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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024068410
(43)【公開日】2024-05-20
(54)【発明の名称】自己修復型コネクタ
(51)【国際特許分類】
H01R 13/03 20060101AFI20240513BHJP
【ＦＩ】
H01R13/03 E
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022178842
(22)【出願日】2022-11-08
(71)【出願人】
【識別番号】390005049
【氏名又は名称】ヒロセ電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100094569
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 伸一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100103610
【弁理士】
【氏名又は名称】▲吉▼田 和彦
(74)【代理人】
【識別番号】100109070
【弁理士】
【氏名又は名称】須田 洋之
(74)【代理人】
【識別番号】100067013
【弁理士】
【氏名又は名称】大塚 文昭
(74)【代理人】
【識別番号】100086771
【弁理士】
【氏名又は名称】西島 孝喜
(74)【代理人】
【氏名又は名称】上杉 浩
(74)【代理人】
【識別番号】100120525
【弁理士】
【氏名又は名称】近藤 直樹
(74)【代理人】
【識別番号】100139712
【弁理士】
【氏名又は名称】那須 威夫
(74)【代理人】
【識別番号】100128428
【弁理士】
【氏名又は名称】田巻 文孝
(72)【発明者】
【氏名】石井 健太郎
(57)【要約】
【課題】端子間の端子接点部に導通不良が発生しても、自己的に導通不良を修復することができる自己修復型コネクタを提供する。
【解決手段】本発明による自己修復型コネクタ１は、相手側コネクタ２０に嵌合して端子１０、２４同士を導通させると共に、その端子同士の導通不良を自己修復するようになっている自己修復型コネクタであり、ハウジング６と、相手側の端子２４に端子接点部１０ｂを介して接触する端子部材１０とを備え、ハウジングには、金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを収容する収容部１４、および、収容部１４と端子部材１０との間を上下方向に流体連通する流体連通部１２が形成され、収容部に収容された金属ナノ粒子の分散液は、導通不良が発生した場合に、端子接点部に滴下される。
【選択図】図９
【解決手段】本発明による自己修復型コネクタ１は、相手側コネクタ２０に嵌合して端子１０、２４同士を導通させると共に、その端子同士の導通不良を自己修復するようになっている自己修復型コネクタであり、ハウジング６と、相手側の端子２４に端子接点部１０ｂを介して接触する端子部材１０とを備え、ハウジングには、金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを収容する収容部１４、および、収容部１４と端子部材１０との間を上下方向に流体連通する流体連通部１２が形成され、収容部に収容された金属ナノ粒子の分散液は、導通不良が発生した場合に、端子接点部に滴下される。
【選択図】図９
【特許請求の範囲】
【請求項1】
相手側コネクタに嵌合して端子同士を導通させると共に、その端子同士の導通不良を自己修復するようになっている自己修復型コネクタであって、
非導電性材料で形成されたハウジングと、
上記ハウジングに一端部が保持され、上記相手側コネクタの端子と端子接点部を介して接触する端子部材と、を備え、
上記ハウジングには、金属ナノ粒子の分散液を収容する収容部が形成され、
上記ハウジングには、上記収容部と上記端子部材との間を流体連通する流体連通部が形成され、
上記収容部に収容された金属ナノ粒子の分散液は、所定の場合に、上記端子接点部に滴下される、ことを特徴とする自己修復型コネクタ。
非導電性材料で形成されたハウジングと、
上記ハウジングに一端部が保持され、上記相手側コネクタの端子と端子接点部を介して接触する端子部材と、を備え、
上記ハウジングには、金属ナノ粒子の分散液を収容する収容部が形成され、
上記ハウジングには、上記収容部と上記端子部材との間を流体連通する流体連通部が形成され、
上記収容部に収容された金属ナノ粒子の分散液は、所定の場合に、上記端子接点部に滴下される、ことを特徴とする自己修復型コネクタ。
【請求項2】
上記端子部材には、上記端子接点部の位置に、上記金属ナノ粒子の分散液を流体連通させるための流体連通路が形成されている、請求項１に記載の自己修復型コネクタ。
【請求項3】
上記端子部材に形成された流体連通路は、上記端子部材を上下方向に貫通する単数または複数の断面矩形状の孔部または断面円形状の孔部である、請求項２に記載の自己修復型コネクタ。
【請求項4】
上記ハウジングの収容部は、上記金属ナノ粒子の分散液を皮膜内に内包するマイクロカプセルを複数収容するように形成され、
上記マイクロカプセルは、所定の温度まで高められると、その皮膜が破壊されて内包する金属ナノ粒子の分散液が流出するようになっており、
上記ハウジングの収容部は、上記端子接点部に導通不良が発生したとき、その導通不良に起因して上記端子接点部で発生する熱が上記収容部まで伝達されて収容されたマイクロカプセルの皮膜が破壊され、かつ、流出した金属ナノ粒子の分散液が、上記ハウジングの流体連通部および上記端子部材の流体連通路を介して上記端子接点部に滴下されるように、上記ハウジングにおいて上記流体連通部の上方に隣接した位置に形成されており、
上記所定の場合は、上記端子接点部に導通不良が発生したとき、その導通不良に起因して上記端子接点部で発生する熱が上記収容部まで伝達されたときである、請求項１または請求項２に記載の自己修復型コネクタ。
上記マイクロカプセルは、所定の温度まで高められると、その皮膜が破壊されて内包する金属ナノ粒子の分散液が流出するようになっており、
上記ハウジングの収容部は、上記端子接点部に導通不良が発生したとき、その導通不良に起因して上記端子接点部で発生する熱が上記収容部まで伝達されて収容されたマイクロカプセルの皮膜が破壊され、かつ、流出した金属ナノ粒子の分散液が、上記ハウジングの流体連通部および上記端子部材の流体連通路を介して上記端子接点部に滴下されるように、上記ハウジングにおいて上記流体連通部の上方に隣接した位置に形成されており、
上記所定の場合は、上記端子接点部に導通不良が発生したとき、その導通不良に起因して上記端子接点部で発生する熱が上記収容部まで伝達されたときである、請求項１または請求項２に記載の自己修復型コネクタ。
【請求項5】
上記ハウジングの収容部は、上記金属ナノ粒子の分散液を皮膜内に内包するマイクロカプセルを複数収容するように形成され、
上記マイクロカプセルは、所定の温度まで高められると、その皮膜が破壊されて内包する金属ナノ粒子の分散液が流出するようになっており、
上記ハウジングには、上記収容部に収容されたマイクロカプセルを加熱するための熱源が設けられ、上記熱源による熱を受けてマイクロカプセルの皮膜が破壊され、流出した金属ナノ粒子の分散液が、上記ハウジングの流体連通部および上記端子部材の流体連通路を介して上記端子接点部に滴下されるように、上記収容部に隣接して設けられており、
上記所定の場合は、上記熱源が作動したときである、請求項１または請求項２に記載の自己修復型コネクタ。
上記マイクロカプセルは、所定の温度まで高められると、その皮膜が破壊されて内包する金属ナノ粒子の分散液が流出するようになっており、
上記ハウジングには、上記収容部に収容されたマイクロカプセルを加熱するための熱源が設けられ、上記熱源による熱を受けてマイクロカプセルの皮膜が破壊され、流出した金属ナノ粒子の分散液が、上記ハウジングの流体連通部および上記端子部材の流体連通路を介して上記端子接点部に滴下されるように、上記収容部に隣接して設けられており、
