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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024064236
(43)【公開日】2024-05-14
(54)【発明の名称】反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクの製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 1/24 20120101AFI20240507BHJP
G03F 1/26 20120101ALI20240507BHJP
C23C 16/40 20060101ALI20240507BHJP
【ＦＩ】
G03F1/24
G03F1/26
C23C16/40
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022172678
(22)【出願日】2022-10-27
(71)【出願人】
【識別番号】522212882
【氏名又は名称】株式会社トッパンフォトマスク
(74)【代理人】
【識別番号】100105854
【弁理士】
【氏名又は名称】廣瀬 一
(74)【代理人】
【識別番号】100116012
【弁理士】
【氏名又は名称】宮坂 徹
(72)【発明者】
【氏名】市川 顯二郎
(72)【発明者】
【氏名】宮脇 大輔
(72)【発明者】
【氏名】中野 秀亮
【テーマコード（参考）】
2H195
4K030
【Ｆターム（参考）】
2H195BA10
2H195BB03
2H195CA01
2H195CA07
2H195CA12
2H195CA15
2H195CA16
2H195CA17
2H195CA22
2H195CA23
4K030AA11
4K030AA14
4K030BA42
4K030BA43
4K030BA44
4K030BA46
4K030BA47
4K030CA06
4K030CA17
4K030HA01
4K030JA01
(57)【要約】
【課題】本発明は、優れたウェハ転写性能（特に解像性）を備え、且つ優れた耐久性（水素ラジカル耐性）を備えた反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態に係る反射型マスク１０は、基板１と、基板１上に形成されてＥＵＶ光を反射する反射部６と、反射部６上の少なくとも一部に形成されてＥＵＶ光を吸収する吸収部４と、吸収部４の最表面及び吸収部４の側面をそれぞれ覆うように形成されてＥＵＶ光を透過する被覆膜５と、を備え、吸収部４のＥＵＶ反射光の位相と、反射部６のＥＵＶ反射光の位相とは、２００度以上２８０度以下の範囲内の位相差を有し、被覆膜５は、ＥＵＶ光に対して消衰係数ｋが０．０４以下であり、屈折率ｎが０．９４以上である。
【選択図】図１
【解決手段】本実施形態に係る反射型マスク１０は、基板１と、基板１上に形成されてＥＵＶ光を反射する反射部６と、反射部６上の少なくとも一部に形成されてＥＵＶ光を吸収する吸収部４と、吸収部４の最表面及び吸収部４の側面をそれぞれ覆うように形成されてＥＵＶ光を透過する被覆膜５と、を備え、吸収部４のＥＵＶ反射光の位相と、反射部６のＥＵＶ反射光の位相とは、２００度以上２８０度以下の範囲内の位相差を有し、被覆膜５は、ＥＵＶ光に対して消衰係数ｋが０．０４以下であり、屈折率ｎが０．９４以上である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板上に形成されてＥＵＶ光を反射する反射部と、
前記反射部上の少なくとも一部に形成されてＥＵＶ光を吸収する吸収部と、
前記吸収部の最表面及び前記吸収部の側面をそれぞれ覆うように形成されてＥＵＶ光を透過する被覆膜と、を備え、
前記吸収部のＥＵＶ反射光の位相と、前記反射部のＥＵＶ反射光の位相とは、２００度以上２８０度以下の範囲内の位相差を有し、
前記被覆膜は、ＥＵＶ光に対して消衰係数ｋが０．０４以下であり、屈折率ｎが０．９４以上であることを特徴とする反射型フォトマスク。
前記基板上に形成されてＥＵＶ光を反射する反射部と、
前記反射部上の少なくとも一部に形成されてＥＵＶ光を吸収する吸収部と、
前記吸収部の最表面及び前記吸収部の側面をそれぞれ覆うように形成されてＥＵＶ光を透過する被覆膜と、を備え、
前記吸収部のＥＵＶ反射光の位相と、前記反射部のＥＵＶ反射光の位相とは、２００度以上２８０度以下の範囲内の位相差を有し、
前記被覆膜は、ＥＵＶ光に対して消衰係数ｋが０．０４以下であり、屈折率ｎが０．９４以上であることを特徴とする反射型フォトマスク。
【請求項2】
前記被覆膜は、水素ラジカルに対して耐性を有していることを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスク。
【請求項3】
前記反射部上にも前記被覆膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスク。
【請求項4】
前記被覆膜は、均一な膜厚で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスク。
【請求項5】
前記被覆膜は、珪素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、及びイットリウム（Ｙ）のうち少なくとも１種類の元素を含む金属酸化膜で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスク。
【請求項6】
前記吸収部は、２１５度以上２７０度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスク。
【請求項7】
前記吸収部は、２３０度以上２６０度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスク。
【請求項8】
前記吸収部は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９３より小さいことを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスク。
【請求項9】
前記吸収部は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９２より小さいことを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスク。
【請求項10】
前記吸収部は、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及びレニウム（Ｒｅ）のうち少なくとも１種類の元素を含む材料から構成されることを特徴とする請求項１に記載の反射型フォトマスク。
【請求項11】
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクの製造方法であって、
原子層堆積法によって前記被覆膜を形成する工程を含むことを特徴とする反射型フォトマスクの製造方法。
原子層堆積法によって前記被覆膜を形成する工程を含むことを特徴とする反射型フォトマスクの製造方法。
【請求項12】
前記被覆膜を形成する工程において、材料ガスとして金属水素化物、金属ハロゲン化物、または有機金属化合物を用いて、原子層堆積法によって前記被覆膜を形成することを特徴とする請求項１１に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体デバイスの微細化に伴い、フォトリソグラフィ技術の微細化に対する要求が高まっている。フォトリソグラフィにおいては、転写パターンの最小解像寸法は、露光光源の波長に大きく依存し、波長が短いほど最小解像寸法を小さくできる。このため、半導体デバイスの製造プロセスにおいて、従来の波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光を用いた露光光源から、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）露光光源に置き換わってきている。
【0003】
ほとんどの物質がＥＵＶに対して高い光吸収性をもつため、従来の光の透過を利用する屈折光学系が使用できないことから、露光機の光学系部材はレンズではなく、ミラーとなる。そのため、フォトマスクも従来の透過型から反射型のＥＵＶフォトマスクとなる。また、ＥＵＶフォトマスクへの入射光とＥＵＶフォトマスクで反射した反射光とが同軸上に設計できないことから、通常、ＥＵＶリソグラフィでは光軸をＥＵＶフォトマスクの垂直方向から６°傾けてＥＵＶ光を入射し、マイナス６°の角度で反射する反射光を半導体基板に照射する手法が採用されている。
【0004】
しかし、光軸を傾斜させることから、ＥＵＶフォトマスクに入射するＥＵＶ光がＥＵＶフォトマスクのパターン（吸収層に形成された転写パターン、所謂吸収層パターン）の影を作ることにより、転写性能が悪化する問題が発生し得る。このように、今後、更なる微細化を行う為には、転写性能の改善が課題となる。
現在のＥＵＶフォトマスクでは、光吸収層として膜厚６０～９０ｎｍのタンタル（Ｔａ）を主成分とした膜が用いられている。このＥＵＶフォトマスクでパターン転写の露光を行った場合、入射方向とマスクパターンの向きとの関係によっては、マスクパターンの影となるエッジ部分で、コントラストの低下を引き起こす恐れがある。これに伴い、半導体基板上の転写パターンのラインエッジラフネスの増加や、線幅が狙った寸法に形成できないなどの問題が生じ、転写性能が悪化する場合もある。
現在のＥＵＶフォトマスクでは、光吸収層として膜厚６０～９０ｎｍのタンタル（Ｔａ）を主成分とした膜が用いられている。このＥＵＶフォトマスクでパターン転写の露光を行った場合、入射方向とマスクパターンの向きとの関係によっては、マスクパターンの影となるエッジ部分で、コントラストの低下を引き起こす恐れがある。これに伴い、半導体基板上の転写パターンのラインエッジラフネスの増加や、線幅が狙った寸法に形成できないなどの問題が生じ、転写性能が悪化する場合もある。
【0005】
この課題に対し、吸収層に消衰係数ｋが高い材料を用いてＥＵＶ反射率を抑える手法[例えば、特許文献１を参照]や、位相シフト効果を用いた手法[例えば、特許文献２を参照]が提案されている。
反射型位相シフトマスクでは、吸収層を通り減光した反射光は、吸収層が形成されていない開口部で反射される光と位相差を持つ。このような反射型位相シフトマスクは、透過型位相シフトマスクと同様に、位相シフト効果を用いることにより、ウェハ上の光学像のコントラストが向上し、転写パターンの解像性を向上させることができる。
反射型位相シフトマスクでは、吸収層を通り減光した反射光は、吸収層が形成されていない開口部で反射される光と位相差を持つ。このような反射型位相シフトマスクは、透過型位相シフトマスクと同様に、位相シフト効果を用いることにより、ウェハ上の光学像のコントラストが向上し、転写パターンの解像性を向上させることができる。
【0006】
例えば、特許文献２に記載の位相シフト効果を用いた反射型マスクは、位相差の最適値を１７５～１８５度としている。これは従来の透過型位相シフトマスクの位相差の最適値である１８０度を含んだ値である。
しかし、反射型位相シフトマスクの場合、ＥＵＶ光が傾いて入射するため、反射光の一部は吸収層パターンのエッジ部分を通る。エッジ部分に当たった反射光はパターン中心部の反射光と位相がずれてしまうため、吸収層の最適な位相差は１８０度と異なる。
また、ＥＵＶ露光装置では、コンタミ（不純物の混入）によるチャンバー内の汚染を防ぐため、水素ラジカルによるクリーニングが行われる。つまり、反射型位相シフトマスクは、水素ラジカル還元に対して耐性を有する材料を用いて形成する必要がある。
しかし、反射型位相シフトマスクの場合、ＥＵＶ光が傾いて入射するため、反射光の一部は吸収層パターンのエッジ部分を通る。エッジ部分に当たった反射光はパターン中心部の反射光と位相がずれてしまうため、吸収層の最適な位相差は１８０度と異なる。
また、ＥＵＶ露光装置では、コンタミ（不純物の混入）によるチャンバー内の汚染を防ぐため、水素ラジカルによるクリーニングが行われる。つまり、反射型位相シフトマスクは、水素ラジカル還元に対して耐性を有する材料を用いて形成する必要がある。
【0007】
しかし、反射型位相シフトマスクの中には水素ラジカル耐性が低い材料もあり、水素ラジカル耐性が低い材料により形成された反射型位相シフトマスクは長期間の使用に耐えられないという問題があった。
なお、ＥＵＶ露光装置の技術分野においては、特許文献３の方法で、露光装置内のミラー部分である多層ミラーを水素ガスや原子状水素（水素ラジカル）から保護する目的として、多層ミラー上に保護膜を形成している。これと同様に、反射型位相シフトマスクでもマスク表面に保護膜を形成することで水素ラジカル耐性を向上させることができるとも考えられる。
なお、ＥＵＶ露光装置の技術分野においては、特許文献３の方法で、露光装置内のミラー部分である多層ミラーを水素ガスや原子状水素（水素ラジカル）から保護する目的として、多層ミラー上に保護膜を形成している。これと同様に、反射型位相シフトマスクでもマスク表面に保護膜を形成することで水素ラジカル耐性を向上させることができるとも考えられる。
【0008】
しかしながら、反射型位相シフトマスクではマスク表面に保護膜を形成する場合、保護膜によるＥＵＶ光の吸収に起因して吸収層と反射層との位相が変化し、所望の位相シフト効果が得られずパターン転写性が低下する問題が発生することがある。従って、保護膜としてはＥＵＶ光に対する透過率が高い材料を選択する必要がある。さらに位相差を制御するためにはパターン毎に保護膜の膜厚が異なると、転写性に悪影響を及ぼす可能性が考えられるため、転写パターンの表面及び側面に沿って保護膜を均一に形成する必要がある。
以上のように、従来技術に係る反射型位相シフトマスクには、優れたウェハ転写性能（特に解像性）を備え、且つ優れた耐久性（水素ラジカル耐性）を備えたものが少なかった。
以上のように、従来技術に係る反射型位相シフトマスクには、優れたウェハ転写性能（特に解像性）を備え、且つ優れた耐久性（水素ラジカル耐性）を備えたものが少なかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】特許第４９２６５２３号
【特許文献2】国際公開第２０１０／００７９５５号
【特許文献3】特許第６５２７１５４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
本開示は、優れたウェハ転写性能（特に解像性）を備え、且つ優れた耐久性（水素ラジカル耐性）を備えた反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクの製造方法を提供することを目的とする。より具体的には、位相シフト効果を最大限に活用し、高い転写性（特に解像性）を有し、かつＥＵＶ透過率が高く、水素ラジカル耐性を十分に備え、転写パターンの最表面及び側面に沿って均一に形成された被覆膜を有する反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係る反射型フォトマスクは、基板と、前記基板上に形成されてＥＵＶ光を反射する反射部と、前記反射部上の少なくとも一部に形成されてＥＵＶ光を吸収する吸収部と、前記吸収部の最表面及び前記吸収部の側面をそれぞれ覆うように形成されてＥＵＶ光を透過する被覆膜と、を備え、前記吸収部のＥＵＶ反射光の位相と、前記反射部のＥＵＶ反射光の位相とは、２００度以上２８０度以下の範囲内の位相差を有し、前記被覆膜は、ＥＵＶ光に対して消衰係数ｋが０．０４以下であり、屈折率ｎが０．９４以上である。
【0012】
