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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024067951
(43)【公開日】2024-05-17
(54)【発明の名称】排ガス浄化装置
(51)【国際特許分類】
B01J 35/57 20240101AFI20240510BHJP
B01J 35/60 20240101ALI20240510BHJP
B01J 23/63 20060101ALI20240510BHJP
B01D 53/94 20060101ALI20240510BHJP
F01N 3/10 20060101ALI20240510BHJP
【ＦＩ】
B01J35/04 301L
B01J35/10 301F
B01J23/63 A ZAB
B01D53/94 222
B01D53/94 245
B01D53/94 280
F01N3/10 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022178392
(22)【出願日】2022-11-07
(71)【出願人】
【識別番号】000003207
【氏名又は名称】トヨタ自動車株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】000003609
【氏名又は名称】株式会社豊田中央研究所
(71)【出願人】
【識別番号】000104607
【氏名又は名称】株式会社キャタラー
(74)【代理人】
【識別番号】110002572
【氏名又は名称】弁理士法人平木国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】樺嶋 信介
(72)【発明者】
【氏名】山本 敏生
(72)【発明者】
【氏名】畑中 美穂
(72)【発明者】
【氏名】篠崎 哲也
【テーマコード（参考）】
3G091
4D148
4G169
【Ｆターム（参考）】
3G091AB02
3G091AB04
3G091BA01
3G091GB06
3G091GB07
3G091GB10
4D148AA06
4D148AA13
4D148AA18
4D148AB01
4D148AB02
4D148AB09
4D148BA03X
4D148BA07Y
4D148BA08X
4D148BA10X
4D148BA18X
4D148BA19X
4D148BA30Y
4D148BA31X
4D148BA32Y
4D148BA33X
4D148BA34Y
4D148BA39Y
4D148BA41X
4D148BB16
4D148BB17
4D148DA03
4D148DA20
4G169AA03
4G169BA01B
4G169BA05B
4G169BA13B
4G169BB06B
4G169BC13B
4G169BC40B
4G169BC42B
4G169BC43B
4G169BC71B
4G169BC72B
4G169CA03
4G169CA09
4G169DA06
4G169EA19
4G169EB01
4G169EB12Y
4G169EB15X
4G169EB15Y
4G169EC28
4G169EC29
4G169EE06
4G169EE09
(57)【要約】
【課題】ＮＯｘ排出量及びＴＨＣ排出量を低減させる排ガス浄化装置を提供する。
【解決手段】排ガス浄化装置は、排ガスが流入する上流端及び前記排ガスが排出される下流端を有する基材と、前記上流端と前記上流端から前記下流端に向かって第一距離を隔てた第一位置との間の第一領域において前記基材上に形成された、第一触媒粒子を含む第一触媒層と、前記第一領域において前記第一触媒層上に形成された、第二触媒粒子を含む第二触媒層と、を備える。前記第二触媒層は細孔を有し、前記第二触媒層の細孔連結度は、５％～３５％である。前記第二触媒層の断面反射電子像において、前記第二触媒層の前記細孔の面積の平均値は０．７～９．０μｍ２であってよい。
【選択図】図１
【解決手段】排ガス浄化装置は、排ガスが流入する上流端及び前記排ガスが排出される下流端を有する基材と、前記上流端と前記上流端から前記下流端に向かって第一距離を隔てた第一位置との間の第一領域において前記基材上に形成された、第一触媒粒子を含む第一触媒層と、前記第一領域において前記第一触媒層上に形成された、第二触媒粒子を含む第二触媒層と、を備える。前記第二触媒層は細孔を有し、前記第二触媒層の細孔連結度は、５％～３５％である。前記第二触媒層の断面反射電子像において、前記第二触媒層の前記細孔の面積の平均値は０．７～９．０μｍ２であってよい。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
排ガス浄化装置であって、
排ガスが流入する上流端及び前記排ガスが排出される下流端を有する基材と、
前記上流端と前記上流端から前記下流端に向かって第一距離を隔てた第一位置との間の第一領域において前記基材上に形成された、第一触媒粒子を含む第一触媒層と、
前記第一領域において前記第一触媒層上に形成された、第二触媒粒子を含む第二触媒層と、
を備え、
前記第二触媒層が細孔を有し、
下記式（１）：
第二触媒層の細孔連結度（％）＝（Ｓ２／９００）×１００ （１）
（式中、Ｓ２は、前記第二触媒層の断面反射電子像において、３０μｍ四方の領域の外縁と交差又は接触している前記細孔の、前記３０μｍ四方の領域内の面積の合計（μｍ２）の平均値を表す）
で表される前記第二触媒層の細孔連結度が５％～３５％である、排ガス浄化装置。
排ガスが流入する上流端及び前記排ガスが排出される下流端を有する基材と、
前記上流端と前記上流端から前記下流端に向かって第一距離を隔てた第一位置との間の第一領域において前記基材上に形成された、第一触媒粒子を含む第一触媒層と、
前記第一領域において前記第一触媒層上に形成された、第二触媒粒子を含む第二触媒層と、
を備え、
前記第二触媒層が細孔を有し、
下記式（１）：
第二触媒層の細孔連結度（％）＝（Ｓ２／９００）×１００ （１）
（式中、Ｓ２は、前記第二触媒層の断面反射電子像において、３０μｍ四方の領域の外縁と交差又は接触している前記細孔の、前記３０μｍ四方の領域内の面積の合計（μｍ２）の平均値を表す）
で表される前記第二触媒層の細孔連結度が５％～３５％である、排ガス浄化装置。
【請求項2】
前記第二触媒層の前記細孔連結度が１０％～３５％である、請求項１に記載の排ガス浄化装置。
【請求項3】
前記第二触媒層の前記断面反射電子像において、前記断面反射電子像の外縁に接触していない前記細孔の面積の平均値が０．７～９．０μｍ２である、請求項１又は２に記載の排ガス浄化装置。
【請求項4】
前記第二触媒層の前記断面反射電子像において、前記断面反射電子像の外縁に接触していない前記細孔の面積の平均値が２．０～９．０μｍ２である、請求項１又は２に記載の排ガス浄化装置。
【請求項5】
前記第二触媒層が、１５～６５μｍの範囲内の厚さを有する、請求項１又は２に記載の排ガス浄化装置。
【請求項6】
前記第二触媒層が、３５～６５μｍの範囲内の厚さを有する、請求項１又は２に記載の排ガス浄化装置。
【請求項7】
前記第一触媒層が細孔を有し、
下記式（２）：
第一触媒層の細孔連結度（％）＝（Ｓ１／９００）×１００ （２）
（式中、Ｓ１は、前記第一触媒層の断面反射電子像において、３０μｍ四方の領域の外縁と交差又は接触している前記細孔の、前記３０μｍ四方の領域内の面積の合計（μｍ２）の平均値を表す）
で表される前記第一触媒層の細孔連結度が５％～３５％である、請求項１又は２に記載の排ガス浄化装置。
下記式（２）：
第一触媒層の細孔連結度（％）＝（Ｓ１／９００）×１００ （２）
（式中、Ｓ１は、前記第一触媒層の断面反射電子像において、３０μｍ四方の領域の外縁と交差又は接触している前記細孔の、前記３０μｍ四方の領域内の面積の合計（μｍ２）の平均値を表す）
で表される前記第一触媒層の細孔連結度が５％～３５％である、請求項１又は２に記載の排ガス浄化装置。
【請求項8】
前記第一触媒層の前記細孔連結度が５％以上１０％未満である、請求項７に記載の排ガス浄化装置。
【請求項9】
前記排ガス浄化装置が、前記下流端と前記下流端から前記上流端に向かって第二距離を隔てた第二位置との間の第二領域において、前記基材上に形成された、第三触媒粒子を含む第三触媒層をさらに備える、請求項１又は２に記載の排ガス浄化装置。
【請求項10】
前記第三触媒層が細孔を有し、
下記式（３）：
第三触媒層の細孔連結度（％）＝（Ｓ３／９００）×１００ （３）
（式中、Ｓ３は、前記第三触媒層の断面反射電子像において、３０μｍ四方の領域の外縁と交差又は接触している前記細孔の、前記３０μｍ四方の領域内の面積の合計（μｍ２）の平均値を表す）
