知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024064549
(43)【公開日】2024-05-14
(54)【発明の名称】基板処理方法および基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20240507BHJP
H01L 21/683 20060101ALI20240507BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 648G
H01L21/304 648A
H01L21/304 651B
H01L21/68 N
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022173213
(22)【出願日】2022-10-28
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】中井 仁司
【テーマコード（参考）】
5F131
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F131AA02
5F131BA37
5F131CA12
5F131CA16
5F131DA33
5F131DA42
5F131EA06
5F131EA14
5F131EA23
5F131EA24
5F131EB31
5F131EB32
5F131EB34
5F131EB35
5F131EB37
5F131EB55
5F131EB57
5F131EB89
5F131FA13
5F131FA14
5F131FA32
5F157AA15
5F157AB02
5F157AB14
5F157AB20
5F157AB33
5F157AB90
5F157AC04
5F157AC26
5F157BB23
5F157BB45
5F157DB02
5F157DB37
5F157DC90
(57)【要約】
【課題】基板における上方を向く主面に供給された薬液が下方を向く主面へ回り込むことを抑制できる技術の提供。
【解決手段】基板処理方法であって、パターンが形成された第１主面９１が下方を向く姿勢の基板９が、基板９を下方から支持する複数の支持ピン６１から離間して第１チャック部７１０で保持された状態を形成する、第１保持状態形成工程と、複数の支持ピン６１から離間して第１チャック部７１０に保持された基板９を、上下に延びる中心軸Ｊ１の周りで回転させつつ、基板９の下方の空間へガスを供給するとともに、基板９における上方を向く第２主面９２に薬液を供給する、薬液処理工程と、を備える。第１チャック部７１０は、基板９の周縁部下面に当接せずに基板９の周縁部端面に当接する第１チャックピン７１を複数備え、複数の第１チャックピン７１で基板９を保持する。
【選択図】図１
【解決手段】基板処理方法であって、パターンが形成された第１主面９１が下方を向く姿勢の基板９が、基板９を下方から支持する複数の支持ピン６１から離間して第１チャック部７１０で保持された状態を形成する、第１保持状態形成工程と、複数の支持ピン６１から離間して第１チャック部７１０に保持された基板９を、上下に延びる中心軸Ｊ１の周りで回転させつつ、基板９の下方の空間へガスを供給するとともに、基板９における上方を向く第２主面９２に薬液を供給する、薬液処理工程と、を備える。第１チャック部７１０は、基板９の周縁部下面に当接せずに基板９の周縁部端面に当接する第１チャックピン７１を複数備え、複数の第１チャックピン７１で基板９を保持する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
パターンが形成された第１主面が下方を向く姿勢の基板が、前記基板を下方から支持する複数の支持ピンから離間して第１チャック部で保持された状態を形成する、第１保持状態形成工程と、
前記複数の支持ピンから離間して前記第１チャック部に保持された前記基板を、上下に延びる中心軸の周りで回転させつつ、前記基板の下方の空間へガスを供給するとともに、前記基板における上方を向く第２主面に薬液を供給する、薬液処理工程と、
を備え、
前記第１チャック部が、前記基板の周縁部下面に当接せずに前記基板の周縁部端面に当接する第１チャックピンを複数備え、前記複数の第１チャックピンで前記基板を保持する、
基板処理方法。
前記複数の支持ピンから離間して前記第１チャック部に保持された前記基板を、上下に延びる中心軸の周りで回転させつつ、前記基板の下方の空間へガスを供給するとともに、前記基板における上方を向く第２主面に薬液を供給する、薬液処理工程と、
を備え、
前記第１チャック部が、前記基板の周縁部下面に当接せずに前記基板の周縁部端面に当接する第１チャックピンを複数備え、前記複数の第１チャックピンで前記基板を保持する、
基板処理方法。
【請求項2】
請求項１に記載の基板処理方法であって、
前記薬液の供給を停止し、前記第２主面へのリンス液の供給を開始するリンス液供給開始工程と、
前記リンス液の供給が開始された後に、前記基板を第２チャック部で保持する第２保持状態形成工程と、
を備え、
前記第２チャック部が、前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する、
基板処理方法。
前記薬液の供給を停止し、前記第２主面へのリンス液の供給を開始するリンス液供給開始工程と、
前記リンス液の供給が開始された後に、前記基板を第２チャック部で保持する第２保持状態形成工程と、
を備え、
前記第２チャック部が、前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する、
基板処理方法。
【請求項3】
請求項１または２に記載の基板処理方法であって、
少なくとも第２チャック部が前記基板を保持する状態で、前記基板の回転数を所定の乾燥回転数まで上昇させる、回転数上昇工程、
を備え、
前記第２チャック部が、前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する、
基板処理方法。
少なくとも第２チャック部が前記基板を保持する状態で、前記基板の回転数を所定の乾燥回転数まで上昇させる、回転数上昇工程、
を備え、
前記第２チャック部が、前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する、
基板処理方法。
【請求項4】
請求項１または２に記載の基板処理方法であって、
前記第１保持状態形成工程が、
前記複数の支持ピンに支持されている前記基板を第２チャック部で保持して前記複数の支持ピンから離間させる、予備保持工程と、
前記予備保持工程の後に、前記第２チャック部で保持される前記基板を、前記第１チャック部でさらに保持してから、前記第２チャック部による前記基板の保持を解除する、チャック部変更工程と、
を備え、
前記第２チャック部が、前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する、
基板処理方法。
前記第１保持状態形成工程が、
前記複数の支持ピンに支持されている前記基板を第２チャック部で保持して前記複数の支持ピンから離間させる、予備保持工程と、
前記予備保持工程の後に、前記第２チャック部で保持される前記基板を、前記第１チャック部でさらに保持してから、前記第２チャック部による前記基板の保持を解除する、チャック部変更工程と、
を備え、
前記第２チャック部が、前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する、
基板処理方法。
【請求項5】
請求項１または２に記載の基板処理方法であって、
前記第１チャックピンが、
前記周縁部端面に当接する端面当接面と、前記基板の周縁部上面に当接する上側当接面と、を備える、
基板処理方法。
前記第１チャックピンが、
前記周縁部端面に当接する端面当接面と、前記基板の周縁部上面に当接する上側当接面と、を備える、
基板処理方法。
【請求項6】
請求項１または２に記載の基板処理方法であって、
前記第１チャックピンが、
前記周縁部端面に当接する端面当接面を備え、前記基板の周縁部上面に当接する上側当接面を備えない、
基板処理方法。
前記第１チャックピンが、
前記周縁部端面に当接する端面当接面を備え、前記基板の周縁部上面に当接する上側当接面を備えない、
基板処理方法。
【請求項7】
請求項１または２に記載の基板処理方法であって、
前記第２主面に前記薬液が供給されたときに生じる、前記第１チャックピンが当接する位置での前記周縁部下面への前記薬液の回り込み量が、前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンが当接する位置での前記周縁部下面への前記薬液の回り込み量よりも小さく、かつ、前記第１チャックピンおよび前記第２チャックピンのどちらも当接しない位置での前記周縁部下面への前記薬液の回り込み量よりも大きい、
基板処理方法。
前記第２主面に前記薬液が供給されたときに生じる、前記第１チャックピンが当接する位置での前記周縁部下面への前記薬液の回り込み量が、前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンが当接する位置での前記周縁部下面への前記薬液の回り込み量よりも小さく、かつ、前記第１チャックピンおよび前記第２チャックピンのどちらも当接しない位置での前記周縁部下面への前記薬液の回り込み量よりも大きい、
基板処理方法。
【請求項8】
請求項１に記載の基板処理方法であって、
前記第１チャックピンが、
前記周縁部端面に当接する端面当接面と、前記基板の周縁部上面に当接する上側当接面と、を備え、
前記第１保持状態形成工程が、
前記基板の下方の空間へガスを供給して前記基板を浮上させることによって前記基板を前記複数の支持ピンから離間させる浮上工程と、
浮上している前記基板を前記第１チャック部で保持する浮上基板保持工程と、
を備える、
基板処理方法。
前記第１チャックピンが、
前記周縁部端面に当接する端面当接面と、前記基板の周縁部上面に当接する上側当接面と、を備え、
前記第１保持状態形成工程が、
前記基板の下方の空間へガスを供給して前記基板を浮上させることによって前記基板を前記複数の支持ピンから離間させる浮上工程と、
浮上している前記基板を前記第１チャック部で保持する浮上基板保持工程と、
を備える、
基板処理方法。
【請求項9】
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持される前記基板を、上下に延びる中心軸の周りで回転させる基板回転機構と、
前記基板保持部に保持される前記基板における上方を向く主面に、処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部に保持される前記基板の下方の空間へ、ガスを供給するガス供給部と、
前記基板保持部、前記基板回転機構、前記処理液供給部、および、前記ガス供給部を制御する制御部と、
を備え、
前記基板保持部が、
前記基板の下方から前記基板に当接して前記基板を支持する複数の支持ピンと、
前記基板の周縁部下面に当接せずに前記基板の周縁部端面に当接する第１チャックピンを複数備え、前記複数の第１チャックピンで前記基板を保持する第１チャック部と、
を備え、
前記制御部が、
パターンが形成された第１主面が下方を向く姿勢の基板が、前記複数の支持ピンから離間して前記第１チャック部で保持された状態で、前記基板回転機構に前記基板を回転させつつ、前記ガス供給部に前記基板の下方の空間へ前記ガスを供給させるとともに、前記処理液供給部に第１処理液としての薬液を前記基板における上方を向く第２主面に供給させる、
基板処理装置。
前記基板保持部に保持される前記基板を、上下に延びる中心軸の周りで回転させる基板回転機構と、
前記基板保持部に保持される前記基板における上方を向く主面に、処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部に保持される前記基板の下方の空間へ、ガスを供給するガス供給部と、
前記基板保持部、前記基板回転機構、前記処理液供給部、および、前記ガス供給部を制御する制御部と、
を備え、
前記基板保持部が、
前記基板の下方から前記基板に当接して前記基板を支持する複数の支持ピンと、
前記基板の周縁部下面に当接せずに前記基板の周縁部端面に当接する第１チャックピンを複数備え、前記複数の第１チャックピンで前記基板を保持する第１チャック部と、
を備え、
前記制御部が、
パターンが形成された第１主面が下方を向く姿勢の基板が、前記複数の支持ピンから離間して前記第１チャック部で保持された状態で、前記基板回転機構に前記基板を回転させつつ、前記ガス供給部に前記基板の下方の空間へ前記ガスを供給させるとともに、前記処理液供給部に第１処理液としての薬液を前記基板における上方を向く第２主面に供給させる、
基板処理装置。
【請求項10】
請求項９に記載の基板処理装置であって、
前記基板保持部が、
前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する第２チャック部、
を備え、
前記制御部が、
前記処理液供給部に、前記薬液の供給を停止させ、第２処理液としてのリンス液の供給を開始させ、
前記リンス液の供給が開始された後に、前記基板を前記第２チャック部に保持させる、
基板処理装置。
前記基板保持部が、
前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する第２チャック部、
を備え、
前記制御部が、
前記処理液供給部に、前記薬液の供給を停止させ、第２処理液としてのリンス液の供給を開始させ、
前記リンス液の供給が開始された後に、前記基板を前記第２チャック部に保持させる、
基板処理装置。
【請求項11】
請求項９または１０に記載の基板処理装置であって、
前記基板保持部が、
前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する第２チャック部、
を備え、
前記制御部が、
少なくとも前記第２チャック部に前記基板を保持させた状態で、前記基板回転機構による前記基板の回転数を所定の乾燥回転数まで上昇させる、
基板処理装置。
前記基板保持部が、
前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する第２チャック部、
を備え、
前記制御部が、
少なくとも前記第２チャック部に前記基板を保持させた状態で、前記基板回転機構による前記基板の回転数を所定の乾燥回転数まで上昇させる、
基板処理装置。
【請求項12】
請求項９または１０に記載の基板処理装置であって、
前記基板保持部が、
前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する第２チャック部、
を備え、
前記制御部が、
前記基板が前記複数の支持ピンから離間して前記第１チャック部で保持された状態を形成するにあたって、
前記複数の支持ピンに支持されている前記基板を前記第２チャック部に保持させて、前記基板を前記複数の支持ピンから離間させた後、前記第２チャック部で保持される前記基板を、前記第１チャック部でさらに保持させてから、前記第２チャック部による前記基板の保持を解除させる、
基板処理装置。
前記基板保持部が、
前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する第２チャック部、
を備え、
前記制御部が、
前記基板が前記複数の支持ピンから離間して前記第１チャック部で保持された状態を形成するにあたって、
前記複数の支持ピンに支持されている前記基板を前記第２チャック部に保持させて、前記基板を前記複数の支持ピンから離間させた後、前記第２チャック部で保持される前記基板を、前記第１チャック部でさらに保持させてから、前記第２チャック部による前記基板の保持を解除させる、
基板処理装置。
【請求項13】
請求項９または１０に記載の基板処理装置であって、
前記第１チャックピンが、
前記周縁部端面に当接する端面当接面と、前記基板の周縁部上面に当接する上側当接面と、を備える、
基板処理装置。
前記第１チャックピンが、
前記周縁部端面に当接する端面当接面と、前記基板の周縁部上面に当接する上側当接面と、を備える、
基板処理装置。
【請求項14】
請求項９または１０に記載の基板処理装置であって、
前記第１チャックピンが、
前記周縁部端面に当接する端面当接面を備え、前記基板の周縁部上面に当接する上側当接面を備えない、
基板処理装置。
前記第１チャックピンが、
前記周縁部端面に当接する端面当接面を備え、前記基板の周縁部上面に当接する上側当接面を備えない、
基板処理装置。
【請求項15】
請求項９または１０に記載の基板処理装置であって、
前記基板保持部が、
前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する第２チャック部、
を備え、
前記第２主面に前記薬液が供給されたときに生じる、前記第１チャックピンが当接する位置での前記周縁部下面への前記薬液の回り込み量が、前記第２チャックピンが当接する位置での前記周縁部下面への前記薬液の回り込み量よりも小さく、かつ、前記第１チャックピンおよび前記第２チャックピンのどちらも当接しない位置での前記周縁部下面への前記薬液の回り込み量よりも大きい、
基板処理装置。
前記基板保持部が、
前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する第２チャック部、
を備え、
前記第２主面に前記薬液が供給されたときに生じる、前記第１チャックピンが当接する位置での前記周縁部下面への前記薬液の回り込み量が、前記第２チャックピンが当接する位置での前記周縁部下面への前記薬液の回り込み量よりも小さく、かつ、前記第１チャックピンおよび前記第２チャックピンのどちらも当接しない位置での前記周縁部下面への前記薬液の回り込み量よりも大きい、
基板処理装置。
【請求項16】
請求項９に記載の基板処理装置であって、
前記第１チャックピンが、
前記周縁部端面に当接する端面当接面と、前記基板の周縁部上面に当接する上側当接面と、を備え、
前記制御部が、
前記基板が前記複数の支持ピンから離間して前記第１チャック部で保持された状態を形成するにあたって、
前記ガス供給部に前記基板の下方の空間へ前記ガスを供給させて前記基板を浮上させることによって前記基板を前記複数の支持ピンから離間させ、浮上している前記基板を前記第１チャック部に保持させる、
基板処理装置。
前記第１チャックピンが、
前記周縁部端面に当接する端面当接面と、前記基板の周縁部上面に当接する上側当接面と、を備え、
前記制御部が、
前記基板が前記複数の支持ピンから離間して前記第１チャック部で保持された状態を形成するにあたって、
前記ガス供給部に前記基板の下方の空間へ前記ガスを供給させて前記基板を浮上させることによって前記基板を前記複数の支持ピンから離間させ、浮上している前記基板を前記第１チャック部に保持させる、
基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願は、基板処理方法および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイスなどを製造するにあたっては、基板に対して様々な処理が行われる。例えば、基板を、その厚み方向が上下方向に沿うような姿勢で保持しつつ、該基板の主面に処理液などを供給して、該主面に対する処理を行う基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１～４）。このような基板処理装置の中には、一方の主面にデバイス（製造途上のデバイス）のパターンが形成された基板を、該主面が下方を向くような姿勢で保持して、このときに上方を向いている主面（すなわち、デバイスのパターンが形成されていない主面）に処理液などを供給して、該主面に対する処理を行うものもある（例えば、特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００６－４９５９８号公報
【特許文献2】特開２００６－２２８７７８号公報
【特許文献3】特開２０２１－４８３６１号公報
【特許文献4】特開２０２０－１９８３３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、基板における上方を向いている主面に処理液としての薬液を供給して該主面を処理する際に、上方を向いている主面に供給された薬液が、下方を向いている主面に回り込んでしまう可能性がある。下方を向いている主面にデバイスのパターンが形成されている場合、このような薬液の回り込みが生じてしまうと、回り込んだ薬液によって、例えばエッチングが進行してしまい、デバイス不良などが引き起こされるおそれがある。このような事態を回避するために、薬液の回り込みを低減することが求められている。特に、近年においては、１枚の基板からできるだけ多数個のデバイスを得るため、基板の外周縁の近傍までデバイスのパターンが形成されるようになってきており、薬液の回り込みを低減できる技術の必要性が高まっている。
【0005】
本願は、このような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板における上方を向く主面に供給された薬液が下方を向く主面へ回り込むことを抑制できる技術の提供である。
【課題を解決するための手段】
【0006】
第１の態様は、基板処理方法であって、パターンが形成された第１主面が下方を向く姿勢の基板が、前記基板を下方から支持する複数の支持ピンから離間して第１チャック部で保持された状態を形成する、第１保持状態形成工程と、前記複数の支持ピンから離間して前記第１チャック部に保持された前記基板を、上下に延びる中心軸の周りで回転させつつ、前記基板の下方の空間へガスを供給するとともに、前記基板における上方を向く第２主面に薬液を供給する、薬液処理工程と、を備え、前記第１チャック部が、前記基板の周縁部下面に当接せずに前記基板の周縁部端面に当接する第１チャックピンを複数備え、前記複数の第１チャックピンで前記基板を保持する。
【0007】
第２の態様は、第１の態様に係る基板処理方法であって、前記薬液の供給を停止し、前記第２主面へのリンス液の供給を開始するリンス液供給開始工程と、前記リンス液の供給が開始された後に、前記基板を第２チャック部で保持する第２保持状態形成工程と、を備え、前記第２チャック部が、前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する。
【0008】
第３の態様は、第１または第２の態様に係る基板処理方法であって、少なくとも第２チャック部が前記基板を保持する状態で、前記基板の回転数を所定の乾燥回転数まで上昇させる、回転数上昇工程、を備え、前記第２チャック部が、前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する。
【0009】
第４の態様は、第１から第３のいずれかの態様に係る基板処理方法であって、前記第１保持状態形成工程が、前記複数の支持ピンに支持されている前記基板を第２チャック部で保持して前記複数の支持ピンから離間させる、予備保持工程と、前記予備保持工程の後に、前記第２チャック部で保持される前記基板を、前記第１チャック部でさらに保持してから、前記第２チャック部による前記基板の保持を解除する、チャック部変更工程と、を備え、前記第２チャック部が、前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する。
【0010】
第５の態様は、第１から第４のいずれかの態様に係る基板処理方法であって、前記第１チャックピンが、前記周縁部端面に当接する端面当接面と、前記基板の周縁部上面に当接する上側当接面と、を備える。
【0011】
第６の態様は、第１から第４のいずれかの態様に係る基板処理方法であって、前記第１チャックピンが、前記周縁部端面に当接する端面当接面を備え、前記基板の周縁部上面に当接する上側当接面を備えない。
【0012】
第７の態様は、第１から第６のいずれかの態様に係る基板処理方法であって、前記第２主面に前記薬液が供給されたときに生じる、前記第１チャックピンが当接する位置での前記周縁部下面への前記薬液の回り込み量が、前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンが当接する位置での前記周縁部下面への前記薬液の回り込み量よりも小さく、かつ、前記第１チャックピンおよび前記第２チャックピンのどちらも当接しない位置での前記周縁部下面への前記薬液の回り込み量よりも大きい。
【0013】
