特開 2024-64691 表示装置及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024064691

(43)【公開日】2024-05-14

(54)【発明の名称】表示装置及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/22 20060101AFI20240507BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20240507BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20240507BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20240507BHJP

   H05B 33/26 20060101ALI20240507BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20240507BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240507BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20240507BHJP

【ＦＩ】

H05B33/22 Z

H05B33/14 A

H01L27/32

H05B33/12 B

H05B33/26 Z

H05B33/10

G09F9/30 365

G09F9/00 338

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022173456

(22)【出願日】2022-10-28

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】福田 加一

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107BB08

3K107CC04

3K107DD24

3K107DD29

3K107DD44X

3K107DD44Y

3K107DD89

3K107DD95

3K107FF15

3K107GG28

5C094AA10

5C094AA43

5C094BA03

5C094BA27

5C094DA13

5C094FA01

5C094FA02

5C094FB01

5C094FB12

5C094FB15

5C094GB01

5C094HA05

5C094HA08

5C094JA08

5G435AA01

5G435AA14

5G435BB05

5G435FF11

5G435HH12

5G435HH14

5G435KK05

5G435LL04

5G435LL07

5G435LL08

5G435LL17

(57)【要約】

【課題】発光効率を向上することが可能な表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施形態によれば、第１金属材料で形成された第１下地電極と、第１下地電極と重なる開口を有するリブと、リブの上に配置された導電性の下部及び下部の側面から突出する上部を含む隔壁と、第１金属材料とは異なる第２金属材料で形成され下部から離間し開口に配置され第１下地電極と電気的に接続された第１下電極と、第１色の光を放つように構成され第１下電極を覆う第１有機層と、第１有機層の上に配置され下部に接触する第１上電極と、を備え、リブは、第１無機絶縁材料で形成され第１下地電極の周縁部を覆う第１リブ層と、第１無機絶縁材料とは異なる第２無機絶縁材料で形成され下部と第１リブ層との間に配置された第２リブ層と、を備え、第１下電極の周縁部は第１リブ層の上に位置し、下部及び第１リブ層は第２リブ層の側面から突出し、下部の幅は第１リブ層の幅よりも小さい。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
第１金属材料で形成され、前記基板の上方に配置された第１下地電極と、
前記第１下地電極と重なる開口を有するリブと、
前記リブの上に配置された導電性の下部及び前記下部の側面から突出する上部を含む隔壁と、
前記第１金属材料とは異なる第２金属材料で形成され、前記下部から離間し、前記開口に配置され、前記第１下地電極と電気的に接続された第１下電極と、
第１色の光を放つように構成され、前記第１下電極を覆う第１有機層と、
前記第１有機層の上に配置され、前記下部に接触する第１上電極と、を備え、
前記リブは、
第１無機絶縁材料で形成され、前記第１下地電極の周縁部を覆う第１リブ層と、
前記第１無機絶縁材料とは異なる第２無機絶縁材料で形成され、前記下部と前記第１リブ層との間に配置された第２リブ層と、を備え、
前記第１下電極の周縁部は、前記第１リブ層の上に位置し、
前記下部及び前記第１リブ層５１は、前記第２リブ層の側面から突出し、
前記下部の幅は、前記第１リブ層の幅よりも小さい、表示装置。

【請求項2】

前記第２リブ層の厚さは、前記第１下電極の厚さよりも大きい、請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記第２リブ層の厚さは、前記第１下電極及び前記第１有機層の合計厚さよりも小さい、請求項２に記載の表示装置。

【請求項4】

前記第１リブ層、前記第２リブ層、及び、前記下部で囲まれた隙間は、前記第１有機層で塞がれている、請求項１に記載の表示装置。

【請求項5】

前記第１下電極の一部は、前記上部の上に位置し、前記開口に配置された部分から離間している、請求項１に記載の表示装置。

【請求項6】

前記第１無機絶縁材料は、シリコン酸化物又はシリコン酸窒化物であり、
前記第２無機絶縁材料は、シリコン窒化物である、請求項１に記載の表示装置。

【請求項7】

前記第１金属材料は、アルミニウム又はアルミニウム合金であり、
前記第２金属材料は、銀である、請求項１に記載の表示装置。

【請求項8】

前記第１下電極は、前記第１下地電極に接触している、請求項１に記載の表示装置。

【請求項9】

さらに、
前記第１下地電極と前記第１下電極との間に介在する第１中間電極を備え、
前記第１中間電極の周縁部は、前記第１リブ層の上に位置し、
前記第１中間電極は、前記第２金属材料とは異なる第３金属材料で形成されている、請求項１に記載の表示装置。

【請求項10】

前記第３金属材料は、アルミニウム又はアルミニウム合金である、請求項９に記載の表示装置。

【請求項11】

さらに、
前記基板の上方に配置され、前記第１下地電極から離間し、前記第１金属材料で形成された第２下地電極及び第３下地電極と、
前記第２下地電極と電気的に接続され、前記第２金属材料で形成された第２下電極と、
前記第１色とは異なる第２色の光を放つように構成され、前記第２下電極を覆う第２有機層と、
前記第３下地電極と電気的に接続され、前記第２金属材料で形成された第３下電極と、
前記第１色及び前記第２色とは異なる第３色の光を放つように構成され、前記第３下電極を覆う第３有機層と、を備え、
前記第２下電極の厚さは、前記第３下電極の厚さとは異なる、請求項１に記載の表示装置。

【請求項12】

前記第１色は、前記第２色よりも長波長の色であり、
前記第２色は、前記第３色よりも長波長の色であり、
前記第１下電極の厚さは、前記第２下電極の厚さと同等、あるいは、前記第２下電極の厚さより大きく、
前記第２下電極の厚さは、前記第３下電極の厚さより大きい、請求項１１に記載の表示装置。

【請求項13】

前記第１下地電極、前記第２下地電極、及び、前記第３下地電極の各々の厚さは、５０ｎｍ以上である、請求項１２に記載の表示装置。

【請求項14】

前記第３下電極の厚さは、１０ｎｍ以上である、請求項１２に記載の表示装置。

【請求項15】

前記第３下電極の厚さは、前記第３下地電極の厚さより小さい、請求項１２に記載の表示装置。

【請求項16】

前記第２下電極の厚さは、前記第２下地電極の厚さと同等、あるいは、前記第２下地電極の厚さより小さい、請求項１２に記載の表示装置。

【請求項17】

基板の上方に第１金属材料で金属層を形成し、
前記金属層をパターニングして、第１下地電極を形成し、
第１無機絶縁材料で前記第１下地電極を覆う第１絶縁層を形成し、
前記第１絶縁層の上に、前記第１無機絶縁材料とは異なる第２無機絶縁材料で第２絶縁層を形成し、
前記第２絶縁層の上に位置する導電性の下部及び前記下部の側面から突出する上部を含む隔壁を形成し、
前記第２絶縁層のうち前記下部から露出した部分を除去するとともに、前記第２絶縁層の幅を低減して、前記下部よりも幅が小さい第２リブ層を形成し、
前記隔壁の前記上部をマスクとした異方性ドライエッチングを行い、前記第１絶縁層の一部を除去して、前記第１下地電極と重なる開口を有するとともに前記第２リブ層よりも幅が大きい第１リブ層を形成し、
前記第１金属材料とは異なる第２金属材料を蒸着して、前記第１下地電極と電気的に接続された第１下電極を形成し、
前記第１下電極の上に第１有機層を形成し、
前記第１有機層の上に位置し、前記下部に接触する第１上電極を形成する、表示装置の製造方法。

【請求項18】

前記第１金属材料は、アルミニウム又はアルミニウム合金であり、
前記第２金属材料は、銀である、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。

【請求項19】

前記第１下電極を形成する前に、前記第２金属材料とは異なる第３金属材料を蒸着して、前記第１下地電極の上に第１中間電極を形成する、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。

