特開 2024-68562 プリント配線板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024068562

(43)【公開日】2024-05-20

(54)【発明の名称】プリント配線板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/18 20060101AFI20240513BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20240513BHJP

   H05K 1/09 20060101ALI20240513BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20240513BHJP

【ＦＩ】

H05K3/18 G

H05K3/46 S

H05K3/46 B

H05K1/09 C

H01L23/12 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022179102

(22)【出願日】2022-11-08

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100122622

【弁理士】

【氏名又は名称】森 徳久

(72)【発明者】

【氏名】酒井 純

(72)【発明者】

【氏名】吉川 恭平

【テーマコード（参考）】

4E351

5E316

5E343

【Ｆターム（参考）】

4E351AA02

4E351BB01

4E351BB33

4E351CC03

4E351CC06

4E351CC07

4E351DD04

4E351GG20

5E316AA32

5E316AA43

5E316CC04

5E316CC05

5E316CC08

5E316CC32

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316DD33

5E316EE01

5E316FF07

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH32

5E343AA02

5E343AA12

5E343BB16

5E343BB17

5E343BB24

5E343BB52

5E343BB71

5E343DD25

5E343DD33

5E343DD43

5E343DD75

5E343FF16

5E343GG11

(57)【要約】

【課題】高い品質を有するプリント配線板の提供。
【解決手段】プリント配線板の製造方法は、パッドを有する導体層を形成することと、導体層上に第１樹脂絶縁層を形成することと、第１樹脂絶縁層上に第１導体層を形成することと、第１樹脂絶縁層と第１導体層上に第２樹脂絶縁層を形成することと、第２樹脂絶縁層上に第２導体層を形成すること、とを有する。第１導体層を形成することは、第１樹脂絶縁層の第１面上に無電解めっきによって第１シード層を形成することを含む。第２導体層を形成することは、第２樹脂絶縁層の第３面上にスパッタリングによって第２シード層を形成することを含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

パッドを有する導体層を形成することと、
前記導体層上に第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する第１樹脂絶縁層を形成することと、
前記第１樹脂絶縁層の前記第１面上に第１導体層を形成することと、
前記第１樹脂絶縁層と前記第１導体層上に第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する第２樹脂絶縁層を形成することと、
前記第２樹脂絶縁層の前記第３面上に第２導体層を形成すること、とを有するプリント配線板の製造方法であって、
前記第１導体層を形成することは、前記第１樹脂絶縁層の前記第１面上に無電解めっきによって第１シード層を形成することと前記第１シード層上に第１めっきレジストを形成することと前記第１めっきレジストから露出する前記第１シード層上に第１電解めっき層を形成することと前記第１めっきレジストを除去することと前記第１電解めっき層から露出する前記第１シード層を除去すること、とを含み、
前記第２導体層を形成することは、前記第２樹脂絶縁層の前記第３面上にスパッタリングによって第２シード層を形成することと前記第２シード層上に第２めっきレジストを形成することと前記第２めっきレジストから露出する前記第２シード層上に第２電解めっき層を形成することと前記第２めっきレジストを除去することと前記第２電解めっき層から露出する前記第２シード層を除去すること、とを含む。

【請求項2】

請求項１のプリント配線板の製造方法であって、前記第１導体層は、前記第１シード層内（第１か所）、もしくは、前記第１シード層と前記第１電解めっき層の境界部分（第２か所）にボイドを有し、前記第２導体層は、前記第２シード層内と前記第２シード層と前記第２電解めっき層の境界部分にボイドを有さない。

【請求項3】

請求項２のプリント配線板の製造方法であって、前記ボイドは、前記第１か所と前記第２か所の両方に形成される。

【請求項4】

請求項１のプリント配線板の製造方法であって、さらに、前記第１樹脂絶縁層を貫通し前記パッドに至る第１開口を形成することと、前記第１開口に前記パッドと前記第１導体層を接続する前記第１ビア導体を形成すること、とを含み、前記第１ビア導体は前記パッド上に形成されている前記第１シード層と前記第１電解めっき層で形成されており、前記ボイドは、前記第１シード層内（第１か所）、または、前記第１シード層と前記第１電解めっき層の境界部分（第２か所）、または、前記第１シード層と前記パッドの境界部分（第３か所）に存在し、前記第２導体層は、前記第２シード層内と前記第２シード層と前記第２電解めっき層の境界部分にボイドを有さない。

【請求項5】

請求項４のプリント配線板の製造方法であって、前記ボイドは、前記第２か所と前記第３か所の両方、または、前記第１か所と前記第２か所と前記第３か所の全てに形成される。

【請求項6】

請求項２のプリント配線板の製造方法であって、さらに、前記第１シード層を加熱することを有する。

【請求項7】

請求項４のプリント配線板の製造方法であって、さらに、前記第２樹脂絶縁層を貫通し前記第１導体層に至る第２開口を形成することと、前記第２開口に前記第１導体層と前記第２導体層を接続する前記第２ビア導体を形成すること、とを含み、前記第２ビア導体は前記第２開口により露出される前記第１導体層上に形成されている前記第２シード層と前記第２電解めっき層で形成されており、前記第２開口により露出される前記第１導体層と前記第２ビア導体の第２接続部分にボイドは存在しない。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書によって開示される技術は、プリント配線板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、層間樹脂絶縁層にバイアホール形成用開孔を形成することと、バイアホール形成用開孔を有する層間絶縁層の表面にスパッタリングで合金層を形成すること、を含むプリント配線板の製造方法を開示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０００－１２４６０２号公報

【発明の概要】

【0004】

［特許文献１の課題］
スパッタリングは真空中で行われる。複数の導体層を含むプリント配線板が形成される場合、すべての導体層のシード層をスパッタリングで形成することは生産性に影響を与えると考えられる。生産コストが高くなると考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明のプリント配線板の製造方法は、パッドを有する導体層を形成することと、前記導体層上に第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する第１樹脂絶縁層を形成することと、前記第１樹脂絶縁層の前記第１面上に第１導体層を形成することと、前記第１樹脂絶縁層と前記第１導体層上に第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する第２樹脂絶縁層を形成することと、前記第２樹脂絶縁層の前記第３面上に第２導体層を形成すること、とを有する。前記第１導体層を形成することは、前記第１樹脂絶縁層の前記第１面上に無電解めっきによって第１シード層を形成することと前記第１シード層上に第１めっきレジストを形成することと前記第１めっきレジストから露出する前記第１シード層上に第１電解めっき層を形成することと前記第１めっきレジストを除去することと前記第１電解めっき層から露出する前記第１シード層を除去すること、とを含む。前記第２導体層を形成することは、前記第２樹脂絶縁層の前記第３面上にスパッタリングによって第２シード層を形成することと前記第２シード層上に第２めっきレジストを形成することと前記第２めっきレジストから露出する前記第２シード層上に第２電解めっき層を形成することと前記第２めっきレジストを除去することと前記第２電解めっき層から露出する前記第２シード層を除去すること、とを含む。

【0006】

本発明の実施形態のプリント配線板の製造方法は、無電解めっきを用いて第１シード層を形成することと、スパッタリングを用いて第２シード層を形成することを含む。そのため、すべての導体層のシード層がスパッタリングで形成される方法と比べて生産負荷が小さい。プリント配線板の生産性が低下しがたい。生産コストを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態のプリント配線板を模式的に示す断面図。

【図2A】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図2B】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図3】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図4】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図5A】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図5B】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図5C】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図5D】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図5E】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図5F】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図5G】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図5H】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図5I】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図5J】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【図5K】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図5L】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【図5M】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

