特開 2024-65085 磁気成形化合物（ＭＭＣ）モジュールのための絶縁体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024065085

(43)【公開日】2024-05-14

(54)【発明の名称】磁気成形化合物（ＭＭＣ）モジュールのための絶縁体

(51)【国際特許分類】

   H01L 25/00 20060101AFI20240507BHJP

【ＦＩ】

H01L25/00 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2023184404

(22)【出願日】2023-10-27

(31)【優先権主張番号】18/050,458

(32)【優先日】2022-10-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(71)【出願人】

【識別番号】507107291

【氏名又は名称】テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド

(74)【代理人】

【識別番号】230129078

【弁護士】

【氏名又は名称】佐藤 仁

(72)【発明者】

【氏名】アントン ウィンクラー

(72)【発明者】

【氏名】井上 英俊

(72)【発明者】

【氏名】大竹 健二

(57)【要約】      （修正有）

【課題】集積回路（ＩＣ）において、ＩＣダイとモジュールの他の構成要素又は金属コンタクトとの間の望ましくない漏れ電流の影響を防ぐモジュール及びスイッチングコンバータデバイスを提供する。
【解決手段】モジュール１００は、集積回路（ＩＣ）ダイ１１６と、コンタクトパッド１０６Ａ、１０６Ｂ、１０６Ｃを有するリードフレーム１０２と、ＩＣダイ１１６とコンタクトパッド１０６Ａ、１０６Ｂ、１０６Ｃとの間に結合されるはんだ要素１１４と、はんだ要素１１４間の絶縁層１２２と、ＩＣダイ１１６とリードフレーム１０２との間の磁気成形化合物（ＭＭＣ）充填材１２０と、を含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

モジュールであって、
集積回路（ＩＣ）ダイと、
コンタクトパッドを有するリードフレームと、
前記ＩＣダイと前記コンタクトパッドとの間に結合されるはんだ要素と、
前記はんだ要素間の絶縁層と、
前記ＩＣダイと前記リードフレームとの間の磁気成形化合物（ＭＭＣ）充填材と、
を含む、モジュール。

【請求項2】

請求項１に記載のモジュールであって、前記ＩＣダイと前記リードフレームとの間の前記ＭＭＣ充填材の厚みが、前記絶縁層の厚みによって制限される、モジュール。

【請求項3】

請求項２に記載のモジュールであって、前記絶縁層の前記厚みが、前記ＩＣダイと前記リードフレームとの間の目標間隙に基づく、モジュール。

【請求項4】

請求項３に記載のモジュールであって、前記目標間隙が、前記ＩＣダイと前記リードフレームとの間のＭＭＣ充填材粒子寸法を閾値粒子寸法より小さく制限するように選択される、モジュール。

【請求項5】

請求項１に記載のモジュールであって、前記絶縁層がはんだレジストを含む、モジュール。

【請求項6】

請求項１に記載のモジュールであって、前記絶縁層が、前記コンタクトパッドを部分的に露出させる、モジュール。

【請求項7】

請求項１に記載のモジュールであって、前記絶縁層が、前記コンタクトパッドの輪郭に基づくレイアウトを有する、モジュール。

【請求項8】

請求項１に記載のモジュールであって、
第１の端部及び第２の端部を有するコイルをさらに含み、前記第１の端部が、前記はんだ要素の第１のはんだ要素と前記コンタクトパッドのそれぞれのコンタクトパッドとに結合され、前記第２の端部が、前記はんだ要素の第２のはんだ要素と前記コンタクトパッドのそれぞれのコンタクトパッドとに結合され、前記コイルのコアが前記ＭＭＣ充填材を含む、モジュール。

【請求項9】

請求項１に記載のモジュールであって、前記ＩＣダイが、スイッチングコンバータ構成要素を含む、モジュール。

【請求項10】

スイッチングコンバータデバイスであって、
スイッチングコンバータ構成要素を含む集積回路（ＩＣ）ダイと、
コンタクトパッドを有するリードフレームと、
前記ＩＣダイと前記コンタクトパッドとの間に結合されるはんだ要素と、
前記はんだ要素間の絶縁層と、
コア及び第１及び第２の端部を有するコイルであって、前記第１の端部が、前記はんだ要素の第１のはんだ要素と前記コンタクトパッドのそれぞれのコンタクトパッドとに結合され、前記第２の端部が、前記はんだ要素の第２のはんだ要素と前記コンタクトパッドのそれぞれのコンタクトパッドとに結合される、前記コイルと、
前記コア内の、前記ＩＣダイとリードフレームとの間の、磁気成形化合物（ＭＭＣ）充填材と、
を含む、スイッチングコンバータデバイス。

