特開 2024-63386 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024063386

(43)【公開日】2024-05-13

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   G06F 3/041 20060101AFI20240502BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20240502BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20240502BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20240502BHJP

   H05B 33/22 20060101ALI20240502BHJP

   H05B 33/06 20060101ALI20240502BHJP

   H05B 33/04 20060101ALI20240502BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240502BHJP

【ＦＩ】

G06F3/041 430

G06F3/041 410

H01L27/32

H05B33/14 A

H05B33/12 B

H05B33/22 Z

H05B33/06

H05B33/04

G09F9/30 365

G09F9/30 349Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022171283

(22)【出願日】2022-10-26

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】羽成 淳

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107BB08

3K107CC23

3K107DD38

3K107DD39

3K107DD89

3K107EE48

3K107EE49

3K107EE50

3K107EE66

3K107FF15

5C094AA02

5C094BA14

5C094BA27

5C094DA07

5C094DA13

5C094DB01

5C094DB02

5C094EA01

5C094EA10

5C094EC04

5C094FB06

5C094HA05

5C094HA08

(57)【要約】

【課題】 タッチパネルの機能を備える表示装置の表示品位を向上させる。
【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、下電極、前記下電極に対向する上電極、および、前記下電極と前記上電極の間に配置され、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層をそれぞれ含む複数の表示素子と、導電性の下部および前記下部の側面から突出した上部を含み、前記複数の表示素子の各々を囲う隔壁と、前記複数の表示素子を含む表示領域に接触または近接する物体を検出するタッチパネル電極と、を備えている。前記タッチパネル電極は、前記隔壁の上方に位置し前記隔壁に沿って延びる第１金属線を含む。
【選択図】 図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

下電極、前記下電極に対向する上電極、および、前記下電極と前記上電極の間に配置され、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層をそれぞれ含む複数の表示素子と、
導電性の下部および前記下部の側面から突出した上部を含み、前記複数の表示素子の各々を囲う隔壁と、
前記複数の表示素子を含む表示領域に接触または近接する物体を検出するタッチパネル電極と、
を備え、
前記タッチパネル電極は、前記隔壁の上方に位置し前記隔壁に沿って延びる第１金属線を含む、
表示装置。

【請求項2】

前記複数の表示素子とそれぞれ重なる複数の画素開口を有するリブをさらに備え、
前記隔壁は、前記リブの上に配置され、
前記第１金属線の幅は、隣り合う２つの前記画素開口の間の前記リブの幅以下である、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記第１金属線の幅は、前記上部の幅以下である、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記複数の表示素子をそれぞれ覆う複数の第１封止層と、
前記複数の第１封止層を覆う樹脂層と、
前記樹脂層を覆う第２封止層と、
をさらに備え、
前記第１金属線は、前記第２封止層の上に配置されている、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項5】

前記第２封止層に対向するカバー部材と、
前記カバー部材を前記第２封止層に接着する接着層と、
をさらに備え、
前記第１金属線は、前記接着層により覆われている、
請求項４に記載の表示装置。

【請求項6】

前記表示領域の周囲の周辺領域に配置された端子部と、
前記周辺領域に配置され、前記端子部に接続されたリード線と、
前記タッチパネル電極と前記リード線とを接続する中継配線と、
をさらに備える、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項7】

前記中継配線は、前記隔壁の上方に位置し前記隔壁に沿って延びる第２金属線を含む、
請求項６に記載の表示装置。

【請求項8】

前記周辺領域に配置され、前記リード線と平行に延びるダミー配線をさらに備える、
請求項６に記載の表示装置。

【請求項9】

前記リード線の下方に位置する有機絶縁層と、
前記有機絶縁層の下方に位置する出力線と、
をさらに備え、
前記端子部は、前記有機絶縁層の下方に位置し前記出力線に接続された導電性のパッドを備え、
前記リード線と前記出力線は、前記有機絶縁層を貫通するコンタクトホールを通じて接続されている、
請求項６に記載の表示装置。

【請求項10】

前記有機絶縁層は、前記パッドと前記表示領域の間に位置するスリットを有している、
請求項９に記載の表示装置。

【請求項11】

平面視において、前記第１金属線は、前記複数の表示素子の少なくとも１つを囲っている、
請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。

【0003】

表示装置は、表示領域に対するユーザの操作を検出するタッチパネルの機能を備えることがある。このような機能を実現するための電極が表示領域に配置される場合には、当該電極による表示品位の低下が抑制されるように表示装置の構造を工夫する必要がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報

【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報

【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報

【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報

【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報

【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号

【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の目的は、タッチパネルの機能を備える表示装置の表示品位を向上させることにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一実施形態に係る表示装置は、下電極、前記下電極に対向する上電極、および、前記下電極と前記上電極の間に配置され、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層をそれぞれ含む複数の表示素子と、導電性の下部および前記下部の側面から突出した上部を含み、前記複数の表示素子の各々を囲う隔壁と、前記複数の表示素子を含む表示領域に接触または近接する物体を検出するタッチパネル電極と、を備えている。前記タッチパネル電極は、前記隔壁の上方に位置し前記隔壁に沿って延びる第１金属線を含む。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。

【図2】図２は、副画素のレイアウトの一例を示す図である。

【図3】図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図4】図４は、隔壁とその近傍を拡大した概略的な断面図である。

【図5】図５は、リブ、隔壁、表示素子および第１金属線のサイズを説明するための模式図である。

【図6】図６は、第１実施形態に係る表示装置の概略的な平面図である。

【図7】図７は、周辺領域に配置される要素を示す概略的な平面図である。

【図8】図８は、タッチパネルに関する機能を実現するための要素を示す概略的な平面図である。

【図9】図９は、図６において鎖線枠ＩＸで囲った領域の拡大図である。

【図10】図１０は、図９におけるＸ－Ｘ線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図11】図１１は、導電層の端部近傍の概略的な断面図である。

【図12】図１２は、図８において鎖線枠ＸＩＩで囲った領域の概略的な平面図である。

【図13】図１３は、タッチパネル電極および中継配線に適用し得る構成の他の例を示す概略的な平面図である。

【図14】図１４は、図８において鎖線枠ＸＩＶで囲った領域の概略的な平面図である。

【図15】図１５は、リード線、接続部および端子部の概略的な平面図である。

【図16】図１６は、第１パッドを含む周辺領域の概略的な断面図である。

【図17】図１７は、第２パッドを含む周辺領域の概略的な断面図である。

【図18】図１８は、第１変形例に係る画素および第１金属線の概略的な平面図である。

【図19】図１９は、第２変形例に係る画素および第１金属線の概略的な平面図である。

【図20】図２０は、第３変形例に係る画素および第１金属線の概略的な平面図である。

【図21】図２１は、第４変形例に係る画素および第１金属線の概略的な平面図である。

【図22】図２２は、第５変形例に係る画素および第１金属線の概略的な平面図である。

【図23】図２３は、第６変形例に係る画素および第１金属線の概略的な平面図である。

【図24】図２４は、第７変形例に係る画素および第１金属線の概略的な平面図である。

【図25】図２５は、第８変形例に係る画素および第１金属線の概略的な平面図である。

【図26】図２６は、第２実施形態に係る表示装置の周辺領域の概略的な断面図である。

【図27】図２７は、第２実施形態に係る表示装置の周辺領域の他の概略的な断面図である。

【図28】図２８は、第３実施形態に係る表示装置の周辺領域の概略的な断面図である。

【図29】図２９は、第３実施形態に係る表示装置の周辺領域の他の概略的な断面図である。

【図30】図３０は、第４実施形態に係る表示装置の表示領域の概略的な断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0009】

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚは、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面に対して法線方向である。また、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面と平行に各種要素を見ることを平面視という。

【0010】

各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末、ウェアラブル端末等の各種の電子機器に搭載され得る。

