように、封止体ＭＲの裏面からは、ダイパッドＤＰの下面の一部分が露出しているとともに、封止体ＭＲからは、リードＬＤ１～リードＬＤ７のそれぞれのアウタリード部が突出している。以上のようにして、パッケージ構造体ＰＫＧが構成されている。
【0027】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、パッケージ構造体ＰＫＧ１（半導体装置）の組立工程について説明する。
次に、パッケージ構造体ＰＫＧ１（半導体装置）の組立工程について説明する。
【0028】
図５は、パッケージ構造体ＰＫＧ１の組立工程を説明するフローチャートである。
【0029】
まず、ダイパッドＤＰと、リードＬＤとを有するリードフレームを用意する（Ｓ１０１）。また、主面、主面上に形成されたパッド、および、主面上に形成された絶縁膜、を有する半導体チップＣＨＰ１を準備する。同様に、主面、主面上に形成されたパッド、および、主面上に形成された絶縁膜、を有する半導体チップＣＨＰ２を準備する（Ｓ１０２）。
【0030】
そして、パワートランジスタが形成された半導体チップＣＨＰ１をダイパッドＤＰ上に搭載する。具体的には、ダイパッドＤＰ上に半田や銀ペーストなどからなる導電性接着材４０を塗布した後、この導電性接着材４０を介して、ダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＨＰ１を搭載する（Ｓ１０３）。
【0031】
次に、制御回路が形成された半導体チップＣＨＰ２を半導体チップＣＨＰ１上に搭載する。具体的には、半導体チップＣＨＰ１のソースパッドＳＰ１が形成されている第１領域と、半導体チップＣＨＰ１のソースパッドＳＰ２が形成されている第２領域とに挟まれた第３領域に絶縁性接着材を配置した後、この絶縁性接着材を介して、第１半導体チップ上に第２半導体チップを搭載する（Ｓ１０４）。
【0032】
その後、半導体チップＣＨＰ１に形成されているソースパッドＳＰ１と、リードＬＤ１とをボンディングワイヤＷ１で接続するとともに、半導体チップＣＨＰ１に形成されているソースパッドＳＰ２と、リードＬＤ７とをボンディングワイヤＷ２で接続する。さらに、半導体チップＣＨＰ１に形成されているパッドＰＤ３と、半導体チップＣＨＰ２に形成されているパッドＰＤ４をボンディングワイヤＷ３で接続するとともに、半導体チップＣＨＰ２に形成されているパッドＰＤ５と、リードＬＤ（リードＬＤ２、リードＬＤ３、リードＬＤ５、リードＬＤ６）とをボンディングワイヤＷ４で接続する（Ｓ１０５）。
【0033】
続いて、樹脂封止（モールド）を行うことにより封止体ＭＲを形成する（Ｓ１０６）。そして、封止体ＭＲから露出しているリードＬＤのアウタリード部に必要に応じてめっき層を形成する。次に、封止体ＭＲの外部において、リードＬＤを所定の位置で切断することにより、封止体ＭＲをリードフレームのフレーム枠から分離する。続いて、封止体ＭＲから突出するリードＬＤのアウタリード部を折り曲げ加工する。以上のようにして、パッケージ構造体ＰＫＧ１を製造することができる。
【0034】
＜ワイヤボンディング工程＞
ここで、ワイヤボンディング工程に着目する。
ここで、ワイヤボンディング工程に着目する。
【0035】
図６は、ワイヤボンディング工程の詳細を説明するフローチャートである。
【0036】
図６において、ワイヤボンディング工程では、まず、ワイヤボンディング装置に備わるカメラ（撮像部）によって、半導体チップに存在するユニークパターンを認識することにより、半導体チップを認識する（Ｓ２０１）。次に、ユニークパターンを原点として、予め取得しているパッドの座標データに基づいて、半導体チップに形成されているパッドの位置を特定する（Ｓ２０２）。その後、絶縁膜に形成された開口部内において露出するパッドの一部において、ボンディングワイヤを接続するためのボンディング領域を特定する工程が実施される（Ｓ２０３）。このボンディング領域を特定する工程は、「ティーチング」と呼ばれる。この「ティーチング」は、ボンディングワイヤを接続するボンディング位置の位置ずれに起因する半導体装置の特性変動を抑制する観点から、ボンディングワイヤを接続するパッドのボンディング領域を正確に特定するために行われる。続いて、「ティーチング」によって特定した情報に基づいて、パッドのボンディング領域に、ワイヤボンディング装置のボンディングツールを用いてボンディングワイヤを接続する工程が実施される（Ｓ２０２）。このようにして、ワイヤボンディング工程が実施されることになる。
【0037】
このとき、ボンディング位置の位置ずれに起因する半導体装置の特性変動を抑制するためには、「ティーチング」によって、パッドのボンディング領域を正確に特定することが重要である。この点に関し、本発明者の検討によると、現状の「ティーチング」では、パッドのボンディング領域を正確に特定する観点から改善の余地が存在することが明らかとなった。そこで、以下では、「ティーチング」に関する関連技術について説明した後、関連技術に存在する改善の余地について説明する。
【0038】
＜関連技術の説明＞
本明細書でいう「関連技術」とは、公知技術ではないが、本発明者が見出した課題を有する技術であって、本願発明の前提となる技術である。
本明細書でいう「関連技術」とは、公知技術ではないが、本発明者が見出した課題を有する技術であって、本願発明の前提となる技術である。
【0039】
図７は、関連技術における「ティーチング」を説明する図である。
【0040】
図７において、まず、パッドＰＤがカメラの直下に配置されるように、パッドＰＤを有する半導体装置をワイヤボンディング装置のボンドステージ上に搬送する。これにより、ワイヤボンディング装置に備わるモニタにカメラで撮像したパッドＰＤの画像が表示される。図７では、モニタに表示されたパッドＰＤの画像が示されている。例えば、パッドＰＤの平面形状は長辺と短辺を有する長方形形状であり、長辺の長さは１０００μｍ程度である一方、短辺の長さは６００μｍ程度である。
【0041】
