特開2024-689 | 知財ポータル「IP Force」

知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」

▶ 東芝メモリ株式会社の特許一覧

特開2024-689パターン形成方法、半導体装置の製造方法、及びテンプレート

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

目に優しい文字サイズ小中大 PDF Top

< >

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024000689

(43)【公開日】2024-01-09

(54)【発明の名称】パターン形成方法、半導体装置の製造方法、及びテンプレート

(51)【国際特許分類】

H01L 21/027 20060101AFI20231226BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 502D

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022099537

(22)【出願日】2022-06-21

(71)【出願人】

【識別番号】318010018

【氏名又は名称】キオクシア株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】ミトラオヌポン

【テーマコード（参考）】

5F146

【Ｆターム（参考）】

5F146AA31

(57)【要約】

【課題】レジストパターンの形成不良を抑制すること。
【解決手段】実施形態のパターン形成方法は、被加工膜の上に樹脂材を配置し、基準面から突出する複数のパターンを備えるテンプレートを樹脂材に押し当てて、基準面との接触面に沿う第１の方向に離れて配置される第１及び第２のパターンと、第１及び第２のパターンの間に配置される第３のパターンと、を有する第１の樹脂膜を形成し、第１の樹脂膜を覆う第２の樹脂膜を形成し、第２の樹脂膜を露光現像して、第１及び第２のパターンを露出させ、第１及び第２の樹脂膜を介して被加工膜を加工して、第１及び第２のパターンを被加工膜に転写する。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

被加工膜の上に樹脂材を配置し、
基準面から突出する複数のパターンを備えるテンプレートを前記樹脂材に押し当てて、前記基準面との接触面に沿う第１の方向に離れて配置される第１及び第２のパターンと、前記第１及び第２のパターンの間に配置される第３のパターンと、を有する第１の樹脂膜を形成し、
前記第１の樹脂膜を覆う第２の樹脂膜を形成し、
前記第２の樹脂膜を露光現像して、前記第１及び第２のパターンを露出させ、
前樹第１及び第２の樹脂膜を介して前記被加工膜を加工して、前記第１及び第２のパターンを前記被加工膜に転写する、
パターン形成方法。

【請求項2】

前記第２の樹脂膜を露光現像するときは、
前記第１及び第２のパターンを露出させるとともに、前記第３のパターン内に配置される前記第２の樹脂膜に第４のパターンを形成し、
前樹第１及び第２の樹脂膜を介して前記被加工膜を加工するときは、
前記第１及び第２のパターンとともに、前記第４のパターンを前記被加工膜に転写する、
請求項１に記載のパターン形成方法。

【請求項3】

前記被加工膜の上に前記樹脂材を配置するときは、前記被加工膜上に前記樹脂材の液滴を滴下する、
請求項１に記載のパターン形成方法。

【請求項4】

前記被加工膜上に前記液滴を滴下するときは、
前記第１乃至第３のパターンを形成する位置に、前記第１乃至第３のパターンのそれぞれの体積に応じた数の前記液滴を滴下する、
請求項３に記載のパターン形成方法。

【請求項5】

前記被加工膜上に前記液滴を滴下するときは、
前記第１乃至第３のパターンのいずれかを形成する位置に、第１の樹脂材の液滴を滴下し、
前記第１乃至第３のパターンの他のいずれかを形成する位置に、前記第１の樹脂材とは種類が異なる第２の樹脂材の液滴を滴下する、
請求項３に記載のパターン形成方法。

【請求項6】

前記第３のパターンは、ダミーパターンを含む、
請求項１に記載のパターン形成方法。

【請求項7】

被加工膜の上に樹脂材を配置し、
基準面から突出する複数のパターンを備えるテンプレートを前記樹脂材に押し当てて、前記基準面との接触面に沿う第１の方向に離れて配置される第１及び第２のパターンと、前記第１及び第２のパターンの間に配置される第３のパターンと、を有する第１の樹脂膜を形成し、
前記第１の樹脂膜を覆う第２の樹脂膜を形成し、
前記第２の樹脂膜を露光現像して、前記第１及び第２のパターンを露出させ、
前樹第１及び第２の樹脂膜を介して前記被加工膜を加工して、前記第１及び第２のパターンが前記被加工膜に転写された第１及び第２の凹部を形成し、
前記第１及び前記第２の凹部内に金属層を形成する、
半導体装置の製造方法。

【請求項8】

前記第３のパターンは、ダミーパターンを含む、
請求項７に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項9】

基準面と、
前記基準面から突出する第１のパターンと、
前記基準面から突出し、前記基準面に沿う第１の方向で前記第１のパターンを挟む第２及び第３のパターンと、を備える、
テンプレート。

【請求項10】

前記第１のパターンは、ダミーパターンを含む、
請求項９に記載のテンプレート。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、パターン形成方法、半導体装置の製造方法、及びテンプレートに関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の製造工程において、テンプレートのパターンを被加工膜上のレジスト膜に転写して、被加工膜に所望のパターンを形成するインプリント処理が行われることがある。しかしながら、パターン転写領域内の被覆率が異なる場合、パターンの疎らな領域でレジスト膜に気泡等が混入し、レジストパターンの形成不良が発生してしまうことがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－０１１４３１号公報

【特許文献2】特開２０１４－１６０７５４号公報

【特許文献3】特開２００８－２４４２５９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

１つの実施形態は、レジストパターンの形成不良を抑制することが可能なパターン形成方法、半導体装置の製造方法、及びテンプレートを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

実施形態のパターン形成方法は、被加工膜の上に樹脂材を配置し、基準面から突出する複数のパターンを備えるテンプレートを前記樹脂材に押し当てて、前記基準面との接触面に沿う第１の方向に離れて配置される第１及び第２のパターンと、前記第１及び第２のパターンの間に配置される第３のパターンと、を有する第１の樹脂膜を形成し、前記第１の樹脂膜を覆う第２の樹脂膜を形成し、前記第２の樹脂膜を露光現像して、前記第１及び第２のパターンを露出させ、前樹第１及び第２の樹脂膜を介して前記被加工膜を加工して、前記第１及び第２のパターンを前記被加工膜に転写する。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】実施形態１にかかる半導体装置の構成の一例を示す断面図。

【図2】実施形態１にかかるインプリント装置の構成例を示す図。

【図3】実施形態１にかかるテンプレートの構成の一例を示す模式図。

【図4】実施形態１にかかる半導体装置の製造方法の手順の一部を順に例示する断面図。

【図5】実施形態１にかかる半導体装置の製造方法の手順の一部を順に例示する断面図。

【図6】実施形態１にかかる半導体装置の製造方法の手順の一部を順に例示する断面図。

【図7】実施形態１にかかるマスタテンプレートの製造方法の手順の一部を例示する断面図。

【図8】実施形態１にかかるテンプレートの製造方法の手順の一部を順に例示する断面図。

【図9】実施形態１にかかるテンプレートの製造方法の手順の一部を順に例示する断面図。

【図10】実施形態１にかかるテンプレートの製造方法の手順の一部を順に例示する断面図。

【図11】比較例にかかるテンプレートを用いたインプリント処理の手順の一部を例示する断面図。

【図12】実施形態１の変形例１にかかる半導体装置の製造方法の手順の一部を例示する断面図。

【図13】実施形態１の変形例２にかかる半導体装置の製造方法の手順の一部を順に例示する断面図。

【図14】実施形態１の変形例２にかかる半導体装置の製造方法の手順の一部を順に例示する断面図。

【図15】実施形態１の変形例２にかかる半導体装置の製造方法の手順の一部を順に例示する断面図。

【図16】実施形態１の変形例３にかかる半導体装置の製造方法の手順の一部を順に例示する断面図。

【図17】実施形態１の変形例３にかかる半導体装置の製造方法の手順の一部を順に例示する断面図。

【図18】実施形態１の変形例３にかかる半導体装置の製造方法の手順の一部を順に例示する断面図。

【図19】実施形態２にかかるインプリント装置の構成例を示す図。

【図20】実施形態２にかかるインプリント装置におけるインプリント処理の手順の一部を例示する断面図。

【図21】実施形態２の変形例１にかかるテンプレートを用いたインプリント処理の手順の一部を例示する断面図。

【図22】実施形態２の変形例２にかかるインプリント処理の手順の一部を例示する上面図。

【図23】実施形態２の変形例３にかかるインプリント処理の手順の一部を例示する断面図。

【図24】実施形態２の変形例４にかかるテンプレートを用いたインプリント処理の手順の一部を順に例示する断面図。

【図25】実施形態２の変形例４にかかるテンプレートを用いたインプリント処理の手順の一部を順に例示する断面図。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下に、本発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態により、本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるものあるいは実質的に同一のものが含まれる。

【0008】

［実施形態１］
以下、図面を参照して実施形態１について詳細に説明する。

【0009】

（半導体装置の構成例）
図１は、実施形態１にかかる半導体装置ＭＤＶの構成の一例を示す断面図である。図１（ａ）は半導体装置ＭＤＶの概略構成を示す断面図であり、図１（ｂ）は半導体装置ＭＤＶが備えるピラーＰＬの拡大断面図である。なお、図１（ａ）においては、図面の視認性を高めるためハッチングが省略されている。

【0010】

図１（ａ）に示すように、半導体装置ＭＤＶは、シリコン基板等の基板ＳＢ上に、周辺回路ＣＵＡ、ソース線ＳＬ、及び積層体ＬＭをこの順に備える。周辺回路ＣＵＡは、基板ＳＢ上に形成されたトランジスタＴＲ等を備え、後述するメモリセルの電気的な動作に寄与する。周辺回路ＣＵＡは、シリコン酸化膜等の絶縁膜５１で覆われている。絶縁膜５１上には、導電性のポリシリコン層等であるソース線ＳＬが形成されている。

【0011】

ソース線ＳＬ上の積層体ＬＭは、複数のワード線ＷＬが積層された構成を有している。ワード線ＷＬは、例えばタングステン層またはモリブデン層等である。ワード線ＷＬの積層数は、例えば数十～百程度である。図１（ａ）においては図示を省略しているが、複数のワード線ＷＬ間には、それぞれ酸化シリコン層等の絶縁層ＯＬ（図１（ｂ）参照）が介在されている。

【0012】

積層体ＬＭは、メモリ領域ＭＲ、コンタクト領域ＰＲ、及び貫通コンタクト領域ＴＰを備え、それぞれの領域には、複数のピラーＰＬ、及び複数のコンタクトＣＣ，Ｃ４が設けられている。積層体ＬＭは全体が、シリコン酸化膜等の絶縁膜５２で覆われている。

【0013】

複数のピラーＰＬのそれぞれは、積層体ＬＭを貫通してソース線ＳＬに到達している。ピラーＰＬの詳細の構成を図１（ｂ）に示す。

【0014】

図１（ｂ）に示すように、ピラーＰＬは、ピラーＰＬの外周から順にメモリ層ＭＥ、及びチャネル層ＣＮを備え、チャネル層ＣＮの更に内側にはコア層ＣＲが充填されている。メモリ層ＭＥは、ピラーＰＬの外周から順にブロック絶縁層ＢＫ、電荷蓄積層ＣＴ、及びトンネル絶縁層ＴＮが積層された多層構造を有する。なお、ピラーＰＬの下端部にはメモリ層ＭＥは配置されておらず、その内側のチャネル層ＣＮがソース線ＳＬと接続されている。

【0015】

チャネル層ＣＮは、例えばポリシリコン層またはアモルファスシリコン層等の半導体層である。コア層ＣＲ、トンネル絶縁層ＴＮ、及びブロック絶縁層ＢＫは、例えば酸化シリコン層等である。電荷蓄積層ＣＴは例えば窒化シリコン層等である。

【0016】

このような構成により、ピラーＰＬとワード線ＷＬとの交差部には、高さ方向に並ぶ複数のメモリセルＭＣが形成される。ワード線ＷＬから同じ高さ位置のメモリセルＭＣに所定の電圧を印加することで、メモリセルＭＣの電荷蓄積層ＣＴに電荷を蓄積し、あるいは電荷蓄積層ＣＴから電荷を引き出して、メモリセルＭＣに対してデータの書き込み及び読み出しを行うことができる。メモリセルＭＣから読み出されたデータは、ピラーＰＬ情報のプラグ及び上層配線等を介して図示しないセンスアンプに伝達される。

