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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024006987
(43)【公開日】2024-01-17
(54)【発明の名称】温度制御システムを検査する方法
(51)【国際特許分類】
H05B 3/00 20060101AFI20240110BHJP
H01L 21/02 20060101ALI20240110BHJP
G05D 23/00 20060101ALN20240110BHJP
【ＦＩ】
H05B3/00 310C
H01L21/02 Z
G05D23/00 D
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023082210
(22)【出願日】2023-05-18
(31)【優先権主張番号】10-2022-0081484
(32)【優先日】2022-07-01
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】520236767
【氏名又は名称】サムス カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110001519
【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】リ チョンウ
(72)【発明者】
【氏名】チュ ヨンシク
【テーマコード（参考）】
3K058
5H323
【Ｆターム（参考）】
3K058AA84
3K058CA04
3K058CA33
3K058CB23
3K058CB32
3K058CB34
3K058CE24
3K058CE29
5H323AA01
5H323AA05
5H323BB18
5H323CB02
5H323DA03
5H323DB01
5H323JJ04
5H323SS05
5H323SS10
(57)【要約】
【課題】温度制御システムの検査方法を提供する。
【解決手段】温度制御システムの電流測定値に基づいて計測行列を生成する段階；計測行列に基づいて計測行列と同じ次元を有する変換行列を算出する段階；及び変換行列に基づいて計測行列と同じ次元を有する補助行列を算出する段階；及び補助行列と変換行列との差分演算に基づいて、複数のダイオードのうち、欠陥ダイオードを示す欠陥マトリックスを算出する段階；を含む方法である。
【選択図】図１
【解決手段】温度制御システムの電流測定値に基づいて計測行列を生成する段階；計測行列に基づいて計測行列と同じ次元を有する変換行列を算出する段階；及び変換行列に基づいて計測行列と同じ次元を有する補助行列を算出する段階；及び補助行列と変換行列との差分演算に基づいて、複数のダイオードのうち、欠陥ダイオードを示す欠陥マトリックスを算出する段階；を含む方法である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
マトリックス状に配列された複数のヒータ及び複数のダイオードを含む温度制御システムを検査する方法であって、前記方法は、
前記温度制御システムの電流測定値に基づいて計測行列を生成する段階と、
前記計測行列に基づいて前記計測行列と同じ次元を有する変換行列を算出する段階と、
前記変換行列に基づいて前記計測行列と同じ次元を有する補助行列を算出する段階と、
前記補助行列と前記変換行列との差分演算に基づいて、前記複数のダイオードのうち、欠陥ダイオードを示す欠陥マトリックスを算出する段階と、を含むが、
前記計測行列の成分それぞれ及び前記変換行列の成分それぞれは、前記複数のダイオードのうち、対応するものと連結された前記欠陥ダイオードの個数に依存することを特徴とする温度制御システムを検査する方法。
前記温度制御システムの電流測定値に基づいて計測行列を生成する段階と、
前記計測行列に基づいて前記計測行列と同じ次元を有する変換行列を算出する段階と、
前記変換行列に基づいて前記計測行列と同じ次元を有する補助行列を算出する段階と、
前記補助行列と前記変換行列との差分演算に基づいて、前記複数のダイオードのうち、欠陥ダイオードを示す欠陥マトリックスを算出する段階と、を含むが、
前記計測行列の成分それぞれ及び前記変換行列の成分それぞれは、前記複数のダイオードのうち、対応するものと連結された前記欠陥ダイオードの個数に依存することを特徴とする温度制御システムを検査する方法。
【請求項2】
前記欠陥マトリックス成分のうち、値が１であるものに対応する前記複数のダイオードを故障と決定する段階をさらに含む、請求項１に記載の温度制御システムを検査する方法。
【請求項3】
前記欠陥マトリックス成分のうち、値が０であるものに対応する前記複数のダイオードを正常と決定する段階をさらに含む、請求項１に記載の温度制御システムを検査する方法。
【請求項4】