で表される前記第三触媒層の細孔連結度が５％～３５％である、請求項９に記載の排ガス浄化装置。
下記式（３）：
第三触媒層の細孔連結度（％）＝（Ｓ３／９００）×１００ （３）
（式中、Ｓ３は、前記第三触媒層の断面反射電子像において、３０μｍ四方の領域の外縁と交差又は接触している前記細孔の、前記３０μｍ四方の領域内の面積の合計（μｍ２）の平均値を表す）
で表される前記第三触媒層の細孔連結度が５％～３５％である、請求項９に記載の排ガス浄化装置。
【請求項11】
前記第三触媒層の前記細孔連結度が１０％～３５％である、請求項１０に記載の排ガス浄化装置。
【請求項12】
前記第二触媒層の前記断面反射電子像において、下記式（４）：
細孔の複雑度＝Ｌ２／Ｓ （４）
（式中、Ｓは、前記断面反射電子像の外縁に接触していない前記細孔の面積の平均値を表し、Ｌは、前記断面反射電子像の前記外縁に接触していない前記細孔の周長の平均値を表す）
で表される前記細孔の複雑度が１２．６～１９．０である、請求項１又は２に記載の排ガス浄化装置。
細孔の複雑度＝Ｌ２／Ｓ （４）
（式中、Ｓは、前記断面反射電子像の外縁に接触していない前記細孔の面積の平均値を表し、Ｌは、前記断面反射電子像の前記外縁に接触していない前記細孔の周長の平均値を表す）
で表される前記細孔の複雑度が１２．６～１９．０である、請求項１又は２に記載の排ガス浄化装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、排ガス浄化装置に関する。
【背景技術】
【0002】
自動車等の車両で使用される内燃機関から排出される排ガスには、一酸化炭素（ＣＯ）、炭化水素（ＨＣ）、及び窒素酸化物（ＮＯｘ）等の有害成分が含まれている。これらの有害成分の排出量の規制は年々強化されており、これらの有害成分を除去するために、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）等の貴金属が触媒として用いられている。
【0003】
特許文献１において、細孔を有する触媒層を備える排気ガス浄化用触媒が記載されている。特許文献１において、触媒層が貴金属を含む触媒粉末を含むこと、及び該貴金属としてＰｄ及びＲｈが例示されることが記載されている。
【0004】
特許文献２において、基材と、基材上に形成された触媒層とを有する排ガス浄化装置が記載されている。特許文献２の排ガス浄化装置は、排ガスの流れ方向における上流領域において、基材に接して形成された第一触媒層を有し、第一触媒層は、マクロ孔を画成す内表面を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２００８－２７９４２８号公報
【特許文献2】特開２０２２－０６１２９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
ＮＯｘ排出量及び全炭化水素（ＴＨＣ）排出量のさらなる低減が望まれている。そこで、本発明は、ＮＯｘ排出量及びＴＨＣ排出量を低減させることができる排ガス浄化装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の態様として、以下の項の態様を挙げることができる。
［項１］
排ガス浄化装置であって、
排ガスが流入する上流端及び前記排ガスが排出される下流端を有する基材と、
前記上流端と前記上流端から前記下流端に向かって第一距離を隔てた第一位置との間の第一領域において前記基材上に形成された、第一触媒粒子を含む第一触媒層と、
前記第一領域において前記第一触媒層上に形成された、第二触媒粒子を含む第二触媒層と、
を備え、
前記第二触媒層が細孔を有し、
下記式（１）：
第二触媒層の細孔連結度（％）＝（Ｓ２／９００）×１００ （１）
（式中、Ｓ２は、前記第二触媒層の断面反射電子像において、３０μｍ四方の領域の外縁と交差又は接触している前記細孔の、前記３０μｍ四方の領域内の面積の合計（μｍ２）の平均値を表す）
で表される前記第二触媒層の細孔連結度が５％～３５％である、排ガス浄化装置。
［項２］
前記第二触媒層の前記細孔連結度が１０％～３５％である、項１に記載の排ガス浄化装置。
［項３］
前記第二触媒層の前記断面反射電子像において、前記断面反射電子像の外縁に接触していない前記細孔の面積の平均値が０．７～９．０μｍ２である、項１又は２に記載の排ガス浄化装置。
［項４］
前記第二触媒層の前記断面反射電子像において、前記断面反射電子像の外縁に接触していない前記細孔の面積の平均値が２．０～９．０μｍ２である、項１～３のいずれか一項に記載の排ガス浄化装置。
［項５］
前記第二触媒層が、１５～６５μｍの範囲内の厚さを有する、項１～４のいずれか一項に記載の排ガス浄化装置。
［項６］
前記第二触媒層が、３５～６５μｍの範囲内の厚さを有する、項１～５のいずれか一項に記載の排ガス浄化装置。
［項７］
前記第一触媒層が細孔を有し、
下記式（２）：
第一触媒層の細孔連結度（％）＝（Ｓ１／９００）×１００ （２）
（式中、Ｓ１は、前記第一触媒層の断面反射電子像において、３０μｍ四方の領域の外縁と交差又は接触している前記細孔の、前記３０μｍ四方の領域内の面積の合計（μｍ２）の平均値を表す）
で表される前記第一触媒層の細孔連結度が５％～３５％である、項１～６のいずれか一項に記載の排ガス浄化装置。
［項８］
前記第一触媒層の前記細孔連結度が５％以上１０％未満である、項７に記載の排ガス浄化装置。
［項９］
前記排ガス浄化装置が、前記下流端と前記下流端から前記上流端に向かって第二距離を隔てた第二位置との間の第二領域において、前記基材上に形成された、第三触媒粒子を含む第三触媒層をさらに備える、項１～８のいずれか一項に記載の排ガス浄化装置。
［項１０］
前記第三触媒層が細孔を有し、
下記式（３）：
第三触媒層の細孔連結度（％）＝（Ｓ３／９００）×１００ （３）
（式中、Ｓ３は、前記第三触媒層の断面反射電子像において、３０μｍ四方の領域の外縁と交差又は接触している前記細孔の、前記３０μｍ四方の領域内の面積の合計（μｍ２）の平均値を表す）
で表される前記第三触媒層の細孔連結度が５％～３５％である、項９に記載の排ガス浄化装置。
［項１１］
前記第三触媒層の前記細孔連結度が１０％～３５％である、項１０に記載の排ガス浄化装置。
［項１２］
前記第二触媒層の前記断面反射電子像において、下記式（４）：
細孔の複雑度＝Ｌ２／Ｓ （４）
（式中、Ｓは、前記断面反射電子像の外縁に接触していない前記細孔の面積の平均値を表し、Ｌは、前記断面反射電子像の前記外縁に接触していない前記細孔の周長の平均値を表す）
で表される前記細孔の複雑度が１２．６～１９．０である、項１～１１のいずれか一項に記載の排ガス浄化装置。
［項１］
排ガス浄化装置であって、
排ガスが流入する上流端及び前記排ガスが排出される下流端を有する基材と、
前記上流端と前記上流端から前記下流端に向かって第一距離を隔てた第一位置との間の第一領域において前記基材上に形成された、第一触媒粒子を含む第一触媒層と、
前記第一領域において前記第一触媒層上に形成された、第二触媒粒子を含む第二触媒層と、
を備え、
前記第二触媒層が細孔を有し、
下記式（１）：
第二触媒層の細孔連結度（％）＝（Ｓ２／９００）×１００ （１）
（式中、Ｓ２は、前記第二触媒層の断面反射電子像において、３０μｍ四方の領域の外縁と交差又は接触している前記細孔の、前記３０μｍ四方の領域内の面積の合計（μｍ２）の平均値を表す）
で表される前記第二触媒層の細孔連結度が５％～３５％である、排ガス浄化装置。
［項２］
前記第二触媒層の前記細孔連結度が１０％～３５％である、項１に記載の排ガス浄化装置。
［項３］
前記第二触媒層の前記断面反射電子像において、前記断面反射電子像の外縁に接触していない前記細孔の面積の平均値が０．７～９．０μｍ２である、項１又は２に記載の排ガス浄化装置。
［項４］
前記第二触媒層の前記断面反射電子像において、前記断面反射電子像の外縁に接触していない前記細孔の面積の平均値が２．０～９．０μｍ２である、項１～３のいずれか一項に記載の排ガス浄化装置。
［項５］
前記第二触媒層が、１５～６５μｍの範囲内の厚さを有する、項１～４のいずれか一項に記載の排ガス浄化装置。
［項６］
前記第二触媒層が、３５～６５μｍの範囲内の厚さを有する、項１～５のいずれか一項に記載の排ガス浄化装置。
［項７］
前記第一触媒層が細孔を有し、
下記式（２）：
第一触媒層の細孔連結度（％）＝（Ｓ１／９００）×１００ （２）
（式中、Ｓ１は、前記第一触媒層の断面反射電子像において、３０μｍ四方の領域の外縁と交差又は接触している前記細孔の、前記３０μｍ四方の領域内の面積の合計（μｍ２）の平均値を表す）