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける被覆膜は、水素ラジカルに対して耐性を有している。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクは、反射部上に被覆膜が形成されていてもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける被覆膜は、均一な膜厚で形成されていてもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける被覆膜は、珪素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、及びイットリウム（Ｙ）のうち少なくとも１種類の元素を含む金属酸化膜で形成されていてもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクは、反射部上に被覆膜が形成されていてもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける被覆膜は、均一な膜厚で形成されていてもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける被覆膜は、珪素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、及びイットリウム（Ｙ）のうち少なくとも１種類の元素を含む金属酸化膜で形成されていてもよい。
【0013】
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける吸収部は、２１５度以上２７０度以下の範囲内の位相差を有していてもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける吸収部は、２３０度以上２６０度以下の範囲内の位相差を有していてもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける吸収部は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９３より小さくてもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける吸収部は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９２より小さくてもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける吸収部は、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及びレニウム（Ｒｅ）のうち少なくとも１種類の元素を含む材料から構成されていてもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける吸収部は、２３０度以上２６０度以下の範囲内の位相差を有していてもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける吸収部は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９３より小さくてもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける吸収部は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９２より小さくてもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクにおける吸収部は、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及びレニウム（Ｒｅ）のうち少なくとも１種類の元素を含む材料から構成されていてもよい。
【0014】
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクの製造方法は、上述した反射型フォトマスクの製造方法であって、原子層堆積法によって被覆膜を形成する工程を含む。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクの製造方法における被覆膜を形成する工程では、材料ガスとして金属水素化物、金属ハロゲン化物、または有機金属化合物を用いて、原子層堆積法によって被覆膜を形成してもよい。
また、本発明の一態様に係る反射型フォトマスクの製造方法における被覆膜を形成する工程では、材料ガスとして金属水素化物、金属ハロゲン化物、または有機金属化合物を用いて、原子層堆積法によって被覆膜を形成してもよい。
【発明の効果】
【0015】
本発明の一態様によれば、優れたウェハ転写性能（特に解像性）を備え、且つ優れた耐久性（水素ラジカル耐性）を備えた反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクの製造方法を提供することができる。より詳しくは、本発明の一態様によれば、ＥＵＶ透過率が高く、且つ水素ラジカル耐性が高い材料で吸収部の最表層及び側面を均一に被覆することで、十分な位相シフト効果とウェハ転写性能（特に解像性）の向上効果を維持し、長期間マスクを使用することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクの構造を示す概略断面図である。
【図2】本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクの位相差とＮＩＬＳとの関係を示すグラフである。
【図3】本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクにおける吸収層の膜厚と位相差との関係を示すグラフである。
【図4】ＥＵＶ光の波長における各金属材料の光学定数を示すグラフである。
【図5】本実施形態に係る水素ラジカル耐性評価方法を示す概念図である。
【図6】本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクにおける被覆膜の膜厚とＮＩＬＳとの関係を示すグラフである。
【図7】本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクにおける位相差とＮＩＬＳとの関係を示すグラフである。
【図8】本発明の他の実施形態に係る反射型フォトマスクの構造を示す概略断面図である。
【図9】本発明の実施例に係る反射型フォトマスクブランクの構造を示す概略断面図である。
【図10】本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの製造工程を示す概略断面図である。
【図11】本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの製造工程を示す概略断面図である。
【図12】本発明の実施例に係る反射型フォトマスクの構造を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、本開示の一実施形態について図面を参照しつつ、本発明の実施形態に係る反射型フォトマスクの構造及び反射型フォトマスクの製造方法について説明する。
ここで、図面に示す構成は模式的なものであり、厚さと平面寸法との関係、各層の厚さの比率などは現実のものとは異なる。また、以下に示す実施形態は、本開示の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、本開示の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造などが下記のものに限定されるものでない。本開示の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
ここで、図面に示す構成は模式的なものであり、厚さと平面寸法との関係、各層の厚さの比率などは現実のものとは異なる。また、以下に示す実施形態は、本開示の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、本開示の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造などが下記のものに限定されるものでない。本開示の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
【0018】
（全体構造）
図１は、本発明の実施形態に係る被覆膜付き反射型フォトマスク（以下、単に「反射型マスク」とも称する）１０の構成を示す概略断面図である。
図１に示すように、本発明の実施形態に係る反射型マスク１０は、基板１と、基板１上に形成されてＥＵＶ光を反射する反射部６と、反射部６上の少なくとも一部に形成されてＥＵＶ光を吸収する吸収層（吸収部）４と、吸収層４の最表面及び吸収層４の側面をそれぞれ覆うように形成されてＥＵＶ光を透過する被覆膜５と、を備えている。反射部（反射層）６は、多層反射膜２とキャッピング層３とで構成される。また、反射型マスク１０は、吸収層４によって形成された微細パターンである吸収層パターン（転写パターン）を備えている。
以下、上述した各層の詳細について説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る被覆膜付き反射型フォトマスク（以下、単に「反射型マスク」とも称する）１０の構成を示す概略断面図である。
図１に示すように、本発明の実施形態に係る反射型マスク１０は、基板１と、基板１上に形成されてＥＵＶ光を反射する反射部６と、反射部６上の少なくとも一部に形成されてＥＵＶ光を吸収する吸収層（吸収部）４と、吸収層４の最表面及び吸収層４の側面をそれぞれ覆うように形成されてＥＵＶ光を透過する被覆膜５と、を備えている。反射部（反射層）６は、多層反射膜２とキャッピング層３とで構成される。また、反射型マスク１０は、吸収層４によって形成された微細パターンである吸収層パターン（転写パターン）を備えている。
以下、上述した各層の詳細について説明する。
【0019】
（基板）
本実施形態に係る基板１は、例えば、低熱膨張性の基板である。具体的には、基板１として、平坦なＳｉ基板や合成石英基板等を用いることができる。また、基板１として、チタンを添加した低熱膨張ガラスを用いることができる。このように、基板１は、熱膨張率の小さい材料であればよく、これらの材料に限定されるものではない。
本実施形態に係る基板１は、例えば、低熱膨張性の基板である。具体的には、基板１として、平坦なＳｉ基板や合成石英基板等を用いることができる。また、基板１として、チタンを添加した低熱膨張ガラスを用いることができる。このように、基板１は、熱膨張率の小さい材料であればよく、これらの材料に限定されるものではない。
【0020】
（多層反射膜）
本実施形態に係る多層反射膜２は、基板１上に形成された膜（層）である。この多層反射膜２は、露光光であるＥＵＶ光（極端紫外光）を反射するための膜であり、例えば、ＥＵＶ光に対する屈折率が互いに大きく異なる材料を組み合わせて構成した多層反射膜である。多層反射膜２としては、例えば、Ｍｏ（モリブデン）を含む層とＳｉ（シリコン）を含む層が積層した積層膜、またはＭｏ（モリブデン）を含む層とＢｅ（ベリリウム）を含む層とが積層した積層膜を４０周期程度繰り返し積層することにより形成された膜が好ましい。
本実施形態に係る多層反射膜２は、基板１上に形成された膜（層）である。この多層反射膜２は、露光光であるＥＵＶ光（極端紫外光）を反射するための膜であり、例えば、ＥＵＶ光に対する屈折率が互いに大きく異なる材料を組み合わせて構成した多層反射膜である。多層反射膜２としては、例えば、Ｍｏ（モリブデン）を含む層とＳｉ（シリコン）を含む層が積層した積層膜、またはＭｏ（モリブデン）を含む層とＢｅ（ベリリウム）を含む層とが積層した積層膜を４０周期程度繰り返し積層することにより形成された膜が好ましい。
【0021】
（キャッピング層）
本実施形態に係るキャッピング層３は、多層反射膜２上に形成された層である。キャッピング層３は、吸収層４に転写パターンを形成する際に行われるドライエッチングに対して耐性を有する材質で形成されている。つまり、キャッピング層３は、吸収層４をエッチングして、転写パターン（低反射部パターン）を形成する際に、多層反射膜２へのダメージを防ぐエッチングストッパとして機能するものである。ここで、多層反射膜２の材質やエッチング条件によっては、キャッピング層３は設けなくてもかまわない。
本実施形態に係るキャッピング層３は、多層反射膜２上に形成された層である。キャッピング層３は、吸収層４に転写パターンを形成する際に行われるドライエッチングに対して耐性を有する材質で形成されている。つまり、キャッピング層３は、吸収層４をエッチングして、転写パターン（低反射部パターン）を形成する際に、多層反射膜２へのダメージを防ぐエッチングストッパとして機能するものである。ここで、多層反射膜２の材質やエッチング条件によっては、キャッピング層３は設けなくてもかまわない。
【0022】
（吸収層）
図１に示すように、吸収層４は、保護層であるキャッピング層３上に形成される層であり、露光光であるＥＵＶ光を吸収する層である。
吸収層４（吸収パターン層４ａ）では、ＥＵＶ光がパターン開口部を通り吸収層４を経由せずに入射、及び反射をする際、その反射光はキャッピング層３及び多層反射膜２の影響を受けて、元の入射光と位相を変化させる。一方、ＥＵＶ光が吸収層４を経由して入射、及び（あるいは）反射をする際、その反射光はキャッピング層３及び多層反射膜２の影響に加え、吸収層４の影響を受けて元の入射光と位相を変化させる。即ち、ＥＵＶ光が吸収層４を経由して生じた反射光は、パターン開口部のみを経由して生じた反射光との間で、吸収層４の膜特性に基づく所望の位相差を生じる。
図１に示すように、吸収層４は、保護層であるキャッピング層３上に形成される層であり、露光光であるＥＵＶ光を吸収する層である。
吸収層４（吸収パターン層４ａ）では、ＥＵＶ光がパターン開口部を通り吸収層４を経由せずに入射、及び反射をする際、その反射光はキャッピング層３及び多層反射膜２の影響を受けて、元の入射光と位相を変化させる。一方、ＥＵＶ光が吸収層４を経由して入射、及び（あるいは）反射をする際、その反射光はキャッピング層３及び多層反射膜２の影響に加え、吸収層４の影響を受けて元の入射光と位相を変化させる。即ち、ＥＵＶ光が吸収層４を経由して生じた反射光は、パターン開口部のみを経由して生じた反射光との間で、吸収層４の膜特性に基づく所望の位相差を生じる。
【0023】
一般に、吸収層４の、反射率及びパターニングした結果生じる開口部との位相差は、反射型マスクの各層の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）と膜厚、使用する光の波長が決まれば、一意に定まり、光学理論により計算で求めることができる（詳細は、例えば、応用物理工学選書３、吉田貞史「薄膜」、培風館、１９９０を参照）。つまり、本実施形態における「位相差」とは、吸収層４の反射光の位相と、反射層６を構成する多層反射膜２の（開口部での）反射光の位相と、の差を意味する。なお、本実施形態では、上記反射率及び上記位相差の算出に用いた屈折率ｎ及び消衰係数ｋの各値は、ＥＵＶ光を用いた実測値を用いた。
【0024】
ＮＩＬＳ（規格化空間像対数傾斜）は、
ＮＩＬＳ＝ｗ×ｄｌｎ（Ｉ）／ｄｘ ・・・式（１）
で求められるコントラストの値であり、反射型マスク１０を用いてウェハパターンを形成した際のウェハパターンの解像性の指標になる。ここで「ｗ」は線幅を表し、「Ｉ」はエネルギー潜像の強度を表す。なお、ＮＩＬＳの値が大きい程、転写パターンの解像性が高いことを意味する。
ＮＩＬＳ＝ｗ×ｄｌｎ（Ｉ）／ｄｘ ・・・式（１）
で求められるコントラストの値であり、反射型マスク１０を用いてウェハパターンを形成した際のウェハパターンの解像性の指標になる。ここで「ｗ」は線幅を表し、「Ｉ」はエネルギー潜像の強度を表す。なお、ＮＩＬＳの値が大きい程、転写パターンの解像性が高いことを意味する。
【0025】
反射型マスク１０を用いてウェハ転写した際のウェハパターンのＮＩＬＳ（規格化空間像対数傾斜）は、反射型マスク１０の位相差に依存する。図２は、被覆膜５を備えず、吸収層４（吸収パターン層４ａ）を、ロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）の混合材料を用いた単層膜として、開口数ＮＡが０．３３の露光条件で、ウェハ上の１９ｎｍのホールパターンを露光した場合のＮＩＬＳ（規格化空間像対数傾斜）を、膜厚３８ｎｍ、４１ｎｍ、４７ｎｍ、５４ｎｍの４水準で求めたグラフである。Ｒｈは屈折率ｎ＝０．８７５、消衰係数ｋ＝０．０３であり、Ａｌは屈折率ｎ＝１．０３、消衰係数ｋ＝０．０３であるので、ＲｈＡｌの組成を変えたとき、その屈折率は０．８７５＜ｎ＜１．０３の範囲内で変化し、消衰係数はおよそｋ＝０．０３で一定である。また、同じ膜厚で比べた場合、ＲｈＡｌの組成を変えたとき、すなわち屈折率ｎを変えたとき、位相差が変化する。なお、図２では、横軸に位相差をとり、縦軸にＮＩＬＳをとることで、位相差とＮＩＬＳとの関係を示している。
【0026】
