(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024066674
(43)【公開日】2024-05-16
(54)【発明の名称】平衡不平衡変換回路及び高周波増幅器
(51)【国際特許分類】
H01P 5/10 20060101AFI20240509BHJP
H01P 5/02 20060101ALI20240509BHJP
【FI】
H01P5/10 C
H01P5/02 603A
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2022176241
(22)【出願日】2022-11-02
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100105887
【弁理士】
【氏名又は名称】来山 幹雄
(74)【代理人】
【識別番号】100145023
【弁理士】
【氏名又は名称】川本 学
(72)【発明者】
【氏名】長谷 昌俊
(72)【発明者】
【氏名】杉山 幸大
(72)【発明者】
【氏名】徳田 勝利
(72)【発明者】
【氏名】祢津 誠晃
(57)【要約】 (修正有)
【課題】平衡インピーダンスを不平衡インピーダンス以上にする平衡不平衡変換回路を提供する。
【解決手段】入力、出力信号が共に不平衡信号な第1伝送線路トランス10がインピーダンス変換を行い、第2伝送線路トランス20が平衡不平衡変換を行う回路であって、第1伝送線路トランスは、第1主線路11と第1副線路12とを含む。第1主線路と第1副線路は、第1主線路の一方の端部である第1端E1から他方の端部である第2端E2に向かう向きが、第1副線路の一方の端部である第3端E3から他方の端部である第4端E4に向かう向きと同一の向きに結合する。第2伝送線路トランスは、第2主線路21と第2副線路22とを含む。第2主線路と第2副線路は、第2主線路の一方の端部である第5端E5から他方の端部である第6端E6に向かう向きが、第2副線路の一方の端部である第7端E7から他方の端部である第8端E8に向かう向きと同一の向きに結合する。
【選択図】
図1
【特許請求の範囲】
【請求項1】
入力信号及び出力信号が共に不平衡信号であり、インピーダンス変換を行う第1伝送線路トランスと、
平衡不平衡変換を行う第2伝送線路トランスと、
不平衡信号入出力ノードと、
一対の平衡信号入出力ノードと
を備え、
前記第1伝送線路トランスは、第1主線路と第1副線路とを含み、前記第1主線路と前記第1副線路とは、前記第1主線路の一方の端部である第1端から他方の端部である第2端に向かう向きが、前記第1副線路の一方の端部である第3端から他方の端部である第4端に向かう向きと同一の向きになるように結合しており、前記第4端が前記第1端に接続され、前記第3端がグランドに接続され、前記第1端が前記不平衡信号入出力ノードに接続されており、
前記第2伝送線路トランスは、第2主線路と第2副線路とを含み、前記第2主線路と前記第2副線路とは、前記第2主線路の一方の端部である第5端から他方の端部である第6端に向かう向きが、前記第2副線路の一方の端部である第7端から他方の端部である第8端に向かう向きと同一の向きになるように結合しており、前記第5端は前記第2端に接続されており、前記第6端及び前記第7端はグランドに接続されており、前記第5端及び前記第8端が、それぞれ前記一対の平衡信号入出力ノードに接続されている平衡不平衡変換回路。
【請求項2】
前記第1主線路、前記第1副線路、前記第2主線路、及び前記第2副線路は、共通の基板に配置されたスパイラル状の導体パターンで構成されており、平面視において、前記第1主線路及び前記第1副線路を含む前記第1伝送線路トランス、及び前記第2主線路及び前記第2副線路を含む前記第2伝送線路トランスの一方が他方を取り囲んでいる請求項1に記載の平衡不平衡変換回路。
【請求項3】
前記第1主線路、前記第1副線路、前記第2主線路、及び前記第2副線路のそれぞれは、前記基板に設けられた多層配線層内の導体パターンで構成されており、前記第1主線路と前記第1副線路とは、相互に異なる配線層に配置されており、前記第2主線路と前記第2副線路とは、相互に異なる配線層に配置されている請求項2に記載の平衡不平衡変換回路。
【請求項4】
前記第1主線路と前記第2主線路とは、同一の配線層のひと続きの導体パターンで構成されている請求項2または3に記載の平衡不平衡変換回路。
【請求項5】
前記第1主線路の少なくとも一部分と前記第1副線路の少なくとも一部分とが、平面視において相互に重なっており、
前記第2主線路の少なくとも一部分と前記第2副線路の少なくとも一部分とが、平面視において相互に重なっている請求項3に記載の平衡不平衡変換回路。
【請求項6】
前記第1主線路の幅方向の少なくとも一部分と前記第1副線路の幅方向の少なくとも一部分とが、平面視において相互に重なっており、
前記第2主線路の幅方向の少なくとも一部分と前記第2副線路の幅方向の少なくとも一部分とが、平面視において相互に重なっている請求項5に記載の平衡不平衡変換回路。
【請求項7】
前記第1主線路、前記第1副線路、前記第2主線路、及び前記第2副線路のそれぞれは、前記基板に設けられた多層配線層内の導体パターンで構成されており、前記第1主線路と前記第1副線路とが同一の配線層に配置されており、前記第2主線路と前記第2副線路とが同一の配線層に配置されている請求項2に記載の平衡不平衡変換回路。
【請求項8】
前記基板に設けられた平衡信号用の第1外部接続端子及び第2外部接続端子と、
前記第1外部接続端子を前記第5端に接続する第1配線と、
前記第2外部接続端子を前記第8端に接続する第2配線と
を、さらに備え、
前記第2伝送線路トランスが前記第1伝送線路トランスを、平面視において取り囲んでおり、
前記第1外部接続端子及び前記第2外部接続端子は、平面視において、前記第2伝送線路トランスで囲まれた領域の外側に、スパイラル状の前記第2主線路及び前記第2副線路の周方向に並んで配置されており、
前記第1配線は、前記第5端から、前記第2伝送線路トランスで囲まれた領域の外側に向かって、前記第2主線路と直交する方向に延び、
前記第2配線は、前記第8端から、前記第2伝送線路トランスで囲まれた領域の外側に向かって、前記第2副線路と直交する方向に延びる請求項2または3に記載の平衡不平衡変換回路。
【請求項9】
さらに、前記第1端と前記不平衡信号入出力ノードとの間、及び前記第3端とグランドとの間に接続された第1インピーダンス整合回路を備えている請求項1乃至3のいずれか1項に記載の平衡不平衡変換回路。
【請求項10】
さらに、前記第2端及び前記第8端と、前記一対の平衡信号入出力ノードとの間に接続された第2インピーダンス整合回路を備えている請求項1乃至3のいずれか1項に記載の平衡不平衡変換回路。
【請求項11】
一対の入力ノード及び一対の出力ノードを含む差動増幅器と、
請求項1乃至3のいずれか1項に記載の1つまたは2つの平衡不平衡変換回路と
を備え、
前記平衡不平衡変換回路の1つである第1平衡不平衡変換回路の前記一対の平衡信号入出力ノードが、前記差動増幅器の前記一対の入力ノード及び前記一対の出力ノードの一方に接続されている高周波増幅器。
【請求項12】
前記平衡不平衡変換回路は、前記第1平衡不平衡変換回路の他に第2平衡不平衡変換回路を含み、