【0011】

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

【0012】

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

【0013】

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および青色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

【0014】

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

【0015】

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。

【0016】

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

【0017】

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。図２の例においては、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ１，ＳＰ２がそれぞれ副画素ＳＰ３と第１方向Ｘに並んでいる。

【0018】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ１，ＳＰ２が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。

【0019】

表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、画素開口ＡＰ２が画素開口ＡＰ１よりも大きく、画素開口ＡＰ３が画素開口ＡＰ２よりも大きい。

【0020】

隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ３の間、および、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ２，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

【0021】

図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

【0022】

副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。

【0023】

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１のうち画素開口ＡＰ１と重なる部分は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２のうち画素開口ＡＰ２と重なる部分は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３のうち画素開口ＡＰ３と重なる部分は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層をさらに含んでもよい。リブ５および隔壁６は、これら表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の各々を囲っている。

【0024】

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

【0025】

図２の例において、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２は、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。コンタクトホールＣＨ３は、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ３の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。他の例として、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３の少なくとも一部が第１隔壁６ｘと重なっていなくてもよい。

【0026】

図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。

【0027】

回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３は有機絶縁層１２に設けられている。

【0028】

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。

【0029】

隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。

【0030】

有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。

【0031】

図３の例においては、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１が配置され、上電極ＵＥ２の上にキャップ層ＣＰ２が配置され、上電極ＵＥ３の上にキャップ層ＣＰ３が配置されている。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の光学特性を調整する。

【0032】

以下の説明においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む積層体を薄膜ＦＬ１と呼び、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む積層体を薄膜ＦＬ２と呼び、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む積層体を薄膜ＦＬ３と呼ぶ。

【0033】

薄膜ＦＬ１の一部は、上部６２の上に位置している。当該一部は、薄膜ＦＬ１のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）と離間している。同様に、薄膜ＦＬ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は薄膜ＦＬ２のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）と離間している。さらに、薄膜ＦＬ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は薄膜ＦＬ３のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）と離間している。

【0034】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３がそれぞれ配置されている。第１封止層ＳＥ１１は、薄膜ＦＬ１や副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。第１封止層ＳＥ１２は、薄膜ＦＬ２や副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。第１封止層ＳＥ１３は、薄膜ＦＬ３や副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。

【0035】

図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の薄膜ＦＬ１および第１封止層ＳＥ１１が、当該隔壁６上の薄膜ＦＬ３および第１封止層ＳＥ１３と離間している。また、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６上の薄膜ＦＬ２および第１封止層ＳＥ１２が、当該隔壁６上の薄膜ＦＬ３および第１封止層ＳＥ１３と離間している。

【0036】

第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３は、樹脂層ＲＳにより覆われている。樹脂層ＲＳは、第２封止層ＳＥ２により覆われている。樹脂層ＲＳおよび第２封止層ＳＥ２は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられ、その一部が周辺領域ＳＡにも及んでいる。

【0037】

表示装置ＤＳＰは、第２封止層ＳＥ２に対向するカバー部材２０をさらに備えている。カバー部材２０と第２封止層ＳＥ２は、透明な接着層２１により接着されている。接着層２１としては、例えばＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）を用いることができる。

【0038】

例えば、カバー部材２０は、偏光板などの光学素子、保護フィルムまたはカバーガラスである。カバー部材２０は、光学素子、保護フィルムおよびカバーガラスなどの機能が異なる２種類以上の要素を接着層で貼り合わせた積層体であってもよい。

【0039】

図３の例において、第２封止層ＳＥ２の上には、タッチパネル電極ＴＰを構成する第１金属線ＭＬ１が配置されている。第１金属線ＭＬ１は、隔壁６の上方に位置し、隔壁６に沿って延びている。第１金属層ＭＬ１は、接着層２１により覆われている。

【0040】

有機絶縁層１２は、有機絶縁材料で形成されている。リブ５、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３および第２封止層ＳＥ２は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁材料で形成されている。リブ５、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３および第２封止層ＳＥ２は、異なる種類の無機絶縁材料の積層体であってもよい。樹脂層ＲＳは、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料（有機絶縁材料）で形成されている。

【0041】

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された反射層と、この反射層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。

【0042】

上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。

【0043】

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の発光層を含むいわゆるタンデム構造を有してもよい。

【0044】

キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば、透明な複数の薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の材料とは異なり、また、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は省略されてもよい。

【0045】

第１金属線ＭＬ１は、金属材料で形成されている。一例では、第１金属線ＭＬ１は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタンの積層構造を有している。ただし、第１金属線ＭＬ１は、他の金属材料の積層構造を有してもよいし、単層構造を有してもよい。

【0046】

隔壁６の下部６１は、例えばアルミニウムによって形成されている。下部６１は、アルミニウム－ネオジム（ＡｌＮｄ）などのアルミニウム合金によって形成されてもよいし、アルミニウム層とアルミニウム合金層の積層構造を有してもよい。さらに、下部６１は、アルミニウム層またはアルミニウム合金層の下に、アルミニウムやアルミニウム合金とは異なる金属材料で形成された薄膜を有してもよい。このような薄膜は、例えばモリブデン（Ｍｏ）によって形成することができる。

【0047】

隔壁６の上部６２は、例えばチタンなどの金属材料で形成された薄膜と、ＩＴＯなどの導電性酸化物で形成された薄膜との積層構造を有している。上部６２は、チタンなどの金属材料の単層構造を有してもよい。また、上部６２は、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３とは異なる無機絶縁材料の単層構造を有してもよい。

【0048】

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

【0049】

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が赤色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が青色の波長域の光を放つ。

【0050】

他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

【0051】

図４は、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の境界に配置された隔壁６とその近傍を拡大した概略的な断面図である。この図においては、基板１０、回路層１１、カバー部材２０および接着層２１を省略している。

【0052】

有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１は、蒸着によって形成され、第１封止層ＳＥ１１とともにパターニングされている。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む薄膜ＦＬ１の端部ＦＬ１ａは、上部６２の上に位置している。第１封止層ＳＥ１１の端部ＳＥ１１ａも上部６２の上に位置している。端部ＦＬ１ａは、第１封止層ＳＥ１１によって覆われていない。

【0053】

同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３は、蒸着によって形成され、第１封止層ＳＥ１３とともにパターニングされている。有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む薄膜ＦＬ３の端部ＦＬ３ａは、上部６２の上に位置している。第１封止層ＳＥ１３の端部ＳＥ１３ａも上部６２の上に位置している。端部ＦＬ３ａは、第１封止層ＳＥ１３によって覆われていない。

【0054】

端部ＦＬ１ａと端部ＦＬ３ａは、隙間を介して離間している。端部ＳＥ１１ａと端部ＳＥ１３ａは、隙間を介して離間している。樹脂層ＲＳは、表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられており、端部ＦＬ１ａ，ＦＬ３ａ，ＳＥ１１ａ，ＳＥ１３ａを覆っている。さらに、樹脂層ＲＳは、端部ＦＬ１ａと端部ＦＬ３ａの間の隙間、および、端部ＳＥ１１ａと端部ＳＥ１３ａの間の隙間を満たし、上部６２に接触している。

【0055】

第１金属線ＭＬ１は、第３方向Ｚにおいて上部６２と対向している。例えば、第１金属線ＭＬ１の幅方向における中心Ｃ１の位置は、隔壁６の幅方向における中心Ｃ２の位置と一致している。ただし、中心Ｃ１と中心Ｃ２がずれていてもよい。なお、幅方向とは、平面視において第１金属線ＭＬ１や隔壁６が延在する方向と直交する方向を意味する。例えば、第１隔壁６ｘの幅方向は第２方向Ｙであり、第２隔壁６ｙの幅方向は第１方向Ｘである。

【0056】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６とその近傍の構成や、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６とその近傍の構成は、図４の例と同様である。

