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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024068965
(43)【公開日】2024-05-21
(54)【発明の名称】電子部品及び電子部品の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/822 20060101AFI20240514BHJP
H01G 4/33 20060101ALI20240514BHJP
H01G 4/30 20060101ALI20240514BHJP
【ＦＩ】
H01L27/04 C
H01G4/33 102
H01G4/30 540
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022179676
(22)【出願日】2022-11-09
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100105887
【弁理士】
【氏名又は名称】来山 幹雄
(74)【代理人】
【識別番号】100145023
【弁理士】
【氏名又は名称】川本 学
(72)【発明者】
【氏名】徳矢 浩章
(72)【発明者】
【氏名】青池 将之
(72)【発明者】
【氏名】柴田 雅博
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
5F038
【Ｆターム（参考）】
5E001AB01
5E001AC09
5E001AE01
5E001AH03
5E001AJ02
5E082AB01
5E082BC19
5E082EE05
5E082EE23
5E082EE37
5E082FF05
5E082FG03
5E082FG26
5E082FG27
5E082FG42
5F038AC05
5F038AC15
5F038AC16
5F038EZ01
5F038EZ02
5F038EZ20
(57)【要約】 （修正有）
【課題】クラックが発生しても信頼性の低下が生じにくいキャパシタを含む電子部品及び電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品において、化合物半導体からなる基板１０の一方の面である上面１０Ａの一部の領域の上に、基板側から順番に積層された下層電極２１、誘電体膜２３及び上層電極２２を含むＭＩＭキャパシタ２０が配置されている。また、誘電体膜２３より上に、絶縁性の金属酸化物またはシリコン酸化物からなる被膜２４が配置されている。被膜２４は、上面を平面視したとき、下層電極２１の縁の全周に亘って、下層電極の縁より内側の領域から外側の領域まで広がる。
【選択図】図２
【解決手段】電子部品において、化合物半導体からなる基板１０の一方の面である上面１０Ａの一部の領域の上に、基板側から順番に積層された下層電極２１、誘電体膜２３及び上層電極２２を含むＭＩＭキャパシタ２０が配置されている。また、誘電体膜２３より上に、絶縁性の金属酸化物またはシリコン酸化物からなる被膜２４が配置されている。被膜２４は、上面を平面視したとき、下層電極２１の縁の全周に亘って、下層電極の縁より内側の領域から外側の領域まで広がる。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
化合物半導体からなる基板と、
前記基板の一方の面である上面の一部の領域の上に、前記基板側から順番に積層された下層電極、誘電体膜、及び上層電極を含むキャパシタと、
前記誘電体膜より上に配置され、前記上面を平面視したとき、前記下層電極の縁の全周に亘って、前記下層電極の縁より内側の領域から外側の領域まで広がる絶縁性の金属酸化物またはシリコン酸化物からなる被膜と
を備えた電子部品。
前記基板の一方の面である上面の一部の領域の上に、前記基板側から順番に積層された下層電極、誘電体膜、及び上層電極を含むキャパシタと、
前記誘電体膜より上に配置され、前記上面を平面視したとき、前記下層電極の縁の全周に亘って、前記下層電極の縁より内側の領域から外側の領域まで広がる絶縁性の金属酸化物またはシリコン酸化物からなる被膜と
を備えた電子部品。
【請求項2】
前記被膜は前記誘電体膜より薄い請求項１に記載の電子部品。
【請求項3】
