特開 2024-66649 コネクタ装置及び電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024066649

(43)【公開日】2024-05-16

(54)【発明の名称】コネクタ装置及び電子機器

(51)【国際特許分類】

   H05K 9/00 20060101AFI20240509BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20240509BHJP

   G06F 1/18 20060101ALI20240509BHJP

【ＦＩ】

H05K9/00 G

H05K1/02 N

G06F1/18 E

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022176198

(22)【出願日】2022-11-02

(71)【出願人】

【識別番号】524066085

【氏名又は名称】ＦＣＮＴ合同会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002860

【氏名又は名称】弁理士法人秀和特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】▲角▼ 比呂武

【テーマコード（参考）】

5E321

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E321AA01

5E321AA05

5E321AA14

5E321AA17

5E321AA32

5E321AA33

5E321CC22

5E321GG01

5E321GG05

5E338AA03

5E338BB02

5E338BB12

5E338BB75

5E338CC06

5E338CD02

5E338EE13

(57)【要約】

【課題】より簡易な構成で接続端子からの高周波ノイズを抑制する。
【解決手段】本コネクタ装置は、グランド部材と、一方の面にグランドが形成されるとともに、上記グランドと電気的に接続される複数のスルーホールが形成された第１基板と、上記グランド部材と上記グランドとを容量結合させる容量結合部と、外部端子の接続を受け付ける接続端子と、上記接続端子の挿抜方向とは異なる方向から上記接続端子を覆うとともに、上記複数のスルーホールに接続され、導体で形成されたシールドカバーと、を備える。そして、上記複数のスルーホールは、上記接続端子を間に挟むように配置される。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

グランド部材と、
一方の面にグランドが形成されるとともに、前記グランドと電気的に接続される複数のスルーホールが形成された第１基板と、
前記グランド部材と前記グランドとを容量結合させる容量結合部と、
外部端子の接続を受け付ける接続端子と、
前記接続端子の挿抜方向とは異なる方向から前記接続端子を覆うとともに、前記複数のスルーホールに接続され、導体で形成されたシールドカバーと、を備え、
前記複数のスルーホールは、前記接続端子を間に挟むように配置される、
コネクタ装置。

【請求項2】

前記容量結合部は、前記第１基板と前記グランド部材との間に配置された絶縁基板を含む、
請求項１に記載のコネクタ装置。

【請求項3】

前記容量結合部は、前記グランドと前記グランド部材との間に配置されたコンデンサを含む、
請求項１に記載のコネクタ装置。

【請求項4】

請求項１から３のいずれか一項に記載のコネクタ装置を備える、
電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、コネクタ装置及び電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

電子機器において他の装置との接続を実現するコネクタ装置が利用されている（例えば、特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－００３６５３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｓｅｒｉａｌ Ｂｕｓ（ＵＳＢ、登録商標）等の各種規格にしたがった接続端子において、当該接続端子からのノイズを抑制するシールドが利用されている。このようなシールドは基板上のバイパスコンデンサ等を介して接地されるが、基板上の実装部品点数の増大につながってしまうとともに、配線の省スペース化が困難であった。

【0005】

開示の技術の１つの側面は、より簡易な構成で接続端子からの高周波ノイズを抑制できるコネクタ装置及び電子機器を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

開示の技術の１つの側面は、次のようなコネクタ装置によって例示される。本コネクタ装置は、グランド部材と、一方の面にグランドが形成されるとともに、上記グランドと電気的に接続される複数のスルーホールが形成された第１基板と、上記グランド部材と上記グランドとを容量結合させる容量結合部と、外部端子の接続を受け付ける接続端子と、上記接続端子の挿抜方向とは異なる方向から上記接続端子を覆うとともに、上記複数のスルーホールに接続され、導体で形成されたシールドカバーと、を備える。そして、上記複数のスルーホールは、上記接続端子を間に挟むように配置される。