で表される前記第一触媒層の細孔連結度が５％～３５％である、項１～６のいずれか一項に記載の排ガス浄化装置。
［項８］
前記第一触媒層の前記細孔連結度が５％以上１０％未満である、項７に記載の排ガス浄化装置。
［項９］
前記排ガス浄化装置が、前記下流端と前記下流端から前記上流端に向かって第二距離を隔てた第二位置との間の第二領域において、前記基材上に形成された、第三触媒粒子を含む第三触媒層をさらに備える、項１～８のいずれか一項に記載の排ガス浄化装置。
［項１０］
前記第三触媒層が細孔を有し、
下記式（３）：
第三触媒層の細孔連結度（％）＝（Ｓ３／９００）×１００ （３）
（式中、Ｓ３は、前記第三触媒層の断面反射電子像において、３０μｍ四方の領域の外縁と交差又は接触している前記細孔の、前記３０μｍ四方の領域内の面積の合計（μｍ２）の平均値を表す）
で表される前記第三触媒層の細孔連結度が５％～３５％である、項９に記載の排ガス浄化装置。
［項１１］
前記第三触媒層の前記細孔連結度が１０％～３５％である、項１０に記載の排ガス浄化装置。
［項１２］
前記第二触媒層の前記断面反射電子像において、下記式（４）：
細孔の複雑度＝Ｌ２／Ｓ （４）
（式中、Ｓは、前記断面反射電子像の外縁に接触していない前記細孔の面積の平均値を表し、Ｌは、前記断面反射電子像の前記外縁に接触していない前記細孔の周長の平均値を表す）
で表される前記細孔の複雑度が１２．６～１９．０である、項１～１１のいずれか一項に記載の排ガス浄化装置。
【発明の効果】
【0008】
本発明の排ガス浄化装置は、ＮＯｘ排出量及びＴＨＣ排出量を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、図面を参照して本開示の実施形態を説明する。以下の説明で参照する図面において、同一の部材又は同様の機能を有する部材には同一の符号を付し、繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率が説明の都合上実際の比率とは異なったり、部材の一部が図面から省略されたりする場合がある。また、本願において、記号「～」を用いて表される数値範囲は、記号「～」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む。本願において記載された数値範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。本願において「～上に」との記載は、文脈上特に明記されていない限り、「直接的に～上に」及び「間接的に～上に」の両方を包含する。本願において、「～を含む」は追加の成分を含み得ることを意味し、「～から本質的になる」及び「～からなる」を包含する。「～から本質的になる」は、実質的に悪影響を及ぼさない追加の成分を含み得ることを意味する。「～からなる」は、記載される材料のみを含むことを意味するが、不可避の不純物を含むことを除外しない。
【0011】
実施形態に係る排ガス浄化装置１００を、図１、２を参照しながら説明する。実施形態に係る排ガス浄化装置１００は、基材１０、第一触媒層２０、第二触媒層３０、及び第三触媒層４０を備える。なお、第三触媒層４０は必須ではない。
【0012】
（１）基材１０
基材１０の形状は特に限定されないが、例えば、基材１０は、図２に示すように、枠部１２と、枠部１２の内側の空間を仕切って複数のセル１４を画成する隔壁１６から構成されてよい。枠部１２と隔壁１６は一体的に形成されていてよい。枠部１２は、円筒状、楕円筒状、多角筒状等の任意の形状であってよい。隔壁１６は、基材１０の第一端（第一端面）Ｉと第二端（第二端面）Ｊの間に延設され、第一端Ｉと第二端Ｊの間で延伸する複数のセル１４を画成する。各セル１４の断面形状は、正方形、平行四辺形、長方形、台形などの四角形、三角形、その他の多角形（例えば、六角形、八角形）、円形等の任意の形状であってよい。
基材１０の形状は特に限定されないが、例えば、基材１０は、図２に示すように、枠部１２と、枠部１２の内側の空間を仕切って複数のセル１４を画成する隔壁１６から構成されてよい。枠部１２と隔壁１６は一体的に形成されていてよい。枠部１２は、円筒状、楕円筒状、多角筒状等の任意の形状であってよい。隔壁１６は、基材１０の第一端（第一端面）Ｉと第二端（第二端面）Ｊの間に延設され、第一端Ｉと第二端Ｊの間で延伸する複数のセル１４を画成する。各セル１４の断面形状は、正方形、平行四辺形、長方形、台形などの四角形、三角形、その他の多角形（例えば、六角形、八角形）、円形等の任意の形状であってよい。
【0013】
基材１０は、例えば、コージェライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２）、アルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素等の高い耐熱性を有するセラミックス材料、又はステンレス鋼箔等の金属箔から形成されてよい。コストの観点から、基材１０はコージェライト製であってよい。
【0014】
図１、２において、破線矢印は、排ガス浄化装置１００及び基材１０中の排ガスの流れ方向を示す。排ガスは、第一端Ｉを通って排ガス浄化装置１００に流入し、第二端Ｊを通って排ガス浄化装置１００から排出される。そのため、以降、適宜、第一端Ｉを上流端Ｉ、第二端Ｊを下流端Ｊとも呼ぶ。本明細書において、上流端Ｉと下流端Ｊの間の長さ、すなわち基材１０の全長を、Ｌｓと表す。
【0015】
（２）第一触媒層２０
第一触媒層２０は、上流端Ｉと、上流端Ｉから下流端Ｊに向かって（すなわち、排ガスの流れ方向に）第一距離Ｌａを隔てた第一位置Ｐとの間の第一領域Ｘにおいて基材１０上に形成される。第一触媒層２０は、少なくとも第一領域Ｘに形成されていればよく、第一位置Ｐを越えて延在するように形成されてもよい。
第一触媒層２０は、上流端Ｉと、上流端Ｉから下流端Ｊに向かって（すなわち、排ガスの流れ方向に）第一距離Ｌａを隔てた第一位置Ｐとの間の第一領域Ｘにおいて基材１０上に形成される。第一触媒層２０は、少なくとも第一領域Ｘに形成されていればよく、第一位置Ｐを越えて延在するように形成されてもよい。
【0016】
第一触媒層２０は、第一触媒粒子を含む。第一触媒粒子は、主に、ＨＣを酸化させるための触媒として機能する。第一触媒粒子は、例えば、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、銀（Ａｇ）、及び金（Ａｕ）からなる群から選択される少なくとも１種の金属の粒子であってよく、特にＰｔ又はＰｄから選択される少なくとも１種の金属の粒子であってよい。第一触媒層２０における第一触媒粒子の含有量は、第一領域Ｘにおける基材容量を基準として、例えば０．１～１０ｇ／Ｌであってよく、好ましくは１～９ｇ／Ｌであってよく、より好ましくは３～７ｇ／Ｌであってよい。それにより排ガス浄化装置１００が十分に高い排ガス浄化性能を有することができる。
【0017】
第一触媒粒子は、担体粒子上に担持されてもよい。第一触媒粒子は、含浸担持法、吸着担持法、吸水担持法等の任意の担持法で担持することができる。
【0018】
担体粒子は、金属酸化物を含んでよい。金属酸化物の例としては、元素周期表の３族、４族、及び１３族の金属、並びにランタノイド系の金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物が挙げられ、より具体的には、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ルテチウム（Ｌｕ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物が挙げられる。金属酸化物は、好ましくは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、及びＡｌからなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物であってよい。金属酸化物が２種以上の金属の酸化物である場合、担体粒子は、２種以上の金属酸化物の混合物を含む粒子、２種以上の金属を含む複合酸化物を含む粒子、又は少なくとも１種の金属酸化物と少なくとも１種の複合酸化物との混合物を含む粒子であってよい。
【0019】
