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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024064743
(43)【公開日】2024-05-14
(54)【発明の名称】受動部品およびパッケージ部品
(51)【国際特許分類】
H01F 27/06 20060101AFI20240507BHJP
H01F 17/00 20060101ALI20240507BHJP
H01F 27/29 20060101ALI20240507BHJP
H01G 2/06 20060101ALI20240507BHJP
H01G 4/40 20060101ALI20240507BHJP
H01F 27/00 20060101ALI20240507BHJP
H01F 27/02 20060101ALI20240507BHJP
H01F 27/32 20060101ALI20240507BHJP
H01G 4/33 20060101ALI20240507BHJP
【ＦＩ】
H01F27/06 103
H01F17/00 B
H01F27/29 120
H01G2/06 500
H01G4/40 321A
H01F27/00 S
H01F27/02 120
H01F27/32 103
H01G4/33 102
【審査請求】未請求
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022173555
(22)【出願日】2022-10-28
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100145403
【弁理士】
【氏名又は名称】山尾 憲人
(74)【代理人】
【識別番号】100132252
【弁理士】
【氏名又は名称】吉田 環
(74)【代理人】
【識別番号】100189555
【弁理士】
【氏名又は名称】徳山 英浩
(72)【発明者】
【氏名】吉岡 由雅
(72)【発明者】
【氏名】豊島 健司
(72)【発明者】
【氏名】水野 孝昭
(72)【発明者】
【氏名】中磯 俊幸
【テーマコード（参考）】
5E070
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E070AA01
5E070AA05
5E070AB10
5E070CB02
5E070CB12
5E070DA11
5E070DB02
5E070DB08
5E082DD07
(57)【要約】
【課題】モールド時の応力を緩和しつつ性能の低下を抑制できる受動部品を提供する。
【解決手段】受動部品は、互いに対向する第１主面および第２主面を有し、半導体材料を含む無機基板と、前記無機基板の前記第１主面に接触するように前記第１主面上に設けられた受動素子部とを備え、
前記第１主面全体における重心を通過し、前記第１主面に直交する平面における断面を第１断面としたとき、
前記第１断面において、
前記無機基板は、前記第１主面に接続し互いに対向する第１側面および第２側面を有し、前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さは、それぞれ、前記第１主面の線粗さよりも大きい。
【選択図】図２
【解決手段】受動部品は、互いに対向する第１主面および第２主面を有し、半導体材料を含む無機基板と、前記無機基板の前記第１主面に接触するように前記第１主面上に設けられた受動素子部とを備え、
前記第１主面全体における重心を通過し、前記第１主面に直交する平面における断面を第１断面としたとき、
前記第１断面において、
前記無機基板は、前記第１主面に接続し互いに対向する第１側面および第２側面を有し、前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さは、それぞれ、前記第１主面の線粗さよりも大きい。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
互いに対向する第１主面および第２主面を有し、半導体材料を含む無機基板と、
前記無機基板の前記第１主面に接触するように前記第１主面上に設けられた受動素子部と
を備え、
前記第１主面全体における重心を通過し、前記第１主面に直交する平面における断面を第１断面としたとき、
前記第１断面において、
前記無機基板は、前記第１主面に接続し互いに対向する第１側面および第２側面を有し、前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さは、それぞれ、前記第１主面の線粗さよりも大きい、受動部品。
前記無機基板の前記第１主面に接触するように前記第１主面上に設けられた受動素子部と
を備え、
前記第１主面全体における重心を通過し、前記第１主面に直交する平面における断面を第１断面としたとき、
前記第１断面において、
前記無機基板は、前記第１主面に接続し互いに対向する第１側面および第２側面を有し、前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さは、それぞれ、前記第１主面の線粗さよりも大きい、受動部品。
【請求項2】
前記第１断面において、前記第２主面の線粗さは、前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さよりも小さい、請求項１に記載の受動部品。
【請求項3】
前記受動素子部は、コンデンサ素子とインダクタ素子を含み、
前記コンデンサ素子は、前記無機基板の前記第１主面上に設けられ、前記インダクタ素子は、前記コンデンサ素子上に設けられる、請求項１または２に記載の受動部品。
前記コンデンサ素子は、前記無機基板の前記第１主面上に設けられ、前記インダクタ素子は、前記コンデンサ素子上に設けられる、請求項１または２に記載の受動部品。
【請求項4】
前記第１断面において、
前記受動素子部は、前記第１主面に接触する第３主面と、前記第３主面に接続し互いに対向する第３側面および第４側面とを有し、
前記第３側面の線粗さおよび前記第４側面の線粗さは、それぞれ、前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さよりも小さい、請求項１または２に記載の受動部品。
前記受動素子部は、前記第１主面に接触する第３主面と、前記第３主面に接続し互いに対向する第３側面および第４側面とを有し、
前記第３側面の線粗さおよび前記第４側面の線粗さは、それぞれ、前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さよりも小さい、請求項１または２に記載の受動部品。
【請求項5】
前記受動素子部は、インダクタ素子を含むと共に、有機樹脂からなる本体部を有し、
前記本体部は、前記第３側面および前記第４側面を有する、請求項４に記載の受動部品。
前記本体部は、前記第３側面および前記第４側面を有する、請求項４に記載の受動部品。
【請求項6】
前記第１側面の線粗さと前記第２側面の線粗さは、異なる、請求項１または２に記載の受動部品。
【請求項7】
前記第２側面は、一部に、前記第１主面に直交する方向に対して傾斜し前記第２主面に接続する傾斜面を有する、請求項１または２に記載の受動部品。
【請求項8】
前記第２側面は、さらに、前記第１主面に直交する方向に延在し前記第１主面に接続する垂直面を有し、前記傾斜面は、前記垂直面と前記第２主面の間に接続される、請求項７に記載の受動部品。
【請求項9】
前記傾斜面は、前記第１主面から前記第２主面に向かうにつれて前記第１側面に近づく方向に傾斜するように形成されている、請求項７に記載の受動部品。
【請求項10】
前記受動素子部は、コンデンサ素子の少なくとも一部を含み、
前記コンデンサ素子の少なくとも一部は、前記第１主面に平行な方向に延在するコンデンサ電極と、前記コンデンサ電極と前記無機基板の間に配置され前記無機基板の元素を少なくとも１つ以上含む誘電膜とを有する、請求項１または２に記載の受動部品。
前記コンデンサ素子の少なくとも一部は、前記第１主面に平行な方向に延在するコンデンサ電極と、前記コンデンサ電極と前記無機基板の間に配置され前記無機基板の元素を少なくとも１つ以上含む誘電膜とを有する、請求項１または２に記載の受動部品。
【請求項11】
前記無機基板は、前記半導体材料からなる半導体よりも電気抵抗が低い低抵抗部を有し、前記低抵抗部は、前記受動素子部と電気的に接続されている、請求項１または２に記載の受動部品。
【請求項12】
前記受動素子部は、有機樹脂からなる本体部を有し、
前記本体部は、前記第１主面に接触する第３主面と、前記第３主面に対向する第４主面とを有し、
前記第４主面の線粗さは、前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さよりも小さい、請求項１または２に記載の受動部品。
前記本体部は、前記第１主面に接触する第３主面と、前記第３主面に対向する第４主面とを有し、
前記第４主面の線粗さは、前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さよりも小さい、請求項１または２に記載の受動部品。
【請求項13】
前記第１主面の線粗さは、０．５μｍ以下であり、
前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さは、それぞれ、０．２μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１または２に記載の受動部品。
前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さは、それぞれ、０．２μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１または２に記載の受動部品。
【請求項14】
前記第１主面の線粗さは、前記第２主面の線粗さよりも大きい、請求項１または２に記載の受動部品。
【請求項15】
前記第１主面の線粗さは、前記第２主面の線粗さよりも小さい、請求項１または２に記載の受動部品。
【請求項16】
前記受動素子部は、有機樹脂からなる本体部を有し、
前記本体部の厚みは、前記無機基板の厚みよりも薄い、請求項１または２に記載の受動部品。
前記本体部の厚みは、前記無機基板の厚みよりも薄い、請求項１または２に記載の受動部品。
【請求項17】
実装基板と、
前記実装基板上に配置された請求項１または２に記載の受動部品と、
前記実装基板上に設けられ、前記受動部品を覆う封止部材と
を備え、
前記封止部材は、前記受動部品の前記無機基板の前記第１側面および前記第２側面に接触する、パッケージ部品。
前記実装基板上に配置された請求項１または２に記載の受動部品と、
前記実装基板上に設けられ、前記受動部品を覆う封止部材と
を備え、