図２に示すように、位相差とＮＩＬＳとの間には関係性があり、位相差が２３０度から２６０度近傍の範囲内でＮＩＬＳの値は最大になる。
また、図２に示すように、膜厚が５４ｎｍであり、且つＲｈＡｌで形成された吸収パターン層４ａの位相差が１８０度である場合のＮＩＬＳの値は２．４９である。
これに対し、位相差が２００度である場合のＮＩＬＳの値は２．６０であり、位相差が２８０度である場合のＮＩＬＳの値は２．６０であり、いずれも位相差が１８０度である場合に比べてその値は約５％高くなっている。
また、図２に示すように、膜厚が５４ｎｍであり、且つＲｈＡｌで形成された吸収パターン層４ａの位相差が１８０度である場合のＮＩＬＳの値は２．４９である。
これに対し、位相差が２００度である場合のＮＩＬＳの値は２．６０であり、位相差が２８０度である場合のＮＩＬＳの値は２．６０であり、いずれも位相差が１８０度である場合に比べてその値は約５％高くなっている。
【0027】
また、位相差が２１５度である場合のＮＩＬＳの値は２．６８であり、位相差が２７０度である場合のＮＩＬＳの値は２．６７であり、いずれも位相差が１８０度である場合に比べてその値は約７％高くなっている。
また、位相差が２３０度である場合のＮＩＬＳの値は２．７２であり、位相差が２６０度である場合のＮＩＬＳの値は２．７１であり、いずれも位相差が１８０度である場合に比べてその値は約９％高くなっている。
さらに、位相差が２４０度である場合にＮＩＬＳは最大となり、その値は２．７４であり、位相差が１８０度である場合に比べてその値は約１０％高くなっている。
また、位相差が２３０度である場合のＮＩＬＳの値は２．７２であり、位相差が２６０度である場合のＮＩＬＳの値は２．７１であり、いずれも位相差が１８０度である場合に比べてその値は約９％高くなっている。
さらに、位相差が２４０度である場合にＮＩＬＳは最大となり、その値は２．７４であり、位相差が１８０度である場合に比べてその値は約１０％高くなっている。
【0028】
このように位相差が１８０度である場合よりも、位相差が２００度以上２８０度以下の範囲内であれば５％以上、位相差が２１５度以上２７０度以下の範囲内であれば７％以上、位相差が２３０度以上２６０度以下の範囲内であれば９％以上、ＮＩＬＳの値が向上する。
これらのことから、解像性を向上させるためには、吸収層４の位相差は、２００度以上２８０度以下の範囲内が好ましく、２１５度以上２７０度以下の範囲内がさらに好ましく、２３０度以上２６０度以下の範囲内が最も好ましいことが分かる。
これらのことから、解像性を向上させるためには、吸収層４の位相差は、２００度以上２８０度以下の範囲内が好ましく、２１５度以上２７０度以下の範囲内がさらに好ましく、２３０度以上２６０度以下の範囲内が最も好ましいことが分かる。
【0029】
また、図２に示すように、吸収パターン層４ａの膜厚が４７ｎｍであり、位相差が２４０度である場合のＮＩＬＳの値は２．７６であり、位相差が１８０度である場合に比べてその値は約１２％高くなっている。
また、図２に示すように、吸収パターン層４ａの膜厚が４１ｎｍであり、位相差が２４０度である場合のＮＩＬＳの値は２．７８であり、位相差が１８０度である場合に比べてその値は約１３％高くなっている。
また、図２に示すように、吸収パターン層４ａの膜厚が３８ｎｍであり、位相差が２４０度である場合のＮＩＬＳの値は２．７１であり、位相差が１８０度である場合に比べてその値は約３１％高くなっている。
このように、反射型マスクにおける吸収層（吸収パターン層）の最適な位相差は、従来の設計思想で用いられてきた「１８０度」とは異なる値であることを本発明者は見出した。
また、図２に示すように、吸収パターン層４ａの膜厚が４１ｎｍであり、位相差が２４０度である場合のＮＩＬＳの値は２．７８であり、位相差が１８０度である場合に比べてその値は約１３％高くなっている。
また、図２に示すように、吸収パターン層４ａの膜厚が３８ｎｍであり、位相差が２４０度である場合のＮＩＬＳの値は２．７１であり、位相差が１８０度である場合に比べてその値は約３１％高くなっている。
このように、反射型マスクにおける吸収層（吸収パターン層）の最適な位相差は、従来の設計思想で用いられてきた「１８０度」とは異なる値であることを本発明者は見出した。
【0030】
ＥＵＶリソグラフィにおいて、ＥＵＶ光は斜めに入射し、反射層６で反射されるが、吸収パターン（転写パターン）が形成された吸収層４が光路の妨げとなる射影効果により、ウェハ（半導体基板）上への転写性能が悪化することがある。この転写性能の悪化は、ＥＵＶ光を吸収する吸収層４の厚さを薄くすることで低減できることが知られている
吸収層４の膜厚は、６０ｎｍ以下であることが好ましい。吸収層４の膜厚が６０ｎｍ以下である場合、従来のＴａ系吸収膜と比較して十分に射影効果を低減し、転写性能を向上させることができる。射影効果の更なる低減には吸収層４の膜厚が５０ｎｍ以下であることが好ましく、４０ｎｍ以下がより好ましく、３０ｎｍ以下がさらに好ましい。なお、吸収層４において、その下限値は特に制限されないが、２０ｎｍ以上であると好ましく、２５ｎｍ以上であるとさらに好ましい。
吸収層４の膜厚は、６０ｎｍ以下であることが好ましい。吸収層４の膜厚が６０ｎｍ以下である場合、従来のＴａ系吸収膜と比較して十分に射影効果を低減し、転写性能を向上させることができる。射影効果の更なる低減には吸収層４の膜厚が５０ｎｍ以下であることが好ましく、４０ｎｍ以下がより好ましく、３０ｎｍ以下がさらに好ましい。なお、吸収層４において、その下限値は特に制限されないが、２０ｎｍ以上であると好ましく、２５ｎｍ以上であるとさらに好ましい。
【0031】
図３は、ＥＵＶ光に対する吸収層４の屈折率ｎが０．９０、０．９１、０．９２、０．９３、０．９４である場合における吸収層４の膜厚と位相差との関係をシミュレーションで算出したグラフである。
図３に示すように、ＥＵＶ光に対する吸収層４の屈折率ｎが小さければ小さいほど、所望の位相差を得るための膜厚を薄くすることができる。ＥＵＶ光に対する吸収層４の屈折率ｎが０．９３の場合、２３０～２６０度の位相差を得るための最低膜厚は６０ｎｍであり、従来のＴａ系吸収膜の膜厚と同程度である。そのため、ＥＵＶ光に対する吸収層４の屈折率ｎは０．９３より小さければ、膜厚を６０ｎｍより薄くすることができるので、好ましい。また、ＥＵＶ光に対する吸収層４の屈折率ｎが０．９２より小さければ、２３０～２６０度の位相差を得るための最低膜厚が５０ｎｍ以下になるため、さらに好ましい。
図３に示すように、ＥＵＶ光に対する吸収層４の屈折率ｎが小さければ小さいほど、所望の位相差を得るための膜厚を薄くすることができる。ＥＵＶ光に対する吸収層４の屈折率ｎが０．９３の場合、２３０～２６０度の位相差を得るための最低膜厚は６０ｎｍであり、従来のＴａ系吸収膜の膜厚と同程度である。そのため、ＥＵＶ光に対する吸収層４の屈折率ｎは０．９３より小さければ、膜厚を６０ｎｍより薄くすることができるので、好ましい。また、ＥＵＶ光に対する吸収層４の屈折率ｎが０．９２より小さければ、２３０～２６０度の位相差を得るための最低膜厚が５０ｎｍ以下になるため、さらに好ましい。
【0032】
図４は、各金属材料のＥＵＶ光の波長１３．５ｎｍに対する光学定数を示すグラフである。図４のグラフの横軸は屈折率ｎを表し、縦軸は消衰係数ｋを示している。図４に示すように、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及びレニウム（Ｒｅ）のそれぞれは、屈折率ｎが０．９３より小さいため、吸収層４の材料として、これらの材料群を用いることにより射影効果を低減できることが分かる。なお、上述した「Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｒｅ」を、以下便宜的に「第１の材料群」と定義する。
【0033】
吸収層４の材料は、第１の材料群の元素を含んでいれば混合物であってもよい。混合物であれば、組成を変えることによって吸収層４の光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）を制御することができ、所望の位相差と反射率を得ることができる。つまり、吸収層４は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、及びＲｅのうち少なくとも１種類の元素を含む材料で構成されていれば好ましい。
吸収層４の材料は、上述した第１の材料群に加えて、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、及びタンタル（Ｔａ）で表される「第２の材料群」のうち少なくとも１種類の元素をさらに含んでいても良い。Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔａの酸化物、窒化物もしくは酸窒化物であれば、高融点の為、耐熱性の更なる改善と既存エッチング装置での加工性向上が期待できる。
吸収層４の材料は、上述した第１の材料群に加えて、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、及びタンタル（Ｔａ）で表される「第２の材料群」のうち少なくとも１種類の元素をさらに含んでいても良い。Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔａの酸化物、窒化物もしくは酸窒化物であれば、高融点の為、耐熱性の更なる改善と既存エッチング装置での加工性向上が期待できる。
【0034】
吸収層４は、第１の材料群の元素のみで構成されていてもよいし、第１の材料群の元素と、第２の材料群の元素とで構成されていてもよい。また、吸収層４は、第１の材料群の元素と、第２の材料群の元素以外の他の元素とで構成されていてもよいし、第１の材料群の元素と、第２の材料群の元素と、第２の材料群の元素以外の他の元素とで構成されていてもよい。なお、吸収層４が第１の材料群の元素と第２の材料群の元素とで構成されている場合には、第１の材料群の元素の含有率が吸収層４全体の元素の７０原子％以上であれば好ましく、８０原子％以上であればより好ましく、９０原子％以上であればさらに好ましい。
吸収層４は、所望の位相差が得られ、且つ被覆膜５を形成することができれば第１の材料群を含む層が１層以上あればよく、多層膜であってもよい。例えば、吸収層４の下層がロジウム、上層が酸化錫で構成されるような吸収層であってもよい。
吸収層４は、所望の位相差が得られ、且つ被覆膜５を形成することができれば第１の材料群を含む層が１層以上あればよく、多層膜であってもよい。例えば、吸収層４の下層がロジウム、上層が酸化錫で構成されるような吸収層であってもよい。
【0035】
（被覆膜）
本実施形態において、反射型マスク１０を構成する吸収層４そのものに、水素ラジカル耐性を付与しようとすると、吸収層４の材料種が制限される。しかし、水素ラジカル耐性の高い被覆膜５で吸収層４の最表面及び吸収層４の側面をそれぞれ覆うことで、水素ラジカル耐性に乏しい材料も吸収層４の構成材料として使用することができる。また、吸収層４の構成材料が水素ラジカル耐性を持つ材料であっても、被覆膜５により保護されることにより、吸収層４は水素ラジカルに触れないため、より長時間の使用に耐えることができる。なお、本実施形態では、被覆膜５は最表面及び吸収層４の側面の全面を覆う構成について説明したが、本発明では、被覆膜５は最表面及び吸収層４の側面の少なくとも一部を覆う構成であっても良い。覆う面積が多い方が好ましく、全面を覆う構成が好ましい。
このように、本実施形態に係る被覆膜５は、水素ラジカルに対して耐性を備えた膜であればよい。
本実施形態において、反射型マスク１０を構成する吸収層４そのものに、水素ラジカル耐性を付与しようとすると、吸収層４の材料種が制限される。しかし、水素ラジカル耐性の高い被覆膜５で吸収層４の最表面及び吸収層４の側面をそれぞれ覆うことで、水素ラジカル耐性に乏しい材料も吸収層４の構成材料として使用することができる。また、吸収層４の構成材料が水素ラジカル耐性を持つ材料であっても、被覆膜５により保護されることにより、吸収層４は水素ラジカルに触れないため、より長時間の使用に耐えることができる。なお、本実施形態では、被覆膜５は最表面及び吸収層４の側面の全面を覆う構成について説明したが、本発明では、被覆膜５は最表面及び吸収層４の側面の少なくとも一部を覆う構成であっても良い。覆う面積が多い方が好ましく、全面を覆う構成が好ましい。
このように、本実施形態に係る被覆膜５は、水素ラジカルに対して耐性を備えた膜であればよい。
【0036】
現在のＥＵＶ露光装置では、コンタミによるチャンバー内の汚染を防ぐため、水素ラジカルによるクリーニングが行われる。このため、反射型マスクは水素ラジカルに対する耐久性が低いと、マスクの寿命が短くなってしまう。反射型マスクの長寿命化を図るために、反射型マスクは水素ラジカル耐性の高い化合物材料で形成される必要がある。
水素ラジカルに対して耐性のある材料としては、例えば図５に示す装置を用い、水素の流量１００ｓｓｃｍ、２．４５ＧＨｚのＭＷＰ（Ｍｉｃｒｏ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ：マイクロ波プラズマ）を使って電極３０１間の距離を１８ｍｍに設定した条件で励起された水素ラジカル環境下で、膜減り量が１ｎｍ以下（膜減り速さ０．０１ｎｍ／ｓ以下）となる化合物材料が好ましい。なお、図５では、サンプル（試験対象）を「３０２」で示し、チャンバーを「３００」で示している。
水素ラジカルに対して耐性のある材料としては、例えば図５に示す装置を用い、水素の流量１００ｓｓｃｍ、２．４５ＧＨｚのＭＷＰ（Ｍｉｃｒｏ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ：マイクロ波プラズマ）を使って電極３０１間の距離を１８ｍｍに設定した条件で励起された水素ラジカル環境下で、膜減り量が１ｎｍ以下（膜減り速さ０．０１ｎｍ／ｓ以下）となる化合物材料が好ましい。なお、図５では、サンプル（試験対象）を「３０２」で示し、チャンバーを「３００」で示している。
【0037】
本実施形態に係る反射型マスク１０の場合、被覆膜５は、反射型マスク１０における最表層となるため、入射光及び反射光の各光路の妨げとならないことが好ましい。図６には膜厚が４７ｎｍ、屈折率ｎが０．９３、消衰係数ｋが０．０３の材料を用いて形成された吸収層４上に、被覆膜５をその膜厚が１０ｎｍに達するまで成膜した場合のＮＩＬＳとの関係を示した。被覆膜５としてはＳｉＯ２（ｎ＝０．９７４、ｋ＝０．０１３）、ＺｒＯ２（ｎ＝０．９４６、ｋ＝０．０１５）、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝０．９６８、ｋ＝０．０３８）、ＺｎＯ（ｎ＝０．９６４、ｋ＝０．０４４）、Ｗ（ｎ＝０．９３３、ｋ＝０．０３３）、Ｒｕ（ｎ＝０．８８６、ｋ＝０．０１７）、Ｐｔ（ｎ＝０．８９１、ｋ＝０．０６０）を使用した場合の例を示した。
【0038】
図６に示すように被覆膜５の形成によりＮＩＬＳが変化した場合でも従来のＴａ系吸収膜より高いＮＩＬＳを保つためには、最表層である被覆膜５の消衰係数ｋは０．０４以下であり、屈折率は０．９４以上であり、被覆膜５の膜厚は９ｎｍ以内であることが望ましい。被覆膜５の膜厚のより好ましい範囲は、水素ラジカル耐性の観点から１ｎｍ以上であることが好ましく、ＮＩＬＳ変動と水素ラジカル耐性とのバランスの観点からさらに好ましくは、２ｎｍ以上４ｎｍ以下の範囲内である。つまり、吸収層４の表面（上面部）に形成された被覆膜５の平均膜厚は１ｎｍ以上９ｎｍ以下の範囲内であることが望ましく、２ｎｍ以上４ｎｍ以下の範囲内であればさらに好ましい。上記数値範囲内であれば、水素ラジカル耐性を十分に有し、且つ入射光及び反射光の各光路の妨げをさらに低減することができる。
【0039】
なお、被覆膜５は屈折率ｎが１に近く、消衰係数ｋが０に近い材料、例えばＳｉＯ２を被覆膜５の材料として使用し、ＮＩＬＳが従来のＴａ系吸収膜より高ければ、被覆膜５の膜厚が１０ｎｍ以上であっても良い。被覆膜５の膜厚が１０ｎｍ以上であれば、膜厚が薄い場合と比較して、マスク洗浄時の薬液による被覆膜の浸食に対してより耐えることができ、反射型マスクを長時間使用することができる。
【0040】
反射型マスク１０を用いてウェハ転写した際のウェハパターンのＮＩＬＳ（規格化空間像対数傾斜）と位相差との関係を図７に示す。