【請求項11】

請求項１０に記載のスイッチングコンバータデバイスであって、前記ＩＣダイと前記リードフレームとの間の前記ＭＭＣ充填材の厚みが、前記絶縁層の厚みによって制限される、スイッチングコンバータデバイス。

【請求項12】

請求項１１に記載のスイッチングコンバータデバイスであって、前記絶縁層の厚みが、前記ＩＣダイと前記リードフレームとの間の目標間隙に基づく、スイッチングコンバータデバイス。

【請求項13】

請求項１２に記載のスイッチングコンバータデバイスであって、前記目標間隙が、前記ＩＣダイと前記リードフレームとの間のＭＭＣ充填材粒子寸法を閾値粒子寸法より小さく制限するように選択される、スイッチングコンバータデバイス。

【請求項14】

請求項１０に記載のスイッチングコンバータデバイスであって、前記絶縁層が、はんだレジストを含む、スイッチングコンバータデバイス。

【請求項15】

モジュールを製造する方法であって、前記方法が、
集積回路（ＩＣ）ダイを得ることと、
コンタクトパッドを有するリードフレームを得ることと、
コアと第１及び第２の端部とを有するコイルを得ること、
前記コンタクトパッドを部分的に覆うように絶縁層を付加することと、
前記コンタクトパッドの露出された部分にはんだ要素を付加することと、
前記コア内、前記ＩＣダイとリードフレームとの間に、磁気成形化合物（ＭＭＣ）充填材を付加することと、
を含む、方法。

【請求項16】

請求項１５に記載の方法であって、前記ＩＣダイと前記リードフレームとの間の目標間隙に基づいて前記絶縁層の厚みを選択することをさらに含む、方法。

【請求項17】

請求項１６に記載の方法であって、ＭＭＣ充填材粒子寸法を閾値粒子寸法より小さく制限するように、前記ＩＣダイと前記リードフレームとの間の前記目標間隙を選択することをさらに含む、方法。

【請求項18】

請求項１５に記載の方法であって、前記絶縁層を付加することが、
前記コンタクトパッドの上にはんだレジストを付加することと、
前記コンタクトパッドを部分的に露出させるようにはんだレジストをエッチングすることと、
を含む、方法。

【請求項19】

請求項１５に記載の方法であって、前記ＩＣダイの前記リードフレームに面することになる側にポリイミド（ＰＩ）層を付加することをさらに含む、方法。

【請求項20】

請求項１９に記載の方法であって、前記ＭＭＣ充填材を付加する前に、前記はんだ要素をリフローするために前記モジュールを加熱することをさらに含む、方法。

【発明の詳細な説明】

【背景技術】

【0001】

多くの集積回路（ＩＣ）は、外部構成要素と共に用いるように設計されている。例えば、ＩＣは、ＩＣ回路要素を外部ＩＣ又は受動構成要素（例えば、抵抗器、コンデンサ、及び／又はインダクタ）に結合するためのコンタクトパッドを含み得る。インダクタのエネルギー蓄積を向上させるために、磁気コアが用いられ得る。従来のアプローチでは、ＩＣダイ及び外部インダクタを有するモジュールが、外部インダクタの磁気コアを形成するために磁気成形化合物（magnetic-molding compound：ＭＭＣ）充填材を用いる。しかしながら、ＭＭＣ充填材の金属粒子によっては、ＩＣダイとモジュールの他の構成要素又は金属コンタクトとの間に望ましくない漏れ電流をもたらされ得る。