前記封止部材は、前記受動部品の前記無機基板の前記第１側面および前記第２側面に接触する、パッケージ部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、受動部品およびパッケージ部品に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、スマートフォンやパソコンなどの電子部品の小型、高性能化に伴いより電子部品の高集積が進んでいる。ＳｉP(System in Package)などでは半導体部品と同時に受動部品も一緒に封止部材によりモールドすることなどで小型化を図っている。このように、半導体部品や受動部品などの電子部品を封止部材によりモールドする際、電子部品に角部があるとその部分に応力が集中し、封止部材と電子部品の間の剥離が生じ、または、電子部品が変形することなどが懸念される。
【0003】
例えば、従来、電子部品として、特開２００３－１５８０９７号公報（特許文献１）に記載されたものがある。この電子部品では、基板の主面に形成された金属層と基板の側面から主面にかけて形成された側面金属層とが接続されている。側面金属層が形成されている基板の側面の主面側のエッジ部は、斜めに形成されている。基板の主面には、素子となるＦＥＴ構造が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２００３－１５８０９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところで、前記従来のような電子部品では、基板の側面の主面側にエッジ部を設けることでモールド時の応力を緩和しているが、一方、エッジ部を設けることで基板の主面の面積が小さくなり、素子を設ける領域が小さくなって、特性面への影響が懸念される。
【0006】
そこで、本開示の目的は、モールド時の応力を緩和しつつ性能の低下を抑制できる受動部品およびパッケージ部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
前記課題を解決するため、本開示の一態様である受動部品は、
互いに対向する第１主面および第２主面を有し、半導体材料を含む無機基板と、
前記無機基板の前記第１主面に接触するように前記第１主面上に設けられた受動素子部と
を備え、
前記第１主面全体における重心を通過し、前記第１主面に直交する平面における断面を第１断面としたとき、
前記第１断面において、
前記無機基板は、前記第１主面に接続し互いに対向する第１側面および第２側面を有し、前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さは、それぞれ、前記第１主面の線粗さよりも大きい。
互いに対向する第１主面および第２主面を有し、半導体材料を含む無機基板と、
前記無機基板の前記第１主面に接触するように前記第１主面上に設けられた受動素子部と
を備え、
前記第１主面全体における重心を通過し、前記第１主面に直交する平面における断面を第１断面としたとき、
前記第１断面において、
前記無機基板は、前記第１主面に接続し互いに対向する第１側面および第２側面を有し、前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さは、それぞれ、前記第１主面の線粗さよりも大きい。
【0008】
ここで、線粗さとは、ＬＥＲ(Line Edge Roughness)である。
【0009】
前記態様によれば、第１側面の線粗さおよび第２側面の線粗さは、第１主面の線粗さよりも大きいので、受動部品を封止部材によりモールドする際、封止部材の応力を第１側面および第２側面の線粗さにより緩和でき、かつ、封止部材と第１側面および第２側面の密着力を向上できる。
【0010】
また、第１側面の線粗さおよび第２側面の線粗さは、第１主面の線粗さよりも大きいので、受動素子部を設けない第１側面および第２側面を粗くすることで、受動素子部を設ける第１主面の大きさを確保でき、受動素子部の性能の低下を抑制できる。
【発明の効果】
【0011】
本開示の一態様である受動部品およびパッケージ部品によれば、モールド時の応力を緩和しつつ性能の低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】受動部品の第１実施形態を示す天面側から見た模式天面図である。
【図3A】線粗さの測定方法を説明する説明図である。
【図4A】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4B】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4C】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4D】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4E】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4F】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4G】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4H】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4I】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4J】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図5】受動部品の第２実施形態を示す天面側から見た分解平面図である。
【図7A】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図7B】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図7C】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図7D】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図7E】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図7F】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図7G】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図7H】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図7I】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図7J】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図7K】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図7L】受動部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図8】受動部品の第２実施形態の第１変形例を示す模式断面図である。
【図9】受動部品の第２実施形態の第２変形例を示す模式断面図である。
【図10】受動部品の第３実施形態を示す模式断面図である。
【図11】パッケージ部品を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本開示の一態様である受動部品およびパッケージ部品を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。
【0014】
＜第１実施形態＞
［概要構成］
図１は、受動部品１を天面側から見た模式天面図である。図２は、図１のII－II断面図である。なお、便宜上、図１では、本体部１０は、構造を容易に理解できるよう、透明に描かれているが、半透明や不透明であってもよい。また、図１では、第１外部端子４１および第２外部端子４２を二点鎖線で描き、被覆膜６０を省略して描いている。
［概要構成］
図１は、受動部品１を天面側から見た模式天面図である。図２は、図１のII－II断面図である。なお、便宜上、図１では、本体部１０は、構造を容易に理解できるよう、透明に描かれているが、半透明や不透明であってもよい。また、図１では、第１外部端子４１および第２外部端子４２を二点鎖線で描き、被覆膜６０を省略して描いている。
【0015】
受動部品１の概要構成について説明する。受動部品１は、例えば、高周波信号伝送回路に用いられる表面実装型の受動部品である。受動部品１は、抵抗、コンデンサ、インダクタなどの電子部品であり、トランジスタのような能動素子を含まない。
【0016】
図１と図２に示すように、受動部品１は、無機基板２１と、無機基板２１上に設けられた受動素子部５とを有する。受動素子部５は、受動素子を有し、受動素子は、インダクタ素子Ｌである。この実施形態では、受動素子をインダクタ素子Ｌとしたが、受動素子は、インダクタ素子およびコンデンサ素子からなる群より選択された何れか１つ以上を含んでいてもよく、回路設計の自由度が向上する。なお、受動素子は、抵抗であってもよい。
【0017】
受動素子部５は、受動素子を有するが、受動素子の少なくとも一部を有していてもよい。例えば、受動素子が、第１コンデンサ電極と第２コンデンサ電極と第１コンデンサ電極と第２コンデンサ電極の間の誘電膜とを有するコンデンサ素子である場合、受動素子部５は、第１コンデンサ電極を含まず、第２コンデンサ電極と誘電膜とのコンデンサ素子の一部を含んでいてもよい。
【0018】
無機基板２１は、互いに対向する天面２１ａおよび底面２１ｂを有する。天面２１ａは、特許請求の範囲に記載の「第１主面」の一例に相当し、底面２１ｂは、特許請求の範囲に記載の「第２主面」に相当する。無機基板２１は、半導体材料を含む。半導体材料とは、例えば、ＳｉなどのＩＶ族元素からなる単体半導体、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＩｎＰなどのＩＩＩ族またはＶ族化合物からなる半導体、ＳｉＯ、ＩＴＯなどの酸化物半導体などである。
【0019】
無機基板２１は、長さ、幅および高さを有する。無機基板２１は、長さ方向の両端側にある第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２と、幅方向の両端側にある第１側面２１ｓ１および第２側面２１ｓ２と、高さ方向の両端側にある天面２１ａおよび底面２１ｂとを有する。つまり、無機基板２１の外面は、第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２と、第１側面２１ｓ１および第２側面２１ｓ２と、天面２１ａおよび底面２１ｂとを含む。