図７は、吸収層４としてロジウム（Ｒｈ）と錫（Ｓｎ）の混合材料を使用し、被覆膜５として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を使用し、開口数ＮＡが０．３３の露光条件で、ウェハ上の１９ｎｍのホールパターンを露光した場合のＮＩＬＳ（規格化空間像対数傾斜）と位相差とを、吸収層４の膜厚が４７ｎｍ、吸収層４の屈折率が０．８５～０．９５、被覆膜５の膜厚が２～８ｎｍの条件で求めたグラフである。
図７は、吸収層４としてロジウム（Ｒｈ）と錫（Ｓｎ）の混合材料を使用し、被覆膜５として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を使用し、開口数ＮＡが０．３３の露光条件で、ウェハ上の１９ｎｍのホールパターンを露光した場合のＮＩＬＳ（規格化空間像対数傾斜）と位相差とを、吸収層４の膜厚が４７ｎｍ、吸収層４の屈折率が０．８５～０．９５、被覆膜５の膜厚が２～８ｎｍの条件で求めたグラフである。
【0041】
図７に示すように従来のＴａ系吸収膜より高いＮＩＬＳを保つためには、位相差が２００度以上２８０度以下の範囲内であればよく、２１５度以上２７０度以下の範囲内がさらに好ましく、２３０度以上２６０度以下の範囲内が最も好ましいことが分かる。
これは、図２で示した被覆膜５を備えない反射型マスクにおける位相差範囲と同等である。従って、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のようなＥＵＶ光の光路の妨げにならない材料であれば被覆膜５を形成しなかった場合と同等の効果を得ることができる。
これは、図２で示した被覆膜５を備えない反射型マスクにおける位相差範囲と同等である。従って、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のようなＥＵＶ光の光路の妨げにならない材料であれば被覆膜５を形成しなかった場合と同等の効果を得ることができる。
【0042】
このように、被覆膜５は、水素ラジカル耐性を備え、且つＥＵＶ光の光路の妨げとならないよう、ＥＵＶ光に対する消衰係数ｋは小さく、且つ屈折率nは１に近い化合物材料で形成されていることが好ましい。そのため、被覆膜５は、例えば、珪素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、及びイットリウム（Ｙ）のうち少なくとも１種類の元素を含む金属酸化膜で形成されていることが好ましい。被覆膜５を形成する金属酸化膜は、上記金属元素に対して酸素原子が原子数比率で１以上であれば好ましく、２以上であればより好ましい。また、ＥＵＶ光に対する消衰係数ｋや屈折率ｎの条件を満たしていれば、金属酸化膜中に上記金属元素や酸素以外の元素(例えば窒素)を含んでいてもよい。
【0043】
例えば、被覆膜５を形成する金属酸化膜中における上記金属元素の合計含有量は、被覆膜５全体の金属原子数に対し５０原子％以上であれば好ましく、７０原子％以上であればより好ましく、９０原子％以上であればさらに好ましい。勿論、被覆膜５は、上記金属元素のみで形成されていてもよい。
上記材料で形成された被覆膜５であれば、十分な位相シフト効果とウェハ転写性能（特に解像性）の向上効果を維持し、長期間マスクを使用することが可能となる。
なお、図１では図示しないが、本実施形態に係る反射型マスク１０では、基板１の多層反射膜２が形成された面とは反対側の面に裏面導電膜を形成することができる。裏面導電膜は、反射型マスク１０を露光機に設置するときに静電チャックの原理を利用して固定するための膜である。
上記材料で形成された被覆膜５であれば、十分な位相シフト効果とウェハ転写性能（特に解像性）の向上効果を維持し、長期間マスクを使用することが可能となる。
なお、図１では図示しないが、本実施形態に係る反射型マスク１０では、基板１の多層反射膜２が形成された面とは反対側の面に裏面導電膜を形成することができる。裏面導電膜は、反射型マスク１０を露光機に設置するときに静電チャックの原理を利用して固定するための膜である。
【0044】
（被覆膜の形成方法）
本実施形態に係る反射型マスク１０に備わる被覆膜５は、材料ガスとして金属水素化物、金属ハロゲン化物、または有機金属化合物を用いた原子層堆積法によって形成することができる。より詳しくは、本実施形態では、被覆膜５を、珪素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、及びイットリウム（Ｙ）を少なくとも１種類含むガスと、酸素（Ｏ）を含むガスとを交互に供給する原子層堆積法を用いて形成してもよい。
原子層堆積法は、原子層単位で薄膜を形成することができる。このため、この方法により形成された被覆膜５は、高い膜厚均一性、及び高い形状追従性を有している。
本実施形態に係る反射型マスク１０に備わる被覆膜５は、材料ガスとして金属水素化物、金属ハロゲン化物、または有機金属化合物を用いた原子層堆積法によって形成することができる。より詳しくは、本実施形態では、被覆膜５を、珪素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、及びイットリウム（Ｙ）を少なくとも１種類含むガスと、酸素（Ｏ）を含むガスとを交互に供給する原子層堆積法を用いて形成してもよい。
原子層堆積法は、原子層単位で薄膜を形成することができる。このため、この方法により形成された被覆膜５は、高い膜厚均一性、及び高い形状追従性を有している。
【0045】
被覆膜５は、水素ラジカルによる転写性能の悪化を防ぐため、吸収層４の表面（最表面）及び側面をそれぞれ覆うように形成されていればよい。また、吸収層４の表面（最表面）及び側面、さらにキャッピング層３上または多層反射膜２上に形成された転写パターンに沿って、即ち表面が露出した反射層６上（キャッピング層３上または多層反射膜２上）に被覆膜５が形成されていればより好ましい。なお、図８には、吸収層４の表面（最表面）及び側面、並びにキャッピング層３（反射層６）上に被覆膜５を形成した反射型マスク１０の形態を示す。
【0046】
さらに前述のように被覆膜５による転写性の悪化をより低減するためには被覆膜５の膜厚を制限することが好ましく、形成される被覆膜５が均一な膜厚であればより好ましい。従って膜厚均一性、形状追従性に優れる原子層堆積法により被覆膜５を形成することで、パターン転写性の悪化を伴わず高い水素ラジカル耐性を有する反射型マスク１０を製造することが可能である。ここで、「均一な膜厚」とは、吸収層４の表面及び側面にそれぞれ形成された被覆膜５の平均厚み（平均膜厚）に対して、最も薄い部分の厚さが－２ｎｍ以内の範囲内であり、最も厚い部分の厚さが＋２ｎｍ以内の範囲内であることをいう。つまり、本実施形態では、吸収層４の表面に形成された被覆膜５の膜厚は、その平均厚みに対して±２ｎｍの範囲内に収まっている。また、吸収層４の側面に形成された被覆膜５の膜厚は、その平均厚みに対して±２ｎｍの範囲内に収まっている。
【0047】
なお、吸収層４の側面に形成された被覆膜５の平均膜厚は、上述した吸収層４の表面に形成された被覆膜５の平均膜厚と同じであることが好ましいが、吸収層４の表面に形成された被覆膜５の平均膜厚に比べて薄くてもよい。つまり、吸収層４の側面に形成された被覆膜５の平均膜厚は、吸収層４の表面に形成された被覆膜５の平均膜厚と同様に、１ｎｍ以上９ｎｍ以下の範囲内であることが望ましく、２ｎｍ以上４ｎｍ以下の範囲内であればさらに好ましいが、吸収層４の表面に形成された被覆膜５の平均膜厚に比べて薄くてもよい。
【0048】
なお、吸収層４の側面に形成された被覆膜５の平均膜厚が、吸収層４の表面に形成された被覆膜５の平均膜厚よりも薄い形態では、吸収層４の側面に形成された被覆膜５の平均膜厚は、吸収層４の表面に形成された被覆膜５の平均膜厚に対して、０．５倍以上１．０倍未満の範囲内であれば好ましく、０．８倍以上１．０倍未満の範囲内であればさらに好ましい。吸収層４の側面に形成された被覆膜５の平均膜厚が上記数値範囲内であれば、優れたパターン転写性を維持しつつ、水素ラジカル耐性をさらに向上させることができる。
【0049】
また、図８に示すように、キャッピング層３上にも被覆膜５が形成されている形態では、キャッピング層３上に形成された被覆膜５の平均膜厚は、上述した吸収層４の表面あるいは側面に形成された被覆膜５の平均膜厚と同じであることが好ましいが、吸収層４の表面あるいは側面に形成された被覆膜５の平均膜厚に比べて薄くてもよい。つまり、キャッピング層３上に形成された被覆膜５の平均膜厚は、吸収層４の表面あるいは側面に形成された被覆膜５の平均膜厚と同様に、１ｎｍ以上９ｎｍ以下の範囲内であることが望ましく、２ｎｍ以上４ｎｍ以下の範囲内であればさらに好ましいが、吸収層４の表面あるいは側面に形成された被覆膜５の平均膜厚に比べて薄くてもよい。
【0050】
なお、キャッピング層３上に形成された被覆膜５の平均膜厚が、吸収層４の表面あるいは側面に形成された被覆膜５の平均膜厚よりも薄い形態では、キャッピング層３上に形成された被覆膜５の平均膜厚は、吸収層４の表面あるいは側面に形成された被覆膜５の平均膜厚に対して、０．５倍以上１．０倍未満の範囲内であれば好ましく、０．８倍以上１．０倍未満の範囲内であればさらに好ましい。キャッピング層３上に形成された被覆膜５の平均膜厚が上記数値範囲内であれば、優れたパターン転写性を維持しつつ、水素ラジカル耐性をさらに向上させることができる。
【0051】
このように、本実施形態に係る反射型マスク１０においては、原子層堆積法により吸収層４の表面及び側面に水素ラジカル耐性の高い被覆膜５が形成されている。このため、反射型マスク１０への露光時に用いられる水素ラジカルによる吸収層４へのダメージが低減され、パターン転写性の悪化を抑制することができる。
また、被覆膜５は、ＥＵＶ透過率及び屈折率が高い材料によって均一に形成されているため、被覆膜５の形成による転写性悪化を抑制することができる。そのため、吸収層４に水素ラジカル耐性が低い材料を用いた場合であっても、高いパターン転写精度を実現することが可能である。
また、被覆膜５は、ＥＵＶ透過率及び屈折率が高い材料によって均一に形成されているため、被覆膜５の形成による転写性悪化を抑制することができる。そのため、吸収層４に水素ラジカル耐性が低い材料を用いた場合であっても、高いパターン転写精度を実現することが可能である。
【0052】
＜実施例１＞
以下、本発明の実施例に係る反射型マスクについて、図と表を用いて説明する。
図９に示すように、低熱膨張性を有する合成石英の基板１１の上に、シリコン（Ｓｉ）とモリブデン（Ｍｏ）とを一対とする積層膜が４０枚積層されて形成された多層反射膜１２を形成した。多層反射膜１２の膜厚は２８０ｎｍとした。図９では、便宜的に、多層反射膜１２が有する積層構造の記載は省略している。
以下、本発明の実施例に係る反射型マスクについて、図と表を用いて説明する。
図９に示すように、低熱膨張性を有する合成石英の基板１１の上に、シリコン（Ｓｉ）とモリブデン（Ｍｏ）とを一対とする積層膜が４０枚積層されて形成された多層反射膜１２を形成した。多層反射膜１２の膜厚は２８０ｎｍとした。図９では、便宜的に、多層反射膜１２が有する積層構造の記載は省略している。
【0053】
次に、多層反射膜１２上に、中間膜としてルテニウム（Ｒｕ）で形成されたキャッピング層１３を、膜厚が２．５ｎｍになるように成膜した。これにより、基板１１上には多層反射膜１２及びキャッピング層１３を有する反射層（反射部）１６が形成されている。
キャッピング層１３の上に、酸化錫（ＳｎＯ）とルテニウム（Ｒｕ）とを含む吸収層（吸収部）１４を膜厚が４２ｎｍになるよう成膜した。吸収層１４における酸化錫（ＳｎＯ）とルテニウム（Ｒｕ）との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、２０：８０であった。また、吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
キャッピング層１３の上に、酸化錫（ＳｎＯ）とルテニウム（Ｒｕ）とを含む吸収層（吸収部）１４を膜厚が４２ｎｍになるよう成膜した。吸収層１４における酸化錫（ＳｎＯ）とルテニウム（Ｒｕ）との原子数比率をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、２０：８０であった。また、吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
【0054】
次に、基板１１の多層反射膜１２が形成されていない側に窒化クロム（ＣｒＮ）で形成された裏面導電膜１５を１００ｎｍの厚さで成膜した。
基板１１上へのそれぞれの膜の成膜は、多元スパッタリング装置を用いた。各々の膜の膜厚は、スパッタリング時間で制御した。
次に、吸収層１４上にポジ型化学増幅型レジスト（ＳＥＢＰ９０１２：信越化学社製）を１２０ｎｍの膜厚にスピンコートで成膜し、１１０度で１０分間ベークし、レジスト膜１７を形成した。
基板１１上へのそれぞれの膜の成膜は、多元スパッタリング装置を用いた。各々の膜の膜厚は、スパッタリング時間で制御した。
次に、吸収層１４上にポジ型化学増幅型レジスト（ＳＥＢＰ９０１２：信越化学社製）を１２０ｎｍの膜厚にスピンコートで成膜し、１１０度で１０分間ベークし、レジスト膜１７を形成した。
【0055】
次いで、電子線描画機（ＪＢＸ３０３０：日本電子社製）によってポジ型化学増幅型レジストに所定のパターンを描画した。
その後、１１０度、１０分間ベーク処理を施し、次いでスプレー現像（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック社製）した。これにより、図１０に示すように、レジストパターン１７ａを形成した。
次に、レジストパターン１７ａをエッチングマスクとして、塩素系ガスを主体としたドライエッチングにより吸収層１４のパターニングを行い、吸収パターン層１４ａを形成した。
次に、残ったレジストパターン１７ａの剥離を行った。こうして、図１１に示すように、吸収層１４の表面及び側面が露出した吸収パターン層１４ａを形成した。なお、図１１には、後述する被覆膜１８が形成される前の形態である反射型フォトマスク１００が示されている。
その後、１１０度、１０分間ベーク処理を施し、次いでスプレー現像（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック社製）した。これにより、図１０に示すように、レジストパターン１７ａを形成した。
次に、レジストパターン１７ａをエッチングマスクとして、塩素系ガスを主体としたドライエッチングにより吸収層１４のパターニングを行い、吸収パターン層１４ａを形成した。
次に、残ったレジストパターン１７ａの剥離を行った。こうして、図１１に示すように、吸収層１４の表面及び側面が露出した吸収パターン層１４ａを形成した。なお、図１１には、後述する被覆膜１８が形成される前の形態である反射型フォトマスク１００が示されている。
【0056】
次に、シリコンガス(ビスジエチルアミノシラン)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の露出した表面及び側面、並びに反射層１６上に、二酸化珪素で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるようにそれぞれ成膜した。珪素（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１：１．９であった。こうして、図１２に示すような反射型フォトマスク（以下、単に「反射型マスク」とも称する）２００を作製した。
【0057】
なお、実施例１の吸収層１４について、吸収部領域の反射率、屈折率ｎ及び消衰係数ｋを、ＥＵＶ光による反射率測定装置で測定した。その結果を表１に示す。
表１に示すように、実施例１の反射型フォトマスク２００は、吸収層１４の屈折率ｎが０．８９６、消衰係数ｋが０．０３０に、また、被覆膜１８の屈折率ｎが０．９７４、消衰係数ｋが０．０１３に、それぞれ作製されていることが分かった。
また、被覆膜５の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．７％、位相差が２３５度であり、被覆膜５の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率は３．５％、位相差が２４５度であり、被覆膜５の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．０％、位相差が２３６度であった。
表１に示すように、実施例１の反射型フォトマスク２００は、吸収層１４の屈折率ｎが０．８９６、消衰係数ｋが０．０３０に、また、被覆膜１８の屈折率ｎが０．９７４、消衰係数ｋが０．０１３に、それぞれ作製されていることが分かった。