【発明の効果】

【0007】

開示の技術によれば、より簡易な構成で接続端子からの高周波ノイズを抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、実施形態に係るスマートフォンの外観の一例を示す図である。

【図2】図２は、実施形態に係るスマートフォンのハードウェア構成の一例を示す図である。

【図3】図３は、実施形態に係るＵＳＢコネクタ装置の一例を示す第１の図である。

【図4】図４は、実施形態に係るＵＳＢコネクタ装置の一例を示す第２の図である。

【図5】図５は、実施形態に係るＵＳＢコネクタ装置の一例を示す第３の図である。

【図6】図６は、実施形態に係るＵＳＢコネクタ装置の一例を示す第４の図である。

【図7】図７は、比較例に係るＵＳＢコネクタ装置の一例を示す図である。

【図8】図８は、第１変形例に係るＵＳＢコネクタ装置の一例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

＜実施形態＞
以下、スマートフォンを例とし、図面を参照して実施形態についてさらに説明する。図１は、実施形態に係るスマートフォン１００の外観の一例を示す図である。図１では、スマートフォン１００の前面側の外観が例示される。スマートフォン１００は、可搬型の電子機器である。筐体１１０の前面にはスピーカー１１１、マイクロフォン１１２、ディスプレイ１１３が設けられる。また、スマートフォン１００の下面には、他の電子機器や電力供給を担うケーブルの接続を受け付けるＵＳＢ端子１１が設けられる。ＵＳＢ端子１１へのケーブルの挿抜は、例えば、図１の挿抜方向で行われる。なお、図１で紙面に向かって上側が筐体１１０の上側であり、紙面に向かって下側が筐体１１０の下側であると仮定する。以下、本明細書において、筐体１１０の上下方向をＹ方向、Ｙ方向と直交する筐体１１０の幅方向をＸ方向、筐体１１０の厚さ方向をＺ方向とも称する。

【0010】

図２は、実施形態に係るスマートフォン１００のハードウェア構成の一例を示す図である。スマートフォン１００は、ＣＰＵ１０１、主記憶部１０２、補助記憶部１０３、通信部１０４、スピーカー１１１、マイクロフォン１１２、ディスプレイ１１３及びＵＳＢコネクタ装置１を備える。ＣＰＵ１０１、主記憶部１０２、補助記憶部１０３、通信部１０４、スピーカー１１１、マイクロフォン１１２、ディスプレイ１１３及びＵＳＢコネクタ装置１は、接続バスＢ１によって相互に接続される。

【0011】

ＣＰＵ１０１は、マイクロプロセッサーユニット（ＭＰＵ）、プロセッサーとも呼ばれる。ＣＰＵ１０１は、単一のプロセッサーに限定される訳ではなく、マルチプロセッサー構成であってもよい。また、単一のソケットで接続される単一のＣＰＵ１０１がマルチコア構成を有していてもよい。ＣＰＵ１０１が実行する処理のうち少なくとも一部は、ＣＰＵ１０１以外のプロセッサー、例えば、Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ（ＤＳＰ）、Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ（ＧＰＵ）、数値演算プロセッサー、ベクトルプロセッサー、画像処理プロセッサー等の専用プロセッサーで行われてもよい。また、ＣＰＵ１０１が実行する処理のうち少なくとも一部は、集積回路（ＩＣ）、その他のデジタル回路によって実行されてもよい。また、ＣＰＵ１０１の少なくとも一部にアナログ回路が含まれてもよい。集積回路は、Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ（ＬＳＩ）、Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ（ＡＳＩＣ）、プログラマブルロジックデバイス（ＰＬＤ）を含む。ＰＬＤは、例えば、Ｆｉｅｌｄ－Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ（ＦＰＧＡ）を含む。ＣＰＵ１０１は、プロセッサーと集積回路との組み合わせであってもよい。組み合わせは、例えば、マイクロコントローラーユニット（ＭＣＵ）、Ｓｙｓｔｅｍ－ｏｎ－ａ－ｃｈｉｐ（ＳｏＣ）、システムＬＳＩ、チップセットなどと呼ばれる。スマートフォン１００では、ＣＰＵ１０１が補助記憶部１０３に記憶されたプログラムを主記憶部１０２の作業領域に展開し、プログラムの実行を通じて周辺装置の制御を行う。これにより、スマートフォン１００は、所定の目的に合致した処理を実行することができる。主記憶部１０２及び補助記憶部１０３は、スマートフォン１００が読み取り可能な記録媒体である。

