特開 2024-69867 振動デバイス

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024069867

(43)【公開日】2024-05-22

(54)【発明の名称】振動デバイス

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/02 20060101AFI20240515BHJP

   H01L 23/02 20060101ALI20240515BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20240515BHJP

【ＦＩ】

H03H9/02 A

H01L23/02 Z

H01L23/12 Q

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022180120

(22)【出願日】2022-11-10

(71)【出願人】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100179475

【弁理士】

【氏名又は名称】仲井 智至

(74)【代理人】

【識別番号】100216253

【弁理士】

【氏名又は名称】松岡 宏紀

(74)【代理人】

【識別番号】100225901

【弁理士】

【氏名又は名称】今村 真之

(72)【発明者】

【氏名】水垣 浩一

(72)【発明者】

【氏名】鎌倉 知之

(72)【発明者】

【氏名】松澤 勇介

【テーマコード（参考）】

5J108

【Ｆターム（参考）】

5J108BB02

5J108CC04

5J108EE03

5J108EE07

5J108EE18

5J108FF09

5J108FF13

5J108GG03

5J108GG14

(57)【要約】

【課題】振動素子の振動特性の劣化を抑えることが可能な振動デバイスを提供する。
【解決手段】ベース１０は、貫通孔６３と、貫通孔６３の側面６３ａに配置された側面絶縁層３１と、を有し、蓋体は、ベース１０の第１面１０ａの側に配置され、ベース１０の第２面１０ｂの側において、貫通孔６３と平面視で重なる領域にパッド６４が配置された、振動デバイスであって、側面絶縁層３１の上からパッド６４の上に亘って配置された第１導電層３２と、第１導電層３２の材質と異なる第２導電層３３と、を備え、第２導電層３３は、貫通孔６３に配置された第１導電層３２の上である第１部分３３Ａと、第１部分３３Ａに連続し、ベース１０の第１面１０ａにおいて振動素子とパッド６４とを電気的に接続する第２部分３３Ｂと、第１部分３３Ａ及び第２部分３３Ｂと離間する領域であって、平面視で振動素子を囲む形状である第３部分と、に配置されている。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ベースと、蓋体と、振動素子と、を含み、
前記ベースは、第１面と、前記第１面と表裏関係にある第２面と、前記第１面から前記第２面に貫通する貫通孔と、前記貫通孔の側面に配置された側面絶縁層と、を有し、
前記蓋体は、前記ベースの前記第１面の側に配置され、
前記ベースの前記第２面の側において、前記貫通孔と平面視で重なる領域にパッドが配置された、振動デバイスであって、
前記側面絶縁層の上から前記パッドの上に亘って配置された第１導電層と、
前記第１導電層の材質と異なる第２導電層と、
を備え、
前記第２導電層は、
前記貫通孔に配置された前記第１導電層の上である第１部分と、
前記第１部分に連続し、前記ベースの前記第１面において前記振動素子と前記パッドとを電気的に接続する第２部分と、
前記第１部分及び前記第２部分と離間する領域であって、平面視で前記振動素子を囲む形状である第３部分と、
に配置されている、振動デバイス。

【請求項2】

請求項１に記載の振動デバイスであって、
前記第３部分に配置された前記第２導電層が前記蓋体と接合され、
前記ベースと前記蓋体とによって囲まれた空間に、前記振動素子が収容されている、振動デバイス。

【請求項3】

請求項１に記載の振動デバイスであって、
前記ベースは、半導体基板を含み、
前記半導体基板の前記第１面に、前記第２導電層の前記第３部分が配置されている、振動デバイス。

【請求項4】

請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の振動デバイスであって、
前記第１導電層は、Ｃｕ及びＡｌのうち少なくとも一方を含む、振動デバイス。

【請求項5】

請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の振動デバイスであって、
前記第２導電層は、Ａｕを含む、振動デバイス。

【請求項6】

請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の振動デバイスであって、
前記第１導電層は、Ｃｕ及びＡｌのうち少なくとも一方を含み、
前記第２導電層は、Ａｕを含む、振動デバイス。

【請求項7】

請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の振動デバイスであって、
前記第２導電層の前記第２部分と前記第１面との間に、前記第１導電層が配置されている、振動デバイス。

【請求項8】

請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の振動デバイスであって、
前記側面絶縁層は、前記第１面側の開口幅より、前記第２面側の開口幅の方が狭くなっているテーパー形状の樹脂である、振動デバイス。

