特開 2024-64468 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024064468

(43)【公開日】2024-05-14

(54)【発明の名称】電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1343 20060101AFI20240507BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240507BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20240507BHJP

   G02F 1/1368 20060101ALI20240507BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1343

G09F9/30 338

G09F9/30 349C

G09F9/30 348A

G09F9/00 338

G02F1/1368

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022173077

(22)【出願日】2022-10-28

(71)【出願人】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100179475

【弁理士】

【氏名又は名称】仲井 智至

(74)【代理人】

【識別番号】100216253

【弁理士】

【氏名又は名称】松岡 宏紀

(74)【代理人】

【識別番号】100225901

【弁理士】

【氏名又は名称】今村 真之

(72)【発明者】

【氏名】江上 孝史

【テーマコード（参考）】

2H092

2H192

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

2H092GA28

2H092GA29

2H092HA04

2H092JA25

2H092JB54

2H092JB64

2H092JB66

2H092JB69

2H092KA04

2H092KA12

2H092KA22

2H092NA13

2H092NA18

2H092QA06

2H092QA07

2H092RA05

2H192AA24

2H192BC42

2H192CB02

2H192CB08

2H192CB34

2H192DA12

2H192DA43

2H192DA52

2H192DA63

2H192DA67

2H192EA04

2H192EA13

2H192EA15

2H192EA17

2H192FA73

2H192FB03

2H192FB05

2H192FB33

2H192JA06

2H192JA13

2H192JA17

2H192JA33

2H192JB02

5C094AA32

5C094BA03

5C094BA43

5C094CA19

5C094DA13

5C094DA15

5C094DB01

5C094ED15

5C094FA01

5C094FA02

5C094FA04

5C094FB12

5C094FB15

5C094HA02

5C094HA04

5C094HA05

5C094HA08

5G435AA16

5G435BB12

5G435CC09

5G435FF13

5G435HH12

5G435HH14

5G435KK05

5G435LL04

5G435LL06

5G435LL09

5G435LL17

(57)【要約】

【課題】表示不具合が生じるおそれが抑制された電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、光が透過する透過領域と、平面視で透過領域を囲み、本体部および前記本体部から第１方向に沿って延在する延在部を含む遮光領域と、が設けられており、前記本体部に設けられるチャネル領域を有し、前記第１方向に沿って延在する半導体層を含むトランジスターと、平面視で前記本体部に重なる部分を含む貫通孔が形成された絶縁層と、前記絶縁層の前記貫通孔に設けられ、前記絶縁層から突出する突出部を有する導電部材と、前記絶縁層上に配置され、前記突出部を覆う第１容量電極と、前記第１容量電極と平面視で重なる第２容量電極と、を有する容量素子と、前記突出部の側面うちの根元部分の一部または全部を覆う絶縁部と、を備える。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

光が透過する透過領域と、平面視で透過領域を囲み、本体部および前記本体部から第１方向に沿って延在する延在部を含む遮光領域と、が設けられており、
前記本体部に設けられるチャネル領域を有し、前記第１方向に沿って延在する半導体層を含むトランジスターと、
平面視で前記本体部に重なる部分を含む貫通孔が形成された絶縁層と、
前記絶縁層の前記貫通孔に設けられ、前記絶縁層から突出する突出部を有する導電部材と、
前記絶縁層上に配置され、前記突出部を覆う第１容量電極と、前記第１容量電極と平面視で重なる第２容量電極と、を有する容量素子と、
前記突出部の側面うちの根元部分の一部または全部を覆う絶縁部と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。

【請求項2】

前記突出部の断面積は、前記絶縁層に向けて小さくなる、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項3】

前記遮光領域には、定電位線が設けられており、
前記第１容量電極は、前記導電部材を介して前記定電位線に電気的に接続される。
請求項１または２に記載の電気光学装置。

【請求項4】

前記導電部材は、前記遮光領域の前記本体部に設けられる第１部分と、前記第１部分から前記第１方向に延在する第２部分と、前記第１部分から平面視で前記第１方向と交差する第２方向に延在する第３部分とを有する、
請求項１または２に記載の電気光学装置。

【請求項5】

前記絶縁部の厚さは、前記突出部の高さよりも小さい、
請求項１に記載の電気光学装置。

【請求項6】

画素電極と、
定電位線と、
前記定電位線上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層に形成された貫通孔に設けられ、前記絶縁層から突出する突出部を有する導電部材と、
前記絶縁層上に前記突出部を覆うように設けられ、前記導電部材を介して前記定電位線に電気的に接続された第１容量電極と、前記画素電極に電気的に接続された第２容量電極と、を有する容量素子と、
前記突出部の側面のうちの根元部分の一部または全部を覆う絶縁部と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。

【請求項7】

光が透過する透過領域と、平面視で透過領域を囲み、本体部および前記本体部から第１方向に沿って延在する延在部を含む遮光領域と、を含む電気光学装置の製造方法であって、
前記本体部に設けられるチャネル領域を有し、前記第１方向に沿って延在する半導体層を含むトランジスターを形成する工程と、
前記トランジスター上に絶縁層および犠牲層を形成する工程と、
前記絶縁層および前記犠牲層を貫通し、平面視で前記本体部に重なる部分を有する貫通孔を形成する工程と、
前記犠牲層の前記貫通孔に導電部材を形成する工程と、
前記犠牲層をエッチングすることにより、前記導電部材に前記絶縁層から突出する突出部を形成するとともに前記突出部の側面うちの根元部分の一部または全部を覆う絶縁部を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記突出部を覆う第１容量電極と、前記第１容量電極と平面視で重なる第２容量電極とを形成することにより、前記第１容量電極および前記第２容量電極を含む容量素子を形成する工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。

【請求項8】

請求項１に記載の電気光学装置と、
前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

プロジェクター等の電子機器には、例えば、画素ごとに光学的特性を変更可能な液晶表示装置等の電気光学装置が用いられる。当該電気光学装置の例として、特許文献１に記載の電気光学装置が知られている。

【0003】

特許文献１に記載の電気光学装置は、素子基板と対向基板とこれら基板の間に配置された液晶層等の電気光学層とを有する。素子基板は、複数の画素電極と、複数の画素電極のそれぞれに電気的に接続されたトランジスターとを備える。また、素子基板は、下部容量電極、上部容量電極、およびこれらの間に配置される誘電体層を有する容量素子を備える。