［実施形態］
図１は実施形態のプリント配線板２を示す断面図である。図２Ａ～図４は実施形態のプリント配線板２の一部を示す拡大断面図である。図１に示されるように、プリント配線板２は、絶縁層４と導体層１０とビルドアップ層５００とを有する。導体層１０は絶縁層４上に形成される。ビルドアップ層５００は絶縁層４と導体層１０上に形成される。

【0009】

絶縁層４は樹脂を用いて形成される。絶縁層４はシリカ等の無機粒子を含んでもよい。絶縁層４は、ガラスクロス等の補強材を含んでもよい。絶縁層４はコア基板であってもよい。

【0010】

導体層１０は絶縁層４上に形成されている。導体層１０はベタパターン１２とパッド１４を含む。図に示されていないが、導体層１０はベタパターン１２とパッド１４以外の導体回路も含んでいる。導体層１０は主に銅によって形成される。導体層１０は、絶縁層４上のシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。シード層１０ａの厚みは０．５μｍ未満である。シード層１０ａは無電解めっきで形成される無電解めっき層である。改変例ではシード層１０ａはスパッタリングで形成されるスパッタ層であってもよい。シード層１０ａがスパッタ層である場合、シード層１０ａは、絶縁層４上の第１層と第１層上の第２層で形成されていてもよい。第１層は銅と特定卑金属を含む合金（銅合金）で形成されている。特定卑金属は銅以外の卑金属である。特定卑金属は例えばアルミニウムである。第２層は銅で形成されている。

【0011】

ビルドアップ層５００は絶縁層４と導体層１０上に形成されている。ビルドアップ層５００は複数の樹脂絶縁層と複数の導体層を有する。樹脂絶縁層と導体層は交互に積層される。図１のビルドアップ層５００では、樹脂絶縁層の数は５であり、導体層の数は５である。

【0012】

ビルドアップ層５００内の樹脂絶縁層は第１樹脂絶縁層２０と第２樹脂絶縁層１２０、第３樹脂絶縁層２２０、第４樹脂絶縁層３２０、第５樹脂絶縁層４２０を含む。第１樹脂絶縁層２０と第２樹脂絶縁層１２０、第３樹脂絶縁層２２０、第４樹脂絶縁層３２０、第５樹脂絶縁層４２０はそれぞれ第１開口２６、第２開口１２６、第３開口２２６、第４開口３２６、第５開口４２６を有している。

【0013】

ビルドアップ層５００内の導体層は第１導体層３０と第２導体層１３０、第３導体層２３０、第４導体層３３０、第５導体層４３０を含む。

【0014】

第１樹脂絶縁層２０は絶縁層４と導体層１０上に形成されている。第１樹脂絶縁層２０は第１面２２（図中の上面）と第１面２２と反対側の第２面２４（図中の下面）を有する。第１樹脂絶縁層２０の第２面２４は導体層１０と対向する。第１樹脂絶縁層２０は導体層１０を露出する第１開口２６を有している。図１では、第１開口２６はパッド１４を露出している。第１開口２６の底部の径は２０μｍ以上５０μｍ以下である。第１開口２６の底部は導体層１０を露出する。第１樹脂絶縁層２０は樹脂８０と樹脂８０内に分散されている多数の無機粒子９０で形成されている。樹脂８０はエポキシ系樹脂である。樹脂の例は熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂である。無機粒子９０は例えばシリカやアルミナである。無機粒子９０の平均粒径は０．５μｍ以下である。第１樹脂絶縁層２０中の無機粒子９０の量は７５ｗｔ％以上である。

【0015】

ビルドアップ層５００はさらに各樹脂絶縁層２０、１２０、２２０、３２０、４２０を貫通するビア導体を有する。第１樹脂絶縁層２０を貫通するビア導体は第１ビア導体４０である。第２樹脂絶縁層１２０を貫通するビア導体は第２ビア導体１４０である。第３樹脂絶縁層２２０を貫通するビア導体は第３ビア導体２４０である。第４樹脂絶縁層３２０を貫通するビア導体は第４ビア導体３４０である。第５樹脂絶縁層４２０を貫通するビア導体は第５ビア導体４４０である。第１ビア導体４０は第１開口２６内に形成されており、導体層１０と第１導体層３０を接続する。第２ビア導体１４０は第２開口１２６内に形成されており、第１導体層３０と第２導体層１３０を接続する。第３ビア導体２４０は第３開口２２６内に形成されており、第２導体層１３０と第３導体層２３０を接続する。第４ビア導体３４０は第４開口３２６内に形成されており、第３導体層２３０と第４導体層３３０を接続する。第５ビア導体４４０は第５開口４２６内に形成されており、第４導体層３３０と第５導体層４３０を接続する。第２ビア導体１４０と第３ビア導体２４０、第４ビア導体３４０、第５ビア導体４４０は第１ビア導体４０の直上に積層されている。第１ビア導体４０と第２ビア導体１４０、第３ビア導体２４０、第４ビア導体３４０、第５ビア導体４４０はスタックビアを形成する。

【0016】

第１導体層３０は第１樹脂絶縁層２０の第１面２２上に形成されている。第１導体層３０はベタパターン３２とランド３４を含む。図に示されていないが、第１導体層３０はベタパターン３２とランド３４以外の導体回路も含んでいる。ベタパターン３２は電源回路又はグランド回路である。ベタパターン３２は第１幅Ｗ１を有する。ベタパターン３２は第１導体層中の最小の幅を有する。

【0017】

第１導体層３０は主に銅によって形成される。第１導体層３０は、第１面２２上のシード層（例えば、無電解銅めっき層）３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層（例えば、電解銅めっき層）３０ｂで形成されている。シード層３０ａは無電解めっきによって形成される無電解めっき層である。第１導体層を形成するシード層３０ａを第１シード層と称することができる。第１導体層を形成する電解めっき層３０ｂを第１電解めっき層と称することができる。

【0018】

図１と図２Ａに示されるように、第１ビア導体４０は第１開口２６内に形成されている。第１ビア導体４０は導体層１０と第１導体層３０を接続する。第１ビア導体４０はパッド１４とランド３４を接続する。第１ビア導体４０はシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。第１ビア導体４０を形成するシード層３０ａと第１導体層３０を形成するシード層３０ａは共通である。第１ビア導体４０を形成する電解めっき層３０ｂと第１導体層３０を形成する電解めっき層３０ｂは共通である。

【0019】

図２Ａと図２Ｂに示されるように、第１導体層３０と第１ビア導体４０はボイドＢを有している。ボイドＢは、シード層３０ａ内（第１か所）とシード層３０ａと電解めっき層３０ｂの境界部分（第２か所）と導体層１０と第１ビア導体４０の接続部分（第３か所）の少なくとも１か所に存在する。第２か所は、電解めっき層３０ｂと接するシード層３０ａ（図２Ａ）と電解めっき層３０ｂ（図２Ａ）との間の界面とシード層３０ａと接する電解めっき層３０ｂ（図２Ｂ）とシード層３０ａ（図２Ｂ）との間の界面を含む。第３か所はシード層３０ａと導体層１０の境界部分を含む。第３か所は、導体層１０と接するシード層３０ａ（図２Ａ）と導体層１０（図２Ａ）との間の界面とシード層３０ａと接する導体層１０（図２Ｂ）とシード３０ａ（図２Ｂ）との間の界面を含む。第１か所にボイドＢが存在する。この場合、第２か所と第３か所にボイドＢは存在しないことが好ましい。あるいは、第２か所にボイドＢが存在する。この場合、第１か所と第３か所にボイドＢは存在しないことが好ましい。あるいは、第３か所にボイドＢが存在する。この場合、第１か所と第２か所にボイドＢは存在しないことが好ましい。あるいは、第１か所と第２か所にボイドＢが存在する。この場合、第３か所にボイドＢは存在しないことが好ましい。あるいは、第１か所と第３か所にボイドＢが存在する。この場合、第２か所にボイドＢは存在しないことが好ましい。あるいは、第２か所と第３か所にボイドＢが存在する。この場合、第１か所にボイドＢは存在しないことが好ましい。あるいは、第１か所と第２か所と第３か所にボイドＢが存在する。

