特開 2024-66112 基板処理装置および基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024066112

(43)【公開日】2024-05-15

(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20240508BHJP

   B05C 3/09 20060101ALI20240508BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 563

B05C3/09

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022175425

(22)【出願日】2022-11-01

(71)【出願人】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100093056

【弁理士】

【氏名又は名称】杉谷 勉

(74)【代理人】

【識別番号】100142930

【弁理士】

【氏名又は名称】戸高 弘幸

(74)【代理人】

【識別番号】100175020

【弁理士】

【氏名又は名称】杉谷 知彦

(74)【代理人】

【識別番号】100180596

【弁理士】

【氏名又は名称】栗原 要

(74)【代理人】

【識別番号】100195349

【弁理士】

【氏名又は名称】青野 信喜

(72)【発明者】

【氏名】山本 滋

(72)【発明者】

【氏名】岩田 敬次

(72)【発明者】

【氏名】藤井 大樹

(72)【発明者】

【氏名】合田 和樹

(72)【発明者】

【氏名】永井 泰彦

【テーマコード（参考）】

4F040

5F146

【Ｆターム（参考）】

4F040AA02

4F040AA12

4F040AB20

4F040CC14

4F040CC16

4F040CC18

5F146HA02

(57)【要約】

【課題】撥水化剤に由来する基板への悪影響を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板処理装置１によれば、基板Ｗに撥水処理を施す際に、チャンバ３内に位置する処理槽１１に向けて供給された撥水化剤蒸気は、処理槽１１上部の開口部１２ａで収集され、排気口を介してチャンバ外に排出される。この様に構成すれば、撥水化剤蒸気がチャンバ３側壁に回り込むことがなく、チャンバ３側壁において撥水化剤残渣物が付着することがない。本発明によれば、撥水化剤残渣物が基板Ｗに悪影響を及ぼすことがなく、基板Ｗの清浄性を保つことができる基板処理装置１を提供することができる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数枚の基板に対して撥水化処理と洗浄処理と乾燥処理とを連続して行う基板処理装置であって、
密閉可能なチャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、洗浄液を貯留する、上部が開口している処理槽と、
複数枚の基板を保持して、前記処理槽の内部位置と前記処理槽の上方位置との間で昇降移動するリフタと、
前記処理槽に貯留された前記洗浄液を排液する排液手段と、
前記処理槽内を減圧することにより、前記チャンバ内を排気する処理槽減圧手段と、
前記処理槽の上方位置にある基板に撥水化剤を供給する撥水化剤供給手段と、
前記複数枚の基板に対する一連の処理を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記複数枚の基板に対する撥水化処理の過程では、前記排液手段により前記処理槽内の処理液を排液し、続いて、前記処理槽減圧手段により前記処理槽内を減圧することにより、前記チャンバ内を排気しながら、前記撥水化剤供給手段により前記処理槽の上方位置にある基板に撥水化剤を供給する
ことを特徴とする基板処理装置。

【請求項2】

請求項１に記載の基板処理装置において、
前記処理槽減圧手段は、
前記処理槽に形成された排気口と、前記排気口に一端が接続された配管と、前記配管に介在する開閉弁と、前記配管の他端に接続する減圧ポンプで構成されており、
前記制御手段は、前記撥水化剤供給手段により前記処理槽の上方位置にある基板に撥水化剤を供給する際、前記減圧ポンプによる減圧を行いながら、前記開閉弁を開状態とし、前記処理槽の上部開口から前記処理槽内に収集された撥水化剤を前記排気口から排出させる
ことを特徴とする基板処理装置。

【請求項3】

請求項２に記載の基板処理装置において、
前記排気口は、前記処理槽の底部に設けられている
ことを特徴とする基板処理装置。

【請求項4】

請求項１に記載の基板処理装置において、
前記チャンバ内に有機溶剤蒸気を供給する有機溶剤供給手段を更に備える
ことを特徴とする基板処理装置。

【請求項5】

請求項２に記載の基板処理装置において、
前記排気口は、前記処理槽に保持される液も通過させる
ことを特徴とする基板処理装置。

【請求項6】

複数枚の基板に対して撥水化処理と洗浄処理と乾燥処理とを連続して行う基板処理方法であって、
前記撥水処理の過程は、
上部に複数枚の基板を導入する開口を有する処理槽内を減圧することにより、前記処理槽が設けられているチャンバ内を排気する処理槽減圧過程と、
前記処理槽減圧過程を実行しながら、前記処理槽の上部に位置する複数枚の基板に対して撥水化剤を供給する撥水化剤供給過程と、を備える
ことを特徴とする基板処理方法。

【請求項7】

請求項６に記載の基板処理方法において、
前記撥水化剤供給過程の後、前記処理槽を液で洗浄する処理槽洗浄過程を備える
ことを特徴とする基板処理方法。

【請求項8】

請求項６に記載の基板処理方法において、
前記撥水化剤供給過程の後、前記処理槽に有機溶剤を供給する有機溶剤供給過程を備える
ことを特徴とする基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体基板、液晶表示用や有機ＥＬ(Electroluminescence)表示装置などのＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の各種基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、チャンバ内に収容される基板を処理する基板処理方法を開示する。基板処理方法は、基板を所定の液に浸漬させるための槽と、チャンバ内に不活性ガス、有機溶剤蒸気、撥水化剤蒸気を供給する吐出口と、チャンバ内を減圧する減圧部を備えている。特許文献１の開示によれば、減圧を行いながら撥水化剤蒸気をチャンバ内に供給する。この様にして基板表面の改質が行われる。撥水化剤蒸気の供給によって基板表面に付着する撥水化剤の残渣物は、後の過程において基板が希釈有機溶剤に浸漬されることで除去され、基板に悪影響を及ぼさない構成となっている。

【0003】

特許文献２も、特許文献１と同様の基板処理方法を開示する。特許文献２の基板処理方法もチャンバ内を減圧しながら撥水化剤蒸気を供給する過程を備えている。減圧を行いながらながら撥水化剤を供給する効果としては、撥水化剤を蒸気の状態でチャンバ内に供給することが容易となることである。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０２２－２７０８９号公報

【特許文献2】特開２０１８－５６１５５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、上述の構成によれば、撥水化剤が及ぼす基板への悪影響を十分に防止することができないという問題がある。すなわち、撥水化剤蒸気がチャンバ内に供給された際、撥水化剤残渣物は、基板表面のみならずチャンバの内壁にも付着する。チャンバの内壁であっても、チャンバの底部に当たる部分は、希釈有機溶剤がチャンバ内に溜められる際に希釈有機溶剤の液面下に位置する。したがって、この部分に付着した撥水化剤残渣物は除去される。しかし、チャンバの内壁におけるそれ以外の部分には、撥水化剤残渣物が残留し、これが基板に対して悪影響を及ぼすことがある。

【0006】

本発明は、この様な事情に鑑みてなされたものであって、撥水化剤に由来する基板への悪影響を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明は、この様な目的を達成するために次の様な構成をとる。