第８の態様は、第１の態様に係る基板処理方法であって、前記第１チャックピンが、前記周縁部端面に当接する端面当接面と、前記基板の周縁部上面に当接する上側当接面と、を備え、前記第１保持状態形成工程が、前記基板の下方の空間へガスを供給して前記基板を浮上させることによって前記基板を前記複数の支持ピンから離間させる浮上工程と、浮上している前記基板を前記第１チャック部で保持する浮上基板保持工程と、を備える。
【0014】
第９の態様は、基板処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持される前記基板を、上下に延びる中心軸の周りで回転させる基板回転機構と、前記基板保持部に保持される前記基板における上方を向く主面に、処理液を供給する処理液供給部と、前記基板保持部に保持される前記基板の下方の空間へ、ガスを供給するガス供給部と、前記基板保持部、前記基板回転機構、前記処理液供給部、および、前記ガス供給部を制御する制御部と、を備え、前記基板保持部が、前記基板の下方から前記基板に当接して前記基板を支持する複数の支持ピンと、前記基板の周縁部下面に当接せずに前記基板の周縁部端面に当接する第１チャックピンを複数備え、前記複数の第１チャックピンで前記基板を保持する第１チャック部と、を備え、前記制御部が、パターンが形成された第１主面が下方を向く姿勢の基板が、前記複数の支持ピンから離間して前記第１チャック部で保持された状態で、前記基板回転機構に前記基板を回転させつつ、前記ガス供給部に前記基板の下方の空間へ前記ガスを供給させるとともに、前記処理液供給部に第１処理液としての薬液を前記基板における上方を向く第２主面に供給させる。
【0015】
第１０の態様は、第９の態様に係る基板処理装置であって、前記基板保持部が、前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する第２チャック部、を備え、前記制御部が、前記処理液供給部に、前記薬液の供給を停止させ、第２処理液としてのリンス液の供給を開始させ、前記リンス液の供給が開始された後に、前記基板を前記第２チャック部に保持させる。
【0016】
第１１の態様は、第９または第１０の態様に係る基板処理装置であって、前記基板保持部が、前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する第２チャック部、を備え、前記制御部が、少なくとも前記第２チャック部に前記基板を保持させた状態で、前記基板回転機構による前記基板の回転数を所定の乾燥回転数まで上昇させる。
【0017】
第１２の態様は、第９から第１１のいずれかの態様に係る基板処理装置であって、前記基板保持部が、前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する第２チャック部、を備え、前記制御部が、前記基板が前記複数の支持ピンから離間して前記第１チャック部で保持された状態を形成するにあたって、前記複数の支持ピンに支持されている前記基板を前記第２チャック部に保持させて、前記基板を前記複数の支持ピンから離間させた後、前記第２チャック部で保持される前記基板を、前記第１チャック部でさらに保持させてから、前記第２チャック部による前記基板の保持を解除させる。
【0018】
第１３の態様は、第９から第１２のいずれかの態様に係る基板処理装置であって、前記第１チャックピンが、前記周縁部端面に当接する端面当接面と、前記基板の周縁部上面に当接する上側当接面と、を備える。
【0019】
第１４の態様は、第９から第１２のいずれかの態様に係る基板処理装置であって、前記第１チャックピンが、前記周縁部端面に当接する端面当接面を備え、前記基板の周縁部上面に当接する上側当接面を備えない。
【0020】
第１５の態様は、第９から第１４のいずれかの態様に係る基板処理装置であって、前記基板保持部が、前記基板の周縁部上面および前記周縁部下面に当接する第２チャックピンを複数備え、前記複数の第２チャックピンで前記基板を保持する第２チャック部、を備え、前記第２主面に前記薬液が供給されたときに生じる、前記第１チャックピンが当接する位置での前記周縁部下面への前記薬液の回り込み量が、前記第２チャックピンが当接する位置での前記周縁部下面への前記薬液の回り込み量よりも小さく、かつ、前記第１チャックピンおよび前記第２チャックピンのどちらも当接しない位置での前記周縁部下面への前記薬液の回り込み量よりも大きい。
【0021】
第１６の態様は、第９の態様に係る基板処理装置であって、前記第１チャックピンが、前記周縁部端面に当接する端面当接面と、前記基板の周縁部上面に当接する上側当接面と、を備え、前記制御部が、前記基板が前記複数の支持ピンから離間して前記第１チャック部で保持された状態を形成するにあたって、前記ガス供給部に前記基板の下方の空間へ前記ガスを供給させて前記基板を浮上させることによって前記基板を前記複数の支持ピンから離間させ、浮上している前記基板を前記第１チャック部に保持させる。
【発明の効果】
【0022】
第１の態様に係る基板処理方法、および、第９の態様に係る基板処理装置の各々によると、パターンが形成された第１主面が下方を向く姿勢とされている基板における、上方を向く第２主面に、薬液が供給される。薬液が供給される際に、基板の周縁部下面にチャックピンが当接している場合、第２主面に供給された薬液が、毛細管現象によって、周縁部下面とチャックピンとの当接部分における微小な隙間を伝って、周縁部下面に回り込んでしまう可能性がある。ここでは、薬液が供給される際に基板を保持している第１チャック部が備える第１チャックピンは、基板の周縁部下面に当接しないので、毛細管現象に起因する周縁部下面への薬液の回り込みが生じない。したがって、基板における上方を向く主面（第２主面）に供給された薬液が下方を向く主面（第１主面）へ回り込むことを抑制できる。
【0023】
第２の態様に係る基板処理方法、および、第１０の態様に係る基板処理装置の各々によると、第２主面への薬液の供給が停止され、リンス液の供給が開始された後、つまりは、第１主面への薬液の回り込みが生じにくい状態となった後に、第２チャック部が基板を保持するので、基板を安定して保持することができる。
【0024】
第３の態様に係る基板処理方法、および、第１１の態様に係る基板処理装置の各々によると、基板が第２チャック部で保持されている状態で、基板の回転数を所定の乾燥回転数まで上昇させるので、回転数を上昇させる際に基板が高さ方向に位置ずれを生じることがない。
【0025】
第４の態様に係る基板処理方法、および、第１２の態様に係る基板処理装置の各々によると、基板が複数の支持ピンから離間して第１チャック部で保持された状態を形成するにあたって、複数の支持ピンに支持されている基板をそのまま第１チャック部で保持するのではなく、まずは第２チャック部で基板を保持する。第２チャック部が備える第２チャックピンは、基板の周縁部上面および周縁部下面に当接するので、第２チャック部で保持された基板は、所定の高さに位置決めされる。したがって、第２チャック部で保持することによって基板を所定の高さに位置決めした後に、該基板を第１チャック部で保持することによって、第１チャック部で保持される基板が該所定の高さに位置決めされるように担保することができる。
【0026】
第５の態様に係る基板処理方法、および、第１３の態様に係る基板処理装置の各々によると、例えば、第１チャック部で保持されている基板が、その下方の空間へ供給されるガスの圧力によって上方に付勢されても、該基板が上側に位置ずれすることがない。
【0027】
第６の態様に係る基板処理方法、および、第１４の態様に係る基板処理装置の各々によると、第１チャック部が備える第１チャックピンが、基板の周縁部上面に当接する上側当接面を備えないので、基板と第１チャックピンとの間の当接領域を十分に小さな領域とすることができる。
【0028】
第７の態様に係る基板処理方法、および、第１５の態様に係る基板処理装置の各々によると、第１チャックピンが当接している状態で基板の第２主面に薬液を供給することによって、第２主面に供給された薬液が第１主面へ回り込むことを抑制できる。
【0029】
第８の態様に係る基板処理方法、および、第１６の態様に係る基板処理装置の各々によると、基板がガスの圧力によって上方に付勢されつつ、第１チャック部に保持されるので、基板の周縁部上面に第１チャックピンの上側当接面が当接し、これによって、第１チャック部で保持される基板が所定の高さに位置決めされる。
【図面の簡単な説明】
【0030】
【図1】第１実施形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す側断面図である。
【図2】対向板部の対向面を概略的に示す平面図である。
【図3】支持ピンの側面図である。
【図4】支持ピンの平面図である。
【図5】第１チャックピンが備える突出部の側面図である。
【図6】第１チャックピンの平面図である。
【図7】第２チャックピンが備える突出部の側面図である。
【図8】第２チャックピンの平面図である。
【図9】対向板部の下面を示す図であって、第１開放磁石および第２開放磁石が離間位置に配置された状態を示す図である。
【図10】対向板部の下面を示す図であって、第１開放磁石および第２開放磁石が近接位置に配置された状態を示す図である。
【図11】対向板部の下面を示す図であって、第１開放磁石が近接位置に配置され、第２開放磁石が離間位置に配置された状態を示す図である。
【図12】対向板部の下面を示す図であって、第１開放磁石が離間位置に配置され、第２開放磁石が近接位置に配置された状態を示す図である。
【図13】制御部の構成を示すブロック図である。
【図14】基板処理装置で行われる処理の流れを示す図である。
【図15】回り込み量の測定結果示す図である。
【図16】第２実施形態に係る基板処理装置の構成を概略的に示す側断面図である。
【図17】対向板部の対向面を概略的に示す平面図である。
【図18】基板処理装置で行われる処理の流れを示す図である。
【図19】基板を保持する態様を説明するための図である。
【図20】別の形状に係る第１チャックピンが備える突出部の側面図である。
【図21】別の形状に係る第１チャックピンが備える突出部の側面図である。
【図22】毛細管現象に起因する回り込みの発生を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0031】
以下、添付の図面を参照しながら、実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本開示の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法または数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。
【0032】
相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば、「一方向に」、「一方向に沿って」、「平行」、「直交」、「中心」、「同心」、「同軸」、など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。また、等しい状態であることを示す表現（例えば、「同一」、「等しい」、「均質」、など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。また、形状を示す表現（例えば、「円形状」、「四角形状」、「円筒形状」、など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲の形状を表すものとし、例えば凹凸または面取りなどを有していてもよい。また、構成要素を「備える」、「具える」、「具備する」、「含む」、「有する」、といった各表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。また、「Ａ、ＢおよびＣのうちの少なくとも一つ」という表現には、「Ａのみ」、「Ｂのみ」、「Ｃのみ」、「Ａ、ＢおよびＣのうち任意の２つ」、「Ａ、ＢおよびＣの全て」が含まれる。
【0033】
【0034】
基板処理装置１００は、処理対象である基板９を１枚ずつ処理する、いわゆる枚葉式の処理装置であり、ここで行われる処理は、例えば、基板９の主面に付着した汚染物質、パーティクル、酸化膜、などを除去する処理（洗浄処理）である。基板処理装置１００で処理対象とされる基板９は、例えば円板状であり、一方の主面に、デバイス（製造途上のデバイス）のパターンＤＰ（図５参照）が形成される。ただし、基板処理装置１００で処理対象とされるのは、基板９における、デバイスのパターンＤＰが形成されていない方の主面である。以下において、基板９における、デバイスのパターンＤＰが形成されている主面（すなわち、デバイス形成面）を、「第１主面９１」と呼び、デバイスのパターンＤＰが形成されていない他方の主面（すなわち、デバイス非形成面）を「第２主面９２」と呼ぶ。
【0035】
基板処理装置１００は、基板保持部１と、基板回転機構２と、処理液供給部３と、ガス供給部４と、制御部５と、を備える。基板保持部１、基板回転機構２、処理液供給部３の処理液ノズル３１（後述する）、ガス供給部４のガスノズル４１（後述する）、などは、およそ密閉された空間を内部に形成するチャンバ（図示省略）に収容される。
【0036】
（基板保持部１）
基板保持部１は、基板９を水平姿勢で保持する。ここでいう水平姿勢とは、基板９の厚み方向が上下方向に沿うような姿勢をいう。基板９は、デバイス形成面である第１主面９１を下方に向け、デバイス非形成面である第２主面９２を上方に向けるような姿勢で、基板保持部１に保持される。基板保持部１は、円板状の部材である対向板部１１を備え、基板９は、第１主面９１を、対向板部１１における上方を向く主面（対向面）１１１に対向させるような姿勢で、対向板部１１の上方に、保持される。基板保持部１の具体的な構成については、後に説明する。
基板保持部１は、基板９を水平姿勢で保持する。ここでいう水平姿勢とは、基板９の厚み方向が上下方向に沿うような姿勢をいう。基板９は、デバイス形成面である第１主面９１を下方に向け、デバイス非形成面である第２主面９２を上方に向けるような姿勢で、基板保持部１に保持される。基板保持部１は、円板状の部材である対向板部１１を備え、基板９は、第１主面９１を、対向板部１１における上方を向く主面（対向面）１１１に対向させるような姿勢で、対向板部１１の上方に、保持される。基板保持部１の具体的な構成については、後に説明する。
【0037】
（基板回転機構２）
基板回転機構２は、基板保持部１に保持される基板９を、上下に延びる中心軸Ｊ１の周りで回転させる。基板回転機構２は、具体的には例えば、上端において対向板部１１の下面１１２の中央部と連結されたシャフト部２１と、シャフト部２１を駆動するモータ２２と、を備える。ここでは、例えば、対向板部１１の中心（つまりは、対向板部１１の上方に保持される基板９の主面９１，９２の中心）を通って上下に延びる軸が、中心軸Ｊ１として規定されており、シャフト部２１は、この中心軸Ｊ１と同軸に設けられる。モータ２２の駆動を受けてシャフト部２１が回転されることによって、対向板部１１、ひいては、ここに設けられているチャック部７１０，７２０（後述する）によって保持されている基板９が、中心軸Ｊ１の周りで回転する。モータ２２は、制御部５からの指示に応じて駆動されるものであり、対向板部１１（ひいては、基板９）の回転数、対向板部１１が回転を停止する際の回転方向の位置（角度）、などが、制御部５によって制御される。
基板回転機構２は、基板保持部１に保持される基板９を、上下に延びる中心軸Ｊ１の周りで回転させる。基板回転機構２は、具体的には例えば、上端において対向板部１１の下面１１２の中央部と連結されたシャフト部２１と、シャフト部２１を駆動するモータ２２と、を備える。ここでは、例えば、対向板部１１の中心（つまりは、対向板部１１の上方に保持される基板９の主面９１，９２の中心）を通って上下に延びる軸が、中心軸Ｊ１として規定されており、シャフト部２１は、この中心軸Ｊ１と同軸に設けられる。モータ２２の駆動を受けてシャフト部２１が回転されることによって、対向板部１１、ひいては、ここに設けられているチャック部７１０，７２０（後述する）によって保持されている基板９が、中心軸Ｊ１の周りで回転する。モータ２２は、制御部５からの指示に応じて駆動されるものであり、対向板部１１（ひいては、基板９）の回転数、対向板部１１が回転を停止する際の回転方向の位置（角度）、などが、制御部５によって制御される。
【0038】
（処理液供給部３）
処理液供給部３は、基板保持部１に保持される基板９における上方を向く第２主面９２に、処理液を供給する。処理液供給部３は、具体的には例えば、処理液ノズル３１と、処理液供給源３２と、を備える。
処理液供給部３は、基板保持部１に保持される基板９における上方を向く第２主面９２に、処理液を供給する。処理液供給部３は、具体的には例えば、処理液ノズル３１と、処理液供給源３２と、を備える。
【0039】
処理液ノズル３１は、処理液を吐出するノズルであり、ノズルアーム３１１によって支持される。ノズルアーム３１１にはノズル移動機構（図示省略）が接続されており、ノズルアーム３１１がノズル移動機構に駆動されることによって、処理液ノズル３１が吐出位置と待機位置との間で移動される。ここで「吐出位置」とは、処理液ノズル３１が、基板保持部１に保持される基板９の第２主面９２（すなわち、上方を向く主面である第２主面９２）の中央部に対向するような位置である。また、「待機位置」とは、処理液ノズル３１が、上方から見て、基板保持部１に保持される基板９と重ならずにこれから離間するような位置である。
【0040】
処理液供給源３２は、処理液ノズル３１に処理液を供給する供給源である。処理液供給源３２は、具体的には例えば、第１処理液としての薬液を処理液ノズル３１に供給する薬液供給源３２ａと、第２処理液としてのリンス液を処理液ノズル３１に供給するリンス液供給源３２ｂと、を備える。
【0041】
薬液供給源３２ａは、薬液バルブ（弁）３２１ａおよび流量調整部３２２ａが介挿された配管３２３ａによって、処理液ノズル３１に接続される。したがって、制御部５からの指示に応じて薬液バルブ３２１ａが開放されると、薬液供給源３２ａから供給される薬液が、流量調整部３２２ｂによって調整される流量で、処理液ノズル３１から吐出される。処理液ノズル３１が吐出位置に配置されている状態において、薬液バルブ３２１ａが開放されると、基板保持部１に保持される基板９の第２主面９２の中央部に向けて、薬液が吐出されることになる。薬液として、フッ酸（ＨＦ）、オゾン含有フッ酸溶液、希フッ酸（ＤＨＦ）、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）、ＳＣ１（ＮＨ４ＯＨおよびＨ２Ｏ２を含む液）、などが例示される。
【0042】
リンス液供給源３２ｂは、リンス液バルブ３２１ｂおよび流量調整部３２２ｂが介挿された配管３２３ｂによって、処理液ノズル３１に接続される。したがって、制御部５からの指示に応じてリンス液バルブ３２１ｂが開放されると、リンス液供給源３２ｂから供給されるリンス液が、流量調整部３２２ｂによって調整される流量で、処理液ノズル３１から吐出される。処理液ノズル３１が吐出位置に配置されている状態において、リンス液バルブ３２１ｂが開放されると、基板保持部１に保持される基板９の第２主面９２の中央部に向けて、リンス液が吐出されることになる。リンス液として、脱イオン水（ＤＩＷ）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、などが例示される。
【0043】
（ガス供給部４）
ガス供給部４は、基板保持部１に保持される基板９の下方の空間へガスを供給する。ガス供給部４は、具体的には例えば、ガスノズル４１と、ガス供給源４２と、を備える。
ガス供給部４は、基板保持部１に保持される基板９の下方の空間へガスを供給する。ガス供給部４は、具体的には例えば、ガスノズル４１と、ガス供給源４２と、を備える。
【0044】
ガスノズル４１は、ガスを吐出するノズルである。ガスノズル４１は、具体的には例えば、シャフト部２１に設けられた中空部に配設される。ガスノズル４１の上端側の部分は、対向板部１１の中央部に設けられた貫通孔内に配置されており、ガスノズル４１の上端に設けられているガス吐出口が、対向板部１１の対向面１１１の中央部の近傍に配置される。つまり、ガスノズル４１は、基板保持部１に保持される基板９の第１主面９１の中央部に対向するように、設けられる。
【0045】
ガス供給源４２は、ガスノズル４１に所定のガス（ここでは、不活性ガス）を供給する供給源である。ガス供給源４２は、具体的には例えば、ガスバルブ４２１および流量調整部４２２が介挿された配管４２３によって、ガスノズル４１に接続される。したがって、制御部５からの指示に応じてガスバルブ４２１が開放されると、ガス供給源４２から供給される不活性ガスが、流量調整部４２２によって調整される流量で、ガスノズル４１から吐出される。すなわち、基板保持部１に保持される基板９の下方の空間（具体的には、対向面１１１と第１主面９１との間の空間）に、不活性ガスが供給される。不活性ガスは、典型的には、窒素ガスであるが、アルゴンガス、ヘリウムガス、低湿度の清浄空気、などであってもよい。
【0046】
なお、対向板部１１の対向面１１１には、その上方に保持される基板９の周縁よりも内側（中心軸Ｊ１の側）において、中心軸Ｊ１を中心とする円の円周に沿って延在する環状の段差部１１３が設けられて、中心軸Ｊ１の側が相対的に低いものとされてもよい。このような段差部１１３が設けられる場合、対向面１１１と第１主面９１との間の離間距離は、段差部１１３の内側において相対的に大きくなり、段差部１１３の外側において相対的に小さくなる。したがって、基板保持部１に保持される基板９の下方の空間に不活性ガスが供給された際に、段差部１１３の内側における対向面１１１と第１主面９１との間の空間が十分な陽圧となる。また、基板９の周縁と対向面１１１との間の隙間を通じて流出する不活性ガスの速度が十分に高まる。これにより、基板９の第１主面９１が保護されるとともに、処理液を用いた処理が行われる際に、基板９の第２主面９２に供給された処理液、および、該処理液の雰囲気が、第１主面９１の側に回り込むことが抑制される。なお、段差部１１３は、上方から見て、中心軸Ｊ１を中心とする円の円周に沿うような環状とすることができるが、完全な円環状である必要はない。例えば、該円周上に各種の部材（例えば、支持ピン６１、チャックピン７１，７２、など）が設けられている場合は、段差部１１３は、その部材を避けて該部材よりも中心軸Ｊ１の側に迂回するように設ければよい（図２参照）。
【0047】
（制御部５）
制御部５は、基板処理装置１００が備える各部（基板保持部１、基板回転機構２、処理液供給部３、および、ガス供給部４）を制御する。制御部５は、具体的には例えば、電気回路を有する一般的なコンピュータによって構成される。制御部５は、具体的には例えば、図１３に示されるように、データ処理を担う中央演算装置としてのＣＰＵ（Central Processor Unit）５１、基本プログラムなどが格納されるＲＯＭ（Read Only Memory）５２、ＣＰＵ５１が所定の処理（データ処理）を行う際の作業領域として用いられるＲＡＭ（Random Access Memory）５３、フラッシュメモリ、ハードディスク装置、などの不揮発性記憶装置によって構成される記憶装置５４、これらを相互に接続するバスライン５５、などを含んで構成される。記憶装置５４には、制御部５が実行する処理を規定するプログラムＰが格納されており、ＣＰＵ５１がこのプログラムＰを実行することにより、制御部５がプログラムＰによって規定された処理を実行することができる。もっとも、制御部５が実行する処理の一部または全部が、専用の論理回路などのハードウェアによって実行されてもよい。また、プログラムＰは、記録媒体に記憶されていてもよく、この記録媒体を用いて、制御部５にプログラムＰをインストールするものであってもよい。
制御部５は、基板処理装置１００が備える各部（基板保持部１、基板回転機構２、処理液供給部３、および、ガス供給部４）を制御する。制御部５は、具体的には例えば、電気回路を有する一般的なコンピュータによって構成される。制御部５は、具体的には例えば、図１３に示されるように、データ処理を担う中央演算装置としてのＣＰＵ（Central Processor Unit）５１、基本プログラムなどが格納されるＲＯＭ（Read Only Memory）５２、ＣＰＵ５１が所定の処理（データ処理）を行う際の作業領域として用いられるＲＡＭ（Random Access Memory）５３、フラッシュメモリ、ハードディスク装置、などの不揮発性記憶装置によって構成される記憶装置５４、これらを相互に接続するバスライン５５、などを含んで構成される。記憶装置５４には、制御部５が実行する処理を規定するプログラムＰが格納されており、ＣＰＵ５１がこのプログラムＰを実行することにより、制御部５がプログラムＰによって規定された処理を実行することができる。もっとも、制御部５が実行する処理の一部または全部が、専用の論理回路などのハードウェアによって実行されてもよい。また、プログラムＰは、記録媒体に記憶されていてもよく、この記録媒体を用いて、制御部５にプログラムＰをインストールするものであってもよい。