【0020】

図１に示されるように、第２樹脂絶縁層１２０は第１樹脂絶縁層２０の第１面２２と第１導体層３０上に形成されている。第２樹脂絶縁層１２０は第３面１２２（図中の上面）と第３面１２２と反対側の第４面１２４（図中の下面）を有する。第２樹脂絶縁層１２０の第４面１２４は第１導体層３０と対向する。第２樹脂絶縁層１２０は第１導体層３０を露出する第２開口１２６を有している。図１では、第２開口１２６はランド３４を露出している。第２開口１２６の底部の径は２０μｍ以上５０μｍ以下である。第２開口１２６の底部はランド３４を露出する。第２樹脂絶縁層１２０は樹脂８０と多数の無機粒子９０で形成されている。樹脂８０と無機粒子９０は第１樹脂絶縁層２０内のものと同様である。

【0021】

図１と図３に示されるように、第２樹脂絶縁層１２０内の無機粒子９０は、樹脂８０に部分的に埋まっている第１無機粒子９１と、樹脂８０内に埋まっている第２無機粒子９２を含む。第１無機粒子９１と第２無機粒子９２の形は球である。図３に示されるように、第１無機粒子９１は、樹脂８０から突出する第１部分９１ａと樹脂８０に埋まっている第２部分９１ｂで形成されている。第２樹脂絶縁層１２０の第３面１２２は樹脂８０の上面と樹脂８０の上面から露出する第１部分９１ａの露出面で形成されている。

【0022】

第１部分９１ａの体積と第１無機粒子９１の体積との比Ｒ（第１部分の体積／第１粒子の体積）は０より大きく０．４以下である。比Ｒは０．２以下であることが好ましい。比Ｒは０．１以下であることがより好ましい。比Ｒは０．０５以下であることが最も好ましい。樹脂８０から第１部分９１ａが突出すると第２樹脂絶縁層１２０の第３面１２２が僅かな凹凸を有する。しかし樹脂８０の上面は荒らされていない。そのため第３面１２２は凹部をほぼ有していない。第３面１２２の算術平均粗さ（Ｒａ）は０．０８μｍ未満である。第３面１２２の粗さ（Ｒａ）は０．０５μｍ以下であることが好ましい。第３面１２２の粗さ（Ｒａ）は０．０３μｍ以下であることがより好ましい。

【0023】

図１と図４に示されるように、第２樹脂絶縁層１２０内の無機粒子９０は、第２開口１２６の内壁面１２７を形成する第３無機粒子９３をさらに含む。第３無機粒子９３の形状は球を平面で切断することで得られる。第３無機粒子９３の形状は第２無機粒子９２を平面で切断することで得られる。第３無機粒子９３の形状と第２無機粒子９２の形状は異なる。第３無機粒子９３は平坦部９３ａを有する。平坦部９３ａは内壁面１２７を形成する。内壁面１２７は樹脂８０と平坦部９３ａで形成されている。平坦部９３ａと内壁面１２７を形成する樹脂８０の面は、ほぼ共通な面を形成する。内壁面１２７を形成する樹脂８０上に凹凸が形成されない。内壁面１２７を形成する樹脂８０の面はほぼ平滑である。平坦部９３ａの露出面（内壁面１２７を形成する面）上に凹凸が形成されない。平坦部９３ａの露出面は平滑である。内壁面１２７は平滑に形成される。内壁面１２７の算術平均粗さ（Ｒａ）は１．０μｍ以下である。

【0024】

図１に示されるように、第２導体層１３０は第２樹脂絶縁層１２０の第３面１２２上に形成されている。第２導体層１３０は第１信号配線１３２と第２信号配線１３４とランド１３６を含む。図に示されていないが、第２導体層１３０は第１信号配線１３２と第２信号配線１３４とランド１３６以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線１３２と第２信号配線１３４はペア配線を形成している。第１信号配線１３２と第２信号配線１３４は第２導体層１３０中の最小の幅を有する。第１信号配線１３２と第２信号配線１３４は第２幅Ｗ２を有する。第２幅Ｗ２は第１幅Ｗ１（図１参照）より小さい。第１幅Ｗ１は第２幅Ｗ２より大きい。

【0025】

第２導体層１３０は主に銅によって形成される。第２導体層１３０は、第３面１２２上のシード層１３０ａとシード層１３０ａ上の電解めっき層１３０ｂで形成されている。シード層１３０ａはスパッタ層である。シード層１３０ａは第３面１２２上の第１層１３１ａと第１層１３１ａ上の第２層１３１ｂで形成されている。シード層１３０ａの厚みは０．５μｍ未満である。第１層１３１ａは銅と特定卑金属を含む合金（銅合金）で形成されている。特定卑金属は銅以外の卑金属である。特定卑金属は例えばアルミニウムである。第２層１３１ｂは銅で形成されている。電解めっき層１３０ｂは銅で形成されている。第１層１３１ａは第３面１２２に接している。第２導体層１３０を形成するシード層１３０ａを第２シード層と称することができる。第２導体層１３０を形成する電解めっき層１３０ｂを第２電解めっき層と称することができる。

【0026】

第１層１３１ａを形成している銅合金中の銅の含有率は９０ａｔ％より大きい。第１層１３１ａの銅合金中の銅の含有率は９９ａｔ％未満である。銅合金中の銅の含有率は９８ａｔ％以下である。第２層１３１ｂを形成している銅の含有率は９９．９ａｔ％以上である。第２層１３１ｂ中の銅の含有率は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。

【0027】

スパッタリングで形成されるシード層１３０ａと電解めっきで形成される電解めっき層１３０ｂとの境界部分にボイドは存在しない。スパッタリングで形成されるシード層１３０ａ内にボイドは存在しない。スパッタリングで形成される第１層１３１ａとスパッタリングで形成される第２層１３１ｂの境界部分にボイドは存在しない。

【0028】

第２ビア導体１４０は第２開口１２６内に形成されている。第２ビア導体１４０は第１導体層３０と第２導体層１３０を接続する。第２ビア導体１４０はランド３４とランド１３６を接続する。第２ビア導体１４０はシード層１３０ａとシード層１３０ａ上の電解めっき層１３０ｂで形成されている。第２ビア導体１４０を形成するシード層１３０ａと第２導体層１３０を形成するシード層１３０ａは共通である。第２ビア導体１４０を形成する電解めっき層１３０ｂと第２導体層１３０を形成する電解めっき層１３０ｂは共通である。第１層１３１ａは内壁面１２７に接している。第２導体層１３０と第２ビア導体１４０を形成するシード層１３０ａはボイドを含まない。第２開口１２６により露出される第１導体層３０（例えば、ランド３４）と第２ビア導体１４０の第２接続部分にボイドは存在しない。第２接続部分は、第２開口１２６により露出される第１導体層３０上のシード層１３０ａ内と、第２開口１２６により露出される第１導体層３０とその第１導体層３０上のシード層１３０ａの境界部分と、第２開口１２６により露出される第１導体層３０上のシード層１３０ａとそのシード層１３０ａ上の電解めっき層１３０ｂの境界部分を含む。導体層（例えば、第１導体層３０）とその導体層上にスパッタリングで形成されているシード層（例えば、シード層１３０ａ）の境界部分にボイドは存在しない。パッド（例えば、導体層内のビア導体用の開口の底部により露出されている部分）とそのパッド上にスパッタリングで形成されているシード層との境界部分にボイドは存在しない。パッドとパッド上に形成されているスパッタリングで形成されるシード層は接している。パッド上にスパッタリングで形成されているシード層はビア導体を形成している。