【請求項9】

請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の振動デバイスであって、
前記ベースには、前記振動素子を発振させる発振回路が配置されている、振動デバイス。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、振動デバイスに関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、シリコン基板と蓋体とを接合して、振動素子を気密に収容した振動デバイスにおいて、振動素子の配線を外部に引き出すために、シリコン基板の貫通孔の側面及び底面に電極を形成する構造が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２０－１９５１１６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に記載の技術では、貫通孔に形成された電極の膜厚が薄くなりやすく、電極の電気的な抵抗が高くなることから、振動素子の振動特性が劣化する恐れがあるという課題がある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

振動デバイスは、ベースと、蓋体と、振動素子と、を含み、前記ベースは、第１面と、前記第１面と表裏関係にある第２面と、前記第１面から前記第２面に貫通する貫通孔と、前記貫通孔の側面に配置された側面絶縁層と、を有し、前記蓋体は、前記ベースの前記第１面の側に配置され、前記ベースの前記第２面の側において、前記貫通孔と平面視で重なる領域にパッドが配置された、振動デバイスであって、前記側面絶縁層の上から前記パッドの上に亘って配置された第１導電層と、前記第１導電層の材質と異なる第２導電層と、を備え、前記第２導電層は、前記貫通孔に配置された前記第１導電層の上である第１部分と、前記第１部分に連続し、前記ベースの前記第１面において前記振動素子と前記パッドとを電気的に接続する第２部分と、前記第１部分及び前記第２部分と離間する領域であって、平面視で前記振動素子を囲む形状である第３部分と、に配置されている。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】振動デバイスの構成を示す斜視図。

【図2】振動デバイスの構成を示す平面図。

【図3】図２に示す振動デバイスのＡ－Ａ線に沿う断面図。

【図4】図３に示す振動デバイスのＢ部を拡大して示す断面図。

【図5】図３に示す振動デバイスのＢ部を上方から見た平面図。

【図6】振動デバイスの接合領域周辺の構成を示す断面図。

【図7】振動デバイスの一部の製造方法を示す断面図。

【図8】振動デバイスの一部の製造方法を示す断面図。

【図9】振動デバイスの一部の製造方法を示す断面図。

【図10】振動デバイスの一部の製造方法を示す断面図。

【図11】振動デバイスの一部の製造方法を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下の各図においては、互いに直交する３つの軸を、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸として説明する。また、Ｘ軸に沿う方向を「Ｘ方向」、Ｙ軸に沿う方向を「Ｙ方向」、Ｚ軸に沿う方向を「Ｚ方向」とし、矢印の方向が＋方向であり、＋方向と反対の方向を－方向とする。なお、＋Ｚ方向を「上」又は「上方」又は「表側」、－Ｚ方向を「下」又は「下方」又は「裏側」ということもあり、＋Ｚ方向及び－Ｚ方向から見ることを平面視あるいは平面的ともいう。また、Ｚ方向＋側の面を「上面」又は「表面」、これと反対側となるＺ方向－側の面を「下面」又は「裏面」として説明する。

【0008】

まず、図１～図３を参照しながら、振動デバイス１００の構成について説明する。なお、図２に示す振動デバイス１００は、内部の構成を説明する便宜上、蓋体２０を外した状態を図示している。

【0009】

図１に示すように、振動デバイス１００は、ベース１０と、ベース１０の上に配置された蓋体２０と、ベース１０と蓋体２０とを接合する接合層３０と、ベース１０に搭載された振動素子４０（図３参照）と、を備えている。

【0010】

図２及び図３に示すように、振動素子４０は、ベース１０の第１面１０ａに固定されている。振動素子４０は、例えば、水晶基板からなる素子基板４１と、素子基板４１の蓋体２０側に配置された第１励振電極４２と、素子基板４１のベース１０側に配置された第２励振電極４３と、を備えている。

【0011】

第１励振電極４２や第２励振電極４３の構成材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、Ｔｉ（チタン）、タングステン（Ｗ）等の金属材料、これら金属材料を含む合金を用いることができる。