次に、作業者は、モニタに表示される画像を見ながら、画像の中心にボンディング領域ＢＲが来るようにカメラを動かして、目視による位置調整を行った後、ボンディング領域ＢＲを特定する。具体的には、図７に示すように、モニタには、横線５００Ａと縦線５００Ｂからなる十字線が表示されており、この十字線に基づいて、ボンディング領域ＢＲを特定している。詳細には、横線５００Ａおよび縦線５００Ｂのそれぞれには、所定間隔で目盛が振ってあり、十字線の中心をパッドＰＤの中心付近に移動させて、十字線の中心から上下左右のパッドＰＤのそれぞれの辺までの目盛数が同じになるように十字線の中心位置を調整している。例えば、十字線を構成する横線５００Ａおよび縦線５００Ｂのそれぞれに振ってある目盛の間隔は、約１００μｍ程度である。
【0042】
このようにして、関連技術における「ティーチング」が実施される。
【0043】
＜改善の余地＞
ところが、ボンディングワイヤを接続するパッドＰＤの寸法（幅や長さ）は、半導体装置の種類によって様々である。この結果、パッドＰＤの寸法が、使用するワイヤボンディング装置の十字線を構成する横線５００Ａおよび縦線５００Ｂのそれぞれに振られている目盛間隔の整数倍にならない場合がある。このような場合には、作業者が「１目盛×整数＋α目盛（αは小数）」分を目視で確認して、十字線の交点とパッドＰＤの中心との位置合わせを行うことになる。このとき、作業者の目視では、「１目盛×整数＋α目盛」分を十字線の中心から上下左右のパッドＰＤのそれぞれの辺まで同じになるように十字線の中心位置を正確に調整することは困難である。このため、関連技術では、例えば、１目盛の約１０％程度（数十μｍ程度）のずれがボンディング領域ＢＲを特定する際に生じる。
ところが、ボンディングワイヤを接続するパッドＰＤの寸法（幅や長さ）は、半導体装置の種類によって様々である。この結果、パッドＰＤの寸法が、使用するワイヤボンディング装置の十字線を構成する横線５００Ａおよび縦線５００Ｂのそれぞれに振られている目盛間隔の整数倍にならない場合がある。このような場合には、作業者が「１目盛×整数＋α目盛（αは小数）」分を目視で確認して、十字線の交点とパッドＰＤの中心との位置合わせを行うことになる。このとき、作業者の目視では、「１目盛×整数＋α目盛」分を十字線の中心から上下左右のパッドＰＤのそれぞれの辺まで同じになるように十字線の中心位置を正確に調整することは困難である。このため、関連技術では、例えば、１目盛の約１０％程度（数十μｍ程度）のずれがボンディング領域ＢＲを特定する際に生じる。
【0044】
したがって、関連技術における「ティーチング」では、ボンディング位置の位置ずれに起因する半導体装置の特性変動が顕在化するおそれがある。特に、例えば、センストランジスを備える半導体装置のソースパッドにボンディングワイヤを接続することを想定している場合、ボンディング位置の位置ずれによって、センストランジスタによる電流検出精度が大きく変動する。このため、センストランジスタを備える半導体装置では、センストランジスタによる電流検出精度を確保する観点から、ボンディング位置の位置ずれを関連技術よりも小さくする改善が必要である。
【0045】
そこで、本実施の形態では、関連技術に存在する改善の余地を克服するための工夫を施している。以下では、この工夫を施した本実施の形態における技術的思想を説明する。
【0046】
＜実施の形態における基本思想＞
基本思想は、ワイヤボンディング装置のモニタに表示される十字線を構成する横線および縦線のそれぞれに振られた目盛に頼ることなく、十字線を構成する横線を第１目印に重ね合わせる一方、十字線を構成する縦線を第２目印に重ね合わせることにより必然的に自動調整された十字線の交点に基づいて、ボンディング領域を特定する思想である。
基本思想は、ワイヤボンディング装置のモニタに表示される十字線を構成する横線および縦線のそれぞれに振られた目盛に頼ることなく、十字線を構成する横線を第１目印に重ね合わせる一方、十字線を構成する縦線を第２目印に重ね合わせることにより必然的に自動調整された十字線の交点に基づいて、ボンディング領域を特定する思想である。
【0047】
より具体的に基本思想を説明すると、本実施の形態における基本思想は、パッドまたはパッドの一部を露出する絶縁膜に形成された開口部のいずれかを構成し、且つ、互いに交差する２つの辺のそれぞれに目印を設ける。この前提のもと、２つの辺のうちの一方の辺に設けられた第１目印の一部を構成する線分にワイヤボンディング装置のモニタに表示される十字線を構成する横線を重ね合わせる一方、２つの辺のうちの他方の辺に設けられた第２目印の一部を構成する線分に、ワイヤボンディング装置のモニタに表示される十字線を構成する縦線を重ね合わせることにより、ボンディング領域を特定する思想である。
【0048】
さらに詳細に基本思想を説明すると、本実施の形態における基本思想は、絶縁膜に形成された開口部内において露出するパッドにおいて、平面形状が四角形からなるパッドまたは平面形状が四角形からなる開口部の第１辺に第１目印が設けられており、かつ、パッドまたは開口部の第１辺と交差する第２辺に第２目印が設けられていることを前提とする。また、基本思想は、第１目印が第１辺の第１位置において第１辺と直交する第１線分を有し、かつ、第２目印が第２辺の第１位置において第２辺と直交する第１線分を有することを前提とする。これらの前提のもと、本実施の形態における基本思想は、ワイヤボンディング装置のモニタに表示される十字線を構成する横線を第１目印の第１線分と重ね合わせ、且つ、十字線を構成する縦線を第２目印の第１線分と重ね合わせることで、ボンディング領域を特定する思想である。
【0049】
以下では、この基本思想を図面に基づいて説明する。
【0050】
図８は、基本思想を説明する図である。
【0051】
図８では、ワイヤボンディング装置のモニタに表示された基本思想におけるパッドまたは絶縁膜に形成された開口部の画像が示されている。具体的に、図８には、平面形状が四角形からなるパッドまたは平面形状が四角形からなる開口部が示されている。そして、パッドまたは開口部は、パッドまたは開口部の第１辺Ｓ１と、第１辺Ｓ１と交差するパッドまたは開口部の第２辺Ｓ２が示されている。ここで、第１辺Ｓ１には、凸部を構成する第１目印ＭＫ１が設けられている一方、第２辺Ｓ２には、凸部を構成する第２目印ＭＫ２が設けられている。このとき、第１目印ＭＫ１は、第１辺Ｓ１の第１位置（中点）において第１辺Ｓ１と直交する第１線分ＬＳ１（辺）を有している。また、第２目印ＭＫ２は、第２辺Ｓ２の第１位置（中点）において第２辺Ｓ２と直交する第１線分ＬＳ２（辺）を有している。
【0052】
さらに、図８には、横線５００Ａと縦線５００Ｂを有する十字線も表示されている。
