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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024006573
(43)【公開日】2024-01-17
(54)【発明の名称】ガスセンサ
(51)【国際特許分類】
G01N 27/12 20060101AFI20240110BHJP
【ＦＩ】
G01N27/12 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022107603
(22)【出願日】2022-07-04
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001195
【氏名又は名称】弁理士法人深見特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】赤坂 俊輔
【テーマコード（参考）】
2G046
【Ｆターム（参考）】
2G046AA05
2G046AA07
2G046AA11
2G046AA13
2G046AA19
2G046BB02
2G046BD01
2G046BD06
2G046BF05
2G046FE38
(57)【要約】
【課題】防水性を有し、かつ、コストが低減されたガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスセンサ１は、ガス検知器１５と、ガス検知器１５を覆うリッド２０とを備える。リッド２０は、半導体材料で形成されている。リッド２０は、ガス検知器１５に対向する第１主面２１と、第１主面２１とは反対側の第２主面２２とを含む。リッド２０に、複数の貫通孔２３が設けられている。複数の貫通孔２３の各々は、第１主面２１から第２主面２２まで延在している。複数の貫通孔２３の各々の直径は、５０μｍ以下である。
【選択図】図１
【解決手段】ガスセンサ１は、ガス検知器１５と、ガス検知器１５を覆うリッド２０とを備える。リッド２０は、半導体材料で形成されている。リッド２０は、ガス検知器１５に対向する第１主面２１と、第１主面２１とは反対側の第２主面２２とを含む。リッド２０に、複数の貫通孔２３が設けられている。複数の貫通孔２３の各々は、第１主面２１から第２主面２２まで延在している。複数の貫通孔２３の各々の直径は、５０μｍ以下である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ガス検知器と、
前記ガス検知器を覆うリッドとを備え、
前記リッドは、半導体材料で形成されており、
前記リッドは、前記ガス検知器に対向する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを含み、
前記リッドに、複数の貫通孔が設けられており、前記複数の貫通孔の各々は、前記第１主面から前記第２主面まで延在しており、
前記複数の貫通孔の各々の直径は、５０μｍ以下である、ガスセンサ。
前記ガス検知器を覆うリッドとを備え、
前記リッドは、半導体材料で形成されており、
前記リッドは、前記ガス検知器に対向する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを含み、
前記リッドに、複数の貫通孔が設けられており、前記複数の貫通孔の各々は、前記第１主面から前記第２主面まで延在しており、
前記複数の貫通孔の各々の直径は、５０μｍ以下である、ガスセンサ。
【請求項2】
前記リッドは、防水性試験（ＪＩＳ Ｃ ０９２０）の保護等級ＩＰＸ４以上を満たす、請求項１に記載のガスセンサ。
【請求項3】
前記直径は、２０ｎｍ以上である、請求項１または請求項２に記載のガスセンサ。
【請求項4】
前記ガス検知器を支持する支持基板をさらに備え、
前記リッドは前記支持基板に固定されており、
前記支持基板と前記リッドとの間に、前記ガス検知器が収容されるキャビティが形成されている、請求項１または請求項２に記載のガスセンサ。
前記リッドは前記支持基板に固定されており、
前記支持基板と前記リッドとの間に、前記ガス検知器が収容されるキャビティが形成されている、請求項１または請求項２に記載のガスセンサ。
【請求項5】
前記複数の貫通孔の面積比率は１０％以上であり、
前記面積比率は、前記第２主面の平面視における前記複数の貫通孔の面積を、前記第２主面の前記平面視において前記第２主面のうち前記キャビティに対向する領域の面積で割ることによって与えられる、請求項４に記載のガスセンサ。