前記被膜の下地表面は、前記基板の前記上面に平行な平坦領域と、前記下層電極の側面からなる段差が反映された段差領域とを含み、前記被膜のうち前記段差領域を覆う部分の厚さが、前記平坦領域を覆う部分の厚さと等しい請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項4】
前記被膜を構成する金属酸化物は、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ガリウム、酸化亜鉛、及びチタン酸ストロンチウムからなる群より選択された少なくとも１つである請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項5】
前記被膜は、前記誘電体膜と前記上層電極との間に配置されている請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項6】
前記被膜は、前記上層電極の上に配置されている請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項7】
さらに、前記上層電極と前記被膜との間に配置された絶縁膜を備えた請求項６に記載の電子部品。
【請求項8】
前記上面を平面視したとき、前記下層電極の縁と前記上層電極の縁とが、相互にずれた位置に配置されている請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項9】
前記上面を平面視したとき、前記上層電極の縁の一部分が前記下層電極の縁より内側に配置されており、残りの一部分が前記下層電極の縁より外側に配置されている請求項８に記載の電子部品。
【請求項10】
前記上面を平面視したとき、前記上層電極の縁の全周が前記下層電極の縁より外側に配置されている請求項８に記載の電子部品。
【請求項11】
前記基板を構成する化合物半導体はＧａＡｓである請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項12】
化合物半導体からなる基板の一方の面である上面の上に、下層電極を形成し、
前記下層電極の上に誘電体膜を形成し、
前記誘電体膜の上に上層電極を形成し、
前記誘電体膜を形成した後であって前記上層電極を形成する前、または前記上層電極を形成した後に、前記上面を平面視したとき、前記下層電極の縁の全周において、前記下層電極の縁より内側の領域から外側の領域まで広がる絶縁性の金属酸化物またはシリコン酸化物からなる被膜を形成する電子部品の製造方法。
前記下層電極の上に誘電体膜を形成し、
前記誘電体膜の上に上層電極を形成し、
前記誘電体膜を形成した後であって前記上層電極を形成する前、または前記上層電極を形成した後に、前記上面を平面視したとき、前記下層電極の縁の全周において、前記下層電極の縁より内側の領域から外側の領域まで広がる絶縁性の金属酸化物またはシリコン酸化物からなる被膜を形成する電子部品の製造方法。
【請求項13】
前記被膜は、原子層堆積法を用いて形成する請求項１２に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子部品及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
シリコン基板の上に配置されたＭＩＭキャパシタが公知である（特許文献１）。特許文献１に記載されたＭＩＭキャパシタは、下部電極及び上部電極にＴｉＮが用いられ、下部電極と上部電極との間に、誘電体膜としてＺｒＯ２膜及びＴｉＯ２膜の２層が配置されている。上部電極及び誘電体膜の側壁に、側壁絶縁用酸化シリコン膜が配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】国際公開第２０１０／０８２６０５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
基板とＭＩＭキャパシタの電極との間の線膨張係数の相違に起因して応力が発生する。応力は、下部電極や上部電極の縁の近傍に集中し、この部分にクラックが発生しやすい。クラックが発生すると、外部からクラックを通してＭＩＭキャパシタ内に水分が侵入し、ＭＩＭキャパシタの信頼性が低下する。
【0005】
本発明の目的は、クラックが発生しても信頼性の低下が生じにくいキャパシタを含む電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一観点によると、
化合物半導体からなる基板と、
前記基板の一方の面である上面の一部の領域の上に、前記基板側から順番に積層された下層電極、誘電体膜、及び上層電極を含むキャパシタと、