担体粒子は、酸素過剰雰囲気下で雰囲気中の酸素を吸蔵し、酸素欠乏雰囲気下で酸素を放出するＯＳＣ（Ｏｘｙｇｅｎ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｃａｐａｃｉｔｙ）材として機能する粒子を含んでよい。ＯＳＣ材の例としては、セリア（ＣｅＯ２）、セリア及び他の酸化物の複合酸化物（例えば、セリア及びジルコニア（ＺｒＯ２）の複合酸化物（Ｃｅ－Ｚｒ系複合酸化物）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、セリア、及びジルコニアの複合酸化物（Ａｌ－Ｃｅ－Ｚｒ系複合酸化物））、並びにこれらに添加物を加えた材料が挙げられる。特に、高い酸素吸蔵能を有し且つ比較的安価であることから、Ｃｅ－Ｚｒ系複合酸化物をＯＳＣ材として用いてよい。添加物は、例えば、ランタナ（Ｌａ２Ｏ３）、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、ネオジミア（Ｎｄ２Ｏ３）、又はプラセオジミア（Ｐｒ６Ｏ１１）の少なくともいずれか１種であってよく、これらの材料はＯＳＣ材の耐熱性を向上させることができる。添加物は、ＯＳＣ材の主成分と共に複合酸化物を形成していてよい。
【0020】
第一触媒層２０は、さらに、その他の任意成分を含んでいてもよい。その他の任意成分としては、例えば、バインダー及び添加物が挙げられる。
【0021】
第一触媒層２０は細孔（不図示）を有してよい。それにより、第一触媒層２０中の排ガスの拡散性が向上し、排ガスの効率的な浄化が可能になる。
【0022】
下記式（２）：
第一触媒層の細孔連結度（％）＝（Ｓ１／９００）×１００ （２）
（式中、Ｓ１は、第一触媒層２０の断面反射電子像において、３０μｍ四方の領域の外縁と交差又は接触している細孔の、前記３０μｍ四方の領域内の面積の合計（μｍ２）（以下、連結細孔面積という）の平均値を表す）
で表される第一触媒層２０の細孔連結度は、５％～３５％であってよい。それにより、排ガス浄化装置１００の排ガス浄化性能を向上させることができる。連結細孔面積は、ＩｍａｇｅＪ等の画像解析ソフトを用いて測定することができる。無作為に選択した１０箇所以上において連結細孔面積を測定し、得られた値の算術平均を計算することにより、連結細孔面積の平均値Ｓ１を求めることができる。
第一触媒層の細孔連結度（％）＝（Ｓ１／９００）×１００ （２）
（式中、Ｓ１は、第一触媒層２０の断面反射電子像において、３０μｍ四方の領域の外縁と交差又は接触している細孔の、前記３０μｍ四方の領域内の面積の合計（μｍ２）（以下、連結細孔面積という）の平均値を表す）
で表される第一触媒層２０の細孔連結度は、５％～３５％であってよい。それにより、排ガス浄化装置１００の排ガス浄化性能を向上させることができる。連結細孔面積は、ＩｍａｇｅＪ等の画像解析ソフトを用いて測定することができる。無作為に選択した１０箇所以上において連結細孔面積を測定し、得られた値の算術平均を計算することにより、連結細孔面積の平均値Ｓ１を求めることができる。
【0023】
また、連結細孔面積の平均値Ｓ１と、上記３０μｍ四方の領域内に含まれる全細孔の面積の合計（μｍ２）（以下、全細孔面積という）の平均値Ｓａ１の比（Ｓ１／Ｓａ１）は、３５％～８５％であってよい。全細孔面積は、ＩｍａｇｅＪ等の画像解析ソフトを用いて測定することができる。無作為に選択した１０箇所以上において全細孔面積を測定し、得られた値の算術平均を計算することにより、全細孔面積の平均値Ｓａ１を求めることができる。
【0024】
第一触媒層２０の断面反射電子像において、細孔の面積の平均値は０．７～９．０μｍ２であってよく、細孔の面積円相当直径の平均値は０．７～２μｍであってよく、細孔の周長の平均値は４．０～１２μｍであってよい。本願において、細孔の面積の平均値、細孔の面積円相当直径の平均値、及び細孔の周長の平均値は、ＩｍａｇｅＪ等の画像解析ソフトを用いて、反射電子像及び画像解析ソフトの分解能以上の大きさを有するとともに、画像の外縁と接触していない細孔を１０個以上無作為に選択し、これらの細孔のそれぞれの面積、面積円相当直径、及び周長を測定し、得られた値の算術平均を計算することにより求めることができる。
【0025】
また、第一触媒層２０の断面反射電子像において、下記式（４）：
細孔の複雑度＝Ｌ２／Ｓ （４）
（式中、Ｓは、断面反射電子像の外縁に接触していない細孔の面積の平均値を表し、Ｌは、断面反射電子像の前記外縁に接触していない細孔の周長の平均値を表す）
で表される細孔の複雑度が１２．６～１９．０であってよい。
細孔の複雑度＝Ｌ２／Ｓ （４）
（式中、Ｓは、断面反射電子像の外縁に接触していない細孔の面積の平均値を表し、Ｌは、断面反射電子像の前記外縁に接触していない細孔の周長の平均値を表す）
で表される細孔の複雑度が１２．６～１９．０であってよい。
【0026】
いくつかの実施形態において、第一触媒層２０の細孔連結度は、５％以上１０％未満であってよい。また、連結細孔面積の平均値Ｓ１と全細孔面積の平均値Ｓａ１の比（Ｓ１／Ｓａ１）は、３５％以上５０％未満であってよい。第一触媒層２０の断面反射電子像において、細孔の面積の平均値は０．７μｍ２以上２．０μｍ２未満であってよく、細孔の面積円相当直径の平均値は０．７μｍ以上１．５μｍ未満であってよく、細孔の周長の平均値は４．０μｍ以上６μｍ未満であってよく、細孔の複雑度は１５．０超１９．０以下であってよい。第一触媒層２０がこのような細孔構造を有する場合、第一触媒層２０と第二触媒層３０の間での剥離の発生が防止又は低減される。このような細孔構造を有する第一触媒層２０は、造孔材を用いて形成することができる。
【0027】
第一触媒層２０は、例えば以下のようにして形成することができる。
【0028】
まず、第一触媒粒子前駆体及び担体粉末を含むスラリーを調製する。あるいは、予め第一触媒粒子を担持した担体粉末を含むスラリーを調製してもよい。スラリーはさらに、造孔材、バインダー、添加物等を含んでよい。スラリーの性状、例えば、粘性、固形成分の粒子径等は、適宜調整してよい。調製したスラリーを、第一領域Ｘにおいて基材１０に塗布する。例えば、基材１０を、上流端Ｉ側から第一距離Ｌａに対応する深さまでスラリーに浸漬し、所定の時間が経過した後、該スラリーから基材１０を引き上げることにより、第一領域Ｘにおいてスラリーを基材１０に塗布できる。あるいは、基材１０の上流端Ｉからセル１４にスラリーを流し込み、上流端Ｉにブロアーで風を吹きつけてスラリーを下流端Ｊに向かって塗り広げることにより、スラリーを基材１０に塗布してもよい。次に、所定の温度及び時間でスラリーを加熱してスラリー層中の溶媒を蒸発させるとともに、スラリー層が造孔材を含む場合には造孔材を消失させる。造孔材が消失すると、造孔材が存在していた部分に、造孔材の形状に応じた形状を有する細孔が形成される。こうして、第一領域Ｘにおいて、第一触媒層２０が基材１０上に形成される。
【0029】
造孔材としては、繊維状造孔材を用いてよい。繊維状造孔材として、例えば、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）繊維、アクリル繊維、ナイロン繊維、レーヨン繊維、セルロース繊維が挙げられる。加工の容易性と消失温度のバランスの観点から、造孔材は、ＰＥＴ繊維及びナイロン繊維からなる群から選択される少なくとも１種であってよい。
【0030】
第一触媒粒子前駆体としては、第一触媒粒子を構成する金属の適切な無機酸塩、例えば、塩化水素酸塩、硝酸塩、リン酸塩、硫酸塩、ホウ酸塩、フッ化水素酸塩等を用いることができる。
【0031】
（３）第二触媒層３０
第二触媒層３０は、第一領域Ｘにおいて第一触媒層２０上に形成される。第二触媒層３０は、少なくとも第一領域Ｘに形成されていればよく、第一位置Ｐを越えて延在するように形成されてもよい。第一領域Ｘの外において、第二触媒層３０は直接的に基材１０上に形成されてもよいし、間接的に基材１０上に形成されてもよい。
第二触媒層３０は、第一領域Ｘにおいて第一触媒層２０上に形成される。第二触媒層３０は、少なくとも第一領域Ｘに形成されていればよく、第一位置Ｐを越えて延在するように形成されてもよい。第一領域Ｘの外において、第二触媒層３０は直接的に基材１０上に形成されてもよいし、間接的に基材１０上に形成されてもよい。
【0032】
第二触媒層３０は、第二触媒粒子を含む。第二触媒粒子は、主に、ＮＯｘを還元させるための触媒として機能する。第二触媒粒子は、例えば、ロジウム（Ｒｈ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、銀（Ａｇ）、及び金（Ａｕ）からなる群から選択される少なくとも１種の金属の粒子であってよく、特にＲｈ粒子であってよい。第二触媒粒子を構成する金属は、第一触媒粒子を構成する金属とは異なっていてよい。第二触媒層３０における第二触媒粒子の含有量は、第二領域Ｙにおける基材容量を基準として、例えば０．０５～５ｇ／Ｌ、０．１～２．５ｇ／Ｌ、０．２～１．２ｇ／Ｌ、又は０．４～０．６ｇ／Ｌであってよい。それにより排ガス浄化装置１００が十分に高い排ガス浄化性能を有することができる。
【0033】