【0048】
【0049】
基板保持部１は、上記のとおり、対向板部１１を備える。さらに、基板保持部１は、対向板部１１の上方に基板９を支持する支持部６と、対向板部１１の上方に基板９を保持するチャック部７と、を備える。
【0050】
＜１－２－１．支持部＞
支持部６は、基板９の下方から基板９に当接して、基板９を対向板部１１の上方において水平姿勢で支持する複数の支持ピン６１と、各支持ピン６１を昇降させるピン昇降機構６２と、を備える。
支持部６は、基板９の下方から基板９に当接して、基板９を対向板部１１の上方において水平姿勢で支持する複数の支持ピン６１と、各支持ピン６１を昇降させるピン昇降機構６２と、を備える。
【0051】
（ｉ）支持ピン６１
複数（図の例では６個）の支持ピン６１は、対向板部１１に設けられる。いま、対向板部１１の中心軸Ｊ１を中心とする仮想的な円（基準円）Ｃ１を規定したとき、複数の支持ピン６１は、基準円Ｃ１の円周上に、その円周方向に沿って等間隔で、配列される。支持ピン６１が例えば６個設けられる場合、隣り合う支持ピン６１は、中心軸Ｊ１から見て６０度の間隔を設けつつ配列されることになる。
複数（図の例では６個）の支持ピン６１は、対向板部１１に設けられる。いま、対向板部１１の中心軸Ｊ１を中心とする仮想的な円（基準円）Ｃ１を規定したとき、複数の支持ピン６１は、基準円Ｃ１の円周上に、その円周方向に沿って等間隔で、配列される。支持ピン６１が例えば６個設けられる場合、隣り合う支持ピン６１は、中心軸Ｊ１から見て６０度の間隔を設けつつ配列されることになる。
【0052】
【0053】
支持ピン６１は、略円柱状の基体部６１ａと、基体部６１ａの上端面から上方に突出して設けられる突出部６１ｂと、を備える。
【0054】
基体部６１ａは、対向面１１１に設けられた円柱状の穴部１１４内に配置される。つまり、対向面１１１には、基準円Ｃ１の円周上に、該円周方向に沿って等間隔で配列された、複数の穴部１１４が設けられており、各支持ピン６１の基体部６１ａが、各穴部１１４内に配置される。ただし、基体部６１ａは、穴部１１４内において昇降可能に支持される。
【0055】
複数の支持ピン６１の基体部６１ａは、対向板部１１の内部に設けられた環状部材（図示省略）を介して、互いに連結される。具体的には例えば、対向板部１１の内部には、中心軸Ｊ１を中心とする環状の中空空間が設けられており、ここに配置された環状部材によって、複数の支持ピン６１の基体部６１ａが互いに連結される。いうまでもなく、環状部材は、完全な円環状である必要はなく、対向板部１１に設けられる他の部材（例えば、チャックピン７１，７２、など）と干渉しないように、他の部材を避けるような形状とされてよい。
【0056】
突出部６１ｂは、基体部６１ａの上端面から上方に突出して設けられる。突出部６１ｂは、具体的には例えば、リフト支持面６１１と、リフト案内面６１２と、リフト補助案内面６１３と、を備える。
【0057】
リフト支持面６１１は、およそ上方を向く面であり、中心軸Ｊ１に近づくにつれて下方に（対向面１１１に近づくように）傾斜する。いま、突出部６１ｂの中心を通り、中心軸Ｊ１を含むとともに、中心軸Ｊ１を中心とする円の径方向に沿う面（基準面）Ｆ１を規定したとき、リフト支持面６１１は、基準面Ｆ１に関して対称形状であり、基準面Ｆ１を挟んでその両側に２個の面６１１ａを有する。２個の面６１１ａの各々は、中心軸Ｊ１に近づくにつれて下方に傾斜するとともに、基準面Ｆ１から離れるにつれて（つまり、基準円Ｃ１の円周方向について基準面Ｆ１から離れるにつれて）下方に傾斜しており、２個の面６１１ａは、基準面Ｆ１上で鈍角をなして連なる。つまり、リフト支持面６１１は、２個の面６１１ａが交差する角部６１１ｂを備えており、この角部６１１ｂは、中心軸Ｊ１に近づくにつれて下方に傾斜する。複数の支持ピン６１が基板９を支持する際には、典型的には、各リフト支持面６１１の角部６１１ｂが、基板９の周縁部９３とほぼ点接触する。
【0058】
また、リフト支持面６１１には、排液溝６１１ｃが形成される。排液溝６１１ｃは、具体的には例えば、リフト支持面６１１の２個の面６１１ａの各々に形成される。つまり、排液溝６１１ｃは、角部６１１ｂを挟んでその両側に設けられる。各排液溝６１１ｃは、角部６１１ｂの近傍から面６１１ａの縁まで、基準円Ｃ１の円周方向に連続する溝であり、各排液溝６１１ｃの底面は、角部６１１ｂから離れるにつれて下方に傾斜する。このような排液溝６１１ｃが設けられることによって、処理液を用いた処理が行われる際に、基板９とリフト支持面６１１との間に入り込んだ処理液が、排液溝６１１ｃを通じて適切に排出される。
【0059】
リフト案内面６１２は、リフト支持面６１１に対して中心軸Ｊ１とは反対側に連なる面である。リフト案内面６１２は、およそ中心軸Ｊ１を向く面であり、中心軸Ｊ１に近づくにつれて下方に傾斜する。リフト案内面６１２も、リフト支持面６１１と同様、基準面Ｆ１に関して対称形状であり、基準面Ｆ１を挟んでその両側に２個の面６１２ａを有する。２個の面６１２ａは、基準面Ｆ１上で鈍角をなして連なる。つまり、リフト案内面６１２は、２個の面６１２ａが交差する角部６１２ｂを備えており、この角部６１２ｂは、中心軸Ｊ１に近づくにつれて下方に傾斜する。基準面Ｆ１上において、リフト案内面６１２（具体的には、角部６１２ｂ）の対向面１１１に対する傾斜角は、リフト支持面６１１（具体的には、角部６１１ｂ）の対向面１１１に対する傾斜角よりも大きい。すなわち、リフト案内面６１２の勾配は、リフト支持面６１１の勾配よりも大きい。また、基準面Ｆ１上において、リフト案内面６１２の下端と中心軸Ｊ１との間の距離は、基板９の半径よりも僅かに大きい。
【0060】
リフト補助案内面６１３は、リフト案内面６１２に対して中心軸Ｊ１とは反対側に連なる面である。リフト補助案内面６１３は、中心軸Ｊ１を向き、かつ、上方を向く面であり、中心軸Ｊ１に近づくにつれて下方に傾斜する。リフト補助案内面６１３も、リフト支持面６１１などと同様、基準面Ｆ１に関して対称形状であり、基準面Ｆ１を挟んでその両側に２個の面６１３ａを有する。２個の面６１３ａは、基準面Ｆ１上で鈍角をなして連なる。つまり、リフト補助案内面６１３は、２個の面６１３ａが交差する角部６１３ｂを備えており、この角部６１３ｂは、中心軸Ｊ１に近づくにつれて下方に傾斜する。基準面Ｆ１上において、リフト補助案内面６１３（具体的には、角部６１３ｂ）の対向面１１１に対する傾斜角は、リフト案内面６１２（具体的には、角部６１２ｂ）の対向面１１１に対する傾斜角よりも小さく、リフト支持面６１１（具体的には、角部６１１ｂ）の対向面１１１に対する傾斜角よりも大きい。すなわち、リフト補助案内面６１３の勾配は、リフト案内面６１２の勾配よりも小さく、リフト支持面６１１の勾配よりも大きい。
【0061】
（ｉｉ）ピン昇降機構６２
ピン昇降機構６２は、複数の支持ピン６１を昇降（上下方向に移動）させるための機構であり、対向板部１１の下方に配置される（図１）。ピン昇降機構６２が各支持ピン６１を昇降させることによって、支持ピン６１によって支持された基板９が昇降される。つまり、ここでは、支持ピン６１が、基板９を支持する支持部として機能するだけでなく、基板９を昇降させるリフトピンとしても機能する。ピン昇降機構６２は、具体的には例えば、ピストンロッド６２１と、これを進退させるエアシリンダ６２２と、を備える。ピストンロッド６２１は、対向板部１１の下方であって、対向板部１１が所定の回転停止位置で回転を停止した状態において、支持ピン６１が設けられる穴部１１４に対向するような位置に、配置される。
ピン昇降機構６２は、複数の支持ピン６１を昇降（上下方向に移動）させるための機構であり、対向板部１１の下方に配置される（図１）。ピン昇降機構６２が各支持ピン６１を昇降させることによって、支持ピン６１によって支持された基板９が昇降される。つまり、ここでは、支持ピン６１が、基板９を支持する支持部として機能するだけでなく、基板９を昇降させるリフトピンとしても機能する。ピン昇降機構６２は、具体的には例えば、ピストンロッド６２１と、これを進退させるエアシリンダ６２２と、を備える。ピストンロッド６２１は、対向板部１１の下方であって、対向板部１１が所定の回転停止位置で回転を停止した状態において、支持ピン６１が設けられる穴部１１４に対向するような位置に、配置される。
【0062】
このような構成において、エアシリンダ６２２の駆動を受けて、ピストンロッド６２１が上昇すると、これと対向する穴部１１４内に設けられている支持ピン６１が突き上げられて、上位置（図３の二点鎖線）に配置される。該支持ピン６１が上位置に配置されると、環状部材を介して連結された他の全ての支持ピン６１も、上位置に配置される。つまり、複数の支持ピン６１の全てが上位置に配置される。
【0063】
一方、エアシリンダ６２２の駆動を受けて、ピストンロッド６２１が下降すると、複数の支持ピン６１が、上位置よりも下方の下位置（図３の実線）に配置される。ピストンロッド６２１が上昇していない状態において支持ピン６１が確実に下位置に配置されるように、支持ピン６１にはこれを下方に付勢するバネなどの付勢部材が設けられてもよい。なお、支持ピン６１が下位置に配置された状態においても、支持ピン６１の基体部６１ａの上面（平面視における支持ピン６１の全領域）は、対向面１１１と同じ高さ、または、対向面１１１よりも僅かに上方に配置されることが好ましい。この構成によると、処理液を用いた処理が行われる際に、支持ピン６１上に処理液が溜まることがない。
【0064】
＜１－２－２．チャック部＞
チャック部７は、第１チャック部７１０と、第２チャック部７２０と、を備える。第１チャック部７１０は、複数の第１チャックピン７１を備え、複数の第１チャックピン７１で基板９を保持する。一方、第２チャック部７２０は、複数の第２チャックピン７２を備え、複数の第２チャックピン７２で基板９を保持する。また、チャック部７は、各チャック部７１０，７２０による基板９の保持と解除とを切り替えるチャック切替機構７３をさらに備える。
チャック部７は、第１チャック部７１０と、第２チャック部７２０と、を備える。第１チャック部７１０は、複数の第１チャックピン７１を備え、複数の第１チャックピン７１で基板９を保持する。一方、第２チャック部７２０は、複数の第２チャックピン７２を備え、複数の第２チャックピン７２で基板９を保持する。また、チャック部７は、各チャック部７１０，７２０による基板９の保持と解除とを切り替えるチャック切替機構７３をさらに備える。
【0065】
複数の第１チャックピン７１、および、複数の第２チャックピン７２は、いずれも、複数の支持ピン６１とともに、基準円Ｃ１の円周上に配列されて、対向板部１１に設けられる。つまり、基準円Ｃ１の円周上には、複数の支持ピン６１、複数の第１チャックピン７１、および、複数の第２チャックピン７２が、配列される。
【0066】
複数の第１チャックピン７１は、基準円Ｃ１の円周上に、その円周方向に沿って等間隔で、配列される。第１チャックピン７１が例えば３個設けられる場合、隣り合う第１チャックピン７１は、中心軸Ｊ１から見て１２０度の間隔を設けつつ配列されることになる。同様に、複数の第２チャックピン７２も、基準円Ｃ１の円周上に、その円周方向に沿って等間隔で、配列される。第２チャックピン７２が例えば３個設けられる場合、隣り合う第２チャックピン７２は、中心軸Ｊ１から見て１２０度の間隔を設けつつ配列されることになる。
【0067】
また、第１チャックピン７１および第２チャックピン７２は、支持ピン６１を間に挟みつつ、円周方向に沿って、交互に、等間隔で、配置される。つまり、第１チャックピン７１、支持ピン６１、第２チャックピン７２、支持ピン６１、第１チャックピン７１、支持ピン６１、第２チャックピン７２、・・・といった順序で配列される。また、例えば、支持ピン６１が６個設けられ、第１チャックピン７１および第２チャックピン７２がそれぞれ３個設けられる場合、隣り合う支持ピン６１と第１チャックピン７１あるいは第２チャックピン７２とは、中心軸Ｊ１から見て３０度の間隔を設けつつ配列される。また、支持ピン６１を挟んで隣り合う第１チャックピン７１と第２チャックピン７２は、中心軸Ｊ１から見て６０度の間隔を設けつつ配列される。
【0068】
（ｉ）第１チャックピン７１
第１チャックピン７１について、図１、図２に加え、図５、図６を参照しながら具体的に説明する。図５は、第１チャックピン７１が備える突出部７１ｂの側面図である。図６は、第１チャックピン７１の平面図である。
第１チャックピン７１について、図１、図２に加え、図５、図６を参照しながら具体的に説明する。図５は、第１チャックピン７１が備える突出部７１ｂの側面図である。図６は、第１チャックピン７１の平面図である。
【0069】
第１チャックピン７１は、略円柱状の基体部７１ａと、基体部７１ａの上端面から上方に突出して設けられる２個の突出部７１ｂと、を備える。
【0070】
基体部７１ａは、対向面１１１に設けられた円柱状の穴部１１５内に配置される。すなわち、対向面１１１には、基準円Ｃ１の円周上に複数の穴部１１５が設けられており、第１チャックピン７１の基体部７１ａが、各穴部１１５内に配置される。ただし、穴部１１５にはベアリング１１６（図１）が設けられており、第１チャックピン７１は、基体部７１ａの中心を通って上下に延びる軸（チャック回動軸）Ｊ２の周りで回動可能に支持される。穴部１１５には、第１チャックピン７１の回動範囲を所定の角度範囲（ただし、少なくとも後述する保持位置と開放位置とを含む角度範囲）に制限するための係止部材（図示省略）が設けられてもよい。
【0071】
第１チャックピン７１の基体部７１ａの上面（平面視における第１チャックピン７１の全領域）は、対向面１１１と同じ高さ、または、対向面１１１よりも僅かに上方に配置されることが好ましい。この構成によると、処理液を用いた処理が行われる際に、第１チャックピン７１上に処理液が溜まることがない。
【0072】
各突出部７１ｂは、チャック回動軸Ｊ２からずれた位置（偏心した位置）に配置される。具体的には、各突出部７１ｂは、中心軸Ｊ１を中心とする基準円Ｃ１の円周方向について、チャック回動軸Ｊ２から離間した位置に配置される。また、２個の突出部７１ｂ同士も、基準円Ｃ１の円周方向について、互いに離間した位置に配置される。２個の突出部７１ｂの間に隙間が設けられることにより、処理液を用いた処理が行われる際に、基板９の第２主面９２に供給された処理液が、該隙間を介して第２主面９２から排出される。
【0073】
２個の突出部７１ｂの各々は、基準円Ｃ１の円周方向に沿って見て、同じ外形を有する。いま、各突出部７１ｂの中心を通り、対向面１１１の中心軸Ｊ１を含むとともに、中心軸Ｊ１を中心とする円の径方向に沿う面（基準面）Ｆ２を規定したとき、第１チャックピン７１が保持位置（図６の実線）に配置された状態において、突出部７１ｂにおける中心軸Ｊ１の側を向く側面（チャック当接面）７１０１は、例えば、基準面Ｆ２と直交する。
【0074】
チャック当接面７１０１は、具体的には例えば、第１チャックピン７１が保持位置に配置された状態において、基板９の周縁部端面９３０に当接する端面当接面７１１と、該状態において、基板９の周縁部上面９３２に当接する上側当接面７１２と、を備える。
【0075】
ただし、ここでは、基板９の主面９１，９２の周囲を取り囲む平面視にて環状の部分であって、平坦に延在する面である各主面９１，９２と非平行である部分を、基板９の「周縁部９３」という。また、基板９の周縁部９３のうち、基板９の径方向の外方を向く面（典型的には、主面９１，９２と直交する面）を、「周縁部端面９３０」と呼ぶ。さらに、基板９の周縁部９３のうち、周縁部端面９３０の下側に連なる部分を、「周縁部下面９３１」と呼び、周縁部端面９３０の上側に連なる部分を、「周縁部上面９３２」と呼ぶ。つまり、基板９が、第１主面９１を下方に向け、第２主面９２を上方に向ける姿勢となっている場合、周縁部下面９３１は、周縁部端面９３０と第１主面９１との間に存在する部分であり、周縁部上面９３２は、周縁部端面９３０と第２主面９２との間に存在する部分である。一例として、基板９の直径が３００ｍｍである場合、周縁部９３は、周縁部端面９３０から約０．５ｍｍの環状領域である。なお、周縁部９３は、図示されるように円弧状に湾曲した形状であってもよいが、このような形状に限られるものではない。
【0076】
端面当接面７１１は、第１チャックピン７１が保持位置に配置された状態において、基板９の周縁部端面９３０に当接する面である。端面当接面７１１は、具体的には例えば、上下方向（鉛直方向）に沿って延在する面（つまり、対向面１１１となす角度がほぼ９０度であるような面）であり、側方から見て、対向面１１１上に水平姿勢で保持された基板９の周縁部端面９３０とほぼ平行に延在する。端面当接面７１１は、例えば、上方から見て直線状に延在する面であってもよい。つまり、端面当接面７１１は、平面であってもよい。
【0077】
上側当接面７１２は、第１チャックピン７１が保持位置に配置された状態において、基板９の周縁部上面９３２に当接する面であり、端面当接面７１１の上方に連なる。上側当接面７１２は、具体的には例えば、下方を向く平面である。すなわち、上側当接面７１２は、中心軸Ｊ１に近づくにつれて上方に傾斜して、上端において突出部７１ｂの上面に連なる。上側当接面７１２の下端（すなわち、端面当接面７１１と連なる部分）は、基準面Ｆ２上における形状が、基板９の周縁部上面９３２の形状に一致するように湾曲した湾曲当接面７１２１とされてもよい。
【0078】
後に明らかになるように、各第１チャックピン７１は、チャック回動軸Ｊ２の周りで回動されることによって、開放位置（図６の二点鎖線）と、保持位置（図６の実線）との間で移動される。上記のとおり、第１チャックピン７１の各突出部７１ｂは、チャック回動軸Ｊ２からずれた位置に配置されており、第１チャックピン７１が開放位置と保持位置との間で移動されると、各突出部７１ｂのチャック当接面７１０１が、基板９の周縁部９３に対して近接離間する方向に移動する。
【0079】
第１チャックピン７１が保持位置に配置された状態において、各突出部７１ｂの端面当接面７１１と中心軸Ｊ１との離間距離は、基板９の半径にほぼ一致する。したがって、第１チャックピン７１が保持位置に配置されると、各突出部７１ｂの端面当接面７１１が、周縁部端面９３０に当接する（図５（ｂ））。このとき、各突出部７１ｂの上側当接面７１２が、周縁部上面９３２に当接する。ただし、各突出部７１ｂは、基板９の周縁部下面９３１に当接する面（後述する下側当接面７２１に相当する面）を備えない。したがって、第１チャックピン７１が保持位置に配置された状態において、各突出部７１ｂは、周縁部下面９３１に当接しない。
【0080】
一方、第１チャックピン７１が保持位置から開放位置に移動されると、各突出部７１ｂのチャック当接面７１０１と中心軸Ｊ１との離間距離が大きくなる。すなわち、各突出部７１ｂの端面当接面７１１と中心軸Ｊ１との離間距離が、基板９の半径よりも大きくなる。したがって、第１チャックピン７１が開放位置に配置されると、各突出部７１ｂの端面当接面７１１が周縁部端面９３０から離間するとともに、各突出部７２ｂの上側当接面７１２が周縁部上面９３２から離間する（図５（ａ））。
【0081】
このように、複数の第１チャックピン７１の各々が保持位置に配置されると、基板９の周縁部９３の互いに異なる各位置で、第１チャックピン７１が、周縁部下面９３１に当接することなく、端面当接面７１１において周縁部端面９３０に当接するとともに、上側当接面７１２において周縁部上面９３２に当接した状態となり、これによって基板９が保持される。すなわち、第１チャック部７１０で基板９が保持される。一方、複数の第１チャックピン７１の各々が開放位置に配置されると、各第１チャックピン７１が基板９から離間した状態となり、これによって基板９の保持が解除される。すなわち、第１チャック部７１０による基板９の保持が解除される。
【0082】
第１チャック部７１０が基板９を保持する状態においては、各第１チャックピン７１が、周縁部下面９３１に当接しないため、処理液を用いた処理が行われる際に、毛細管現象に起因する周縁部下面９３１への処理液の回り込みが生じない。
【0083】
（ｉｉ）第２チャックピン７２
第２チャックピン７２について、図１、図２に加え、図７、図８を参照しながら具体的に説明する。図７は、第２チャックピン７２が備える突出部７２ｂの側面図である。図８は、第２チャックピン７２の平面図である。
第２チャックピン７２について、図１、図２に加え、図７、図８を参照しながら具体的に説明する。図７は、第２チャックピン７２が備える突出部７２ｂの側面図である。図８は、第２チャックピン７２の平面図である。
【0084】
第２チャックピン７２は、略円柱状の基体部７２ａと、基体部７２ａの上端面から上方に突出して設けられる２個の突出部７２ｂと、を備える。
【0085】
基体部７２ａは、第１チャックピン７１の基体部７１ａと同様、対向面１１１に設けられた円柱状の穴部１１５内に配置される。すなわち、対向面１１１には、基準円Ｃ１の円周上に複数の穴部１１５が設けられており、第２チャックピン７２の基体部７２ａが、各穴部１１５内に配置される。ただし、穴部１１５にはベアリング１１６（図１）が設けられており、第２チャックピン７２は、基体部７２ａの中心を通って上下に延びる軸（チャック回動軸）Ｊ２の周りで回動可能に支持される。穴部１１５には、第２チャックピン７２の回動範囲を所定の角度範囲（ただし、少なくとも後述する保持位置と開放位置とを含む角度範囲）に制限するための係止部材（図示省略）が設けられてもよい。
【0086】
第２チャックピン７２の基体部７２ａの上面（平面視における第２チャックピン７２の全領域）は、対向面１１１と同じ高さ、または、対向面１１１よりも僅かに上方に配置されることが好ましい。この構成によると、処理液を用いた処理が行われる際に、第２チャックピン７２上に処理液が溜まることがない。
【0087】
各突出部７２ｂは、チャック回動軸Ｊ２からずれた位置（偏心した位置）に配置される。具体的には、各突出部７２ｂは、中心軸Ｊ１を中心とする基準円Ｃ１の円周方向について、チャック回動軸Ｊ２から離間した位置に配置される。また、２個の突出部７２ｂ同士も、基準円Ｃ１の円周方向について、互いに離間した位置に配置される。２個の突出部７２ｂの間に隙間が設けられることにより、処理液を用いた処理が行われる際に、基板９の第２主面９２に供給された処理液が、該隙間を介して第２主面９２から排出される。
【0088】
２個の突出部７２ｂの各々は、基準円Ｃ１の円周方向に沿って見て、同じ外形を有する。いま、各突出部７２ｂの中心を通り、対向面１１１の中心軸Ｊ１を含むとともに、中心軸Ｊ１を中心とする円の径方向に沿う面（基準面）Ｆ３を規定したとき、第２チャックピン７２が保持位置（図８の実線）に配置された状態において、突出部７２ｂにおける中心軸Ｊ１の側を向く側面（チャック当接面）７２０１は、例えば、基準面Ｆ３と直交する。
【0089】
チャック当接面７２０１は、具体的には例えば、第２チャックピン７２が保持位置に配置された状態において、基板９の周縁部下面９３１に当接する下側当接面７２１と、該状態において、基板９の周縁部上面９３２に当接する上側当接面７２２と、該状態において、基板９の周縁部端面９３０に当接する湾曲当接面７２３と、を備える。
【0090】
下側当接面７２１は、第２チャックピン７２が保持位置に配置された状態において、基板９の周縁部下面９３１に当接する面である。下側当接面７２１は、具体的には例えば、上方を向く平面である。すなわち、下側当接面７２１は、中心軸Ｊ１に近づくにつれて下方に傾斜して、下端において基体部７２ａの上面に連なる。
【0091】
上側当接面７２２は、第２チャックピン７２が保持位置に配置された状態において、基板９の周縁部上面９３２に当接する面である。上側当接面７２２は、具体的には例えば、下方を向く平面である。すなわち、上側当接面７２２は、中心軸Ｊ１に近づくにつれて上方に傾斜して、上端において突出部７２ｂの上面に連なる。
【0092】
基準面Ｆ３上において、下側当接面７２１の対向面１１１に対する上向きの傾斜角は、上側当接面７２２の対向面１１１に対する下向きの傾斜角とほぼ同じである。また、これらの傾斜角は、支持ピン６１が備えるリフト支持面６１１の対向面１１１に対する上向きの傾斜角よりも大きい。すなわち、下側当接面７２１の勾配と上側当接面７２２の勾配とはほぼ同じであって、これらは、リフト支持面６１１の勾配よりも大きい。また、上側当接面７２２の対向面１１１に対する下向きの傾斜角は、第１チャックピン７１が備える上側当接面７１２の対向面１１１に対する下向きの傾斜角とほぼ同じである。さらに、上側当接面７２２が配設される高さは、第１チャックピン７１が備える上側当接面７１２が配設される高さとほぼ同じである。
