特開 2024-68412 インダクタ部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024068412

(43)【公開日】2024-05-20

(54)【発明の名称】インダクタ部品

(51)【国際特許分類】

   H01F 17/04 20060101AFI20240513BHJP

   H01F 27/29 20060101ALI20240513BHJP

   H01F 17/00 20060101ALI20240513BHJP

   H01F 27/32 20060101ALI20240513BHJP

【ＦＩ】

H01F17/04 F

H01F27/29 Q

H01F17/00 B

H01F27/32 130

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022178845

(22)【出願日】2022-11-08

(71)【出願人】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100145403

【弁理士】

【氏名又は名称】山尾 憲人

(74)【代理人】

【識別番号】100132252

【弁理士】

【氏名又は名称】吉田 環

(74)【代理人】

【識別番号】100189555

【弁理士】

【氏名又は名称】徳山 英浩

(72)【発明者】

【氏名】川上 祐輝

(72)【発明者】

【氏名】吉岡 由雅

【テーマコード（参考）】

5E044

5E070

【Ｆターム（参考）】

5E044CA01

5E070AA01

5E070AB04

5E070BB03

5E070CB12

5E070EA06

(57)【要約】

【課題】インダクタンス値を向上させることができるインダクタ部品を提供する。
【解決手段】インダクタ部品は、磁性層を含み、互いに対向する第１主面および第２主面を有する素体と、
前記素体内に配置されたコイルと、
前記コイルの外面の一部を覆う絶縁層と、を備え、
前記コイルは、前記第１主面に直交する方向であって前記第２主面から前記第１主面に向かう方向である第１方向に直交する平面に沿って巻き回された第１インダクタ配線を有し、
前記第１インダクタ配線の最内周の内周面の少なくとも一部は、前記絶縁層に覆われないで前記磁性層に接触している。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

磁性層を含み、互いに対向する第１主面および第２主面を有する素体と、
前記素体内に配置されたコイルと、
前記コイルの外面の一部を覆う絶縁層と、を備え、
前記コイルは、前記第１主面に直交する方向であって前記第２主面から前記第１主面に向かう方向である第１方向に直交する平面に沿って巻き回された第１インダクタ配線を有し、
前記第１インダクタ配線の最内周の内周面の少なくとも一部は、前記磁性層に接触している、インダクタ部品。

【請求項2】

前記コイルは、前記第１方向に直交する平面に沿って巻き回された第２インダクタ配線をさらに有し、
前記第２インダクタ配線は、前記第１インダクタ配線よりも、前記第１方向と逆方向の第２方向側に配置され、前記第１インダクタ配線と電気的に接続し、
前記絶縁層は、前記第１インダクタ配線と前記第２インダクタ配線との間に少なくとも存在し、前記第２インダクタ配線の最内周の内周面を覆っている、請求項１に記載のインダクタ部品。

【請求項3】

前記第１インダクタ配線の延在方向の端部に接続され、前記第１方向に延在して前記素体の外面から露出する引出配線をさらに備える、請求項２に記載のインダクタ部品。

【請求項4】

前記素体の前記第１主面と前記第１インダクタ配線との間に存在する前記磁性層の前記第１方向の厚みは、前記素体の前記第２主面と前記第２インダクタ配線との間に存在する前記磁性層の前記第１方向の厚みよりも小さい、請求項３に記載のインダクタ部品。

【請求項5】

前記第１インダクタ配線は、前記第１方向側を向く天面を有し、
前記第１インダクタ配線の前記天面の少なくとも一部は、前記磁性層に接触し、
前記第１インダクタ配線の前記天面のうちの前記磁性層と接触する部分は、前記第１インダクタ配線の前記最内周の前記内周面と連続する、請求項１から４の何れか一つに記載のインダクタ部品。

【請求項6】

前記第１インダクタ配線の延在方向の端部に接続され、前記第１方向に延在して前記素体の外面から露出する引出配線をさらに備え、
前記第１インダクタ配線の前記天面のうちの前記磁性層と接触する部分と前記引出配線との間の距離は、８０μｍ以上である、請求項５に記載のインダクタ部品。

【請求項7】

前記第１インダクタ配線は、シード層と、前記シード層に部分的に接するよう形成されためっき層と、を有し、
前記第１インダクタ配線の延在方向に直交し、且つ、前記第１インダクタ配線の前記最内周の前記内周面のうちの前記磁性層と接触する部分と交差する断面において、前記第１インダクタ配線のうちの前記最内周を含む部分に存在する前記シード層は、前記第１方向と直交する方向における前記第１インダクタ配線の中央に対して、前記第１インダクタ配線の前記最内周の前記内周面側とは反対側に偏って配置されている、請求項１から４の何れか一つに記載のインダクタ部品。

【請求項8】

前記第１インダクタ配線は、前記第１方向と逆方向の第２方向側を向く底面を有し、
前記第１インダクタ配線のうちの前記最内周を含む部分に存在する前記シード層は、前記第１インダクタ配線の前記最内周の前記内周面と反対側の外周面と、前記第１インダクタ配線の前記底面と、の間の角部に設けられている、請求項７に記載のインダクタ部品。

【請求項9】

前記第１インダクタ配線は、前記第１方向側を向く天面を有し、
前記第１インダクタ配線のうちの前記最内周を含む部分は、前記第１インダクタ配線の前記最内周の前記内周面と、前記第１インダクタ配線の前記天面と、の間の角部に曲面を有する、請求項７に記載のインダクタ部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、インダクタ部品に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、インダクタ部品としては、特開２０２０－１３６４６７号公報（特許文献１）に記載されたものがある。インダクタ部品は、磁性層を含む素体と、素体内に配置されたコイルと、コイルの外面の全面を覆う絶縁層と、を備える。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２０－１３６４６７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、従来のインダクタ部品では、絶縁層がコイルの外面の全面を覆っているため、磁性層の体積を確保できず、所望のインダクタンス値を得られない場合があった。

【0005】

そこで、本開示の目的は、インダクタンス値を向上させることができるインダクタ部品を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

前記課題を解決するため、本開示の一態様であるインダクタ部品は、
磁性層を含み、互いに対向する第１主面および第２主面を有する素体と、
前記素体内に配置されたコイルと、
前記コイルの外面の一部を覆う絶縁層と、を備え、
前記コイルは、前記第１主面に直交する方向であって前記第２主面から前記第１主面に向かう方向である第１方向に直交する平面に沿って巻き回された第１インダクタ配線を有し、
前記第１インダクタ配線の最内周の内周面の少なくとも一部は、前記絶縁層に覆われないで前記磁性層に接触している。