【0020】
なお、図面に示すように、以下では、説明の便宜上、無機基板２１の長さ方向（長手方向）をＸ方向とし、第１端面２１ｅ１から第２端面２１ｅ２に向かう方向を順Ｘ方向と呼び、順Ｘ方向の反対方向を逆Ｘ方向と呼ぶ。また、無機基板２１の幅方向をＹ方向とし、第１側面２１ｓ１から第２側面２１ｓ２に向かう方向を順Ｙ方向と呼び、順Ｙ方向の反対方向を逆Ｙ方向と呼ぶ。また、無機基板２１の高さ方向をＺ方向とし、底面２１ｂから天面２１ａに向かう方向を順Ｚ方向と呼び、順Ｚ方向の反対方向を逆Ｚ方向と呼ぶ。この明細書では、順Ｚ方向を上側とし、逆Ｚ方向を下側する。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、互いに直交する方向であって、Ｘ，Ｙ，Ｚの順に並べたとき、右手系を構成する。
【0021】
この明細書では、「要素の上方」とは、重力方向に規定される鉛直上方のような絶対的な一方向ではなく、当該要素を基準に、当該要素を境界とする外側と内側とのうち、外側に向かう方向を指す。したがって、「要素の上方」とは、当該要素の向きによって定まる相対的な方向である。また、要素に対して「上方（above）」には、当該要素とは離れた上方、すなわち当該要素上の他の物体を介した上側の位置や間隔を空けた上側の位置だけではなく、当該要素と接する直上の位置（on）も含む。
【0022】
受動素子部５は、本体部１０と、本体部１０内に設けられたインダクタ素子Ｌとを有する。受動素子部５は、無機基板２１の天面２１ａに接触するように天面２１ａ上に設けられている。
【0023】
図２に示すように、天面２１ａに直交する第１断面において、無機基板２１は、天面２１ａに接続し互いに対向する第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２を有する。第１端面２１ｅ１は、特許請求の範囲に記載の「第１側面」に相当し、第２端面２１ｅ２は、特許請求の範囲に記載の「第２側面」に相当する。なお、第１端面２１ｅ１は、特許請求の範囲に記載の「第２側面」に相当し、第２端面２１ｅ２は、特許請求の範囲に記載の「第１側面」に相当するようにしてもよい。
第１断面とは、天面２１ａ全体における重心を通過し天面２１ａに直交する平面における断面である。この実施形態では、第１断面は、受動部品１の幅方向であるＹ方向の中心を通過する断面である。なお、第１断面は、受動部品１の長さ方向であるＸ方向の中心を通過する断面であってもよく、このとき、第１側面２１ｓ１は、特許請求の範囲に記載の「第１側面」に相当し、第２側面２１ｓ２は、特許請求の範囲に記載の「第２側面」に相当し、または、第１側面２１ｓ１は、特許請求の範囲に記載の「第２側面」に相当し、第２側面２１ｓ２は、特許請求の範囲に記載の「第１側面」に相当するようにしてもよい。
第１断面とは、天面２１ａ全体における重心を通過し天面２１ａに直交する平面における断面である。この実施形態では、第１断面は、受動部品１の幅方向であるＹ方向の中心を通過する断面である。なお、第１断面は、受動部品１の長さ方向であるＸ方向の中心を通過する断面であってもよく、このとき、第１側面２１ｓ１は、特許請求の範囲に記載の「第１側面」に相当し、第２側面２１ｓ２は、特許請求の範囲に記載の「第２側面」に相当し、または、第１側面２１ｓ１は、特許請求の範囲に記載の「第２側面」に相当し、第２側面２１ｓ２は、特許請求の範囲に記載の「第１側面」に相当するようにしてもよい。
【0024】
第１端面２１ｅ１の線粗さおよび第２端面２１ｅ２の線粗さは、それぞれ、天面２１ａの線粗さよりも大きい。線粗さとは、ＬＥＲ(Line Edge Roughness)である。言い換えると、第１端面２１ｅ１の表面の凹凸および第２端面２１ｅ２の表面の凹凸は、それぞれ、天面２１ａの表面の凹凸よりも大きい。図２では、理解し易くするために、第１端面２１ｅ１の表面の凹凸および第２端面２１ｅ２の表面の凹凸を大きく描いている。
【0025】
ここで、線粗さの測定方法について説明する。図３Ａに示すように、測定面Ｓの測定箇所の画像を取得し、測定データのエッジ点を検出する。検出したエッジ点より最小二乗法を用いて近似直線Ｋを算出する。図３Ｂに示すように、近似直線Ｋとエッジ点のずれ量ｄを測定し、所定範囲のずれ量ｄの平均値を測定面Ｓの線粗さとする。
【0026】
上記構成によれば、第１端面２１ｅ１の線粗さおよび第２端面２１ｅ２の線粗さは、天面２１ａの線粗さよりも大きいので、受動部品１を封止部材によりモールドする際、封止部材の応力を第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２の線粗さにより緩和でき、かつ、封止部材と第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２の密着力を向上できる。
【0027】
また、第１端面２１ｅ１の線粗さおよび第２端面２１ｅ２の線粗さは、天面２１ａの線粗さよりも大きいので、受動素子部５を設けない第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２を粗くすることで、受動素子部５を設ける天面２１ａの大きさを確保でき、受動素子部５の性能の低下を抑制できる。
【0028】
また、第１端面２１ｅ１の線粗さおよび第２端面２１ｅ２の線粗さは大きいので、第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２を把持しやすくなり、受動部品１をピックアップしやすい。
【0029】
また、天面２１ａの線粗さは小さいので、天面２１ａに受動素子部５を形成する際、天面２１ａの凹凸の影響を受けず、天面２１ａの凹凸を吸収するための平坦化層など追加の層が不要となる。これにより、受動部品１の低背化を図ることができる。
【0030】
［各部材の好ましい構成］
受動部品１は、無機基板２１と、無機基板２１上に設けられた受動素子部５と、受動素子部５上に設けられた第１外部端子４１および第２外部端子４２と、受動素子部５上に設けられた被覆膜６０とを有する。
受動部品１は、無機基板２１と、無機基板２１上に設けられた受動素子部５と、受動素子部５上に設けられた第１外部端子４１および第２外部端子４２と、受動素子部５上に設けられた被覆膜６０とを有する。
【0031】
受動部品１の厚みは、好ましくは、２００μｍ以下である。これによれば、受動部品１を薄くできる。受動部品１のサイズ（長さ（Ｘ方向）×幅（Ｙ方向）×高さ（Ｚ方向））は、例えば、０．６ｍｍ×０．３ｍｍ×０．３ｍｍ、０．４ｍｍ×０．２ｍｍ×０．２ｍｍ、０．２５ｍｍ×０．１２５ｍｍ×０．１２０ｍｍなどである。また、幅と高さはほぼ等しくなくてもよく、例えば、０．４ｍｍ×０．２ｍｍ×０．３ｍｍなどであってもよい。
【0032】
受動素子部５は、本体部１０と、本体部１０内に設けられたインダクタ素子Ｌとを有する。インダクタ素子Ｌは、インダクタ配線１１０と、インダクタ配線１１０に接続された第１引出配線５１および第２引出配線５２とを有する。
【0033】
受動素子部５は、互いに対向する天面５ａおよび底面５ｂを有する。底面５ｂは、無機基板２１の天面２１ａに接触する。底面５ｂは、特許請求の範囲に記載の「第３主面」に相当し、天面５ａは、特許請求の範囲に記載の「第４主面」の一例に相当する。
【0034】
受動素子部５は、長さ、幅および高さを有する。受動素子部５は、長さ方向の両端側にある第１端面５ｅ１および第２端面５ｅ２と、幅方向の両端側にある第１側面５ｓ１および第２側面５ｓ２と、高さ方向の両端側にある天面５ａおよび底面５ｂとを有する。つまり、受動素子部５の外面は、第１端面５ｅ１および第２端面５ｅ２と、第１側面５ｓ１および第２側面５ｓ２と、天面５ａおよび底面５ｂとを含む。第１端面５ｅ１から第２端面５ｅ２に向かう方向は順Ｘ方向であり、第１側面５ｓ１から第２側面５ｓ２に向かう方向は、順Ｙ方向であり、底面５ｂから天面５ａに向かう方向は、順Ｚ方向である。
【0035】
本体部１０は、長さ、幅および高さを有する。本体部１０は、長さ方向の両端側にある第１端面１０ｅ１および第２端面１０ｅ２と、幅方向の両端側にある第１側面１０ｓ１および第２側面１０ｓ２と、高さ方向の両端側にある天面１０ａおよび底面１０ｂとを有する。受動素子部５の天面５ａは、本体部１０の天面１０ａを含み、受動素子部５の底面５ｂは、本体部１０の底面１０ｂを含み、受動素子部５の第１端面５ｅ１は、本体部１０の第１端面１０ｅ１を含み、受動素子部５の第２端面５ｅ２は、本体部１０の第２端面１０ｅ２を含み、受動素子部５の第１側面５ｓ１は、本体部１０の第１側面１０ｓ１を含み、受動素子部５の第２側面５ｓ２は、本体部１０の第２側面１０ｓ２を含む。
【0036】
本体部１０は、有機樹脂からなる。例えば、本体部１０は、形成が容易なエポキシ系、ポリイミド系樹脂などの樹脂であってもよい。これにより、受動素子部５の形成自由度が向上する。例えば、本体部１０により厚いインダクタ配線１１０などを容易に封止できる。本体部１０は、１層の部材から構成されているが、２層以上の部材から構成されていてもよく、または、２種類以上の材料から構成されていてもよい。
【0037】
インダクタ配線１１０は、無機基板２１の天面２１ａ上に設けられ、平面スパイラル状に形成されている。インダクタ配線１１０は、Ｚ方向からみて、外周端１１０ｅ１から内周端１１０ｅ２に向かって時計回り方向に渦巻状に巻き回されている。言い換えると、インダクタ配線１１０は、無機基板２１の天面２１ａに平行な方向に延在し、天面２１ａに沿って巻き回されている。インダクタ配線１１０は、無機基板２１の天面２１ａに直交する中心軸ＡＸを有する。この構成によれば、インダクタ配線１１０が無機基板２１の天面２１ａに平行な中心軸を有する場合よりも、受動素子部５を薄型化できる。その結果、受動部品１を薄型化できる。
【0038】
インダクタ配線１１０のターン数は、１周を超えることが好ましい。これにより、インダクタンスを向上させることができる。外周端１１０ｅ１は、略矩形状にされている。内周端１１０ｅ２は、略円形状にされている。外周端１１０ｅ１のＸ方向の幅および内周端１１０ｅ２の直径の各々は、インダクタ配線１１０のうちの外周端１１０ｅ１および内周端１１０ｅ２を除いた部分である巻回部の配線幅よりも大きい。これにより、外周端１１０ｅ１および内周端１１０ｅ２がパッド部として機能し、第１接続配線５１および第２接続配線５２との接続信頼性が向上する。
【0039】
インダクタ配線１１０は、銅、銀，金又はこれらの合金などの良導体材料からなる。インダクタ配線１１０は、めっき、蒸着、スパッタリングなどによって形成された金属膜であってもよいし、導体ペーストを塗布、焼結させた金属焼結体であってもよい。また、インダクタ配線１１０は、複数の金属層が積層された多層構造であってもよい。インダクタ配線１１０の厚みは、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【0040】