【0017】

複数のコンタクトＣＣのそれぞれは、積層体ＬＭに含まれる複数のワード線ＷＬのうち、いずれかのワード線ＷＬの深さ位置にまで到達し、そのワード線ＷＬに接続されている。また、複数のコンタクトＣＣのそれぞれは、上層配線およびプラグを介して複数のコンタクトＣ４に接続されている。

【0018】

複数のコンタクトＣ４は、積層体ＬＭ及びソース線ＳＬを貫通し、積層体ＬＭ下方の絶縁膜５１に到達している。絶縁膜５１中で、複数のコンタクトＣ４のそれぞれの下端部は、下層配線、ビア、及びコンタクト等を介して周辺回路ＣＵＡのトランジスタＴＲに接続されている。

【0019】

このような構成により、周辺回路ＣＵＡから、コンタクトＣ４，ＣＣを介してそれぞれのメモリセルＭＣに所定の電圧を印加して、メモリセルＭＣを電気的に動作させることができる。

【0020】

上記構成を備える半導体装置ＭＤＶにおいて、高度の３次元構造を有する立体的な形状を有する構成については、例えばテンプレートを用いたインプリント処理によって簡便に形成することができる。高度の３次元構造を有する構成としては、例えばコンタクトＣ４と周辺回路ＣＵＡとを電気的に接続するビアと配線とが一括形成されたデュアルダマシン構造ＤＤ、及び積層体ＬＭの異なる深さのワード線ＷＬにそれぞれ到達する複数のコンタクトＣＣ等がある。

【0021】

（インプリント装置の構成例）
次に、図２を用いて、上述の半導体装置ＭＤＶの製造工程で用いられるインプリント装置１の構成例について説明する。

【0022】

図２は、実施形態１にかかるインプリント装置１の構成例を示す図である。図２に示すように、インプリント装置１は、テンプレートステージ８１、ウェハステージ８２、アライメントスコープ８３、スプレッドスコープ８４、基準マーク８５、アライメント部８６、ステージベース８８、光源８９、及び制御部９０を備えている。

【0023】

また、インプリント装置１には、ウェハ３０上のレジストにパターンを転写するテンプレート１０がインストールされている。テンプレート１０は、石英等の透明部材で構成されており、ウェハ３０が載置されるウェハステージ８２側に転写パターンを向けて配置される。ウェハ３０は、例えば円盤状のシリコン基板等であって、後にチップに切り出されて、上述の半導体装置ＭＤＶの基板ＳＢとなる。

【0024】

ウェハステージ８２は、ウェハチャック８２ｂ及び本体８２ａを備える。ウェハチャック８２ｂは、ウェハ３０を本体８２ａ上の所定位置に固定する。ウェハステージ８２上には、基準マーク８５が設けられている。基準マーク８５は、ウェハ３０をウェハステージ８２上にロードする際の位置合わせに用いられる。

【0025】

ウェハステージ８２は、ウェハ３０を載置するとともに、載置したウェハ３０と平行な平面内（水平面内）を移動する。ウェハステージ８２は、ウェハ３０への転写処理を行う際、ウェハ３０をテンプレート１０の下方側に移動させる。

【0026】

ステージベース８８は、テンプレートステージ８１によってテンプレート１０を支持するとともに、上下方向（鉛直方向）に移動することにより、テンプレート１０の転写パターンをウェハ３０上のレジストに押し当てる。

【0027】

ステージベース８８上には、アライメント部８６が設けられている。アライメント部８６は、ウェハ３０及びテンプレート１０にそれぞれ設けられたアライメントマーク等に基づき、ウェハ３０の位置検出やテンプレート１０の位置検出を行う。

【0028】

アライメント部８６は、検出系８６ａ及び照明系８６ｂを備える。照明系８６ｂは、ウェハ３０及びテンプレート１０に光を照射する。検出系８６ａは、アライメントスコープ８３により、ウェハ３０及びテンプレート１０のアライメントマークの画像を検出し、その検出結果に基づきウェハ３０とテンプレート１０との位置合わせを行う。また、検出系８６ａは、スプレッドスコープ８４により、ウェハ３０のレジストにテンプレート１０が押し当てられた際、テンプレート１０の転写パターンにレジストが充填されたか否かを検出する。

【0029】

検出系８６ａ及び照明系８６ｂは、結像部として機能するダイクロイックミラー等のミラー８６ｘ，８６ｙをそれぞれ備える。ミラー８６ｘ，８６ｙは、照明系８６ｂからの光によってウェハ３０及びテンプレート１０からの画像を結像させる。

【0030】

具体的には、照明系８６ｂからの光Ｌｂは、ミラー８６ｙによりテンプレート１０及びウェハ３０が配置される下方へと反射される。ウェハ３０及びテンプレート１０からの光Ｌａは、ミラー８６ｘにより検出系８６ａ側へと反射され、スプレッドスコープ８４へと進行する。ウェハ３０及びテンプレート１０からの光Ｌｃは、ミラー８６ｘ，８６ｙを透過して、上方のアライメントスコープ８３へと進行する。

【0031】

光源８９は、レジストを硬化することが可能な紫外光等の光を照射する装置であり、ステージベース８８の上方に設けられている。光源８９は、テンプレート１０がレジストに押し当てられた状態で、テンプレート１０上から光を照射する。ただし、レジストを硬化することが可能であれば、光源８９が照射する光は、紫外光以外の赤外光、可視光、または電磁波等であってもよい。

【0032】

制御部９０は、インプリント装置１を制御するための各種処理を行う情報処理装置である。制御部９０は、例えばＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）、ＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、及びＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）等を備え、プログラムにしたがって所定の演算処理および制御処理を行うコンピュータを含んで構成される。

【0033】

制御部９０は、アライメントスコープ８３及びスプレッドスコープ８４等により取得された観測画像に基づいて、テンプレートステージ８１、ウェハステージ８２、ステージベース８８、及び光源８９等を制御する。

【0034】

（テンプレートの構成例）
次に、図３を用いて、上述のインプリント装置１によるインプリント処理に用いられるテンプレート１０の構成例について説明する。ここでは、高度の３次元構造を有する構成の一例として、積層体ＬＭの異なる深さのワード線ＷＬにそれぞれ到達する複数のコンタクトＣＣを形成するためのテンプレート１０の例について説明する。

【0035】

図３は、実施形態１にかかるテンプレート１０の構成の一例を示す模式図である。図３（ａ）はテンプレート１０の実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭの拡大断面図であり、図３（ｂ）はテンプレート１０の全体構成を示す断面図である。

【0036】

図３（ｂ）に示すように、実施形態１のテンプレート１０は、例えば石英等の透明基板ＢＡを備える。透明基板ＢＡは、透明基板ＢＡの一方の面である表面側に突出するメサ部ＭＳを備える。透明基板ＢＡの裏面側にはザグリＣＮが形成されている。これにより、透明基板ＢＡの裏面中央部は窪んでいる。

【0037】

メサ部ＭＳには、複数の実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭが設けられている。複数の実パターンＡＣは、後述する被加工膜に転写されて、半導体装置ＭＤＶの一部構成となるパターンである。ダミーパターンＤＭは、後述する被加工膜に転写されることなく消失するダミーのパターンである。

【0038】

図３（ａ）に示すように、複数の実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭは、メサ部ＭＳの基準面ＲＰから突出している。複数の実パターンＡＣは、例えばメサ部ＭＳの基準面ＲＰに沿う方向に離れて配置されている。複数のダミーパターンＤＭは、複数の実パターンＡＣ間、及びメサ部ＭＳの外縁部側に配置される。

【0039】

実パターンＡＣのそれぞれは、基準面ＲＰからの突出高さが異なる複数の柱状パターンＣＬを含む。図３（ａ）の例では、これらの柱状パターンＣＬは、一方方向に向かって順次、高くなっていく。ただし、複数の柱状パターンＣＬの配置および並び順は、図３（ａ）の例に限らず任意である。

【0040】

図３（ａ）の例において、隣接する柱状パターンＣＬ同士の高さの差は、例えば数ｎｍ～数百ｎｍ程度である。これらの柱状パターンＣＬは、例えば基準面ＲＰに占める面積が略等しく、高さが異なる四角柱となっている。これらの柱状パターンＣＬの数は例えば数十～百程度である。

【0041】

複数の実パターンＡＣの一方方向両側には、それぞれの実パターンＡＣを一方方向両側から挟み込む１対のダミーパターンＤＭが配置されている。また、複数の実パターンＡＣの間には、それぞれ複数のダミーパターンＤＭが配置されている。ダミーパターンＤＭのそれぞれは、凸状の形状を有する凸パターンとなっており、互いに所定間隔を空けて、実パターンＡＣの配置位置を除く、メサ部ＭＳの全面に亘って配置されている。

【0042】

（半導体装置の製造方法）
次に、図４～図６を用いて、上述のインプリント装置１におけるインプリント処理を含む半導体装置ＭＤＶの製造方法の例について説明する。

【0043】

図４～図６は、実施形態１にかかる半導体装置ＭＤＶの製造方法の手順の一部を順に例示する断面図である。図４～図６に示す処理は、上述のテンプレート１０を用いたインプリント処理を含むパターン形成方法でもある。

【0044】

図４（ａ）に示すように、下地膜ＵＦ上に被加工膜ＰＦを形成する。下地膜ＵＦは、上述の半導体装置ＭＤＶにおける周辺回路ＣＵＡを覆う絶縁膜５１、及び絶縁膜５１上に形成されるソース線ＳＬ等である。被加工膜ＰＦは、例えば窒化層と酸化層とが複数交互に積層された多層膜である。被加工膜ＰＦは、後に窒化層がタングステン層等に置き換えられて、上述の半導体装置ＭＤＶの積層体ＬＭとなる。

【0045】

被加工膜ＰＦ上にはレジスト膜９１を形成する。レジスト膜９１は、例えば光硬化型樹脂膜等であって、例えばスピンコート法等を用いて、被加工膜ＰＦ上にレジスト材を塗布することで形成される。

【0046】

このとき、レジスト膜９１は、例えばテンプレート１０のメサ部ＭＳ内の実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭが転写される被加工膜ＰＦ上の領域全体を覆うように形成される。レジスト膜９１は、この段階では未硬化の状態となっている。

【0047】

レジスト膜９１の上記のような形成処理は、例えばインプリント装置１にウェハ３０を搬入する前に、薬液塗布装置等の別の装置で実施されてよい。

【0048】

このレジスト膜９１に、テンプレート１０の複数の柱状パターンＣＬを転写するため、柱状パターンＣＬが形成された面を被加工膜ＰＦ側に向けて、テンプレート１０をレジスト膜９１に対向させる。

【0049】

図４（ｂ）に示すように、テンプレート１０の柱状パターンＣＬを被加工膜ＰＦ上のレジスト膜９１に押し当てる。このとき、テンプレート１０のメサ部ＭＳが被加工膜ＰＦに接触しないよう、突出量の最も大きい柱状パターンＣＬ及び被加工膜ＰＦ間に若干の隙間を設ける。

【0050】

この状態を所定時間維持することで、レジスト膜９１がテンプレート１０の複数の柱状パターンＣＬの間、及び複数のダミーパターンＤＭの間に浸透していく。レジスト膜９１が、これらの柱状パターンＣＬ間およびダミーパターンＤＭ間に行き渡ったら、テンプレート１０をレジスト膜９１に押し当てたまま、テンプレート１０を透過させて紫外光等の光をレジスト膜９１に照射する。これにより、レジスト膜９１が硬化する。

【0051】

図４（ｃ）に示すように、テンプレート１０を離型すると、テンプレート１０の基準面ＲＰとの接触面を上面とするレジストパターン９１ｐが形成される。レジストパターン９１ｐの接触面には、複数のコンタクトパターンＰＰ、及び複数の凹パターンＤＰが形成されている。

【0052】

複数のコンタクトパターンＰＰは、テンプレート１０の実パターンＡＣが転写されたパターンである。複数のコンタクトパターンＰＰは互いに離れて配置され、それぞれが、テンプレート１０の柱状パターンＣＬが転写された複数のホールパターンＣＰを有する。

