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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024064788
(43)【公開日】2024-05-14
(54)【発明の名称】基板処理装置、基板処理方法、及び、チャンバー洗浄方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20240507BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 645B
H01L21/304 647Z
H01L21/304 648L
H01L21/304 643A
H01L21/304 648G
H01L21/304 651B
H01L21/304 645Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】21
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022173653
(22)【出願日】2022-10-28
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100168583
【弁理士】
【氏名又は名称】前井 宏之
(72)【発明者】
【氏名】澤村 雅視
(72)【発明者】
【氏名】新庄 淳一
(72)【発明者】
【氏名】太田 喬
【テーマコード（参考）】
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F157AA17
5F157AB02
5F157AB14
5F157AB33
5F157AB45
5F157AB49
5F157AB51
5F157AB64
5F157AB90
5F157AC04
5F157AC26
5F157BB23
5F157BB24
5F157BB45
5F157BB66
5F157BC53
5F157BE12
5F157BE23
5F157BE33
5F157BE43
5F157BG23
5F157BG76
5F157BG85
5F157BG95
5F157CC11
5F157CF14
5F157CF34
5F157CF60
5F157CF70
5F157CF74
5F157CF99
5F157DB02
5F157DB03
5F157DB51
5F157DC90
(57)【要約】
【課題】薬液雰囲気に起因する基板の汚染を低減させることができる基板処理装置、基板処理方法、及び、チャンバー洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、チャンバー２０１と、送風機構３と、基板保持部４と、基板回転部５と、第１混合液吐出部６と、第１過熱水蒸気吹出部３１とを備える。チャンバー２０１において、基板処理が行われる。送風機構３は、チャンバー２０１内に空気を送風する。基板保持部４は、チャンバー２０１内において基板Ｗを保持する。基板回転部５は、基板保持部４に保持された基板Ｗを回転させる。第１混合液吐出部６は、基板回転部５によって回転される基板Ｗに向けて、硫酸と過酸化水素水とが混合された第１混合液（ＳＰＭ）を吐出する。第１過熱水蒸気吹出部３１は、送風機構３と基板保持部４に保持された基板Ｗとの間に位置する。第１過熱水蒸気吹出部３１は、チャンバー２０１内に過熱水蒸気を吹き出す。
【選択図】図２
【解決手段】基板処理装置１００は、チャンバー２０１と、送風機構３と、基板保持部４と、基板回転部５と、第１混合液吐出部６と、第１過熱水蒸気吹出部３１とを備える。チャンバー２０１において、基板処理が行われる。送風機構３は、チャンバー２０１内に空気を送風する。基板保持部４は、チャンバー２０１内において基板Ｗを保持する。基板回転部５は、基板保持部４に保持された基板Ｗを回転させる。第１混合液吐出部６は、基板回転部５によって回転される基板Ｗに向けて、硫酸と過酸化水素水とが混合された第１混合液（ＳＰＭ）を吐出する。第１過熱水蒸気吹出部３１は、送風機構３と基板保持部４に保持された基板Ｗとの間に位置する。第１過熱水蒸気吹出部３１は、チャンバー２０１内に過熱水蒸気を吹き出す。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板処理が行われるチャンバーと、
前記チャンバー内に空気を送風する送風機構と、
前記チャンバー内において基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる基板回転部と、
前記チャンバー内に位置し、前記基板回転部によって回転される前記基板に向けて、硫酸と過酸化水素水とが混合された第１混合液を吐出する第１混合液吐出部と、
前記送風機構と前記基板保持部に保持された前記基板との間に位置し、前記チャンバー内に過熱水蒸気を吹き出す第１過熱水蒸気吹出部と
を備える、基板処理装置。
前記チャンバー内に空気を送風する送風機構と、
前記チャンバー内において基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる基板回転部と、
前記チャンバー内に位置し、前記基板回転部によって回転される前記基板に向けて、硫酸と過酸化水素水とが混合された第１混合液を吐出する第１混合液吐出部と、
前記送風機構と前記基板保持部に保持された前記基板との間に位置し、前記チャンバー内に過熱水蒸気を吹き出す第１過熱水蒸気吹出部と
を備える、基板処理装置。
【請求項2】
前記第１混合液吐出部からの前記第１混合液の吐出と、前記第１過熱水蒸気吹出部からの前記過熱水蒸気の吹き出しとを制御する制御部を更に備え、
前記制御部は、前記第１混合液の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項１に記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記第１混合液の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記基板回転部によって回転される前記基板から排出される前記第１混合液を受け止める液受け部と、
前記液受け部に支持されて、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す第２過熱水蒸気吹出部と
を更に備える、請求項１に記載の基板処理装置。
前記液受け部に支持されて、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す第２過熱水蒸気吹出部と
を更に備える、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記基板回転部によって回転される前記基板から排出される前記第１混合液を受け止める液受け部と、
前記液受け部に支持されて、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す第２過熱水蒸気吹出部と
を更に備え、
前記制御部は、前記第２過熱水蒸気吹出部からの前記過熱水蒸気の吹き出しと、前記基板回転部による前記基板の回転とを更に制御し、
前記制御部は、前記第１混合液の吐出時に、前記基板の回転速度を制御して、前記基板の上面に前記第１混合液の液膜を形成させ、
前記制御部は、前記第１混合液の吐出を停止させ、かつ、前記基板の回転速度を制御して、前記液膜が前記基板の上面に支持されたパドル状態を形成し、
前記制御部は、前記パドル状態の形成時に、前記第１過熱水蒸気吹出部及び前記第２過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項２に記載の基板処理装置。
前記液受け部に支持されて、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す第２過熱水蒸気吹出部と
を更に備え、
前記制御部は、前記第２過熱水蒸気吹出部からの前記過熱水蒸気の吹き出しと、前記基板回転部による前記基板の回転とを更に制御し、
前記制御部は、前記第１混合液の吐出時に、前記基板の回転速度を制御して、前記基板の上面に前記第１混合液の液膜を形成させ、
前記制御部は、前記第１混合液の吐出を停止させ、かつ、前記基板の回転速度を制御して、前記液膜が前記基板の上面に支持されたパドル状態を形成し、
前記制御部は、前記パドル状態の形成時に、前記第１過熱水蒸気吹出部及び前記第２過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記第２過熱水蒸気吹出部は、
前記基板保持部に保持された前記基板の上面に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す上側過熱水蒸気吹出部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の下面に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す下側過熱水蒸気吹出部と
を含む、請求項３又は請求項４に記載の基板処理装置。
前記基板保持部に保持された前記基板の上面に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す上側過熱水蒸気吹出部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の下面に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す下側過熱水蒸気吹出部と
を含む、請求項３又は請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記第１混合液吐出部は、前記第１混合液と過酸化水素水とを排他的に吐出し、
前記制御部は、前記第１混合液吐出部からの前記過酸化水素水の吐出を更に制御し、
前記制御部は、前記過酸化水素水の吐出時に、前記過熱水蒸気の吹き出しを停止させる、請求項２に記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記第１混合液吐出部からの前記過酸化水素水の吐出を更に制御し、
前記制御部は、前記過酸化水素水の吐出時に、前記過熱水蒸気の吹き出しを停止させる、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記第１混合液吐出部は、前記第１混合液と過酸化水素水とを排他的に吐出し、
前記制御部は、前記第１混合液吐出部からの前記過酸化水素水の吐出を更に制御し、
前記制御部は、前記第１混合液の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を第１流量で吹き出させ、
前記制御部は、前記過酸化水素水の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を、前記第１流量より小さい第２流量で吹き出させる、請求項２に記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記第１混合液吐出部からの前記過酸化水素水の吐出を更に制御し、
前記制御部は、前記第１混合液の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を第１流量で吹き出させ、
前記制御部は、前記過酸化水素水の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を、前記第１流量より小さい第２流量で吹き出させる、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記基板回転部によって回転される前記基板に向けて、アンモニア水と、過酸化水素水と、純水とが混合された第２混合液を吐出する第２混合液吐出部を更に備え、
前記制御部は、前記第２混合液吐出部からの前記第２混合液の吐出を更に制御し、
前記制御部は、前記第２混合液の吐出時に、前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項２に記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記第２混合液吐出部からの前記第２混合液の吐出を更に制御し、
前記制御部は、前記第２混合液の吐出時に、前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記基板回転部によって回転される前記基板に向けてリンス液を吐出するリンス液吐出部と、
前記送風機構と前記基板保持部に保持された前記基板との間に位置し、前記チャンバー内に水蒸気を吹き出す水蒸気吹出部と
を更に備え、
前記制御部は、前記リンス液吐出部からの前記リンス液の吐出と、前記水蒸気吹出部からの前記水蒸気の吹き出しとを更に制御し、
前記制御部は、前記リンス液の吐出時に、前記水蒸気を吹き出させる、請求項２に記載の基板処理装置。
前記送風機構と前記基板保持部に保持された前記基板との間に位置し、前記チャンバー内に水蒸気を吹き出す水蒸気吹出部と
を更に備え、
前記制御部は、前記リンス液吐出部からの前記リンス液の吐出と、前記水蒸気吹出部からの前記水蒸気の吹き出しとを更に制御し、
前記制御部は、前記リンス液の吐出時に、前記水蒸気を吹き出させる、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記制御部は、前記基板回転部による前記基板の回転を更に制御し、
前記制御部は、前記リンス液の吐出を停止させた後、前記基板の回転速度を制御して、前記基板の上面から前記リンス液を除去して前記基板の上面を乾燥させる乾燥処理を実行し、
前記制御部は、前記乾燥処理の実行時に、前記水蒸気の吹き出しを停止させる、請求項９に記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記リンス液の吐出を停止させた後、前記基板の回転速度を制御して、前記基板の上面から前記リンス液を除去して前記基板の上面を乾燥させる乾燥処理を実行し、
前記制御部は、前記乾燥処理の実行時に、前記水蒸気の吹き出しを停止させる、請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記チャンバーの内壁面に向けて過熱水蒸気を吹き出す第３過熱水蒸気吹出部と、
前記送風機構と前記基板保持部との間に位置し、前記チャンバー内に水蒸気を吹き出す水蒸気吹出部と
を更に備え、
前記制御部は、前記水蒸気吹出部からの前記水蒸気の吹き出しと、前記第３過熱水蒸気吹出部からの前記過熱水蒸気の吹き出しとを更に制御し、
前記制御部は、前記チャンバーの内部の洗浄時に、前記水蒸気吹出部から前記水蒸気を吹き出させ、かつ、前記第３過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項２に記載の基板処理装置。
前記送風機構と前記基板保持部との間に位置し、前記チャンバー内に水蒸気を吹き出す水蒸気吹出部と
を更に備え、
前記制御部は、前記水蒸気吹出部からの前記水蒸気の吹き出しと、前記第３過熱水蒸気吹出部からの前記過熱水蒸気の吹き出しとを更に制御し、
前記制御部は、前記チャンバーの内部の洗浄時に、前記水蒸気吹出部から前記水蒸気を吹き出させ、かつ、前記第３過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項12】
基板保持部により、チャンバー内で基板を保持する保持工程と、
送風機構によって前記チャンバー内に空気が送風されている状態で、前記送風機構と前記基板保持部に保持された前記基板との間に位置する第１過熱水蒸気吹出部から、前記チャンバー内に過熱水蒸気を吹き出させる工程と
を含む、基板処理方法。
送風機構によって前記チャンバー内に空気が送風されている状態で、前記送風機構と前記基板保持部に保持された前記基板との間に位置する第１過熱水蒸気吹出部から、前記チャンバー内に過熱水蒸気を吹き出させる工程と
を含む、基板処理方法。
【請求項13】
前記基板保持部に保持された前記基板を回転させ、回転中の前記基板に向けて、硫酸と過酸化水素水とが混合された第１混合液を吐出する第１混合液吐出工程を更に含み、
前記第１混合液の吐出時に前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項１２に記載の基板処理方法。
前記第１混合液の吐出時に前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項１２に記載の基板処理方法。
【請求項14】