【0007】

前記態様によれば、第１インダクタ配線の最内周の内周面の少なくとも一部が、絶縁層に覆われないで磁性層に接触しているため、第１インダクタ配線の外面の全面が絶縁層に覆われている場合と比較して、磁性層の体積を増大させることができる。その結果、インダクタ部品のインダクタンス値を向上させることができる。

【発明の効果】

【0008】

本開示の一態様であるインダクタ部品によれば、インダクタンス値を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】インダクタ部品の第１実施形態を示す模式平面図である。

【図2】図１のII-II断面図である。

【図3】インダクタ部品の変形例を示す模式断面図である。

【図4A】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4B】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4C】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4D】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4E】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4F】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4G】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4H】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図4I】インダクタ部品の製法を説明する説明図である。

【図5】インダクタ部品の第２実施形態を示す模式平面図である。

【図6】図５のVI-VI断面図である。

【図7】インダクタ部品の第３実施形態を示す模式断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、本開示の一態様であるインダクタ部品を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。

【0011】

＜第１実施形態＞
（構成）
図１は、インダクタ部品の第１実施形態を示す模式平面図である。図２は、図１のII-II断面図である。図１では、便宜上、絶縁層が存在する位置に斜線を施している。

【0012】

インダクタ部品１は、例えば、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジタルカメラ、ＴＶ、携帯電話、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載され、例えば全体として直方体形状の部品である。ただし、インダクタ部品１の形状は、特に限定されず、円柱状や多角形柱状、円錐台形状、多角形錐台形状であってもよい。

【0013】

図１および図２に示すように、インダクタ部品１は、素体１０と、素体１０内に配置されたコイル１５と、コイル１５の外面の一部を覆う絶縁層６０と、素体１０の第１主面１０ａから端面が露出するように素体１０内に設けられた第１引出配線５１および第２引出配線５２と、素体１０の第１主面１０ａにおいて露出する第１外部電極４１および第２外部電極４２と、素体１０の第１主面１０ａに設けられた被覆層５０と、を備える。

【0014】

素体１０の形状は、特に限定されないが、この実施形態では直方体形状にされている。素体１０の外面は、第１主面１０ａおよび第２主面１０ｂと、第１主面１０ａと第２主面１０ｂの間に位置し第１主面１０ａと第２主面１０ｂを接続する第１側面１０ｃ、第２側面１０ｄ、第３側面１０ｅおよび第４側面１０ｆと、を有する。第１主面１０ａと第２主面１０ｂは、互いに対向する。第１側面１０ｃと第２側面１０ｄは、互いに対向する。第３側面１０ｅと第４側面１０ｆは、互いに対向する。

【0015】

図中、素体１０の厚み方向（言い換えると、第１主面１０ａに直交する方向）をＺ方向とし、第２主面１０ｂから第１主面１０ａに向かう方向を順Ｚ方向とし、順Ｚ方向の逆方向を逆Ｚ方向とする。また、この明細書では、順Ｚ方向を上側、逆Ｚ方向を下側とする。素体１０のＺ方向に直交する平面において、素体１０の長手方向であり、第１外部電極４１および第２外部電極４２が並ぶ方向である長さ方向をＸ方向とし、長さ方向に直交する方向である素体１０の幅方向をＹ方向とする。また、Ｘ方向であって、第１側面１０ｃから第２側面１０ｄに向かう方向を順Ｘ方向とし、順Ｘ方向の逆方向を逆Ｘ方向とする。Ｙ方向であって、第３側面１０ｅから第４側面１０ｆに向かう方向を順Ｙ方向とし、順Ｙ方向の逆方向を逆Ｙ方向とする。順Ｚ方向が、特許請求の範囲に記載の「第１方向」に相当する。逆Ｚ方向が、特許請求の範囲に記載の「第２方向」に相当する。図中、第１方向は符号Ｄ１で、第２方向は符号Ｄ２で示した。

【0016】

素体１０は、第１方向Ｄ１に沿って順に配置された第１磁性層１１および第２磁性層１２を有する。この「順に」とは、単に第１磁性層１１および第２磁性層１２の位置関係を示すだけであり、第１磁性層１１および第２磁性層１２の形成順とは関係ない。

【0017】

第１磁性層１１および第２磁性層１２は、それぞれ、磁性粉と当該磁性粉を含有する樹脂とを含む。樹脂は、例えば、エポキシ系、フェノール系、液晶ポリマー系、ポリイミド系、アクリル系もしくはそれらを含む混合物からなる有機絶縁材料である。磁性粉は、例えば、ＦｅＳｉＣｒなどのＦｅＳｉ系合金、ＦｅＣｏ系合金、ＮｉＦｅなどのＦｅ系合金、または、それらのアモルファス合金である。したがって、フェライトからなる磁性層と比較して、磁性粉により直流重畳特性を向上でき、樹脂により磁性粉間が絶縁されるので、高周波でのロス（鉄損）が低減される。なお、磁性層は、フェライトや磁性粉の焼結体など、有機樹脂を含まない場合であってもよい。

【0018】

コイル１５は、第１インダクタ配線２１と第２インダクタ配線２２とを有する。第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２の各々は、第１磁性層１１と第２磁性層１２の間で第１方向Ｄ１に直交する平面に沿って巻き回されている。具体的に述べると、第１磁性層１１は、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２よりも第２方向Ｄ２に存在し、第２磁性層１２は、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２よりも第１方向Ｄ１、および第１方向Ｄ１に直交する方向に存在する。

【0019】

第１インダクタ配線２１は、第１方向Ｄ１に直交する平面に沿って巻き回された、スパイラル形状に延びる配線である。第１インダクタ配線２１のターン数は、１ターンを超えることが好ましい。これにより、インダクタンス値を向上させることができる。１ターンを超えるとは、インダクタ配線の軸に直交する断面において、インダクタ配線が、軸方向からみて径方向に隣り合って巻回方向に並走する部分を有する状態をいい、１ターン以下とは、軸に直交する断面において、インダクタ配線が、軸方向からみて径方向に隣り合って巻回方向に並走する部分を有さない状態をいう。この実施形態では、第１インダクタ配線２１のターン数は、２ターンである。第１インダクタ配線２１は、Ｚ方向からみて、内周端２１ａから外周端２１ｂに向かって時計回り方向に渦巻状に巻回されている。