【0012】

ベース１０は、第１面１０ａと、第１面１０ａと表裏関係にある第２面１０ｂと、第１面１０ａから第２面１０ｂに貫通する貫通孔６３と、貫通孔６３の側面６３ａに配置された側面絶縁層３１（図４参照）と、を有する。ベース１０の第２面１０ｂの側には、貫通孔６３と平面視で重なる領域にパッド６４が配置されている。

【0013】

ベース１０は、例えば、半導体基板で構成されている。ベース１０における振動素子４０が配置された側と反対側には、振動素子４０を発振させる発振回路６０が形成されている。発振回路６０を備えることにより、振動デバイス１００を、水晶発振器として用いることができる。なお、発振回路６０を設けることなく、水晶振動子として用いるようにしてもよい。

【0014】

蓋体２０は、ベース１０の第１面１０ａの側に配置されている。蓋体２０は、例えば、シリコン基板で構成されており、キャビティーＳを形成するための凹部２１を有する箱状の容器である。接合層３０を介して、ベース１０と蓋体２０とを接合することにより、蓋体２０の凹部２１内に振動素子４０が収容される。即ち、振動素子４０は、ベース１０と蓋体２０とによって囲まれた空間に気密に封止される。気密に封止された空間を、キャビティーＳと称する。

【0015】

図２及び図３に示すように、接合層３０は、振動素子４０を囲む、ベース１０と蓋体２０とを接合する接合領域７０において、枠状に形成されている。接合層３０は、例えば、厚さが１００ｎｍ程度の金（Ａｕ）を用いて、表面活性化接合により接合されている。なお、金（Ａｕ）に限定されることなく、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）などを用いるようにしてもよい。また、これらの材料を用いることなく、シリコン基板同士を活性化させて接合するようにしてもよい。

【0016】

活性化接合は、アルゴンガスなどのエネルギービームを接合層３０に照射することにより、接合層３０の表面を活性化させた後に、ベース１０と蓋体２０とを接触させて接合を行う方法である。このような活性化接合によれば、金（Ａｕ）原子が接触面において拡散、再組織化を生じて接合が行われるため、接合界面のない強固な接合となる。また、接合層３０の表面を平滑にすることにより、接合層３０の表面の自由表面エネルギーのみで接合を行うことができるので、常温でかつ積極的な加圧をせずに接合を行うことができる。

【0017】

ベース１０の第１面１０ａには、マウント電極６１が設けられている。マウント電極６１は、導電性接合部材６２を介して、振動素子４０と電気的に接続されている。また、振動素子４０は、導電性接合部材６２によって接合されることにより、ベース１０の第１面１０ａに固定される。

【0018】

マウント電極６１は、例えば、貫通孔６３を介して発振回路６０と電気的に接続されている。発振回路６０は、発振回路６０の下面に配置された外部接続端子７１，７２，７３と電気的に接続されている。具体的には、外部接続端子７１，７２，７３は、発振回路６０と電気的に接続された電源外部端子、グランド外部端子、発振出力外部端子を含む。このように構成されることにより、発振回路６０は、電源外部端子を介して外部から供給された電源により駆動し、振動素子４０を発振させて発振信号を生成し、発振出力外部端子を介して外部へ発振信号を出力する。

【0019】

導電性接合部材６２としては、例えば、金バンプやはんだバンプなどの金属バンプや、導電性フィラーを分散させた樹脂接着剤などが挙げられる。

【0020】

発振回路６０は、例えば、図示しない複数のトランジスターなどの能動素子が配線により電気的に接続された回路である。発振回路６０は、例えば、振動素子４０を発振させてクロック信号等の基準信号の周波数を生成する。なお、発振回路６０に限定されることなく、振動素子４０の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路などであってもよい。

【0021】

次に、図４～図６を参照しながら、貫通孔６３及びマウント電極６１の構成について説明する。

【0022】

図４に示すように、ベース１０の上には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などからなる絶縁層６５が形成されている。ベース１０及び絶縁層６５には、上記したように、平面視でパッド６４と重なるように貫通孔６３が配置されている。

【0023】

貫通孔６３の側面６３ａには、側面絶縁層３１が配置されている。側面絶縁層３１は、例えば、樹脂などの有機絶縁層である。また、酸化シリコンなどであってもよい。なお、側面絶縁層３１に有機絶縁層を用いることにより、ベース１０の第１面１０ａ側の開口幅より、第２面１０ｂ側の開口幅の方が狭くなるように、側面絶縁層３１を形成することができる。