上記所定の場合は、上記熱源が作動したときである、請求項１または請求項２に記載の自己修復型コネクタ。
【請求項6】
上記熱源は、所定の検出器により検出される、上記自己修復型コネクタの端子部材と上記相手側コネクタの端子との導通不良による抵抗値の上昇を検知したとき作動するよう構成される、請求項５に記載の自己修復型コネクタ。
【請求項7】
上記ハウジングの収容部は、上記金属ナノ粒子の分散液を貯めて収容するよう形成され、
上記収容部または上記流体連通部には、上記収容部に収容された金属ナノ粒子の分散液を、上記所定の場合に滴下させるよう構成されたバイメタル部材、形状記憶合金部材および／または線膨張係数の異なる部材が設けられている、請求項１または請求項２に記載の自己修復型コネクタ。
上記収容部または上記流体連通部には、上記収容部に収容された金属ナノ粒子の分散液を、上記所定の場合に滴下させるよう構成されたバイメタル部材、形状記憶合金部材および／または線膨張係数の異なる部材が設けられている、請求項１または請求項２に記載の自己修復型コネクタ。
【請求項8】
上記ハウジングの流体連通部は、上記端子部材を左右方向から挟み込むように収容するスリット部である、請求項１または請求項２に記載の自己修復型コネクタ。
【請求項9】
上記自己修復型コネクタはプラグコネクタであり、上記相手側コネクタは所定の基板に実装されたレセプタクルコネクタである、請求項１または請求項２に記載の自己修復型コネクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、自己修復型コネクタに係り、特に、相手側コネクタに嵌合して端子同士を導通させると共に、その端子同士の導通不良を自己修復するようになっている自己修復型コネクタに関する。
【背景技術】
【0002】
従来から、相手側コネクタ（たとえば基板上に実装される「レセプタクルコネクタ」）に、ケーブルコネクタ／プラグコネクタを挿入して、それぞれの端子同士を接触させて電機的接続により導通するためのコネクタに関する種々の技術が知られている。たとえば、特許文献１には、電線コネクタと、この電線コネクタと嵌合する基板コネクタとを備え、電線コネクタは、合成樹脂等の絶縁材によって形成されたハウジングと、このハウジングに装填される複数の金属製の端子と、導電性の金属板により形成され、ハウジングの周囲を覆うシェルとを有し、基板コネクタは、合成樹脂等の絶縁材によって形成された相手側ハウジングと、この相手側ハウジングに装填される複数の金属製の相手側端子と、導電性の金属板により形成され、相手側ハウジングの周囲を覆う相手側シェルとを有し、これらの電線コネクタと基板コネクタは、それらが互いに嵌合することにより、電線コネクタの端子と基板コネクタの端子とが接触して導通するようになっている。
【0003】
また、基板上の電気配線の自己修復技術として、所定の基材に配設された電気配線を、導電性のナノ粒子（主に金属ナノ粒子）を分散させた液体／流動体で覆っておき、電気配線にクラックが生じたとき、そのクラック部分に生じる電界と、いわゆる誘電泳動力とを利用して、流体中の導電性ナノ粒子をクラック部分に集約させると共に溶融させて架橋し、これにより、自己的に修復可能に構成された自己修復型配線が知られている（たとえば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１８－１２０６８６号公報
【特許文献2】特許第６５０７１４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところで、たとえば原子力発電所、海底に敷設する設備、宇宙空間の衛星設備などのように、作業者が立ち入りにくいような特殊環境でも、いわゆる「コネクタ」が用いられる。このような特殊環境で用いられるコネクタは、たとえば接触不良による導通不良を起こした場合、作業者がすぐにコネクタの修理や基板の交換などをできず、長期にわたり導通不良を起こした状態に放置せざるを得ない、という問題が生じる可能性がある。そこで、近年、特にこのような特殊環境で用いられるコネクタや、また民生用のコネクタにおいても、導通不良が生じたとしても、一時的または半恒久的に自己修復するコネクタが必要とされる可能性がある。特に、交流電圧と、その周波数の規定／安定が重要な特殊電源回路において、そのような要望がなされている。
【0006】
本発明は、上述した問題点を解決するためになされたものであり、端子間の端子接点部に導通不良が発生しても、自己的に導通不良を修復することができる自己修復型コネクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記の目的を達成するために本発明による自己修復型コネクタは、相手側コネクタに嵌合して端子同士を導通させると共に、その端子同士の導通不良を自己修復するようになっている自己修復型コネクタであって、非導電性材料で形成されたハウジングと、ハウジングに一端部が保持され、相手側コネクタの端子と端子接点部を介して接触する端子部材と、を備え、ハウジングには、金属ナノ粒子の分散液を収容する収容部が形成され、ハウジングには、収容部と端子部材との間を流体連通する流体連通部が形成され、収容部に収容された金属ナノ粒子の分散液は、所定の場合に、端子接点部に滴下される、ことを特徴としている。
【発明の効果】
【0008】
本発明による自己修復型コネクタによれば、端子間の端子接点部に導通不良が発生しても、自己的に導通不良を修復することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本発明の第１実施形態によるコネクタの斜視図である。
【図3】第１実施形態によるコネクタの正面図である。
【図5】（Ａ）は、第１実施形態によるコネクタが嵌合するレセプタクルコネクタの斜視図であり、（Ｂ）は、第１実施形態によるコネクタが嵌合するレセプタクルコネクタの正面図である。
【図6】第１実施形態によるコネクタが基板上に実装されたレセプタクルコネクタに嵌合した状態を示す斜視図である。
【図7A】第１実施形態によるコネクタの端子をレセプタクル端子と共に示す斜視図である。
【図7B】第１実施形態の変形例によるコネクタの端子をレセプタクル端子と共に示す斜視図である。
【図8】第１実施形態によるコネクタに収容されるマイクロカプセルの概念図である。
【図9】嵌合状態における、第１実施形態によるコネクタの端子部材とレセプタクルコネクタの端子との接触状態をマイクロカプセル収容部と共に示す斜視図である。
【図13】（Ａ）は、第１実施形態によるコネクタにおける熱の伝達状態を説明するための斜視図であり、（Ｂ）は、第１実施形態の変形例によるコネクタにおける熱の伝達状態を説明するための斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
先ず、図１乃至図４により、本発明の第１実施形態による自己修復型コネクタの全体構成を説明する。図１は、本発明の第１実施形態によるコネクタの斜視図であり、図２は、図１に示す第１実施形態によるコネクタのマイクロカプセル収容部、端子部材、端子部材を収容するスリット部を主に説明するための部分断面斜視図であって、マイクロカプセルの収容状態を説明するために一部を半透明で示す図であり、図３は、第１実施形態によるコネクタの正面図であり、図４は、図３に示すＡ－Ａ線に沿って見た第１実施形態によるコネクタの断面図である。
まず、図１に示すように、本発明の第１実施形態によるコネクタ（自己修復型コネクタ）１は、後述する相手側コネクタであるレセプタクルコネクタ２０（図５、図６等参照 ）に嵌合するようになっているプラグコネクタ（ケーブルコネクタ）１であり、主に作業者がコネクタ１を把持するための樹脂製の筐体２と、筐体２から後方側に延びるケーブル４と、非導電性材料である樹脂製の端子ハウジング（以下、「ハウジング」という）６とを有し、ハウジング６には、後述するレセプタクルコネクタ２０（図５参照）との嵌合のための挿入部８が形成されている。