【0020】

第２インダクタ配線２２は、第１インダクタ配線２１よりも第２方向Ｄ２側に配置され、第１方向Ｄ１に直交する平面に沿って巻き回された、スパイラル形状に延びる配線である。第２インダクタ配線２２は、第１インダクタ配線２１と電気的に接続している。第２インダクタ配線２２のターン数は、１ターンを超えることが好ましい。これにより、インダクタンス値を向上させることができる。この実施形態では、第２インダクタ配線２２のターン数は、２．５ターンである。第２インダクタ配線２２は、Ｚ方向からみて、外周端２２ｂから内周端２２ａに向かって時計回り方向に渦巻状に巻回されている。第２インダクタ配線２２は、第１インダクタ配線２１と第１磁性層１１との間に配置されている。これにより、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２の各々は、第１方向Ｄ１に沿って配置されている。

【0021】

第１インダクタ配線２１の外周端２１ｂは、その外周端２１ｂの天面に接する第２引出配線５２を介して、第２外部電極４２に接続される。第２インダクタ配線２２の外周端２２ｂは、その外周端２２ｂの天面に接する第１引出配線５１を介して、第１外部電極４１に接続される。第２インダクタ配線２２の内周端２２ａは、その内周端２２ａの天面に接するビア配線２５を介して、第１インダクタ配線２１の内周端２１ａに接続される。以上の構成により、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２は、直列に接続されて、第１外部電極４１および第２外部電極４２と電気的に接続される。

【0022】

第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２の各々は、導電性材料からなり、シード層Ｓと、シード層Ｓに部分的に接するよう形成されためっき層Ｐと、を有する。

【0023】

具体的に述べると、図２に示すように、シード層Ｓは、第１，第２インダクタ配線２１，２２のＸ方向の線幅の略中央に配置されている。シード層Ｓは、第１，第２インダクタ配線２１，２２の底面２１３，２２３の一部から露出するように設けられている。シード層Ｓは、Ｚ方向からみて、第１，第２インダクタ配線２１，２２の形状に対応した形状にされている。すなわち、シード層Ｓは、Ｚ方向からみて、スパイラル形状に線状に延在している。シード層Ｓの線幅は、第１，第２インダクタ配線２１，２２の線幅よりも小さい。シード層Ｓは、例えばＣｕとＴｉの積層である。

【0024】

なお、シード層Ｓの線幅は、第１，第２インダクタ配線２１，２２の線幅と同じにされていてもよい。この実施形態のように、第１インダクタ配線２１の線幅よりもシード層Ｓの線幅を小さくした場合、シード層Ｓを形成後に、第１インダクタ配線２１の隣り合うターン間に存在する絶縁層６０の一部を形成する際に、当該絶縁層６０の一部がシード層Ｓを乗り越えてしまうことを抑制できる。当該絶縁層６０の一部がシード層Ｓを乗り越えた場合、隣り合うターン間で短絡が発生する可能性がある。

【0025】

めっき層Ｐは、第１方向Ｄ１および第１方向Ｄ１に直交する方向に、シード層Ｓを覆っている。これにより、めっき層Ｐは、シード層Ｓに部分的に接するよう形成される。めっき層Ｐは、例えばＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌなどの低電気抵抗な金属材料からなる。

【0026】

なお、この実施形態では、第１，第２インダクタ配線２１，２２の形成方法として、シード層Ｓを用いるセミアディティブ法を用いているが、サブトラクティブ法、フルアディティブ法、ダマシン法、デュアルダマシン法、または、導電ペーストの印刷法などの公知の方法を用いてもよい。

【0027】

第１引出配線５１は、導電性材料からなり、第２インダクタ配線２２の天面から第１方向Ｄ１に延在し、絶縁層６０および第２磁性層１２の内部を貫通している。第１引出配線５１は、第２インダクタ配線２２の外周端２２ｂの天面に設けられ、絶縁層６０の内部を貫通するビア配線２５と、該ビア配線２５の天面から第１方向Ｄ１に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通する第１柱状配線３１と、該第１柱状配線３１の天面に設けられ、絶縁層６０の内部を貫通するビア配線２５と、該ビア配線２５の天面から第１方向Ｄ１に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通し、端面が素体１０の第１主面１０ａに露出する第２柱状配線３２と、を含む。ビア配線は、柱状配線よりも線幅（径、断面積）が小さい導体である。

【0028】

第２引出配線５２は、導電性材料からなり、第１インダクタ配線２１の天面から第１方向Ｄ１に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通している。第２引出配線５２は、第１インダクタ配線２１の外周端２１ｂの天面に設けられ、絶縁層６０の内部を貫通するビア配線２５と、該ビア配線２５の天面から第１方向Ｄ１に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通し、端面が素体１０の第１主面１０ａに露出する第３柱状配線３３と、を含む。第１，第２引出配線５１，５２は、第１，第２インダクタ配線２１，２２のめっき層Ｐと同様の材料からなることが好ましい。

【0029】

第１，第２外部電極４１，４２は、素体１０の第１主面１０ａに設けられている。第１，第２外部電極４１，４２は、導電性材料からなり、例えば、低電気抵抗かつ耐応力性に優れたＣｕ、耐食性に優れたＮｉ、はんだ濡れ性と信頼性に優れたＡｕが内側から外側に向かってこの順に並ぶ３層構成である。

【0030】

第１外部電極４１は、第１引出配線５１の素体１０の第１主面１０ａから露出する端面に接触し、第１引出配線５１と電気的に接続されている。これにより、第１外部電極４１は、第２インダクタ配線２２の外周端２２ｂに電気的に接続される。第２外部電極４２は、第２引出配線５２の素体１０の第１主面１０ａから露出する端面に接触し、第２引出配線５２と電気的に接続されている。これにより、第２外部電極４２は、第１インダクタ配線２１の外周端２１ｂに電気的に接続される。なお、図１において、第１，第２外部電極４１，４２は、便宜上、二点鎖線で示している。

【0031】

絶縁層６０は、磁性体を含まない絶縁性材料からなる。絶縁層６０は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、液晶ポリマーやこれらの組み合わせなどの有機樹脂や、ガラスやアルミナなどの焼結体、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜などの薄膜などである。

【0032】

第１インダクタ配線２１の最内周の内周面２１１の少なくとも一部は、絶縁層６０に覆われないで第２磁性層１２に接触している。インダクタ配線の最内周とは、インダクタ配線が１ターン以下の場合、インダクタ配線の径方向内側の内周を指し、インダクタ配線が１ターンを超える場合、インダクタ配線のうち、内周端を含む１ターンを構成する部分における径方向内側の内周を指す。この実施形態では、第１インダクタ配線２１の最内周の内周面２１１の全面が、絶縁層６０に覆われないで第２磁性層１２に接触している。