【0053】

複数の凹パターンＤＰは、ダミーパターンＤＭが転写されたパターンであり、それぞれが凹状の形状を有する。複数の凹パターンＤＰは、複数のコンタクトパターンＰＰのそれぞれを挟み込むとともに、複数のコンタクトパターンＰＰの間に配置される。

【0054】

なお、上述のように、テンプレート１０と被加工膜ＰＦとの間に隙間を設けた状態でレジスト膜９１を硬化させているので、レジストパターン９１ｐは、ホールパターンＣＰのうち最も深穴のホールパターンＣＰの底部にレジスト残膜９１ｒを有している。同様に、レジストパターン９１ｐは、それぞれの凹パターンＤＰの底部にレジスト残膜９１ｒを有している。

【0055】

ここで、フォトリソグラフィ技術では、レジストパターン９１ｐのように、レジスト膜中の到達深さが異なる複数のパターンを有するレジストパターンを一括形成することは困難である。このため、例えばレジスト膜の形成、露光現像、及び被加工膜の加工を複数回に亘って繰り返す処理が必要となる。

【0056】

上記のように、テンプレート１０を用いた技術によれば、レジスト膜９１中の到達深さの異なる複数のパターンが、１回のインプリント処理でレジスト膜９１に形成される。

【0057】

図５（ａ）に示すように、レジストパターン９１ｐを覆うレジスト膜９２を形成する。レジスト膜９２は、フォトリソグラフィ等で用いられる感光性のポジ型レジスト膜等であって、例えばスピンコート法等を用いて、レジストパターン９１ｐ上にポジ型のレジスト材を塗布することで形成される。

【0058】

レジスト膜９２もまた、薬液塗布装置等のインプリント装置１とは別の装置で実施されてよい。この場合、レジストパターン９１ｐが形成されたウェハ３０を一旦、インプリント装置１から搬出し、薬液塗布装置にてレジスト膜９２を形成した後、光露光装置に搬入することができる。また、レジスト層９２を形成する前に、レジストパターン９１ｐ表面の真空紫外光（ＶＵＶ：ＶａｃｕｕｍＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）処理等の表面処理を行ってもよい。

【0059】

図５（ｂ）に示すように、レジスト膜９２の一部を露光するため、フォトマスク４０をレジスト膜９２に対向させて配置する。フォトマスク４０は、透明基板４１と、遮光膜パターン４２ｐとを備えている。

【0060】

遮光膜パターン４２ｐは複数の開口部４２ｏｐを有する。複数の開口部４２ｏｐは、被加工膜ＰＦ上のレジストパターン９１ｐに形成された複数のコンタクトパターンＰＰと上下に重なる位置に配置されている。複数の開口部４２ｏｐは、複数のコンタクトパターンＰＰが形成された領域よりも大きく形成されており、個々のコンタクトパターンＰＰの全体が、開口部４２ｏｐの下方位置に収まるように配置される。

【0061】

フォトマスク４０をレジスト膜９２に対向させた状態で、フォトマスク４０の開口部４２ｏｐを透過させて紫外光等の露光光をレジスト膜９２に照射する。これにより、レジストパターン９１ｐを覆うレジスト膜９２のうち、複数のコンタクトパターンＰＰを覆う部分が露光される。

【0062】

図５（ｃ）に示すように、一部を露光したレジスト膜９２を現像することで、レジストパターン９１ｐのコンタクトパターンＰＰと重なる位置に開口部９２ｏｐを有するレジストパターン９２ｐが形成される。これにより、レジスト膜９２で覆われていたレジストパターン９１ｐのうちコンタクトパターンＰＰが、レジストパターン９２ｐの開口部９２ｏｐから露出する。

【0063】

図６（ａ）に示すように、酸素プラズマ等を用いて、最も深穴のホールパターンＣＰ底部のレジスト残膜９１ｒを除去する。これにより、最も深穴のホールパターンＣＰ底部に被加工膜ＰＦの上面が露出する。また、レジストパターン９１ｐ，９２ｐの膜厚が全体的に減少する。

【0064】

図６（ｂ）に示すように、レジストパターン９１ｐ，９２ｐを介して被加工膜ＰＦを加工する。これにより、レジストパターン９１ｐから露出した被加工膜ＰＦが除去されて、最も深穴のホールパターンＣＰが転写されたコンタクトホールＣＨが形成される。

【0065】

また、酸素プラズマ等を用いてレジストパターン９１ｐの膜厚を減少させて、最も深穴のホールパターンＣＰに隣接するホールパターンＣＰ底部のレジスト残膜９１ｒを除去し、新たに被加工膜ＰＦを露出させる。このとき、レジストパターン９２ｐも膜厚も、レジストパターン９１ｐとともに減少する。

【0066】

図６（ｃ）に示すように、レジストパターン９１ｐ，９２ｐを介した被加工膜ＰＦの加工を更に継続する。これにより、レジストパターン９１ｐから新たに露出した被加工膜ＰＦの上面が除去されて、新たなコンタクトホールＣＨが形成される。被加工膜ＰＦにおける既存のコンタクトホールＣＨの到達深さは更に増す。

【0067】

また、酸素プラズマ等を用いてレジストパターン９１ｐの膜厚を減少させて、新たに形成されたコンタクトホールＣＨに隣接するホールパターンＣＰ底部から新たに被加工膜ＰＦを露出させる。

【0068】

図６（ｄ）に示すように、レジストパターン９１ｐ，９２ｐを介した被加工膜ＰＦの加工と、酸素プラズマ等によるレジストパターン９１ｐ，９２ｐの減膜とを更に継続する。これにより、レジストパターン９１ｐから新たに露出した被加工膜ＰＦの上面が除去されて、新たなコンタクトホールＣＨが形成される。被加工膜ＰＦにおける複数のコンタクトホールＣＨの到達深さが更に増していく。

【0069】

図６（ｅ）に示すように、レジストパターン９１ｐ，９２ｐを介した被加工膜ＰＦの加工と、酸素プラズマ等によるレジストパターン９１ｐ，９２ｐの減膜とを更に継続する。これにより、被加工膜ＰＦにおける複数のコンタクトホールＣＨの到達深さが更に増していくとともに、テンプレート１０により転写されたホールパターンＣＰの深さが深い順に、ホールパターンＣＰ底部から新たに被加工膜ＰＦが露出していき、新たなコンタクトホールＣＨが形成されていく。

【0070】

図６（ｆ）に示すように、上記のような加工を継続することにより、被加工膜ＰＦにおける到達深さが異なる複数のコンタクトホールＣＨが被加工膜ＰＦに形成される。一方で、複数の凹パターンＤＰは被加工膜ＰＦには転写されない。

【0071】

このように、複数のコンタクトホールＣＨが形成された領域は、上述の半導体装置ＭＤＶにおけるコンタクト領域ＰＲ（図１参照）となる。その後、残ったレジストパターン９１ｐ，９２ｐが除去される。

【0072】

以上により、テンプレート１０を用いたパターン形成処理が終了する。

【0073】

なお、上記のインプリント処理に際し、例えばテンプレート１０が有する角型の柱状パターンＣＬは、レジスト膜９１に転写される際に、角部が丸みを帯びた形状に転写されてもよい。また、レジストパターン９１ｐを用いて、被加工膜ＰＦに複数のコンタクトホールＣＨを形成する際、コンタクトホールＣＨの角部が更に丸みを帯びた形状に加工されてもよい。

【0074】

また、上記の図６の例では、被加工膜ＰＦに対する加工処理中のレジストパターン９１ｐ，９２ｐの除去レートが略等しいこととした。しかし、複数のコンタクトホールＣＨが完成するまでの間、レジストパターン９１ｐ，９２ｐの両方が残っていれば、これらの除去レートは等しくなくともよい。つまり、例えば複数のコンタクトホールＣＨの形成後、レジストパターン９１ｐ，９２ｐのいずれかの残膜が他方の残膜より薄くなっていてもよい。

【0075】

その後、被加工膜ＰＦに形成された複数のコンタクト領域ＰＲ間に、メモリセルＭＣを形成させるピラーＰＬ（図１参照）を形成する。また、多層構造を有する被加工膜ＰＦの窒化シリコン層をタングステン層等のワード線ＷＬに置き換えるリプレース処理を行って、複数のワード線ＷＬと複数の絶縁層ＯＬとが交互に積層される積層体ＬＭを形成する。

【0076】

また、テンプレート１０を用いて形成した複数のコンタクトホールＣＨの側壁を絶縁層で覆い、絶縁層の内側を金属層で充填することで、深さの異なるワード線ＷＬにそれぞれ接続される複数のコンタクトＣＣが形成される。

【0077】

上述のように、積層体ＬＭに形成されるコンタクトホールＣＨは、図４～図６に示す処理を通じて、例えば角部が丸みを帯びた形状となっている。このため、コンタクトホールＣＨ内に金属層を埋め込んで、コンタクトＣＣとして機能させた場合、コンタクトＣＣが鋭角部分を有することによる電力集中等を抑制することができる。

【0078】

以上により、実施形態１の半導体装置ＭＤＶが製造される。

【0079】

（テンプレートの製造方法）
次に、図７～図１０を用いて、上述のテンプレート１０、及びテンプレート１０の製造に用いるマスタテンプレート１０ｍの製造方法について説明する。

【0080】

上記のように、テンプレート１０の製造に際しては、まず、テンプレート１０の原版となるマスタテンプレート１０ｍを製造する。１つのマスタテンプレート１０ｍからは、同じ構成を有する複数のテンプレート１０を製造することができる。

【0081】

図７は、実施形態１にかかるマスタテンプレート１０ｍの製造方法の手順の一部を例示する断面図である。図７には、製造途中のマスタテンプレート１０ｍのメサ部の一部拡大断面図を示す。

【0082】

図７（ａ）に示すように、マスタテンプレート１０ｍの透明基板の表面に突出するメサ部に複数の凸パターンＣＶＸを形成する。また、複数の凸パターンＣＶＸのうち、互いに離れた位置にある凸パターンＣＶＸの上面をクロム膜等のマスク膜で覆い、複数のホールパターン７１ｈを有するマスクパターン７１ｐを形成する。またこのとき、他の凸パターンＣＶＸを含めたメサ部または透明基板の上面全体を、図示しないクロム膜等のマスク膜で覆ってもよい。

【0083】

透明基板のメサ部は、例えば透明基板を機械加工により研削することで形成される。メサ部の凸パターンＣＶＸは、レーザ加工またはマスク膜等を用いたエッチング加工等で形成される。複数のホールパターン７１ｈは、例えば電子ビーム等を用いた電子描画技術でマスク膜を加工することで形成される。

【0084】

図７（ｂ）に示すように、マスクパターン７１ｐの一部を覆うレジストパターン１０１ｐを、複数の凸パターンＣＶＸの一部を覆うように形成する。レジストパターン１０１ｐは、例えば感光性の有機膜等であるレジスト膜を透明基板上に塗布して一部を感光させることで形成される。

【0085】

このとき、これらの凸パターンＣＶＸのうち、マスクパターン７１ｐが形成された凸パターンＣＶＸの互いから離れた側の端部を露出させる。

【0086】

つまり、図７（ｂ）においては、マスクパターン７１ｐが形成された凸パターンＣＶＸの紙面左側に離れた位置に、マスクパターン７１ｐが形成されたもう１つの凸パターンＣＶＸが位置している。また、図７（ｂ）のマスクパターン７１ｐが形成された凸パターンＣＶＸの紙面右側端部が、レジストパターン１０１ｐから露出した状態となっている。

【0087】

レジストパターン１０１ｐから露出したマスクパターン７１ｐを介して、凸パターンＣＶＸを加工し、凸パターンＣＶＸの所定深さに到達するホールパターンＨＬを形成する。

【0088】

図７（ｃ）に示すように、レジストパターン１０１ｐを酸素プラズマ等によってスリミングする。これにより、マスクパターン７１ｐ上のレジストパターン１０１ｐの端部が後退し、凸パターンＣＶＸ上のマスクパターン７１ｐが更に露出する。