前記面積比率は、前記第２主面の平面視における前記複数の貫通孔の面積を、前記第２主面の前記平面視において前記第２主面のうち前記キャビティに対向する領域の面積で割ることによって与えられる、請求項４に記載のガスセンサ。
【請求項6】
前記リッドは、前記第１主面から突出する凸部を含み、
前記凸部は前記支持基板に固定されている、請求項４に記載のガスセンサ。
前記凸部は前記支持基板に固定されている、請求項４に記載のガスセンサ。
【請求項7】
前記リッドのガス透過性は、１００ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以上である、請求項１または請求項２に記載のガスセンサ。
【請求項8】
前記リッドの前記第２主面は、撥水処理されている、請求項１または請求項２に記載のガスセンサ。
【請求項9】
前記第１主面と前記第２主面との間の距離は、０．１ｍｍより大きい、請求項１または請求項２に記載のガスセンサ。
【請求項10】
前記リッドは、Ｓｉで形成されている、請求項１または請求項２に記載のガスセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、ガスセンサに関する。
【背景技術】
【0002】
特開２０１２－７８０８９号公報（特許文献１）は、感ガス部と、通気性を有するカバーとを備えるガスセンサを開示している。通気性を有するカバーは、金属製のリッドを含む。金属製のリッドに、複数の孔が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１２－７８０８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示の目的は、防水性を有し、かつ、コストが低減されたガスセンサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示のガスセンサは、ガス検知器と、ガス検知器を覆うリッドとを備える。リッドは、半導体材料で形成されている。リッドは、ガス検知器に対向する第１主面と、第１主面とは反対側の第２主面とを含む。リッドに、複数の貫通孔が設けられている。複数の貫通孔の各々は、第１主面から第２主面まで延在している。複数の貫通孔の各々の直径は、５０μｍ以下である。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、防水性を有し、かつ、コストが低減されたガスセンサが提供され得る。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
図面に基づいて本開示の実施の形態の詳細について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。以下に記載する実施の形態の少なくとも一部の構成を任意に組み合わせてもよい。
【0009】
（実施の形態１）
【0010】
【0011】
支持基板１０は、ガス検知器１５を支持する。支持基板１０は、例えば、プリント回路基板である。支持基板１０は、電気配線（図示せず）と、外部端子１２とを含む。支持基板１０は、主面１０ａを有する。外部端子１２は、例えば、主面１０ａ上に設けられている。主面１０ａの平面視において、外部端子１２は、リッド２０の外側に配置されている。外部端子１２は、支持基板１０の電気配線に接続されている。外部端子１２は、支持基板１０の電気配線を通じて、ガス検知器１５に接続されている。
【0012】
ガス検知器１５は、ガスセンサ１の周囲環境にあるガス２を検出する。具体的には、ガス検知器１５は、リッド２０の複数の貫通孔２３を通ってガスセンサ１のキャビティ２９に流入したガス２を検出して、ガス２の濃度のようなガス２に関する信号を出力する。ガス２に関する信号は、支持基板１０の電気配線及び外部端子１２を通して、ガスセンサ１の外部に出力される。ガス検知器１５が検出するガス２は、特に限定されないが、例えば、メタン、水素、酸素、一酸化炭素または窒素酸化物（ＮＯｘ）などである。ガス検知器１５は、特に限定されないが、例えば、半導体ガスセンサチップである。
【0013】
リッド２０は、ガス検知器１５を覆う。リッド２０は、シリコン（Ｓｉ）のような半導体材料で形成されている。リッド２０は、ガス検知器１５に対向する第１主面２１と、第１主面２１とは反対側の第２主面２２とを含む。第１主面２１と第２主面２２との間の距離ｄは、例えば、０．１ｍｍより大きい。そのため、リッド２０の機械的強度が向上する。第１主面２１と第２主面２２との間の距離は、例えば、０．５ｍｍ以上であってもよく、１．０ｍｍ以上であってもよい。