【0053】
ここで、図８に示すように、基本思想では、ワイヤボンディング装置のモニタに表示される十字線を構成する横線５００Ａを第１目印ＭＫ１の第１線分ＬＳ１と重ね合わせ、且つ、十字線を構成する縦線５００Ｂを第２目印ＭＫ２の第１線分ＬＳ２と重ね合わせることで、ボンディング領域ＢＲを特定する。
【0054】
これにより、基本思想によれば、十字線を構成する横線５００Ａおよび縦線５００Ｂのそれぞれに振られた目盛に頼ることなく、十字線を構成する横線５００Ａを第１目印ＭＫ１の第１線分ＬＳ１に重ね合わせる一方、十字線を構成する縦線５００Ｂを第２目印ＭＫ２の第１線分ＬＳ２に重ね合わせるだけで、必然的に十字線の交点がパッドまたは絶縁膜に形成された開口部の中央領域に位置することになる。
【0055】
この結果、基本思想によれば、ボンディングワイヤを接続するパッドのボンディング領域を正確に特定することができる。したがって、基本思想によれば、ボンディング位置の位置ずれに起因する半導体装置の特性変動を抑制することができる。
【0056】
特に、例えば、センストランジスを備える半導体装置のソースパッドにボンディングワイヤを接続する場合、ボンディング位置の位置ずれが生じると、センストランジスタによる電流検出精度が大きく変動する。この点に関し、基本思想によれば、ボンディング領域を正確に特定できる結果、ボンディング位置の位置ずれを小さくできるため、センストランジスタによる電流検出精度を確保できる。
【0057】
なお、基本思想を実現するにあたっては、パッドまたは開口部を構成する４つの辺のうちの少なくとも互いに交差する２つの辺に目印が設けられていればよい。ただし、パッドまたは開口部の回転ずれ（シータずれ）の補正も考慮する場合には、例えば、図９に示すように、パッドまたは開口部を構成する４つの辺のうちの少なくとも３つの辺に目印が設けられている必要がある。具体的に、図９に示すように、パッドまたは開口部は、さらに、パッドまたは開口部の第１辺Ｓ１と交差し、且つ、パッドまたは開口部の第２辺Ｓ２と対向する第３辺Ｓ３を有し、パッドまたは開口部の第３辺Ｓ３には、さらに、第３目印ＭＫ３が設けられている。ここで、第３目印ＭＫ３は、第３辺Ｓ３の第１位置（中心）において第３辺Ｓ３と直交する第１線分ＬＳ３（辺）を有する。この場合の基本思想では、十字線を構成する横線５００Ａを第１目印ＭＫ１の第１線分ＬＳ１と重ね合わせ、且つ、十字線を構成する縦線５００Ｂを第２目印ＭＫ２の第１線分ＬＳ２および第３目印ＭＫ３の第１線分ＬＳ３と重ね合わせることで、ボンディング領域ＢＲを特定する。これにより、パッドまたは開口部の回転ずれ（シータずれ）を補正することもできる。
【0058】
続いて、上述した基本思想を具現化した具現化態様について説明する。
【0059】
【0060】
半導体チップの主面ＭＳ上には、例えば、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるパッドＰＤと、パッドＰＤを覆うように形成された絶縁膜ＩＦとが形成されている。そして、絶縁膜ＩＦは、例えば、窒化シリコン膜に代表される無機絶縁膜からなるカバー膜ＣＦと、例えば、ポリイミド樹脂膜に代表される有機絶縁膜ＯＦの積層膜から構成されている。ここで、絶縁膜ＩＦには、パッドＰＤの表面の一部を露出する開口部が形成されている。具体的に、絶縁膜ＩＦを構成するカバー膜ＣＦには、第１開口部ＯＰ１が形成されている一方、絶縁膜ＩＦを構成する有機絶縁膜ＯＦには、第２開口部ＯＰ２が形成されている。このとき、第２開口部ＯＰ２の開口サイズは、第１開口部ＯＰ１の開口サイズよりも大きくなっている。このようにしてパッド構造が構成されている。
【0061】
＜＜パッド平面構造＞＞
図１１は、パッド構造を示す平面図である。特に、図１１（ａ）は、パッドＰＤの平面形状を示す平面図であり、図１１（ｂ）は、カバー膜ＣＦに形成された開口部ＯＰ１の平面形状を示す平面図であり、図１１（ｃ）は、有機絶縁膜ＯＦに形成された開口部ＯＰ２の平面形状を示す平面図である。
図１１は、パッド構造を示す平面図である。特に、図１１（ａ）は、パッドＰＤの平面形状を示す平面図であり、図１１（ｂ）は、カバー膜ＣＦに形成された開口部ＯＰ１の平面形状を示す平面図であり、図１１（ｃ）は、有機絶縁膜ＯＦに形成された開口部ＯＰ２の平面形状を示す平面図である。
【0062】
図１１（ａ）に示すように、パッドＰＤの平面形状は、四角形形状をしている。次に、図１１（ｂ）に示すように、カバー膜ＣＦに形成された開口部ＯＰ１の平面形状は、第１辺Ｓ１と、第１辺Ｓ１と交差する第２辺と、第１辺Ｓ１と交差し、かつ、第２辺と対向する第３辺Ｓ３と、第１辺Ｓ１と対向する第４辺Ｓ４と、を備える四角形形状をしている。そして、具現化態様では、開口部ＯＰ１の第１辺Ｓ１に第１目印ＭＫ１が設けられている一方、開口部ＯＰ１の第２辺Ｓ２に第２目印ＭＫ２が設けられている。また、具現化態様では、開口部ＯＰ１の第３辺Ｓ３に第３目印ＭＫ３が設けられている一方、開口部ＯＰ１の第４辺Ｓ４に第４目印ＭＫ４が設けられている。
【0063】
ここで、第１目印ＭＫ１は、第１辺Ｓ１の第１位置（中点）において第１辺Ｓ１と直交する第１線分ＬＳ１Ａと、第１線分ＬＳ１Ａと交差し、かつ、第１辺Ｓ１に沿って延びる第２線分ＬＳ１Ｂを有している。また、第２目印ＭＫ２は、第２辺Ｓ２の第１位置（中点）において第２辺Ｓ２と直交する第１線分ＬＳ２Ａと、第１線分ＬＳ２Ａと交差し、かつ、第２辺Ｓ２に沿って延びる第２線分ＬＳ２Ｂを有している。さらに、第３目印ＭＫ３は、第３辺Ｓ３の第１位置（中点）において第３辺Ｓ３と直交する第１線分ＬＳ３Ａと、第１線分ＬＳ３Ａと交差し、かつ、第３辺Ｓ３に沿って延びる第２線分ＬＳ３Ｂを有している。また、第４目印ＭＫ４は、第４辺Ｓ４の第１位置（中点）において第４辺Ｓ４と直交する第１線分ＬＳ４Ａと、第１線分ＬＳ４Ａと交差し、かつ、第４辺Ｓ４に沿って延びる第２線分ＬＳ４Ｂを有している。
【0064】
続いて、図１１（ｃ）に示すように、有機絶縁膜ＯＦに形成された開口部ＯＰ２の平面形状は、四角形形状をしている。以上のようにして、パッド構造が構成されている。
【0065】
【0066】
