特開 2024-62964 有機発光素子

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024062964

(43)【公開日】2024-05-10

(54)【発明の名称】有機発光素子

(51)【国際特許分類】

   H10K 50/15 20230101AFI20240501BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20240501BHJP

   H10K 50/16 20230101ALI20240501BHJP

   H10K 50/17 20230101ALI20240501BHJP

   H10K 50/18 20230101ALI20240501BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20240501BHJP

【ＦＩ】

H10K50/15

H10K50/10

H10K50/16

H10K50/17

H10K50/18

H10K59/10

【審査請求】有

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023183106

(22)【出願日】2023-10-25

(31)【優先権主張番号】63/380,812

(32)【優先日】2022-10-25

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】202311322604.3

(32)【優先日】2023-10-12

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(71)【出願人】

【識別番号】523171733

【氏名又は名称】タイチョウ グァンユー テクノロジー カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100120891

【弁理士】

【氏名又は名称】林 一好

(74)【代理人】

【識別番号】100165157

【弁理士】

【氏名又は名称】芝 哲央

(74)【代理人】

【識別番号】100205659

【弁理士】

【氏名又は名称】齋藤 拓也

(74)【代理人】

【識別番号】100126000

【弁理士】

【氏名又は名称】岩池 満

(74)【代理人】

【識別番号】100185269

【弁理士】

【氏名又は名称】小菅 一弘

(72)【発明者】

【氏名】チェン フエイ－シオウ

(72)【発明者】

【氏名】ウェイ リー－チェン

(72)【発明者】

【氏名】シュー クオ－チェン

(72)【発明者】

【氏名】チュー カー タイ

【テーマコード（参考）】

3K107

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107CC35

3K107DD21

3K107DD50

3K107DD71

3K107DD74

3K107DD84

3K107DD89

3K107FF14

(57)【要約】

【課題】 有機発光素子を提供することを課題とする。
【解決手段】 有機発光素子であって、基板と、第１電極と、有機発光層と、フッ素（Ｆ）含有イオン残留領域とを備える。第１電極は、基板の上に位置する。有機発光層は、第１電極の上に位置する。フッ素含有イオン残留領域は、有機発光層の少なくとも１つの表面の上に位置する。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

有機発光素子であって、
基板と、
前記基板の上に位置する第１電極と、
前記第１電極の上に位置する有機発光層と、
前記有機発光層の少なくとも１つの表面の上に位置するフッ素（Ｆ）含有イオン残留領域と
を備える、有機発光素子。

【請求項2】

前記フッ素含有イオン残留領域は、－Ｃ－Ｆイオン、Ｃ－Ｆイオン含有化合物、Ｆイオン、Ｆイオン含有化合物、これらの残基、又はこれらの任意の組み合わせを含む、請求項１に記載の有機発光素子。

【請求項3】

前記フッ素含有イオン残留領域は、さらに前記有機発光層と前記第１電極との間に位置する、請求項１に記載の有機発光素子。

【請求項4】

前記基板の上に位置し、前記第１電極を部分的に覆うバンプ構造をさらに備え、前記フッ素含有イオン残留領域はさらに前記バンプ構造の上に位置する、請求項１に記載の有機発光素子。

【請求項5】

前記フッ素含有イオン残留領域は、さらに前記有機発光層と前記バンプ構造との間に位置する請求項４に記載の有機発光素子。

【請求項6】

前記有機発光層の上に位置する第２電極をさらに備え、前記フッ素含有イオン残留領域はさらに前記有機発光層と前記第２電極との間に位置する、請求項４に記載の有機発光素子。

【請求項7】

前記第２電極は、さらにバンプ構造の上に位置し、前記フッ素含有イオン残留領域はさらに前記バンプ構造と前記第２電極との間に位置する、請求項６に記載の有機発光素子。

【請求項8】

前記バンプ構造上の前記フッ素含有イオン残留領域のフッ素イオン濃度は、前記有機発光層上の前記フッ素含有イオン残留領域のフッ素イオン濃度より高い、請求項４に記載の有機発光素子。

【請求項9】

複数の材料層をさらに備え、前記フッ素含有イオン残留領域はさらに前記複数の材料層の間に位置する、請求項１に記載の有機発光素子。

【請求項10】

前記基板、前記第１電極及び前記有機発光層のうちの少なくとも１つは、フッ素を実質的に含有しない、請求項１に記載の有機発光素子。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、有機発光素子に関し、特に、有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）構造を含む有機発光素子に関する。