第二触媒粒子は、担体粒子上に担持されてもよい。第二触媒粒子は、含浸担持法、吸着担持法、吸水担持法等の任意の担持法で担持することができる。第二触媒層３０において用いることができる担体粒子は、第一触媒層２０において用いることができる担体粒子と同様である。
【0034】
第二触媒層３０は、さらに、その他の任意成分を含んでいてもよい。その他の任意成分としては、例えば、バインダー及び添加物が挙げられる。
【0035】
第二触媒層３０は細孔３２を有する。それにより、第二触媒層３０中の排ガスの拡散性が向上し、排ガスの効率的な浄化が可能になる。
【0036】
下記式（１）：
第二触媒層の細孔連結度（％）＝（Ｓ２／９００）×１００ （１）
（式中、Ｓ２は、第二触媒層３０の断面反射電子像において、３０μｍ四方の領域の外縁と交差又は接触している細孔３２の、前記３０μｍ四方の領域内の面積の合計（μｍ２）（以下、連結細孔面積という）の平均値を表す）
で表される第二触媒層３０の細孔連結度は、５％～３５％であってよい。第二触媒層３０の細孔連結度が５％以上であることにより、第二触媒層３０中の排ガスの拡散性が一層向上するため、排ガス浄化装置１００からのＮＯｘ排出量及びＴＨＣ排出量を低減させることができる。第二触媒層３０の細孔連結度が３５％以下であることにより、第二触媒層の一部又は全部が剥離することを防止又は軽減することができるとともに、排ガス浄化装置１００による圧力損失を低減することができる。連結細孔面積は、ＩｍａｇｅＪ等の画像解析ソフトを用いて測定することができる。無作為に選択した１０箇所以上において連結細孔面積を測定し、得られた値の算術平均を計算することにより、連結細孔面積の平均値Ｓ２を求めることができる。
第二触媒層の細孔連結度（％）＝（Ｓ２／９００）×１００ （１）
（式中、Ｓ２は、第二触媒層３０の断面反射電子像において、３０μｍ四方の領域の外縁と交差又は接触している細孔３２の、前記３０μｍ四方の領域内の面積の合計（μｍ２）（以下、連結細孔面積という）の平均値を表す）
で表される第二触媒層３０の細孔連結度は、５％～３５％であってよい。第二触媒層３０の細孔連結度が５％以上であることにより、第二触媒層３０中の排ガスの拡散性が一層向上するため、排ガス浄化装置１００からのＮＯｘ排出量及びＴＨＣ排出量を低減させることができる。第二触媒層３０の細孔連結度が３５％以下であることにより、第二触媒層の一部又は全部が剥離することを防止又は軽減することができるとともに、排ガス浄化装置１００による圧力損失を低減することができる。連結細孔面積は、ＩｍａｇｅＪ等の画像解析ソフトを用いて測定することができる。無作為に選択した１０箇所以上において連結細孔面積を測定し、得られた値の算術平均を計算することにより、連結細孔面積の平均値Ｓ２を求めることができる。
【0037】
また、連結細孔面積の平均値Ｓ２と、上記３０μｍ四方の領域内に含まれる全細孔３２の面積の合計（μｍ２）（以下、全細孔面積という）の平均値Ｓａ２の比（Ｓ２／Ｓａ２）は、３５％～８５％であってよい。全細孔面積は、ＩｍａｇｅＪ等の画像解析ソフトを用いて測定することができる。無作為に選択した１０箇所以上において全細孔面積を測定し、得られた値の算術平均を計算することにより、全細孔面積の平均値Ｓａ２を求めることができる。
【0038】
第二触媒層３０の断面反射電子像において、細孔３２の面積の平均値は０．７～９．０μｍ２であってよく、細孔３２の面積円相当直径の平均値は０．７～２μｍであってよく、細孔３２の周長の平均値は４．０～１２μｍであってよく、上記式（４）で定義される細孔３２の複雑度は１２．６～１９．０であってよい。細孔の面積の平均値、細孔の面積円相当直径の平均値、及び細孔の周長の平均値は、第一触媒層２０と同様の方法で求めることができる。
【0039】
いくつかの実施形態において、第二触媒層３０の細孔連結度は、１０％～３５％であってよい。それにより、排ガス浄化装置１００からのＮＯｘ排出量及びＴＨＣ排出量をさらに低減させることができる。このような高い細孔連結度を有する第二触媒層３０は、第二触媒層３０の形成に用いるスラリー中の固形成分の粒子径を制御することにより形成することができる。造孔材を用いて細孔３２を形成する場合は、基材１０のクラックの発生を防止するために多量の造孔材を使用することができないため、このような高い細孔連結度を得ることは難しい。また、これらの実施形態において、連結細孔面積の平均値Ｓ２と全細孔面積の平均値Ｓａ２の比（Ｓ２／Ｓａ２）は、５０％～８５％であってよい。第二触媒層３０の断面反射電子像において、細孔３２の面積の平均値は２．０～９．０μｍ２であってよく、細孔３２の面積円相当直径の平均値は１．５～２μｍであってよく、細孔３２の周長の平均値は６～１２μｍであってよく、上記式（４）で定義される細孔３２の複雑度は１２．６～１５．０であってよい。
【0040】
第二触媒層３０は、１５～６５μｍの厚さを有してよい。この場合、排ガス浄化装置１００からのＮＯｘ排出量及びＴＨＣ排出量が一層低減する。特に、第二触媒層３０は、３５～６５μｍ、又は４０～６５μｍの範囲内の厚さを有してよい。この場合、排ガス浄化装置１００からのＮＯｘ排出量及びＴＨＣ排出量が顕著に低減する。
【0041】
第二触媒層３０は、例えば以下のようにして形成することができる。
【0042】
まず、第二触媒粒子前駆体及び担体粉末を含むスラリーを調製する。あるいは、予め第二触媒粒子を担持した担体粉末を含むスラリーを調製してもよい。また、スラリーはさらに、造孔材、バインダー、添加物等を含んでよい。スラリーの性状、例えば、粘性、固形成分の粒子径等は、適宜調整してよい。例えば、固形成分の粒子径は、撹拌機、粉砕機、ビーズミル、ボールミル等を用いた固形成分の粉砕の条件（例えば、粉砕時間）により調整することができる。調製したスラリーを、第一領域Ｘにおいて、予め第一触媒層２０が形成された基材１０に塗布する。例えば、基材１０を、上流端Ｉ側から第一距離Ｌａに対応する深さまでスラリーに浸漬し、所定の時間が経過した後、該スラリーから基材１０を引き上げることにより、スラリーを第一触媒層２０上に塗布できる。あるいは、基材１０の上流端Ｉからセル１４にスラリーを流し込み、上流端Ｉにブロアーで風を吹きつけてスラリーを下流端Ｊに向かって塗り広げることにより、スラリーを第一触媒層２０上に塗布してもよい。次に、所定の温度及び時間でスラリーを加熱してスラリー層中の溶媒を蒸発させるとともに、スラリー層が造孔材を含む場合には造孔材を消失させる。造孔材が消失すると、造孔材が存在していた部分に、造孔材の形状に応じた形状を有する細孔３２が形成される。こうして、第一領域Ｘにおいて、第一触媒層２０上に第二触媒層３０が形成される。
【0043】
（３）第三触媒層４０
第三触媒層４０は、下流端Ｊと下流端Ｊから上流端Ｉに向かって（すなわち、排ガスの流れ方向と反対の方向に）第二距離Ｌｂを隔てた第二位置Ｑとの間の第二領域Ｙにおいて、基材１０上に形成される。なお、図１において、第二位置Ｑは第一位置Ｐよりも下流に位置するが、図１に示す第一位置Ｐ及び第二位置Ｑの相対関係は単なる例示である。例えば、図３に示すように、第一位置Ｐと第二位置Ｑは同じ位置にあってもよい。
第三触媒層４０は、下流端Ｊと下流端Ｊから上流端Ｉに向かって（すなわち、排ガスの流れ方向と反対の方向に）第二距離Ｌｂを隔てた第二位置Ｑとの間の第二領域Ｙにおいて、基材１０上に形成される。なお、図１において、第二位置Ｑは第一位置Ｐよりも下流に位置するが、図１に示す第一位置Ｐ及び第二位置Ｑの相対関係は単なる例示である。例えば、図３に示すように、第一位置Ｐと第二位置Ｑは同じ位置にあってもよい。
【0044】
第三触媒層４０は、第三触媒粒子を含む。第三触媒粒子は、主に、ＮＯｘを還元させるための触媒として機能する。第三触媒粒子は、例えば、ロジウム（Ｒｈ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、銀（Ａｇ）、及び金（Ａｕ）からなる群から選択される少なくとも１種の金属の粒子であってよく、特にＲｈ粒子であってよい。第三触媒粒子を構成する金属は、第一触媒粒子を構成する金属とは異なっていてよく、第二触媒粒子を構成する金属と同じであってよい。第三触媒層４０における第三触媒粒子の含有量は、第二領域Ｙにおける基材容量を基準として、例えば０．０５～５ｇ／Ｌ、０．１～２．５ｇ／Ｌ、０．２～１．２ｇ／Ｌ、又は０．４～０．６ｇ／Ｌであってよい。それにより排ガス浄化装置１００が十分に高い排ガス浄化性能を有することができる。
【0045】
第三触媒粒子は、担体粒子上に担持されてもよい。第三触媒粒子は、含浸担持法、吸着担持法、吸水担持法等の任意の担持法で担持することができる。第三触媒層４０において用いることができる担体粒子は、第一触媒層２０において用いることができる担体粒子と同様である。