【0004】

特許文献１では、下部容量電極は、固定電位が印加された定電位線に電気的に接続される。具体的には、定電位線は下部容量電極の下層に配置されており、定電位線と下部容量電極との間には層間絶縁膜が配置される。定電位線と下部容量電極とは、当該層間絶縁膜を貫通するコンタクト部を介して接続されている。また、コンタクト部の一部は、層間絶縁膜から突出しており、コンタクト部を覆う下部電極は凹凸を有している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０２１－３３０７３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかし、コンタクト部が層間絶縁膜から突出している場合、コンタクト部の層間絶縁膜から突出した部分の側面に対する下部容量電極の付き周りが悪くなるおそれがある。このため、下部容量電極の一部に欠損が生じ、容量の信頼性が低下してしまうおそれがある。それゆえ、表示不具合が生じるおそれがある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の電気光学装置の一態様は、光が透過する透過領域と、平面視で透過領域を囲み、本体部および前記本体部から第１方向に沿って延在する延在部を含む遮光領域と、が設けられており、前記本体部に設けられるチャネル領域を有し、前記第１方向に沿って延在する半導体層を含むトランジスターと、平面視で前記本体部に重なる部分を含む貫通孔が形成された絶縁層と、前記絶縁層の前記貫通孔に設けられ、前記絶縁層から突出する突出部を有する導電部材と、前記絶縁層上に配置され、前記突出部を覆う第１容量電極と、前記第１容量電極と平面視で重なる第２容量電極と、を有する容量素子と、前記突出部の側面うちの根元部分の一部または全部を覆う絶縁部と、を備える。

【0008】

本発明の電気光学装置の一態様は、画素電極と、定電位線と、前記定電位線上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層に形成された貫通孔に設けられ、前記絶縁層から突出する突出部を有する導電部材と、前記絶縁層上に前記突出部を覆うように設けられ、前記導電部材を介して前記定電位線に電気的に接続された第１容量電極と、前記画素電極に電気的に接続された第２容量電極と、を有する容量素子と、前記突出部の側面のうちの根元部分の一部または全部を覆う絶縁部と、を備える。

【0009】

本発明の電気光学装置の製造方法の一態様は、光が透過する透過領域と、平面視で透過領域を囲み、本体部および前記本体部から第１方向に沿って延在する延在部を含む遮光領域と、を含む電気光学装置の製造方法であって、前記本体部に設けられるチャネル領域を有し、前記第１方向に沿って延在する半導体層を含むトランジスターを形成する工程と、前記トランジスター上に絶縁層および犠牲層を形成する工程と、前記絶縁層および前記犠牲層を貫通し、平面視で前記本体部に重なる部分を有する貫通孔を形成する工程と、前記犠牲層の前記貫通孔に導電部材を形成する工程と、を形成する工程と、前記犠牲層をエッチングすることにより、前記導電部材に前記絶縁層から突出する突出部を形成するとともに前記突出部の側面うちの根元部分の一部または全部を覆う絶縁部を形成する工程と、前記絶縁層上に、前記突出部を覆う第１容量電極と、前記第１容量電極と平面視で重なる第２容量電極とを形成することにより、前記第１容量電極および前記第２容量電極を含む容量素子を形成する工程と、を有する。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】実施形態に係る電気光学装置の平面図である。

【図2】図１に示す電気光学装置のＡ－Ａ線の断面図である。

【図3】図１の素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。

【図4】図２の表示領域における素子基板の一部を示している。

【図5】図２の電気光学装置の一部を拡大した図である。

【図6】図５に示す定電位線の平面図である。

【図7】図５に示す導電部材および絶縁部の平面図である。

【図8】図５に示す容量素子の平面図である。

【図9】図８のＡ２－Ａ２線の断面を示す図である。

【図10】絶縁部が設けられていない比較例を示す図である。

【図11】実施形態に係る電気光学装置の製造方法の流れを示す図である。

【図12】絶縁層形成工程を説明するための図である。

【図13】貫通孔形成工程を説明するための図である。

【図14】導電部材形成工程を説明するための図である。

【図15】絶縁部形成工程を説明するための図である。

【図16】容量素子形成工程を説明するための図である。

【図17】容量素子の変形例を示す図である。

【図18】電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。

【図19】電子機器の一例であるスマートフォンを示す平面図である。

【図20】電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

【0012】

１．電気光学装置
１Ａ．基本構成
図１は、実施形態に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００のＡ－Ａ線の断面図である。なお、図１では、対向基板３の図示を省略する。また、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。また、Ｙ２方向は「第１方向」の例示である。Ｘ２方向は「第１方向に交差する第２方向」の例示である。

【0013】

また、本明細書において、「要素α上の要素β」とは、要素βが要素αの上方に位置することを意味する。したがって、「要素α上の要素β」とは、要素βが要素αに直接的に接触している場合のみならず、要素αと要素βとが離間している場合も含む。また、要素αと要素βとの「電気的な接続」は、要素αと要素βとが直接的に接合されることで導通する構成のほか、要素αと要素βとが他の導電体を介して間接的に導通する構成も含まれる。

【0014】

図１および図２に示す電気光学装置１００は、アクティブマトリクス駆動方式の透過型の電気光学装置である。図２に示すように、電気光学装置１００は、素子基板２と、対向基板３と、枠状のシール部材４と、液晶層５とを有する。図２に示すように、素子基板２、液晶層５および対向基板３は、この順にＺ１方向に並ぶ。なお、これらの重なる方向であるＺ１方向またはＺ２方向から見ることを「平面視」とする。また、図１に示す電気光学装置１００の平面視での形状は四角形であるが、四角形以外の多角形または円形であってもよい。

【0015】

図２に示す素子基板２は、透光性を有する第１基板２１と、透光性を有する積層体２２と、透光性を有する複数の画素電極２４と、透光性を有する第１配向膜２９とを有する。第１基板２１、積層体２２、複数の画素電極２４および第１配向膜２９は、この順にＺ１方向に積層される。なお、「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。

【0016】

第１基板２１は、透光性および絶縁性を有する平板であり、例えばガラス基板または石英基板で構成される。積層体２２は、透光性を有する複数の絶縁膜を含む。また、積層体２２には、各種配線等が設けられる。画素電極２４は、液晶層５に電界を印加するために用いられる。画素電極２４は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）およびＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）等の透明導電材料を含む。なお、図示はしないが、素子基板２は、複数の画素電極２４を平面視で囲む複数のダミー画素電極を有する。また、第１配向膜２９は、透光性および絶縁性を有する。第１配向膜２９は、液晶層５が有する液晶分子を配向させる。第１配向膜２９は、複数の画素電極２４を覆うように配置される。第１配向膜２９の材料は、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等である。