すなわち、具現化態様では、ワイヤボンディング装置のモニタに表示される十字線を構成する横線を開口部ＯＰ１の第１辺Ｓ１に設けられた第１目印ＭＫ１の第１線分ＬＳ１Ａと重ね合わせ、且つ、十字線を構成する縦線を開口部ＯＰ１の第２辺Ｓ２に設けられた第２目印ＭＫ２の第１線分ＬＳ２Ａと重ね合わせるとともに、横線を開口部ＯＰ１の第３辺Ｓ４に設けられた第４目印ＭＫ４の第１線分ＬＳ４Ａと重ね合わせ、且つ、縦線を開口部ＯＰ１の第３辺Ｓ３に設けられた第３目印ＭＫ３の第１線分ＬＳ３Ａと重ね合わせることで、ボンディング領域ＢＲを特定する。
【0067】
ここで、具現化態様では、カバー膜ＣＦに形成された開口部ＯＰ１に目印を設けているが、以下では、この理由について説明する。例えば、目印は、パッドＰＤに設けてもよい。しかしながら、パッドＰＤがアルミニウム膜やアルミニウム合金膜から構成されている場合、直角パターンを形成する精度が良くなく、直角形状がラウンド形状となってしまう。このことから、パッドＰＤに目印を設ける場合、目印を構成する線分の精度は高くない。また、目印は、有機絶縁膜ＯＦに形成された開口部ＯＰ２に設けてもよい。しかしながら、有機絶縁膜（ポリイミド樹脂膜）ＯＦに開口部ＯＰ２を形成する際のエッチングによる除去量（後退量）は、無機絶縁膜に開口部を形成する際のエッチングによる除去量（後退量）よりも大きくなり易い。このことから、有機絶縁膜ＯＦに形成された開口部ＯＰ２に目印を設ける場合、目印の加工精度は高くない。したがって、目印の高い加工精度（すなわち、目印を構成する線分の高い精度）を考慮した場合は、具現化態様のように、カバー膜ＣＦに形成された開口部ＯＰ１に目印を設けることが好ましい。
【0068】
＜＜変形例１＞＞
図１２は、本変形例１におけるパッド構造を示す平面図である。
図１２は、本変形例１におけるパッド構造を示す平面図である。
【0069】
図１１（ｂ）に示す具現化態様では、開口部ＯＰ１の中心を通る縦中心線に対して、第１目印ＭＫＬ１と第４目印ＭＫ４を線対称に配置し、かつ、開口部ＯＰ１の中心を通る横中心線に対して、第２目印ＭＫ２と第３目印ＭＫ３を線対称に配置していたが、図１２に示すように、開口部ＯＰ１の中心に対して、第１目印ＭＫ１と第４目印ＭＫ４を点対称に配置し、かつ、開口部ＯＰ１の中心に対して、第２目印ＭＫ２と第３目印ＭＫ３を点対称に配置してもよい。
【0070】
＜＜変形例２＞＞
図１３は、本変形例２におけるパッド構造を示す平面図である。特に、図１３（ａ）は、パッドＰＤの平面形状を示す平面図であり、図１３（ｂ）は、カバー膜ＣＦに形成された開口部ＯＰ１の平面形状を示す平面図であり、図１３（ｃ）は、有機絶縁膜ＯＦに形成された開口部ＯＰ２の平面形状を示す平面図である。
図１３は、本変形例２におけるパッド構造を示す平面図である。特に、図１３（ａ）は、パッドＰＤの平面形状を示す平面図であり、図１３（ｂ）は、カバー膜ＣＦに形成された開口部ＯＰ１の平面形状を示す平面図であり、図１３（ｃ）は、有機絶縁膜ＯＦに形成された開口部ＯＰ２の平面形状を示す平面図である。
【0071】
図１３（ａ）に示すように、本変形例２では、パッドＰＤに目印が設けられている。具体的に、パッドＰＤの平面形状は、第１辺Ｓ１Ａと、第１辺Ｓ１Ａと交差する第２辺Ｓ２Ａと、第１辺Ｓ１Ａと交差し、かつ、第２辺Ｓ２Ａと対向する第３辺Ｓ３Ａと、第１辺Ｓ１Ａと対向する第４辺Ｓ４Ａと、を備える四角形形状をしている。そして、本変形例２では、パッドＰＤの第１辺Ｓ１Ａに第１目印ＭＫ１が設けられている一方、パッドＰＤの第２辺Ｓ２Ａに第２目印ＭＫ２が設けられている。また、本変形例２では、パッドＰＤの第３辺Ｓ３Ａに第３目印ＭＫ３が設けられている一方、パッドＰＤの第４辺Ｓ４Ａに第４目印ＭＫ４が設けられている。このように、パッドＰＤに目印を設けてもよい。
【0072】
＜＜変形例３＞＞
図１４は、本変形例３におけるパッド構造を示す平面図である。特に、図１４（ａ）は、パッドＰＤの平面形状を示す平面図であり、図１４（ｂ）は、カバー膜ＣＦに形成された開口部ＯＰ１の平面形状を示す平面図であり、図１４（ｃ）は、有機絶縁膜ＯＦに形成された開口部ＯＰ２の平面形状を示す平面図である。
図１４は、本変形例３におけるパッド構造を示す平面図である。特に、図１４（ａ）は、パッドＰＤの平面形状を示す平面図であり、図１４（ｂ）は、カバー膜ＣＦに形成された開口部ＯＰ１の平面形状を示す平面図であり、図１４（ｃ）は、有機絶縁膜ＯＦに形成された開口部ＯＰ２の平面形状を示す平面図である。
【0073】
図１４（ｃ）に示すように、本変形例３では、有機絶縁膜ＯＦに形成された開口部ＯＰ２に目印が設けられている。具体的に、開口部ＯＰ２の平面形状は、第１辺Ｓ１Ｂと、第１辺Ｓ１Ｂと交差する第２辺Ｓ２Ｂと、第１辺Ｓ１Ｂと交差し、かつ、第２辺Ｓ２Ｂと対向する第３辺Ｓ３Ｂと、第１辺Ｓ１Ｂと対向する第４辺Ｓ４Ｂと、を備える四角形形状をしている。そして、本変形例３では、開口部ＯＰ２の第１辺Ｓ１Ｂに第１目印ＭＫ１が設けられている一方、開口部ＯＰ２の第２辺Ｓ２Ｂに第２目印ＭＫ２が設けられている。また、本変形例２では、開口部ＯＰ２の第３辺Ｓ３Ｂに第３目印ＭＫ３が設けられている一方、開口部ＯＰ２の第４辺Ｓ４Ｂに第４目印ＭＫ４が設けられている。
【0074】
このように、有機絶縁膜ＯＦに形成された開口部ＯＰ２に目印を設けてもよい。
【0075】
＜＜変形例４＞＞
図１５は、本変形例４におけるパッド構造を示す平面図である。特に、図１５（ａ）は、パッドＰＤの平面形状を示す平面図であり、図１５（ｂ）は、カバー膜ＣＦに形成された開口部ＯＰ１の平面形状を示す平面図であり、図１５（ｃ）は、有機絶縁膜ＯＦに形成された開口部ＯＰ２の平面形状を示す平面図である。
図１５は、本変形例４におけるパッド構造を示す平面図である。特に、図１５（ａ）は、パッドＰＤの平面形状を示す平面図であり、図１５（ｂ）は、カバー膜ＣＦに形成された開口部ＯＰ１の平面形状を示す平面図であり、図１５（ｃ）は、有機絶縁膜ＯＦに形成された開口部ＯＰ２の平面形状を示す平面図である。
【0076】
図１５（ａ）～図１５（ｃ）に示すように、本変形例４では、パッドＰＤ、カバー膜ＣＦに形成された開口部ＯＰ１および有機絶縁膜ＯＦに形成された開口部ＯＰ２に目印が設けられている。具体的に、パッドＰＤの平面形状は、第１辺Ｓ１Ａと、第１辺Ｓ１Ａと交差する第２辺Ｓ２Ａと、第１辺Ｓ１Ａと交差し、かつ、第２辺Ｓ２Ａと対向する第３辺Ｓ３Ａと、第１辺Ｓ１Ａと対向する第４辺Ｓ４Ａと、を備える四角形形状をしている。そして、本変形例４では、パッドＰＤの第１辺Ｓ１Ａに第１目印ＭＫ１が設けられている一方、パッドＰＤの第４辺Ｓ４Ａに第４目印ＭＫ４が設けられている。
