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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024064119
(43)【公開日】2024-05-14
(54)【発明の名称】電解コンデンサの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01G 9/00 20060101AFI20240507BHJP
H01G 9/012 20060101ALI20240507BHJP
【ＦＩ】
H01G9/00 290E
H01G9/012 307
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022172473
(22)【出願日】2022-10-27
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110000914
【氏名又は名称】弁理士法人ＷｉｓｅＰｌｕｓ
(72)【発明者】
【氏名】ジャッキー ムアンカム
(72)【発明者】
【氏名】ワサン ブンルアンガード
(57)【要約】 （修正有）
【課題】端子部分の厚み不良を抑制できる電解コンデンサの製造方法を提供する。
【解決手段】電解コンデンサの製造方法は、封止体１１０と、電解コンデンサ素子の陽極及び陰極の一方と接続された第１リードフレーム１２０及び第２リードフレーム１３０と、を備えるワーク１００を準備する工程と、第１リードフレームの第１主面１２０ａ及び第２主面１２０ｂの少なくとも一方に段差部１５０を設ける工程と、段差部が設けられた第１リードフレームを上方に、かつ、第２リードフレームを下方にした状態で、上記低融点金属の融点より高く、かつ、Ｃｕの融点より低い温度でワークの熱処理を行う工程と、熱処理後に、封止体と段差部との間で第１リードフレームを切断する工程と、を含む。第１リードフレームは、Ｃｕから構成された基材を有するとともに、Ｃｕより融点が低い低融点金属から構成された低融点金属層を表面に有する。
【選択図】図７
【解決手段】電解コンデンサの製造方法は、封止体１１０と、電解コンデンサ素子の陽極及び陰極の一方と接続された第１リードフレーム１２０及び第２リードフレーム１３０と、を備えるワーク１００を準備する工程と、第１リードフレームの第１主面１２０ａ及び第２主面１２０ｂの少なくとも一方に段差部１５０を設ける工程と、段差部が設けられた第１リードフレームを上方に、かつ、第２リードフレームを下方にした状態で、上記低融点金属の融点より高く、かつ、Ｃｕの融点より低い温度でワークの熱処理を行う工程と、熱処理後に、封止体と段差部との間で第１リードフレームを切断する工程と、を含む。第１リードフレームは、Ｃｕから構成された基材を有するとともに、Ｃｕより融点が低い低融点金属から構成された低融点金属層を表面に有する。
【選択図】図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電解コンデンサ素子が封止された封止体と、前記電解コンデンサ素子の陽極及び陰極の一方と接続された第１リードフレームと、前記陽極及び前記陰極の他方と接続された第２リードフレームと、を備えるワークを準備する工程と、
前記第１リードフレームの第１主面及び第２主面の少なくとも一方に、前記第１リードフレームの幅方向に延在する少なくとも１本の段差部を設ける工程と、
前記ワークの熱処理を行う工程と、
前記熱処理後に前記第１リードフレームを切断する工程と、を含み、
前記第１リードフレームは、Ｃｕから構成された基材を有するとともに、Ｃｕより融点が低い低融点金属から構成された低融点金属層を表面に有し、
前記熱処理は、前記段差部が設けられた前記第１リードフレームを上方に、かつ前記第２リードフレームを下方にした状態で、前記低融点金属の融点より高く、かつＣｕの融点より低い温度で行い、
前記切断する工程では前記封止体と前記段差部との間で前記第１リードフレームを切断する、電解コンデンサの製造方法。
前記第１リードフレームの第１主面及び第２主面の少なくとも一方に、前記第１リードフレームの幅方向に延在する少なくとも１本の段差部を設ける工程と、
前記ワークの熱処理を行う工程と、
前記熱処理後に前記第１リードフレームを切断する工程と、を含み、
前記第１リードフレームは、Ｃｕから構成された基材を有するとともに、Ｃｕより融点が低い低融点金属から構成された低融点金属層を表面に有し、
前記熱処理は、前記段差部が設けられた前記第１リードフレームを上方に、かつ前記第２リードフレームを下方にした状態で、前記低融点金属の融点より高く、かつＣｕの融点より低い温度で行い、
前記切断する工程では前記封止体と前記段差部との間で前記第１リードフレームを切断する、電解コンデンサの製造方法。
【請求項2】
前記段差部として第１溝部を形成する、請求項１に記載の電解コンデンサの製造方法。
【請求項3】
前記低融点金属層にレーザを照射して溶融することにより、前記第１溝部を形成する、請求項２に記載の電解コンデンサの製造方法。
【請求項4】
前記低融点金属層は、前記低融点金属としてのＳｎから構成されたＳｎ層であり、
前記第１リードフレームは、前記基材と前記Ｓｎ層との間にＮｉから構成されたＮｉ層を有し、
前記Ｎｉ層の表面が露出するように前記Ｓｎ層を線状に除去することにより、前記第１溝部を形成する、請求項２又は３に記載の電解コンデンサの製造方法。
前記第１リードフレームは、前記基材と前記Ｓｎ層との間にＮｉから構成されたＮｉ層を有し、
前記Ｎｉ層の表面が露出するように前記Ｓｎ層を線状に除去することにより、前記第１溝部を形成する、請求項２又は３に記載の電解コンデンサの製造方法。
【請求項5】
前記段差部として突起部を形成する、請求項１又は２に記載の電解コンデンサの製造方法。
【請求項6】
前記第１リードフレームの前記第１主面及び前記第２主面に、それぞれ前記段差部を設ける、請求項１又は２に記載の電解コンデンサの製造方法。
【請求項7】
前記段差部と前記封止体との間において前記第１リードフレームの前記幅方向に第２溝部を形成し、
前記切断する工程では前記段差部と前記第２溝部との間で前記第１リードフレームを切断し、
切断された前記第１リードフレームを前記第２溝部に沿って折り曲げる工程をさらに含む、請求項１又は２に記載の電解コンデンサの製造方法。
前記切断する工程では前記段差部と前記第２溝部との間で前記第１リードフレームを切断し、