【発明の概要】

【0002】

例示の実施例において、モジュールが、集積回路（ＩＣ）ダイと、コンタクトパッドを有するリードフレームと、ＩＣダイとコンタクトパッドとの間に結合されるはんだ要素と、はんだ要素間の絶縁層と、ＩＣダイとリードフレームとの間の磁気成形化合物（ＭＭＣ）充填材とを含む。

【0003】

別の例示の実施例において、スイッチングコンバータデバイスが、スイッチングコンバータ構成要素を含むＩＣダイと、コンタクトパッドを有するリードフレームと、ＩＣダイとコンタクトパッドとの間に結合されるはんだ要素と、はんだ要素間の絶縁層とを含む。スイッチングコンバータデバイスはまた、コアと、第１及び第２の端部とを有するコイルを含む。第１の端部は、はんだ要素の第１のはんだ要素と、コンタクトパッドのそれぞれのコンタクトパッドとに結合される。第２の端部は、はんだ要素の第２のはんだ要素と、コンタクトパッドのそれぞれのコンタクトパッドとに結合される。スイッチングコンバータデバイスはまた、コア内、及びＩＣダイとリードフレームとの間に、磁気成形化合物（ＭＭＣ）充填材を含む。

【0004】

さらに別の例示の実施例において、モジュールを製造する方法が、ＩＣダイを得ることと、コンタクトパッドを有するリードフレームを得ることと、コア及び第１及び第２の端部を有するコイルを得ることと、コンタクトパッドを部分的に覆うように絶縁層を付加することと、コンタクトパッドの露出部にはんだ要素を付加することと、コア内、及びＩＣダイとリードフレームとの間に、磁気成形化合物（ＭＭＣ）充填材を付加することとを含む。

【図面の簡単な説明】

【0005】

【図1】例示の実施例に従ったモジュールを示す斜視図である。

【0006】

【図2A】例示の実施例に従った、図１のモジュールのアセンブリを示す断面図である。

【図2B】例示の実施例に従った、図１のモジュールのアセンブリを示す断面図である。

【図2C】例示の実施例に従った、図１のモジュールのアセンブリを示す断面図である。

【図2D】例示の実施例に従った、図１のモジュールのアセンブリを示す断面図である。

【図2E】例示の実施例に従った、図１のモジュールのアセンブリを示す断面図である。

【図2F】例示の実施例に従った、図１のモジュールのアセンブリを示す断面図である。

【図2G】例示の実施例に従った、図１のモジュールのアセンブリを示す断面図である。

【図2H】例示の実施例に従った、図１のモジュールのアセンブリを示す断面図である。

【0007】

【図3A】異なる例示の実施例に従った絶縁層レイアウトの選択肢の上面図である。

【図3B】異なる例示の実施例に従った絶縁層レイアウトの選択肢の上面図である。

【0008】

【図4】例示の実施例に従った図１のモジュールの層を示す断面図である。

【0009】

【図5A】従来の手法に従った、絶縁層を有さないモジュールについてのＭＭＣ抵抗率を示す図である。

【0010】

【図5B】例示の実施例に従った、絶縁層を有するモジュールについてのＭＭＣ抵抗率を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

図面において、同一の参照番号又は他の参照符号は、（機能及び／又は構造が）同一又は類似の特徴を示すために用いられる。

【0012】

図１は、例示の実施例に従ったモジュール１００を示す斜視図である。図１の例において、モジュール１００は、導電性チャネル１０４を有するリードフレーム１０２と、コンタクトパッド１０６Ａ及び１０６Ｂとコンタクトパッド１０６Ｃのセットとを含むコンタクトパッドとを含む。幾つかの例示の実施例において、リードフレーム１０２は、配路可能なリードフレーム（ＲＬＦ）であり、コンタクトパッド１０６Ａ及び１０６Ｂ並びにコンタクトパッド１０６Ｃのセットに対する導電性チャネル１０４は、リードフレーム１０２の製造の間に配路可能である。図１の例において、コンタクトパッド１０６Ａは、コイル１０８の第１の端部１１０に結合する。コンタクトパッド１０６Ｂは、コイル１０８の第２の端部１１２に結合する。コンタクトパッド１０６Ｃのセットは、モジュール１００とともに含まれるＩＣダイ１１６のそれぞれのコンタクト（図示せず）に結合する。