また、被覆膜５の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．７％、位相差が２３５度であり、被覆膜５の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率は３．５％、位相差が２４５度であり、被覆膜５の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．０％、位相差が２３６度であった。
【0058】
＜実施例２＞
有機アルミニウム系ガス(トリメチルアルミニウム)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。アルミニウム（Ａｌ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、２：２．８であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２の反射型フォトマスク２００を作製した。
有機アルミニウム系ガス(トリメチルアルミニウム)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。アルミニウム（Ａｌ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、２：２．８であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例２の反射型フォトマスク２００を作製した。
【0059】
なお、実施例２の反射型フォトマスク２００は、吸収層１４の屈折率ｎが０．８９６、消衰係数ｋが０．０３０に、また、被覆膜１８の屈折率ｎが０．９６８、消衰係数ｋが０．０３９に、それぞれ作製されていることが分かった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．３％、位相差が２３５度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．９％、位相差が２５４度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．２％、位相差が２３２度であった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．３％、位相差が２３５度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．９％、位相差が２５４度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．２％、位相差が２３２度であった。
【0060】
＜実施例３＞
有機ニオブ系ガス(ニオブエトキシド)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。ニオブ（Ｎｂ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、２：４．７であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３の反射型フォトマスク２００を作製した。
有機ニオブ系ガス(ニオブエトキシド)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。ニオブ（Ｎｂ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、２：４．７であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例３の反射型フォトマスク２００を作製した。
【0061】
なお、実施例３の反射型フォトマスク２００は、吸収層１４の屈折率ｎが０．８９６、消衰係数ｋが０．０３０に、また、被覆膜１８の屈折率ｎが０．９５４、消衰係数ｋが０．０１０に、それぞれ作製されていることが分かった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．０％、位相差が２２８度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．３％、位相差が２４５度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．９％、位相差が２３３度であった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．０％、位相差が２２８度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．３％、位相差が２４５度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．９％、位相差が２３３度であった。
【0062】
＜実施例４＞
有機チタン系ガス(オルトチタン酸テトライソプロピル)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化チタン（ＴｉＯ２）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。チタン（Ｔｉ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１：１．９であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４の反射型フォトマスク２００を作製した。
有機チタン系ガス(オルトチタン酸テトライソプロピル)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化チタン（ＴｉＯ２）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。チタン（Ｔｉ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１：１．９であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例４の反射型フォトマスク２００を作製した。
【0063】
なお、実施例４の反射型フォトマスク２００は、吸収層１４の屈折率ｎが０．８９６、消衰係数ｋが０．０３０に、また、被覆膜１８の屈折率ｎが０．９４２、消衰係数ｋが０．０２２に、それぞれ作製されていることが分かった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．４％、位相差が２２５度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．３％、位相差が２４９度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．４％、位相差が２３１度であった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．４％、位相差が２２５度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．３％、位相差が２４９度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．４％、位相差が２３１度であった。
【0064】
＜実施例５＞
有機ジルコニウム系ガス(テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。ジルコニウム（Ｚｒ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１：１．９であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例５の反射型フォトマスク２００を作製した。
有機ジルコニウム系ガス(テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。ジルコニウム（Ｚｒ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１：１．９であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例５の反射型フォトマスク２００を作製した。
【0065】
なお、実施例５の反射型フォトマスク２００は、吸収層１４の屈折率ｎが０．８９６、消衰係数ｋが０．０３０に、また、被覆膜１８の屈折率ｎが０．９４６、消衰係数ｋが０．０１５に、それぞれ作製されていることが分かった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．２％、位相差が２２６度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．４％、位相差が２４７度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．７％、位相差が２３２度であった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．２％、位相差が２２６度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．４％、位相差が２４７度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．７％、位相差が２３２度であった。
【0066】
＜実施例６＞
有機イットリウム系ガス(トリス（２，２，６，６－テトラメチル－３,５－ヘプタンジオナート）イットリウム)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。イットリウム（Ｙ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、２：２．９であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例６の反射型フォトマスク２００を作製した。
有機イットリウム系ガス(トリス（２，２，６，６－テトラメチル－３,５－ヘプタンジオナート）イットリウム)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。イットリウム（Ｙ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、２：２．９であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例６の反射型フォトマスク２００を作製した。
【0067】
なお、実施例６の反射型フォトマスク２００は、吸収層１４の屈折率ｎが０．８９６、消衰係数ｋが０．０３０に、また、被覆膜１８の屈折率ｎが０．９５７、消衰係数ｋが０．０１１に、それぞれ作製されていることが分かった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．０％、位相差が２２９度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．２％、位相差が２４６度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．９％、位相差が２３３度であった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．０％、位相差が２２９度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．２％、位相差が２４６度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．９％、位相差が２３３度であった。
【0068】
＜実施例７＞
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４７ｎｍになるように吸収層１４を成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７５：２５であった。また、吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例７の反射型フォトマスク２００を作製した。
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４７ｎｍになるように吸収層１４を成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７５：２５であった。また、吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例７の反射型フォトマスク２００を作製した。
【0069】
なお、実施例７の反射型フォトマスク２００は、吸収層１４の屈折率ｎが０．９１２、消衰係数ｋが０．０３０に、また、被覆膜１８の屈折率ｎが０．９７４、消衰係数ｋが０．０１３に、それぞれ作製されていることが分かった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．７％、位相差が２３３度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．４％、位相差が２３５度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．３％、位相差が２３６度であった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．７％、位相差が２３３度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．４％、位相差が２３５度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．３％、位相差が２３６度であった。
【0070】
＜実施例８＞
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４７ｎｍになるように吸収層１４を成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７５：２５であった。吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、有機アルミニウム系ガス(トリメチルアルミニウム)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。アルミニウム（Ａｌ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、２：２．８であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例８の反射型フォトマスク２００を作製した。
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４７ｎｍになるように吸収層１４を成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７５：２５であった。吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、有機アルミニウム系ガス(トリメチルアルミニウム)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。アルミニウム（Ａｌ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、２：２．８であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例８の反射型フォトマスク２００を作製した。
【0071】
なお、実施例８の反射型フォトマスク２００は、吸収層１４の屈折率ｎが０．９１２、消衰係数ｋが０．０３０に、また、被覆膜１８の屈折率ｎが０．９６８、消衰係数ｋが０．０３９に、それぞれ作製されていることが分かった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．４％、位相差が２２５度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．４％、位相差が２３５度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が１．９％、位相差が２３３度であった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．４％、位相差が２２５度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．４％、位相差が２３５度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が１．９％、位相差が２３３度であった。