【0014】
リッド２０に、複数の貫通孔２３が設けられている。複数の貫通孔２３は、ガスセンサ１の周囲環境とガスセンサ１のキャビティ２９とに連通している。複数の貫通孔２３の各々は、第１主面２１から第２主面２２まで延在している。複数の貫通孔２３の各々の直径は、５０μｍ以下である。そのため、リッド２０は、防水性試験（ＪＩＳ Ｃ ０９２０）の保護等級ＩＰＸ４以上を満たす。複数の貫通孔２３の各々の直径は、３０μｍ以下であってもよい。複数の貫通孔２３の各々の直径は、例えば、２０ｎｍ以上である。そのため、リッド２０のガス透過率が過度に小さくなることが防止され得る。リッド２０は、防水性試験（ＪＩＳ Ｃ ０９２０）の保護等級ＩＰＸ８以下であってもよい。
【0015】
複数の貫通孔２３の面積比率は、例えば、１０％以上である。そのため、リッド２０のガス透過性が向上して、ガスセンサ１の応答速度が向上する。複数の貫通孔２３の面積比率は、２０％以上であってもよく、３０％以上であってもよい。複数の貫通孔２３の面積比率は、第２主面２２の平面視における複数の貫通孔２３の面積を、第２主面２２の平面視において第２主面２２のうちガスセンサ１のキャビティ２９に対向する領域２４の面積で割ることによって与えられる。リッド２０のガス透過率は、例えば、１００ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以上である。リッド２０のガス透過率は、１５０ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以上であってもよく、２００ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以上であってもよい。
【0016】
リッド２０は、接合部材２８を用いて、支持基板１０に固定されている。具体的には、リッド２０は、第１主面２１から突出する凸部２５を含む。凸部２５は、接合部材２８を用いて、支持基板１０の主面１０ａに接合されている。そのため、支持基板１０の主面１０ａが平面であっても、リッド２０と支持基板１０との間に、ガス検知器１５が収容され得るキャビティ２９が形成され得る。リッド２０及び支持基板１０は、例えば、ガス検知器１５のためのチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）を形成する。接合部材２８は、例えば、樹脂接着剤である。
【0017】
図３を参照して、本実施の形態のガスセンサ１の製造方法の一例を説明する。
【0018】
リッド２０を製造する（Ｓ１）。例えば、リッド２０は、半導体材料で形成されており、半導体プロセスを用いて製造され得る。リッド２０の製造方法の例については、後で詳しく述べる。
【0019】
ガス検知器１５を支持基板１０上に実装する（Ｓ２）。例えば、ガス検知器１５は、はんだのような導電接合部材（図示せず）を用いて、支持基板１０にボンディングされる。
【0020】
リッド２０を支持基板１０に取り付ける（Ｓ３）。例えば、リッド２０（具体的には、凸部２５）は、接合部材２８を用いて、支持基板１０の主面１０ａに接合される。リッド２０と支持基板１０との間に、キャビティ２９が形成される。ガス検知器１５は、キャビティ２９内に収容される。リッド２０の複数の貫通孔２３は、ガスセンサ１の周囲環境とキャビティ２９とに連通する。
【0021】
【0022】
図４を参照して、半導体基板３０を準備する。半導体基板３０は、例えば、Ｓｉ基板である。半導体基板３０は、主面３１と、主面３１とが反対側の主面３２とを含む。主面３２は、リッド２０の第２主面２２である。主面３１上にレジスト３５を形成する。レジスト３５をパターニングして、レジスト３５に孔３６を形成する。
【0023】
図５を参照して、レジスト３５をマスクとして用いて半導体基板３０をエッチングして、半導体基板３０に貫通孔３３を形成する。貫通孔３３は、例えば、深掘り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）によって形成される。ＤＲＩＥにより、主面３１から主面３２まで延在し、かつ、５０μｍ以下の直径を有する貫通孔３３が容易に形成され得る。アッシングにより、レジスト３５を半導体基板３０から除去する。
【0024】
図６を参照して、主面３１上にレジスト３７を形成する。レジスト３７をパターニングして、レジスト３７に開口３８を形成する。
【0025】