【0057】

図５は、リブ５、隔壁６、表示素子ＤＥ１および第１金属線ＭＬ１のサイズを説明するための模式図であり、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２とその間のリブ５、隔壁６（第２隔壁６ｙ）および第１金属線ＭＬ１の概略的な断面を示している。

【0058】

ここでは、表示素子ＤＥ１の幅をＷａ、画素開口ＡＰ１，ＡＰ３の間のリブ５の幅をＷ１、隔壁６の上部６２の幅をＷ２、第１金属線ＭＬ１の幅をＷ３、第３方向Ｚにおける表示素子ＤＥ１と第１金属線ＭＬ１の間の距離をＤ、ユーザが表示素子ＤＥ１を見る方向と表示素子ＤＥ１の法線方向とが成す角度をθと定義する。

【0059】

幅Ｗ３は、第１金属線ＭＬ１が表示素子ＤＥ１からの光を阻害しないか、あるいは当該光に与える影響が軽微であるように設定する必要がある。例えば、幅Ｗ１が１０μｍ、幅Ｗ２，Ｗ３がいずれも５μｍ、幅Ｗａが２０μｍ、距離Ｄが３．５μｍである場合、角度θが０°から３５°の範囲においては第１金属線ＭＬ１の影響はほとんど生じない。一方で、角度θが６０°程度であると、ユーザにより視認される光の輝度は、第１金属線ＭＬ１がない場合に比べて約１０％低下する。

【0060】

なお、仮に第１金属線ＭＬ１がない場合、角度θが約４５°であると、角度θが０°のときに比べて輝度が半分程度に減少する。第１金属線ＭＬ１を設けることで、この輝度がさらに低下することになるが、実用上、問題になるような影響は生じない。

【0061】

幅Ｗ３が大きくなると、角度θが小さい範囲でも第１金属線ＭＬ１の影響が生じ、輝度低下が増加する。幅Ｗ３が幅Ｗ１よりも大きいと、正面（角度θが０°）から表示素子ＤＥ１を見たときの輝度が、第１金属線ＭＬ１がない場合に比べて低下することになり、表示装置ＤＳＰの表示品位が大幅に低下する。幅Ｗ３が幅Ｗ１と同等であると、角度θが３０°程度で約１０％の輝度低下が生じ、角度θが６０°程度で約３０％の輝度低下が生じる。

【0062】

以上を考慮すると、幅Ｗ３は幅Ｗ１以下であることが好ましい（Ｗ３≦Ｗ１）。さらに、幅Ｗ３は、幅Ｗ２以下であるとより好ましい（Ｗ３≦Ｗ２）。一例では、幅Ｗ１は、５μｍ～２５μｍである。また、樹脂層ＲＳの厚さは２μｍ以下、第２封止層ＳＥ２の厚さは１μｍ以下である。

【0063】

画素ＰＸのサイズが大きい場合には、第１金属線ＭＬ１の影響が及ぶ領域が相対的に小さくなる。例えば、５５型３８４０×２１６０画素の表示装置の場合、画素ＰＸのサイズは３１５μｍ程度である。このときの表示素子ＤＥ１の幅Ｗａが８０μｍ、リブ５の幅Ｗ１が５μｍ、角度θが６０°、距離Ｄが５μｍの場合、幅Ｗ３が幅Ｗ１以下であれば、第１金属線ＭＬ１による輝度低下は１０％以下にとどまる。

【0064】

表示素子ＤＥ２とその周囲に配置されるリブ５、隔壁６および第１金属線ＭＬ１についても、図４および図５を用いて説明したものと同様の構成を適用できる。

【0065】

続いて、周辺領域ＳＡに適用し得る構造につき説明する。
図６は、表示装置ＤＳＰの概略的な平面図である。表示装置ＤＳＰは、周辺領域ＳＡに配置される要素として、第１ゲート駆動回路ＧＤ１、第２ゲート駆動回路ＧＤ２、セレクタ回路ＳＴおよび端子部Ｔを備えている。第１ゲート駆動回路ＧＤ１、第２ゲート駆動回路ＧＤ２およびセレクタ回路ＳＴは、それぞれ画素回路１に信号を供給する駆動回路の一例であり、図３に示した回路層１１に含まれる。

【0066】

第１ゲート駆動回路ＧＤ１および第２ゲート駆動回路ＧＤ２は、図１に示した走査線ＧＬに走査信号を供給する。端子部Ｔには、例えばフレキシブル回路基板ＦＰＣ（図８参照）が接続される。セレクタ回路ＳＴは、このフレキシブル回路基板ＦＰＣから入力される映像信号を図１に示した信号線ＳＬに供給する。

【0067】

基板１０は、端部１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄを有している。端部１０ａ，１０ｂは、第２方向Ｙと平行に延びている。端部１０ｃ，１０ｄは、第１方向Ｘと平行に延びている。

【0068】

図６の例においては、第１ゲート駆動回路ＧＤ１が表示領域ＤＡと端部１０ａの間に配置され、第２ゲート駆動回路ＧＤ２が表示領域ＤＡと端部１０ｂの間に配置され、セレクタ回路ＳＴおよび端子部Ｔが表示領域ＤＡと端部１０ｃの間に配置されている。

【0069】

さらに、表示装置ＤＳＰは、周辺領域ＳＡに配置された導電層ＣＬ（ドット模様を付した部分）を備えている。図６の例においては、導電層ＣＬが表示領域ＤＡを囲っている。

【0070】

導電層ＣＬは、表示領域ＤＡに配置された隔壁６と接続されている。導電層ＣＬは、第１ゲート駆動回路ＧＤ１、第２ゲート駆動回路ＧＤ２およびセレクタ回路ＳＴと平面視において重なっている。

【0071】

導電層ＣＬは、必ずしも表示領域ＤＡを囲う形状を有する必要はない。例えば、表示領域ＤＡと端部１０ｃの間や、表示領域ＤＡと端部１０ｄの間に導電層ＣＬが配置されていなくてもよい。

【0072】

周辺領域ＳＡには、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび第１封止層ＳＥ１が配置されている。有機層ＯＲｓは、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３のいずれかと同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されている。上電極ＵＥｓは、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３のいずれかと同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されている。キャップ層ＣＰｓは、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３のいずれかと同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されている。第１封止層ＳＥ１は、封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３のいずれかと同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されている。

【0073】

一例では、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび第１封止層ＳＥ１は、それぞれ有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３および第１封止層ＳＥ１３と同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されている。

【0074】

以下の説明においては、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓを含む積層体を薄膜ＦＬと呼ぶ。薄膜ＦＬおよび第１封止層ＳＥ１は、平面視において導電層ＣＬと重なっている。

【0075】

図７は、周辺領域ＳＡに配置される他の要素を示す概略的な平面図である。周辺領域ＳＡには、給電線ＰＷが配置されている。給電線ＰＷは、第１部分Ｐ１（斜線模様を付した部分）と、第２部分Ｐ２（ドット模様を付した部分）とを含む。

【0076】

図７の例において、第２部分Ｐ２は、表示領域ＤＡを囲っている。第１部分Ｐ１は、表示領域ＤＡと端部１０ａ，１０ｂ，１０ｄの間に延在しているが、表示領域ＤＡと端部１０ｃの間には配置されていない。他の例として、第１部分Ｐ１は、表示領域ＤＡを囲ってもよい。

【0077】

第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２は、部分的に重なっている。第１部分Ｐ１は、端子部Ｔと電気的に接続されている。第１部分Ｐ１には、端子部Ｔを通じて共通電圧が供給される。さらに、第１部分Ｐ１の共通電圧は、第２部分Ｐ２に供給される。