前記誘電体膜より上に配置され、前記上面を平面視したとき、前記下層電極の縁の全周に亘って、前記下層電極の縁より内側の領域から外側の領域まで広がる絶縁性の金属酸化物またはシリコン酸化物からなる被膜と
を備えた電子部品が提供される。
化合物半導体からなる基板と、
前記基板の一方の面である上面の一部の領域の上に、前記基板側から順番に積層された下層電極、誘電体膜、及び上層電極を含むキャパシタと、
前記誘電体膜より上に配置され、前記上面を平面視したとき、前記下層電極の縁の全周に亘って、前記下層電極の縁より内側の領域から外側の領域まで広がる絶縁性の金属酸化物またはシリコン酸化物からなる被膜と
を備えた電子部品が提供される。
【0007】
本発明の他の観点によると、
化合物半導体からなる基板の一方の面である上面の上に、下層電極を形成し、
前記下層電極の上に誘電体膜を形成し、
前記誘電体膜の上に上層電極を形成し、
前記誘電体膜を形成した後であって前記上層電極を形成する前、または前記上層電極を形成した後に、前記上面を平面視したとき、前記下層電極の縁の全周において、前記下層電極の縁より内側の領域から外側の領域まで広がる絶縁性の金属酸化物またはシリコン酸化物からなる被膜を形成する電子部品の製造方法が提供される。
化合物半導体からなる基板の一方の面である上面の上に、下層電極を形成し、
前記下層電極の上に誘電体膜を形成し、
前記誘電体膜の上に上層電極を形成し、
前記誘電体膜を形成した後であって前記上層電極を形成する前、または前記上層電極を形成した後に、前記上面を平面視したとき、前記下層電極の縁の全周において、前記下層電極の縁より内側の領域から外側の領域まで広がる絶縁性の金属酸化物またはシリコン酸化物からなる被膜を形成する電子部品の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【0008】
被膜が、下層電極、上層電極、及び誘電体膜への水分の侵入を抑制する。これにより、電子部品の信頼性の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
［第１実施例］
図１から図４までの図面を参照して第１実施例による電子部品について説明する。
図１は、第１実施例による電子部品の各構成要素の平面的な位置関係を示す図である。化合物半導体からなる基板１０の一方の縁である上面の一部の領域に、下層電極２１が配置されている。基板１０の上面を平面視したとき（以下、「平面視において」という。）、下層電極２１は、平面視においてほぼ長方形の主部２１Ａと、主部２１Ａの１つの辺の中央から外側に向かって突出した突出部２１Ｂとを含む。
図１から図４までの図面を参照して第１実施例による電子部品について説明する。
図１は、第１実施例による電子部品の各構成要素の平面的な位置関係を示す図である。化合物半導体からなる基板１０の一方の縁である上面の一部の領域に、下層電極２１が配置されている。基板１０の上面を平面視したとき（以下、「平面視において」という。）、下層電極２１は、平面視においてほぼ長方形の主部２１Ａと、主部２１Ａの１つの辺の中央から外側に向かって突出した突出部２１Ｂとを含む。
【0011】
下層電極２１の主部２１Ａと重なるように上層電極２２が配置されており、突出部２１Ｂと重なるように引出配線２５が配置されている。下層電極２１と上層電極２２との間、及び下層電極２１と引出配線２５との間には、後述するように、誘電体膜２３及び被膜２４が配置されている。誘電体膜２３及び被膜２４は、平面視において下層電極２１の縁の全周に重なり、下層電極２１の縁の全周にわたって、下層電極２１の縁より内側の領域から外側の領域まで広がっている。なお、被膜２４は、下層電極２１の縁より内側の全域に配置されていなくてもよい。ここで、「ある部分の縁より内側」とは、平面視において当該部分の縁を仕切りとして、仕切りより中のほうを意味し、「ある部分の縁より外側」とは、平面視において当該部分の縁を仕切りとして、仕切りより外のほうを意味する。
【0012】
平面視において、上層電極２２の縁は、下層電極２１の縁からずれた位置に配置されている。例えば、下層電極２１の主部２１Ａの４つの辺のうち、突出部２１Ｂが突出する辺、及びそれに隣り合う２つの辺においては、上層電極２２の縁が下層電極２１の縁より内側にずれて配置されている。他の１つの辺においては、上層電極２２の縁が下層電極２１の主部２１Ａの縁より外側にずれて配置されている。引出配線２５は、その下の誘電体膜に設けられた開口２６を通って下層電極２１に接続されている。
