特開 2024-64175 蓄電デバイスの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024064175

(43)【公開日】2024-05-14

(54)【発明の名称】蓄電デバイスの製造方法

(51)【国際特許分類】

   B23K 26/21 20140101AFI20240507BHJP

   B23K 26/16 20060101ALI20240507BHJP

   H01M 50/103 20210101ALI20240507BHJP

   H01M 50/15 20210101ALI20240507BHJP

   H01M 50/169 20210101ALI20240507BHJP

   B23K 26/142 20140101ALI20240507BHJP

【ＦＩ】

B23K26/21 P

B23K26/16

H01M50/103

H01M50/15

H01M50/169

B23K26/142

【審査請求】有

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022172566

(22)【出願日】2022-10-27

(71)【出願人】

【識別番号】520184767

【氏名又は名称】プライムプラネットエナジー＆ソリューションズ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000291

【氏名又は名称】弁理士法人コスモス国際特許商標事務所

(72)【発明者】

【氏名】山本 晴彦

【テーマコード（参考）】

4E168

5H011

【Ｆターム（参考）】

4E168BA30

4E168CB03

4E168EA17

4E168FB05

4E168FC01

4E168FC04

4E168KA06

5H011AA09

5H011AA10

5H011AA17

5H011DD13

(57)【要約】

【課題】第１長辺部及び第２長辺部においてヒュームに起因する溶接不良を低減することができる蓄電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】溶接工程は、第１長辺部３１の第２短辺部３４側から第１短辺部３３側へレーザビームＬＢを走査して第１長辺部３１を溶接する第１長辺部溶接工程と、第２長辺部３２の第１短辺部３３側から第２短辺部３４側へレーザビームＬＢを走査して第２長辺部３２を溶接する第２長辺部溶接工程と、を含む。第１長辺部溶接工程は、第１長辺部３１の上方を第１短辺部３３側から第２短辺部３４側に流れる第１気流Ａ１を形成しつつ行い、第２長辺部溶接工程は、第２長辺部３２の上方を第２短辺部３４側から第１短辺部３３側に流れる第２気流Ａ３を形成しつつ行う。
【選択図】図１０

【特許請求の範囲】

【請求項1】

矩形状の開口を有するケースと、前記開口を閉塞する矩形状の封口板と、を有し、前記ケースの前記開口を囲む開口壁部と前記封口板の外周縁部とが全周にわたって溶接されている蓄電デバイスの製造方法において、
前記ケースの前記開口に前記封口板を挿入して、前記封口板によって前記開口を閉塞する閉塞工程と、
外表面を上方に向けた前記封口板によって前記ケースの前記開口が閉塞された状態で、前記封口板の上方からレーザビームを、前記封口板の前記外周縁部と前記ケースの前記開口壁部との被溶接部に照射して、前記被溶接部を全周にわたって周方向にレーザ溶接する溶接工程と、を備え、
前記被溶接部は、平面視矩形環状で、互いに平行な第１長辺部及び第２長辺部と、互いに平行な第１短辺部及び第２短辺部を有し、
前記溶接工程は、
前記第１長辺部の前記第２短辺部側から前記第１短辺部側へ前記レーザビームを走査して前記第１長辺部を溶接する第１長辺部溶接工程と、
前記第２長辺部の前記第１短辺部側から前記第２短辺部側へ前記レーザビームを走査して前記第２長辺部を溶接する第２長辺部溶接工程と、を含み、
前記第１長辺部溶接工程は、前記第１長辺部の上方を前記第１短辺部側から前記第２短辺部側に流れる第１気流を形成しつつ行い、
前記第２長辺部溶接工程は、前記第２長辺部の上方を前記第２短辺部側から前記第１短辺部側に流れる第２気流を形成しつつ行う
蓄電デバイスの製造方法。

【請求項2】

請求項１に記載の蓄電デバイスの製造方法であって、
前記第１長辺部溶接工程は、前記第１長辺部から生じた第１ヒュームであって、前記第１気流に乗って前記第１長辺部の上方を通過した前記第１ヒュームを、第１吸入装置によって吸入して除去し、
前記第２長辺部溶接工程は、前記第２長辺部から生じた第２ヒュームであって、前記第２気流に乗って前記第２長辺部の上方を通過した前記第２ヒュームを、第２吸入装置によって吸入して除去する
蓄電デバイスの製造方法。

【請求項3】

請求項１または請求項２に記載の蓄電デバイスの製造方法において、
前記溶接工程は、
前記第１短辺部の前記第１長辺部側から前記第２長辺部側へ前記レーザビームを走査して前記第１短辺部を溶接する第１短辺部溶接工程と、
前記第２短辺部の前記第２長辺部側から前記第１長辺部側へ前記レーザビームを走査して前記第２短辺部を溶接する第２短辺部溶接工程と、を含み、
前記第１短辺部溶接工程は、前記第１短辺部の上方を前記第２長辺部側から前記第１長辺部側に流れる第３気流を形成しつつ行い、
前記第２短辺部溶接工程は、前記第２短辺部の上方を前記第１長辺部側から前記第２長辺部側に流れる第４気流を形成しつつ行う
蓄電デバイスの製造方法。

【請求項4】

請求項３に記載の蓄電デバイスの製造方法であって、
前記第１短辺部溶接工程は、前記第１短辺部から生じた第３ヒュームであって、前記第３気流に乗って前記第１短辺部の上方を通過した前記第３ヒュームを、第３吸入装置によって吸入して除去し、
前記第２短辺部溶接工程は、前記第２短辺部から生じた第４ヒュームであって、前記第４気流に乗って前記第２短辺部の上方を通過した前記第４ヒュームを、第４吸入装置によって吸入して除去する
蓄電デバイスの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、蓄電デバイスの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、矩形状の開口を有するケースと、前記開口を閉塞する矩形状の封口板と、を有する蓄電デバイスが開示されている。この蓄電デバイスでは、ケースの開口を囲む開口壁部と封口板の外周縁部とが全周にわたって溶接されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１５－１０７５１５号公報

【0004】

前述の蓄電デバイスは、以下のようにして製造される。まず、閉塞工程において、ケースの開口に封口板を挿入して、封口板によってケースの開口を閉塞する。次に、溶接工程において、外表面を上方に向けた封口板によってケースの開口が閉塞された状態で、封口板の上方からレーザビームを、封口板の外周縁部とケースの開口壁部との接触部（被溶接部とする）に照射して、前記被溶接部を全周にわたって周方向にレーザ溶接する。なお、被溶接部は、平面視矩形環状で、互いに平行な第１長辺部及び第２長辺部と、互いに平行な第１短辺部及び第２短辺部を有する。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ところで、上述の溶接工程では、レーザビームを照射した被溶接部からヒュームが発生する。ここで、ヒュームとは、溶接熱によって発生した被溶接部の金属蒸気が冷やされて、微細な金属粒子（金属粉塵）となって空間に浮遊する粉塵である。このヒュームがレーザビームの光路に存在すると、レーザビームがヒュームに衝突することよって拡散し、被溶接部に照射されるレーザビームのエネルギー密度が低下することがあった。これにより、溶接不良が発生することがあった。