【0078】

図８は、タッチパネルに関する機能を実現するための要素を示す概略的な平面図である。表示領域ＤＡには、複数のタッチパネル電極ＴＰが配置されている。図８の例においては、２４個（６行×４列）のタッチパネル電極ＴＰ１～ＴＰ２４がマトリクス状に並んでいる。タッチパネル電極ＴＰ１～ＴＰ１２は表示領域ＤＡの左半分に位置し、タッチパネル電極ＴＰ１３～ＴＰ２４は表示領域ＤＡの右半分に位置している。なお、タッチパネル電極ＴＰの数や配置態様は、この例に限られない。

【0079】

周辺領域ＳＡには、タッチパネル電極ＴＰと端子部Ｔを接続するための配線領域ＬＡが設けられている。配線領域ＬＡは、タッチパネル電極ＴＰと同数のリード線ＬＬ（ＬＬ１～ＬＬ２４）を含み、表示領域ＤＡを囲っている。

【0080】

タッチパネル電極ＴＰ１～ＴＰ１２にそれぞれ接続されるリード線ＬＬ１～ＬＬ１２は、表示領域ＤＡと端部１０ａの間の領域を通るように配置されている。タッチパネル電極ＴＰ１３～ＴＰ２４にそれぞれ接続されるリード線ＬＬ１３～ＬＬ２４は、表示領域ＤＡと端部１０ｂの間の領域を通るように配置されている。

【0081】

配線領域ＬＡとタッチパネル電極ＴＰ１～ＴＰ２４は、中継配線ＲＬ（ＲＬ１～ＲＬ２４）によって接続されている。具体的には、タッチパネル電極ＴＰ１～ＴＰ１２がそれぞれ中継配線ＲＬ１～ＲＬ１２を介してリード線ＬＬ１～ＬＬ１２に接続され、タッチパネル電極ＴＰ１３～ＴＰ２４がそれぞれ中継配線ＲＬ１３～ＲＬ２４を介してリード線ＬＬ１３～ＬＬ２４に接続されている。

【0082】

リード線ＬＬ１～ＬＬ１２は、接続部８１を介して端子部Ｔに接続されている。リード線ＬＬ１３～ＬＬ２４は、接続部８２を介して端子部Ｔに接続されている。

【0083】

例えば、タッチパネル電極ＴＰ１～ＴＰ１２、リード線ＬＬ１～ＬＬ１２、中継配線ＲＬ１～ＲＬ１２および接続部８１と、タッチパネル電極ＴＰ１３～ＴＰ２４、リード線ＬＬ１３～ＬＬ２４、中継配線ＲＬ１３～ＲＬ２４および接続部８２とは、表示装置ＤＳＰの第１方向Ｘにおける中心線に関して線対称の形状を有している。

【0084】

端子部Ｔには、例えば導電性の接着材を介してフレキシブル回路基板ＦＰＣの一端が接続されている。フレキシブル回路基板ＦＰＣの他端は、表示装置ＤＳＰが搭載される電子機器の基板に接続されている。画像表示に必要な映像信号や電源は、フレキシブル回路基板ＦＰＣを通じて表示装置ＤＳＰに供給される。

【0085】

表示装置ＤＳＰは、画像表示に関する制御を実行する表示コントローラＣＴ１と、タッチ検出に関する制御を実行する検出コントローラＣＴ２とをさらに備えている。これらコントローラＣＴ１，ＣＴ２は、例えばＩＣによって構成され、フレキシブル回路基板ＦＰＣに実装されている。コントローラＣＴ１，ＣＴ２が別々のフレキシブル回路基板に実装され、これらフレキシブル回路基板がそれぞれ端子部Ｔに接続されていてもよい。

【0086】

本実施形態においては、タッチパネル電極ＴＰ１～ＴＰ２４が静電容量方式のタッチパネルを構成する場合を想定する。例えば、検出コントローラＣＴ２は、表示領域ＤＡにユーザの指などの物体が接触または近接した際に生じるタッチパネル電極ＴＰ１～ＴＰ２４の静電容量の変化に基づいて、当該物体が接触または近接した位置を特定する。このような方式は、自己容量方式と呼ばれる。

【0087】

ただし、物体の検出方式としては、相互容量方式を適用することもできる。この場合、表示領域ＤＡには、タッチパネル電極ＴＰ１～ＴＰ２４に加えて駆動電極が配置される。表示領域ＤＡに物体が接触または近接すると、タッチパネル電極ＴＰ１～ＴＰ２４と駆動電極の間の電界が当該物体の影響を受け、タッチパネル電極ＴＰ１～ＴＰ２４と駆動電極の間の容量が変化する。検出コントローラＣＴ２は、この容量の変化に基づき、該物体が接触または近接した位置を特定する。

【0088】

図９は、図６において鎖線枠ＩＸで囲った領域の拡大図である。図１０は、図９におけるＸ－Ｘ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図９においてドット模様を付した領域が導電層ＣＬおよび隔壁６（第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙ）に相当する。導電層ＣＬおよび隔壁６は、同じ材料で同じ製造プロセスにより一体的に形成されている。

【0089】

図１０の例において、回路層１１は、無機絶縁層３１，３２，３３と、有機絶縁層３４と、金属層４１，４２，４３とを備えている。無機絶縁層３１は、基板１０を覆っている。金属層４１は、無機絶縁層３１の上に配置され、無機絶縁層３２により覆われている。金属層４２は、無機絶縁層３２の上に配置され、無機絶縁層３３により覆われている。有機絶縁層３４は、無機絶縁層３３の上に配置されている。金属層４３は、有機絶縁層３４の上に配置され、有機絶縁層１２により覆われている。

【0090】

無機絶縁層３１，３２，３３は、例えばシリコン窒化物およびシリコン酸化物などの無機材料で形成されている。金属層４１，４２，４３は、例えばモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、モリブデンタングステン合金（ＭｏＷ）、アルミニウム（Ａｌ）および銅（Ｃｕ）などの金属材料の単層構造または積層構造を有している。

【0091】

第１ゲート駆動回路ＧＤ１は、金属層４１，４２，４３や半導体層によって形成されている。図６に示した第２ゲート駆動回路ＧＤ２およびセレクタ回路ＳＴや、図１に示した画素回路１も同様に、金属層４１，４２，４３や半導体層によって形成されている。また、図１に示した走査線ＧＬは金属層４１によって形成され、図１に示した信号線ＳＬは金属層４２によって形成されている。

【0092】

回路層１１の構成は、図１０に例示するものに限られない。例えば、回路層１１は、より多くの無機絶縁層と金属層を備えてもよい。また、回路層１１は、有機絶縁層３４を備えなくてもよい。

【0093】

導電層ＣＬは、周辺領域ＳＡにおいてリブ５を覆っている。導電層ＣＬは、図３および図４に示した隔壁６と同じく下部６１および上部６２を含む。

【0094】

給電線ＰＷの第２部分Ｐ２は、大部分が有機絶縁層１２の上に配置され、リブ５によって覆われている。例えば、第２部分Ｐ２は、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３と同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されている。

【0095】

第２部分Ｐ２は、コンタクト部ＣＮ１において第１部分Ｐ１に接続され、コンタクト部ＣＮ２において導電層ＣＬに接続されている。これにより、導電層ＣＬには、第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２を介して共通電圧が供給される。さらに、導電層ＣＬの共通電圧は表示領域ＤＡの隔壁６および上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に供給される。

【0096】

コンタクト部ＣＮ１においては、第２部分Ｐ２が第１部分Ｐ１に接触している。コンタクト部ＣＮ１は、例えば図７の平面図において第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２が重なった領域に相当する。図１０の例においては、第１部分Ｐ１が金属層４３により構成されている。第１部分Ｐ１は、金属層４１または金属層４２により構成されてもよいし、金属層４１，４２，４３のうちの２つ以上により構成されてもよい。