【0024】

このように、側面絶縁層３１が、第１面１０ａ側の開口幅の方が広いテーパー形状になっているので、後述する、側面絶縁層３１の上に配置される第１導電層３２及び第２導電層３３のカバレッジ性を向上させることが可能となり、導電層の電気的な抵抗を下げることができる。

【0025】

側面絶縁層３１の上、言い換えれば、側面絶縁層３１の表面には、パッド６４に亘って、第１導電層３２が形成されている。第１導電層３２は、例えば、ＴｉＷ（チタン・タングステン）／Ｃｕ（銅）からなる積層膜である。なお、Ｃｕ（銅）に代えて、例えば、Ｃｕ（銅）及びＡｌ（アルミニウム）の少なくとも一方を含むようにしてもよい。なお、第１導電層３２は、貫通孔６３から導電性接合部材６２と重なる領域に亘って形成されている。

【0026】

図４及び図５に示すように、第１導電層３２の上には、第１導電層３２の全体を覆うように、第２導電層３３が形成されている。第２導電層３３は、例えば、ＴｉＷ（チタン・タングステン）／Ａｕ（金）からなる積層膜である。

【0027】

このように、第１導電層３２にＣｕ（銅）、第２導電層３３にＡｕ（金）の材料を用いるので、電気的な抵抗を低くすることが可能となり、振動素子４０の振動特性が劣化することを抑えることができる。また、導電層を、第１導電層３２と第２導電層３３との２層構造にするので、振動素子４０とパッド６４とを電気的に接続する導電層３２，３３の抵抗を下げることができる。

【0028】

更に、第２導電層３３の下層にＣｕ（銅）などからなる第１導電層３２を形成するため、抵抗の低いＡｕ（金）のみで導電層を形成する場合と比較して、かかるコストを抑えることができる。

【0029】

また、図２、図４及び図６に示すように、第２導電層３３は、貫通孔６３に配置された第１導電層３２の上である第１部分３３Ａと、第１部分３３Ａに連続し、ベース１０の第１面１０ａにおいて振動素子４０とパッド６４とを電気的に接続する第２部分３３Ｂと、第１部分３３Ａ及び第２部分３３Ｂと離間する領域であって、平面視で振動素子４０を囲む形状である第３部分３３Ｃと、を有する。

【0030】

つまり、蓋体２０は、第３部分３３Ｃに配置された第２導電層３３と接合される。また、半導体基板であるベース１０の第１面１０ａに、第２導電層３３の第３部分３３Ｃが配置されている。また、第２導電層３３の第２部分３３Ｂと第１面１０ａとの間に、第１導電層３２が配置されている。

【0031】

このように、ベース１０と蓋体２０との接合用の導電層である第２導電層３３の第３部分３３Ｃが、他の導電層や絶縁層６５を介さずに直接半導体基板に配置されているので、第２導電層３３の平坦性を高めることが可能となり、ベース１０と蓋体２０との接合の信頼性を向上することができる。

【0032】

なお、ベース１０の表面の表面粗さは、算術平均粗さＲａでみると、例えば、０．３ｎｍである。また、ベース１０の上に、絶縁層６５や第１導電層３２がある場合、算術平均粗さＲａでみると、例えば、２ｎｍである。また、ベース１０の上に、第１導電層３２のみがある場合、算術平均粗さＲａでみると、例えば、１ｎｍである。

【0033】

以上のように、貫通孔６３の側面絶縁層３１の上に第１導電層３２が配置され、第１導電層３２の上に第２導電層３３が配置されるので、特に、貫通孔６３の側壁に配置された第１導電層３２及び第２導電層３３からなる電極の層厚が薄くなることを抑えることができる。よって、電極の電気的な抵抗が高くなることが抑えられ、振動素子４０の振動特性が劣化することを抑えることができる。

【0034】

次に、図７～図１１を参照しながら、振動デバイス１００の製造方法、特に、第１導電層３２及び第２導電層３３の製造方法について説明する。

【0035】

まず、図７に示す工程では、半導体基板からなるベース１０の上に、酸化シリコンなどからなる絶縁層６５を成膜する。ベース１０の厚みは、例えば、８０μｍ程度である。次に、絶縁層６５の上に、第１導電層３２を構成するＴｉＷ膜３２ａを、スパッタ法などを用いて成膜する。ＴｉＷ膜３２ａの厚みは、例えば、１５０ｎｍである。次に、ＴｉＷ膜３２ａの上に、第１導電層３２を構成するＣｕ膜３２ｂを、スパッタ法などを用いて成膜する。Ｃｕ膜３２ｂの厚みは、例えば、１５００ｎｍである。