【0006】

これに対し、特許文献１の溶接工程では、被溶接部の外側に沿って全周にわたって配置した排気ノズルの吸い込み口から、封口板の平面と垂直な方向から見たときに封口板の中央側から封口板の外側に向けて排気を行う。さらに、排気ノズルの下方に被溶接部の外側に沿って全周にわたって配置した給気ノズルの給気口から、封口板の平面と垂直な方向から見たときに封口板の外側から封口板の中央側に向けて不活性ガスを供給する給気を行う。このようにすることで、発生したヒュームが、封口板の中央側から外側に向かうようにする。

【0007】

しかしながら、特許文献１の方法では、発生したヒュームをレーザビームの光路から除去することが難しかった。このため、レーザビームがヒュームに衝突することによる溶接不良を低減させることが難しかった。このようなことから、ヒュームに起因する溶接不良を低減することで、ケースと封口板との溶接不良を効果的に低減できる方法が求められていた。特に、被溶接部のうち、相対的に溶接距離が長い第１長辺部及び第２長辺部において、ヒュームに起因する溶接不良を低減できる方法が求められていた。

【0008】

本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであって、第１長辺部及び第２長辺部においてヒュームに起因する溶接不良を低減することができる蓄電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

(1)本発明の一態様は、矩形状の開口を有するケースと、前記開口を閉塞する矩形状の封口板と、を有し、前記ケースの前記開口を囲む開口壁部と前記封口板の外周縁部とが全周にわたって溶接されている蓄電デバイスの製造方法において、前記ケースの前記開口に前記封口板を挿入して、前記封口板によって前記開口を閉塞する閉塞工程と、外表面を上方（すなわち、鉛直方向上方）に向けた前記封口板によって前記ケースの前記開口が閉塞された状態で、前記封口板の上方からレーザビームを、前記封口板の前記外周縁部と前記ケースの前記開口壁部との被溶接部に照射して、前記被溶接部を全周にわたって周方向にレーザ溶接する溶接工程と、を備え、前記被溶接部は、平面視矩形環状で、互いに平行な第１長辺部及び第２長辺部と、互いに平行な第１短辺部及び第２短辺部を有し、前記溶接工程は、前記第１長辺部の前記第２短辺部側から前記第１短辺部側へ前記レーザビームを走査して前記第１長辺部を溶接する第１長辺部溶接工程と、前記第２長辺部の前記第１短辺部側から前記第２短辺部側へ前記レーザビームを走査して前記第２長辺部を溶接する第２長辺部溶接工程と、を含み、前記第１長辺部溶接工程は、前記第１長辺部の上方を前記第１短辺部側から前記第２短辺部側に流れる第１気流を形成しつつ行い、前記第２長辺部溶接工程は、前記第２長辺部の上方を前記第２短辺部側から前記第１短辺部側に流れる第２気流を形成しつつ行う蓄電デバイスの製造方法である。

【0010】

上述の製造方法では、第１長辺部溶接工程を、第１長辺部の上方を第１短辺部側から第２短辺部側に（例えば、レーザビームの走査方向とは反対方向に）流れる第１気流を形成しつつ行う。これにより、レーザビームの照射によって生じたヒュームを、第１気流によって、第１長辺部のうちレーザ溶接を終えた側（すなわち、レーザビームを照射し終えた側）へ移動させることができる。これにより、第１長辺部のうちこれからレーザビームを照射する部位の上方空間に存在するヒュームを低減することができる。従って、第１長辺部の上方空間を第１長辺部（具体的には、これからレーザビームを照射する部位）に向かって進むレーザビームが、ヒュームによって拡散するのを低減することができる。これにより、第１長辺部においてレーザビームのエネルギー密度が低下することを抑制することができる。具体的には、第１長辺部に対して、レーザビームを適切に収束させて照射することが可能となる。これにより、第１長辺部における溶接不良を低減することができる。

【0011】

さらに、上述の製造方法では、第２長辺部溶接工程を、第２長辺部の上方を第２短辺部側から第１短辺部側に（例えば、レーザビームの走査方向とは反対方向に）流れる第２気流を形成しつつ行う。これにより、レーザビームの照射によって生じたヒュームを、第２気流によって、第２長辺部のうちレーザ溶接を終えた側（すなわち、レーザビームを照射し終えた側）へ移動させることができる。これにより、第２長辺部溶接工程において、第２長辺部のうちこれからレーザビームを照射する部位の上方空間に存在するヒュームを低減することができる。従って、第２長辺部の上方空間を第２長辺部（具体的には、これからレーザビームを照射する部位）に向かって進むレーザビームが、ヒュームによって拡散するのを低減することができる。これにより、第２長辺部においてレーザビームのエネルギー密度が低下することを抑制することができる。具体的には、第２長辺部に対して、レーザビームを適切に収束させて照射することが可能となる。これにより、第２長辺部における溶接不良を低減することができる。

【0012】

以上説明したように、上述の製造方法では、封口板とケースとの被溶接部のうち、相対的に溶接距離が長い第１長辺部及び第２長辺部において、ヒュームに起因する溶接不良を低減することができる。従って、ケースと封口板との溶接不良を効果的に低減することができる。なお、被溶接部とは、封口板の外周縁部とケースの開口壁部とが溶接される部位であり、平面視矩形環状で、互いに平行な第１長辺部及び第２長辺部と、互いに平行な第１短辺部及び第２短辺部と、を有する部位である。また、ヒュームとは、溶接熱によって被溶接部から発生した金属蒸気が冷やされて、微細な金属粒子となって空間に浮遊する粉塵である。

【0013】

(2)さらに、(1)の蓄電デバイスの製造方法であって、前記第１長辺部溶接工程は、前記第１長辺部から生じた第１ヒュームであって、前記第１気流に乗って前記第１長辺部の上方を通過した前記第１ヒュームを、第１吸入装置によって吸入して除去し、前記第２長辺部溶接工程は、前記第２長辺部から生じた第２ヒュームであって、前記第２気流に乗って前記第２長辺部の上方を通過した前記第２ヒュームを、第２吸入装置によって吸入して除去する蓄電デバイスの製造方法とすると良い。