【0012】

主記憶部１０２は、ＣＰＵ１０１から直接アクセスされる記憶部として例示される。主記憶部１０２は、Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ（ＲＡＭ）及びＲｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ（ＲＯＭ）を含む。

【0013】

補助記憶部１０３は、各種のプログラム及び各種のデータを読み書き自在に記録媒体に格納する。補助記憶部１０３は外部記憶装置とも呼ばれる。補助記憶部１０３には、オペレーティングシステム（Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ、ＯＳ）、各種プログラム、各種テーブル等が格納される。ＯＳは、通信部１０４を介して接続される外部装置等とのデータの受け渡しを行う通信インターフェースプログラムを含む。外部装置等には、例えば、コンピューターネットワーク等で接続された、他の情報処理装置及び外部記憶装置が
含まれる。

【0014】

補助記憶部１０３は、例えば、Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ）、ソリッドステートドライブ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ、ＳＳＤ）、ハードディスクドライブ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ、ＨＤＤ）等である。また、補助記憶部１０３は、例えば、Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｃ（ＣＤ）ドライブ装置、Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）ドライブ装置、Ｂｌｕ－ｒａｙ（登録商標） Ｄｉｓｃ（ＢＤ）ドライブ装置等である。

【0015】

通信部１０４は、例えば、第４世代移動通信網（４Ｇ）、第５世代移動通信網（５Ｇ）及び無線ＬＡＮといった通信ネットワークとのインターフェースである。通信部１０４は、通信ネットワークを介して外部の装置と通信を行う。

【0016】

スピーカー１１１は、音を出力する音源である。スピーカー１１１は、例えば、スマートフォン１００を用いた通話において通話相手の音声等の音を出力する。マイクロフォン１１２は、通話や動画の音取得に用いられるマイクロフォンである。

【0017】

ディスプレイ１１３は、ＣＰＵ１０１で処理されるデータや主記憶部１０２に記憶されるデータを表示する。ディスプレイ１１３は、例えば、Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ（ＬＣＤ）、Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ（ＰＤＰ）、無機Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ）パネル、有機ＥＬパネルである。ディスプレイ１１３には、例えば、ユーザーの指等によるタッチ操作を検知するタッチパネルが重畳して設けられてもよい。スマートフォン１００は、ディスプレイ１１３にタッチパネルが重畳して設けられることで、直感的な操作環境をユーザーに提供することができる。

【0018】

ＵＳＢコネクタ装置１は、ＵＳＢ端子１１を含み、ＵＳＢ規格にしたがったケーブルの接続を受け付ける。ＵＳＢコネクタ装置１の詳細については後述する。

【0019】

図３から図６は、実施形態に係るＵＳＢコネクタ装置１の一例を示す図である。図３は、Ｘ方向におけるＵＳＢコネクタ装置１の断面図を例示する。図４は、－Ｚ方向から見たＵＳＢコネクタ装置１の外観を例示する。図５は、＋Ｚ方向から見たＵＳＢコネクタ装置１の外観を例示する。図６は、内部絶縁層１５３Ａを外した状態で－Ｚ方向から見たＵＳＢコネクタ装置１の外観を例示する。図４から図６では、グランド板１３の図示は省略される。ＵＳＢコネクタ装置１は、ＵＳＢ端子１１、シールドカバー１２、グランド板１３、ねじ１４、多層基板１５、第１グランド１６（第１グランド層１６）及び第２グランド１７（第２グランド層１７）を備える。