図７を参照して、レジスト３７をマスクとして用いて半導体基板３０をエッチングして、半導体基板３０の主面３１に凹部を形成する。凹部は、例えば、ドライエッチングによって形成される。凹部の底面が、リッド２０の第１主面２１である。貫通孔３３は、第１主面２１から第２主面２２まで延在する貫通孔２３になる。半導体基板３０のうちレジスト３７で覆われている部分に、凸部２５が形成される。アッシングにより、レジスト３７を半導体基板３０から除去する。こうして、リッド２０が得られる。
【0026】
図８から図１１を参照して、リッド２０の製造方法の第２の例を説明する。リッド２０の製造方法の第２の例はリッド２０の製造方法の第１の例と同様であるが、リッド２０の製造方法の第２の例では、半導体基板３０の主面３１に凹部を形成し、それから、貫通孔２３を形成している。
【0027】
具体的には、図８を参照して、半導体基板３０を準備する。半導体基板３０の主面３１上にレジスト３７を形成する。レジスト３７をパターニングして、レジスト３７に開口３８を形成する。
【0028】
図９を参照して、レジスト３７をマスクとして用いて半導体基板３０をエッチングして、半導体基板３０の主面３１に凹部を形成する。凹部は、例えば、ドライエッチングによって形成される。凹部の底面が、リッド２０の第１主面２１である。半導体基板３０のうちレジスト３７で覆われている部分に、凸部２５が形成される。アッシングにより、レジスト３７を半導体基板３０から除去する。
【0029】
図１０を参照して、主面３１上と第１主面２１上とにレジスト３５を形成する。レジスト３５をパターニングして、レジスト３５に孔３６を形成する。
【0030】
図１１を参照して、レジスト３５をマスクとして用いて半導体基板３０をエッチングして、半導体基板３０に複数の貫通孔２３を形成する。貫通孔２３は、例えば、深掘り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）によって形成される。ＤＲＩＥにより、第１主面２１から第２主面２２まで延在し、かつ、５０μｍ以下の直径を有する複数の貫通孔２３が容易に形成され得る。アッシングにより、レジスト３５を半導体基板３０から除去する。こうして、リッド２０が得られる。
【0031】
図８、図９、図１２及び図１３を参照して、リッド２０の製造方法の第３の例を説明する。リッド２０の製造方法の第３の例は、リッド２０の製造方法の第２の例と同様であるが、複数の貫通孔２３の形成方法においてリッド２０の製造方法の第２の例と異なっている。
【0032】
【0033】
【0034】
具体的には、図１２を参照して、第１主面２１上にトッド状の金属膜４０を形成する。トッド状の金属膜４０は、第１主面２１のうち複数の貫通孔２３が形成される領域上に形成されるが、第１主面２１のうち複数の貫通孔２３が形成されない領域上には形成されない。トッド状の金属膜４０は、例えば、金（Ａｕ）のような貴金属で形成されている。トッド状の金属膜４０は、特に限定されないが、例えば、以下の二つの方法によって形成される。
【0035】
トッド状の金属膜４０の第１の形成方法では、第１主面２１の全体上に金属膜を形成し、それから、金属膜を、エッチングまたはリフトオフなどによってパターニングする。トッド状の金属膜４０の第１の形成方法は、複数の貫通孔２３の各々の直径が０．１μｍ以上５０μｍ以下である場合に適している。
【0036】
トッド状の金属膜４０の第２の形成方法では、第１主面２１に金属材料を斜め蒸着することによって、第１主面２１上にトッド状の金属膜４０を形成する。トッド状の金属膜４０を蒸着する際の半導体基板３０の温度を変化させることによって、トッド状の金属膜４０の各々の直径を変化させることができる。トッド状の金属膜４０の第２の形成方法は、複数の貫通孔２３の各々の直径が２０ｎｍ以上０．１μｍ以下である場合に適している。
【0037】
図１３を参照して、トッド状の金属膜４０を触媒として用いて、半導体基板３０をエッチングする。例えば、トッド状の金属膜４０が形成された半導体基板３０を、フッ酸水溶液と過酸化水素水等の酸化剤とを含むエッチング液に浸漬する。エッチングの進行に伴って、トッド状の金属膜４０は、第１主面２１に垂直な方向に移動する。トッド状の金属膜４０が第２主面２２まで達して、半導体基板３０に複数の貫通孔２３が形成される。王水系溶液、シアン系溶液またはヨウ素系溶液のようなエッチング液を用いて、トッド状の金属膜４０を除去する。こうして、リッド２０が得られる。
【0038】
本実施の形態のガスセンサ１の動作及び作用を説明する。
【0039】