【0097】

図１０に示すように、コンタクト部ＣＮ２においては、リブ５に開口が形成されている。導電層ＣＬは、当該開口を通じて第２部分Ｐ２に接触している。リブ５の開口は、図９に示すコンタクト部ＣＮ２の全域に及んでもよい。また、コンタクト部ＣＮ２においてリブ５に複数の開口が分散して設けられてもよい。

【0098】

図９に示すように、コンタクト部ＣＮ２は、平面視においてコンタクト部ＣＮ１と表示領域ＤＡの間に位置している。導電層ＣＬの端部ＣＬａは、平面視においてコンタクト部ＣＮ１とコンタクト部ＣＮ２の間に位置している。

【0099】

図９においては、薄膜ＦＬおよび第１封止層ＳＥ１が配置される領域を鎖線で示している。また、図１０においては、薄膜ＦＬを１つの層で表している。実際には、薄膜ＦＬにおいて、上電極ＵＥｓが有機層ＯＲｓを覆い、キャップ層ＣＰｓが上電極ＵＥｓを覆っている。第１封止層ＳＥ１は、薄膜ＦＬを覆っている。

【0100】

図１０に示すように、薄膜ＦＬは、導電層ＣＬを覆っている。図９に示すように、薄膜ＦＬの端部ＦＬａおよび第１封止層ＳＥ１の端部ＳＥ１ａの平面視における位置は、略一致している。端部ＦＬａ，ＳＥ１ａは、導電層ＣＬの端部ＣＬａとコンタクト部ＣＮ１の間に位置している。

【0101】

図１０に示すように、周辺領域ＳＡにも樹脂層ＲＳおよび第２封止層ＳＥ２が形成されている。例えば、樹脂層ＲＳの端部ＲＳａは、薄膜ＦＬの端部ＦＬａおよび第１封止層ＳＥ１の端部ＳＥ１ａよりも表示領域ＤＡ側に位置している。図１０の例においては、端部ＲＳａが導電層ＣＬの端部ＣＬａの近傍に位置しているが、この例に限られない。

【0102】

図１０の例においては、周辺領域ＳＡの全体に第２封止層ＳＥ２が設けられている。ただし、例えば基板１０の端部１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄの近傍に第２封止層ＳＥ２が設けられていなくてもよい。第２封止層ＳＥ２は、樹脂層ＲＳを全体的に覆っている。さらに、第２封止層ＳＥ２は、第１封止層ＳＥ１、リブ５および無機絶縁層３３などに接触している。樹脂層ＲＳの端部ＲＳａは、第１封止層ＳＥ１および第２封止層ＳＥ２により覆われている。また、薄膜ＦＬの端部ＦＬａは、リブ５および第２封止層ＳＥ２により覆われている。

【0103】

図９の例において、タッチパネル電極ＴＰを構成する第１金属線ＭＬ１は、隔壁６に沿って延び、全体として格子状である。具体的には、第１金属線ＭＬ１は、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙと重なり、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３（表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３）をそれぞれ囲っている。ただし、第１金属線ＭＬ１は、必ずしも副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のそれぞれを個別に囲う必要はない。

【0104】

配線領域ＬＡは、平面視において導電層ＣＬと重なっている。リード線ＬＬ１～ＬＬ１２は、表示領域ＤＡに向けて順に並んでいる。リード線ＬＬ１～ＬＬ１２の外側には、少なくとも１つの配線Ｌｘが配置されている。これら配線Ｌｘは、例えば基準電位が供給されるグランド配線を含む。配線Ｌｘは、タッチ検出のための信号を供給する配線を含んでもよい。

【0105】

図１０に示すように、リード線ＬＬ１～ＬＬ１２および配線Ｌｘは、第２封止層ＳＥ２の上に配置されている。リード線ＬＬ１～ＬＬ１２および配線Ｌｘは、接着層２１により覆われている。基板１０は、カバー部材２０と対向しない露出領域ＥＡを端部１０ａの近傍に有している。露出領域ＥＡは、接着層２１により覆われていない。

【0106】

図１１は、導電層ＣＬの端部ＣＬａ近傍の概略的な断面図である。導電層ＣＬは、図４に示した隔壁６と同様に、下部６１および上部６２を有している。端部ＣＬａにおいて、上部６２は、下部６１の側面よりも突出している。すなわち、端部ＣＬａにおける導電層ＣＬの形状は、隔壁６と同じくオーバーハング状である。

【0107】

このような形状の導電層ＣＬの上に薄膜ＦＬ（有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓ）を形成すると、図１１に示すように、端部ＣＬａにおいて薄膜ＦＬが分断される。第１封止層ＳＥ１は、導電層ＣＬの上下にそれぞれ位置する薄膜ＦＬを覆うとともに、下部６１の側面も覆っている。

【0108】

なお、図９および図１０においては表示領域ＤＡと基板１０の端部１０ａの間の構造に着目したが、表示領域ＤＡと端部１０ｂの間にも同様の構造を適用できる。リード線ＬＬ１３～ＬＬ２４は、リード線ＬＬ１～ＬＬ１２と同様に第２封止層ＳＥ２の上に配置され、接着層２１により覆われている。例えば、リード線ＬＬ１～ＬＬ２４および配線Ｌｘは、第１金属線ＭＬ１と同一の材料で同一のプロセスにより形成される。

【0109】

図１２は、図８において鎖線枠ＸＩＩで囲った領域の概略的な平面図であり、タッチパネル電極ＴＰ１５～ＴＰ１８および中継配線ＲＬ１６～ＲＬ１８に適用し得る構成の一例を示している。

【0110】

中継配線ＲＬ１７は、表示領域ＤＡに配置された第２金属線ＭＬ２と、周辺領域ＳＡに配置された第３金属線ＭＬ３とを含む。第２金属線ＭＬ２は、タッチパネル電極ＴＰ１７を構成する第１金属線ＭＬ１と同じく隔壁６の上方に位置し、隔壁６に沿って延びている。第２金属線ＭＬ２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３をそれぞれ囲っており、全体として格子状である。例えば、第２金属線ＭＬ２および第３金属線ＭＬ３は、いずれも第１金属線ＭＬ１と同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されている。すなわち、第２金属線ＭＬ２および第３金属線ＭＬ３は、第２封止層ＳＥ２の上に位置し、接着層２１により覆われている。

【0111】

例えば、第２金属線ＭＬ２の幅は、図５を用いて説明した第１金属線ＭＬ１の幅Ｗ３と同様である。すなわち、第２金属線ＭＬ２の幅は、リブ５の幅Ｗ１以下であり、好ましくは上部６２の幅Ｗ２以下である。

【0112】

中継配線ＲＬ１７のうち第２金属線ＭＬ２により構成された部分は、タッチパネル電極ＴＰ１６，ＴＰ１８の間を通り、第３金属線ＭＬ３に接続されている。第３金属線ＭＬ３は、例えば第１方向Ｘに直線状に延びており、リード線ＬＬ１７に接続されている。図１２の例においては、中継配線ＲＬ１７が第２方向Ｙに並ぶ３本の第３金属線ＭＬ３を含む。

【0113】

中継配線ＲＬ１６，ＲＬ１８は、第３金属線ＭＬ３を含み、第２金属線ＭＬ２を含んでいない。図１２の例においては、中継配線ＲＬ１６，ＲＬ１８が第２方向Ｙに並ぶ２本の第３金属線ＭＬ３を含む。すなわち、この例においては、中継配線ＲＬ１６，ＲＬ１８に含まれる第３金属線ＭＬ３の数が、中継配線ＲＬ１７に含まれる第３金属線ＭＬ３の数よりも少ない。

【0114】

配線領域ＬＡは、電気的にフローティングの複数のダミー配線ＤＭを含む。図１２の例において、ダミー配線ＤＭは、リード線ＬＬ１６，ＬＬ１７，ＬＬ１８と表示領域ＤＡの間にそれぞれ配置されている。ダミー配線ＤＭは、リード線ＬＬ１６，ＬＬ１７，ＬＬ１８と同様のピッチで配置され、リード線ＬＬ１６，ＬＬ１７，ＬＬ１８と平行に延びている。