【0014】

上述の製造方法では、第１長辺部溶接工程において、第１長辺部（具体的には、レーザビームを照射した部位）から生じた第１ヒュームであって、第１気流に乗って第１長辺部の上方を通過した第１ヒュームを、第１吸入装置によって吸入して除去する。これにより、第１長辺部において、第１ヒュームに起因した溶接不良を、より一層低減することができる。さらに、第２長辺部溶接工程において、第２長辺部（具体的には、レーザビームを照射した部位）から生じた第２ヒュームであって、第２気流に乗って第２長辺部の上方を通過した第２ヒュームを、第２吸入装置によって吸入して除去する。これにより、第２長辺部において、第２ヒュームに起因した溶接不良を、より一層低減することができる。

【0015】

(3)さらに、(1)または(2)の蓄電デバイスの製造方法において、前記溶接工程は、前記第１短辺部の前記第１長辺部側から前記第２長辺部側へ前記レーザビームを走査して前記第１短辺部を溶接する第１短辺部溶接工程と、前記第２短辺部の前記第２長辺部側から前記第１長辺部側へ前記レーザビームを走査して前記第２短辺部を溶接する第２短辺部溶接工程と、を含み、前記第１短辺部溶接工程は、前記第１短辺部の上方を前記第２長辺部側から前記第１長辺部側に流れる第３気流を形成しつつ行い、前記第２短辺部溶接工程は、前記第２短辺部の上方を前記第１長辺部側から前記第２長辺部側に流れる第４気流を形成しつつ行う蓄電デバイスの製造方法とすると良い。

【0016】

上述の製造方法では、第１短辺部溶接工程を、第１短辺部の上方を第２長辺部側から第１長辺部側に流れる第３気流を形成しつつ行う。これにより、レーザビームの照射によって生じたヒュームを、第３気流によって、第１短辺部のうちレーザ溶接を終えた側（すなわち、レーザビームを照射し終えた側）へ移動させることができる。これにより、第１短辺部のうちこれからレーザビームを照射する部位の上方空間に存在するヒュームを低減することができる。従って、第１短辺部の上方空間を第１短辺部（具体的には、これからレーザビームを照射する部位）に向かって進むレーザビームが、ヒュームによって拡散するのを低減することができる。これにより、第１短辺部においてレーザビームのエネルギー密度が低下することを抑制することができる。具体的には、第１短辺部に対して、レーザビームを適切に収束させて照射することが可能となる。これにより、第１短辺部における溶接不良を低減することができる。

【0017】

さらに、上述の製造方法では、第２短辺部溶接工程を、第２短辺部の上方を第１長辺部側から第２長辺部側に流れる第４気流を形成しつつ行う。これにより、レーザビームの照射によって生じたヒュームを、第４気流によって、第２短辺部のうちレーザ溶接を終えた側（すなわち、レーザビームを照射し終えた側）へ移動させることができる。これにより、第２短辺部溶接工程において、第２短辺部のうちこれからレーザビームを照射する部位の上方空間に存在するヒュームを低減することができる。従って、第２短辺部の上方空間を第２短辺部（具体的には、これからレーザビームを照射する部位）に向かって進むレーザビームが、ヒュームによって拡散するのを低減することができる。これにより、第２短辺部においてレーザビームのエネルギー密度が低下することを抑制することができる。具体的には、第２短辺部に対して、レーザビームを適切に収束させて照射することが可能となる。これにより、第２短辺部における溶接不良を低減することができる。

【0018】

以上説明したように、上述の製造方法では、第１長辺部及び第２長辺部のみならず、第１短辺部及び第２短辺部においても、ヒュームに起因する溶接不良を低減することができる。従って、ケースと封口板との溶接不良をより一層低減することができる。

【0019】

(4)さらに、(3)の蓄電デバイスの製造方法であって、前記第１短辺部溶接工程は、前記第１短辺部から生じた第３ヒュームであって、前記第３気流に乗って前記第１短辺部の上方を通過した前記第３ヒュームを、第３吸入装置によって吸入して除去し、前記第２短辺部溶接工程は、前記第２短辺部から生じた第４ヒュームであって、前記第４気流に乗って前記第２短辺部の上方を通過した前記第４ヒュームを、第４吸入装置によって吸入して除去する蓄電デバイスの製造方法とすると良い。

【0020】

上述の製造方法では、第１短辺部溶接工程において、第１短辺部（具体的には、レーザビームを照射した部位）から生じた第３ヒュームであって、第３気流に乗って第１短辺部の上方を通過した第３ヒュームを、第３吸入装置によって吸入して除去する。これにより、第１短辺部において、第３ヒュームに起因した溶接不良を、より一層低減することができる。さらに、第２短辺部溶接工程において、第２短辺部（具体的には、レーザビームを照射した部位）から生じた第４ヒュームであって、第４気流に乗って第２短辺部の上方を通過した第４ヒュームを、第４吸入装置によって吸入して除去する。これにより、第２短辺部において、第４ヒュームに起因した溶接不良を、より一層低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】実施形態にかかる蓄電デバイスの平面図（上面図）である。

【図2】図１のＢ－Ｂ断面図である。

【図3】実施形態にかかる封口板の平面図である。

【図4】実施形態にかかるケースの平面図である。

【図5】同ケースの正面図である。

【図6】実施形態にかかる閉塞工程を説明する図である。

【図7】同閉塞工程を説明する他の図である。

【図8】図７のＣ－Ｃ断面図である。

【図9】実施形態にかかる溶接工程を説明する図である。

【図10】同溶接工程を説明する他の図である。

【図11】変形形態にかかる溶接工程を説明する図である。

【図12】同溶接工程を説明する他の図である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

＜実施形態＞
次に、本発明の実施形態について説明する。本実施形態の蓄電デバイス１は、リチウムイオン二次電池である。この蓄電デバイス１は、電極体５０と、電極体５０を収容するケース２０と、ケース２０の開口２０ｂを閉塞する封口板１０と、を備える（図１及び図２参照）。ケース２０は、直方体箱状をなす金属製のハードケースであり、矩形状の開口２０ｂを有する（図４及び図５参照）。封口板１０は、矩形板状をなす金属製であり、ケース２０の開口２０ｂに挿入されて開口２０ｂを閉塞している（図１及び図２参照）。

【0023】

ケース２０の開口壁部２１と封口板１０の外周縁部１１とは、全周にわたって溶接されて、環状の溶接部Ｗを形成している（図１及び図２参照）。ここで、ケース２０の開口壁部２１は、ケース２０の開口２０ｂを囲む部位であり、平面視矩形環状をなしている（図４参照）。また、封口板１０の外周縁部１１は、封口板１０の外周面１３を含む部位であり、平面視矩形環状をなしている（図３参照）。

