特開 2024-64072 高周波回路、および、レーダ装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024064072

(43)【公開日】2024-05-14

(54)【発明の名称】高周波回路、および、レーダ装置

(51)【国際特許分類】

   H01P 1/04 20060101AFI20240507BHJP

   H01P 3/08 20060101ALI20240507BHJP

【ＦＩ】

H01P1/04

H01P3/08 102

H01P3/08 100

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022172395

(22)【出願日】2022-10-27

(71)【出願人】

【識別番号】000166247

【氏名又は名称】古野電気株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000970

【氏名又は名称】弁理士法人 楓国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】岸田 武紘

【テーマコード（参考）】

5J011

5J014

【Ｆターム（参考）】

5J011DA12

5J014CA08

5J014CA42

(57)【要約】

【課題】マイクロストリップ線路とサスペンデッド線路との接続部における損失を低減する。
【解決手段】
高周波回路１０は、マイクロストリップ線路ＭＳＬ、サスペンデッド線路ＳＭＬ、および、接続部ＭＴＰを備える。マイクロストリップ線路ＭＳＬは、対向する第１面２０１と第２面２０２とを有する誘電体基板２０と、第１面２０１に配置された信号導体３１と、第２面２０２に配置されたグランド導体４１とを備える。サスペンデッド線路ＳＭＬは、誘電体基板２０と、第１面２０１に配置された信号導体３２と、第２面２０２から空隙部５０を介して配置された金属筐体８２とを備える。接続部ＭＴＰは、誘電体基板２０と、信号導体３１と信号導体３２とを接続する信号導体３００と、第２面２０２から下部空隙部５３を介して配置された金属筐体８２とを備える。下部空隙部５３の高さＨ５３は、第１端から第２端に向かって徐々に高くなる。
【選択図】 図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

互いに対向する第１面と第２面とを有する誘電体基板と、前記第１面に配置された第１信号導体と、前記第２面に配置されたグランド導体とを備えるマイクロストリップ線路と、
前記誘電体基板と、前記第１面に配置された第２信号導体と、前記第２面から第１空隙部を介して配置された金属層とを備えるサスペンデッド線路と、
前記誘電体基板と、前記第１信号導体と前記第２信号導体に接続する接続導体と、前記第２面から第２空隙部を介して配置された前記金属層とを備える接続部と、
を備え、
前記第１信号導体の幅は、前記第２信号導体の幅よりも狭く、
前記接続導体の幅は、前記接続導体が前記第１信号導体に接続する第１端から前記接続導体が前記第２信号導体に接続する第２端に向かって広くなり、
前記第２空隙部での前記誘電体基板と前記金属層との距離は、前記第１端から前記第２端に向かって徐々に大きくなる、
高周波回路。

【請求項2】

請求項１に記載の高周波回路であって、
前記接続導体の幅は連続的に変化し、前記第１端において前記第１信号導体の幅であり、前記第２端において前記第２信号導体の幅である、
高周波回路。

【請求項3】

請求項１に記載の高周波回路であって、
前記接続導体の幅は徐々に離散的に変化し、前記第１端において前記第１信号導体の幅であり、前記第２端において前記第２信号導体の幅である、
高周波回路。

【請求項4】

請求項１に記載の高周波回路であって、
前記第２空隙部での前記誘電体基板と前記金属層の距離は連続的に変化し、前記第２端において前記第１空隙部での前記誘電体基板と前記金属層の距離である、
高周波回路。

【請求項5】

請求項１に記載の高周波回路であって、
前記第２空隙部での前記誘電体基板と前記金属層の距離は離散的に変化し、前記第２端において前記第１空隙部での前記誘電体基板と前記金属層との距離である、
高周波回路。

【請求項6】

請求項１に記載の高周波回路であって、
前記金属層は、前記マイクロストリップ線路と前記サスペンデッド線路を囲む金属筐体である、
高周波回路。

【請求項7】

請求項１に記載の高周波回路であって、
前記金属層は、絶縁体に形成された金属膜である、
高周波回路。

【請求項8】

請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の高周波回路と、
前記高周波回路の前記マイクロストリップ線路に実装されたレーダ用の高周波素子と、
を備える、レーダ装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、マイクロストリップ線路とサスペンデッド線路とが接続された伝送線路を備えた高周波回路に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、マイクロストリップ線路とサスペンデッド線路とを接続した伝送線路が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－２２０６２８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に示すような従来の構成では、マイクロストリップ線路とサスペンデッド線路との接続部において損失が大きかった。