前記第2平衡不平衡変換回路の前記一対の平衡信号入出力ノードが、前記差動増幅器の前記一対の入力ノード及び前記一対の出力ノードのうち前記第1平衡不平衡変換回路が接続されていない方のノードに接続されている請求項11に記載の高周波増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、平衡不平衡変換回路及び高周波増幅器に関する。
【背景技術】
【0002】
ルスロフ型伝送線路トランスを用いて不平衡信号のインピーダンス変換を行うインピーダンス変換回路と、ルスロフ型伝送線路トランスを用いた平衡不平衡変換回路(バラン)とを縦続接続してインピーダンス変換と平衡不平衡変換とを行うバランが公知である(非特許文献1)。インピーダンス変換回路及び平衡不平衡変換回路の各々は、相互に電磁界結合した伝送線路である主線路と副線路とを含む。
【0003】
インピーダンス変換回路の主線路及び平衡不平衡変換回路の主線路は、同一の配線層に配置され、一続きの金属パターンで構成されている。インピーダンス変換回路の副線路及び平衡不平衡変換回路の副線路も、同一の配線層に配置され、一続きの金属パターンで構成されている。主線路と副線路とは、異なる配線層に配置されており、平面視において重なっている。入出力側でインピーダンスが整合しているとき、不平衡ポートから平衡ポート側を見たインピーダンス(不平衡インピーダンス)が、平衡ポートから不平衡ポート側を見たインピーダンス(平衡インピーダンス)以上になる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0004】
【非特許文献1】Hua-Yen Chung, et. Al. “Design of Step-Down Broadband and Low-Loss Ruthroff-Type Baluns Using IPD Technology”, IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS, PACKAGING AND MANUFACTURING TECHNOLOGY, VOL. 4, NO. 6, pp. 967-974, 2014
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
平衡インピーダンスを不平衡インピーダンスの4倍より大きくしたい場合がある。非特許文献1に開示されたインピーダンス変換回路と平衡不平衡変換回路とを従属接続した構成では、この要請を実現することができない。本発明の目的は、平衡インピーダンスを不平衡インピーダンスの4倍より大きくすることが可能な平衡不平衡変換回路を提供することである。本発明の他の目的は、この平衡不平衡変換回路を含む高周波増幅器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一観点によると、
入力信号及び出力信号が共に不平衡信号であり、インピーダンス変換を行う第1伝送線路トランスと、
平衡不平衡変換を行う第2伝送線路トランスと、
不平衡信号入出力ノードと、
一対の平衡信号入出力ノードと
を備え、
前記第1伝送線路トランスは、第1主線路と第1副線路とを含み、前記第1主線路と前記第1副線路とは、前記第1主線路の一方の端部である第1端から他方の端部である第2端に向かう向きが、前記第1副線路の一方の端部である第3端から他方の端部である第4端に向かう向きと同一の向きになるように結合しており、前記第4端が前記第1端に接続され、前記第3端がグランドに接続され、前記第1端が前記不平衡信号入出力ノードに接続されており、
前記第2伝送線路トランスは、第2主線路と第2副線路とを含み、前記第2主線路と前記第2副線路とは、前記第2主線路の一方の端部である第5端から他方の端部である第6端に向かう向きが、前記第2副線路の一方の端部である第7端から他方の端部である第8端に向かう向きと同一の向きになるように結合しており、前記第5端は前記第2端に接続されており、前記第6端及び前記第7端はグランドに接続されており、前記第5端及び前記第8端が、それぞれ前記一対の平衡信号入出力ノードに接続されている平衡不平衡変換回路が提供される。
【0007】
本発明の他の観点によると、
一対の入力ノード及び一対の出力ノードを含む差動増幅器と、
1つまたは2つの前記平衡不平衡変換回路と
を備え、
前記平衡不平衡変換回路の1つである第1平衡不平衡変換回路の前記一対の平衡信号入出力ノードが、前記差動増幅器の前記一対の入力ノード及び前記一対の出力ノードの一方に接続されている高周波増幅器が提供される。
【発明の効果】
【0008】
上記構成により、平衡インピーダンスを不平衡インピーダンス以上にすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【
図1】
図1は、第1実施例による平衡不平衡変換回路の等価回路図である。
【
図2】
図2Aは、第1実施例による平衡不平衡変換回路の平面図であり、
図2Bは、第1実施例による平衡不平衡変換回路の一部分の断面図である。
【
図3】
図3は、第1実施例による平衡不平衡変換回路の伝送線路の平面視における形状を模式的に表した図である。
【
図4】
図4A、
図4B、
図4C、及び
図4Dは、比較例による平衡不平衡変換回路の第1伝送線路トランスと第2伝送線路トランスとの平面視における位置関係を模式的に示す図である。
【
図5】
図5は、第1実施例の変形例による平衡不平衡変換回路の伝送線路の平面視における形状を模式的に表した図である。
【
図6】
図6は、第2実施例による平衡不平衡変換回路の伝送線路の平面視における位置関係を模式的に表した図である。
【
図7】
図7Aは、第3実施例による平衡不平衡変換回路の伝送線路の平面視における位置関係を模式的に表した図であり、
図7Bは、第3実施例による平衡不平衡変換回路の一部分の断面図である。
【
図8】
図8は、第4実施例による平衡不平衡変換回路の等価回路図である。
【
図9】
図9は、第5実施例による高周波増幅器の等価回路図である。
【
図10】
図10は、第6実施例による平衡不平衡変換回路の第1伝送線路トランスの等価回路図である。
【
図11】
図11は、第6実施例の変形例による平衡不平衡変換回路の第1伝送線路トランスの等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
[第1実施例]
図1から
図4Dまでの図面を参照して、第1実施例による平衡不平衡変換回路について説明する。
【0011】
図1は、第1実施例による平衡不平衡変換回路の等価回路図である。第1実施例による平衡不平衡変換回路は、相互に従属接続された第1伝送線路トランス10及び第2伝送線路トランス20を含む。第1伝送線路トランス10及び第2伝送線路トランス20は、共にルスロフ型伝送線路トランスである。第1伝送線路トランス10は、相互に電磁界結合した一対の伝送線路である第1主線路11及び第1副線路12を含む。第2伝送線路トランス20は、相互に電磁界結合(以下、単に「結合」という。)した一対の伝送線路である第2主線路21及び第2副線路22を含む。
図1において、第1主線路11及び第2主線路21を、中空の細長い長方形で表し、第1副線路12及び第2副線路22を、ハッチングが付された細長い長方形で表す。