ガスセンサ１の周囲環境にあるガス２は、リッド２０の複数の貫通孔２３を通ってガスセンサ１のキャビティ２９に流入する。ガス検知器１５は、キャビティ２９に流入したガス２を検出して、ガス２の濃度のようなガス２に関する信号を出力する。ガス２に関する信号は、支持基板１０の電気配線（図示せず）及び外部端子１２を通して、ガスセンサ１の外部に出力される。
【0040】
複数の貫通孔２３の各々の直径は、５０μｍ以下である。そのため、ガス２は複数の貫通孔２３を通り抜けることはできるが、水のような液体は複数の貫通孔２３を通り抜けることができない。そのため、リッド２０は、防水性能を有しており、例えば、防水性試験（ＪＩＳ Ｃ ０９２０）の保護等級ＩＰＸ４以上を満たす。
【0041】
リッド２０は、半導体材料で形成されている。複数の貫通孔２３は、半導体プロセスを用いて形成され得る。そのため、複数の貫通孔２３の各々の直径を５０μｍ以下にまで容易に減少させることができて、防水性を有するリッド２０が低コストで得られる。また、より狭い領域により多くの貫通孔２３を形成することができるため、複数の貫通孔２３の面積比率を増加させることができる。リッド２０のガス透過性が向上して、ガスセンサ１の応答速度が向上する。
【0042】
これに対し、第１比較例のガスセンサでは、リッドは金属で形成されている。すなわち、第１比較例のリッドでは、金属板にガス２を透過させる複数の貫通孔が設けられている。しかし、金属板に形成することができる複数の貫通孔の各々の直径は、０．１ｍｍ以上である。そのため、第１比較例のガスセンサは、防水性を有していない。
【0043】
また、第２比較例のガスセンサでは、リッドはセミラックで形成されている。すなわち、第２比較例のリッドでは、セラミック板にガス２を透過させる複数の貫通孔が設けられている。５０μｍ以下の直径を有する複数の貫通孔をセラミック板に形成するためには、金型のキャビティに多数の細いピンを立て、金型のキャビティにセラミック母材を注入し、セラミック母材を焼成し、細いピンを引き抜くという製造方法を採用する必要がある。しかし、この製造方法は、非常に大きなコストがかかる。実用的なコストで、複数の貫通孔が形成されたセラミック製のリッドを製造しようとすると、リッドに形成される複数の貫通孔の面積密度が非常に小さくなる。そのため、第２比較例のガスセンサの応答速度は、著しく低くなる。また、上記製造方法では金型内に長いピンを立てることができないため、セミラック板の厚さを０．１ｍｍ以下とせざるを得ない。そのため、セラミック製のリッドの機械的強度が低い。
【0044】
（変形例）
【0045】
図１４を参照して、本実施の形態の変形例のガスセンサ１ａを説明する。
【0046】
ガスセンサ１ａでは、支持基板１０の主面１０ａに凹部が形成されており、凹部の底面にガス検知器１５が実装されている。具体的には、支持基板１０は、主面１０ａから後退した主面１１を含む。主面１１は、主面１０ａに形成された凹部の底面である。ガス検知器１５は、主面１１に実装されている。リッド２０は、凸部２５（図１を参照）を含んでない。支持基板１０の主面１０ａに凹部が形成されているため、凸部２５が無くても、リッド２０と支持基板１０との間に、ガス検知器１５が収容され得るキャビティ２９が形成される。
【0047】
支持基板１０は、パッド１３を含む。パッド１３は、例えば、主面１１上に設けられている。パッド１３は、支持基板１０の電気配線（図示せず）に接続されている。ガス検知器１５は、パッド１６を含む。Ａｕワイヤなどのような導電ワイヤ１９が、パッド１３とパッド１６とにボンディングされている。パッド１６は、導電ワイヤ１９を介して、パッド１３に電気的に接続されている。ガス２の濃度のようなガス２に関する信号は、パッド１６、導電ワイヤ１９、パッド１３、支持基板１０の電気配線及び外部端子１２を通して、ガスセンサ１の外部に出力される。例えば、支持基板１０はセラミック回路基板であり、リッド２０及び支持基板１０はガス検知器１５のためのセラミックパッケージを形成する。
【0048】
本実施の形態のガスセンサ１，１ａの効果を説明する。
【0049】
本実施の形態のガスセンサ１，１ａは、ガス検知器１５と、ガス検知器１５を覆うリッド２０とを備える。リッド２０は、半導体材料で形成されている。リッド２０は、ガス検知器１５に対向する第１主面２１と、第１主面２１とは反対側の第２主面２２とを含む。リッド２０に、複数の貫通孔２３が設けられている。複数の貫通孔２３の各々は、第１主面２１から第２主面２２まで延在している。複数の貫通孔２３の各々の直径は、５０μｍ以下である。
【0050】