【0017】

対向基板３は、素子基板２に対向して配置される。対向基板３は、透光性を有する第２基板３１と、透光性を有する無機絶縁層３２と、透光性を有する共通電極３３と、透光性を有する第２配向膜３４とを有する。また、図示はしないが、対向基板３は、平面視で複数の画素電極２４を囲む遮光性の見切りを有する。なお、「遮光性」とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは１０％以下であることをいう。

【0018】

第２基板３１、無機絶縁層３２、共通電極３３および第２配向膜３４は、この順にＺ２方向に積層される。第２基板３１は、透光性および絶縁性を有する平板であり、例えばガラス基板または石英基板で構成される。無機絶縁層３２は、透光性および絶縁性を有しており、例えば酸化ケイ素等のケイ素を含む無機材料で形成される。共通電極３３は、複数の画素電極２４に対して液晶層５を介して配置される対向電極である。共通電極３３は、液晶層５に電界を印加するために用いられる。共通電極３３は、透光性および導電性を有する。共通電極３３は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯおよびＦＴＯ等の透明導電材料を含む。第２配向膜３４は、透光性および絶縁性を有する。第２配向膜３４は、液晶層５が有する液晶分子を配向させる。第２配向膜３４の材料は、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等である。

【0019】

シール部材４は、素子基板２と対向基板３との間に配置される。シール部材４は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等を用いて形成される。シール部材４は、ガラス等の無機材料で構成されるギャップ材を含んでもよい。

【0020】

液晶層５は、素子基板２、対向基板３およびシール部材４によって囲まれる領域内に配置される。液晶層５は、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層である。液晶層５は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶分子の配向は、液晶層５に印加される電圧に応じて変化する。

【0021】

図１に示すように、素子基板２には、複数の走査線駆動回路１１と信号線駆動回路１２と複数の外部端子１３とが配置される。複数の外部端子１３の一部は、図示しないが、走査線駆動回路１１または信号線駆動回路１２から引き回される配線に接続される。また、複数の外部端子１３は、定電位Ｖｃｏｍが印加させる端子を含む。当該端子は、図示しない配線および導通材を介して、対向基板３の共通電極３３に電極的に接続される。

【0022】

かかる電気光学装置１００は、画像を表示する表示領域Ａ１０と、平面視で表示領域Ａ１０の外側に位置する周辺領域Ａ２０とを有する。表示領域Ａ１０には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。複数の画素Ｐに対して複数の画素電極２４が１対１で配置される。前述の共通電極３３は、複数の画素Ｐで共通に設けられる。また、周辺領域Ａ２０は、平面視で表示領域Ａ１０を囲む。周辺領域Ａ２０には、走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２が配置される。

【0023】

本実施形態では、電気光学装置１００は透過型である。具体的には、図２に示すように、光ＬＬが対向基板３に入射した後、素子基板２から出射される間に変調することにより、画像が表示される。なお、素子基板２に入射した光が対向基板３から出射される間に変調することにより、画像が表示されてもよい。

【0024】

また、電気光学装置１００は、例えば、後述するパーソナルコンピューターおよびスマートフォン等のカラー表示を行う表示装置に適用される。当該表示装置に適用される場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが適宜用いられる。また、電気光学装置１００は、例えば、後述する投射型のプロジェクターに適用される。この場合、電気光学装置１００は、ライトバルブとして機能する。なお、この場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが省略される。

【0025】

１Ｂ．素子基板２の電気的な構成
図３は、図１の素子基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、素子基板２は、複数のトランジスター２３とｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とｎ本の定電位線２４３とを有する。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２との各交差に対応してトランジスター２３が配置される。各トランジスター２３は、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴ（Thin Film Transistor）である。各トランジスター２３は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。

【0026】

ｎ本の走査線２４１のそれぞれはＸ２方向に延在し、ｎ本の走査線２４１はＹ２方向に等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線２４１のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２３のゲートに電気的に接続される。ｎ本の走査線２４１は、図１に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。１～ｎ本の走査線２４１には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。

【0027】

図３に示すｍ本の信号線２４２のそれぞれはＹ２方向に延在し、ｍ本の信号線２４２はＸ２方向に等間隔で並ぶ。ｍ本の信号線２４２のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２３のソースに電気的に接続される。ｍ本の信号線２４２は、図１に示す信号線駆動回路１２に電気的に接続される。１～ｍ本の信号線２４２には、信号線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。

【0028】

図３に示すｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とは、互いに電気的に絶縁されており、平面視で格子状に配置される。隣り合う２つの走査線２４１と隣り合う２つの信号線２４２とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。画素Ｐごとにトランジスター２３、画素電極２４および容量素子２５が設けられる。画素電極２４は、トランジスター２３に対して１対１で設けられる。各画素電極２４は、対応するトランジスター２３のドレインに電気的に接続される。

【0029】

ｎ本の定電位線２４３のそれぞれはＸ２方向に延在し、ｎ本の定電位線２４３はＹ２方向に等間隔で並ぶ。また、ｎ本の定電位線２４３は、ｎ本の走査線２４１およびｍ本の信号線２４２に対して電気的に絶縁されており、これらに対して間隔をもって配置される。各定電位線２４３には、定電位Ｖｃｏｍが印加される。ｎ本の定電位線２４３のそれぞれは、対応する容量素子２５が有する２つの電極のうちの一方に電気的に接続される。各容量素子２５は、画素電極２４の電位を保持するための蓄積容量である。容量素子２５は、トランジスター２３に対して１対１で設けられる。また、各容量素子２５が有する２つの電極のうちの他方は、対応する画素電極２４に電気的に接続される。したがって、容量素子２５の一方の電極には定電位Ｖｃｏｍが印加され、他方の電極はトランジスター２３のドレインに電気的に接続される。

【0030】

走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２４１が順次選択されると、選択される走査線２４１に接続されるトランジスター２３がオン状態となる。すると、ｍ本の信号線２４２を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが、選択される走査線２４１に対応する画素Ｐに取り込まれ、画素電極２４に印加される。これにより、画素電極２４と図２に共通電極３３との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子の配向が変化する。また、容量素子２５によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子の配向の変化によって光が変調され階調表示が可能となる。