【0089】

また、レジストパターン１０１ｐから露出したマスクパターン７１ｐを介して凸パターンＣＶＸを加工して、凸パターンＣＶＸの所定深さに到達するホールパターンＨＬを新たに形成する。またこのとき、既に形成済みのホールパターンＨＬがより深く加工される。これにより、凸パターンＣＶＸにおける到達深さが異なる複数のホールパターンＨＬが形成される。

【0090】

図７（ｄ）に示すように、レジストパターン１０１ｐを酸素プラズマ等でスリミングし、レジストパターン１０１ｐの端部を更に後退させて、マスクパターン７１ｐを更に露出させる。

【0091】

また、レジストパターン１０１ｐから露出したマスクパターン７１ｐを介して凸パターンＣＶＸを加工して、凸パターンＣＶＸの所定深さに到達するホールパターンＨＬを新たに形成する。またこのとき、既に形成済みの複数のホールパターンＨＬがより深く加工され、凸パターンＣＶＸにおける到達深さが順に増していく複数のホールパターンＨＬが形成される。

【0092】

図７（ｅ）に示すように、レジストパターン１０１ｐのスリミングと、凸パターンＣＶＸの加工とを繰り返し、凸パターンＣＶＸにおける到達深さが順に増していく複数のホールパターンＨＬを形成する。これにより、マスタテンプレート１０ｍが製造される。その後、残ったレジストパターン１０１ｐ及びマスクパターン７１ｐは除去される。

【0093】

このように製造されたマスタテンプレート１０ｍを用いて、以下に述べるインプリント処理を行うことで、実施形態のテンプレート１０が製造される。

【0094】

なお、上記の説明では、スリミングによりレジストパターン１０１ｐの端部を後退させていき、マスクパターン７１ｐのホールパターン７１ｈを順次露出させることとした。しかし、ホールパターン７１ｈを１つ露出させて新たなホールパターンＨＬを形成するたびごとに、レジストパターン１０１ｐを一旦アッシング除去し、次のホールパターン７１ｈが露出する位置まで端部が後退した新たなレジストパターン１０１ｐを露光現像してもよい。

【0095】

スリミングによって精度の高いレジストパターン１０１ｐの加工が困難である場合には、スリミングに替えて、レジストパターン１０１ｐの露光現像を繰り返すことで、高精度にホールパターンＨＬを形成することができる。

【0096】

図８～図１０は、実施形態１にかかるテンプレート１０の製造方法の手順の一部を順に例示する断面図である。図８～図１０には、製造途中のテンプレート１０のメサ部ＭＳの一部拡大断面図を示す。

【0097】

図８（ａ）に示すように、テンプレート１０の透明基板ＢＡ（図３（ｂ）参照）の表面に突出するメサ部ＭＳを形成し、メサ部ＭＳの上面をレジスト膜１０２で覆う。またこのとき、メサ部ＭＳを除く透明基板ＢＡの上面全体を、図示しないクロム膜等のマスク膜で覆ってもよい。

【0098】

透明基板ＢＡのメサ部ＭＳは、上述のマスタテンプレート１０ｍの場合と同様、例えば透明基板ＢＡを機械加工により研削することで形成される。レジスト膜１０２は、例えば紫外線等を照射することで硬化する光硬化型樹脂膜等であり、スピンコート等によるレジスト材の塗布、または、インクジェット方式によるレジスト材の滴下等によって形成される。この時点で、レジスト膜１０２は未硬化の状態である。

【0099】

このレジスト膜１０２に、マスタテンプレート１０ｍの凸パターンＣＶＸ及びホールパターンＨＬを転写するため、凸パターンＣＶＸ及びホールパターンＨＬが形成された面をテンプレート１０側に向け、マスタテンプレート１０ｍをレジスト膜１０２に対向させる。

【0100】

図８（ｂ）に示すように、マスタテンプレート１０ｍのホールパターンＨＬをメサ部ＭＳ上のレジスト膜１０２に押し当てる。このとき、マスタテンプレート１０ｍのメサ部がテンプレート１０のメサ部ＭＳに接触しないよう、これらのメサ部間に若干の隙間を設ける。

【0101】

これにより、レジスト膜１０２の一部が、マスタテンプレート１０ｍの凸パターンＣＶＸ間およびホールパターンＨＬ内に充填される。この状態で、マスタテンプレート１０ｍをレジスト膜１０２に押し当てたまま、マスタテンプレート１０ｍを透過させた紫外光等の光をレジスト膜１０２に照射すると、レジスト膜１０２が硬化する。

【0102】

図９（ａ）に示すように、マスタテンプレート１０ｍを離型すると、マスタテンプレート１０ｍの凸パターンＣＶＸ及びホールパターンＨＬが転写されたレジストパターン１０２ｐが形成される。上述のように、マスタテンプレート１０ｍのメサ部とテンプレート１０のメサ部ＭＳとの間に隙間を設けた状態でレジスト膜１０２を硬化させているので、レジストパターン１０２ｐは、転写された各パターンの底部を接続するレジスト残膜１０２ｒを有している。

【0103】

図９（ｂ）に示すように、酸素プラズマ等を用いて、各パターン底部のレジスト残膜１０２ｒを除去する。また、レジストパターン１０２ｐを介してメサ部ＭＳを加工する。これにより、レジストパターン１０２ｐの膜厚が減少していくとともに、レジストパターン１０２ｐから露出したメサ部ＭＳの上面が除去されて、レジストパターン１０２ｐが転写された複数のダミーパターンＤＭ及び複数の柱状パターンＣＬが形成される。

【0104】

図９（ｃ）に示すように、レジストパターン１０２ｐを介したメサ部ＭＳの加工を更に継続すると、柱状パターンＣＬ上の最も膜厚の薄かったレジストパターン１０２ｐが消失し、露出した柱状パターンＣＬの上端部が除去される。これにより、レジストパターン１０２ｐが消失した柱状パターンＣＬのメサ部ＭＳ上面からの突出量が、他の柱状パターンＣＬよりも減少する。

【0105】

その後も、レジストパターン１０２ｐを介したメサ部ＭＳの加工を更に継続する。これにより、レジストパターン１０２ｐから露出したメサ部ＭＳ上面が更に除去されていき、複数のダミーパターンＤＭ及び複数の柱状パターンＣＬのメサ部ＭＳ上面からの突出量が相対的に増す。また、複数の柱状パターンＣＬｂ上のレジストパターン１０２ｐのうち、次に膜厚の薄かったレジストパターン１０２ｐが消失する。

【0106】

一方、最初にレジストパターン１０２ｐが消失した柱状パターンＣＬでは、上端部が更に除去されて、他の柱状パターンＣＬよりもメサ部ＭＳ上面からの突出量が更に小さくなる。

【0107】

図１０（ａ）に示すように、レジストパターン１０２ｐを介したメサ部ＭＳの加工を更に継続する。これにより、レジストパターン１０２ｐから露出したメサ部ＭＳ上面が更に除去されていき、複数のダミーパターンＤＭ及び複数の柱状パターンＣＬのメサ部ＭＳ上面からの突出量が相対的に増していく。また、複数の柱状パターンＣＬｂ上のレジストパターン１０２ｐのうち、次に膜厚の薄かったレジストパターン１０２ｐが消失する。

【0108】

一方、レジストパターン１０２ｐが消失し既に露出していた柱状パターンＣＬは、上端部が更に除去されて、他の柱状パターンＣＬよりもメサ部ＭＳ上面からの突出量が更に小さくなる。

【0109】

図１０（ｂ）に示すように、レジストパターン１０２ｐを介したメサ部ＭＳの加工を更に継続する。これにより、複数のダミーパターンＤＭ及び複数の柱状パターンＣＬのメサ部ＭＳ上面からの突出量が相対的に増すとともに、膜厚が薄かった順に、柱状パターンＣＬ上のレジストパターン１０２ｐが消失していき、複数の柱状パターンＣＬが順次、露出し、また除去されていく。

【0110】

図１０（ｃ）に示すように、上記のような加工を継続することにより、メサ部ＭＳ上面から突出する複数のダミーパターンＤＭ及び複数の実パターンＡＣが形成される。複数の実パターンＡＣのそれぞれには、メサ部ＭＳ上面からの突出量が順次増していく複数の柱状パターンＣＬが形成される。また、このとき露出しているメサ部ＭＳの上面が、上述の基準面ＲＰに相当することとなる。

【0111】

以上により、実施形態１のテンプレート１０が製造される。

【0112】

なお、上述のテンプレート１０の製造方法は、あくまでも一例であって、実施形態１のテンプレート１０は、上記以外の方法で製造されてもよい。例えば上述の例によらず、マスタテンプレート１０ｍを用いることなく、テンプレート１０を製造してもよい。

【0113】

この場合、例えば透明基板ＢＡのメサ部ＭＳ上面に、電子ビーム等によって直接、複数のダミーパターンＤＭ及び複数の柱状パターンＣＬを描画してもよい。あるいは、クロム膜等を用いたマスクパターンと、レジスト膜等を用いたレジストパターンとを用いて、複数のダミーパターンＤＭ及び複数の柱状パターンＣＬをエッチングにより形成してもよい。

【0114】

（比較例）
半導体装置の製造工程において、被加工膜における到達深さの異なる複数のコンタクトホール、または、ビアと配線とを一括形成するデュアルダマシン構造等が形成される場合がある。これらの構造を例えばフォトリソグラフィ技術を用いて形成しようとすると、レジスト膜の露光現像を複数回繰り返すなどして、製造工程が煩雑で高コストとなってしまう場合がある。

【0115】

一方、例えばテンプレートを用いたインプリント処理によれば、上記のような深さの異なるコンタクトホール、及びデュアルダマシン構造等が、一回のインプリント処理で容易に形成できる。

【0116】

しかしながら、インプリント処理にも幾つかの課題がある。以下、図１１を用いて、比較例のテンプレート１０ｘを用いたインプリント処理の例について説明する。図１１は、比較例にかかるテンプレート１０ｘを用いたインプリント処理の手順の一部を例示する断面図である。

【0117】

図１１（ａ）に示すように、比較例のテンプレート１０ｘは、メサ部ＭＳｘから突出する複数の実パターンＡＣｘを備える。複数の実パターンＡＣｘは、それぞれ複数の柱状パターンを有している。複数の実パターンＡＣｘの間には、他のパターンは配置されない。

【0118】

このように、比較例のテンプレート１０ｘは、複数の実パターンＡＣｘが配置された密な領域と、パターンが配置されない疎な領域との差、つまり、粗密差が大きい構成を有している。

【0119】

図１１（ｂ）に示すように、比較例のテンプレート１０ｘをレジスト膜９１に押し当てると、複数の実パターンＡＣｘの間の疎な領域にレジスト膜９１が浸透するまでには長時間を要する。また、テンプレート１０ｘの疎な領域に接触するレジスト膜９１に、気泡がトラップされてしまう場合もある。

【0120】

なお、インプリント処理においては、レジスト膜９１に替えて、インクジェット方式で被加工膜ＰＦ上にレジスト材の液滴が配置されることがある。このようなインクジェット方式を用いたインプリント処理では、気泡がよりトラップされやすくなってしまう。

【0121】

図１１（ｃ）に示すように、テンプレート１０ｘの疎な領域に気泡がトラップされたままレジスト膜９１が硬化されると、複数の実パターンＡＣｘが転写された領域間にボイドＶＤを含むレジストパターン９１ｘが形成されてしまう。

【0122】

このように、パターンの粗密差が大きいテンプレート１０ｘを用いたインプリント処理では、レジスト膜９１の充填に時間を要し、インプリント処理の効率が低下してしまう場合がある。また、レジストパターン９１ｘの形成不良が生じてしまうことがある。また、パターンの粗密差が大きいテンプレート１０ｘでは、メサ部ＭＳｘから突出した実パターンＡＣｘが破損しやすいという欠点もある。

【0123】

実施形態１のパターン形成方法によれば、レジスト膜９１のテンプレート１０の基準面ＲＰとの接触面に沿う方向に離れて配置される複数のコンタクトパターンＰＰと、複数のコンタクトパターンＰＰの間に配置される凹パターンＤＰと、を有するレジストパターン９１ｐを形成し、レジストパターン９１ｐを覆うレジスト膜９２を形成し、レジスト膜９２を露光現像して、複数のコンタクトパターンＰＰを露出させ、レジストパターン９１ｐ，９２ｐを介して被加工膜ＰＦを加工して、複数のコンタクトパターンＰＰを被加工膜ＰＦに転写する。