【0024】

電極体５０は、正極板５１と、負極板５２と、正極板５１と負極板５２との間に介在するセパレータ５３と、を有する（図２参照）。より具体的には、電極体５０は、帯状の正極板５１と、帯状の負極板５２と、帯状のセパレータ５３とを備え、正極板５１と負極板５２とがセパレータ５３を間に挟んで捲回された扁平捲回型の電極体である。なお、電極体５０の内部には、図示しない電解液が含まれている。ケース２０の内部の底面側にも、図示しない電解液が収容されている。

【0025】

さらに、蓄電デバイス１は、電極体５０の正極板５１に接続する正極集電部材６１、及び、電極体５０の負極板５２に接続する負極集電部材６２を有する（図２参照）。さらに、蓄電デバイス１は、正極集電部材６１と接続して、封口板１０に形成された第１貫通孔（図示なし）を通じて蓄電デバイス１の外部に露出する正極端子部材（図示なし）を有する。さらに、蓄電デバイス１は、負極集電部材６２と接続して、封口板１０に形成された第２貫通孔（図示なし）を通じて蓄電デバイス１の外部に露出する負極端子部材（図示なし）を有する。

【0026】

次に、本実施形態の蓄電デバイス１の製造方法について説明する。まず、蓋構造体１００を形成する（図６参照）。具体的には、封口板１０に、正極集電部材６１と負極集電部材６２と正極端子部材（図示なし）と負極端子部材（図示なし）とを組み付けて、これらが一体となった蓋構造体１００を形成する。次に、電極体５０を用意し、この電極体５０の正極板５１に、蓋構造体１００の正極集電部材６１を接続すると共に、電極体５０の負極板５２に、蓋構造体１００の負極集電部材６２を接続して、蓋構造体１００と電極体５０とを一体にする（図６参照）。

【0027】

次に、閉塞工程において、蓋構造体１００と一体にされた電極体５０を、開口２０ｂを通じてケース２０の内部に収容すると共に、ケース２０の開口２０ｂに封口板１０を挿入して、封口板１０によってケース２０の開口２０ｂを閉塞する（図６～図８参照）。なお、図７は、封口板１０によって開口２０ｂが閉塞されたケース２０の平面図（上面図）である。また、図８は、図７のＣ－Ｃ断面図である。

【0028】

なお、封口板１０は、その裏面１０ｃ側からケース２０の開口２０ｂに挿入される。また、閉塞工程に供されるケース２０の開口壁部２１は、矩形環状をなし、互いに平行な第１開口長辺部２１ｂ及び第２開口長辺部２１ｃと、互いに平行な第１開口短辺部２１ｄ及び第２開口短辺部２１ｅと、これらを結ぶ４つの円弧状の開口角部２１ｆ～２１ｉと、を有している（図４参照）。なお、開口角部２１ｆは、第１開口長辺部２１ｂと第１開口短辺部２１ｄとを結ぶ部位である。また、開口角部２１ｇは、第２開口長辺部２１ｃと第１開口短辺部２１ｄとを結ぶ部位である。また、開口角部２１ｈは、第２開口長辺部２１ｃと第２開口短辺部２１ｅとを結ぶ部位である。また、開口角部２１ｉは、第１開口長辺部２１ｂと第２開口短辺部２１ｅとを結ぶ部位である。

【0029】

また、閉塞工程に供される封口板１０は、以下の形態を有している。具体的には、封口板１０の外周縁部１１は、矩形環状をなし、互いに平行な第１封口長辺部１１ｂ及び第２封口長辺部１１ｃと、互いに平行な第１封口短辺部１１ｄ及び第２封口短辺部１１ｅと、これらを結ぶ４つの円弧状の封口角部１１ｆ～１１ｉと、を有している（図３参照）。なお、封口角部１１ｆは、第１封口長辺部１１ｂと第１封口短辺部１１ｄとを結ぶ部位である。また、封口角部１１ｇは、第２封口長辺部１１ｃと第１封口短辺部１１ｄとを結ぶ部位である。また、封口角部１１ｈは、第２封口長辺部１１ｃと第２封口短辺部１１ｅとを結ぶ部位である。また、封口角部１１ｉは、第１封口長辺部１１ｂと第２封口短辺部１１ｅとを結ぶ部位である。

【0030】

次に、溶接工程において、封口板１０によってケース２０の開口２０ｂが閉塞された状態で、封口板１０の外周縁部１１とケース２０の開口壁部２１との被溶接部３０を全周にわたってレーザ溶接する（図９及び図１０参照）。なお、溶接工程は、封口板１０の外表面１０ｂを上方に向けた状態で、封口板１０の上方からレーザビームＬＢを被溶接部３０に照射して、被溶接部３０のレーザ溶接を行う。

【0031】

なお、被溶接部３０は、図７に示すように、平面視矩形環状で、互いに平行な第１長辺部３１及び第２長辺部３２と、互いに平行な第１短辺部３３及び第２短辺部３４と、これらを結ぶ４つの円弧状の角部３５，３６，３７，３８とを有する。第１長辺部３１は、第１開口長辺部２１ｂと第１封口長辺部１１ｂとによって構成される。第２長辺部３２は、第２開口長辺部２１ｃと第２封口長辺部１１ｃとによって構成される。第１短辺部３３は、第１開口短辺部２１ｄと第１封口短辺部１１ｄとによって構成される。第２短辺部３４は、第２開口短辺部２１ｅと第２封口短辺部１１ｅとによって構成される。角部３５～３８は、開口角部２１ｆ～２１ｉと封口角部１１ｆ～１１ｉとによって構成される。本実施形態では、被溶接部３０の周方向にレーザビームＬＢを走査して、被溶接部３０を全周にわたってレーザ溶接する（図９及び図１０参照）。

【0032】

また、本実施形態では、溶接装置７０を用いて溶接工程を行う（図９及び図１０参照）。なお、図９は、溶接装置７０の概略正面図であり、第１長辺部３１をレーザ溶接しているときの図である。また、図１０は、溶接装置７０の概略平面図である。溶接装置７０は、レーザ照射装置４０とガス送出ユニット８０と吸入ユニット９０とコントローラ７５とを備える。レーザ照射装置４０は、溶接ヘッド４１とレーザ発振器（図示なし）とを有する。溶接ヘッド４１は、光ファイバを介してレーザ発振器（図示なし）と接続されており、レーザ発振器から入力されたレーザビームＬＢを、被溶接部３０に向けて出射する。詳細には、溶接ヘッド４１は、被溶接部３０の周方向にレーザビームＬＢを走査して、被溶接部３０の全周にわたってレーザビームＬＢを照射する。