リッド２０の複数の貫通孔２３の各々の直径は５０μｍ以下であるため、ガスセンサ１，１ａは、防水性を有する。また、リッド２０は半導体材料で形成されている。そのため、複数の貫通孔２３が設けられているリッド２０が低コストで得られるため、ガスセンサ１，１ａのコストを低減させることができる。
【0051】
本実施の形態のガスセンサ１，１ａでは、リッド２０は、防水性試験（ＪＩＳ Ｃ ０９２０）の保護等級ＩＰＸ４以上を満たす。そのため、ガスセンサ１，１ａは、向上された防水性を有する。
【0052】
本実施の形態のガスセンサ１，１ａでは、複数の貫通孔２３の各々の直径は、２０ｎｍ以上である。そのため、リッド２０のガス透過率が過度に小さくなることが防止されて、ガス２に対するガスセンサ１，１ａの応答速度が過度に小さくなることが防止され得る。
【0053】
本実施の形態のガスセンサ１，１ａでは、リッド２０のガス透過率は、１００ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以上である。そのため、ガス２に対するガスセンサ１，１ａの応答速度を向上させることができる。
【0054】
本実施の形態のガスセンサ１，１ａは、ガス検知器１５を支持する支持基板１０をさらに備える。リッド２０は支持基板１０に固定されている。支持基板１０とリッド２０との間に、ガス検知器１５が収容されるキャビティ２９が形成されている。
【0055】
そのため、ガス検知器１５は、リッド２０及び支持基板１０によって形成されるパッケージ内に収容され得る。ガス検知器１５はパッケージによって機械的に保護されるとともに、ガス検知器１５の取り扱いが容易になる。
【0056】
本実施の形態のガスセンサ１，１ａでは、複数の貫通孔２３の面積比率は１０％以上である。複数の貫通孔２３の面積比率は、第２主面２２の平面視における複数の貫通孔２３の面積を、第２主面２２の平面視において第２主面２２のうちキャビティ２９に対向する領域２４の面積で割ることによって与えられる。そのため、ガス２に対するガスセンサ１，１ａの応答速度を向上させることができる。
【0057】
本実施の形態のガスセンサ１では、リッド２０は、第１主面２１から突出する凸部２５を含む。凸部２５は、支持基板１０に固定されている。
【0058】
そのため、支持基板１０に凹部が形成されていなくても、ガス検知器１５は、リッド２０及び支持基板１０によって形成されるパッケージ内に収容され得る。ガス検知器１５はパッケージによって機械的に保護されるとともに、ガス検知器１５の取り扱いが容易になる。
【0059】
本実施の形態のガスセンサ１，１ａでは、第１主面２１と第２主面２２との間の距離ｄは、０．１ｍｍより大きい。そのため、リッド２０の機械的強度が向上し得る。
【0060】
本実施の形態のガスセンサ１，１ａでは、リッド２０は、Ｓｉで形成されている。そのため、ガスセンサ１，１ａのコストを低減させることができる。
【0061】
（実施の形態２）
【0062】
図１５を参照して、実施の形態２に係るガスセンサ１ｂを説明する。本実施の形態のガスセンサ１ｂは、実施の形態１のガスセンサ１と同様の構成を備え、同様の効果を奏するが、主に以下の点で実施の形態１のガスセンサ１と異なっている。
【0063】
ガスセンサ１ｂでは、リッド２０の第２主面２２は、撥水処理されている。例えば、ガスセンサ１ｂは、リッド２０の第２主面２２上に設けられている撥水層４５を含む。撥水層４５は、フッ素樹脂またはパーフルオロアルキル基含有シランなどのようなフッ素系撥水剤を含む。そのため、ガスセンサ１ｂの防水性をさらに向上させることができる。
【0064】
本実施の形態の変形例では、実施の形態１の変形例（図１４を参照）のガスセンサ１ａにおいて、リッド２０の第２主面２２が撥水処理されている。
【0065】
以下、本開示の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【0066】
（付記）
【0067】
（付記１）
ガス検知器と、
前記ガス検知器を覆うリッドとを備え、
前記リッドは、半導体材料で形成されており、
前記リッドは、前記ガス検知器に対向する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを含み、
前記リッドに、複数の貫通孔が設けられており、前記複数の貫通孔の各々は、前記第１主面から前記第２主面まで延在しており、
前記複数の貫通孔の各々の直径は、５０μｍ以下である、ガスセンサ。
（付記２）
前記リッドは、防水性試験（ＪＩＳ Ｃ ０９２０）の保護等級ＩＰＸ４以上を満たす、付記１に記載のガスセンサ。
（付記３）
前記直径は、２０ｎｍ以上である、付記１または付記２に記載のガスセンサ。