【0020】

ＵＳＢ端子１１は、ＵＳＢ規格にしたがった接続端子である。ＵＳＢ端子１１は、ＵＳＢ規格にしたがったケーブルの接続を受け付ける。ＵＳＢ端子１１は、例えば、後述するグランド層１６１によって接地される。

【0021】

多層基板１５は、下層絶縁層１５１の上に複数の内部絶縁層１５３が積層された基板である。下層絶縁層１５１及び内部絶縁層１５３は、例えば、紙やガラス等の絶縁体によって形成される。多層基板１５は、ねじ１４によって下層絶縁層１５１をグランド板１３に向けた状態でグランド板１３に螺合される。ねじ１４は、例えば、金属等の導体で形成される。

【0022】

グランド板１３は、金属等の導体に形成された部材である。グランド板１３は、例えば、ＵＳＢコネクタ装置１を備えたスマートフォン１００の筐体１１０の一部であってもよ
い。

【0023】

内部絶縁層１５３には、グランド層１６１、スルーホール１６２、グランド層１７１及びスルーホール１７２が形成される。グランド層１６１及びグランド層１７１は、内部絶縁層１５３上に銅箔等によって形成された金属層である。グランド層１６１及びグランド層１７１の電位は、接地電位となっている。グランド層１６１及びグランド層１７１は、互いに離れて内部絶縁層１５３上に設けられる。なお、上記グランド層１６１やグランド層１７１等のグランド層は多層基板の表層又は内層におけるグランドを示すものであって、表層又は内層の少なくとも一部の領域に作成されたグランド又はグランドパターンであってもよい。

【0024】

スルーホール１６２及びスルーホール１７２は、内部絶縁層１５３を厚さ方向に貫く貫通孔である。スルーホール１６２及びスルーホール１７２の内側面には導体が設けられる。各内部絶縁層１５３に設けられたグランド層１６１は、スルーホール１６２によって電気的に接続される。各内部絶縁層１５３に設けられたグランド層１７１は、スルーホール１７２によって電気的に接続される。

【0025】

内部絶縁層１５３のうち、最も上に位置する内部絶縁層１５３Ａの上側の面には、グランド層１７１Ａ、グランド層１７１Ｂ及びグランド層１６１が設けられる。グランド層１７１Ａ、グランド層１７１Ｂ及びグランド層１６１は互いに離れて配置される。グランド層１７１Ａとグランド層１７１Ｂとの間にはコンデンサ１８が設けられる。コンデンサ１８による容量結合によって、グランド層１７１Ａとグランド層１７１Ｂとが接続される。そのため、グランド層１７１Ａとグランド層１７１Ｂとの間には、直流電流は流れない一方で交流電流は流れるようになる。コンデンサ１８の静電容量は適宜決定されればよい。ねじ１４は、グランド層１７１Ｂと接触する一方で、グランド層１７１Ａ、グランド層１６１及びシールドカバー１２とは接触しない。コンデンサ１８は、「容量結合部」の一例である。

【0026】

シールドカバー１２は、ＵＳＢ端子１１からのノイズの外部への影響を抑制するカバーである。シールドカバー１２は、金属等の導体によって形成される。シールドカバー１２は、ＵＳＢ端子１１を＋Ｚ方向側から覆うように設けられ、グランド層１７１に接続される。

【0027】

図４から図６を参照すると理解できるように、グランド層１７１は、Ｚ方向視においてＵＳＢ端子１１を囲むように配置される。そして、スルーホール１７２は、グランド層１７１上において、ＵＳＢ端子１１を囲むように配置される。また、スルーホール１７２は、グランド層１７１上において、ＵＳＢ端子１１を間に挟んで配置されるということもできる。

【0028】

このような構成を備えるＵＳＢコネクタ装置１では、ＵＳＢ端子１１からのノイズによってシールドカバー１２を流れる高周波の電流は、グランド層１７１、スルーホール１７２を介してグランド層１７１Ａへと流れる。そして、グランド層１７１Ａへと流れた電流は、コンデンサ１８による容量結合を介してねじ１４へと流れ、さらには、グランド板１３へと流れるようになる。