【背景技術】

【0002】

現在、有機発光素子の発光層の塗膜工程には、ＦＭＭ（ファインメタルマスク）が使用されることや製造プロセスに白色光やカラーフィルムを使用するが一般的である。上記の製造プロセスによって作製される画素密度又は解像度は悪い。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0003】

本開示において、有機発光素子は、基板と、第１電極と、有機発光層と、フッ素（Ｆ）含有イオン残留領域とを備える。第１電極は、基板の上に位置する。有機発光層は、第１電極の上に位置する。フッ素含有イオン残留領域は、有機発光層の少なくとも１つの表面の上に位置する。

【0004】

いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域は、－Ｃ－Ｆイオン、Ｃ－Ｆイオン含有化合物、Ｆイオン、Ｆイオン含有化合物、これらの残基（ｒｅｓｉｄｕｅ）、又はこれらの任意の組み合わせを含む。

【0005】

いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域は、さらに有機発光層と第１電極との間に位置する。

【0006】

いくつかの実施形態において、有機発光素子は、基板の上に位置し、第１電極を部分的に覆うバンプ構造をさらに備え、フッ素含有イオン残留領域はさらにバンプ構造の上に位置する。

【0007】

いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域は、さらに有機発光層とバンプ構造との間に位置する。

【0008】

いくつかの実施形態において、有機発光素子は、有機発光層の上に位置する第２電極をさらに備え、フッ素含有イオン残留領域はさらに有機発光層と第２電極との間に位置する。

【0009】

いくつかの実施形態において、第２電極は、さらにバンプ構造の上に位置し、フッ素含有イオン残留領域はさらにバンプ構造と第２電極との間に位置する。

【0010】

いくつかの実施形態において、バンプ構造上のフッ素含有イオン残留領域のフッ素イオン濃度は、有機発光層上のフッ素含有イオン残留領域のフッ素イオン濃度より高い。

【0011】

いくつかの実施形態において、有機発光層は、複数の材料層をさらに備え、フッ素含有イオン残留領域はさらに複数の材料層の間に位置する。

【0012】

いくつかの実施形態において、基板、第１電極及び有機発光層のうちの少なくとも１つは、フッ素を実質的に含有しない。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】有機発光素子の中間製品を示す上面図である。

【図2】図１内のＡ－Ａ’線に沿った断面図である。

【図3】図１内のＢ－Ｂ’線に沿った断面図である。

【図4A】いくつかの実施形態による有機発光素子の作製方法を示す図である。

【図4B】いくつかの実施形態による有機発光素子の作製方法を示す図である。

【図4C】いくつかの実施形態による有機発光素子の作製方法を示す図である。

【図4D】いくつかの実施形態による有機発光素子の作製方法を示す図である。

【図4E】いくつかの実施形態による有機発光素子の作製方法を示す図である。

【図4F】いくつかの実施形態による有機発光素子の作製方法を示す図である。

【図4G】いくつかの実施形態による有機発光素子の作製方法を示す図である。

【図4H】いくつかの実施形態による有機発光素子の作製方法を示す図である。

【図4I】いくつかの実施形態による有機発光素子の作製方法を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

図１は、有機発光素子１０の中間製品を示す上面図である。有機発光素子１０は、有機発光層２０と、有機発光層２０の上に位置する被覆層４０とを備える。有機発光層２０について、発光画素アレイを収容するための凹部アレイを提供するようにスペーサを設計できる。いくつかの実施形態において、スペーサはバンプ構造２１を含み得る。いくつかの実施形態において、スペーサは、感光性材料を含んでもよい。

【0015】

いくつかの実施形態において、図２は、図１内のＡ－Ａ’線に沿った断面図であり、発光領域のみを示している。簡単にするため、ここで被覆層４０を省略する。バンプ構造２１は、発光画素パターンを定義するため、複数のバンプ２５１、２５２を有する。凹部は、２つの隣り合うバンプ間にあり、発光画素を収容するための空間を提供する。当業者は、断面図から観察すると、バンプ２５１、バンプ２５２が切り離されて示されているが、図１の上面図から観察すると、これらはバンプ構造２１の他の部分を介して互いに連結され得ることを理解すべきである。

【0016】

図２に示すように、いくつかの実施形態において、有機発光素子１０は、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）構造を含む発光素子である。