【0033】

また、ガス送出ユニット８０は、ガス送出本体部８５と、第１送出装置８１と、第２送出装置８２と、第３送出装置８３と、第４送出装置８４とを有する。ガス送出本体部８５は、例えば、公知のエアコンプレッサである。第１送出装置８１は、ガス送出口８１ｆを有する第１送出部８１ｄと、第１送出バルブ８１ｂを有する第１送出管８１ｃとを有する。第１送出部８１ｄは、第１送出管８１ｃを通じてガス送出本体部８５に接続されている。第２送出装置８２は、ガス送出口８２ｆを有する第２送出部８２ｄと、第２送出バルブ８２ｂを有する第２送出管８２ｃとを有する。第２送出部８２ｄは、第２送出管８２ｃを通じてガス送出本体部８５に接続されている。

【0034】

第３送出装置８３は、ガス送出口８３ｆを有する第３送出部８３ｄと、第３送出バルブ８３ｂを有する第３送出管８３ｃとを有する。第３送出部８３ｄは、第３送出管８３ｃを通じてガス送出本体部８５に接続されている。第４送出装置８４は、ガス送出口８４ｆを有する第４送出部８４ｄと、第４送出バルブ８４ｂを有する第４送出管８４ｃとを有する。第４送出部８４ｄは、第４送出管８４ｃを通じてガス送出本体部８５に接続されている。なお、図９では、ガス送出ユニット８０及び吸入ユニット９０の図示を一部省略している。また、図１０では、溶接ヘッド４１の図示を省略している。

【0035】

第１送出部８１ｄのガス送出口８１ｆは、第１長辺部３１の上方空間の側方（図１０において右側）に配置されており、第１送出管８１ｃを通じてガス送出本体部８５から第１送出部８１ｄに供給されたガス（本実施形態では空気）を、第１長辺部３１の上方空間に向けて送出する（噴出させる）。これにより、第１長辺部３１の上方を、第１短辺部３３側から第２短辺部３４側に（図９及び図１０において右から左に）流れる第１気流Ａ１が形成される。

【0036】

第２送出部８２ｄのガス送出口８２ｆは、第２長辺部３２の上方空間の側方（図１０において左側）に配置されており、第２送出管８２ｃを通じてガス送出本体部８５から第２送出部８２ｄに供給されたガス（本実施形態では空気）を、第２長辺部３２の上方空間に向けて送出する（噴出させる）。これにより、第２長辺部３２の上方を、第２短辺部３４側から第１短辺部３３側に（図１０において左から右に）流れる第２気流Ａ２が形成される。

【0037】

第３送出部８３ｄのガス送出口８３ｆは、第１短辺部３３の上方空間の側方（図１０において下側）に配置されており、第３送出管８３ｃを通じてガス送出本体部８５から第３送出部８３ｄに供給されたガス（本実施形態では空気）を、第１短辺部３３の上方空間に向けてガス送出口８３ｆから送出する（噴出させる）。これにより、第１短辺部３３の上方を、第２長辺部３２側から第１長辺部３１側に（図１０において下から上に）流れる第３気流Ａ３が形成される。

【0038】

第４送出部８４ｄのガス送出口８４ｆは、第２短辺部３４の上方空間の側方（図１０において上側）に配置されており、第４送出管８４ｃを通じてガス送出本体部８５から第４送出部８４ｄに供給されたガス（本実施形態では空気）を、第２短辺部３４の上方空間に向けてガス送出口８４ｆ送出する（噴出させる）。これにより、第２短辺部３４の上方を、第１長辺部３１側から第２長辺部３２側に（図１０において上から下に）流れる第４気流Ａ４が形成される。

【0039】

また、吸入ユニット９０は、吸入本体部９５と、第１吸入装置９１と、第２吸入装置９２と、第３吸入装置９３と、第４吸入装置９４とを有する。吸入本体部９５は、例えば、公知の集塵機である。第１吸入装置９１は、吸入口９１ｆを有する第１吸入部９１ｄと、第１吸入バルブ９１ｂを有する第１吸入管９１ｃとを有する。第１吸入部９１ｄは、第１吸入管９１ｃを通じて吸入本体部９５に接続されている。第２吸入装置９２は、吸入口９２ｆを有する第２吸入部９２ｄと、第２吸入バルブ９２ｂを有する第２吸入管９２ｃとを有する。第２吸入部９２ｄは、第２吸入管９２ｃを通じて吸入本体部９５に接続されている。

【0040】

第３吸入装置９３は、吸入口９３ｆを有する第３吸入部９３ｄと、第３吸入バルブ９３ｂを有する第３吸入管９３ｃとを有する。第３吸入部９３ｄは、第３吸入管９３ｃを通じて吸入本体部９５に接続されている。第４吸入装置９４は、吸入口９４ｆを有する第４吸入部９４ｄと、第４吸入バルブ９４ｂを有する第４吸入管９４ｃとを有する。第４吸入部９４ｄは、第４吸入管９４ｃを通じて吸入本体部９５に接続されている。

【0041】

第１吸入部９１ｄの吸入口９１ｆは、第１長辺部３１の上方空間の側方（図１０において左側）に配置されている。従って、第１送出部８１ｄのガス送出口８１ｆと第１吸入部９１ｄの吸入口９１ｆとは、第１長辺部３１の上方空間を挟むようにして、第１長辺部３１が延びる方向（図１０において左右方向）に向かい合って配置されている。第１吸入部９１ｄは、第１気流Ａ１に含まれる空気と共に、第１気流Ａ１に乗って第１長辺部３１の上方を通過した第１ヒュームＦ１を、吸入口９１ｆから吸入する。第１吸入部９１ｄによって吸入された第１ヒュームＦ１は、第１吸入管９１ｃを通じて吸入本体部９５に集められる。なお、ヒュームとは、溶接熱によって被溶接部３０から発生した金属蒸気が冷やされて、微細な金属粒子となって空間に浮遊する粉塵である。第１ヒュームＦ１は、レーザビームＬＢの照射によって第１長辺部３１から生じるヒュームであり、第１長辺部３１の上方空間を浮遊する。

【0042】

第２吸入部９２ｄの吸入口９２ｆは、第２長辺部３２の上方空間の側方（図１０において右側）に配置されている。従って、第２送出部８２ｄのガス送出口８２ｆと第２吸入部９２ｄの吸入口９２ｆとは、第２長辺部３２の上方空間を挟むようにして、第２長辺部３２が延びる方向（図１０において左右方向）に向かい合って配置されている。第２吸入部９２ｄは、第２気流Ａ２に含まれる空気と共に、第２気流Ａ２に乗って第２長辺部３２の上方を通過した第２ヒュームＦ２を、吸入口９２ｆから吸入する。第２吸入部９２ｄによって吸入された第２ヒュームＦ２は、第２吸入管９２ｃを通じて吸入本体部９５に集められる。なお、第２ヒュームＦ２は、レーザビームＬＢの照射によって第２長辺部３２から生じるヒュームであり、第２長辺部３２の上方空間を浮遊する。