【0008】

複数枚の基板に対して撥水化処理と洗浄処理と乾燥処理とを連続して行う基板処理装置であって、密閉可能なチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、洗浄液を貯留する、上部が開口している処理槽と、複数枚の基板を保持して、前記処理槽の内部位置と前記処理槽の上方位置との間で昇降移動するリフタと、前記処理槽に貯留された前記洗浄液を排液する排液手段と、前記処理槽内を減圧することにより、前記チャンバ内を排気する処理槽減圧手段と、前記処理槽の上方位置にある基板に撥水化剤を供給する撥水化剤供給手段と、前記複数枚の基板に対する一連の処理を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記複数枚の基板に対する撥水化処理の過程では、前記排液手段により前記処理槽内の処理液を排液し、続いて、前記処理槽減圧手段により前記処理槽内を減圧することにより、前記チャンバ内を排気しながら、前記撥水化剤供給手段により前記処理槽の上方位置にある基板に撥水化剤を供給することを特徴とする基板処理装置。

【0009】

［作用・効果］上述した（１）に記載の基板処理装置は、複数枚の基板に対する撥水化処理の過程において、排液手段により処理槽内の処理液を排液して処理槽内を空にし、続いて、処理槽減圧手段により処理槽内を減圧することにより、チャンバ内を排気しながら、撥水化剤供給手段により処理槽の上方位置にある基板に撥水化剤蒸気を供給する。つまり、本発明に係る基板処理装置における撥水化剤蒸気は、処理槽の開口を通過して処理槽内に至るという雰囲気の流れに乗って流動する。この様に構成すれば、撥水化剤蒸気がチャンバ内に供給された際、撥水化剤残渣物がチャンバの内壁に付着することが軽減される。撥水化剤蒸気は、処理槽に収集され、処理槽外壁とチャンバ内壁の間の空間に回り込むことができないからである。本発明によれば、チャンバ内において撥水化剤残渣物の残留し、これが基板に対して悪影響を及ぼすことが軽減される。

【0010】

本発明は以下のような特徴も有している。

【0011】

（２）（１）に記載の基板処理装置において、前記処理槽減圧手段は、前記処理槽に形成された排気口と、前記排気口に一端が接続された配管と、前記配管に介在する開閉弁と、前記配管の他端に接続する減圧ポンプで構成されており、前記制御手段は、前記撥水化剤供給手段により前記処理槽の上方位置にある基板に撥水化剤を供給する際、前記減圧ポンプによる減圧を行いながら、前記開閉弁を開状態とし、前記処理槽の上部開口から前記処理槽内に収集された撥水化剤を前記排気口から排出させることを特徴とする基板処理装置。

【0012】

［作用・効果］（２）のように、処理槽内の雰囲気を通過させる排気口を処理槽に設けるようにすれば、減圧状態の処理槽から処理槽外に抜ける雰囲気の流れを作ることができるので、撥水化剤蒸気が処理槽外壁とチャンバ内壁の間の空間に回り込むことが確実に防止できる。

【0013】

（３）（２）に記載の基板処理装置において、前記排気口は、前記処理槽の底部に設けられていることを特徴とする基板処理装置。

【0014】

［作用・効果］（３）のように、前記排気口が前記処理槽の底部に設けられていれば、処理槽内の雰囲気を処理槽の上から下に通過させる気流が発生するので、処理槽上部の雰囲気をより確実に処理槽に収集させることができる。

【0015】

（４）（１）に記載の基板処理装置において、前記チャンバ内に有機溶剤蒸気を供給する有機溶剤供給手段を更に備えることを特徴とする基板処理装置。

【0016】

［作用・効果］（４）のように、チャンバ内に有機溶剤蒸気を供給する構成としても、有機溶剤と撥水化剤とが反応してできるパーティクルにより基板の清浄性に悪影響が生じることが軽減される。本発明によれば、チャンバの内壁に撥水化剤が残存することが軽減されているからである。

【0017】

（５）（２）に記載の基板処理装置において、前記排気口は、前記処理槽に保持される液も通過させることを特徴とする基板処理装置。

【0018】

［作用・効果］（５）のように排気口に排液口としての機能を持たせる構成とすれば、処理槽から液を排出させるための排液口を排気口とは別に設ける必要がなくなる。当該構成によれば、装置構成をより簡略なものとし、製造およびメンテナンスがし易い基板処理装置が提供できる。

【0019】

（６）複数枚の基板に対して撥水化処理と洗浄処理と乾燥処理とを連続して行う基板処理方法であって、前記撥水処理の過程は、上部に複数枚の基板を導入する開口を有する処理槽内を減圧することにより、前記処理槽が設けられているチャンバ内を排気する処理槽減圧過程と、前記処理槽減圧過程を実行しながら、前記処理槽の上部に位置する複数枚の基板に対して撥水化剤を供給する撥水化剤供給過程と、を備えることを特徴とする基板処理方法。

【0020】

［作用・効果］（６）に係る基板処理方法によれば、上部に複数枚の基板を導入する開口を有する処理槽内における雰囲気の吸引を開始する吸引開始過程と、吸引操作の最中に、処理槽の上部から撥水化剤蒸気を供給する撥水化剤供給過程と、を備える。本発明に係る撥水化剤蒸気は、処理槽の開口に収集されてチャンバ外に排出される。この様に構成すれば、撥水化剤蒸気がチャンバ内に供給された際、撥水化剤残渣物がチャンバの内壁に付着することが軽減される。撥水化剤蒸気は、処理槽に収集され、処理槽外壁とチャンバ内壁の間の空間に回り込むことができないからである。本発明によれば、チャンバ内において撥水化剤残渣物の残留し、これが基板に対して悪影響を及ぼすことが軽減される。

【0021】

（７）（６）に記載の基板処理方法において、前記撥水化剤供給過程の後、前記処理槽を液で洗浄する洗浄過程を備えることを特徴とする基板処理方法。

【0022】

［作用・効果］（７）に係る基板処理方法は、撥水化剤供給過程の後、処理槽を液で洗浄する洗浄過程を備える。この様にすれば、基板の清浄性を更に高めることができる。

【0023】

（８）（６）に記載の基板処理方法において、前記撥水化剤供給過程の後、前記処理槽に有機溶剤を供給する有機溶剤供給過程を備えることを特徴とする基板処理方法。

【0024】

［作用・効果］（８）に係る基板処理方法は、前記撥水化剤供給過程の後、前記処理槽に有機溶剤を供給する有機溶剤供給過程を備える。このような構成としても、有機溶剤と撥水化剤とが反応してできるパーティクルにより基板の清浄性に悪影響が生じることがない。本発明によれば、チャンバの内壁に撥水化剤が残存することがないからである。

【発明の効果】

【0025】

本発明に係る基板処理装置によれば、基板に撥水処理を施す際に、チャンバ内に位置する処理槽に向けて供給された撥水化剤蒸気は、処理槽上部の開口で収集されてチャンバ外に排出される。この様に構成すれば、撥水化剤蒸気が処理槽外壁やチャンバ側壁に回り込むことがなく、処理槽外壁やチャンバ側壁において撥水化剤残渣物が付着することがない。本発明によれば、撥水化剤残渣物が基板に悪影響を及ぼすことがなく、基板の清浄性を保つことができる基板処理装置を提供することができる。また、本発明に係る基板処理方法によれば、撥水化剤蒸気は、処理槽の開口に収集されて排出される。この様に構成すれば、撥水化剤蒸気がチャンバ内に供給された際、撥水化剤残渣物がチャンバの側壁に付着することがない。撥水化剤蒸気は、処理槽に収集され、処理槽外壁とチャンバ内壁の間の空間に回り込むことができないからである。