【0093】
湾曲当接面７２３は、第２チャックピン７２が保持位置に配置された状態において、基板９の周縁部端面９３０に当接する面であり、下側当接面７２１と上側当接面７２２との間に配置される。すなわち、湾曲当接面７２３は、下端において下側当接面７２１の上端と連なり、上端において上側当接面７２２の下端と連なる。湾曲当接面７２３は、具体的には例えば、基準面Ｆ３上における形状が、基板９の周縁部９３の形状に一致するように湾曲した曲面である。
【0094】
後に明らかになるように、各第２チャックピン７２は、チャック回動軸Ｊ２の周りで回動されることによって、開放位置（図８の二点鎖線）と、保持位置（図８の実線）との間で移動される。上記のとおり、第２チャックピン７２の各突出部７２ｂは、チャック回動軸Ｊ２からずれた位置に配置されており、第２チャックピン７２が開放位置と保持位置との間で移動されると、各突出部７２ｂのチャック当接面７２０１が、基板９の周縁部９３に対して近接離間する方向に移動する。
【0095】
第２チャックピン７２が保持位置に配置された状態において、各突出部７２ｂの湾曲当接面７２３の中央（上下方向の中央）と中心軸Ｊ１との離間距離は、基板９の半径にほぼ一致する。したがって、第２チャックピン７２が保持位置に配置されると、各突出部７２ｂの湾曲当接面７２３が、周縁部端面９３０に当接する（図７（ｂ））。このとき、各突出部７２ｂの下側当接面７２１が周縁部下面９３１に当接し、各突出部７２ｂの上側当接面７２２が周縁部上面９３２に当接する。
【0096】
一方、第２チャックピン７２が保持位置から開放位置に移動されると、各突出部７２ｂのチャック当接面７２０１と中心軸Ｊ１との離間距離が大きくなる。すなわち、各突出部７２ｂの湾曲当接面７２３の中央と中心軸Ｊ１との離間距離が、基板９の半径よりも大きくなる。したがって、第２チャックピン７２が開放位置に配置されると、各突出部７２ｂの湾曲当接面７２３が周縁部端面９３０から離間するとともに、各突出部７２ｂの下側当接面７２１および上側当接面７２２のそれぞれが、周縁部下面９３１および周縁部上面９３２のそれぞれから離間する（図７（ａ））。
【0097】
このように、複数の第２チャックピン７２の各々が保持位置に配置されると、基板９の周縁部９３の互いに異なる各位置で、第２チャックピン７２が、湾曲当接面７２３において周縁部端面９３０に当接し、下側当接面７２１において周縁部下面９３１に当接し、さらに、上側当接面７２２において周縁部上面９３２に当接した状態となり、これによって基板９が保持される。すなわち、第２チャック部７２０で基板９が保持される。一方、複数の第２チャックピン７２の各々が開放位置に配置されると、各第２チャックピン７２が基板９から離間した状態となり、これによって基板９の保持が解除される。すなわち、第２チャック部７２０による基板９の保持が解除される。
【0098】
第２チャック部７２０が基板９を保持する状態においては、各第２チャックピン７２が、周縁部端面９３０だけでなく、周縁部下面９３１および周縁部上面９３２にも当接するため、第２チャック部７２０で保持された基板９は、所定の高さに位置決めされて、該所定の高さに保持される。ただし、第２チャック部７２０によって保持された基板９が位置決めされる「所定の高さ」は、下位置に配置された複数の支持ピン６１で支持される基板９が配置される高さよりも高く、上位置に配置された複数の支持ピン６１で支持される基板９が配置される高さよりも低い。また、第２チャック部７２０が基板９を保持する状態においては、各第２チャックピン７２が、周縁部端面９３０だけでなく、周縁部下面９３１および周縁部上面９３２にも当接するため、第２チャック部７２０は基板９を強固に安定して保持することができる。
【0099】
（ｉｉｉ）チャック切替機構７３
次に、チャック切替機構７３の構成について、図１、図２に加え、図９～図１２を参照しながら具体的に説明する。図９～図１２は、いずれも、対向板部１１の下面１１２を模式的に示す図である。図９には、第１開放磁石７３３ａおよび第２開放磁石７３３ｂが離間位置に配置された状態が示されている。図１０には、第１開放磁石７３３ａおよび第２開放磁石７３３ｂが近接位置に配置された状態が示されている。図１１には、第１開放磁石７３３ａが近接位置に配置され、第２開放磁石７３３ｂが離間位置に配置された状態が示されている。図１２には、第１開放磁石７３３ａが離間位置に配置され、第２開放磁石７３３ｂが近接位置に配置された状態が示されている。なお、図９～図１２では、磁石のＮ極側の部位にハッチングが付されている。
次に、チャック切替機構７３の構成について、図１、図２に加え、図９～図１２を参照しながら具体的に説明する。図９～図１２は、いずれも、対向板部１１の下面１１２を模式的に示す図である。図９には、第１開放磁石７３３ａおよび第２開放磁石７３３ｂが離間位置に配置された状態が示されている。図１０には、第１開放磁石７３３ａおよび第２開放磁石７３３ｂが近接位置に配置された状態が示されている。図１１には、第１開放磁石７３３ａが近接位置に配置され、第２開放磁石７３３ｂが離間位置に配置された状態が示されている。図１２には、第１開放磁石７３３ａが離間位置に配置され、第２開放磁石７３３ｂが近接位置に配置された状態が示されている。なお、図９～図１２では、磁石のＮ極側の部位にハッチングが付されている。
【0100】
チャック切替機構７３は、各チャック部７１０，７２０による基板９の保持と解除（保持の解除）とを切り替える。具体的には、チャック切替機構７３は、複数の第１チャックピン７１を保持位置と開放位置との間で移動させることによって、第１チャック部７１０による基板９の保持と解除とを切り替える。また、チャック切替機構７３は、複数の第２チャックピン７２を保持位置と開放位置との間で移動させることによって、第２チャック部７２０による基板９の保持と解除とを切り替える。
【0101】
チャック切替機構７３は、複数の第１回動磁石７３１ａと、複数の第２回動磁石７３１ｂと、を備える。また、チャック切替機構７３は、複数の第１閉塞磁石７３２ａと、複数の第２閉塞磁石７３２ｂと、を備える。また、チャック切替機構７３は、複数の第１開放磁石７３３ａと、複数の第２開放磁石７３３ｂと、を備える。さらに、チャック切替機構７３は、複数の第１開放磁石７３３ａを昇降させる第１磁石昇降機構７３４ａと、複数の第２開放磁石７３３ｂを昇降させる第２磁石昇降機構７３４ｂと、を備える。各回動磁石７３１ａ，７３１ｂ、各閉塞磁石７３２ａ，７３２ｂ、および、各開放磁石７３３ａ，７３３ｂは、いずれも永久磁石である。また、各回動磁石７３１ａ，７３１ｂ、各閉塞磁石７３２ａ，７３２ｂ、および、各開放磁石７３３ａ，７３３ｂは、いずれも、実際は専用の保持部材に収容されるが、保持部材の図示は省略されている。
【0102】
（回動磁石７３１ａ，７３１ｂ）
複数の第１回動磁石７３１ａの各々は、対向板部１１の下面１１２の側において、第１チャックピン７１に取り付けられる。すなわち、各第１チャックピン７１の下端部は、対向板部１１の下面１１２よりも下方に突出しており、該下端部に第１回動磁石７３１ａが取り付けられる。各第１回動磁石７３１ａの磁極の向き（磁化方向）は、例えば、中心軸Ｊ１およびチャック回動軸Ｊ２に垂直な方向とされる。
複数の第１回動磁石７３１ａの各々は、対向板部１１の下面１１２の側において、第１チャックピン７１に取り付けられる。すなわち、各第１チャックピン７１の下端部は、対向板部１１の下面１１２よりも下方に突出しており、該下端部に第１回動磁石７３１ａが取り付けられる。各第１回動磁石７３１ａの磁極の向き（磁化方向）は、例えば、中心軸Ｊ１およびチャック回動軸Ｊ２に垂直な方向とされる。
【0103】
複数の第２回動磁石７３１ｂの各々は、対向板部１１の下面１１２の側において、第２チャックピン７２に取り付けられる。すなわち、各第２チャックピン７２の下端部は、対向板部１１の下面１１２よりも下方に突出しており、該下端部に第２回動磁石７３１ｂが取り付けられる。各第２回動磁石７３１ｂの磁極の向きは、例えば、中心軸Ｊ１およびチャック回動軸Ｊ２に垂直な方向とされる。
【0104】
（閉塞磁石７３２ａ，７３２ｂ）
複数の第１閉塞磁石７３２ａの各々は、対向板部１１の下面１１２において、第１回動磁石７３１ａの近傍に固定される。各第１閉塞磁石７３２ａの磁極の向きは、例えば、中心軸Ｊ１およびチャック回動軸Ｊ２に垂直な方向であって、中心軸Ｊ１を中心とする円の径方向に対して傾いている。
複数の第１閉塞磁石７３２ａの各々は、対向板部１１の下面１１２において、第１回動磁石７３１ａの近傍に固定される。各第１閉塞磁石７３２ａの磁極の向きは、例えば、中心軸Ｊ１およびチャック回動軸Ｊ２に垂直な方向であって、中心軸Ｊ１を中心とする円の径方向に対して傾いている。
【0105】
複数の第２閉塞磁石７３２ｂの各々は、対向板部１１の下面１１２において、第２回動磁石７３１ｂの近傍に固定される。各第２閉塞磁石７３２ｂの磁極の向きは、例えば、中心軸Ｊ１およびチャック回動軸Ｊ２に垂直な方向であって、中心軸Ｊ１を中心とする円の径方向に対して傾いている。
【0106】
ただし、第１閉塞磁石７３２ａの磁極の向きと、第２閉塞磁石７３２ｂの磁極の向きは、中心軸Ｊ１を中心とする円の径方向について、互いに逆向きとされる。例えば、第１閉塞磁石７３２ａが、Ｓ極が中心軸Ｊ１の側に配置されるような磁極の向きである場合、第２閉塞磁石７３２ｂは、Ｎ極が中心軸Ｊ１の側に配置されるような磁極の向きとされる。
【0107】
（開放磁石７３３ａ，７３３ｂ）
各第１開放磁石７３３ａおよび各第２開放磁石７３３ｂは、いずれも、対向板部１１の下方において、対向板部１１とは独立して設けられる（図１）。各第１開放磁石７３３ａ、および、各第２開放磁石７３３ｂは、いずれも、平面視にて弧状であり、対向板部１１の下方において、中心軸Ｊ１を中心とする円（基準円Ｃ１よりも小径の円）の円周上に配列される。ただし、第１開放磁石７３３ａと第２開放磁石７３３ｂとは、円周方向に沿って、一定の隙間を設けつつ、交互に配列される。対向板部１１が所定の回転停止位置で回転を停止した状態において、各第１開放磁石７３３ａは、平面視にて、第１回動磁石７３１ａの近傍（中心軸Ｊ１の側の近傍）に配置され、各第２開放磁石７３３ｂは、平面視にて、第２回動磁石７３１ｂの近傍（中心軸Ｊ１の側の近傍）に配置される。
各第１開放磁石７３３ａおよび各第２開放磁石７３３ｂは、いずれも、対向板部１１の下方において、対向板部１１とは独立して設けられる（図１）。各第１開放磁石７３３ａ、および、各第２開放磁石７３３ｂは、いずれも、平面視にて弧状であり、対向板部１１の下方において、中心軸Ｊ１を中心とする円（基準円Ｃ１よりも小径の円）の円周上に配列される。ただし、第１開放磁石７３３ａと第２開放磁石７３３ｂとは、円周方向に沿って、一定の隙間を設けつつ、交互に配列される。対向板部１１が所定の回転停止位置で回転を停止した状態において、各第１開放磁石７３３ａは、平面視にて、第１回動磁石７３１ａの近傍（中心軸Ｊ１の側の近傍）に配置され、各第２開放磁石７３３ｂは、平面視にて、第２回動磁石７３１ｂの近傍（中心軸Ｊ１の側の近傍）に配置される。
【0108】
各第１開放磁石７３３ａおよび各第２開放磁石７３３ｂの磁極の向きは、中心軸Ｊ１を中心とする円の径方向に沿う方向とされる。ただし、第１開放磁石７３３ａの磁極の向きと、第２開放磁石７３３ｂの磁極の向きとは、互いに逆向きとされる。また、中心軸Ｊ１を中心とする円の径方向について、第１開放磁石７３３ａの磁極の向きは、第１閉塞磁石７３２ａの磁極の向きと逆向きとされ、第２開放磁石７３３ｂの磁極の向きは、第２閉塞磁石７３２ｂの磁極の向きと逆向きとされる。例えば、第１閉塞磁石７３２ａのＳ極が中心軸Ｊ１の側に配置され、第２閉塞磁石７３２ｂのＮ極が中心軸Ｊ１の側に配置されている場合、第１開放磁石７３３ａは、Ｎ極が中心軸Ｊ１の側に配置されるような磁極の向きとされ、第２開放磁石７３３ｂは、Ｓ極が中心軸Ｊ１の側に配置されるような磁極の向きとされる。
【0109】
（磁石昇降機構７３４ａ，７３４ｂ）
第１磁石昇降機構７３４ａは、複数の第１開放磁石７３３ａを昇降（上下方向に移動）させるための機構であり、対向板部１１の下方に配置される（図１）。第１磁石昇降機構７３４ａは、具体的には例えば、ピストンロッド７３４１ａと、これを進退させるエアシリンダ７３４２ａと、を備える。ピストンロッド７３４１ａの先端には、いずれかの第１開放磁石７３３ａが取り付けられる。ただし、複数の第１開放磁石７３３ａは、環状部材（図示省略）により互いに連結されている。
第１磁石昇降機構７３４ａは、複数の第１開放磁石７３３ａを昇降（上下方向に移動）させるための機構であり、対向板部１１の下方に配置される（図１）。第１磁石昇降機構７３４ａは、具体的には例えば、ピストンロッド７３４１ａと、これを進退させるエアシリンダ７３４２ａと、を備える。ピストンロッド７３４１ａの先端には、いずれかの第１開放磁石７３３ａが取り付けられる。ただし、複数の第１開放磁石７３３ａは、環状部材（図示省略）により互いに連結されている。
【0110】
エアシリンダ７３４２ａの駆動を受けて、ピストンロッド７３４１ａが下降すると、複数の第１開放磁石７３３ａが、対向板部１１の下面１１２から十分に離れた位置（離間位置）に配置される（図１の実線）。このとき、第１開放磁石７３３ａは、第１回動磁石７３１ａに対して磁気的な影響を与えない。一方、エアシリンダ７３４２ａの駆動を受けて、ピストンロッド７３４１ａが上昇すると、複数の第１開放磁石７３３ａが、対向板部１１の下面１１２に近接した位置（近接位置）に配置される（図１の二点鎖線）。このとき、第１開放磁石７３３ａは、第１回動磁石７３１ａに対して磁気的な影響を与える。
【0111】
第２磁石昇降機構７３４ｂは、複数の第２開放磁石７３３ｂを昇降させるための機構であり、対向板部１１の下方に配置される（図１）。第２磁石昇降機構７３４ｂは、具体的には例えば、ピストンロッド７３４１ｂと、これを進退させるエアシリンダ７３４２ｂと、を備える。ピストンロッド７３４１ｂの先端には、いずれかの第２開放磁石７３３ｂが取り付けられる。ただし、複数の第２開放磁石７３３ｂは、環状部材（図示省略）により互いに連結されている。
【0112】
エアシリンダ７３４２ｂの駆動を受けて、ピストンロッド７３４１ｂが下降すると、複数の第２開放磁石７３３ｂが、対向板部１１の下面１１２から十分に離れた位置（離間位置）に配置される（図１の二点鎖線）。このとき、第２開放磁石７３３ｂは、第２回動磁石７３１ｂに対して磁気的な影響を与えない。一方、エアシリンダ７３４２ｂの駆動を受けて、ピストンロッド７３４１ｂが上昇すると、複数の第２開放磁石７３３ｂが、対向板部１１の下面１１２に近接した位置（近接位置）に配置される（図１の実線）。このとき、第２開放磁石７３３ｂは、第２回動磁石７３１ｂに対して磁気的な影響を与える。
【0113】
（ｉｖ）各チャック部７１０，７２０の切り替え
次に、チャック切替機構７３が、第１チャック部７１０および第２チャック部７２０の各々による基板９の保持と解除とを切り替える態様について、引き続き図９～図１２を参照しながら説明する。
次に、チャック切替機構７３が、第１チャック部７１０および第２チャック部７２０の各々による基板９の保持と解除とを切り替える態様について、引き続き図９～図１２を参照しながら説明する。
【0114】
（第１チャック部７１０の切り替え）
上記のとおり、第１磁石昇降機構７３４ａの駆動を受けて、複数の第１開放磁石７３３ａが近接位置に配置されると、各第１開放磁石７３３ａが第１回動磁石７３１ａの近傍に配置される（図１０、図１１）。このとき、第１回動磁石７３１ａと第１開放磁石７３３ａとの間の磁気的吸引力が、第１回動磁石７３１ａと第１閉塞磁石７３２ａとの間の磁気的吸引力よりも大きくなる。このため、第１回動磁石７３１ａは、これと第１開放磁石７３３ａとの間の磁気的吸引力によって、第１の姿勢（例えば、Ｓ極が中心軸Ｊ１とは反対側に配置され、Ｎ極が中心軸Ｊ１の側に配置される姿勢）となる（図の例では、このときの第１回動磁石７３１ａの磁極の向きは、中心軸Ｊ１を中心とする円の径方向に対して傾いている）。
上記のとおり、第１磁石昇降機構７３４ａの駆動を受けて、複数の第１開放磁石７３３ａが近接位置に配置されると、各第１開放磁石７３３ａが第１回動磁石７３１ａの近傍に配置される（図１０、図１１）。このとき、第１回動磁石７３１ａと第１開放磁石７３３ａとの間の磁気的吸引力が、第１回動磁石７３１ａと第１閉塞磁石７３２ａとの間の磁気的吸引力よりも大きくなる。このため、第１回動磁石７３１ａは、これと第１開放磁石７３３ａとの間の磁気的吸引力によって、第１の姿勢（例えば、Ｓ極が中心軸Ｊ１とは反対側に配置され、Ｎ極が中心軸Ｊ１の側に配置される姿勢）となる（図の例では、このときの第１回動磁石７３１ａの磁極の向きは、中心軸Ｊ１を中心とする円の径方向に対して傾いている）。
【0115】
第１回動磁石７３１ａが第１の姿勢となった状態における、第１チャックピン７１（すなわち、第１回動磁石７３１ａに取り付けられている第１チャックピン７１）の位置（チャック回動軸Ｊ２を中心とする角度位置）が、開放位置となる。つまり、第１磁石昇降機構７３４ａの駆動を受けて、複数の第１開放磁石７３３ａが近接位置に配置されることによって、複数の第１チャックピン７１の各々が、開放位置に配置される。上記のとおり、複数の第１チャックピン７１の各々が開放位置に配置されることによって、第１チャック部７１０による基板９の保持が解除される。
【0116】
なお、基板回転機構２の駆動を受けて対向板部１１が中心軸Ｊ１の周りで回転されると、第１回動磁石７３１ａおよび第１閉塞磁石７３２ａは対向板部１１とともに回転し、第１開放磁石７３３ａは回転しない。複数の第１開放磁石７３３ａが近接位置に配置された状態において、対向板部１１が、ある程度以上（例えば、後述する液処理回転数以上）の回転数で回転される状況においては、近接位置に配置されている各第１開放磁石７３３ａは、各第１回動磁石７３１ａの位置（角度位置）に依存することなく、各第１回動磁石７３１ａに対して磁気的吸引力を実質的に作用させる。したがって、各第１チャックピン７１は開放位置に維持される。すなわち、第１チャック部７１０による基板９の保持が解除された状態が、維持される。
【0117】
一方、第１磁石昇降機構７３４ａの駆動を受けて、複数の第１開放磁石７３３ａが離間位置に配置されると、各第１開放磁石７３３ａは第１回動磁石７３１ａから十分に離れた位置に配置される（図９、図１２）。このとき、第１回動磁石７３１ａと第１閉塞磁石７３２ａとの間の磁気的吸引力が、第１回動磁石７３１ａと第１開放磁石７３３ａとの間の磁気的吸引力よりも大きくなる。このため、第１回動磁石７３１ａは、これと第１閉塞磁石７３２ａとの間の磁気的吸引力によって、第１の姿勢とは異なる第２の姿勢（例えば、Ｎ極が中心軸Ｊ１とは反対側に配置され、Ｓ極が中心軸Ｊ１の側に配置される姿勢）となる（図の例では、このときの第１回動磁石７３１ａの磁極の向きは、中心軸Ｊ１を中心とする円の径方向に対して傾いている）。
【0118】
第１回動磁石７３１ａが第２の姿勢となった状態における、第１チャックピン７１（すなわち、第１回動磁石７３１ａに取り付けられている第１チャックピン７１）の位置（チャック回動軸Ｊ２を中心とする角度位置）が、保持位置となる。つまり、第１磁石昇降機構７３４ａの駆動を受けて、複数の第１開放磁石７３３ａが離間位置に配置されることによって、複数の第１チャックピン７１の各々が、保持位置に配置される。上記のとおり、複数の第１チャックピン７１の各々が保持位置に配置されることによって、第１チャック部７１０によって基板９が保持される。
【0119】
以上のとおり、チャック切替機構７３が複数の第１開放磁石７３３ａを近接位置から離間位置に移動させることで、第１チャック部７１０が、基板９を保持しない（保持を解除している）状態から、基板９を保持する状態に切り替わる。逆に、チャック切替機構７３が複数の第１開放磁石７３３ａを離間位置から近接位置に移動させることで、第１チャック部７１０が、基板９を保持する状態から、基板９を保持しない状態に切り替わる。
【0120】
（第２チャック部７２０の切り替え）
上記のとおり、第２磁石昇降機構７３４ｂの駆動を受けて、複数の第２開放磁石７３３ｂが近接位置に配置されると、各第２開放磁石７３３ｂが第２回動磁石７３１ｂの近傍に配置される（図１０、図１２）。このとき、第２回動磁石７３１ｂと第２開放磁石７３３ｂとの間の磁気的吸引力が、第２回動磁石７３１ｂと第２閉塞磁石７３２ｂとの間の磁気的吸引力よりも大きくなる。このため、第２回動磁石７３１ｂは、これと第２開放磁石７３３ｂとの間の磁気的吸引力によって、第１の姿勢（例えば、Ｎ極が中心軸Ｊ１とは反対側に配置され、Ｓ極が中心軸Ｊ１の側に配置される姿勢）となる（図の例では、このときの第２回動磁石７３１ｂの磁極の向きは、中心軸Ｊ１を中心とする円の径方向に対して傾いている）。
上記のとおり、第２磁石昇降機構７３４ｂの駆動を受けて、複数の第２開放磁石７３３ｂが近接位置に配置されると、各第２開放磁石７３３ｂが第２回動磁石７３１ｂの近傍に配置される（図１０、図１２）。このとき、第２回動磁石７３１ｂと第２開放磁石７３３ｂとの間の磁気的吸引力が、第２回動磁石７３１ｂと第２閉塞磁石７３２ｂとの間の磁気的吸引力よりも大きくなる。このため、第２回動磁石７３１ｂは、これと第２開放磁石７３３ｂとの間の磁気的吸引力によって、第１の姿勢（例えば、Ｎ極が中心軸Ｊ１とは反対側に配置され、Ｓ極が中心軸Ｊ１の側に配置される姿勢）となる（図の例では、このときの第２回動磁石７３１ｂの磁極の向きは、中心軸Ｊ１を中心とする円の径方向に対して傾いている）。
【0121】
第２回動磁石７３１ｂが第１の姿勢となった状態における、第２チャックピン７２（すなわち、第２回動磁石７３１ｂに取り付けられている第２チャックピン７２）の位置（チャック回動軸Ｊ２を中心とする角度位置）が、開放位置となる。つまり、第２磁石昇降機構７３４ｂの駆動を受けて、複数の第２開放磁石７３３ｂが近接位置に配置されることによって、複数の第２チャックピン７２の各々が、開放位置に配置される。上記のとおり、複数の第２チャックピン７２の各々が開放位置に配置されることによって、第２チャック部７２０による基板９の保持が解除される。
【0122】
なお、基板回転機構２の駆動を受けて対向板部１１が中心軸Ｊ１の周りで回転されると、第２回動磁石７３１ｂおよび第２閉塞磁石７３２ｂは対向板部１１とともに回転し、第２開放磁石７３３ｂは回転しない。複数の第２開放磁石７３３ｂが近接位置に配置された状態において、対向板部１１が、ある程度以上（例えば、後述する液処理回転数以上）の回転数で回転される状況においては、近接位置に配置されている各第２開放磁石７３３ｂは、各第２回動磁石７３１ｂの位置（角度位置）に依存することなく、各第２回動磁石７３１ｂに対して磁気的吸引力を実質的に作用させる。したがって、各第２チャックピン７２は開放位置に維持される。すなわち、第２チャック部７２０による基板９の保持が解除された状態が、維持される。
【0123】
一方、第２磁石昇降機構７３４ｂの駆動を受けて、複数の第２開放磁石７３３ｂが離間位置に配置されると、各第２開放磁石７３３ｂは第２回動磁石７３１ｂから十分に離れた位置に配置される（図９、図１１）。このとき、第２回動磁石７３１ｂと第２閉塞磁石７３２ｂとの間の磁気的吸引力が、第２回動磁石７３１ｂと第２開放磁石７３３ｂとの間の磁気的吸引力よりも大きくなる。このため、第２回動磁石７３１ｂは、これと第２閉塞磁石７３２ｂとの間の磁気的吸引力によって、第１の姿勢とは異なる第２の姿勢（例えば、Ｓ極が中心軸Ｊ１とは反対側に配置され、Ｎ極が中心軸Ｊ１の側に配置される姿勢）となる（図の例では、このときの第２回動磁石７３１ｂの磁極の向きは、中心軸Ｊ１を中心とする円の径方向に対して傾いている）。
【0124】
第２回動磁石７３１ｂが第２の姿勢となった状態における、第２チャックピン７２（すなわち、第２回動磁石７３１ｂに取り付けられている第２チャックピン７２）の位置（チャック回動軸Ｊ２を中心とする角度位置）が、保持位置となる。つまり、第２磁石昇降機構７３４ｂの駆動を受けて、複数の第２開放磁石７３３ｂが離間位置に配置されることによって、複数の第２チャックピン７２の各々が、保持位置に配置される。上記のとおり、複数の第２チャックピン７２の各々が保持位置に配置されることによって、第２チャック部７２０によって基板９が保持される。
【0125】
以上のとおり、チャック切替機構７３が複数の第２開放磁石７３３ｂを近接位置から離間位置に移動させることで、第２チャック部７２０が、基板９を保持しない状態から、基板９を保持する状態に切り替わる。逆に、チャック切替機構７３が複数の第２開放磁石７３３ｂを離間位置から近接位置に移動させることで、第２チャック部７２０が、基板９を保持する状態から、基板９を保持しない状態に切り替わる。