【0115】

図１３は、タッチパネル電極ＴＰ１５～ＴＰ１８および中継配線ＲＬ１６～ＲＬ１８に適用し得る構成の他の例を示す概略的な平面図である。この図の例においては、中継配線ＲＬ１７が２本の第３金属線ＭＬ３を含む。さらに、図１２の例に比べて、中継配線ＲＬ１７のうち第２金属線ＭＬ２により構成される部分の第２方向Ｙにおける幅が小さい。

【0116】

これら図１２および図１３の例の他にも、中継配線ＲＬ１６～ＲＬ１８には種々の構成を適用し得る。例えば、中継配線ＲＬ１６～ＲＬ１８は、より多くの第３金属線ＭＬ３を含んでもよい。

【0117】

図１４は、図８において鎖線枠ＸＩＶで囲った領域の概略的な平面図であり、タッチパネル電極ＴＰ１３，ＴＰ１４および中継配線ＲＬ１３，ＲＬ１４とその近傍に適用し得る構成の一例を示している。

【0118】

中継配線ＲＬ１３は、中継配線ＲＬ１７と同じく、第２金属線ＭＬ２および第３金属線ＭＬ３を含む。中継配線ＲＬ１３のうち第２金属線ＭＬ２により構成された部分は、タッチパネル電極ＴＰ１４と周辺領域ＳＡの間を通って第１方向Ｘに延び、リード線ＬＬ１３に接続されている。

【0119】

図１４の例においては、中継配線ＲＬ１３が第２方向Ｙに並ぶ３本の第３金属線ＭＬ３を含み、中継配線ＲＬ１４が第２方向Ｙに並ぶ２本の第３金属線ＭＬ３を含む。中継配線ＲＬ１３が含む第３金属線ＭＬ３の数は、図１３に示した中継配線ＲＬ１７と同じく２本であってもよいし、４本以上であってもよい。中継配線ＲＬ１４が含む第３金属線ＭＬ３の数も２本に限られない。

【0120】

図１４の例において、リード線ＬＬ１３～ＬＬ２４は、角部ＣＲ１，ＣＲ２の２か所で９０°屈曲している。角部ＣＲ１よりも図中上方においては、リード線ＬＬ１３～ＬＬ２４が第２方向Ｙと平行に延びている。角部ＣＲ１，ＣＲ２の間においては、リード線ＬＬ１３～ＬＬ２４が第１方向Ｘと平行に延びている。角部ＣＲ２よりも図中下方においては、リード線ＬＬ１３～ＬＬ２４が第２方向Ｙと平行に延びている。ダミー配線ＤＭは、表示領域ＤＡの図中下方の領域（表示領域ＤＡと端部１０ｃの間の領域）にも配置されている。これらダミー配線ＤＭは、第１方向Ｘと平行に延びている。

【0121】

図１２乃至図１４においては、タッチパネル電極ＴＰ１３～ＴＰ１８および中継配線ＲＬ１３，ＲＬ１４，ＲＬ１６～ＲＬ１８に適用し得る構成を示したが、他のタッチパネル電極ＴＰおよび中継配線ＲＬにも同様の構成を適用できる。すなわち、第１方向Ｘにおいて周辺領域ＳＡに隣接するタッチパネル電極ＴＰは、第３金属線ＭＬ３で構成される中継配線ＲＬによりリード線ＬＬに接続される。一方、第１方向Ｘにおいて周辺領域ＳＡとの間に他のタッチパネル電極ＴＰが介在するタッチパネル電極ＴＰは、第２金属線ＭＬ２および第３金属線ＭＬ３で構成される中継配線ＲＬによりリード線ＬＬに接続される。

【0122】

図１５は、リード線ＬＬ１３～ＬＬ２４、接続部８２および端子部Ｔの概略的な平面図である。端子部Ｔは、第１方向Ｘに並ぶ複数の第１パッドＰＤ１を有している。各第１パッドＰＤ１には、出力線ＯＬが接続されている。

【0123】

リード線ＬＬ１３～ＬＬ２４と各出力線ＯＬは、異なる層に配置されている。接続部８２において、リード線ＬＬ１３～ＬＬ２４と出力線ＯＬは、コンタクトホールＣＨｓを介して互いに接続されている。

【0124】

端子部Ｔは、セレクタ回路ＳＴなどの画像表示に関する要素に信号を供給するための第２パッドＰＤ２も有している。第２パッドＰＤ２は、第１パッドＰＤ１とともに第１方向Ｘに並んでいる。

【0125】

なお、接続部８１を介してリード線ＬＬ１～ＬＬ１２と端子部Ｔとを接続する構成は、図１５の例と同様である。

【0126】

図１６は、第１パッドＰＤ１およびリード線ＬＬを含む周辺領域ＳＡの概略的な断面図である。この図に示す構成は、いずれのリード線ＬＬ１～ＬＬ２４と第１パッドＰＤ１との接続構造にも適用できる。第１パッドＰＤ１および出力線ＯＬは、例えば金属層４３によって一体的に形成されている。ただし、第１パッドＰＤ１および出力線ＯＬは、異なる金属層により形成されてもよい。

【0127】

端子部Ｔは、露出領域ＥＡに設けられている。すなわち、第１パッドＰＤ１は、接着層２１から露出している。第１パッドＰＤ１の縁は、第２封止層ＳＥ２によって覆われている。第１パッドＰＤ１は、第２封止層ＳＥ２に設けられた開口ＡＰｔ１を通じて第２封止層ＳＥ２から露出している。図１６においては省略しているが、第１パッドＰＤ１は上述のフレキシブル回路基板ＦＰＣに接続される。

【0128】

コンタクトホールＣＨｓは、第２封止層ＳＥ２を貫通している。出力線ＯＬとリード線ＬＬは、コンタクトホールＣＨｓを通じて接続されている。図１６の例においては、コンタクトホールＣＨｓに位置するリード線ＬＬが接着層２１から露出している。他の例として、リード線ＬＬが全体的に接着層２１により覆われていてもよい。

【0129】

図１７は、第２パッドＰＤ２を含む周辺領域ＳＡの概略的な断面図である。第２パッドＰＤ２も第１パッドＰＤ１と同様に金属層４３によって形成されている。

【0130】

第２パッドＰＤ２は、第２封止層ＳＥ２に設けられた開口ＡＰｔ２を通じて第２封止層ＳＥ２から露出している。図１７においては省略しているが、第２パッドＰＤ２は上述のフレキシブル回路基板ＦＰＣに接続される。

【0131】

図１７の例においては、第２封止層ＳＥ２の上にダミー配線ＤＭが配置されている。ダミー配線ＤＭは、接着層２１により覆われている。

【0132】

表示装置ＤＳＰの製造にあたっては、先ず基板１０の上に画素回路１、ゲート駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２、セレクタ回路ＳＴ、給電線ＰＷおよび端子部Ｔを含む回路層１１が形成される。回路層１１の形成の後、有機絶縁層１２が回路層１１の上に形成される。

【0133】

その後、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成され、これらの上にリブ５が形成される。さらに、隔壁６および導電層ＣＬが形成される。

【0134】

次に、副画素ＳＰ１に有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む薄膜ＦＬ１と第１封止層ＳＥ１１が形成され、副画素ＳＰ２に有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む薄膜ＦＬ２と第１封止層ＳＥ１２が形成され、副画素ＳＰ３に有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む薄膜ＦＬ３と第１封止層ＳＥ１３が形成される。薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３の形成順は特に限定されないが、一例では薄膜ＦＬ３が最初に形成され、薄膜ＦＬ２が次に形成され、薄膜ＦＬ１が最後に形成される。