【0077】
また、カバー膜ＣＦに形成された開口部ＯＰ１の平面形状は、第１辺Ｓ１と、第１辺Ｓ１と交差する第２辺Ｓ２と、第１辺Ｓ１と交差し、かつ、第２辺Ｓ２と対向する第３辺Ｓ３と、第１辺Ｓ１と対向する第４辺Ｓ４と、を備える四角形形状をしている。そして、本変形例４では、開口部ＯＰ１の第２辺Ｓ２に第２目印ＭＫ２が設けられている。
【0078】
さらに、有機絶縁膜ＯＦに形成された開口部ＯＰ２の平面形状は、第１辺Ｓ１Ｂと、第１辺Ｓ１Ｂと交差する第２辺Ｓ２Ｂと、第１辺Ｓ１Ｂと交差し、かつ、第２辺Ｓ２Ｂと対向する第３辺Ｓ３Ｂと、第１辺Ｓ１Ｂと対向する第４辺Ｓ４Ｂと、を備える四角形形状をしている。そして、本変形例４では、開口部ＯＰ２の第３辺Ｓ３Ｂに第３目印ＭＫ３が設けられている。
【0079】
このように複数の目印（第１目印ＭＫ１～第４目印ＭＫ４）がパッドＰＤ、カバー膜ＣＦに形成された開口部ＯＰ１および有機絶縁膜ＯＦに形成された開口部ＯＰ２に分かれて設けられていてもよい。
【0080】
＜＜「ティーチング」の主体＞＞
（１）主体：ワイヤボンディング装置
基本思想を実現した「ティーチング」では、例えば、図８に示すように、ワイヤボンディング装置のモニタに表示される十字線を構成する横線５００Ａを第１目印ＭＫ１の第１線分ＬＳ１と重ね合わせ、且つ、十字線を構成する縦線５００Ｂを第２目印ＭＫ２の第１線分ＬＳ２と重ね合わせることで、ボンディング領域ＢＲを特定する。
（１）主体：ワイヤボンディング装置
基本思想を実現した「ティーチング」では、例えば、図８に示すように、ワイヤボンディング装置のモニタに表示される十字線を構成する横線５００Ａを第１目印ＭＫ１の第１線分ＬＳ１と重ね合わせ、且つ、十字線を構成する縦線５００Ｂを第２目印ＭＫ２の第１線分ＬＳ２と重ね合わせることで、ボンディング領域ＢＲを特定する。
【0081】
この「ティーチング」の主体は、ワイヤボンディング装置である。すなわち、ワイヤボンディング装置が、横線５００Ａを第１目印ＭＫ１の第１線分ＬＳ１と重ね合わせ、且つ、縦線５００Ｂを第２目印ＭＫ２の第１線分ＬＳ２と重ね合わせることで、ボンディング領域ＢＲを特定する。これにより、ワイヤボンディング装置が、自動で基本思想を実現した「ティーチング」を実施することから、作業者が介在することなく、ボンディング領域ＢＲを正確に特定することができる。この結果、ワイヤボンディング装置によって、ボンディングワイヤを接続するボンディング位置の位置ずれを自動的に抑制できる結果、位置ずれに起因する半導体装置の特性変動を抑制することができる。
【0082】
以下では、ワイヤボンディング装置で基本思想を実現した「ティーチング」を実現するための構成について説明する。
【0083】
図１６は、ワイヤボンディング装置の概略構成を示すブロック図である。
【0084】
図１６において、ワイヤボンディング装置は、カメラ６０１と、カメラ移動部６０２と、モニタ６０３と、半導体チップ認識部６０４と、ティーチング部６０５と、ボンディング部６０６と、を有している。
【0085】
カメラ６０１は、ステージ上に搬送されてきた半導体装置を撮像するように構成されており、カメラ移動部６０２によって位置が移動可能に構成されている。また、カメラ６０１で撮像された画像は、モニタ６０３に表示される。このモニタ６０３には、カメラ６０１で撮像された画像だけでなく、例えば、図８に示す十字線も表示される。
【0086】
半導体チップ認識部６０４は、カメラ６０１で撮像されてモニタ６０３に表示された画像に基づいて、半導体チップを認識するように構成されている。例えば、半導体チップ認識部６０４は、モニタ６０３に表示されている画像からユニークパターンを特定することにより、半導体チップを認識するように構成されている。ここで、ユニークパターンとしては、例えば、半導体チップの表面に形成されているゲートパッドなどが使用される。そして、半導体チップ認識部６０４は、ユニークパターンの位置を原点として、予め取得している座標データに基づき、パッド（ソースパッド）を特定するように構成されている。
【0087】
ティーチング部６０５は、パッドまたはパッドを開口する開口部に設けられている目印を十字線に重ね合わせることにより、ボンディングワイヤをパッドに接続する位置を示すボンディング領域を特定するように構成されている。
【0088】
ボンディング部６０６は、ティーチング部６０５で特定されたボンディング領域に関する情報に基づいて、例えば、ボンディングツールを動作させることにより、パッドのボンディング領域にボンディングワイヤを接続するように構成されている。
【0089】
次に、ティーチング部６０５の詳細構成について説明する。
【0090】
図１７は、ティーチング部６０５の構成を示すブロック図である。
【0091】
ティーチング部６０５は、目印認識部７０１と、十字線重ね合わせ部７０２と、ボンディング領域特定部７０３と、を有している。
【0092】
目印認識部７０１は、例えば、画像認識技術を使用することにより、カメラ６０１で撮像されてモニタ６０３に表示されている画像から、パッドまたはパッドを開口する開口部に設けられた目印を認識するように構成されている。
【0093】
例えば、目印認識部７０１は、図８に示される画像において、パッドまたは開口部の第１辺Ｓ１に設けられている第１目印ＭＫ１およびパッドまたは開口部の第２辺Ｓ２に設けられている第２目印ＭＫ２を認識するように構成されている。詳細に述べると、目印認識部７０１は、少なくとも、第１辺Ｓ１の第１位置（中点）において第１辺Ｓ１と直交する第１線分ＬＳ１と、第２辺Ｓ２の第１位置（中点）において第２辺Ｓ２と直交する第１線分ＬＳ２を認識するように構成されている。
【0094】
十字線重ね合わせ部７０２は、目印認識部７０１で認識した目印とモニタ６０３に表示されている十字線を重ね合わせるように構成されている。つまり、十字線重ね合わせ部７０２は、カメラ移動部６０２を制御してカメラ６０１を移動させることにより、目印認識部７０１で認識した目印とモニタ６０３に表示されている十字線を重ね合わせるように構成されている。例えば、図８において、十字線重ね合わせ部７０２は、カメラ６０１を移動させることにより、十字線を構成する横線５００Ａを第１目印ＭＫ１の第１線分ＬＳ１と重ね合わせ、且つ、十字線を構成する縦線５００Ｂを第２目印ＭＫ２の第１線分ＬＳ２と重ね合わせるように構成されている。