【0029】

第３樹脂絶縁層２２０は第２樹脂絶縁層１２０の第３面１２２と第２導体層１３０上に形成されている。第３樹脂絶縁層２２０は第５面２２２（図中の上面）と第５面２２２と反対側の第６面２２４（図中の下面）を有する。第３樹脂絶縁層２２０の第６面２２４は第２導体層１３０と対向する。第３樹脂絶縁層２２０は第２導体層１３０を露出する第３開口２２６を有している。図１では、第３開口２２６はランド１３６を露出している。第３開口２２６の底部の径は２０μｍ以上５０μｍ以下である。第３開口２２６の底部はランド１３６を露出する。第３樹脂絶縁層２２０は樹脂８０と多数の無機粒子９０で形成されている。樹脂８０と無機粒子９０は第１樹脂絶縁層２０内のものと同様である。

【0030】

第３導体層２３０は第３樹脂絶縁層２２０の第５面２２２上に形成されている。第３導体層２３０はベタパターン２３２とランド２３４を含む。図に示されていないが、第３導体層２３０はベタパターン２３２とランド２３４以外の導体回路も含んでいる。ベタパターン２３２は電源回路又はグランド回路である。第３導体層２３０を形成するシード層２３０ａを第３シード層と称することができる。第３導体層２３０を形成する電解めっき層２３０ｂを第３電解めっき層と称することができる。

【0031】

第３導体層２３０は主に銅によって形成される。第３導体層２３０は、第５面２２２上のシード層２３０ａとシード層２３０ａ上の電解めっき層２３０ｂで形成されている。シード層２３０ａは無電解めっき層である。シード層２３０ａは第１導体層３０のシード層３０ａと同様である。

【0032】

第３ビア導体２４０は第３開口２２６内に形成されている。第３ビア導体２４０は第２導体層１３０と第３導体層２３０を接続する。第３ビア導体２４０はランド１３６とランド２３４を接続する。第３ビア導体２４０はシード層２３０ａとシード層２３０ａ上の電解めっき層２３０ｂで形成されている。第３ビア導体２４０を形成するシード層２３０ａと第３導体層２３０を形成するシード層２３０ａは共通である。第３ビア導体２４０を形成する電解めっき層２３０ｂと第３導体層２３０を形成する電解めっき層２３０ｂは共通である。

【0033】

第３導体層２３０は第１導体層３０と同様にボイドを有する。第３ビア導体２４０は第１ビア導体４０と同様にボイドを有する。ボイドは図に示されていない。ボイドは図２Ａと図２Ｂに示されているボイドＢと同じである。

【0034】

第４樹脂絶縁層３２０は第３樹脂絶縁層２２０の第５面２２２と第３導体層２３０上に形成されている。第４樹脂絶縁層３２０は第７面３２２（図中の上面）と第８面３２４（図中の下面）を有する。第８面３２４は第３導体層２３０と対向する。第４樹脂絶縁層３２０は第３導体層２３０を露出する第４開口３２６を有している。第４開口３２６の底部はランド２３４を露出する。第４開口３２６の底部の径は２０μｍ以上５０μｍ以下である。第４開口３２６の底部はランド２３４を露出する。第４樹脂絶縁層３２０は樹脂８０と多数の無機粒子９０で形成されている。樹脂８０と無機粒子９０は第２樹脂絶縁層１２０内のものと同様である。

【0035】

第４樹脂絶縁層３２０内の無機粒子９０は、第２樹脂絶縁層１２０と同様に、樹脂８０に部分的に埋まっている第１無機粒子９１と、樹脂８０内に埋まっている第２無機粒子９２を含む。第１無機粒子９１と第２無機粒子９２は図３の第１無機粒子９１と第２無機粒子９２と同じである。第４樹脂絶縁層３２０の第７面３２２は樹脂８０の上面と樹脂８０の上面から露出する第１部分９１ａ（図３参照）の露出面で形成されている。

【0036】

第４樹脂絶縁層３２０内の無機粒子９０は、第２樹脂絶縁層１２０と同様に、第４開口３２６の内壁面３２７を形成する第３無機粒子９３をさらに含む。第３無機粒子９３は図４の第３無機粒子９３と同じである。第３無機粒子９３は平坦部９３ａを有する。平坦部９３ａは内壁面３２７を形成する。内壁面３２７は樹脂８０と平坦部９３ａで形成されている。平坦部９３ａと内壁面３２７を形成する樹脂８０の面は、ほぼ共通な面を形成する。内壁面３２７を形成する樹脂８０上に凹凸が形成されない。内壁面３２７を形成する樹脂８０の面はほぼ平滑である。平坦部９３ａの露出面（内壁面３２７を形成する面）上に凹凸が形成されない。平坦部９３ａの露出面は平滑である。内壁面３２７は平滑に形成される。内壁面３２７の算術平均粗さ（Ｒａ）は１．０μｍ以下である。

【0037】

第４導体層３３０は第４樹脂絶縁層３２０の第７面３２２上に形成されている。第４導体層３３０は第３信号配線３３２と第４信号配線３３４とランド３３６を含む。図に示されていないが、第４導体層３３０は第３信号配線３３２と第４信号配線３３４とランド３３６以外の導体回路も含んでいる。第３信号配線３３２と第４信号配線３３４はペア配線を形成している。

【0038】

第４導体層３３０は主に銅によって形成される。第４導体層３３０は、第７面３２２上のシード層３３０ａとシード層３３０ａ上の電解めっき層３３０ｂで形成されている。シード層３３０ａはスパッタ層である。シード層３３０ａは第７面３２２上の第１層３３１ａと第１層３３１ａ上の第２層３３１ｂで形成されている。第１層３３１ａは第７面３２２に接している。シード層３３０ａは第２導体層１３０のシード層１３０ａと同様である。

【0039】

第４ビア導体３４０は第４開口３２６内に形成されている。第４ビア導体３４０は第３導体層２３０と第４導体層３３０を接続する。第４ビア導体３４０はランド２３４とランド３３６を接続する。第４ビア導体３４０はシード層３３０ａとシード層３３０ａ上の電解めっき層３３０ｂで形成されている。第４ビア導体３４０を形成するシード層３３０ａと第４導体層３３０を形成するシード層３３０ａは共通である。第４ビア導体３４０を形成する電解めっき層３３０ｂと第４導体層３３０を形成する電解めっき層３３０ｂは共通である。第１層３３１ａは内壁面３２７に接している。第４導体層３３０と第４ビア導体３４０のシード層３３０ａはボイドを有していない。