【0043】

第３吸入部９３ｄの吸入口９３ｆは、第１短辺部３３の上方空間の側方（図１０において上側）に配置されている。従って、第３送出部８３ｄのガス送出口８３ｆと第３吸入部９３ｄの吸入口９３ｆとは、第１短辺部３３の上方空間を挟むようにして、第１短辺部３３が延びる方向（図１０において上下方向）に向かい合って配置されている。第３吸入部９３ｄは、第３気流Ａ３に含まれる空気と共に、第３気流Ａ３に乗って第１短辺部３３の上方を通過した第３ヒュームＦ３を、吸入口９３ｆから吸入する。第３吸入部９３ｄによって吸入された第３ヒュームＦ３は、第３吸入管９３ｃを通じて吸入本体部９５に集められる。なお、第３ヒュームＦ３は、レーザビームＬＢの照射によって第１短辺部３３から生じるヒュームであり、第１短辺部３３の上方空間を浮遊する。

【0044】

第４吸入部９４ｄの吸入口９４ｆは、第２短辺部３４の上方空間の側方（図１０において下側）に配置されている。従って、第４送出部８４ｄのガス送出口８４ｆと第４吸入部９４ｄの吸入口９４ｆとは、第２短辺部３４の上方空間を挟むようにして、第２短辺部３４が延びる方向（図１０において上下方向）に向かい合って配置されている。第４吸入部９４ｄは、第４気流Ａ４に含まれる空気と共に、第４気流Ａ４に乗って第２短辺部３４の上方を通過した第４ヒュームＦ４を、吸入口９４ｆから吸入する。第４吸入部９４ｄによって吸入された第４ヒュームＦ４は、第４吸入管９４ｃを通じて吸入本体部９５に集められる。なお、第４ヒュームＦ４は、レーザビームＬＢの照射によって第２短辺部３４から生じるヒュームであり、第２短辺部３４の上方空間を浮遊する。

【0045】

コントローラ７５は、レーザビームＬＢの照射位置に応じて、第１送出バルブ８１ｂ、第２送出バルブ８２ｂ、第３送出バルブ８３ｂ、及び第４送出バルブ８４ｂの開閉を制御すると共に、第１吸入バルブ９１ｂ、第２吸入バルブ９２ｂ、第３吸入バルブ９３ｂ、及び第４吸入バルブ９４ｂの開閉を制御する。具体的には、コントローラ７５は、第１長辺部３１にレーザビームＬＢが照射されるときは、第１送出バルブ８１ｂと第１吸入バルブ９１ｂを開放して、その他のバルブを閉塞する。また、コントローラ７５は、第２長辺部３２にレーザビームＬＢが照射されるときは、第２送出バルブ８２ｂと第２吸入バルブ９２ｂを開放して、その他のバルブを閉塞する。また、コントローラ７５は、第１短辺部３３にレーザビームＬＢが照射されるときは、第３送出バルブ８３ｂと第３吸入バルブ９３ｂを開放して、その他のバルブを閉塞する。また、コントローラ７５は、第２短辺部３４にレーザビームＬＢが照射されるときは、第４送出バルブ８４ｂと第４吸入バルブ９４ｂを開放して、その他のバルブを閉塞する。

【0046】

なお、第１送出部８１ｄのガス送出口８１ｆと、第２送出部８２ｄのガス送出口８２ｆと、第３送出部８３ｄのガス送出口８３ｆと、第４送出部８４ｄのガス送出口８４ｆと、第１吸入部９１ｄの吸入口９１ｆと、第２吸入部９２ｄの吸入口９２ｆと、第３吸入部９３ｄの吸入口９３ｆと、第４吸入部９４ｄの吸入口９４ｆとは、上下方向の位置が等しくされている（図９参照）。これにより、第１気流Ａ１と第２気流Ａ２と第３気流Ａ３と第４気流Ａ４は、それぞれ、第１長辺部３１と第２長辺部３２と第１短辺部３３と第２短辺部３４に沿って真っ直ぐ流れる気流となる。

【0047】

以下、本実施形態の溶接工程について詳細に説明する。本実施形態では、被溶接部３０（図７参照）について、第１長辺部３１、角部３５、第１短辺部３３、角部３６、第２長辺部３２、角部３７、第２短辺部３４、角部３８の順に、レーザビームＬＢを走査して、被溶接部３０を全周にわたってレーザ溶接する。まず、第１長辺部溶接工程において、レーザ照射装置４０を用いて、第１長辺部３１の第２短辺部３４側から第１短辺部３３側へ（図１０において左から右に）レーザビームＬＢを走査しつつ、第１長辺部３１にレーザビームＬＢを照射して、第１長辺部３１を溶接する。

【0048】

但し、この第１長辺部溶接工程は、第１長辺部３１の上方を第１短辺部３３側から第２短辺部３４側に（図９及び図１０において右から左に）流れる第１気流Ａ１を、第１送出装置８１によって形成しつつ行われる。具体的には、ガス送出本体部８５を駆動させた状態で、コントローラ７５の制御によって第１送出バルブ８１ｂを開放することで、第１送出装置８１によって第１気流Ａ１が形成される。このとき、第２送出バルブ８２ｂ、第３送出バルブ８３ｂ、及び第４送出バルブ８４ｂは閉塞されているので、第２気流Ａ２、第３気流Ａ３、及び第４気流Ａ４は形成されない。

【0049】

従って、第１長辺部溶接工程は、レーザビームＬＢの走査方向とは反対方向に流れる第１気流Ａ１を形成しつつ行われる。これにより、レーザビームＬＢの照射によって生じた第１ヒュームＦ１を、第１気流Ａ１によって、第１長辺部３１のうちレーザ溶接を終えた側（すなわち、レーザビームＬＢを照射し終えた側）へ移動させることができる。これにより、第１長辺部３１のうちこれからレーザビームＬＢを照射する部位の上方空間に存在する第１ヒュームＦ１を低減することができる。従って、溶接ヘッド４１から出射されて第１長辺部３１に向かって進むレーザビームＬＢが、第１ヒュームＦ１に衝突して拡散するのを低減することができる。これにより、第１長辺部３１においてレーザビームＬＢのエネルギー密度が低下することを抑制することができる。具体的には、第１長辺部３１に対して、レーザビームＬＢを適切に収束させて照射することが可能となる。これにより、第１長辺部３１における溶接不良を低減することができる。