先ず、図１乃至図４により、本発明の第１実施形態による自己修復型コネクタの全体構成を説明する。図１は、本発明の第１実施形態によるコネクタの斜視図であり、図２は、図１に示す第１実施形態によるコネクタのマイクロカプセル収容部、端子部材、端子部材を収容するスリット部を主に説明するための部分断面斜視図であって、マイクロカプセルの収容状態を説明するために一部を半透明で示す図であり、図３は、第１実施形態によるコネクタの正面図であり、図４は、図３に示すＡ－Ａ線に沿って見た第１実施形態によるコネクタの断面図である。
まず、図１に示すように、本発明の第１実施形態によるコネクタ（自己修復型コネクタ）１は、後述する相手側コネクタであるレセプタクルコネクタ２０（図５、図６等参照 ）に嵌合するようになっているプラグコネクタ（ケーブルコネクタ）１であり、主に作業者がコネクタ１を把持するための樹脂製の筐体２と、筐体２から後方側に延びるケーブル４と、非導電性材料である樹脂製の端子ハウジング（以下、「ハウジング」という）６とを有し、ハウジング６には、後述するレセプタクルコネクタ２０（図５参照）との嵌合のための挿入部８が形成されている。
【0011】
次に、図２および図３に示すように、ハウジング６には、挿入部８内に一部が突出する複数の端子部材（端子）１０が設けられている。これらの端子部材１０は、いずれも、コネクタ１の軸方向（レセプタクルコネクタ２０との嵌合方向）に沿って延びている。それらの端子部材１０の先端部は、端子部材１０が延びる方向に対して曲げ起こされており、それにより、それぞれの端子部材１０の先端部には、下方側に湾曲した湾曲部１０ａが形成されている。これらの湾曲部１０ａにより、後述するレセプタクルコネクタ２０の端子２４との接触点（端子間接触部分）である端子接点部１０ｂが形成される（図７、図９等参照）。
また、複数の端子部材１０は、いずれも、その先端部と反対側の端部がハウジング６に固定されて片持ちばりとして支持され、レセプタクルコネクタ２０の端子２４に、端子接点部１０ｂを介して、弾性的に接触して導通するようになっている。
また、ハウジング６には、内部を通る信号に対するＥＭＩシールドのために、ハウジング６の外周を覆う導電性の金属板からなるシェル１１が設けられている。
また、複数の端子部材１０は、いずれも、その先端部と反対側の端部がハウジング６に固定されて片持ちばりとして支持され、レセプタクルコネクタ２０の端子２４に、端子接点部１０ｂを介して、弾性的に接触して導通するようになっている。
また、ハウジング６には、内部を通る信号に対するＥＭＩシールドのために、ハウジング６の外周を覆う導電性の金属板からなるシェル１１が設けられている。
【0012】
次に、図２および図４に示すように、ハウジング６には、これらの端子部材１０をそれぞれ左右で挟み込むように収容する複数のスリット（スリット部）１２が形成されている。スリット１２は、端子部材１０を全体的に収容するようにコネクタ１の軸方向に延び、かつ、上下方向に貫通している。
一方、ハウジング６には、複数のスリット１２の上方に、複数のスリット１２に隣接して、後述するマイクロカプセルＭＣを複数個収容可能なマイクロカプセル収容キャビティ（収容部）１４が形成されている。このマイクロカプセル収容キャビティ１４は、端子部材１０の弾性状態に影響を与えないよう、端子部材１０から所定距離離れた箇所に設けられる。
これらの構成により、スリット１２は、その上方の開口部１２ａがキャビティ１４に連通し、その下方の開口部１２ｂが挿入部８に連通し、これにより、スリット１２は、上下方向の流体連通部１２として形成されている。
一方、ハウジング６には、複数のスリット１２の上方に、複数のスリット１２に隣接して、後述するマイクロカプセルＭＣを複数個収容可能なマイクロカプセル収容キャビティ（収容部）１４が形成されている。このマイクロカプセル収容キャビティ１４は、端子部材１０の弾性状態に影響を与えないよう、端子部材１０から所定距離離れた箇所に設けられる。
これらの構成により、スリット１２は、その上方の開口部１２ａがキャビティ１４に連通し、その下方の開口部１２ｂが挿入部８に連通し、これにより、スリット１２は、上下方向の流体連通部１２として形成されている。
【0013】
次に、図２および図４に示すように、マイクロカプセル収容キャビティ１４は、上述したシェル１１で封止されている。なお、キャビティ１４の上面かつシェル１１の下面に、キャビティ１４内のマイクロカプセルを封止してキャビティ１４内に閉じ込めるため、あるいは、シェル１１の腐食を防止するための蓋部材や膜部材を設けてもよい。なお、図２では、マイクロカプセルＭＣの収容状態を示すために、シェル１１の一部を半透明で描き、蓋部材を省略している。蓋部材や膜部材もハウジング６と同様の樹脂で形成される。
【0014】
次に、図５および図６により、本発明の第１実施形態によるコネクタが嵌合するレセプタクルコネクタの全体構成を説明する。図５Ａは、第１実施形態によるコネクタが嵌合するレセプタクルコネクタの斜視図であり、図５Ｂは、第１実施形態によるコネクタが嵌合するレセプタクルコネクタの正面図であり、図６は、第１実施形態によるコネクタが基板上に実装されたレセプタクルコネクタに嵌合した状態を示す斜視図である。
まず、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、端子部材１０と嵌合するレセプタクルコネクタ２０は、内部を通る信号に対するＥＭＩシールドのために、ハウジング６の外周を覆う導電性の金属板からなるシェル２２と、複数の金属製のレセプタクル端子部材（以下、「端子」という）２４とを備え、これらは非導電性材料である樹脂製のハウジング２５に取り付けられている。図６に示すように、レセプタクルコネクタ２０は、本実施形態では、基板２６に実装されている。なお、図６では、便宜上、基板２６の一部のみを示す。
レセプタクルコネクタ２０の複数の端子２４は、上述したコネクタ１の複数の端子部材１０に対応して配置され、図６に示すようにコネクタ１がレセプタクルコネクタ２０に嵌合したとき、後述する図７および図９に示すように、端子２４と端子部材（端子）１０とが端子接点部１０ｂで接触して、導通するようになっている。
まず、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、端子部材１０と嵌合するレセプタクルコネクタ２０は、内部を通る信号に対するＥＭＩシールドのために、ハウジング６の外周を覆う導電性の金属板からなるシェル２２と、複数の金属製のレセプタクル端子部材（以下、「端子」という）２４とを備え、これらは非導電性材料である樹脂製のハウジング２５に取り付けられている。図６に示すように、レセプタクルコネクタ２０は、本実施形態では、基板２６に実装されている。なお、図６では、便宜上、基板２６の一部のみを示す。
レセプタクルコネクタ２０の複数の端子２４は、上述したコネクタ１の複数の端子部材１０に対応して配置され、図６に示すようにコネクタ１がレセプタクルコネクタ２０に嵌合したとき、後述する図７および図９に示すように、端子２４と端子部材（端子）１０とが端子接点部１０ｂで接触して、導通するようになっている。
【0015】
次に、図７により、第１実施形態およびその変形例によるコネクタ１の端子部材１０の構成を説明する。図７Ａは、第１実施形態によるコネクタの端子をレセプタクル端子と共に示す斜視図であり、図７Ｂは、第１実施形態の変形例によるコネクタの端子をレセプタクル端子と共に示す斜視図である。
まず、図７Ａに示すように、本実施形態による端子部材１０には、その湾曲部１０ａの端子接点部１０ｂを中心とした位置に、流体連通路として機能するスリット部１０ｃが形成されている。このようなスリット部１０ｃは、断面矩形状の孔であり、複数の端子部材１０の全てに形成されている。