【0126】
（各チャック部７１０，７２０の状態の組み合わせ）
チャック切替機構７３は、複数の第１開放磁石７３３ａと複数の第２開放磁石７３３ｂとを、独立して移動させることができる。
チャック切替機構７３は、複数の第１開放磁石７３３ａと複数の第２開放磁石７３３ｂとを、独立して移動させることができる。
【0127】
例えば、複数の第１開放磁石７３３ａおよび複数の第２開放磁石７３３ｂの両方が離間位置に配置された場合（図９）、複数の第１チャックピン７１および複数の第２チャックピン７２が、いずれも保持位置に配置される。つまり、第１チャック部７１０と第２チャック部７２０の両方が基板９を保持する状態となる。
【0128】
また例えば、複数の第１開放磁石７３３ａおよび複数の第２開放磁石７３３ｂの両方が近接位置に配置された場合（図１０）、複数の第１チャックピン７１および複数の第２チャックピン７２が、いずれも開放位置に配置される。つまり、第１チャック部７１０と第２チャック部７２０の両方が基板９を保持しない状態となる。
【0129】
また例えば、複数の第１開放磁石７３３ａが近接位置に配置され、かつ、複数の第２開放磁石７３３ｂが離間位置に配置された場合（図１１）、複数の第１チャックピン７１が開放位置に配置され、複数の第２チャックピン７２が保持位置に配置される。つまり、第１チャック部７１０が基板９を保持せず、第２チャック部７２０が基板９を保持する状態となる。
【0130】
また例えば、複数の第１開放磁石７３３ａが離間位置に配置され、かつ、複数の第２開放磁石７３３ｂが近接位置に配置された場合（図１２）、複数の第１チャックピン７１が保持位置に配置され、複数の第２チャックピン７２が開放位置に配置される。つまり、第１チャック部７１０が基板９を保持し、第２チャック部７２０が基板９を保持しない状態となる。
【0131】
＜１－３．処理の流れ＞
次に、基板処理装置１００で行われる処理の流れについて、図１～図１３に加え、図１４を参照しながら説明する。図１４は、該処理の流れを示す図である。以下に説明する一連の処理は、制御部５が、基板処理装置１００が備える各部（具体的には、基板保持部１が備えるピン昇降機構６２およびチャック切替機構７３、基板回転機構２が備えるモータ２２、処理液供給部３が備える薬液バルブ３２１ａおよびリンス液バルブ３２１ｂ、ガス供給部４が備えるガスバルブ４２１および流量調整部４２２、など）を制御することによって行われる。また、以下に説明する一連の処理は、通常は、反復して行われる。すなわち、１枚の基板９に対する一連の処理が終了すると、続いて別の新たな基板９に対して該一連の処理が行われる。
次に、基板処理装置１００で行われる処理の流れについて、図１～図１３に加え、図１４を参照しながら説明する。図１４は、該処理の流れを示す図である。以下に説明する一連の処理は、制御部５が、基板処理装置１００が備える各部（具体的には、基板保持部１が備えるピン昇降機構６２およびチャック切替機構７３、基板回転機構２が備えるモータ２２、処理液供給部３が備える薬液バルブ３２１ａおよびリンス液バルブ３２１ｂ、ガス供給部４が備えるガスバルブ４２１および流量調整部４２２、など）を制御することによって行われる。また、以下に説明する一連の処理は、通常は、反復して行われる。すなわち、１枚の基板９に対する一連の処理が終了すると、続いて別の新たな基板９に対して該一連の処理が行われる。
【0132】
ステップＳ１０１：基板搬入工程
まず、処理対象となる基板９が、基板処理装置１００に搬入される。具体的には、複数の支持ピン６１が上位置（図３の二点鎖線）に配置されるとともに、複数の第１チャックピン７１および複数の第２チャックピン７２がいずれも開放位置に配置された状態において、外部の搬送機構が、基板９を保持したハンド部を基板処理装置１００のチャンバ内に挿入して、ハンド部を対向板部１１の上方に配置する。ただし、搬送機構は、基板９を、パターンＤＰが形成された第１主面９１が下方を向くとともに、パターンＤＰが形成されない第２主面９２が上方を向くような姿勢で、ハンド部上に保持している。続いて、搬送機構は、基板９を保持したハンド部を下降させる。すると、基板９の周縁部９３が、複数の支持ピン６１（具体的には、各支持ピン６１のリフト支持面６１１の角部６１１ｂ）によって、下方から支持された状態となる。これによって、基板９がハンド部上から複数の支持ピン６１上に受け渡される。その後、搬送機構は、ハンド部を、対向板部１１の上方から退避させて、基板処理装置１００のチャンバ内から退出させる。
まず、処理対象となる基板９が、基板処理装置１００に搬入される。具体的には、複数の支持ピン６１が上位置（図３の二点鎖線）に配置されるとともに、複数の第１チャックピン７１および複数の第２チャックピン７２がいずれも開放位置に配置された状態において、外部の搬送機構が、基板９を保持したハンド部を基板処理装置１００のチャンバ内に挿入して、ハンド部を対向板部１１の上方に配置する。ただし、搬送機構は、基板９を、パターンＤＰが形成された第１主面９１が下方を向くとともに、パターンＤＰが形成されない第２主面９２が上方を向くような姿勢で、ハンド部上に保持している。続いて、搬送機構は、基板９を保持したハンド部を下降させる。すると、基板９の周縁部９３が、複数の支持ピン６１（具体的には、各支持ピン６１のリフト支持面６１１の角部６１１ｂ）によって、下方から支持された状態となる。これによって、基板９がハンド部上から複数の支持ピン６１上に受け渡される。その後、搬送機構は、ハンド部を、対向板部１１の上方から退避させて、基板処理装置１００のチャンバ内から退出させる。
【0133】
なお、基板９がハンド部上から複数の支持ピン６１上に受け渡される際に、基板９の中心が中心軸Ｊ１からずれている場合、基板９の周縁部９３の少なくとも一部がリフト案内面６１２（具体的には例えば、その角部６１２ｂ）と当接してこれにガイドされることによって、基板９の中心が、中心軸Ｊ１に近づけられる。すなわち、基板９のずれ（偏心）が補正される。
【0134】
ステップＳ１０２：リフトピン下降工程
続いて、ピン昇降機構６２が、複数の支持ピン６１を下降させて、複数の支持ピン６１を下位置（図３の実線）に配置する。
続いて、ピン昇降機構６２が、複数の支持ピン６１を下降させて、複数の支持ピン６１を下位置（図３の実線）に配置する。
【0135】
ステップＳ１０３：予備保持工程
続いて、複数の支持ピン６１に支持されている基板９（すなわち、第１主面９１が下方を向く姿勢で、下方から複数の支持ピン６１に支持されている基板９）を、第２チャック部７２０で保持して、複数の支持ピン６１から離間させる。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第１開放磁石７３３ａを近接位置に配置したまま、複数の第２開放磁石７３３ｂを近接位置から離間位置に移動させる。すると、複数の第１チャックピン７１は開放位置に配置されたまま、複数の第２チャックピン７２が開放位置から保持位置に移動（回動）する。各第２チャックピン７２が開放位置から保持位置に向かって移動開始すると、まず、複数のリフト支持面６１１に支持されている基板９の周縁部下面９３１に、下側当接面７２１が当接する。その後、各第２チャックピン７２の移動が進むにつれて、基板９が、下側当接面７２１に案内されて上方に移動して（持ち上げられて）、各支持ピン６１から離間する。そして、各第２チャックピン７２が保持位置に配置されると、周縁部端面９３０に湾曲当接面７２３が当接し、周縁部下面９３１に下側当接面７２１が当接し、かつ、周縁部上面９３２に上側当接面７２２が当接した状態となる。すなわち、基板９が、複数の支持ピン６１から離間して第２チャック部７２０で保持された状態となる。この状態において、第１チャック部７１０は基板９を保持していない。
続いて、複数の支持ピン６１に支持されている基板９（すなわち、第１主面９１が下方を向く姿勢で、下方から複数の支持ピン６１に支持されている基板９）を、第２チャック部７２０で保持して、複数の支持ピン６１から離間させる。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第１開放磁石７３３ａを近接位置に配置したまま、複数の第２開放磁石７３３ｂを近接位置から離間位置に移動させる。すると、複数の第１チャックピン７１は開放位置に配置されたまま、複数の第２チャックピン７２が開放位置から保持位置に移動（回動）する。各第２チャックピン７２が開放位置から保持位置に向かって移動開始すると、まず、複数のリフト支持面６１１に支持されている基板９の周縁部下面９３１に、下側当接面７２１が当接する。その後、各第２チャックピン７２の移動が進むにつれて、基板９が、下側当接面７２１に案内されて上方に移動して（持ち上げられて）、各支持ピン６１から離間する。そして、各第２チャックピン７２が保持位置に配置されると、周縁部端面９３０に湾曲当接面７２３が当接し、周縁部下面９３１に下側当接面７２１が当接し、かつ、周縁部上面９３２に上側当接面７２２が当接した状態となる。すなわち、基板９が、複数の支持ピン６１から離間して第２チャック部７２０で保持された状態となる。この状態において、第１チャック部７１０は基板９を保持していない。
【0136】
ステップＳ１０４：チャック部変更工程（１）
続いて、第２チャック部７２０で保持される基板９を、第１チャック部７１０でさらに保持する。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第２開放磁石７３３ｂを離間位置に配置したまま、複数の第１開放磁石７３３ａを近接位置から離間位置に移動させる。すると、複数の第２チャックピン７２は保持位置に配置されたまま、複数の第１チャックピン７１が開放位置から保持位置に移動する。上記のとおり、第１チャックピン７１の上側当接面７１２が配設される高さは、第２チャックピン７２の上側当接面７２２が配設される高さとほぼ同じである。したがって、各第１チャックピン７１が保持位置に配置されると、基板９（すなわち、複数の支持ピン６１から離間して、複数の第２チャックピン７２によって保持されている基板９）の周縁部端面９３０に端面当接面７１１が当接し、該基板９の周縁部上面９３２に上側当接面７１２が当接した状態となる。すなわち、基板９が、第１チャック部７１０と第２チャック部７２０との両方で保持された状態となる。
続いて、第２チャック部７２０で保持される基板９を、第１チャック部７１０でさらに保持する。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第２開放磁石７３３ｂを離間位置に配置したまま、複数の第１開放磁石７３３ａを近接位置から離間位置に移動させる。すると、複数の第２チャックピン７２は保持位置に配置されたまま、複数の第１チャックピン７１が開放位置から保持位置に移動する。上記のとおり、第１チャックピン７１の上側当接面７１２が配設される高さは、第２チャックピン７２の上側当接面７２２が配設される高さとほぼ同じである。したがって、各第１チャックピン７１が保持位置に配置されると、基板９（すなわち、複数の支持ピン６１から離間して、複数の第２チャックピン７２によって保持されている基板９）の周縁部端面９３０に端面当接面７１１が当接し、該基板９の周縁部上面９３２に上側当接面７１２が当接した状態となる。すなわち、基板９が、第１チャック部７１０と第２チャック部７２０との両方で保持された状態となる。
【0137】
ステップＳ１０５：ガス供給開始工程
続いて、ガス供給部４が、不活性ガスの供給を開始する。具体的には、ガスバルブ４２１が開放される。これにより、ガス供給源４２から供給される不活性ガスが、流量調整部４２２によって調整される所定の流量で、ガスノズル４１から吐出開始され、基板９の下方の空間（具体的には、対向面１１１と第１主面９１との間の空間）に、不活性ガスが供給開始される。このときの不活性ガスの供給量は、例えば、２５０リットル／分以上である。ガス供給部４は、後述するガス供給停止工程（ステップＳ１１５）が行われるまでの間、不活性ガスの供給を継続する。
続いて、ガス供給部４が、不活性ガスの供給を開始する。具体的には、ガスバルブ４２１が開放される。これにより、ガス供給源４２から供給される不活性ガスが、流量調整部４２２によって調整される所定の流量で、ガスノズル４１から吐出開始され、基板９の下方の空間（具体的には、対向面１１１と第１主面９１との間の空間）に、不活性ガスが供給開始される。このときの不活性ガスの供給量は、例えば、２５０リットル／分以上である。ガス供給部４は、後述するガス供給停止工程（ステップＳ１１５）が行われるまでの間、不活性ガスの供給を継続する。
【0138】
ステップＳ１０６：回転開始工程
続いて、基板回転機構２が、基板９の回転を開始させる。具体的には、モータ２２が、シャフト部２１の回転を開始させ、これによって、対向板部１１（ひいては、ここに設けられているチャックピン７１，７２によって保持されている基板９）が、中心軸Ｊ１の周りで回転し始める。基板回転機構２は、基板９の回転数（回転速度）を、所定の液処理回転数まで上昇させる。液処理回転速度は、例えば３００～１５００ｒｐｍである。
続いて、基板回転機構２が、基板９の回転を開始させる。具体的には、モータ２２が、シャフト部２１の回転を開始させ、これによって、対向板部１１（ひいては、ここに設けられているチャックピン７１，７２によって保持されている基板９）が、中心軸Ｊ１の周りで回転し始める。基板回転機構２は、基板９の回転数（回転速度）を、所定の液処理回転数まで上昇させる。液処理回転速度は、例えば３００～１５００ｒｐｍである。
【0139】
ここでは、少なくとも第２チャック部７２０が基板９を保持する状態で、基板９の回転数を上昇させる。基板９の回転数を上昇あるいは下降させる際（すなわち、基板９を加速あるいは減速する際）には、基板９が位置ずれ（滑り）を生じやすいところ、上記のとおり、第２チャック部７２０で保持された基板９は、所定の高さに位置決めされて、該所定の高さに保持されるので、回転数を上昇させる際に、基板９が高さ方向に位置ずれを生じることがない。
【0140】
さらに、ここでは、第１チャック部７１０と第２チャック部７２０との両方が基板９を保持する状態で、基板９の回転数を上昇させる。第１チャック部７１０と第２チャック部７２０との両方が基板９を保持する状態においては、これらのどちらか一方が基板９を保持する状態に比べて、基板９に当接するチャックピン７１，７２の個数が多くなる。したがって、基板９におけるチャックピン７１，７２から摩擦力を受ける箇所が多くなり、高さ方向および水平方向について基板９が位置ずれを起こしにくくなる。また、基板９に当接するチャックピン７１，７２の個数が多くなるほど、基板９を保持するために必要なチャック力（チャックピン７１，７２を基板９に付勢する力）を小さくすることができる。チャック力が小さいほど、チャックピン７１，７２の当接箇所において基板９が受ける負荷が小さくなり、基板９にダメージや変形が生じにくくなる。つまり、第１チャック部７１０と第２チャック部７２０との両方が基板９を保持する状態で基板９の回転数を上昇させることによって、基板９に与える負荷を小さく抑えつつ、基板９が位置ずれを起こすことを十分に抑制できる。
【0141】
ステップＳ１０７：チャック部変更工程（２）
基板回転機構２は、基板９の回転数が液処理回転数に到達すると、基板９の回転数を液処理回転数に維持する。この状態になると、第２チャック部７２０による基板９の保持が解除される。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第１開放磁石７３３ａを離間位置に配置したまま、複数の第２開放磁石７３３ｂを離間位置から近接位置に移動させる。すると、複数の第１チャックピン７１は保持位置に配置されたまま、複数の第２チャックピン７２が保持位置から開放位置に移動する。これによって、第２チャック部７２０による基板９の保持が解除される。すなわち、基板９が、第１チャック部７１０で保持され、第２チャック部７２０で保持されない状態となる。
基板回転機構２は、基板９の回転数が液処理回転数に到達すると、基板９の回転数を液処理回転数に維持する。この状態になると、第２チャック部７２０による基板９の保持が解除される。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第１開放磁石７３３ａを離間位置に配置したまま、複数の第２開放磁石７３３ｂを離間位置から近接位置に移動させる。すると、複数の第１チャックピン７１は保持位置に配置されたまま、複数の第２チャックピン７２が保持位置から開放位置に移動する。これによって、第２チャック部７２０による基板９の保持が解除される。すなわち、基板９が、第１チャック部７１０で保持され、第２チャック部７２０で保持されない状態となる。
【0142】
このように、この実施形態では、ステップＳ１０３、ステップＳ１０４、および、ステップＳ１０７の各工程が行われることによって、基板９（すなわち、パターンＤＰが形成された第１主面９１が下方を向く姿勢の基板９）が、複数の支持ピン６１から離間して第１チャック部７１０で保持された状態が形成される（第１保持状態形成工程）。すなわち、この実施形態では、基板９が複数の支持ピン６１から離間して第１チャック部７１０で保持された状態を形成するにあたって、まずは、複数の支持ピン６１に支持されている基板９を第２チャック部７２０に保持させて複数の支持ピン６１から離間させる（ステップＳ１０３：予備保持工程）。その後、第２チャック部７２０で保持される基板９を、第１チャック部７１０でさらに保持させた後（ステップＳ１０４：チャック部変更工程（１））、第２チャック部７２０による基板９の保持を解除させる（ステップＳ１０７：チャック部変更工程（２））。上記のとおり、第２チャック部７２０で保持された基板９は、所定の高さに位置決めされて、該所定の高さに保持される。したがって、第２チャック部７２０で保持することによって基板９を所定の高さに位置決めした後に、該基板９を第１チャック部７１０で保持することによって、第１チャック部７１０で保持される基板９が該所定の高さに位置決めされるように担保される。
【0143】
ステップＳ１０８：薬液供給開始工程
続いて、処理液供給部３が、第１処理液としての薬液の供給を開始する。具体的には、処理液ノズル３１が吐出位置に配置された上で、薬液バルブ３２１ａが開放される。すると、薬液供給源３２ａから供給される薬液が処理液ノズル３１から吐出開始されて、基板９の第２主面９２に薬液が供給開始される。第２主面９２に供給された薬液は、基板９の回転による遠心力によって第２主面９２の周縁に向かって広がり、第２主面９２の全体に薬液が供給される。
続いて、処理液供給部３が、第１処理液としての薬液の供給を開始する。具体的には、処理液ノズル３１が吐出位置に配置された上で、薬液バルブ３２１ａが開放される。すると、薬液供給源３２ａから供給される薬液が処理液ノズル３１から吐出開始されて、基板９の第２主面９２に薬液が供給開始される。第２主面９２に供給された薬液は、基板９の回転による遠心力によって第２主面９２の周縁に向かって広がり、第２主面９２の全体に薬液が供給される。
【0144】
これにより、基板９（すなわち、パターンＤＰが形成された第１主面９１が下方を向く姿勢の基板９）が、複数の支持ピン６１から離間して第１チャック部７１０で保持された状態で、基板９が中心軸Ｊ１の周りで回転されつつ、基板９の下方の空間へ不活性ガスが供給されるとともに、基板９における上方を向く第２主面９２に薬液が供給されることになり、第２主面９２が薬液によって洗浄される。すなわち、第２主面９２に対する薬液処理が行われる（薬液処理工程）。
【0145】
ここでは、薬液処理が行われる間、第２チャック部７２０は基板９を保持せず、第１チャック部７１０が基板９を保持する。第１チャック部７１０が備える第１チャックピン７１は、第２チャック部７２０が備える第２チャックピン７２と異なり、基板９の周縁部下面９３１に当接する当接面を備えない。薬液処理が行われる際（すなわち、第２主面９２に薬液が供給される際）に、基板９の周縁部下面９３１にチャックピンが当接している場合、第２主面９２に供給された薬液が、毛細管現象によって、周縁部下面９３１とチャックピンとの当接部分における微小な隙間を伝って、周縁部下面９３１に回り込んでしまう可能性がある（図２２）。ここでは、第２主面９２に薬液が供給される際に基板９を保持している第１チャック部７１０が備える第１チャックピン７１は、基板９の周縁部下面９３１に当接しないので、毛細管現象に起因する周縁部下面９３１への薬液の回り込みが生じない。したがって、薬液処理において第２主面９２に供給された薬液が第１主面９１へ回り込むことが抑制される。
【0146】
また、ここでは、薬液処理が行われる間、基板９の下方の空間への不活性ガスの供給が継続されることによって、第１主面９１が保護されるとともに、第２主面９２に供給された薬液、および、薬液の雰囲気が、第１主面９１の側に回り込むことが抑制される。特に、ここでは、第１チャック部７１０で保持される基板９が所定の高さに位置決めされるように担保されている（すなわち、薬液処理が行われる間、第１主面９１と対向面１１１との離間距離が所定の値となるように担保されている）ので、該離間距離に応じて規定される適切な供給量で基板９の下方に空間に不活性ガスを供給することによって、第２主面９２に供給された薬液、および、薬液の雰囲気が、第１主面９１の側に回り込むことを効果的に抑制できる。
【0147】
なお、上記のとおり、第１チャックピン７１は、基板９の周縁部下面９３１に当接する当接面を備えないので、第２チャック部７２０で保持されず、第１チャック部７１０だけで保持されている基板９が、下方に位置ずれすることがあり得そうに見える。しかしながら、実際は、このような位置ずれが生じる可能性は十分に低い。その理由は、第１に、基板９の下方の空間に不活性ガスが供給されることで、該供給された不活性ガスの圧力によって、基板９が上方に付勢されているからである。第２に、基板９がある程度以上の回転数（例えば、１００ｒｐｍ以上の回転数）で回転される状況では、基板９に十分な遠心力が発生しているためである。第３に、第１チャックピン７１が基板９の周縁部端面９３０に当接することによって、第１チャックピン７１と基板９との間に摩擦力が生じているためである。
【0148】
ステップＳ１０９：リンス液供給開始工程
第１処理液としての薬液の供給が開始されてから所定時間が経過すると、処理液供給部３が、薬液の供給を停止し、第２処理液としてのリンス液の供給を開始する。具体的には、処理液ノズル３１が吐出位置に配置された状態で、薬液バルブ３２１ａが閉鎖されるとともに、リンス液バルブ３２１ｂが開放される。すると、薬液供給源３２ａから供給される薬液に換えて、リンス液供給源３２ｂから供給されるリンス液が、処理液ノズル３１から吐出開始されて、基板９の第２主面９２にリンス液が供給開始される。第２主面９２に供給されたリンス液は、基板９の回転による遠心力によって第２主面９２の周縁に向かって広がる。これにより、第２主面９２に供給されていた薬液がリンス液に置換され、第２主面９２上の薬液がリンス液によって洗い流される。すなわち、第２主面９２に対するリンス処理が行われる（リンス処理工程）。
第１処理液としての薬液の供給が開始されてから所定時間が経過すると、処理液供給部３が、薬液の供給を停止し、第２処理液としてのリンス液の供給を開始する。具体的には、処理液ノズル３１が吐出位置に配置された状態で、薬液バルブ３２１ａが閉鎖されるとともに、リンス液バルブ３２１ｂが開放される。すると、薬液供給源３２ａから供給される薬液に換えて、リンス液供給源３２ｂから供給されるリンス液が、処理液ノズル３１から吐出開始されて、基板９の第２主面９２にリンス液が供給開始される。第２主面９２に供給されたリンス液は、基板９の回転による遠心力によって第２主面９２の周縁に向かって広がる。これにより、第２主面９２に供給されていた薬液がリンス液に置換され、第２主面９２上の薬液がリンス液によって洗い流される。すなわち、第２主面９２に対するリンス処理が行われる（リンス処理工程）。
【0149】
ステップＳ１１０：第２保持状態形成工程
第２処理液としてのリンス液の供給が開始された後（具体的には例えば、リンス液の供給が開始された後、第２主面９２に供給されていた薬液が概ねリンス液に置換されて、第２主面９２上の薬液の濃度が十分に低下した時点で）、基板９を、第２チャック部７２０で保持する。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第１開放磁石７３３ａを離間位置に配置したまま、複数の第２開放磁石７３３ｂを近接位置から離間位置に移動させる。すると、複数の第１チャックピン７１は保持位置に配置されたまま、複数の第２チャックピン７２が開放位置から保持位置に移動する。各第２チャックピン７２が保持位置に配置されると、基板９（すなわち、複数の第１チャックピン７１によって保持されている基板９）の周縁部端面９３０に湾曲当接面７２３が当接し、周縁部下面９３１に下側当接面７２１が当接し、かつ、周縁部上面９３２に上側当接面７２２が当接した状態となる。すなわち、基板９が、第１チャック部７１０と第２チャック部７２０との両方で保持された状態となる。