【0040】

第５樹脂絶縁層４２０は第４樹脂絶縁層３２０の第７面３２２と第４導体層３３０上に形成されている。第５樹脂絶縁層４２０は第９面４２２（図中の上面）と第９面４２２と反対側の第１０面４２４（図中の下面）を有する。第５樹脂絶縁層４２０の第１０面４２４は第４導体層３３０と対向する。第５樹脂絶縁層４２０は第４導体層３３０を露出する第５開口４２６を有している。第５開口４２６の底部はランド３３６を露出している。第５開口４２６の底部の径は２０μｍ以上５０μｍ以下である。第５開口４２６の底部はランド３３６を露出する。第５樹脂絶縁層４２０は樹脂８０と多数の無機粒子９０で形成されている。樹脂８０と無機粒子９０は第１樹脂絶縁層２０内のものと同様である。

【0041】

第５導体層４３０は第５樹脂絶縁層４２０の第９面４２２上に形成されている。第５導体層４３０はベタパターン４３２とランド４３４を含む。図に示されていないが、第５導体層４３０はベタパターン４３２とランド４３４以外の導体回路も含んでいる。ベタパターン４３２は電源回路又はグランド回路である。

【0042】

第５導体層４３０は主に銅によって形成される。第５導体層４３０は、第９面４２２上のシード層４３０ａとシード層４３０ａ上の電解めっき層４３０ｂで形成されている。シード層４３０ａは無電解めっき層である。シード層４３０ａは第１導体層３０のシード層３０ａと同様である。

【0043】

図に示されないが、プリント配線板２の各辺の長さは５０ｍｍ以上である。各辺の長さは１００ｍｍ以上であることが好ましい。各辺の長さは２５０ｍｍ以下である。

【0044】

［実施形態のプリント配線板２の製造方法］
図５Ａ～図５Ｍは実施形態のプリント配線板２の製造方法を示す。図５Ａ～図５Ｉと図５Ｋ、図５Ｍは断面図である。図５Ｊと図５Ｌは拡大断面図である。図５Ａは絶縁層４と絶縁層４上に形成されている導体層１０を示す。導体層１０はセミアディティブ法によって形成される。シード層１０ａは無電解めっきで形成される。電解めっき層１０ｂは電解めっきで形成される。改変例ではシード層１０ａはスパッタリングで形成される。

【0045】

図５Ｂに示されるように、絶縁層４と導体層１０上に第１樹脂絶縁層２０が形成される。第１樹脂絶縁層２０の第２面２４が絶縁層４の上面と対向している。第１樹脂絶縁層２０は樹脂８０と無機粒子９０（第２無機粒子９２）を有する。無機粒子９０は樹脂８０内に埋まっている。

【0046】

図５Ｃに示されるように、第１面２２の上からレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌは第１樹脂絶縁層２０を貫通する。パッド１４に至る第１ビア導体４０用の第１開口２６が形成される。レーザ光Ｌは例えばＵＶレーザ光、ＣＯ２レーザ光である。第１開口２６によりパッド１４が露出される。第１樹脂絶縁層２０にレーザ光Ｌを照射することで、樹脂８０に埋まっている第２無機粒子９２の一部が第１開口２６の内壁面２７に露出する。内壁面２７を平滑にするための処理は行われない。内壁面２７は凹凸を有する。第１樹脂絶縁層２０は第３無機粒子９３を有していない。

【0047】

第１開口２６内が洗浄される。第１開口２６内を洗浄することにより第１開口２６形成時に発生する樹脂残渣が除去される。第１開口２６内の洗浄は過マンガン酸カリウムによって行われる。即ち洗浄はウェットプロセスで行われる。洗浄はデスミア処理を含む。

【0048】

図５Ｄに示されるように、第１樹脂絶縁層２０の第１面２２上、および、第１開口２６から露出する内壁面２７とパッド１４上にシード層３０ａが形成される。シード層３０ａは無電解めっきによって形成される。シード層３０ａの形成はウェットプロセスで行われる。ガスの発生を伴う無電解めっきでシード層３０ａが形成されるとき、そのガスが実施形態のプリント配線板２内に取り込まれやすい。シード層３０ａの例はガスの発生を伴う無電解めっきで形成される無電解めっき層である。例えば、ガスは第１か所と第２か所と第３か所の少なくとも１か所に取り込まれる。ガスが実施形態のプリント配線板２内に取り込まれると、そのガスはボイドの要因であると考えられる。ガスの例は水素ガスである。例えば、シード層３０ａはロッシェル塩を錯化材として用いるロッシェル塩浴によって形成される。ガスは無電解めっき層（例えば、無電解銅めっき層）で形成されるシード層を脆くすると考えられる。もしくは、ガスは無電解めっき層で形成されるシード層を含む導体層を脆くすると考えられる。無電解めっき層が凹凸を有する内壁面２７上に形成される。無電解めっき層が第３無機粒子９３を有していない内壁面２７上に形成される。

【0049】

シード層３０ａの形成後、途中基板に熱が加えられる。途中基板が加熱処理（アニーリング）を受ける。実施形態の加熱処理の条件の例が次に示される。加熱温度Ｔは１２０℃であり、加熱時間は２時間である。この加熱条件で途中基板が加熱されると、途中基板内に取り込まれているガスを途中基板から完全に除去することは難しい。シード層３０ａの形成直後に加熱処理を行う必要はない。ガスが完全に除去されないと、シード層３０ａ内（第１か所）とシード層３０ａの上面（第２か所）とシード層３０ａの下面（第３か所）の少なくとも１か所にボイドが形成される。第２か所はシード層３０ａと電解めっき層３０ｂの境界部分を含む。第３か所はシード層３０ａとパッド１４の接続部分を含む。

【0050】

［参考例の加熱条件］
参考例の加熱条件は次に示される。Ｔは加熱温度（℃）であり、ｔは加熱時間（時間）である。参考例の加熱条件は以下の２式（式１、式２）を両方とも満足する。
式１：７×１０^６ ＜ Ｔ^３×ｔ ＜１８×１０^６
式２：６０℃ ≦ Ｔ ≦ １８０℃
例えば加熱温度Ｔは１００℃であり、加熱時間ｔは１０時間である。プリント配線板が参考例の加熱条件を受けると、第１か所と第２か所と第３か所にボイドが観察されない。プリント配線板が参考例の加熱条件を受けると、そのようなプリント配線板は参考例のプリント配線板である。

【0051】

図５Ｅに示されるように、シード層３０ａ上にめっきレジスト６０が形成される。めっきレジスト６０は、ベタパターン３２とランド３４（図１）を形成するための開口を有する。

【0052】

図５Ｆに示されるように、めっきレジスト６０から露出するシード層３０ａ上に電解めっき層３０ｂが形成される。電解めっき層３０ｂは銅で形成される。その場合、電解めっき層３０ｂは電解銅めっき層である。電解めっき層３０ｂは第１開口２６を充填する。第１面２２上のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、ベタパターン３２とランド３４が形成される。第１導体層３０が形成される。第１開口２６内のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、第１ビア導体４０が形成される。第１ビア導体４０は、パッド１４とランド３４を接続する。

【0053】

実施形態のプリント配線板２は第１か所と第２か所と第３か所のいずれかにボイドＢを有する。それに対し、参考例のプリント配線板は第１か所と第２か所と第３か所のいずれにもボイドＢを有していない。導体層内にボイドＢが存在すると、導体層の抵抗は高い。あるいは、導体層の強度が低い。導体層内にボイドＢがあると、ボイドＢから導体層にクラックが発生すると考えられる。ボイドＢが境界部分（例えば、無電解めっき層と電解めっき層の境界）に存在すると、境界部分から剥がれが発生すると考えられる。例えば、電解めっき層が無電解めっき層から剥がれる。あるいは、ビア導体がパッドから剥がれる。従って、参考例のプリント配線板が市場で使われていると推測される。