【0013】

図１の例において、モジュール１００はまた、はんだ要素１１４Ａ及び１１４Ｂと、はんだ要素１１４Ｃのセットとを含む。具体的には、はんだ要素１１４Ａは、コンタクトパッド１０６Ａとコイル１０８の第１の端部１１０との間に結合される。はんだ要素１１４Ｂは、コンタクトパッド１０６Ｂとコイル１０８の第２の端部１１２との間に結合される。はんだ要素１１４Ｃのセットは、コンタクトパッド１０６ＣのセットとＩＣダイ１１６のそれぞれのコンタクトとの間に結合される。必要に応じて、はんだ要素１１４Ａ及び１１４Ｂ並びにはんだ要素１１４Ｃのセットは、コンタクトパッド１０６Ａ及び１０６Ｂとコイル１０８との間の導電性接続を延長するために、及び／又は、コンタクトパッド１０６ＣのセットとＩＣダイ１１６との間の導電性接続を延長するために、導電性リード（例えば、図中の導電性リード２１４）を用いて補充され得る。

【0014】

図１の例において、リードフレーム１０２とＩＣダイ１１６との間に間隙１１３があり、間隙１１３は、磁気成形化合物（ＭＭＣ）充填材１２０で充填されている。ＭＭＣ充填材１２０はコイル１０８のコアも充填する。これに制約されないが、ＭＭＣ充填材１２０は、モジュール１００のベースを形成するリードフレーム１０２を除いて、モジュール１００の全ての他の構成要素の周りに三次元の筐体（例えば、矩形又は立方体プリズム）を形成する。幾つかの例示の実施例において、間隙１１３の厚みは、ＩＣダイ１１６とリードフレーム１０２との間のＭＭＣ充填材粒子寸法を閾値粒子寸法より小さく制限する目標間隙に基づいて選択される。幾つかの例示の実施例において、ＩＣダイ１１６とリードフレーム１０２との間の目標間隙は、コンタクトパッド１０６Ｃのセットのエリア内のリードフレーム１０２に絶縁層１２２を付加することによって達成される。付加的又は代替的に、間隙１１３が目標間隙よりも小さくなるように、ＩＣダイ１１６に絶縁層を付加することができる。いずれの場合も、絶縁層１２２の厚みが、ＩＣダイ１１６とリードフレーム１０２との間のＭＭＣ充填材１２０の厚みを制限する。

【0015】

これに制約されないが、例示の閾値粒子寸法は２５μｍである。そのような場合、ＩＣダイ１１６とリードフレーム１０２との間の目標間隙は２５μｍになる。この例では、リードフレーム１０２のコンタクトパッド１０６ＣのセットとＩＣダイ１１６との間の間隙１１３が４０μｍである場合、絶縁層１２２の１５μｍの厚みが目標間隙を達成する。モジュール１００では、ＭＭＣ充填材１２０は、コイル１０８のエネルギー蓄積容量を改善する。間隙１１３を制御し、そのためリードフレーム１０２とＩＣダイ１１６との間のＭＭＣ充填材１２０の厚みを制御することを用いて、コンタクトパッド１０６Ｃのセットを絶縁することによって、従来のアプローチと比較して漏れ電流が低減される。

【0016】

例示のシナリオにおいて、ＭＭＣ充填材粒子が、ＩＣダイ１１６の接地（ＧＮＤ）とリードフレーム１０２の入力電圧（ＶＩＮ）コンタクトパッド（例えば、コンタクトパッド１０６Ｃのセット）との間の漏れ電流を増加させ得る。経時的な漏れ電流は、モジュール（例えば、モジュール１００）の初期不良などの欠陥を引き起こす可能性がある。幾つかの例示の実施例において、ＩＣダイ１１６及び／又はリードフレーム１０２のコンタクトパッド（例えば、コンタクトパッド１０６Ｃのセット）の絶縁を増大させることによって漏れ電流が抑制される。（ＩＣダイ１１６とリードフレーム１０２との間の）間隙低減、又はその他のＭＭＣ充填材粒子寸法制御の選択肢も、漏れ電流を抑制するのに役立ち得る。