【0005】

したがって、本発明の目的は、マイクロストリップ線路とサスペンデッド線路との接続部における損失を低減することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

（１） この発明の高周波回路は、マイクロストリップ線路、サスペンデッド線路、および、接続部を備える。マイクロストリップ線路は、互いに対向する第１面と第２面とを有する誘電体基板と、第１面に配置された第１信号導体と、第２面に配置されたグランド導体とを備える。サスペンデッド線路は、誘電体基板と、第１面に配置された第２信号導体と、第２面から第１空隙部を介して配置された金属層とを備える。接続部は、誘電体基板と、第１信号導体と第２信号導体とを接続する接続導体と、第２面から第２空隙部を介して配置された金属層とを備える。

【0007】

第１信号導体の幅は、第２信号導体の幅よりも狭い。接続導体の幅は、接続導体が第１信号導体に接続する第１端から接続導体が第２信号導体に接続する第２端に向かって広くなる。第２空隙部での誘電体基板と金属層の距離は、第１端から第２端に向かって徐々に大きくなる。

【0008】

この構成では、マイクロストリップ線路からサスペンデッド線路に向かって、または、サスペンデッド線路からマイクロストリップ線路に向かって、伝送モードが徐々に変化する。これにより、マイクロストリップ線路とサスペンデッド線路との間での伝送損失は低減される。

【0009】

（２） この発明の高周波回路は、（１）の高周波回路であって、接続導体の幅は連続的に変化し、第１端において第１信号導体の幅であり、第２端において第２信号導体の幅である。

【0010】

この構成では、伝送損失をさらに抑制できる。

【0011】

（３） この発明の高周波回路は、（１）の高周波回路であって、接続導体の幅は徐々に離散的に変化し、第１端において第１信号導体の幅であり、第２端において第２信号導体の幅である。

【0012】

この構成では、所定の伝送損失を実現しながら、製造がより容易になる。

【0013】

（４） この発明の高周波回路は、（１）乃至（３）のいずれかの高周波回路であって、第２空隙部での誘電体基板と金属層の距離は連続的に変化し、第２端において前記第１空隙部での誘電体基板と金属層の距離である。

【0014】

この構成では、伝送損失をさらに抑制できる。

【0015】

（５） この発明の高周波回路は、（１）乃至（３）のいずれかの高周波回路であって、第２空隙部での誘電体基板と金属層の距離は離散的に変化し、第２端において第１空隙部での誘電体基板と金属層の距離である。

【0016】

この構成では、所定の伝送損失を実現しながら、製造がより容易になる。

【0017】

（６） この発明の高周波回路は、（１）乃至（５）のいずれかの高周波回路であって、金属層は、マイクロストリップ線路とサスペンデッド線路を囲む金属筐体である。

【0018】

この構成では、高周波回路を囲み電磁的にシールドする金属筐体を、サスペンデッド線路と接続部とに利用できる。

【0019】

（７） この発明の高周波回路は、（１）乃至（５）のいずれかの高周波回路であって、金属層は、絶縁体に形成された金属膜である。

【0020】

この構成では、金属筐体とは別にサスペンデッド線路と接続部の形状を実現でき、サスペンデッド線路と接続部の設計自由度が向上する。

【0021】

（８） この発明のレーダ装置は、（１）乃至（５）のいずれかの高周波回路と、高周波回路のマイクロストリップ線路に実装されたレーダ用の高周波素子と、を備える。

【0022】

この構成では、低損失なレーダ装置を実現できる。特に、安価な誘電体基板を用いながら、低損失なレーダ装置を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】図１（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る高周波回路の一部を示す平面図であり、図１（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る高周波回路の一部を示す側面断面図である。