【0046】
第三触媒層４０は、さらに、その他の任意成分を含んでいてもよい。その他の任意成分としては、例えば、バインダー及び添加物が挙げられる。
【0047】
第三触媒層４０は細孔（不図示）を有してよい。それにより、第三触媒層４０中の排ガスの拡散性が向上し、排ガスの効率的な浄化が可能になる。
【0048】
下記式（３）：
第三触媒層の細孔連結度（％）＝（Ｓ３／９００）×１００ （３）
（式中、Ｓ３は、第三触媒層４０の断面反射電子像において、３０μｍ四方の領域の外縁と交差又は接触している細孔の、前記３０μｍ四方の領域内の面積の合計（μｍ２）（以下、連結細孔面積という）の平均値を表す）
で表される第三触媒層４０の細孔連結度は、５％～３５％であってよい。それにより、排ガス浄化装置１００からのＮＯｘ排出量を低減させることができる。連結細孔面積は、ＩｍａｇｅＪ等の画像解析ソフトを用いて測定することができる。無作為に選択した１０箇所以上において連結細孔面積を測定し、得られた値の算術平均を計算することにより、連結細孔面積の平均値Ｓ３を求めることができる。
第三触媒層の細孔連結度（％）＝（Ｓ３／９００）×１００ （３）
（式中、Ｓ３は、第三触媒層４０の断面反射電子像において、３０μｍ四方の領域の外縁と交差又は接触している細孔の、前記３０μｍ四方の領域内の面積の合計（μｍ２）（以下、連結細孔面積という）の平均値を表す）
で表される第三触媒層４０の細孔連結度は、５％～３５％であってよい。それにより、排ガス浄化装置１００からのＮＯｘ排出量を低減させることができる。連結細孔面積は、ＩｍａｇｅＪ等の画像解析ソフトを用いて測定することができる。無作為に選択した１０箇所以上において連結細孔面積を測定し、得られた値の算術平均を計算することにより、連結細孔面積の平均値Ｓ３を求めることができる。
【0049】
また、連結細孔面積の平均値Ｓ３と、上記３０μｍ四方の領域内に含まれる全細孔の面積の合計（μｍ２）（以下、全細孔面積という）の平均値Ｓａ３の比（Ｓ３／Ｓａ３）は、３５％～８５％であってよい。全細孔面積は、ＩｍａｇｅＪ等の画像解析ソフトを用いて測定することができる。無作為に選択した１０箇所以上において全細孔面積を測定し、得られた値の算術平均を計算することにより、全細孔面積の平均値Ｓａ３を求めることができる。
【0050】
第三触媒層４０の断面反射電子像において、細孔の面積の平均値は０．７～９．０μｍ２であってよく、細孔の面積円相当直径の平均値は０．７～２μｍであってよく、細孔の周長の平均値は４．０～１２μｍであってよく、上記式（４）で定義される細孔の複雑度は１２．６～１９．０であってよい。細孔の面積の平均値、細孔の面積円相当直径の平均値、及び細孔の周長の平均値は、第一触媒層２０と同様の方法で求めることができる。
【0051】
いくつかの実施形態において、第三触媒層４０の細孔連結度は、１０％～３５％であってよい。それにより、排ガス浄化装置１００からのＮＯｘ排出量及びＴＨＣ排出量をさらに低減させることができる。このような高い細孔連結度を有する第三触媒層４０は、第三触媒層４０の形成に用いるスラリー中の固形成分の粒子径を制御することにより形成することができる。造孔材を用いて細孔を形成する場合は、基材１０のクラックの発生を防止するために多量の造孔材を使用することができないため、このような高い細孔連結度を得ることは難しい。また、これらの実施形態において、連結細孔面積の平均値Ｓ３と全細孔面積の平均値Ｓａ３の比（Ｓ３／Ｓａ３）は、５０％～８５％であってよい。第三触媒層４０の断面反射電子像において、細孔の面積の平均値は２．０～９．０μｍ２であってよく、細孔の面積円相当直径の平均値は１．５～２μｍであってよく、細孔の周長の平均値は６～１２μｍであってよく、上記式（４）で定義される細孔の複雑度は１２．６～１５．０であってよい。
【0052】
第三触媒層４０は、例えば以下のようにして、形成することができる。
【0053】
まず、第三触媒粒子前駆体及び担体粉末を含むスラリーを調製する。あるいは、予め第三触媒粒子を担持した担体粉末を含むスラリーを調製してもよい。また、スラリーはさらに、造孔材、バインダー、添加物等を含んでよい。スラリーの性状、例えば、粘性、固形成分の粒子径等は、適宜調整してよい。調製したスラリーを、第二領域Ｙにおいて基材１０に塗布する。例えば、基材１０を、下流端Ｊ側から第二距離Ｌｂに対応する深さまでスラリーに浸漬し、所定の時間が経過した後、該スラリーから基材１０を引き上げることにより、第二領域Ｙにおいてスラリーを基材１０に塗布できる。あるいは、基材１０の下流端Ｊからセル１４にスラリーを流し込み、下流端Ｊにブロアーで風を吹きつけてスラリーを上流端Ｉに向かって塗り広げることにより、スラリーを基材１０に塗布してもよい。次に、所定の温度及び時間でスラリーを加熱しスラリー層中の溶媒を蒸発させるとともに、スラリー層が造孔材を含む場合には造孔材を消失させる。造孔材が消失すると、造孔材が存在していた部分に、造孔材の形状に応じた形状を有する細孔が形成される。こうして、第二領域Ｙにおいて、第三触媒層４０が基材１０上に形成される。なお、第三触媒層４０は、第一触媒層２０を形成する前に形成してもよいし、第一触媒層２０を形成した後、第二触媒層３０を形成する前に形成してもよいし、第二触媒層３０を形成した後に形成してもよい。
【0054】
第三触媒層４０の形成のために使用することができる造孔材は、第一触媒層２０の形成において用いることができる造孔材と同様である。
【0055】
第三触媒粒子前駆体としては、第三触媒粒子を構成する金属の適切な無機酸塩、例えば、塩化水素酸塩、硝酸塩、リン酸塩、硫酸塩、ホウ酸塩、フッ化水素酸塩等を用いることができる。
【0056】
実施形態に係る排ガス浄化装置１００は、内燃機関を備える種々の車両に適用され得る。
【0057】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想又は技術的範囲を逸脱することなく、種々の変更、追加、及び削除を行うことができる。
【実施例0058】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0059】
（１）実施例及び比較例で使用した材料
ａ）基材（ハニカム基材）
材質：コージェライト
容量：８７５ｃｃ
隔壁の厚さ：２ｍｉｌ（５０．８μｍ）
セル密度：１平方インチ当たり６００個
セル断面形状：六角形
ａ）基材（ハニカム基材）
材質：コージェライト
容量：８７５ｃｃ
隔壁の厚さ：２ｍｉｌ（５０．８μｍ）
セル密度：１平方インチ当たり６００個
セル断面形状：六角形
【0060】
ｂ）材料１
Ａｌ２Ｏ３にＬａ２Ｏ３を添加したもの（Ｌａ２Ｏ３：１ｗｔ％～１０ｗｔ％）
Ａｌ２Ｏ３にＬａ２Ｏ３を添加したもの（Ｌａ２Ｏ３：１ｗｔ％～１０ｗｔ％）
【0061】
ｃ）材料２
ＡＣＺ（Ａｌ２Ｏ３－ＣｅＯ２－ＺｒＯ２）複合酸化物（ＣｅＯ２：１５ｗｔ％～３０ｗｔ％）に、Ｎｄ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、及びＹ２Ｏ３を微量添加したもの
ＡＣＺ（Ａｌ２Ｏ３－ＣｅＯ２－ＺｒＯ２）複合酸化物（ＣｅＯ２：１５ｗｔ％～３０ｗｔ％）に、Ｎｄ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、及びＹ２Ｏ３を微量添加したもの
【0062】
ｄ）材料３
ＣＺ（ＣｅＯ２－ＺｒＯ２）複合酸化物にＬａ２Ｏ３及びＹ２Ｏ３を添加したもの（ＣｅＯ２：４０ｗｔ％、ＺｒＯ２：５０ｗｔ％、Ｌａ２Ｏ３：５ｗｔ％、Ｙ２Ｏ３：５ｗｔ％）
ＣＺ（ＣｅＯ２－ＺｒＯ２）複合酸化物にＬａ２Ｏ３及びＹ２Ｏ３を添加したもの（ＣｅＯ２：４０ｗｔ％、ＺｒＯ２：５０ｗｔ％、Ｌａ２Ｏ３：５ｗｔ％、Ｙ２Ｏ３：５ｗｔ％）
【0063】
ｅ）材料４
ＣＺ（ＣｅＯ２－ＺｒＯ２）複合酸化物にＬａ２Ｏ３及びＹ２Ｏ３を添加したもの（ＣｅＯ２：２０ｗｔ％、ＺｒＯ２：７０ｗｔ％、Ｌａ２Ｏ３：５ｗｔ％、Ｙ２Ｏ３：５ｗｔ％）
ＣＺ（ＣｅＯ２－ＺｒＯ２）複合酸化物にＬａ２Ｏ３及びＹ２Ｏ３を添加したもの（ＣｅＯ２：２０ｗｔ％、ＺｒＯ２：７０ｗｔ％、Ｌａ２Ｏ３：５ｗｔ％、Ｙ２Ｏ３：５ｗｔ％）
【0064】
ｆ）材料５
硝酸パラジウム
硝酸パラジウム
【0065】
ｇ）材料６
硝酸ロジウム
硝酸ロジウム
【0066】
ｈ）材料７
硫酸バリウム
硫酸バリウム
【0067】
（２）排ガス浄化装置の作製
比較例１、２