切断された前記第１リードフレームを前記第２溝部に沿って折り曲げる工程をさらに含む、請求項１又は２に記載の電解コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電解コンデンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、内部に複数のコンデンサ素子が設けられた絶縁性樹脂体と、各コンデンサ素子の陽極部及び陰極部にそれぞれ電気的に接続された一対の端子（リードフレーム）と、を備えた固体電解コンデンサが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】国際公開第２０２０／１７９１７０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に記載された上記固体電解コンデンサは、通常では以下のような工程を経て作製される。まず、複数のコンデンサ素子を作製する。続いて、複数のコンデンサ素子を積層するとともに、各コンデンサ素子の陰極部及び陽極部にそれぞれリードフレームを電気的に接続する。各リードフレームは、例えば、Ｃｕから構成された基材と、基材表面に形成されたＮｉ層と、Ｎｉ層表面に形成されたＳｎ層と、を有する。続いて、複数のコンデンサ素子を絶縁性樹脂で封止する。この段階ではまだリードフレームは折り曲げられておらず、絶縁性樹脂体から一方及び他方に向かって真っ直ぐに延在している。その後、一方のリードフレームを上方に、かつ他方のリードフレームを下方にした状態で、Ｓｎの融点より高く、かつＣｕの融点より低い温度で熱処理（エージング処理）を行う。これにより、品質が劣る個体をスクリーニングする。その後、各リードフレームを切断して不要部分を除去する。そして、切断された各リードフレームをそれぞれ折り曲げることによって一対の端子を形成する。
【0005】
このような製法では、熱処理の温度がＳｎの融点よりも高いため、熱処理中にＳｎが溶融し、Ｓｎが重力に従って下方に流れる。そのため、熱処理後、上方に位置するリードフレームでは、Ｓｎが絶縁性樹脂体付近に集まるため、当該リードフレームから形成された端子が厚くなってしまう。特に、当該端子の折り曲げ部周辺に偏ってＳｎが固化してしまうと最も悪く、折り曲げ時に製品の端子部分の厚み寸法の限度を超えてしまい、不良品になってしまうおそれがある。
【0006】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、端子部分の厚み不良を抑制できる電解コンデンサの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の電解コンデンサの製造方法は、電解コンデンサ素子が封止された封止体と、上記電解コンデンサ素子の陽極及び陰極の一方と接続された第１リードフレームと、上記陽極及び上記陰極の他方と接続された第２リードフレームと、を備えるワークを準備する工程と、上記第１リードフレームの第１主面及び第２主面の少なくとも一方に、上記第１リードフレームの幅方向に延在する少なくとも１本の段差部を設ける工程と、上記ワークの熱処理を行う工程と、上記熱処理後に上記第１リードフレームを切断する工程と、を含み、上記第１リードフレームは、Ｃｕから構成された基材を有するとともに、Ｃｕより融点が低い低融点金属から構成された低融点金属層を表面に有し、上記熱処理は、上記段差部が設けられた上記第１リードフレームを上方に、かつ上記第２リードフレームを下方にした状態で、上記低融点金属の融点より高く、かつＣｕの融点より低い温度で行い、上記切断する工程では上記封止体と上記段差部との間で上記第１リードフレームを切断する。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、端子部分の厚み不良を抑制できる電解コンデンサの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、電解コンデンサの製造方法について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
【0011】
（ワーク準備工程）
図１は、本発明の実施形態に係るワークの一例を模式的に示す平面図である。
図１は、本発明の実施形態に係るワークの一例を模式的に示す平面図である。
【0012】
図１に示すように、まず、ワーク１００を準備する。ワーク１００は、複数の封止体１１０と、第１リードフレームとしてのリードフレーム１２０と、第２リードフレームとしてのリードフレーム１３０と、を備えている。
【0013】
図２は、本発明の実施形態に係る封止体の一例を模式的に示す斜視図である。
【0014】
図２に示ように、各封止体１１０には電解コンデンサ素子としての固体電解コンデンサ素子１が複数封止されている。各固体電解コンデンサ素子１は、封止材１１１によって覆われている。
【0015】
図３は、図２に示す封止体のＡ－Ａ線断面図である。図２及び図３には、封止体１１０の長さ方向（長手方向）をＬ、幅方向をＷ、高さ方向をＴで示している。ここで、長さ方向Ｌと幅方向Ｗと高さ方向Ｔとは互いに直交している。
【0016】
封止体１１０は、複数の固体電解コンデンサ素子１が封止材１１１で封止されることによって形成されている。封止材１１１は、各固体電解コンデンサ素子１の全体とリードフレーム１２０の一部とリードフレーム１３０の一部とを覆うように形成されている。封止材１１１としては、例えば、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂が挙げられる。
【0017】
なお、封止体１１０に含まれる固体電解コンデンサ素子１の数は、１以上であれば特に限定されず、適宜設定可能である。
【0018】
封止体１１０は、略直方体状の外形を有している。封止体１１０は、高さ方向Ｔにおいて相対する第１主面１１０ａ及び第２主面１１０ｂ、幅方向Ｗにおいて相対する第１側面１１０ｃ及び第２側面１１０ｄ、並びに、長さ方向Ｌにおいて相対する第１端面１１０ｅ及び第２端面１１０ｆを有している。
【0019】
【0020】
固体電解コンデンサ素子１は、金属基体層１１と金属基体層１１上の多孔質層１２とを有し、陽極引き出し領域１３と陰極形成領域１４とを有する弁作用金属基体１０と、陰極形成領域１４において多孔質層１２の表面上に設けられた誘電体層（図３では図示せず）と、陰極形成領域１４において誘電体層を介して多孔質層１２上に設けられた固体電解質層３０と、固体電解質層３０上に形成された導電層４０と、陽極引き出し領域１３と陰極形成領域１４とを区画し、誘電体層を介して多孔質層１２上に設けられたマスク５０と、を備えている。
【0021】
陽極引き出し領域１３側において、各固体電解コンデンサ素子１の弁作用金属基体１０がリードフレーム１２０によってまとめられて、封止材１１１（封止体１１０）の外に引き出される。
【0022】
陰極形成領域１４側において、各固体電解コンデンサ素子１の導電層４０が電気的に接続されて、さらにリードフレーム１３０と電気的に接続されて、封止材１１１（封止体１１０）の外に引き出される。