【0124】

このように、複数のコンタクトパターンＰＰの間に凹パターンＤＰが形成されることで、テンプレート１０のパターン疎密差が低減される。これにより、テンプレート１０の実パターンＡＣ間へのレジスト膜９１の充填時間が短縮されて、インプリント処理の効率を高めることができる。また、複数のコンタクトパターンＰＰ間の領域にボイド等が生じることが抑制されて、レジストパターン９１ｐの形成不良を抑制することができる。

【0125】

一方で、半導体装置ＭＤＶの構成に寄与しない凹パターンＤＰをレジストパターン９２ｐで覆うことで、被加工膜ＰＦに転写されることなく凹パターンＤＰを消失させることができる。

【0126】

実施形態１のテンプレート１０によれば、基準面ＲＰと、基準面ＲＰから突出する実パターンＡＣと、基準面ＲＰから突出し、基準面ＲＰに沿う方向で実パターンＡＣを挟む複数のダミーパターンＤＭと、を備える。

【0127】

これにより、基準面ＲＰから突出する実パターンＡＣをダミーパターンＤＭによって保護することができ、実パターンＡＣの破損を抑制することができる。よって、テンプレート１０の寿命を延ばして、半導体装置ＭＤＶの製造コストを削減することができる。

【0128】

なお、上述の実施形態１では、高度の３次元構造を有する構成の一例として、積層体ＬＭの異なる深さのワード線ＷＬにそれぞれ到達する複数のコンタクトＣＣを半導体装置ＭＤＶに形成する例について説明した。

【0129】

しかし、例えばコンタクトＣ４と周辺回路ＣＵＡとを電気的に接続するビアと配線とが一括形成されたデュアルダマシン構造ＤＤ等のように、複数のコンタクトＣＣ以外にも高度の３次元構造を有する構成に、上述の実施形態１の手法を適用することが可能である。

【0130】

例えばコンタクトＣ４と周辺回路ＣＵＡとを電気的に接続するビアと配線とが一括形成されたデュアルダマシン構造ＤＤをインプリント処理により形成する場合、図１の絶縁層５１を被加工膜として上述の各種処理を行うことができる。

【0131】

（変形例１）
上述の実施形態１では、レジストパターン９１ｐを形成した後、レジストパターン９１ｐをポジ型のレジスト膜９２で覆うこととした。しかし、ポジ型のレジスト膜９２に替えて、ネガ型のレジスト膜を用いることも可能である。図１２に、ネガ型レジスト膜を用いる例を示す。

【0132】

図１２は、実施形態１の変形例１にかかる半導体装置の製造方法の手順の一部を例示する断面図である。なお、図１２においては、上述の実施形態１と同様の構成に同様の符号を付し、その説明を省略する。

【0133】

図１２（ａ）に示すように、変形例１の半導体装置の製造方法においても、上述の実施形態１の図４の処理と同様に、レジストパターン９１ｐが形成される。

【0134】

また、変形例１の半導体装置の製造方法では、レジストパターン９１ｐを覆うネガ型のレジスト膜９４が形成される。レジスト膜９４は、フォトリソグラフィ等で用いられる感光性のネガ型レジスト膜等であって、例えばスピンコート法等を用いて、レジストパターン９１ｐ上にネガ型のレジスト材を塗布することで形成される。

【0135】

図１２（ｂ）に示すように、レジスト膜９４の一部を露光するため、フォトマスク４０ａをレジスト膜９４に対向させて配置する。フォトマスク４０ａは、透明基板４１と、遮光膜パターン４３ｐとを備えている。遮光膜パターン４３ｐは、被加工膜ＰＦ上のレジストパターン９１ｐに形成された複数のコンタクトパターンＰＰと上下に重なる位置に配置されている。

【0136】

フォトマスク４０ａをレジスト膜９４に対向させた状態で、遮光膜パターン４３ｐで複数のコンタクトパターンＰＰ上を遮光しつつ、フォトマスク４０ａの他の部分を透過させて紫外光等の露光光をレジスト膜９４に照射する。これにより、レジストパターン９１ｐを覆うレジスト膜９４のうち、複数のコンタクトパターンＰＰを覆う部分以外が露光される。

【0137】

図１２（ｃ）に示すように、上記のように露光したレジスト膜９４を現像することで、レジストパターン９１ｐのコンタクトパターンＰＰと重なる位置に開口部９４ｏｐを有するレジストパターン９４ｐが形成される。これにより、レジスト膜９４で覆われていたレジストパターン９１ｐのうち、コンタクトパターンＰＰが露出する。

【0138】

以降、例えば上述の実施形態１の図６以降の処理が行われることにより、変形例１の半導体装置の製造方法が終了する。

【0139】

変形例１のパターン形成方法によれば、ネガ型のレジスト膜９４を露光現像して、レジストパターン９１ｐの複数のコンタクトパターンＰＰを露出させる。このとき、ネガ型のレジスト膜９４においては露光されなかった部分が除去される。このため、例えば深穴のホールパターンＣＰの底部にまで進入したレジスト膜９４を露光することなく除去することができる。つまり、ホールパターンＣＰの底部に露光光が到達しないリスクを回避して、レジスト膜９４の露光現像をより容易に、また、より確実に行うことができる。

【0140】

変形例１のパターン形成方法によれば、その他、上述の実施形態１と同様の効果を奏する。

【0141】

（変形例２）
次に、図１３～図１５を用いて、実施形態１の変形例２の半導体装置の製造方法について説明する。変形例２の半導体装置の製造方法では、被加工膜ＰＦの複数のコンタクト領域ＰＲの間にもパターンを転写する点が、上述の実施形態１とは異なる。

【0142】

図１３～図１５は、実施形態１の変形例２にかかる半導体装置の製造方法の手順の一部を順に例示する断面図である。図１３～図１５に示す処理は、以下に述べる変形例２のテンプレート１１を用いたインプリント処理を含むパターン形成方法でもある。

【0143】

なお、図１３～図１５においては、上述の実施形態１と同様の構成に同様の符号を付し、その説明を省略する。また、変形例２においても、上述の実施形態１の図１に示す半導体装置ＭＤＶを製造することとする。

【0144】

図１３（ａ）に示すように、変形例２のテンプレート１１は、複数の実パターンＡＣと、複数のダミーパターンＤＭと、複数の実パターンＡＣの間に配置される１つのダミーパターンＤＭｂと、を備える。

【0145】

ダミーパターンＤＭｂは、凸状の形状を有する凸パターンとなっており、複数のダミーパターンＤＭよりもテンプレート１１の基準面ＲＰ上に占める面積が大きい。これにより、ダミーパターンＤＭｂは、複数の実パターンＡＣ間の領域に跨って配置されている。

【0146】

図１３（ｂ）に示すように、テンプレート１１の実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭ，ＤＭｂを被加工膜ＰＦ上のレジスト膜９１に押し当てる。この状態を所定時間維持し、これらの実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭ，ＤＭｂ間にレジスト膜９１が行き渡ったら、テンプレート１１を透過させて紫外光等の光をレジスト膜９１に照射して硬化させる。

【0147】

図１３（ｃ）に示すように、テンプレート１１を離型すると、複数のコンタクトパターンＰＰ、複数の凹パターンＤＰ、及び凹パターンＤＰｂを有するレジストパターン１９１ｐが形成される。また、レジストパターン１９１ｐは、各パターン底部にレジスト残膜１９１ｒを有している。

【0148】

凹パターンＤＰｂは、ダミーパターンＤＭｂが転写された凹状のパターンであり、複数のコンタクトパターンＰＰ間に配置されている。これにより、複数のコンタクトパターンＰＰのそれぞれは、凹パターンＤＰ，ＤＰｂに挟み込まれるように配置される。

【0149】

図１４（ａ）に示すように、レジストパターン１９１ｐを覆うレジスト膜９２を形成する。

【0150】

図１４（ｂ）に示すように、フォトマスク４０ｂをレジスト膜９２に対向させて配置する。フォトマスク４０ｂは、透明基板４１と、遮光膜パターン４４ｐとを備えている。

【0151】

遮光膜パターン４４ｐは、上述の遮光膜パターン４２ｐと同様、複数のコンタクトパターンＰＰと上下に重なる位置に、複数のコンタクトパターンＰＰよりも大きい複数の開口部４２ｏｐを有する。また、遮光膜パターン４４ｐは、凹パターンＤＰｂと上下に重なる位置に、複数の開口部４４ｏｐを有する。複数の開口部４４ｏｐは、例えば凹パターンＤＰｂと重なる領域内からはみ出すことなく配置されている。

【0152】

フォトマスク４０ｂをレジスト膜９２に対向させた状態で、フォトマスク４０ｂの開口部４２ｏｐ，４４ｏｐを透過させて紫外光等の露光光をレジスト膜９２に照射する。これにより、レジストパターン１９１ｐを覆うレジスト膜９２のうち、複数のコンタクトパターンＰＰを覆う部分、及び凹パターンＤＰｂ内の一部のレジスト膜９２が露光される。

【0153】

図１４（ｃ）に示すように、一部を露光したレジスト膜９２を現像することで、レジストパターン１９１ｐのコンタクトパターンＰＰと重なる位置に開口部１９２ｏｐを有し、凹パターンＤＰｂ内にメモリパターンＭＰを有するレジストパターン１９２ｐが形成される。メモリパターンＭＰは、複数のメモリホールパターンＨＰを有する。

【0154】

図１５（ａ）に示すように、酸素プラズマ等を用いて、最も深穴のホールパターンＣＰ及び複数のメモリホールパターンＨＰの底部のレジスト残膜１９１ｒをそれぞれ除去する。これにより、最も深穴のホールパターンＣＰ及び複数のメモリホールパターンＨＰの底部に被加工膜ＰＦの上面が露出する。また、レジストパターン１９１ｐ，１９２ｐの膜厚が全体的に減ずる。

【0155】

図１５（ｂ）に示すように、レジストパターン１９１ｐ，１９２ｐを介して被加工膜ＰＦを加工し、被加工膜ＰＦに順次、コンタクトホールＣＨを形成していくとともに、複数のメモリホールＭＨを形成する。被加工膜ＰＦの加工を継続することで、被加工膜ＰＦにおける複数のコンタクトホールＣＨ及び複数のメモリホールＭＨの到達深さが増していく。

【0156】

図１５（ｃ）に示すように、上記のような加工を継続することにより、被加工膜ＰＦにおける到達深さが異なる複数のコンタクトホールＣＨ、及び被加工膜ＰＦにおける到達深さが略等しい複数のメモリホールＭＨが被加工膜ＰＦに形成される。

【0157】

このように、複数のメモリホールＭＨが形成された領域は、上述の半導体装置ＭＤＶにおけるメモリ領域ＭＲ（図１参照）となる。また、複数の凹パターンＤＰと同様、凹パターンＤＰｂは被加工膜ＰＦには転写されない。その後、残ったレジストパターン１９１ｐ，１９２ｐが除去される。

【0158】

以上により、変形例２のテンプレート１１を用いたパターン形成処理が終了する。

【0159】

その後、複数のメモリホールＭＨ内に上述のチャネル層ＣＮを含む多層構造を積層して、メモリセルＭＣを形成させるピラーＰＬ（図１参照）を形成する。また、被加工膜ＰＦのリプレース処理を行って、複数のワード線ＷＬと複数の絶縁層ＯＬとが交互に積層された積層体ＬＭを形成する。また、複数のコンタクトホールＣＨの側壁を絶縁層で覆い、絶縁層の内側を金属層で充填して複数のコンタクトＣＣを形成する。

【0160】

以上により、変形例２の半導体装置の製造方法が終了する。

【0161】

変形例２のパターン形成方法によれば、レジスト膜９２を露光現像するときは、レジストパターン１９１ｐのコンタクトパターンＰＰを露出させるとともに、凹パターンＤＰｂ内に配置されるレジスト膜９２にメモリパターンＭＰを形成し、レジストパターン１９１ｐ，１９２ｐを介して被加工膜ＰＦを加工するときは、コンタクトパターンＰＰとともに、メモリパターンＭＰを被加工膜ＰＦに転写する。