アトライター中で攪拌されている蒸留水に、材料１、材料３、材料５、材料７、及びＡｌ２Ｏ３系バインダーを加えて各材料を粉砕し、さらに繊維状造孔材としてポリエチレンテレフタラート繊維を加えて混合して、懸濁したスラリー１を調製した。次に、調製したスラリー１を基材の一端（上流端）からセルに流し込み、ブロアーで過剰なスラリーを吹き払った。それにより、基材の一端と、基材の一端から基材の他端（下流端）に向かって基材全長の５０％の長さの距離を隔てた第一位置との間の第一領域において、基材の隔壁がスラリー１でコーティングされた。内部温度を１２０℃に保った乾燥機に基材を２時間置いてスラリー１中の水を蒸発させ、次いで電気炉で基材を５００℃で２時間焼成した。それにより、第一触媒層を形成した。
比較例１、２
アトライター中で攪拌されている蒸留水に、材料１、材料３、材料５、材料７、及びＡｌ２Ｏ３系バインダーを加えて各材料を粉砕し、さらに繊維状造孔材としてポリエチレンテレフタラート繊維を加えて混合して、懸濁したスラリー１を調製した。次に、調製したスラリー１を基材の一端（上流端）からセルに流し込み、ブロアーで過剰なスラリーを吹き払った。それにより、基材の一端と、基材の一端から基材の他端（下流端）に向かって基材全長の５０％の長さの距離を隔てた第一位置との間の第一領域において、基材の隔壁がスラリー１でコーティングされた。内部温度を１２０℃に保った乾燥機に基材を２時間置いてスラリー１中の水を蒸発させ、次いで電気炉で基材を５００℃で２時間焼成した。それにより、第一触媒層を形成した。
【0068】
このとき、第一領域における基材の容量を基準とした第一触媒層に含まれる材料１の量は５０ｇ／Ｌ、材料３の量は５０ｇ／Ｌ、材料５に由来する第一触媒粒子としてのＰｄ粒子の量は５ｇ／Ｌ、材料７の量は５ｇ／Ｌであった。
【0069】
次に、アトライター中で攪拌されている蒸留水に、材料１、材料２、材料４、材料６、及びＡｌ２Ｏ３系バインダーを加えて各材料を粉砕し、懸濁したスラリー２を調製した。次に、調製したスラリー２を基材の他端（下流端）からセルに流し込み、ブロアーで過剰なスラリーを吹き払った。それにより、基材の他端と、基材の他端から基材の一端（上流端）に向かって基材全長の５０％の長さの距離を隔てた第二位置との間の第二領域において、基材の隔壁がスラリー２でコーティングされた。内部温度を１２０℃に保った乾燥機に基材を２時間置いてスラリー２中の水を蒸発させ、次いで電気炉で基材を５００℃で２時間焼成した。それにより、第三触媒層を形成した。
【0070】
このとき、第二領域における基材の容量を基準とした第三触媒層に含まれる材料１の量は５０ｇ／Ｌ、材料２の量は５０ｇ／Ｌ、材料４の量は５０ｇ／Ｌ、材料６に由来する第三触媒粒子としてのＲｈ粒子の量は０．５ｇ／Ｌであった。
【0071】
次に、アトライター中で攪拌されている蒸留水に、材料１、材料２、材料４、材料６、及びＡｌ２Ｏ３系バインダーを加えて各材料を粉砕し、懸濁したスラリー３を調製した。次に、調製したスラリー３を基材の一端（上流端）からセルに流し込み、ブロアーで過剰なスラリーを吹き払った。それにより、基材の一端と、基材の一端から基材の他端（下流端）に向かって基材全長の５０％の長さの距離を隔てた第一位置との間の第一領域において、スラリー３の層が形成された。内部温度を１２０℃に保った乾燥機に基材を２時間置いてスラリー３中の水を蒸発させ、次いで電気炉で基材を５００℃で２時間焼成した。それにより、第二触媒層を形成した。
【0072】
このとき、第二触媒層の厚さ、並びに第一領域における基材の容量を基準とした第二触媒層の総質量（総塗布量）並びに第二触媒層に含まれる材料１、材料２、材料４、及び材料６に由来する第二触媒粒子としてのＲｈ粒子の量は、表１に記載の通りであった。
【0073】
こうして、比較例１、２の排ガス浄化装置を得た。
【0074】
比較例３
第三触媒層において、第二領域における基材の容量を基準とした材料６に由来するＲｈの含有量を１．０ｇ／Ｌとしたこと、及び第二触媒層を形成しなかったこと以外は比較例１と同様にして、排ガス浄化装置を作製した。
第三触媒層において、第二領域における基材の容量を基準とした材料６に由来するＲｈの含有量を１．０ｇ／Ｌとしたこと、及び第二触媒層を形成しなかったこと以外は比較例１と同様にして、排ガス浄化装置を作製した。
【0075】
実施例１
第二触媒層を形成するためのスラリー３を粉砕する時間を比較例１よりも短くして、スラリー３に含まれる材料の粒径をより大きくしたこと以外は比較例１と同様にして、排ガス浄化装置を作製した。
第二触媒層を形成するためのスラリー３を粉砕する時間を比較例１よりも短くして、スラリー３に含まれる材料の粒径をより大きくしたこと以外は比較例１と同様にして、排ガス浄化装置を作製した。
【0076】
実施例２～４
第二触媒層の厚さ、並びに第一領域における基材の容量を基準とした第二触媒層の総質量（総塗布量）並びに第二触媒層に含まれる材料１、材料２、材料４、及び材料６に由来する第二触媒粒子としてのＲｈ粒子の量を、表１に記載の通りとしたこと以外は実施例１と同様にして、排ガス浄化装置を作製した。
第二触媒層の厚さ、並びに第一領域における基材の容量を基準とした第二触媒層の総質量（総塗布量）並びに第二触媒層に含まれる材料１、材料２、材料４、及び材料６に由来する第二触媒粒子としてのＲｈ粒子の量を、表１に記載の通りとしたこと以外は実施例１と同様にして、排ガス浄化装置を作製した。
【0077】
実施例５
スラリー３に繊維状造孔材としてポリエチレンテレフタラート繊維を加えたこと以外は比較例１と同様にして、排ガス浄化装置を作製した。
スラリー３に繊維状造孔材としてポリエチレンテレフタラート繊維を加えたこと以外は比較例１と同様にして、排ガス浄化装置を作製した。
【0078】
実施例６
第三触媒層を形成するためのスラリー２を粉砕する時間を実施例１よりも短くして、スラリー２に含まれる材料の粒径をより大きくしたこと以外は実施例１と同様にして、排ガス浄化装置を作製した。
第三触媒層を形成するためのスラリー２を粉砕する時間を実施例１よりも短くして、スラリー２に含まれる材料の粒径をより大きくしたこと以外は実施例１と同様にして、排ガス浄化装置を作製した。
【0079】
実施例７～９
第二触媒層の厚さ、並びに第一領域における基材の容量を基準とした第二触媒層の総質量（総塗布量）並びに第二触媒層に含まれる材料１、材料２、材料４、及び材料６に由来する第二触媒粒子としてのＲｈ粒子の量を、表１に記載の通りとしたこと以外は実施例６と同様にして、排ガス浄化装置を作製した。
第二触媒層の厚さ、並びに第一領域における基材の容量を基準とした第二触媒層の総質量（総塗布量）並びに第二触媒層に含まれる材料１、材料２、材料４、及び材料６に由来する第二触媒粒子としてのＲｈ粒子の量を、表１に記載の通りとしたこと以外は実施例６と同様にして、排ガス浄化装置を作製した。
【0080】
【表1】
【0081】
（３）構造評価
比較例１及び実施例１、５の排ガス浄化装置において、第二触媒層を含む部位を約１ｃｍ角に切り出し、室温硬化性のエポキシ樹脂に埋めた。湿式研磨により、排ガスの流れ方向に対して垂直又は平行な第二触媒層の断面を出した。研磨面をカーボンにより導電処理した。
比較例１及び実施例１、５の排ガス浄化装置において、第二触媒層を含む部位を約１ｃｍ角に切り出し、室温硬化性のエポキシ樹脂に埋めた。湿式研磨により、排ガスの流れ方向に対して垂直又は平行な第二触媒層の断面を出した。研磨面をカーボンにより導電処理した。
【0082】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、日立ハイテク社製「ＳＵ７０００」）により、下記の条件にて第二触媒層の断面を観察した。
加速電圧：５ｋＶ
観察倍率：１０００倍
画像キャプチャ速度：１２８秒
画像保存形式：ＴＩＦＦ
データサイズ：２５６０×１９２０ピクセル
検出器：半導体型反射電子検出器（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ ＢＳＥ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）
加速電圧：５ｋＶ
観察倍率：１０００倍
画像キャプチャ速度：１２８秒
画像保存形式：ＴＩＦＦ
データサイズ：２５６０×１９２０ピクセル
検出器：半導体型反射電子検出器（Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ ＢＳＥ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）
【0083】
排ガスの流れ方向に垂直又は平行な第二触媒層の断面の反射電子像を、それぞれ少なくとも１０個得た。上記条件における反射電子像の分解能は０．０５μｍ／ピクセルである。
【0084】