【0017】

図２Ａ～図２Ｈは、例示の実施例に従った図１のモジュール１００のアッセンブリを示す、断面図２０２、２０４、２０６、２０８、２１０、２１２、２１６、及び２１８である。図２Ａの断面図２０２において、リードフレーム１０２が準備される。幾つかの例示の実施例において、リードフレーム１０２の準備は、図１における導電性チャネル１０４などの導電性チャネルを付加すること及び／又は配路することを含む。図示のように、リードフレーム１０２は、コンタクトパッド１０６Ａ及び１０６Ｂと、コンタクトパッド１０６Ｃのセットとを含む。リードフレーム１０２の準備の間、コンタクトパッド１０６Ａ及び１０６Ｂ、並びにコンタクトパッド１０６Ｃのセットの位置が選択され、及び／又は、コンタクトパッド１０６Ａ及び１０６Ｂ、並びにコンタクトパッド１０６Ｃのセットが、それぞれの導電チャネルに接続される。

【0018】

図２Ｂの断面図２０４において、絶縁層１２２がリードフレーム１０２に適用される。幾つかの例示の実施例において、絶縁層１２２は、コンタクトパッド１０６Ａ及び１０６Ｂを覆うことなく、初期的にコンタクトパッド１０６Ｃのセットを覆うように適用される。別の選択肢として、絶縁層１２２は、初期的に、コンタクトパッド１０６Ａ及び１０６Ｂ並びにコンタクトパッド１０６Ｃのセットを覆ってもよい。絶縁層１２２の厚みは、リードフレーム１０２（絶縁層１２２を備える）とＩＣダイ１１６との間の目標絶縁及び／又は目標間隙を達成するように選択される。

【0019】

図２Ｃの断面図２０６において、絶縁層１２２が改変され、その結果、改変された絶縁層１２２^＊が得られる。図示のように、改変された絶縁層１２２^＊は、コンタクトパッド１０６Ｃのセットを少なくとも部分的に露出させる一方で、コンタクトパッド１０６Ｃのセットの残りの部分を絶縁する。幾つかの例示の実施例において、改変された絶縁層１２２^＊は、絶縁層１２２に対する、エッチングプロセス又は別の目標とされる材料除去プロセスの適用に基づく。

【0020】

図２Ｄの断面図２０８において、はんだ要素１１４Ａ及び１１４Ｂ並びにはんだ要素１１４Ｃのセットが適用される。具体的には、はんだ要素１１４Ａは、コンタクトパッド１０６Ａの露出された部分に適用される。はんだ要素１１４Ｂは、コンタクトパッド１０６Ｂの露出された部分に適用される。はんだ要素１１４Ｃのセットは、コンタクトパッド１０６Ｃのセットの露出された部分に適用される。

【0021】

図２Ｅの断面図２１０において、ＩＣダイ１１６及びコイル１０８が配置される。また、導電性リード２１４（例えば、導電性ポスト）のセットが、はんだ要素１１４ＣのセットとＩＣダイ１１６との間に配置される。コイル１０８を配置した後、コイル１０８の第１の端部１１０が、はんだ要素１１４Ａ及びコンタクトパッド１０６Ａと整合され、コイル１０８の第２の端部１１２が、はんだ要素１１４Ｂ及びコンタクトパッド１０６Ｂと整合される。また、はんだ要素１１４Ｃのセット、並びにＩＣダイ１１６のコンタクトは、導電性リード２１４と整合されることになる。断面図２１０は、改変された絶縁層１２２^＊が用いられることに起因する、初期の間隙２１１から間隙１１３までの間隙厚みの低減も示す。

【0022】

図２Ｆの断面図２１２において、モジュール構成要素を加熱することによってはんだリフローが実施される。はんだリフロープロセスの結果、コンタクトパッド１０６Ａは、はんだ要素１１４Ａによってコイル１０８の第１の端部１１０に結合され、コンタクトパッド１０６Ｂは、はんだ要素１１４Ｂによってコイル１０８の第２の端部１１２に結合され、コンタクトパッド１０６Ｃのセットは、はんだ要素１１４Ｃのセット及び導電性リード２１４のセットによってＩＣダイ１１６に結合され、及び／又はモジュールの他のはんだ接続が完了する。