【0012】
第1実施例による平衡不平衡変換回路は、さらに、不平衡信号の入出力用の不平衡信号入出力ノードSGL、平衡信号の入出力用の一対の平衡信号入出力ノードDiff1、Diff2、及びグランド電位が与えられるグランドノードGNDを含む。一例として、不平衡信号入出力ノードSGLは、不平衡信号用の外部接続端子41を構成し、グランドノードGNDはグランド用外部接続端子40を構成する。平衡信号入出力ノードDiff1、Diff2は、それぞれ平衡信号用の第1外部接続端子42、第2外部接続端子43を構成する。本明細書で、外部と接続するための「ノード」を「外部接続端子」という。「外部接続端子」は、外部の回路と接続するためのノードでもあるともいえる。
【0013】
第1伝送線路トランス10の第1主線路11と第1副線路12とは、第1主線路11の一方の端部である第1端E1から他方の端部である第2端E2に向かう向きが、第1副線路12の一方の端部である第3端E3から他方の端部である第4端E4に向かう向きと同一の向きになるように結合している。第4端E4が第1端E1に接続され、第3端E3がグランドノードGNDに接続され、第1端E1が不平衡信号入出力ノードSGLに接続されている。
【0014】
第2伝送線路トランス20の第2主線路21と第2副線路22とは、第2主線路21の一方の端部である第5端E5から他方の端部である第6端E6に向かう向きが、第2副線路22の一方の端部である第7端E7から他方の端部である第8端E8に向かう向きと同一の向きになるように結合している。第5端E5は第1伝送線路トランス10の第1主線路11の第2端E2に接続されている。第6端E6及び第7端E7はグランドノードGNDに接続されている。第5端E5及び第8端E8が、それぞれ前記一対の平衡信号入出力ノードDiff1、Diff2に接続されている。
【0015】
次に、第1伝送線路トランス10の機能について説明する。第1主線路11の線路長は、第1副線路12の線路長と等しい。第1主線路11に高周波電流が流れると、第1副線路12に、大きさが同一のオッドモードの高周波電流が流れる。
図1に示すように、第1主線路11の第1端E1から第2端E2に向かう大きさがIの高周波電流が流れると、第1副線路12には、第4端E4から第3端E3に向かう大きさがIの高周波電流が流れる。このとき、不平衡信号入出力ノードSGLから第1伝送線路トランス10に流入する高周波電流の大きさは2Iになる。
【0016】
不平衡信号入出力ノードSGLの電位をVと標記する。第1端E1及び第4端E4の電位もVである。第3端E3はグランドノードGNDに接続されているため、第3端E3の電位は0である。第1主線路11と第1副線路12との線路長が等しいため、第1端E1と第2端E2との間の電位差は、第3端E3と第4端E4との間の電位差と等しい。したがって、第2端E2の電位は2Vになる。
【0017】
不平衡信号入出力ノードSGLを入力ポート、第2端E2を出力ポートとするインピーダンス変換回路において、出力ポートの電圧は入力ポートの電圧の2倍になり、出力ポートの電流は入力ポートの電流の1/2倍になる。したがって、第1伝送線路トランス10は、入力信号及び出力信号が共に不平衡信号であって、インピーダンス変換比が4のインピーダンス変換回路として機能する。
【0018】
次に、第2伝送線路トランス20の機能について説明する。第2主線路21の線路長は、第2副線路22の線路長と等しい。第2主線路21に高周波電流が流れると、第2副線路22に、大きさが同一のオッドモードの高周波電流が流れる。第2主線路21を流れる電流と第2副線路22を流れる電流との大きさが等しく、向きが逆であるから、第1伝送線路トランス10の第2端E2から第2伝送線路トランス20に流入する高周波電流は、第5端E5と平衡信号入出力ノードDiff1とに等分に分岐される。第1伝送線路トランス10の第2端E2から第2伝送線路トランス20に流入する電流の大きさがIであるとき、平衡信号入出力ノードDiff1、Diff2に流れる電流の大きさは(1/2)Iになる。
【0019】
第2主線路21の第5端E5の電位は、第1伝送線路トランス10の第2端E2の電位2Vと等しい。第6端E6の電位は0であるから、第2主線路21の第5端E5と第6端E6との間の電位差は2Vである。第2主線路21と第2副線路22との線路長が等しいため、第5端E5と第6端E6との間の電位差は、第7端E7と第8端E8との間の電位差と等しい。したがって、第7端E7と第8端E8との間の電位差も2Vである。第7端E7の電位が0であるため、第8端E8の電位は-2Vになる。
【0020】
第8端E8の電位と等しい平衡信号入出力ノードDiff2の電位は-2Vになる。また、他方の平衡信号入出力ノードDiff1の電位は、第1伝送線路トランス10の第2端E2の電位2Vと等しい。このため、一対の平衡信号入出力ノードDiff1、Diff2の間の電圧は4Vになる。
【0021】
第1伝送線路トランス10の第2端E2を入力ポート、平衡信号入出力ノードDiff1、Diff2を出力ポートとする平衡不平衡変換路において、出力ポートの電圧は入力ポートの電圧の2倍になり、出力ポートの電流は入力ポートの電流の1/2倍になる。したがって、第2伝送線路トランス20は平衡インピーダンスが不平衡インピーダンスの4倍になる平衡不平衡変換回路として機能する。
【0022】
次に、第1伝送線路トランス10と第2伝送線路トランス20とを含む平衡不平衡変換回路のインピーダンス変換機能について説明する。平衡信号入出力ノードDiff1とDiff2の間に負荷インピーダンスZLが接続されていると仮定する。不平衡信号入出力ノードSGLの電位は、平衡信号入出力ノードDiff1とDiff2との間の電位差の1/4倍であり、不平衡信号入出力ノードSGLを流れる電流は負荷を流れる電流の4倍である。このため、平衡インピーダンスが不平衡インピーダンスの16倍になる。
【0023】
図2Aは、第1実施例による平衡不平衡変換回路の平面図である。第1実施例による平衡不平衡変換回路は、共通の基板に配置された多層配線層内の導体パターン、及び配線層間を接続するビアを含む。このような平衡不平衡変換回路は、集積化受動デバイス(IPD)プロセスを用いて製造することができる。
図2Aにおいて、最も上の第1配線層の導体パターンを相対的に太い輪郭線で表す。2層目の第2配線層及び3層目の第3配線層の導体パターンに、それぞれ相対的に淡い右下がりのハッチング及び相対的に濃い右上がりのハッチングを付している。また、ビアが配置されている箇所に最も濃いハッチングを付している。
【0024】
図3は、第1実施例による平衡不平衡変換回路の伝送線路の平面視における形状を模式的に表した図である。
図3において、第1配線層の導体パターンを相対的に太い実線で表し、第2配線層の導体パターンを相対的に細い実線で表し、第3配線層の導体パターンを破線で表している。ビアが配置された箇所に黒丸記号を付している。
【0025】
第1配線層に、グランド配線30、第1配線31、及び第2配線32が配置されている。グランド配線30はグランド用外部接続端子40に接続され、第1配線31及び第2配線32は、それぞれ平衡信号用の第1外部接続端子42及び第2外部接続端子43に接続されている。
【0026】