【0023】
固体電解コンデンサ素子１における各構成について以下に詳しく説明する。
【0024】
弁作用金属基体１０は、平面視四角形状の薄膜（箔）であり、好ましくは、一対の長辺及び一対の短辺を有する平面視矩形状（短冊状）である。弁作用金属基体１０は、固体電解コンデンサ素子１の陽極６０として機能する。
【0025】
【0026】
弁作用金属基体１０は、図４に示したように、金属基体層１１と、複数の凹部が設けられた多孔質層１２とを有している。そのため、弁作用金属基体１０の各主面は、多孔質状になっている。これにより、弁作用金属基体１０の表面積が大きくなっている。なお、弁作用金属基体１０の両主面が多孔質状（多孔質層１２）である場合に限られず、弁作用金属基体１０の両主面の一方のみが多孔質状（多孔質層１２）であってもよい。
【0027】
金属基体層１１は、弁作用金属基体１０の芯金部であり、図３に示したように、その厚みは略一定である。
【0028】
弁作用金属基体１０は、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ジルコニウム等の金属単体、又は、これらの金属を含む合金等の弁作用金属によって構成されている。弁作用金属の表面には、酸化被膜を形成することができる。
【0029】
なお、弁作用金属基体１０は、金属基体層と当該金属基体層の少なくとも一方の主面に設けられた多孔質層とによって構成されていればよく、金属箔の表面をエッチングしたもの、金属箔の表面に多孔質状の微粉焼結体を形成したもの等を適宜採用することができる。
【0030】
誘電体層２０は、ここでは、弁作用金属基体１０の多孔質層１２の表面上に設けられている（図４参照）。ただし、誘電体層２０は、弁作用金属基体１０の両主面の少なくとも一方上に設けられていればよい。
【0031】
誘電体層２０は、弁作用金属基体１０の多孔質層１２の表面に設けられた酸化被膜によって構成されていることが好ましい。例えば、誘電体層２０は、アルミニウムの酸化物で構成されている。アルミニウムの酸化物は、弁作用金属基体の表面が陽極酸化処理されることにより形成される。
【0032】
マスク５０は、弁作用金属基体１０の１つの辺（好ましくは短辺）に沿って設けられた絶縁部材であり、固体電解コンデンサ素子１の陽極６０と陰極７０とを隔て、固体電解コンデンサ素子１の陽極６０及び陰極７０間の絶縁を確保している。マスク５０によって、弁作用金属基体１０は、陽極引き出し領域１３と陰極形成領域１４とに区画されている。
【0033】
図４に示すように、マスク５０は、弁作用金属基体１０（多孔質層１２）の複数の細孔（凹部）を充填するように設けられていることが好ましい。ただし、マスク５０によって誘電体層２０の外表面の一部が覆われていればよく、マスク５０によって充填されていない多孔質層１２の細孔（凹部）が存在していてもよい。
【0034】
マスク５０は、絶縁材料から構成されている。マスク５０は、例えば、絶縁性樹脂を含む組成物等のマスク材を塗布して形成される。絶縁性樹脂としては、例えば、ポリフェニルスルホン（ＰＰＳ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、シアン酸エステル樹脂、フッ素樹脂（テトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体等）、可溶性ポリイミドシロキサンとエポキシ樹脂からなる組成物、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、及び、それらの誘導体又は前駆体等が挙げられる。
【0035】
マスク材の塗布は、例えば、スクリーン印刷、ローラー転写、ディスペンサ、インクジェット印刷等により行うことができる。
【0036】
固体電解コンデンサ素子１は、誘電体層２０上に設けられた固体電解質層３０と、固体電解質層３０上に設けられた導電層４０と、を有しており、これらは、固体電解コンデンサ素子１の陰極７０として機能する。また、陰極７０は、マスク５０によって区画された弁作用金属基体１０の陰極形成領域１４において誘電体層２０上に設けられている。
【0037】
固体電解質層３０は、マスク５０によって区画された弁作用金属基体１０の陰極形成領域１４において誘電体層２０上に設けられている。図４に示すように、固体電解質層３０は、弁作用金属基体１０（多孔質層１２）の複数の細孔（凹部）を充填するように設けられていることが好ましい。ただし、固体電解質層３０によって誘電体層２０の外表面の一部が覆われていればよく、固体電解質層３０によって充填されていない多孔質層１２の細孔（凹部）が存在していてもよい。
【0038】
固体電解質層３０を構成する材料としては、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類等の導電性高分子等が用いられる。これらの中では、ポリチオフェン類が好ましく、ＰＥＤＯＴと呼ばれるポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）が特に好ましい。また、上記導電性高分子は、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等のドーパントを含んでいてもよい。
【0039】
固体電解質層３０は、例えば、３，４－エチレンジオキシチオフェン等の重合性モノマーの含有液を用いて、誘電体層２０の表面にポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）等の導電性高分子の重合膜を形成する方法や、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）等の導電性高分子の分散液を誘電体層２０の表面に塗布して乾燥させる方法等によって形成される。
【0040】
なお、弁作用金属基体１０の細孔（凹部）を充填する内層を形成した後、誘電体層２０全体を被覆する外層を形成することが好ましい。内層の形成は、例えば、浸漬法、電解重合、スポンジ転写、スクリーン印刷、ディスペンサ、インクジェット印刷等により行うことができる。同様に、外層の形成は、例えば、浸漬法、電解重合、スポンジ転写、スクリーン印刷、ディスペンサ、インクジェット印刷等により行うことができる。
【0041】
導電層４０は、固体電解質層３０上に設けられている。導電層４０は、固体電解質層３０の略全域を覆っており、マスク５０に接触している。なお、導電層４０は、マスク５０の少なくとも一部を覆うように配置されてもよいし、マスク５０に接触せずにマスク５０の手前まで配置されていてもよい。導電層４０は、略一定の厚さを有している。
【0042】