【0013】
図２Ａ及び図２Ｂは、それぞれ図１の一点鎖線２Ａ－２Ａ、及び一点鎖線２Ｂ－２Ｂにおける断面図である。化合物半導体からなる基板１０の一方の面である上面１０Ａの一部の領域に、下層電極２１が配置されている。基板１０の上面１０Ａ及び下層電極２１を覆うように、誘電体膜２３が配置されている。誘電体膜２３は、例えば基板１０の上面１０Ａの全域に配置される。
【0014】
誘電体膜２３の下地表面（誘電体膜２３の下面）には、下層電極２１の側面からなる段差を含む。誘電体膜２３の上面は、下層電極２１の上面及び下層電極２１が配置されていない領域の基板１０の上面１０Ａを覆う平坦領域２３Ｆ、及び下層電極２１の側面からなる段差を反映した段差領域２３Ｓを含む。誘電体膜２３の上面の平坦領域２３Ｆは、基板１０の上面１０Ａに平行である。ここで、「平行」は、幾何学的に厳密な平行であることを意味しているわけではなく、製造プロセス上のばらつき等によって許容される範囲内で、厳密な平行からずれている関係も「平行」に含まれる。
【0015】
誘電体膜２３の上に、絶縁性の被膜２４が配置されている。被膜２４の下地表面である誘電体膜２３の上面の平坦領域２３Ｆ及び段差領域２３Ｓをコンフォーマルに覆う。例えば、平坦領域２３Ｆを覆う被膜２４の厚さと、段差領域２３Ｓを覆う被膜２４の厚さとが等しい。ここで、「厚さが等しい」とは、例えば、下地表面の形状に依らず、平坦領域２３Ｆ及び段差領域２３Ｓのいずれの領域においても同じ厚さの膜が形成される条件で形成された膜の、平坦領域２３Ｆ上の部分の厚さと段差領域２３Ｓ上の部分の厚さとが等しいことを意味する。成膜プロセス上の許容範囲内のばらつきに起因する膜厚のばらつき程度の厚さの違いがある場合でも「厚さが等しい」といえる。被膜２４の厚さは、例えば１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、被膜２４で覆われている領域の誘電体膜２３のいずれの箇所の厚さより薄い。
【0016】
被膜２４の一部の上に、上層電極２２及び引出配線２５が配置されている。上層電極２２の一部分は、平面視において下層電極２１の主部２１Ａと重なっている。下層電極２１、上層電極２２、及び両者の間に配置された誘電体膜２３によってＭＩＭキャパシタが構成される。引出配線２５の一部は、平面視において下層電極２１の突出部２１Ｂと重なっており、誘電体膜２３及び被膜２４に設けられた開口２６を通って下層電極２１に接続されている。上層電極２２、引出配線２５、及び被膜２４を、絶縁膜２８が覆う。
【0017】
次に、電子部品の各構成要素の材料について説明する。
基板１０として、化合物半導体基板、例えば半絶縁性のＧａＡｓ基板が用いられる。なお、基板１０として、下地基板と、その上に形成されたエピタキシャル成長層または絶縁層を含むものを用いてもよい。下層電極２１、上層電極２２、及び引出配線２５には、例えばＡｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｗ等の金属材料が用いられる。誘電体膜２３には、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）が用いられる。なお、誘電体膜２３は、不純物として酸素を含んでいてもよい。
基板１０として、化合物半導体基板、例えば半絶縁性のＧａＡｓ基板が用いられる。なお、基板１０として、下地基板と、その上に形成されたエピタキシャル成長層または絶縁層を含むものを用いてもよい。下層電極２１、上層電極２２、及び引出配線２５には、例えばＡｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｗ等の金属材料が用いられる。誘電体膜２３には、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）が用いられる。なお、誘電体膜２３は、不純物として酸素を含んでいてもよい。
【0018】
被膜２４には、絶縁性の金属酸化物、またはシリコン酸化物（ＳｉＯ２）が用いられる。絶縁性の金属酸化物の例として、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）等が挙げられる。なお、実際の被膜２４は、カッコ内に示した化学式の化学量論的組成からずれている場合もある。
【0019】