【0031】

１Ｃ．素子基板２の一部の構造
図４は、図２の表示領域Ａ１０における素子基板２の一部を示している。図４に示すように、表示領域Ａ１０は、複数の透過領域Ａ１１と、遮光領域Ａ１２とを有する。複数の透過領域Ａ１１は、平面視で行列状に配置される。遮光領域Ａ１２の平面視での形状は、複数の透過領域Ａ１１を囲む枠状である。各透過領域Ａ１１は、画素電極２４が配置される領域であり、光が透過する領域である。一方、遮光領域Ａ１２には、トランジスター２３が配置される。また、図４では示さないが、遮光領域Ａ１２には、図３に示す走査線２４１、信号線２４２および定電位線２４３等の各種配線と、容量素子２５とが配置される。

【0032】

遮光領域Ａ１２は、複数の本体部Ａ１２１と、複数の第１延在部Ａ１２２と、複数の第２延在部Ａ１２３とを含む。第１延在部Ａ１２２は、「延在部」に相当する。各本体部Ａ１２１は、平面視で４つの画素電極２４の間に位置する四角形の部分であり、かつ遮光領域Ａ１２のうち幅の広い部分である。また、各第１延在部Ａ１２２は、本体部Ａ１２１からＹ２方向に延びている部分である。各第２延在部Ａ１２３は、本体部Ａ１２１からＸ２方向に延びる部分である。具体的には、各第１延在部Ａ１２２は、Ｙ２方向に並ぶ２つの本体部Ａ１２１の間に位置し、これらを接続する。各第２延在部Ａ１２３は、Ｘ２方向に並ぶ２つの本体部Ａ１２１の間に位置し、これらを接続する。

【0033】

図５は、図２の電気光学装置１００の一部を拡大した図である。図５は、図４中のＡ１－Ａ１線断面に相当する。図５に示すように、素子基板２は、第１基板２１と、積層体２２と、画素電極２４と、第１配向膜２９とを有する。積層体２２は、複数の絶縁膜２２１、２２２、２２３、２２４、２２５、２２６、２２７および２２８を有する。絶縁膜２２１、２２２、２２３、２２４、２２５、２２６、２２７および２２８はこの順に第１基板２１から積層される。また、絶縁膜２２７は、「絶縁層」に相当する。絶縁膜２２１～２２８は、透光性および絶縁性を有する。絶縁膜２２１～２２８の各材料は、例えば、酸化シリコンおよび酸窒化シリコン等のケイ素を含む無機材料である。

【0034】

かかる積層体２２には、トランジスター２３、走査線２４１、信号線２４２、定電位線２４３および中継電極２４４が配置される。走査線２４１、信号線２４２、定電位線２４３および中継電極２４４のそれぞれは、例えば、アルミニウム膜と窒化チタン膜との積層体で構成される。アルミニウム膜を含むことで、窒化チタン膜のみで構成される場合に比べて低抵抗化を図ることができる。なお、走査線２４１、信号線２４２、定電位線２４３および中継電極２４４は、上記材料以外の材料で形成されてもよいし、単層であってもよい。

【0035】

図５に示す第１基板２１上には、絶縁膜２２１が配置される。絶縁膜２２１上には、遮光層１１０が配置される。遮光層１１０は、トランジスター２３の半導体層２３１への光の入射を防ぐために設けられる。遮光層１１０の材料は、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。これらの中でも、遮光層１１０はタングステンを含むことが好ましい。タングステンは、各種金属の中でも、耐熱性に優れ、かつ、例えば製造時の熱処理によってもＯＤ（Optical Density）値が低下し難い。よって、遮光層１１０がタングステンを含むことで、遮光層１１０によって半導体層２３１への光の入射を効果的に防ぐことができる。なお、遮光層１１０はバックゲートとして用いられる。

【0036】

絶縁膜２２２上には、トランジスター２３が配置される。トランジスター２３は、半導体層２３１と、ゲート電極２３２と、ゲート絶縁膜２３３とを有する。半導体層２３１は絶縁膜２２２上に配置される。ゲート電極２３２と半導体層２３１との間にはゲート絶縁膜２３３が配置される。

【0037】

半導体層２３１は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有する。具体的には、半導体層２３１は、ドレイン領域２３１ａ、ソース領域２３１ｂ、チャネル領域２３１ｃ、低濃度ドレイン領域２３１ｄおよび低濃度ソース領域２３１ｅを有する。図４に示すように、半導体層２３１は、Ｙ２方向に沿って延びる。半導体層２３１のチャネル領域２３１ｃは、平面視で遮光領域Ａ１２の本体部Ａ１２１に設けられる。また、図５に示す半導体層２３１は、例えば、ポリシリコンで形成される。チャネル領域２３１ｃを除く領域には、導電性を高める不純物がドープされる。低濃度ドレイン領域２３１ｄ中の不純物濃度は、ドレイン領域２３１ａ中の不純物濃度よりも低い。低濃度ソース領域２３１ｅ中の不純物濃度は、ソース領域２３１ｂ中の不純物濃度よりも低い。

【0038】

ゲート電極２３２は、例えば、ポリシリコンに導電性を高める不純物がドープされることにより形成される。なお、ゲート電極２３２は、金属、金属酸化物および金属化合物の導電性を有する材料を用いて形成されてもよい。また、ゲート絶縁膜２３３は、例えば、熱酸化またはＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等で成膜される酸化ケイ素膜で構成される。

【0039】

絶縁膜２２３には、走査線２４１が配置される。走査線２４１は、絶縁膜２２３に設けられたコンタクトホール２７１を介してゲート電極２３２に電気的に接続される。また、走査線２４１は、絶縁膜２２２および２２３に設けられたコンタクトホール２７２を介して遮光層１１０に電気的に接続される。

【0040】

絶縁膜２２４上には、中継電極２４４が配置される。中継電極２４４は、絶縁膜２２３および２２４に設けられたコンタクトホール２７３を介して半導体層２３１のドレイン領域２３１ａに電気的に接続される。

【0041】

絶縁膜２２５上には、信号線２４２が配置される。信号線２４２は、絶縁膜２２３～２２５を貫通するコンタクトホール２７４を介して半導体層２３１のソース領域２３１ｂに電気的に接続される。また、絶縁膜２２６上には、定電位線２４３が配置される。