前記第１混合液の吐出を停止させ、かつ、前記基板の回転速度を制御して、前記第１混合液の液膜が前記基板の上面に支持されたパドル状態を形成するパドル工程を更に含み、
前記パドル状態の形成時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させるとともに、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて第２過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させ、
前記第２過熱水蒸気吹出部は、回転する前記基板から排出される前記第１混合液を受け止める液受け部に支持される、請求項１３に記載の基板処理方法。
前記パドル状態の形成時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させるとともに、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて第２過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させ、
前記第２過熱水蒸気吹出部は、回転する前記基板から排出される前記第１混合液を受け止める液受け部に支持される、請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項15】
前記第２過熱水蒸気吹出部は、
前記基板保持部に保持された前記基板の上面に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す上側過熱水蒸気吹出部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の下面に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す下側過熱水蒸気吹出部と
を含む、請求項１４に記載の基板処理方法。
前記基板保持部に保持された前記基板の上面に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す上側過熱水蒸気吹出部と、
前記基板保持部に保持された前記基板の下面に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す下側過熱水蒸気吹出部と
を含む、請求項１４に記載の基板処理方法。
【請求項16】
回転中の前記基板に向けて過酸化水素水を吐出して、前記基板の上面から前記第１混合液の液膜を排出させる押出工程を更に含み、
前記過酸化水素水の吐出時に、前記過熱水蒸気の吹き出しを停止させる、請求項１４又は請求項１５に記載の基板処理方法。
前記過酸化水素水の吐出時に、前記過熱水蒸気の吹き出しを停止させる、請求項１４又は請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項17】
回転中の前記基板に向けて過酸化水素水を吐出して、前記基板の上面から前記第１混合液の液膜を排出させる押出工程を更に含み、
前記第１混合液の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を第１流量で吹き出させ、
前記過酸化水素水の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を、前記第１流量より小さい第２流量で吹き出させる、請求項１４又は請求項１５に記載の基板処理方法。
前記第１混合液の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を第１流量で吹き出させ、
前記過酸化水素水の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を、前記第１流量より小さい第２流量で吹き出させる、請求項１４又は請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項18】
前記基板保持部に保持された前記基板を回転させた状態で、回転中の前記基板に向けて、アンモニア水と、過酸化水素水と、純水とが混合された第２混合液を吐出する第２混合液吐出工程を更に含み、
前記第２混合液の吐出時に前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項１２に記載の基板処理方法。
前記第２混合液の吐出時に前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項１２に記載の基板処理方法。
【請求項19】
前記送風機構によって前記チャンバー内に空気が送風されている状態で、前記送風機構と前記基板保持部に保持された前記基板との間に位置する水蒸気吹出部から、前記チャンバー内に水蒸気を吹き出させる工程と、
前記基板保持部に保持された前記基板を回転させた状態で、回転中の前記基板に向けてリンス液を吐出する工程と
を更に含み、
前記リンス液の吐出時に前記水蒸気吹出部から前記水蒸気を吹き出させる、請求項１２に記載の基板処理方法。
前記基板保持部に保持された前記基板を回転させた状態で、回転中の前記基板に向けてリンス液を吐出する工程と
を更に含み、
前記リンス液の吐出時に前記水蒸気吹出部から前記水蒸気を吹き出させる、請求項１２に記載の基板処理方法。
【請求項20】
前記リンス液の吐出を停止させた後、前記基板の回転速度を制御して、前記基板の上面から前記リンス液を除去して前記基板の上面を乾燥させる乾燥工程を更に含み、
前記乾燥工程の際に、前記水蒸気の吹き出しを停止させる、請求項１９に記載の基板処理方法。
前記乾燥工程の際に、前記水蒸気の吹き出しを停止させる、請求項１９に記載の基板処理方法。
【請求項21】
基板処理が行われるチャンバーの内部を洗浄する工程を含み、
前記チャンバーの内部を洗浄する際に、前記チャンバーの内壁面に向けて過熱水蒸気を吹き出させ、かつ、前記チャンバー内に空気を送風する送風機構と前記チャンバー内において基板を保持する基板保持部との間に位置する水蒸気吹出部から前記チャンバー内に水蒸気を吹き出させる、チャンバー洗浄方法。
前記チャンバーの内部を洗浄する際に、前記チャンバーの内壁面に向けて過熱水蒸気を吹き出させ、かつ、前記チャンバー内に空気を送風する送風機構と前記チャンバー内において基板を保持する基板保持部との間に位置する水蒸気吹出部から前記チャンバー内に水蒸気を吹き出させる、チャンバー洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置、基板処理方法、及び、チャンバー洗浄方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ノズルから基板に向けて薬液を吐出して基板を処理する枚葉式の基板処理装置が知られている。ノズルから薬液が吐出されると、薬液成分を含む薬液雰囲気が基板の近くで発生する。チャックピンやカップに薬液が衝突したときにも、薬液雰囲気が基板の近くで発生する。特に、１００℃以上のＳＰＭ（硫酸過酸化水素混合液）がノズルから吐出される場合には、ＳＰＭに含まれる水の蒸発により、ＳＰＭの液滴やミストがノズルから噴出する。ＳＰＭとレジストとの反応により基板からヒューム（煙のような気体）が発生する場合もある。
【0003】
殆どの薬液雰囲気は、チャンバー内に形成されたクリーンエアーのダウンフローや排気設備の吸引力によって、カップ内に送り込まれる。しかしながら、一部の薬液雰囲気が、カップの外の空間に拡散し、乾燥後の基板に付着する場合がある。また、一部の薬液雰囲気が、基板の上方に配置された部材やチャンバーの内壁面に付着する場合もある。この場合、基板が汚染されるおそれがある。
【0004】
特許文献１には、チャンバー内に水を噴霧してチャンバー内にミストを発生させ、ミストに含まれる水の粒子と、薬液雰囲気に含まれる薬液の粒子とを結合させる基板処理装置が開示されている。水の粒子と薬液の粒子とが結合することで、薬液の粒子が浮遊し難くなり、その結果、薬液雰囲気の拡散が抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１６－１２６２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、チャンバー内にミストを発生させた場合、ミストに含まれる水分によって基板の温度が低下して、ＳＰＭによるレジスト剥離の効率が低下する可能性がある。したがって、薬液雰囲気に起因する基板の汚染を低減させる技術には、更なる改良の余地がある。
【0007】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、薬液雰囲気に起因する基板の汚染を低減させることができる基板処理装置、基板処理方法、及び、チャンバー洗浄方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、チャンバーと、送風機構と、基板保持部と、基板回転部と、第１混合液吐出部と、第１過熱水蒸気吹出部とを備える。前記チャンバーにおいて、基板処理が行われる。前記送風機構は、前記チャンバー内に空気を送風する。前記基板保持部は、前記チャンバー内において基板を保持する。前記基板回転部は、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる。前記第１混合液吐出部は、前記チャンバー内に位置する。前記第１混合液吐出部は、前記基板回転部によって回転される前記基板に向けて、硫酸と過酸化水素水とが混合された第１混合液を吐出する。前記第１過熱水蒸気吹出部は、前記送風機構と前記基板保持部に保持された前記基板との間に位置する。前記第１過熱水蒸気吹出部は、前記チャンバー内に過熱水蒸気を吹き出す。
【0009】
ある実施形態において、上記の基板処理装置は、制御部を更に備える。前記制御部は、前記第１混合液吐出部からの前記第１混合液の吐出と、前記第１過熱水蒸気吹出部からの前記過熱水蒸気の吹き出しとを制御する。前記制御部は、前記第１混合液の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる。
【0010】
ある実施形態において、上記の基板処理装置は、液受け部と、第２過熱水蒸気吹出部とを更に備える。前記液受け部は、前記基板回転部によって回転される前記基板から排出される前記第１混合液を受け止める。前記第２過熱水蒸気吹出部は、前記液受け部に支持される。前記第２過熱水蒸気吹出部は、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す。
【0011】
ある実施形態において、前記制御部は、前記第２過熱水蒸気吹出部からの前記過熱水蒸気の吹き出しと、前記基板回転部による前記基板の回転とを更に制御する。前記制御部は、前記第１混合液の吐出時に、前記基板の回転速度を制御して、前記基板の上面に前記第１混合液の液膜を形成させる。前記制御部は、前記第１混合液の吐出を停止させ、かつ、前記基板の回転速度を制御して、前記液膜が前記基板の上面に支持されたパドル状態を形成する。前記制御部は、前記パドル状態の形成時に、前記第１過熱水蒸気吹出部及び前記第２過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる。
【0012】
ある実施形態において、前記第２過熱水蒸気吹出部は、上側過熱水蒸気吹出部と、下側過熱水蒸気吹出部とを含む。前記上側過熱水蒸気吹出部は、前記基板保持部に保持された前記基板の上面に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す。前記下側過熱水蒸気吹出部は、前記基板保持部に保持された前記基板の下面に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す。
【0013】
ある実施形態において、前記第１混合液吐出部は、前記第１混合液と過酸化水素水とを排他的に吐出する。前記制御部は、前記第１混合液吐出部からの前記過酸化水素水の吐出を更に制御する。前記制御部は、前記過酸化水素水の吐出時に、前記過熱水蒸気の吹き出しを停止させる。
【0014】
ある実施形態において、前記第１混合液吐出部は、前記第１混合液と過酸化水素水とを排他的に吐出する。前記制御部は、前記第１混合液吐出部からの前記過酸化水素水の吐出を更に制御する。前記制御部は、前記第１混合液の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を第１流量で吹き出させる。前記制御部は、前記過酸化水素水の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を、前記第１流量より小さい第２流量で吹き出させる。
【0015】
ある実施形態において、上記の基板処理装置は、第２混合液吐出部を更に備える。前記第２混合液吐出部は、前記基板回転部によって回転される前記基板に向けて、アンモニア水と、過酸化水素水と、純水とが混合された第２混合液を吐出する。前記制御部は、前記第２混合液吐出部からの前記第２混合液の吐出を更に制御する。前記制御部は、前記第２混合液の吐出時に、前記過熱水蒸気を吹き出させる。
【0016】
ある実施形態において、上記の基板処理装置は、リンス液吐出部と、水蒸気吹出部とを更に備える。前記リンス液吐出部は、前記基板回転部によって回転される前記基板に向けてリンス液を吐出する。前記水蒸気吹出部は、前記送風機構と前記基板保持部に保持された前記基板との間に位置する。前記水蒸気吹出部は、前記チャンバー内に水蒸気を吹き出す。前記制御部は、前記リンス液吐出部からの前記リンス液の吐出と、前記水蒸気吹出部からの前記水蒸気の吹き出しとを更に制御する。前記制御部は、前記リンス液の吐出時に、前記水蒸気を吹き出させる。
【0017】
ある実施形態において、前記制御部は、前記基板回転部による前記基板の回転を更に制御する。前記制御部は、前記リンス液の吐出を停止させた後、乾燥処理を実行する。前記乾燥処理は、前記基板の回転速度を制御して、前記基板の上面から前記リンス液を除去して前記基板の上面を乾燥させる処理を示す。前記制御部は、前記乾燥処理の実行時に、前記水蒸気の吹き出しを停止させる。
【0018】
ある実施形態において、上記の基板処理装置は、第３過熱水蒸気吹出部と、水蒸気吹出部とを更に備える。前記第３過熱水蒸気吹出部は、前記チャンバーの内壁面に向けて過熱水蒸気を吹き出す。前記水蒸気吹出部は、前記送風機構と前記基板保持部との間に位置する。前記水蒸気吹出部は、前記チャンバー内に水蒸気を吹き出す。前記制御部は、前記水蒸気吹出部からの前記水蒸気の吹き出しと、前記第３過熱水蒸気吹出部からの前記過熱水蒸気の吹き出しとを更に制御する。前記制御部は、前記チャンバーの内部の洗浄時に、前記水蒸気吹出部から前記水蒸気を吹き出させ、かつ、前記第３過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる。
【0019】
本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、基板保持部により、チャンバー内で基板を保持する保持工程と、送風機構によって前記チャンバー内に空気が送風されている状態で、前記送風機構と前記基板保持部に保持された前記基板との間に位置する第１過熱水蒸気吹出部から、前記チャンバー内に過熱水蒸気を吹き出させる工程とを含む。
【0020】
ある実施形態において、上記の基板処理方法は、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させ、回転中の前記基板に向けて、硫酸と過酸化水素水とが混合された第１混合液を吐出する第１混合液吐出工程を更に含む。前記第１混合液の吐出時に前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる。
【0021】
ある実施形態において、上記の基板処理方法は、前記第１混合液の吐出を停止させ、かつ、前記基板の回転速度を制御して、前記第１混合液の液膜が前記基板の上面に支持されたパドル状態を形成するパドル工程を更に含む。前記パドル状態の形成時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させるとともに、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて第２過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる。前記第２過熱水蒸気吹出部は、回転する前記基板から排出される前記第１混合液を受け止める液受け部に支持される。