【図2】図２（Ａ）、図２（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る高周波回路の断面図である。

【図3】図３（Ａ）は、本願発明の高周波回路の電界分布を模式的に示した側面断面図であり、図３（Ｂ）は、比較構成の高周波回路の電界分布を模式的に示した側面断面図である。

【図4】図４（Ａ）は、本願発明の高周波回路と比較構成の高周波回路とのＳ１１特性を示すグラフであり、図４（Ｂ）は、本願発明の高周波回路と比較構成の高周波回路とのＳ２１特性を示すグラフである。

【図5】図５（Ａ）は、レーダ装置の一部を示す平面図であり、図５（Ｂ）は、レーダ装置の一部を示す側面断面図である。

【図6】図６（Ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る高周波回路の一部を示す平面図であり、図６（Ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る高周波回路の一部を示す側面断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態に係る高周波回路について、図を参照して説明する。図１（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る高周波回路の一部を示す平面図であり、図１（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る高周波回路の一部を示す側面断面図である。図１（Ｂ）は、高周波信号の伝送方向に平行な面の断面図である。図２（Ａ）、図２（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る高周波回路の断面図である。図２（Ａ）、図２（Ｂ）は、高周波信号の伝送方向に直交する面の断面図である。図２（Ａ）は、マイクロストリップ線路の部分の断面図であり、図２（Ｂ）は、サスペンデッド線路の部分での断面図である。

【0025】

図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示すように、高周波回路１０は、誘電体基板２０、信号導体３１、信号導体３２、信号導体３００（接続導体）、グランド導体４１、金属筐体８１、および、金属筐体８２を備える。

【0026】

誘電体基板２０は、所定の誘電率を有する基板である。誘電体基板２０は、例えば、ガラスエポキシ樹脂を用いたＦＲ－４等の基板である。誘電体基板２０は、互いに対向する第１面２０１と第２面２０２とを有し、厚みが一定の平板である。

【0027】

信号導体３１、信号導体３２、および、信号導体３００は、誘電体基板２０の第１面２０１に配置される。信号導体３１と信号導体３２とは、信号導体３００を通じて接続される。

【0028】

信号導体３１は、幅Ｗ３１を有する線状（帯状）の平膜導体である。信号導体３２は、幅Ｗ３２を有する線状（帯状）の平膜導体である。信号導体３１の幅Ｗ３１は、信号導体３２の幅Ｗ３２よりも狭い。言い換えれば、信号導体３２の幅Ｗ３２は、信号導体３１の幅Ｗ３１よりも広い。

【0029】

信号導体３００は、信号導体３１に接続する第１端と、信号導体３２に接続する第２端とを有する。信号導体３００は、第１端と第２端との間において幅が変化する線状（帯状）平膜導体である。信号導体３００は、第１端から第２端に向かって幅が広くなる形状であり、さらには、幅が徐々に広くなる形状であってもよい。

【0030】

この際、信号導体３００の幅は、連続的に広くなる。言い換えれば、信号導体３００は、第１端と第２端との間において幅が離散的に変化する箇所を有さない。

【0031】

信号導体３００の第１端での幅は、信号導体３１の幅Ｗ３１と同じである。信号導体３００の第２端での幅は、信号導体３２の幅Ｗ３２と同じである。

【0032】

グランド導体４１は、誘電体基板２０の第２面２０２に配置される。グランド導体４１は、平膜導体である。グランド導体４１は、平面視して（図のｚ軸方向に視て）、信号導体３１に重なり、信号導体３００および信号導体３２に重ならない。

【0033】

グランド導体４１の幅は、信号導体３１の幅Ｗ３１よりも広い。具体的には、グランド導体４１の幅は、後述するマイクロストリップ線路ＭＳＬの電界形成および伝送特性に、高周波回路１０として殆ど悪影響を与えない程度に広い。

【0034】

金属筐体８１は、誘電体基板２０の第１面２０１側に、上部空隙部８００を介して配置される。上部空隙部８００の高さは、信号導体３１、信号導体３２、および、信号導体３００と、金属筐体８１とが殆ど電磁界結合しない程度の高さである。