【0054】

めっきレジスト６０が除去される。図５Ｇに示されるように、電解めっき層３０ｂから露出するシード層３０ａが除去される。シード層３０ａはウェットエッチングによって除去される。ウェットエッチングに用いられるエッチング液は過酸化水素水と硫酸を含む水溶液である。第１導体層３０と第１ビア導体４０は同時に形成される。

【0055】

図５Ｈに示されるように、第１樹脂絶縁層２０の第１面２２と第１導体層３０上に第２樹脂絶縁層１２０と保護膜１５０が形成される。第２樹脂絶縁層１２０の第４面１２４が第１樹脂絶縁層２０の第１面２２と対向している。第２樹脂絶縁層１２０の第３面１２２上に保護膜１５０が形成されている。第２樹脂絶縁層１２０は樹脂８０と無機粒子９０（第２無機粒子９２）を有する。無機粒子９０は樹脂８０内に埋まっている。

【0056】

保護膜１５０は第２樹脂絶縁層１２０の第３面１２２を完全に覆っている。保護膜１５０の例は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムである。保護膜１５０と第２樹脂絶縁層１２０との間に離型剤が形成されている。

【0057】

図５Ｉに示されるように、保護膜１５０の上からレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌは保護膜１５０と第２樹脂絶縁層１２０を同時に貫通する。第１導体層３０のランド３４に至る第２ビア導体１４０用の第２開口１２６が形成される。レーザ光Ｌは例えばＵＶレーザ光とＣＯ２レーザ光である。第２開口１２６によりランド３４が露出される。第２開口１２６が形成される時、第３面１２２は保護膜１５０で覆われている。そのため、第２開口１２６が形成される時、樹脂が飛散しても、第３面１２２に樹脂が付着することが抑制される。

【0058】

図５Ｊは、レーザ光照射後の第２開口１２６の内壁面１２７ｂを示す。内壁面１２７ｂは樹脂８０と樹脂８０から突出している無機粒子９０で形成されている。内壁面の形状を制御するため、レーザ光照射後の内壁面１２７ｂは処理される。樹脂８０から突出している無機粒子９０を選択的に除去することが好ましい。これにより、無機粒子９０から第３無機粒子９３が形成される。例えば、レーザ光照射後の内壁面１２７ｂを薬品で処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。あるいは、レーザ光照射後の内壁面１２７ｂをプラズマで処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。選択的に除去することは、無機粒子９０のエッチング速度が樹脂８０のエッチング速度より大きいことを含む。例えば、両者のエッチング速度差は１０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は５０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は１００倍以上である。レーザ光照射後の内壁面１２７ｂを処理することで、平坦部９３ａ（図４参照）を有する第３無機粒子９３が得られる。レーザ光照射後の内壁面１２７ｂを処理するための条件を制御することで、内壁面の形状を制御することができる。条件の例は、温度、濃度、時間、ガスの種類や圧力である。無機粒子９０のエッチング速度と樹脂のエッチング速度が制御される。

【0059】

第２樹脂絶縁層１２０にレーザ光Ｌを照射することで、樹脂８０に埋まっている第２無機粒子９２の一部がレーザ光照射後の内壁面１２７ｂを形成する。レーザ光照射後の内壁面１２７ｂを形成する第２無機粒子９２は、樹脂８０から突出している突出部分Ｐと樹脂８０に埋まっている部分Ｅで形成される。レーザ光照射後の内壁面１２７ｂが処理される。例えば、四フッ化メタンを含むガスのプラズマで内壁面１２７ｂが処理される。突出部分Ｐが選択的に除去され、実施形態の内壁面１２７（図１、図４）が形成される。第２無機粒子９２から第３無機粒子９３が形成される。突出部分Ｐを選択的に除去することで、平坦部９３ａを有する第３無機粒子９３が形成される。平坦部９３ａは平面である。球の形を持つ第２無機粒子９２が平面で切断されると、第３無機粒子９３の形状が得られる。内壁面１２７は平坦部９３ａと樹脂８０の面８０ａで形成される。平坦部９３ａの露出面９３ｂと樹脂８０の面８０ａはほぼ同一平面上に位置する。例えば、スパッタリングで図５Ｊに示される内壁面１２７ｂ上にシード層１３０ａが形成されると、突出部分Ｐはスパッタ膜の成長を阻害する。例えば、内壁面１２７ｂ上に連続しているシード層１３０ａが形成されない。あるいは、シード層１３０ａの厚みを大きくしなければならない。微細な導体回路を形成することができない。実施形態では、突出部分Ｐが除去される。スパッタリングで形成されるシード層１３０ａの厚みを薄くできる。スパッタリングで形成されるシード層１３０ａの厚みが薄くても、連続しているシード層１３０ａが得られる。シード層１３０ａの厚みは０．０５μｍ以上、０．５μｍ未満である。

【0060】

内壁面１２７上に凹凸が形成されない。内壁面１２７は平滑に形成される。レーザ光照射後の内壁面１２７ｂを処理するための条件を制御することで、凹凸の大きさが制御される。

【0061】

第２開口１２６内が洗浄される。第２開口１２６内を洗浄することにより第２開口１２６形成時に発生する樹脂残渣が除去される。第２開口１２６内の洗浄はプラズマによって行われる。即ち洗浄はドライプロセスで行われる。洗浄はデスミア処理を含む。第２樹脂絶縁層１２０の第３面１２２は保護膜１５０で覆われているためプラズマの影響を受けない。この時点で第２樹脂絶縁層１２０の第３面１２２には凹凸が形成されない。第３面１２２に無機粒子９０が露出しない。第３面１２２は荒らされていない。

【0062】

レーザ光照射後の内壁面１２７ｂを処理することが第２開口１２６内を洗浄することを含む場合、第２開口１２６内を洗浄することを削除することができる。

【0063】

図５Ｋに示されるように、第２開口１２６内を洗浄することの後に、第２樹脂絶縁層１２０から保護膜１５０が除去される。レーザ光照射後の内壁面１２７ｂを処理することが第２開口１２６内を洗浄することを含む場合、レーザ光照射後の内壁面１２７ｂを処理することの後に、第２樹脂絶縁層１２０から保護膜１５０が除去される。レーザ光照射後の内壁面１２７ｂが処理される時、保護膜１５０は第２樹脂絶縁層１２０の第３面１２２を覆っている。

【0064】

保護膜１５０の除去後、第２樹脂絶縁層１２０の第３面１２２がクリーニングされる。第３面１２２がドライエッチングされる。ドライエッチングはアルゴンガスを用いるスパッタリング（アルゴンスパッタリング）によって行われる。図５Ｌ（ａ）（ｂ）はドライエッチング前後の第２樹脂絶縁層１２０の第３面１２２を模式的に示す。図５Ｌ（ａ）（ｂ）に示されるように、ドライエッチングによって第２樹脂絶縁層１２０を形成する樹脂８０が２０ｎｍ程度除去される。例えば、保護膜１５０を第２樹脂絶縁層１２０に接着するための接着材が除去される。ドライエッチングによって、樹脂８０が選択的に除去される。樹脂８０の厚みが薄くなる。無機粒子９０（第２無機粒子９２）の一部は、ドライエッチングによって部分的に樹脂８０の上面から露出する。樹脂８０に埋まっている第２無機粒子９２を樹脂８０の上面から露出することで、第１無機粒子９１が得られる。第１無機粒子９１は第２無機粒子９２から形成される。第１無機粒子９１の形と第２無機粒子９２の形は同じである。両者の形は球である。図５Ｌ（ｂ）に示されるように、第１無機粒子９１は、樹脂８０から突出する第１部分９１ａと樹脂８０に埋まっている第２部分９１ｂで形成されている。第２樹脂絶縁層１２０の第３面１２２は樹脂８０の上面８０Ｒと樹脂８０の上面８０Ｒから突出している第１部分９１ａの露出面９１ａＲで形成されている。ドライエッチングによって第１部分９１ａの露出面９１ａＲが露出する。第２樹脂絶縁層１２０の第３面１２２は荒らされていない。そのため第３面１２２には凹部がほぼ形成されない。