【0022】
ある実施形態において、前記第２過熱水蒸気吹出部は、上側過熱水蒸気吹出部と、下側過熱水蒸気吹出部とを含む。前記上側過熱水蒸気吹出部は、前記基板保持部に保持された前記基板の上面に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す。前記下側過熱水蒸気吹出部は、前記基板保持部に保持された前記基板の下面に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す。
【0023】
ある実施形態において、上記の基板処理方法は、回転中の前記基板に向けて過酸化水素水を吐出して、前記基板の上面から前記第１混合液の液膜を排出させる押出工程を更に含む。前記過酸化水素水の吐出時に、前記過熱水蒸気の吹き出しを停止させる。
【0024】
ある実施形態において、上記の基板処理方法は、回転中の前記基板に向けて過酸化水素水を吐出して、前記基板の上面から前記第１混合液の液膜を排出させる押出工程を更に含む。前記第１混合液の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を第１流量で吹き出させる。前記過酸化水素水の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を、前記第１流量より小さい第２流量で吹き出させる。
【0025】
ある実施形態において、上記の基板処理方法は、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させた状態で、回転中の前記基板に向けて、アンモニア水と、過酸化水素水と、純水とが混合された第２混合液を吐出する第２混合液吐出工程を更に含む。前記第２混合液の吐出時に前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる。
【0026】
ある実施形態において、上記の基板処理方法は、前記送風機構によって前記チャンバー内に空気が送風されている状態で、前記送風機構と前記基板保持部に保持された前記基板との間に位置する水蒸気吹出部から、前記チャンバー内に水蒸気を吹き出させる工程と、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させた状態で、回転中の前記基板に向けてリンス液を吐出する工程とを更に含む。前記リンス液の吐出時に前記水蒸気吹出部から前記水蒸気を吹き出させる。
【0027】
ある実施形態において、上記の基板処理方法は、前記リンス液の吐出を停止させた後、前記基板の回転速度を制御して、前記基板の上面から前記リンス液を除去して前記基板の上面を乾燥させる乾燥工程を更に含む。前記乾燥工程の際に、前記水蒸気の吹き出しを停止させる。
【0028】
本発明の更に他の局面によれば、チャンバー洗浄方法は、基板処理が行われるチャンバーの内部を洗浄する工程を含む。前記チャンバーの内部を洗浄する際に、前記チャンバーの内壁面に向けて過熱水蒸気を吹き出させ、かつ、前記チャンバー内に空気を送風する送風機構と前記チャンバー内において基板を保持する基板保持部との間に位置する水蒸気吹出部から前記チャンバー内に水蒸気を吹き出させる。
【発明の効果】
【0029】
本発明に係る基板処理装置、基板処理方法、及び、チャンバー洗浄方法によれば、薬液雰囲気に起因する基板の汚染を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0030】
【図1】本発明の実施形態に係る基板処理装置の模式的な平面図である。
【図2】本発明の実施形態に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【図3】本発明の実施形態に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の構成を模式的に示す他の断面図である。
【図4】本発明の実施形態に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の構成を模式的に示す他の断面図である。
【図5】本発明の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。
【図6】本発明の実施形態に係る基板処理装置に含まれる第１薬液供給部の構成を示す図である。
【図7】本発明の実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
【図8】本発明の実施形態に係る基板処理方法に含まれる基板処理及び水蒸気処理を示すフローチャートである。
【図9】事前加熱時の基板処理部を模式的に示す図である。
【図10】ＳＰＭ処理時の基板処理部を模式的に示す図である。
【図11】パドル処理時の基板処理部を模式的に示す図である。
【図12】過酸化水素水により基板を処理する際の基板処理部を模式的に示す図である。
【図13】リンス処理時の基板処理部を模式的に示す図である。
【図14】ＳＣ１により基板を処理する際の基板処理部を模式的に示す図である。
【図15】乾燥処理時の基板処理部を模式的に示す図である。
【図16】チャンバーの内部を洗浄する際の基板処理部を模式的に示す図である。
【図17】本発明の実施形態に係る基板処理装置の変形例に含まれる基板処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0031】
以下、図面（図１～図１７）を参照して本発明の基板処理装置、基板処理方法、及び、チャンバー洗浄方法に係る実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
【0032】
本発明に係る基板処理装置、基板処理方法、及び、チャンバー洗浄方法において、基板処理の対象となる「基板」には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、及び光磁気ディスク用基板などの各種の基板を適用可能である。以下では主として、円盤状の半導体ウエハを基板処理の対象とする場合を例に本発明の実施形態を説明するが、本発明に係る基板処理装置、基板処理方法、及び、チャンバー洗浄方法は、上記した半導体ウエハ以外の各種の基板に対しても同様に適用可能である。また、基板の形状についても、円盤状に限定されず、本発明に係る基板処理装置、基板処理方法、及び、チャンバー洗浄方法は、各種の形状の基板に対して適用可能である。
【0033】
まず、図１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。詳しくは、図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式的な平面図である。基板処理装置１００は、処理液により基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１００は、枚葉式の装置であり、１枚ずつ基板Ｗを処理する。
【0034】
図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の基板処理部２と、流体キャビネット１０Ａと、複数の流体ボックス１０Ｂと、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。
【0035】
ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。本実施形態では、未処理の基板Ｗ（処理前の基板Ｗ）の各々に、不要になったレジストのマスク（レジスト膜）が付着している。
【0036】
インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと基板処理部２との間で基板Ｗを搬送する。なお、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間に、基板Ｗを一時的に載置する載置台（パス）を設けて、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で載置台を介して間接的に基板Ｗを受け渡しする装置構成としてもよい。
【0037】
複数の基板処理部２は、複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成している。複数のタワーＴＷは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置される。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の基板処理部２（図１では３つの基板処理部２）を含む。
【0038】
流体キャビネット１０Ａは、流体を収容する。流体は処理液を含む。流体ボックス１０Ｂはそれぞれ、複数のタワーＴＷのうちの１つに対応している。流体キャビネット１０Ａ内の処理液は、いずれかの流体ボックス１０Ｂを介して、流体ボックス１０Ｂに対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理部２に供給される。
【0039】
処理液は、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）、過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）、アンモニア水（ＮＨ4ＯＨ）、及びリンス液を含む。本実施形態において、リンス液は、純水である。純水は、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ：Ｄｅｉｏｎｚｉｅｄ Ｗａｔｅｒ）である。なお、リンス液は、例えば、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、アンモニア水、又は希釈された塩酸水（例えば、濃度が１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度の塩酸水）であってもよい。リンス液が純水でない場合、流体キャビネット１０Ａ内の流体は、純水を更に含む。
【0040】
基板処理部２の各々は、処理液を基板Ｗの上面に供給する。具体的には、基板処理部２は、硫酸過酸化水素混合液（ＳＰＭ：Ｓｕｌｆｕｒｉｃ Ａｃｉｄ Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｐｅｒｏｘｉｄｅ Ｍｉｘｔｕｒｅ）、過酸化水素水、リンス液、及びＳＣ１を、ＳＰＭ、過酸化水素水、リンス液、ＳＣ１、リンス液の順に基板Ｗに供給する。硫酸過酸化水素混合液は、硫酸と過酸化水素水とが混合された混合液である。ＳＣ１は、アンモニア水と、過酸化水素水と、純水とが混合された混合液である。
【0041】
基板Ｗの上面にＳＰＭが供給されると、基板Ｗの上面からレジスト膜（有機物）が剥離されて、基板Ｗの上面からレジスト膜が除去される。基板Ｗの上面にＳＣ１が供給されると、基板Ｗの上面に付着しているパーティクルが除去される。より具体的には、ＳＣ１に含まれる過酸化水素水により基板Ｗの本体表面のシリコンが酸化し、シリコン酸化物がアンモニアによりエッチングされて、リフトオフにより各種パーティクルが除去される。したがって、ＳＣ１により、レジスト膜の残渣物、及び非溶解性のパーティクルが剥離除去される。
【0042】
制御装置１０１は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。例えば、制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、及び基板処理部２を制御する。制御装置１０１は、制御部１０２と、記憶部１０３とを含む。
【0043】
制御部１０２は、記憶部１０３に記憶されている各種情報に基づいて基板処理装置１００の各部の動作を制御する。制御部１０２は、例えば、プロセッサを有する。制御部１０２は、プロセッサとして、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、又は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を有してもよい。あるいは、制御部１０２は、汎用演算機又は専用演算器を有してもよい。
【0044】
記憶部１０３は、基板処理装置１００の動作を制御するための各種情報を記憶する。例えば、記憶部１０３は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。データは、種々のレシピデータを含む。レシピデータは、例えば、プロセスレシピを含む。プロセスレシピは、基板処理の手順を規定するデータである。具体的には、プロセスレシピは、基板処理に含まる一連の処理の実行順序、各処理の内容、及び各処理の条件（パラメータの設定値）を規定する。
【0045】
記憶部１０３は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部１０３は、補助記憶装置を更に有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部１０３はリムーバブルメディアを含んでもよい。
【0046】
続いて、図１～図３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図２は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の構成を模式的に示す断面図である。図３は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の構成を模式的に示す他の断面図である。詳しくは、図３は、上側から視た基板処理部２の内部を示す。
【0047】
図２に示すように、基板処理部２は、送風機構３と、チャンバー２０１と、整流板２０４と、スピンチャック４と、スピンモータ部５と、第１ノズル６と、第１ノズル移動機構６１と、第２ノズル７と、第２ノズル移動機構７１と、第３ノズル８と、液受け部９と、基板加熱部２０と、排気ダクト２０６とを備える。また、基板処理装置１００は、第１薬液供給部６２と、第２薬液供給部７２と、リンス液供給部８２とを備える。
【0048】
制御装置１０１（制御部１０２）は、送風機構３、スピンチャック４、スピンモータ部５、第１ノズル移動機構６１、第２ノズル移動機構７１、液受け部９、基板加熱部２０、第１薬液供給部６２、第２薬液供給部７２、及びリンス液供給部８２を制御する。
【0049】
チャンバー２０１は、略箱形状を有する。より具体的には、チャンバー２０１は、上壁２０２と、側壁２０３と、下壁２０５とを有する。チャンバー２０１は、基板Ｗ、整流板２０４、スピンチャック４、スピンモータ部５、第１ノズル６、第１ノズル移動機構６１、第２ノズル７、第２ノズル移動機構７１、第３ノズル８、液受け部９、基板加熱部２０の一部、排気ダクト２０６の一部、第１薬液供給部６２の一部、第２薬液供給部７２の一部、及びリンス液供給部８２の一部を収容する。基板Ｗは、チャンバー２０１内に搬入されて、チャンバー２０１内で処理される。つまり、チャンバー２０１内で基板処理が行われる。
【0050】
送風機構３は、チャンバー２０１の外部に配置される。より具体的には、送風機構３は、チャンバー２０１（上壁２０２）の上方に配置されて、上壁２０２の外壁面に対向する。送風機構３は、上壁２０２の外壁面に設置されてもよい。詳しくは、チャンバー２０１は、上壁２０２を鉛直方向に貫通する送風口２０２ａを有し、送風機構３は、送風口２０２ａの上方に配置される。送風口２０２ａは、例えば、平面視で基板Ｗに重なる位置に形成される。
【0051】
送風機構３はチャンバー２０１内に空気を送風する。より具体的には、送風機構３は、基板処理装置１００が設置されるクリーンルーム内の空気を吸い込み、送風口２０２ａを介してチャンバー２０１内に送風する。詳しくは、送風機構３は、羽根と、電動モータと、フィルタとを有する。羽根は、回転することにより、クリーンルーム内の空気を吸い込み、送風口２０２ａに向けて送風する。電動モータは、羽根を回転させる。フィルタは、回転する羽根によって送られた空気をろ過する。この結果、フィルタによって清浄化された空気がチャンバー２０１内に送風される。送風機構３は、例えば、ファン・フィルタ・ユニット（ＦＦＵ）である。
【0052】
整流板２０４は、チャンバー２０１内に配置される。より具体的には、整流板２０４は、水平な姿勢で保持される。したがって、整流板２０４は、水平面に沿って拡がる。例えば、整流板２０４は、側壁２０３に支持される。整流板２０４は、チャンバー２０１の内部空間を下方空間２ａと上方空間２ｂとに区画する。上方空間２ｂは、下方空間２ａよりも上方の空間である。