【0033】

第１インダクタ配線２１の外面および第２インダクタ配線２２の外面のうち、第１インダクタ配線２１の最内周の内周面２１１を除く部分は、絶縁層６０に接触している。これにより、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２と、第１磁性層１１および第２磁性層１２と、の間の絶縁性を確保できる。

【0034】

具体的に述べると、絶縁層６０は、第１インダクタ配線２１の第１方向Ｄ１側を向く天面２１２の全面と、第１インダクタ配線２１の第２方向Ｄ２側を向く底面２１３の全面と、第１インダクタ配線２１の最外周の外周面２１４の全面と、第２インダクタ配線２２の最内周の内周面２２１の全面と、第２インダクタ配線２２の第１方向Ｄ１側を向く天面２２２の全面と、第２インダクタ配線２２の第２方向Ｄ２側を向く底面２２３の全面と、第２インダクタ配線２２の最外周の外周面２２４の全面と、に接触し且つこれらの面を覆っている。インダクタ配線の最外周とは、インダクタ配線が１ターン以下の場合、インダクタ配線の径方向外側の外周を指し、インダクタ配線が１ターンを超える場合、インダクタ配線のうち、外周端を含む１ターンを構成する部分における径方向外側の外周を指す。

【0035】

さらに、絶縁層６０は、第１インダクタ配線２１の隣り合うターンの間と、第２インダクタ配線２２の隣り合うターンの間と、にも設けられている。これにより、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２の各々において、隣り合うターン間の短絡を抑制できる。

【0036】

被覆層５０は、例えば、エポキシ樹脂を主成分とするソルダーレジストなどである。被覆層５０は、素体１０の第１主面１０ａのうち、第１外部電極４１および第２外部電極４２が設けられていない領域に設けられていることが好ましい。被覆層５０を設けることにより、インダクタ部品１を外部環境から保護することができる。

【0037】

インダクタ部品１によれば、第１インダクタ配線２１の最内周の内周面２１１の少なくとも一部が、絶縁層６０に覆われないで第２磁性層１２に接触しているため、第１インダクタ配線２１の外面の全面が絶縁層６０に覆われている場合と比較して、第２磁性層１２の体積を増大させることができる。その結果、インダクタ部品１のインダクタンス値を向上させることができる。

【0038】

コイル１５の内磁路部分は、特に磁束が集中し易い。インダクタ部品１では、第１インダクタ配線２１の最内周の内周面２１１の少なくとも一部を、絶縁層６０で覆わないで第２磁性層１２に接触させているため、コイル１５の内磁路部分の磁束の集中を緩和できる。これにより、第１インダクタ配線２１の外面のうち、最内周の内周面２１１以外の部分を絶縁層６０で覆わないで第２磁性層１２に接触させる場合よりも効果的にインダクタンス値を向上させることができる。

【0039】

好ましくは、コイル１５は、第１方向Ｄ１に直交する平面に沿って巻き回された第２インダクタ配線２２をさらに有し、第２インダクタ配線２２は、第１インダクタ配線２１よりも、第１方向Ｄ１と逆方向の第２方向Ｄ２側に配置され、第１インダクタ配線２１と電気的に接続し、絶縁層６０は、第１インダクタ配線２１と第２インダクタ配線２２との間に少なくとも存在し、第２インダクタ配線２２の最内周の内周面２２１を覆っている。

【0040】

上記構成によれば、第２インダクタ配線２２をさらに有しているため、インダクタンス値をさらに向上させることができる。また、絶縁層６０が第１インダクタ配線２１と第２インダクタ配線２２との間に少なくとも存在するため、第１インダクタ配線２１と第２インダクタ配線２２との間の絶縁性を確保できる。また、絶縁層６０が第２インダクタ配線２２の最内周の内周面２２１を覆っているため、第１インダクタ配線２１の最内周の内周面２１１と、第２インダクタ配線２２の最内周の内周面２２１と、の間の絶縁性を確保できる。

【0041】

好ましくは、第１インダクタ配線２１の延在方向の端部（外周端２１ｂ）に接続され、第１方向Ｄ１に延在して素体１０の外面から露出する第２引出配線５２をさらに備える。この構成によれば、不要な引き回し配線を設けなくても、第２引出配線５２を介して、第１インダクタ配線２１と外部回路等を最短距離で接続できる。同様に、好ましくは、第２インダクタ配線２２の延在方向の端部（外周端２２ｂ）に接続され、第１方向Ｄ１に延在して素体１０の外面から露出する第１引出配線５１をさらに備える。この構成によれば、不要な引き回し配線を設けなくても、第１引出配線５１を介して、第１インダクタ配線２１と外部回路等を最短距離で接続できる。

【0042】

（変形例）
図３は、変形例に係るインダクタ部品１Ａを示す模式断面図である。図３は、図１のII-II断面（図２）に対応する。なお、図３では、便宜上、素体の第２側面側の記載を省略している。

【0043】

図３に示すように、素体１０の第１主面１０ａと第１インダクタ配線２１との間に存在する第２磁性層１２の第１方向Ｄ１の厚みｔ１は、素体１０の第２主面１０ｂと第２インダクタ配線２２との間に存在する第１磁性層１１の第１方向Ｄ１の厚みｔ２よりも小さい。

【0044】

上記構成によれば、素体１０の第１主面１０ａと第１インダクタ配線２１との間に存在する第２磁性層１２の第１方向Ｄ１の厚みｔ１が相対的に小さいため、第２磁性層１２を貫通する第２柱状配線３２の第１方向Ｄ１の長さを短くできる。その結果、第１引出配線５１の第１方向Ｄ１の長さも短くできるため、第１引出配線５１を容易に形成できる。厚みｔ１が相対的に大きい場合、例えば電解めっきにより第２柱状配線３２を形成する際に、めっき成長が不十分となる可能性がある。また、上記構成によれば、第１引出配線５１の第１方向Ｄ１の長さを短くできるため、第１引出配線５１の電気抵抗を低減できる。図示しない第２引出配線についても同様に、上記構成によれば、第２引出配線の第１方向Ｄ１の長さを短くできるため、第２引出配線を容易に形成できる。また、第２引出配線の電気抵抗を低減できる。