【図面の簡単な説明】

【0026】

【図1】実施例に係る基板処理装置の構成を説明する機能ブロック図である。

【図2】実施例に係る基板処理を説明するフローチャートである。

【図3】実施例に係る基板処理を具体的に説明する模式図である。

【図4】実施例に係る基板処理を具体的に説明する模式図である。

【図5】実施例に係る基板処理を具体的に説明する模式図である。

【図6】実施例に係る基板処理を具体的に説明する模式図である。

【図7】実施例に係る基板処理を具体的に説明する模式図である。

【図8】実施例に係る基板処理を具体的に説明する模式図である。

【図9】実施例に係る基板処理を具体的に説明する模式図である。

【図10】実施例の構成における効果を説明する図である。

【図11】本発明の１変形例を説明する模式図である。

【図12】本発明の１変形例を説明する模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0027】

以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明する。本発明の基板処理装置は、 複数枚の基板に対して撥水化処理と洗浄処理と乾燥処理とを連続して行うバッチ処理に関している。本発明の基板処理は、例えば、基板表面に回路を形成してデバイスを生産する過程の一部である。なお、本明細書における液体純水（純水），液体有機溶剤、不活性ガス、有機溶剤蒸気、および撥水化剤蒸気等の純度は、基板処理に影響を与えない程度に高い。純水、液体有機溶剤は、本発明の洗浄液の一例である。

【実施例0028】

＜１．基板処理装置の概要＞
図１は、実施例に係る基板処理装置１の概要を示す模式図である。本例の基板処理装置１は、ロットを構成する複数枚の基板Ｗに対して同一の基板処理を一括して行うことで、基板処理のスループットを高めている。本例のロットとは、円盤状の基板Ｗが基板Ｗの厚み方向に所定間隔を空けて配列されて構成される。本例に係る基板処理の具体例としては、基板の撥水化処理、洗浄処理、乾燥処理である。

【0029】

基板Ｗは、表面に回路パターンを有する。回路パターンは、基板Ｗの一面側（表側）に形成されている。基板Ｗにおける回路パターンが設けられている面はデバイス面とよばれる。

【0030】

基板処理装置１は、ロットを収納可能なチャンバ３を備えている。基板処理装置１で種々の基板処理を実行する際には、ロットは、チャンバ３に収納され、チャンバ３内の空間において処理を受ける。チャンバ３の上端は開口部となっており、この開口部を通じてロットをチャンバ３に収納したり、チャンバ３から取り出したりすることができる。チャンバ３には開口部を閉塞可能な扉２が設けられている。扉２は、チャンバ３にロットを出入りさせるときには、開状態となり、ロットに基板処理を施すときには閉状態となる。扉２が開状態となると、チャンバ３の内部は外部と連通する。扉２が閉状態となると、チャンバ３の内部は、密閉状態となる。従って、ロットに対する基板処理は、密閉状態のチャンバ３内で行われる。

【0031】

チャンバ３の内空間における下部には、液体を保持可能な処理槽１１が備えられている。処理槽１１は、上方に開放されており、上部に開口部１２ａを有している。この開口部１２ａを通じてロットを処理槽１１内に位置させたり、処理槽１１から取り出したりすることができる。処理槽１１は、本発明の処理槽に相当する。

【0032】

処理槽１１内の雰囲気を排出する処理槽減圧ユニット４０の構成について説明する。処理槽１１の底部には、処理槽１１内を減圧するときに用いられる処理槽排気口４２が設けられている。処理槽排気口４２は、配管４３を通じて排気弁４４に接続されており、排気弁４４を制御することで処理槽排気口４２を通じた気体の通過を許容したり禁止したりすることができる。排気弁４４の下流には、処理槽１１内を減圧するための減圧ポンプ４５が設けられている。排気弁４４が開の状態で減圧ポンプ４５が作動すると、処理槽１１内の雰囲気が処理槽排気口４２を通じてチャンバ３外に排出されるという気体の流れが発生する。なお、処理槽１１が液を保持する際には、排気弁４４は、閉状態であり、減圧ポンプ４５が槽内を減圧しない。処理槽排気口４２は、本発明の排気口に相当する。排気弁４４は、本発明の開閉弁に相当する。減圧ポンプ４５は、本発明の減圧手段に相当する。

【0033】

処理槽１１内の洗浄液を排液する排液ユニット５０の構成について説明する。処理槽１１の底部には、処理槽１１内の処理液を排出するための処理槽排液口５２が設けられている。処理槽排液口５２は、配管５３を通じて排液弁５４に接続されており、排液弁５４を制御することで処理槽排液口５２を通じた処理液の通過を許容したり禁止したりすることができる。排液弁５４の下流には、液体を処理槽１１から排出させる排液ポンプ５５が設けられている。排液弁５４が開の状態で排液ポンプ５５が作動すると、処理槽１１内の液体が処理槽排液口５２を通じてチャンバ３外に排出される。なお、処理槽１１が液を保持する際には、排液弁５４は、閉状態であり、排液ポンプ５５が槽内の液体を排出しない。処理槽排液口５２は、処理槽１１に保持される液体の全てを排出することができる様に処理槽１１の最深部に設けられている。

【0034】

処理槽１１の底部には、処理槽１１内の液体をチャンバ３の底部に排出する連絡口７２が設けられている。従って、処理槽１１に保持された液体は、上述の処理槽排液口５２から処理槽１１外に排出される場合と、当該連絡口７２から処理槽１１外に排出される場合とがある。連絡口７２は、処理槽１１底部において、処理槽１１内の液体の全てを排出することが可能な最深部に設けられている。連絡口７２は、処理槽１１の外側に向かって延びる通路７１に連通している。通路７１における排出側の端部には、排液弁７４が設けられている。従って排液弁７４は、処理槽１１とチャンバ３底部との間に存する空間に設けられている。処理槽１１に液体を保持するときには、排液弁７４は閉状態とされる。一方、処理槽１１に保持されている液体を処理槽１１から速やかに排出させるときには、排液弁７４は開状態とされる。また、上述の排気弁４４が開状態となるときには、排液弁７４は、閉状態にされる。

【0035】

チャンバ３の内空間における上部には、複数枚の基板Ｗ（ロット）を保持するリフタ１３が設けられている。リフタ１３は、ロットを構成する各基板Ｗを略鉛直姿勢で保持する。したがって、リフタ１３は、鉛直姿勢の基板Ｗを基板Ｗの厚み方向Ｘ（水平方向：鉛直方向Ｚと直交する方向）に配列した状態で保持する。ちなみに、図１においては、方向Ｘおよび方向Ｚのいずれにも直交する方向を方向Ｙと説明している。

【0036】

チャンバ３には、リフタ１３を昇降させる昇降機構１５が備えられている。従って、昇降機構１５を制御すれば、処理槽１１上のロットを処理槽１１内に取り込んだりすることができる。すなわち、本例では、リフタ１３を上昇させてロットを処理槽１１上に設定された第１位置Ｐ１に待機させることもできれば、リフタ１３を下降させてロットを処理槽１１内に設定された第２位置Ｐ２に置くこともできる。第１位置Ｐ１にあるロットを構成する基板Ｗは、全域が液体を保持する処理槽１１の上部に位置する（全域が処理槽１１における液面の上部に位置する）。第２位置Ｐ２にあるロットを構成する基板Ｗは、全域が液体を保持する処理槽１１の内部に位置する（全域が処理槽１１における液面の下部に位置する）。このように、リフタ１３は、複数枚の基板Ｗを保持して、処理槽１１の内部位置（第２位置Ｐ２）と処理槽１１の上方位置（第１位置Ｐ１）との間で昇降移動する。