【0053】
詳しくは、整流板２０４は、チャンバー２０１内の上部に配置されて、上壁２０２の内壁面に対向する。具体的には、整流板２０４は、チャンバー２０１内において基板処理に用いられる部材よりも上方に配置される。したがって、基板処理は、下方空間２ａにおいて行われる。つまり、下方空間２ａは、処理空間である。基板処理に用いられる部材には、スピンチャック４と、スピンモータ部５と、第１ノズル６と、第１ノズル移動機構６１と、第２ノズル７と、第２ノズル移動機構７１と、第３ノズル８と、液受け部９と、基板加熱部２０とが含まれる。
【0054】
整流板２０４は、送風機構３からチャンバー２０１内に送風された空気を整流する。より具体的には、整流板２０４は、送風機構３から上方空間２ｂに送られた空気を整流して、下方空間２ａ（処理空間）にダウンフローを発生させる。
【0055】
詳しくは、整流板２０４は、多数の貫通孔２０４ａを有する。貫通孔２０４ａはそれぞれ、整流板２０４の厚み方向に整流板２０４を貫通する。例えば、貫通孔２０４ａはそれぞれ、鉛直方向に延びる。多数の貫通孔２０４ａは、整流板２０４の全域に形成される。上壁２０２の送風口２０２ａは、チャンバー２０１の外部と上方空間２ｂとを連通する。送風機構３から送風された空気は、上方空間２ｂ内で拡散し、上方空間２ｂに充満する。上方空間２ｂに充満した空気は、多数の貫通孔２０４ａを通過して、整流板２０４の全域から下方空間２ａに流入する。この結果、整流板２０４の全域から下方向に流れる下降気流（ダウンフロー）が下方空間２ａに発生する。
【0056】
送風機構３の電動モータは、制御装置１０１（制御部１０２）により制御される。制御装置１０１（制御部１０２）は、例えば、送風機構３の電動モータを制御して、下方空間２ａ（処理空間）内にダウンフローを常に発生させてもよい。
【0057】
スピンチャック４は、チャンバー２０１の下方空間２ａにおいて基板Ｗを保持する。スピンチャック４は、基板保持部の一例である。より具体的には、スピンチャック４は、基板Ｗを水平な姿勢で保持する。図２に示すように、スピンチャック４は、スピンベース４１と、複数のチャック部材４２とを有してもよい。
【0058】
スピンベース４１は、略円盤状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材４２を支持する。複数のチャック部材４２は、スピンベース４１の周縁部に配置される。複数のチャック部材４２は、基板Ｗの周縁部を挟持する。複数のチャック部材４２により、基板Ｗが水平な姿勢で保持される。複数のチャック部材４２の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0059】
スピンモータ部５は、スピンチャック４に保持された基板Ｗを回転させる。スピンモータ部５は、基板回転部の一例である。より具体的には、スピンモータ部５は、鉛直方向に延びる第１回転軸線ＡＸ１を中心として、基板Ｗとスピンチャック４とを一体に回転させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、スピンモータ部５による基板Ｗの回転を制御する。
【0060】
詳しくは、第１回転軸線ＡＸ１は、スピンベース４１の中心を通る。複数のチャック部材４２は、基板Ｗの中心がスピンベース４１の中心と一致するように配置されている。したがって、基板Ｗは、基板Ｗの中心を回転中心として回転する。
【0061】
図２に示すように、スピンモータ部５は、シャフト５１と、モータ本体５２とを有してもよい。シャフト５１はスピンベース４１に結合される。モータ本体５２は、シャフト５１を回転させる。その結果、スピンベース４１が回転する。モータ本体５２の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0062】
第１ノズル６は、チャンバー２０１の下方空間２ａに位置し、スピンモータ部５によって回転される基板Ｗに向けて、ＳＰＭと過酸化水素水とを排他的に吐出する。第１ノズル６は、第１混合液吐出部の一例である。回転中の基板Ｗの上面にＳＰＭが吐出されることにより、基板Ｗの上面にＳＰＭの液膜が形成される。同様に、回転中の基板Ｗの上面に過酸化水素水が吐出されることにより、基板Ｗの上面に過酸化水素水の液膜が形成される。
【0063】
第１ノズル６からのＳＰＭの吐出と、第１ノズル６からの過酸化水素水の吐出とは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１薬液供給部６２を制御することにより、第１ノズル６からのＳＰＭの吐出と、第１ノズル６からの過酸化水素水の吐出とを制御する。
【0064】
第１薬液供給部６２は、第１ノズル６にＳＰＭと過酸化水素水とを排他的に供給する。図２に示すように、第１薬液供給部６２は、第１薬液供給配管６２１と、第１成分開閉バルブ６３１と、第２成分開閉バルブ６３２とを有してもよい。第１薬液供給配管６２１の一部は、チャンバー２０１内に収容される。第１成分開閉バルブ６３１及び第２成分開閉バルブ６３２は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容される。
【0065】
第１薬液供給配管６２１は、第１ノズル６にＳＰＭと過酸化水素水とを排他的に供給する。具体的には、第１薬液供給配管６２１は、管状の部材であり、ＳＰＭ及び過酸化水素水を第１ノズル６まで流通させる。
【0066】
詳しくは、第１薬液供給配管６２１は、第１配管６２１ａと、第２配管６２１ｂとを含む。第１配管６２１ａの一端は、第１ノズル６に接続する。第２配管６２１ｂは、第１配管６２１ａに接続する。第１配管６２１ａには、硫酸が流入する。第２配管６２１ｂには過酸化水素水が流入する。
【0067】
第１成分開閉バルブ６３１は、第１配管６２１ａに介装される。具体的には、第１成分開閉バルブ６３１は、第１配管６２１ａと第２配管６２１ｂとの接続箇所ＣＰよりも上流側に配置される。第２成分開閉バルブ６３２は、第２配管６２１ｂに介装される。
【0068】
第１成分開閉バルブ６３１及び第２成分開閉バルブ６３２は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、第１成分開閉バルブ６３１及び第２成分開閉バルブ６３２の開閉動作を制御する。第１成分開閉バルブ６３１及び第２成分開閉バルブ６３２のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。
【0069】
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板ＷにＳＰＭを供給する際に、第１成分開閉バルブ６３１及び第２成分開閉バルブ６３２を開状態にする。第１成分開閉バルブ６３１及び第２成分開閉バルブ６３２を開状態にすると、硫酸が第１ノズル６に向かって第１配管６２１ａを流通し、過酸化水素水が接続箇所ＣＰに向かって第２配管６２１ｂを流通する。この結果、接続箇所ＣＰにおいて硫酸と過酸化水素水とが混合して、ＳＰＭが生成される。ＳＰＭは、第１ノズル６に向かって第１配管６２１ａを流通し、第１ノズル６から基板Ｗに向けてＳＰＭが吐出される。
【0070】
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗに過酸化水素水を供給する際に、第１成分開閉バルブ６３１を閉状態にし、第２成分開閉バルブ６３２を開状態にする。第１成分開閉バルブ６３１を閉状態にし、第２成分開閉バルブ６３２を開状態にすると、第１配管６２１ａを介した硫酸の流通が停止し、過酸化水素水が接続箇所ＣＰに向かって第２配管６２１ｂを流通する。この結果、第１配管６２１ａに流入した過酸化水素水が、第１ノズル６に向かって第１配管６２１ａを流通し、第１ノズル６から基板Ｗに向けて過酸化水素水が吐出される。
【0071】
制御装置１０１（制御部１０２）は、第１ノズル６からのＳＰＭ及び過酸化水素水の吐出を停止させる際に、第１成分開閉バルブ６３１及び第２成分開閉バルブ６３２を閉状態にする。第１成分開閉バルブ６３１及び第２成分開閉バルブ６３２を閉状態にすると、第１配管６２１ａを介した硫酸の流通が停止し、第２配管６２１ｂを介した過酸化水素水の流通が停止する。
【0072】
第２ノズル７は、チャンバー２０１の下方空間２ａに位置し、スピンモータ部５によって回転される基板Ｗに向けて、ＳＣ１を吐出する。第２ノズル７は、第２混合液吐出部の一例である。第２ノズル７からのＳＣ１の吐出は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２薬液供給部７２を制御することにより、第２ノズル７からのＳＣ１の吐出を制御する。
【0073】
第２薬液供給部７２は、第２ノズル７にＳＣ１を供給する。図２に示すように、第２薬液供給部７２は、第２薬液供給配管７２１と、薬液開閉バルブ７３１とを有してもよい。第２薬液供給配管７２１の一部は、チャンバー２０１内に収容される。薬液開閉バルブ７３１は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容される。
【0074】
第２薬液供給配管７２１は、第２ノズル７にＳＣ１を供給する。具体的には、第２薬液供給配管７２１は、管状の部材であり、ＳＣ１を第２ノズル７まで流通させる。
【0075】
薬液開閉バルブ７３１は、第２薬液供給配管７２１に介装される。薬液開閉バルブ７３１は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、薬液開閉バルブ７３１の開閉動作を制御する。薬液開閉バルブ７３１は、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。
【0076】
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板ＷにＳＣ１を供給する際に、薬液開閉バルブ７３１を開状態にする。薬液開閉バルブ７３１を開状態にすると、ＳＣ１が第２ノズル７に向かって第２薬液供給配管７２１を流通する。この結果、第２ノズル７から基板Ｗに向けてＳＣ１が吐出される。
【0077】
制御装置１０１（制御部１０２）は、第２ノズル７からのＳＣ１の吐出を停止させる際に、薬液開閉バルブ７３１を閉状態にする。薬液開閉バルブ７３１を閉状態にすると、第２薬液供給配管７２１を介したＳＣ１の流通が停止する。
【0078】
第３ノズル８は、チャンバー２０１の下方空間２ａに位置し、スピンモータ部５によって回転される基板Ｗに向けて、リンス液を吐出する。第３ノズル８は、リンス液吐出部の一例である。第３ノズル８からのリンス液の吐出は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液供給部８２を制御することにより、第３ノズル８からのリンス液の吐出を制御する。
【0079】
リンス液供給部８２は、第３ノズル８にリンス液を供給する。図２に示すように、リンス液供給部８２は、リンス液供給配管８２１と、リンス液開閉バルブ８３１とを有してもよい。リンス液供給配管８２１の一部は、チャンバー２０１内に収容される。リンス液開閉バルブ８３１は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容される。
【0080】
リンス液供給配管８２１は、第３ノズル８にリンス液を供給する。具体的には、リンス液供給配管８２１は、管状の部材であり、リンス液を第３ノズル８まで流通させる。
【0081】
リンス液開閉バルブ８３１は、リンス液供給配管８２１に介装される。リンス液開閉バルブ８３１は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液開閉バルブ８３１の開閉動作を制御する。リンス液開閉バルブ８３１は、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。
【0082】
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗにリンス液を供給する際に、リンス液開閉バルブ８３１を開状態にする。リンス液開閉バルブ８３１を開状態にすると、リンス液が第３ノズル８に向かってリンス液供給配管８２１を流通する。この結果、第３ノズル８から基板Ｗに向けてリンス液が吐出される。
【0083】
制御装置１０１（制御部１０２）は、第３ノズル８からのリンス液の吐出を停止させる際に、リンス液開閉バルブ８３１を閉状態にする。リンス液開閉バルブ８３１を閉状態にすると、リンス液供給配管８２１を介したリンス液の流通が停止する。
【0084】
第１ノズル移動機構６１は、第１ノズル６を水平面に沿って移動させる。第１ノズル移動機構６１の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。より詳しくは、第１ノズル移動機構６１は、第１退避領域と処理位置との間で第１ノズル６を移動させる。第１退避領域は、スピンチャック４の外側の領域である。例えば、第１退避領域は、液受け部９の外側の領域であってもよい。図３には、第１退避領域に移動した第１ノズル６を示している。
【0085】
本実施形態において、第１ノズル６の処理位置は基板Ｗの中心に対向する位置である。第１ノズル６は、処理位置から基板Ｗに向けてＳＰＭ及び過酸化水素水を排他的に吐出する。図３に示すように、第１ノズル移動機構６１は、基板Ｗの中心を通る円弧状の軌跡に沿って第１ノズル６を水平に移動させる。
【0086】
具体的には、図２に示すように、第１ノズル移動機構６１は、第１ノズルアーム６１１と、第１ノズル基台６１２と、第１ノズル移動部６１３とを有してもよい。第１ノズル基台６１２は鉛直方向に延びる。第１ノズルアーム６１１の基端部は第１ノズル基台６１２に結合している。第１ノズルアーム６１１は、第１ノズル基台６１２から水平方向に延びる。
【0087】
第１ノズルアーム６１１は、第１ノズル６を支持する。第１ノズル６は、第１ノズルアーム６１１から鉛直下方に向けて突出する。第１ノズル６は、第１ノズルアーム６１１の先端部に配置されてもよい。
【0088】
第１ノズル移動部６１３は、鉛直方向に延びる第２回転軸線ＡＸ２を中心として第１ノズル基台６１２を回転させる。この結果、第１ノズル６が第２回転軸線ＡＸ２を中心とする周方向に沿って第１ノズル基台６１２の周りを移動する。第１ノズル移動部６１３は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。第１ノズル移動部６１３は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを備えてもよい。
【0089】
第２ノズル移動機構７１は、第２ノズル７を水平面に沿って移動させる。第２ノズル移動機構７１の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。より詳しくは、第２ノズル移動機構７１は、基板Ｗの中心に対向する位置と第２退避領域との間で第２ノズル７を移動させる。第２退避領域は、スピンチャック４の外側の領域である。例えば、第２退避領域は、液受け部９の外側の領域であってもよい。図３には、第２退避領域に移動した第２ノズル７を示している。
【0090】
本実施形態において、第２ノズル７は、基板Ｗの中心に対向する位置と基板Ｗの周縁部に対向する位置との間で移動しながら、基板Ｗに向けてＳＣ１を吐出する。第２ノズル７は、所謂スキャンノズルである。図３に示すように、第２ノズル移動機構７１は、基板Ｗの中心を通る円弧状の軌跡に沿って第２ノズル７を水平に移動させる。
【0091】
図２に示すように、第２ノズル移動機構７１は、第２ノズルアーム７１１と、第２ノズル基台７１２と、第２ノズル移動部７１３とを有してもよい。第２ノズル移動機構７１の構成は、第１ノズル移動機構６１と略同様であるため、その説明は割愛する。
【0092】
液受け部９は、スピンモータ部５によって回転される基板Ｗから排出される処理液（ＳＰＭ、過酸化水素水、リンス液、及びＳＣ１）を受け止める。図２に示すように、液受け部９は、ガード９１と、ガード昇降部９４とを有してもよい。
【0093】
ガード９１は、略円筒状であり、スピンチャック４に保持されている基板Ｗの周囲を取り囲む。ガード９１は、基板Ｗから排出された処理液を受け止める。より具体的には、ガード９１は、回転する基板Ｗから飛散する処理液を受け止める。
【0094】