第1伝送線路トランス10の第1主線路11、第1副線路12、第2伝送線路トランス20の第2主線路21、第2副線路22は、それぞれスパイラル状の導体パターンで構成されている。第1主線路11及び第2主線路21が、第2配線層に配置されており、第1副線路12及び第2副線路22が、第3配線層に配置されている。
【0027】
平面視において、第1主線路11と第1副線路12とが、二重のスパイラル形状を成しており、第2主線路21と第2副線路22とが、二重のスパイラル形状を成している。第2主線路21及び第2副線路22を含む第2伝送線路トランス20が、第1主線路11及び第1副線路12を含む第1伝送線路トランス10を取り囲んでいる。第2主線路21及び第2副線路22は、平面視において正方形または長方形の外周線に沿って配置されており、第1主線路11及び第1副線路12も、平面視において正方形または長方形の外周線に沿って配置されている。
【0028】
図2Aに示すように、第1主線路11及び第1副線路12は、第2主線路21及び第2副線路22によって囲まれたほぼ正方形または長方形の領域の1つの頂点(以下、「第1伝送線路トランス10が偏在している頂点」という。)の側に偏って配置されている。
【0029】
第1主線路11は、内周側の端部(第1端E1)において不平衡信号用の外部接続端子41に接続され、外周側の端部(第2端E2)において、第1配線31に接続されている。第1副線路12は、内周側の端部(第4端E4)において不平衡信号用の外部接続端子41に接続され、外周側の端部(第3端E3)において、第1配線層に配置されたグランド配線30に接続されている。第1主線路11の第1端E1と第1副線路12の第4端E4とは、ビアを介して相互に接続されている。
【0030】
図2Aに示すように、第1主線路11は、内周側の第1端E1から外周側の第2端E2に向かって反時計回りに周回しながら延び、第1副線路12は、内周側の第4端E4から外周側の第3端E3に向かって時計回りに周回しながら延びている。すなわち、第1主線路11の第1端E1から第2端E2に向かう向きと、第1副線路12の第3端E3から第4端E4に向かう向きとが、同一の向きになるように両者が結合している。第1主線路11及び第1副線路12の巻き数は約3である。なお、
図3に示すように、第1主線路11が、内周側の第1端E1から外周側の第2端E2に向かって時計回りに周回しながら延び、第1副線路12が、内周側の第4端E4から外周側の第3端E3に向かって反時計回りに周回しながら延びるようにしてもよい。
【0031】
第2主線路21は、内周側の端部(第5端E5)において、第1配線31に接続され、外周側の端部(第6端E6)においてグランド配線30に接続されている。また、第2主線路21は、第5端E5において第1主線路11の第2端E2に接続されている。第1主線路11と第2主線路21とは、同一の配線層内のひと続きの導体パターンで構成されている。
【0032】
第2副線路22は、内周側の端部(第8端E8)において第2配線32に接続され、外周側の端部(第7端E7)においてグランド配線30に接続されている。第2主線路21の第6端E6と第2副線路22の第7端E7とは、ビアを介して相互に接続されている。
【0033】
図2Aに示すように、第2主線路21は、内周側の第5端E5から外周側の第6端E6に向かって反時計回りに周回しながら延び、第2副線路22は、内周側の第8端E8から外周側の第7端E7に向かって時計回りに周回しながら延びている。すなわち、第2主線路21の第5端E5から第6端E6に向かう向きと、第2副線路22の第7端E7から第8端E8に向かう向きとが、同一の向きになるように両者が結合している。第2主線路21及び第2副線路22の巻き数は約2である。なお、
図3に示すように、第2主線路21が、内周側の第5端E5から外周側の第6端E6に向かって時計回りに周回しながら延び、第2副線路22が、内周側の第8端E8から外周側の第7端E7に向かって反時計回りに周回しながら延びるようにしてもよい。
【0034】
第1端E1から第8端E8までの8個の端部は、第1伝送線路トランス10が偏在している頂点(
図2Aにおいて左上の頂点)の近傍に位置する。平面視において、第2伝送線路トランス20で囲まれた領域の外側に、グランド用外部接続端子40、第1外部接続端子42、及び第2外部接続端子43が配置されている。グランド用外部接続端子40、第1外部接続端子42、及び第2外部接続端子43、スパイラル状の第2主線路21及び第2副線路22の周方向に並んで配置されている。第1伝送線路トランス10によって囲まれた領域に、不平衡信号用の外部接続端子41が配置されている。
【0035】
第1外部接続端子42は、第1配線31を介して第2端E2及び第5端E5に接続されている。第1配線31は、第2主線路21の第5端E5から、第2伝送線路トランス20で囲まれた領域の外側に向かって、第2主線路21に対して直交する方向に延びる。第2外部接続端子43は、第2配線32を介して第8端E8に接続されている。第2配線32は、第2副線路22の第8端E8から、第2伝送線路トランス20で囲まれた領域の外側に向かって、第2副線路22に対して直交する方向に延びる。
【0036】
図3に示すように、第1外部接続端子42及び第2外部接続端子43は、それぞれ差動増幅器60の一対の入力ポートに接続される。不平衡信号入出力ノードSGLに入力された不平衡信号が、第1伝送線路トランス10及び第2伝送線路トランス20を経由して平衡信号に変換され、差動増幅器60に入力される。このとき、インピーダンス変換が行われる。
【0037】
図2Bは、第1実施例による平衡不平衡変換回路の一部分の断面図である。基板50内に多層配線構造が設けられている。最上層の第1配線層に第1配線31が配置されており、2層目の第2配線層に第2主線路21が配置されており、3層目の第3配線層に第2副線路22が配置されている。さらに、基板50にグランド導体51が配置されている。第2主線路21の第5端E5が、ビア35を介して第1配線31に接続されている。一例として、第2主線路21及び第2副線路22のそれぞれの幅は5μm以上10μm以下であり、厚さは約3μmである。
【0038】
基板50には、例えば磁性絶縁体または誘電体を用いることができる。誘電体からなる基板の例として、樹脂基板やセラミック基板が挙げられる。また、半導体基板上に形成された絶縁体層を、基板50として利用することも可能である。
【0039】
次に、第1実施例の優れた効果について説明する。
第1実施例では、
図1を参照して説明したように、平衡インピーダンスが不平衡インピーダンスの16倍になる。平衡インピーダンスを不平衡インピーダンス以上にすることが可能である。
【0040】
図2A及び
図3に示したように、平面視において第1伝送線路トランス10が第2伝送線路トランス20に取り囲まれている。このため、第1伝送線路トランス10と第2伝送線路トランス20とを、基板50の面内に並べて配置する構成と比べて、第1伝送線路トランス10及び第2伝送線路トランス20が占める領域の面積を小さくすることができる。これにより、平衡不平衡変換回路の小型化を図ることが可能になる。
【0041】
図2Aに示したように、第1主線路11と第2主線路21とを、同一の配線層内のひと続きの導体パターンで構成している。このため、ビアの個数を削減することができる。