【0017】

いくつかの実施形態において、有機発光素子１０は、基板２５０と、電極２１５（第１電極とも呼ばれる）と、電極２２５（第２電極とも呼ばれる）と、有機発光層２０と、バンプ構造２１と、フッ素（Ｆ）含有イオン残留領域４００とを備える。

【0018】

いくつかの実施形態において、基板２５０は、ガラスを備える。いくつかの実施形態において、基板２５０は、実質的にフッ素を含有しない。いくつかの実施形態において、基板２５０は、有機発光層２０内の発光画素に対応するように構成されたトランジスタアレイを含み得る。基板２５０は、複数のコンデンサを含み得る。いくつかの実施形態において、２つ以上のトランジスタは、コンデンサ及び発光画素と回路を形成するように構成される。

【0019】

いくつかの実施形態において、電極２１５は、基板２５０の上に位置する。いくつかの実施形態において、電極２１５は、アノードである。いくつかの実施形態において、電極２１５は、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、ＡｌＣｕ合金、ＡｇＭｏ合金などの金属材料を含む。いくつかの実施形態において、電極２１５は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）又は他の適切な材料を含む。いくつかの実施形態において、電極２１５は、実質的にフッ素を含有しない。

【0020】

いくつかの実施形態において、有機発光層２０は、電極２１５の上に位置する。いくつかの実施形態において、有機発光層２０は、実質的にフッ素を含有しない。いくつかの実施形態において、有機発光層２０は、複数の発光層３００Ｒ、３００Ｂ及び３００Ｇを含み得る。いくつかの実施形態において、３００Ｒ、３００Ｂ及び３００Ｇの各々は、複数の材料層を含んでもよく、例えば各々正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、発光層（ｅｍｉｓｓｉｖｅ ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、正孔阻止層（ＨＢＬ）、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、又はこれらの任意の組み合わせを含み得る。いくつかの実施形態において、発光層３００Ｒ、３００Ｂ及び３００Ｇは、同じ色又は異なる色の光を発する。いくつかの実施形態において、発光層３００Ｒは赤色光を発光し、発光層３００Ｇは緑色光を発光し、発光層３００Ｂは青色光を発光する。いくつかの実施形態において、発光層３００Ｒ、３００Ｂ及び３００Ｇは、実質的にフッ素を含有しない。

【0021】

いくつかの実施形態において、有機発光層２０は有機材料を含み、この有機材料は、異なる実施形態に従い、発光層３００Ｒ、３００Ｂ及び３００Ｇのいずれかに配置され得る。いくつかの実施形態において、特定の波長に対する有機材料の吸収率は、５０％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対する有機材料の吸収率は、６０％以上であり、いくつかの実施形態において、特定の波長に対する有機材料の吸収率は、７０％以上であり、いくつかの実施形態において、特定の波長に対する有機材料の吸収率は、８０％以上であり、いくつかの実施形態において、特定の波長に対する有機材料の吸収率は、９０％以上であり、いくつかの実施形態において、特定の波長に対する有機材料の吸収率は９５％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、４００ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、３５０ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、３００ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、２５０ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、２００ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、１５０ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、１００ｎｍ未満である。

【0022】

いくつかの実施形態において、バンプ構造２１は基板２５０に位置して電極２１５を部分的に覆われている。いくつかの実施形態において、バンプ構造２１は、バンプ２５１と、バンプ２５２とを含み得る。いくつかの実施形態において、バンプ構造２１の画素配置に基づいて設計された。いくつかの実施形態において、バンプ構造２１は、画素定義層（ｐｉｘｅｌ ｄｅｆｉｎｅｄ ｌａｙｅｒ、ＰＤＬ）とする。いくつかの実施形態において、バンプ２５１は、画素領域を画定し、バンプ２５２は周辺領域に位置する。いくつかの実施形態において、各バンプ２５１は、２つの隣り合う電極２１５間の隙間を埋める。各電極２１５は、バンプ２５１により部分的に覆われている。いくつかの実施形態において、バンプ構造２１は、有機絶縁材料を含む。いくつかの実施形態において、バンプ構造２１は感光性材料を含む。いくつかの実施形態において、バンプ構造２１は、実質的にフッ素を含有しない。

【0023】

いくつかの実施形態において、特定の波長に対するバンプ構造２１の吸収率は、５０％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対するバンプ構造２１の吸収率は、６０％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対するバンプ構造２１の吸収率は、７０％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対するバンプ構造２１の吸収率は、８０％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対するバンプ構造２１の吸収率は、９０％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長に対するバンプ構造２１の吸収率は９５％以上である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、４００ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、３５０ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、３００ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、２５０ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、２００ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、１５０ｎｍ未満である。いくつかの実施形態において、特定の波長は、１００ｎｍ未満である。