第１引出配線５１および第２引出配線５２は、インダクタ配線１１０の両端から無機基板２１の天面２１ａに直交する方向に延在して本体部１０を貫通している。第１引出配線５１は、インダクタ配線１１０の外周端１１０ｅ１の上面から上側に延在する第１ビア配線１２１ｖと、第１ビア配線１２１ｖから上側に延在する第１柱状配線１５１とを有する。第２引出配線５２は、インダクタ配線１１０の内周端１１０ｅ２の上面から上側に延在する第２ビア配線１２２ｖと、第２ビア配線１２２ｖから上側に延在する第２柱状配線１５２とを含む。
【0041】
第１引出配線５１および第２引出配線５２は、第１側面５ｓ１および第２側面５ｓ２と第１端面５ｅ１および第２端面５ｅ２とから露出しない。これによれば、各受動部品１に個片化する製造工程において第１側面５ｓ１および第２側面５ｓ２と第１端面５ｅ１および第２端面５ｅ２を露出させる場合、第１引出配線５１および第２引出配線５２を切断することなく各受動部品１に容易に切断できる。
【0042】
第１外部端子４１は、受動素子部５の天面５ａ（本体部１０の天面１０ａ）に設けられ、該天面５ａから露出する第１柱状配線１５１の端面を覆っている。これにより、第１外部端子４１は、インダクタ配線１１０の外周端１１０ｅ１に電気的に接続される。第２外部端子４２は、受動素子部５の天面５ａに設けられ、該天面５ａから露出する第２柱状配線１５２の端面を覆っている。これにより、第２外部端子４２は、インダクタ配線１１０の内周端１１０ｅ２に電気的に接続される。
【0043】
第１外部端子４１および第２外部端子４２は、導電性材料からなる。第１外部端子４１および第２外部端子４２は、例えば、低電気抵抗かつ耐応力性に優れたＣｕ、耐食性に優れたＮｉ、はんだ濡れ性と信頼性に優れたＡｕからなる金属層が内側から外側に向かってこの順に積層された３層構造である。
【0044】
被覆膜６０は、絶縁性材料からなり、受動素子部５の天面５ａ（本体部１０の天面１０ａ）を覆い、第１外部端子４１および第２外部端子４２を露出させている。被覆膜６０によって、受動部品１の表面の絶縁性を確保することができる。被覆膜６０は、例えば、ソルダーレジストにより形成される。被覆膜６０は、本体部１０と同一の材料であってもよく、または、本体部１０と異なる材料であってもよい。
【0045】
図２に示すように、無機基板２１の天面２１ａに直交する第１断面において、受動素子部５は、天面５ａに接続し互いに対向する第１端面５ｅ１および第２端面５ｅ２を有する。第１端面５ｅ１は、特許請求の範囲に記載の「第３側面」に相当し、第２端面５ｅ２は、特許請求の範囲に記載の「第４側面」に相当する。第１断面とは、無機基板２１の天面２１ａの中心を通過し天面２１ａに直交する平面における断面である。この実施形態では、第１断面は、受動部品１の幅方向であるＹ方向の中心を通過する断面である。なお、第１断面は、受動部品１の長さ方向であるＸ方向の中心を通過する断面であってもよく、このとき、第３側面５ｓ１は、特許請求の範囲に記載の「第３側面」に相当し、第４側面５ｓ２は、特許請求の範囲に記載の「第４側面」に相当する。
【0046】
好ましくは、第１断面において、無機基板２１の底面２１ｂの線粗さは、無機基板２１の第１端面２１ｅ１の線粗さおよび無機基板２１の第２端面２１ｅ２の線粗さよりも小さい。これによれば、底面２１ｂは不要な凸部がないので、受動部品１の厚みを薄くできる。
【0047】
好ましくは、第１断面において、受動素子部５の第１端面５ｅ１（本体部１０の第１端面１０ｅ１）の線粗さおよび受動素子部５の第２端面５ｅ２（本体部１０の第２端面１０ｅ２）の線粗さは、それぞれ、無機基板２１の第１端面２１ｅ１の線粗さおよび無機基板２１の第２端面２１ｅ２の線粗さよりも小さい。例えば、無機基板２１の第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２のうちの小さい方の線粗さは、０．４８μｍであり、本体部１０の第１端面１０ｅ１および第２端面１０ｅ２のうちの大きい方の線粗さは、０．２５６μｍである。これによれば、本体部１０の第１端面１０ｅ１および第２端面１０ｅ２の凹凸を小さくできるため、インダクタ配線１１０の幅方向の大きさを確保でき、受動素子部５の性能を確保できる。
【0048】
好ましくは、受動素子部５の天面５ａ（本体部１０の天面１０ａ）の線粗さは、無機基板２１の第１端面２１ｅ１の線粗さおよび無機基板２１の第２端面２１ｅ２の線粗さよりも小さい。これによれば、本体部１０の天面１０ａの線粗さは小さいので、本体部１０の天面１０ａに形成される外部端子や配線などの高周波特性の劣化を抑制できる。
【0049】
好ましくは、無機基板２１の天面２１ａの線粗さは、０．５μｍ以下である。無機基板２１の第１端面２１ｅ１の線粗さおよび無機基板２１の第２端面２１ｅ２の線粗さは、それぞれ、０．２μｍ以上１０μｍ以下である。本体部１０の第１端面１０ｅ１の線粗さおよび本体部１０の第２端面１０ｅ２の線粗さは、それぞれ、０．５μｍ以下である。この場合、前提として、第１端面２１ｅ１の線粗さおよび第２端面２１ｅ２の線粗さは、それぞれ、天面２１ａの線粗さよりも大きい。
【0050】
好ましくは、無機基板２１の天面２１ａの線粗さは、無機基板２１の底面２１ｂの線粗さよりも大きい。これによれば、天面２１ａの線粗さは大きいので、無機基板２１と受動素子部５の密着を強固にできる。
【0051】
好ましくは、無機基板２１の天面２１ａの線粗さは、無機基板２１の底面２１ｂの線粗さよりも小さい。これによれば、天面２１ａの線粗さは小さいので、受動素子部５の高周波特性の劣化を抑制できる。
【0052】
好ましくは、有機樹脂からなる本体部１０の厚みは、無機基板２１の厚みよりも薄い。これによれば、本体部１０は、有機樹脂からなり、無機基板２１に比べて柔らかいが、本体部１０の厚みは薄いので、受動部品１の反りを抑制できる。また、本体部１０を実装基板に実装する際、実装面が有機樹脂からなるので、実装の衝撃を吸収することができる。
【0053】
【0054】
図４Ａに示すように、無機基板２１を準備する。無機基板２１は、例えば、Ｓｉ基板またはＳｉＯ２基板である。
【0055】
図４Ｂに示すように、無機基板２１の上面（天面）にスパッタ法を用いてシード層６００を形成する。その後、レジスト１０２３を貼付け、フォトリソグラフィ工法を用いてレジスト１０２３に所定パターンを形成する。所定パターンは、インダクタ配線１１０の形状に対応したパターンである。
【0056】
図４Ｃに示すように、シード層６００に給電しつつ、電解めっき法を用いてシード層６００上に導体層１１１０を形成する。シード層６００と導体層１１１０からインダクタ配線１１０を形成する。その後、レジスト１０２３を剥離し、露出したシード層６００をエッチングする。以下、シード層６００の図示を省略する。
【0057】
図４Ｄに示すように、無機基板２１の上面にインダクタ配線１１０を覆うように第１絶縁層１０１１を形成する。第１絶縁層１０１１の上面でインダクタ配線１１０の端部に対応する位置に、フォトリソグラフィ工法を用いてビア孔１０１１ａを形成する。インダクタ配線１１０の形成と同様の方法により、図示しないシード層を形成し、ビア孔１０１１ａ内に第１ビア配線１２１ｖおよび第２ビア配線１２２ｖを形成し、さらに、第１ビア配線１２１ｖ上に第１柱状配線１５１を形成し、第２ビア配線１２２ｖ上に第２柱状配線１５２を形成する。第１ビア配線１２１ｖと第１柱状配線１５１から第１引出配線５１を形成し、第２ビア配線１２２ｖと第２柱状配線１５２から第２引出配線５２を形成する。なお、シード層を用いないで、インダクタ配線１１０から給電してもよく、任意の方法で引出配線を形成すればよい。
【0058】
図４Ｅに示すように、第１絶縁層１０１１上に第１引出配線５１および第２引出配線５２を覆うように第２絶縁層１０１２を形成し、第１引出配線５１および第２引出配線５２の端面が露出するように第２絶縁層１０１２を研削する。第１絶縁層１０１１と第２絶縁層１０１２から本体部１０を形成する。
【0059】
図４Ｆに示すように、本体部１０の上面（天面）に被覆膜６０を形成する。被覆膜６０は、例えば、ソルダーレジストである。被覆膜６０には、外部端子を形成する領域に孔部６０ａを形成する。
【0060】
図４Ｇに示すように、第１引出配線５１上の孔部６０ａに第１外部端子４１を形成し、第２引出配線５２上の孔部６０ａに第２外部端子４２を形成する。第１外部端子４１および第２外部端子４２は、例えば、無電解めっきにより形成され、または、触媒を用いて形成される。
【0061】
図４Ｈに示すように、無機基板２１の下面（底面）に接着部材１０００を貼り付け、この接着部材１０００を図示しない固定台に貼り付け、無機基板２１を固定台に固定する。その後、個片化工程において、まず、本体部１０をカット線Ｃにてブレードで切断し、無機基板２１をブレードで切断しない。これにより、本体部１０の第１端面１０ｅ１および第２端面１０ｅ２を形成する。続いて、図４Ｉに示すように、本体部１０に対してエッチングを行わず、無機基板２１に対してエッチングを行う。このように、選択性エッチングにより無機基板２１に対してエッチングを行う。これにより、無機基板２１の第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２を形成する。
【0062】
このようにして、無機基板２１の第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２の線粗さを本体部１０の第１端面１０ｅ１および第２端面１０ｅ２（受動素子部５の第１端面５ｅ１および第２端面５ｅ２）の線粗さよりも大きくすることができる。同様に、無機基板２１の第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２の線粗さを無機基板２１の天面２１ａよりも大きくすることができる。さらに、ブレードの側面の砥粒を最適化し、または、ブレードを振動させながら無機基板２１の第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２を研削することで、無機基板２１の第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２の線粗さを所望の粗さにすることができる。
【0063】
図４Ｊに示すように、接着部材１０００を剥離して、受動部品１を製造する。
【0064】
＜第２実施形態＞
［構成］
図５は、受動部品の第２実施形態を示す分解平面図である。図６は、図５のVI-VI断面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、受動素子部の構成と無機基板の形状とが、主に相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