【0029】

＜比較例＞
図７は、比較例に係るＵＳＢコネクタ装置５００の一例を示す図である。ＵＳＢコネクタ装置５００では、多層基板５５５のグランド板１３側の表層５５６にＵＳＢ端子１１及びシールドカバー１２が設けられる。シールドカバー１２とグランド板１３との間には距離Ｄに調整された所定の隙間が形成される。ＵＳＢコネクタ装置５００では、距離Ｄを適
宜決定することで、シールドカバー１２とグランド板１３との間の静電容量が調整される。ＵＳＢコネクタ装置５００では、シールドカバー１２とグランド板１３との間の隙間を介した容量結合によって、シールドカバー１２を流れるノイズがグランド板１３へと流れるようになる。

【0030】

ＵＳＢコネクタ装置５００においてシールドカバー１２を流れるノイズをグランド板１３に流すには、シールドカバー１２とグランド板１３との隙間の距離Ｄを高精度に決定することになる。隙間を所望の静電容量を実現する距離Ｄに制御することは、製品の製造上の難易度が非常に高くなる。

【0031】

一方、本実施形態に係るＵＳＢコネクタ装置１では、グランド層１７１Ａとグランド層１７１Ｂとの間の静電容量は、コンデンサ１８の静電容量によって決定される。そのため、所望の静電容量のコンデンサ１８選定すれば足り、ＵＳＢコネクタ装置５００よりもＵＳＢコネクタ装置１は容易に製造することができる。そして、図４を参照して説明したように、Ｚ方向視において、スルーホール１７２はＵＳＢ端子１１を囲むように配置される。各内部絶縁層１５３に設けられたグランド層１７１を接続するスルーホール１７２がこのように配置されることで、シールドカバー１２における高周波の電流をグランド板１３に好適に流すことができる。すなわち、本実施形態によれば、より簡易な構成でＵＳＢ端子１１からの高周波ノイズを抑制できる。また、本実施形態では、シールドカバー１２からグランド板１３までの電流を流す経路上に容量結合が介在する。そのため、シールドカバー１２とＵＳＢ端子１１とが仮にショートする場合であっても、発熱が抑制される。

【0032】

＜第１変形例＞
以上説明した実施形態では、グランド層１７１Ａとグランド層１７１Ｂとの間にコンデンサ１８が設けられることで、グランド層１７１Ａからグランド層１７１Ｂに高周波のノイズが流れるようにした。第１変形例では、グランド層１６１を介した容量結合を経由して高周波の電流がシールドカバー１２からグランド板１３に流れるようにする構成について説明する。

【0033】

図８は、第１変形例に係るＵＳＢコネクタ装置１Ａの一例を示す図である。ＵＳＢコネクタ装置１Ａでは、シールドカバー１２がＵＳＢ端子１１を－Ｚ方向側から覆うように設けられ、多層基板１５に代えて多層基板１５Ａが用いられるとともに、コンデンサ１８を備えない点で、ＵＳＢコネクタ装置１とは異なる。

【0034】

多層基板１５Ａは、下層絶縁層１５１と上層絶縁層１５２の間に複数の内部絶縁層１５３を積層した基板である。シールドカバー１２は、ＵＳＢ端子１１を－Ｚ方向側から覆うように設けられ、グランド層１７１に接続される。各内部絶縁層１５３上に配置されたグランド層１７１の内、最もグランド板１３側に配置されたグランド層１７１とグランド板１３との間には、下層絶縁層１５１が介在する。グランド層１７１とグランド板１３とは容量結合によって結合される。そのため、グランド層１７１とグランド板１３との間には直流電流は流れない一方で交流電流は流れるようになる。下層絶縁層１５１は、「絶縁基板」の一例である。