まず、図７Ａに示すように、本実施形態による端子部材１０には、その湾曲部１０ａの端子接点部１０ｂを中心とした位置に、流体連通路として機能するスリット部１０ｃが形成されている。このようなスリット部１０ｃは、断面矩形状の孔であり、複数の端子部材１０の全てに形成されている。
【0016】
このようなスリット部１０ｃは、後述するように、皮膜Ａが破壊されたマイクロカプセルＭＣに内包された金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃ（図８参照）を、端子接点部１０ｂに直接的に滴下し、端子１０および端子２４に塗布するために形成されたものである。なお、スリット部１０ｃは、端子部材１０に複数形成してもよい。たとえば、金属ナノ粒子の分散液を端子接点部１０ｂに直接的に滴下するように、端子部材１０の幅方向内包に少なくとも２つ、あるいは、端子部材１０の両側面にそれぞれ形成してもよい。
【0017】
一方、図７Ｂに示すように、本実施形態の変形例による端子部材１０には、端子接点部１０ｂの位置に、複数の断面円形状の孔１０ｄが形成されている。これらの孔１０ｄも、金属ナノ粒子の分散液を、端子接点部１０ｂに直接的に滴下するために形成されたものである。なお、このような断面円形状の孔１０ｄは単数でもよい。
【0018】
次に、図８により、第１実施形態のコネクタ１に用いられるマイクロカプセルを説明する。図８は、第１実施形態によるコネクタに収容されるマイクロカプセルの概念図である。
図８に示すようなマイクロカプセルＭＣは、端子接点部１０ｂに金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを滴下し、塗布する手段の一つである。図８に示すように、マイクロカプセルＭＣは、球状の皮膜Ａを備え、その皮膜Ａの内方には、金属ナノ粒子Ｂが分散した潤滑剤Ｃが内包されている。本実施形態では、このマイクロカプセルＭＣの皮膜Ａは、温度に依存して破れるようになっている。すなわち、所定の温度に達すると破れるような材料を用いており、後述するように、熱を加えることで皮膜Ａの温度を上昇させて破壊し、それにより、内包されていた金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを端子接点部１０ｂに滴下し、その端子接点部１０ｂの箇所および端子１０、２４の接触面側における端子接点部１０ｂの周辺箇所に塗布するようにしている。本実施形態では、金属ナノ粒子を分散させる液体Ｃとして、潤滑剤（潤滑油）を用いている。なお、分散液Ｃは、潤滑剤以外のものでもよい。
図８に示すようなマイクロカプセルＭＣは、端子接点部１０ｂに金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを滴下し、塗布する手段の一つである。図８に示すように、マイクロカプセルＭＣは、球状の皮膜Ａを備え、その皮膜Ａの内方には、金属ナノ粒子Ｂが分散した潤滑剤Ｃが内包されている。本実施形態では、このマイクロカプセルＭＣの皮膜Ａは、温度に依存して破れるようになっている。すなわち、所定の温度に達すると破れるような材料を用いており、後述するように、熱を加えることで皮膜Ａの温度を上昇させて破壊し、それにより、内包されていた金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを端子接点部１０ｂに滴下し、その端子接点部１０ｂの箇所および端子１０、２４の接触面側における端子接点部１０ｂの周辺箇所に塗布するようにしている。本実施形態では、金属ナノ粒子を分散させる液体Ｃとして、潤滑剤（潤滑油）を用いている。なお、分散液Ｃは、潤滑剤以外のものでもよい。
【0019】
ここで、マイクロカプセルＭＣの大きさは、たとえば直径１μｍ～１００μｍであり、または、それ以上大きく、たとえば０．５ｍｍ～５ｍｍである。マイクロカプセルＭＣの直径がハウジング６のスリット１２の幅より小さい場合は、マイクロカプセル収容キャビティ１４内に収容されたマイクロカプセルＭＣがスリット１２内に落下しないように、分散液を通過させることができ、かつ、マイクロカプセルＭＣを保持できる、たとえばメッシュ状の膜部材などの保持部材を設けるのがよい。
【0020】
次に、図９乃至図１１により、コネクタ１がレセプタクルコネクタ２０に嵌合した状態における、第１実施形態によるコネクタ１の端子部材１０とレセプタクルコネクタ２０の端子２４との接触状態、その端子接点部１０ｂとマイクロカプセル収容キャビティ１４との位置関係を説明する。図９は、嵌合状態における、第１実施形態によるコネクタの端子部材とレセプタクルコネクタの端子との接触状態をマイクロカプセル収容部と共に示す斜視図であり、図１０は、嵌合状態における、第１実施形態によるコネクタの端子部材とレセプタクルコネクタの端子との接触状態をマイクロカプセル収容部と共に示す図３のＡ－Ａ線と同様の位置で沿って見た断面図であり、図１１は、第１実施形態の変形例によるフィルムヒータ付きコネクタの端子部材とレセプタクルコネクタの端子との接触状態をマイクロカプセル収容部と共に示す図３のＡ－Ａ線と同様の位置で沿って見た断面図である。
【0021】
まず、図９および図１０に示すように、コネクタ１がレセプタクルコネクタ２０に嵌合すると、ハウジング６およびシェル１１がレセプタクルコネクタ２０内に挿入されると共に、コネクタ１の挿入部８にレセプタクル側のハウジング２５および端子２４が差し込まれた状態となる。その状態で、端子部材１０と端子２４とは、端子接点部１０ｂを介して接触し、端子同士が導通する。本実施形態では、そのような嵌合状態で、端子接点部１０ｂの上方側に、上述したキャビティ１４が配置されるようになっている。
【0022】
次に、図１１に示す第１実施形態の変形例によるコネクタ１は、そのハウジング６内、かつ、キャビティ１４の上方に隣接した位置に、マイクロカプセルＭＣに熱を加えるためのフィルムヒータ３０が設けられる。このフィルムヒータ３０は、少なくともキャビティ１４の上方の全体を覆うか、または、マイクロカプセルＭＣに十分な熱を加えることができる程度にキャビティ１４の上方の一部分を覆うようにすれば良い。フィルムヒータ３０は、キャビティ１４を覆う、樹脂製の蓋部材３２内に組み込まれている。コネクタ１のその他の構成は、上述した本実施形態と同様であるので、ここでは、その説明を省略する。
【0023】
次に、図１２および図１３により、本発明の第１実施形態およびその変形例によるコネクタの自己修復作用およびその方法について説明する。図１２は、第１実施形態によるコネクタにおける金属ナノ粒子の分散液が端子接点部に滴下する状態を説明するための図９と同様に示す斜視図であり、図１３Ａは、第１実施形態によるコネクタにおける熱の伝達状態を説明するための斜視図であり、図１３Ｂは、第１実施形態の変形例によるコネクタにおける熱の伝達状態を説明するための斜視図である。
まず、本発明の第１実施形態およびその変形例では、マイクロカプセル収容キャビティ１４に収容されたマイクロカプセルＭＣの皮膜Ａを熱で破壊し、熱で破壊されて流出した金属ナノ粒子Ｂが分散した潤滑剤Ｃを、図１２に矢印Ｆで示すように、その下方の端子接点部１０ｂへと滴下し、その端子接点部１０ｂの位置および周囲で、端子部材１０および端子２４に塗布する。
金属ナノ粒子Ｂが分散した潤滑剤Ｃは、図１２の矢印Ｆで示す方向に滴下し、キャビティ１４の下方に形成されたスリット１２、および、端子部材１０に形成されたスリット部１０ｃ（図７Ａ参照）または孔１０ｄ（図７Ｂ参照）を介して、端子接点部１０ｂに供給される。
まず、本発明の第１実施形態およびその変形例では、マイクロカプセル収容キャビティ１４に収容されたマイクロカプセルＭＣの皮膜Ａを熱で破壊し、熱で破壊されて流出した金属ナノ粒子Ｂが分散した潤滑剤Ｃを、図１２に矢印Ｆで示すように、その下方の端子接点部１０ｂへと滴下し、その端子接点部１０ｂの位置および周囲で、端子部材１０および端子２４に塗布する。
金属ナノ粒子Ｂが分散した潤滑剤Ｃは、図１２の矢印Ｆで示す方向に滴下し、キャビティ１４の下方に形成されたスリット１２、および、端子部材１０に形成されたスリット部１０ｃ（図７Ａ参照）または孔１０ｄ（図７Ｂ参照）を介して、端子接点部１０ｂに供給される。