【0037】

基板処理装置１は、チャンバ３にガス、所定の蒸気を供給する複数の気体供給ユニットを備える。このうち、気体供給ユニット２１は、基板表面の撥水化に係る撥水化剤蒸気をチャンバ３の内部空間に供給する。一方、気体供給ユニット３１は、有機溶剤蒸気、不活性ガスをチャンバ３の内部空間に供給する。有機溶剤は、基板Ｗの濡れ性を維持できるものでよく、例えば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）である。不活性ガスは、反応性に乏しい気体であればよく、例えば窒素ガスである。気体供給ユニット３１は、本発明の有機溶剤供給手段に相当する。

【0038】

実施例に係る撥水化剤としては、例えばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）などのアルキルジシラザン（シリルアミン類）や、フッ化アルキルクロロシランなどのフッ化物が挙げられる。すなわち、本例に用いることができる撥水化剤は、シリコン系撥水剤など基板Ｗに対して蒸気として供給できるものであればよい。本例の撥水化処理は、基板Ｗ表面の改質を可能とすれば十分であり、必ずしも撥水膜を基板Ｗ上に生成させる必要はない。

【0039】

基板処理装置１は、チャンバ３内の処理槽１１に液体を供給する液体供給ユニット６１を備える。液体供給ユニット６１は、純水や液体の有機溶剤、水で希釈された有機溶剤などの溶液を処理槽１１に供給可能である。

【0040】

チャンバ３の内壁には、チャンバ３内部の圧力を検出する圧力センサ８９が備えられる。圧力センサ８９は、通路７１を通じて処理槽１１から排出された液が保持されるチャンバ３の底部を避けて設けられている。圧力センサ８９が出力する検出信号は、チャンバ３内の圧力を所定のものとするときに各種弁の開度を調整するのに用いられる。

【0041】

チャンバ３の側壁には、チャンバ３内を減圧するチャンバ排気口８２と、チャンバ排気口８２に配管８１を通じて接続された減圧ポンプ８５を備えている。チャンバ排気口８２は、通路７１を通じて処理槽１１から排出された液が保持されるチャンバ３の底部を避けて設けられている。調整弁８４は、配管８１の中途に設けられており、チャンバ３底部に液が保持される場合や、処理槽排気口４２を通じてチャンバ３内の減圧を行う場合には、閉状態となる。チャンバ３内を大気圧に保つ場合や、処理槽１１が液を保持している状態でチャンバ３内を減圧する場合は、調整弁８４が開状態となる。

【0042】

その他、チャンバ３は、チャンバ３底部に保持された液体をチャンバ３外に排出するためのチャンバ排液口９２を備える。チャンバ排液口９２は、配管９３を通じてドレイン弁９４に接続されている。チャンバ排液口９２は、チャンバ３底部において、チャンバ３内の液体の全てを排出することが可能な最深部に設けられている。チャンバ３底部に保持された液体をチャンバ３外に排出する場合、ドレイン弁９４は、開状態となり、それ以外の場合は閉状態となる。配管９３は、更にドレイン弁９４と上述の排液ポンプ５５とを接続する構成となっている。従って、排液ポンプ５５は、処理槽１１またはチャンバ３底部より処理液を吸引することで排液を促す構成である。

【0043】

そして、チャンバ３は、弁の各々、扉２，昇降機構１５，減圧ポンプ４５，排液ポンプ５５，減圧ポンプ８５等を制御するＣＰＵ(Central Processing Unit)１０１と、制御に必要な各種情報を記憶する記憶部１０２を備えている。ＣＰＵ１０１の具体的構成は、特に限定されない。例えば、チャンバ３に１つのＣＰＵ１０１を備えるようにしてもよいし、制御の対象ごとに複数のＣＰＵ１０１を設けるようにしてもよい。また、チャンバ３の動作に必要な制御の一部を一括して実現するＣＰＵ１０１を複数設けるようにしてもよい。記憶部１０２の具体的構成もＣＰＵ１０１と同様、特に限定されない。

【0044】

以降、各供給ユニットの具体的構成について説明する。撥水化剤蒸気をチャンバ３内に供給する気体供給ユニット２１は、チャンバ３内に配置される吐出部２２を有している。吐出部２２は、処理槽１１の上部に設けられており、撥水化剤蒸気を吐出する構成である。吐出部２２は、第１位置Ｐ１に位置する基板Ｗの右側と左側の両側に設けられており、気体供給ユニット２１は、チャンバ３内の空間における中心に向けて２箇所の吐出部２２から左右同時に撥水化剤蒸気を噴出する構成となっている。吐出部２２は、複数の吐出口が設けられた管状の形状をしており、吐出部２２は、実際には複数の吐出口の各々から撥水化剤蒸気を噴出する。つまり、気体供給ユニット２１は、処理槽１１の上方位置（第１位置Ｐ１）にある基板Ｗに撥水化剤蒸気を供給する構成である。

【0045】

気体供給ユニット２１は、吐出部２２に撥水化剤蒸気を供給する配管２３と、撥水化剤蒸気の噴出量を制御する弁２４を備えている。そして、撥水化剤蒸気供給源２５は、撥水化剤を貯留する貯留部と、撥水化剤を気化させる気化部を備えている。配管２３は、吐出部２２の上流に設けられた弁２４と、弁２４の更に上流に設けられた撥水化剤蒸気供給源２５の間に設けられており、撥水化剤蒸気を撥水化剤蒸気供給源２５から弁２４を通じて吐出部２２まで通過させる。弁２４が開状態となると、撥水化剤蒸気が配管２３を通じて流れ、吐出部２２から噴出される。弁２４が閉状態となると、撥水化剤蒸気の流れは弁２４によりせき止められて吐出部２２に至らない。

【0046】

不活性ガス等をチャンバ３内に供給する気体供給ユニット３１の構造について説明する。気体供給ユニット３１は、チャンバ３内に配置される吐出部３２を有している。吐出部３２は、処理槽１１の上部に設けられており、不活性ガスまたは有機溶剤蒸気を吐出する構成である。吐出部３２は、気体供給ユニット２１の吐出部２２と同様、第１位置Ｐ１に位置する基板Ｗの右側と左側の両側に設けられている。気体供給ユニット３１は、チャンバ３内の空間における中心に向けて２箇所の吐出部３２から左右同時に不活性ガスまたは有機溶剤蒸気を噴出する構成となっている。なお、吐出部３２は、吐出部２２と同様、気体を基板Ｗに向けて噴出する複数の吐出口が設けられた管状の形状をしており、基板Ｗの右側と左側から気体を同時に噴出する構成である。