導電層４０は、例えば、カーボン層又は陰極導体層を含む。また、導電層４０は、カーボン層の外表面に陰極導体層が設けられた複合層や、カーボン及び陰極導体層材料を含む混合層であってもよい。
【0043】
カーボン層は、例えば、カーボン粒子と樹脂とを含むカーボンペーストを固体電解質層３０の表面に塗布して乾燥させる方法等によって形成される。
【0044】
カーボンペーストの塗布は、例えば、浸漬法、スポンジ転写、スクリーン印刷、スプレー塗布、ディスペンサ、インクジェット印刷等により行うことができる。
【0045】
陰極導体層は、例えば、金、銀、銅、白金等の金属粒子と樹脂とを含む導電性ペーストを固体電解質層又はカーボン層の表面に塗布して乾燥させる方法等によって形成される。陰極導体層は、銀層であることが好ましい。
【0046】
導電性ペーストの塗布は、例えば、浸漬法、スポンジ転写、スクリーン印刷、スプレー塗布、ディスペンサ、インクジェット印刷等により行うことができる。
【0047】
続いて、リードフレーム１２０及び１３０について以下に詳しく説明する。
【0048】
リードフレーム１２０及び１３０は、複数の封止体１１０を支持固定する金属薄板であり、各封止体１１０を実装する際の接続端子となる部品である。リードフレーム１２０及び１３０は、封止体１１０の第１主面１１０ａ及び第２主面１１０ｂと平行に設けられている。図３に示すように、リードフレーム１２０は、封止体１１０の第１主面１１０ａ側に第１主面１２０ａを、封止体１１０の第２主面１１０ｂ側に第２主面１２０ｂをそれぞれ有している。リードフレーム１３０も同様に、封止体１１０の第１主面１１０ａ側に第１主面１３０ａを、封止体１１０の第２主面１１０ｂ側に第２主面１３０ｂをそれぞれ有している。
【0049】
リードフレーム１２０は、各固体電解コンデンサ素子１の弁作用金属基体１０、すなわち陽極６０と接続されている。より詳細には、図１に示すように、リードフレーム１２０は、複数の封止体１１０に対応して設けられた複数の陽極端子部１２１と、複数の陽極端子部１２１を支持する連結部１２２と、を有している。各陽極端子部１２１は、固体電解コンデンサの陽極端子を形成するための部分であり、対応する封止体１１０に含まれる固体電解コンデンサ素子１の陽極６０と接続されている。また、各陽極端子部１２１は、例えば平面視矩形状に形成されており、対応する封止体１１０（第１端面１１０ｅ）から一方に向かって真っ直ぐに延在している。連結部１２２は、複数の陽極端子部１２１に接続されており、リードフレーム１２０の幅方向ｗ１に延在している。リードフレーム１２０の幅方向ｗ１とは、複数の陽極端子部１２１の幅方向であり、陽極端子部１２１の幅方向とは、陽極端子部１２１の延在方向（封止体１１０から離れる方向）に直交する方向である。
【0050】
リードフレーム１３０は、各固体電解コンデンサ素子１の導電層４０、すなわち陰極７０と接続されている。より詳細には、図１に示すように、リードフレーム１３０は、複数の封止体１１０に対応して設けられた複数の陰極端子部１３１と、複数の陰極端子部１３１を支持する連結部１３２と、を有している。各陰極端子部１３１は、固体電解コンデンサの陰極端子を形成するための部分であり、対応する封止体１１０に含まれる固体電解コンデンサ素子１の陰極７０と接続されている。また、各陰極端子部１３１は、例えば平面視矩形状に形成されており、対応する封止体１１０（第２端面１１０ｆ）から他方に向かって真っ直ぐに延在している。連結部１３２は、複数の陰極端子部１３１に接続されており、リードフレーム１３０の幅方向ｗ２に延在している。リードフレーム１３０の幅方向ｗ２とは、複数の陰極端子部１３１の幅方向であり、陰極端子部１３１の幅方向とは、陰極端子部１３１の延在方向（封止体１１０から離れる方向）に直交する方向である。
【0051】
図５は、図１に示すワークのＡ－Ａ線断面図である。なお、図５では封止体１１０の内部構造の図示は省略している。また、リードフレーム１３０は、図５に示すリードフレーム１２０の断面構造と同様の断面構造を有しているため、その図面を省略する。
【0052】
図５に示すように、リードフレーム１２０及び１３０は、各々、Ｃｕ（銅）から構成された基材（以下、Ｃｕ基材という）１４０を有するとともに、低融点金属層としてのＳｎ層１４１を表面に有している。Ｓｎ層１４１は、Ｃｕより融点が低い低融点金属としてのＳｎ（すず）から構成されている。
【0053】
このように、低融点金属層としては、Ｓｎ層１４１が好適であり、リードフレーム１２０及び１３０は、Ｃｕ基材１４０とＳｎ層１４１との間にＮｉ（ニッケル）から構成されたＮｉ層１４２を有することが好ましい。すなわち、リードフレーム１２０及び１３０は、各々、Ｃｕ基材１４０と、Ｃｕ基材１４０の表面に形成されたＮｉ層１４２と、Ｎｉ層１４２の表面に形成されたＳｎ層１４１と、を有することが好ましい。これにより、後述するように、段差部としての機能を効果的に発揮する溝部をレーザ照射によって形成することができる。また、Ｓｎ層１４１は、はんだに対する濡れ性を向上することができる。さらに、Ｎｉ層１４２は、Ｃｕ基材１４０とＳｎ層１４１との反応を防止するバリアー層として機能する。
【0054】
Ｃｕ基材１４０は、例えば、Ｃｕ薄板をレーザ加工又は打ち抜き加工することによって形成することができる。Ｓｎ層１４１及びＮｉ層１４２は、それぞれ、例えば、めっき法により形成可能である。
【0055】
Ｃｕ基材１４０の厚みは、９０μｍ以上、１１０μｍ以下であることが好ましい。
【0056】
Ｓｎ層１４１の厚みは、５．０μｍ以上、７．０μｍ以下であることが好ましい。
【0057】
Ｎｉ層１４２の厚みは、０．５μｍ以上、２．０μｍ以下であることが好ましい。
【0058】
（段差部形成工程）
図６は、図１に示すワークのリードフレームに段差部を設ける工程の一例を模式的に示す平面図である。図７は、図１に示すワークのリードフレームに段差部を設ける工程の一例を模式的に示す断面図である。なお、図７は、図１に示すワークのＢ－Ｂ線断面図に相当する。また、図７では封止体１１０の内部構造の図示は省略している。
図６は、図１に示すワークのリードフレームに段差部を設ける工程の一例を模式的に示す平面図である。図７は、図１に示すワークのリードフレームに段差部を設ける工程の一例を模式的に示す断面図である。なお、図７は、図１に示すワークのＢ－Ｂ線断面図に相当する。また、図７では封止体１１０の内部構造の図示は省略している。
【0059】
図６及び図７に示すように、続いて、リードフレーム１２０の第２主面１２０ｂに、リードフレーム１２０の幅方向ｗ１に延在する段差部１５０を設ける。より詳細には、各陽極端子部１２１においてリードフレーム１２０の第２主面１２０ｂに、リードフレーム１２０の幅方向ｗ１、すなわち陽極端子部１２１の幅方向に延在する段差部１５０を設ける。段差部１５０は、幅方向ｗ１において陽極端子部１２１の一端から他端まで形成されている。リードフレーム１２０の幅方向ｗ１は、封止体１１０の幅方向Ｗと平行であってもよい。