【0042】
図2Aに示したように、第1配線31が、第2端E2及び第5端E5から、第2伝送線路トランス20で囲まれた領域の外側に向かって、第2主線路21に対して直交する方向(スパイラル形状の周方向に対して直交する方向)に延びているため、第2端E2及び第5端E5から第1外部接続端子42までの第1配線31の配線長を短くすることができる。同様に、第8端E8から第2外部接続端子43までの第2配線32の配線長を短くすることができる。
【0043】
さらに、第2端E2、第5端E5、及び第8端E8を、第1伝送線路トランス10が偏在している頂点の近傍に配置しているため、第1伝送線路トランス10の幾何中心を、第2伝送線路トランス20の幾何中心に一致させた構成と比べて、第1配線31及び第2配線32の配線長を短くすることができる。ここで、「第2端E2が、第1伝送線路トランス10が偏在している頂点の近傍に配置されている」とは、第2伝送線路トランス20の第2主線路21及び第2副線路22のうち最も外周側に位置する伝送線路が沿う正方形または長方形の4つの頂点のそれぞれから第2端E2までの距離のうち、第1伝送線路トランス10が偏在している頂点から第2端E2までの距離が最も短いことを意味する。
【0044】
次に、
図4Aから
図4Dまでの比較例と比較して、第1実施例の優れた効果について説明する。
図4Aから
図4Dまでの図面は、比較例による平衡不平衡変換回路の第1伝送線路トランス10と第2伝送線路トランス20との平面視における位置関係を模式的に示す図である。いずれの比較例においても、第1伝送線路トランス10が第2伝送線路トランス20の外側に配置されている。第1伝送線路トランス10、第2伝送線路トランス20、及び他の構成要素の位置関係の理解を容易にするために、xy直交座標系を定義する。
図4Aから
図4Dまでの図面において、
図3と同様に、第1配線層の導体パターンを相対的に太い実線で表し、第2配線層の導体パターンを相対的に細い実線で表し、第3配線層の導体パターンを破線で表している。
【0045】
図4Aに示す比較例では、第1伝送線路トランス10と第2伝送線路トランス20とがx方向に並んで配置されている。差動増幅器60及びグランド用外部接続端子40が、第2伝送線路トランス20に対してy軸の正の側に配置されている。第1伝送線路トランス10及び第2伝送線路トランス20の各伝送線路の端部は、y軸の正の側に配置されている。
【0046】
この配置では、第2伝送線路トランス20から差動増幅器60及びグランド用外部接続端子40までの配線長を短くすることができるが、第1伝送線路トランス10から差動増幅器60及びグランド用外部接続端子40までの配線長が長くなってしまう。
【0047】
図4Bに示す比較例では、差動増幅器60とグランド用外部接続端子40、第2伝送線路トランス20、及び第1伝送線路トランス10が、この順番にy方向に並んで配置されている。この構成では、第1伝送線路トランス10から差動増幅器60及びグランド用外部接続端子40までの配線が、第2伝送線路トランス20を跨ぐことになる。このため、これらの配線の配線長が長くなってしまう。
【0048】
図4Cに示した比較例では、差動増幅器60、第1伝送線路トランス10、グランド用外部接続端子40、及び第2伝送線路トランス20が、この順番にy方向に並んで配置されている。この構成では、第2伝送線路トランス20と差動増幅器60とを接続する配線が、第1伝送線路トランス10を跨ぐか迂回するようになる。このため、これらの配線の配線長が長くなってしまう。
【0049】
図4Dに示した比較例では、第1伝送線路トランス10、グランド用外部接続端子40、及び第2伝送線路トランス20が、この順番にy方向に並んで配置されている。差動増幅器60が、グランド用外部接続端子40に対してx軸の正の側に配置されている。この構成では、第1伝送線路トランス10及び第2伝送線路トランス20から差動増幅器60までの配線長が長くなってしまう。
【0050】
図4Aから
図4Dまでの図面に示したいずれの比較例においても、差動増幅器60に接続される配線の配線長が長くなってしまう。第1実施例では、
図3に示したように、第2伝送線路トランス20で囲まれた領域に第1伝送線路トランス10を配置しているため、差動増幅器60に接続する配線の長大化を抑制することができる。
【0051】
次に、
図5を参照して第1実施例の変形例による平衡不平衡変換回路について説明する。
図5は、第1実施例の変形例による平衡不平衡変換回路の伝送線路の平面視における形状を模式的に表した図である。
図5において、第1配線層の導体パターンを実線で表し、第2配線層の導体パターンを破線で表す。
【0052】
図5に示した第1実施例の変形例においては、第1主線路11、第1副線路12、第2主線路21、及び第2副線路22のそれぞれの巻き数が約1である。本変形例では、第2端E2及び第5端E5と、第1外部接続端子42とを接続する第1配線31を、第1主線路11及び第2主線路21と同じ第1配線層に配置することができる。第3端E3、第6端E6、第7端E7、及びグランド用外部接続端子40を相互に接続するグランド配線30を、第1副線路12及び第2副線路22と同じ第2配線層に配置することができる。第8端E8と第2外部接続端子43とを接続する第2配線32を、第2主線路21の配線層と同じ第1配線層に配置することができる。
【0053】
このように、
図5に示した第1実施例の変形例のように、第1主線路11、第1副線路12、第2主線路21、及び第2副線路22のそれぞれの巻き数が約1の場合、2層の配線層で平衡不平衡変換回路を実現することができる。
【0054】
第1主線路11、第1副線路12、第2主線路21、第2副線路22の好ましい線路長は、設計周波数によって決まる。これらの伝送線路の線路長が決まったら、その線路長に基づいて、伝送線路の巻き数を決定するとよい。巻き数を多くすると、第1伝送線路トランス10及び第2伝送線路トランス20が占める領域の面積が狭くるため、巻き数を多くする構成は、平衡不平衡変換回路の小型化の観点で有利である。伝送線路の巻き数を1にする構成は、配線層の層数削減の観点で有利である。
【0055】
次に、第1実施例の他の変形例による平衡不平衡変換回路について説明する。第1実施例(
図2A)では、平面視において、第2伝送線路トランス20が第1伝送線路トランス10を取り囲んでいる。その逆に、第1伝送線路トランス10が第2伝送線路トランス20を取り囲むようにしてもよい。
【0056】
第1実施例(
図2A)では、平衡信号入出力ノードDiff1、Duff2が、それぞれ第1外部接続端子42及び第2外部接続端子43を構成しているが、平衡信号入出力ノードDiff1と第1外部接続端子42との間、及び平衡信号入出力ノードDiff2と第2外部接続端子43との間に、基板50(
図2B)に設けられた受動素子を接続してもよい。また、基板50として半導体基板上に設けられた絶縁膜を用いる場合は、平衡信号入出力ノードDiff1と第1外部接続端子42との間、及び平衡信号入出力ノードDiff2と第2外部接続端子43との間に、半導体基板に設けられた能動素子を接続してもよい。同様に、不平衡信号用の外部接続端子41と不平衡信号入出力ノードSGLとの間に、基板50に設けられた受動素子や能動素子を接続してもよい。