【0065】

比Ｒは、例えば、図５Ｌ（ｂ）に示される第１無機粒子９１の断面図を用いて算出される。図５Ｌ（ｂ）は上面８０Ｒに垂直な面で第２樹脂絶縁層１２０を切断することで得られる。図５Ｌ（ｂ）には、第２導体層１３０が省略されている。図５Ｌ（ｂ）中の第１無機粒子９１上に第２導体層１３０が形成されている。図５Ｌ（ｂ）中の露出面９１ａＲは第２導体層１３０で覆われている。図５Ｌ（ｂ）を用いて、第１部分９１ａの断面積９１ａＳが求められる。同様に、第１無機粒子９１の断面積９１Ｓが求められる。例えば、比Ｒは断面積９１ａＳと断面積９１Ｓの比（第１部分９１ａの断面積９１ａＳ／第１無機粒子９１の断面積９１Ｓ）で代表される。例えば、比Ｒが評価される時、５０個の第１無機粒子９１が観察される。５０個の第１無機粒子９１が比Ｒを満足する。

【0066】

図５Ｍに示されるように、第２樹脂絶縁層１２０の第３面１２２上にシード層１３０ａが形成される。シード層１３０ａはスパッタリングによって形成される。シード層１３０ａの形成はドライプロセスで行われる。第１層１３１ａが第３面１２２上にスパッタリングで形成される。同時に、第２開口１２６から露出する内壁面１２７とランド３４上に第１層１３１ａがスパッタリングで形成される。第３面１２２上には凹部がほとんど形成されていない。そのため、第３面１２２上の第１層１３１ａはほぼ平坦に形成される。その後、第１層１３１ａ上に第２層１３１ｂがスパッタリングで形成される。第２層１３１ｂはほぼ平坦に形成される。第１層１３１ａと第２層１３１ｂは真空中で形成される。シード層１３０ａは第２開口１２６から露出するランド３４の上面と第２開口１２６の内壁面１２７にも形成される。第１層１３１ａは銅と特定卑金属（アルミニウム）を含む合金で形成される。第２層１３１ｂは銅で形成される。スパッタリングで形成されるシード層をスパッタ層と称することができる。スパッタ層が平坦部９３ａを含む内壁面１２７上に形成される。第３無機粒子９３を含む内壁面１２７上にスパッタ層が形成される。

【0067】

第３面１２２は凹部を有していない。内壁面１２７は平滑に形成されている。そのためスパッタ層（第１層１３１ａ、第２層１３１ｂ）の厚みが薄くても連続するシード層１３０ａを形成することができる。その結果、微細な配線を形成することができる。

【0068】

シード層１３０ａ上にめっきレジストが形成される。めっきレジストは、第１信号配線１３２と第２信号配線１３４とランド１３６（図１）を形成するための開口を有する。第３面１２２が凹部を有すると、その凹部に起因する空気がめっきレジストとシード層１３０ａ間に閉じ込められやすい。しかしながら、実施形態では、第３面１２２は凹部をほとんど有していない。そのため、第３面１２２上のシード層１３０ａはほぼ平坦に形成される。シード層１３０ａがほぼ凹部を有さない。めっきレジストとシード層１３０ａの間に空気が残りがたい。めっきレジストとシード層１３０ａ間の接触面積が大きい。第１信号配線１３２と第２信号配線１３４間の空間を形成するためのめっきレジストの幅が１０μｍ以下であっても、めっきレジストがシード層１３０ａの上面から剥がれがたい。実施形態によれば、めっきレジストの幅が３μｍ以上、８μｍ以下であっても、めっきレジストをシード層１３０ａ上に形成することができる。めっきレジストの幅が６μｍ以下であっても、めっきレジストがシード層１３０ａから剥がれ難い。

【0069】

めっきレジストから露出するシード層１３０ａ上に電解めっき層１３０ｂが形成される。電解めっき層１３０ｂは銅で形成される。電解めっき層１３０ｂは第２開口１２６を充填する。第３面１２２上のシード層１３０ａと電解めっき層１３０ｂによって、第１信号配線１３２と第２信号配線１３４とランド１３６が形成される。第２導体層１３０が形成される。第２開口１２６内のシード層１３０ａと電解めっき層１３０ｂによって、第２ビア導体１４０が形成される。第２ビア導体１４０は、ランド３４とランド１３６を接続する。第１信号配線１３２と第２信号配線１３４はペア配線を形成する。

【0070】

めっきレジストが除去される。電解めっき層１３０ｂから露出するシード層１３０ａが除去される。シード層１３０ａはウェットエッチングによって除去される。ウェットエッチングに用いられるエッチング液は過酸化水素水と硫酸を含む水溶液である。ウェットエッチングにより第１層１３１ａと第２層１３１ｂは同時に除去される。第２導体層１３０と第２ビア導体１４０は同時に形成される。

【0071】

第３樹脂絶縁層２２０と第３導体層２３０と第３ビア導体２４０が形成される。第３樹脂絶縁層２２０と第３導体層２３０と第３ビア導体２４０の形成手法は、第１樹脂絶縁層２０と第１導体層３０と第１ビア導体４０の形成手法と同様である。

【0072】

第４樹脂絶縁層３２０と第４導体層３３０と第４ビア導体３４０が形成される。第４樹脂絶縁層３２０と第４導体層３３０と第４ビア導体３４０の形成手法は、第２樹脂絶縁層１２０と第２導体層１３０と第２ビア導体１４０の形成手法と同様である。

【0073】

第５樹脂絶縁層４２０と第５導体層４３０と第５ビア導体４４０が形成される。第５樹脂絶縁層４２０と第５導体層４３０と第５ビア導体４４０の形成手法は、第１樹脂絶縁層２０と第１導体層３０と第１ビア導体４０の形成手法と同様である。実施形態のプリント配線板２（図１）が得られる。

【0074】

実施形態のプリント配線板２は、無電解めっきを用いて形成されるシード層３０ａを含む導体層（例えば、第１導体層３０）とスパッタリングを用いて形成されるシード層１３０ａを含む導体層（例えば、第２導体層１３０）を有する。実施形態は、すべての導体層のシード層がスパッタリングで形成されない。そのため、生産工程がスパッタリングを含んでいても、生産性を高くすることができる。生産コストを抑制することができる。