次に、図２Ａ及び図２Ｂを参照しながら、第１実施例による電子部品の製造方法について説明する。まず、基板１０の上面１０Ａの一部の領域に下層電極２１を形成する。下層電極２１の成膜には、例えば、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法等が用いられる。下層電極２１及び基板１０の上に、誘電体膜２３を形成する。誘電体膜２３の形成には、例えばプラズマＣＶＤ法等が用いられる。誘電体膜２３の一部をエッチング除去することにより、開口２６を形成する。誘電体膜２３をプラズマＣＶＤ法で形成すると、段差領域２３Ｓの部分の厚さが、平坦領域２３Ｆの部分の厚さより薄くなる。
【0020】
誘電体膜２３の上に、被膜２４を形成する。被膜２４の形成には、例えば原子層堆積法（ＡＬＤ法）が用いられる。ＡＬＤ法を用いることにより、誘電体膜２３の上面の平坦領域２３Ｆ及び段差領域２３Ｓに、ほぼ同じ厚さの被膜２４を堆積させることができるとともに、緻密な膜を形成することができる。被膜２４を形成した後、被膜２４の一部をエッチング除去することにより開口２６を形成する。なお、誘電体膜２３と被膜２４とを形成した後、この２層の一部を一括してエッチング除去することにより、開口２６を形成してもよい。
【0021】
被膜２４の上に、上層電極２２及び引出配線２５を形成する。上層電極２２及び引出配線２５の形成には、例えばスパッタリング法、蒸着法、メッキ法等が用いられる。上層電極２２及び引出配線２５を覆うように、絶縁膜２８を形成する。絶縁膜２８の形成には、例えばプラズマＣＶＤ法が用いられる。
【0022】
次に、図３及び図４を参照して第１実施例の優れた効果について説明する。
基板１０と、下層電極２１及び上層電極２２との線膨張係数の相違に起因して、熱応力が発生する。熱応力は、特に上層電極２２や下層電極２１の側面からなる段差の近傍に集中しやすい。その結果、上層電極２２の段差近傍の絶縁膜２８や誘電体膜２３にクラックが発生しやすくなり、下層電極２１の段差近傍の絶縁膜２８や誘電体膜２３にクラックが発生しやすくなる。例えば、絶縁膜２８にクラックが発生すると、クラックを通ってＭＩＭキャパシタ２０内に水分が侵入することにより、ＭＩＭキャパシタの信頼性が低下する。
基板１０と、下層電極２１及び上層電極２２との線膨張係数の相違に起因して、熱応力が発生する。熱応力は、特に上層電極２２や下層電極２１の側面からなる段差の近傍に集中しやすい。その結果、上層電極２２の段差近傍の絶縁膜２８や誘電体膜２３にクラックが発生しやすくなり、下層電極２１の段差近傍の絶縁膜２８や誘電体膜２３にクラックが発生しやすくなる。例えば、絶縁膜２８にクラックが発生すると、クラックを通ってＭＩＭキャパシタ２０内に水分が侵入することにより、ＭＩＭキャパシタの信頼性が低下する。
【0023】
さらに、誘電体膜２３に水分が侵入すると、誘電体膜２３が変質し、ＭＩＭキャパシタ２０の電気的特性が目標とする特性からずれてしまう。
【0024】
第１実施例による電子部品においては、被膜２４が水分の浸入を抑制するバリア膜として機能する。このため、クラックが発生してもＭＩＭキャパシタ２０の下層電極２１及び誘電体膜２３内に水分が侵入しにくくなり、ＭＩＭキャパシタの信頼性の低下を抑制することができる。
【0025】
通常、金属酸化物からなる被膜２４の線膨張係数は、窒化シリコンからなる誘電体膜２３の線膨張数より大きい。誘電体膜２３と被膜２４との線膨張係数の差に起因する熱応力の影響を軽減させるために、被膜２４を誘電体膜２３より薄くすることが好ましく、被膜２４の厚さを、誘電体膜２３の平坦領域２３Ｆに相当する部分の厚さの１／１０以下にすることがより好ましい。
【0026】
図３は、比較例及び実施例による電子部品の信頼性の測定結果を示すグラフである。横軸は、被膜２４（図２Ａ、図２Ｂ）の厚さを単位［ｎｍ］で表し、縦軸は、信頼性寿命ＭＴＴＦを、被膜２４の厚さが２０ｎｍのときの値を１とした正規化値で表す。被膜２４として、酸化アルミニウムを用い、厚さが０ｎｍ（比較例）、１ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、及び２０ｎｍの試料を作製した。被膜２４を配置すると、被膜２４を配置していない構成とくらべて、ＭＴＴＦが長くなっていることがわかる。特に、被膜２４の厚さが１ｎｍ以上のときに、ＭＴＴＦが長くなる充分な効果が得られている。被膜２４が厚くなると、被膜２４の成膜に必要な時間が長くなる。また、被膜２４を必要以上に厚くしても、信頼性を高める効果は大きく変わらない。信頼性を高める充分な効果が得られ、かつ成膜時間の長大化を抑制するために、被膜２４の厚さを２０ｎｍ以下にすることが好ましい。