【0047】

気体供給ユニット３１は、吐出部３２に不活性ガスを供給する不活性ガス供給モジュール３１ａと、吐出部３２に有機溶剤蒸気を供給する有機溶剤蒸気供給モジュール３１ｂを備えている。不活性ガス供給モジュール３１ａは、吐出部３２に不活性ガスを供給する配管３３ａと、不活性ガスの噴出量を制御する弁３４ａを備えている。そして、不活性ガス供給源３５ａは、液化不活性ガスを貯留するガスタンクを有している。配管３３ａは、吐出部３２の上流に設けられた弁３４ａと、弁３４ａの更に上流に設けられた不活性ガス供給源３５ａの間に設けられており、不活性ガスを不活性ガス供給源３５ａから弁３４ａを通じて吐出部３２まで通過させる。弁３４ａが開状態となると、不活性ガスが配管３３ａを通じて流れ、吐出部３２から噴出される。弁３４ａが閉状態となると、不活性ガスの流れは弁３４ａによりせき止められて吐出部３２に至らない。

【0048】

気体供給ユニット３１が有する有機溶剤蒸気供給モジュール３１ｂは、不活性ガス供給モジュール３１ａと同様の構成をしている。すなわち、有機溶剤蒸気供給モジュール３１ｂは、吐出部３２に有機溶剤蒸気を供給する配管３３ｂと、有機溶剤蒸気の噴出量を制御する弁３４ｂを備えている。そして、有機溶剤蒸気供給源３５ｂは、液体の有機溶剤を貯留する貯留部と、当該有機溶剤を気化させる気化部を有している。配管３３ｂは、吐出部３２の上流に設けられた弁３４ｂと、弁３４ｂの更に上流に設けられた有機溶剤蒸気供給源３５ｂの間に設けられており、有機溶剤蒸気を有機溶剤蒸気供給源３５ｂから弁３４ｂを通じて吐出部３２まで通過させる。弁３４ｂが開状態となると、有機溶剤蒸気が配管３３ｂを通じて流れ、吐出部３２から噴出される。弁３４ｂが閉状態となると、有機溶剤蒸気の流れは弁３４ｂによりせき止められて吐出部３２に至らない。

【0049】

このように、気体供給ユニット３１は、吐出部３２を共有する不活性ガス供給モジュール３１ａと、有機溶剤蒸気供給モジュール３１ｂとを備えている。吐出部３２からは、不活性ガス供給モジュール３１ａに由来する不活性ガス、または有機溶剤蒸気供給モジュール３１ｂに由来する有機溶剤蒸気を噴出可能である。吐出部３２から不活性ガスを噴出させるときは、不活性ガス供給モジュール３１ａが有する弁３４ａが開状態とされ、有機溶剤蒸気供給モジュール３１ｂが有する弁３４ｂが閉状態とされる。一方、吐出部３２から有機溶剤蒸気を噴出させるときは、不活性ガス供給モジュール３１ａが有する弁３４ａが閉状態とされ、有機溶剤蒸気供給モジュール３１ｂが有する弁３４ｂが開状態とされる。

【0050】

続いて、処理槽１１に液体を供給する液体供給ユニット６１について説明する。液体供給ユニット６１は、処理槽１１内に配置された処理液供給口６２を有する。処理液供給口６２は、純水、液体の有機溶剤を処理槽１１に吐出する。液体供給ユニット６１は、処理液供給口６２に純水を供給する純水供給モジュール６１ａと、処理液供給口６２に液体有機溶剤を供給する液体有機溶剤供給モジュール６１ｂを備えている。純水供給モジュール６１ａは、処理液供給口６２に純水を供給する配管６３ａと、純水の放出量を制御する弁６４ａを備えている。そして、純水供給源６５ａは、純水を貯留するタンクを有している。配管６３ａは、処理液供給口６２の上流に設けられた弁６４ａと、弁６４ａの更に上流に設けられた純水供給源６５ａの間に設けられており、純水を純水供給源６５ａから弁６４ａを通じて処理液供給口６２まで通過させる。弁６４ａが開状態となると、純水が配管６３ａを通じて流れ、処理液供給口６２から放出される。弁６４ａが閉状態となると、純水の流れは弁６４ａによりせき止められて処理液供給口６２に至らない。

【0051】

液体供給ユニット６１が有する液体有機溶剤供給モジュール６１ｂは、純水供給モジュール６１ａと同様の構成をしている。すなわち、液体有機溶剤供給モジュール６１ｂは、処理液供給口６２に液体有機溶剤を供給する配管６３ｂと、液体有機溶剤の放出量を制御する弁６４ｂを備えている。そして、液体有機溶剤供給源６５ｂは、液体の有機溶剤を貯留する貯留部を有している。配管６３ｂは、処理液供給口６２の上流に設けられた弁６４ｂと、弁６４ｂの更に上流に設けられた液体有機溶剤供給源６５ｂの間に設けられており、液体有機溶剤を液体有機溶剤供給源６５ｂから弁６４ｂを通じて処理液供給口６２まで通過させる。弁６４ｂが開状態となると、液体有機溶剤が配管６３ｂを通じて流れ、処理液供給口６２から放出される。弁６４ｂが閉状態となると、液体有機溶剤の流れは弁６４ｂによりせき止められて処理液供給口６２に至らない。

【0052】

このように、液体供給ユニット６１は、処理液供給口６２を共有する純水供給モジュール６１ａと、液体有機溶剤供給モジュール６１ｂとを備えている。処理液供給口６２からは、純水供給モジュール６１ａに由来する純水、または液体有機溶剤供給モジュール６１ｂに由来する液体有機溶剤を放出可能である。処理液供給口６２から純水を放出させるときは、純水供給モジュール６１ａが有する弁６４ａが開状態とされ、液体有機溶剤供給モジュール６１ｂが有する弁６４ｂが閉状態とされる。一方、処理液供給口６２から液体有機溶剤を放出させるときは、純水供給モジュール６１ａが有する弁６４ａが閉状態とされ、液体有機溶剤供給モジュール６１ｂが有する弁６４ｂが開状態とされる。

【0053】

実施例では、気体供給ユニット３１に液体の有機溶剤の貯留に係る貯留部とは別に液体供給ユニット６１に液体の有機溶剤の貯留に係る貯留部が設けられていたが、同様の貯留部を気体供給ユニット３１と液体供給ユニット６１とで共有する構成としてもよい。

【0054】

＜基板処理の流れ＞
以降、図２に係るフローチャートを参照しながら実施例に係る基板処理装置１を用いた基板処理について具体的に説明する。本例の基板処理は、第２位置Ｐ２においてリフタ１３に支持されたロットに対して種々の基板処理を行う構成である。処理槽１１には、純水が保持されているものとし、扉２は閉状態となっているものとする。このときのチャンバ３内の圧力は大気圧である。

【0055】

ステップＳ１：まず、気体供給ユニット３１によりチャンバ３内に不活性ガスが供給される。このとき、チャンバ３の下側に位置するチャンバ排気口８２を介してチャンバ３内が減圧され、チャンバ３内が減圧状態となる。この様な状態を維持すると、チャンバ３内の空気は速やかに不活性ガスに置き換わる。こうして、空気に含まれる酸素などの反応性に富むガスがチャンバ３外に排気され、本ステップに続く各種基板処理を行う前に必要な準備が完了する。なお、次のステップＳ２では、チャンバ３内に有機溶剤蒸気が供給される。本ステップでは、その前にチャンバ３内を減圧しておくことで、チャンバ３内の不活性ガスを希薄なものとし、チャンバ３内の不活性ガスが速やかに有機溶剤蒸気に置き換わるようにしている。チャンバ３内を減圧にすることで有機溶剤蒸気が供給される前に不活性ガスの一部が既にチャンバ３から追い出されていると捉えることもできる。