【0042】

絶縁膜２２７上には、容量素子２５が配置される。容量素子２５は、第１容量電極２５１と第２容量電極２５２とこれらの間に配置された誘電体層２５３とを有する。第１容量電極２５１は絶縁膜２２７上に配置され、第１容量電極２５１と第２容量電極２５２との間に上に誘電体層２５３が配置される。第２容量電極２５２は、平面視で第１容量電極２５１に重なっている。第１容量電極２５１および第２容量電極２５２のそれぞれは、導電性のポリシリコン、金属シリサイド、金属あるいは金属化合物などの導電材料で形成される。本実施形態では、第１容量電極２５１および第２容量電極２５２のそれぞれは、窒化チタン（ＴｉＮ）で形成される。また、誘電体層２５３は、高誘電率材料であるＨｉｇｈ－Ｋで形成される。

【0043】

「絶縁層」としての絶縁膜２２７には、貫通孔２０が設けられる。貫通孔２０には、導電部材６が設けられる。導電部材６は、絶縁膜２２７から液晶層５に向かって突出する突出部６０を有する。突出部６０の周りには、絶縁性を有する絶縁部７が設けられる。絶縁部７は、導電部材６に接触している。また、導電部材６は、第１容量電極２５１に接触しており、第１容量電極２５１は、導電部材６を介して定電位線２４３に電気的に接続される。

【0044】

導電部材６の材料としては、特に限定されないが、例えば、タングステン、チタン、クロム、鉄およびアルミニウム等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。本実施形態では、導電部材６は、タングステンで形成される。また、絶縁部７の材料は、例えば、酸化ケイ素および酸窒化ケイ素等のケイ素を含む無機材料である。本実施形態では、絶縁部７の材料は、酸化ケイ素である。なお、絶縁部７の材料は窒化ケイ素であてもよい。

【0045】

絶縁膜２２８上には、画素電極２４が配置される。画素電極２４は、絶縁膜２２８に設けられコンタクトホール２７５を介して第２容量電極２５２に電気的に接続される。また、画素電極２４は、絶縁膜２２５～２２８を貫通するコンタクトホール２７６を介して中継電極２４４に電気的に接続される。

【0046】

前述のコンタクトホール２７１～２７６の各材料としては、特に限定されないが、例えば、タングステン、チタン、クロム、鉄およびアルミニウム等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。

【0047】

図６は、図５に示す定電位線２４３の平面図である。図６に示す定電位線２４３は、図４に示す遮光領域Ａ１２に配置される。定電位線２４３は、Ｙ１方向に沿って延びる。定電位線２４３は、複数の第１定電位部２４３１と複数の第２定電位部２４３２と複数の第３定電位部２４３３とを有する。各第１定電位部２４３１は、図４に示す本体部Ａ１２１に設けられる。各第１定電位部２４３１は、半導体層２３１のチャネル領域２３１ｃに平面視で重なる。また、図６に示す各第２定電位部２４３２は、図４に示す第１延在部Ａ１２２に設けられる。各第２定電位部２４３２は、Ｙ１方向に並ぶ２つの第１定電位部２４３１の間に位置する。また、図６に示す各第３定電位部２４３３は、図４に示す第２延在部Ａ１２３に設けられる。

【0048】

また、前述したコンタクトホール２７５および２７６のそれぞれは、平面視で第１定電位部２４３１および第２定電位部２４３２に重ならず、平面視で第１定電位部２４３１および第２定電位部２４３２と異なる箇所に設けられる。このため、画素電極２４と半導体層２３１のドレイン領域２３１ａとの電気的な接続、および画素電極２４と第２容量電極２５２との電気的な接続を容易に行うことができる。

【0049】

図７は、図５に示す導電部材６および絶縁部７の平面図である。図７に示すように、導電部材６は、第１部分６１と第２部分６２と第３部分６３とを有する。第１部分６１は、図４に示す本体部Ａ１２１に設けられる。図７に示す第１部分６１の平面視での形状は、図４に示す本体部Ａ１２１の外形に沿った四角形の枠状である。図７に示す第２部分６２は、図４に示す第１延在部Ａ１２２に設けられており、第１部分６１に接続される。別の言い方をすると、第２部分６２は、第１部分６１からＹ２方向に延びる。また、図７に示す第３部分６３は、図４に示す第２延在部Ａ１２３に設けられており、第１部分６１に接続される。別の言い方をすると、第３部分６３は、第１部分６１からＸ２方向に延びる。

【0050】

なお、貫通孔２０の平面視での形状は、導電部材６の平面視での形状と同様である。貫通孔２０は、第１孔部２０１と第２孔部２０２と第３孔部２０３とを含む。第１孔部２０１は、図４に示す本体部Ａ１２１と重なり、平面視で枠状をなす。図７に示す第２孔部２０２は、第１孔部２０１からＹ２方向に延びており、図４に示す第１延在部Ａ１２２に設けられる。図７に示す第３孔部２０３は、第１孔部２０１からＸ２方向に延びており、図４に示す第２延在部Ａ１２３に設けられる。また、図７に示す第１孔部２０１には導電部材６の第１部分６１が設けられ、第２孔部２０２には第２部分６２が設けられ、第３孔部２０３には第３部分６３が設けられる。

【0051】

図７に示すように、絶縁部７は、平面視で導電部材６を囲むように設けられる。また、絶縁部７は、導電部材６の外形に沿って設けられる。具体的には、絶縁部７は、枠状の第１部分６１の内側側壁および外側側壁に沿って設けられ、かつ、第２部分６２および第３部分６３の外側側壁に沿って設けられる。かかる絶縁部７は、第１容量電極２５１の導電部材６およびその近傍に対する付き周り向上のために設けられる。

【0052】

図８は、図５に示す容量素子２５の平面図である。図８に示す容量素子２５は、第１素子部２５４と第２素子部２５５と第３素子部２５６とを含む。図８に示す第１素子部２５４は、図４に示す本体部Ａ１２１に設けられる。図８に示す第２素子部２５５は、図４に示す第１延在部Ａ１２２に設けられる。図８に示す第２素子部２５５は、図４に示す第２延在部Ａ１２３に設けられる。また、図８に示す容量素子２５は、平面視で図６に示す定電位線２４３に重なる。したがって、図８に示す第１素子部２５４は、平面視で図６に示す半導体層２３１のチャネル領域２３１ｃに重なる。

【0053】

また、図８に示すように、第１素子部２５４は平面視で第１部分６１に重なり、第２素子部２５５は平面視で第２部分６２に重なり、第３素子部２５６は平面視で第３部分６３に重なる。また、容量素子２５は、導電部材６を覆うように設けられているため、第１素子部２５４は、中央に凹部２５０を有する。