第２処理液としてのリンス液の供給が開始された後（具体的には例えば、リンス液の供給が開始された後、第２主面９２に供給されていた薬液が概ねリンス液に置換されて、第２主面９２上の薬液の濃度が十分に低下した時点で）、基板９を、第２チャック部７２０で保持する。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第１開放磁石７３３ａを離間位置に配置したまま、複数の第２開放磁石７３３ｂを近接位置から離間位置に移動させる。すると、複数の第１チャックピン７１は保持位置に配置されたまま、複数の第２チャックピン７２が開放位置から保持位置に移動する。各第２チャックピン７２が保持位置に配置されると、基板９（すなわち、複数の第１チャックピン７１によって保持されている基板９）の周縁部端面９３０に湾曲当接面７２３が当接し、周縁部下面９３１に下側当接面７２１が当接し、かつ、周縁部上面９３２に上側当接面７２２が当接した状態となる。すなわち、基板９が、第１チャック部７１０と第２チャック部７２０との両方で保持された状態となる。
【0150】
ステップＳ１１１：リンス液供給停止工程
第２処理液としてのリンス液の供給が開始されてから所定時間が経過すると、処理液供給部３が、リンス液の供給を停止する。具体的には、リンス液バルブ３２１ｂが閉鎖される。すると、処理液ノズル３１からのリンス液の吐出が停止される。
第２処理液としてのリンス液の供給が開始されてから所定時間が経過すると、処理液供給部３が、リンス液の供給を停止する。具体的には、リンス液バルブ３２１ｂが閉鎖される。すると、処理液ノズル３１からのリンス液の吐出が停止される。
【0151】
ステップＳ１１２：回転数上昇工程
続いて、基板回転機構２が、基板９の回転数を、液処理回転数から、これよりも大きな所定の乾燥回転数まで上昇させる。乾燥回転速度は、例えば１０００～２０００ｒｐｍである。基板９の回転数が乾燥回転数に到達すると、基板回転機構２は、基板９の回転数を乾燥回転数に維持する。基板９が乾燥回転数で回転されることによって、基板９に付着している液体に大きな遠心力が作用して、該液体が基板９の周囲に振り切られていく。これによって、基板９が乾燥されていく。すなわち、基板９に対する乾燥回転処理（スピンドライ処理）が行われる（乾燥処理工程）。
続いて、基板回転機構２が、基板９の回転数を、液処理回転数から、これよりも大きな所定の乾燥回転数まで上昇させる。乾燥回転速度は、例えば１０００～２０００ｒｐｍである。基板９の回転数が乾燥回転数に到達すると、基板回転機構２は、基板９の回転数を乾燥回転数に維持する。基板９が乾燥回転数で回転されることによって、基板９に付着している液体に大きな遠心力が作用して、該液体が基板９の周囲に振り切られていく。これによって、基板９が乾燥されていく。すなわち、基板９に対する乾燥回転処理（スピンドライ処理）が行われる（乾燥処理工程）。
【0152】
ここでも、少なくとも第２チャック部７２０が基板９を保持する状態で基板９の回転数を上昇させるので、回転数を上昇させる際に、基板９が高さ方向に位置ずれを生じることがない。さらに、第１チャック部７１０と第２チャック部７２０との両方が基板９を保持する状態で基板９の回転数を上昇させるので、回転数を上昇させる際に、基板９に与える負荷を小さく抑えつつ、基板９が位置ずれを起こすことを十分に抑制できる。
【0153】
ステップＳ１１３：持ち替え工程
基板９の回転数が乾燥回転数に維持された状態になると、第１チャック部７１０と第２チャック部７２０との間での基板９の持ち替えが行われる。
基板９の回転数が乾燥回転数に維持された状態になると、第１チャック部７１０と第２チャック部７２０との間での基板９の持ち替えが行われる。
【0154】
基板９の持ち替えにあたっては、例えば、まず、第２チャック部７２０による基板９の保持が解除される（ステップＳ１１３ａ）。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第１開放磁石７３３ａを離間位置に配置したまま、複数の第２開放磁石７３３ｂを離間位置から近接位置に移動させる。すると、複数の第１チャックピン７１は保持位置に配置されたまま、複数の第２チャックピン７２が保持位置から開放位置に移動する。これによって、第２チャック部７２０による基板９の保持が解除される。すなわち、基板９が、第１チャック部７１０で保持され、第２チャック部７２０で保持されない状態となる。この状態において、各第２チャックピン７２が当接していた部分に付着していた液体が振り切られていく。
【0155】
その後、再び、第２チャック部７２０で基板９を保持する（ステップＳ１１３ｂ）。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第１開放磁石７３３ａを離間位置に配置したまま、複数の第２開放磁石７３３ｂを近接位置から離間位置に移動させる。すると、複数の第１チャックピン７１は保持位置に配置されたまま、複数の第２チャックピン７２が開放位置から保持位置に移動する。これによって、再び、基板９が、第１チャック部７１０と第２チャック部７２０との両方で保持された状態となる。
【0156】
続いて、第１チャック部７１０による基板９の保持が解除される（ステップＳ１１３ｃ）。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第２開放磁石７３３ｂを離間位置に配置したまま、複数の第１開放磁石７３３ａを離間位置から近接位置に移動させる。すると、複数の第２チャックピン７２は保持位置に配置されたまま、複数の第１チャックピン７１が保持位置から開放位置に移動する。これによって、第１チャック部７１０による基板９の保持が解除される。すなわち、基板９が、第２チャック部７２０で保持され、第１チャック部７１０で保持されない状態となる。この状態において、各第１チャックピン７１が当接していた部分に付着していた液体が振り切られていく。
【0157】
その後、再び、第１チャック部７１０で基板９を保持する（ステップＳ１１３ｄ）。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第２開放磁石７３３ｂを離間位置に配置したまま、複数の第１開放磁石７３３ａを近接位置から離間位置に移動させる。すると、複数の第２チャックピン７２は保持位置に配置されたまま、複数の第１チャックピン７１が開放位置から保持位置に移動する。これによって、再び、基板９が、第１チャック部７１０と第２チャック部７２０との両方で保持された状態となる。
【0158】
ステップＳ１１４：回転停止工程
基板９が乾燥回転数で所定時間だけ回転されると、基板回転機構２が、基板９の回転を停止させる。
基板９が乾燥回転数で所定時間だけ回転されると、基板回転機構２が、基板９の回転を停止させる。
【0159】
ここでも、少なくとも第２チャック部７２０が基板９を保持する状態で基板９の回転数を下降させるので、回転数を下降させる際に、基板９が高さ方向に位置ずれを生じることがない。さらに、第１チャック部７１０と第２チャック部７２０との両方が基板９を保持する状態で基板９の回転数を下降させるので、回転数を下降させる際に、基板９に与える負荷を小さく抑えつつ、基板９が位置ずれを起こすことを十分に抑制できる。
【0160】
ステップＳ１１５：ガス供給停止工程
続いて、ガス供給部４が、不活性ガスの供給を停止する。具体的には、ガスバルブ４２１が閉鎖される。
続いて、ガス供給部４が、不活性ガスの供給を停止する。具体的には、ガスバルブ４２１が閉鎖される。
【0161】
ステップＳ１１６：受け渡し工程
続いて、第１チャック部７１０および第２チャック部７２０による基板９の保持を解除して、第１チャック部７１０および第２チャック部７２０によって保持されていた基板９を、複数の支持ピン６１上に受け渡す。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第１開放磁石７３３ａを離間位置から近接位置に移動させるとともに、複数の第２開放磁石７３３ｂを離間位置から近接位置に移動させる。すると、複数の第２チャックピン７２と、複数の第１チャックピン７１とが、ともに、保持位置から開放位置に移動する。各第２チャックピン７２の移動が進むにつれて、基板９が、下側当接面７２１に案内されて下方に移動し、各第２チャックピン７２が開放位置に配置されると、基板９の周縁部９３が、複数の支持ピン６１によって、下方から支持された状態となる。これによって、基板９が、複数の支持ピン６１上に受け渡される。
続いて、第１チャック部７１０および第２チャック部７２０による基板９の保持を解除して、第１チャック部７１０および第２チャック部７２０によって保持されていた基板９を、複数の支持ピン６１上に受け渡す。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第１開放磁石７３３ａを離間位置から近接位置に移動させるとともに、複数の第２開放磁石７３３ｂを離間位置から近接位置に移動させる。すると、複数の第２チャックピン７２と、複数の第１チャックピン７１とが、ともに、保持位置から開放位置に移動する。各第２チャックピン７２の移動が進むにつれて、基板９が、下側当接面７２１に案内されて下方に移動し、各第２チャックピン７２が開放位置に配置されると、基板９の周縁部９３が、複数の支持ピン６１によって、下方から支持された状態となる。これによって、基板９が、複数の支持ピン６１上に受け渡される。
【0162】
ステップＳ１１７：リフトピン上昇工程
続いて、ピン昇降機構６２が、複数の支持ピン６１を上昇させて、複数の支持ピン６１を上位置（図３の二点鎖線）に配置する。
続いて、ピン昇降機構６２が、複数の支持ピン６１を上昇させて、複数の支持ピン６１を上位置（図３の二点鎖線）に配置する。
【0163】
ステップＳ１１８：基板搬出工程
その後、基板９が、基板処理装置１００から搬出される。具体的には、外部の搬送機構が、ハンド部を基板処理装置１００のチャンバ内に挿入して、ハンド部を複数の支持ピン６１に支持されている基板９の第１主面９１と対向板部１１との間に進入させ、さらに、ハンド部を上昇させる。これによって、基板９が複数の支持ピン６１上からハンド部上に受け渡される。その後、搬送機構は、基板９を保持したハンド部を、基板処理装置１００のチャンバ内から退出させる。これによって、基板９が基板処理装置１００から搬出される。
その後、基板９が、基板処理装置１００から搬出される。具体的には、外部の搬送機構が、ハンド部を基板処理装置１００のチャンバ内に挿入して、ハンド部を複数の支持ピン６１に支持されている基板９の第１主面９１と対向板部１１との間に進入させ、さらに、ハンド部を上昇させる。これによって、基板９が複数の支持ピン６１上からハンド部上に受け渡される。その後、搬送機構は、基板９を保持したハンド部を、基板処理装置１００のチャンバ内から退出させる。これによって、基板９が基板処理装置１００から搬出される。
【0164】
＜１－４．回り込み量＞
次に、基板９の第２主面９２に処理液が供給されたときに、基板９の周方向の各位置で生じる、周縁部下面９３１への処理液の回り込み量について、図１５を参照しながら説明する。図１５（ａ）および図１５（ｂ）はいずれも、周縁部下面９３１への処理液（例えば、第１処理液としての薬液）の回り込み量の測定結果を示す図であり、横軸は、基板９の周方向の各位置を示し、縦軸は、該位置における処理液の回り込み量（すなわち、基板９の径方向について、周縁部端面９３０から何ミリメートルの領域に処理液が回り込んだかを示す値）を示している。図１５（ａ）は、基板９が第１チャック部７１０で保持されている場合の測定結果であり、図１５（ｂ）は、基板９が第２チャック部７２０で保持されている場合の測定結果である。
次に、基板９の第２主面９２に処理液が供給されたときに、基板９の周方向の各位置で生じる、周縁部下面９３１への処理液の回り込み量について、図１５を参照しながら説明する。図１５（ａ）および図１５（ｂ）はいずれも、周縁部下面９３１への処理液（例えば、第１処理液としての薬液）の回り込み量の測定結果を示す図であり、横軸は、基板９の周方向の各位置を示し、縦軸は、該位置における処理液の回り込み量（すなわち、基板９の径方向について、周縁部端面９３０から何ミリメートルの領域に処理液が回り込んだかを示す値）を示している。図１５（ａ）は、基板９が第１チャック部７１０で保持されている場合の測定結果であり、図１５（ｂ）は、基板９が第２チャック部７２０で保持されている場合の測定結果である。
【0165】
基板９が第１チャック部７１０で保持されている場合（図１５（ａ））、２つのピークＰ１，Ｐ１が対になって現れる。各ピークＰ１の位置は、第１チャックピン７１の各突出部７１ｂが当接する位置と合致する。つまり、各第１チャックピン７１の２個の突出部７１ｂの各々が当接する位置に、回り込み量のピークＰ１が現れる。第１チャックピン７１の突出部７１ｂに由来するピークＰ１の高さは、１．０ｍｍより小さく、より具体的には、約０．７ｍｍ以下であり、一例として約０．５ｍｍ程度である。つまり、第１チャック部７１０が基板９を保持する状態で第２主面９２に薬液が供給されたときに、基板９の外周における第１チャックピン７１が当接する位置での、周縁部下面９３１への薬液の回り込み量ｄ１は、１．０ｍｍより小さく抑えることが可能であり、条件によっては約０．７ｍｍ以下に抑えることが可能であり、一例として約０．５ｍｍ程度に抑えることが可能である。
【0166】
基板９が第２チャック部７２０で保持されている場合（図１５（ｂ））においても、２つのピークＰ２，Ｐ２が対になって現れる。各ピークＰ２の位置は、第２チャックピン７２の各突出部７２ｂが当接する位置と合致する（図１５（ａ）および図１５（ｂ）では、比較の便宜上、各々に現れるピークＰ１，Ｐ２をほぼ同じ位置で示している）。つまり、各第２チャックピン７２の２個の突出部７２ｂの各々が当接する位置に、回り込み量のピークＰ２が現れる。第２チャックピン７２の突出部７２ｂに由来するピークＰ２の高さは、約１．０～約１．２ｍｍ程度である。つまり、第２チャック部７２０が基板９を保持する状態で第２主面９２に薬液が供給されたときに、基板９の外周における第２チャックピン７２が当接する位置での、周縁部下面９３１への薬液の回り込み量ｄ２は、約１．０～約１．２ｍｍ程度である。
【0167】
一方、第１チャックピン７１および第２チャックピン７２のどちらも当接しない位置（すなわち、突出部７１ｂ，７２ｂが当接する各位置を除く全域）における回り込み量は、０．５ｍｍよりも小さく、例えば０．３ｍｍ程度である。つまり、第１チャック部７１０および第２チャック部７２０の少なくとも一方が基板９を保持する状態で第２主面９２に薬液が供給されたときに、基板９の外周における第１チャックピン７１および第２チャックピン７２のどちらも当接しない位置での、周縁部下面９３１への薬液の回り込み量ｄ３は、０．５ｍｍよりも小さく、例えば０．３ｍｍ程度である。
【0168】
このように、基板９の第２主面９２に薬液が供給されたときに生じる、第１チャックピン７１あるいは第２チャックピン７２が当接する位置での周縁部下面９３１への処理液の回り込み量ｄ１，ｄ２は、第１チャックピン７１および第２チャックピン７２がいずれも当接しない位置での周縁部下面９３１への薬液の回り込み量ｄ３よりも大きい。その理由は、各チャックピン７１，７２は、少なくとも基板９の周縁部端面９３０に当接するため、該当接部分を通じた薬液の回り込みが生じ得るためと考えられる。
【0169】
また、基板９の第２主面９２に薬液が供給されたときに生じる、第１チャックピン７１が当接する位置での回り込み量ｄ１は、第２チャックピン７２が当接する位置での回り込み量ｄ２よりも小さい。その理由は、第１チャックピン７１が基板９の周縁部下面９３１に当接せず、第２チャックピン７２が基板９の周縁部下面９３１に当接するためと考えられる。すなわち、第２チャックピン７２のように周縁部下面９３１に当接するチャックピンの場合、第２主面９２に供給された薬液が、毛細管現象によって、周縁部下面９３１と下側当接面７２１との当接部分における微小な隙間を伝って、周縁部下面９３１に回り込んでしまう可能性があるのに対し（図２２）、第１チャックピン７１のように周縁部下面９３１に当接しないチャックピンの場合、毛細管現象に起因する周縁部下面９３１への薬液の回り込みが生じない。このため、第１チャックピン７１が当接する位置での回り込み量ｄ１が、第２チャックピン７２が当接する位置での回り込み量ｄ２よりも小さくなると考えられる。
【0170】
＜１－５．効果＞
上記の実施形態に係る基板処理装置１００は、基板９を保持する基板保持部１と、基板保持部１に保持される基板９を、上下に延びる中心軸Ｊ１の周りで回転させる基板回転機構２と、基板保持部１に保持される基板９における上方を向く主面に、処理液を供給する処理液供給部３と、基板保持部１に保持される基板９の下方の空間へ、ガスを供給するガス供給部４と、基板保持部１、基板回転機構２、処理液供給部３、および、ガス供給部４を制御する制御部５と、を備える。また、基板保持部１が、基板９の下方から基板９に当接して基板９を支持する複数の支持ピン６１と、基板９の周縁部下面９３１に当接せずに基板９の周縁部端面９３０に当接する第１チャックピン７１を複数備え、複数の第１チャックピン７１で基板９を保持する第１チャック部７１０と、を備える。そして、制御部５が、パターンＤＰが形成された第１主面９１が下方を向く姿勢の基板９が、複数の支持ピン６１から離間して第１チャック部７１０で保持された状態で、基板回転機構２に基板９を回転させつつ、ガス供給部４に基板９の下方の空間へガスを供給させるとともに、処理液供給部３に第１処理液としての薬液を基板９における上方を向く第２主面９２に供給させる。
上記の実施形態に係る基板処理装置１００は、基板９を保持する基板保持部１と、基板保持部１に保持される基板９を、上下に延びる中心軸Ｊ１の周りで回転させる基板回転機構２と、基板保持部１に保持される基板９における上方を向く主面に、処理液を供給する処理液供給部３と、基板保持部１に保持される基板９の下方の空間へ、ガスを供給するガス供給部４と、基板保持部１、基板回転機構２、処理液供給部３、および、ガス供給部４を制御する制御部５と、を備える。また、基板保持部１が、基板９の下方から基板９に当接して基板９を支持する複数の支持ピン６１と、基板９の周縁部下面９３１に当接せずに基板９の周縁部端面９３０に当接する第１チャックピン７１を複数備え、複数の第１チャックピン７１で基板９を保持する第１チャック部７１０と、を備える。そして、制御部５が、パターンＤＰが形成された第１主面９１が下方を向く姿勢の基板９が、複数の支持ピン６１から離間して第１チャック部７１０で保持された状態で、基板回転機構２に基板９を回転させつつ、ガス供給部４に基板９の下方の空間へガスを供給させるとともに、処理液供給部３に第１処理液としての薬液を基板９における上方を向く第２主面９２に供給させる。
【0171】
別の見方をすると、上記の実施形態に係る基板処理方法は、パターンＤＰが形成された第１主面９１が下方を向く姿勢の基板９が、基板９を下方から支持する複数の支持ピン６１から離間して第１チャック部７１０で保持された状態を形成する、第１保持状態形成工程と、複数の支持ピン６１から離間して第１チャック部７１０に保持された基板９を、上下に延びる中心軸Ｊ１の周りで回転させつつ、基板９の下方の空間へガスを供給するとともに、基板９における上方を向く第２主面９２に薬液を供給する、薬液処理工程と、を備える。
【0172】
これらの構成によると、パターンＤＰが形成された第１主面９１が下方を向く姿勢とされている基板９における、上方を向く第２主面９２に、薬液が供給される。薬液が供給される際に、基板９の周縁部下面９３１にチャックピンが当接している場合、第２主面９２に供給された薬液が、毛細管現象によって、周縁部下面９３１とチャックピンとの当接部分における微小な隙間を伝って、周縁部下面９３１に回り込んでしまう可能性がある（図２２）。ここでは、薬液が供給される際に基板９を保持している第１チャック部７１０が備える第１チャックピン７１は、基板９の周縁部下面９３１に当接しないので、毛細管現象に起因する周縁部下面９３１への薬液の回り込みが生じない。したがって、基板９における上方を向く主面（第２主面９２）に供給された薬液が下方を向く主面（第１主面９１）へ回り込むことを抑制できる。
【0173】
また、上記の実施形態に係る基板処理装置１００は、基板保持部１が、基板９の周縁部上面９３２および周縁部下面９３１に当接する第２チャックピン７２を複数備え、複数の第２チャックピン７２で基板９を保持する第２チャック部７２０、を備える。そして、制御部５が、処理液供給部３に、薬液の供給を停止させ、第２処理液としてのリンス液の供給を開始させ、リンス液の供給が開始された後に、基板９を第２チャック部７２０に保持させる。
【0174】
別の見方をすると、上記の実施形態に係る基板処理方法は、薬液の供給を停止し、第２主面９２へのリンス液の供給を開始するリンス液供給開始工程（ステップＳ１０９）と、リンス液の供給が開始された後に、基板９を第２チャック部７２０で保持する第２保持状態形成工程（ステップＳ１１０）と、を備える。
【0175】
これらの構成によると、第２主面９２への薬液の供給が停止され、リンス液の供給が開始された後、つまりは、第１主面９１への薬液の回り込みが生じにくい状態となった後に、第２チャック部７２０が基板９を保持するので、基板９を安定して保持することができる。
【0176】
また、上記の実施形態に係る基板処理装置１００は、制御部５が、少なくとも第２チャック部７２０に基板９を保持させた状態で、基板回転機構２による基板９の回転数を所定の乾燥回転数まで上昇させる。
【0177】
別の見方をすると、上記の実施形態に係る基板処理方法は、少なくとも第２チャック部７２０が基板９を保持する状態で、基板９の回転数を所定の乾燥回転数まで上昇させる、回転数上昇工程（ステップＳ１１２）、を備える。
【0178】
これらの構成によると、基板９が第２チャック部７２０で保持されている状態で、基板９の回転数を所定の乾燥回転数まで上昇させるので、回転数を上昇させる際に基板９が高さ方向に位置ずれを生じることがない。
【0179】
また、上記の実施形態に係る基板処理装置１００は、制御部５が、基板９が複数の支持ピン６１から離間して第１チャック部７１０で保持された状態を形成するにあたって、複数の支持ピン６１に支持されている基板９を第２チャック部７２０に保持させて、基板９を複数の支持ピン６１から離間させた後、第２チャック部７２０で保持される基板９を、第１チャック部７１０でさらに保持させてから、第２チャック部７２０による基板９の保持を解除させる。
【0180】
別の見方をすると、上記の実施形態に係る基板処理方法は、第１保持状態形成工程が、複数の支持ピン６１に支持されている基板９を第２チャック部７２０で保持して複数の支持ピン６１から離間させる、予備保持工程（ステップＳ１０３）と、予備保持工程の後に、第２チャック部７２０で保持される基板９を、第１チャック部７１０でさらに保持してから、第２チャック部７２０による基板９の保持を解除する、チャック部変更工程（ステップＳ１０４およびステップＳ１０７）と、を備える。
【0181】
これらの構成によると、基板９が複数の支持ピン６１から離間して第１チャック部７１０で保持された状態を形成するにあたって、複数の支持ピン６１に支持されている基板９をそのまま第１チャック部７１０で保持するのではなく、まずは第２チャック部７２０で基板９を保持する。第２チャック部７２０が備える第２チャックピン７２は、基板９の周縁部上面９３２および周縁部下面９３１に当接するので、第２チャック部７２０で保持された基板９は、所定の高さに位置決めされる。したがって、第２チャック部７２０で保持することによって基板９を所定の高さに位置決めした後に、該基板９を第１チャック部７１０で保持することによって、第１チャック部７１０で保持される基板９が該所定の高さに位置決めされるように担保することができる。
【0182】
また、上記の実施形態に係る基板処理装置１００は、第１チャックピン７１が、周縁部端面９３０に当接する端面当接面７１１と、周縁部上面９３２に当接する上側当接面７１２と、を備える。
【0183】
この構成によると、例えば、第１チャック部７１０で保持されている基板９が、その下方の空間へ供給されるガスの圧力によって上方に付勢されても、該基板９が上側に位置ずれすることがない。