【請求項20】

前記第１下電極及び前記第１有機層の形成は、真空環境下で連続して実施される、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置およびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。

【0003】

上記のような表示装置において、表示素子の発光効率を向上させる技術が必要とされている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報

【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報

【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報

【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報

【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報

【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号

【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の目的は、発光効率を向上することが可能な表示装置及びその製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一実施形態によれば、表示装置は、
基板と、第１金属材料で形成され、前記基板の上方に配置された第１下地電極と、前記第１下地電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に配置された導電性の下部及び前記下部の側面から突出する上部を含む隔壁と、前記第１金属材料とは異なる第２金属材料で形成され、前記下部から離間し、前記開口に配置され、前記第１下地電極と電気的に接続された第１下電極と、第１色の光を放つように構成され、前記第１下電極を覆う第１有機層と、前記第１有機層の上に配置され、前記下部に接触する第１上電極と、を備え、前記リブは、第１無機絶縁材料で形成され、前記第１下地電極の周縁部を覆う第１リブ層と、前記第１無機絶縁材料とは異なる第２無機絶縁材料で形成され、前記下部と前記第１リブ層との間に配置された第２リブ層と、を備え、前記第１下電極の周縁部は、前記第１リブ層の上に位置し、前記下部及び前記第１リブ層は、前記第２リブ層の側面から突出し、前記下部の幅は、前記第１リブ層の幅よりも小さい。

【0007】

一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
基板の上方に第１金属材料で金属層を形成し、前記金属層をパターニングして、第１下地電極を形成し、第１無機絶縁材料で前記第１下地電極を覆う第１絶縁層を形成し、前記第１絶縁層の上に、前記第１無機絶縁材料とは異なる第２無機絶縁材料で第２絶縁層を形成し、前記第２絶縁層の上に位置する導電性の下部及び前記下部の側面から突出する上部を含む隔壁を形成し、前記第２絶縁層のうち前記下部から露出した部分を除去するとともに、前記第２絶縁層の幅を低減して、前記下部よりも幅が小さい第２リブ層を形成し、前記隔壁の前記上部をマスクとした異方性ドライエッチングを行い、前記第１絶縁層の一部を除去して、前記第１下地電極と重なる開口を有するとともに前記第２リブ層よりも幅が大きい第１リブ層を形成し、前記第１金属材料とは異なる第２金属材料を蒸着して、前記第１下地電極と電気的に接続された第１下電極を形成し、前記第１下電極の上に第１有機層を形成し、前記第１有機層の上に位置し、前記下部に接触する第１上電極を形成する。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、一実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。

【図2】図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。

【図3】図３は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの一構成例を示す断面図である。

【図4】図４は、反射率のシミュレーション結果を示す図である。

【図5】図５は、図４に示した結果を波長域毎にまとめた図である。

【図6】図６は、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３に適用し得る層構造の一例を示す図である。

【図7】図７は、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３の間の隔壁６とその近傍を拡大した概略的な断面図である。

【図8】図８は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。

【図9】図９は、表示装置ＤＳＰの製造工程を示す概略的な断面図である。

【図10】図１０は、図９に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図11】図１１は、図１０に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図12】図１２は、図１１に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図13】図１３は、図１２に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図14】図１４は、図１３に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図15】図１５は、図１４に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図16】図１６は、図１５に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図17】図１７は、図１６に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図18】図１８は、図１７に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図19】図１９は、図１８に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図20】図２０は、図１９に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図21】図２１は、表示装置ＤＳＰの他の構成例を示す断面図である。

【図22】図２２は、図２１に示した表示装置ＤＳＰの製造工程を示す概略的な断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0010】

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

【0011】

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

【0012】

図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

【0013】

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

【0014】

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、青の副画素ＳＰ１、緑の副画素ＳＰ２、及び、赤の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

【0015】

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥと、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

【0016】

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。

【0017】

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

【0018】

表示素子ＤＥは、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。

【0019】

周辺領域ＳＡには、詳述しないが、ＩＣチップやフレキシブルプリント回路基板を接続するための端子が設けられている。

【0020】

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。

【0021】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

【0022】

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

【0023】

表示領域ＤＡには、リブ５が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。

【0024】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、表示素子ＤＥとして、それぞれ表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を備えている。
表示素子ＤＥ１は、平面視において開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下地電極ＢＥ１、下電極ＬＥ１、有機層ＯＲ１、及び、上電極ＵＥ１を含む。有機層ＯＲ１は、青波長域の光を放つ発光層を含む。下地電極ＢＥ１及び下電極ＬＥ１は、互いに電気的に接続されている。
表示素子ＤＥ２は、平面視において開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下地電極ＢＥ２、下電極ＬＥ２、有機層ＯＲ２、及び、上電極ＵＥ２を含む。有機層ＯＲ２は、緑波長域の光を放つ発光層を含む。下地電極ＢＥ２及び下電極ＬＥ２は、互いに電気的に接続されている。
表示素子ＤＥ３は、平面視において開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下地電極ＢＥ３、下電極ＬＥ３、有機層ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ３を含む。有機層ＯＲ３は、赤波長域の光を放つ発光層を含む。下地電極ＢＥ３及び下電極ＬＥ３は、互いに電気的に接続されている。

【0025】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の境界には、隔壁６が配置されている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。図２の例においては、第１隔壁６ｘ及び第２隔壁６ｙは、互いに接続されている。これにより、隔壁６は、全体として表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のそれぞれにおいて開口を有するということもできる。

【0026】

図２において、下地電極ＢＥ１、ＢＥ２、ＢＥ３の外形、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３の外形、及び、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は、点線で示しているが、下地電極、下電極、有機層、上電極のそれぞれの外形は、正確な形状を反映したものとは限らない。

【0027】

下地電極ＢＥ１、ＢＥ２、ＢＥ３のそれぞれの周縁部、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のそれぞれの周縁部、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３のそれぞれの周縁部、及び、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３のそれぞれの周縁部は、平面視においてリブ５に重なっている。

【0028】

下地電極ＢＥ１、ＢＥ２、ＢＥ３、及び、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子のカソード、あるいは、共通電極に相当する。

【0029】

下地電極ＢＥ１及び下電極ＬＥ１は、副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）と電気的に接続されている。下地電極ＢＥ２及び下電極ＬＥ２は、副画素ＳＰ２の画素回路１と電気的に接続されている。下地電極ＢＥ３及び下電極ＬＥ３は、副画素ＳＰ３の画素回路１と電気的に接続されている。

【0030】

図２の例においては、下地電極ＢＥ１と重なる開口ＡＰ１の面積、下地電極ＢＥ２と重なる開口ＡＰ２の面積、及び、下地電極ＢＥ３と重なる開口ＡＰ３の面積は、互いに異なる。
すなわち、開口ＡＰ２の面積は開口ＡＰ１の面積よりも小さく、開口ＡＰ３の面積は開口ＡＰ２の面積よりも小さい。換言すると、開口ＡＰ２から露出した下地電極ＢＥ２の面積は開口ＡＰ１から露出した下地電極ＢＥ１の面積よりも小さく、開口ＡＰ３から露出した下地電極ＢＥ３の面積は開口ＡＰ２から露出した下地電極ＢＥ２の面積よりも小さい。

【0031】

図３は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの一構成例を示す断面図である。
回路層１１は、基板１０の上に配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１などの各種回路と、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種配線と、を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する有機絶縁層である。

【0032】

下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３は、絶縁層１２の上に配置され、互いに離間している。下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３は、絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じて副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のそれぞれの画素回路１に接続されている。

【0033】

リブ５は、第１リブ層５１と、第２リブ層５２と、を備えている。第１リブ層５１は、絶縁層１２の上に配置され、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３の周縁部を覆っている。下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３のうち、互いに隣接する下地電極の間では、絶縁層１２が第１リブ層５１で覆われている。第２リブ層５２は、第１リブ層５１の上に配置されている。第２リブ層５２の幅は、第１リブ層５１の幅より小さい。