【0060】
段差部１５０としては溝部（第１溝部）１５１を形成することが好ましい。すなわち、リードフレーム１２０の表面に線状の凹条部を形成することが好ましい。
【0061】
図８は、Ｓｎ層にレーザを照射することによって形成された溝部の一例を模式的に示す断面図である。
【0062】
溝部１５１は、リードフレーム１２０に形成されたスクラッチ部であってもよい。具体的には、溝部１５１は、例えば、リードフレーム１２０の表面を機械的に削ることによって形成してもよいが、図８に示すように、Ｓｎ層１４１に、すなわち低融点金属層にレーザを照射して溶融することにより形成することが好ましい。これにより、後述する熱処理工程においてＳｎが溶融して流動してもＳｎを溝部１５１にて効果的にせき止めることができる。これは、レーザ照射によって新たに形成されたＳｎ層１４１及びＮｉ層１４２の表面が酸化して酸化物層（例えばＳｎＯ層とＮｉ２Ｏ３層）が形成されるが、通常は異なる酸化物同士の濡れ性が小さいためであると考えられる。
【0063】
このような観点から、Ｎｉ層１４２の表面が露出するようにＳｎ層１４１を線状に除去することにより、溝部１５１を形成することが好ましい。これにより、図８に示すように、底面がＮｉ層１４２から構成され、側面がＳｎ層１４１から構成された溝部１５１が形成されることになるため、上述のようにＳｎ層１４１及びＮｉ層１４２の酸化物層によってＳｎの流動を効果的にせき止めることができる。
【0064】
レーザとしては、例えば、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザ等の固体レーザを用いることができる。
レーザの照射条件は、特に限定されず、適宜設定可能であるが、Ｓｎ層１４１のみが溶融し、Ｎｉ層１４２及びＣｕ基材１４０は溶融しない条件であることが好ましい。ここで、Ｓｎの融点は、２３１℃であり、Ｎｉの融点は、１４５５℃であり、Ｃｕの融点は、１０８５℃であるため、上記レーザ照射により、リードフレーム１２０の表面温度を２３１℃より高く、１０８５℃より低い温度に加熱することが好ましい。
レーザの照射条件は、特に限定されず、適宜設定可能であるが、Ｓｎ層１４１のみが溶融し、Ｎｉ層１４２及びＣｕ基材１４０は溶融しない条件であることが好ましい。ここで、Ｓｎの融点は、２３１℃であり、Ｎｉの融点は、１４５５℃であり、Ｃｕの融点は、１０８５℃であるため、上記レーザ照射により、リードフレーム１２０の表面温度を２３１℃より高く、１０８５℃より低い温度に加熱することが好ましい。
【0065】
具体的には、レーザの出力は、４．５Ｗ以上、６．５Ｗ以下であることが好ましい。
【0066】
レーザのスキャン速度は、３００ｍｍ／ｓとした。
【0067】
レーザの周波数は、２０ｋＨｚとした。
【0068】
図９は、図１に示すワークのリードフレームに段差部を設ける工程の別の例を模式的に示す断面図である。なお、図９は、図１に示すワークのＢ－Ｂ線断面図に相当する。また、図９では封止体１１０の内部構造の図示は省略している。
【0069】
段差部１５０が形成される面は、リードフレーム１２０の第１主面１２０ａ及び／又は第２主面１２０ｂであれば特に限定されず、例えば、図９に示すように、リードフレーム１２０の第１主面１２０ａ及び第２主面１２０ｂにそれぞれ段差部１５０を形成してもよい。この場合、第１主面１２０ａ側の段差部１５０と第２主面１２０ｂ側の段差部１５０とは、実質的に同じ場所に形成してもよいし、互いに異なる場所に形成してもよい。
【0070】
なお、ここでは、各陽極端子部１２１の１つの主面当たり１本の段差部１５０を設ける場合について説明したが、各陽極端子部１２１の１つの主面当たり２本以上の段差部１５０を設けてもよい。
【0071】
また、ここでは、段差部１５０が直線状である場合について説明したが、段差部１５０の平面形状は特に限定されず、例えば、円弧状や波線状等の曲線状であってもよいし、ジグザグ線状等の折れ線状であってもよい。
【0072】
（熱処理工程）
続いて、ワーク１００の熱処理（エージング処理）を行う。詳細には、図６に示したように、段差部１５０が設けられたリードフレーム１２０を上方に、かつリードフレーム１３０を下方にした状態で、Ｓｎの融点、すなわち低融点金属の融点より高く、かつＣｕの融点より低い温度で、ワーク１００の熱処理を行う。すなわち、熱処理中、リードフレーム１２０、封止体１１０及びリードフレーム１２０は、鉛直方向にこの順に配置される。これにより、品質が劣る個体をスクリーニングする。
続いて、ワーク１００の熱処理（エージング処理）を行う。詳細には、図６に示したように、段差部１５０が設けられたリードフレーム１２０を上方に、かつリードフレーム１３０を下方にした状態で、Ｓｎの融点、すなわち低融点金属の融点より高く、かつＣｕの融点より低い温度で、ワーク１００の熱処理を行う。すなわち、熱処理中、リードフレーム１２０、封止体１１０及びリードフレーム１２０は、鉛直方向にこの順に配置される。これにより、品質が劣る個体をスクリーニングする。
【0073】
熱処理のピーク温度は、２６０℃以上、２７０℃以下であることが好ましい。
【0074】
熱処理の時間は、１５０℃以上、２００℃以下の時間が６０秒以上、１２０秒以下であることが好ましく、２１７℃以上の時間が６０秒以上、１５０秒以下であることが好ましい。
【0075】
【0076】
図１０及び図１１に示すように、熱処理工程では、熱処理の温度が低融点金属であるＳｎの融点よりも高いため、熱処理中にＳｎが溶融し、Ｓｎ層１４１を構成するＳｎが重力に従って下方に流れる。しかしながら、リードフレーム１２０には段差部１５０が設けられているため、当該段差部１５０にてＳｎの流れをせき止めることができる（図１０及び図１１中のＳｎ１４１ａ参照）。すなわち、上方に位置するリードフレーム１２０では、封止体１１０付近に集まるＳｎ（低融点金属）の量を段差部１５０がない場合に比べて少なくすることができる（図１０及び図１１中のＳｎ１４１ｂ参照）。その結果、リードフレーム１２０から形成される端子、ここでは陽極端子の厚みを低減でき、作製される固体電解コンデンサの陽極端子部分の厚み不良を抑制することができる。
【0077】
なお、リードフレーム１３０については、熱処理工程において封止体１１０の下方に位置することから、Ｓｎ層１４１を構成するＳｎが重力に従って下方に流れても、そのＳｎが封止体１１０付近に集まらない。したがって、リードフレーム１３０にはリードフレーム１２０のように段差部を設けなくてもよい。
【0078】
【0079】