【0095】
ボンディング領域特定部７０３は、例えば、図８において、十字線重ね合わせ部７０２によって、横線５００Ａを第１目印ＭＫ１の第１線分ＬＳ１と重ね合わせ、且つ、縦線５００Ｂを第２目印ＭＫ２の第１線分ＬＳ２と重ね合わせた状態における十字線の交点に基づいて、ボンディング領域ＢＲを特定するように構成されている。
【0096】
以上のようにして、ワイヤボンディング装置が構成されている。
【0097】
続いて、ワイヤボンディング装置の動作について説明する。
【0098】
図１８は、ワイヤボンディング装置の動作を説明するフローチャートである。
【0099】
まず、組立中の半導体装置をワイヤボンディング装置に備わるステージ上に搬送する（Ｓ３０１）。そして、ステージ上に搬送された半導体装置をカメラ６０１で撮像する（Ｓ３０２）。このとき、カメラ６０１で撮像された画像がモニタ６０３に表示される。
【0100】
ワイヤボンディング装置の半導体チップ認識部６０４は、モニタ６０３に表示されている半導体装置の画像に基づいて、半導体チップを認識する（Ｓ３０３）。具体的には、表示されている画像からユニークパターンを特定することにより、半導体チップを認識する。そして、半導体チップ認識部６０４は、ユニークパターンの位置（原点）と予め取得している座標データに基づいて、パッド（ソースパッド）の位置を特定する（Ｓ３０４）。
【0101】
次に、ワイヤボンディング装置の目印認識部７０１は、例えば、画像認識技術によって、パッドまたはパッドを開口する開口部に設けられた目印を認識する（Ｓ３０５）。このとき、目印は、少なくとも、互いに交差する２つの辺のそれぞれに設けられており、二つの目印のそれぞれは、目印が設けられている辺と直交する線分を有する。特に、目印認識部７０１は、２つの目印のそれぞれに含まれる上述した線分を認識する。
【0102】
続いて、ワイヤボンディング装置の十字線重ね合わせ部７０２は、目印認識部７０１で認識した目印の線分に十字線を重ね合わせるように、カメラ移動部６０２を使用してカメラ６０１を移動させる（Ｓ３０６）。具体的に、十字線重ね合わせ部７０２は、カメラ６０１を移動させることにより、２つの目印のうちの一方の目印の線分に十字線の横線を重ね合わせ、且つ、２つの目印のうちの他方の目印の線分に十字線の縦線を重ね合わせる。
【0103】
そして、ワイヤボンディング装置のボンディング領域特定部７０３は、十字線重ね合わせ部７０２によって２つの目印の線分に重ね合わされた十字線における交点に基づいて、ボンディング領域を特定する（Ｓ３０７）。
【0104】
その後、ワイヤボンディング装置のボンディング部６０６は、ボンディング領域特定部７０３で特定されたボンディング領域の情報に基づいて、ボンディングツールを動作させることにより、パッドのボンディング領域にボンディングワイヤを接続する（Ｓ３０８）。
【0105】
以上のようにして、ワイヤボンディング装置が動作する。
【0106】
（２）主体：作業者
基本思想を実現した「ティーチング」の主体は、ワイヤボンディング装置を想定している。例えば、基本思想を実現した「ティーチング」の主体をワイヤボンディング装置とすることにより、ボンディングワイヤを接続するパッドのボンディング領域を正確に特定することができるとともに、「ティーチング」を自動化することができる。したがって、「ティーチング」の主体をワイヤボンディング装置とすることにより、ボンディング位置の位置ずれに起因する半導体装置の特性変動を抑制することができるだけでなく、「ティーチング」の効率化を図ることができる点で有用である。
基本思想を実現した「ティーチング」の主体は、ワイヤボンディング装置を想定している。例えば、基本思想を実現した「ティーチング」の主体をワイヤボンディング装置とすることにより、ボンディングワイヤを接続するパッドのボンディング領域を正確に特定することができるとともに、「ティーチング」を自動化することができる。したがって、「ティーチング」の主体をワイヤボンディング装置とすることにより、ボンディング位置の位置ずれに起因する半導体装置の特性変動を抑制することができるだけでなく、「ティーチング」の効率化を図ることができる点で有用である。
【0107】
ただし、基本思想を実現した「ティーチング」を既存のワイヤボンディング装置で行うためには、ワイヤボンディング装置を改造する必要があり、改造費用が掛かることになる。したがって、基本思想を実現した「ティーチング」の主体は、ワイヤボンディング装置であることが望ましいが、これに限らず、作業者であってもよい。
【0108】
すなわち、基本思想を実現する「ティーチング」は、作業者にも適用できるだけでなく、基本思想を実現する「ティーチング」を作業者が行った場合であっても、例えば、目盛による位置合わせを行う関連技術の「ティーチング」よりも、ボンディングワイヤを接続するパッドのボンディング領域を正確に特定することができる。
【0109】
このことから、基本思想を実現した「ティーチング」は、主体をワイヤボンディング装置とした場合だけでなく、作業者とした場合であっても、関連技術に比べてボンディング領域を正確に特定することができる点で大きな技術的意義を有している。
【0110】
＜実施の形態における効果＞
次に、本実施の形態における効果について説明する。
次に、本実施の形態における効果について説明する。
【0111】
図１９は、ボンディング位置の位置ずれ量と頻度との関係を示すグラフである。特に、図１９（ａ）は、関連技術におけるボンディング位置の位置ずれ量と頻度との関係を示すグラフであり、図１９（ｂ）は、本実施の形態におけるボンディング位置の位置ずれ量と頻度との関係を示すグラフである。
【0112】
まず、図１９（ａ）および図１９（ｂ）において、グラフ（１）は、ワイヤボンディング装置の繰り返し位置精度を示すグラフであり、ワイヤボンディング装置のボンディング機構の繰り返し動作に依存する位置精度である。一方、グラフ（２）は、「ティーチング」時の位置精度を示すグラフであり、「ティーチング」に依存する位置精度である。そして、グラフ（３）は、ワイヤボンディング時の最終的なボンディング位置の位置精度を示すグラフであり、グラフ（１）とグラフ（２）の位置精度の組み合わせに対応する。
【0113】