【0054】

図９は、図８のＡ２－Ａ２線の断面を示す図である。図９に示すように、定電位線２４３は、例えば、チタンナイトライド層２４３４、アルミニウム層２４３５およびチタンナイトライド層２４３６の積層体で構成される。また、絶縁膜２２７は、例えば、シリコン酸化膜２２７１およびシリコン窒化膜２２７２の積層体で構成される。なお、チタンナイトライドの代わりに、タングステンシリサイドを用いてもよい。

【0055】

絶縁膜２２７に形成された貫通孔２０には、導電部材６が設けられる。導電部材６は絶縁膜２２７から突出する突出部６０を有する。突出部６０の断面積は、「絶縁層」としての絶縁膜２２７に向けて小さくなっている。別の言い方をすると、突出部６０の幅は、絶縁膜２２７に向けて小さくなっている。すなわち、突出部６０は、いわゆる逆テーパ状をなす。また、別の見方をすると、詳細な図示はしないが、平面視で頂面６０１と根元部分６０３が重なっている。

【0056】

また、突出部６０は、頂面６０１および側面６０２を有する。頂面６０１と側面６０２とは接続される。頂面６０１は、Ｘ－Ｙ平面に平行な面である。側面６０２は、Ｚ１方向に沿う線分に対して傾斜している。また、絶縁膜２２７の上面と側面６０２とのなす角度は、９０°以下である。本実施形態では、当該角度は鋭角である。

【0057】

側面６０２の根元部分６０３の一部または全部には、絶縁部７が設けられる。本実施形態では、根元部分６０３の全部が絶縁部７で覆われている。なお、根元部分６０３とは、側面６０２のうち突出部６０の突出方向での中心から絶縁膜２２７までの間の部分をいう。また、本実施形態では、側面６０２のうち根元部分６０３と頂面６０１との間の領域の一部も絶縁部７で覆われている。絶縁部７は、突出部６０の根元部分６０３を覆うサイドウォールである。また、絶縁部７は、突出部６０の根元部分６０３を覆う側面、側壁または側面の壁であると捉えられる。なお、絶縁部７は、絶縁膜２２７から頂面６０１の高さまで設けられていてもよい。

【0058】

突出部６０の根元部分６０３に絶縁部７が設けられていることで、突出部６０の側面６０２およびその近傍での第１容量電極２５１の付き周りを従来よりも向上させることができる。このため、第１容量電極２５１の一部に欠損が生じるおそれを低減でき、容量の信頼性の低下を抑制することができる。この結果、表示不具合が生じるおそれが抑制された信頼性の高い電気光学装置１００を提供することができる。

【0059】

図１０は、絶縁部７が設けられていない比較例を示す図である。図１０に示すように、導電部材６の周りに絶縁部７が設けられていない場合、突出部６０の側面６０２およびその近傍における第１容量電極２５１の付き周りが悪い。このため、第１容量電極２５１の一部に欠損Ｈ０が生じてしまう。特に、導電部材６がいわゆる逆テーパ状であると、突出部６０の側面６０２での第１容量電極２５１の付きまわりが特に悪くなってしまう。

【0060】

この比較例に対し、本実施形態では、導電部材６の根元部分６０３に絶縁部７が設けられている。このため、絶縁部７が設けられていない場合に比べ、突出部６０の側面６０２およびその近傍における第１容量電極２５１の付き周りを向上させることができる。具体的には、突出部６０を覆うように絶縁膜２２７上に第１容量電極２５１を成膜する場合、突出部６０のうち頂面６０１の陰になる部分が絶縁部７で埋められるため、第１容量電極２５１の付き周り低下が抑制される。

【0061】

また、前述のように、突出部６０の断面積は、絶縁膜２２７に向けて小さくなっている。すなわち、突出部６０は、いわゆる逆テーパ状をなす。逆テーパ状である場合に絶縁部７が設けられていないと、突出部６０の側面６０２およびその近傍における第１容量電極２５１の付き周りが特に悪くなってしまう。このため、突出部６０が逆テーパ状である場合に絶縁部７が設けられていることで、第１容量電極２５１の一部に欠損が生じるおそれをより効果的に低減することができる。

【0062】

なお、突出部６０は逆テーパ状でなくてもよい。この場合であっても、絶縁部７を設けることで第１容量電極２５１の欠損の発生を抑制する効果を発揮することができる。したがって、側面６０２と絶縁膜２２７の上面とのなす角度が、９０°である場合、または９０°以上である場合にも、絶縁部７を設けることによる効果は発揮される。

【0063】

図９に示すように、絶縁部７の厚さは特に限定されないが、絶縁部７の最大厚さＷは、突出部６０の高さＴよりも小さいことが好ましい。最大厚さＷは、Ｘ－Ｙ平面に沿った最大長さである。高さＴは、Ｚ１方向に沿った長さである。最大厚さＷが高さＴ以上である場合、絶縁部７が巨大化するだけで、絶縁部７を設けることによる効果の更なる向上は見られない。なお、本実施形態では、絶縁部７の最大厚さＷは、突出部６０の高さＴよりも低いが、突出部６０の高さＴ以上でもよい。また、本実施形態では、絶縁部７の厚さは、絶縁膜２２７に向かって小さくなるが、大きくなってもよいし、一定であってもよい。

【0064】

また、前述のように、本実施形態では、絶縁部７は、側面６０２の根元部分６０３の全部に設けられる。具体的には、図７に示すように、絶縁部７は、根元部分６０３の全域に設けられている。このため、根元部分６０３の全部において絶縁部７を設けたことによる効果が発揮される。

【0065】

なお、絶縁部７は、根元部分６０３の一部にのみ設けられていてもよい。その場合、例えば、少なくとも角部に設けられていることが好ましい。角部は、特に第１容量電極２５１を成膜し難い箇所である。よって、角部に絶縁部７が設けられていることで、第１容量電極２５１の欠損の発生を効果的に抑制することができる。

【0066】

また、前述のように、第１容量電極２５１は、導電部材６を介して定電位線２４３に電気的に接続される。絶縁部７が設けられることで第１容量電極２５１に欠損が生じ難くなるため、導電部材６による第１容量電極２５１と定電位線２４３との電気的な接続の信頼性を向上させることができる。

【0067】

また、前述のように、導電部材６は、第１部分６１と第２部分６２と第３部分６３とを有する。このため、導電部材６が第１部分６１のみで構成される場合に比べ、容量素子２５の大容量化を図ることができる。