続いて、図１２及び図１３に示すように、熱処理後にリードフレーム１２０及び１３０を切断する。より詳細には、リードフレーム１２０を、各封止体１１０と各段差部１５０との間で切断する。すなわち、各陽極端子部１２１を、対応する封止体１１０と、その陽極端子部１２１に設けられた段差部１５０との間で切断する。また、各陰極端子部１３１を、対応する陽極端子部１２１と同じ長さになるように切断する。これにより、リードフレーム１２０及び１３０の連結部１２２及び連結部１３２（図１参照）等の不要部分を除去する。
【0080】
【0081】
最後に、図１４に示すように、切断されたリードフレーム１２０及び１３０をそれぞれ折り曲げる。より詳細には、各封止体１１０について、陽極端子部１２１を略中央部にて略９０°折り曲げ、その後、陽極端子部１２１を根元部にて略９０°折り曲げる。これにより、封止体１１０に沿って陽極端子１２３が形成される。陰極端子部１３１についても同様に折り曲げることによって陰極端子１３３が形成される。この結果、固体電解コンデンサ１６０が完成する。
【0082】
本実施形態では、溶融したＳｎ（低融点金属）に起因する陽極端子１２３の厚みの増加を抑制できることから、陽極端子１２３が存在する領域における固体電解コンデンサ１６０の厚み不良を抑制することができる。
【0083】
以下、本実施形態の他の変形例について説明する。
【0084】
図１５は、図１に示すワークのリードフレームに第２溝部を設ける工程の一例を模式的に示す平面図である。図１６は、図１に示すワークのリードフレームに第２溝部を設ける工程の一例を模式的に示す断面図である。なお、図１６は、図１に示すワークのＢ－Ｂ線断面図に相当する。また、図１６では封止体１１０の内部構造の図示は省略している。
【0085】
図１５及び図１６に示すように、段差部形成工程において、段差部１５０と封止体１１０との間においてリードフレーム１２０の幅方向ｗ１に第２溝部１５２（線状の凹条部）を形成してもよい。より詳細には、各陽極端子部１２１においてリードフレーム１２０の第１主面１２０ａに、リードフレーム１２０の幅方向ｗ１、すなわち陽極端子部１２１の幅方向に延在する直線状の第２溝部１５２を設ける。これにより、第２溝部１５２が、封止体１１０の幅方向Ｗと平行に形成される。また、第２溝部１５２は、幅方向ｗ１において陽極端子部１２１の一端から他端まで形成されている。第２溝部１５２は、リードフレーム１２０を折り曲げたときに封止体１１０の第２主面１１０ｂと第１端面１１０ｅとが交わる稜線部に沿う位置に形成されている。
【0086】
第２溝部１５２は、例えば、リードフレーム１２０の表面を機械的に削ることによって形成してもよいが、溝部（第１溝部）１５１と同様にして、Ｓｎ層１４１に、すなわち低融点金属層にレーザを照射して溶融することにより形成することが好ましい。より詳細には、Ｎｉ層１４２の表面が露出するようにＳｎ層１４１を線状に除去することにより、第２溝部１５２を形成することが好ましい。
【0087】
【0088】
その後、図１７に示すように、熱処理工程を経た切断工程において、段差部１５０と第２溝部１５２との間でリードフレーム１２０を切断してもよい。より詳細には、各陽極端子部１２１を、その陽極端子部１２１に設けられた段差部１５０と第２溝部１５２との間で切断する。
【0089】
なお、第２溝部１５２は、熱処理工程において、段差部１５０と同様に、低融点金属であるＳｎの流れをせき止める作用も有している（図１７中のＳｎ１４１ｃ参照）。
【0090】
【0091】
そして、図１８に示すように、端子形成工程において、切断されたリードフレーム１２０を第２溝部１５２に沿って折り曲げてもよい。第２溝部１５２ではリードフレーム１２０が薄いため、容易に曲げ加工を実施することができる。より詳細には、各封止体１１０について、陽極端子部１２１を第２溝部１５２（通常、陽極端子部１２１の略中央部）にて略９０°折り曲げ、その後、陽極端子部１２１を根元部にて略９０°折り曲げる。
【0092】
なお、ここでは、リードフレーム１２０の第１主面１２０ａに、すなわちリードフレーム１２０の折り曲げる方向と反対側に位置する主面に第２溝部１５２を設ける場合について説明したが、第２溝部１５２は、リードフレーム１２０の折り曲げる方の主面、すなわち第２主面１２０ｂに設けてもよい。
【0093】
また、リードフレーム１３０にも同様に折り曲げ用の溝部を設けてもよい。
【0094】
図１９は、図１に示すワークのリードフレームに段差部を設ける工程のさらに別の例を模式的に示す断面図である。なお、図１９は、図１に示すワークのＢ－Ｂ線断面図に相当する。また、図１９では封止体１１０の内部構造の図示は省略している。
【0095】
図１９に示すように、段差部１５０として、突起部１５３を形成してもよい。例えば、リードフレーム１２０の表面に線状の凸条部を形成してもよい。これによっても、熱処理工程において、突起部１５３によって、低融点金属であるＳｎの流れをせき止めることができる。
【0096】
突起部１５３は、例えば、Ｃｕ基材１４０の厚みを局所的に厚くすることによって形成してもよい。また、は、Ｃｕ基材１４０を一方からプレスして他方に突出させることによって、突起部１５３とともにその反対側に溝部を同時に形成してもよい。この場合、突起部１５３と溝部がともに段差部１５０として機能する。
【0097】
このように、段差部１５０として、１本以上の溝部と、１本以上の突起部とを併用してもよい。
【0098】
上記実施形態では、固体電解コンデンサ素子１の陽極６０に接続されたリードフレーム１２０に段差部１５０を設け、リードフレーム１２０を上方に、かつ固体電解コンデンサ素子１の陰極７０に接続されたリードフレーム１３０を下方にした状態で、ワーク１００の熱処理を行う場合について説明したが、ワーク１００を上下反転した状態で、すなわち固体電解コンデンサ素子１の陰極７０に接続されたリードフレーム１３０を上方に、かつ固体電解コンデンサ素子１の陽極６０に接続されたリードフレーム１２０を下方にした状態で、ワーク１００の熱処理を行ってもよい。この場合は、リードフレーム１３０に段差部１５０を設ければよい。
【0099】
また、上記実施形態では、電解コンデンサ素子として、電解質材料として導電性高分子を用いた固体電解コンデンサである場合について説明したが、本発明における電解コンデンサ素子は、電解質材料として電解液を用いる電解コンデンサ素子であってもよいし、電解質材料として、導電性高分子等の固体電解質とともに電解液を用いる、いわゆるハイブリッド型の電解コンデンサ素子であってもよい。
【0100】
（比較形態）
図２０は、本発明の比較形態に係るワークの一例を模式的に示す平面図である。
図２０は、本発明の比較形態に係るワークの一例を模式的に示す平面図である。
【0101】
【0102】