【0075】

図２Ａと図２Ｂに示されるように、無電解めっき層（例えば、無電解銅めっき層）で形成されるシード層を含む導体層（例えば、第１導体層３０）はシード層３０ａ内（第１か所）とシード層３０ａと電解めっき層３０ｂの境界部分（第２か所）の少なくとも１か所にボイドを有する。無電解めっき層（例えば、無電解銅めっき層）で形成されるシード層を含むビア導体（例えば、第１ビア導体４０）とパッドの接続部分は、シード層３０ａ内（第１か所）とシード層３０ａと電解めっき層３０ｂの境界部分（第２か所）とパッド１４とビア導体（例えば、第１ビア導体４０）の境界部分（第３か所）の少なくとも１か所にボイドを有する。第３か所はビア導体を形成する無電解めっき層とパッドの境界部分を含む。無電解めっきを用いるシード層（例えば、シード層３０ａ）の形成の後の加熱処理の加熱条件を調整することによって、第１か所と第２か所と第３か所の少なくとも１か所にボイドＢが形成される。一方、スパッタリングで形成されるシード層（例えば、シード層１３０ａ）を含む導体層（例えば、第２導体層１３０）はシード層１３０ａ内（第１か所）とシード層１３０ａと電解めっき層１３０ｂの境界部分（第２か所）にボイドは存在しない。ビア導体（例えば、第２ビア導体１４０）とパッドの境界部分（第３か所）にボイドは存在しない。第３か所はビア導体を形成するスパッタ層とパッドの境界部分を含む。

【0076】

無電解めっきの原理とスパッタリングの原理は異なる。そのため、無電解めっき層と無電解めっき層上の電解めっき層間の密着力（前者）とスパッタ層とスパッタ層上の電解めっき層間の密着力（後者）を同じにすることは難しい。パッドとパッド上の無電解めっき層間の密着力（前者）とパッドとパッド上のスパッタ層間の密着力（後者）を同じにすることは難しい。プリント配線板が使用される時、プリント配線板はストレスを何度も受ける。後者が前者より低いと、ストレスはスパッタ層と電解めっき層間の境界部分に集中しやすい。または、ストレスはパッドとスパッタ層間の境界部分に集中しやすい。そのため、ストレスにより、次のような不具合が発生しやすい。例えば、スパッタ層と電解めっき層間で剥がれが発生する。あるいは、パッドとスパッタ層間で剥がれが発生する。あるいは、パッドとスパッタ層を含むビア導体間の接続抵抗が高くなる。

【0077】

無電解めっき層は液中で形成される。そのため、めっきされる面が凹凸を有しても、無電解めっき層はその凹凸に追従しやすい。また、めっきされる面が大きな凹を有しても、無電解めっき層はその大きな凹内に形成されやすい。それに対し、スパッタ粒子は真っすぐ進みやすい。そのため、スパッタされる面が凹凸を有していると、スパッタ層の厚みのバラツキが大きいと考えられる。また、スパッタされる面が大きな凹を有しても、スパッタ層はその大きな凹の壁や底に成長しがたい。スパッタされる面上にスパッタ層が形成される。従って、前者は後者より大きくなりやすい。しかしながら、実施形態では、無電解めっきで形成されるシード層（例えば、シード層３０ａ）を含む導体層とビア導体は第１か所と第２か所と第３か所の少なくとも１か所にボイドＢを有する。そのため、前者は低下しやすい。それに対し、スパッタリングで形成されるシード層（例えば、シード層１３０ａ）を含む導体層とビア導体は第１か所と第２か所と第３か所のいずれにもボイドＢを有していない。そのため、後者は低下しがたい。実施形態のプリント配線板２では、前者と後者がほぼ等しい。そのため、ほぼ同等なストレスが第１境界部分（無電解めっき層と電解めっき層間の境界部分）と第３境界部分（スパッタ層と電解めっき層間の境界部分）に働く。ほぼ同等なストレスが第２境界部分（パッドと無電解めっき層間の境界部分）と第４境界部分（パッドとスパッタ層間の境界部分）に働く。ほぼ同等なストレスが第１境界部分と第２境界部分と第３境界部分と第４境界部分に働く。実施形態のプリント配線板２が何度もストレスを受けても、シード層と電解めっき層間で剥がれが発生し難い。パッドとビア導体間で剥がれがたい。パッドとビア導体間の接続抵抗が長期間安定である。高い接続信頼性を有するプリント配線板２が提供される。

【0078】

［実施形態の別例１］
別例１では、第１導体層３０と第１ビア導体４０は、シード層３０ａ内（第１か所）と、シード層３０ａと電解めっき層３０ｂの境界部分（第２か所）と、パッド１４と第１ビア導体４０の接続部分（第３か所）のうち、いずれか１か所または２か所にボイドを有している。同様に、第３導体層２３０と第３ビア導体２４０は、シード層２３０ａ内（第１か所）と、シード層２３０ａと電解めっき層２３０ｂの境界部分（第２か所）と、ランド１３６と第３ビア導体２４０の接続部分（第３か所）のうち、いずれか１か所または２か所にボイドを有している。

【0079】

［実施形態の別例２］
実施形態のプリント配線板２では、無電解めっきを用いて形成されるシード層を含む導体層（第１導体層３０、第３導体層２３０、第５導体層４３０）とスパッタリングを用いて形成されるシード層を含む導体層（第２導体層１３０、第４導体層３３０）が交互に設けられている。別例２のプリント配線板２では無電解めっきを用いて形成されるシード層を含む導体層とスパッタリングを用いて形成されるシード層を含む導体層が自由に積層される。両者を任意の順で積層することができる。例えば、スパッタリングを用いて形成されるシード層１３０ａを含む第２導体層１３０の上に、無電解めっきを用いて形成されるシード層３０ａを含む第１導体層３０が設けられてもよい。最上の導体層はスパッタリングを用いて形成されるシード層を含むことが好ましい。最上の導体層は開口を有するソルダーレジスト層で覆われる。ソルダーレジスト層の開口により露出される最上の導体層上に電子部品を搭載するためのバンプが形成される。バンプは半田で形成される。あるいは、バンプはめっきで形成される。

【0080】

実施形態と各別例のプリント配線板２は複数の導体回路を含む。ビア導体用の開口は導体回路の一部（第１部分）に至る。第１部分はビア導体用の開口の底部により露出される。第１部分をパッドと称することができる。ビア導体用の開口がランドに至っていると、ランドの一部をパッドと称することができる。ランドの一部はビア導体用の開口の底部により露出されている。

【0081】

導体層とビア導体がボイドＢを有するとき、ボイドＢの存在箇所は第１か所と第２か所と第３か所の少なくとも一つである。

【符号の説明】

【0082】

２ ：プリント配線板
４ ：絶縁層
１０ ：導体層
１４ ：パッド
２０ ：第１樹脂絶縁層
２６ ：第１開口
２７ ：内壁面
３０ ：第１導体層
３０ａ ：シード層
３０ｂ ：電解めっき層
４０ ：第１ビア導体
９０ ：無機粒子
９１ ：第１無機粒子
９１ａ ：第１部分
９１ｂ ：第２部分
９２ ：第２無機粒子
９３ ：第３無機粒子
９３ａ ：平坦部
９３ｂ ：露出面
１２０ ：第２樹脂絶縁層
１２６ ：第２開口
１２７ ：内壁面
１３０ ：第２導体層
１３０ａ ：シード層
１３０ｂ ：電解めっき層
１４０ ：第２ビア導体
２２０ ：第３樹脂絶縁層
２３０ ：第３導体層
３２０ ：第４樹脂絶縁層
３３０ ：第４導体層
４２０ ：第５樹脂絶縁層
４３０ ：第５導体層
Ｂ ：ボイド
Ｗ１ ：第１幅
Ｗ２ ：第２幅

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図5E】

【図5F】

【図5G】

【図5H】

【図5I】

【図5J】

【図5K】

【図5L】

【図5M】