【0072】
＜実施例９＞
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４７ｎｍになるように吸収層１４を成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）、アルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７５：２５であった。吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、有機ニオブ系ガス(ニオブエトキシド)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。ニオブ（Ｎｂ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、２：４．７であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例９の反射型フォトマスク２００を作製した。
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４７ｎｍになるように吸収層１４を成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）、アルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７５：２５であった。吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、有機ニオブ系ガス(ニオブエトキシド)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。ニオブ（Ｎｂ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、２：４．７であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例９の反射型フォトマスク２００を作製した。
【0073】
なお、実施例９の反射型フォトマスク２００は、吸収層１４の屈折率ｎが０．９１２、消衰係数ｋが０．０３０に、また、被覆膜１８の屈折率ｎが０．９５４、消衰係数ｋが０．０１０に、それぞれ作製されていることが分かった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．１％、位相差が２２８度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．６％、位相差が２２９度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．１％、位相差が２３７度であった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．１％、位相差が２２８度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．６％、位相差が２２９度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．１％、位相差が２３７度であった。
【0074】
＜実施例１０＞
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４７ｎｍになるように吸収層１４を成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７５：２５であった。また、吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、有機チタン系ガス(オルトチタン酸テトライソプロピル)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化チタン（ＴｉＯ２）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。チタン（Ｔｉ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１：１．９であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１０の反射型フォトマスク２００を作製した。
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４７ｎｍになるように吸収層１４を成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７５：２５であった。また、吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、有機チタン系ガス(オルトチタン酸テトライソプロピル)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化チタン（ＴｉＯ２）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。チタン（Ｔｉ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１：１．９であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１０の反射型フォトマスク２００を作製した。
【0075】
なお、実施例１０の反射型フォトマスク２００は、吸収層１４の屈折率ｎが０．９１２、消衰係数ｋが０．０３０に、また、被覆膜１８の屈折率ｎが０．９４２、消衰係数ｋが０．０２２に、それぞれ作製されていることが分かった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．８％、位相差が２２３度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．７％、位相差が２２７度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．５％、位相差が２３７度であった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．８％、位相差が２２３度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．７％、位相差が２２７度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．５％、位相差が２３７度であった。
【0076】
＜実施例１１＞
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４７ｎｍになるように吸収層１４を成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７５：２５であった。吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、有機ジルコニウム系ガス(テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。ジルコニウム（Ｚｒ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１：１．９であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１１の反射型フォトマスク２００を作製した。
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４７ｎｍになるように吸収層１４を成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７５：２５であった。吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、有機ジルコニウム系ガス(テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。ジルコニウム（Ｚｒ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１：１．９であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１１の反射型フォトマスク２００を作製した。
【0077】
なお、実施例１１の反射型フォトマスク２００は、吸収層１４の屈折率ｎが０．９１２、消衰係数ｋが０．０３０に、また、被覆膜１８の屈折率ｎが０．９４６、消衰係数ｋが０．０１５に、それぞれ作製されていることが分かった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．９％、位相差が２２５度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．７％、位相差が２２７度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．８％、位相差が２３７度であった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．９％、位相差が２２５度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．７％、位相差が２２７度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．８％、位相差が２３７度であった。
【0078】
＜実施例１２＞
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４７ｎｍになるように吸収層１４を成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７５：２５であった。吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、有機イットリウム系ガス(トリス（２，２，６，６－テトラメチル－３,５－ヘプタンジオナート）イットリウム)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。イットリウム（Ｙ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、２：２．９であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１２の反射型フォトマスク２００を作製した。
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４７ｎｍになるように吸収層１４を成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７５：２５であった。吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、有機イットリウム系ガス(トリス（２，２，６，６－テトラメチル－３,５－ヘプタンジオナート）イットリウム)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。イットリウム（Ｙ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、２：２．９であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、実施例１２の反射型フォトマスク２００を作製した。
【0079】
なお、実施例１２の反射型フォトマスク２００は、吸収層１４の屈折率ｎが０．９１２、消衰係数ｋが０．０３０に、また、被覆膜１８の屈折率ｎが０．９５７、消衰係数ｋが０．０１１に、それぞれ作製されていることが分かった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．２％、位相差が２２９度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．６％、位相差が２３０度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．１％、位相差が２３７度であった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．２％、位相差が２２９度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．６％、位相差が２３０度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．１％、位相差が２３７度であった。
【0080】
＜比較例１＞
吸収層４上における被覆膜１８の形成を行わなかった。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例１の反射型フォトマスクを作製した。
なお、比較例１の反射型フォトマスクは、吸収層１４の屈折率ｎが０．８９６、消衰係数ｋが０．０３０に作製されていることが分かった。
また、ＥＵＶ反射率が３．３％、位相差が２４１度であった。
吸収層４上における被覆膜１８の形成を行わなかった。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例１の反射型フォトマスクを作製した。
なお、比較例１の反射型フォトマスクは、吸収層１４の屈折率ｎが０．８９６、消衰係数ｋが０．０３０に作製されていることが分かった。
また、ＥＵＶ反射率が３．３％、位相差が２４１度であった。
【0081】
＜比較例２＞
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４７ｎｍになるように変更して成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７５：２５であった。吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、有機白金系ガス(ビス(アセチルアセトナト)白金)とオゾンガスを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、白金（Ｐｔ）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。成膜した被覆膜１８の組成をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、白金（Ｐｔ）のみで形成されていた。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例２の反射型フォトマスクを作製した。
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４７ｎｍになるように変更して成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７５：２５であった。吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、有機白金系ガス(ビス(アセチルアセトナト)白金)とオゾンガスを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、白金（Ｐｔ）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。成膜した被覆膜１８の組成をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、白金（Ｐｔ）のみで形成されていた。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例２の反射型フォトマスクを作製した。
【0082】