【0056】

なお、本ステップにおいて、チャンバ３に供給された不活性ガスは、処理槽１１を回り込むように流れ、チャンバ排気口８２に至る。不活性ガスは、チャンバ排気口８２からチャンバ３外に排出される。図３（ａ）は、本ステップにおける気体の流れを説明している。

【0057】

ステップＳ２：続いて、液体供給ユニット６１を通じて処理槽１１に液体の有機溶剤を供給しつつ、処理槽排液口５２から処理槽１１内の純水を排出する。この動作により、処理槽１１に保持された純水は次第に液体有機溶剤に置き換わる。したがって、第２位置Ｐ２上のロットは、有機溶剤に浸漬されることになる。また、本ステップにおいては、気体供給ユニット３１によりチャンバ３内に有機溶剤蒸気が供給される。このとき、チャンバ３の下側に位置するチャンバ排気口８２を介してチャンバ３内が減圧され、チャンバ３内が減圧状態となる。この様な状態を維持すると、上述のステップＳ１で説明した原理によりチャンバ３内の不活性ガスは速やかに有機溶剤蒸気に置き換わる。こうして、ロットを構成する各基板Ｗは、濡れ性が確実に維持される状態となる。図３（ｂ）は、本ステップにおける気体および液体の流れを説明している。

【0058】

ステップＳ３：第２位置Ｐ２に位置するロットは、リフタ１３により、第２位置Ｐ２から上昇して第１位置Ｐ１に至る。この状態で排液弁７４が開状態となると、処理槽１１に保持されていた液体有機溶剤は、速やかにチャンバ３の底部へと流出し、そこで保持される。その一方で、気体供給ユニット３１から有機溶剤蒸気が供給される。このとき減圧ポンプ４５は作動していないので、有機溶剤蒸気は、供給された量だけ自ずとチャンバ排気口８２を通じてチャンバ３外に排出される。従って、本ステップにおけるチャンバ３内の圧力は大気圧に等しい。従って、処理槽１１に保持された液体有機溶剤は、気相による吸引を受けず速やかに処理槽１１外に排出される。本ステップは、次のステップＳ４を行うための準備である。すなわち、ステップＳ４では、処理槽１１底部に位置する処理槽排気口４２を通じた減圧が行われるが、この動作を行うのに処理槽１１に保持される液体の有機溶剤が妨げとなる。本ステップは、処理槽１１を空の状態にすることで、処理槽排気口４２から処理槽１１内を減圧することを可能としている。図４（ａ）は、本ステップにおける気体の流れを説明している。

【0059】

ステップＳ４：処理槽排気口４２を通じて処理槽１１内の減圧排気が開始される。処理槽１１内を減圧排気すると、チャンバ３内も減圧状態となる。その結果、チャンバ３内の雰囲気は、処理槽１１上部の開口部１２ａから処理槽１１内に取り入れられて、処理槽排気口４２に至る。このように、処理槽減圧ユニット４０は、洗浄液が排液されて空になった処理槽１１内を減圧することにより、チャンバ３内を排気する。

【0060】

ステップＳ５：処理槽１１内の減圧排気が継続された状態で、気体供給ユニット２１より撥水化剤蒸気がチャンバ３内に供給される。このときのチャンバ３内は減圧状態である。従って、処理槽１１内の雰囲気は、ステップＳ１に係る減圧操作と同じ原理により、速やかに有機溶剤蒸気から撥水化剤蒸気に置き換わる。気体供給ユニット２１より供給された撥水化剤蒸気は、処理槽１１内の減圧排気に伴う気体の流れに乗ってチャンバ３外に排気される。従って、チャンバ３内に供給された撥水化剤蒸気は、処理槽１１の開口部１２ａに収集される。この様にすると、チャンバ排気口８２から撥水化剤蒸気を吸引する構成よりも、パーティクルが基板Ｗに影響を及ぼさないようにすることができる。チャンバ排気口８２から撥水化剤蒸気を吸引した場合、撥水化剤蒸気は、処理槽１１の開口部１２ａに収集されることなく処理槽１１側壁とチャンバ３側壁との間に位置する空間まで回り込む。すると、チャンバ３の側壁および処理槽１１の外壁に撥水化剤が付着し、将来この部分でパーティクルが発生することになる。本ステップによれば、チャンバ３の側壁および処理槽１１の外壁に撥水化剤が付着することが防止されているので、当該部分でパーティクルが発生することがない。そして、撥水化剤蒸気に曝露された基板Ｗの各々は、親水性であった表面が疎水性となり、基板表面が改質される。

【0061】

なお、本ステップにおいては、気体供給ユニット３１からは、不活性ガスが噴出される。このときの不活性ガスの流れる速度は、ステップＳ１における不活性ガスの噴出速度よりも低い。この様に気体供給ユニット３１から不活性ガスを弱く噴出させることで、気体供給ユニット３１にチャンバ３内の撥水化剤蒸気が逆流して生じる悪影響が出ない。撥水化剤蒸気と有機溶剤は、反応してパーティクルを生じさせる。吐出部３２から不活性ガスを噴出させるようにすれば、基板Ｗの清浄化に悪影響を及ぼすパーティクルが気体供給ユニット３１の配管内で生じない。図４（ｂ）は、ステップＳ４，ステップＳ５における気体の流れを説明している。

【0062】

ステップＳ６：処理槽排気口４２を通じて処理槽１１内における減圧が継続された状態で、チャンバ３内に有機溶剤蒸気が供給される。処理槽１１内を減圧すると、チャンバ３内が減圧状態となる。従って、処理槽１１内の雰囲気は、ステップＳ１に係る減圧操作と同じ原理により、速やかに撥水化剤蒸気から有機溶剤蒸気に置き換わる。気体供給ユニット３１より供給された有機溶剤蒸気は、処理槽１１の開口から処理槽排気口４２に向かう雰囲気の流れに乗ってチャンバ３外に排気される。従って、チャンバ３内に供給された有機溶剤蒸気は、処理槽１１の開口部１２ａに収集されて処理槽１１側壁とチャンバ３側壁との間に位置する空間まで回り込むことがない。結局、当該空間には、撥水化剤蒸気および有機溶剤蒸気のいずれも到来しないので、チャンバ３の側壁および処理槽１１の外壁においてパーティクルが発生することがない。図５（ａ）は、本ステップにおける気体の流れを説明している。

【0063】

なお、本ステップでは、基板Ｗ表面において残留していた過剰な撥水化剤は、有機溶剤蒸気と反応してパーティクルとなって遊離する。このパーティクルは後段の洗浄過程において除去されるので、基板Ｗの清浄性に悪影響を及ぼさない。一方、チャンバ３の側壁および処理槽１１の外壁においてパーティクルが発生すると、当該パーティクルは、後段の洗浄過程では除去されない。しかしながら、本例によれば、処理槽１１を通じたチャンバ１１内の排気により、もとよりチャンバ３の側壁および処理槽１１の外壁にパーティクルが付着することは抑制される。