【0035】

金属筐体８２は、誘電体基板２０の第２面２０２側に配置される。金属筐体８２は、信号導体３１、信号導体３００、信号導体３２が接続される方向（図のｘ軸方向）において、平面視して信号導体３１に重なる第１部分と、信号導体３２に重なる第２部分と、信号導体３００に重なる第３部分とを有する。

【0036】

第１部分の高さは、第２部分の高さよりも高い。第３部分の高さは、第１部分に接続する端部から第２部分に接続する端部に向かって徐々に低くなる。この際、第３部分の高さは、連続的に低くなる。言い換えれば、第３部分は、第１部分に接続する端部と第２部分に接続する端部との間において高さ幅が離散的に変化する箇所を有さない。

【0037】

金属筐体８２は、第１部分の主面８２１がグランド導体４１に当接するように配置される。これにより、金属筐体８２の第２部分の主面８２２と誘電体基板２０の第２面２０２との間に下部空隙部５０が形成される。金属筐体８２の第３部分の主面８２３と誘電体基板２０の第２面２０２との間に下部空隙部５３が形成される。下部空隙部５０と下部空隙部５３とは連通する。なお、マイクロストリップ線路において、金属筐体８２がグランド導体４１の役割を担ってもよい。

【0038】

下部空隙部５０の高さＨ５０（主面８２２と第２面２０２との高さ方向（ｚ軸方向）の距離）は、一定である。下部空隙部５０の幅は、信号導体３２の幅よりも広く、後述するサスペンデッド線路ＳＭＬの電界形成および伝送特性に、高周波回路１０として殆ど悪影響を与えない程度に広い。

【0039】

下部空隙部５３の高さＨ５３（主面８２３と第２面２０２との高さ方向（ｚ軸方向）の距離）は、金属筐体８２が上述の形状であるので、信号導体３１側の端部から信号導体３２側の端部に向かって、徐々に高くなる。この際、高さＨ５３は、連続的に高くなる。下部空隙部５３の高さＨ５３は、下部空隙部５０に連通する端部において、下部空隙部５０の高さＨ５０と同じである。

【0040】

下部空隙部５３の幅は、信号導体３１側の端部から信号導体３２側の端部に向かって、徐々に広くなる。下部空隙部５３の幅は、下部空隙部５０に連通する端部において、下部空隙部５０の幅と同じである。

【0041】

このような構成によって、高周波回路１０は、マイクロストリップ線路ＭＳＬ、サスペンデッド線路ＳＭＬ、および、接続部ＭＴＰを備える。

【0042】

マイクロストリップ線路ＭＳＬは、信号導体３１、誘電体基板２０、グランド導体４１によって形成される。

【0043】

サスペンデッド線路ＳＭＬは、信号導体３２、誘電体基板２０、下部空隙部５０、金属筐体８２によって形成される。

【0044】

接続部ＭＴＰは、信号導体３００、誘電体基板２０、下部空隙部５３、金属筐体８２によって形成される。

【0045】

そして、この構成では、マイクロストリップ線路ＭＳＬの信号導体３１の幅Ｗ３１は、サスペンデッド線路ＳＭＬの信号導体３２の幅Ｗ３２よりも狭い。これにより、高周波回路１０は、信号導体３２と金属筐体８２との間に下部空隙部５０（空気層）を備えるサスペンデッド線路ＳＭＬの特性インピーダンスと、マイクロストリップ線路ＭＳＬの特性インピーダンスとを同じにできる。

【0046】

また、高周波回路１０は、サスペンデッド線路ＳＭＬを用いることで、マイクロストリップ線路ＭＳＬのみを用いるよりも、伝送損失を低減できる。特に、高周波信号の周波数が高い場合、ＦＲ－４等の汎用で安価な誘電体基板２０を用いると、損失がより大きくなるが、高周波回路１０は、サスペンデッド線路ＳＭＬを用いることによって、伝送損失を効果的に低減できる。

【0047】

この際、下部空隙部５０の高さＨ５０は、誘電体基板２０の厚みよりも大きいことが好ましい。これにより、高周波回路１０は、サスペンデッド線路ＳＭＬでの伝送損失をさらに抑制できる。