【0023】

図２Ｇの断面図２１６において、ＭＭＣ充填材１２０が適用される。ＭＭＣ充填材１２０は、例えば、モールド（図示せず）を用いて、モジュール１００のベースを形成するリードフレーム１０２を除く、モジュール１００の他のすべての構成要素の周りに三次元の筐体（例えば、矩形又は立方体プリズム）を形成することによって適用される。例えば、ＭＭＣ充填材１２０は、用いられるモールドに基づいて、初期的に流動するか、又は所定の形状に硬化する前に液体状態であり得る。ＭＭＣ充填材の適用が完了した後、ＩＣダイ１１６は、間隙１１３によってリードフレーム１０２から分離され、その厚み（及び間隙１１３内のＭＭＣ充填材１２０の関連する厚み）は、改変された絶縁層１２２^＊の厚みによって部分的に決定される。

【0024】

図２Ｈの断面図２１８において、ダイシング動作がダイサー２２０によって実施されて、プリント回路基板（ＰＣＢ）又は他のリードフレームアセンブリからモジュール１００を分離する。幾つかの例示の実施例において、ダイシング動作が実施される前に、多くのそのようなモジュールが共に組み立てられ得る。ダイシング動作の後、モジュール１００が完成する。必要に応じて、モジュール１００はその後、顧客に提供されるか、又は他の方式で関連回路要素に結合されて所望の機能（例えば、スイッチングコンバータ動作）を提供する。

【0025】

図３Ａ及び図３Ｂは、様々な例示の実施例に従った、絶縁層レイアウトの選択肢の上面図３００及び３１０である。上面図３００及び３１０において、コンタクトパッド１０６Ａ及び１０６Ｂ、並びにコンタクトパッド１０６Ｃのセットが示されている。図示のように、第１の絶縁層１２２Ａ及び第２の絶縁層１２２Ｂのレイアウトは様々であり得る。より具体的には、図３Ａの第１の絶縁層１２２Ａは、コンタクトパッド１０６Ｃのセットを含む矩形レイアウト（例えば、幾何学的形状）を有し、図３Ｂの第２の絶縁層１２２Ｂは、コンタクトパッド１０６Ｃのセットを含む不定形のレイアウト（例えば、非幾何学的形状）を有する。第１の絶縁層１２２Ａのレイアウトの選択肢は、例えば、コストを低減するために、リードフレームへの絶縁層の適用を簡略化するように選択され得る。第２の絶縁層１２２Ｂのレイアウトの選択肢は、例えば、ＭＭＣモジュールのシナリオへの絶縁層の適用をカスタマイズするために（例えば、絶縁層とＭＭＣ充填材との間の層間剥離を低減するために）選択され得る。

【0026】

図４は、例示の実施例に従った、図１のモジュール１００の層を示す断面図である。図示のように、モジュール１００の層は、導電性チャネル１０４のうちの幾つか、コンタクトパッド１０６Ｃのセットのコンタクトパッドのうちの幾つか、導電性チャネル１０４とコンタクトパッド１０６Ｃのセットのそれぞれのコンタクトパッドとの間の導電性材料４０６などの、リードフレーム１０２の層を含む。導電性チャネル１０４、導電性材料４０６、及びコンタクトパッドのセット１０６Ｃは、銅（Ｃｕ）又は銅合金から作製されるが、これらに制約されない。幾つかの例示の実施例において、リードフレーム１０２の残りの層又は一部が、味の素ビルドアップフィルム（登録商標）（ＡＢＦ）４０２を含む。

【0027】

図４の例では、リードフレーム１０２は、コンタクトパッド１０６Ｃのセットの部分的に露出された部分の上に、改変された絶縁層１２２^＊を含む。幾つかの例示の実施例において、改変された絶縁層１２２^＊は、はんだレジスト層である。はんだ要素１１４Ｃのセットは、コンタクトパッド１０６Ｃのセットの露出された部分に結合される。図４のモジュール１００の他の層は、ＩＣダイ１１６を含み、ＩＣダイ１１６は、回路要素層（図示せず）、及び付加的な絶縁のためのポリイミド（ＰＩ）層４０４を含み得る。ＩＣダイ１１６とはんだ要素１１４Ｃとの間に導電性リード２１４がある。幾つかの例示の実施例において、導電性リード２１４は銅ポストである。