【0162】

これにより、被加工膜ＰＦにおける到達深さが異なる複数のコンタクトホールＣＨと、被加工膜ＰＦにおける到達深さが略等しい複数のメモリホールＭＨとを一括して形成することができる。このような手法を採ることで、半導体装置ＭＤＶを製造する際の工数およびコストを削減することができる。

【0163】

変形例２のパターン形成方法によれば、その他、上述の実施形態１と同様の効果を奏する。

【0164】

なお、上述の変形例２では、レジストパターン１９１ｐをポジ型のレジスト膜９２で覆うこととしたが、上述の変形例１と同様、ネガ型のレジスト膜９４で覆ってもよい。この場合、その後のレジスト膜９４の露光は、レジスト膜９２の露光領域を反転させた領域に対して行われる。

【0165】

（変形例３）
次に、図１６～図１８を用いて、実施形態１の変形例３の半導体装置の製造方法について説明する。変形例３の半導体装置の製造方法では、被加工膜ＰＦの複数のコンタクト領域ＰＲの間に深さの異なるホールを形成する点が、上述の実施形態１とは異なる。

【0166】

図１６～図１８は、実施形態１の変形例３にかかる半導体装置の製造方法の手順の一部を順に例示する断面図である。図１６～図１８に示す処理は、以下に述べる変形例３のテンプレート１２を用いたインプリント処理を含むパターン形成方法でもある。

【0167】

なお、図１６～図１８においては、上述の実施形態１と同様の構成に同様の符号を付し、その説明を省略する。

【0168】

図１６（ａ）に示すように、変形例３のテンプレート１２は、複数の実パターンＡＣと、複数のダミーパターンＤＭと、複数の実パターンＡＣの間に配置されるダミーパターンＤＭｄ，ＤＭｓと、を備える。

【0169】

ダミーパターンＤＭｄ，ＤＭｓは、それぞれが凸状の形状を有する凸パターンとなっている。また、ダミーパターンＤＭｓは、複数の実パターンＡＣ間に、これらの実パターンＡＣにそれぞれ隣接して配置され、ダミーパターンＤＭとともに、実パターンＡＣを挟み込む。ダミーパターンＤＭｄは、複数の実パターンＡＣにそれぞれ隣接するダミーパターンＤＭｓの間に配置される。

【0170】

図１６（ｂ）に示すように、テンプレート１２の実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭ，ＤＭｄ，ＤＭｓを被加工膜ＰＦ上のレジスト膜９１に押し当てる。この状態を所定時間維持し、レこれらの実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭ，ＤＭｄ，ＤＭｓ間にレジスト膜９１が行き渡ったら、テンプレート１２を透過させて紫外光等の光をレジスト膜９１に照射して硬化させる。

【0171】

図１６（ｃ）に示すように、テンプレート１２を離型すると、複数のコンタクトパターンＰＰ、複数の凹パターンＤＰ，ＤＰｄ，ＤＰｓを有するレジストパターン２９１ｐが形成される。また、レジストパターン２９１ｐは、は、各パターン底部にレジスト残膜２９１ｒを有している。

【0172】

凹パターンＤＰｓは、ダミーパターンＤＭｓが転写された凹状のパターンであり、複数のコンタクトパターンＰＰ間に、これらのコンタクトパターンＰＰに隣接して配置されている。これにより、複数のコンタクトパターンＰＰのそれぞれは、凹パターンＤＰ，ＤＰｓに挟み込まれるように配置される。

【0173】

凹パターンＤＰｄは、ダミーパターンＤＭｄが転写された凹状のパターンであり、複数のコンタクトパターンＰＰにそれぞれ隣接する凹パターンＤＰｓの間に配置される。

【0174】

図１７（ａ）に示すように、レジストパターン２９１ｐを覆うレジスト膜９２を形成する。

【0175】

図１７（ｂ）に示すように、フォトマスク４０ｃをレジスト膜９２に対向させて配置する。フォトマスク４０ｃは、透明基板４１と、遮光膜パターン４５ｐとを備えている。

【0176】

遮光膜パターン４５ｐは、上述の遮光膜パターン４２ｐと同様、複数のコンタクトパターンＰＰと上下に重なる位置に、複数のコンタクトパターンＰＰよりも大きい複数の開口部４２ｏｐを有する。

【0177】

また、遮光膜パターン４５ｐは、凹パターンＤＰｄと上下に重なる位置に、複数の開口部４５ｏｐを有する。複数の開口部４５ｏｐは、凹パターンＤＰｄと重なる領域内に配置されている。

【0178】

また、遮光膜パターン４５ｐは、凹パターンＤＰｄ，ＤＰｓの間の、これらの凹パターンＤＰｄ，ＤＰｓから外れた位置に、複数の開口部４６ｏｐを有する。つまり、複数の開口部４６ｏｐは、凹パターンＤＰｄ，ＤＰｓの間のレジストパターン２９１ｐのテンプレート１２との接触面上に配置される。

【0179】

フォトマスク４０ｃをレジスト膜９２に対向させた状態で、フォトマスク４０ｃの開口部４２ｏｐ，４５ｏｐ，４６ｏｐを透過させて紫外光等の露光光をレジスト膜９２に照射する。これにより、レジストパターン２９１ｐを覆うレジスト膜９２のうち、複数のコンタクトパターンＰＰを覆う部分、凹パターンＤＰｄ内の一部、及び凹パターンＤＰｄ，ＤＰｓから外れた部分のレジスト膜９２が露光される。

【0180】

図１７（ｃ）に示すように、一部を露光したレジスト膜９２を現像することで、レジストパターン２９１ｐのコンタクトパターンＰＰと重なる位置に開口部２９２ｏｐを有し、少なくとも凹パターンＤＰｄ内にホールパターンＬＰを有し、更に凹パターンＤＰｄ，ＤＰｓから外れた位置にホールパターンＳＰを有するレジストパターン２９２ｐが形成される。

【0181】

図１８（ａ）に示すように、酸素プラズマ等を用いて、最も深穴のホールパターンＣＰ及び複数のホールパターンＬＰの底部のレジスト残膜２９１ｒをそれぞれ除去する。

【0182】

これにより、最も深穴のホールパターンＣＰ及び複数のホールパターンＬＰの底部に被加工膜ＰＦの上面が露出する。また、複数のホールパターンＳＰが、レジストパターン２９１ｐの接触面に転写される。また、レジストパターン２９１ｐ，２９２ｐの膜厚が全体的に減少する。

【0183】

図１８（ｂ）に示すように、レジストパターン２９１ｐ，２９２ｐを介して被加工膜ＰＦを加工し、被加工膜ＰＦに順次、コンタクトホールＣＨを形成していくとともに、複数のホールＬＨを形成する。被加工膜ＰＦの加工を継続することで、被加工膜ＰＦにおける複数のコンタクトホールＣＨ及び複数のホールＬＨの到達深さが増していく。

【0184】

図１８（ｃ）に示すように、上記のような加工を継続することにより、被加工膜ＰＦにおける複数のコンタクトホールＣＨ及び複数のホールＬＨの到達深さが更に増していく。また、複数のホールパターンＳＰの底部に露出していたレジストパターン１９１ｐが除去されて、ホールパターンＳＰが被加工膜ＰＦに転写され、複数のホールＳＨが形成されていく。

【0185】

これにより、被加工膜ＰＦにおける到達深さが異なる複数のコンタクトホールＣＨ、被加工膜ＰＦにおける到達深さが略等しい複数のホールＬＨ、及び複数のホールＬＨよりも到達深さが浅く、被加工膜ＰＦにおける到達深さが略等しい複数のホールＳＨが被加工膜ＰＦに形成される。

【0186】

以上により、テンプレート１２を用いたパターン形成処理が終了する。

【0187】

その後、複数のコンタクト領域ＰＲ間にピラーＰＬ（図１参照）を形成し、被加工膜ＰＦをリプレースして積層体ＬＭを形成し、また、複数のコンタクトホールＣＨに金属層等を埋め込んでコンタクトＣＣを形成する。また、複数のホールＬＨ，ＳＨに、適宜、所定の材料を埋め込んで、深さの異なる所望の構成を形成することができる。

【0188】

以上により、変形例３の半導体装置の製造方法が終了する。

【0189】

変形例３のパターン形成方法によれば、レジスト膜９２を露光現像するときは、複数の凹パターンＤＰｄ内に配置されるレジスト膜９２にホールパターンＬＰを形成し、複数の凹パターンＤＰｄ，ＤＰｓから外れた位置に配置されるレジスト膜９２にホールパターンＳＰを形成して複数の凹パターンＤＰｄ，ＤＰｓの間にレジストパターン２９１ｐの接触面の一部を露出させ、ホールパターンＬＰを被加工膜ＰＦに転写し、ホールパターンＳＰをホールパターンＬＰよりも浅く被加工膜ＰＦに転写する。

【0190】

これにより、レジスト膜９２の１回の露光現像で、被加工膜ＰＦにおける到達深さの異なるホールＬＨ，ＳＨを一括して形成することができる。このような手法を採ることで、積層体ＬＭにおける到達深さが様々に異なる種々の構成を有する半導体装置を効率的に製造することができ、製造時の工数およびコストをいっそう削減することができる。

【0191】

変形例３のパターン形成方法によれば、その他、上述の実施形態１と同様の効果を奏する。

【0192】

なお、上述の変形例３では、レジストパターン２９１ｐをポジ型のレジスト膜９２で覆うこととしたが、上述の変形例１と同様、ネガ型のレジスト膜９４で覆ってもよい。この場合、その後のレジスト膜９４の露光は、レジスト膜９２の露光領域を反転させた領域に対して行われる。

【0193】

［実施形態２］
以下、図面を参照して実施形態２について詳細に説明する。実施形態２の構成においては、インクジェット方式でレジスト材を被加工膜上に配置してインプリント処理を行う点が、上述の実施形態１とは異なる。なお、以下では、上述の実施形態１と同様の構成に同様の符号を付し、その説明を省略する。

【0194】

（インプリント装置の構成例）
図１９は、実施形態２にかかるインプリント装置２の構成例を示す図である。図１９に示すように、インプリント装置２は、上述の実施形態１のインプリント装置１の構成に加えて、液滴下装置８７を備える。また、インプリント装置２は、上述の実施形態１のインプリント装置１の制御部９０に替えて、制御部２９０を備える。

【0195】

液滴下装置８７は、インクジェット方式によってウェハ３０上にレジスト材を滴下する装置である。液滴下装置８７が備えるインクジェットヘッドは、レジスト材の液滴を噴出する複数の微細孔を有しており、レジスト材の液滴をウェハ３０上に配置する。

【0196】

制御部２９０は、液滴下装置８７を含めたインプリント装置２の各部を制御する。また、制御部２９０は、ウェハステージ８２を制御して、ウェハ３０にレジスト材を滴下する際にはウェハ３０を液滴下装置８７の下方側に移動させ、ウェハ３０への転写処理を行う際にはウェハ３０をテンプレート１０の下方側に移動させる。

【0197】

（半導体装置の製造方法）
次に、図２０を用いて、上述のインプリント装置２におけるインプリント処理の例について説明する。

【0198】

図２０は、実施形態２にかかるインプリント装置２におけるインプリント処理の手順の一部を例示する断面図である。図２０に示す処理は、上述の図４の処理に相当しており、上述の実施形態１の半導体装置ＭＤＶの製造方法の一環として実施されてよく、また、テンプレート１０を用いたインプリント処理を含むパターン形成方法の一部でもある。

【0199】

図２０（ａ）に示すように、被加工膜ＰＦ上には、上述のインプリント装置２の液滴下装置８７によって、レジスト材９３が滴下される。これによって、複数の液滴が被加工膜ＰＦ上に配置される。レジスト材９３の液滴は、例えばテンプレート１０のメサ部ＭＳ内の実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭが転写される被加工膜ＰＦ上の領域全体を覆うように配置される。レジスト材９３は、上述のレジスト膜９１と同様、例えば未硬化の光硬化型樹脂等である。