前記欠陥マトリックス成分のうち、しきい値以下であるものに対応する前記複数のダイオードを正常と決定し、かつ前記欠陥マトリックスの前記成分のうち、しきい値以下であるものに対応する前記複数のダイオードを正常と決定する段階をさらに含む、請求項１に記載の温度制御システムを検査する方法。
【請求項5】
前記温度制御システムは、
前記複数のヒータそれぞれの第１電極に連結された複数のロウバスと、
前記複数のダイオードそれぞれのカソードに連結された複数のカラムバスと、
前記複数のロウバスに連結され、前記複数のロウバスを介した電力伝達を許容するか、遮断する複数のロウスイッチ素子と、
前記複数のカラムバスに連結され、前記複数のカラムバスを介した電力伝達を許容するか、遮断する複数のカラムスイッチ素子をさらに含み、
前記複数のヒータそれぞれの第２電極は、前記複数のダイオードのうち、いずれか１つのアノードに連結されることを特徴とする請求項１に記載の温度制御システムを検査する方法。
前記複数のヒータそれぞれの第１電極に連結された複数のロウバスと、
前記複数のダイオードそれぞれのカソードに連結された複数のカラムバスと、
前記複数のロウバスに連結され、前記複数のロウバスを介した電力伝達を許容するか、遮断する複数のロウスイッチ素子と、
前記複数のカラムバスに連結され、前記複数のカラムバスを介した電力伝達を許容するか、遮断する複数のカラムスイッチ素子をさらに含み、
前記複数のヒータそれぞれの第２電極は、前記複数のダイオードのうち、いずれか１つのアノードに連結されることを特徴とする請求項１に記載の温度制御システムを検査する方法。
【請求項6】
前記変換行列の前記成分は、前記複数のカラムバスにそれぞれ接続された前記複数のダイオードのうち、前記変換行列の前記成分にそれぞれ対応する前記欠陥ダイオードの個数と同一であることを特徴とする請求項５に記載の温度制御システムを検査する方法。
【請求項7】
前記計測行列の前記成分それぞれは、前記複数のロウスイッチのうち、いずれか１つをターンオンさせ、前記複数のカラムスイッチのうち、いずれか１つをターンオフにした後、前記複数のカラムバスを介して出力される電流の測定値の和に基づいて決定されることを特徴とする請求項６に記載の温度制御システムを検査する方法。
【請求項8】
前記計測行列の前記成分それぞれは、前記複数のロウスイッチのうち、いずれか１つのみをターンオンさせ、前記複数のカラムスイッチのうち、いずれか１つのみをターンオフにした後、前記複数のカラムバスを介して出力される電流の測定値の和に基づいて決定されることを特徴とする請求項６に記載の温度制御システムを検査する方法。
【請求項9】
前記計測行列の前記成分それぞれは、前記複数のロウスイッチのうち、いずれか１つのみをターンオンさせ、前記複数のカラムスイッチのうち、いずれか１つのみをターンオフにした後、前記複数のロウバスを介して入力される電流の測定値の和に基づいて決定されることを特徴とする請求項６に記載の温度制御システムを検査する方法。
【請求項10】
前記補助行列の成分それぞれは、前記変換行列の同じカラムに含まれた成分のうち、最大値と同一であることを特徴とする請求項１に記載の温度制御システムを検査する方法。
【請求項11】
複数のロウバス、前記複数のロウバスに連結された複数のロウスイッチ素子、複数のカラムバス、前記複数のカラムバスに連結された複数のカラムスイッチ素子、前記複数のロウバスに連結された複数のヒータ、前記複数のヒータそれぞれに連結され、かつ前記複数のカラムバスに連結された複数のヒータを含む温度制御システムを検査する方法であって、前記方法は、
前記複数のロウスイッチ素子のうち、選択された１つをターンオンさせ、前記複数のカラムスイッチ素子のうち、選択された１つをターンオフにした後、前記複数のカラムバスを介して出力される電流をセンシングすることで、計測行列を決定する段階と、
前記計測行列に基づいて、変換行列を算出する段階と、
前記変換行列に基づいて、補助行列を算出する段階と、
前記補助行列及び前記変換行列に基づいて前記複数のダイオードのうち、欠陥のあるダイオードを示す欠陥マトリックスを算出する段階と、を含むが、
前記変換行列は、下記式によって決定され、
ここで、Ｔｉｊは、変換行列の（ｉ，ｊ）成分であり、Ｋｉｊは、計測行列の行列の（ｉ，ｊ）成分であり、前記αは、前記複数のカラムバスの数及び前記複数のロウバスの数に基づいて決定されることを特徴とする温度制御システムを検査する方法。
前記複数のロウスイッチ素子のうち、選択された１つをターンオンさせ、前記複数のカラムスイッチ素子のうち、選択された１つをターンオフにした後、前記複数のカラムバスを介して出力される電流をセンシングすることで、計測行列を決定する段階と、
前記計測行列に基づいて、変換行列を算出する段階と、
前記変換行列に基づいて、補助行列を算出する段階と、
前記補助行列及び前記変換行列に基づいて前記複数のダイオードのうち、欠陥のあるダイオードを示す欠陥マトリックスを算出する段階と、を含むが、