【0184】
また、上記の実施形態では、第２主面９２に薬液が供給されたときに生じる、第１チャックピン７１が当接する位置での周縁部下面９３１への薬液の回り込み量ｄ１が、第２チャックピン７２が当接する位置での周縁部下面９３１への薬液の回り込み量ｄ２よりも小さく、かつ、第１チャックピン７１および第２チャックピン７２のどちらも当接しない位置での周縁部下面９３１への薬液の回り込み量ｄ３よりも大きい。
【0185】
この構成によると、第１チャックピン７１が当接している状態で基板９の第２主面９２に薬液を供給することによって、第２主面９２に供給された薬液が第１主面９１へ回り込むことを抑制できる。
【0186】
＜２．第２実施形態＞
＜２－１．基板処理装置の構成＞
第２実施形態に係る基板処理装置１００ｔの構成について、図１６、図１７を参照しながら説明する。図１６は、基板処理装置１００ｔの構成を概略的に示す側断面図である。図１７は、基板処理装置１００ｔの対向板部１１の対向面１１１を概略的に示す平面図である。以下においては、第１実施形態と相違する点を説明し、第１実施形態と相違しない要素については、同じ符号を付すとともにその説明を省略する。
＜２－１．基板処理装置の構成＞
第２実施形態に係る基板処理装置１００ｔの構成について、図１６、図１７を参照しながら説明する。図１６は、基板処理装置１００ｔの構成を概略的に示す側断面図である。図１７は、基板処理装置１００ｔの対向板部１１の対向面１１１を概略的に示す平面図である。以下においては、第１実施形態と相違する点を説明し、第１実施形態と相違しない要素については、同じ符号を付すとともにその説明を省略する。
【0187】
基板処理装置１００ｔは、チャック部７ｔの構成において、第１実施形態に係る基板処理装置１００と相違する。以下において、基板処理装置１００ｔが備えるチャック部７ｔの構成について説明する。
【0188】
チャック部７ｔは、第１チャック部７１０Ａと、第２チャック部７１０Ｂと、を備える。第１チャック部７１０Ａは、複数の第１チャックピン７１Ａを備え、複数の第１チャックピン７１Ａで基板９を保持する。一方、第２チャック部７１０Ｂは、複数の第２チャックピン７１Ｂを備え、複数の第２チャックピン７１Ｂで基板９を保持する。また、チャック部７ｔは、各チャック部７１０Ａ，７１０Ｂによる基板９の保持と解除とを切り替えるチャック切替機構７３をさらに備える。チャック切替機構７３の構成は、第１実施形態において説明したとおりである。
【0189】
複数の第１チャックピン７１Ａ、および、複数の第２チャックピン７１Ｂの配設態様は、第１実施形態に係る複数の第１チャックピン７１、および、複数の第２チャックピン７２の配設態様と同様である。すなわち、複数の第１チャックピン７１Ａ、および、複数の第２チャックピン７１Ｂは、いずれも、複数の支持ピン６１とともに、基準円Ｃ１の円周上に配列されて、対向板部１１に設けられる。複数の第１チャックピン７１Ａは、基準円Ｃ１の円周上に、その円周方向に沿って等間隔で、配列される。同様に、複数の第２チャックピン７１Ｂも、基準円Ｃ１の円周上に、その円周方向に沿って等間隔で、配列される。また、第１チャックピン７１Ａおよび第２チャックピン７１Ｂは、支持ピン６１を間に挟みつつ、円周方向に沿って、交互に、等間隔で、配置される。
【0190】
第１チャックピン７１Ａ、および、第２チャックピン７１Ｂは、いずれも、第１実施形態に係る第１チャックピン７１と同じ形状である（図５、図６）。つまり、この実施形態では、第１チャックピン７１Ａ、および、第２チャックピン７１Ｂは、いずれも、略円柱状の基体部７１ａと、基体部７１ａの上端面から上方に突出して設けられる２個の突出部７１ｂと、を備える。そして、各突出部７１ｂのチャック当接面７１０１は、該チャックピン７１Ａ，７１Ｂが保持位置に配置された状態において、基板９の周縁部端面９３０に当接する端面当接面７１１と、該状態において、基板９の周縁部上面９３２に当接する上側当接面７１２と、を備える。また、各突出部７１ｂは、基板９の周縁部下面９３１に当接する面（下側当接面７２１に相当する面）を備えない。したがって、各チャックピン７１Ａ，７１Ｂが保持位置に配置された状態において、各突出部７１ｂは、周縁部下面９３１に当接しない。
【0191】
したがって、複数の第１チャックピン７１Ａの各々が保持位置に配置されると、基板９の周縁部９３の互いに異なる各位置で、第１チャックピン７１Ａが、周縁部下面９３１に当接することなく、端面当接面７１１において周縁部端面９３０に当接するとともに、上側当接面７１２において周縁部上面９３２に当接した状態となり、これによって基板９が保持される。すなわち、第１チャック部７１０Ａで基板９が保持される。一方、複数の第１チャックピン７１Ａの各々が開放位置に配置されると、各第１チャックピン７１Ａが基板９から離間した状態となり、これによって基板９の保持が解除される。すなわち、第１チャック部７１０Ａによる基板９の保持が解除される。
【0192】
同様に、複数の第２チャックピン７１Ｂの各々が保持位置に配置されると、基板９の周縁部９３の互いに異なる各位置で、第２チャックピン７１Ｂが、周縁部下面９３１に当接することなく、端面当接面７１１において周縁部端面９３０に当接するとともに、上側当接面７１２において周縁部上面９３２に当接した状態となり、これによって基板９が保持される。すなわち、第２チャック部７１０Ｂで基板９が保持される。一方、複数の第２チャックピン７１Ｂの各々が開放位置に配置されると、各第２チャックピン７１Ｂが基板９から離間した状態となり、これによって基板９の保持が解除される。すなわち、第２チャック部７１０Ｂによる基板９の保持が解除される。
【0193】
＜２－２．処理の流れ＞
次に、基板処理装置１００ｔで行われる処理の流れについて、図１６、図１７に加え、図１８、図１９を参照しながら説明する。図１８は、該処理の流れを示す図である。図１９は、基板９を保持する態様を説明するための図である。以下に説明する一連の処理は、制御部５が、基板処理装置１００ｔが備える各部を制御することによって行われる。また、以下に説明する一連の処理は、通常は、反復して行われる。すなわち、１枚の基板９に対する一連の処理が終了すると、続いて別の新たな基板９に対して該一連の処理が行われる。
次に、基板処理装置１００ｔで行われる処理の流れについて、図１６、図１７に加え、図１８、図１９を参照しながら説明する。図１８は、該処理の流れを示す図である。図１９は、基板９を保持する態様を説明するための図である。以下に説明する一連の処理は、制御部５が、基板処理装置１００ｔが備える各部を制御することによって行われる。また、以下に説明する一連の処理は、通常は、反復して行われる。すなわち、１枚の基板９に対する一連の処理が終了すると、続いて別の新たな基板９に対して該一連の処理が行われる。
【0194】
ステップＳ２０１：基板搬入工程
まず、処理対象となる基板９が、基板処理装置１００ｔに搬入される。具体的には、複数の支持ピン６１が上位置に配置されるとともに、複数の第１チャックピン７１Ａおよび複数の第２チャックピン７１Ｂがいずれも開放位置に配置された状態において、外部の搬送機構が、基板９を保持したハンド部を基板処理装置１００のチャンバ内に挿入して、ハンド部を対向板部１１の上方に配置する。ただし、搬送機構は、基板９を、第１主面９１が下方を向くとともに第２主面９２が上方を向くような姿勢で、ハンド部上に保持している。続いて、搬送機構は、基板９を保持したハンド部を下降させる。すると、基板９の周縁部９３が、複数の支持ピン６１によって、下方から支持された状態となる。これによって、基板９がハンド部上から複数の支持ピン６１上に受け渡される。その後、搬送機構は、ハンド部を、対向板部１１の上方から退避させて、基板処理装置１００のチャンバ内から退出させる。
まず、処理対象となる基板９が、基板処理装置１００ｔに搬入される。具体的には、複数の支持ピン６１が上位置に配置されるとともに、複数の第１チャックピン７１Ａおよび複数の第２チャックピン７１Ｂがいずれも開放位置に配置された状態において、外部の搬送機構が、基板９を保持したハンド部を基板処理装置１００のチャンバ内に挿入して、ハンド部を対向板部１１の上方に配置する。ただし、搬送機構は、基板９を、第１主面９１が下方を向くとともに第２主面９２が上方を向くような姿勢で、ハンド部上に保持している。続いて、搬送機構は、基板９を保持したハンド部を下降させる。すると、基板９の周縁部９３が、複数の支持ピン６１によって、下方から支持された状態となる。これによって、基板９がハンド部上から複数の支持ピン６１上に受け渡される。その後、搬送機構は、ハンド部を、対向板部１１の上方から退避させて、基板処理装置１００のチャンバ内から退出させる。
【0195】
ステップＳ２０２：リフトピン下降工程
続いて、ピン昇降機構６２が、複数の支持ピン６１を下降させて、複数の支持ピン６１を下位置に配置する。
続いて、ピン昇降機構６２が、複数の支持ピン６１を下降させて、複数の支持ピン６１を下位置に配置する。
【0196】
ステップＳ２０３：浮上工程
続いて、ガス供給部４が、不活性ガスの供給を開始する。具体的には、ガスバルブ４２１が開放される。これにより、ガス供給源４２から供給される不活性ガスが、流量調整部４２２によって調整される所定の流量で、ガスノズル４１から吐出開始され、基板９の下方の空間（具体的には、対向面１１１と第１主面９１との間の空間）に、不活性ガスが供給開始される。このときの不活性ガスの供給量は、基板９を所定の高さに浮上させることができるような所定の浮上供給量とされる。基板９を浮上させる「所定の高さ」は、具体的には例えば、開放位置に配置されている各チャックピン７１Ａ，７１Ｂの上側当接面７１２の側方に相当する高さ（すなわち、第１主面９１が各チャックピン７１Ａ，７１Ｂの上側当接面７１２の下端よりも高く、かつ、第２主面９２が各チャックピン７１Ａ，７１Ｂの上側当接面７１２の上端よりも低くなるような高さ）であり、例えば対向面１１１と第１主面９１との離間距離が０．５ｍｍ程度となるような高さである。このような高さに基板９を浮上させるための浮上供給量は、例えば、２５０リットル／分以上である。ガス供給部４は、後述するガス供給停止工程（ステップＳ２１４）が行われるまでの間、不活性ガスの供給量を浮上供給量に維持したままで、不活性ガスの供給を継続する。
続いて、ガス供給部４が、不活性ガスの供給を開始する。具体的には、ガスバルブ４２１が開放される。これにより、ガス供給源４２から供給される不活性ガスが、流量調整部４２２によって調整される所定の流量で、ガスノズル４１から吐出開始され、基板９の下方の空間（具体的には、対向面１１１と第１主面９１との間の空間）に、不活性ガスが供給開始される。このときの不活性ガスの供給量は、基板９を所定の高さに浮上させることができるような所定の浮上供給量とされる。基板９を浮上させる「所定の高さ」は、具体的には例えば、開放位置に配置されている各チャックピン７１Ａ，７１Ｂの上側当接面７１２の側方に相当する高さ（すなわち、第１主面９１が各チャックピン７１Ａ，７１Ｂの上側当接面７１２の下端よりも高く、かつ、第２主面９２が各チャックピン７１Ａ，７１Ｂの上側当接面７１２の上端よりも低くなるような高さ）であり、例えば対向面１１１と第１主面９１との離間距離が０．５ｍｍ程度となるような高さである。このような高さに基板９を浮上させるための浮上供給量は、例えば、２５０リットル／分以上である。ガス供給部４は、後述するガス供給停止工程（ステップＳ２１４）が行われるまでの間、不活性ガスの供給量を浮上供給量に維持したままで、不活性ガスの供給を継続する。
【0197】
基板９の下方の空間に浮上供給量で不活性ガスが供給されると、基板９、すなわち、第１主面９１が下方を向く姿勢で複数の支持ピン６１に支持されている基板９（図１９（ａ））が、不活性ガスの圧力を下方から受けることによって浮上し、各支持ピン６１から離間して、各チャックピン７１，７１Ｂの上側当接面７１２の側方に相当する高さに配置された状態（ホバリング状態）となる（図１９（ｂ））。このように、ここでは、ガス供給部４が、基板９の下方の空間へガスを供給して基板９を浮上（ホバリング）させることによって、基板９を複数の支持ピン６１から離間させる。
【0198】
なお、不活性ガスの供給を開始するタイミングは、支持ピン６１が下降される以前であってもよい。すなわち、不活性ガスの供給が開始された以後に、支持ピン６１が下降されてもよい。この場合は、支持ピン６１が上位置から下位置まで移動される途中（すなわち、複数の支持ピン６１に支持されている基板９が、各チャックピン７１，７１Ｂの上側当接面７１２の側方に相当する高さに配置された段階）で、基板９が各支持ピン６１から離間してホバリング状態となる。
【0199】
ステップＳ２０４：浮上基板保持工程
続いて、複数の支持ピン６１の上方に浮上している基板９を、第１チャック部７１０Ａおよび第２チャック部７１０Ｂで保持する。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第１開放磁石７３３ａを近接位置から離間位置に移動させるとともに、複数の第２開放磁石７３３ｂを近接位置から離間位置に移動させる。すると、複数の第１チャックピン７１Ａと、複数の第２チャックピン７１Ｂとが、ともに、開放位置から保持位置に移動する。各チャックピン７１Ａ，７１Ｂが開放位置から保持位置に向かって移動開始すると、まず、複数の支持ピン６１の上方であって、各チャックピン７１Ａ，７１Ｂの上側当接面７１２の側方に相当する高さに浮上している基板９の周縁部上面９３２に、上側当接面７１２が当接する。その後、各チャックピン７１Ａ，７１Ｂの移動が進むにつれて、基板９が、上側当接面７１２に案内されて下方に移動する。そして、各チャックピン７１Ａ，７１Ｂが保持位置に配置されると、周縁部上面９３２に上側当接面７１２が当接し、周縁部端面９３０に端面当接面７１１が当接した状態となる（図１９（ｃ））。すなわち、基板９が、第１チャック部７１０Ａと第２チャック部７１０Ｂとの両方で保持された状態となる。
続いて、複数の支持ピン６１の上方に浮上している基板９を、第１チャック部７１０Ａおよび第２チャック部７１０Ｂで保持する。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第１開放磁石７３３ａを近接位置から離間位置に移動させるとともに、複数の第２開放磁石７３３ｂを近接位置から離間位置に移動させる。すると、複数の第１チャックピン７１Ａと、複数の第２チャックピン７１Ｂとが、ともに、開放位置から保持位置に移動する。各チャックピン７１Ａ，７１Ｂが開放位置から保持位置に向かって移動開始すると、まず、複数の支持ピン６１の上方であって、各チャックピン７１Ａ，７１Ｂの上側当接面７１２の側方に相当する高さに浮上している基板９の周縁部上面９３２に、上側当接面７１２が当接する。その後、各チャックピン７１Ａ，７１Ｂの移動が進むにつれて、基板９が、上側当接面７１２に案内されて下方に移動する。そして、各チャックピン７１Ａ，７１Ｂが保持位置に配置されると、周縁部上面９３２に上側当接面７１２が当接し、周縁部端面９３０に端面当接面７１１が当接した状態となる（図１９（ｃ））。すなわち、基板９が、第１チャック部７１０Ａと第２チャック部７１０Ｂとの両方で保持された状態となる。
【0200】
このように、この実施形態では、ステップＳ２０３、および、ステップＳ２０４の各工程が行われることによって、基板９（すなわち、パターンＤＰが形成された第１主面９１が下方を向く姿勢の基板９）が、複数の支持ピン６１から離間して第１チャック部７１０Ａおよび第２チャック部７１０Ｂで保持された状態が形成される（第１保持状態形成工程）。すなわち、この実施形態では、基板９が複数の支持ピン６１から離間して第１チャック部７１０Ａおよび第２チャック部７１０Ｂで保持された状態を形成するにあたって、基板９の下方の空間へ不活性ガスを供給して基板９を浮上させることによって基板９を複数の支持ピン６１から離間させ（ステップＳ２０３：浮上工程）、浮上している基板９を第１チャック部７１０Ａおよび第２チャック部７１０Ｂに保持させる（ステップＳ２０４：浮上基板保持工程）。この構成によると、基板９が不活性ガスの圧力によって上方に付勢されつつ、第１チャック部７１０Ａおよび第２チャック部７１０Ｂに保持されるので、基板９の周縁部上面９３２に各チャックピン７１Ａ，７１Ｂの上側当接面７１２が当接し、これによって、第１チャック部７１０Ａおよび第２チャック部７１０Ｂで保持される基板９が所定の高さに位置決めされる。
【0201】
ステップＳ２０５：回転開始工程
続いて、基板回転機構２が、基板９の回転を開始させる。具体的には、モータ２２が、シャフト部２１の回転を開始させ、これによって、対向板部１１（ひいては、ここに設けられているチャックピン７１Ａ，７１Ｂによって保持されている基板９）が、中心軸Ｊ１の周りで回転し始める。基板回転機構２は、基板９の回転数（回転速度）を、所定の液処理回転数まで上昇させる。
続いて、基板回転機構２が、基板９の回転を開始させる。具体的には、モータ２２が、シャフト部２１の回転を開始させ、これによって、対向板部１１（ひいては、ここに設けられているチャックピン７１Ａ，７１Ｂによって保持されている基板９）が、中心軸Ｊ１の周りで回転し始める。基板回転機構２は、基板９の回転数（回転速度）を、所定の液処理回転数まで上昇させる。
【0202】
ここでは、第１チャック部７１０Ａと第２チャック部７１０Ｂとの両方が基板９を保持する状態で、基板９の回転数を上昇させるので、回転数を上昇させる際に、基板９に与える負荷を小さく抑えつつ、基板９が位置ずれを起こすことを十分に抑制できる。
【0203】
ステップＳ２０６：薬液供給開始工程
基板回転機構２は、基板９の回転数が液処理回転数に到達すると、基板９の回転数を液処理回転数に維持する。この状態になると、処理液供給部３が、第１処理液としての薬液の供給を開始する。具体的には、処理液ノズル３１が吐出位置に配置された上で、薬液バルブ３２１ａが開放される。すると、薬液供給源３２ａから供給される薬液が処理液ノズル３１から吐出開始されて、基板９の第２主面９２に薬液が供給開始される。第２主面９２に供給された薬液は、基板９の回転による遠心力によって第２主面９２の周縁に向かって広がり、第２主面９２の全体に薬液が供給される。
基板回転機構２は、基板９の回転数が液処理回転数に到達すると、基板９の回転数を液処理回転数に維持する。この状態になると、処理液供給部３が、第１処理液としての薬液の供給を開始する。具体的には、処理液ノズル３１が吐出位置に配置された上で、薬液バルブ３２１ａが開放される。すると、薬液供給源３２ａから供給される薬液が処理液ノズル３１から吐出開始されて、基板９の第２主面９２に薬液が供給開始される。第２主面９２に供給された薬液は、基板９の回転による遠心力によって第２主面９２の周縁に向かって広がり、第２主面９２の全体に薬液が供給される。
【0204】
これにより、基板９（すなわち、パターンＤＰが形成された第１主面９１が下方を向く姿勢の基板９）が、複数の支持ピン６１から離間して第１チャック部７１０Ａおよび第２チャック部７１０Ｂで保持された状態で、基板９が中心軸Ｊ１の周りで回転されつつ、基板９の下方の空間へ不活性ガスが供給されるとともに、基板９における上方を向く第２主面９２に薬液が供給されることになり、第２主面９２が薬液によって洗浄される。すなわち、第２主面９２に対する薬液処理が行われる（薬液処理工程）。
【0205】
ここでは、薬液処理が行われる間、第１チャック部７１０Ａおよび第２チャック部７１０Ｂが基板９を保持する。第１チャック部７１０Ａが備える第１チャックピン７１Ａ、および、第２チャック部７１０Ｂが備える第２チャックピン７１Ｂは、いずれも、基板９の周縁部下面９３１に当接しない。したがって、毛細管現象に起因する周縁部下面９３１への薬液の回り込みが生じず、薬液処理において第２主面９２に供給された薬液が第１主面９１へ回り込むことが抑制される。
【0206】
また、ここでは、薬液処理が行われる間、基板９の下方の空間への不活性ガスの供給が継続されることによって、第１主面９１が保護されるとともに、第２主面９２に供給された薬液、および、薬液の雰囲気が、第１主面９１の側に回り込むことが抑制される。また、基板９の下方の空間への不活性ガスの供給が継続されることによって、基板９が所定の高さに位置決めされる状態（すなわち、基板９が不活性ガスの圧力によって上方に付勢されることによって、基板９の周縁部上面９３２に各チャックピン７１Ａ，７１Ｂの上側当接面７１２が当接して、基板９が所定の高さに位置決めされる状態）が維持されるので、該位置決めされた状態における第１主面９１と対向面１１１との離間距離に応じて規定される適切な供給量で基板９の下方に空間に不活性ガスを供給することによって、第２主面９２に供給された薬液、および、薬液の雰囲気が、第１主面９１の側に回り込むことを効果的に抑制できる。
【0207】
さらに、ここでは、第１チャック部７１０Ａと第２チャック部７１０Ｂとの両方が基板９を保持する状態で薬液処理が行われるので、薬液処理が行われる際に、基板９に与える負荷を小さく抑えつつ、基板９が位置ずれを起こすことを十分に抑制できる。
【0208】
ステップＳ２０７：リンス液供給開始工程
第１処理液としての薬液の供給が開始されてから所定時間が経過すると、処理液供給部３が、薬液の供給を停止し、第２処理液としてのリンス液の供給を開始する。具体的には、処理液ノズル３１が吐出位置に配置された状態で、薬液バルブ３２１ａが閉鎖されるとともに、リンス液バルブ３２１ｂが開放される。すると、薬液供給源３２ａから供給される薬液に換えて、リンス液供給源３２ｂから供給されるリンス液が、処理液ノズル３１から吐出開始されて、基板９の第２主面９２にリンス液が供給開始される。第２主面９２に供給されたリンス液は、基板９の回転による遠心力によって第２主面９２の周縁に向かって広がる。これにより、第２主面９２に供給されていた薬液がリンス液に置換され、第２主面９２上の薬液がリンス液によって洗い流される。すなわち、第２主面９２に対するリンス処理が行われる（リンス処理工程）。
第１処理液としての薬液の供給が開始されてから所定時間が経過すると、処理液供給部３が、薬液の供給を停止し、第２処理液としてのリンス液の供給を開始する。具体的には、処理液ノズル３１が吐出位置に配置された状態で、薬液バルブ３２１ａが閉鎖されるとともに、リンス液バルブ３２１ｂが開放される。すると、薬液供給源３２ａから供給される薬液に換えて、リンス液供給源３２ｂから供給されるリンス液が、処理液ノズル３１から吐出開始されて、基板９の第２主面９２にリンス液が供給開始される。第２主面９２に供給されたリンス液は、基板９の回転による遠心力によって第２主面９２の周縁に向かって広がる。これにより、第２主面９２に供給されていた薬液がリンス液に置換され、第２主面９２上の薬液がリンス液によって洗い流される。すなわち、第２主面９２に対するリンス処理が行われる（リンス処理工程）。
【0209】
ステップＳ２０８：リンス液供給停止工程
第２処理液としてのリンス液の供給が開始されてから所定時間が経過すると、処理液供給部３が、リンス液の供給を停止する。具体的には、リンス液バルブ３２１ｂが閉鎖される。すると、処理液ノズル３１からのリンス液の吐出が停止される。
第２処理液としてのリンス液の供給が開始されてから所定時間が経過すると、処理液供給部３が、リンス液の供給を停止する。具体的には、リンス液バルブ３２１ｂが閉鎖される。すると、処理液ノズル３１からのリンス液の吐出が停止される。
【0210】
ステップＳ２０９：回転数上昇工程
続いて、基板回転機構２が、基板９の回転数を、液処理回転数から、これよりも大きな所定の乾燥回転数まで上昇させる。基板９の回転数が乾燥回転数に到達すると、基板回転機構２は、基板９の回転数を乾燥回転数に維持する。基板９が乾燥回転数で回転されることによって、基板９に付着している液体に大きな遠心力が作用して、該液体が基板９の周囲に振り切られていく。これによって、基板９が乾燥されていく。すなわち、基板９に対する乾燥回転処理（スピンドライ処理）が行われる（乾燥処理工程）。
続いて、基板回転機構２が、基板９の回転数を、液処理回転数から、これよりも大きな所定の乾燥回転数まで上昇させる。基板９の回転数が乾燥回転数に到達すると、基板回転機構２は、基板９の回転数を乾燥回転数に維持する。基板９が乾燥回転数で回転されることによって、基板９に付着している液体に大きな遠心力が作用して、該液体が基板９の周囲に振り切られていく。これによって、基板９が乾燥されていく。すなわち、基板９に対する乾燥回転処理（スピンドライ処理）が行われる（乾燥処理工程）。
【0211】
ここでも、第１チャック部７１０Ａと第２チャック部７１０Ｂとの両方が基板９を保持する状態で基板９の回転数を上昇させるので、回転数を上昇させる際に、基板９に与える負荷を小さく抑えつつ、基板９が位置ずれを起こすことを十分に抑制できる。