【0057】
[第2実施例]
次に、
図6を参照して第2実施例による平衡不平衡変換回路について説明する。以下、
図1から
図4Dまでの図面を参照して説明した第1実施例による平衡不平衡変換回路と共通の構成については説明を省略する。
【0058】
図6は、第2実施例による平衡不平衡変換回路の伝送線路の平面視における位置関係を模式的に表した図である。
図6において、第1配線層の導体パターンに相対的に淡い右下がりのハッチングを付し、第2配線層の導体パターンに相対的に濃い右上がりのハッチングを付している。さらに、第1配線層の他の導体パターンを実線で表し、第2配線層の他の導体パターンを破線で表している。第1実施例(
図2A)では、第1主線路11及び第1副線路12が、交差箇所以外で相互に重なっておらず、第2主線路21及び第2副線路22も、交差箇所以外で相互に重なっていない。
【0059】
これに対して第2実施例では、第1主線路11の幅方向の一部分と第1副線路12の幅方向の一部分とが、平面視において相互に重なっている。同様に、第2主線路21の幅方向の一部分と第2副線路22の幅方向の一部分とが、平面視において相互に重なっている。第1主線路11、第1副線路12、第2主線路21、及び第2副線路22のそれぞれの巻き数は約1である。2本の結合伝送線路を相互に重ねて配置すると、結合伝送線路の単位長さ当たりの並列静電容量が大きくなる。その結果、結合伝送線路の特性インピーダンスが小さくなる。
【0060】
次に、第2実施例の優れた効果について説明する。
第2実施例においても第1実施例と同様に、平衡インピーダンスを不平衡インピーダンス以上にすることが可能である。さらに、第2実施例では、結合伝送線路の特性インピーダンスが小さくなるため、より低いインピーダンス領域でインピーダンス変換及び平衡不平衡変換を行うことが可能である。
【0061】
次に、第2実施例の変形例について説明する。
第2実施例では、第1主線路11の幅方向の一部分と、第1副線路12の幅方向の一部分とが、平面視において相互に重なっているが、第1主線路11の幅方向の全域と、第1副線路12の幅方向の全域とが重なる構成としてもよい。同様に、第2主線路21の幅方向の全域と、第2副線路22の幅方向の全域とが、相互に重なる構成としてもよい。また、平面視において、第1主線路11と第1副線路12との一方が他方に包含される構成としてもよい。同様に、平面視において、第2主線路21と第2副線路22との一方が他方に包含される構成としてもよい。
【0062】
第2実施例では、第1主線路11、第1副線路12、第2主線路21、及び第2副線路22のそれぞれの巻き数は約1であるが、これらの伝送線路のそれぞれの巻き数を1より多くしてもよい。
【0063】
[第3実施例]
次に、
図7A及び
図7Bを参照して第3実施例による平衡不平衡変換回路について説明する。以下、
図1から
図4Dまでの図面を参照して説明した第1実施例による平衡不平衡変換回路と共通の構成については説明を省略する。
【0064】
図7Aは、第3実施例による平衡不平衡変換回路の伝送線路の平面視における位置関係を模式的に表した図である。
図7Aにおいて、第1配線層の導体パターンを実線で表し、第2配線層の導体パターンを破線で表している。第1実施例(
図3)では、第1主線路11と第1副線路12とが相互に異なる配線層に配置され、第2主線路21と第2副線路22とが相互に異なる配線層に配置されている。これに対して第3実施例では、第1主線路11、第1副線路12、第2主線路21、及び第2副線路22が、同一の第1配線層に配置されている。
【0065】
第1主線路11の第2端E2及び第2主線路21の第5端E5を第1外部接続端子42に接続する第1配線31は、第1主線路11及び第2主線路21と同じ第1配線層に配置されている。第2副線路22の第8端E8を第2外部接続端子43に接続する第2配線32は、第2副線路22と同じ第1配線層に配置されている。第1副線路12の第3端E3、第2副線路22の第7端E7、及び第2主線路21の第6端E6をグランド用外部接続端子40に接続するグランド配線30は、第1配線層とは異なる第2配線層に配置されている。
【0066】
図7Bは、第3実施例による平衡不平衡変換回路の一部分の断面図である。基板50内の同一の第1配線層に、第1主線路11、第1副線路12、第2主線路21、及び第2副線路22が配置されている。第1主線路11と第1副線路12とは、側面同士が対向するように配置され、両者はエッジ結合する。同様に、第2主線路21と第2副線路22も、エッジ結合する。
【0067】
次に、第3実施例の優れた効果について説明する。
第3実施例においても第1実施例と同様に、平衡インピーダンスを不平衡インピーダンス以上にすることが可能である。
【0068】
さらに、第3実施例では、第1主線路11と第1副線路12とが面内方向に並んで配置され、第2主線路21と第2副線路22とが面内方向に並んで配置されているため、配線層間を絶縁する層間絶縁膜の厚さに依存せず、両者を近づけることができる。第1主線路11と第1副線路12とを相互に近づけ、第2主線路21と第2副線路22とを相互に近づけると、結合伝送線路の単位長さ当たりの並列静電容量が大きくなる。その結果、結合伝送線路の特性インピーダンスが小さくなる。このため、より低いインピーダンス領域でインピーダンス変換及び平衡不平衡変換を行うことが可能になる。
【0069】
[第4実施例]
次に、
図8を参照して第4実施例による平衡不平衡変換回路について説明する。以下、
図1から
図4Dまでの図面を参照して説明した第1実施例による平衡不平衡変換回路と共通の構成については説明を省略する。
【0070】
図8は、第4実施例による平衡不平衡変換回路の等価回路図である。第1実施例(
図1)では、グランドノードGND、不平衡信号入出力ノードSGL、平衡信号入出力ノードDiff1、Diff2が、それぞれグランド用外部接続端子40、不平衡信号用の外部接続端子41、平衡信号用の第1外部接続端子42、及び第2外部接続端子43に直接接続されている。これに対して第4実施例では、グランドノードGND及び不平衡信号入出力ノードSGLと、グランド用外部接続端子40及び不平衡信号用の外部接続端子41との間に、第1インピーダンス整合回路71が接続されている。さらに、平衡信号入出力ノードDiff1、Diff2と、第1外部接続端子42及び第2外部接続端子43との間に、第2インピーダンス整合回路72が接続されている。
【0071】
例えば、第1インピーダンス整合回路71は、不平衡信号入出力ノードSGLと外部接続端子41との間に接続されたキャパシタC1、及びグランドノードGNDとグランド用外部接続端子40との間に接続されたキャパシタC2を含む。第2インピーダンス整合回路72は、平衡信号入出力ノードDiff1と第1外部接続端子42との間に接続されたキャパシタC3、及び平衡信号入出力ノードDiff2と第2外部接続端子43との間に接続されたキャパシタC4を含む。
【0072】
次に、第4実施例の優れた効果について説明する。
第4実施例においても第1実施例と同様に、平衡インピーダンスを不平衡インピーダンス以上にすることが可能である。
【0073】