【0068】

また、第１部分６１は、遮光領域Ａ１２の本体部Ａ１２１に設けられる。本体部Ａ１２１は、第１延在部Ａ１２２および第２延在部Ａ１２３に比べて平面積が大きい。このため、導電部材６が第１部分６１を有することで、第１容量電極２５１の面積を大きくすることができ、よって、静電容量を大きくとることができる。さらに、第１部分６１は平面視で枠状である。このため、第１部分６１の平面視形状が例えば四角形である場合に比べ、第１容量電極２５１および第２容量電極２５２は複数の凹凸を有する。それゆえ、第１容量電極２５１および第２容量電極２５２の面積を大きくすることができる。よって、容量素子２５の静電容量をさらに大きくとることができる。

【0069】

また、貫通孔２０に導電部材６が設けられることで、貫通孔２０を形成する壁面に沿って容量素子２５を形成しなくて済む。このため、ガバレッジ不良の問題を回避することができる。また、貫通孔２０に導電部材６が設けられることで、貫通孔２０に容量素子２５が設けられる場合に比べ、貫通孔２０の幅を狭くすることができる。

【0070】

２．電気光学装置１００の製造方法
図１１は、実施形態に係る電気光学装置１００の製造方法の流れを示す図である。図１１では、電気光学装置１００の製造工程のうち、素子基板２の一部の製造工程を示す。なお、電気光学装置１００のうち以下に示す素子基板２の一部の構成以外は、公知の方法により製造される。

【0071】

図１１に示すように、電気光学装置１００の製造方法は、トランジスター形成工程Ｓ１１と、絶縁層形成工程Ｓ１２と、貫通孔形成工程Ｓ１３と、導電部材形成工程Ｓ１４と、絶縁部形成工程Ｓ１５と、容量素子形成工程Ｓ１６とを有する。以下、各工程を順次説明する。

【0072】

トランジスター２３の形成前に、まず、第１基板２１上に絶縁膜２２１、遮光層１１０、および絶縁膜２２２を形成する。次に、トランジスター形成工程Ｓ１１では、絶縁膜２２２上に、トランジスター２３を形成する。トランジスター２３の各部は公知の方法で形成される。その後、トランジスター２３上に、走査線２４１、中継電極２４４、信号線２４２、定電位線２４３、および絶縁膜２２３～２２６を形成するとともに、コンタクトホール２７１～２７４を形成する。なお、走査線２４１、中継電極２４４、信号線２４２、定電位線２４３、は、チタンナイトライド層２４３４とアルミニウム層２４３５とチタンナイトライド層２４３６とを順番に成膜し、パターニングすることにより形成される。

【0073】

図１２は、絶縁層形成工程Ｓ１２を説明するための図である。絶縁層形成工程Ｓ１２では、図１２に示すように定電位線２４３上に「絶縁層」としての絶縁膜２２７、および犠牲層２２９を形成する。例えば、シリコン酸化膜２２７１およびシリコン窒化膜２２７２を成膜することにより絶縁膜２２７が形成される。また、シリコン窒化膜２２７２上に、例えばシリコン酸化膜を成膜することにより犠牲層２２９が形成される。シリコン酸化膜２２７１、シリコン窒化膜２２７２、および犠牲層２２９は、例えば、熱酸化、またはＣＶＤ法等の蒸着法で形成される。

【0074】

図１３は、貫通孔形成工程Ｓ１３を説明するための図である。貫通孔形成工程Ｓ１３では、図１３に示すように絶縁膜２２７および犠牲層２２９を貫通する貫通孔２０を形成する。犠牲層２２９上に貫通孔２０に対応する形状のマスクを形成し、絶縁膜２２７および犠牲層２２９をエッチングすることにより貫通孔２０が形成される。貫通孔２０は、定電位線２４３に向かって断面積が小さくなるよう形成される。なお、このエッチングの際、定電位線２４３の一部が除去される。

【0075】

図１４は、導電部材形成工程Ｓ１４を説明するための図である。導電部材形成工程Ｓ１４では、図１４に示すように貫通孔２０に導電部材６が形成される。例えば、導電部材６は、スパッタ法、またはＣＶＤ法等の蒸着法によりタングステン等の金属を貫通孔２０に堆積させることで形成される。かかる工程により、前述の遮光領域Ａ１２の本体部Ａ１２１と重なる第１部分６１を有する導電部材６が形成される。

【0076】

図１５は、絶縁部形成工程Ｓ１５を説明するための図である。絶縁部形成工程Ｓ１５では、犠牲層２２９をエッチングすることにより、導電部材６に突出部６０が形成されるとともに絶縁部７が形成される。当該エッチングではウエットエッチングが用いられる。ウエットエッチングでは、導電部材６が除去され難く、犠牲層２２９が除去され易いエッチング液が用いられる。例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）、またはＤＨＦ（希フッ酸）等のフッ素系のエッチング液が用いられる。また、絶縁部形成工程Ｓ１５では、犠牲層２２９の一部を残すことにより絶縁部７が形成されるエッチング条件とする。かかる工程により、前述の突出部６０の側面６０２の根元部分６０３を覆う絶縁部７が形成される。なお、絶縁部７は、突出部６０の根元部分６０３に絶縁部７となる材料を堆積させることにより形成されてもよい。また、絶縁部７は、根元部分６０３に絶縁部７となる材料を成膜または付着させることにより形成されてもよい。絶縁部７は、根元部分６０４に加え、根元部分６０４の上方にも形成されてもよい。

【0077】

図１６は、容量素子形成工程Ｓ１６を説明するための図である。容量素子形成工程Ｓ１６では、図１６に示すように、導電部材６および絶縁部７を覆うように絶縁膜２２７上に第１容量電極２５１ａが形成され、第１容量電極２５１ａ上に誘電体層２５３ａが形成され、誘電体層２５３ａ上に第２容量電極２５２ａが形成される。その後、第１容量電極２５１ａ、誘電体層２５３ａおよび第２容量電極２５２ａを一括でエッチングすることにより、前述の第１容量電極２５１、誘電体層２５３および第２容量電極２５２を含む容量素子２５が形成される。一括でエッチングすることで、複数の容量素子２５を高精細にかつ簡単に形成することができる。なお、第１容量電極２５１ａおよび第２容量電極２５２ａは、例えば、スパッタリング法または蒸着法により形成される。誘電体層２５３ａは、例えば、熱酸化、またはＣＶＤ法等の蒸着法で形成される。