【0036】

次に、図８に示す工程では、第１導電層３２をパターニングする。具体的には、貫通孔６３の底部及び側面６３ａ（図４参照）から、平面視で、導電性接合部材６２（図３、図４参照）と重なる領域の第１導電層３２を残し、その他の第１導電層３２を、例えば、エッチングして除去する。

【0037】

次に、図９に示す工程では、第２導電層３３を成膜する。具体的には、ベース１０の全体に、第２導電層３３を構成するＴｉＷ膜３３ａを、例えば、スパッタ法を用いて成膜する。ＴｉＷ膜３３ａの厚みは、例えば、５０ｎｍである。次に、ＴｉＷ膜３３ａの上に、第２導電層３３を構成するＡｕ膜３３ｂを、例えば、スパッタ法を用いて成膜する。Ａｕ膜３３ｂの厚みは、例えば、１００ｎｍである。

【0038】

次に、図１０に示す工程では、第２導電層３３を構成するＡｕ膜３３ｂをパターニングする。具体的には、第１導電層３２の全体を覆うＡｕ膜３３ｂと、接合領域７０のＡｕ膜３３ｂと、を残して、それ以外の領域のＡｕ膜３３ｂを、例えば、エッチングによって除去する。

【0039】

次に、図１１に示す工程では、第２導電層３３を構成するＴｉＷ膜３３ａをパターニングする。具体的には、Ａｕ膜３３ｂの形状と同様にパターニングする。即ち、不要の領域のＴｉＷ膜３３ａを、例えば、エッチングによって除去する。以上により、ベース１０の上に、第１導電層３２及び第２導電層３３を形成することができる。

【0040】

次に、図示はしないが、第２導電層３３の上に、導電性接合部材６２を形成し、導電性接合部材６２に振動素子４０を接合させる（図３、図４参照）。導電性接合部材６２は、例えば、直径が３０μｍであり、高さが１５μｍである、Ａｕバンプである。

【0041】

次に、図６に示すように、接合領域７０の第２導電層３３、即ち、第３部分３３Ｃを用いて、ベース１０と蓋体２０とを、上記した活性化接合により接合する。なお、図６に示すように、蓋体２０におけるベース１０側にも、第２導電層３３と同様の蓋体側接合層３４を形成するようにしてもよい。また、接合層３０は、第２導電層３３と蓋体側接合層３４とによって構成されている。

【0042】

以上述べたように、本実施形態の振動デバイス１００は、ベース１０と、蓋体２０と、振動素子４０と、を含み、ベース１０は、第１面１０ａと、第１面１０ａと表裏関係にある第２面１０ｂと、第１面１０ａから第２面１０ｂに貫通する貫通孔６３と、貫通孔６３の側面６３ａに配置された側面絶縁層３１と、を有し、蓋体２０は、ベース１０の第１面１０ａの側に配置され、ベース１０の第２面１０ｂの側において、貫通孔６３と平面視で重なる領域にパッド６４が配置された、振動デバイス１００であって、側面絶縁層３１の上からパッド６４の上に亘って配置された第１導電層３２と、第１導電層３２の材質と異なる第２導電層３３と、を備え、第２導電層３３は、貫通孔６３に配置された第１導電層３２の上である第１部分３３Ａと、第１部分３３Ａに連続し、ベース１０の第１面１０ａにおいて振動素子４０とパッド６４とを電気的に接続する第２部分３３Ｂと、第１部分３３Ａ及び第２部分３３Ｂと離間する領域であって、平面視で振動素子４０を囲む形状である第３部分３３Ｃと、に配置されている。

【0043】

この構成によれば、貫通孔６３の側面絶縁層３１の上に第１導電層３２が配置され、第１導電層３２の上に第２導電層３３が配置されるので、特に、貫通孔６３の側面６３ａに配置された第１導電層３２及び第２導電層３３からなる電極の層厚が薄くなることを抑えることができる。よって、電極の電気的な抵抗が高くなることが抑えられ、振動素子４０の振動特性が劣化することを抑えることができる。