続いて、上記実施形態と同様に、ワーク１００Ａの熱処理（エージング処理）を行う。
【0103】
図２１は、図２０に示すワークの熱処理後の一例を模式的に示す平面図である。図２２は、図２０に示すワークの熱処理後の一例を模式的に示す断面図である。図２３は、図２２に示すワークのリードフレームを折り曲げる工程の一例を模式的に示す断面図である。
【0104】
本比較形態では、段差部１５０が設けられていないワーク１００Ａをそのまま熱処理するため、熱処理中にＳｎが溶融し、Ｓｎが重力に従って下方に流れる。そのため、熱処理後、上方に位置するリードフレーム１２０では、Ｓｎが封止体１１０付近に多く集まる（図２１及び図２２中のＳｎ１４１ｄ参照）。その結果、図２３に示すように、リードフレーム１２０から形成される端子、ここでは陽極端子１２３の厚みが大きくなり、作製される固体電解コンデンサ１６０Ａの陽極端子部分の厚み不良が発生するおそれがある。
【0105】
本明細書には、以下の内容が開示されている。
【0106】
＜１＞
電解コンデンサ素子が封止された封止体と、前記電解コンデンサ素子の陽極及び陰極の一方と接続された第１リードフレームと、前記陽極及び前記陰極の他方と接続された第２リードフレームと、を備えるワークを準備する工程と、
前記第１リードフレームの第１主面及び第２主面の少なくとも一方に、前記第１リードフレームの幅方向に延在する少なくとも１本の段差部を設ける工程と、
前記ワークの熱処理を行う工程と、
前記熱処理後に前記第１リードフレームを切断する工程と、を含み、
前記第１リードフレームは、Ｃｕから構成された基材を有するとともに、Ｃｕより融点が低い低融点金属から構成された低融点金属層を表面に有し、
前記熱処理は、前記段差部が設けられた前記第１リードフレームを上方に、かつ前記第２リードフレームを下方にした状態で、前記低融点金属の融点より高く、かつＣｕの融点より低い温度で行い、
前記切断する工程では前記封止体と前記段差部との間で前記第１リードフレームを切断する、電解コンデンサの製造方法。
電解コンデンサ素子が封止された封止体と、前記電解コンデンサ素子の陽極及び陰極の一方と接続された第１リードフレームと、前記陽極及び前記陰極の他方と接続された第２リードフレームと、を備えるワークを準備する工程と、
前記第１リードフレームの第１主面及び第２主面の少なくとも一方に、前記第１リードフレームの幅方向に延在する少なくとも１本の段差部を設ける工程と、
前記ワークの熱処理を行う工程と、
前記熱処理後に前記第１リードフレームを切断する工程と、を含み、
前記第１リードフレームは、Ｃｕから構成された基材を有するとともに、Ｃｕより融点が低い低融点金属から構成された低融点金属層を表面に有し、
前記熱処理は、前記段差部が設けられた前記第１リードフレームを上方に、かつ前記第２リードフレームを下方にした状態で、前記低融点金属の融点より高く、かつＣｕの融点より低い温度で行い、
前記切断する工程では前記封止体と前記段差部との間で前記第１リードフレームを切断する、電解コンデンサの製造方法。
【0107】
＜２＞
前記段差部として第１溝部を形成する、＜１＞に記載の電解コンデンサの製造方法。
前記段差部として第１溝部を形成する、＜１＞に記載の電解コンデンサの製造方法。
【0108】
＜３＞
前記低融点金属層にレーザを照射して溶融することにより、前記第１溝部を形成する、＜２＞に記載の電解コンデンサの製造方法。
前記低融点金属層にレーザを照射して溶融することにより、前記第１溝部を形成する、＜２＞に記載の電解コンデンサの製造方法。
【0109】
＜４＞
前記低融点金属層は、前記低融点金属としてのＳｎから構成されたＳｎ層であり、
前記第１リードフレームは、前記基材と前記Ｓｎ層との間にＮｉから構成されたＮｉ層を有し、
前記Ｎｉ層の表面が露出するように前記Ｓｎ層を線状に除去することにより、前記第１溝部を形成する、＜２＞又は＜３＞に記載の電解コンデンサの製造方法。
前記低融点金属層は、前記低融点金属としてのＳｎから構成されたＳｎ層であり、
前記第１リードフレームは、前記基材と前記Ｓｎ層との間にＮｉから構成されたＮｉ層を有し、
前記Ｎｉ層の表面が露出するように前記Ｓｎ層を線状に除去することにより、前記第１溝部を形成する、＜２＞又は＜３＞に記載の電解コンデンサの製造方法。
【0110】
＜５＞
前記段差部として突起部を形成する、＜１＞から＜４＞のいずれか１つに記載の電解コンデンサの製造方法。
前記段差部として突起部を形成する、＜１＞から＜４＞のいずれか１つに記載の電解コンデンサの製造方法。
【0111】
＜６＞
前記第１リードフレームの前記第１主面及び前記第２主面に、それぞれ前記段差部を設ける、＜１＞から＜５＞のいずれか１つに記載の電解コンデンサの製造方法。
前記第１リードフレームの前記第１主面及び前記第２主面に、それぞれ前記段差部を設ける、＜１＞から＜５＞のいずれか１つに記載の電解コンデンサの製造方法。
【0112】
＜７＞
前記段差部と前記封止体との間において前記第１リードフレームの前記幅方向に第２溝部を形成し、
前記切断する工程では前記段差部と前記第２溝部との間で前記第１リードフレームを切断し、
切断された前記第１リードフレームを前記第２溝部に沿って折り曲げる工程をさらに含む、＜１＞から＜６＞のいずれか１つに記載の電解コンデンサの製造方法。
前記段差部と前記封止体との間において前記第１リードフレームの前記幅方向に第２溝部を形成し、
前記切断する工程では前記段差部と前記第２溝部との間で前記第１リードフレームを切断し、
切断された前記第１リードフレームを前記第２溝部に沿って折り曲げる工程をさらに含む、＜１＞から＜６＞のいずれか１つに記載の電解コンデンサの製造方法。
【実施例0113】
以下、本発明の電解コンデンサの製造方法をより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
【0114】
（実施例１）
実施例１では、図１に示した上記実施形態に係るワーク１００と同様のワークを準備した。すなわち、このワークは、複数の封止体と、第１リードフレームと、第２リードフレームと、を備え、各封止体には複数の固体電解コンデンサ素子が封止され、各第１リードフレームは、対応する封止体の各固体電解コンデンサ素子の陽極に接続され、各第２リードフレームは、対応する封止体の各固体電解コンデンサ素子の陰極に接続されていた。第１リードフレーム及び第２リードフレームは、各々、Ｃｕ基材と、Ｃｕ基材の表面に形成されたＮｉ層と、Ｎｉ層の表面に形成されたＳｎ層と、を有していた。