前記変換行列は、下記式によって決定され、
ここで、Ｔｉｊは、変換行列の（ｉ，ｊ）成分であり、Ｋｉｊは、計測行列の行列の（ｉ，ｊ）成分であり、前記αは、前記複数のカラムバスの数及び前記複数のロウバスの数に基づいて決定されることを特徴とする温度制御システムを検査する方法。
【請求項12】
前記αは、下記式によって決定され、
ここで、Ｎは、前記複数のカラムバスの数及び前記複数のロウバスの数であることを特徴とする請求項１１に記載の温度制御システムを検査する方法。
ここで、Ｎは、前記複数のカラムバスの数及び前記複数のロウバスの数であることを特徴とする請求項１１に記載の温度制御システムを検査する方法。
【請求項13】
前記欠陥マトリックスは、前記補助行列と前記変換行列との差分演算に基づいて算出されることを特徴とする請求項１１に記載の温度制御システムを検査する方法。
【請求項14】
０の値を有する前記欠陥マトリックス成分に対応する前記複数のダイオードを故障と決定する段階をさらに含む、請求項１１に記載の温度制御システムを検査する方法。
【請求項15】
０ではない値を有する前記欠陥マトリックス成分に対応する前記複数のダイオードを正常と決定する段階をさらに含む、請求項１１に記載の温度制御システムを検査する方法。
【請求項16】
しきい値以上の値を有する前記欠陥マトリックス成分に対応する前記複数のダイオードを故障と決定し、しきい値未満の値を有する前記欠陥マトリックス成分に対応する前記複数のダイオードを正常と決定する段階をさらに含む、請求項１１に記載の温度制御システムを検査する方法。
【請求項17】
複数のロウバス、前記複数のロウバスに連結された複数のロウスイッチ素子、複数のカラムバス、前記複数のカラムバスに連結された複数のカラムスイッチ素子、前記複数のロウバスに連結された複数のヒータ、前記複数のヒータそれぞれに連結され、かつ前記複数のカラムバスに連結された複数のヒータを含む温度制御システムを検査する方法であって、前記方法は、
前記複数のカラムバスにそれぞれ接続された前記複数のダイオードのうち、前記変換行列の前記成分にそれぞれ対応する前記欠陥ダイオードの個数と同じ変換行列を算出する段階と、
前記変換行列に基づいて、補助行列を算出する段階と、
前記補助行列及び前記変換行列の間の演算に基づいて前記複数のダイオードのうち、欠陥のあるダイオードを示す欠陥マトリックスを算出する段階と、を含むが、
前記補助行列の成分それぞれは、前記変換行列の同じカラムに含まれた成分のうち、最大値と同一であることを特徴とする温度制御システムを検査する方法。
前記複数のカラムバスにそれぞれ接続された前記複数のダイオードのうち、前記変換行列の前記成分にそれぞれ対応する前記欠陥ダイオードの個数と同じ変換行列を算出する段階と、
前記変換行列に基づいて、補助行列を算出する段階と、
前記補助行列及び前記変換行列の間の演算に基づいて前記複数のダイオードのうち、欠陥のあるダイオードを示す欠陥マトリックスを算出する段階と、を含むが、
前記補助行列の成分それぞれは、前記変換行列の同じカラムに含まれた成分のうち、最大値と同一であることを特徴とする温度制御システムを検査する方法。
【請求項18】
前記欠陥マトリックスは、前記補助行列と前記計測行列との差分演算に基づいて算出されることを特徴とする請求項１７に記載の温度制御システムを検査する方法。
【請求項19】
前記欠陥マトリックス成分のうち、値が１であるものに対応する前記複数のダイオードを故障と決定し、前記欠陥マトリックス成分のうち、値が０であるものに対応する前記複数のダイオードを正常と決定する段階をさらに含む、請求項１７に記載の温度制御システムを検査する方法。
【請求項20】
前記欠陥マトリックス成分のうち、しきい値以下であるものに対応する前記複数のダイオードを正常と決定し、かつ前記欠陥マトリックスの前記成分のうち、しきい値以下であるものに対応する前記複数のダイオードを正常と決定する段階をさらに含む、請求項１７に記載の温度制御システムを検査する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、温度制御システムを検査する方法に係り、さらに具体的に、マトリックス状に配置された複数のヒータを含む温度制御システムを検査する方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体素子の製造工程は、高度に統制されたパラメータ（例えば、温度、気圧及び雰囲気）下で遂行される。これにより、半導体素子の製造工程が遂行される工程チャンバは、前記パラメータを調節するための多様な要素を含む。
【0003】
パラメータを調節するための一要素は、複数のヒータ及び複数のダイオードがマトリックス状に配列された温度制御システムである。複数のダイオードの欠陥は、所望しないヒータの駆動を引き起こし、これは、温度制御システムの動作信頼性を低下させる。