図２に示すように、ガード９１は、筒状の案内部９２と、筒状の傾斜部９３とを含んでもよい。傾斜部９３は、第１回転軸線ＡＸ１に向かって斜め上に延びる。案内部９２は、傾斜部９３の下端部から下方に延びる。傾斜部９３は、円環状の上端９ａを含む。上端９ａは、基板Ｗ及びスピンベース４１よりも大きい内径を有する。傾斜部９３の上端９ａは、ガード９１の上端に相当する。以下、傾斜部９３の上端９ａを、ガード９１の上端９ａと記載する場合がある。図３に示すように、上端９ａは、平面視で基板Ｗ及びスピンベース４１を取り囲んでいる。
【0095】
ガード昇降部９４は、図２において二点鎖線で示す第１下位置と、図２において実線で示す第１上位置との間でガード９１を昇降させる。ここで、第１下位置は、ガード９１の上端９ａが基板Ｗよりも下方に配置される位置を示す。第１上位置は、ガード９１の上端９ａが基板Ｗよりも上方に配置される位置を示す。ガード昇降部９４は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。ガード昇降部９４は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを備えてもよい。
【0096】
例えば、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗがスピンチャック４によって保持された後に、ガード９１を第１下位置から第１上位置へ移動させる。ガード９１が第１上位置に配置されることで、基板Ｗから飛散する処理液をガード９１によって受け止めることができる。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗがチャンバー２０１から搬出される際に、ガード９１を第１上位置から第１下位置へ移動させる。ガード９１が第１下位置に配置されることで、図１を参照して説明したセンターロボットＣＲとスピンチャック４との間での基板Ｗの受け渡しが可能となる。
【0097】
排気ダクト２０６は、チャンバー２０１内の気体をチャンバー２０１の外に排出する。具体的には、排気ダクト２０６内の気体は、基板処理装置１００が設置される工場に設けられた排気設備（図示せず）によって常時吸引される。排気ダクト２０６の上流端は、スピンベース４１よりも下方に配置されている。ガード９１の内側の気体は、排気ダクト２０６を通じて伝達される排気設備の吸引力によって、排気ダクト２０６の上流端に吸い寄せられる。ガード９１よりも上方の空間を漂う気体は、排気ダクト２０６からガード９１の内側に伝達される吸引力によって、ガード９１の上端９ａの内側に吸い寄せられる。その結果、チャンバー２０１内の気体は、ガード９１の内側を通じてチャンバー２０１の外に排出される。その際に、チャンバー２０１内の気体は、スピンチャック４に保持された基板Ｗの周縁部付近を通過する。
【0098】
基板加熱部２０は、スピンチャック４に保持された基板Ｗを加熱する。例えば、図２に示すように、基板加熱部２０は、加熱部材２１と、昇降軸２２と、給電部２３と、ヒータ昇降部２４とを有してもよい。
【0099】
加熱部材２１は、略円盤状であり、チャック部材４２に保持された基板Ｗとスピンベース４１との間に位置する。加熱部材２１には、ヒータが埋め込まれている。ヒータは、例えば、抵抗体を含む。給電部２３は、加熱部材２１に埋め込まれたヒータに通電して、加熱部材２１を加熱させる。給電部２３は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0100】
昇降軸２２は略棒状の部材であり、略鉛直方向に延びる。昇降軸２２は、加熱部材２１に結合する。ヒータ昇降部２４は、昇降軸２２を昇降させることにより、加熱部材２１を昇降させる。具体的には、ヒータ昇降部２４は、チャック部材４２に保持された基板Ｗの下面とスピンベース４１の上面との間で加熱部材２１を昇降させる。ヒータ昇降部２４は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。ヒータ昇降部２４は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを備えてもよい。
【0101】
続いて、図３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図３に示すように、チャンバー２０１は、シャッター２０７を更に有する。また、チャンバー２０１の側壁２０３には、搬入搬出口２０３ａが形成されている。シャッター２０７は、搬入搬出口２０３ａを開く位置と、搬入搬出口２０３ａを閉じる位置との間で移動可能である。シャッター２０７の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0102】
搬入搬出口２０３ａは、チャンバー２０１の内部と外部とを連通する開口である。図１を参照して説明したセンターロボットＣＲは、シャッター２０７が搬入搬出口２０３ａを開いている際に、搬入搬出口２０３ａを介してチャンバー２０１の下方空間２ａに基板Ｗを搬入する。また、図１を参照して説明したセンターロボットＣＲは、シャッター２０７が搬入搬出口２０３ａを開いている際に、搬入搬出口２０３ａを介してチャンバー２０１の内部から外部へ基板Ｗを搬出する。例えば、制御装置１０１（制御部１０２）は、センターロボットＣＲからスピンチャック４に基板Ｗが受け渡され、センターロボットＣＲのハンドがチャンバー２０１の外部へ退避した後に、シャッター２０７を閉じる。
【0103】
【0104】
第１吹出部３１は、送風機構３とスピンチャック４に保持された基板Ｗとの間に位置し、チャンバー２０１の下方空間２ａに過熱水蒸気を吹き出す。第１吹出部３１は、第１過熱水蒸気吹出部の一例である。第１吹出部３１からの過熱水蒸気の吹き出しは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。なお、過熱水蒸気は、水蒸気を加熱することにより生成される。したがって、過熱水蒸気は、水蒸気の温度より高温である。具体的には、水蒸気の発生時の温度は１００℃であり、過熱水蒸気の生成時の温度は１００℃より高温である。
【0105】
第１吹出部３１から吹き出された過熱水蒸気は、ダウンフローと、排気ダクト２０６からの吸引力とによって、チャンバー２０１内の空気と共に流れる。したがって、過熱水蒸気は、ガード９１の上端９ａの内側に吸い寄せられる。その際に、過熱水蒸気は、スピンチャック４に保持された基板Ｗの周縁部付近を通過する。その結果、過熱水蒸気により、基板Ｗの周縁分の温度の低下が抑制される。
【0106】
本実施形態では、第１吹出部３１は、第１ノズル６よりも上方に配置されている。例えば、図２に示すように、第１吹出部３１は、整流板２０４に支持されてもよい。例えば、第１吹出部３１は、ブラケットを介して整流板２０４に固定される。また、平面視において、第１吹出部３１は、スピンチャック４に保持された基板Ｗの外側に位置する。したがって、第１吹出部３１から水滴のぼた落ちが発生しても、その水滴は基板Ｗに落下し難い。例えば、第１吹出部３１は、平面視において液受け部９と重なる位置に配置されてもよい。
【0107】
第１吹出部３１は、例えば、基板ＷがＳＰＭによって処理されている際に過熱水蒸気を吹き出す。つまり、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１ノズル６からＳＰＭが吐出されている際に、第１吹出部３１から過熱水蒸気を吹き出させる。以下、ＳＰＭによる基板処理を、「ＳＰＭ処理」と記載する場合がある。
【0108】
既に説明したように、ＳＰＭは第１ノズル６から基板Ｗの中心に向けて吐出される。したがって、基板Ｗの中心から遠い基板Ｗの周縁部は、基板Ｗの中心と比べて温度が低下し易い。そのため、基板Ｗの周縁部に付着しているレジスト膜の剥離は容易ではなく、ＳＰＭ処理の時間を比較的長い時間に設定する必要がある。これに対し、本実施形態によれば、過熱水蒸気によって基板Ｗの周縁部の温度の低下を抑制することができるため、基板Ｗの周縁部に付着しているレジスト膜の剥離が容易となる。よって、ＳＰＭ処理の時間を比較的短い時間に設定することができ、ＳＰＭによるレジスト剥離の効率を向上させることができる。その結果、基板処理に用いるＳＰＭの量を減らすことができる。
【0109】
また、ＳＰＭ処理の際には、第１ノズル６や基板Ｗ等から薬液雰囲気が発生する。これに対し、本実施形態によれば、過熱水蒸気により、薬液雰囲気の拡散を抑制することができる。したがって、薬液雰囲気に起因する基板Ｗの汚染を低減させることができる。具体的には、ダウンフローによって、過熱水蒸気に含まれる液滴がチャンバー２０１の下方空間２ａを漂う薬液成分に衝突して、薬液成分に下方向へ向かう加速度が与えられる。その結果、薬液成分は、排気ダクト２０６からガード９１の内側に伝達される吸引力によって、ガード９１の上端９ａの内側に吸い寄せられて、チャンバー２０１内の気体と共に、ガード９１の内側を通じてチャンバー２０１の外に排出される。
【0110】
特に、本実施形態では、第１吹出部３１が第１ノズル６の上方に配置される。よって、第１吹出部３１が第１ノズル６の下方に配置される構成と比べて、第１ノズル６から発生する薬液雰囲気の拡散を効率よく抑制することができる。
【0111】
更に、本実施形態によれば、過熱水蒸気により、液受け部９、スピンチャック４、及びスピンモータ部５等の基板Ｗの周辺の部材に熱を与えて、基板Ｗの周辺の部材の温度を高くすることができる。その結果、基板Ｗの温度がより低下し難くなる。よって、ＳＰＭによるレジスト剥離の効率を更に向上させることができる。
【0112】
また、本実施形態によれば、第１ノズル６から比較的遠い位置に第１吹出部３１が配置される。したがって、第１ノズル６から吐出されるＳＰＭに過熱水蒸気が引き寄せられ難い。よって、過熱水蒸気が下方空間２ａ内で偏在し難くなるため、過熱水蒸気によって、チャンバー２０１の下方空間２ａに配置されている部材を効率よく昇温させることができる。
【0113】
また、過熱水蒸気には若干の水分が含まれる。したがって、過熱水蒸気に含まれる水分がＳＰＭに接触して、ＳＰＭと水分とが反応する際に発生する熱により、基板Ｗの温度低下を抑制することができる。
【0114】
また、過熱水蒸気を供給することにより、チャンバー２０１の下方空間２ａの湿度が高くなる。その結果、基板Ｗの上面においてＳＰＭが拡がり易くなり、基板Ｗを効率よく処理することが可能となる。
【0115】
第２吹出部３２は、液受け部９に支持されて、スピンチャック４に保持された基板Ｗに向けて過熱水蒸気を吹き出す。第２吹出部３２は、第２過熱水蒸気吹出部の一例である。具体的には、第２吹出部３２は、ガード９１に支持される。例えば、第２吹出部３２は、ブラケットを介してガード９１に固定される。第２吹出部３２からの過熱水蒸気の吹き出しは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0116】
本実施形態によれば、基板Ｗに対して比較的近い位置から基板Ｗに向けて過熱水蒸気を供給することができる。したがって、基板Ｗの温度がより低下し難くなるため、ＳＰＭによるレジスト剥離の効率を更に向上させることができる。また、基板Ｗから発生する薬液雰囲気の拡散を効率よく抑制することができる。
【0117】
本実施形態では、図２に示すように、第２吹出部３２は、上側吹出部３２ａと、下側吹出部３２ｂとを含む。上側吹出部３２ａは、スピンチャック４に保持された基板Ｗの上面に向けて過熱水蒸気を吹き出す。下側吹出部３２ｂは、スピンチャック４に保持された基板Ｗの下面に向けて過熱水蒸気を吹き出す。上側吹出部３２ａは、上側過熱水蒸気吹出部の一例である。下側吹出部３２ｂは、下側過熱水蒸気吹出部の一例である。
【0118】
具体的には、上側吹出部３２ａは、傾斜部９３の外周面の頂部に固定される。つまり、上側吹出部３２ａは、ガード９１の上端９ａ付近で支持される。また、下側吹出部３２ｂは、ガード９１の内周面に固定される。例えば、下側吹出部３２ｂは、案内部９２の内周面に固定されてもよい。
【0119】
本実施形態によれば、基板Ｗの上面及び下面の両面に向けて過熱水蒸気を供給することができる。したがって、基板Ｗの温度がより低下し難くなるため、ＳＰＭによるレジスト剥離の効率を更に向上させることができる。また、基板Ｗに対して比較的近い位置から基板Ｗの上面に向けて過熱水蒸気を供給することができる。したがって、基板Ｗから発生する薬液雰囲気の拡散を効率よく抑制することができる。
【0120】
更に、本実施形態によれば、傾斜部９３の外周面の頂部に上側吹出部３２ａが配置されるため、上側吹出部３２ａによって阻害されることなく、ガード９１よりも上方の空間からガード９１の上端９ａの内側へ気体（過熱水蒸気を含む）が吸い寄せられる。
【0121】
第３吹出部３３は、チャンバー２０１の内壁面に向けて過熱水蒸気を吹き出す。第３吹出部３３は、第３過熱水蒸気吹出部の一例である。本実施形態において、第３吹出部３３は、側壁２０３の内壁面に向けて過熱水蒸気を吹き出す。第３吹出部３３からの過熱水蒸気の吹き出しは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。制御装置１０１（制御部１０２）は、チャンバー２０１の内部を洗浄する際に第３吹出部３３から過熱水蒸気を吹き出させる。
【0122】
チャンバー２０１の内部の洗浄後、チャンバー２０１の内部を乾燥させる処理が行われる。例えば、チャンバー２０１の内部に、窒素ガスのような不活性ガスを供給して、チャンバー２０１の内部を乾燥させる。洗浄後のチャンバー２０１は、チャンバー２０１の内部が乾燥した後に基板処理に使用される。
【0123】
しかしながら、チャンバー２０１の内部を洗浄する際には、大量の純水が使用される。そのため、洗浄後のチャンバー２０１の内部は乾燥し難い状態となる。これに対し、本実施形態によれば、チャンバー２０１の内部を洗浄する際に第３吹出部３３からチャンバー２０１の内壁面に向けて過熱水蒸気が供給されるため、チャンバー２０１の内壁面が乾きやすくなる。したがって、チャンバー２０１の内部を効率よく乾燥させることができる。
【0124】
なお、チャンバー２０１の内部の洗浄は、例えば、基板処理部２が予め定められた枚数（例えば、２４枚）の基板Ｗを処理する度に実行されてもよい。あるいは、チャンバー２０１の内部の洗浄は、予め定められた時間が経過する度に実行されてもよい。
【0125】
第４吹出部３４は、送風機構３とスピンチャック４に保持された基板Ｗとの間に位置し、チャンバー２０１の下方空間２ａに水蒸気を吹き出す。第４吹出部３４は、水蒸気吹出部の一例である。第４吹出部３４からの水蒸気の吹き出しは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。なお、既に説明したように、水蒸気は過熱水蒸気よりも低温である。また、水蒸気は、過熱水蒸気と比べて水分量が多く、液滴も大きい。第４吹出部３４から供給される水蒸気は、ミストであってもよい。
【0126】
本実施形態では、第４吹出部３４は、第１ノズル６よりも上方に配置されている。例えば、図２に示すように、第４吹出部３４は、整流板２０４に支持されてもよい。例えば、第４吹出部３４は、ブラケットを介して整流板２０４に固定される。また、平面視において、第４吹出部３４は、スピンチャック４に保持された基板Ｗの外側に位置する。したがって、第４吹出部３４から水滴のぼた落ちが発生しても、その水滴は基板Ｗに落下し難い。例えば、第４吹出部３４は、平面視において液受け部９と重なる位置に配置されてもよい。
【0127】
第４吹出部３４は、例えば、基板Ｗがリンス液によって処理されている際に水蒸気を吹き出す。つまり、制御装置１０１（制御部１０２）は、第３ノズル８からリンス液が吐出されている際に、第４吹出部３４から水蒸気を吹き出させる。以下、リンス液による基板処理を、「リンス処理」と記載する場合がある。
【0128】
本実施形態によれば、水蒸気により、薬液雰囲気の拡散をより抑制することができる。具体的には、既に説明したように、水蒸気の液滴は、過熱水蒸気の液滴よりも大きい。よって、水蒸気の液滴は、過熱水蒸気と比べて薬液成分に衝突し易い。したがって、排気ダクト２０６からガード９１の内側に伝達される吸引力により、薬液成分を効率よくチャンバー２０１の外に排出させることができる。また、水蒸気の液滴に衝突された薬液成分の一部は、基板Ｗの上面に形成されているリンス液の液膜に付着して、リンス液と共に基板Ｗから排出される。その結果、薬液成分は、リンス液と共にチャンバー２０１の外部に排出される。特に、リンス処理の際は、薬液雰囲気が比較的発生し難い状態となる。つまり、リンス処理の際は、薬液雰囲気が増加し難い。よって、リンス処理の際にチャンバー２０１の下方空間２ａに水蒸気を供給することにより、薬液雰囲気の拡散をより効率よく抑制することができる。