【0024】

いくつかの実施形態において、電極２２５は、有機発光層２０の上に位置する。いくつかの実施形態において、電極２２５は、発光層３００Ｒ、３００Ｂ及び３００Ｇの上に位置する。いくつかの実施形態において、電極２２５は、カソードである。いくつかの実施形態において、電極２２５は、さらにバンプ構造２１の上に位置してもよい。いくつかの実施形態において、電極２２５は、有機発光層２０内の全ての発光画素の共通電極である。いくつかの実施形態において、電極２２５は、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｕ、ＡｌＣｕ合金、ＡｇＭｏ合金などの金属材料を含む。いくつかの実施形態において、電極２２５は、ＩＴＯ、ＩＺＯ又はその他の適切な材料を含む。いくつかの実施形態において、電極２２５は、実質的にフッ素を含有しない。

【0025】

いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００は、有機発光層２０の少なくとも１つの表面の上に位置する。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００は、電極２１５の少なくとも１つの表面の上に位置し得る。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００は、バンプ構造２１の少なくとも１つの表面の上に位置してもよい。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００は、フッ素（Ｆ）イオン含有材料４１０を含み得、フッ素含有イオン材料４１０は例えば－Ｃ－Ｆイオン、Ｃ－Ｆイオン含有化合物、Ｆイオン、Ｆイオン含有化合物、その残基（ｒｅｓｉｄｕｅ）、又はこれらの任意の組み合わせを含む。

【0026】

いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料４１０は、電極２１５と有機発光層２０（例えば発光層３００Ｒ、３００Ｂ及び３００Ｇ）との間に位置してもよい。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料４１０は、電極２１５と有機発光層２０（例えば発光層３００Ｒ、３００Ｂ及び３００Ｇ）間の界面に位置してもよい。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料４１０は、バンプ構造２１と有機発光層２０（例えば発光層３００Ｒ、３００Ｂ及び３００Ｇ）との間に位置してもよい。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料４１０は、バンプ構造２１と有機発光層２０（例えば発光層３００Ｒ、３００Ｂ及び３００Ｇ）間の界面に位置してもよい。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料４１０は、有機発光層２０（例えば発光層３００Ｒ、３００Ｂ及び３００Ｇ）の側壁表面上に位置してもよい。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料４１０は、有機発光層２０（例えば発光層３００Ｒ、３００Ｂ及び３００Ｇ）とその上にある電極２２５（カソード）との間に位置してもよい。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料４１０は、有機発光層２０（例えば発光層３００Ｒ、３００Ｂ及び３００Ｇ）とその上にある電極２２５（カソード）間の界面に位置してもよい。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料４１０は、さらにバンプ構造２１と電極２２５との間に位置してもよい。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料４１０は、さらにバンプ構造２１と電極２２５間の界面に位置してもよい。

【0027】

いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料４１０は、電極２１５とバンプ構造２１間の界面に位置しなくてもよい。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料４１０は、電極２１５と基板２５０間の界面に位置しなくてもよい。

【0028】

いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料４１０は、さらに複数の材料層の界面に位置してもよい。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料４１０は、さらに複数の材料層間に位置してもよい。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料４１０は、有機発光層の発光層３００Ｒ、３００Ｂ及び３００Ｇの正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、正孔阻止層（ＨＢＬ）、正孔注入層（ＨＩＬ）及び正孔輸送層（ＨＴＬ）の任意の２つの層の間に位置してもよい。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料４１０は、有機発光層の発光層３００Ｒ、３００Ｂ及び３００Ｇ的正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、正孔阻止層（ＨＢＬ）、正孔注入層（ＨＩＬ）及び正孔輸送層（ＨＴＬ）の任意の２つの層の界面に位置してもよい。