【0024】
ここで、本実施形態では、端子接点部１０ｂが良好に接触しており、導通不良が生じていない場合は、マイクロカプセルＭＣはキャビティ１４に収容されたままである。
一方、端子接点部１０ｂにおいて接触不良が生じ、あるいは、何かしらの要因（たとえば、腐食など）で導通不良が発生したときは、以下のように、端子接点部１０ｂを自己修復させる。
一方、端子接点部１０ｂにおいて接触不良が生じ、あるいは、何かしらの要因（たとえば、腐食など）で導通不良が発生したときは、以下のように、端子接点部１０ｂを自己修復させる。
【0025】
端子接点部１０ｂにおいて導通不良が発生したとき、図１３を用いて後述するようにキャビティ１４内のマイクロカプセルＭＣに熱を加えると、金属ナノ粒子Ｂが分散した潤滑剤Ｃが、スリット１２および孔１０ｃ（１０ｄ）を介して端子接点部１０ｂに供給（滴下）され、上述したように端子接点部１０ｂの位置および周囲で、端子部材１０および端子２４に塗布される。その塗布された状態では、端子部材１０およびレセプタクル側の端子２４に流れている電流により、塗布された潤滑剤Ｃ内に電界が発生する。そして、そのような電界が生じている分散液Ｃ内では、金属ナノ粒子Ｂに対していわゆる「誘電泳動力」が作用し、この誘電泳動力により金属ナノ粒子Ｂが端子接点部１０ｂ周辺に集約する。
【0026】
そして、集約した複数の金属ナノ粒子Ｂは端子１０、２４間を繋ぎ、そして、各端子１０、２４を流れる電流に起因して発生する熱により、複数の金属ナノ粒子Ｂ同士が互いに固着して、端子１０、２４間を金属ナノ粒子Ｂで橋渡しをして架橋することにより導通を復活させる。すなわち、架橋した金属ナノ粒子Ｂは抵抗値が高く、電流が流れることで、金属ナノ粒子Ｂの抵抗により発熱し、その熱により、金属ナノ粒子Ｂが溶融して一体化した金属として架橋され、電流が流れるのである。これらのような作用が、本発明の実施形態およびその変形例における、「自己修復」作用である。なお、金属ナノ粒子Ｂの架橋により、分散液Ｃ内に発生していた電界は消失し、誘電泳動力は作用しなくなり、自己修復作用は終了する。
【0027】
次に、図１３Ａに示すように、キャビティ１４内に収容されたマイクロカプセルＭＣの温度を上昇させるために、本実施形態では、端子接点部１０ｂで生じる熱を利用するようにしている。すなわち、端子１０、２４間の導通不良により、端子接点部１０ｂでの接触抵抗値が上昇して発熱し、図１３Ａに示すように、その熱Ｈをマイクロカプセル収容キャビティ１４に伝達し、それにより、マイクロカプセルＭＣを加熱し、所定の温度まで上昇させて皮膜Ａを破ることで、金属ナノ粒子Ｂが分散した潤滑剤Ｃを端子接点部１０ｂに滴下するようにしている。
【0028】
このように、本実施形態では、端子接点部１０ｂに導通不良が発生したとき、その導通不良に起因して端子接点部１０ｂで発生する熱をキャビティ１４まで伝達させて、収容されたマイクロカプセルＭＣの皮膜Ａを破壊させ、かつ、流出した金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを、ハウジング６のスリット１２および端子部材１０の孔１０ｃ（１０ｄ）を介して端子接点部１０ｂに滴下させるようにしているのである。このような本実施形態によれば、機械的な付加機構を用いずにマイクロカプセルＭＣを破壊することができる。
【0029】
次に、図１３Ｂに示すように、キャビティ１４内に収容されたマイクロカプセルＭＣの温度を上昇させるために、本実施形態の変形例では、上述した図１１で示すようなフィルムヒータ３０を作動させて発生させた熱を利用するようにしている。すなわち、図１１および図１３Ｂに示すように、キャビティ１４の上方に隣接した位置にフィルムヒータ３０が設けられ、その熱を図１３Ｂに符号Ｈで示すように、キャビティ１４に伝達し、それにより、マイクロカプセルＭＣを加熱し、所定の温度まで上昇させて皮膜Ａを破ることで、金属ナノ粒子Ｂが分散した潤滑剤Ｃを端子接点部１０ｂに滴下するようにしている。
【0030】
このように、本実施形態の変形例では、ハウジング６に設けられたフィルムヒータ３０を設け、その熱をキャビティ１４に伝達させて、収容されたマイクロカプセルＭＣの皮膜Ａを破壊し、かつ、流出した金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを、ハウジング６のスリット１２および端子部材１０の孔１０ｃ（１０ｄ）を介して端子接点部１０ｂに滴下するようにしているのである。
なお、このフィルムヒータ３０は、コネクタ１内に組み込まれた周知の所定の回路装置により、端子接点部１０ｂの導通不良による抵抗値の上昇を検出し、その検出値に応じて、周知の方法でフィルムヒータ３０の作動を制御するようにしている。本実施形態の変形例によれば、フィルムヒータ３０の加熱量を制御することで、マイクロカプセルＭＣの破壊を、より確実に、コントロールすることができる。また、機械的な付加機構を用いずにマイクロカプセルＭＣを破壊することができる。
なお、このフィルムヒータ３０は、コネクタ１内に組み込まれた周知の所定の回路装置により、端子接点部１０ｂの導通不良による抵抗値の上昇を検出し、その検出値に応じて、周知の方法でフィルムヒータ３０の作動を制御するようにしている。本実施形態の変形例によれば、フィルムヒータ３０の加熱量を制御することで、マイクロカプセルＭＣの破壊を、より確実に、コントロールすることができる。また、機械的な付加機構を用いずにマイクロカプセルＭＣを破壊することができる。
【0031】
次に、図１４Ａおよび図１４Ｂにより、本発明の第２および第３実施形態による自己修復型コネクタを説明する。図１４Ａは、本発明の第２実施形態および第３実施形態によるコネクタのハウジング、収容部および分散液滴下構造の構成を模式的に示す図３のＡ－Ａ線と同様の位置で沿って見た概略断面図であり、図１４Ｂは、図１４Ａに示す本発明の第２実施形態および第３実施形態によるコネクタの作用を説明するための図１４Ａと同様に示す概略断面図である。
以下では、上述した第１実施形態と異なる点のみ説明し、第１実施形態と共通する構成については、同一の符号により説明する。
以下では、上述した第１実施形態と異なる点のみ説明し、第１実施形態と共通する構成については、同一の符号により説明する。
【0032】
まず、図１４Ａに示すように、本発明の第２実施形態では、ハウジング７に、上述した第１実施形態と同様の寸法および形状の分散液収容キャビティ（収容部）１５を形成している。このキャビティ１５には、金属ナノ粒子Ｂを分散した潤滑剤（分散液）Ｃが直接的に貯められ、これにより、キャビティ１５に分散液Ｃが収容される。
この第２実施形態では、バイメタル部材３４が、キャビティ１５の下面、すなわち、上述した複数のスリット１２の各上縁を含むキャビティ１５の底面に１つ設けられている。このバイメタル部材３４は、キャビティ１５の底面全体を覆い、かつ、金属ナノ粒子Ｂが分散した潤滑剤Ｃをキャビティ１５内に溜め込むように（下方に漏れないように）形成されている。
この第２実施形態では、バイメタル部材３４が、キャビティ１５の下面、すなわち、上述した複数のスリット１２の各上縁を含むキャビティ１５の底面に１つ設けられている。このバイメタル部材３４は、キャビティ１５の底面全体を覆い、かつ、金属ナノ粒子Ｂが分散した潤滑剤Ｃをキャビティ１５内に溜め込むように（下方に漏れないように）形成されている。
【0033】
なお、変形例として、バイメタル部材３４は、潤滑剤Ｃが下方に漏れないように貯めることができれば、キャビティ１５の底面に複数設けられても良い。
また、変形例として、バイメタル部材３４は、潤滑剤Ｃが下方に漏れないように、流体連通部となっている複数のスリット１２にそれぞれ設けられ、これにより、潤滑剤Ｃをキャビティ１５内に貯めるようにしてもよい。
また、変形例として、バイメタル部材３４は、潤滑剤Ｃが下方に漏れないように、流体連通部となっている複数のスリット１２にそれぞれ設けられ、これにより、潤滑剤Ｃをキャビティ１５内に貯めるようにしてもよい。
【0034】