【0034】

リブ５の開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３は、第１リブ層５１に形成された貫通孔に相当する。開口ＡＰ１は下地電極ＢＥ１に重なり、開口ＡＰ２は下地電極ＢＥ２に重なり、開口ＡＰ３は下地電極ＢＥ３に重なっている。

【0035】

隔壁６は、第２リブ層５２の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２と、を含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。

【0036】

下電極ＬＥ１は、開口ＡＰ１を通じて下地電極ＢＥ１に接触し、開口ＡＰ１から露出した下地電極ＢＥ１を覆うとともに、その周縁部が第１リブ層５１の上に位置している。下電極ＬＥ１は、下部６１から離間している。有機層ＯＲ１は、下電極ＬＥ１に接触し、下電極ＬＥ１を覆っている。有機層ＯＲ１の周縁部は、下電極ＬＥ１の外側に位置し、リブ５の上に位置している。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。

【0037】

下電極ＬＥ２は、開口ＡＰ２を通じて下地電極ＢＥ２に接触し、開口ＡＰ２から露出した下地電極ＢＥ２を覆うとともに、その周縁部が第１リブ層５１の上に位置している。下電極ＬＥ２は、下部６１から離間している。有機層ＯＲ２は、下電極ＬＥ２に接触し、下電極ＬＥ２を覆っている。有機層ＯＲ２の周縁部は、下電極ＬＥ２の外側に位置し、リブ５の上に位置している。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下部６１に接触している。

【0038】

下電極ＬＥ３は、開口ＡＰ３を通じて下地電極ＢＥ３に接触し、開口ＡＰ３から露出した下地電極ＢＥ３を覆うとともに、その周縁部が第１リブ層５１の上に位置している。下電極ＬＥ３は、下部６１から離間している。有機層ＯＲ３は、下電極ＬＥ３に接触し、下電極ＬＥ３を覆っている。有機層ＯＲ３の周縁部は、下電極ＬＥ３の外側に位置し、リブ５の上に位置している。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下部６１に接触している。

【0039】

図３の例においては、副画素ＳＰ１はキャップ層ＣＰ１及び封止層ＳＥ１を有し、副画素ＳＰ２はキャップ層ＣＰ２及び封止層ＳＥ２を有し、副画素ＳＰ３はキャップ層ＣＰ３及び封止層ＳＥ３を有している。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３から放たれた光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。

【0040】

キャップ層ＣＰ１は、上電極ＵＥ１の上に配置された透明層ＴＬ１１と、透明層ＴＬ１１の上に配置された透明層ＴＬ１２と、を有している。透明層ＴＬ１２の屈折率は、透明層ＴＬ１１の屈折率よりも小さい。

【0041】

キャップ層ＣＰ２は、上電極ＵＥ２の上に配置された透明層ＴＬ２１と、透明層ＴＬ２１の上に配置された透明層ＴＬ２２と、を有している。透明層ＴＬ２２の屈折率は、透明層ＴＬ２１の屈折率よりも小さい。

【0042】

キャップ層ＣＰ３は、上電極ＵＥ３の上に配置された透明層ＴＬ３１と、透明層ＴＬ３１の上に配置された透明層ＴＬ３２と、を有している。透明層ＴＬ３２の屈折率は、透明層ＴＬ３１の屈折率よりも小さい。

【0043】

このように、透明層ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１は、キャップ層の高屈折率層に相当する。一方、透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２は、キャップ層の低屈折率層に相当する。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、３層以上の積層体であってもよい。また、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は省略されてもよい。

【0044】

封止層ＳＥ１は、透明層ＴＬ１２の上に配置され、隔壁６に接触している。つまり、封止層ＳＥ１は、下電極ＬＥ１、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１を含む表示素子ＤＥ１やその周囲の隔壁６を連続的に覆っている。一例では、封止層ＳＥ１の屈折率は、透明層ＴＬ１２の屈折率より大きい。

【0045】

封止層ＳＥ２は、透明層ＴＬ２２の上に配置され、隔壁６に接触している。つまり、封止層ＳＥ２は、下電極ＬＥ２、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２を含む表示素子ＤＥ２やその周囲の隔壁６を連続的に覆っている。一例では、封止層ＳＥ２の屈折率は、透明層ＴＬ２２の屈折率より大きい。

【0046】

封止層ＳＥ３は、透明層ＴＬ３２の上に配置され、隔壁６に接触している。つまり、封止層ＳＥ３は、下電極ＬＥ３、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３を含む表示素子ＤＥ３やその周囲の隔壁６を連続的に覆っている。一例では、封止層ＳＥ３の屈折率は、透明層ＴＬ３２の屈折率より大きい。

【0047】

図３の例においては、下電極ＬＥ１、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１の一部は、副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６の上に位置している。これらの部分は、下電極ＬＥ１、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１のうち開口ＡＰ１に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）から離間している。
同様に、下電極ＬＥ２、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２の一部は、副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６の上に位置している。これらの部分は、下電極ＬＥ２、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２のうち開口ＡＰ２に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）から離間している。
同様に、下電極ＬＥ３、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３の一部は、副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６の上に位置している。これらの部分は、下電極ＬＥ３、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３のうち開口ＡＰ３に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）から離間している。

【0048】

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の端部は、隔壁６の上に位置している。図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ１，ＳＥ２の端部同士が離間し、副画素ＳＰ２，ＳＰ３間の隔壁６の上に位置する封止層ＳＥ２，ＳＥ３の端部同士が離間している。

【0049】

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１４によって覆われている。樹脂層１４は、封止層１５によって覆われている。封止層１５の上にさらに樹脂層が配置されてもよい。

【0050】

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３、及び、封止層１５は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機絶縁材料で形成されている。なお、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３、及び、封止層１５は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）などの他の無機絶縁材料で形成されてもよい。

【0051】

第１リブ層５１及び第２リブ層５２は、互いに異なる無機絶縁材料で形成されている。第１リブ層５１は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの第１無機絶縁材料で形成されている。第２リブ層５２は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの第２無機絶縁材料で形成されている。

【0052】

有機層ＯＲ１は、発光層ＥＭＬ１を含む。
有機層ＯＲ２は、発光層ＥＭＬ２を含む。
有機層ＯＲ３は、発光層ＥＭＬ３を含む。
発光層ＥＭＬ１、発光層ＥＭＬ２、及び、発光層ＥＭＬ３は、互いに異なる材料で形成されている。一例では、発光層ＥＭＬ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭＬ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭＬ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。

【0053】

上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。

【0054】

隔壁６の下部６１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）によって形成されている。下部６１は、アルミニウム－ネオジム（ＡｌＮｄ）などのアルミニウム合金によって形成されてもよいし、アルミニウム層とアルミニウム合金層の積層構造を有してもよい。さらに、下部６１は、アルミニウム層またはアルミニウム合金層の下に、アルミニウムやアルミニウム合金とは異なる金属材料で形成された薄膜を有してもよい。このような薄膜は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、モリブデン－タングステン合金（ＭｏＷ）、モリブデン－ニオブ合金（ＭｏＮｂ）などで形成することができる。

【0055】

隔壁６の上部６２は、例えばチタン（Ｔｉ）などの金属材料で形成された薄膜と、ＩＴＯなどの導電性酸化物で形成された薄膜との積層構造を有している。上部６２は、チタンなどの金属材料の単層構造を有してもよい。
隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。

【0056】

下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３は、第１金属材料で形成された金属電極であり、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの酸化物導電層を含まない。第１金属材料は、アルミニウム又はアルミニウム合金である。

【0057】

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、第１金属材料とは異なる第２金属材料で形成された金属電極であり、ＩＴＯなどの酸化物導電層を含まない。第２金属材料は、銀である。