【0212】
ステップＳ２１０：持ち替え工程
基板９の回転数が乾燥回転数に維持された状態になると、第１チャック部７１０Ａと第２チャック部７１０Ｂとの間での基板９の持ち替えが行われる。
基板９の回転数が乾燥回転数に維持された状態になると、第１チャック部７１０Ａと第２チャック部７１０Ｂとの間での基板９の持ち替えが行われる。
【0213】
基板９の持ち替えにあたっては、例えば、まず、第２チャック部７１０Ｂによる基板９の保持が解除される（ステップＳ２１０ａ）。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第１開放磁石７３３ａを離間位置に配置したまま、複数の第２開放磁石７３３ｂを離間位置から近接位置に移動させる。すると、複数の第１チャックピン７１Ａは保持位置に配置されたまま、複数の第２チャックピン７１Ｂが保持位置から開放位置に移動する。これによって、第２チャック部７１０Ｂによる基板９の保持が解除される。すなわち、基板９が、第１チャック部７１０Ａで保持され、第２チャック部７１０Ｂで保持されない状態となる。この状態において、各第２チャックピン７１Ｂが当接していた部分に付着していた液体が振り切られていく。
【0214】
その後、再び、第２チャック部７１０Ｂで基板９を保持する（ステップＳ２１０ｂ）。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第１開放磁石７３３ａを離間位置に配置したまま、複数の第２開放磁石７３３ｂを近接位置から離間位置に移動させる。すると、複数の第１チャックピン７１Ａは保持位置に配置されたまま、複数の第２チャックピン７１Ｂが開放位置から保持位置に移動する。これによって、再び、基板９が、第１チャック部７１０Ａと第２チャック部７１０Ｂとの両方で保持された状態となる。
【0215】
続いて、第１チャック部７１０Ａによる基板９の保持が解除される（ステップＳ２１０ｃ）。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第２開放磁石７３３ｂを離間位置に配置したまま、複数の第１開放磁石７３３ａを離間位置から近接位置に移動させる。すると、複数の第２チャックピン７１Ｂは保持位置に配置されたまま、複数の第１チャックピン７１Ａが保持位置から開放位置に移動する。これによって、第１チャック部７１０Ａによる基板９の保持が解除される。すなわち、基板９が、第２チャック部７１０Ｂで保持され、第１チャック部７１０Ａで保持されない状態となる。この状態において、各第１チャックピン７１Ａが当接していた部分に付着していた液体が振り切られていく。
【0216】
その後、再び、第１チャック部７１０Ａで基板９を保持する（ステップＳ２１０ｄ）。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第２開放磁石７３３ｂを離間位置に配置したまま、複数の第１開放磁石７３３ａを近接位置から離間位置に移動させる。すると、複数の第２チャックピン７１Ｂは保持位置に配置されたまま、複数の第１チャックピン７１Ａが開放位置から保持位置に移動する。これによって、再び、基板９が、第１チャック部７１０Ａと第２チャック部７１０Ｂとの両方で保持された状態となる。
【0217】
ステップＳ２１１：回転停止工程
基板９が乾燥回転数で所定時間だけ回転されると、基板回転機構２が、基板９の回転を停止させる。
基板９が乾燥回転数で所定時間だけ回転されると、基板回転機構２が、基板９の回転を停止させる。
【0218】
ここでも、第１チャック部７１０Ａと第２チャック部７１０Ｂとの両方が基板９を保持する状態で基板９の回転数を下降させるので、回転数を下降させる際に、基板９に与える負荷を小さく抑えつつ、基板９が位置ずれを起こすことを十分に抑制できる。
【0219】
ステップＳ２１２：解除工程
続いて、第１チャック部７１０Ａおよび第２チャック部７１０Ｂによる基板９の保持を解除する。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第１開放磁石７３３ａを離間位置から近接位置に移動させるとともに、複数の第２開放磁石７３３ｂを離間位置から近接位置に移動させる。すると、複数の第１チャックピン７１Ａと、複数の第２チャックピン７１Ｂとが、ともに、保持位置から開放位置に移動する。ただし、この段階においても、基板９の下方の空間への不活性ガスの供給が継続されており、基板９は、不活性ガスの圧力によって上方に付勢されている。したがって、各第１チャックピン７１Ａおよび各第２チャックピン７１Ｂが保持位置から開放位置に向かって移動するにつれて、基板９が、上側当接面７１２に案内されて上方に移動する。そして、各第１チャックピン７１Ａおよび各第２チャックピン７１Ｂが開放位置に配置されると、基板９は、各チャックピン７１Ａ，７１Ｂから離間して、各チャックピン７１Ａ，７１Ｂの上側当接面７１２の側方に相当する高さに浮上した状態となる（図１９（ｂ））。
続いて、第１チャック部７１０Ａおよび第２チャック部７１０Ｂによる基板９の保持を解除する。具体的には、チャック切替機構７３が、複数の第１開放磁石７３３ａを離間位置から近接位置に移動させるとともに、複数の第２開放磁石７３３ｂを離間位置から近接位置に移動させる。すると、複数の第１チャックピン７１Ａと、複数の第２チャックピン７１Ｂとが、ともに、保持位置から開放位置に移動する。ただし、この段階においても、基板９の下方の空間への不活性ガスの供給が継続されており、基板９は、不活性ガスの圧力によって上方に付勢されている。したがって、各第１チャックピン７１Ａおよび各第２チャックピン７１Ｂが保持位置から開放位置に向かって移動するにつれて、基板９が、上側当接面７１２に案内されて上方に移動する。そして、各第１チャックピン７１Ａおよび各第２チャックピン７１Ｂが開放位置に配置されると、基板９は、各チャックピン７１Ａ，７１Ｂから離間して、各チャックピン７１Ａ，７１Ｂの上側当接面７１２の側方に相当する高さに浮上した状態となる（図１９（ｂ））。
【0220】
ステップＳ２１３：リフトピン上昇工程
続いて、ピン昇降機構６２が、複数の支持ピン６１を上昇させて、複数の支持ピン６１を上位置（図３の二点鎖線）に配置する。複数の支持ピン６１が下位置から上位置に移動する途中で、各チャックピン７１Ａ，７１Ｂの上側当接面７１２の側方に相当する高さに浮上している基板９の周縁部９３が、複数の支持ピン６１によって、下方から支持された状態となる。
続いて、ピン昇降機構６２が、複数の支持ピン６１を上昇させて、複数の支持ピン６１を上位置（図３の二点鎖線）に配置する。複数の支持ピン６１が下位置から上位置に移動する途中で、各チャックピン７１Ａ，７１Ｂの上側当接面７１２の側方に相当する高さに浮上している基板９の周縁部９３が、複数の支持ピン６１によって、下方から支持された状態となる。
【0221】
ステップＳ２１４：ガス供給停止工程
続いて、ガス供給部４が、不活性ガスの供給を停止する。具体的には、ガスバルブ４２１が閉鎖される。
続いて、ガス供給部４が、不活性ガスの供給を停止する。具体的には、ガスバルブ４２１が閉鎖される。
【0222】
ステップＳ２１５：基板搬出工程
その後、基板９が、基板処理装置１００ｔから搬出される。具体的には、外部の搬送機構が、ハンド部を基板処理装置１００ｔのチャンバ内に挿入して、ハンド部を複数の支持ピン６１に支持されている基板９の第１主面９１と対向板部１１との間に進入させ、さらに、ハンド部を上昇させる。これによって、基板９が複数の支持ピン６１上からハンド部上に受け渡される。その後、搬送機構は、基板９を保持したハンド部を、基板処理装置１００ｔのチャンバ内から退出させる。これによって、基板９が基板処理装置１００ｔから搬出される。
その後、基板９が、基板処理装置１００ｔから搬出される。具体的には、外部の搬送機構が、ハンド部を基板処理装置１００ｔのチャンバ内に挿入して、ハンド部を複数の支持ピン６１に支持されている基板９の第１主面９１と対向板部１１との間に進入させ、さらに、ハンド部を上昇させる。これによって、基板９が複数の支持ピン６１上からハンド部上に受け渡される。その後、搬送機構は、基板９を保持したハンド部を、基板処理装置１００ｔのチャンバ内から退出させる。これによって、基板９が基板処理装置１００ｔから搬出される。
【0223】
＜２－３．効果＞
上記の実施形態に係る基板処理装置１００ｔは、第１実施形態に係る基板処理装置１００と同様、基板保持部１と、基板回転機構２と、処理液供給部３と、ガス供給部４と、制御部５と、を備える。また、基板保持部１が、支持ピン６１を備える。さらに、基板保持部１が、基板９の周縁部下面９３１に当接せずに基板９の周縁部端面９３０に当接するチャックピン７１Ａを複数備え、複数のチャックピン７１Ａで基板９を保持する第１チャック部７１０Ａと、基板９の周縁部下面９３１に当接せずに基板９の周縁部端面９３０に当接するチャックピン７１Ｂを複数備え、複数のチャックピン７１Ｂで基板９を保持する第２チャック部７１０Ｂと、を備える。そして、制御部５が、パターンＤＰが形成された第１主面９１が下方を向く姿勢の基板９が、複数の支持ピン６１から離間して第１および第２チャック部７１０Ａ，７１０Ｂで保持された状態で、基板回転機構２に基板９を回転させつつ、ガス供給部４に基板９の下方の空間へガスを供給させるとともに、処理液供給部３に第１処理液としての薬液を基板９における上方を向く第２主面９２に供給させる。
上記の実施形態に係る基板処理装置１００ｔは、第１実施形態に係る基板処理装置１００と同様、基板保持部１と、基板回転機構２と、処理液供給部３と、ガス供給部４と、制御部５と、を備える。また、基板保持部１が、支持ピン６１を備える。さらに、基板保持部１が、基板９の周縁部下面９３１に当接せずに基板９の周縁部端面９３０に当接するチャックピン７１Ａを複数備え、複数のチャックピン７１Ａで基板９を保持する第１チャック部７１０Ａと、基板９の周縁部下面９３１に当接せずに基板９の周縁部端面９３０に当接するチャックピン７１Ｂを複数備え、複数のチャックピン７１Ｂで基板９を保持する第２チャック部７１０Ｂと、を備える。そして、制御部５が、パターンＤＰが形成された第１主面９１が下方を向く姿勢の基板９が、複数の支持ピン６１から離間して第１および第２チャック部７１０Ａ，７１０Ｂで保持された状態で、基板回転機構２に基板９を回転させつつ、ガス供給部４に基板９の下方の空間へガスを供給させるとともに、処理液供給部３に第１処理液としての薬液を基板９における上方を向く第２主面９２に供給させる。
【0224】
別の見方をすると、上記の実施形態に係る基板処理方法は、パターンＤＰが形成された第１主面９１が下方を向く姿勢の基板９が、基板９を下方から支持する複数の支持ピン６１から離間して第１および第２チャック部７１０Ａ，７１０Ｂで保持された状態を形成する、第１保持状態形成工程と、複数の支持ピン６１から離間して第１および第２チャック部７１０Ａ，７１０Ｂに保持された基板９を、上下に延びる中心軸Ｊ１の周りで回転させつつ、基板９の下方の空間へガスを供給するとともに、基板９における上方を向く第２主面９２に薬液を供給する、薬液処理工程と、を備える。
【0225】
これらの構成によると、第１実施形態と同様、基板９における上方を向く主面（第２主面９２）に供給された薬液が下方を向く主面（第１主面９１）へ回り込むことを抑制できる。
【0226】
また、上記の実施形態に係る基板処理装置１００ｔは、各チャックピン７１Ａ，７１Ｂが、周縁部端面９３０に当接する端面当接面７１１と、基板９の周縁部上面９３２に当接する上側当接面７１２と、を備える。そして、制御部５が、基板９が複数の支持ピン６１から離間して第１および第２チャック部７１０Ａ，７１０Ｂで保持された状態を形成するにあたって、ガス供給部４に基板９の下方の空間へガスを供給させて基板９を浮上させることによって基板９を複数の支持ピン６１から離間させ、浮上している基板９を第１および第２チャック部７１０Ａ，７１０Ｂに保持させる。
【0227】
別の見方をすると、上記の実施形態に係る基板処理方法は、第１保持状態形成工程が、基板９の下方の空間へガスを供給して基板９を浮上させることによって基板９を複数の支持ピン６１から離間させる浮上工程（ステップＳ２０３）と、浮上している基板９を第１および第２チャック部７１０Ａ，７１０Ｂで保持する浮上基板保持工程（ステップＳ２０４）と、を備える。
【0228】
この構成によると、基板９がガスの圧力によって上方に付勢されつつ、第１および第２チャック部７１０Ａ，７１０Ｂに保持されるので、基板９の周縁部上面９３２に各チャックピン７１Ａ，７１Ｂの上側当接面７１２が当接し、これによって、第１および第２チャック部７１０Ａ，７１０Ｂで保持される基板９が所定の高さに位置決めされる。
【0229】
＜３．他の実施形態＞
各実施形態に係るチャックピン７１，７１Ａ，７１Ｂ，７２の形状は例示に過ぎず、適宜に変更されてもよい。
各実施形態に係るチャックピン７１，７１Ａ，７１Ｂ，７２の形状は例示に過ぎず、適宜に変更されてもよい。
【0230】
例えば、第１実施形態に係る第１チャックピン７１において、上側当接面７１２は必須ではない。すなわち、第１チャック部７１０で基板９を保持するにあたっては、第１チャックピン７１が、少なくとも端面当接面７１１において周縁部端面９３０に当接すればよく、周縁部上面９３２に当接する上側当接面７１２は必須ではない。
【0231】
具体的には例えば、図２０に示されるように、第１チャックピン７１ｓは、これが備える各突出部７１ｂのチャック当接面７１０１ｓが、第１チャックピン７１ｓが保持位置に配置された状態において、基板９の周縁部端面９３０に当接する端面当接面７１１ｓを備え、周縁部上面９３２に当接する面（上側当接面７１２に相当する面）を備えないものであってもよい。この場合も、端面当接面７１１ｓは、具体的には例えば、上下方向に沿って延在する面（つまり、対向面１１１となす角度がほぼ９０度であるような面）であり、側方から見て、対向面１１１上に水平姿勢で保持された基板９の周縁部端面９３０とほぼ平行に延在する。
【0232】
端面当接面７１１ｓは、例えば、上方から見て円弧状に湾曲する面であってもよい。つまり、端面当接面７１１ｓは、曲面であってもよい。具体的には例えば、突出部７１ｂは、円柱形状（ロッド状）であってもよい。あるいは、端面当接面７１１ｓは、例えば、上方から見て直線状に延在する面であってもよい。つまり、端面当接面７１１ｓは、平面であってもよい。具体的には例えば、突出部７１ｂは、角柱形状であってもよい。
【0233】
第１チャックピン７１ｓが、基板９の周縁部端面９３０に当接する端面当接面７１１ｓを備え、基板９の周縁部上面９３２に当接する上側当接面７１２を備えないものであれば、基板９と第１チャックピン７１ｓとの間の当接領域を十分に小さな領域とすることができる。
【0234】
また例えば、第１実施形態に係る第１チャックピン７１は、基板９の周縁部下面９３１に当接しない限りにおいて、突出部７１ｂあるいは基体部７１ａに各種の形状部分が設けられていてもよい。例えば、図２１に示されるように、第１チャックピン７１ｓが備える突出部７１ｂの基端部に、凸状の形状部分７１９ｓが設けられてもよい。第２実施形態に係る各チャックピン７１Ａ，７１Ｂにおいても同様である。
【0235】
また例えば、第１実施形態に係る第１チャックピン７１において、端面当接面７１１は上方から見て直線状に延在する面であってもよいし、上方から見て例えば円弧状に湾曲する面であってもよい。つまり、端面当接面７１１は、平面であってもよいし、曲面であってもよい。同様に、上側当接面７１２も、上方から見て直線状に延在する面であってもよいし、上方から見て例えば円弧状に湾曲する面であってもよい。つまり、上側当接面７１２は、平面であってもよいし、曲面であってもよい。第２実施形態に係る各チャックピン７１Ａ，７１Ｂにおいても同様である。
【0236】
同様に、第１実施形態に係る第２チャックピン７２において、下側当接面７２１、上側当接面７２２、および、湾曲当接面７２３、の各々は、上方から見て直線状に延在する面であってもよいし、上方から見て例えば円弧状に湾曲する面であってもよい。
【0237】
各実施形態に係るチャック部７１０，７１０Ａ，７１０Ｂ，７２０の構成は例示に過ぎず、適宜に変更されてもよい。
【0238】
例えば、第１実施形態に係る第１チャック部７１０が備える第１チャックピン７１の個数は、必ずしも３個でなくともよく、３個以上であれば何個であってもよい。第２チャック部７２０においても同様である。また、第２実施形態に係る各チャック部７１０Ａ，７１０Ｂにおいても同様である。
【0239】
また、第１実施形態に係る第１チャック部７１０が備える複数の第１チャックピン７１の形状は、互いに同じである必要はない。例えば、複数の第１チャックピン７１のうちの一部の第１チャックピン７１が、端面当接面７１１および上側当接面７１２を備える形状（図５）であり、残りの第１チャックピン７１が、端面当接面７１１を備え、上側当接面７１２を備えない形状（図２０）であってもよい。第２実施形態に係る各チャック部７１０Ａ，７１０Ｂにおいても同様である。
【0240】
また、第１実施形態に係る第１チャック部７１０で基板９を保持する際に（すなわち、第１チャックピン７１が保持位置に配置された状態において）、第１チャックピン７１の各突出部７１ｂの端面当接面７１１が、周縁部端面９３０を中心軸Ｊ１に向けて付勢する力（チャック力）は、適宜に規定することができる。第２実施形態に係る各チャック部７１０Ａ，７１０Ｂにおいても同様である。
【0241】
同様に、第１実施形態に係る第２チャック部７２０で基板９を保持する際に（すなわち、第２チャックピン７２が保持位置に配置された状態において）、第２チャックピン７２の各突出部７２ｂの湾曲当接面７２３が、周縁部端面９３０を中心軸Ｊ１に向けて付勢する力、下側当接面７２１が、周縁部下面９３１を上方に向けて付勢する力、および、上側当接面７２２が、周縁部上面９３２を下方に向けて付勢する力の各々も、適宜に規定することができる。
【0242】
基板処理装置１００，１００ｔにおいて行われる処理の流れも例示に過ぎず、適宜に変更されてもよい。
【0243】
例えば、第１実施形態に係る基板処理装置１００において、リンス処理が行われる間に、第１チャック部７１０と第２チャック部７２０との間での基板９の持ち替えが行われてもよい。同様に、第２実施形態に係る基板処理装置１００ｔにおいて、薬液処理または（および）リンス処理が行われる間に、第１チャック部７１０Ａと第２チャック部７１０Ｂとの間での基板９の持ち替えが行われてもよい。
【0244】
また例えば、第１実施形態に係る基板処理装置１００においては、基板９の回転数を上昇あるいは下降させる際には、第１チャック部７１０と第２チャック部７２０との両方で基板９を保持していたが、例えば、第１チャック部７１０が基板９を保持せず、第２チャック部７２０が基板９を保持する状態で、基板９の回転数を上昇あるいは下降させてもよい。また例えば、第２チャック部７２０が基板９を保持せず、第１チャック部７１０が基板９を保持する状態で、基板９の回転数を上昇あるいは下降させてもよい。
【0245】
また例えば、第１実施形態に係る基板処理装置１００においては、リンス処理が終了するよりも先に（すなわち、リンス液の供給を停止する工程（ステップＳ１１１：リンス液供給停止工程）の前に）、第１チャック部７１０で保持されている基板９を第２チャック部７２０でさらに保持する工程（ステップＳ１１０：第２保持状態形成工程）を行っていたが、この工程は、リンス処理が終了した後に行われてもよい。すなわち、リンス処理は、基板９が、第２チャック部７２０で保持されずに、第１チャック部７１０で保持されている状態で行われてもよい。
【0246】
もっとも、リンス処理が終了するよりも先に、第２チャック部７２０で基板９を保持する構成とすれば、リンス処理において、基板９が第２チャック部７２０で保持される状態となるので、基板９が安定して保持され、リンス処理を安定して行うことができる。また、リンス処理において、基板９が第１チャック部７１０と第２チャック部７２０との両方で基板９を保持される状態となるので、リンス処理において基板９に与える負荷を小さく抑えつつ基板９が位置ずれを起こすことを十分に抑制できる。
【0247】
基板処理装置１００，１００ｔが備えるその他の構成も例示に過ぎず、適宜に変更されてもよい。
【0248】
例えば、支持ピン６１の個数は、必ずしも６個でなくともよく、３個以上であれば何個であってもよい。もっとも、基板９がハンド部上から複数の支持ピン６１上に受け渡される際に、支持ピン６１のリフト案内面６１２でガイドすることによって、基板９のずれを十分に補正するためには、支持ピン６１は、４個以上設けられることが好ましい。また、第１および第２実施形態において、支持ピン６１の形状は例示に過ぎず、適宜に変更されてもよい。
【0249】
また、チャック切替機構７３の構成は、適宜に変更されてもよい。例えば、チャック切替機構７３は、回動磁石７３１ａ，７３１ｂと閉塞磁石７３２ａ，７３２ｂとの間の磁気的反発力によってチャックピン７１，７２，７１Ｂを保持位置に配置するものであってもよい。また例えば、回動磁石７３１ａ，７３１ｂと開放磁石７３３ａ，７３３ｂとの間の磁気的反発力によってチャックピン７１，７２，７１Ｂを開放位置に配置するものであってもよい。また、チャック切替機構７３は、必ずしも、磁石の位置関係を変更することによって各チャックピン７１，７２，７１Ｂの位置を切り替えるものでなくてよい。例えば、チャック切替機構７３は、モータの駆動力を、ボールねじ機構、ラックアンドピニオン機構、リンク機構、などを通じて各チャックピン７１，７２（７１Ａ，７１Ｂ）に伝達することによって、各チャックピン７１，７２（７１Ａ，７１Ｂ）の位置を切り替えるものであってもよい。
【0250】
また、上記の各実施形態においては、ピン昇降機構６２、第１磁石昇降機構７３４ａ、および、第２磁石昇降機構７３４ｂは、エアシリンダを用いるものであったが、これらは、例えば、モータなどを用いるものであってもよい。
【0251】
また、上記の各実施形態においては、第１処理液としての薬液と、第２処理液としてのリンス液とが、同じ処理液ノズル３１から吐出されるものとしたが、薬液を吐出する薬液ノズルと、リンス液を吐出するリンス液ノズルとが別個に設けられてもよい。また、基板９の第２主面９２に処理液が供給される際に、ブラシなどを用いた洗浄が行われてもよい。
【0252】
また、上記の各実施形態において、基板処理装置１００，１００ｔにおいて処理対象とされる基板９は、必ずしも半導体基板でなくともよい。例えば、処理対象とされる基板９は、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、などであってもよい。また、処理対象とされる基板９の形状も、上記に例示したものに限られるものではない。例えば、処理対象とされる基板９の形状は、矩形状であってもよい。
【0253】
以上のように、基板処理装置および基板処理方法は詳細に説明されたが、上記の説明は、全ての局面において例示であって、基板処理装置および基板処理方法がこれ限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記の各実施形態、および、上記の各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。
【符号の説明】
【0254】
１００，１００ｔ 基板処理装置
１ 基板保持部
２ 基板回転機構
３ 処理液供給部
４ ガス供給部
５ 制御部
６ 支持部
６１ 支持ピン
６２ ピン昇降機構
７，７ｔ チャック部
７１０ 第１チャック部
７１ 第１チャックピン
７１１ 端面当接面
７１２ 上側当接面
７２０ 第２チャック部
７２ 第２チャックピン
７２１ 下側当接面
７２２ 上側当接面
７２３ 湾曲当接面
７１０Ａ 第１チャック部
７１Ａ 第１チャックピン
７１０Ｂ 第２チャック部
７１Ｂ 第２チャックピン
９ 基板
９１ 第１主面
９２ 第２主面
９３ 周縁部
９３０ 周縁部端面
９３１ 周縁部下面
９３２ 周縁部上面
１ 基板保持部
２ 基板回転機構
３ 処理液供給部
４ ガス供給部
５ 制御部
６ 支持部
６１ 支持ピン
６２ ピン昇降機構
７，７ｔ チャック部
７１０ 第１チャック部
７１ 第１チャックピン
７１１ 端面当接面
７１２ 上側当接面
７２０ 第２チャック部
７２ 第２チャックピン
７２１ 下側当接面
７２２ 上側当接面
７２３ 湾曲当接面
７１０Ａ 第１チャック部
７１Ａ 第１チャックピン
７１０Ｂ 第２チャック部
７１Ｂ 第２チャックピン
９ 基板
９１ 第１主面
９２ 第２主面
９３ 周縁部
９３０ 周縁部端面
９３１ 周縁部下面
９３２ 周縁部上面
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】