［構成］
図５は、受動部品の第２実施形態を示す分解平面図である。図６は、図５のVI-VI断面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、受動素子部の構成と無機基板の形状とが、主に相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
【0065】
なお、便宜上、図５では、本体部１０は、構造を容易に理解できるよう、透明に描かれているが、半透明や不透明であってもよい。また、図５では、第１外部端子４１および第２外部端子４２を二点鎖線で描き、被覆膜６０および誘電膜７３を省略して描いている。
【0066】
図５と図６に示すように、第２実施形態の受動部品１Ａでは、受動素子部５Ａは、本体部１０内に設けられたコンデンサ素子Ｃおよびインダクタ素子Ｌを含む。インダクタ素子Ｌとコンデンサ素子Ｃとは、電気的に並列に接続されている。コンデンサ素子Ｃは、無機基板２１Ａの天面２１ａ上に設けられ、インダクタ素子Ｌは、コンデンサ素子Ｃ上に設けられる。
【0067】
上記構成によれば、コンデンサ素子Ｃとインダクタ素子Ｌは、順に、無機基板２１Ａ上に設けられるため、受動部品１Ａの製造工程において、無機基板２１Ａにコンデンサ素子Ｃを形成した後に、コンデンサ素子Ｃ上にインダクタ素子Ｌを形成することができる。したがって、インダクタ素子Ｌを最後に形成するため、インダクタ素子Ｌに熱に弱い材料を用いることができる。また、無機基板２１Ａ内にコンデンサ素子Ｃが存在しないため、無機基板２１Ａを任意の厚みに研削できる。
【0068】
コンデンサ素子Ｃは、無機基板２１Ａの天面２１ａに直交する方向に対向する第１コンデンサ電極７１および第２コンデンサ電極７２と、第１コンデンサ電極７１および第２コンデンサ電極７２の間に配置された誘電膜７３とを有する。
【0069】
第１コンデンサ電極７１および第２コンデンサ電極７２は、それぞれ、無機基板２１Ａの天面２１ａに平行な方向に延在する。第１コンデンサ電極７１は、無機基板２１の天面２１ａに接触している。第２コンデンサ電極７２は、第１コンデンサ電極７１よりも上方に配置されている。
【0070】
第１コンデンサ電極７１は、Ｚ方向から見て、インダクタ配線１１０の外周端１１０ｅ１、内周端１１０ｅ２および巻回部の一部に重なるように形成されている。つまり、Ｚ方向から見て、第１コンデンサ電極７１の第１端部は、外周端１１０ｅ１に重なり、第１コンデンサ電極７１の第２端部は、内周端１１０ｅ２に重なり、第１コンデンサ電極７１の第１端部と第２端部の間の部分は、巻回部の一部に重なる。
【0071】
第２コンデンサ電極７２は、Ｚ方向から見て、インダクタ配線１１０の外周端１１０ｅ１に重なるように形成されている。つまり、Ｚ方向から見て、第２コンデンサ電極７２は、第１コンデンサ電極７１の第１端部に重なる。
【0072】
誘電膜７３は、第２コンデンサ電極７２と無機基板２１Ａの間に配置される。誘電膜７３は、第１コンデンサ電極７１を覆うように、無機基板２１Ａの天面２１ａに接触している。受動素子部５Ａの底面５ｂは、誘電膜７３および第１コンデンサ電極７１を含む。
【0073】
第１コンデンサ電極７１の第２端部は、誘電膜７３を貫通する第３ビア配線１２３ｖに接続され、第３ビア配線１２３ｖは、第４ビア配線１２４ｖを介して、インダクタ配線１１０の内周端１１０ｅ２に接続される。第２コンデンサ電極７２は、第５ビア配線１２５ｖを介して、インダクタ配線１１０の外周端１１０ｅ１に接続される。これにより、インダクタ素子Ｌとコンデンサ素子Ｃは、図５の一点鎖線に示すように、電気的に並列に接続される。なお、インダクタ素子Ｌとコンデンサ素子Ｃは、電気的に直列に接続してもよい。
【0074】
第１コンデンサ電極７１および第２コンデンサ電極７２の導電材料は、特に限定されず、例えばＡｌである。好ましくは、第１コンデンサ電極７１および第２コンデンサ電極７２の導電材料は、インダクタ配線１１０の導電材料と異なる。これにより、直流電流が流れない第１コンデンサ電極７１および第２コンデンサ電極７２と、直流電流が流れるインダクタ配線１１０と、に異なる導電材料を用いることにより、受動部品１Ａの特性を劣化させずに製造コストを低減できる。具体的に述べると、Ａｌは導電率が低いが安価なため、電圧素子であるコンデンサ素子Ｃの第１，第２コンデンサ電極７１，７２に用いることが好ましい。また、導電率が高いＣｕは、電流素子であるインダクタ素子Ｌのインダクタ配線１１０に用いることが好ましい。これにより、受動部品１Ａの特性を劣化させずに製造コストを低減できる。
【0075】
誘電膜７３は、無機基板２１Ａの元素を少なくとも１つ以上含む。無機基板２１Ａの材料は、第１実施形態の無機基板２１の材料と同じである。誘電膜７３の材料は、例えばＳｉＯ２である。これによれば、誘電膜７３の物理パラメータ（線膨張係数やヤング率）を無機基板２１Ａの物理パラメータに近づけやすく、誘電膜７３の反りを抑制することができる。なお、誘電膜７３の材料は、例えばＨｆＯ２、Ｙ２Ｏ３などのｈｉｇｈ－ｋ材料などであってもよい。これにより、コンデンサ素子Ｃの容量を高めることができる。
【0076】
図６に示すように、無機基板２１Ａの天面２１ａに直交する第１断面において、無機基板２１Ａの第１端面２１ｅ１の線粗さと無機基板２１Ａの第２端面２１ｅ２の線粗さは、異なる。例えば、第１端面２１ｅ１の線粗さと第２端面２１ｅ２の線粗さの差異は、３倍以上である。これによれば、無機基板２１Ａに方向性を付与することができる。第２実施形態では、第１端面２１ｅ１の線粗さは、第２端面２１ｅ２の線粗さよりも小さい。
【0077】
具体的に述べると、第２端面２１ｅ２は、一部に、天面２１ａに直交する方向に対して傾斜し底面２１ｂに接続する傾斜面２１ｅ２１を有する。つまり、第２端面２１ｅ２は、さらに、天面２１ａに直交する方向に延在し天面２１ａに接続する垂直面２１ｅ２２を有し、傾斜面２１ｅ２１は、垂直面２１ｅ２２と底面２１ｂの間に接続される。一方、第１端面２１ｅ１は、天面２１ａに直交する方向に延在する垂直面である。上記構成によれば、無機基板２１Ａにより明確に方向性を付与することができる。
【0078】
第１実施形態と同様に、第１端面２１ｅ１の線粗さおよび第２端面２１ｅ２の線粗さは、それぞれ、天面２１ａの線粗さよりも大きい。第２端面２１ｅ２の線粗さは、垂直面２１ｅ２２の表面の凹凸と、傾斜面２１ｅ２１の表面の凹凸に加え傾斜面２１ｅ２１の傾斜角度をも含めて測定される。第１端面２１ｅ１の表面の凹凸および第２端面２１ｅ２の垂直面２１ｅ２２の表面の凹凸は、それぞれ、第２端面２１ｅ２の傾斜面２１ｅ２１の表面の凹凸よりも大きい。図６では、理解し易くするために、第１端面２１ｅ１の表面の凹凸および第２端面２１ｅ２の垂直面２１ｅ２２の表面の凹凸を大きく描いている。
【0079】
傾斜面２１ｅ２１は、天面２１ａから底面２１ｂに向かうにつれて第１端面２１ｅ１に近づく方向に傾斜するように形成されている。上記構成によれば、無機基板２１Ａの底面２１ｂ側の角部が面取りされ、無機基板２１Ａの欠けを防止できる。
【0080】
なお、第２端面２１ｅ２が傾斜面を有しているが、第１端面２１ｅ１が傾斜面を有していてもよく、または、第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２が傾斜面を有していてもよい。つまり、第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２の少なくとも一方が、傾斜面を有していればよい。
【0081】
【0082】
図７Ａに示すように、無機基板２１Ａを準備する。無機基板２１Ａは、例えば、Ｓｉ基板またはＳｉＯ２基板である。
【0083】
図７Ｂに示すように、第１コンデンサ電極７１に相当する第１コンデンサ電極導体層１０７１を無機基板２１Ａ上に形成する。具体的に述べると、スパッタ法を用いて、無機基板２１Ａの上面に例えばＡｌ膜を形成する。
【0084】
図７Ｃに示すように、図示しないレジスト層を塗布して、フォトリソグラフィ工程によりレジスト層に所定パターンの開口部を形成する。その後、Ａｌ膜をエッチングして、パターニングされた第１コンデンサ電極導体層１０７１を形成する。その後、レジスト層を剥離する。これにより、第１コンデンサ電極７１を形成する。
【0085】
図７Ｄに示すように、第１コンデンサ電極７１を覆うように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などにより誘電膜７３を無機基板２１Ａ上に形成する。誘電膜７３は、例えば、ＳｉＯ２を用いるが、ＳｉＮなどを使用してもよい。このように、誘電率が高いとコンデンサの容量密度を向上できる。また、誘電膜７３と無機基板２１Ａが同じ材料、例えばＳｉが含まれていることで、材料物性が近くなり、反りや剥離などを抑制することができる。
【0086】
図７Ｅに示すように、誘電膜７３上に第２コンデンサ電極７２を形成する。第２コンデンサ電極７２は、Ｚ方向からみて、第１コンデンサ電極７１に重なるように形成する。具体的に述べると、第２コンデンサ電極７２を第１コンデンサ電極７１の形成と同様に形成する。
【0087】
図７Ｆに示すように、図示しないレジスト層を塗布して、フォトリソグラフィ工程によりレジスト層に所定パターンの開口部を形成する。その後、誘電膜７３をエッチングして、パターニングされた誘電膜７３を形成する。この際、第３ビア配線１２３ｖを設ける位置に対応した位置に開口７１ａを形成する。
【0088】
図７Ｇに示すように、第２コンデンサ電極７２および誘電膜７３を覆うように、本体部１０の一部に相当する第３絶縁層１０１３を形成する。第３絶縁層１０１３として、ポリイミド系の有機絶縁膜を用いるが、無機絶縁層、例えばＳｉＯ２やＳｉＮを用いてもよく、または、有機絶縁膜としてエポキシやフェノール、ＢＣＢなどを用いてもよい。そして、図示しないレジスト層を塗布して、フォトリソグラフィ工程によりレジスト層に所定パターンの開口部を形成する。その後、第３絶縁層１０１３をエッチングして、パターニングされた第３絶縁層１０１３を形成する。この際、第４ビア配線１２４ｖを設ける位置に対応した位置に開口１０１３ａを形成し、第５ビア配線１２５ｖを設ける位置に対応した位置に開口１０１３ｂを形成する。
【0089】
図７Ｈに示すように、第３ビア配線１２３ｖ、第４ビア配線１２４ｖおよび第５ビア配線１２５ｖを形成してから、第１実施形態の製造方法と同様にして、インダクタ配線１１０、第１引出配線５１、第２引出配線５２、本体部１０、第１外部端子４１、第２外部端子４２、被覆膜６０を形成する。
【0090】