【0200】

このようにレジスト材９３の液滴が配置された被加工膜ＰＦ側に、柱状パターンＣＬが形成された面を向けてテンプレート１０を対向させる。

【0201】

図２０（ｂ）に示すように、テンプレート１０の柱状パターンＣＬをレジスト材９３の液滴に押し当てる。このとき、テンプレート１０のメサ部ＭＳが被加工膜ＰＦに接触しないよう、突出量の最も大きい柱状パターンＣＬ及び被加工膜ＰＦ間に若干の隙間を設ける。

【0202】

この状態を所定時間維持することで、レジスト材９３の液滴が、被加工膜ＰＦの表面に膜状に濡れ広がっていくとともに、テンプレート１０の複数の柱状パターンＣＬの間、及び複数のダミーパターンＤＭの間に浸透していく。

【0203】

テンプレート１０の柱状パターンＣＬ及びダミーパターンＤＭの間にレジスト材９３が充填されたら、テンプレート１０を押し当てたまま、紫外光等の光をレジスト材９３に照射して硬化させる。

【0204】

図２０（ｃ）に示すように、テンプレート１０を離型すると、テンプレート１０の基準面ＲＰとの接触面を上面とするレジストパターン９３ｐが形成される。レジストパターン９３ｐの接触面には、複数のコンタクトパターンＰＰ、及び複数の凹パターンＤＰが形成されている。レジストパターン９３ｐもまた、ホールパターンＣＰのうち最も深穴のホールパターンＣＰの底部にレジスト残膜９３ｒを有している。

【0205】

これ以降、上述の図５及び図６の処理が行われ、上述の実施形態１と同様、到達深さの異なる複数のホールＣＨが被加工膜ＰＦに形成される。また、これらのホールＣＨからコンタクトＣＣを形成するなどして、例えば上述の半導体装置ＭＤＶを製造することができる。

【0206】

なお、上述の図５及び図６の処理において、ポジ型のレジスト膜９２に替えて、上述の実施形態１の変形例１の場合と同様、ネガ型のレジスト膜９４を用いてもよい。

【0207】

（概説）
実施形態２のパターン形成方法によれば、被加工膜上に前記樹脂材の液滴を滴下して、テンプレート１０の柱状パターンＣＬ及びダミーパターンＤＭが転写されたレジストパターン９３ｐを形成する。

【0208】

上述のように、インクジェット方式を用いたインプリント処理では、パターンが疎らな領域において気泡がよりトラップされやすい。しかし、インクジェット方式を用いた場合であっても、上述の実施形態１の場合と同様、気泡のトラップを抑制して、レジストパターン９３ｐの形成不良を抑制することができる。

【0209】

実施形態２のパターン形成方法によれば、この他、上述の実施形態１と同様の効果を奏する。

【0210】

（変形例１）
次に、図２１を用いて、実施形態２の変形例１について説明する。変形例１の構成においては、レジストパターンの形成に必要な分量に応じて、レジスト材の液滴が被加工膜上に配置される点が、上述の実施形態２とは異なる。

【0211】

図２１は、実施形態２の変形例１にかかるテンプレート２０を用いたインプリント処理の手順の一部を例示する断面図である。なお、図２１においては、上述の実施形態２と同様の構成に同様の符号を付し、その説明を省略する。

【0212】

図２１（ａ）に示すように、変形例１のテンプレート２０は全体的に、例えば上述の実施形態１のテンプレート１０等よりも少ないパターンを有する。より具体的には、テンプレート２０は、上述の実施形態１のテンプレート１０と同様の複数の実パターンＡＣを備えるとともに、複数のダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔを備える。

【0213】

複数のダミーパターンＤＭｐは、複数の実パターンＡＣのそれぞれを挟み込むように、テンプレート２０のメサ部ＭＳ上に配置される。これらのダミーパターンＤＭｐにより、複数の実パターンＡＣが保護されて、実パターンＡＣの損傷等が抑制される。

【0214】

複数のダミーパターンＤＭｔは、メサ部ＭＳの端部、及び複数の実パターンＡＣの間に配置される。これらのダミーパターンＤＭｔにより、テンプレート２０を被加工膜ＰＦ上のレジスト材９３に押し当てた際に、テンプレート２０が撓んで、メサ部ＭＳの端部および中央部が被加工膜ＰＦに接触してしまうことが抑制される。

【0215】

このように、変形例１のテンプレート２０においては、例えば必要最小限のダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔが配置されていることが望ましい。

【0216】

被加工膜ＰＦ上には、複数のレジスト材９３の液滴が配置される。ただし、レジスト材９３の液滴は、被加工膜ＰＦの全体に亘って配置されるのではなく、テンプレート２０の実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔのそれぞれと上下に重なる位置に配置される。また、被加工膜ＰＦ上のそれぞれの位置に配置されるレジスト材９３の液滴の数は、実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔがそれぞれ有するサイズ及び凹凸等の形状に応じて調整されている。

【0217】

つまり、例えば実パターンＡＣ等、所定のパターンのサイズが等しければ、そのパターンに形成される凹凸の数が増すほど、そのパターンを転写するのに必要なレジスト材９３の分量は増していく傾向にあると言える。換言すれば、所定のパターンが転写された後のレジストパターンの体積が増すほど、そのパターンを転写するのに必要なレジスト材９３の分量は増していく傾向にある。

【0218】

ここで、例えば１つの実パターンＡＣと、これに近接する複数のダミーパターンＤＭｐとを転写するのに必要なレジスト材９３の分量は、レジスト材９３の最少の滴下量である液滴の２つ分の分量であるとする。この場合、１つの実パターンＡＣと、これに近接する複数のダミーパターンＤＭｐとに対応する被加工膜ＰＦ上の位置には、２つの液滴が配置される。

【0219】

また例えば、１つのダミーパターンＤＭｔを転写するのに必要なレジスト材９３の分量は、レジスト材９３の液滴の１つ分の分量であるとする。この場合、１つのダミーパターンＤＭｔに対応する被加工膜ＰＦ上の位置には１つの液滴が配置される。

【0220】

なお、被加工膜ＰＦ上の所定位置に配置されるレジスト材９３の分量は、液滴の数を調整することでしか調整できず、調整可能な分量は飛び飛びの値となる。このため、その飛び飛びとなる分量が、パターンの転写に必要なレジスト材９３の分量と略等しくなるよう、ダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔのサイズ及び凹凸等の形状が調整されていることが望ましい。

【0221】

図２１（ｂ）に示すように、実パターンＡＣの最も突出量の大きい柱状パターンＣＬ及び被加工膜ＰＦ間に若干の隙間を空けて、テンプレート２０の実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔをレジスト材９３の液滴に押し当てる。

【0222】

この状態を所定時間維持することで、レジスト材９３の液滴が、実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔと重なる位置の被加工膜ＰＦ上に膜状に濡れ広がっていく。また、実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐに対応するレジスト材９３の液滴が、実パターンＡＣ内、及びダミーパターンＤＭｐ内に浸透していく。また、ダミーパターンＤＭｔに対応するレジスト材９３の液滴が、ダミーパターンＤＭｔ内に浸透していく。

【0223】

テンプレート２０の実パターンＡＣ内、及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔ内にレジスト材９３が充填されたら、テンプレート２０を押し当てたまま、紫外光等の光をレジスト材９３に照射して硬化させる。

【0224】

図２１（ｃ）に示すように、テンプレート２０を離型すると、実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔがそれぞれ転写されたレジストパターン１９３ｐが形成される。

【0225】

レジストパターン１９３ｐにおいて、実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐが転写された部分と、ダミーパターンＤＭ５が転写された部分とは、それぞれが互いに離間して被加工膜ＰＦ上に配置される。また、レジストパターン１９３ｐのこれらの部分は、いずれも底面にレジスト残膜１９３ｒを有する。

【0226】

【0227】

【0228】

変形例１のパターン形成方法によれば、ダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔの数を極力減らしたテンプレート２０を用いてインプリント処理を行う。

【0229】

このようにテンプレート２０を構成することにより、テンプレート２０を製造する際の工程数を削減して、短期間で安価にテンプレート２０を製造することができる。また、テンプレート２０全体におけるパターン数が減少することで、これらのパターンが破損するリスクを低減し、テンプレート２０を長寿命化することができる。

【0230】

変形例１のパターン形成方法によれば、実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔに上下方向に重なる位置にレジスト材９３の液滴を配置する。

【0231】

この場合、例えば実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔの全体に亘って液滴を配置する場合と比較して、レジスト材９３の使用量を減らして、インプリント処理のコストを削減することができる。

【0232】

また、実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔと対応する領域に絞ってレジスト材９３の液滴を配置し、レジストパターン１９３ｐを形成するので、気泡がトラップされるのをいっそう抑制することができる。

【0233】

ここで、インプリント処理においては、レジスト材にテンプレートを押し付けたときに、テンプレートのパターンの形成領域からレジスト材がはみ出してしまい、レジストパターンの形成不良が発生しやすいという課題がある。

【0234】

上述のように、例えばダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔの数を極力減らしたテンプレート２０では、レジスト材のはみ出しがいっそう起こりやすいことが懸念される。

【0235】

変形例１のパターン形成方法によれば、被加工膜ＰＦ上にレジスト材９３の液滴を滴下するときは、実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔが転写された後のレジストパターン１９３ｐの体積に応じた数の液滴を滴下する。これにより、レジスト材９３のはみ出しを抑制して、レジストパターン１９３ｐの形成不良を抑制することができる。

【0236】

変形例１のパターン形成方法によれば、この他、上述の実施形態２と同様の効果を奏する。

【0237】

（変形例２）
次に、図２２を用いて、実施形態２の変形例２について説明する。変形例２の構成においては、被加工膜ＰＦ上のレジスト形成領域ＲＲの形状および配置が調整されている点が、上述の変形例１とは異なる。

【0238】

図２２は、実施形態２の変形例２にかかるインプリント処理の手順の一部を例示する上面図である。図２２においても、上述の変形例１のテンプレート２０を用いてインプリント処理を行うものとする。

【0239】

図２２に示すショット領域ＳＴＲは、被加工膜ＰＦ上面の領域であって、テンプレート２０を１回押し当てたときに、パターンが転写される領域である。

【0240】

図２２（ａ）に示すように、被加工膜ＰＦのショット領域ＳＴＲ内には、複数のレジスト形成領域ＲＲが設定されている。レジスト形成領域ＲＲは、例えば上述の図２１のインプリント処理において、レジストパターン１９３ｐが形成される予定の領域である。

【0241】

それぞれのレジスト形成領域ＲＲのサイズ、形状、及び配置は、レジスト形成領域ＲＲ間におけるレジストパターン１９３ｐ同士が接続されてしまったり、レジスト形成領域ＲＲからレジストパターン１９３ｐがはみ出してしまったりすることを抑制するように調整されている。

【0242】

このようなレジスト形成領域ＲＲにレジストパターン１９３ｐを形成するため、例えばテンプレート２０におけるダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔのサイズ、並びに基準面上における形状および配置等もまた、レジスト形成領域ＲＲのサイズ、形状、及び配置に合わせて調整することができる。

【0243】

図２２（ｂ）に示すように、これらのレジスト形成領域ＲＲにレジストパターン１９３ｐを形成するため、レジスト材９３の液滴が滴下される。このとき、レジスト材９３の液滴が、それぞれのレジスト形成領域ＲＲ内に収まるように配置される。

【0244】

つまり、それぞれのレジスト形成領域ＲＲ内のレジスト材９３の液滴は、他のレジスト形成領域ＲＲ内の液滴から離間して配置される。ただし、同じレジスト形成領域ＲＲ内に配置される複数の液滴は、互いに接触していても接触していなくともよい。

【0245】

また、上述の変形例１の場合と同様、それぞれのジスト形成領域ＲＲにおけるレジスト材９３の液滴数は、そのジスト形成領域ＲＲに転写されるテンプレート２０のパターンが有するサイズ及び凹凸等の形状に応じて調整されている。これにより、レジストパターン１９３ｐのはみ出し、及びレジスト形成領域ＲＲ間での接触がいっそう抑制される。

【0246】

このように、図２２（ｂ）に示す処理は、上述の図２１（ａ）に示すレジスト材９３の液滴を被加工膜ＰＦ上に配置する処理に相当する。

【0247】

図２２（ｃ）に示すように、被加工膜ＰＦ上に滴下されたレジスト材９３の液滴にテンプレート２０の実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔが転写されると、それぞれのジスト形成領域ＲＲに、レジストパターン１９３ｐが形成される。