【0045】

厚みｔ１が相対的に小さい場合、厚みｔ１が相対的に大きい場合と比較して、素体１０の第１主面１０ａと第１インダクタ配線２１との間において磁束が集中し易くなる。インダクタ部品１Ａでは、第１インダクタ配線２１の最内周の内周面２１１は絶縁層６０で覆われていない一方、第２インダクタ配線２２の最内周の内周面２２１は絶縁層６０で覆われている。このように、第１インダクタ配線２１の最内周の内周面２１１のみを選択的に絶縁層６０で覆わないことにより、厚みｔ１が相対的に小さい場合でも、素体１０の第１主面１０ａと第１インダクタ配線２１との間において磁束が集中することを緩和できるとともに、第１インダクタ配線２１の最内周の内周面２１１と、第２インダクタ配線２２の最内周の内周面２２１と、の間の絶縁性も確保できる。

【0046】

（製造方法）
次に、インダクタ部品１の製造方法の一例について説明する。図４Ａから図４Ｉは、インダクタ部品１の製法を説明する説明図である。図４Ａから図４Ｉは、図１のII-II断面（図２）に対応する。

【0047】

図４Ａに示すように、支持基板７０を準備する。支持基板７０は、例えば、セラミック、エポキシガラス、ガラスなどの無機材料からなる。支持基板７０の主面上に絶縁樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ工法を用いて露光および現像して、絶縁樹脂をパターニングする。パターニング形状は、絶縁樹脂が、後工程で形成される第２インダクタ配線２２の底面を少なくとも覆うような形状である。その後、絶縁樹脂を硬化することにより、絶縁層６０の一部となる第１絶縁樹脂層６１を形成する。絶縁樹脂は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを用いればよい。

【0048】

図４Ｂに示すように、スパッタ法などを用いて、第１絶縁樹脂層６１を覆うように、第１シード層Ｓ１を成膜する。その後、図示しないレジストを塗布後に、フォトリソグラフィ工法を用いて、第１シード層Ｓ１をパターニングする。パターニング形状は、後工程で形成される第２インダクタ配線２２のスパイラル形状に対応した形状である。その後、第１絶縁樹脂層６１および第１シード層Ｓ１を覆うように、絶縁樹脂フィルムをラミネートする。その後、フォトリソグラフィ工法を用いて、絶縁樹脂フィルムを露光および現像して、絶縁樹脂フィルムをパターニングする。パターニング形状は、絶縁樹脂フィルムが、後工程で形成される第２インダクタ配線２２の最内周の内周面と、隣り合うターンの間と、最外周の外周面と、に設けられるような形状である。その後、絶縁樹脂フィルムを硬化して、絶縁層６０の一部となる第２絶縁樹脂層６２を形成する。絶縁樹脂フィルムは、エポキシ樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルムなどを用いればよい。

【0049】

図４Ｃに示すように、第１シード層Ｓ１に給電しながら、電解めっきにより第１めっき層Ｐ１を形成する。これにより、第１めっき層Ｐ１が第１シード層Ｓ１に部分的に接するよう形成され、第２インダクタ配線２２が形成される。その後、第１絶縁樹脂層６１、第２絶縁樹脂層６２および第２インダクタ配線２２を覆うように、絶縁樹脂フィルムをラミネートする。その後、フォトリソグラフィ工法を用いて、絶縁樹脂フィルムを露光および現像して、絶縁樹脂フィルムをパターニングする。パターニング形状は、絶縁樹脂フィルムが第２インダクタ配線２２の天面を覆うような形状である。また、絶縁樹脂フィルムには、第２インダクタ配線２２の天面に接続されるビア配線２５が設けられる位置に開口６３ａが形成されている。その後、絶縁樹脂フィルムを硬化して、絶縁層６０の一部となる第３絶縁樹脂層６３を形成する。

【0050】

図４Ｄに示すように、スパッタ法などを用いて、第１から第３絶縁樹脂層６１～６３および開口６３ａを覆うように、第２シード層Ｓ２を成膜する。その後、図示しないレジストを塗布後に、フォトリソグラフィ工法を用いて、第２シード層Ｓ２をパターニングする。パターニング形状は、後工程で形成される第１インダクタ配線２１のスパイラル形状に対応した形状である。この際、第２シード層Ｓ２は、開口６３ａ内にも形成する。開口６３ａ内に形成された第２シード層Ｓ２が、第２インダクタ配線２２の天面に接続されるビア配線２５となる。その後、第１から第３絶縁樹脂層６１～６３および第２シード層Ｓ２を覆うように、絶縁樹脂フィルムをラミネートする。その後、フォトリソグラフィ工法を用いて、絶縁樹脂フィルムを露光および現像して、絶縁樹脂フィルムをパターニングする。パターニング形状は、絶縁樹脂フィルムが、後工程で形成される第１インダクタ配線２１の隣り合うターンの間と、最外周の外周面と、に設けられるような形状である。この際、絶縁樹脂フィルムは、第１インダクタ配線２１の最内周の内周面には設けられないようにする。その後、絶縁樹脂フィルムを硬化して、絶縁層６０の一部となる第４絶縁樹脂層６４を形成する。

【0051】

図４Ｅに示すように、第２シード層Ｓ２に給電しながら、電解めっきにより第２めっき層Ｐ２を形成する。これにより、第２めっき層Ｐ２が第２シード層Ｓ２に部分的に接するよう形成され、第１インダクタ配線２１および第１柱状配線３１が形成される。その後、第１から第４絶縁樹脂層６１～６４、第１柱状配線３１および第１インダクタ配線２１を覆うように、絶縁樹脂フィルムをラミネートする。その後、フォトリソグラフィ工法を用いて、絶縁樹脂フィルムを露光および現像して、絶縁樹脂フィルムをパターニングする。パターニング形状は、絶縁樹脂フィルムが、第１柱状配線３１の天面および第１インダクタ配線２１の天面を覆うような形状である。また、絶縁樹脂フィルムには、第１インダクタ配線２１の天面と、第１柱状配線３１の天面と、に接続されるビア配線２５が設けられる位置に開口６５ａが形成されている。その後、絶縁樹脂フィルムを硬化して、絶縁層６０の一部となる第５絶縁樹脂層６５を形成する。

【0052】

図４Ｆに示すように、スパッタ法などを用いて、第１から第５絶縁樹脂層６１～６５および開口６５ａを覆うように、第３シード層Ｓ３を成膜する。開口６５ａ内に形成された第３シード層Ｓ３が、第１インダクタ配線２１の天面と、第１柱状配線３１の天面と、に接続されるビア配線２５となる。その後、レジスト７５を塗布し、フォトリソグラフィ工法を用いて露光および現像し、レジスト７５の所定位置に開口７５ａを形成する。所定位置は、第２柱状配線３２および第３柱状配線３３が設けられる位置である。