【0048】

そして、高周波回路１０では、接続部ＭＴＰの信号導体３００の幅は、マイクロストリップ線路ＭＳＬ側の第１端からサスペンデッド線路ＳＭＬ側の第２端に向かって、徐々に広くなる。これにより、接続部ＭＴＰにおいて、電界分布および伝送モードが急激に変化せず、徐々に変化する。したがって、高周波回路１０は、マイクロストリップ線路ＭＳＬとサスペンデッド線路ＳＭＬとの間の接続損失を抑制できる。

【0049】

さらに、高周波回路１０では、接続部ＭＴＰの下部空隙部５３の高さＨ５３は、マイクロストリップ線路ＭＳＬ側の第１端からサスペンデッド線路ＳＭＬ側の第２端に向かって、徐々に高くなる。これにより、接続部ＭＴＰにおいて、電界分布および伝送モードが急激に変化せず、徐々に変化する。したがって、高周波回路１０は、接続部ＭＴＰでの損失を抑制できる。

【0050】

さらに、高周波回路１０では、接続部ＭＴＰの下部空隙部５３の幅は、マイクロストリップ線路ＭＳＬ側の第１端からサスペンデッド線路ＳＭＬ側の第２端に向かって、徐々に広くなる。これにより、接続部ＭＴＰにおいて、電界分布および伝送モードが急激に変化せず、徐々に変化する。したがって、高周波回路１０は、接続部ＭＴＰでの損失を抑制できる。なお、接続部ＭＴＰの下部空隙部５３の幅は、サスペンデッド線路の信号導体３２の幅以上であってもよい。

【0051】

図３（Ａ）は、本願発明の高周波回路の電界分布を模式的に示した側面断面図であり、図３（Ｂ）は、比較構成の高周波回路の電界分布を模式的に示した側面断面図である。

【0052】

図４（Ａ）は、本願発明の高周波回路と比較構成の高周波回路とのＳ１１特性を示すグラフであり、図４（Ｂ）は、本願発明の高周波回路と比較構成の高周波回路とのＳ２１特性を示すグラフである。

【0053】

比較構成は、本願発明の接続部ＭＴＰを備えず、マイクロストリップ線路ＭＳＬとサスペンデッド線路ＳＭＬとを直接接続した構成である。

【0054】

図３（Ａ）、図３（Ｂ）に示すように、本願発明の高周波回路１０は、マイクロストリップ線路ＭＳＬとサスペンデッド線路ＳＭＬとが接続される箇所で、比較構成のような急激な電界分布の変化を抑制できる。

【0055】

これにより、本願発明の高周波回路１０は、比較構成よりも優れたＳ１１特性および優れたＳ２１特性を実現し、マイクロストリップ線路ＭＳＬとサスペンデッド線路ＳＭＬとの接続箇所における損失を低減できる。

【0056】

このような構成の高周波回路１０は、例えば、レーダ装置９０に適用される。図５（Ａ）は、レーダ装置の一部を示す平面図であり、図５（Ｂ）は、レーダ装置の一部を示す側面断面図である。

【0057】

図５（Ａ）に示すように、レーダ装置９０は、高周波回路１０、および、高周波素子９１を備える。高周波素子９１は、例えば、高出力の増幅器等であり、例えば、レーダの送信回路や受信回路に用いられる素子である。なお、高周波素子９１は、これに限らず、コンデンサ等の受動素子も含まれる。

【0058】

高周波素子９１は、マイクロストリップ線路ＭＳＬにおける信号導体３１に接続された端子導体３１１、３１２に実装される。また、高周波素子９１はグランド端子を備えており、グランド端子は、誘電体基板２０の第１面２０１に形成された端子導体３１３に実装される。端子導体３１３は、誘電体基板２０に形成されたビア導体を通じてグランド導体４１に接続される。

【0059】

このように、レーダ装置９０は、グランド端子を備える高周波素子９１を、マイクロストリップ線路ＭＳＬの箇所で実装する。これにより、レーダ装置９０は、グランド端子を備える高周波素子９１を高周波回路１０に確実に且つ容易に実装できる。