図７Ｉに示すように、被覆膜６０上に図示しない接着部材を貼り付け、この接着部材を図示しない固定台に貼り付け、本体部１０を固定台に固定する。その後、無機基板２１Ａの下面（底面）にパターンニングされた保護膜１００１を形成する。保護膜１００１のパターンニングには、上述したようなレジスト層を用いてパターンニングを行う。そして、保護膜１００１から露出した無機基板２１Ａに対してエッチングまたはサンドブラストを行って、無機基板２１Ａの下面側に切り欠き部２１０を形成する。切り欠き部２１０が、第２端面２１ｅ２の傾斜面２１ｅ２２を構成する。その後、保護膜１００１を剥離する。
【0091】
図７Ｊに示すように、個片化工程において、まず、本体部１０をカット線Ｃにてブレードで切断し、無機基板２１Ａをブレードで切断しない。これにより、本体部１０の第１端面１０ｅ１および第２端面１０ｅ２を形成する。続いて、図７Ｋに示すように、ブレードを振動させながら無機基板２１Ａを切断する。これにより、無機基板２１Ａの第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２の垂直面２１ｅ２２を形成する。
【0092】
このようにして、無機基板２１Ａの第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２の線粗さを本体部１０の第１端面１０ｅ１および第２端面１０ｅ２（受動素子部５Ａの第１端面５ｅ１および第２端面５ｅ２）の線粗さよりも大きくすることができる。同様に、無機基板２１Ａの第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２の線粗さを無機基板２１Ａの天面２１ａよりも大きくすることができる。
【0093】
図７Ｌに示すように、図示しない接着部材を剥離して、受動部品１Ａを製造する。
【0094】
［第１変形例］
図８は、受動部品の第２実施形態の第１変形例を示す断面図である。第１変形例は、第２実施形態（図６）とは、無機基板の形状が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第２実施形態と同じ構成であり、第２実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
図８は、受動部品の第２実施形態の第１変形例を示す断面図である。第１変形例は、第２実施形態（図６）とは、無機基板の形状が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第２実施形態と同じ構成であり、第２実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
【0095】
図８に示すように、第１変形例の受動部品１Ｂでは、無機基板２１Ｂの第１端面２１ｅ１は、傾斜面２１ｅ１１と垂直面２１ｅ１２とを有する。傾斜面２１ｅ１１は、天面２１ａに直交する方向に対して傾斜し底面２１ｂに接続する。垂直面２１ｅ１２は、天面２１ａに直交する方向に延在し天面２１ａに接続する。傾斜面２１ｅ１１は、垂直面２１ｅ１２と底面２１ｂの間に接続される。傾斜面２１ｅ１１は、天面２１ａから底面２１ｂに向かうにつれて第２端面２１ｅ２に近づく方向に傾斜するように形成されている。これにより、無機基板２１Ｂの底面２１ｂ側の角部が面取りされ、無機基板２１Ｂの欠けを防止できる。
【0096】
第１端面２１ｅ１の傾斜面２１ｅ１１は、第２端面２１ｅ２の傾斜面２１ｅ２１よりも、傾斜面に沿った長さ、Ｘ方向に沿った長さ、Ｚ方向に沿った長さのそれぞれにおいて小さい。これにより、無機基板２１Ｂにより明確に方向性を付与することができる。
【0097】
第１端面２１ｅ１の傾斜面２１ｅ１１の表面の凹凸、第１端面２１ｅ１の垂直面２１ｅ１２の表面の凹凸、および、第２端面２１ｅ２の垂直面２１ｅ２２の表面の凹凸は、それぞれ、第２実施形態と異なり小さく、第２端面２１ｅ２の傾斜面２１ｅ２１の表面の凹凸と同じ大きさである。
【0098】
第２実施形態と同様に、第１端面２１ｅ１の線粗さおよび第２端面２１ｅ２の線粗さは、それぞれ、天面２１ａの線粗さよりも大きい。また、第１端面２１ｅ１の線粗さと第２端面２１ｅ２の線粗さは、異なる。第１変形例では、第１端面２１ｅ１の線粗さは、第２端面２１ｅ２の線粗さよりも小さい。
【0099】
［第２変形例］
図９は、受動部品の第２実施形態の第２変形例を示す断面図である。第２変形例は、第２実施形態（図６）とは、無機基板の形状が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第２実施形態と同じ構成であり、第２実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
図９は、受動部品の第２実施形態の第２変形例を示す断面図である。第２変形例は、第２実施形態（図６）とは、無機基板の形状が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第２実施形態と同じ構成であり、第２実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
【0100】
図９に示すように、第２変形例の受動部品１Ｃでは、無機基板２１Ｃの第１端面２１ｅ１は、傾斜面２１ｅ１１と垂直面２１ｅ１２とを有する。傾斜面２１ｅ１１は、天面２１ａに直交する方向に対して傾斜し底面２１ｂに接続する。垂直面２１ｅ１２は、天面２１ａに直交する方向に延在し天面２１ａに接続する。傾斜面２１ｅ１１は、垂直面２１ｅ１２と底面２１ｂの間に接続される。傾斜面２１ｅ１１は、天面２１ａから底面２１ｂに向かうにつれて第２端面２１ｅ２から離れる方向に傾斜するように形成されている。これにより、無機基板２１Ｃの底面２１ｂ側の角部が突出し、無機基板２１Ｃを容易に把持することができる。
【0101】
一方、第２端面２１ｅ２は、天面２１ａに直交する方向に延在する垂直面である。これによれば、無機基板２１Ｃにより明確に方向性を付与することができる。
【0102】
第１端面２１ｅ１の傾斜面２１ｅ１１の表面の凹凸、第１端面２１ｅ１の垂直面２１ｅ１２の表面の凹凸は、それぞれ、第２実施形態の第１端面２１ｅ１と異なり小さく、第２端面２１ｅ２の表面の凹凸よりも小さい。
【0103】
第２実施形態と同様に、第１端面２１ｅ１の線粗さおよび第２端面２１ｅ２の線粗さは、それぞれ、天面２１ａの線粗さよりも大きい。また、第１端面２１ｅ１の線粗さと第２端面２１ｅ２の線粗さは、異なる。第２変形例では、第１端面２１ｅ１の線粗さは、第２端面２１ｅ２の線粗さよりも大きい。
【0104】
＜第３実施形態＞
図１０は、受動部品の第３実施形態を示す断面図である。第３実施形態は、第２実施形態とは、受動素子部の構成と無機基板の形状とが、主に相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第２実施形態と同じ構成であり、第２実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
図１０は、受動部品の第３実施形態を示す断面図である。第３実施形態は、第２実施形態とは、受動素子部の構成と無機基板の形状とが、主に相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第２実施形態と同じ構成であり、第２実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
【0105】
図１０に示すように、第３実施形態の受動部品１Ｄでは、受動素子部５Ｄは、インダクタ素子Ｌと、コンデンサ素子Ｃの一部とを含む。コンデンサ素子Ｃの一部は、第１コンデンサ電極７１を含まず、第２コンデンサ電極７２と誘電膜７３とを含む。つまり、無機基板２１Ｄの天面２１ａ上に第１コンデンサ電極７１は存在せず、無機基板２１Ｄの天面２１ａは、誘電膜７３と接触している。
【0106】
無機基板２１Ｄは、半導体材料からなる半導体よりも電気抵抗が低い低抵抗部２１１を有する。低抵抗部２１１は、受動素子部５Ｄと電気的に接続されている。これによれば、低抵抗部２１１を導体として用いることができ、設計自由度が向上する。
【0107】
第３実施形態では、低抵抗部２１１は、コンデンサ素子Ｃの第１コンデンサ電極７１に相当する。第１コンデンサ電極７１としての低抵抗部２１１は、第２実施形態と異なり、インダクタ素子Ｌのインダクタ配線１１０の内周端１１０ｅ２に接続されない。
【0108】
低抵抗部２１１は、半導体材料からなる半導体、例えば、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＩｎＰ、ＩＴＯよりも電気抵抗が低い。第３実施形態では、無機基板２１Ｄの全体が、低抵抗部２１１である。これにより、受動部品１Ｄの電気抵抗を低くできる。
【0109】
無機基板２１Ｄが半導体材料として例えばＳｉを含む場合、低抵抗部２１１は、ＰやＢをドープされたＳｉであり、無機基板２１Ｄが半導体材料として例えばＧａＡｓを含む場合、低抵抗部２１１は、ＳｉやＳｎ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｂｅ、Ｚｎ、ＧｅをドープされたＧａＡｓである。
【0110】
「低抵抗」とは、電気抵抗率が１０－１Ω・ｃｍ以下であることを意味する。これにより、低抵抗部２１１の電気抵抗が十分に低くなり、電流の大部分を低抵抗部２１１に流すことができる。例えば、無機基板２１ＤがＳｉ基板の場合、Ｓｉ基板の電気抵抗率は１０３Ω・ｃｍ程度である。低抵抗部２１１の電気抵抗率が、無機基板２１Ｄのうちの低抵抗部２１１以外の部分の電気抵抗率の１／１０００倍以下であれば、電流の大部分を低抵抗部２１１に流すことができる。そのため、低抵抗部２１１の電気抵抗率を１０－１Ω・ｃｍ以下としている。低抵抗部２１１の電気抵抗率は、例えば、次のように算出できる。まず、低抵抗部２１１の両端に測定用プローブを接触させて４端子法で直流電気抵抗を測定する。次に、測定した電気抵抗を低抵抗部２１１の断面積、例えばリンやボロンをドープしたＳｉの断面積と掛け、低抵抗部２１１の両端までの長さで割ることで電気抵抗率を測定することができる。なお、ドープした断面積は、低抵抗部２１１を横断する断面を露出させ、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）にて元素マッピングすることで算出できる。具体的に述べると、元素マッピングにおいて、ドープ量のピーク値に対し、その３割となる領域までの範囲の面積をドープした断面積とすればよい。
【0111】
低抵抗部２１１は、無機基板２１Ｄに不純物をドーピングし、高濃度不純物領域（言い換えると、ドープ層）を形成することで得ることができる。すなわち、低抵抗部２１１は、無機基板２１Ｄが含む半導体材料を含有し、半導体材料からなる半導体より電気抵抗が低く、かつ、無機基板２１Ｄと一体化している。無機基板２１ＤがＳｉ基板の場合、１×１０２０／ｃｍ３程度のIII族もしくはＶ族の不純物ドープを行うことが好ましい。これにより、低抵抗部２１１の電気抵抗率は、Ｖ族不純物のリンのドープであれば１０－３Ω・ｃｍ程度、III族不純物のボロンのドープであれば５×１０－３Ω・ｃｍ程度となる。