【0248】

このように、図２２（ｃ）に示す処理は、テンプレート２０をレジスト材９３に押し当てて、被加工膜ＰＦ上にレジストパターン１９３ｐを形成する上述の図２１（ｂ）（ｃ）に示す処理に相当する。

【0249】

上述のように、レジスト形成領域ＲＲのサイズ、形状、及び配置が調整されているので、それぞれのレジスト形成領域ＲＲにおけるレジストパターン１９３ｐと、他のレジスト形成領域ＲＲのレジストパターン１９３ｐとの接触が抑制される。さらに、図２２（ｃ）に示す例では、レジスト形成領域ＲＲからはみ出すことなく、レジストパターン１９３ｐが形成されている。

【0250】

変形例２のパターン形成方法によれば、被加工膜ＰＦ上におけるレジスト形成領域ＲＲのサイズ、形状、及び配置を適正化する。これにより、レジスト材９３のはみ出しを抑制して、レジストパターン１９３ｐの形成不良を抑制することができる。したがって、レジスト形成領域ＲＲのそれぞれに形成されたレジストパターン１９３ｐ同士が接続されてしまうことが抑制される。

【0251】

変形例２のパターン形成方法によれば、この他、上述の実施形態２と同様の効果を奏する。

【0252】

（変形例３）
次に、図２３を用いて、実施形態２の変形例３について説明する。変形例３の構成においては、被加工膜ＰＦ上に複数種類のレジスト材９３，９５を配置する点が、上述の変形例１とは異なる。

【0253】

図２３は、実施形態２の変形例３にかかるインプリント処理の手順の一部を例示する断面図である。図２３においても、上述の変形例１のテンプレート２０を用いてインプリント処理を行うものとする。

【0254】

図２３（ａ）に示すように、被加工膜ＰＦ上には、テンプレート２０の実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔのそれぞれと上下に重なる位置に、複数のレジスト材９３，９５の液滴がそれぞれ配置される。レジスト材９５は、レジスト材９３と同様、例えば未硬化の光硬化型樹脂等である。

【0255】

ただし、これらのレジスト材９３，９５は、材質または配合等がそれぞれ任意に選択された、種類の異なるレジスト材である。レジスト材９３，９５の材質としては、一方をシリコン系材料とし、他方を非シリコン系材料とすること等ができる。レジスト材９３，９５の配合としては、溶媒との配合比率、添加剤等を異ならせることができる。レジスト材９３，９５の配合を異ならせることで、例えばこれらのレジスト材９３，９５の粘度を異ならせることができる。

【0256】

このようなレジスト材９３，９５の種類は、例えばテンプレート２０が有する実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔのサイズ及び凹凸等の形状に応じて選択することができる。例えばサイズの大きいパターンに対しては、濡れ広がりやすい種類のレジスト材を選択し、微細な形状のパターンに対しては、パターン内に浸透しやすい種類のレジスト材を選択することなどができる。

【0257】

上記のレジスト材９３，９５のうち、レジスト材９３は、例えば実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐに対して適正な種類のレジスト材であるものとする。この場合、レジスト材９３の液滴を実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐに対応する位置に配置することができる。

【0258】

上記のレジスト材９３，９５のうち、レジスト材９５は、例えばダミーパターンＤＭｔに対して適正な種類のレジスト材であるものとする。この場合、レジスト材９５の液滴をダミーパターンＤＭｔに対応する位置に配置することができる。

【0259】

このとき、複数種類のレジスト材９３，９５は、例えば複数の液滴下装置８７（図１９参照）を備えるインプリント装置により、被加工膜ＰＦ上に配置することができる。つまり、それぞれのレジスト材９３，９５に対応する液滴下装置８７から、レジスト材９３，９５をそれぞれ被加工膜ＰＦに滴下する。

【0260】

また、上述の変形例１の場合と同様、レジスト材９３，９５の液滴数は、テンプレート２０の対応するパターンのサイズ及び凹凸等の形状に応じて調整されていてよい。

【0261】

図２３（ｂ）に示すように、実パターンＡＣの最も突出量の大きい柱状パターンＣＬ及び被加工膜ＰＦ間に若干の隙間を空けて、テンプレート２０の実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔをレジスト材９３，９５の液滴に押し当てる。

【0262】

この状態を所定時間維持することで、レジスト材９３，９５の液滴が、被加工膜ＰＦ上に膜状に濡れ広がり、また、実パターンＡＣ内、及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔ内に浸透していく。

【0263】

テンプレート２０の実パターンＡＣ内、及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔ内にレジスト材９３，９５が充填されたら、テンプレート２０を押し当てたまま、紫外光等の光をレジスト材９３，９５に照射して硬化させる。

【0264】

図２３（ｃ）に示すように、テンプレート２０を離型すると、レジストパターン１９３ｐ，９５ｐを含むレジストパターンが形成される。レジストパターン１９３ｐは、実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐ転写されたレジストパターンである。レジストパターン９５ｐは、ダミーパターンＤＭｔが転写されたレジストパターンである。

【0265】

レジストパターン１９３ｐと、レジストパターン９５ｐとは、それぞれが互いに離間して被加工膜ＰＦ上に配置される。また、レジストパターン１９３ｐは底面にレジスト残膜１９３ｒを有し、レジストパターン９５ｐは底面にレジスト残膜９５ｒを有する。

【0266】

【0267】

【0268】

変形例３のパターン形成方法によれば、実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐと対応する位置にレジスト材９３の液滴を滴下し、ダミーパターンＤＭｔと対応する位置にレジスト材９３とは種類が異なるレジスト材９５の液滴を滴下する。

【0269】

これにより、テンプレート２０の実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔのそれぞれに対して適正な種類のレジスト材９３，９５を用いることができる。よって、レジストパターン１９３ｐ，９５ｐの形成不良をいっそう抑制することができる。

【0270】

変形例３のパターン形成方法によれば、この他、上述の実施形態２と同様の効果を奏する。

【0271】

（変形例４）
次に、図２４及び図２５を用いて、実施形態２の変形例４について説明する。変形例４の構成においては、被加工膜ＰＦ上のレジスト材９３，９５に対して、複数回の転写処理を行う点が、上述の変形例２，３とは異なる。

【0272】

図２４及び図２５は、実施形態２の変形例４にかかるテンプレート２１を用いたインプリント処理の手順の一部を順に例示する断面図である。なお、図２４及び図２５においても、複数種類のレジスト材９３，９５を用いることとし、また、上述の変形例３と同様の構成に同様の符号を付してその説明を省略する。

【0273】

図２４（ａ）に示すように、変形例４のテンプレート２１は、例えばテンプレート２１のメサ部ＭＳの略中央に配置される１つの実パターンＡＣと、実パターンＡＣを挟み込む複数のダミーパターンＤＭｐと、メサ部ＭＳの端部に配置される複数のダミーパターンＤＭｔと、を備える。

【0274】

上述の変形例１のテンプレート２０の場合と同様、ダミーパターンＤＭｐは複数の実パターンＡＣを保護する。また、ダミーパターンＤＭｔは、テンプレート２１を被加工膜ＰＦ上のレジスト材９３，９５に押し当てた際に、テンプレート２１が撓んで、メサ部ＭＳの端部が被加工膜ＰＦに接触してしまうことを抑制する。

【0275】

なお、図２４（ａ）の例では、ダミーパターンＤＭｔはメサ部ＭＳ中央に配置されなくともよい。テンプレート２１においては、テンプレート２１が撓んだ場合でも、メサ部ＭＳの中央付近に配置される実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐによって、メサ部ＭＳの中央部が被加工膜ＰＦに接触してしまうことが抑制されるからである。

【0276】

被加工膜ＰＦ上には、実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐと上下方向に重なる位置に複数のレジスト材９３の液滴が配置される。また、ダミーパターンＤＭｔと上下方向に重なる位置に複数のレジスト材９５の液滴が配置される。

【0277】

また、変形例４においても、上述の変形例１の場合と同様、レジスト材９３，９５の液滴数は、テンプレート２１の対応するパターンのサイズ及び凹凸等の形状に応じて調整されていてよい。

【0278】

図２４（ｂ）に示すように、実パターンＡＣの最も突出量の大きい柱状パターンＣＬ及び被加工膜ＰＦ間に若干の隙間を空けて、テンプレート２１の実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔをレジスト材９３，９５の液滴に押し当てる。

【0279】

テンプレート２１の実パターンＡＣ内、及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔ内にレジスト材９３，９５が充填されたら、テンプレート２１を押し当てたまま、紫外光等の光をレジスト材９３，９５に照射して硬化させる。

【0280】

図２４（ｃ）に示すように、テンプレート２１を離型すると、レジストパターン１９３ｐ，９５ｐが形成される。

【0281】

図２５（ａ）に示すように、図２４（ａ）の処理で被加工膜ＰＦ上に配置された複数のレジスト材９３，９５と同じ順番および間隔で、既に形成済みのレジストパターン１９３ｐ，９５ｐとは、被加工膜ＰＦに沿う一方方向に所定距離ずれた位置に、新たに複数のレジスト材９３，９５を配置する。

【0282】

また、新たに配置されたレジスト材９３，９５の液滴と、実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔのそれぞれが上下方向に重なるように、テンプレート２１と被加工膜ＰＦとの相対位置を移動させる。

【0283】

図２５（ｂ）に示すように、実パターンＡＣの最も突出量の大きい柱状パターンＣＬ及び被加工膜ＰＦ間に若干の隙間を空けて、テンプレート２１の実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔを、新たなレジスト材９３，９５の液滴に押し当てる。

【0284】

【0285】

図２５（ｃ）に示すように、テンプレート２１を離型すると、新たなレジスト材９３，９５の液滴に実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐ，ＤＭｔのそれぞれが転写されたレジストパターン１９３ｐ，９５ｐが形成される。

【0286】

これにより、１回目の転写処理で形成されたレジストパターン１９３ｐ，９５ｐと、２回目の転写処理で形成されたレジストパターン１９３ｐ，９５ｐと、を含むレジストパターンが形成される。

【0287】

【0288】

【0289】

また、変形例４の２回の転写処理を行うパターン形成方法においては、複数種類のレジスト材９３，９５に替えて、１種類のレジスト材を用いて転写処理を行ってもよい。

【0290】

変形例４のパターン形成方法によれば、被加工膜ＰＦ上に配置されたレジスト材９３の１つ以上の液滴にテンプレート２１を押し当てて、実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐが転写されたレジストパターン１９３ｐを形成し、被加工膜ＰＦ上に配置されたレジスト材９３の１つ以上の液滴、及び被加工膜ＰＦ上に配置されたレジスト材９５の１つ以上の液滴にテンプレート２１を押し当てて、それぞれ、実パターンＡＣ及びダミーパターンＤＭｐが転写されたレジストパターン１９３ｐと、ダミーパターンＤＭｔが転写されたレジストパターン９５ｐと、を形成する。

【0291】

このように、レジストパターン１９３ｐ，９５ｐを含むレジストパターンを分割して形成することにより、いっそう気泡がトラップされ難くなり、レジストパターンの形成不良をいっそう抑制することができる。

【0292】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、複数の実施形態および複数の変形例のうちの幾つかを任意の組み合わせで組み合わせてもよく、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0293】

１，２…インプリント装置、１０，１１，１２，２０，２１…テンプレート、４０，４０ａ，４０ｂ…フォトマスク、９１，９２，９４…レジスト膜、９１ｐ～９５ｐ，１９１ｐ～１９３ｐ，２９１ｐ，２９２ｐ…レジストパターン、ＡＣ…実パターン、ＣＬ…柱状パターン、ＣＰ…ホールパターン、ＤＭ，ＤＭｂ，ＤＭｄ，ＤＭｐ，ＤＭｓ，ＤＭｔ…ダミーパターン、ＤＰ，ＤＰｂ，ＤＰｄ，ＤＰｓ…凹パターン、ＨＰ…メモリホールパターン、ＭＤＶ…半導体装置、ＭＰ…メモリパターン、ＰＦ…被加工膜、ＰＰ…コンタクトパターン。

【図1】