【0053】

図４Ｇに示すように、第３シード層Ｓ３に給電しながら、電解めっきにより、レジスト７５の開口７５ａ内に第３めっき層Ｐ３を形成する。これにより、第２柱状配線３２および第３柱状配線３３が形成される。その後、レジスト７５を剥離し、フォトリソグラフィ工法を用いて、第３シード層Ｓ３のうち、第２柱状配線３２の底面および第３柱状配線３３の底面に設けられた部分以外の部分をエッチングする。その後、第２磁性層１２となる磁性シートを、支持基板７０の主面の上方から第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２に向けて圧着して、第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２と第１から第５絶縁樹脂層６１～６５と第１から第３柱状配線３１～３３とを第２磁性層１２により覆う。その後、第２磁性層１２の天面を研削し、第２柱状配線３２および第３柱状配線３３の端面を第２磁性層１２の天面から露出させる。

【0054】

図４Ｈに示すように、支持基板７０を除去し、第２インダクタ配線２２の下方から第１インダクタ配線２１および第２インダクタ配線２２に向けて第１磁性層１１となる他の磁性シートを圧着して、第１絶縁樹脂層６１の底面を第１磁性層１１により覆う。その後、第１磁性層１１を所定の厚みに研削する。

【0055】

図４Ｉに示すように、第２磁性層１２の天面に被覆層５０となる絶縁樹脂フィルムをラミネートする。その後、フォトリソグラフィ工法を用いて、絶縁樹脂フィルムを露光および現像して、絶縁樹脂フィルムをパターニングする。パターニング形状は、被覆層５０が、第２磁性層１２の天面のうち、第１，第２外部電極４１，４２が形成される領域を除いた領域を覆うような形状である。その後、絶縁樹脂フィルムを硬化して、被覆層５０を形成する。その後、第２磁性層１２の天面から露出する第２柱状配線３２の端面および第３柱状配線３３の端面を覆うように、第１外部電極４１および第２外部電極４２を例えば無電解めっきにより形成する。以上のようにして、インダクタ部品１を製造する。

【0056】

＜第２実施形態＞
図５は、インダクタ部品の第２実施形態を示す模式平面図である。図６は、図５のVI-VI断面図である。図５では、便宜上、絶縁層が存在する位置に斜線を施している。図６では、便宜上、シード層の記載を省略している。第２実施形態は、第１実施形態とは、第１，第２インダクタ配線のターン数と、絶縁層が第１インダクタ配線の天面の一部を覆っていない点と、が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

【0057】

図５および図６に示すように、この実施形態では、第１インダクタ配線２１Ｂのターン数は、４ターンである。第２インダクタ配線２２Ｂのターン数は、４．５ターンである。これにより、インダクタンス値をさらに向上させることができる。

【0058】

第１インダクタ配線２１Ｂの天面２１２の少なくとも一部は、絶縁層６０に覆われないで第２磁性層１２に接触し、第１インダクタ配線２１の天面２１２のうちの第２磁性層１２と接触する部分２１２ｐは、第１インダクタ配線２１の最内周の内周面２１１と連続する。

【0059】

具体的に述べると、Ｚ方向からみて、第１インダクタ配線２１Ｂの天面２１２のうち、第１引出配線５１の周囲の所定領域Ｒ１内に存在する部分と、第２引出配線５２の周囲の所定領域Ｒ２内に存在する部分と、に絶縁層６０が設けられている。一方、Ｚ方向からみて、第１インダクタ配線２１Ｂの天面２１２のうち、第１引出配線５１の周囲の所定領域Ｒ１以外の部分と、第２引出配線５２の周囲の所定領域Ｒ２以外の部分とには、絶縁層６０が設けられておらず、第２磁性層１２と接触している。所定領域Ｒ１の形状は、特に限定されないが、この実施形態では、Ｚ方向からみて、第１引出配線５１を中心とした略扇形状にされている。同様に、所定領域Ｒ２の形状は、特に限定されないが、この実施形態では、Ｚ方向からみて、第２引出配線５２を中心とした略扇形状にされている。

【0060】

上記構成によれば、第２磁性層１２の体積をさらに増大させることができるため、インダクタンス値をさらに向上させることができる。また、上述したように、素体１０の第１主面１０ａと第１インダクタ配線２１Ｂとの間に存在する第２磁性層１２の第１方向Ｄ１の厚みが相対的に小さい場合、当該厚みが相対的に大きい場合と比較して、素体１０の第１主面１０ａと第１インダクタ配線２１Ｂとの間において磁束が集中し易くなる。インダクタ部品１Ｂによれば、第１インダクタ配線２１Ｂの天面２１２の少なくとも一部が、絶縁層６０に覆われないで第２磁性層１２に接触しているため、上記厚みが相対的に小さい場合でも、素体１０の第１主面１０ａと第１インダクタ配線２１Ｂとの間における磁束の集中を緩和できる。

【0061】

好ましくは、第１インダクタ配線２１の延在方向の端部（外周端２１ｂ）に接続され、第１方向Ｄ１に延在して素体１０の外面から露出する第２引出配線５２をさらに備え、第１インダクタ配線２１Ｂの天面２１２のうちの第２磁性層１２と接触する部分２１２ｐと第２引出配線５２との間の距離ｄ１は、８０μｍ以上である。第２磁性層１２と接触する部分２１２ｐと第２引出配線５２との間の距離ｄ１とは、Ｚ方向からみて、第２磁性層１２と接触する部分２１２ｐと、第２引出配線５２の外周と、の間の最短距離を指す。

【0062】

上記構成によれば、第２磁性層１２と接触する部分２１２ｐと第２引出配線５２との間の短絡の発生を抑制できる。具体的に述べると、ＥＳＤ（Electro Static Discharge；静電気放電）などにより、インダクタ部品１Ｂの導体部分に電位差が生じた場合、第１，第２磁性層１１，１２の磁性粉を介して短絡が発生する可能性がある。特に、第１，第２引出配線５１，５２と、第１，第２引出配線５１，５２の周囲に存在する第１，第２インダクタ配線２１Ｂ，２２Ｂとの間は、距離が比較的短いため、短絡し易い。本発明者らは、第１インダクタ配線２１Ｂの天面２１２の一部を絶縁層６０で覆わないで第２磁性層１２に接触させたとしても、上記距離ｄ１を８０μｍ以上とすれば、第１インダクタ配線２１Ｂの天面２１２の全面を絶縁層６０で覆った場合と同程度に短絡リスクを減少できることを見出した。