【0004】
これにより、温度制御システムに含まれた複数のダイオードの欠陥、及び欠陥のあるダイオードを識別するための方法が要求される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明が解決しようとする課題は、温度制御システムに含まれた複数のダイオードの欠陥、及び欠陥のあるダイオードを識別するための温度制御システムを検査する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
技術的課題を達成するための例示的な実施形態によれば、マトリックス状に配列された複数のヒータ及び複数のダイオードを含む温度制御システムを検査する方法であって、前記方法は、前記温度制御システムの電流測定値に基づいて計測行列を生成する段階；前記計測行列に基づいて前記計測行列と同じ次元を有する変換行列を算出する段階；前記変換行列に基づいて前記計測行列と同じ次元を有する補助行列を算出する段階；及び、前記補助行列と前記変換行列との差分演算に基づいて、前記複数のダイオードのうち、欠陥ダイオードを示す欠陥マトリックスを算出する段階；を含むが、前記計測行列の成分それぞれ及び前記変換行列の成分それぞれは、前記複数のダイオードのうち、対応するものと連結された前記欠陥ダイオードの個数に依存する。
【0007】
例示的な実施形態によれば、複数のロウバス、前記複数のロウバスに連結された複数のロウスイッチ素子、複数のカラムバス、前記複数のカラムバスに連結された複数のカラムスイッチ素子、前記複数のロウバスに連結された複数のヒータ、前記複数のヒータそれぞれに連結され、かつ前記複数のカラムバスに連結された複数のヒータを含む温度制御システムを検査する方法が提供される。前記方法は、前記複数のロウスイッチ素子のうち、選択された１つをターンオンさせ、前記複数のカラムスイッチ素子のうち、選択された１つをターンオフにした後、前記複数のカラムバスを介して出力される電流をセンシングすることで、計測行列を決定する段階；前記計測行列に基づいて、変換行列を算出する段階；及び前記変換行列に基づいて、補助行列を算出する段階；及び、前記補助行列及び前記変換行列に基づいて前記複数のダイオードのうち、欠陥のあるダイオードを示す欠陥マトリックスを算出する段階；を含むが、前記変換行列は、下記の式によって決定され、
【0008】
【0009】
ここで、Ｔｉｊは、変換行列の（ｉ，ｊ）成分であり、Ｋｉｊは、計測行列の行列の（ｉ，ｊ）成分であり、前記αは、前記複数のカラムバスの数及び前記複数のロウバスの数に基づいて決定される。
【0010】
例示的な実施形態によれば、複数のロウバス、前記複数のロウバスに連結された複数のロウスイッチ素子、複数のカラムバス、前記複数のカラムバスに連結された複数のカラムスイッチ素子、前記複数のロウバスに連結された複数のヒータ、前記複数のヒータそれぞれに連結され、かつ前記複数のカラムバスに連結された複数のヒータを含む温度制御システムを検査する方法が提供される。前記方法は、前記複数のカラムバスにおいて、前記複数のダイオードのうち、前記変換行列の前記成分それぞれに対応するダイオードが連結された変換行列の成分に連結された前記欠陥ダイオードの個数と同じ変換行列を算出する段階；前記変換行列に基づいて、補助行列を算出する段階；及び前記補助行列及び前記変換行列の間の演算に基づいて前記複数のダイオードのうち、欠陥のあるダイオードを示す欠陥マトリックスを算出する段階；を含むが、前記補助行列の成分それぞれは、前記変換行列の同じカラムに含まれた成分のうち、最大値と同一である。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】例示的な実施形態による温度制御システムの検査方法を説明するためのフローチャートである。
【図2A】例示的な実施形態による温度制御システムを示す図面である。
【図2B】例示的な実施形態による温度制御システムを示す図面である。
【図2C】例示的な実施形態による温度制御システムを示す図面である。
【図2D】例示的な実施形態による温度制御システムを示す図面である。
【図3】例示的な実施形態による温度制御システムの検査方法を説明するためのフローチャートである。
【図4】例示的な実施形態による温度制御システムを示す図面である。
【図5】他の例示的な実施形態による温度制御システムの検査方法を説明するためのフローチャートである。
【図6A】例示的な実施形態による温度制御システムを示す図面である。
【図6B】例示的な実施形態による温度制御システムを示す図面である。
【図6C】例示的な実施形態による温度制御システムを示す図面である。
【図6D】例示的な実施形態による温度制御システムを示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。図面上の同じ構成要素については、同じ参照符号を付し、これらについての重複説明は省略する。