（付記４）
前記ガス検知器を支持する支持基板をさらに備え、
前記リッドは前記支持基板に固定されており、
前記支持基板と前記リッドとの間に、前記ガス検知器が収容されるキャビティが形成されている、付記１から付記８のいずれか一つに記載のガスセンサ。
（付記５）
前記複数の貫通孔の面積比率は１０％以上であり、
前記面積比率は、前記第２主面の平面視における前記複数の貫通孔の面積を、前記第２主面の前記平面視において前記第２主面のうち前記キャビティに対向する領域の面積で割ることによって与えられる、付記１から付記３のいずれか一つに記載のガスセンサ。
（付記６）
前記リッドは、前記第１主面から突出する凸部を含み、
前記凸部は前記支持基板に固定されている、付記４または付記５に記載のガスセンサ。
（付記７）
前記リッドのガス透過性は、１００ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以上である、付記１から付記６のいずれか一つに記載のガスセンサ。
（付記８）
前記リッドの前記第２主面は、撥水処理されている、付記１から付記７のいずれか一つに記載のガスセンサ。
（付記９）
前記第１主面と前記第２主面との間の距離は、０．１ｍｍより大きい、付記１から付記８のいずれか一つに記載のガスセンサ。
（付記１０）
前記リッドは、Ｓｉで形成されている、付記１から付記９のいずれか一つに記載のガスセンサ。
ガス検知器と、
前記ガス検知器を覆うリッドとを備え、
前記リッドは、半導体材料で形成されており、
前記リッドは、前記ガス検知器に対向する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面とを含み、
前記リッドに、複数の貫通孔が設けられており、前記複数の貫通孔の各々は、前記第１主面から前記第２主面まで延在しており、
前記複数の貫通孔の各々の直径は、５０μｍ以下である、ガスセンサ。
（付記２）
前記リッドは、防水性試験（ＪＩＳ Ｃ ０９２０）の保護等級ＩＰＸ４以上を満たす、付記１に記載のガスセンサ。
（付記３）
前記直径は、２０ｎｍ以上である、付記１または付記２に記載のガスセンサ。
（付記４）
前記ガス検知器を支持する支持基板をさらに備え、
前記リッドは前記支持基板に固定されており、
前記支持基板と前記リッドとの間に、前記ガス検知器が収容されるキャビティが形成されている、付記１から付記８のいずれか一つに記載のガスセンサ。
（付記５）
前記複数の貫通孔の面積比率は１０％以上であり、
前記面積比率は、前記第２主面の平面視における前記複数の貫通孔の面積を、前記第２主面の前記平面視において前記第２主面のうち前記キャビティに対向する領域の面積で割ることによって与えられる、付記１から付記３のいずれか一つに記載のガスセンサ。
（付記６）
前記リッドは、前記第１主面から突出する凸部を含み、
前記凸部は前記支持基板に固定されている、付記４または付記５に記載のガスセンサ。
（付記７）
前記リッドのガス透過性は、１００ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以上である、付記１から付記６のいずれか一つに記載のガスセンサ。
（付記８）
前記リッドの前記第２主面は、撥水処理されている、付記１から付記７のいずれか一つに記載のガスセンサ。
（付記９）
前記第１主面と前記第２主面との間の距離は、０．１ｍｍより大きい、付記１から付記８のいずれか一つに記載のガスセンサ。
（付記１０）
前記リッドは、Ｓｉで形成されている、付記１から付記９のいずれか一つに記載のガスセンサ。
【0068】
今回開示された実施の形態１及び実施の形態２並びにそれらの変形例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は、上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることを意図される。
【符号の説明】
【0069】
１，１ａ，１ｂ ガスセンサ、２ ガス、１０ 支持基板、１０ａ，１１ 主面、１２ 外部端子、１３ パッド、１５ ガス検知器、１６ パッド、１９ 導電ワイヤ、２０ リッド、２１ 第１主面、２２ 第２主面、２３ 貫通孔、２４ 領域、２５ 凸部、２８ 接合部材、２９ キャビティ、３０ 半導体基板、３１，３２ 主面、３３ 貫通孔、３５，３７ レジスト、３６ 孔、３８ 開口、４０ 金属膜、４５ 撥水層。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】