また、本発明の第３実施形態として、バイメタル部材３４の代わりに、形状記憶合金部材３４を用いてもよく、その配置、形状を含む構成は、上述した第２実施形態のバイメタル部材３４と同様であるので、ここでは、その説明を省略する。なお、図１４Ａおよび図１４Ｂに示す構成が同じであるので、バイメタル部材３４と形状記憶合金部材３４とを説明の便宜上のため同一の参照番号で示す。
【0035】
次に、図１４Ｂにより、第２および第３実施形態の作用を説明する。
まず、バイメタル部材３４を分散液滴下構造の一部として利用する第２実施形態では、図１３Ａを用いて上述したように、端子１０、２４間の導通不良により、端子接点部１０ｂでの接触抵抗値が上昇することによる発熱を利用する。
この第２実施形態の場合、端子接点部１０ｂで生じた熱が、（たとえば図１３Ａに示すように）キャビティ１５側に伝達されると共にバイメタル部材３４に伝達されると、バイメタル部材３４は、その特性により、図１４Ｂに示すように変位（変形）する。
そして、バイメタル部材３４が変位すると、バイメタル部材３４とキャビティ１５との間、または、変形例では、バイメタル部材３４とスリット１２との間に、図示するような隙間Ｓが生じる。そして、キャビティ１５に収容されていた金属ナノ粒子Ｂが分散した潤滑剤Ｃは、その隙間Ｓから下方のスリット１２内に流れ込み、さらに、端子１０の端子接点部１０ｂに滴下される。
これにより、第１実施形態で上述したように、「誘電泳動力」の作用等により金属ナノ粒子Ｂが溶融して一体化した金属として架橋され、電流が流れ、「自己修復」作用を発揮させることができる。
まず、バイメタル部材３４を分散液滴下構造の一部として利用する第２実施形態では、図１３Ａを用いて上述したように、端子１０、２４間の導通不良により、端子接点部１０ｂでの接触抵抗値が上昇することによる発熱を利用する。
この第２実施形態の場合、端子接点部１０ｂで生じた熱が、（たとえば図１３Ａに示すように）キャビティ１５側に伝達されると共にバイメタル部材３４に伝達されると、バイメタル部材３４は、その特性により、図１４Ｂに示すように変位（変形）する。
そして、バイメタル部材３４が変位すると、バイメタル部材３４とキャビティ１５との間、または、変形例では、バイメタル部材３４とスリット１２との間に、図示するような隙間Ｓが生じる。そして、キャビティ１５に収容されていた金属ナノ粒子Ｂが分散した潤滑剤Ｃは、その隙間Ｓから下方のスリット１２内に流れ込み、さらに、端子１０の端子接点部１０ｂに滴下される。
これにより、第１実施形態で上述したように、「誘電泳動力」の作用等により金属ナノ粒子Ｂが溶融して一体化した金属として架橋され、電流が流れ、「自己修復」作用を発揮させることができる。
【0036】
一方、形状記憶合金部材３４を分散液滴下構造の一部として利用する第３実施形態では、端子接点部１０ｂの導通不良による抵抗値の上昇を検出し、その検出値に応じて、周知の方法で形状記憶合金部材３４を通電加熱する。
この第３実施形態の場合、形状記憶合金部材３４を通電加熱すると、形状記憶合金部材３４は、その特性により、図１４Ｂに示すように変位（変形）する。
そして、形状記憶合金部材３４が変位すると、形状記憶合金部材３４とキャビティ１５との間、または、変形例では、形状記憶合金部材３４とスリット１２との間に、図示するような隙間Ｓが生じる。そして、キャビティ１５に収容されていた金属ナノ粒子Ｂが分散した潤滑剤Ｃは、その隙間Ｓから下方のスリット１２内に流れ込み、さらに、端子１０の端子接点部１０ｂに滴下される。
これにより、「誘電泳動力」の作用等により金属ナノ粒子Ｂが溶融して一体化した金属として架橋され、電流が流れ、「自己修復」作用を発揮させることができる。
この第３実施形態の場合、形状記憶合金部材３４を通電加熱すると、形状記憶合金部材３４は、その特性により、図１４Ｂに示すように変位（変形）する。
そして、形状記憶合金部材３４が変位すると、形状記憶合金部材３４とキャビティ１５との間、または、変形例では、形状記憶合金部材３４とスリット１２との間に、図示するような隙間Ｓが生じる。そして、キャビティ１５に収容されていた金属ナノ粒子Ｂが分散した潤滑剤Ｃは、その隙間Ｓから下方のスリット１２内に流れ込み、さらに、端子１０の端子接点部１０ｂに滴下される。
これにより、「誘電泳動力」の作用等により金属ナノ粒子Ｂが溶融して一体化した金属として架橋され、電流が流れ、「自己修復」作用を発揮させることができる。
【0037】
次に、図１５Ａおよび図１５Ｂにより、本発明の第４実施形態による自己修復型コネクタを説明する。図１５Ａは、本発明の第４実施形態によるコネクタのハウジング、収容部および分散液滴下構造の構成を模式的に示す図３のＡ－Ａ線と同様の位置で沿って見た概略断面図であり、図１５Ｂは、図１５Ａに示す本発明の第４実施形態によるコネクタの作用を説明するための図１５Ａと同様に示す概略断面図である。
以下では、上述した第１～第３実施形態と異なる点のみ説明し、第１～第３実施形態と共通する構成については、同一の符号により説明する。
以下では、上述した第１～第３実施形態と異なる点のみ説明し、第１～第３実施形態と共通する構成については、同一の符号により説明する。
【0038】
まず、図１５Ａに示すように、本発明の第４実施形態では、上述した第２および第３実施形態と同様に、ハウジング７に分散液収容キャビティ（収容部）１５を形成されている。このキャビティ１５には、金属ナノ粒子Ｂを分散した潤滑剤（分散液）Ｃが直接的に貯められ、これにより、キャビティ１５に分散液Ｃが収容される。
この第４実施形態では、線膨張係数の異なる部材３６が、潤滑剤Ｃが下方に漏れないように、流体連通部となっている複数のスリット１２にそれぞれ設けられ、これにより、潤滑剤Ｃをキャビティ１５内に貯めるようにしている。
この第４実施形態では、線膨張係数の異なる部材３６が、潤滑剤Ｃが下方に漏れないように、流体連通部となっている複数のスリット１２にそれぞれ設けられ、これにより、潤滑剤Ｃをキャビティ１５内に貯めるようにしている。
【0039】
なお、変形例として、キャビティ１５の下面、すなわち、上述した複数のスリット１２の各上縁を含むキャビティ１５の底面に、１つまたは複数の線膨張係数の異なる部材３６を設けてもよい。この変形例の場合、１つまたは複数の線膨張係数の異なる部材３６は、キャビティ１５の底面全体を覆い、かつ、金属ナノ粒子Ｂが分散した潤滑剤Ｃをキャビティ１５内に溜め込むように（下方に漏れないように）設けられる。
【0040】
次に、図１５Ｂにより、第４実施形態の作用を説明する。
この第４実施形態においても、上述した第２実施形態と同様に、端子１０、２４間の導通不良により、端子接点部１０ｂでの接触抵抗値が上昇することによる発熱を利用する。
まず、図１５Ｂに示すように、端子接点部１０ｂで生じた熱が、キャビティ１５側に伝達されると共に線膨張係数の異なる部材３６に伝達されると、線膨張係数の異なる部材３６は、線膨張係数が異なることにより、図１５Ｂに示すように変位（変形）する。
そして、線膨張係数の異なる部材３６が変位すると、線膨張係数の異なる部材３６とスリット１２との間、または、変形例では、線膨張係数の異なる部材３６とキャビティ１５との間に、図示するような隙間Ｓが生じる。そして、キャビティ１５に収容されていた金属ナノ粒子Ｂが分散した潤滑剤Ｃは、その隙間Ｓから下方のスリット１２内に流れ込み、さらに、端子１０の端子接点部１０ｂに滴下する。
これにより、上述したように、「誘電泳動力」の作用等により金属ナノ粒子Ｂが溶融して一体化した金属として架橋され、電流が流れ、「自己修復」作用を発揮させることができる。
この第４実施形態においても、上述した第２実施形態と同様に、端子１０、２４間の導通不良により、端子接点部１０ｂでの接触抵抗値が上昇することによる発熱を利用する。
まず、図１５Ｂに示すように、端子接点部１０ｂで生じた熱が、キャビティ１５側に伝達されると共に線膨張係数の異なる部材３６に伝達されると、線膨張係数の異なる部材３６は、線膨張係数が異なることにより、図１５Ｂに示すように変位（変形）する。