【0058】

つまり、開口ＡＰ１においては、有機層ＯＲ１の直下に酸化物導電層が存在しない。また、異種金属で形成された下地電極ＢＥ１及び下電極ＬＥ１の積層体は、有機層ＯＲ１の発光層ＥＭＬ１から放たれた光を反射する反射電極として機能する。
同様に、開口ＡＰ２においては、有機層ＯＲ２の直下に酸化物導電層が存在しない。また、異種金属で形成された下地電極ＢＥ２及び下電極ＬＥ２の積層体は、有機層ＯＲ２の発光層ＥＭＬ２から放たれた光を反射する反射電極として機能する。
同様に、開口ＡＰ３においては、有機層ＯＲ３の直下に酸化物導電層が存在しない。また、異種金属で形成された下地電極ＢＥ３及び下電極ＬＥ３の積層体は、有機層ＯＲ３の発光層ＥＭＬ３から放たれた光を反射する反射電極として機能する。

【0059】

開口ＡＰ１における下電極ＬＥ１の厚さ（下地電極ＢＥ１と有機層ＯＲ１との間の基板１０の法線に沿った距離）Ｔ１、開口ＡＰ２における下電極ＬＥ２の厚さ（下地電極ＢＥ２と有機層ＯＲ２との間の基板１０の法線に沿った距離）Ｔ２、及び、開口ＡＰ３における下電極ＬＥ３の厚さ（下地電極ＢＥ３と有機層ＯＲ３との間の基板１０の法線に沿った距離）Ｔ３は、互いに異なる。
一例では、厚さＴ２は厚さＴ１よりも大きく、厚さＴ３は厚さＴ２よりも大きい。なお、厚さＴ３は厚さＴ２と同等であってもよい（Ｔ１＜Ｔ２≦Ｔ３）。

【0060】

このような表示装置において、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１のうちの発光層ＥＭＬ１が青波長域の光を放つ。
下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２との間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２のうちの発光層ＥＭＬ２が緑波長域の光を放つ。
下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３との間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３のうちの発光層ＥＭＬ３が赤波長域の光を放つ。

【0061】

発光層ＥＭＬ１からの青光のうち、下電極ＬＥ１に向かう青光は、下地電極ＢＥ１及び下電極ＬＥ１の積層体である反射電極によって反射される。このとき、有機層ＯＲ１と反射電極との間にＩＴＯ層が存在しないため、ＩＴＯ層による青光の不所望な吸収が抑制される。特に、ＩＴＯ層の光吸収率は、青波長域で高いため、青光の損失が大きい。このため、発光効率を向上することができる。なお、ここでの発光効率とは、表示装置ＤＳＰの正面方向での単位電流当たりの輝度（電流輝度効率）に相当する。

【0062】

発光層ＥＭＬ２からの緑光のうち、下電極ＬＥ２に向かう緑光は、下地電極ＢＥ２及び下電極ＬＥ２の積層体である反射電極によって反射される。このとき、有機層ＯＲ２と反射電極との間にＩＴＯ層が存在しないため、ＩＴＯ層による緑光の不所望な吸収が抑制される。

【0063】

発光層ＥＭＬ３からの赤光のうち、下電極ＬＥ３に向かう赤光は、下地電極ＢＥ３及び下電極ＬＥ３の積層体である反射電極によって反射される。このとき、有機層ＯＲ３と反射電極との間にＩＴＯ層が存在しないため、ＩＴＯ層による赤光の不所望な吸収が抑制される。

【0064】

次に、下地電極及び下電極の厚さと反射率との関係について説明する。

【0065】

図４は、反射率のシミュレーション結果を示す図である。
横軸は波長（ｎｍ）であり、縦軸は反射率（％）である。
図中のＲ１は、銀層を省略し、無機絶縁層の上に厚さ１００ｎｍのアルミニウム層が位置する場合の結果を示している。
図中のＲ２は、銀層を省略し、無機絶縁層の上に厚さ５０ｎｍのアルミニウム層が位置する場合の結果を示している。
図中のＲ３は、銀層を省略し、無機絶縁層の上に厚さ３０ｎｍのアルミニウム層が位置する場合の結果を示している。

【0066】

図中のＲ４は、無機絶縁層の上に厚さ５０ｎｍのアルミニウム層が位置し、アルミニウム層の上に厚さ１０ｎｍの銀層が位置する場合の結果を示している。
図中のＲ５は、無機絶縁層の上に厚さ５０ｎｍのアルミニウム層が位置し、アルミニウム層の上に厚さ２０ｎｍの銀層が位置する場合の結果を示している。
図中のＲ６は、無機絶縁層の上に厚さ５０ｎｍのアルミニウム層が位置し、アルミニウム層の上に厚さ３０ｎｍの銀層が位置する場合の結果を示している。
図中のＲ７は、無機絶縁層の上に厚さ５０ｎｍのアルミニウム層が位置し、アルミニウム層の上に厚さ４０ｎｍの銀層が位置する場合の結果を示している。
図中のＲ８は、無機絶縁層の上に厚さ５０ｎｍのアルミニウム層が位置し、アルミニウム層の上に厚さ５０ｎｍの銀層が位置する場合の結果を示している。

【0067】

図中のＲ９は、無機絶縁層の上に厚さ１００ｎｍの銀層が位置し、アルミニウム層を省略した場合の結果を示している。
図中のＲ１０は、無機絶縁層の上に厚さ５０ｎｍの銀層が位置し、アルミニウム層を省略した場合の結果を示している。

【0068】

なお、ここでの無機絶縁層は、シリコン酸化物層である。また、最上層のアルミニウム層または銀層の表面は、空気に接しているものとする。

【0069】

一例として、発光層ＥＭＬ１が放つ光の青波長域は、４５０ｎｍ～４７０ｎｍであり、その中心波長（ピーク）が４６０ｎｍである。
発光層ＥＭＬ２が放つ光の緑波長域は、５２０ｎｍ～５４０ｎｍであり、その中心波長（ピーク）が５３０ｎｍである。
発光層ＥＭＬ３が放つ光の赤波長域は、６１０ｎｍ～６３０ｎｍであり、その中心波長（ピーク）が６２０ｎｍである。

【0070】

アルミニウム層単層の場合に着目すると、アルミニウム層の厚さが１００ｎｍの場合（Ｒ１）、及び、５０ｎｍの場合（Ｒ２）には、アルミニウム層の厚さが３０ｎｍの場合（Ｒ３）と比較して、高い反射率が得られることが確認された。また、厚さが５０ｎｍ以上の場合には、ほぼ同等の反射率が得られることも確認された。したがって、下地電極としてアルミニウム層を適用する場合、下地電極の厚さは、５０ｎｍ以上とすることが望ましい。

【0071】

銀層単層の場合に着目すると、銀層の厚さが１００ｎｍの場合（Ｒ９）、及び、５０ｎｍの場合（Ｒ１０）には、青波長域における反射率が低いことが確認された。

【0072】

アルミニウム層及び銀層の積層体の場合に着目すると、いずれの場合（Ｒ４～Ｒ８）にも、アルミニウム層単層の場合、及び、銀層単層の場合と比較して、青波長域、緑波長域、及び、赤波長域でそれぞれ高い反射率が得られることが確認された。したがって、下地電極（アルミニウム層）及び下電極（銀層）の積層体を反射電極として適用する場合、下電極の厚さは、１０ｎｍ以上であることが望ましい。

【0073】

図５は、図４に示した結果を波長域毎にまとめた図である。
横軸は、厚さ５０ｎｍのアルミニウム層の上に積層した銀層の厚さ（ｎｍ）である。
縦軸は、反射率（％）である。

【0074】

横軸の厚さが０ｎｍの場合は、銀層を省略し、厚さ５０ｎｍのアルミニウム層単層の場合に相当する。また、横軸の厚さが１００ｎｍの場合は、アルミニウム層を省略し、厚さが１００ｎｍの銀層単層の場合に相当する。