【0135】

薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３を構成する各層（有機層、上電極およびキャップ層）は、例えば蒸着によって形成される。第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される。

【0136】

周辺領域ＳＡの薄膜ＦＬ（有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓ）および第１封止層ＳＥ１は、例えば薄膜ＦＬ３および第１封止層ＳＥ１３と同じ材料で同じ製造プロセスにより形成することができる。薄膜ＦＬ，ＦＬ３および第１封止層ＳＥ１，ＳＥ１３は、同一のフォトリソグラフィ工程によりパターニングされる。そのため、図１０に示すように薄膜ＦＬの端部ＦＬａと第１封止層ＳＥ１の端部ＳＥ１ａとが揃う。

【0137】

薄膜ＦＬおよび第１封止層ＳＥ１の形成の後、樹脂層ＲＳが形成される。樹脂層ＲＳは、例えば印刷法により形成されるが、インクジェットなどの他の方法で形成されてもよい。周囲への拡がりを抑制する観点からは、硬化前の樹脂層ＲＳの粘度を高めることが好ましい。このような高粘度の樹脂層ＲＳの形成には、印刷法が適している。

【0138】

樹脂層ＲＳの形成の後、第２封止層ＳＥ２が形成される。第２封止層ＳＥ２は、先ず基板１０の全体に形成され、フォトリソグラフィ工程によってパターニングされる。このフォトリソグラフィ工程により、開口ＡＰｔ１，ＡＰｔ２およびコンタクトホールＣＨｓが形成される。

【0139】

その後、第１金属線ＭＬ１、第２金属線ＭＬ２、第３金属配線ＭＬ３、リード線ＬＬおよびダミー配線ＤＭが形成される。これらの配線は、同一のフォトリソグラフィ工程によって金属膜をパターニングすることで得られる。その際、金属膜を残すべき部分に形成されるレジストの配置密度が部分的に大きく変化していると、金属膜のエッチングの進行が不均一となり、所望の形状のリード線ＬＬなどを得られない可能性がある。ダミー配線ＤＭは、このような不均一性の是正に寄与する。すなわち、金属線ＭＬ１，ＭＬ２，ＭＬ３やリード線ＬＬが配置されない領域にダミー配線ＤＭを配置することで、金属線ＭＬ１，ＭＬ２，ＭＬ３やリード線ＬＬに対する過度なエッチングを抑制することができる。

【0140】

金属線ＭＬ１，ＭＬ２，ＭＬ３、リード線ＬＬおよびダミー配線ＤＭの形成の後、接着層２１によりカバー部材２０が貼り合わされる。さらに、端子部Ｔにフレキシブル回路基板ＦＰＣが接続されて表示装置ＤＳＰが完成する。

【0141】

以上の本実施形態においては、表示領域ＤＡに配置された薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３がそれぞれ隔壁６と第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３によって個別に封止されている。さらに、樹脂層ＲＳが第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３を覆い、第２封止層ＳＥ２が樹脂層ＲＳを覆っている。このような構成であれば、薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３への水分の浸入、さらにはその上の樹脂層ＲＳへの水分の浸入が好適に抑制され、水分への耐性に優れた表示装置ＤＳＰを得ることができる。

【0142】

さらに、本実施形態においては、タッチパネル電極ＴＰを構成する第１金属線ＭＬ１が隔壁６の上方に位置し、隔壁６に沿って延びている。このような構成であれば、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３から放たれた光が第１金属線ＭＬ１によって阻害されにくい。これにより、表示装置ＤＳＰにタッチ検出の機能を与えつつも、表示品位を向上させることができる。

【0143】

図５を用いて説明したように、第１金属線ＭＬ１の幅Ｗ３がリブ５の幅Ｗ１以下、さらには上部６２の幅Ｗ２以下であれば、表示領域ＤＡを斜めに見た場合でも輝度低下が抑制されるので、表示品位が一層向上する。

【0144】

図１２乃至図１３に示したように、中継配線ＲＬの一部を第１金属線ＭＬ１と同様の第２金属線ＭＬ２で構成する場合、中継配線ＲＬによる表示品位の低下を抑制することが可能である。仮に、中継配線ＲＬのうち表示領域ＤＡに位置する部分が第１金属線ＭＬ１と異なる幅やパターンの金属線で構成される場合、中継配線ＲＬに起因した輝度むらが生じ得る。これに対し、図１２乃至図１４の例のように、第２金属線ＭＬ２が第１金属線ＭＬ１と同様の格子状であり、さらには第１金属線ＭＬ１と同等の幅を有していれば、表示領域ＤＡの全体において輝度を均一化することができる。

【0145】

本実施形態においては、周辺領域ＳＡに配置された薄膜ＦＬの端部ＦＬａが第２封止層ＳＥ２により覆われている。これにより、薄膜ＦＬを通じた周辺回路への水分浸入を抑制することができる。

【0146】

さらに、本実施形態においては、図１１に示したように、薄膜ＦＬが導電層ＣＬの端部ＣＬａによって分断されている。これにより、薄膜ＦＬを通じた水分浸入がより確実に抑制される。

【0147】

本実施形態にて開示した構成は、種々の態様に変形し得る。以下に、いくつかの変形例を開示する。
図１８は、第１変形例に係る画素ＰＸおよび第１金属線ＭＬ１の概略的な平面図である。第１変形例に係る画素ＰＸは、図２と同様のレイアウトの副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３（表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３）を含む。

【0148】

第１変形例においては、各画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間に第１金属線ＭＬ１が配置されていない。異なる画素ＰＸにそれぞれ含まれる副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間には、第１金属線ＭＬ１が配置されている。第２金属線ＭＬ２にも同様の構成を適用できる。

【0149】

図１９は、第２変形例に係る画素ＰＸおよび第１金属線ＭＬ１の概略的な平面図である。第２変形例に係る画素ＰＸは、図２と同様のレイアウトの副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３を含む。

【0150】

第２変形例においては、隣り合う画素ＰＸの間に第１金属線ＭＬ１が配置され、１つの画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の間には第１金属線ＭＬ１が配置されていない。第２金属線ＭＬ２にも同様の構成を適用できる。

【0151】

図２０は、第３変形例に係る画素ＰＸおよび第１金属線ＭＬ１の概略的な平面図である。第３変形例に係る画素ＰＸにおいては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。例えば、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の第２方向Ｙにおける幅は同等である。副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の第１方向Ｘにおける幅は、同等であってもよいし、異なってもよい。このような画素ＰＸがマトリクス状に配列される場合、表示領域ＤＡには、第２方向Ｙに連続する複数の副画素ＳＰ１を含む列と、第２方向Ｙに連続する複数の副画素ＳＰ２を含む列と、第２方向Ｙに連続する複数の副画素ＳＰ３を含む列とが形成される。

【0152】

第３変形例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がいずれも第１金属線ＭＬ１により囲われている。第２金属線ＭＬ２にも同様の構成を適用できる。

【0153】

図２１は、第４変形例に係る画素ＰＸおよび第１金属線ＭＬ１の概略的な平面図である。第４変形例に係る画素ＰＸは、図２０と同様のレイアウトの副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３を含む。

【0154】

第４変形例においては、隣り合う画素ＰＸの間に第１金属線ＭＬ１が配置され、１つの画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の間には第１金属線ＭＬ１が配置されていない。第２金属線ＭＬ２にも同様の構成を適用できる。

【0155】

図２２は、第５変形例に係る画素ＰＸおよび第１金属線ＭＬ１の概略的な平面図である。第５変形例に係る画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に加えて白色の副画素ＳＰ４を含む。副画素ＳＰ４は、白色光を放つ表示素子ＤＥ４を有している。各画素ＰＸにおいて、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ４が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。また、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２が第２方向Ｙに並び、副画素ＳＰ３と副画素ＳＰ４が第２方向Ｙに並んでいる。