【0064】

ステップＳ７：閉状態となっていたドレイン弁９４が開状態となり、チャンバ３底部に保持された液体有機溶剤がチャンバ３から排出される。本ステップでは、気体供給ユニット３１から不活性ガスが供給される。このとき減圧ポンプ４５は作動していないので、不活性ガスは、供給された量だけ自ずとチャンバ排気口８２を通じてチャンバ３外に排出される。従って、本ステップにおけるチャンバ３内の圧力は大気圧に等しく、チャンバ３底部の液体有機溶剤は、気相による吸引を受けず速やかにチャンバ３外に排出される。図５（ｂ）は、本ステップにおける気体および液体の流れを説明している。なお、本ステップは減圧条件下で行ってもよい。従って、本ステップにおける液体有機溶剤の排出過程については、上述のステップＳ４～ステップＳ６の最中に行う様にしてもよい。

【0065】

ステップＳ８：純水を用いて処理槽１１が洗浄される。当該処理中においてロットは、第１位置Ｐ１で待避される。本ステップにおけるチャンバ３内の圧力は大気圧であり、チャンバ３には不活性ガスが供給され続けている。図６（ａ）は、ステップＳ７において行われていた液体有機溶剤の排出が終了した状態を示している。図６（ｂ）は、処理槽１１に純水が供給されている状態を示している。これにより、処理槽１１に保持された純水の水位が上昇し、図７（ａ）に示すように、処理槽１１は純水により満水の状態となる。この状態から処理槽１１における純水が処理槽排液口５２を通じて処理槽１１から排出される。この様にして、処理槽１１に付着しているパーティクルは、純水に溶解して除去される。洗浄前の処理槽１１の内壁には、上述のステップＳ５，ステップＳ６を通じ撥水化剤、有機溶剤が付着している。従って、当該内壁には、両剤が反応してパーティクルが付着している。ステップＳ８は、このパーティクルを処理槽１１の内壁から除去するために処理槽１１を洗浄する構成である。

【0066】

ステップＳ９：処理槽１１の洗浄が終了すると、今度は、基板Ｗに付着しているパーティクルを除去するべく基板Ｗの洗浄が実行される。本ステップにおけるチャンバ３内の圧力は大気圧であり、チャンバ３には不活性ガスが供給され続けている。まず、空の状態となった処理槽１１に純水を供給する。処理槽１１が純水で満水となると、今度は、第１位置Ｐ１にあったロットを第２位置Ｐ２まで降下させて、ロットを構成する各基板Ｗを純水に浸漬させる。この状態で、処理槽１１に純水を供給する一方で、処理槽１１内の純水を排出する。本ステップによって基板Ｗ表面のパーティクルは溶解して基板Ｗから除去される。更に、処理に未使用の純水が処理槽１１に常に供給され続けているので、基板Ｗの清浄性は更に高いものとなる。図７（ｂ），図８（ａ）は、本ステップにおける気体および液体の流れを説明している。

【0067】

ステップＳ１０：チャンバ３内における減圧が開始され、チャンバ３内が減圧状態となる。本ステップにおいてもチャンバ３には不活性ガスが供給され続けている。本ステップは、次のステップＳ１１を行うための準備である。次のステップＳ１１では、チャンバ３内に有機溶剤蒸気が供給される。本ステップでは、その前にチャンバ３内を減圧しておくことで、チャンバ３内の不活性ガスを希薄なものとし、チャンバ３内の不活性ガスが速やかに有機溶剤蒸気に置き換わるようにしている。チャンバ３内を減圧にすることで有機溶剤蒸気が供給される前に不活性ガスの一部が既にチャンバ３から追い出されていると捉えることもできる。図８（ｂ）は、本ステップにおける気体の流れを説明している。

【0068】

ステップＳ１１：チャンバ３内を減圧状態としたまま、チャンバ３内に有機溶剤蒸気が供給される。すると、チャンバ３内の雰囲気は、ステップＳ１に係る減圧操作と同じ原理により、速やかに不活性ガスから有機溶剤蒸気に置き換わる。チャンバ３内のロットは、有機溶剤蒸気に曝露され、ロットを構成する基板Ｗの各々には予備的な乾燥処理が施される。本ステップにおいて、チャンバ３に供給された有機溶剤蒸気は、処理槽１１を回り込むように流れ、チャンバ排気口８２に至る。この様に構成したとしても、チャンバ３側壁および処理槽１１外壁からパーティクルが巻き上げられてチャンバ３内に浮遊することがない。本例のチャンバ３側壁および処理槽１１には、パーティクルが発生していないからである。本ステップにおいてパーティクルが基板Ｗ表面に付着すると、パーティクルは除去されずに残存し、生産されるデバイスの品質に影響を与える。しかし、本例によれば、もとよりチャンバ３内にパーティクルが浮遊しないので、このような事態とはならない。図９（ａ）は、本ステップにおける気体の流れを説明している。

【0069】

ステップＳ１２：チャンバ３内を大気圧に戻した状態で、チャンバ３内に不活性ガスが供給される。すると、基板Ｗ表面に対して有機溶剤がこれ以上付着しなくなる。この様にしてロットを構成する基板Ｗに対する予備乾燥は終了となる。更に不活性ガスをチャンバ３内に供給し続けると、基板Ｗは次第に乾燥される。基板Ｗの乾燥完了をもって本例に係る基板処理は終了となる。図９（ｂ）は、本ステップにおける気体の流れを説明している。

【0070】

以上のように、本発明の基板処理装置１における撥水化処理の過程では、排液ユニット５０により処理槽１１内の処理液を排液して処理槽１１内を空にし、続いて、処理槽減圧ユニット４０により処理槽１１内を減圧することにより、チャンバ３内を排気しながら、気体供給ユニット２１により処理槽１１の上方位置（第１位置Ｐ１）にある基板Ｗに撥水化剤蒸気を供給する。より具体的には、基板処理装置１に係る処理槽１１には、処理槽１１内部の雰囲気を通過させる処理槽排気口４２が設けられ、チャンバ３内に撥水化剤蒸気が供給される際に、減圧ポンプ４５により処理槽排気口４２から撥水化剤蒸気が吸引される。すると、処理槽１１上部の開口部１２ａから処理槽１１内に収集された撥水化剤蒸気が処理槽排気口４２から排出される。つまり、本発明に係る基板処理装置１における吐出部２２から吐出された撥水化剤蒸気は、処理槽１１の開口部１２ａを通過して処理槽１１に設けられた処理槽排気口４２に至るという雰囲気の流れに乗って流動する。この様に構成すれば、撥水化剤蒸気がチャンバ３内に供給された際、パーティクルなどの撥水化剤残渣物がチャンバ３の側壁や処理槽１１の外壁に付着することがない。撥水化剤蒸気は、処理槽１１に収集され、処理槽１１外壁とチャンバ３内壁の間の空間に回り込むことができないからである。本発明によれば、チャンバ３側壁や処理槽１１の外壁において撥水化剤残渣物の残留し、これがパーティクルとなって基板Ｗに対して悪影響を及ぼすことがない。

【0071】

続いて、本発明に係る効果の実際について説明する。図１０は、基板Ｗに対するパーティクルの影響を実測した結果である。図１０に示すように、ステップＳ５において撥水化剤蒸気を吸引しない場合、直径１５０ｎｍ以上のパーティクルは、処理前と比べて、大幅に増加している。これに比べてステップＳ５において撥水化剤蒸気を吸引する場合、直径１５０ｎｍ以上のパーティクルは、処理前と比べて増加はしているものの、その増加量は撥水化剤蒸気を吸引しない場合と比べて抑制されている。なお、図１０における（ｉ）は、ロットにおける先頭に位置する基板Ｗ上の単位面積当たりのパーティクル増加量を示しており、（ｉｉ）は、ロットにおける先頭から数えて２５番目に位置する基板Ｗ上の単位面積当たりのパーティクル増加量を示している。図１０における（ｉｉｉ）は、ロットにおける先頭から数えて４３番目に位置する基板Ｗ上の単位面積当たりのパーティクル増加量を示している。ロットは５０枚の基板Ｗから構成される。