画像解析ソフト（ＩｍａｇｅＪ）により、各反射電子像を二値化して細孔とそれ以外（触媒、バインダー等）を区別した。各反射電子像の二値化像（以下、二値化像という）において、反射電子像の分解能である０．０２μｍ２以上の面積を有し、且つ、画像の外縁と接触していない細孔を抽出した。各細孔について面積及び周長を求め、周長の二乗を面積で除して各細孔の複雑度を計算した。細孔の断面が真円の場合、細孔の複雑度は最小値である４πとなる。しかし、計算の結果、０．０５μｍ２未満の面積（約０．２５μｍの円相当直径に相当）を有する細孔のうちいくつかの細孔の複雑度の値が、４π未満となった。そのため、本実施例の解析法による分解能は面積０．０５μｍ２（円相当直径約０．２５μｍ）であると判断した。
【0085】
各二値化像において、解析分解能である０．０５μｍ２以上の面積を有し、且つ、画像の外縁と接触していない細孔を抽出した。得られた画像の例を図４～９に示す。各細孔の面積、面積円相当直径、及び周長を求め、これらの算術平均を計算した。また、細孔の面積の平均値及び周長の平均値を用いて、下記式：
細孔の複雑度＝Ｌ２／Ｓ
（式中、Ｓは細孔の面積の平均値を表し、Ｌは細孔の周長の平均値を表す）
で表される細孔の複雑度を計算した。結果を表２に示す。
細孔の複雑度＝Ｌ２／Ｓ
（式中、Ｓは細孔の面積の平均値を表し、Ｌは細孔の周長の平均値を表す）
で表される細孔の複雑度を計算した。結果を表２に示す。
【0086】
【表2】
【0087】
各二値化像において、３０μｍ四方の領域を無作為に選択した。さらに、この領域から上下左右のいずれかの方向に１０μｍ平行移動した３０μｍ四方の領域も選択した。これら５個の領域のそれぞれに含まれる全細孔の面積の合計（すなわち、全細孔面積）を、画像解析ソフト（ＩｍａｇｅＪ）により測定した。また、各領域の外縁と接触していない細孔の面積の合計も測定した。各領域の外縁と接触していない細孔の面積の合計を全細孔面積から減じた値を求めた。この値は、各領域の外縁と交差又は接触している細孔のうち、その領域内に含まれる部分の面積の合計（すなわち、連結細孔面積）に対応する。各領域において求めた連結細孔面積の算術平均を計算して、連結細孔面積の平均値Ｓ２を求めた。連結細孔面積の平均値Ｓ２を各領域の面積（すなわち９００μｍ２）で除した値（すなわち、細孔連結度）を求めた。結果を表３に示す。造孔材を用いて形成した実施例５の第二触媒層は、比較例１の第二触媒層よりも高い細孔連結度を有していた。スラリーの粉砕時間を短縮して形成した実施例１の第二触媒層は、比較例１及び実施例５の第二触媒層よりも高い細孔連結度を有していた。
【0088】
また、上記の各領域内における全細孔面積の算術平均を計算して、全細孔面積の平均値Ｓａ２を求めた。連結細孔面積の平均値Ｓ２と全細孔面積の平均値Ｓａ２の比（Ｓ２／Ｓａ２）を表３に示す。
【0089】
【表3】
【0090】
（４）排ガス浄化性能評価
実施例１～５及び比較例１～３の排ガス浄化装置を、それぞれ、エンジンの直下に配置した。排ガス浄化装置の触媒床温が９５０℃になるように、エンジンの運転条件を設定した。５０時間にわたり、空燃比フィードバック制御と燃料カットを交互に繰り返した。
実施例１～５及び比較例１～３の排ガス浄化装置を、それぞれ、エンジンの直下に配置した。排ガス浄化装置の触媒床温が９５０℃になるように、エンジンの運転条件を設定した。５０時間にわたり、空燃比フィードバック制御と燃料カットを交互に繰り返した。
【0091】
その後、排ガス浄化装置に流入するガスの温度が５５０℃になるように、エンジンの運転条件を設定した。エンジンに供給する混合ガスの空燃比（Ａ／Ｆ）を１４．４とし、排ガス浄化装置にエンジンからの排ガスを流入させた。排ガス浄化装置に流入するガスの温度が５５０℃に安定した後、エンジンに供給する混合ガスの空燃比（Ａ／Ｆ）を３分間隔で１４．１（リッチ（燃料過剰））と１５．１（リーン（酸素過剰））に交互に切り替えた。３回目にＡ／Ｆを１５．１から１４．１に切り替えた後、３分経過したときのＴＨＣ排出量及びＮＯｘの排出量を測定した。結果を図１０～１３に示す。
【0092】
図１０から理解されるように、実施例の排ガス浄化装置は、同程度の厚さの第二触媒層を有する比較例の排ガス浄化装置よりも低いＴＨＣ排出量を示した。これは、第二触媒層の細孔の構造、特に高い細孔連結度に起因して、第二触媒層における排ガスの拡散性が向上し、排ガスが第二触媒層を通過して第一触媒層に到達し易くなり、排ガス中のＨＣが第一触媒層中のＰｄ粒子に接触して酸化される確率が高まったためと考えられる。
【0093】
特に、スラリー３の粉砕時間を短くした実施例１～４の排ガス浄化装置は、一層低いＴＨＣ排出量を示した。これは、第二触媒層の特に高い細孔連結度（表３参照）に起因すると考えられる。
【0094】
また、第二触媒層の厚さが１５～６５μｍであった実施例１～３の排ガス浄化装置は特に低いＴＨＣ排出量を示した。この結果は、第二触媒層の厚さが６５μｍ以下の場合、排ガスが第二触媒層を通過して第一触媒層に到達することが十分に容易であったことを示唆している。一方、比較例１～３では、第二触媒層の厚さが大きいほどＴＨＣ排出量が多く、特に、第二触媒層の厚さが３６μｍ以上では顕著に高いＴＨＣ排出量を示した。比較例１、２では、第二触媒層における排ガスの拡散性が乏しいため、第二触媒層の厚さが大きいほど、第一触媒層に到達する排ガスの量が減少して、排ガス中のＨＣが第一触媒層中のＰｄ粒子の接触する確率が低下し、その結果、酸化されずに残留するＨＣの量が増加したと考えられる。特に第二触媒層の厚さが３６μｍ以上の場合、第一触媒層に到達する排ガスが顕著に減少したと考えられる。図１０から、第二触媒層における排ガスの拡散性の向上に起因するＴＨＣ排出量の低減は、第二触媒層の厚さが３６～６５μｍ、特に４２～６５μｍの範囲内の場合に特に顕著であったことが理解される。
【0095】
図１１から理解されるように、実施例の排ガス浄化装置は、同程度の厚さの第二触媒層を有する比較例の排ガス浄化装置よりも低いＮＯｘ排出量を示した。特に、スラリー３の粉砕時間が短かった実施例１～４の排ガス浄化装置は一層低いＮＯｘ排出量を示した。
【0096】
第二触媒層の厚さの増加に伴うＮＯｘ排出量の低減量は、実施例１～４の方が比較例１～３よりも大きかった。この結果は以下の理由によるものと発明者らは考えている。
【0097】
比較例及び実施例の排ガス浄化装置では、第二触媒層の厚さが大きいほど、第二触媒層中のＲｈの濃度が低かった。第二触媒層中のＲｈの濃度が低いほど、熱により第二触媒層中のＲｈ粒子が粗大化してＲｈ粒子の触媒活性が低下することが低減される。そのため、より厚さの大きい第二触媒層中のＲｈ粒子は、より高いＮＯｘ浄化性能を発揮することができた。しかし、比較例１～３では、第二触媒層の厚さが大きいほど、より多くのＨＣが第一触媒層で酸化されずに残留した（図１０参照）。残留したＨＣは、第三触媒層のＲｈ粒子を被覆してその触媒活性を低下させ得る。そのため、比較例１～３では、第二触媒層の厚さが大きいほど、第三触媒層中のＲｈ粒子によるＮＯｘ浄化性能が低下した。一方、実施例１～５では、第二触媒層の厚さが６５μｍ以下の場合、第二触媒層の厚さの増加に伴う残留ＨＣ量の増加はわずかであったため（図１０参照）、残留ＨＣによる第三触媒層のＲｈ粒子の触媒活性の低下も軽減された。そのため、実施例１～５では、第三触媒層のＲｈ粒子が、比較例１～３よりも高いＮＯｘ浄化性能を発揮することができた。これらの結果、図１１に示した実施例と比較例の間のＮＯｘ排出量の差が生じたと考えられる。
【0098】
図１２に示すように、実施例６～９の排ガス浄化装置は、実施例１～４の排ガス浄化装置と同等のＴＨＣ排出量を示した。
【0099】
図１３に示すように、実施例６～９の排ガス浄化装置は、実施例１～４の排ガス浄化装置よりも低いＮＯｘ排出量を示した。特に、第二触媒層の厚さが１５～６５μｍである実施例６～８の排ガス浄化装置は、実施例１～３の排ガス浄化装置よりも明確に低いＮＯｘ排出量を示した。実施例６～９では実施例１～４よりもスラリー２の粉砕時間を短くしたため、実施例６～９の排ガス浄化装置の第三触媒層は、実施例１～４の排ガス浄化装置の第三触媒層よりも高い細孔連結度を有し、それに起因してより高い排ガス拡散性を有していたと考えられる。そのため、実施例６～９の排ガス浄化装置に流入した排ガス中のＮＯｘはより高確率で第三触媒層中のＲｈ粒子に接触して還元され、その結果、ＮＯｘ排出量が低減したと考えられる。
【符号の説明】
【0100】
１０：基材、１２：枠部、１４：セル、１６：隔壁、２０：第一触媒層、３０：第二触媒層、４０：第三触媒層、１００：排ガス浄化装置、Ｉ：上流端（第一端）、Ｊ：下流端（第二端）、Ｐ：第一位置、Ｑ：第二位置、Ｘ：第一領域、Ｙ：第二領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