【0028】

図４の例では、ＭＭＣ充填材が、ＭＭＣ充填材粒子１２０Ａの第１のセットと、ＭＭＣ充填材粒子１２０Ｂの第２のセットとを用いて表される。図示されるように、ＭＭＣ充填材粒子の第２のセット１２０ＢのＭＭＣ充填材粒子は、ＭＭＣ充填材粒子の第１のセット１２０ＡのＭＭＣ充填材粒子よりも小さい。改変された絶縁層１２２^＊に起因して、リードフレーム１０２とＩＣダイ１１６との間の間隙１１３は、ＭＭＣ充填材粒子１２０Ｂの第２のセットのみが間隙１１３を充填するように制限される（ＭＭＣ充填材粒子１２０Ａの第１のセットは、その間隙に適合するには大きすぎる）。改変された絶縁層１２２^＊の厚みを調整することにより、間隙１１３を調整することができる。改変された絶縁層１２２^＊はまた、コンタクトパッド１０６Ｃの露出を制限する。改変された絶縁層１２２^＊、ＰＩ層４０４、及び／又はリードフレーム１０２とＩＣダイ１１６との間の間隙１１３内の第２のセットのＭＭＣ充填材粒子１２０Ｂによって、従来のアプローチと比較して漏れ電流が低減される。

【0029】

図５Ａは、従来の手法に従った、絶縁層（例えば、図１及び図２の絶縁層１２２、又は図２及び図４の改変された絶縁層１２２^＊）のないモジュールのための漏れ電流経路５０２を示す図５００である。図５Ａの図５００に示されるように、漏れ電流経路５０２は、ＭＭＣ充填材粒子１２０Ａの第１のセットのうちの幾つかを用いて、第１の導電性リード２１４Ａと第２の導電性リード２１４Ｂとの間を流れ、そのため、（図５Ｂの漏れ電流経路５１２と比較して）より短い漏れ電流経路となる。これは、少なくとも部分的に、初期の間隙２１１が、ＭＭＣ充填剤粒子１２０Ａの第１のセットの寸法よりも大きいことに起因する。図５Ａの例では、第１の導電性リード２１４Ａは、入力電圧（ＶＩＮ）を搬送し、第２の導電性リード２１４Ｂは、出力電圧（ＶＯＵＴ）（例えば、スイッチングコンバータに関連する）を搬送する。

【0030】

図５Ｂは、例示の実施例に従った、絶縁層を有するモジュール（例えば、図１、図２、及び図４のモジュール１００）の漏れ電流経路５１２を示す図５１０である。図５Ｂの図５１０に示されるように、漏れ電流経路５１２は、ＭＭＣ充填材粒子１２０Ｂの第２のセットの一部を用いて、第１の導電性リード２１４Ａと第２の導電性リード２１４Ｂとの間を流れ、そのため、（図５Ａの漏れ電流経路５０２と比較して）より長い漏れ電流経路となる。図５Ｂの例では、改変された絶縁層１２２^＊とＰＩ層４０４の追加とが絶縁を提供し、間隙１１３内のＭＭＣ充填材粒子の寸法を、ＭＭＣ充填材粒子の第２のセット１２０Ｂの間に制限する（間隙１１３においてＭＭＣ充填材粒子の第２のセット１２０Ａは回避される）。図５Ｂの例のように、絶縁層を追加し及び／又はＭＭＣ粒子寸法を制限することによって、漏れ電流が低減される。

【0031】

本記載において、「結合する」という用語は、本記載と一貫する機能的関係を可能にする、接続、通信、又は信号経路を包含し得る。例えば、デバイスＡが、或る行為を行うためにデバイスＢを制御する信号を生成する場合、（ａ）第１の例において、デバイスＡは直接接続によってデバイスＢに結合され、又は（ｂ）第２の例において、介在構成要素ＣがデバイスＡとデバイスＢとの間の機能的関係を変更しない場合に、デバイスＡは介在構成要素Ｃを介してデバイスＢに結合されて、デバイスＢが、デバイスＡによって生成された制御信号を介してデバイスＡによって制御されるようにする。