【0156】

第５変形例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４がいずれも第１金属線ＭＬ１により囲われている。第２金属線ＭＬ２にも同様の構成を適用できる。

【0157】

図２３は、第６変形例に係る画素ＰＸおよび第１金属線ＭＬ１の概略的な平面図である。第６変形例に係る画素ＰＸは、図２２と同様のレイアウトの副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４を含む。

【0158】

第６変形例においては、隣り合う画素ＰＸの間に第１金属線ＭＬ１が配置されている。さらに、１つの画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰ１，ＳＰ４の間、および、１つの画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間にも第１金属線ＭＬ１が配置されている。一方で、１つの画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間、および、１つの画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰ３，ＳＰ４の間には第１金属線ＭＬ１が配置されてない。第２金属線ＭＬ２にも同様の構成を適用できる。

【0159】

図２４は、第７変形例に係る画素ＰＸおよび第１金属線ＭＬ１の概略的な平面図である。第７変形例に係る画素ＰＸは、図２２と同様のレイアウトの副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４を含む。

【0160】

第７変形例においては、隣り合う画素ＰＸの間に第１金属線ＭＬ１が配置されている。さらに、１つの画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間、および、１つの画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰ３，ＳＰ４の間にも第１金属線ＭＬ１が配置されている。一方で、１つの画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰ１，ＳＰ４の間、および、１つの画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間には第１金属線ＭＬ１が配置されてない。第２金属線ＭＬ２にも同様の構成を適用できる。

【0161】

図２５は、第８変形例に係る画素ＰＸおよび第１金属線ＭＬ１の概略的な平面図である。第８変形例に係る画素ＰＸは、図２２と同様のレイアウトの副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４を含む。

【0162】

第８変形例においては、隣り合う画素ＰＸの間に第１金属線ＭＬ１が配置され、１つの画素ＰＸに含まれる副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４の間には第１金属線ＭＬ１が配置されていない。第２金属線ＭＬ２にも同様の構成を適用できる。

【0163】

以上の第１乃至第８変形例は、後述する各実施形態にも適用することができる。また、画素ＰＸ、第１金属線ＭＬ１および第２金属線ＭＬ２の構成は、第１乃至第８変形例に示したもの以外にも適宜に変形することが可能である。

【0164】

［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。特に言及しない構成は第１実施形態と同様である。
図２６および図２７は、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰの周辺領域ＳＡの概略的な断面図である。図２６は図１６と同様に第１パッドＰＤ１を含む周辺領域ＳＡの断面を示し、図２７は図１７と同様に第２パッドＰＤ２を含む周辺領域ＳＡの断面を示す。

【0165】

図１６および図１７の例においては、端子部Ｔの近傍に有機絶縁層１２が形成されていなかった。一方で、図２６および図２７の例においては、端子部Ｔの周囲にも有機絶縁層１２が形成されている。

【0166】

図２６に示すように、有機絶縁層１２は、第１パッドＰＤ１の縁や出力線ＯＬを覆っている。有機絶縁層１２は、開口ＡＰｔ１と重なる開口を有している。さらに、コンタクトホールＣＨｓは、第２封止層ＳＥ２だけでなく、有機絶縁層１２も貫通している。リード線ＬＬは、コンタクトホールＣＨｓを通じて出力線ＯＬに接続されている。

【0167】

また、図２７に示すように、有機絶縁層１２は、第２パッドＰＤ２の縁を覆っている。有機絶縁層１２は、開口ＡＰｔ２と重なる開口を有している。

【0168】

本実施形態の構成であっても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態の構成においては、第１パッドＰＤ１および第２パッドＰＤ２の周囲に有機絶縁層１２による凸部が形成される。これにより、フレキシブル回路基板ＦＰＣとパッドＰＤ１，ＰＤ２を接続する導電性の接着剤が堰き止められ、フレキシブル回路基板ＦＰＣとパッドＰＤ１，ＰＤ２の良好な接続と導通を実現することが可能である。

【0169】

［第３実施形態］
第３実施形態について説明する。特に言及しない構成は上述の各実施形態と同様である。
図２８および図２９は、第３実施形態に係る表示装置ＤＳＰの周辺領域ＳＡの概略的な断面図である。図２８は図２６と同様に第１パッドＰＤ１を含む周辺領域ＳＡの断面を示し、図２９は図２７と同様に第２パッドＰＤ２を含む周辺領域ＳＡの断面を示す。

【0170】

本実施形態においても、第２実施形態と同様に端子部Ｔの周囲に有機絶縁層１２が形成されている。さらに、本実施形態においては、有機絶縁層１２がスリットＳＬＴを有している。スリットＳＬＴは、有機絶縁層１２を貫通している。

【0171】

例えば、スリットＳＬＴは、表示領域ＤＡを囲っている。すなわち、スリットＳＬＴは、平面視においてパッドＰＤ１，ＰＤ２と表示領域ＤＡの間に位置している。より具体的には、スリットＳＬＴは、平面視においてコンタクトホールＣＨｓと表示領域ＤＡの間に位置している。図２８の断面においては、スリットＳＬＴがコンタクトホールＣＨｓと導電層ＣＬの間に位置している。

【0172】

図２８および図２９の例においては、スリットＳＬＴが第２封止層ＳＥ２により覆われている。リード線ＬＬは、スリットＳＬＴを横切っている。さらに、スリットＳＬＴの上方にカバー部材２０および接着層２１が位置している。

【0173】

本実施形態のようにスリットＳＬＴを設けることで、パッドＰＤ１，ＰＤ２付近から有機絶縁層１２を通じて表示装置ＤＳＰの内部へ水分が浸入することを抑制できる。特に、コンタクトホールＣＨｓよりも内側にスリットＳＬＴを設けることで、コンタクトホールＣＨｓ付近からの水分浸入を好適に抑制することが可能である。

【0174】

［第４実施形態］
第４実施形態について説明する。特に言及しない構成は上述の各実施形態と同様である。
図３０は、第４実施形態に係る表示装置ＤＳＰの表示領域ＤＡの概略的な断面図である。図３の例と同様に、第２封止層ＳＥ２の上に第１金属線ＭＬ１が配置されている。本実施形態においては、第１金属線ＭＬ１が第３封止層ＳＥ３により覆われている。第３封止層ＳＥ３は、接着層２１により覆われている。

【0175】

第３封止層ＳＥ３は、第２封止層ＳＥ２と同じくシリコン窒化物、シリコン酸化物またはシリコン酸窒化物などの無機絶縁材料で形成されている。

【0176】

第３封止層ＳＥ３は、例えば表示領域ＤＡおよび周辺領域ＳＡの全体に設けられている。第３封止層ＳＥ３は、端子部Ｔにおいて第２封止層ＳＥ２の開口ＡＰｔ１，ＡＰｔ２と同形状の開口を有している。第３封止層ＳＥ３は、第１金属線ＭＬ１だけでなく、第２金属線ＭＬ２、リード線ＬＬおよびダミー配線ＤＭも覆っている。

【0177】

本実施形態のように第３封止層ＳＥ３を設ければ、第１金属線ＭＬ１、第２金属線ＭＬ２、リード線ＬＬおよびダミー配線ＤＭなどを水分から保護することができる。その他の効果は上述の各実施形態と同様である。

【0178】

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

【0179】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0180】

また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0181】

ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３，ＳＥ１…第１封止層、ＳＥ２…第２封止層、ＲＳ…樹脂層、ＣＬ…導電層、ＰＷ…給電線、Ｔ…端子部、ＰＤ１，ＰＤ２…パッド、ＴＰ…タッチパネル電極、ＭＬ１…第１金属線、ＭＬ２…第２金属線、ＬＬ…リード線、ＲＬ…中継配線、１…画素回路、５…リブ、６…隔壁、１０…基板、２０…カバー部材、２１…接着層、６１…隔壁の下部、６２…隔壁の上部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】