【0075】

青波長域の中心波長（４６０ｎｍ）の反射率Ｒｂに着目すると、銀層の厚さが１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下の範囲で高い反射率が得られることが確認された。下地電極（アルミニウム層）ＢＥ１及び下電極（銀層）ＬＥ１の積層体においては、下電極ＬＥ１の厚さは、下地電極ＢＥ１の厚さより小さい。

【0076】

緑波長域の中心波長（５３０ｎｍ）の反射率Ｒｇに着目すると、銀層の厚さが３０ｎｍ以上の範囲で高い反射率が得られることが確認された。なお、製造工程の効率化を図る観点では、銀層の厚さは５０ｎｍ以下とすることが望ましい。下地電極（アルミニウム層）ＢＥ２及び下電極（銀層）ＬＥ２の積層体においては、下電極ＬＥ２の厚さは、下地電極ＢＥ２の厚さと同等、あるいは、下地電極ＢＥ２の厚さより小さい。

【0077】

赤波長域の中心波長（６２０ｎｍ）の反射率Ｒｒに着目すると、銀層の厚さが４０ｎｍ以上の範囲で高い反射率が得られることが確認された。なお、製造工程の効率化を図る観点では、銀層の厚さは６０ｎｍ以下とすることが望ましい。

【0078】

図６は、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３に適用し得る層構造の一例を示す図である。

【0079】

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、電子ブロッキング層ＥＢＬ、発光層ＥＭＬ、正孔ブロッキング層ＨＢＬ、電子輸送層ＥＴＬ、及び、電子注入層ＥＩＬを第３方向Ｚに順に積層した構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の発光層ＥＭＬを含んだいわゆるタンデム構造を有してもよい。

【0080】

表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の光取り出し効率を高める観点からは、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の厚さを発光層ＥＭＬが放つ光の波長に応じて調整することが好ましい。一例では、図３に示した有機層ＯＲ１の厚さＴ１１、有機層ＯＲ２の厚さＴ１２、及び、有機層ＯＲ３の厚さＴ１３は、互いに異なる。具体的には、厚さＴ１２は厚さＴ１１よりも大きく、厚さＴ１３は厚さＴ１２よりも大きい（Ｔ１１＜Ｔ１２＜Ｔ１３）。このような厚さＴ１１，Ｔ１２，Ｔ１３の相違は、例えば有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３のそれぞれにおける正孔輸送層ＨＴＬの厚さが異なることで生じるが、この例に限られない。

【0081】

図７は、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３の間の隔壁６とその近傍を拡大した概略的な断面図である。なお、図７では、樹脂層１４及び封止層１５の図示を省略している。

【0082】

ここでは、第１リブ層５１と隔壁６の下部６１との間に配置された第２リブ層５２に着目する。第２リブ層５２は、一対の側面ＳＦ１を有している。
隔壁６の延出方向に直交する断面において、第２リブ層５２の幅は、第１リブ層５１の幅より小さく、また、下部６１の幅より小さい。また、下部６１の幅は、第１リブ層５１の幅より小さい。ここでの下部６１の幅とは、下部６１のうち、第２リブ層５２と対向する下面の幅に相当する。
このため、第１リブ層５１は、第２リブ層５２の各側面ＳＦ１から突出している。また、第１リブ層５１の上面の一部は、第２リブ層５２から露出し、下部６１よりも副画素ＳＰ２及びＳＰ３に向かってそれぞれ延出している。第２リブ層５２は、第１リブ層５１のほぼ中央に重なっている。つまり、図示した断面において、第２リブ層５２を挟んだ両側において、第２リブ層５２から露出した第１リブ層５１の上面の幅はほぼ等しい。
また、下部６１は、第２リブ層５２の各側面ＳＦ１から突出している。図示した断面において、第２リブ層５２を挟んだ両側において、第２リブ層５２から突出した下部６１の下面の幅はほぼ等しい。

【0083】

下部６１は、一対の側面ＳＦ２を有している。上部６２は、これら側面ＳＦ２よりも隔壁６の幅方向に突出している。なお、隔壁６の幅方向とは、図２に示した第１隔壁６ｘについては第２方向Ｙに相当し、第２隔壁６ｙについては第１方向Ｘに相当する。

【0084】

下電極ＬＥ３の厚さは、上部６２の直下において、下部６１に近づくに連れて減少している。下電極ＬＥ３の端部は、第１リブ層５１の上に位置し、下部６１の側面ＳＦ２から離間している。なお、第２リブ層５２が無機絶縁層であるため、下電極ＬＥ３の端部は、第２リブ層５２に接触していてもよいし、第２リブ層５２から離間していてもよい。

【0085】

有機層ＯＲ３は、下電極ＬＥ３の全体を覆っている。
有機層ＯＲ３は、下電極ＬＥ３に接触する第１層Ｌ１と、第１層Ｌ１を覆う第２層Ｌ２と、を有している。図６に示した各層のうち、少なくとも正孔注入層ＨＩＬが第１層Ｌ１に含まれ、第１層Ｌ１に含まれないものが第２層Ｌ２に含まれる。一例では、第１層Ｌ１は正孔注入層ＨＩＬによって構成され、第２層Ｌ２は正孔輸送層ＨＴＬ、電子ブロッキング層ＥＢＬ、発光層ＥＭＬ、正孔ブロッキング層ＨＢＬ、電子輸送層ＥＴＬ、及び、電子注入層ＥＩＬによって構成される。

【0086】

下電極ＬＥ３と下部６１との間においては、有機層ＯＲ３は、リブ５に接触している。第１リブ層５１、第２リブ層５２、及び、下部６１で囲まれた隙間Ｇは、有機層ＯＲ３で塞がれている。なお、隙間Ｇは、有機層ＯＲ３で完全に満たされていなくてもよい。

【0087】

図７の例においては、第２層Ｌ２は、下部６１に接触しているが、第１層Ｌ１は、下部６１に接触していない。これにより、第１層Ｌ１に含まれる正孔注入層ＨＩＬを介した不所望な電流リークが抑制される。

【0088】

上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３の第２層Ｌ２を全体的に覆っている。さらに、上電極ＵＥ３は、下部６１の側面ＳＦ２に接触している。つまり、上電極ＵＥ３は、下部６１と電気的に接続されている。

【0089】

副画素ＳＰ３に面する側面ＳＦ２のうち、上電極ＵＥ３で覆われていない領域は、封止層ＳＥ３によって覆われている。封止層ＳＥ３は、上部６２の下面を覆うとともに、上部６２の上に配置された下電極ＬＥ３、有機層ＯＲ３の第１層Ｌ１及び第２層Ｌ２、上電極ＵＥ３、透明層ＴＬ３１、及び、透明層ＴＬ３２の積層体も連続的に覆っている。

【0090】

下電極ＬＥ３は、上電極ＵＥ３との短絡を回避するために、下部６１から離間している必要がある。そこで、第２リブ層５２の厚さＴａ（あるいは、第１リブ層５１から隔壁６の下部６１までの隙間Ｇの高さ）は、下電極ＬＥ３の厚さＴｂ（図３に示した厚さＴ３に相当する）よりも大きいことが好ましい（Ｔａ＞Ｔｂ）。
これにより、下電極ＬＥ３と下部６１との接触を抑制することができる。一例では、厚さＴａが６０ｎｍであり、厚さＴｂが４０ｎｍである。隙間Ｇの奥行、すなわち側面ＳＦ１からの下部６１の突出長さは、例えば厚さＴａと同等である。
なお、下電極ＬＥ１の厚さＴ１、及び、下電極ＬＥ２の厚さＴ２は、図３を参照して説明したように、いずれも下電極ＬＥ３の厚さＴ３より小さい。このため、厚さＴａは、厚さＴ１よりも大きく、また、厚さＴ２よりも大きい（Ｔａ＞Ｔ１、Ｔａ＞Ｔ２）。