さらに、第4実施例では、第1インピーダンス整合回路71及び第2インピーダンス整合回路72を接続することにより、インピーダンスの調整範囲を拡張することができる。キャパシタC1、C2、C3、C4を接続することにより、第1伝送線路トランス10及び第2伝送線路トランス20と、外部回路との直流アイソレーションを確保することができる。
【0074】
次に、第4実施例の変形例について説明する。第4実施例では、第1インピーダンス整合回路71及び第2インピーダンス整合回路72の各々が、キャパシタを含んでいるが、その他に、インダクタ、抵抗素子等の受動素子を含んでもよい。目標とするインピーダンス整合条件に応じて、第1インピーダンス整合回路71及び第2インピーダンス整合回路72の回路構成及び回路定数を適宜選択するとよい。また、第1インピーダンス整合回路71及び第2インピーダンス整合回路72のうち一方を取り除いてもよい。
【0075】
[第5実施例]
次に、
図9を参照して第5実施例による高周波増幅器について説明する。
図9は、第5実施例による高周波増幅器の等価回路図である。
【0076】
第5実施例による高周波増幅器は、差動増幅器60、第1平衡不平衡変換回路80、及び第2平衡不平衡変換回路81を含む。第1平衡不平衡変換回路80及び第2平衡不平衡変換回路81として、第1実施例から第4実施例までのいずれかの実施例による平衡不平衡変換回路が用いられる。
【0077】
以下、差動増幅器60の構成について説明する。バイアス回路61にバッテリ電源Vbattが供給されている。バイアス回路61は、バイアス制御信号CTLに基づいて差動増幅器60を構成する一対の増幅回路にそれぞれバイアスを供給する。
【0078】
第1平衡不平衡変換回路80の一対の平衡信号入出力ノードDiff1、Diff2が、それぞれ差動増幅器60の一対の入力ノードに接続されている。差動増幅器60の一対の出力ノードが、それぞれ第2平衡不平衡変換回路81の平衡信号入出力ノードDiff1、Diff2に接続されている。第1平衡不平衡変換回路80及び第2平衡不平衡変換回路81のグランドノードGNDは、グランドに接続されている。
【0079】
第1平衡不平衡変換回路80の不平衡信号入出力ノードSGLに不平衡高周波信号RFinが入力される。第1平衡不平衡変換回路80に入力された不平衡高周波信号RFinは、第1平衡不平衡変換回路80によって平衡信号(差動信号)に変換され、差動増幅器60に入力される。差動増幅器60から出力された平衡信号は、第2平衡不平衡変換回路81に入力される。第2平衡不平衡変換回路81に入力された平衡信号は、不平衡信号入出力ノードSGLから不平衡高周波出力信号RFoutとして出力される。
【0080】
第1平衡不平衡変換回路80は、不平衡信号を平衡信号に変換するとともに、インピーダンス変換を行い、第1平衡不平衡変換回路80の入力側のインピーダンスを、差動増幅器60の入力インピーダンスに整合させる。第2平衡不平衡変換回路81は、平衡信号を不平衡信号に変換するとともに、インピーダンス変換を行い、差動増幅器60の出力インピーダンスを第2平衡不平衡変換回路81の負荷インピーダンに整合させる。
【0081】
次に、第5実施例の優れた効果について説明する。
一般的に、差動増幅器60の入力インピーダンス及び出力インピーダンスは、100Ω以上200Ω以下である。これに対して不平衡高周波信号RFin及び不平衡高周波出力信号RFoutが伝送される伝送線路の特性インピーダンスは50Ωである。すなわち、第1平衡不平衡変換回路80及び第2平衡不平衡変換回路81のそれぞれの平衡インピーダンスを、不平衡インピーダンスより大きくすることにより、インピーダンスを整合させることができる。
【0082】
第1平衡不平衡変換回路80及び第2平衡不平衡変換回路81として、第1実施例から第4実施例までのいずれかの実施例による平衡不平衡変換回路を用いると、平衡インピーダンスを不平衡インピーダンス以上にすることが可能である。このため、差動増幅器60の入力側及び出力側のインピーダンス整合を図ることが可能である。なお、差動増幅器60の入力側及び出力側の回路構成によっては、第1平衡不平衡変換回路80及び第2平衡不平衡変換回路81の一方を接続しない構成としてもよい。
【0083】
[第6実施例]
次に、
図10を参照して第6実施例による平衡不平衡変換回路について説明する。以下、
図1から
図4Dまでの図面を参照して説明した第1実施例による平衡不平衡変換回路と共通の構成については説明を省略する。
【0084】
図10は、第6実施例による平衡不平衡変換回路の第1伝送線路トランス10の等価回路図である。
図10において、第1主線路11を中空の細長い長方形で表し、第1副線路12を、ハッチングが付された細長い長方形で表している。第1実施例(
図1)では、第1主線路11及び第1副線路12の線路長が等しい。これに対して第6実施例では、第1副線路12の線路長が第1主線路11の線路長の2倍である。第1主線路11が、第1副線路12の第3端E3から中間地点E34までの部分、及び中間地点E34から第4端E4までの部分に結合している。入力ポートPinが、第1主線路11の第1端E1及び第1副線路の第4端E4に接続されている。第1主線路11の第2端E2が出力ポートPoutに接続されている。
【0085】
第1副線路12に流れるオッドモードの電流の大きさは、第1主線路11に流れる電流の大きさの1/2倍になる。第1副線路12に流れる電流の大きさがIのとき、第1主線路11を流れる電流の大きさは2Iである。入力ポートPinから第1伝送線路トランス10に流入する電流の大きさは3Iであり、出力ポートPoutから流出する電流の大きさは2Iである。
【0086】
入力ポートPinの電位をVと標記すると、第1副線路12の中間地点E34の電位は(1/2)Vになり、第1主線路11の第2端E2の電位は(3/2)Vになる。このため、出力ポートPoutの電位も(3/2)Vになる。入力ポートPinに接続されたインピーダンスの大きさをZS、出力ポートPoutに接続されたインピーダンスの大きさをZLと標記すると、インピーダンスZLはZSの2.25倍である。このように、第6実施例による平衡不平衡変換回路の第1伝送線路トランス10のインピーダンス変換比は2.25になる。
【0087】
次に、
図11を参照して、第6実施例の変形例による平衡不平衡変換回路について説明する。
図11は、第6実施例の変形例による平衡不平衡変換回路の第1伝送線路トランス10の等価回路図である。
図11に示した第6実施例の変形例では、第1主線路11の線路長が第1副線路12の線路長の2倍である。第1主線路11の第1端E1から中間地点E12までの部分、及び中間地点E12から第2端E2までの部分のそれぞれが第1副線路12に結合している。第1主線路11に大きさIの電流が流れると、第1副線路12に大きさが2Iのオッドモードの電流が流れる。
【0088】
このとき、入力ポートPinから第1伝送線路トランス10に流入する電流の大きさが3Iであり、出力ポートPoutから流出する電流の大きさがIである。入力ポートPinの電位をVと標記すると、第1主線路11の中間地点E12の電位が2Vになり、第2端E2の電位が3Vになる。このため、出力ポートPoutの電位も3Vである。インピーダンスZLはZSの9倍である。このように、