【0060】

また、レーダ装置９０は、高周波素子９１を実装しない部分では、サスペンデッド線路ＳＭＬを用いる。これにより、レーダ装置９０は、伝送損失を抑制し、高効率なレーダ装置を実現できる。この際、サスペンデッド線路ＳＭＬを用いる部分は、マイクロストリップ線路ＭＳＬを用いる部分よりも長いことが好ましい。これにより、レーダ装置９０は、伝送損失をさらに抑制し、さらに高効率なレーダ装置を実現できる。

【0061】

なお、本実施形態では、レーダ装置９０を例に示したが、電子部品が実装される高周波装置であれば、上述の高周波回路１０の構成を採用できる。これにより、高周波装置は、損失を低減でき、高周波装置としての特性を向上できる。

【0062】

なお、図示を省略しているが、金属筐体８１と金属筐体８２とは、誘電体基板２０、信号導体３１、信号導体３２、信号導体３００、グランド導体４１を内包するように、誘電体基板２０を挟んで固定される。これにより、金属筐体８１と金属筐体８２とは、後述するマイクロストリップ線路ＭＳＬ、サスペンデッド線路ＳＭＬ、および、接続部ＭＴＰと、金属筐体８１および金属筐体８２の外部との電磁界結合を抑制できる。

【0063】

また、上述の説明では、金属筐体８２を、サスペンデッド線路ＳＭＬにおいて信号導体３２に結合する金属層、接続部ＭＴＰにおいて信号導体３００に結合する金属層に用いる態様を示した。しかしながら、例えば、誘電体基板２０とは異なる誘電体基板に電極膜（金属膜）を形成し、この電極膜（金属膜）を金属層としてもよい。

【0064】

金属筐体８２を金属層とすることで、高周波回路１０を簡素な構成で実現できる。一方、誘電体基板を別途設けることで、サスペンデッド線路ＳＭＬの下部空隙部５０の高さ、接続部ＭＴＰの下部空隙部５３の高さを、金属筐体８２の形状に影響を与えず、設定できる。

【0065】

［第２の実施形態］
本発明の第２の実施形態に係る高周波回路について、図を参照して説明する。図６（Ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る高周波回路の一部を示す平面図であり、図６（Ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る高周波回路の一部を示す側面断面図である。

【0066】

図６（Ａ）、図６（Ｂ）に示すように、第２の実施形態に係る高周波回路１０Ａは、第１の実施形態に係る高周波回路１０に対して、接続部ＭＴＰＡを備える点で異なる。高周波回路１０Ａの他の構成は、高周波回路１０と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。

【0067】

高周波回路１０Ａは、接続部ＭＴＰＡを備える。接続部ＭＴＰＡは、信号導体３００Ａ、金属筐体８２Ａを備え、下部空隙部５３Ａを備える。

【0068】

信号導体３００Ａの幅は、信号導体３１へ接続する第１端から信号導体３２に接続する第２端に向かって離散的（段階的）に変化する。

【0069】

金属筐体８２Ａの第３部分の高さは、信号導体３１側の端部から信号導体３２側の端部に向かって離散的に低くなる。すなわち、下部空隙部５３Ａの高さＨ５３Ａは、下部空隙部５０に連通する側に向かって離散的に高くなる。

【0070】

また、下部空隙部５３Ａの幅は、下部空隙部５０に連通する側に向かって離散的に広くなる。

【0071】

このような構成によって、高周波回路１０Ａは、高周波回路１０と同様に、マイクロストリップ線路ＭＳＬとサスペンデッド線路ＳＭＬとの間の接続損失を抑制できる。

【0072】

なお、上述の各実施形態の構成は、適宜組み合わせることが可能であり、それぞれに組み合わせに応じた作用効果を奏することができる。

【符号の説明】

【0073】

１０、１０Ａ：高周波回路
２０：誘電体基板
３１、３２、３００、３００Ａ：信号導体
４１：グランド導体
５０、５３、５３Ａ：下部空隙部
８１、８２、８２Ａ：金属筐体
９０：レーダ装置
９１：高周波素子
２０１：第１面
２０２：第２面
３１１、３１３：端子導体
８００：上部空隙部
８２１、８２２、８２３：主面
ＭＳＬ：マイクロストリップ線路
ＭＴＰ、ＭＴＰＡ：接続部
ＳＭＬ：サスペンデッド線路

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】