【0050】

さらに、第１長辺部溶接工程では、第１長辺部３１を溶接する期間中、第１長辺部３１から生じた第１ヒュームＦ１であって、第１気流Ａ１に乗って第１長辺部３１の上方を通過した第１ヒュームＦ１を、第１吸入装置９１によって吸入して除去する。具体的には、吸入本体部９５を駆動させた状態で、コントローラ７５の制御によって第１吸入バルブ９１ｂを開放することで、第１吸入装置９１によって第１ヒュームＦ１を吸入することができる。このとき、第２吸入バルブ９２ｂ、第３吸入バルブ９３ｂ、及び第４吸入バルブ９４ｂは閉塞されている。このように、第１ヒュームＦ１を第１吸入装置９１によって吸入して除去することで、第１長辺部３１において、第１ヒュームＦ１に起因した溶接不良を、より一層低減することができる。

【0051】

引き続き、レーザ照射装置４０を用いて、角部３５をレーザ溶接した後、第１短辺部溶接工程に進み、第１短辺部３３の第１長辺部３１側から第２長辺部３２側へ（図１０において上から下に）レーザビームＬＢを走査しつつ、第１短辺部３３にレーザビームＬＢを照射して、第１短辺部３３を溶接する。

【0052】

但し、この第１短辺部溶接工程は、第１短辺部３３の上方を第２長辺部３２側から第１長辺部３１側に（図１０において下から上に）流れる第３気流Ａ３を、第３送出装置８３によって形成しつつ行われる。具体的には、ガス送出本体部８５を駆動させた状態で、コントローラ７５の制御によって第３送出バルブ８３ｂを開放することで、第３送出装置８３によって第３気流Ａ３が形成される。このとき、第１送出バルブ８１ｂ、第２送出バルブ８２ｂ、及び第４送出バルブ８４ｂは閉塞されているので、第１気流Ａ１、第２気流Ａ２、及び第４気流Ａ４は形成されない。

【0053】

従って、第１短辺部溶接工程は、レーザビームＬＢの走査方向とは反対方向に流れる第３気流Ａ３を形成しつつ行われる。これにより、レーザビームＬＢの照射によって生じた第３ヒュームＦ３を、第３気流Ａ３によって、第１短辺部３３のうちレーザ溶接を終えた側（すなわち、レーザビームＬＢを照射し終えた側）へ移動させることができる。これにより、第１短辺部３３のうちこれからレーザビームＬＢを照射する部位の上方空間に存在する第３ヒュームＦ３を低減することができる。従って、溶接ヘッド４１から出射されて第１短辺部３３に向かって進むレーザビームＬＢが、第３ヒュームＦ３に衝突して拡散するのを低減することができる。これにより、第１短辺部３３においてレーザビームＬＢのエネルギー密度が低下することを抑制することができる。具体的には、第１短辺部３３に対して、レーザビームＬＢを適切に収束させて照射することが可能となる。これにより、第１短辺部３３における溶接不良を低減することができる。

【0054】

さらに、第１短辺部溶接工程では、第１短辺部３３を溶接する期間中、第１短辺部３３から生じた第３ヒュームＦ３であって、第３気流Ａ３に乗って第１短辺部３３の上方を通過した第３ヒュームＦ３を、第３吸入装置９３によって吸入して除去する。具体的には、吸入本体部９５を駆動させた状態で、コントローラ７５の制御によって第３吸入バルブ９３ｂを開放することで、第３吸入装置９３によって第３ヒュームＦ３を吸入することができる。このとき、第１吸入バルブ９１ｂ、第２吸入バルブ９２ｂ、及び第４吸入バルブ９４ｂは閉塞されている。このように、第３ヒュームＦ３を第３吸入装置９３によって吸入して除去することで、第１短辺部３３において、第３ヒュームＦ３に起因した溶接不良を、より一層低減することができる。

【0055】

引き続き、レーザ照射装置４０を用いて、角部３６をレーザ溶接した後、第２長辺部溶接工程に進み、第２長辺部３２の第１短辺部３３側から第２短辺部３４側へ（図１０において右から左に）レーザビームＬＢを走査しつつ、第２長辺部３２にレーザビームＬＢを照射して、第２長辺部３２を溶接する。

【0056】

但し、この第２長辺部溶接工程は、第２長辺部３２の上方を第２短辺部３４側から第１短辺部３３側に（図１０において左から右に）流れる第２気流Ａ２を、第２送出装置８２によって形成しつつ行われる。具体的には、ガス送出本体部８５を駆動させた状態で、コントローラ７５の制御によって第２送出バルブ８２ｂを開放することで、第２送出装置８２によって第２気流Ａ２が形成される。このとき、第１送出バルブ８１ｂ、第３送出バルブ８３ｂ、及び第４送出バルブ８４ｂは閉塞されているので、第１気流Ａ１、第３気流Ａ３、及び第４気流Ａ４は形成されない。

【0057】

従って、第２長辺部溶接工程は、レーザビームＬＢの走査方向とは反対方向に流れる第２気流Ａ２を形成しつつ行われる。これにより、レーザビームＬＢの照射によって生じた第２ヒュームＦ２を、第２気流Ａ２によって、第２長辺部３２のうちレーザ溶接を終えた側（すなわち、レーザビームＬＢを照射し終えた側）へ移動させることができる。これにより、第２長辺部３２のうちこれからレーザビームＬＢを照射する部位の上方空間に存在する第２ヒュームＦ２を低減することができる。従って、溶接ヘッド４１から出射されて第２長辺部３２に向かって進むレーザビームＬＢが、第２ヒュームＦ２に衝突して拡散するのを低減することができる。これにより、第２長辺部３２においてレーザビームＬＢのエネルギー密度が低下することを抑制することができる。具体的には、第２長辺部３２に対して、レーザビームＬＢを適切に収束させて照射することが可能となる。これにより、第２長辺部３２における溶接不良を低減することができる。

【0058】

さらに、第２長辺部溶接工程では、第２長辺部３２を溶接する期間中、第２長辺部３２から生じた第２ヒュームＦ２であって、第２気流Ａ２に乗って第２長辺部３２の上方を通過した第２ヒュームＦ２を、第２吸入装置９２によって吸入して除去する。具体的には、吸入本体部９５を駆動させた状態で、コントローラ７５の制御によって第２吸入バルブ９２ｂを開放することで、第２吸入装置９２によって第２ヒュームＦ２を吸入することができる。このとき、第１吸入バルブ９１ｂ、第３吸入バルブ９３ｂ、及び第４吸入バルブ９４ｂは閉塞されている。このように、第２ヒュームＦ２を第２吸入装置９２によって吸入して除去することで、第２長辺部３２において、第２ヒュームＦ２に起因した溶接不良を、より一層低減することができる。

【0059】

引き続き、レーザ照射装置４０を用いて、角部３７をレーザ溶接した後、第２短辺部溶接工程に進み、第２短辺部３４の第２長辺部３２側から第１長辺部３１側へ（図１０において下から上に）レーザビームＬＢを走査しつつ、第２短辺部３４にレーザビームＬＢを照射して、第２短辺部３４を溶接する。