【0091】

有機層ＯＲ３の正孔注入層ＨＩＬも、上記の通り、電流リークを抑制するために、下部６１から離間している必要がある。そこで、厚さＴａは、下電極ＬＥ３及び正孔注入層ＨＩＬの合計厚さ（あるいは、下電極ＬＥ３及び第１層Ｌ１の合計厚さ）Ｔｃよりも大きいことが好ましい（Ｔａ＞Ｔｃ）。これにより、正孔注入層ＨＩＬと下部６１との接触を抑制することができる。

【0092】

一方で、上電極ＵＥ３は、下部６１と確実に電気的に接続されるために、下部６１に接触している必要がある。そこで、厚さＴａは、下電極ＬＥ３及び有機層ＯＲ３の合計厚さＴｄよりも小さいことが好ましい（Ｔａ＜Ｔｄ）。これにより、隙間Ｇが有機層ＯＲ３で塞がれやすくなる。隙間Ｇが有機層ＯＲ３で塞がれていることで、有機層ＯＲ３の上の上電極ＵＥ３は、隙間Ｇによって途切れることなく側面ＳＦ２に接触する。

【0093】

なお、厚さＴｂ，Ｔｃ，Ｔｄは、例えば下電極ＬＥ３及び有機層ＯＲ３のうち厚さが減少する端部近傍を除いた部分の平均的な厚さである。

【0094】

図７に示す下地電極ＢＥ２、下電極ＬＥ２、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、及び、封止層ＳＥ２の構成は、下地電極ＢＥ３、下電極ＬＥ３、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３の構成と同様である。また、下地電極ＢＥ１、下電極ＬＥ１、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１も、下地電極ＢＥ３、下電極ＬＥ３、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３の構成と同様である。

【0095】

次に、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。
図８は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。図９乃至図２０は、それぞれ表示装置ＤＳＰの製造工程の一部を示す概略的な断面図である。図１１乃至図２０においては、基板１０及び回路層１１を省略している。

【0096】

表示装置ＤＳＰを製造するにあたっては、先ず基板１０の上に回路層１１及び絶縁層１２が形成される（工程Ｐ１）。

【0097】

その後、絶縁層１２の上に、下地電極ＢＥ１、ＢＥ２、ＢＥ３が形成される（工程Ｐ２）。具体的には、図９に示すように、絶縁層１２の上に第１金属材料で金属層Ｍ１を形成する。第１金属材料は、例えばアルミニウムであるが、アルミニウム合金であってもよい。

【0098】

続いて、図１０に示すように、金属層Ｍ１をパターニングして、互いに離間した下地電極ＢＥ１、ＢＥ２、ＢＥ３を形成する。下地電極ＢＥ１は副画素ＳＰ１に位置し、下地電極ＢＥ２は副画素ＳＰ２に位置し、下地電極ＢＥ３は副画素ＳＰ３に位置している。ここでのパターニングは、金属層Ｍ１の上に所定の形状のレジストを形成する工程と、このレジストをマスクとしたドライエッチングにより金属層Ｍ１の一部を除去する工程と、レジストを剥離する工程と、を含む。

【0099】

その後、隔壁６が形成され（工程Ｐ３）、リブ５の開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３が形成される（工程Ｐ４）。具体的には以下の通りである。

【0100】

まず、図１１に示すように、絶縁層１２及び下地電極ＢＥ１、ＢＥ２、ＢＥ３を覆うように、第１絶縁層ＩＬ１が形成される。第１絶縁層ＩＬ１は、例えば、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、第１無機絶縁材料の一例であるシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）で形成されるが、シリコン酸化物で形成されてもよい。

【0101】

その後、第１絶縁層ＩＬ１の上に、第２絶縁層ＩＬ２が形成される。第２絶縁層ＩＬ２は、例えば、ＣＶＤにより、第２無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮ）で形成される。

【0102】

その後、図１２に示すように、第２絶縁層ＩＬ２の上に、下部６１の基となる金属層Ｍ１１が形成され、金属層Ｍ１１の上に、上部６２の基となる薄膜Ｍ１２が形成される。さらに、隔壁６の形状に応じたレジストＲ１が薄膜Ｍ１２の上に形成される。

【0103】

その後、図１３に示すように、薄膜Ｍ１２のうちレジストＲ１から露出した部分がウェットエッチングにより除去される。これにより、上部６２が形成される。

【0104】

続いて、図１４に示すように、異方性のドライエッチング及び等方性のウェットエッチングが行われ、金属層Ｍ１１のうちレジストＲ１から露出した部分が除去される。これにより、下部６１が形成される。

【0105】

工程Ｐ３の後、第１絶縁層ＩＬ１及び第２絶縁層ＩＬ２がパターニングされる。具体的には、まず、図１５に示すように、等方性のドライエッチングが行われ、第２絶縁層ＩＬ２のうち下部６１から露出した部分が除去される。さらに、このドライエッチングにおいては、下部６１の直下に位置する第２絶縁層ＩＬ２のサイドエッチングが進行し、第２絶縁層ＩＬ２の幅が下部６１の幅よりも低減される。これにより、図１５に示した形状の第２リブ層５２が形成される。その後、レジストＲ１が除去される。
なお、図１５に示したドライエッチングに際して、第２絶縁層ＩＬ２を形成する第２無機絶縁材料のエッチングレートは、第１絶縁層ＩＬ１を形成する第１無機絶縁材料のエッチングレートより高い。このため、第２絶縁層ＩＬ２のエッチングが進行する一方で、第１絶縁層ＩＬ１へのエッチングはほとんど進行しない。

【0106】

その後、図１６に示すように、下地電極ＢＥ１と重なる開口ＡＰ１、下地電極ＢＥ２と重なる開口ＡＰ２、及び、下地電極ＢＥ３と重なる開口ＡＰ３が形成される。一例では、隔壁６の上部６２をマスクとして利用した異方性のドライエッチングが行われ、第１絶縁層ＩＬ１の一部が除去される。これにより、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有するとともに、第２リブ層５２よりも幅が大きい第１リブ層５１が形成される。

【0107】

なお、他の例として、第２リブ層５２及び隔壁６を個別に覆うレジストを形成した後に、異方性のドライエッチングを行い、第１絶縁層ＩＬ１のうちレジストから露出した部分が除去され、その後、レジストを除去することで、開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有する第１リブ層５１が形成されてもよい。

【0108】

なお、リブ５の開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３が形成された後に、隔壁６が形成されてもよい。

【0109】

工程Ｐ４の後、表示素子ＤＥ１が形成される（工程Ｐ５）。具体的には、図１７に示すように、下地電極ＢＥ１、ＢＥ２、ＢＥ３及び隔壁６の上に、第２金属材料を蒸着して、下電極ＬＥ１が形成される（工程Ｐ１１）。第２金属材料は、銀である。

【0110】

その後、下電極ＬＥ１の上に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などの各層を形成するための材料を順次蒸着して、有機層ＯＲ１が形成される（工程Ｐ１２）。

【0111】

その後、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、上電極ＵＥ１が形成される（工程Ｐ１３）。

【0112】

その後、上電極ＵＥ１の上に、高屈折率材料を蒸着して、透明層ＴＬ１１が形成される。さらに、透明層ＴＬ１１の上に、低屈折率材料を蒸着して、透明層ＴＬ１２が形成される。これにより、キャップ層ＣＰ１が形成される（工程Ｐ１４）。さらに、透明層ＴＬ１２及び隔壁６を覆うように、封止層ＳＥ１が形成される（工程Ｐ１５）。封止層ＳＥ１は、ＣＶＤにより、シリコン窒化物（ＳｉＮ）で形成される。