【0129】
続いて、図３を参照して、上側吹出部３２ａを説明する。図３に示すように、上側吹出部３２ａは円環状であり、ガード９１の上端９ａに沿って延びる。上側吹出部３２ａは、管状の部材であり、過熱水蒸気は上側吹出部３２ａの内部を流通する。上側吹出部３２ａの内周側には、少なくとも１つの吹出口（図示せず）が形成されている。吹出口は開口であり、上側吹出部３２ａを流通する過熱水蒸気は、上側吹出部３２ａの吹出口から基板Ｗの上面に向けて吹き出す。
【0130】
なお、下側吹出部３２ｂの構成も上側吹出部３２ａと同様である。具体的には、下側吹出部３２ｂは円環状であり、ガード９１の内周面に沿って延びる。下側吹出部３２ｂは、管状の部材であり、過熱水蒸気は下側吹出部３２ｂの内部を流通する。下側吹出部３２ｂの内周側には、少なくとも１つの吹出口（図示せず）が形成されている。吹出口は開口であり、下側吹出部３２ｂを流通する過熱水蒸気は、下側吹出部３２ｂの吹出口から基板Ｗの下面に向けて吹き出す。
【0131】
本実施形態によれば、上側吹出部３２ａが円環状であるため、上側吹出部３２ａに複数の吹出口を形成することにより、基板Ｗの上面に対して複数の方向から過熱水蒸気を供給することができる。したがって、基板Ｗの温度低下を効率的に抑制することができる。但し、上側吹出部３２ａの吹出口の数は１つであってもよい。
【0132】
同様に、下側吹出部３２ｂが円環状であるため、下側吹出部３２ｂに複数の吹出口を形成することにより、基板Ｗの下面に対して複数の方向から過熱水蒸気を供給することができる。したがって、基板Ｗの温度低下を効率的に抑制することができる。但し、下側吹出部３２ｂの吹出口の数は１つであってもよい。
【0133】
また、本実施形態によれば、例えば、円周に沿って配列された複数のノズルにより上側吹出部３２ａを構成する場合と比べて、基板処理装置１００の構成が簡易な構成となり、基板処理装置１００の製造が容易になる。同様に、円周に沿って配列された複数のノズルにより下側吹出部３２ｂを構成する場合と比べて、基板処理装置１００の構成が簡易な構成となり、基板処理装置１００の製造が容易になる。但し、上側吹出部３２ａは、少なくとも１つのノズルによって構成されてもよい。同様に、下側吹出部３２ｂは、少なくとも１つのノズルによって構成されてもよい。
【0134】
続いて、図４を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図４は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の構成を模式的に示す他の断面図である。詳しくは、図４は、下側から視た基板処理部２の内部を示す。
【0135】
図４に示すように、第１吹出部３１は円環状である。第１吹出部３１は、管状の部材であり、過熱水蒸気は第１吹出部３１の内部を流通する。第１吹出部３１の下面側には、少なくとも１つの吹出口（図示せず）が形成されている。吹出口は開口であり、第１吹出部３１を流通する過熱水蒸気は、第１吹出部３１の吹出口から下方向に吹き出す。
【0136】
第４吹出部３４の構成も第１吹出部３１と同様である。具体的には、第４吹出部３４は円環状である。第４吹出部３４は、管状の部材であり、水蒸気は第４吹出部３４の内部を流通する。第４吹出部３４の下面側には、少なくとも１つの吹出口（図示せず）が形成されている。吹出口は開口であり、第４吹出部３４を流通する水蒸気は、第４吹出部３４の吹出口から下方向に向けて吹き出す。
【0137】
本実施形態によれば、第１吹出部３１が円環状であるため、第１吹出部３１に複数の吹出口を形成することにより、チャンバー２０１の下方空間２ａに偏りなく過熱水蒸気を供給することができる。但し、第１吹出部３１の吹出口の数は１つであってもよい。
【0138】
同様に、第４吹出部３４が円環状であるため、第４吹出部３４に複数の吹出口を形成することにより、チャンバー２０１の下方空間２ａに偏りなく水蒸気を供給することができる。但し、第４吹出部３４の吹出口の数は１つであってもよい。
【0139】
また、本実施形態によれば、例えば、複数のノズルにより第１吹出部３１を構成する場合と比べて、基板処理装置１００の構成が簡易な構成となり、基板処理装置１００の製造が容易になる。同様に、複数のノズルにより第４吹出部３４を構成する場合と比べて、基板処理装置１００の構成が簡易な構成となり、基板処理装置１００の製造が容易になる。但し、第１吹出部３１は、少なくとも１つのノズルによって構成されてもよい。同様に、第４吹出部３４は、少なくとも１つのノズルによって構成されてもよい。
【0140】
なお、本実施形態では、第１吹出部３１の内側に第４吹出部３４が配置されているが、第４吹出部３４は第１吹出部３１の外側に配置されてもよい。また、第１吹出部３１及び第４吹出部３４をそれぞれ複数のノズルによって構成する場合、例えば、第１吹出部３１のノズルと第４吹出部３４のノズルとは円周に沿って交互に並んで配置されてもよい。
【0141】
図４に示すように、第３吹出部３３は、チャンバー２０１の側壁２０３に沿って延びる。第３吹出部３３は、管状の部材であり、過熱水蒸気は第３吹出部３３の内部を流通する。第３吹出部３３には、少なくとも１つの吹出口（図示せず）が形成されている。吹出口は開口である。具体的には、第３吹出部３３の吹出口は、側壁２０３の内面に向かって開口している。第３吹出部３３を流通する過熱水蒸気は、第３吹出部３３の吹出口からチャンバー２０１の側壁２０３に向かって吹き出す。
【0142】
本実施形態によれば、第３吹出部３３がチャンバー２０１の側壁２０３に沿って延びるため、第３吹出部３３に複数の吹出口を形成することにより、側壁２０３の内周面に偏りなく過熱水蒸気を供給することができる。但し、第３吹出部３３の吹出口の数は１つであってもよい。
【0143】
また、本実施形態によれば、例えば、チャンバー２０１の側壁２０３に沿って配列された複数のノズルにより第３吹出部３３を構成する場合と比べて、基板処理装置１００の構成が簡易な構成となり、基板処理装置１００の製造が容易になる。但し、第３吹出部３３は、少なくとも１つのノズルによって構成されてもよい。
【0144】
続いて、図４及び図５を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を更に説明する。図５は、本実施形態の基板処理装置１００の構成を示す図である。図４に示すように、基板処理装置１００は、水蒸気供給部３００を更に備える。水蒸気供給部３００は、第１吹出部３１と、第３吹出部３３とに過熱水蒸気を供給する。また、水蒸気供給部３００は、第４吹出部３４に水蒸気を供給する。更に、図５に示すように、水蒸気供給部３００は、第２吹出部３２（上側吹出部３２ａ及び下側吹出部３２ｂ）に過熱水蒸気を供給する。
【0145】
図４に示すように、水蒸気供給部３００は、水蒸気発生部３００Ａと、第１水蒸気配管３１１と、第１過熱水蒸気バルブ３１２と、第１流量制御バルブ３１３と、過熱水蒸気生成ヒータ３０３とを有する。図５に示すように、水蒸気供給部３００は、第２水蒸気配管３２１と、第２過熱水蒸気バルブ３２２とを更に有する。図４に示すように、水蒸気供給部３００は、第３水蒸気配管３３１と、第３過熱水蒸気バルブ３３２と、第４水蒸気配管３４１と、水蒸気バルブ３４２と、第２流量制御バルブ３４３とを更に有する。
【0146】
水蒸気発生部３００Ａは、図１を参照して説明した流体キャビネット１０Ａに収容される。第１過熱水蒸気バルブ３１２、第１流量制御バルブ３１３、過熱水蒸気生成ヒータ３０３、第２過熱水蒸気バルブ３２２、第３過熱水蒸気バルブ３３２、水蒸気バルブ３４２、及び第２流量制御バルブ３４３は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容される。第１水蒸気配管３１１、第２水蒸気配管３２１、第３水蒸気配管３３１、及び第４水蒸気配管３４１の一部は、チャンバー２０１内に収容される。
【0147】
水蒸気発生部３００Ａは、水蒸気を発生させる。図４に示すように、水蒸気発生部３００Ａから発生した水蒸気は、第１水蒸気配管３１１と、第４水蒸気配管３４１とに流入する。具体的には、水蒸気発生部３００Ａは、貯留部３０１と、水蒸気生成ヒータ３０２とを有する。貯留部３０１は、純水を貯留する。水蒸気生成ヒータ３０２は、貯留部３０１に貯留されている純水を加熱して、水蒸気を発生させる。貯留部３０１には第１水蒸気配管３１１の一端と第４水蒸気配管３４１の一端とが接続されている。水蒸気生成ヒータ３０２の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0148】
第１水蒸気配管３１１の他端は、第１吹出部３１に接続している。第１水蒸気配管３１１には、第１過熱水蒸気バルブ３１２と、第１流量制御バルブ３１３と、過熱水蒸気生成ヒータ３０３とが介装されている。
【0149】
第１水蒸気配管３１１は、水蒸気及び過熱水蒸気が流通する管状の部材である。過熱水蒸気生成ヒータ３０３は、貯留部３０１から第１水蒸気配管３１１に流入した水蒸気を加熱して、過熱水蒸気を生成する。過熱水蒸気は、第１水蒸気配管３１１を流通して、第１吹出部３１に流入する。
【0150】
第１過熱水蒸気バルブ３１２は開閉バルブであり、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、第１過熱水蒸気バルブ３１２の開閉動作を制御する。第１過熱水蒸気バルブ３１２のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。第１過熱水蒸気バルブ３１２が開くことにより、過熱水蒸気が第１水蒸気配管３１１を介して第１吹出部３１まで流通して、第１吹出部３１に過熱水蒸気が供給される。第１過熱水蒸気バルブ３１２が閉じることにより、第１吹出部３１への過熱水蒸気の供給が停止する。
【0151】
第１流量制御バルブ３１３は、第１水蒸気配管３１１を流通する過熱水蒸気の流量を制御する。具体的には、第１流量制御バルブ３１３は、開度の制御が可能であり、第１水蒸気配管３１１を流通する過熱水蒸気の流量は、第１流量制御バルブ３１３の開度に応じた大きさになる。第１流量制御バルブ３１３のアクチュエータは、例えば、電動アクチュエータである。第１流量制御バルブ３１３は、例えば、モーターニードルバルブであってもよい。第１流量制御バルブ３１３の開度は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0152】
図５に示すように、第２水蒸気配管３２１の一端は、過熱水蒸気生成ヒータ３０３よりも下流側において第１水蒸気配管３１１に接続する。第２水蒸気配管３２１の他端は、第２吹出部３２に接続する。第２水蒸気配管３２１は、管状の部材であり、第１水蒸気配管３１１から第２水蒸気配管３２１に過熱水蒸気が流入する。過熱水蒸気は、第２水蒸気配管３２１を流通して、第２吹出部３２に流入する。
【0153】
第２過熱水蒸気バルブ３２２は、第２水蒸気配管３２１に介装されている。第２過熱水蒸気バルブ３２２は開閉バルブであり、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、第２過熱水蒸気バルブ３２２の開閉動作を制御する。第２過熱水蒸気バルブ３２２のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。第２過熱水蒸気バルブ３２２が開くことにより、過熱水蒸気が第２水蒸気配管３２１を介して第２吹出部３２まで流通して、第２吹出部３２に過熱水蒸気が供給される。第２過熱水蒸気バルブ３２２が閉じることにより、第２吹出部３２への過熱水蒸気の供給が停止する。
【0154】
本実施形態において、第２水蒸気配管３２１は、第１配管３２１ａと、第２配管３２１ｂとを含む。第２過熱水蒸気バルブ３２２は、第１バルブ３２２ａと、第２バルブ３２２ｂとを含む。
【0155】
第２水蒸気配管３２１の第１配管３２１ａの一端は、過熱水蒸気生成ヒータ３０３よりも下流側において第１水蒸気配管３１１に接続する。第２水蒸気配管３２１の第１配管３２１ａの他端は、上側吹出部３２ａに接続する。第１水蒸気配管３１１から第２水蒸気配管３２１の第１配管３２１ａに流入した過熱水蒸気は、第２水蒸気配管３２１の第１配管３２１ａを流通して、上側吹出部３２ａに流入する。
【0156】
第１バルブ３２２ａは、第２水蒸気配管３２１の第１配管３２１ａに介装されている。第１バルブ３２２ａが開くことにより、過熱水蒸気が第２水蒸気配管３２１の第１配管３２１ａを介して上側吹出部３２ａまで流通して、上側吹出部３２ａに過熱水蒸気が供給される。第１バルブ３２２ａが閉じることにより、上側吹出部３２ａへの過熱水蒸気の供給が停止する。
【0157】
第２水蒸気配管３２１の第２配管３２１ｂの一端は、第１バルブ３２２ａよりも上流側において、第２水蒸気配管３２１の第１配管３２１ａに接続する。第２水蒸気配管３２１の第２配管３２１ｂの他端は、下側吹出部３２ｂに接続する。第２水蒸気配管３２１の第１配管３２１ａから第２水蒸気配管３２１の第２配管３２１ｂに流入した過熱水蒸気は、第２水蒸気配管３２１の第２配管３２１ｂを流通して、下側吹出部３２ｂに流入する。
【0158】
第２バルブ３２２ｂは、第２水蒸気配管３２１の第２配管３２１ｂに介装されている。第２バルブ３２２ｂが開くことにより、過熱水蒸気が第２水蒸気配管３２１の第２配管３２１ｂを介して下側吹出部３２ｂまで流通して、下側吹出部３２ｂに過熱水蒸気が供給される。第２バルブ３２２ｂが閉じることにより、下側吹出部３２ｂへの過熱水蒸気の供給が停止する。
【0159】
図４に示すように、第３水蒸気配管３３１の一端は、過熱水蒸気生成ヒータ３０３よりも下流側において第１水蒸気配管３１１に接続する。第３水蒸気配管３３１の他端は、第３吹出部３３に接続する。第３水蒸気配管３３１は、管状の部材であり、第１水蒸気配管３１１から第３水蒸気配管３３１に過熱水蒸気が流入する。過熱水蒸気は、第３水蒸気配管３３１を流通して、第３吹出部３３に流入する。
【0160】
第３過熱水蒸気バルブ３３２は、第３水蒸気配管３３１に介装されている。第３過熱水蒸気バルブ３３２は開閉バルブであり、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、第３過熱水蒸気バルブ３３２の開閉動作を制御する。第３過熱水蒸気バルブ３３２のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。第３過熱水蒸気バルブ３３２が開くことにより、過熱水蒸気が第３水蒸気配管３３１を介して第３吹出部３３まで流通して、第３吹出部３３に過熱水蒸気が供給される。第３過熱水蒸気バルブ３３２が閉じることにより、第３吹出部３３への過熱水蒸気の供給が停止する。
【0161】
第４水蒸気配管３４１の他端は、第４吹出部３４に接続している。第４水蒸気配管３４１には、水蒸気バルブ３４２と、第２流量制御バルブ３４３とが介装されている。
【0162】
第４水蒸気配管３４１は、水蒸気が流通する管状の部材である。貯留部３０１から第４水蒸気配管３４１に流入した水蒸気は、第４水蒸気配管３４１を流通して、第４吹出部３４に流入する。
【0163】
水蒸気バルブ３４２は開閉バルブであり、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、水蒸気バルブ３４２の開閉動作を制御する。水蒸気バルブ３４２のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。水蒸気バルブ３４２が開くことにより、水蒸気が第４水蒸気配管３４１を介して第４吹出部３４まで流通して、第４吹出部３４に水蒸気が供給される。水蒸気バルブ３４２が閉じることにより、第４吹出部３４への水蒸気の供給が停止する。
【0164】
第２流量制御バルブ３４３は、第４水蒸気配管３４１を流通する水蒸気の流量を制御する。具体的には、第２流量制御バルブ３４３は、開度の制御が可能であり、第４水蒸気配管３４１を流通する水蒸気の流量は、第２流量制御バルブ３４３の開度に応じた大きさになる。第２流量制御バルブ３４３のアクチュエータは、例えば、電動アクチュエータである。第２流量制御バルブ３４３は、例えば、モーターニードルバルブであってもよい。第２流量制御バルブ３４３の開度は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
【0165】