【0112】
無機基板２１Ｄでは、第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２は、天面２１ａに直交する方向に延在する垂直面である。第２実施形態と同様に、第１端面２１ｅ１の線粗さおよび第２端面２１ｅ２の線粗さは、それぞれ、天面２１ａの線粗さよりも大きい。また、底面２１ｂの線粗さは、天面２１ａの線粗さよりも大きい。底面２１ｂを研削することにより無機基板２１Ｄの厚みを調整することができる。図１０では、理解し易くするために、第１端面２１ｅ１の表面の凹凸、第２端面２１ｅ２の表面の凹凸、および、底面２１ｂの表面の凹凸を大きく描いている。
【0113】
なお、第３実施形態では、低抵抗部は、コンデンサ素子の第１コンデンサ電極としたが、無機基板上に並列に配置されたインダクタ素子とコンデンサ素子を接続する引回配線としてもよい。また、インダクタ素子が複数のインダクタ配線を含む場合、低抵抗部は、１つのインダクタ配線としてもよい。また、第３実施形態では、低抵抗部は、無機基板の全体に設けたが、無機基板の一部に設けてもよい。
【0114】
＜第４実施形態＞
図１１は、パッケージ部品の実施形態を示す断面図である。図１１に示すように、パッケージ部品６は、実装基板８と、実装基板８上に配置された受動部品１と、実装基板８上に配置された電子部品７と、実装基板８上に設けられ、受動部品１および電子部品７を覆う封止部材９とを有する。
図１１は、パッケージ部品の実施形態を示す断面図である。図１１に示すように、パッケージ部品６は、実装基板８と、実装基板８上に配置された受動部品１と、実装基板８上に配置された電子部品７と、実装基板８上に設けられ、受動部品１および電子部品７を覆う封止部材９とを有する。
【0115】
受動部品１は、第１実施形態に記載の受動部品であるが、第２実施形態、第１変形例、第２変形例、第３実施形態に記載の受動部品であってもよい。封止部材９は、受動部品１の無機基板２１の第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２に接触する。
【0116】
実装基板８は、例えば、ＳｉやＳｉＯ２からなる無機基板（いわゆる、シリコンインターポーザ基板やガラスインターポーザ基板）であり、または、ＦＲ４(Flame Retardant Type 4)、エポキシ、ポリイミドなどからなる有機基板（いわゆる、有機パッケージ基板）などである。実装基板８の内部や主面には配線が設けられ、受動部品１および電子部品７と電気的に接続される。実装基板８の主面には、外部端子、導電体バンプ、導電体ピラー、半田などの導電部材が設けられていてもよい。
【0117】
受動部品１および電子部品７は、半田１５を介して、実装基板８の主面に接続される。つまり、受動部品１の第１外部端子４１および第２外部端子４２が、半田１５を介して、実装基板８に接続される。電子部品７は、例えば、他の受動部品、集積回路部品、センサ部品などである。電子部品７は、省略してもよい。封止部材９は、例えば、モールド樹脂である。モールド樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂から構成される。
【0118】
上記構成によれば、受動部品１は封止部材９により覆われるので、信頼性が向上する。また、封止部材９は、線粗さの大きい第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２に接触するので、封止部材９と受動部品１との密着性が向上する。
【0119】
なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１から第４実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。前記実施形態では、インダクタ素子は、１層の平面スパイラル状のインダクタ配線を有していたが、複数層の平面スパイラル状のインダクタ配線を有していてもよい。前記実施形態では、受動素子部は、インダクタ素子およびコンデンサ素子の少なくとも一方を含んでいたが、インダクタ素子、コンデンサ素子および抵抗からなる群より選択された何れか１つ以上を含んでいてもよい。
【0120】
＜第１実施例＞
次に、第１実施形態の受動部品１について線粗さを測定した実施例を説明する。
次に、第１実施形態の受動部品１について線粗さを測定した実施例を説明する。
【0121】
受動部品１を研磨して、図２に示すように、受動部品１の幅方向であるＹ方向の中心を通過し天面２１ａに直交する平面における断面を露出させ、測定箇所の画像を取得した。本実施例では、顕微鏡やＳＥＭ（Scanning Electron Microscope：走査電子顕微鏡）などで倍率３５０倍および１０００倍の画像を取得した。測定倍率は、測定箇所の大部分が収まる倍率であればよい。
【0122】
取得した画像を測定ソフト（ＷｉｎＲＯＯＦ２０１８）に読み込ませた。具体的には、無機基板２１の第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２を測定する場合、取得画像の被測定箇所の大部分（各端面の全長の８割以上）を測定エリアに指定した。
【0123】
そして、ＳＥＭＩ規格に準拠した線粗さ（ＬＥＲ）を測定した。ＷｉｎＲｏｏｆ２０１８では線のエッジを検出し、近似直線を算出し、近似直線と実際のエッジとのずれ量を粗さとした。無機基板２１の天面２１ａおよび底面２１ｂ、本体部１０の第１端面５ｅ１および第２端面５ｅ２についても、同様に測定した。本実施例では、線粗さは平均値のことを指す。
【0124】
表１に、無機基板２１の第１端面２１ｅ１、第２端面２１ｅ２、天面２１ａおよび底面２１ｂと、本体部１０の第１端面５ｅ１および第２端面５ｅ２とについて線粗さの測定値を示す。「レンジ」とは、線粗さの最大値と最小値の幅をいう。「σ」とは、線粗さのばらつきをいう。
【0125】
［表１］
【0126】
表１に示すように、無機基板の第１端面および第２端面の線粗さは、それぞれ、無機基板の天面の線粗さよりも大きい。また、本体部の第１端面および第２端面の線粗さは、それぞれ、無機基板の第１端面および第２端面の線粗さよりも小さい。また、無機基板の天面の線粗さは、０．５μｍ以下であり、無機基板の第１端面および第２端面の線粗さは、それぞれ、０．２μｍ以上１０μｍ以下である。また、無機基板の天面の線粗さは、無機基板の底面の線粗さよりも小さい。
【0127】
＜第２実施例＞
次に、第２実施形態の受動部品１Ａについて線粗さを測定した実施例を説明する。
次に、第２実施形態の受動部品１Ａについて線粗さを測定した実施例を説明する。
【0128】
受動部品１を研磨して、図６に示すように、受動部品１の幅方向であるＹ方向の中心を通過し天面２１ａに直交する平面における断面を露出させ、測定箇所の画像を取得した。第１実施例と同様の方法で、無機基板２１の第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２の線粗さを測定した。
【0129】
表２に、無機基板２１の第１端面２１ｅ１および第２端面２１ｅ２の線粗さの測定値を示す。「レンジ」とは、線粗さの最大値と最小値の幅をいう。「σ」とは、線粗さのばらつきをいう。
【0130】
［表２］
【0131】
表２に示すように、無機基板の第１端面の線粗さと無機基板の第２端面の線粗さは、異なる。第２端面の線粗さは、第１端面の線粗さよりも大きい。第１端面２１ｅ１の線粗さと第２端面２１ｅ２の線粗さの差異は、約５倍である。
【0132】
本開示は以下の態様を含む。
＜１＞
互いに対向する第１主面および第２主面を有し、半導体材料を含む無機基板と、
前記無機基板の前記第１主面に接触するように前記第１主面上に設けられた受動素子部と
を備え、
前記第１主面全体における重心を通過し、前記第１主面に直交する平面における断面を第１断面としたとき、
前記第１断面において、
前記無機基板は、前記第１主面に接続し互いに対向する第１側面および第２側面を有し、前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さは、それぞれ、前記第１主面の線粗さよりも大きい、受動部品。
＜２＞
前記第１断面において、前記第２主面の線粗さは、前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さよりも小さい、＜１＞に記載の受動部品。
＜３＞
前記受動素子部は、コンデンサ素子とインダクタ素子を含み、
前記コンデンサ素子は、前記無機基板の前記第１主面上に設けられ、前記インダクタ素子は、前記コンデンサ素子上に設けられる、＜１＞または＜２＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜４＞
前記第１断面において、
前記受動素子部は、前記第１主面に接触する第３主面と、前記第３主面に接続し互いに対向する第３側面および第４側面とを有し、
前記第３側面の線粗さおよび前記第４側面の線粗さは、それぞれ、前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さよりも小さい、＜１＞から＜３＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜５＞
前記受動素子部は、インダクタ素子を含むと共に、有機樹脂からなる本体部を有し、
前記本体部は、前記第３側面および前記第４側面を有する、＜４＞に記載の受動部品。
＜６＞
前記第１側面の線粗さと前記第２側面の線粗さは、異なる、＜１＞から＜５＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜７＞
前記第２側面は、一部に、前記第１主面に直交する方向に対して傾斜し前記第２主面に接続する傾斜面を有する、＜１＞から＜６＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜８＞
前記第２側面は、さらに、前記第１主面に直交する方向に延在し前記第１主面に接続する垂直面を有し、前記傾斜面は、前記垂直面と前記第２主面の間に接続される、＜７＞に記載の受動部品。
＜９＞
前記傾斜面は、前記第１主面から前記第２主面に向かうにつれて前記第１側面に近づく方向に傾斜するように形成されている、＜７＞または＜８＞に記載の受動部品。
＜１０＞
前記受動素子部は、コンデンサ素子の少なくとも一部を含み、