【0029】

いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料４１０は、電極２１５、有機発光層２０（例えば発光層３００Ｒ、３００Ｂ及び３００Ｇ）、及びバンプ構造２１の上に不均一に残存してもよい。例えばバンプ構造２１上のフッ素含有イオン残留領域４００のフッ素イオン濃度は、有機発光層２０（例えば発光層３００Ｒ、３００Ｂ及び３００Ｇ）上のフッ素含有イオン残留領域４００のフッ素イオン濃度より高くてもよい。例えばバンプ２５２上のフッ素含有イオン及び／又はイオン化合物の濃度は、バンプ２５１上のフッ素含有イオン及び／又はイオン化合物の濃度より高くてもよい。例えばバンプ構造２１上のフッ素含有イオン及び／又はイオン化合物の濃度は、有機発光層２０（例えば発光層３００Ｒ、３００Ｂ及び３００Ｇ）上のフッ素含有イオン及び／又はイオン化合物の濃度より高くてもよい。例えばバンプ構造２１上のフッ素含有イオン及び／又はイオン化合物の濃度は、電極２１５上のフッ素含有イオン及び／又はイオン化合物の濃度より高くてもよい。

【0030】

いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００は、図２に特定の膜層として示されている。しかしながら、いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００は、膜層界面に位置するフッ素含有イオン材料４１０から構成される領域であり、特定の厚さを有さない。図２に示すフッ素含有イオン残留領域４００は、その位置を示すためにのみ使用される。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料４１０の－Ｃ－Ｆイオン及びＣ－Ｆイオン含有化合物の定性（ＩＲ吸収ピーク位置）及び定量（ＩＲ吸収ピークの積分面積）は、ＩＲスペクトルを通じて測定する。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料４１０のＦイオン及びＦイオン化合物の定性と定量は、ＩＣＰ－ＭＳスペクトルを通じて測定する。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００の位置は、ＥＤＳの測定深さを変更して、ＥＤＳの定性的結果を照合することにより測定することができる。

【0031】

いくつかの実施形態において、図３は、図１のＢ－Ｂ’線に沿った断面図であり、発光領域のみを示している。簡単にするため、ここで被覆層４０を省略する。

【0032】

図３に示すように、いくつかの実施形態において、有機発光素子１０は、基板２５０と、電極２１５、２２５と、バンプ２５１（又は画素定義層）と、有機発光層２０とを含み得る。いくつかの実施形態において、有機発光層２０は、キャリア注入層２６１と、キャリア輸送層２６２、２６３と、有機発射層２６４と、有機キャリア輸送層２６５とを含み得る。

【0033】

いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料は、有機キャリア輸送層２６５上に位置してもよい。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料は、有機キャリア輸送層２６５と有機発射層２６４との間に位置してもよい。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料は、キャリア輸送層２６３と有機発射層２６４との間に位置してもよい。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料は、キャリア輸送層２６３とキャリア輸送層２６２との間に位置してもよい。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料は、キャリア注入層２６１とキャリア輸送層２６２との間に位置してもよい。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料は、有機キャリア輸送層２６５とキャリア輸送層２６２との間に位置してもよい。

【0034】

いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料は、電極２１５とキャリア注入層２６１との間に位置してもよい。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料は、バンプ２５１とキャリア注入層２６１との間に位置してもよい。いくつかの実施形態において、フッ素含有イオン残留領域４００又はフッ素含有イオン材料は、電極２２５と有機キャリア輸送層２６５との間に位置してもよい。

【0035】

いくつかの実施形態において、基板２５０、電極２１５、電極２２５、バンプ２５１（又は画素定義層）及び有機発光層２０は、実質的にフッ素を含有しない。いくつかの実施形態において，キャリア注入層２６１、キャリア輸送層２６２、２６３、有機発射層２６４及び有機キャリア輸送層２６５は、実質的にフッ素を含有しない。

【0036】

図４Ａ～図４Ｉは、いくつかの実施形態による有機発光素子の作製方法を示す。

【0037】

図４Ａに示すように、いくつかの実施形態において、基板２５０を用意し、基板２５０の上に複数の電極２１５を設けて複數のバンプ２５１を形成し、各バンプ２５１は隣り合う電極２１５間の隙間を埋める。次に、いくつかの実施形態において、バンプ２５１及び電極２１５の表面にキャリア注入層２６１を設け、キャリア注入層２６１の表面にキャリア輸送層２６２を設ける。さらに、いくつかの実施形態において、バンプ２５１にバッファ層３０１を設け、バッファ層３０１はキャリア注入層２６１、キャリア輸送層２６２及び１つの電極２１５も覆う。バッファ層３０１は、バンプ２５１、キャリア注入層２６１及びキャリア輸送層２６２への水蒸気の侵入を防止するために用いられる。