ここで、図１９（ａ）に示す関連技術では、「ティーチング」時の位置精度を示すグラフ（２）の位置ずれ量のばらつきが大きいことがわかる。これに対し、図１９（ｂ）に示す本実施の形態では、「ティーチング」時の位置精度を示すグラフ（２）の位置ずれ量のばらつきを小さくすることができていることがわかる。この結果、図１９（ｂ）に示す本実施の形態では、ワイヤボンディング時の最終的なボンディング位置の位置精度を示すグラフ（３）の位置ずれ量のばらつきを低減できていることがわかる。
【0114】
このように、本実施の形態によれば、基本思想を実現する「ティーチング」を実施することにより、ワイヤボンディング時の最終的なボンディング位置の位置精度を向上できることがわかる。この結果、本実施の形態によれば、ボンディング位置の位置ずれに起因する半導体装置の特性変動を抑制することができる。
【0115】
特に、例えば、センストランジスタを備える半導体装置のソースパッドにボンディングワイヤを接続する場合、ボンディング位置の位置ずれが生じると、センストランジスタによる電流検出精度が大きく変動する。この点に関し、本実施の形態によれば、ボンディング領域を正確に特定できる結果、ボンディング位置の位置ずれを小さくできるため、センストランジスタによる電流検出精度を確保できる利点が得られる。
【0116】
＜変形例５＞
図２０は、本変形例５におけるパッド構造を示す平面図である。
図２０は、本変形例５におけるパッド構造を示す平面図である。
【0117】
図２０に示すように、本変形例５において、パッドまたは開口部には、目印の他に段差パターンが形成されている。具体的に、パッドまたは開口部は、第１辺Ｓ１と、第２辺Ｓ２と、第３辺Ｓ３と、第４辺Ｓ４を有している。そして、第１辺Ｓ１には、第１目印ＭＫ１が設けられている一方、第４辺Ｓ４には、第４目印ＭＫ４が設けられている。これに対し、第２辺Ｓ２には、第２目印ＭＫ２とともに段差パターンＰＡが設けられている。また、第３辺Ｓ３には、第３目印ＭＫ３とともに段差パターンＰＢが設けられている。
【0118】
このようにパッドまたは開口部に段差パターンＰＡおよび段差パターンＰＢが追加して設けられていることにより、段差パターンＰＡおよび段差パターンＰＢが設けられているパッドまたは開口部がユニークパターンとなる。すなわち、図２０に示すパッドまたは開口部は、「ティーチング」に先立って実施される、パッドおよび開口部が形成された半導体チップの認識工程において、半導体チップを認識するための認識パターン（ユニークパターン）とすることができる。
【0119】
例えば、半導体チップの認識工程においては、ユニークパターンを特定することにより、半導体チップを認識し、ユニークパターンの位置（原点）と予め取得している座標データに基づいて、パッド（ソースパッド）の位置が特定される。
【0120】
この点に関し、通常、ユニークパターンとしては、配線接続レイアウトに特徴があるゲートパッドが選択されるが、この場合、パッド（ソースパッド）の位置の特定は、ユニークパターンであるゲートパッドの位置（原点）と予め取得している座標データに基づいて実施される。この際、ユニークパターンとパッド（ソースパッド）が異なることから、パッド（ソースパッド）の位置を特定する際に誤差が生じて、パッド（ソースパッド）の位置を特定する精度が低下するおそれがある。
【0121】
これに対し、本変形例５では、パッド（ソースパッド）自体が、半導体チップの認識工程におけるユニークパターンとなる。この結果、半導体チップの認識工程におけるユニークパターンと位置の特定対象であるパッド（ソースパッド）が同じであることから、パッド（ソースパッド）の位置を特定する際に生じる誤差を小さくすることができる。このため、本変形例５によれば、パッド（ソースパッド）の位置を特定する精度を向上できる。
【0122】
＜変形例６＞
図２１は、本変形例６におけるパッド構造を説明する平面図である。
図２１は、本変形例６におけるパッド構造を説明する平面図である。
【0123】
図２１では、ワイヤボンディング装置のモニタに表示されたパッドまたは開口部の画像が示されている。具体的に、図２１には、平面形状が四角形からなるパッドまたは平面形状が四角形からなる開口部が示されている。そして、パッドまたは開口部は、パッドまたは開口部の第１辺Ｓ１と、第１辺Ｓ１と交差するパッドまたは開口部の第２辺Ｓ２と、第１辺Ｓ１と交差するパッドまたは開口部の第３辺Ｓ３と、第１辺Ｓ１と対向するパッドまたは開口部の第４辺Ｓ４が示されている。
【0124】
ここで、第１辺Ｓ１には、凹部を構成する第１目印ＭＫ１が設けられている一方、第２辺Ｓ２には、凹部を構成する第２目印ＭＫ２が設けられている。また、第３辺Ｓ３には、凹部を構成する第３目印ＭＫ３が設けられている一方、第４辺Ｓ４には、凹部を構成する第４目印ＭＫ４が設けられている。
【0125】
このとき、第１目印ＭＫ１は、第１辺Ｓ１の第１位置（中点）において第１辺Ｓ１と直交する第１線分ＬＳ１（辺）を有している。また、第２目印ＭＫ２は、第２辺Ｓ２の第１位置（中点）において第２辺Ｓ２と直交する第１線分ＬＳ２（辺）を有している。第３目印ＭＫ３は、第３辺Ｓ３の第１位置（中点）において第３辺Ｓ３と直交する第１線分ＬＳ３（辺）を有している。また、第４目印ＭＫ４は、第４辺Ｓ４の第１位置（中点）において第４辺Ｓ４と直交する第１線分ＬＳ４（辺）を有している。
【0126】
このように、パッドまたは開口部に設けられる目印（第１目印ＭＫ１～第４目印ＭＫ４）は、凹部から構成されていてもよい。
【0127】
＜変形例７＞
図２２は、本変形例７におけるパッド構造を説明する平面図である。
図２２は、本変形例７におけるパッド構造を説明する平面図である。
【0128】
図２２では、ワイヤボンディング装置のモニタに表示されたパッドまたは開口部の画像が示されている。具体的に、図２２には、平面形状が四角形からなるパッドまたは平面形状が四角形からなる開口部が示されている。そして、パッドまたは開口部は、パッドまたは開口部の第１辺Ｓ１と、第１辺Ｓ１と交差するパッドまたは開口部の第２辺Ｓ２と、第１辺Ｓ１と交差するパッドまたは開口部の第３辺Ｓ３と、第１辺Ｓ１と対向するパッドまたは開口部の第４辺Ｓ４が示されている。
【0129】
ここで、第１辺Ｓ１には、第１目印ＭＫ１が設けられている一方、第２辺Ｓ２には、第２目印ＭＫ２Ａおよび第２目印ＭＫ２Ｂが設けられている。また、第３辺Ｓ３には、第３目印ＭＫ３Ａおよび第３目印ＭＫ３Ｂが設けられている一方、第４辺Ｓ４には、第４目印ＭＫ４が設けられている。