前記コンデンサ素子の少なくとも一部は、前記第１主面に平行な方向に延在するコンデンサ電極と、前記コンデンサ電極と前記無機基板の間に配置され前記無機基板の元素を少なくとも１つ以上含む誘電膜とを有する、＜１＞から＜９＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１１＞
前記無機基板は、前記半導体材料からなる半導体よりも電気抵抗が低い低抵抗部を有し、前記低抵抗部は、前記受動素子部と電気的に接続されている、＜１＞から＜１０＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１２＞
前記受動素子部は、有機樹脂からなる本体部を有し、
前記本体部は、前記第１主面に接触する第３主面と、前記第３主面に対向する第４主面とを有し、
前記第４主面の線粗さは、前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さよりも小さい、＜１＞から＜１１＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１３＞
前記第１主面の線粗さは、０．５μｍ以下であり、
前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さは、それぞれ、０．２μｍ以上１０μｍ以下である、＜１＞から＜１２＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１４＞
前記第１主面の線粗さは、前記第２主面の線粗さよりも大きい、＜１＞から＜１３＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１５＞
前記第１主面の線粗さは、前記第２主面の線粗さよりも小さい、＜１＞から＜１３＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１６＞
前記受動素子部は、有機樹脂からなる本体部を有し、
前記本体部の厚みは、前記無機基板の厚みよりも薄い、＜１＞から＜１５＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１７＞
実装基板と、
前記実装基板上に配置された＜１＞から＜１６＞の何れか一つに記載の受動部品と、
前記実装基板上に設けられ、前記受動部品を覆う封止部材と
を備え、
前記封止部材は、前記受動部品の前記無機基板の前記第１側面および前記第２側面に接触する、パッケージ部品。
＜１＞
互いに対向する第１主面および第２主面を有し、半導体材料を含む無機基板と、
前記無機基板の前記第１主面に接触するように前記第１主面上に設けられた受動素子部と
を備え、
前記第１主面全体における重心を通過し、前記第１主面に直交する平面における断面を第１断面としたとき、
前記第１断面において、
前記無機基板は、前記第１主面に接続し互いに対向する第１側面および第２側面を有し、前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さは、それぞれ、前記第１主面の線粗さよりも大きい、受動部品。
＜２＞
前記第１断面において、前記第２主面の線粗さは、前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さよりも小さい、＜１＞に記載の受動部品。
＜３＞
前記受動素子部は、コンデンサ素子とインダクタ素子を含み、
前記コンデンサ素子は、前記無機基板の前記第１主面上に設けられ、前記インダクタ素子は、前記コンデンサ素子上に設けられる、＜１＞または＜２＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜４＞
前記第１断面において、
前記受動素子部は、前記第１主面に接触する第３主面と、前記第３主面に接続し互いに対向する第３側面および第４側面とを有し、
前記第３側面の線粗さおよび前記第４側面の線粗さは、それぞれ、前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さよりも小さい、＜１＞から＜３＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜５＞
前記受動素子部は、インダクタ素子を含むと共に、有機樹脂からなる本体部を有し、
前記本体部は、前記第３側面および前記第４側面を有する、＜４＞に記載の受動部品。
＜６＞
前記第１側面の線粗さと前記第２側面の線粗さは、異なる、＜１＞から＜５＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜７＞
前記第２側面は、一部に、前記第１主面に直交する方向に対して傾斜し前記第２主面に接続する傾斜面を有する、＜１＞から＜６＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜８＞
前記第２側面は、さらに、前記第１主面に直交する方向に延在し前記第１主面に接続する垂直面を有し、前記傾斜面は、前記垂直面と前記第２主面の間に接続される、＜７＞に記載の受動部品。
＜９＞
前記傾斜面は、前記第１主面から前記第２主面に向かうにつれて前記第１側面に近づく方向に傾斜するように形成されている、＜７＞または＜８＞に記載の受動部品。
＜１０＞
前記受動素子部は、コンデンサ素子の少なくとも一部を含み、
前記コンデンサ素子の少なくとも一部は、前記第１主面に平行な方向に延在するコンデンサ電極と、前記コンデンサ電極と前記無機基板の間に配置され前記無機基板の元素を少なくとも１つ以上含む誘電膜とを有する、＜１＞から＜９＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１１＞
前記無機基板は、前記半導体材料からなる半導体よりも電気抵抗が低い低抵抗部を有し、前記低抵抗部は、前記受動素子部と電気的に接続されている、＜１＞から＜１０＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１２＞
前記受動素子部は、有機樹脂からなる本体部を有し、
前記本体部は、前記第１主面に接触する第３主面と、前記第３主面に対向する第４主面とを有し、
前記第４主面の線粗さは、前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さよりも小さい、＜１＞から＜１１＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１３＞
前記第１主面の線粗さは、０．５μｍ以下であり、
前記第１側面の線粗さおよび前記第２側面の線粗さは、それぞれ、０．２μｍ以上１０μｍ以下である、＜１＞から＜１２＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１４＞
前記第１主面の線粗さは、前記第２主面の線粗さよりも大きい、＜１＞から＜１３＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１５＞
前記第１主面の線粗さは、前記第２主面の線粗さよりも小さい、＜１＞から＜１３＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１６＞
前記受動素子部は、有機樹脂からなる本体部を有し、
前記本体部の厚みは、前記無機基板の厚みよりも薄い、＜１＞から＜１５＞の何れか一つに記載の受動部品。
＜１７＞
実装基板と、
前記実装基板上に配置された＜１＞から＜１６＞の何れか一つに記載の受動部品と、
前記実装基板上に設けられ、前記受動部品を覆う封止部材と
を備え、
前記封止部材は、前記受動部品の前記無機基板の前記第１側面および前記第２側面に接触する、パッケージ部品。
【符号の説明】
【0133】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ 受動部品
５、５Ａ、５Ｄ 受動素子部
５ａ 天面（第４主面）
５ｂ 底面（第３主面）
５ｅ１ 第１端面（第３側面）
５ｅ２ 第２端面（第４側面）
５ｓ１ 第１側面
５ｓ２ 第２側面
６ パッケージ部品
７ 電子部品
８ 実装基板
９ 封止部材
１０ 本体部
１０ａ 天面
１０ｂ 底面
１０ｅ１ 第１端面
１０ｅ２ 第２端面
１０ｓ１ 第１側面
１０ｓ２ 第２側面
２１、２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄ 無機基板
２１ａ 天面（第１主面）
２１ｂ 底面（第２主面）
２１ｅ１ 第１端面（第１側面）
２１ｅ１１ 傾斜面
２１ｅ１２ 垂直面
２１ｅ２ 第２端面（第２側面）
２１ｅ２１ 傾斜面
２１ｅ２２ 垂直面
２１ｓ１ 第１側面
２１ｓ２ 第２側面
２１１ 低抵抗部
４１、４２ 第１、第２外部端子
５１、５２ 第１、第２引出配線
６０ 被覆膜
７１、７２ 第１、第２コンデンサ電極
７３ 誘電膜
１１０ インダクタ配線
１１０ｅ１、１１０ｅ２ 外周端、内周端
１２１ｖ～１２５ｖ 第１～第５ビア配線
１５１、１５２ 第１、第２柱状配線
Ｃ コンデンサ素子
Ｌ インダクタ素子
ＡＸ 軸
Ｓ 測定面
Ｋ 近似直線
ｄ ずれ量
５、５Ａ、５Ｄ 受動素子部
５ａ 天面（第４主面）
５ｂ 底面（第３主面）
５ｅ１ 第１端面（第３側面）
５ｅ２ 第２端面（第４側面）
５ｓ１ 第１側面
５ｓ２ 第２側面
６ パッケージ部品
７ 電子部品
８ 実装基板
９ 封止部材
１０ 本体部
１０ａ 天面
１０ｂ 底面
１０ｅ１ 第１端面
１０ｅ２ 第２端面
１０ｓ１ 第１側面
１０ｓ２ 第２側面
２１、２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄ 無機基板
２１ａ 天面（第１主面）
２１ｂ 底面（第２主面）
２１ｅ１ 第１端面（第１側面）
２１ｅ１１ 傾斜面
２１ｅ１２ 垂直面
２１ｅ２ 第２端面（第２側面）
２１ｅ２１ 傾斜面
２１ｅ２２ 垂直面
２１ｓ１ 第１側面
２１ｓ２ 第２側面
２１１ 低抵抗部
４１、４２ 第１、第２外部端子
５１、５２ 第１、第２引出配線
６０ 被覆膜
７１、７２ 第１、第２コンデンサ電極
７３ 誘電膜
１１０ インダクタ配線
１１０ｅ１、１１０ｅ２ 外周端、内周端
１２１ｖ～１２５ｖ 第１～第５ビア配線
１５１、１５２ 第１、第２柱状配線
Ｃ コンデンサ素子
Ｌ インダクタ素子
ＡＸ 軸
Ｓ 測定面
Ｋ 近似直線
ｄ ずれ量
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図4F】
【図4G】
【図4H】
【図4I】
【図4J】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図7E】
【図7F】
【図7G】
【図7H】
【図7I】
【図7J】
【図7K】
【図7L】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】