【0013】
図１は、例示的な実施形態による温度制御システム１００の検査方法を説明するためのフローチャートである。さらに具体的に、図１は、温度制御システム１００の第１ないし第１６ダイオード（Ｄ１１、Ｄ１２、Ｄ１３、Ｄ１４、Ｄ２１、Ｄ２２、Ｄ２３、Ｄ２４、Ｄ３１、Ｄ３２、Ｄ３３、Ｄ３４、Ｄ４１、Ｄ４２、Ｄ４３、Ｄ４４、以下Ｄ１１～Ｄ４４）の故障検出方法を説明するためのフローチャートである。
【0014】
【0015】
図１及び図２を参照すれば、温度制御システム１００は、電源１１０、第１ないし第４ロウバスＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、第１ないし第４ロウスイッチ素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄ、第１ないし第１６ヒータＲ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、以下、Ｒ１１～Ｒ４４、第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４、第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、第１ないし第４電流計Ｓｃ１、Ｓｃ２、Ｓｃ３、Ｓｃ４及び第１ないし第４カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４を含む。
【0016】
温度制御システム１００は、例えば、プラズマチャンバのような半導体素子製造設備内部の温度を制御するように構成されうる。図２Ａないし図２Ｄの概路図において、ドットは、電気的経路間のジャンクションを示す。したがって、ドットで表示されていない電気経路間の単純クロッシングは、ジャンクションを構成しない。
【0017】
電源１１０は、例えば、電圧ソースでもある。電源１１０は、第１ないし第４ロウバスＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４の入力ノードｎａ、ｎｂ、ｎｃ、ｎｄと第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４の出力ノードｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４との電位差を供給電圧ＶＳに保持する。
【0018】
例えば、入力ノードｎａ、ｎｂ、ｎｃ、ｎｄそれぞれと出力ノードｎ１との電位差は、供給電圧ＶＳでもあり、入力ノードｎａ、ｎｂ、ｎｃ、ｎｄそれぞれと出力ノードｎ２との電位差は、供給電圧ＶＳでもあり、入力ノードｎａ、ｎｂ、ｎｃ、ｎｄそれぞれと出力ノードｎ３との電位差は、供給電圧ＶＳでもあり、入力ノードｎａ、ｎｂ、ｎｃ、ｎｄそれぞれと出力ノードｎ４との電位差は、供給電圧ＶＳでもある。
【0019】
第１ないし第４ロウバスＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４及び第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４は、第１ないし第１６ヒータＲ１１～Ｒ４４に電源１１０によって生成された電力を供給するための経路を提供する。第１ないし第４ロウバスＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４の入力ノードｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４は、電源１１０の第１電極（例えば、正の電極）に連結されうる。第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４の出力ノードｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４は、電源１１０の第２電極（例えば、負の電極）に連結されうる。第１ないし第４ロウバスＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４及び第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４は、例えば、ワイヤのような導電体を含む。
【0020】
第１ロウスイッチ素子Ｓａは、第１ロウバスＸ１に連結され、第２ロウスイッチ素子Ｓｂは、第２ロウバスＸ２に連結され、第３ロウスイッチ素子Ｓｃは、第３ロウバスＸ３に連結され、第４ロウスイッチ素子Ｓｄは、第４ロウバスＸ４に連結されうる。
【0021】
第１ロウスイッチ素子Ｓａは、第１ロウバスＸ１を介した電力伝達を許容するか、遮断し、第２ロウスイッチ素子Ｓｂは、第２ロウバスＸ２を介した電力伝達を許容するか、遮断し、第３ロウスイッチ素子Ｓｃは、第３ロウバスＸ３を介した電力伝達を許容するか、遮断し、第４ロウスイッチ素子Ｓｄは、第４ロウバスＸ４を介した電力伝達を許容するか、遮断することができる。