続いて、図６を参照して、第１薬液供給部６２を説明する。図６は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる第１薬液供給部６２の構成を示す図である。図６に示すように、第１薬液供給部６２は、図２を参照して説明した第１薬液供給配管６２１、第１成分開閉バルブ６３１、及び第２成分開閉バルブ６３２に加えて、ヒータ６４３を更に有してもよい。ヒータ６４３は、第１薬液供給配管６２１の第１配管６２１ａに介装される。例えば、ヒータ６４３は、第１成分開閉バルブ６３１よりも下流側において、第１薬液供給配管６２１の第１配管６２１ａに介装される。ヒータ６４３は、第１薬液供給配管６２１の第１配管６２１ａを流通する硫酸を加熱する。
【0166】
続いて、図１～図７を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。本実施形態の基板処理方法は、例えば、図１～図６を参照して説明した基板処理装置１００により実行される。図７は、本実施形態の基板処理方法を示すフローチャートである。詳しくは、図７は、制御装置１０１（制御部１０２）による処理の流れを示す。
【0167】
図７に示すように、本実施形態の基板処理方法は、ステップＳ１～ステップＳ６を含む。なお、図２を参照して説明したように、図７に示す処理が実行されている間、制御装置１０１（制御部１０２）は、送風機構３を制御して、チャンバー２０１内に空気を送風させている。したがって、チャンバー２０１の下方空間２ａにはダウンフローが発生している。
【0168】
図７に示す処理を開始すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、まず、センターロボットＣＲを制御して、チャンバー２０１の下方空間２ａに基板Ｗを搬入させる（ステップＳ１）。制御装置１０１（制御部１０２）は、スピンチャック４を制御して、センターロボットＣＲが搬入した基板Ｗを保持させる（ステップＳ２）。この結果、スピンチャック４により、チャンバー２０１内で基板Ｗが保持される。
【0169】
制御装置１０１（制御部１０２）は、スピンチャック４が基板Ｗを保持すると、基板処理部２を制御して、基板処理を実行させる（ステップＳ３）。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板処理部２を制御して、ＳＰＭ、過酸化水素水、リンス液、及びＳＣ１を、ＳＰＭ、過酸化水素水、リンス液、ＳＣ１、リンス液の順に基板Ｗに供給させる。
【0170】
更に、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板処理と並行して、基板処理部２に水蒸気処理を実行させる（ステップＳ４）。例えば、制御装置１０１（制御部１０２）は、送風機構３によってチャンバー２０１内に空気が送風されている状態で、第１吹出部３１からチャンバー２０１の下方空間２ａに過熱水蒸気を吹き出させる。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭ処理の際に、第１吹出部３１から過熱水蒸気を吹き出させる。
【0171】
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板処理が終了すると、スピンチャック４を制御して、基板Ｗの保持を解除させる（ステップＳ５）。スピンチャック４による基板Ｗの保持が解除されると、制御装置１０１（制御部１０２）は、センターロボットＣＲを制御して、基板Ｗをチャンバー２０１から搬出させる（ステップＳ６）。この結果、図７に示す処理が終了する。
【0172】
続いて、図１～図１５を参照して、図７に示す基板処理（ステップＳ３）及び水蒸気処理（ステップＳ４）を説明する。図８は、本実施形態の基板処理方法に含まれる基板処理（ステップＳ３）及び水蒸気処理（ステップＳ４）を示すフローチャートである。図９は、事前加熱時の基板処理部２を模式的に示す図である。図１０は、ＳＰＭ処理時の基板処理部２を模式的に示す図である。図１１は、パドル処理時の基板処理部２を模式的に示す図である。図１２は、過酸化水素水により基板Ｗを処理する際の基板処理部２を模式的に示す図である。図１３は、リンス処理時の基板処理部２を模式的に示す図である。図１４は、ＳＣ１により基板Ｗを処理する際の基板処理部２を模式的に示す図である。図１５は、乾燥処理時の基板処理部２を模式的に示す図である。
【0173】
図８に示すように、基板処理を開始すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、まず、基板加熱部２０を制御して、基板Ｗを加熱させる（ステップＳ３１）。つまり、ＳＰＭ処理の実行前に基板Ｗを昇温させる。事前に基板Ｗを昇温させることにより、ＳＰＭによるレジスト膜の剥離の効率が向上する。
【0174】
詳しくは、図９に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、給電部２３を制御して、加熱部材２１に埋め込まれたヒータに通電させる。この結果、加熱部材２１が加熱される。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、ヒータ昇降部２４を制御して、加熱部材２１を第２下位置から第２上位置まで上昇させる。
【0175】
ここで、第２下位置は、スピンベース４１の上面に加熱部材２１が近接する位置である。第２下位置は、スピンベース４１の上面に加熱部材２１が接触する位置であってもよい。第２上位置は、基板Ｗの下面に加熱部材２１が近接する位置である。加熱部材２１を第２上位置に配置すると、加熱部材２１からの輻射熱によって基板Ｗが加熱される。なお、事前加熱時に過熱水蒸気及び水蒸気はチャンバー２０１の下方空間２ａに供給されない。
【0176】
制御装置１０１（制御部１０２）は、予め定められた時間、基板Ｗを事前加熱した後、スピンモータ部５を制御して、スピンチャック４に保持させた基板Ｗの回転を開始させる（図１０参照）。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１ノズル移動機構６１を制御して、第１ノズル６を処理位置まで移動させる。詳しくは、第１ノズル６は、基板Ｗの中心に対向する位置まで移動する（図１０参照）。
【0177】
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転速度が予め定められた回転速度に達すると、第１薬液供給部６２を制御して、回転中の基板Ｗに向けて第１ノズル６からＳＰＭを吐出させる（ステップＳ３２）。この結果、図１０に示すように、回転中の基板Ｗの上面にＳＰＭが供給されて、基板Ｗの上面にＳＰＭの液膜が形成される。つまり、制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭの吐出時に、基板Ｗの回転速度を制御して、基板Ｗの上面にＳＰＭの液膜を形成させる。
【0178】
更に、制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭの吐出時に、第１過熱水蒸気処理を行う（ステップＳ４１）。具体的には、図１０に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、図４及び図５を参照して説明した水蒸気供給部３００を制御して、第１吹出部３１から過熱水蒸気を吹き出させる。これにより、既に説明したように、ＳＰＭによるレジスト剥離の効率を向上させることができる。また、過熱水蒸気により、薬液雰囲気の拡散を抑制することができる。
【0179】
第１吹出部３１からの過熱水蒸気の吹き出しを開始するタイミングは、ＳＰＭの吐出開始前であってもよいし、ＳＰＭの吐出開始タイミングと同じタイミングであってもよい。あるいは、第１吹出部３１からの過熱水蒸気の吹き出しを開始するタイミングは、ＳＰＭの吐出開始後であってもよい。制御装置１０１（制御部１０２）は、第１吹出部３１から過熱水蒸気を連続して吹き出させてもよいし、間欠的に吹き出させてもよい。
【0180】
制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭの吐出開始前にのみ第１吹出部３１から過熱水蒸気を吹き出させてもよいし、ＳＰＭの吐出開始時にのみ第１吹出部３１から過熱水蒸気を吹き出させてもよい。あるいは、制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭの吐出開始から吐出終了までの間に、ＳＰＭの吐出開始から吐出終了までの期間よりも短い期間、第１吹出部３１から過熱水蒸気を吹き出させてもよい。
【0181】
なお、図１０に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭの吐出開始前に、ヒータ昇降部２４を制御して、加熱部材２１を第２上位置から第２下位置まで下降させてもよい。
【0182】
制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭの吐出を開始してから予め定められた時間が経過した後、第１薬液供給部６２を制御して、ＳＰＭの吐出を停止させる。そして、制御装置１０１（制御部１０２）は、スピンモータ部５により基板Ｗの回転速度を制御して、ＳＰＭの液膜が基板Ｗの上面に支持されたパドル状態を形成する（ステップＳ３３）。例えば、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転を停止させて、パドル状態を形成してもよい（図１１参照）。あるいは、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗを低速回転させて、パドル状態を形成してもよい。パドル状態を形成することにより、ＳＰＭによるレジスト剥離の効率を向上させることができる。
【0183】
制御装置１０１（制御部１０２）は、パドル状態の形成時（パドル処理時）に、第２過熱水蒸気処理を行う（ステップＳ４２）。具体的には、図１１に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、図４及び図５を参照して説明した水蒸気供給部３００を制御して、第１吹出部３１から過熱水蒸気を吹き出させるとともに、第２吹出部３２（上側吹出部３２ａ及び下側吹出部３２ｂ）から過熱水蒸気を吹き出させる。つまり、第１吹出部３１からの過熱水蒸気の供給を継続させながら、スピンチャック４に保持された基板Ｗに向けて第２吹出部３２から過熱水蒸気を吹き出させる。これにより、既に説明したように、ＳＰＭによるレジスト剥離の効率を向上させることができる。更に、過熱水蒸気により、薬液雰囲気の拡散を抑制することができる。
【0184】
また、基板Ｗの上面にはＳＰＭの液膜が形成されているため、基板Ｗの上面側からは、基板Ｗを直接昇温させることができない。これに対し、本実施形態では、パドル処理時に、下側吹出部３２ｂから基板Ｗの下面に向けて過熱水蒸気が供給される。したがって、過熱水蒸気により基板Ｗを直接昇温させることができる。よって、レジスト膜をより効率的に剥離することができる。
【0185】
なお、図１１に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、パドル状態の形成時に、ヒータ昇降部２４を制御して、加熱部材２１を第２下位置から第２上位置まで上昇させて、加熱部材２１により基板Ｗを加熱させてもよい。
【0186】
制御装置１０１（制御部１０２）は、パドル状態の形成を開始してから予め定められた時間が経過すると、スピンモータ部５を制御して、スピンチャック４に保持させた基板Ｗの回転を開始させる（図１２参照）。あるいは、制御装置１０１（制御部１０２）は、パドル状態の形成を開始してから予め定められた時間が経過すると、スピンモータ部５を制御して、基板Ｗの回転速度を増加させる。
【0187】
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転速度が予め定められた回転速度に達すると、第１薬液供給部６２を制御して、回転中の基板Ｗに向けて第１ノズル６から過酸化水素水を吐出させる（ステップＳ３４）。この結果、図１２に示すように、回転中の基板Ｗの上面に過酸化水素水が供給されて、基板Ｗの上面に過酸化水素水の液膜が形成される。つまり、制御装置１０１（制御部１０２）は、過酸化水素水の吐出時に、基板Ｗの回転速度を制御して、基板Ｗの上面に過酸化水素水の液膜を形成させる。詳しくは、過酸化水素水によって、ＳＰＭが基板Ｗの上面から排出されて、ＳＰＭの液膜が過酸化水素水の液膜に置換される。
【0188】
制御装置１０１（制御部１０２）は、過酸化水素水の吐出時に、第３過熱水蒸気処理を行う（ステップＳ４３）。具体的には、図１２に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、図４及び図５を参照して説明した水蒸気供給部３００を制御して、第２吹出部３２（上側吹出部３２ａ及び下側吹出部３２ｂ）からの過熱水蒸気の供給を停止させるとともに、第１吹出部３１から吹き出させる過熱水蒸気の流量を減少させる。
【0189】
具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭ処理時及びパドル処理時に、第１吹出部３１から過熱水蒸気を第１流量で吹き出させ、過酸化水素水の吐出時に、第１吹出部３１から過熱水蒸気を、第１流量より小さい第２流量で吹き出させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、図４に示す第１流量制御バルブ３１３を制御することにより過熱水蒸気の流量を調整する。
【0190】
なお、図１２に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、過酸化水素水の吐出時に、加熱部材２１により基板Ｗを加熱させてもよい。
【0191】
過酸化水素水は、基板Ｗを酸化させる可能性がある。特に、過酸化水素水の温度が高いほど、基板Ｗは酸化され易い。また、基板Ｗの温度が高いほど、基板Ｗは酸化され易い。これに対し、本実施形態によれば、過酸化水素水の吐出時にチャンバー２０１の下方空間２ａに供給される過熱水蒸気の量を減少させることができる。この結果、過熱水蒸気による過酸化水素水の温度の上昇が抑制されるとともに、基板Ｗの温度が低下し易くなるため、過酸化水素水による基板Ｗの酸化を抑制することができる。
【0192】
また、過酸化水素水の吐出時には、基板Ｗから大量のヒュームが発生する。更に、過酸化水素水の吐出時には、第１ノズル６の吐出口からヒュームが発生し易い。本実施形態によれば、過酸化水素水の吐出時に過熱水蒸気を供給することにより、ヒュームの拡散を抑制することができる。
【0193】
また、過酸化水素水の吐出時には、高温のＳＰＭの液膜が形成されている基板Ｗに向けて、常温の過酸化水素水が吐出される。この結果、基板Ｗの面内に温度勾配が発生して、基板Ｗが振動する。これに対し、本実施形態によれば、過酸化水素水の吐出時に過熱水蒸気を供給することにより、温度勾配を抑制することができる。したがって、基板Ｗの振動を抑制することができる。
【0194】
制御装置１０１（制御部１０２）は、過酸化水素水の吐出を開始してから予め定められた時間が経過した後、第１薬液供給部６２を制御して、過酸化水素水の吐出を停止させる。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１ノズル移動機構６１を制御して、第１ノズル６を第１退避領域へ退避させる。
【0195】
制御装置１０１（制御部１０２）は、第１ノズル６を第１退避領域へ退避させた後、スピンチャック４に保持された基板Ｗを回転させた状態で、リンス液供給部８２を制御して、回転中の基板Ｗに向けて第３ノズル８からリンス液を吐出させる（ステップＳ３５）。この結果、図１３に示すように、回転中の基板Ｗの上面にリンス液が供給されて、基板Ｗの上面にリンス液の液膜が形成される。つまり、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出時に、基板Ｗの回転速度を制御して、基板Ｗの上面にリンス液の液膜を形成させる。詳しくは、リンス液によって、過酸化水素水が基板Ｗの上面から排出されて、過酸化水素水の液膜がリンス液の液膜に置換される。
【0196】