【0027】
図４は、比較例及び実施例による電子部品の被膜２４下の誘電体膜２３の酸素原子濃度の測定結果を示すグラフである。横軸は、被膜２４（図２Ａ、図２Ｂ）の厚さを単位［ｎｍ］で表し、縦軸は、酸素原子濃度を単位「Ｏ１ｓ原子濃度％（ａｔｍ％）」で表す。酸素濃度は、Ｘ線光電子分光法により測定した。被膜２４の厚さが０ｎｍの試料が、比較例によるものである。
【0028】
図４の丸記号及び破線は、製造直後における測定値を示し、三角記号及び実線は、高温高湿試験後における測定値を示す。製造直後及び高温高湿試験後のいずれにおいても、被膜２４の厚さが厚くなるにしたがって酸素濃度が低下していることがわかる。これは、水分の浸入が抑制されていることを表す。
【0029】
【0030】
次に、図５Ａ、図５Ｂ、及び図５Ｃを参照して第１実施例の変形例による電子部品について説明する。図５Ａ、図５Ｂ、及び図５Ｃは、それぞれ第１実施例の複数の変形例による電子部品の各構成要素の平面的な位置関係を示す図である。
【0031】
第１実施例（図１）では、上層電極２２の縁が下層電極２１の縁からずれており、上層電極２２の３つの辺が下層電極２１の対応する辺から内側に向かってずれており、残りの１つの辺が下層電極２１の対応する辺から外側に向かってずれている。図５Ａ、図５Ｂ、及び図５Ｃに示した変形例では、下層電極２１と上層電極２２との各辺の位置関係が異なっている。
【0032】
図５Ａに示した変形例では、突出部２１Ｂが設けられていない下層電極２１の主部２１Ａの３つの辺に対応する上層電極２２の３つの辺が、下層電極２１の主部２１Ａの対応する３つの辺より外側に向かってずれている。突出部２１Ｂが設けられている下層電極２１の主部２１Ａの辺に対応する上層電極２２の１つの辺は、下層電極２１の主部２１Ａの対応する辺より内側に向かってずれている。
【0033】
図５Ｂに示した変形例では、突出部２１Ｂが設けられている下層電極２１の主部２１Ａの辺、その反対側の辺、及び他の１つの辺に対応する上層電極２２の３つの辺が、下層電極２１の主部２１Ａの対応する３つの辺より外側に向かってずれている。上層電極２２の残りの１つの辺は、下層電極２１の主部２１Ａの対応する辺より内側に向かってずれている。
【0034】
図５Ｃに示した変形例では、上層電極２２の４つの辺が、下層電極２１の主部２１Ａの対応する４つの辺より外側に向かってずれている。すなわち、平面視において、上層電極２２は下層電極２１の主部２１Ａを包含している。
【0035】
図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃに示した変形例においても、平面視において上層電極２２の縁を下層電極２１の縁からずらすことにより、応力の集中を緩和させることができる。これにより、クラックの発生を抑制することができる。
【0036】
また、図５Ｃに示した第１実施例の変形例では、下層電極２１の主部２１Ａの縁の全周が、被膜２４（図２Ａ、図２Ｂ）のみならず、上層電極２２によっても被覆されている。このため、クラックが発生しても、ＭＩＭキャパシタ２０の下層電極２１及び誘電体膜２３への水分の浸入を抑制する効果を高めることができる。
【0037】
【0038】
【0039】
第１実施例（図２Ａ、図２Ｂ）では、被膜２４が誘電体膜２３と上層電極２２との間、及び引出配線２５と誘電体膜２３との間に配置されている。上層電極２２及び引出配線２５が配置されていない領域においては、被膜２４は誘電体膜２３と絶縁膜２８との間に配置されている。これに対して第２実施例では、被膜２４が上層電極２２と絶縁膜２８との間、及び引出配線２５と絶縁膜２８との間に配置されている。上層電極２２及び引出配線２５が配置されていない領域においては、第１実施例と同様に、被膜２４は誘電体膜２３と絶縁膜２８との間に配置されている。
【0040】
第２実施例においても、平面視において、被膜２４が、下層電極２１の縁の全周にわたって、下層電極２１の縁より内側の領域から外側の領域まで広がっている。このため、第１実施例と同様に、下層電極２１及び誘電体膜２３に水分が浸入しにくくなる。このため、水分の浸入による信頼性の低下を抑制することができる。
【0041】