なお、比較例２の反射型フォトマスクは、吸収層１４の屈折率ｎが０．９１２、消衰係数ｋが０．０３０に、また、被覆膜１８の屈折率ｎが０．８９１、消衰係数ｋが０．０６０に、それぞれ作製されていることが分かった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が１．９％、位相差が２０１度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が５．３％、位相差が２１７度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が１．３％、位相差が２４６度であった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が１．９％、位相差が２０１度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が５．３％、位相差が２１７度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が１．３％、位相差が２４６度であった。
【0083】
＜比較例３＞
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４７ｎｍになるように吸収層１４を成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７５：２５であった。吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、有機ルテニウム系ガス(ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム)とアンモニアガスを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、ルテニウム（Ｒｕ）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。成膜した被覆膜１８の組成をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、ルテニウム（Ｒｕ）のみで形成されていた。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例３の反射型フォトマスクを作製した。
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４７ｎｍになるように吸収層１４を成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７５：２５であった。吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、有機ルテニウム系ガス(ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム)とアンモニアガスを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、ルテニウム（Ｒｕ）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。成膜した被覆膜１８の組成をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、ルテニウム（Ｒｕ）のみで形成されていた。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例３の反射型フォトマスクを作製した。
【0084】
なお、比較例３の反射型フォトマスクは、吸収層１４の屈折率ｎが０．９１２、消衰係数ｋが０．０３０に、また、被覆膜１８の屈折率ｎが０．８８６、消衰係数ｋが０．０１７に、それぞれ作製されていることが分かった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が１．７％、位相差が２１２度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が５．３％、位相差が２０９度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．９％、位相差が２４１度であった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が１．７％、位相差が２１２度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が５．３％、位相差が２０９度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．９％、位相差が２４１度であった。
【0085】
＜比較例４＞
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４７ｎｍになるように吸収層１４を成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７５：２５であった。吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、ハロゲン化タングステン系ガス(塩化タングステン)と還元性ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、タングステン（Ｗ）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。成膜した被覆膜１８の組成をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、タングステン（Ｗ）のみで形成されていた。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例４の反射型フォトマスクを作製した。
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４７ｎｍになるように吸収層１４を成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７５：２５であった。吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、ハロゲン化タングステン系ガス(塩化タングステン)と還元性ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、タングステン（Ｗ）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。成膜した被覆膜１８の組成をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、タングステン（Ｗ）のみで形成されていた。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例４の反射型フォトマスクを作製した。
【0086】
なお、比較例４の反射型フォトマスクは、吸収層１４の屈折率ｎが０．９１２、消衰係数ｋが０．０３０に、また、被覆膜１８の屈折率ｎが０．９３３、消衰係数ｋが０．０３３に、それぞれ作製されていることが分かった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．６％、位相差が２１８度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．８％、位相差が２２６度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．０％、位相差が２３７度であった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．６％、位相差が２１８度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．８％、位相差が２２６度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．０％、位相差が２３７度であった。
【0087】
＜比較例５＞
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４７ｎｍになるように変更して成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７５：２５であった。吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、有機亜鉛系ガス(ジメチル亜鉛)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１：１であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例５の反射型フォトマスクを作製した。
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４７ｎｍになるように変更して成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、７５：２５であった。吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、有機亜鉛系ガス(ジメチル亜鉛)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、１：１であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例５の反射型フォトマスクを作製した。
【0088】
なお、比較例５の反射型フォトマスクは、吸収層１４の屈折率ｎが０．９１２、消衰係数ｋが０．０３０に、また、被覆膜１８の屈折率ｎが０．９６４、消衰係数ｋが０．０４４に、それぞれ作製されていることが分かった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．４％、位相差が２２３度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．４％、位相差が２３５度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が１．７％、位相差が２３２度であった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．４％、位相差が２２３度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．４％、位相差が２３５度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が１．７％、位相差が２３２度であった。
【0089】
＜比較例６＞
吸収層１４の材料を酸化ルテニウム（ＲｕＯ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）とし、吸収層１４の膜厚が４２ｎｍになるように変更して成膜した。吸収層１４における酸化ルテニウム（ＲｕＯ）とゲルマニウム（Ｇｅ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、９３：７であった。吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、有機アルミニウム系ガス(トリメチルアルミニウム)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。アルミニウム（Ａｌ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、２：２．８であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例６の反射型フォトマスクを作製した。
吸収層１４の材料を酸化ルテニウム（ＲｕＯ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）とし、吸収層１４の膜厚が４２ｎｍになるように変更して成膜した。吸収層１４における酸化ルテニウム（ＲｕＯ）とゲルマニウム（Ｇｅ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、９３：７であった。吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、有機アルミニウム系ガス(トリメチルアルミニウム)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。アルミニウム（Ａｌ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、２：２．８であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例６の反射型フォトマスクを作製した。
【0090】
なお、比較例６の反射型フォトマスクは、吸収層１４の屈折率ｎが０．８７０、消衰係数ｋが０．０３０に、また、被覆膜１８の屈折率ｎが０．９６８、消衰係数ｋが０．０３９に、それぞれ作製されていることが分かった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．４％、位相差が３０３度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が５．０％、位相差が３１６度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．３％、位相差が３０９度であった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が４．４％、位相差が３０３度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が５．０％、位相差が３１６度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．３％、位相差が３０９度であった。
【0091】
＜比較例７＞
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４２ｎｍになるように変更して成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、６９：３１であった。吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、有機アルミニウム系ガス(トリメチルアルミニウム)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。アルミニウム（Ａｌ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、２：２．８であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例７の反射型フォトマスクを作製した。
吸収層１４の材料をロジウム（Ｒｈ）及びアルミニウム（Ａｌ）とし、吸収層１４の膜厚が４２ｎｍになるように変更して成膜した。吸収層１４におけるロジウム（Ｒｈ）とアルミニウム（Ａｌ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、６９：３１であった。吸収層１４の結晶性をＸＲＤ（Ｘ線回析装置）で測定したところ、わずかに結晶性が見られるものの、アモルファスであることが分かった。
また、有機アルミニウム系ガス(トリメチルアルミニウム)と酸素ガスとを使用した原子層堆積法により、吸収層１４の表面及び側面、並びに反射層１６上に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）で形成された被覆膜１８を膜厚が２ｎｍ、５ｎｍ、８ｎｍになるように変更して成膜した。アルミニウム（Ａｌ）と酸素（Ｏ）との原子数比率は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で測定したところ、２：２．８であった。それ以外は実施例１と同様の方法で、比較例７の反射型フォトマスクを作製した。
【0092】