図11に示した第6実施例の変形例による平衡不平衡変換回路の第1伝送線路トランス10のインピーダンス変換比は9になる。
【0089】
次に、第6実施例及びその変形例の優れた効果について説明する。
第6実施例及びその変形例のように、第1伝送線路トランス10の第1主線路11及び第1副線路12の線路長を調整することにより、第1伝送線路トランス10のインピーダンス変換比を調整することができる。その結果、第1伝送線路トランス10と第2伝送線路トランス20とを従属接続した平衡不平衡変換回路のインピーダンス変換比を調整することができる。
【0090】
上述の各実施例は例示であり、異なる実施例で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。複数の実施例の同様の構成による同様の作用効果については実施例ごとには逐次言及しない。さらに、本発明は上述の実施例に制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【0091】
本明細書に記載した上記実施例に基づき、以下の発明を開示する。
<1>
入力信号及び出力信号が共に不平衡信号であり、インピーダンス変換を行う第1伝送線路トランスと、
平衡不平衡変換を行う第2伝送線路トランスと、
不平衡信号入出力ノードと、
一対の平衡信号入出力ノードと
を備え、
前記第1伝送線路トランスは、第1主線路と第1副線路とを含み、前記第1主線路と前記第1副線路とは、前記第1主線路の一方の端部である第1端から他方の端部である第2端に向かう向きが、前記第1副線路の一方の端部である第3端から他方の端部である第4端に向かう向きと同一の向きになるように結合しており、前記第4端が前記第1端に接続され、前記第3端がグランドに接続され、前記第1端が前記不平衡信号入出力ノードに接続されており、
前記第2伝送線路トランスは、第2主線路と第2副線路とを含み、前記第2主線路と前記第2副線路とは、前記第2主線路の一方の端部である第5端から他方の端部である第6端に向かう向きが、前記第2副線路の一方の端部である第7端から他方の端部である第8端に向かう向きと同一の向きになるように結合しており、前記第5端は前記第2端に接続されており、前記第6端及び前記第7端はグランドに接続されており、前記第5端及び前記第8端が、それぞれ前記一対の平衡信号入出力ノードに接続されている平衡不平衡変換回路。
【0092】
<2>
前記第1主線路、前記第1副線路、前記第2主線路、及び前記第2副線路は、共通の基板に配置されたスパイラル状の導体パターンで構成されており、平面視において、前記第1主線路及び前記第1副線路を含む前記第1伝送線路トランス、及び前記第2主線路及び前記第2副線路を含む前記第2伝送線路トランスの一方が他方を取り囲んでいる<1>に記載の平衡不平衡変換回路。
【0093】
<3>
前記第1主線路、前記第1副線路、前記第2主線路、及び前記第2副線路のそれぞれは、前記基板に設けられた多層配線層内の導体パターンで構成されており、前記第1主線路と前記第1副線路とは、相互に異なる配線層に配置されており、前記第2主線路と前記第2副線路とは、相互に異なる配線層に配置されている<2>に記載の平衡不平衡変換回路。
【0094】
<4>
前記第1主線路と前記第2主線路とは、同一の配線層のひと続きの導体パターンで構成されている<2>または<3>に記載の平衡不平衡変換回路。
【0095】
<5>
前記第1主線路の少なくとも一部分と前記第1副線路の少なくとも一部分とが、平面視において相互に重なっており、
前記第2主線路の少なくとも一部分と前記第2副線路の少なくとも一部分とが、平面視において相互に重なっている<3>または<4>に記載の平衡不平衡変換回路。
【0096】
<6>
前記第1主線路の幅方向の少なくとも一部分と前記第1副線路の幅方向の少なくとも一部分とが、平面視において相互に重なっており、
前記第2主線路の幅方向の少なくとも一部分と前記第2副線路の幅方向の少なくとも一部分とが、平面視において相互に重なっている<5>に記載の平衡不平衡変換回路。
【0097】
<7>
前記第1主線路、前記第1副線路、前記第2主線路、及び前記第2副線路のそれぞれは、前記基板に設けられた多層配線層内の導体パターンで構成されており、前記第1主線路と前記第1副線路とが同一の配線層に配置されており、前記第2主線路と前記第2副線路とが同一の配線層に配置されている<2>に記載の平衡不平衡変換回路。
【0098】
<8>
前記基板に設けられた平衡信号用の第1外部接続端子及び第2外部接続端子と、
前記第1外部接続端子を前記第5端に接続する第1配線と、
前記第2外部接続端子を前記第8端に接続する第2配線と
を、さらに備え、
前記第2伝送線路トランスが前記第1伝送線路トランスを、平面視において取り囲んでおり、
前記第1外部接続端子及び前記第2外部接続端子は、平面視において、前記第2伝送線路トランスで囲まれた領域の外側に、スパイラル状の前記第2主線路及び前記第2副線路の周方向に並んで配置されており、
前記第1配線は、前記第5端から、前記第2伝送線路トランスで囲まれた領域の外側に向かって、前記第2主線路と直交する方向に延び、
前記第2配線は、前記第8端から、前記第2伝送線路トランスで囲まれた領域の外側に向かって、前記第2副線路と直交する方向に延びる<2>乃至<7>のいずれか1つに記載の平衡不平衡変換回路。
【0099】
<9>
さらに、前記第1端と前記不平衡信号入出力ノードとの間、及び前記第3端とグランドとの間に接続された第1インピーダンス整合回路を備えている<1>乃至<8>のいずれか1つに記載の平衡不平衡変換回路。
【0100】
<10>
さらに、前記第2端及び前記第8端と、前記一対の平衡信号入出力ノードとの間に接続された第2インピーダンス整合回路を備えている<1>乃至<9>のいずれか1項に記載の平衡不平衡変換回路。
【0101】
<11>
一対の入力ノード及び一対の出力ノードを含む差動増幅器と、
<1>乃至<9>のいずれか1つに記載の1つまたは2つの平衡不平衡変換回路と
を備え、
前記平衡不平衡変換回路の1つである第1平衡不平衡変換回路の前記一対の平衡信号入出力ノードが、前記差動増幅器の前記一対の入力ノード及び前記一対の出力ノードの一方に接続されている高周波増幅器。
【0102】
<12>
前記平衡不平衡変換回路は、前記第1平衡不平衡変換回路の他に第2平衡不平衡変換回路を含み、
前記第2平衡不平衡変換回路の前記一対の平衡信号入出力ノードが、前記差動増幅器の前記一対の入力ノード及び前記一対の出力ノードのうち前記第1平衡不平衡変換回路が接続されていない方のノードに接続されている<11>に記載の高周波増幅器。
【符号の説明】
【0103】
10 第1伝送線路トランス
11 第1主線路
12 第1副線路
20 第2伝送線路トランス
21 第2主線路
22 第2副線路
30 グランド配線
31 第1配線
32 第2配線
35 ビア
40 グランド用外部接続端子
41 外部接続端子
42 第1外部接続端子
43 第2外部接続端子
50 基板
51 グランド導体
60 差動増幅器
61 バイアス回路
71 第1インピーダンス整合回路
72 第2インピーダンス整合回路
80、81 平衡不平衡変換回路
GND グランドノード
Diff1、Diff2 平衡信号入出力ノード
SGL 不平衡信号入出力ノード