【0113】

下電極ＬＥ１、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、透明層ＴＬ１１、透明層ＴＬ１２、及び、封止層ＳＥ１は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ１だけでなく副画素ＳＰ２，ＳＰ３にも配置されている。下電極ＬＥ１、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、透明層ＴＬ１１、及び、透明層ＴＬ１２は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。下電極ＬＥ１は下部６１から離間し、上電極ＵＥ１は下部６１の側面に接触している。封止層ＳＥ１は、下電極ＬＥ１、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、透明層ＴＬ１１、及び、透明層ＴＬ１２を含む表示素子ＤＥ１や隔壁６を連続的に覆っている。

【0114】

下電極ＬＥ１、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、透明層ＴＬ１１、及び、透明層ＴＬ１２がそれぞれ蒸着によって形成される際に、蒸着源から放たれた材料は、上部６２によって遮られる。このため、上部６２の上には、下電極ＬＥ１、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、透明層ＴＬ１１、及び、透明層ＴＬ１２のそれぞれの一部が積層される。

【0115】

少なくとも工程Ｐ１１，Ｐ１２、好ましくは工程Ｐ１１乃至Ｐ１５は、真空環境下で連続して実施される。すなわち、少なくとも工程Ｐ１１の開始から工程Ｐ１２の完了までの間、これら工程の処理対象である基板の周囲が継続して真空に維持されている。したがって、工程Ｐ１１にて形成された下電極ＬＥ１は、大気に触れることなく工程Ｐ１２にて有機層ＯＲ１の最下層（例えば正孔注入層ＨＩＬ）によって覆われる。

【0116】

工程Ｐ１５の後、図１８に示すように、封止層ＳＥ１の上にレジストＲ１１が配置される（工程Ｐ１６）。レジストＲ１１は、副画素ＳＰ１及びその周囲の隔壁６の一部を覆っている。その後、レジストＲ１１をマスクとして、封止層ＳＥ１、透明層ＴＬ１２、透明層ＴＬ１１、上電極ＵＥ１、有機層ＯＲ１、及び、下電極ＬＥ１が順次パターニングされる（工程Ｐ１７）。このパターニング工程は、封止層ＳＥ１、透明層ＴＬ１２、透明層ＴＬ１１、上電極ＵＥ１、有機層ＯＲ１、及び、下電極ＬＥ１のうち、レジストＲ１１から露出した部分を順次除去するためのドライエッチング及びウェットエッチングを含む。

【0117】

工程Ｐ１７の後、レジストＲ１１が剥離液によって除去されるとともに、アッシングによってレジストＲ１１などの残渣が除去される（工程Ｐ１８）。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１及び封止層ＳＥ１が形成され、副画素ＳＰ２の下地電極ＢＥ２及び副画素ＳＰ３の下地電極ＢＥ３が露出する。

【0118】

表示素子ＤＥ１の形成後、図１９に示すように、表示素子ＤＥ２が形成される（工程Ｐ６）。表示素子ＤＥ２を形成する手順は、工程Ｐ１１乃至Ｐ１８と同様である。すなわち、工程Ｐ１１乃至Ｐ１５と同様に、下地電極ＢＥ２の上に、下電極ＬＥ２、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、透明層ＴＬ２１、及び、透明層ＴＬ２２が蒸着によって順に形成され、封止層ＳＥ２がＣＶＤによって形成される。少なくとも下電極ＬＥ２及び有機層ＯＲ２は、真空環境下で連続して形成される。このため、下電極ＬＥ２は、大気に触れることなく有機層ＯＲ２によって覆われる。

【0119】

その後、工程Ｐ１６と同様に、封止層ＳＥ２の上にレジストが配置される。その後、工程Ｐ１７と同様に、封止層ＳＥ２、透明層ＴＬ２２、透明層ＴＬ２１、上電極ＵＥ２、有機層ＯＲ２、及び、下電極ＬＥ２が順次パターニングされる。このパターニングの後、工程Ｐ１８と同様に、レジストが除去される。

【0120】

以上の工程を経ると、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２及び封止層ＳＥ２が形成され、副画素ＳＰ３の下地電極ＢＥ３が露出する。

【0121】

表示素子ＤＥ２の形成後、図２０に示すように、表示素子ＤＥ３が形成される（工程Ｐ７）。表示素子ＤＥ３を形成する手順は、工程Ｐ１１乃至Ｐ１８と同様である。すなわち、工程Ｐ１１乃至Ｐ１５と同様に、下地電極ＢＥ３の上に、下電極ＬＥ３、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、透明層ＴＬ３１、及び、透明層ＴＬ３２が蒸着によって順に形成され、封止層ＳＥ３がＣＶＤによって形成される。少なくとも下電極ＬＥ３及び有機層ＯＲ３は、真空環境下で連続して形成される。このため、下電極ＬＥ３は、大気に触れることなく有機層ＯＲ３によって覆われる。

【0122】

その後、工程Ｐ１６と同様に、封止層ＳＥ３の上にレジストが配置される。その後、工程Ｐ１７と同様に、封止層ＳＥ３、透明層ＴＬ３２、透明層ＴＬ３１、上電極ＵＥ３、有機層ＯＲ３、及び、下電極ＬＥ３が順次パターニングされる。このパターニングの後、工程Ｐ１８と同様に、レジストが除去される。

【0123】

以上の工程を経ると、副画素ＳＰ３に表示素子ＤＥ３及び封止層ＳＥ３が形成される。

【0124】

工程Ｐ７の後、図３に示した樹脂層１４及び封止層１５が順に形成される（工程Ｐ８）。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。なお、以上の製造工程においては、最初に表示素子ＤＥ１が形成され、次に表示素子ＤＥ２が形成され、最後に表示素子ＤＥ３が形成される場合を想定したが、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の形成順はこの例に限られない。

【0125】

本実施形態によれば、下電極ＬＥ１及び有機層ＯＲ１は、真空環境下で連続した蒸着によって形成される。下電極ＬＥ２及び有機層ＯＲ２、また、下電極ＬＥ３及び有機層ＯＲ３についても同様に、真空環境下で連続した蒸着によって形成される。この場合には、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の表面は、大気や薬液に晒されない。このため、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のダメージが緩和され、反射電極としての反射率の低下が抑制される。

【0126】

また、下電極ＬＥ１と有機層ＯＲ１との間、下電極ＬＥ２と有機層ＯＲ２との間、下電極ＬＥ３と有機層ＯＲ３との間において、ＩＴＯ層が省略されることにより、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が放つ光の吸収が抑制される。さらに、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上面の変質が抑制されるため、良好な正孔注入特性を確保することができる。

【0127】

したがって、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の発光効率が向上する。

【0128】

さらに、本実施形態においては、隔壁６の直下に配置されたリブ５は、第１リブ層５１と、第１リブ層５１と隔壁６との間に配置された第２リブ層５２と、を備える。また、隔壁６の下部６１は、第２リブ層５２の側面ＳＦ１から突出している。このような構成においては、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の下部６１への接触が抑制される。仮に、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の蒸着時にこれらの材料が下部６１の側面ＳＦ２に付着したとしても、その付着した部分は、隙間Ｇにより、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３にそれぞれ接触する下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３とは分断される。したがって、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３と下部６１との短絡を確実に抑制することができる。また、このような短絡を抑制しつつも、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３を下部６１に近づけることができるので、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の面積（発光領域の面積）を広く確保することができる。

【0129】

次に、他の構成例について説明する。

【0130】

図２１は、表示装置ＤＳＰの他の構成例を示す断面図である。
図２１に示す構成例は、図３に示した構成例と比較して、下地電極ＢＥ１と下電極ＬＥ１との間に中間電極ＭＥ１が介在し、下地電極ＢＥ２と下電極ＬＥ２との間に中間電極ＭＥ２が介在し、下地電極ＢＥ３と下電極ＬＥ３との間に中間電極ＭＥ３が介在している点で相違している。以下、主な相違点を中心に説明する。