【0038】

図４Ｂに示すように、いくつかの実施形態において、バッファ層３０１の上に感光層３０２を設ける。バッファ層３０１の一部が溝３１２を通して露出されるように、フォトリソグラフィ工程を通じて感光層３０２をさらにパターン化することができる。

【0039】

図４Ｃに示すように、いくつかの実施形態において、バッファ層３０１の一部を除去して凹溝３１３が形成され、キャリア輸送層２６２を露出させる。いくつかの実施形態において、ウェットエッチング工程を通じてバッファ層３０１を除去する。いくつかの実施形態において、エッチャントはフッ素含有イオン及び／又はイオン化合物を含み得る。

【0040】

図４Ｄに示すように、いくつかの実施形態において、キャリア輸送層２６２の上にキャリア輸送層２６３を設け、キャリア輸送層２６３の上に有機発射層２６４を設ける。

【0041】

図４Ｅに示すように、いくつかの実施形態において、バッファ層３０１、感光層３０２及び感光層３０２上のキャリア輸送層２６３及び有機発射層２６４の一部を除去する。いくつかの実施形態において、ウェットエッチング工程を通じてバッファ層３０１、感光層３０２、キャリア輸送層２６３の一部及び有機発射層２６４の一部を除去する。いくつかの実施形態において、エッチャントは、フッ素含有イオン及び／又はイオン化合物を含み得る。

【0042】

図４Ｆに示すように、いくつかの実施形態において、バンプ２５１の上にバッファ層３０３を設け、バッファ層３０３はキャリア注入層２６１、キャリア輸送層２６２及びもう１つの電極２１５も覆う。次に、いくつかの実施形態において、バッファ層３０３の上に感光層３０４を設ける。バッファ層３０３の一部が凹溝３１４を通して露出されるように、フォトリソグラフィ工程を通じて感光層３０４をさらにパターン化することができる。

【0043】

図４Ｇに示すように、いくつかの実施形態において、バッファ層３０３の一部を除去して凹溝３１５が形成され、キャリア輸送層２６２を露出させる。いくつかの実施形態において、ウェットエッチング工程を通じてバッファ層３０３を除去する。いくつかの実施形態において、エッチャントはフッ素含有イオン及び／又はイオン化合物を含み得る。次に、いくつかの実施形態において、キャリア輸送層２６２の上にキャリア輸送層２６３を設け、キャリア輸送層２６３の上に有機発射層２６４を設ける。

【0044】

図４Ｈに示すように、いくつかの実施形態において、バッファ層３０３、感光層３０４及び感光層３０４上のキャリア輸送層２６３及び有機発射層２６４の一部を除去する。いくつかの実施形態において、ウェットエッチング工程を通じてバッファ層３０３、感光層３０４、キャリア輸送層２６３の一部及び有機発射層２６４の一部を除去する。いくつかの実施形態において、エッチャントは、フッ素含有イオン及び／又はイオン化合物を含み得る。次に、いくつかの実施形態において、有機発射層２６４の上に有機キャリア輸送層２６５を設ける。

【0045】

図４Ｉに示すように、いくつかの実施形態において、有機キャリア輸送層２６５の上に電極２２５を設ける。ここまで、図３に示す構造を作製した。

【0046】

前述の概要は、いくつかの実施形態の特徴を概説したため、当業者が本開示の各態様をよりよく理解できる。本開示に基づいて他の製造工程及び構造を設計又は潤色して容易に本出願に記載された実施形態と同じ目的を達成し、及び／又は同じ利点を達成できることは当業者には明白になるであろう。当業者はまた、この均等な構造が本開示の精神及び範囲から逸脱せず、多種多様な変化、置換及び代替を行うことができるが、本開示の精神及び範囲に収まることを理解すべきである。

【符号の説明】

【0047】

１０ 有機発光素子
２０ 有機発光層
２１ バンプ構造
２１５ 電極
２２５ 電極
２５０ 基板
２５１ バンプ
２５２ バンプ
２６１ キャリア注入層
２６２ 第１キャリア輸送層
２６３ 第２キャリア輸送層
２６４ 有機発射層
２６５ 有機キャリア輸送層
３０１ バッファ層
３０２ 感光層
３０３ バッファ層
３０４ 感光層
３１２ 凹溝
３１３ 凹溝
３１４ 凹溝
３１５ 凹溝
４００ フッ素含有イオン残留領域
４０ 被覆層
４１０ フッ素含有イオン材料
Ａ－Ａ’ 線
Ｂ－Ｂ’ 線

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】

【図4H】

【図4I】