実施例１では、図１に示した上記実施形態に係るワーク１００と同様のワークを準備した。すなわち、このワークは、複数の封止体と、第１リードフレームと、第２リードフレームと、を備え、各封止体には複数の固体電解コンデンサ素子が封止され、各第１リードフレームは、対応する封止体の各固体電解コンデンサ素子の陽極に接続され、各第２リードフレームは、対応する封止体の各固体電解コンデンサ素子の陰極に接続されていた。第１リードフレーム及び第２リードフレームは、各々、Ｃｕ基材と、Ｃｕ基材の表面に形成されたＮｉ層と、Ｎｉ層の表面に形成されたＳｎ層と、を有していた。
【0115】
そして、第１リードフレームの各陽極端子部の一方の主面にレーザを照射して、陽極端子部の幅方向に直線状に溝部を形成した。レーザの照射条件は、出力：５．５±０．１Ｗ、スキャン速度：３００ｍｍ／ｓ、周波数：２０ｋＨｚとした。この結果、図８に示したように、Ｓｎ層を溶融除去してＮｉ層の表面を露出させ、直線状の溝部を形成した。このとき、Ｎｉ層とＣｕ基材とはレーザ照射による影響を受けなかった。
【0116】
続いて、第１リードフレームを上方に、かつ第２リードフレームを下方にした状態で、ピーク温度を２６０℃以上、２７０℃以下とし、１５０℃以上、２００℃以下の時間を６０秒以上、１２０秒以下、２１７℃以上の時間を６０秒以上、１２０秒以下として、ワークの熱処理を行った。
【0117】
その後、第１リードフレーム及び第２リードフレームを切断した。より詳細には、各陽極端子部を、対応する封止体と、その陽極端子部に設けられた段差部との間で切断した。また、各陰極端子部を、対応する陽極端子部と同じ長さになるように切断した。
【0118】
そして、切断された第１リードフレーム及び第２リードフレームをそれぞれ折り曲げることによって陽極端子及び陰極端子を形成し、実施例１の固体電解コンデンサを作製した。
【0119】
（実施例２）
第１リードフレームの各陽極端子部の２つの主面にレーザをそれぞれ照射して、各主面に直線状に溝部を形成したことを除いて、実施例１と同様にして、実施例２の固体電解コンデンサを作製した。溝部は、各主面上の同じ場所に形成した。
第１リードフレームの各陽極端子部の２つの主面にレーザをそれぞれ照射して、各主面に直線状に溝部を形成したことを除いて、実施例１と同様にして、実施例２の固体電解コンデンサを作製した。溝部は、各主面上の同じ場所に形成した。
【0120】
（比較例１）
第１リードフレームの各陽極端子部に溝部を形成しなかったことを除いて、実施例１と同様にして、比較例１の固体電解コンデンサを作製した。
第１リードフレームの各陽極端子部に溝部を形成しなかったことを除いて、実施例１と同様にして、比較例１の固体電解コンデンサを作製した。
【0121】
（陽極端子部の厚み測定）
実施例１、２及び比較例１に係る固体電解コンデンサについて、熱処理後の複数（具体的には３２個）の陽極端子部について、封止体近傍（図１０中のＰ点）において、その厚みを測定した。結果を下記表１及び図２４に示す。
実施例１、２及び比較例１に係る固体電解コンデンサについて、熱処理後の複数（具体的には３２個）の陽極端子部について、封止体近傍（図１０中のＰ点）において、その厚みを測定した。結果を下記表１及び図２４に示す。
【0122】
図２４は、実施例１、２及び比較例１の熱処理後の陽極端子部の厚みの分布を示すグラフである。
【0123】
【表1】
【0124】
ここでの陽極端子部の厚みターゲットは１７０μｍ以下であったが、第１リードフレームの片面又は両面に溝部を形成した実施例１、２では、厚みターゲットを達成することができた。一方、溝部を形成しなかった比較例１では、厚みターゲットを達成できなかった。
【0125】
（不良品率の算出）
実施例１、２及び比較例１に係る固体電解コンデンサについて、陽極端子不良品の不良品率を算出した。なお、陽極端子不良品とは、陽極端子部分での固体電解コンデンサの厚み方向の寸法がターゲットを超過した寸法不良となったものである。ここでは、各実施例及び比較例について、１６０個の固体電解コンデンサを作製し、そのうちの陽極端子不良品の割合を算出した。
実施例１、２及び比較例１に係る固体電解コンデンサについて、陽極端子不良品の不良品率を算出した。なお、陽極端子不良品とは、陽極端子部分での固体電解コンデンサの厚み方向の寸法がターゲットを超過した寸法不良となったものである。ここでは、各実施例及び比較例について、１６０個の固体電解コンデンサを作製し、そのうちの陽極端子不良品の割合を算出した。
【0126】
図２５は、実施例１、２及び比較例１の陽極端子不良品の不良品率を示すグラフである。
【0127】
図２５に示すように、実施例１、２では、不良品率を低くでき、特に第１リードフレームの両面に溝部を形成した実施例２では、不良品率を０％とすることができた。一方、溝部を形成しなかった比較例１では、３０％を超える大きな不良品率となった。
【0128】
【0129】
【符号の説明】
【0130】
１ 固体電解コンデンサ素子
１０ 弁作用金属基体
１１ 金属基体層
１２ 多孔質層
１３ 陽極引き出し領域
１４ 陰極形成領域
２０ 誘電体層
３０ 固体電解質層
４０ 導電層
５０ マスク
６０ 陽極
７０ 陰極
１００ ワーク
１１０ 封止体
１１０ａ 封止体の第１主面
１１０ｂ 封止体の第２主面
１１０ｃ 封止体の第１側面
１１０ｄ 封止体の第２側面
１１０ｅ 封止体の第１端面
１１０ｆ 封止体の第２端面
１１１ 封止材
１２０、１３０ リードフレーム
１２０ａ、１３０ａ リードフレームの第１主面
１２０ｂ、１３０ｂ リードフレームの第２主面
１２１ 陽極端子部
１２２、１３２ 連結部
１２３ 陽極端子
１３１ 陰極端子部
１３３ 陰極端子
１４０ 基材（Ｃｕ基材）
１４１ Ｓｎ層
１４１ａ、１４１ｂ、１４１ｃ Ｓｎ
１４２ Ｎｉ層
１５０ 段差部
１５１ 溝部（第１溝部）
１５２ 第２溝部
１５３ 突起部
１６０、１６０Ａ 固体電解コンデンサ
１０ 弁作用金属基体
１１ 金属基体層
１２ 多孔質層
１３ 陽極引き出し領域
１４ 陰極形成領域
２０ 誘電体層
３０ 固体電解質層
４０ 導電層
５０ マスク
６０ 陽極
７０ 陰極
１００ ワーク
１１０ 封止体
１１０ａ 封止体の第１主面
１１０ｂ 封止体の第２主面
１１０ｃ 封止体の第１側面
１１０ｄ 封止体の第２側面
１１０ｅ 封止体の第１端面
１１０ｆ 封止体の第２端面
１１１ 封止材
１２０、１３０ リードフレーム
１２０ａ、１３０ａ リードフレームの第１主面
１２０ｂ、１３０ｂ リードフレームの第２主面
１２１ 陽極端子部
１２２、１３２ 連結部
１２３ 陽極端子
１３１ 陰極端子部
１３３ 陰極端子
１４０ 基材（Ｃｕ基材）
１４１ Ｓｎ層
１４１ａ、１４１ｂ、１４１ｃ Ｓｎ
１４２ Ｎｉ層
１５０ 段差部
１５１ 溝部（第１溝部）
１５２ 第２溝部
１５３ 突起部
１６０、１６０Ａ 固体電解コンデンサ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】