【0078】

次に、容量素子２５上に絶縁膜２２８が形成された後、図４に示すコンタクトホール２７５および２７６が形成される。その後、画素電極２４および第１配向膜２９が形成される。以上により、素子基板２が製造される。また、対向基板３を公知の方法により形成し、素子基板２と対向基板３との間にシール部材４を配置し、これらの間に液晶層５を形成する。以上により電気光学装置１００が製造される。

【0079】

以上説明した電気光学装置１００の製造方法によれば、突出部６０の根元部分６０３に絶縁部７を簡単に形成することができる。このため、突出部６０の側面６０２およびその近傍での第１容量電極２５１の付き周りを従来よりも向上させることができる。よって、第１容量電極２５１の一部に欠損が生じるおそれを低減でき、容量の信頼性の低下を抑制することができる。それゆえ、表示不具合が生じるおそれが抑制された信頼性の高い電気光学装置１００を得ることができる。

【0080】

２．変形例
以上に例示した実施形態は多様に変形され得る。前述の実施形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。

【0081】

図１７は、容量素子２５の変形例を示す図である。図１７に示す容量素子２５Ａでは、誘電体層２５３Ａおよび第２容量電極２５２Ａが第１容量電極２５１の端面を覆うように設けられる。誘電体層２５３Ａは第１容量電極２５１の端面に接触しており、第２容量電極２５２Ａは誘電体層２５３Ａを覆っている。かかる構成によれば、第１容量電極２５１と第２容量電極２５２Ａとが互いに対向する面積を前述の実施形態の第１容量電極２５１および第２容量電極２５２に比べて広くすることができる。よって、実施形態の容量素子２５に比べて静電容量をより大きくすることができる。

【0082】

前述の説明では、導電部材６は、第１部分６１、第２部分６２および第３部分６３を有するが、例えば第２部分６２および第３部分６３は省略してもよい。

【0083】

前述の各実施形態では、アクティブマトリクス方式の電気光学装置１００が例示されるが、これに限定されず、電気光学装置１００の駆動方式は、例えば、パッシブマトリクス方式等でもよい。

【0084】

「電気光学装置」の駆動方式は、縦電界方式に限定されず、横電界方式でもよい。なお、横電界方式としては、例えばＩＰＳ（In Plane Switching）モードが挙げられる。また、縦電界方式としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Virtical Alignment）、ＰＶＡモードおよびＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードが挙げられる。

【0085】

３．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。

【0086】

図１８は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設置される本体部２０１０と、制御部２００３と、を有する。制御部２００３は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0087】

図１９は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す平面図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、制御部３００２と、を有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。制御部３００２は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0088】

図２０は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。制御部４００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

【0089】

照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。

【0090】

以上の電子機器は、前述の電気光学装置１００と、制御部２００３、３００２または４００５と、を備える。前述の電気光学装置１００は容量の信頼性に優れている。このため、表示不具合が生じるおそれが抑制されている。よって、電気光学装置１００を備えることで、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００または投射型表示装置４０００の表示品位を高めることができる。

【0091】

なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

【0092】

以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

【0093】

また、前述した説明では、本発明の電気光学装置の一例として液晶表示装置について説明したが、本発明の電気光学装置はこれに限定されない。例えば、本発明の電気光学装置は、イメージセンサー等にも適用することができる。

【符号の説明】

【0094】

１ｂ…電気光学装置、１ｇ…電気光学装置、１ｒ…電気光学装置、２…素子基板、３…対向基板、４…シール部材、５…液晶層、６…導電部材、７…絶縁部、１１…走査線駆動回路、１２…信号線駆動回路、１３…外部端子、２０…貫通孔、２１…第１基板、２２…積層体、２３…トランジスター、２４…画素電極、２５…容量素子、２５Ａ…容量素子、２９…第１配向膜、３１…第２基板、３２…無機絶縁層、３３…共通電極、３４…第２配向膜、６０…突出部、６１…第１部分、６２…第２部分、６３…第３部分、１００…電気光学装置、１１０…遮光層、２０１…第１孔部、２０２…第２孔部、２０３…第３孔部、２２１…絶縁膜、２２２…絶縁膜、２２３…絶縁膜、２２４…絶縁膜、２２５…絶縁膜、２２６…絶縁膜、２２７…絶縁膜、２２８…絶縁膜、２２９…犠牲層、２３１…半導体層、２３１ａ…ドレイン領域、２３１ｂ…ソース領域、２３１ｃ…チャネル領域、２３１ｄ…低濃度ドレイン領域、２３１ｅ…低濃度ソース領域、２３２…ゲート電極、２３３…ゲート絶縁膜、２４１…走査線、２４２…信号線、２４３…定電位線、２４４…中継電極、２５０…凹部、２５１…第１容量電極、２５１ａ…第１容量電極、２５２…第２容量電極、２５２Ａ…第２容量電極、２５２ａ…第２容量電極、２５３…誘電体層、２５３Ａ…誘電体層、２５３ａ…誘電体層、２５４…第１素子部、２５５…第２素子部、２５６…第３素子部、２７１…コンタクトホール、２７２…コンタクトホール、２７３…コンタクトホール、２７４…コンタクトホール、２７５…コンタクトホール、２７６…コンタクトホール、６０１…頂面、６０２…側面、６０３…根元部分、２０００…パーソナルコンピューター、２００１…電源スイッチ、２００２…キーボード、２００３…制御部、２０１０…本体部、２２７１…シリコン酸化膜、２２７２…シリコン窒化膜、２４３１…第１定電位部、２４３２…第２定電位部、２４３３…第３定電位部、２４３４…チタンナイトライド層、２４３５…アルミニウム層、２４３６…チタンナイトライド層、３０００…スマートフォン、３００１…操作ボタン、３００２…制御部、４０００…投射型表示装置、４００１…照明光学系、４００２…照明装置、４００３…投射光学系、４００４…投射面、４００５…制御部、Ａ１０…表示領域、Ａ１１…透過領域、Ａ１２…遮光領域、Ａ１２１…本体部、Ａ１２２…第１延在部、Ａ１２３…第２延在部、Ａ２０…周辺領域、Ｃ１…外側角部、Ｃ２…内側角部、Ｃ３…角部、Ｃ４…角部、Ｃ５…接続部、Ｃ６…接続部、Ｈ０…欠損、ＬＬ…光、Ｐ…画素、Ｓ１１…トランジスター形成工程、Ｓ１２…絶縁層形成工程、Ｓ１３…貫通孔形成工程、Ｓ１４…導電部材形成工程、Ｓ１５…絶縁部形成工程、Ｓ１６…容量素子形成工程、Ｔ…高さ、Ｗ…最大厚さ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】