さらに、第２実施例では、被膜２４が上層電極２２を覆い、平面視において、上層電極２２の縁の全周にわたって、上層電極２２の縁より内側の領域から外側の領域まで広がっている。このため、下層電極２１及び誘電体膜２３のみならず、上層電極２２への水分の浸入も抑制することができる。
【0042】
【0043】
【0044】
第１実施例（図２Ａ、図２Ｂ）では、被膜２４が誘電体膜２３と上層電極２２との間、及び引出配線２５と誘電体膜２３との間に配置されている。上層電極２２及び引出配線２５が配置されていない領域においては、被膜２４は誘電体膜２３と絶縁膜２８との間に配置されている。これに対して第３実施例では、被膜２４が絶縁膜２８の上に配置されている。
【0045】
第３実施例においても、平面視において、被膜２４が、下層電極２１の縁の全周にわたって、下層電極２１の縁より内側の領域から外側の領域まで広がっている。このため、第１実施例と同様に、下層電極２１及び誘電体膜２３に水分が浸入しにくくなる。このため、水分の浸入による信頼性の低下を抑制することができる。
【0046】
さらに、第３実施例では第２実施例と同様に、被膜２４が絶縁膜２８を介して上層電極２２を覆い、平面視において、上層電極２２の縁の全周にわたって、上層電極２２の縁より内側の領域から外側の領域まで広がっている。このため、上層電極２２、絶縁膜２８、及び下層電極２１に水分が浸入しにくくなる。
【0047】
上述の各実施例は例示であり、異なる実施例で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。複数の実施例の同様の構成による同様の作用効果については実施例ごとには逐次言及しない。さらに、本発明は上述の実施例に制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【0048】
本明細書に記載した上記実施例に基づき、以下の発明を開示する。
＜１＞
化合物半導体からなる基板と、
前記基板の一方の面である上面の一部の領域の上に、前記基板側から順番に積層された下層電極、誘電体膜、及び上層電極を含むキャパシタと、
前記誘電体膜より上に配置され、前記上面を平面視したとき、前記下層電極の縁の全周に亘って、前記下層電極の縁より内側の領域から外側の領域まで広がる絶縁性の金属酸化物またはシリコン酸化物からなる被膜と
を備えた電子部品。
＜１＞
化合物半導体からなる基板と、
前記基板の一方の面である上面の一部の領域の上に、前記基板側から順番に積層された下層電極、誘電体膜、及び上層電極を含むキャパシタと、
前記誘電体膜より上に配置され、前記上面を平面視したとき、前記下層電極の縁の全周に亘って、前記下層電極の縁より内側の領域から外側の領域まで広がる絶縁性の金属酸化物またはシリコン酸化物からなる被膜と
を備えた電子部品。
【0049】
＜２＞
前記被膜は前記誘電体膜より薄い＜１＞に記載の電子部品。
前記被膜は前記誘電体膜より薄い＜１＞に記載の電子部品。
【0050】
＜３＞
前記被膜の下地表面は、前記基板の前記上面に平行な平坦領域と、前記下層電極の側面からなる段差が反映された段差領域とを含み、前記被膜のうち前記段差領域を覆う部分の厚さが、前記平坦領域を覆う部分の厚さと等しい＜１＞または＜２＞に記載の電子部品。
前記被膜の下地表面は、前記基板の前記上面に平行な平坦領域と、前記下層電極の側面からなる段差が反映された段差領域とを含み、前記被膜のうち前記段差領域を覆う部分の厚さが、前記平坦領域を覆う部分の厚さと等しい＜１＞または＜２＞に記載の電子部品。
【0051】
＜４＞
前記被膜を構成する金属酸化物は、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ガリウム、酸化亜鉛、及びチタン酸ストロンチウムからなる群より選択された少なくとも１つである＜１＞乃至＜３＞のいずれか１つに記載の電子部品。
前記被膜を構成する金属酸化物は、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ガリウム、酸化亜鉛、及びチタン酸ストロンチウムからなる群より選択された少なくとも１つである＜１＞乃至＜３＞のいずれか１つに記載の電子部品。
【0052】
＜５＞
前記被膜は、前記誘電体膜と前記上層電極との間に配置されている＜１＞乃至＜４＞のいずれか１つに記載の電子部品。
前記被膜は、前記誘電体膜と前記上層電極との間に配置されている＜１＞乃至＜４＞のいずれか１つに記載の電子部品。
【0053】
＜６＞
前記被膜は、前記上層電極の上に配置されている＜１＞乃至＜４＞のいずれか１つに記載の電子部品。