そして、線膨張係数の異なる部材３６が変位すると、線膨張係数の異なる部材３６とスリット１２との間、または、変形例では、線膨張係数の異なる部材３６とキャビティ１５との間に、図示するような隙間Ｓが生じる。そして、キャビティ１５に収容されていた金属ナノ粒子Ｂが分散した潤滑剤Ｃは、その隙間Ｓから下方のスリット１２内に流れ込み、さらに、端子１０の端子接点部１０ｂに滴下する。
これにより、上述したように、「誘電泳動力」の作用等により金属ナノ粒子Ｂが溶融して一体化した金属として架橋され、電流が流れ、「自己修復」作用を発揮させることができる。
【0041】
なお、第２乃至第４実施形態の変形例として、上述したバイメタル部材３４、形状記憶合金部材３４および／または線膨張係数の異なる部材３６を適宜組み合わせて、分散液滴下構造の一部としてもよい。
【0042】
ここで、上述した第１乃至第４実施形態およびその変形例では、収容キャビティ１４を各端子１０の上方（図示では真上の位置）に配置している。これに対し、さらなる変形例として、収容キャビティ（１４、１５）を、平面視で、端子１０から離れた位置に設けてもよい。この場合、流出した金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃが端子接点部１０ｂに流れるように、所定の流通路（たとえば溝や管）を収容キャビティに接続するように形成してもよい。特に、このような変形例においては、たとえば、収容キャビティや所定の流通路をハウジング以外の箇所に形成してもよい。
【0043】
また、各端子接点部１０ｂに滴下した分散液Ｃが、隣り合う端子１０に流れ、これに起因して、端子１０同士が短絡しないように、隣り合う端子１０間にリブを設けるようにしてもよい。このようなリブは、ハウジング６、７に設けるのが好適である。
【0044】
次に、本発明の第１乃至第４実施形態およびその変形例による自己修復型コネクタの作用効果を説明する。
まず、本発明の第１乃至第４実施形態およびその変形例による自己修復型コネクタ１は、レセプタクルコネクタ２０に嵌合して端子１０、２４同士を導通させると共に、その端子１０、２４同士の導通不良を自己修復するようになっており、非導電性材料で形成されたハウジング６と、ハウジング６、７に一端部が保持され、レセプタクルコネクタ２０の端子２４と端子接点部１０ｂを介して接触する端子部材１０と、を備え、ハウジング６には、金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを収容する収容キャビティ（収容部）１４、１５が形成され、ハウジング６には、収容キャビティ１４、１５と端子部材１０との間を流体連通する流体連通部であるスリット部１２が形成され、収容キャビティ１４、１５は、端子接点部１０ｂに導通不良が生じた場合、すなわち、端子１０、２４同士の導通不良が発生した場合に、端子接点部１０ｂに金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃが滴下されるように配置されている。
このように構成された本発明の実施形態およびその変形例によれば、端子１０、２４同士の導通不良が発生した場合に、端子接点部１０ｂに滴下された分散液Ｃに含まれる金属ナノ粒子Ｂが、導通不良に起因して生じる電界により導通不良部に集約して端子１０、２４間を架橋するので、端子接点部１０ｂに導通不良が発生しても、自己的に導通不良を修復することができる。
まず、本発明の第１乃至第４実施形態およびその変形例による自己修復型コネクタ１は、レセプタクルコネクタ２０に嵌合して端子１０、２４同士を導通させると共に、その端子１０、２４同士の導通不良を自己修復するようになっており、非導電性材料で形成されたハウジング６と、ハウジング６、７に一端部が保持され、レセプタクルコネクタ２０の端子２４と端子接点部１０ｂを介して接触する端子部材１０と、を備え、ハウジング６には、金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを収容する収容キャビティ（収容部）１４、１５が形成され、ハウジング６には、収容キャビティ１４、１５と端子部材１０との間を流体連通する流体連通部であるスリット部１２が形成され、収容キャビティ１４、１５は、端子接点部１０ｂに導通不良が生じた場合、すなわち、端子１０、２４同士の導通不良が発生した場合に、端子接点部１０ｂに金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃが滴下されるように配置されている。
このように構成された本発明の実施形態およびその変形例によれば、端子１０、２４同士の導通不良が発生した場合に、端子接点部１０ｂに滴下された分散液Ｃに含まれる金属ナノ粒子Ｂが、導通不良に起因して生じる電界により導通不良部に集約して端子１０、２４間を架橋するので、端子接点部１０ｂに導通不良が発生しても、自己的に導通不良を修復することができる。
【0045】
また、本発明の第１乃至第４実施形態およびその変形例によれば、端子接点部の位置に、金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを流体連通させるための流体連通路１０ｃ、１０ｄが形成されている。これらの端子部材１０に形成された流体連通路１０ｃ、１０ｄは、端子部材１０を上下方向に貫通する単数または複数の断面矩形状の孔１０ｃまたは断面円形状の孔１０ｄである。
このように構成された本発明の第１乃至第４実施形態およびその変形例によれば、ハウジング６のスリット部１２を介して端子部材１０に滴下した金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを、効果的に、端子接点部１０ｂまで滴下することができる。たとえば、金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを端子部材１０の側面を介して端子接点部１０ｂまで流通させるよりも、端子部材１０の孔部１０ｃ、１０ｄを介することにより最短距離で直接的に滴下することができる。
このように構成された本発明の第１乃至第４実施形態およびその変形例によれば、ハウジング６のスリット部１２を介して端子部材１０に滴下した金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを、効果的に、端子接点部１０ｂまで滴下することができる。たとえば、金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを端子部材１０の側面を介して端子接点部１０ｂまで流通させるよりも、端子部材１０の孔部１０ｃ、１０ｄを介することにより最短距離で直接的に滴下することができる。
【0046】
また、本発明の第１実施形態およびその変形例によれば、ハウジング６の収容キャビティ１４は、金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを皮膜Ａ内に内包するマイクロカプセルＭＣを複数収容するように形成されており、マイクロカプセルＭＣは、所定の温度まで高められると、その皮膜Ａが破壊されて内包する金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃが流出するようになっており、ハウジング６のキャビティ１４は、端子接点部１０ｂに導通不良が発生したとき、その導通不良に起因して端子接点部１０ｂで発生する熱がキャビティ１４まで伝達されて収容されたマイクロカプセルＭＣの皮膜Ａが破壊され、かつ、流出した金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃが、ハウジング６の流体連通部であるスリット１２および端子部材１０の流体連通路である孔部１０ｃ、１０ｄを介して端子接点部１０ｂに滴下されるように、ハウジング６において流体連通部であるスリット部１２の上方に隣接した位置に形成されている。