【0032】

また、本記載において、「～に基づく」という記載は、「～に少なくとも部分的に基づく」を意味する。したがって、ＸがＹに基づく場合、Ｘは、Ｙと任意の数の他の要因の関数であり得る。

【0033】

或るタスク又は機能を行う「ように構成される」デバイスは、その機能を行うように製造業者によって製造時に構成され（例えば、プログラム及び／又は配線接続され）、及び／又は、その機能及び／又は他の付加的な又は代替の機能を行うように製造後にユーザによって構成可能（又は再構成可能）であり得る。こういった構成は、デバイスのファームウェア及び／又はソフトウェアプログラミングを介してもよく、ハードウェア構成要素の構築及び／又はレイアウト、及びデバイスの相互接続、又はそれらの組み合わせを介してもよい。

【0034】

本明細書で用いる場合、用語「端子」、「ノード」、「相互接続」、「ピン」、及び「リード」は、交換可能に用いられる。特に反対の記載がない限り、これらの用語は概して、デバイス要素、回路要素、集積回路、デバイス、又はその他の電子機器、若しくは半導体構成要素の間の相互接続、又はそれらの終端を意味するために用いられる。

【0035】

特定の構成要素を含むものとして本明細書に記載される回路又はデバイスが代わりに、それらの構成要素に結合されて、記載される回路要素又はデバイスを形成するように適合されてもよい。例えば、１つ又は複数の半導体要素（トランジスタなど）、１つ又は複数の受動要素（抵抗器、コンデンサ、及び／又はインダクタなど）、及び／又は１つ又は複数の源（電圧及び／又は電流源など）を含むものとして説明される構造が代わりに、単一の物理デバイス（例えば、半導体ダイ及び／又は集積回路（ＩＣ）パッケージ）内の半導体要素のみを含み得、製造時又は製造時の後に、例えばエンドユーザー及び／又は第三者によって、説明される構造を形成するために、受動要素及び／又は源の少なくとも幾つかに結合されるように適合され得る。

【0036】

本明細書で説明する回路は、構成要素交換前に利用可能な機能と少なくとも部分的に同様の機能を提供するように、付加的な又は異なる構成要素を含むように再構成可能である。抵抗器として示される構成要素が、別途記載がない限り、概して、示される抵抗器によって表されるインピーダンスの量を提供するために、直列及び／又は並列に結合される任意の１つ又は複数の要素を表す。例えば、単一の構成要素として本明細書に示され記載される抵抗器又はコンデンサが代わりに、それぞれ、同じノード間で並列に結合される複数の抵抗器又はコンデンサであってもよい。例えば、単一の構成要素として本明細書に示され説明される抵抗器又はコンデンサが代わりに、それぞれ、単一の抵抗器又はコンデンサと同じ２つのノード間に直列に結合される、複数の抵抗器又はコンデンサであってもよい。

【0037】

記載される例の特定の要素が集積回路に含まれ、他の要素が集積回路の外部にあるが、他の例示の実施例において、付加的な又はより少ない特徴が集積回路に組み込まれ得る。また、集積回路の外部にあるものとして図示された特徴の一部又は全部が集積回路に含まれてもよく、及び／又は、集積回路の内部にあるものとして図示されたいくつかの特徴が、集積回路の外部に組み込まれてもよい。本明細書で用いる場合、「集積回路」という語は、（ｉ）半導体基板内／上に組み込まれる、（ｉｉ）単一の半導体パッケージ内に組み込まれる、（ｉｉｉ）同じモジュール内に組み込まれる、及び／又は（ｉｖ）同じ印刷回路基板内／上に組み込まれる、１つ又は複数の回路を意味する。

【0038】

本明細書において、別途記載がない限り、或るパラメータに先行する「約」、「およそ」、又は「実質的に」は、そのパラメータの＋／－１０％内であることを意味する。

【0039】

本発明の特許請求の範囲内で、説明した例示の実施例に改変が成され得、他の実施例が可能である。

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図2E】

【図2F】

【図2G】

【図2H】

【図3A】

【図3B】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【外国語明細書】