なお、比較例７の反射型フォトマスクは、吸収層１４の屈折率ｎが０．９２０、消衰係数ｋが０．０３０に、また、被覆膜１８の屈折率ｎが０．９６８、消衰係数ｋが０．０３９に、それぞれ作製されていることが分かった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が５．１％、位相差が１７８度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．４％、位相差が１８５度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．３％、位相差が１７１度であった。
また、被覆膜１８の膜厚が２ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が５．１％、位相差が１７８度であり、被覆膜１８の膜厚が５ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が２．４％、位相差が１８５度であり、被覆膜１８の膜厚が８ｎｍである場合には、ＥＵＶ反射率が３．３％、位相差が１７１度であった。
【0093】
＜評価＞
上述した実施例１～１２、比較例１～７で得られた反射型マスクについて、以下の方法で転写性能（マスク特性）及び水素ラジカル耐性の評価を行った。なお、転写性能（マスク特性）はウェハ露光評価により確認した。また、ウェハ露光評価は、ＮＩＬＳ（Ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ Ｉｍａｇｅ Ｌｏｇ‐Ｓｌｏｐｅ：規格化空間像対数傾斜）値により、その解像性を評価した。なお、上述した「従来のタンタル（Ｔａ）マスク」については、表２において「参考例」として記載した。
上述した実施例１～１２、比較例１～７で得られた反射型マスクについて、以下の方法で転写性能（マスク特性）及び水素ラジカル耐性の評価を行った。なお、転写性能（マスク特性）はウェハ露光評価により確認した。また、ウェハ露光評価は、ＮＩＬＳ（Ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ Ｉｍａｇｅ Ｌｏｇ‐Ｓｌｏｐｅ：規格化空間像対数傾斜）値により、その解像性を評価した。なお、上述した「従来のタンタル（Ｔａ）マスク」については、表２において「参考例」として記載した。
【0094】
〔ウェハ露光評価〕
ＥＵＶ露光装置（ＮＸＥ３３００Ｂ：ＡＳＭＬ社製）を用いて、ＥＵＶポジ型化学増幅型レジストを塗布した半導体ウェハ上に、各実施例、各比較例で作製した反射型フォトマスクの吸収パターンを転写露光した。このとき、露光量は、ホールパターンが設計通りの１９ｎｍに転写するように調節した。その後、電子線寸法測定機により転写されたレジストパターンの観察及び線幅測定を実施し、解像性を確認し、以下の「◎」、「○」、「×」の３段階で評価した。
ＥＵＶ露光装置（ＮＸＥ３３００Ｂ：ＡＳＭＬ社製）を用いて、ＥＵＶポジ型化学増幅型レジストを塗布した半導体ウェハ上に、各実施例、各比較例で作製した反射型フォトマスクの吸収パターンを転写露光した。このとき、露光量は、ホールパターンが設計通りの１９ｎｍに転写するように調節した。その後、電子線寸法測定機により転写されたレジストパターンの観察及び線幅測定を実施し、解像性を確認し、以下の「◎」、「○」、「×」の３段階で評価した。
【0095】
＜評価基準＞
◎：ＮＩＬＳ値が２．６３より大きい場合
○：ＮＩＬＳ値が２．４０以上であり、２．６３以下である場合
×：ＮＩＬＳ値が２．４０より小さい場合
以上の評価結果を表１～２に示す。
なお、ＮＩＬＳ値については、「○」以上の評価であれば、転写性能に問題はないため、合格とした。
◎：ＮＩＬＳ値が２．６３より大きい場合
○：ＮＩＬＳ値が２．４０以上であり、２．６３以下である場合
×：ＮＩＬＳ値が２．４０より小さい場合
以上の評価結果を表１～２に示す。
なお、ＮＩＬＳ値については、「○」以上の評価であれば、転写性能に問題はないため、合格とした。
【0096】
〔水素ラジカル耐性〕
２．４５ＧＨｚのＭＷＰ（Ｍｉｃｒｏ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ：マイクロ波プラズマ）を使って、水素の流量１００ｓｓｃｍを励起し、電極間距離１８ｍｍの片方の電極上に、作製した反射型フォトマスクを設置した。水素ラジカル処理後での吸収層の膜厚変化を、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて確認し、以下の「◎」、「〇」、「×」の３段階で評価した。なお、測定は線幅２００ｎｍＬＳパターンで行った。
２．４５ＧＨｚのＭＷＰ（Ｍｉｃｒｏ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ：マイクロ波プラズマ）を使って、水素の流量１００ｓｓｃｍを励起し、電極間距離１８ｍｍの片方の電極上に、作製した反射型フォトマスクを設置した。水素ラジカル処理後での吸収層の膜厚変化を、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて確認し、以下の「◎」、「〇」、「×」の３段階で評価した。なお、測定は線幅２００ｎｍＬＳパターンで行った。
【0097】
＜評価基準＞
◎：水素ラジカルに対して膜厚変化が見られなかった場合
○：水素ラジカルに対して僅かな膜厚変化が見られた場合
×：水素ラジカルに対して顕著な膜厚変化が見られた場合
表１～２の「判定」の欄には、以下の◎、〇、×の３段階で評価した。
＜評価基準＞
◎：被覆膜の膜厚を変化させた時、マスク特性及び水素ラジカル耐性評価において全ての項目が評価◎である場合、または評価◎が二つある場合
○：被覆膜の膜厚を変化させた時、マスク特性及び水素ラジカル耐性評価において評価〇が二つ以上ある場合
×：被覆膜の膜厚を変化させた時、マスク特性及び水素ラジカル耐性評価において評価×が一つ以上ある場合
◎：水素ラジカルに対して膜厚変化が見られなかった場合
○：水素ラジカルに対して僅かな膜厚変化が見られた場合
×：水素ラジカルに対して顕著な膜厚変化が見られた場合
表１～２の「判定」の欄には、以下の◎、〇、×の３段階で評価した。
＜評価基準＞
◎：被覆膜の膜厚を変化させた時、マスク特性及び水素ラジカル耐性評価において全ての項目が評価◎である場合、または評価◎が二つある場合
○：被覆膜の膜厚を変化させた時、マスク特性及び水素ラジカル耐性評価において評価〇が二つ以上ある場合
×：被覆膜の膜厚を変化させた時、マスク特性及び水素ラジカル耐性評価において評価×が一つ以上ある場合
【0098】
【表1】
【0099】
【表2】
【0100】
表１～２中に表されるように、実施例１～１２と比較例２～７の評価結果から、実施例１～１２のように被覆膜の屈折率ｎが０．９４より大きく、消衰係数ｋが０．０４より小さい場合には、被覆膜の膜厚変化によるＮＩＬＳの変動が小さく、既存のＴａマスクより高いＮＩＬＳが得られることが分かった。
また、実施例１～１２と比較例１の評価結果から、実施例１～１２のように水素ラジカル耐性の強い被覆膜を有する場合には、比較例１のように被覆膜がない場合と比べて水素ラジカル耐性が高いことがわかった。
さらに、実施例１～１２と比較例６～７の評価結果から、実施例１～１２のように位相差が２００～２８０の範囲であれば、既存のＴａマスクより高いＮＩＬＳが得られることが分かった。
また、実施例１～１２と比較例１の評価結果から、実施例１～１２のように水素ラジカル耐性の強い被覆膜を有する場合には、比較例１のように被覆膜がない場合と比べて水素ラジカル耐性が高いことがわかった。
さらに、実施例１～１２と比較例６～７の評価結果から、実施例１～１２のように位相差が２００～２８０の範囲であれば、既存のＴａマスクより高いＮＩＬＳが得られることが分かった。
【0101】
なお、本開示の反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクの製造方法は、上記の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、発明の特徴を損なわない範囲において種々の変更が可能である。
【0102】
また、例えば、本発明は以下のような構成を取ることができる。
（１）
基板と、
前記基板上に形成されてＥＵＶ光を反射する反射部と、
前記反射部上の少なくとも一部に形成されてＥＵＶ光を吸収する吸収部と、
前記吸収部の最表面及び前記吸収部の側面をそれぞれ覆うように形成されてＥＵＶ光を透過する被覆膜と、を備え、
前記吸収部のＥＵＶ反射光の位相と、前記反射部のＥＵＶ反射光の位相とは、２００度以上２８０度以下の範囲内の位相差を有し、
前記被覆膜は、ＥＵＶ光に対して消衰係数ｋが０．０４以下であり、屈折率ｎが０．９４以上であることを特徴とする反射型フォトマスク。
（２）
前記被覆膜は、水素ラジカルに対して耐性を有していることを特徴とする上記（１）に記載の反射型フォトマスク。
（３）
前記反射部上にも前記被覆膜が形成されていることを特徴とする上記（１）または（２）に記載の反射型フォトマスク。
（４）
前記被覆膜は、均一な膜厚で形成されていることを特徴とする上記（１）から（３）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（５）
前記被覆膜は、珪素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、及びイットリウム（Ｙ）のうち少なくとも１種類の元素を含む金属酸化膜で形成されていることを特徴とする上記（１）から（４）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（６）
前記吸収部は、２１５度以上２７０度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする上記（１）から（５）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（７）
前記吸収部は、２３０度以上２６０度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする上記（１）から（５）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（８）
前記吸収部は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９３より小さいことを特徴とする上記（１）から（７）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（９）
前記吸収部は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９２より小さいことを特徴とする上記（１）から（７）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（１０）
前記吸収部は、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及びレニウム（Ｒｅ）のうち少なくとも１種類の元素を含む材料から構成されることを特徴とする上記（１）から（９）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（１１）
上記（１）から（１０）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクの製造方法であって、
原子層堆積法によって前記被覆膜を形成する工程を含むことを特徴とする反射型フォトマスクの製造方法。
（１２）
前記被覆膜を形成する工程において、材料ガスとして金属水素化物、金属ハロゲン化物、または有機金属化合物を用いて、原子層堆積法によって前記被覆膜を形成することを特徴とする上記（１１）に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
（１）
基板と、
前記基板上に形成されてＥＵＶ光を反射する反射部と、
前記反射部上の少なくとも一部に形成されてＥＵＶ光を吸収する吸収部と、
前記吸収部の最表面及び前記吸収部の側面をそれぞれ覆うように形成されてＥＵＶ光を透過する被覆膜と、を備え、
前記吸収部のＥＵＶ反射光の位相と、前記反射部のＥＵＶ反射光の位相とは、２００度以上２８０度以下の範囲内の位相差を有し、
前記被覆膜は、ＥＵＶ光に対して消衰係数ｋが０．０４以下であり、屈折率ｎが０．９４以上であることを特徴とする反射型フォトマスク。
（２）
前記被覆膜は、水素ラジカルに対して耐性を有していることを特徴とする上記（１）に記載の反射型フォトマスク。
（３）
前記反射部上にも前記被覆膜が形成されていることを特徴とする上記（１）または（２）に記載の反射型フォトマスク。
（４）
前記被覆膜は、均一な膜厚で形成されていることを特徴とする上記（１）から（３）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（５）
前記被覆膜は、珪素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、及びイットリウム（Ｙ）のうち少なくとも１種類の元素を含む金属酸化膜で形成されていることを特徴とする上記（１）から（４）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（６）
前記吸収部は、２１５度以上２７０度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする上記（１）から（５）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（７）
前記吸収部は、２３０度以上２６０度以下の範囲内の位相差を有することを特徴とする上記（１）から（５）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（８）
前記吸収部は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９３より小さいことを特徴とする上記（１）から（７）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（９）
前記吸収部は、ＥＵＶ光に対する屈折率ｎが０．９２より小さいことを特徴とする上記（１）から（７）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（１０）
前記吸収部は、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及びレニウム（Ｒｅ）のうち少なくとも１種類の元素を含む材料から構成されることを特徴とする上記（１）から（９）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスク。
（１１）
上記（１）から（１０）のいずれか１項に記載の反射型フォトマスクの製造方法であって、
原子層堆積法によって前記被覆膜を形成する工程を含むことを特徴とする反射型フォトマスクの製造方法。
（１２）
前記被覆膜を形成する工程において、材料ガスとして金属水素化物、金属ハロゲン化物、または有機金属化合物を用いて、原子層堆積法によって前記被覆膜を形成することを特徴とする上記（１１）に記載の反射型フォトマスクの製造方法。
【符号の説明】
【0103】
１…基板
２…多層反射膜
３…キャッピング層
４…吸収層（吸収部）
４ａ…吸収パターン層
５…被覆膜
６…反射部（反射層）
１０…反射型フォトマスク（反射型マスク）
１１…基板
１２…多層反射膜
１３…キャッピング層
１４…吸収層（吸収部）
１４ａ…吸収パターン層
１５…裏面導電膜
１６…反射部（反射層）
１７…レジスト膜
１７ａ…レジストパターン
１８…被覆膜
１００：反射型フォトマスク（反射型マスク）
２００：反射型フォトマスク（反射型マスク）
３００：チャンバー
３０１：電極
３０２：サンプル
２…多層反射膜
３…キャッピング層
４…吸収層（吸収部）
４ａ…吸収パターン層
５…被覆膜
６…反射部（反射層）
１０…反射型フォトマスク（反射型マスク）
１１…基板
１２…多層反射膜
１３…キャッピング層
１４…吸収層（吸収部）
１４ａ…吸収パターン層
１５…裏面導電膜
１６…反射部（反射層）
１７…レジスト膜
１７ａ…レジストパターン
１８…被覆膜
１００：反射型フォトマスク（反射型マスク）
２００：反射型フォトマスク（反射型マスク）
３００：チャンバー
３０１：電極
３０２：サンプル
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】