制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出時に、送風機構３によってチャンバー２０１の下方空間２ａに空気が送風されている状態で、チャンバー２０１の下方空間２ａに水蒸気を供給させる（ステップＳ４４）。具体的には、図１３に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、図４及び図５を参照して説明した水蒸気供給部３００を制御して、第４吹出部３４から水蒸気を吹き出させる。なお、過酸化水素水の吐出時（ステップＳ３４）に第１吹出部３１から過熱水蒸気を供給させる場合、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出時に、図４及び図５を参照して説明した水蒸気供給部３００を制御して、第１吹出部３１からの過熱水蒸気の供給を停止させる。
【0197】
本実施形態によれば、既に説明したように、リンス処理の際にチャンバー２０１の下方空間２ａに水蒸気を供給することにより、薬液雰囲気の拡散をより効率よく抑制することができる。なお、図１３に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出開始前に、ヒータ昇降部２４を制御して、加熱部材２１を第２上位置から第２下位置まで下降させてもよい。これにより、基板Ｗの上面からリンス液が蒸発し難くなる。
【0198】
制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出を開始してから予め定められた時間が経過した後、リンス液供給部８２を制御して、リンス液の吐出を停止させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出を停止させた後、第２ノズル移動機構７１を制御して、第２ノズル７を第２退避領域から基板Ｗの中心に対向する位置へ移動させる。
【0199】
制御装置１０１（制御部１０２）は、第２ノズル７が基板Ｗの中心に対向する位置へ移動すると、スピンチャック４に保持された基板Ｗを回転させた状態で、第２薬液供給部７２及び第２ノズル移動機構７１を制御して、ハーフスキャン処理を実行する。具体的には、第２ノズル７を基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁部に対向する位置まで移動させながら、回転中の基板Ｗに向けて第２ノズル７からＳＣ１を吐出させる（ステップＳ３６）。この結果、ＳＣ１によりリンス液が基板Ｗの上面から排出されて、ＳＣ１によって基板Ｗが処理される。
【0200】
制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＣ１の吐出時に、第４過熱水蒸気処理を行う（ステップＳ４５）。具体的には、図１４に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、図４及び図５を参照して説明した水蒸気供給部３００を制御して、第１吹出部３１から過熱水蒸気を吹き出させる。
【0201】
ＳＣ１は、ハーフスキャン処理によって基板Ｗに供給されるため、第２ノズル７が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁部に対向する位置へ向かって移動している間に、基板Ｗの中央領域が乾燥し易い状態となる。同様に、第２ノズル７が基板Ｗの周縁部に対向する位置から基板Ｗの中心に対向する位置へ向かって移動している間に、基板Ｗの周縁部が乾燥し易い状態となる。これに対し、本実施形態によれば、ＳＣ１の吐出時に過熱水蒸気が供給されるため、下方空間２ａの湿度を高く保つことができる。したがって、ＳＣ１の吐出時に基板Ｗが乾燥し難くなる。なお、図１４に示すように、ＳＣ１の吐出時に、加熱部材２１は第２下位置に配置される。したがって、基板Ｗの乾燥を更に抑制することができる。
【0202】
また、本実施形態によれば、ＳＣ１の吐出時に過熱水蒸気が供給されるため、基板Ｗの上面に供給されたＳＣ１を昇温させることができる。この結果、基板Ｗの本体表面がＳＣ１によって酸化され易い状態となる。
【0203】
なお、ＳＣ１の吐出時は基板Ｗが乾燥し易い状態となるため、制御装置１０１（制御部１０２）は、送風機構３を制御して、ダウンフローの風速を弱めてもよい。ダウンフローの風速を弱めることで、基板Ｗが乾燥し難くなる。
【0204】
制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＣ１の吐出を開始してから予め定められた時間が経過した後、第２薬液供給部７２を制御して、ＳＣ１の吐出を停止させる。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２ノズル移動機構７１を制御して、第２ノズル７を第２退避領域へ退避させる。
【0205】
制御装置１０１（制御部１０２）は、第２ノズル７を第２退避領域へ退避させた後、ステップＳ３６と同様に、回転中の基板Ｗに向けて第３ノズル８からリンス液を吐出させる（ステップＳ３７）。この結果、リンス液によってＳＣ１が基板Ｗの上面から排出されて、基板Ｗの上面にリンス液の液膜が形成される。
【0206】
制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出時に、ステップＳ４４と同様に、チャンバー２０１の下方空間２ａに水蒸気を供給させる（ステップＳ４６）。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出時に、図４及び図５を参照して説明した水蒸気供給部３００を制御して、第１吹出部３１からの過熱水蒸気の供給を停止させる。
【0207】
本実施形態によれば、既に説明したように、リンス液の吐出時に水蒸気を供給することにより、薬液雰囲気を減少させることができる。更に、水蒸気により、リンス液を昇温させることができる。
【0208】
なお、ＳＣ１の吐出時にダウンフローの風速を弱めた場合、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出時に、送風機構３を制御して、ダウンフローの風速を元に戻す。
【0209】
制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出を開始してから予め定められた時間が経過した後、リンス液供給部８２を制御して、リンス液の吐出を停止させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出を停止させた後、スピンモータ部５により基板Ｗの回転速度を制御して、基板Ｗの上面からリンス液を除去して基板Ｗの上面を乾燥させる乾燥処理を実行する（ステップＳ３８）。この結果、図８に示す処理が終了する。
【0210】
具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、スピンモータ部５を制御して、基板Ｗを高速回転させる。基板Ｗを高速回転させることにより、基板Ｗに付着しているリンス液が振り切られて基板Ｗが乾燥される。また、図１５に示すように、乾燥処理の際に、制御装置１０１（制御部１０２）は、図４及び図５を参照して説明した水蒸気供給部３００を制御して、第４吹出部３４から水蒸気の吹き出しを停止させる。
【0211】
本実施形態によれば、乾燥処理の際に水蒸気及び過熱水蒸気がチャンバー２０１の下方空間２ａに供給されないため、水蒸気又は過熱水蒸気が供給される場合と比べて、チャンバー２０１の湿度を低下させることができる。よって、基板Ｗを効率よく乾燥させることができる。
【0212】
更に、本実施形態によれば、リンス液の吐出時（ステップＳ３７）に、水蒸気を供給して、リンス液を昇温させる。その結果、乾燥処理の際に、リンス液が蒸発し易くなり、基板Ｗを効率よく乾燥させることができる。
【0213】
【0214】
本実施形態のチャンバー洗浄方法は、チャンバー２０１の内部を洗浄する工程を含む。図１６に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、図４及び図５を参照して説明した水蒸気供給部３００を制御して、第４吹出部３４からチャンバー２０１の下方空間２ａに水蒸気の吹き出させるとともに、第３吹出部３３から側壁２０３の内壁面に向けて過熱水蒸気を吹き出させる。
【0215】
本実施形態によれば、チャンバー２０１の内部を洗浄する際に、チャンバー２０１の下方空間２ａに水蒸気が供給されるため、チャンバー２０１の下方空間２ａに浮遊する薬液成分を効率よくチャンバー２０１の外部に排出させることができる。また、既に説明したように、チャンバー２０１の内部を洗浄する際に第３吹出部３３からチャンバー２０１の内壁面に向けて過熱水蒸気が供給されるため、チャンバー２０１の内壁面が乾きやすくなる。したがって、チャンバー２０１の内部を効率よく乾燥させることができる。
【0216】
チャンバー２０１の内部を洗浄する際に第４吹出部３４から供給する水蒸気の流量は、リンス処理（ステップＳ３５及びステップＳ３６）の際に第４吹出部３４から供給する水蒸気の流量より大きくてもよい。水蒸気の流量を大きくすることにより、薬液成分をより効率よくチャンバー２０１の外部に排出させることができる。なお、制御装置１０１（制御部１０２）は、図４に示す第２流量制御バルブ３４３を制御することにより水蒸気の流量を調整する。
【0217】
【0218】
図１７に示すように、基板処理装置１００は、遮断部４００を備えてもよい。遮断部４００は、円盤状の遮断板４０１と、支持軸４０２と、支持アーム４０３と、昇降部４０４とを有してもよい。
【0219】
遮断板４０１は、整流板２０４とスピンチャック４との間に配置される。したがって、遮断板４０１は、スピンチャック４に保持された基板Ｗの上方に配置されて、スピンチャック４に保持された基板Ｗに対向する。遮断板４０１の直径は、基板Ｗの直径よりも大きい。
【0220】
遮断板４０１は、支持軸４０２により、水平な姿勢で支持される。支持軸４０２は、例えば、略鉛直方向に沿って延びてもよい。支持軸４０２は、支持アーム４０３に支持される。
【0221】
支持アーム４０３は、遮断板４０１の上方で水平に延びる。遮断部４００の昇降部４０４は、支持アーム４０３を鉛直方向に移動させる。つまり、遮断部４００の昇降部４０４は、支持アーム４０３を昇降させる。支持アーム４０３が昇降することにより、遮断板４０１が昇降する。遮断部４００の昇降部４０４は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。昇降部４０４は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを備えてもよい。具体的には、遮断部４００の昇降部４０４は、遮断板４０１を第３上位置と第３下位置との間で昇降させる。
【0222】
遮断板４０１が第３下位置に配置されると、スピンチャック４に保持されている基板Ｗと遮断板４０１との間の隙間が、スピンチャック４に保持されている基板Ｗと遮断板４０１との間に第１ノズル６及び第２ノズル７が進入できない大きさになる。制御装置１０１（制御部１０２）は、例えば、基板Ｗの乾燥処理時（図８のステップＳ３８）に、遮断板４０１を第３下位置に配置させてもよい。
【0223】
遮断板４０１が第３上位置に配置されると、スピンチャック４に保持されている基板Ｗと遮断板４０１との間の隙間が、スピンチャック４に保持されている基板Ｗと遮断板４０１との間に第１ノズル６及び第２ノズル７が進入できる大きさになる。制御装置１０１（制御部１０２）は、例えば、ＳＰＭ処理（図８のステップＳ３２）から、乾燥処理（図８のステップＳ３８）の前のリンス処理（図８のステップＳ３７）にわたって、遮断板４０１を第３上位置に配置させてもよい。
【0224】
なお、基板処理装置１００が遮断部４００を備える場合、第１吹出部３１及び第４吹出部３４の直径は、遮断板４０１の直径より大きいことが好ましい。
【0225】
以上、図面（図１～図１７）を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
【0226】
図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【0227】
例えば、図１～図１７を参照して説明した実施形態において、スピンチャック４は、複数のチャック部材４２を基板Ｗの周端面に接触させる挟持式のチャックであったが、基板Ｗを保持する方式は、基板Ｗを水平に保持できる限り、特に限定されない。例えば、スピンチャック４は、バキューム式のチャックであってもよいし、ベルヌーイ式のチャックであってもよい。
【0228】
また、図１～図１７を参照して説明した実施形態では、過酸化水素水の吐出時に、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１吹出部３１から吹き出させる過熱水蒸気の流量を減少させたが、過酸化水素水の吐出時に、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１吹出部３１からの過熱水蒸気の吹き出しを停止させてもよい。
【0229】
また、図１～図１７を参照して説明した実施形態では、基板加熱部２０はヒータにより基板Ｗを加熱したが、基板加熱部２０が基板Ｗの加熱に用いる部材は、基板Ｗを加熱できる部材である限り、特に限定されない。例えば、基板加熱部２０は、レーザ照射又は光照射により基板Ｗを加熱してもよい。
【0230】
また、図１～図１７を参照して説明した実施形態では、基板処理装置１００に基板加熱部２０が設けられたが、基板加熱部２０は省略されてもよい。この場合、第２吹出部３２から過熱水蒸気を吹き出させて事前加熱を行ってもよい。
【0231】
【0232】
また、図１～図１７を参照して説明した実施形態では、第１吹出部３１が円環状であったが、第１吹出部３１の形状は特に限定されない。例えば、第１吹出部３１は矩形の環状であってもよいし、蛇行する形状であってもよい。複数のノズルによって第１吹出部３１が構成される場合も同様に、複数のノズルの配列の形状は特に限定されない。
【0233】
同様に、図１～図１７を参照して説明した実施形態では、第４吹出部３４が円環状であったが、第４吹出部３４の形状は特に限定されない。複数のノズルによって第４吹出部３４が構成される場合も同様に、複数のノズルの配列の形状は特に限定されない。
【0234】
【0235】
【0236】
また、図１～図１７を参照して説明した実施形態では、基板処理装置１００が第４吹出部３４を備えたが、第４吹出部３４は省略されてもよい。この場合、過熱水蒸気生成ヒータ３０３を制御して、第１吹出部３１から過熱水蒸気と水蒸気とを排他的に供給してもよい。
【0237】
また、図１～図１７を参照して説明した実施形態では、第１吹出部３１が整流板２０４の下方に配置されたが、第１吹出部３１は、整流板２０４の上方に配置されてもよい。すなわち、第１吹出部３１は、上方空間２ｂに配置されてもよい。この場合、第１吹出部３１は、整流板２０４の貫通孔２０４ａを介して下方空間２ａに過熱水蒸気を吹き出すことが可能な位置に配置される。第３吹出部３３及び第４吹出部３４も同様に、整流板２０４の上方に配置され得る。
【0238】
また、図１～図１７を参照して説明した実施形態では、チャンバー２０１の内部を洗浄する際に水蒸気が供給されたが、チャンバー２０１の内部を洗浄する際に過熱水蒸気が供給されてもよい。過熱水蒸気によってチャンバー２０１の内部に配置されている部材を昇温させることで、チャンバー２０１の内部に配置されている部材を洗浄し易くなる。
【産業上の利用可能性】
【0239】
本発明は、基板を処理する装置に有用であり、産業上の利用可能性を有する。
【符号の説明】
【0240】
２ ：基板処理部
３ ：送風機構
４ ：スピンチャック
５ ：スピンモータ部
６ ：第１ノズル
７ ：第２ノズル
８ ：第３ノズル
９ ：液受け部
３１ ：第１吹出部
３２ ：第２吹出部
３２ａ ：上側吹出部
３２ｂ ：下側吹出部
３３ ：第３吹出部
３４ ：第４吹出部
６２ ：第１薬液供給部
７２ ：第２薬液供給部
８２ ：リンス液供給部
１００ ：基板処理装置
１０１ ：制御装置
１０２ ：制御部
１０３ ：記憶部
２０１ ：チャンバー
２０３ ：側壁
３００ ：水蒸気供給部
Ｗ ：基板
３ ：送風機構
４ ：スピンチャック
５ ：スピンモータ部
６ ：第１ノズル
７ ：第２ノズル
８ ：第３ノズル
９ ：液受け部
３１ ：第１吹出部
３２ ：第２吹出部
３２ａ ：上側吹出部
３２ｂ ：下側吹出部
３３ ：第３吹出部
３４ ：第４吹出部
６２ ：第１薬液供給部
７２ ：第２薬液供給部
８２ ：リンス液供給部
１００ ：基板処理装置
１０１ ：制御装置
１０２ ：制御部
１０３ ：記憶部
２０１ ：チャンバー
２０３ ：側壁
３００ ：水蒸気供給部
Ｗ ：基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】