このように構成された第１実施形態およびその変形例によれば、端子接点部１０ｂに導通不良が発生したとき、その導通不良に起因して発生する熱によりマイクロカプセルＭＣの皮膜Ａが破壊され、流出した金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃが、ハウジング６のスリット部１２および端子部材１０の孔部１０ｃ、１０ｄを介して端子接点部１０ｂに滴下されるので、端子接点部１０ｂに導通不良が発生したとき、より効果的に、自己的に導通不良を修復することができる。
このように構成された第１実施形態およびその変形例によれば、端子接点部１０ｂに導通不良が発生したとき、その導通不良に起因して発生する熱によりマイクロカプセルＭＣの皮膜Ａが破壊され、流出した金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃが、ハウジング６のスリット部１２および端子部材１０の孔部１０ｃ、１０ｄを介して端子接点部１０ｂに滴下されるので、端子接点部１０ｂに導通不良が発生したとき、より効果的に、自己的に導通不良を修復することができる。
【0047】
また、本発明の第１実施形態およびその変形例によれば、ハウジング６の収容キャビティ１４は、金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを皮膜Ａ内に内包するマイクロカプセルＭＣを複数収容するように形成されており、マイクロカプセルＭＣは、所定の温度まで高められると、その皮膜Ａが破壊されて内包する金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃが流出するようになっており、ハウジング６には、キャビティ１４に収容されたマイクロカプセルＭＣを加熱するための熱源であるフィルムヒータ３０が設けられ、フィルムヒータ３０による熱を受けてマイクロカプセルＭＣの皮膜Ａが破壊され、流出した金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃが、ハウジング６の流体連通部であるスリット部１２および端子部材１０の流体連通路である孔部１０ｃ、１０ｄを介して端子接点部１０ｂに滴下されるように、マイクロカプセル収容キャビティ１４に隣接して設けられている。
このように構成された本発明の実施形態およびその変形例によれば、端子接点部１０ｂに導通不良が発生したとき、フィルムヒータ３０による熱によりマイクロカプセルＭＣの皮膜Ａが破壊され、流出した金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃが、ハウジング６のスリット部１２および端子部材１０の孔部１０ｃ、１０ｄを介して端子接点部１０ｂに滴下されるので、端子接点部１０ｂに導通不良が発生したとき、より効果的に、自己的に導通不良を修復することができる。
このように構成された本発明の実施形態およびその変形例によれば、端子接点部１０ｂに導通不良が発生したとき、フィルムヒータ３０による熱によりマイクロカプセルＭＣの皮膜Ａが破壊され、流出した金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃが、ハウジング６のスリット部１２および端子部材１０の孔部１０ｃ、１０ｄを介して端子接点部１０ｂに滴下されるので、端子接点部１０ｂに導通不良が発生したとき、より効果的に、自己的に導通不良を修復することができる。
【0048】
また、本発明の第１実施形態およびその変形例によれば、熱源であるフィルムヒータ３０は、所定の検出器により検出されるコネクタ１の端子部材１０とレセプタクルコネクタ２０の端子２４との導通不良による抵抗値の上昇を検知したとき作動するよう構成される。
また、ハウジング６の流体連通部であるスリット部１２は、端子部材１０を左右で挟み込むように収容するスリット部１２である。
また、自己修復型コネクタ１はケーブル４が接続されたプラグコネクタであり、レセプタクルコネクタ２０は所定の基板２６に実装されている。
また、ハウジング６の流体連通部であるスリット部１２は、端子部材１０を左右で挟み込むように収容するスリット部１２である。
また、自己修復型コネクタ１はケーブル４が接続されたプラグコネクタであり、レセプタクルコネクタ２０は所定の基板２６に実装されている。
【0049】
また、本発明の第２乃至第４実施形態およびその変形例によれば、ハウジング７の収容キャビティ（収容部）１５は、金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを貯めて収容するよう形成され（図１４、図１５参照）、自己修復型コネクタ１は、収容キャビティ１５に収容された金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを、端子１０、２４同士の導通不良が発生した場合に滴下させるよう、収容キャビティ１５または流体連通部であるスリット部１２に設けられたバイメタル部材３４、形状記憶合金部材３４および／または線膨張係数の異なる部材３６を備える。
このように構成された第２乃至第４実施形態およびその変形例によれば、効果的に、金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを端子接点部１０ｂまで滴下することができる。
このように構成された第２乃至第４実施形態およびその変形例によれば、効果的に、金属ナノ粒子Ｂの分散液Ｃを端子接点部１０ｂまで滴下することができる。
【0050】
また、第１乃至第４実施形態およびその変形例では、収容キャビティ１４、１５を含む上述した自己修復機構／分散液滴下構造は、基板２６に実装され、熱を受けやすいレセプタクルコネクタ２０ではなく、熱の影響を受けにくいプラグコネクタ１に設けている。
【0051】
なお、本発明の個々の実施形態は、独立したものではなく、それぞれ組み合わせて適宜実施することができる。また、上述した実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない限り、種々の形態で実施することができる。
【産業上の利用可能性】
【0052】
本発明に係る自己修復型コネクタは、たとえば原子力発電所、海底に敷設する設備、宇宙空間の衛星設備などのような作業者が立ち入りにくいような特殊環境や民生用などの種々の用途に利用することができる。
【符号の説明】
【0053】
１ コネクタ、プラグコネクタ、ケーブルコネクタ
６ 第１実施形態によるハウジング
７ 第２～第４実施形態によるハウジング
１０ 端子、端子部材
１０ａ 湾曲部
１０ｂ 端子接点部
１０ｃ スリット部、孔部（流体連通路）
１０ｄ 孔部（流体連通路）
１２ スリット（流体連通部）
１４ マイクロカプセル収容キャビティ（収容部）
１５ 分散液収容キャビティ（収容部）
２０ レセプタクルコネクタ（相手側コネクタ）
２４ 端子、相手側端子
３０ フィルムヒータ
３４ 第２実施形態によるバイメタル、第３実施形態による形状記憶合金
３６ 第４実施形態による線膨張係数の異なる部材
ＭＣ マイクロカプセル
Ａ 皮膜
Ｂ 金属ナノ粒子
Ｃ 潤滑剤、分散液
Ｆ 金属ナノ粒子が分散した潤滑剤の滴下方向
Ｈ 熱、熱の伝達方向
Ｓ 隙間
６ 第１実施形態によるハウジング
７ 第２～第４実施形態によるハウジング
１０ 端子、端子部材
１０ａ 湾曲部
１０ｂ 端子接点部
１０ｃ スリット部、孔部（流体連通路）
１０ｄ 孔部（流体連通路）
１２ スリット（流体連通部）
１４ マイクロカプセル収容キャビティ（収容部）
１５ 分散液収容キャビティ（収容部）
２０ レセプタクルコネクタ（相手側コネクタ）
２４ 端子、相手側端子
３０ フィルムヒータ
３４ 第２実施形態によるバイメタル、第３実施形態による形状記憶合金
３６ 第４実施形態による線膨張係数の異なる部材
ＭＣ マイクロカプセル
Ａ 皮膜
Ｂ 金属ナノ粒子
Ｃ 潤滑剤、分散液
Ｆ 金属ナノ粒子が分散した潤滑剤の滴下方向
Ｈ 熱、熱の伝達方向
Ｓ 隙間
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】