【0060】

但し、この第２短辺部溶接工程は、第２短辺部３４の上方を第１長辺部３１側から第２長辺部３２側に（図１０において上から下に）流れる第４気流Ａ４を、第４送出装置８４によって形成しつつ行われる。具体的には、ガス送出本体部８５を駆動させた状態で、コントローラ７５の制御によって第４送出バルブ８４ｂを開放することで、第４送出装置８４によって第４気流Ａ４が形成される。このとき、第１送出バルブ８１ｂ、第２送出バルブ８２ｂ、及び第３送出バルブ８３ｂは閉塞されているので、第１気流Ａ１、第２気流Ａ２、及び第３気流Ａ３は形成されない。

【0061】

従って、第２短辺部溶接工程は、レーザビームＬＢの走査方向とは反対方向に流れる第４気流Ａ４を形成しつつ行われる。これにより、レーザビームＬＢの照射によって生じた第４ヒュームＦ４を、第４気流Ａ４によって、第２短辺部３４のうちレーザ溶接を終えた側（すなわち、レーザビームＬＢを照射し終えた側）へ移動させることができる。これにより、第２短辺部３４のうちこれからレーザビームＬＢを照射する部位の上方空間に存在する第４ヒュームＦ４を低減することができる。従って、溶接ヘッド４１から出射されて第２短辺部３４に向かって進むレーザビームＬＢが、第４ヒュームＦ４に衝突して拡散するのを低減することができる。これにより、第２短辺部３４においてレーザビームＬＢのエネルギー密度が低下することを抑制することができる。具体的には、第２短辺部３４に対して、レーザビームＬＢを適切に収束させて照射することが可能となる。これにより、第２短辺部３４における溶接不良を低減することができる。

【0062】

さらに、第２短辺部溶接工程では、第２短辺部３４を溶接する期間中、第２短辺部３４から生じた第４ヒュームＦ４であって、第４気流Ａ４に乗って第２短辺部３４の上方を通過した第４ヒュームＦ４を、第４吸入装置９４によって吸入して除去する。具体的には、吸入本体部９５を駆動させた状態で、コントローラ７５の制御によって第４吸入バルブ９４ｂを開放することで、第４吸入装置９４によって第４ヒュームＦ４を吸入することができる。このとき、第１吸入バルブ９１ｂ、第２吸入バルブ９２ｂ、及び第３吸入バルブ９３ｂは閉塞されている。このように、第４ヒュームＦ４を第４吸入装置９４によって吸入して除去することで、第２短辺部３４において、第４ヒュームＦ４に起因した溶接不良を、より一層低減することができる。

【0063】

引き続き、角部３８を溶接することで、被溶接部３０を全周にわたってレーザ溶接することができる。これにより、溶接工程が完了すると共に、ケース２０と封口板１０とが接合されて一体になる。その後、封口板１０に形成されている注液孔（図示なし）を通じてケース２０の内部に電解液（図示なし）を注入する。その後、注液孔を封止することで、蓄電デバイス１が完成する。

【0064】

＜変形形態＞
次に、本発明の変形形態について説明する。本変形形態は、ケース１２０の厚みが薄く、被溶接部１３０の第１長辺部１３１と第２長辺部１３２との間隔（ケース２０の厚み方向の距離）が小さいために、溶接装置７０の第１送出部８１ｄと第２吸入部９２ｄ、及び、第２送出部８２ｄと第１吸入部９１ｄを、ケース１２０の厚み方向（図１２において上下方向）に並べて配置することが困難な場合の形態である。

【0065】

このような場合には、図１１に示すように、第１送出部８１ｄと第２吸入部９２ｄを上下方向に重ねて配置すると良い。これにより、第１送出部８１ｄを、第１長辺部１３１の上方空間の第１側方（図１２において右側）に配置することができ、且つ、第２吸入部９２ｄを、第２長辺部１３２の上方空間の第１側方（図１２において右側）に配置することができる。さらには、第２送出部８２ｄと第１吸入部９１ｄを上下方向に重ねて配置すると良い。これにより、第２送出部８２ｄを、第２長辺部１３２の上方空間の第２側方（図１２において左側）に配置することができ、且つ、第１吸入部９１ｄを、第１長辺部１３１の上方空間の第２側方（図１２において左側）に配置することができる。

【0066】

これにより、溶接工程において、第１送出部８１ｄによって、第１長辺部１３１の上方を第１短辺部１３３側から第２短辺部１３４側に流れる第１気流Ａ１を適切に形成することができ、且つ、第２吸入部９２ｄによって、第２気流Ａ２に乗って第２長辺部１３２の上方を通過した第２ヒュームＦ２を適切に吸入することができる。さらには、第２送出部８２ｄによって、第２長辺部１３２の上方を第２短辺部１３４側から第１短辺部１３３側に流れる第２気流Ａ２を適切に形成することができ、且つ、第１吸入部９１ｄによって、第１気流Ａ１に乗って第１長辺部１３１の上方を通過した第１ヒュームＦ１を適切に吸入することができる。

【0067】

なお、図１１に示すように、第１送出部８１ｄのガス送出口８１ｆと第２送出部８２ｄのガス送出口８２ｆの上下方向の位置を等しくし、且つ、第１吸入部９１ｄの吸入口９１ｆと第２吸入部９２ｄの吸入口９２ｆの上下方向の位置を等しくすると良い。これにより、第１長辺部１３１に対する第１気流Ａ１の上下方向の位置と、第２長辺部１３２に対する第２気流Ａ２の上下方向位置とを、同等にすることができる。これにより、溶接工程において、第１ヒュームＦ１が第１気流Ａ１と共に第１吸入部９１ｄによって吸入除去される程度と、第２ヒュームＦ２が第２気流Ａ２と共に第２吸入部９２ｄによって吸入除去される程度とを、同程度にすることができる。

【0068】

以上において、本発明を実施形態及び変形形態に即して説明したが、本発明は前記実施形態等に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。

【符号の説明】

【0069】

１ 蓄電デバイス
１０ 封口板
１１ 外周縁部
２０ ケース
２０ｂ 開口
２１ 開口壁部
３０ 溶接予定部
３１ 第１長辺部
３２ 第２長辺部
３３ 第１短辺部
３４ 第２短辺部
４０ レーザ照射装置
５０ 電極体
７０ 溶接装置
８０ ガス送出ユニット
９０ 吸入ユニット
９１ 第１吸入装置
９２ 第２吸入装置
９３ 第３吸入装置
９４ 第４吸入装置
Ａ１ 第１気流
Ａ２ 第２気流
Ａ３ 第３気流
Ａ４ 第４気流
ＬＢ レーザビーム
Ｗ 溶接部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】