【0044】

また、本実施形態の振動デバイス１００において、第３部分３３Ｃに配置された第２導電層３３が蓋体２０と接合され、ベース１０と蓋体２０とによって囲まれた空間に、振動素子４０が収容されることが好ましい。この構成によれば、第２導電層３３によってベース１０と蓋体２０とが接合されるので、ベース１０と蓋体２０とによって、振動素子４０を気密に封止することができる。

【0045】

また、本実施形態の振動デバイス１００において、ベース１０は、半導体基板を含み、半導体基板の第１面１０ａに、第２導電層３３の第３部分３３Ｃが配置されていることが好ましい。この構成によれば、ベース１０と蓋体２０との接合用の導電層である第２導電層３３の第３部分３３Ｃが、他の導電層を介さずに直接半導体基板に配置されているので、第２導電層３３の平坦性を高めることが可能となり、ベース１０と蓋体２０との接合の信頼性を向上することができる。

【0046】

また、本実施形態の振動デバイス１００において、第１導電層３２は、Ｃｕ及びＡｌのうち少なくとも一方を含むことが好ましい。この構成によれば、第１導電層３２に上記の材料を用いるので、例えば、抵抗の低いＡｕで全ての電極を形成する場合と比較して、かかるコストを抑えることができる。

【0047】

また、本実施形態の振動デバイス１００において、第２導電層３３は、Ａｕを含むことが好ましい。この構成によれば、第２導電層３３にＡｕを用いるので、電気的な抵抗を低くすることが可能となり、振動素子４０の振動特性が劣化することを抑えることができる。

【0048】

また、本実施形態の振動デバイス１００において、第１導電層３２は、Ｃｕ及びＡｌのうち少なくとも一方を含み、第２導電層３３は、Ａｕを含むことが好ましい。この構成によれば、第１導電層３２及び第２導電層３３に、上記のような電気的な抵抗の低い材料を用いるので、振動素子４０の振動特性が劣化することを抑えることができる。更に、第２導電層３３と第１導電層３２とを併用することにより、第２導電層３３のみで電極を形成する場合と比較して、かかるコストを抑えることができる。

【0049】

また、本実施形態の振動デバイス１００において、第２導電層３３の第２部分３３Ｂと第１面１０ａとの間に、第１導電層３２が配置されていることが好ましい。この構成によれば、第１導電層３２と第２導電層３３との２層構造にするので、ベース１０の第１面１０ａ上において、振動素子４０とパッド６４とを電気的に接続する配線の抵抗を下げることができる。

【0050】

また、本実施形態の振動デバイス１００において、側面絶縁層３１は、第１面１０ａ側の開口幅より、第２面１０ｂ側の開口幅の方が狭くなっているテーパー形状の樹脂であることが好ましい。この構成によれば、第１面１０ａ側の開口幅の方が広いテーパー形状になっているので、側面絶縁層３１の上に配置される第１導電層３２及び第２導電層３３のカバレッジ性を向上させることが可能となり、電極の電気的な抵抗を下げることができる。

【0051】

また、本実施形態の振動デバイス１００において、ベース１０には、振動素子４０を発振させる発振回路６０が配置されていることが好ましい。この構成によれば、発振回路６０が形成された発振器として用いることができる。

【0052】

以下、上記した実施形態の変形例を説明する。

【0053】

図６に示すように、接合領域７０のベース１０上に、第２導電層３３のみを形成することに限定されず、例えば、第２導電層３３の下に、第１導電層３２が残っていてもよい。

【符号の説明】

【0054】

１０…ベース、１０ａ…第１面、１０ｂ…第２面、２０…蓋体、２１…凹部、３０…接合層、３１…側面絶縁層、３２…第１導電層、３２ａ…ＴｉＷ膜、３２ｂ…Ｃｕ膜、３３…第２導電層、３３ａ…ＴｉＷ膜、３３Ａ…第１部分、３３ｂ…Ａｕ膜、３３Ｂ…第２部分、３３Ｃ…第３部分、３４…蓋体側接合層、４０…振動素子、４１…素子基板、４２…第１励振電極、４３…第２励振電極、６０…発振回路、６１…マウント電極、６２…導電性接合部材、６３…貫通孔、６３ａ…側面、６４…パッド、６５…絶縁層、７０…接合領域、７１，７２，７３…外部接続端子、１００…振動デバイス。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】