【0063】

好ましくは、第２インダクタ配線２２の延在方向の端部（外周端２２ｂ）に接続され、第１方向Ｄ１に延在して素体１０の外面から露出する第１引出配線５１をさらに備え、第１インダクタ配線２１の天面２１２のうちの第２磁性層１２と接触する部分２１２ｐと第１引出配線５１との間の距離ｄ２は、８０μｍ以上である。第２磁性層１２と接触する部分２１２ｐと第１引出配線５１との間の距離ｄ２とは、Ｚ方向からみて、第２磁性層１２と接触する部分２１２ｐと、第１引出配線５１の外周と、の間の最短距離を指す。この構成によれば、第２磁性層１２と接触する部分２１２ｐと第１引出配線５１との間の短絡の発生を抑制できる。

【0064】

インダクタ部品１Ｂの製造方法としては、例えば、図４Ａから図４Ｉで説明した製造方法において、第１シード層Ｓ１および第２シード層Ｓ２をパターニングする際に、第１，第２インダクタ配線のターン数に対応するように、それぞれ４ターンおよび４．５ターンにするとともに、第５絶縁樹脂層６５の絶縁樹脂フィルムをパターニングする際に、第５絶縁樹脂層６５が所定領域Ｒ１内および所定領域Ｒ２内のみに形成されるようにすればよい。

【0065】

＜第３実施形態＞
図７は、インダクタ部品の第３実施形態を示す模式断面図である。図７は、図１のII-II断面（図２）に対応する。第３実施形態は、第１実施形態とは、第１インダクタ配線の形状と、第１インダクタ配線におけるシード層が設けられている位置と、絶縁層が第１インダクタ配線の天面の一部を覆っていない点と、が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

【0066】

図７に示すように、第１インダクタ配線２１Ｃの天面２１２の一部は、絶縁層６０に覆われずに第２磁性層１２に接触している。具体的に述べると、第１インダクタ配線２１Ｃのうちの最内周を含む部分における天面２１２は、絶縁層６０に覆われずに第２磁性層１２に接触している。これにより、第１インダクタ配線２１Ｃの天面２１２の全面が絶縁層６０に覆われている場合よりも、第２磁性層１２の体積がさらに増大し、インダクタンス値をさらに向上させることができる。

【0067】

第１インダクタ配線２１の延在方向に直交し、且つ、第１インダクタ配線２１の最内周の内周面２１１のうちの第２磁性層１２と接触する部分と交差する断面において、第１インダクタ配線２１Ｃのうちの最内周を含む部分に存在するシード層ＩＳは、第１方向Ｄ１と直交する方向（Ｘ方向）における第１インダクタ配線２１の中央に対して、第１インダクタ配線２１の最内周の内周面２１１側とは反対側に偏って配置されている。第１インダクタ配線２１Ｃのうちの最内周を含む部分とは、第１インダクタ配線２１Ｃのうち、第１インダクタ配線２１Ｃの内周端２１ａを含む１ターンを構成する部分を指す。なお、この実施形態のように、第１インダクタ配線２１Ｃのターン数が１ターンを超える場合、上記断面は、第１インダクタ配線２１Ｃのうちの最内周を含む部分の延在方向に直交し、且つ、第１インダクタ配線２１の最内周の内周面２１１のうちの第２磁性層１２と接触する部分と交差する断面とすればよい。

【0068】

上記構成によれば、第１インダクタ配線２１Ｃの最内周の内周面の少なくとも一部が、絶縁層６０に覆われない場合であっても、第１インダクタ配線２１Ｃのうちの最内周を含む部分におけるめっき層Ｐの第１方向Ｄ１の高さを確保できるとともに、第１方向Ｄ１に直交する方向の当該めっき層Ｐの広がりを抑制できる。

【0069】

好ましくは、第１インダクタ配線２１Ｃは、第１方向Ｄ１と逆方向の第２方向Ｄ２側を向く底面２１３を有し、第１インダクタ配線２１Ｃのうちの最内周を含む部分に存在するシード層ＩＳは、第１インダクタ配線２１Ｃの最内周の内周面２１１と反対側の外周面２１５と、第１インダクタ配線２１Ｃの底面２１３と、の間の角部に設けられている。この構成によれば、第１インダクタ配線２１Ｃのうちの最内周を含む部分におけるめっき層Ｐの第１方向Ｄ１の高さをより確実に確保できるとともに、第１方向Ｄ１に直交する方向の当該めっき層Ｐの広がりをさらに抑制できる。

【0070】

好ましくは、第１インダクタ配線２１Ｃは、第１方向Ｄ１側を向く天面２１２を有し、第１インダクタ配線２１Ｃのうちの最内周を含む部分は、第１インダクタ配線２１Ｃの最内周の内周面２１１と、第１インダクタ配線２１Ｃの天面２１２と、の間の角部に曲面Ｃを有する。曲面Ｃの形状は、特に限定されないが、この実施形態では、第１インダクタ配線２１Ｃの外側に凸である凸曲面である。

【0071】

上記構成によれば、上記角部が平面と平面が交差した形状である場合よりも、第１インダクタ配線２１Ｃの最内周の内周面２１１と対向する配線等と、第１インダクタ配線２１Ｃのうちの最内周を含む部分と、の間の対向方向の距離を大きくできる。そのため、当該配線等と第１インダクタ配線２１Ｃとの間の短絡の発生を抑制できる。また、上記角部に曲面Ｃを有するため、上記角部による磁束の妨げを抑制できる。

【0072】

インダクタ部品１Ｃの製造方法としては、例えば、図４Ａから図４Ｉで説明した製造方法において、第２シード層Ｓ２をパターニングする際に、第１インダクタ配線の延在方向に直交し、且つ、第１インダクタ配線の最内周の内周面のうちの第２磁性層と接触する部分と交差する断面において、第１インダクタ配線のうちの最内周を含む部分に存在するシード層が、第１方向Ｄ１と直交する方向における第１インダクタ配線の中央に対して、第１インダクタ配線の最内周の内周面側とは反対側に偏って配置されるようにすればよい。

【0073】

なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１から第３実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。

【0074】

前記第１から第３実施形態では、第１，第２引出配線、第１，第２外部電極および被覆層が設けられていたが、これらの部材は必須ではなく、設けられていなくてもよいし、他の部材に代えてもよい。

【0075】

前記第１から第３実施形態では、インダクタ配線は２層であったが、１層であってもよいし、３層以上であってもよい。

【0076】

前記第１から第３実施形態では、第１インダクタ配線の最内周の内周面の全面が、絶縁層に覆われないで第２磁性層に接触していたが、第１インダクタ配線の最内周の内周面の一部が、絶縁層に覆われないで第２磁性層に接触し、当該内周面の他の部分は絶縁層に覆われていてもよい。前記第１から第３実施形態では、第２インダクタ配線の最内周の内周面の全面が絶縁層に覆われていたが、第２インダクタ配線の最内周の内周面の少なくとも一部が、絶縁層に覆われないで第２磁性層に接触していてもよい。これにより、磁性層の体積がさらに増大し、インダクタンス値をさらに向上させることができる。