【0035】

すなわち、ＵＳＢ端子１１からのノイズによるシールドカバー１２を流れる高周波の電流は、グランド層１７１、スルーホール１７２、及び、グランド層１７１とグランド板１３との容量結合を介して、グランド板１３に流れるようになる。グランド層１７１とグランド板１３との容量結合における静電容量は、下層絶縁層１５１（絶縁基板）の素材や厚さ等によって適宜決定すればよい。第１比較例によっても、より簡易な構成でＵＳＢ端子１１からの高周波ノイズを抑制できる。

【0036】

＜その他の変形＞
以上説明した実施形態では、グランド層１７１Ａとグランド層１７１Ｂとの間にコンデンサ１８が配置されたが、コンデンサ１８に代えて、グランド層１７１Ａとグランド層１７１Ｂとが所望の静電容量で容量結合するような位置関係（距離）に、グランド層１７１Ａとグランド層１７１Ｂとを配置してもよい。ここで、グランド層１７１Ａとグランド層１７１Ｂとはいずれも内部絶縁層１５３上に銅箔等によって形成されるものである。そのため、グランド層１７１Ａとグランド層１７１Ｂとの間の隙間を所定の位置関係とすることは、ＵＳＢコネクタ装置５００におけるシールドカバー１２とグランド板１３との隙間を距離Ｄにすることよりも容易である。そのため、ＵＳＢコネクタ装置１において、コンデンサ１８に代えてグランド層１７１Ａとグランド層１７１Ｂとが容量結合させる場合であっても、より簡易な構成でＵＳＢ端子１１からの高周波ノイズを抑制できる。

【0037】

以上説明した実施形態及び変形例では、各種外部機器の接続を受け付ける端子としてＵＳＢ端子１１が採用されたが、本実施形態及び変形例で説明した技術は、ＵＳＢ以外の規格の端子に適用されてもよい。ＵＳＢ以外の規格の端子としては、例えば、Ｈｉｇｈ－Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ（ＨＤＭＩ、登録商標）、ディスプレイポート、ＩＥＥＥ１３９４等の様々な規格の端子に適用できる。

【0038】

以上説明した実施形態及び変形例では、多層基板である多層基板１５や多層基板１５Ａが採用されたが、本実施形態及び変形例の適用対象が多層基板に限定されるわけではない。本実施形態及び変形例で説明した技術は、例えば、片面基板に適用されてもよい。

【0039】

以上説明した実施形態及び変形例では、スマートフォン１００が採用されたが、本実施形態及び変形例の適用対象がスマートフォン１００に限定されるわけではない。本実施形態及び変形例の適用対象としては、スマートフォン１００以外にも、例えば、パーソナルコンピュータ、タブレット型端末、ウェアラブルコンピュータ、フィーチャーフォン、Ａｕｄｉｏ Ｖｉｓｕａｌ（ＡＶ）機器等の様々な電子機器を挙げることができる。

【0040】

以上で開示した実施形態や変形例はそれぞれ組み合わせることができる。

【符号の説明】

【0041】

１・・ＵＳＢコネクタ装置
１Ａ・・ＵＳＢコネクタ装置
１１・・ＵＳＢ端子
１２・・シールドカバー
１３・・グランド板
１４・・ねじ
１５・・多層基板
１５Ａ・・多層基板
１６・・第１グランド
１７・・第２グランド
１８・・コンデンサ
１００・・スマートフォン
１０１・・ＣＰＵ
１０２・・主記憶部
１０３・・補助記憶部
１０４・・通信部
１１０・・筐体
１１１・・スピーカー
１１２・・マイクロフォン
１１３・・ディスプレイ
１５１・・下層絶縁層
１５２・・上層絶縁層
１５３・・内部絶縁層
１６１・・グランド層
１６２・・スルーホール
１７１・・グランド層
１７１Ａ・・グランド層
１７１Ｂ・・グランド層
１７２・・スルーホール
５００・・ＵＳＢコネクタ装置
５５５・・多層基板
５５６・・表層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】