前記被膜は、前記上層電極の上に配置されている＜１＞乃至＜４＞のいずれか１つに記載の電子部品。
【0054】
＜７＞
さらに、前記上層電極と前記被膜との間に配置された絶縁膜を備えた＜６＞に記載の電子部品。
さらに、前記上層電極と前記被膜との間に配置された絶縁膜を備えた＜６＞に記載の電子部品。
【0055】
＜８＞
前記上面を平面視したとき、前記下層電極の縁と前記上層電極の縁とが、相互にずれた位置に配置されている＜１＞乃至＜７＞のいずれか１つに記載の電子部品。
前記上面を平面視したとき、前記下層電極の縁と前記上層電極の縁とが、相互にずれた位置に配置されている＜１＞乃至＜７＞のいずれか１つに記載の電子部品。
【0056】
＜９＞
前記上面を平面視したとき、前記上層電極の縁の一部分が前記下層電極の縁より内側に配置されており、残りの一部分が前記下層電極の縁より外側に配置されている＜８＞に記載の電子部品。
前記上面を平面視したとき、前記上層電極の縁の一部分が前記下層電極の縁より内側に配置されており、残りの一部分が前記下層電極の縁より外側に配置されている＜８＞に記載の電子部品。
【0057】
＜１０＞
前記上面を平面視したとき、前記上層電極の縁の全周が前記下層電極の縁より外側に配置されている＜８＞に記載の電子部品。
前記上面を平面視したとき、前記上層電極の縁の全周が前記下層電極の縁より外側に配置されている＜８＞に記載の電子部品。
【0058】
＜１１＞
前記基板を構成する化合物半導体はＧａＡｓである＜１＞乃至＜１０＞のいずれか１つに記載の電子部品。
前記基板を構成する化合物半導体はＧａＡｓである＜１＞乃至＜１０＞のいずれか１つに記載の電子部品。
【0059】
＜１２＞
化合物半導体からなる基板の一方の面である上面の上に、下層電極を形成し、
前記下層電極の上に誘電体膜を形成し、
前記誘電体膜の上に上層電極を形成し、
前記誘電体膜を形成した後であって前記上層電極を形成する前、または前記上層電極を形成した後に、前記上面を平面視したとき、前記下層電極の縁の全周において、前記下層電極の縁より内側の領域から外側の領域まで広がる絶縁性の金属酸化物またはシリコン酸化物からなる被膜を形成する電子部品の製造方法。
化合物半導体からなる基板の一方の面である上面の上に、下層電極を形成し、
前記下層電極の上に誘電体膜を形成し、
前記誘電体膜の上に上層電極を形成し、
前記誘電体膜を形成した後であって前記上層電極を形成する前、または前記上層電極を形成した後に、前記上面を平面視したとき、前記下層電極の縁の全周において、前記下層電極の縁より内側の領域から外側の領域まで広がる絶縁性の金属酸化物またはシリコン酸化物からなる被膜を形成する電子部品の製造方法。
【0060】
＜１３＞
前記被膜は、原子層堆積法を用いて形成する＜１２＞に記載の電子部品の製造方法。
前記被膜は、原子層堆積法を用いて形成する＜１２＞に記載の電子部品の製造方法。
【符号の説明】
【0061】
１０ 基板
１０Ａ 基板の上面
１１ サブコレクタ層
２０ ＭＩＭキャパシタ
２１ 下層電極
２１Ａ 下層電極の主部
２１Ｂ 下層電極の突出部
２２ 上層電極
２３ 誘電体膜
２３Ｆ 平坦領域
２３Ｓ 段差領域
２４ 被膜
２５ 引出配線
２６ 開口
２７ 配線
２８ 絶縁膜
３０ 抵抗素子
３１ 配線
４０ ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
４０Ｂ ベース層
４０Ｃ コレクタ層
４０Ｅ エミッタ層
４１Ｂ ベース電極
４１Ｃ コレクタ電極
４１Ｅ エミッタ電極
４２ 絶縁膜
４３Ｂ ベース配線
４３Ｃ コレクタ配線
４３Ｅ エミッタ配線
１０Ａ 基板の上面
１１ サブコレクタ層
２０ ＭＩＭキャパシタ
２１ 下層電極
２１Ａ 下層電極の主部
２１Ｂ 下層電極の突出部
２２ 上層電極
２３ 誘電体膜
２３Ｆ 平坦領域
２３Ｓ 段差領域
２４ 被膜
２５ 引出配線
２６ 開口
２７ 配線
２８ 絶縁膜
３０ 抵抗素子
３１ 配線
４０ ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
４０Ｂ ベース層
４０Ｃ コレクタ層
４０Ｅ エミッタ層
４１Ｂ ベース電極
４１Ｃ コレクタ電極
４１Ｅ エミッタ電極
４２ 絶縁膜
４３Ｂ ベース配線
４３Ｃ コレクタ配線
４３Ｅ エミッタ配線
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】