【0072】

本発明は、上述の実施例に限られず、下記の様な変形実施が可能である。

【0073】

＜変形例１＞
実施例の処理槽排気口４２は、処理槽１１の底部に設けられていたが、本発明はこの構成に限られず、処理槽排気口４２を処理槽１１の側壁に設けてもよい。この様な構成によっても実施例と同様な効果が奏される。

【0074】

＜変形例２＞
実施例のステップＳ６においては、当該ステップの全期間において必ずしもチャンバ３内を減圧し続ける必要はない。たとえば、ステップＳ６の途中からチャンバ３内の圧力を大気圧とし、チャンバ３内に供給された有機溶剤蒸気を自ずとチャンバ排気口８２より排出させる様にしてもよい。この様にすると、ステップＳ６においてチャンバ３底部に保持された液体有機溶剤を速やかにチャンバ３外に排出させることができる。

【0075】

＜変形例３＞
実施例のステップＳ５においては、基板Ｗが第１位置Ｐ１に位置した状態で撥水化剤蒸気がチャンバ３内に供給されていたが、本発明はこの構成に限られない。基板Ｗを第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間で往復させながら撥水化剤蒸気をチャンバ３内に供給するようにしてもよい。この様な構成とすることで、撥水化剤蒸気の吐出部２２と基板Ｗの位置関係を変えながら基板Ｗの撥水処理を行うことができるので、基板Ｗ全域に撥水化剤蒸気が確実に行き渡る。従って、本変形例によれば、より確実な撥水処理を基板Ｗに施すことができる。

【0076】

＜変形例４＞
本変形例は、吐出部２２における撥水化剤蒸気の噴出方向について具体化するものである。すなわち、図１１に示すように撥水化剤蒸気を斜め下方向に噴出するように吐出部２２を構成してもよい。この様な構成とすることで、チャンバ３内における天井面等に撥水化剤蒸気が到来することを防ぐことができる。本変形例によれば、チャンバ３の内壁に撥水化剤が付着することが実施例の構成から更に防止されるので、パーティクルが基板Ｗの清浄性に悪影響を及ぼすことを一段と防止できる。同様に、吐出部３２についても有機溶剤蒸気を斜め下方向に噴出するように構成してもよい。

【0077】

＜変形例５＞
上述の実施例では、撥水化剤蒸気に係る吐出部２２が有機溶剤蒸気に係る吐出部３２の上部に位置していたが、吐出部２２と吐出部３２の位置関係を逆に構成することもできる。すなわち、本変形例によれば、有機溶剤蒸気に係る吐出部３２が撥水化剤蒸気に係る吐出部２２の上部に位置する。

【0078】

＜変形例６＞
上述の実施例と比べて基板処理装置１の配管を省略する構成とすることもできる。本変形例では、特に変形例４，変形例５を適用した装置に適している。つまり、本変形例は、撥水化剤蒸気に係る吐出部２２が有機溶剤蒸気に係る吐出部３２の下側にあり、吐出部２２が撥水化剤蒸気を斜め下方向に噴出する構成に適している。本変形例では、図１２に示すように実施例における処理槽排気口４２，配管４３，排気弁４４，減圧ポンプ４５は省略されており、チャンバ３内は、ステップＳ４，ステップＳ５，ステップＳ６においても減圧ポンプ８５によって減圧状態にされる。減圧の際、排液弁７４は、開状態となり、処理槽１１に向けて噴出された撥水化剤蒸気は、処理槽１１底部に位置する連絡口７２を通じて処理槽１１外に流れ、チャンバ排気口８２に至る。本変形例の構成によれば、上述の実施例と同様にパーティクルが基板Ｗの清浄性に影響しない。

【0079】

＜変形例７＞
上述の実施例では、有機溶剤蒸気をチャンバ３内に供給する過程としてステップＳ６，ステップＳ１１を備えていたが、これら過程を省略してもよい。本変形例によれば、実施例の構成と比べて基板Ｗはパーティクルの影響を受けにくい。しかし、そうであっても、ステップＳ５で説明したように、撥水化剤蒸気を処理槽１１の底部から吸引するようにすれば、チャンバ３の側壁や処理槽１１の外壁に撥水化剤残渣物が付着することがなく、撥水化剤残渣物が基板Ｗの清浄性に悪影響を及ぼすことが防止できる。

【0080】

＜変形例８＞
上述の実施例では、処理槽排液口５２とチャンバ排液口９２とは、共通の排液ポンプ５５に連通していたが、本発明はこの構成に限られない。処理槽排液口５２とチャンバ排液口９２とを２つの排液ポンプの各々に接続し、処理槽排液口５２に係る配管とチャンバ排液口９２に係る配管を独立させるようにしてもよい。

【0081】

＜変形例９＞
上述の実施例では、処理槽排気口４２とチャンバ排気口８２とは、互いに独立した配管に接続されていたが、本発明はこの構成に限られない。処理槽排気口４２とチャンバ排気口８２とを共通の減圧ポンプに接続し、処理槽排液口５２に係る配管とチャンバ排液口９２に係る配管を統合させるようにしてもよい。

【0082】

＜変形例１０＞
上述の実施例では、処理槽１１の底部に処理槽排気口４２が設けられる構成としていたが、本発明は、処理槽１１の底部に排気口が設けられていない装置に対しても適用が可能である。すなわち、本発明としては、処理槽１１の底部において撥水化剤蒸気が吸引される通気口が設けられていればよく、例えば、処理槽１１の開口部１２ａから処理槽１１の底部に向けて延びるチャンバ３外の減圧ポンプに接続された配管を備えるようにし、当該配管から処理槽１１内を減圧するように構成してもよい。

【0083】

＜変形例１１＞
上述の実施例では、撥水化剤蒸気がチャンバ３内に供給されていたが、本発明はこの構成に限られない。撥水化剤蒸気に代えて、霧状の撥水化剤をチャンバ３に供給するようにしてもよい。

【符号の説明】

【0084】

１ 基板処理装置
２ 扉
３ チャンバ
１１ 処理槽
１２ａ 開口部
１３ リフタ
１５ 昇降機構
２１ 気体供給ユニット（撥水化剤供給手段）
３１ａ 不活性ガス供給モジュール
３１ｂ 有機溶剤蒸気供給モジュール
４０ 処理槽減圧ユニット（処理槽減圧手段）
４２ 処理槽排気口
４３ 配管
４４ 排気弁（開閉弁）
４５ 減圧ポンプ
５０ 排液ユニット（排液手段）
５２ 処理槽排液口
５３ 配管
５４ 排液弁
５５ 排液ポンプ
６１ａ 純水供給モジュール
６１ｂ 液体有機溶剤供給モジュール
７１ 通路
７２ 連絡口
７４ 排液弁
８１ 配管
８２ チャンバ排気口
８４ 調整弁
８５ 減圧ポンプ
９２ チャンバ排液口
９３ 配管
９４ ドレイン弁
１０１ ＣＰＵ
１０２ 記憶部
Ｗ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】