【0077】

前記第１から第３実施形態では、第１，第２インダクタ配線の最外周の外周面の全面が絶縁層に覆われていたが、第１，第２インダクタ配線の最外周の外周面の少なくとも一部が、絶縁層に覆われないで第２磁性層に接触していてもよい。これにより、磁性層の体積がさらに増大し、インダクタンス値をさらに向上させることができる。

【0078】

前記第１から第３実施形態では、第２インダクタ配線の底面の全面が絶縁層に覆われていたが、第２インダクタ配線の底面の少なくとも一部が、絶縁層に覆われないで第１磁性層に接触していてもよい。これにより、磁性層の体積がさらに増大し、インダクタンス値をさらに向上させることができる。

【0079】

前記第２実施形態および前記第３実施形態では、第１インダクタ配線の天面の一部が絶縁層に覆われ、当該天面の他の部分は絶縁層に覆われないで第２磁性層に接触していたが、第１インダクタ配線の天面の全面が絶縁層に覆われないで第２磁性層に接触していてもよい。これにより、磁性層の体積がさらに増大し、インダクタンス値をさらに向上させることができる。

【0080】

＜１＞
磁性層を含み、互いに対向する第１主面および第２主面を有する素体と、
前記素体内に配置されたコイルと、
前記コイルの外面の一部を覆う絶縁層と、を備え、
前記コイルは、前記第１主面に直交する方向であって前記第２主面から前記第１主面に向かう方向である第１方向に直交する平面に沿って巻き回された第１インダクタ配線を有し、
前記第１インダクタ配線の最内周の内周面の少なくとも一部は、前記絶縁層に覆われないで前記磁性層に接触している、インダクタ部品。
＜２＞
前記コイルは、前記第１方向に直交する平面に沿って巻き回された第２インダクタ配線をさらに有し、
前記第２インダクタ配線は、前記第１インダクタ配線よりも、前記第１方向と逆方向の第２方向側に配置され、前記第１インダクタ配線と電気的に接続し、
前記絶縁層は、前記第１インダクタ配線と前記第２インダクタ配線との間に少なくとも存在し、前記第２インダクタ配線の最内周の内周面を覆っている、＜１＞に記載のインダクタ部品。
＜３＞
前記第１インダクタ配線の延在方向の端部に接続され、前記第１方向に延在して前記素体の外面から露出する引出配線をさらに備える、＜２＞に記載のインダクタ部品。
＜４＞
前記素体の前記第１主面と前記第１インダクタ配線との間に存在する前記磁性層の前記第１方向の厚みは、前記素体の前記第２主面と前記第２インダクタ配線との間に存在する前記磁性層の前記第１方向の厚みよりも小さい、＜３＞に記載のインダクタ部品。
＜５＞
前記第１インダクタ配線は、前記第１方向側を向く天面を有し、
前記第１インダクタ配線の前記天面の少なくとも一部は、前記絶縁層に覆われないで前記磁性層に接触し、
前記第１インダクタ配線の前記天面のうちの前記磁性層と接触する部分は、前記第１インダクタ配線の前記最内周の前記内周面と連続する、＜１＞から＜４＞の何れか一つに記載のインダクタ部品。
＜６＞
記第１インダクタ配線の延在方向の端部に接続され、前記第１方向に延在して前記素体の外面から露出する引出配線をさらに備え、
前記第１インダクタ配線の前記天面のうちの前記磁性層と接触する部分と前記引出配線との間の距離は、８０μｍ以上である、＜５＞に記載のインダクタ部品。
＜７＞
前記第１インダクタ配線は、シード層と、前記シード層に部分的に接するよう形成されためっき層と、を有し、
前記第１インダクタ配線の延在方向に直交し、且つ、前記第１インダクタ配線の前記最内周の前記内周面のうちの前記磁性層と接触する部分と交差する断面において、前記第１インダクタ配線のうちの前記最内周を含む部分に存在する前記シード層は、前記第１方向と直交する方向における前記第１インダクタ配線の中央に対して、前記第１インダクタ配線の前記最内周の前記内周面側とは反対側に偏って配置されている、＜１＞から＜６＞の何れか一つに記載のインダクタ部品。
＜８＞
前記第１インダクタ配線は、前記第１方向と逆方向の第２方向側を向く底面を有し、
前記第１インダクタ配線のうちの前記最内周を含む部分に存在する前記シード層は、前記第１インダクタ配線の前記最内周の前記内周面と反対側の外周面と、前記第１インダクタ配線の前記底面と、の間の角部に設けられている、＜７＞に記載のインダクタ部品。
＜９＞
前記第１インダクタ配線は、前記第１方向側を向く天面を有し、
前記第１インダクタ配線のうちの前記最内周を含む部分は、前記第１インダクタ配線の前記最内周の前記内周面と、前記第１インダクタ配線の前記天面と、の間の角部に曲面を有する、＜７＞または＜８＞に記載のインダクタ部品。

【符号の説明】

【0081】

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ インダクタ部品
１０ 素体
１０ａ 第１主面
１０ｂ 第２主面
１０ｃ～１０ｆ 第１～第４側面
１１ 第１磁性層
１２ 第２磁性層
１５、１５Ｂ、１５Ｃ コイル
２１、２１Ｂ、２１Ｃ 第１インダクタ配線
２１１ 第１インダクタ配線の最内周の内周面
２１２ 第１インダクタ配線の天面
２１３ 第１インダクタ配線の底面
２１４ 第１インダクタ配線の最外周の外周面
２２、２２Ｂ 第２インダクタ配線
２２１ 第２インダクタ配線の最内周の内周面
２２２ 第２インダクタ配線の天面
２２３ 第２インダクタ配線の底面
２２４ 第２インダクタ配線の最外周の外周面
２５ ビア配線
３１、３２、３３ 第１、第２、第３柱状配線
４１、４２ 第１、第２外部電極
５０ 被覆層
５１、５２ 第１、第２引出配線
６０ 絶縁層
Ｃ 曲面
ｄ１、ｄ２ 距離
Ｄ１ 第１方向
Ｄ２ 第２方向
Ｐ めっき層
Ｓ、ＩＳ シード層
ｔ１、ｔ２ 厚み

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】

【図4H】

【図4I】

【図5】

【図6】

【図7】