【0131】

表示素子ＤＥ１において、中間電極ＭＥ１は、開口ＡＰ１を通じて下地電極ＢＥ１に接触し、開口ＡＰ１から露出した下地電極ＢＥ１を覆うとともに、その周縁部が第１リブ層５１の上に位置している。下電極ＬＥ１は、中間電極ＭＥ１と重なっている。有機層ＯＲ１は、中間電極ＭＥ１及び下電極ＬＥ１の積層体を覆っている。有機層ＯＲ１の周縁部は、中間電極ＭＥ１及び下電極ＬＥ１の外側に位置し、第１リブ層５１の上に位置している。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下部６１に接触している。

【0132】

表示素子ＤＥ２において、中間電極ＭＥ２は、開口ＡＰ２を通じて下地電極ＢＥ２に接触し、開口ＡＰ２から露出した下地電極ＢＥ２を覆うとともに、その周縁部が第１リブ層５１の上に位置している。下電極ＬＥ２は、中間電極ＭＥ２と重なっている。有機層ＯＲ２は、中間電極ＭＥ２及び下電極ＬＥ２の積層体を覆っている。有機層ＯＲ２の周縁部は、中間電極ＭＥ２及び下電極ＬＥ２の外側に位置し、第１リブ層５１の上に位置している。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下部６１に接触している。

【0133】

表示素子ＤＥ３において、中間電極ＭＥ３は、開口ＡＰ３を通じて下地電極ＢＥ３に接触し、開口ＡＰ３から露出した下地電極ＢＥ３を覆うとともに、その周縁部が第１リブ層５１の上に位置している。下電極ＬＥ３は、中間電極ＭＥ３と重なっている。有機層ＯＲ３は、中間電極ＭＥ３及び下電極ＬＥ３の積層体を覆っている。有機層ＯＲ３の周縁部は、中間電極ＭＥ３及び下電極ＬＥ３の外側に位置し、第１リブ層５１の上に位置している。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下部６１に接触している。

【0134】

中間電極ＭＥ１，ＭＥ２，ＭＥ３は、第２金属材料とは異なる第３金属材料で形成された金属電極であり、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの酸化物導電層を含まない。第３金属材料は、アルミニウム又はアルミニウム合金である。

【0135】

中間電極ＭＥ１，ＭＥ２，ＭＥ３の各々の厚さは、５０ｎｍ以上であることが望ましい。あるいは、下地電極ＢＥ１及び中間電極ＭＥ１の厚さの総和、下地電極ＢＥ２及び中間電極ＭＥ２の厚さの総和、及び、下地電極ＢＥ３及び中間電極ＭＥ３の厚さの総和は、５０ｎｍ以上であることが望ましい。

【0136】

このような構成例においても、開口ＡＰ１においては、有機層ＯＲ１の直下にＩＴＯ層などの酸化物導電層が存在しない。下地電極ＢＥ１、中間電極ＭＥ１、及び、下電極ＬＥ１の積層体は、有機層ＯＲ１の発光層ＥＭＬ１から放たれた光を反射する反射電極として機能する。

【0137】

同様に、開口ＡＰ２においては、有機層ＯＲ２の直下に酸化物導電層が存在しない。下地電極ＢＥ２、中間電極ＭＥ２、及び、下電極ＬＥ２の積層体は、有機層ＯＲ２の発光層ＥＭＬ２から放たれた光を反射する反射電極として機能する。

【0138】

同様に、開口ＡＰ３においては、有機層ＯＲ３の直下に酸化物導電層が存在しない。下地電極ＢＥ３、中間電極ＭＥ３、及び、下電極ＬＥ３の積層体は、有機層ＯＲ３の発光層ＥＭＬ３から放たれた光を反射する反射電極として機能する。

【0139】

次に、上記の表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。
ここで説明する製造方法は、上記の構成例における製造方法と比較して、図８に示した工程Ｐ５において、下電極ＬＥ１を形成する前に、中間電極ＭＥ１を形成する工程が追加された点で相違している。

【0140】

具体的には、図２２に示すように、下地電極ＢＥ１、ＢＥ２、ＢＥ３及び隔壁６の上に、第３金属材料を蒸着し、中間電極ＭＥ１が形成される。第３金属材料は、アルミニウムであるが、アルミニウム合金であってもよい。その後、中間電極ＭＥ１の上に、第２金属材料を蒸着して、下電極ＬＥ１が形成される（工程Ｐ１１）。第２金属材料は、銀である。

【0141】

その後、下電極ＬＥ１の上に、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などの各層を形成するための材料を順次蒸着して、有機層ＯＲ１が形成される（工程Ｐ１２）。

【0142】

その後、有機層ＯＲ１の上に、マグネシウム及び銀の混合物を蒸着して、上電極ＵＥ１が形成される（工程Ｐ１３）。

【0143】

その後、上電極ＵＥ１の上に、高屈折率材料を蒸着して、透明層ＴＬ１１が形成され、さらに、透明層ＴＬ１１の上に、低屈折率材料を蒸着して、透明層ＴＬ１２が形成される。これにより、キャップ層ＣＰ１が形成される（工程Ｐ１４）。さらに、透明層ＴＬ１２及び隔壁６を覆うように、封止層ＳＥ１が形成される（工程Ｐ１５）。封止層ＳＥ１は、ＣＶＤにより、シリコン窒化物（ＳｉＮ）で形成される。

【0144】

その後、封止層ＳＥ１の上にレジストＲ１１が配置される（工程Ｐ１６）。その後、レジストＲ１１をマスクとして、封止層ＳＥ１、透明層ＴＬ１２、透明層ＴＬ１１、上電極ＵＥ１、有機層ＯＲ１、及び、下電極ＬＥ１が順次パターニングされる（工程Ｐ１７）。その後、レジストＲ１１が除去される（工程Ｐ１８）。

【0145】

その後、表示素子ＤＥ２が形成され（工程Ｐ６）、表示素子ＤＥ３が形成される（工程Ｐ７）。その後、樹脂層１４及び封止層１５が順に形成される（工程Ｐ８）。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。

【0146】

このような構成例によれば、上記の構成例と同様の効果が得られる。加えて、たとえ下地電極が製造過程でダメージを受けたとしても、下電極を形成する直前に下地電極と同一材料で中間電極を形成するため、反射電極の反射率の低下を抑制することができる。

【0147】

上記の実施形態において、例えば、赤波長域の色が第１色に相当し、緑波長域の色が第２色に相当し、青波長域の色が第３色に相当するものとする。
下地電極ＢＥ３は第１下地電極に相当し、下地電極ＢＥ２は第２下地電極に相当し、下地電極ＢＥ１は第３下地電極に相当する。
下電極ＬＥ３は第１下電極に相当し、下電極ＬＥ２は第２下電極に相当し、下電極ＬＥ１は第３下電極に相当する。
有機層ＯＲ３は第１有機層に相当し、有機層ＯＲ２は第２有機層に相当し、有機層ＯＲ１は第３有機層に相当する。
上電極ＵＥ３は第１上電極に相当し、上電極ＵＥ２は第２上電極に相当し、上電極ＵＥ１は第３上電極に相当する。
中間電極ＭＥ３は第１中間電極に相当し、中間電極ＭＥ２は第２中間電極に相当し、中間電極ＭＥ１は第３中間電極に相当する。

【0148】

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置及びその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

【0149】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0150】

また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0151】

ＤＳＰ…表示装置
１０…基板 １２…絶縁層
５…リブ ５１…第１リブ層 ５２…第２リブ層 ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素
ＤＥ，ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３…下地電極
ＭＥ１，ＭＥ２，ＭＥ３…中間電極
ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極
ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極
ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層
ＳＥ１，ＳＥ２、ＳＥ３…封止層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】