【0130】
このとき、第１目印ＭＫ１は、第１辺Ｓ１の第１位置（中点）において第１辺Ｓ１と直交する第１線分ＬＳ１（辺）を有している。また、第２目印ＭＫ２Ａは、第２辺Ｓ２の第１位置（中点よりも左側の位置）において第２辺Ｓ２と直交する第１線分ＬＳ２Ａ（辺）を有している一方、第２目印ＭＫ２Ｂは、第２辺Ｓ２の第２位置（中点よりも右側の位置）において第２辺Ｓ２と直交する第１線分ＬＳ２Ｃ（辺）を有している。第３目印ＭＫ３Ａは、第３辺Ｓ３の第１位置（中点よりも左側の位置）において第３辺Ｓ３と直交する第１線分ＬＳ３Ａ（辺）を有している一方、第３目印ＭＫ３Ｂは、第３辺Ｓ３の第２位置（中点よりも右側の位置）において第３辺Ｓ３と直交する第１線分ＬＳ３Ｃ（辺）を有している。また、第４目印ＭＫ４は、第４辺Ｓ４の第１位置（中点）において第４辺Ｓ４と直交する第１線分ＬＳ４（辺）を有している。
【0131】
ここで、ワイヤボンディング装置のモニタに表示される十字線を構成する横線５００Ａを第１目印ＭＫ１の第１線分ＬＳ１と重ね合わせ、且つ、十字線を構成する縦線５００Ｂを第２目印ＭＫ２Ａの第１線分ＬＳ２Ａと重ね合わせることで、第１ボンディングワイヤを接続するためのボンディング領域ＢＲ１を特定できる。
【0132】
また、図２２では図示されていないが、ワイヤボンディング装置のモニタに表示される十字線を構成する横線５００Ａを第１目印ＭＫ１の第１線分ＬＳ１と重ね合わせ、且つ、十字線を構成する縦線５００Ｂを第２目印ＭＫ２Ｂの第１線分ＬＳ２Ｃと重ね合わせることで、第２ボンディングワイヤを接続するためのボンディング領域を特定できる。
【0133】
このように、本変形例７におけるパッド構造によれば、パッドに複数のボンディングワイヤ（例えば、第１ボンディングワイヤと第２ボンディングワイヤ）を接続する場合におけるそれぞれのボンディング領域を特定する際にも基本思想を適用することができる。
【0134】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【0135】
前記実施の形態では、半導体チップに形成されるパワートランジスタとして、パワーＭＯＳＦＥＴを想定して説明を行ったが、前記実施の形態における技術的思想は、これに限らず、例えば、パワートランジスタとして、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）を使用する半導体装置にも幅広く適用することができる。この場合、「ソースパッド」は、「エミッタパッド」と読み替えることになる。
【符号の説明】
【0136】
１０ メイントランジスタ
２０ センストランジスタ
３０ 温度センサ
４０ 導電性接着材
５０ 絶縁性接着材
１００ スイッチング回路
２００ 制御回路
５００Ａ 横線
５００Ｂ 縦線
６００ ワイヤボンディング装置
６０１ カメラ
６０２ カメラ移動部
６０３ モニタ
６０４ 半導体チップ認識部
６０５ ティーチング部
６０６ ボンディング部
７０１ 目印認識部
７０２ 十字線重ね合わせ部
７０３ ボンディング領域特定部
ＢＲ ボンディング領域
ＣＦ カバー膜
ＣＨＰ１ 半導体チップ
ＣＨＰ２ 半導体チップ
ＤＰ ダイパッド
ＩＦ 絶縁膜
ＬＤ１ リード
ＬＤ２ リード
ＬＤ３ リード
ＬＤ４ リード
ＬＤ５ リード
ＬＤ６ リード
ＬＤ７ リード
ＬＳ１ 第１線分
ＬＳ１Ａ 第１線分
ＬＳ１Ｂ 第２線分
ＬＳ２ 第１線分
ＬＳ２Ａ 第１線分
ＬＳ２Ｂ 第２線分
ＬＳ２Ｃ 第１線分
ＬＳ３ 第１線分
ＬＳ３Ａ 第１線分
ＬＳ３Ｂ 第２線分
ＬＳ３Ｃ 第１線分
ＬＳ４Ａ 第１線分
ＬＳ４Ｂ 第２線分
ＭＫ１ 第１目印
ＭＫ２ 第２目印
ＭＫ３ 第３目印
ＭＫ４ 第４目印
ＭＳ 主面
ＭＲ 封止体
ＯＦ 有機絶縁膜
ＯＰ１ 第１開口部
ＯＰ２ 第２開口部
ＰＡ 段差パターン
ＰＢ 段差パターン
ＰＤ パッド
ＰＤ３ パッド
ＰＤ４ パッド
ＰＤ５ パッド
ＰＫＧ パッケージ構造体
ＳＡ１ 半導体装置
ＳＰ１ ソースパッド
ＳＰ２ ソースパッド
Ｓ１ 第１辺
Ｓ１Ａ 第１辺
Ｓ１Ｂ 第１辺
Ｓ２ 第２辺
Ｓ２Ａ 第２辺
Ｓ２Ｂ 第２辺
Ｓ３ 第３辺
Ｓ３Ａ 第３辺
Ｓ３Ｂ 第３辺
Ｓ４ 第４辺
Ｓ４Ａ 第４辺
Ｓ４Ｂ 第４辺
Ｗ１ ボンディングワイヤ
Ｗ２ ボンディングワイヤ
Ｗ３ ボンディングワイヤ
Ｗ４ ボンディングワイヤ
２０ センストランジスタ
３０ 温度センサ
４０ 導電性接着材
５０ 絶縁性接着材
１００ スイッチング回路
２００ 制御回路
５００Ａ 横線
５００Ｂ 縦線
６００ ワイヤボンディング装置
６０１ カメラ
６０２ カメラ移動部
６０３ モニタ
６０４ 半導体チップ認識部
６０５ ティーチング部
６０６ ボンディング部
７０１ 目印認識部
７０２ 十字線重ね合わせ部
７０３ ボンディング領域特定部
ＢＲ ボンディング領域
ＣＦ カバー膜
ＣＨＰ１ 半導体チップ
ＣＨＰ２ 半導体チップ
ＤＰ ダイパッド
ＩＦ 絶縁膜
ＬＤ１ リード
ＬＤ２ リード
ＬＤ３ リード
ＬＤ４ リード
ＬＤ５ リード
ＬＤ６ リード
ＬＤ７ リード
ＬＳ１ 第１線分
ＬＳ１Ａ 第１線分
ＬＳ１Ｂ 第２線分
ＬＳ２ 第１線分
ＬＳ２Ａ 第１線分
ＬＳ２Ｂ 第２線分
ＬＳ２Ｃ 第１線分
ＬＳ３ 第１線分
ＬＳ３Ａ 第１線分
ＬＳ３Ｂ 第２線分
ＬＳ３Ｃ 第１線分
ＬＳ４Ａ 第１線分
ＬＳ４Ｂ 第２線分
ＭＫ１ 第１目印
ＭＫ２ 第２目印
ＭＫ３ 第３目印
ＭＫ４ 第４目印
ＭＳ 主面
ＭＲ 封止体
ＯＦ 有機絶縁膜
ＯＰ１ 第１開口部
ＯＰ２ 第２開口部
ＰＡ 段差パターン
ＰＢ 段差パターン
ＰＤ パッド
ＰＤ３ パッド
ＰＤ４ パッド
ＰＤ５ パッド
ＰＫＧ パッケージ構造体
ＳＡ１ 半導体装置
ＳＰ１ ソースパッド
ＳＰ２ ソースパッド
Ｓ１ 第１辺
Ｓ１Ａ 第１辺
Ｓ１Ｂ 第１辺
Ｓ２ 第２辺
Ｓ２Ａ 第２辺
Ｓ２Ｂ 第２辺
Ｓ３ 第３辺
Ｓ３Ａ 第３辺
Ｓ３Ｂ 第３辺
Ｓ４ 第４辺
Ｓ４Ａ 第４辺
Ｓ４Ｂ 第４辺
Ｗ１ ボンディングワイヤ
Ｗ２ ボンディングワイヤ
Ｗ３ ボンディングワイヤ
Ｗ４ ボンディングワイヤ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】