【0022】
第１ヒータＲ１１は、第１ダイオードＤ１１と直列に連結されうる。第２ヒータＲ１２は、第２ダイオードＤ１２と直列に連結されうる。第３ヒータＲ１３は、第３ダイオードＤ１３と直列に連結されうる。第４ヒータＲ１４は、第４ダイオードＤ１４と直列に連結されうる。第５ヒータＲ２１は、第５ダイオードＤ２１と直列に連結されうる。第６ヒータＲ２２は、第６ダイオードＤ２２と直列に連結されうる。第７ヒータＲ２３は、第７ダイオードＤ２３と直列に連結されうる。第８ヒータＲ２４は、第８ダイオードＤ２４と直列に連結されうる。第９ヒータＲ３１は、第９ダイオードＤ３１と直列に連結されうる。第１０ヒータＲ３２は、第１０ダイオードＤ３２と直列に連結されうる。第１１ヒータＲ３３は、第１１ダイオードＤ３３と直列に連結されうる。第１２ヒータＲ３４は、第１２ダイオードＤ３４と直列に連結されうる。第１３ヒータＲ４１は、第１３ダイオードＤ４１と直列に連結されうる。第１４ヒータＲ４２は、第１４ダイオードＤ４２と直列に連結されうる。第１５ヒータＲ４３は、第１５ダイオードＤ４３と直列に連結されうる。第１６ヒータＲ４４は、第１６ダイオードＤ４４と直列に連結されうる。
【0023】
第１ないし第１６ヒータＲ１１～Ｒ４４及び第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４は、マトリックス状に配列されうる。これにより、第１ないし第４ロウバスＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４のうち、１つを選択し、かつ第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４のうち、１つを選択することで、第１ないし第１６ヒータＲ１１～Ｒ４４のうち、１つ及び第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４がアクセスされうる。例えば、第３ロウバスＸ３及び第２カラムバスＹ２を選択することで、第１１ヒータＲ３２及び第１１ダイオードＤ３２がアクセスされうる。
【0024】
第１ないし第４ヒータＲ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４それぞれの第１電極は、第１ロウバスＸ１に連結されうる。第５ないし第８ヒータＲ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４それぞれの第１電極は、第２ロウバスＸ２に連結されうる。第９ないし第１２ヒータＲ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４それぞれの第１電極は、第３ロウバスＸ３に連結されうる。第１３ないし第１６ヒータＲ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４それぞれの第１電極は、第４ロウバスＸ４に連結されうる。
【0025】
第１ダイオードＤ１１のアノードは、第１ヒータＲ１１の第２電極に連結され、第１ダイオードＤ１１のカソードは、第１カラムバスＹ１に連結されうる。第２ダイオードＤ１２のアノードは、第２ヒータＲ１２の第２電極に連結され、第２ダイオードＤ１２のカソードは、第２カラムバスＹ２に連結されうる。第３ダイオードＤ１３のアノードは、第３ヒータＲ１３の第２電極に連結され、第３ダイオードＤ１３のカソードは、第３カラムバスＹ３に連結されうる。第４ダイオードＤ１４のアノードは、第４ヒータＲ１４の第２電極に連結され、第４ダイオードＤ１４のカソードは、第４カラムバスＹ１に連結されうる。
【0026】
第５ダイオードＤ２１のアノードは、第５ヒータＲ２１の第２電極に連結され、第５ダイオードＤ２１のカソードは、第１カラムバスＹ１に連結されうる。第６ダイオードＤ２２のアノードは、第６ヒータＲ２２の第２電極に連結され、第６ダイオードＤ２２のカソードは、第２カラムバスＹ２に連結されうる。第７ダイオードＤ２３のアノードは、第７ヒータＲ２３の第２電極に連結され、第７ダイオードＤ２３のカソードは、第３カラムバスＹ３に連結されうる。第８ダイオードＤ２４のアノードは、第８ヒータＲ２４の第２電極に連結され、第８ダイオードＤ２４のカソードは、第４カラムバスＹ４に連結されうる。
【0027】
第９ダイオードＤ３１のアノードは、第９ヒータＲ３１の第２電極に連結され、第９ダイオードＤ３１のカソードは、第１カラムバスＹ１に連結されうる。第１０ダイオードＤ３２のアノードは、第１０ヒータＲ３２の第２電極に連結され、第１０ダイオードＤ３２のカソードは、第２カラムバスＹ２に連結されうる。第１１ダイオードＤ３３のアノードは、第１１ヒータＲ３３の第２電極に連結され、第１１ダイオードＤ３３のカソードは、第３カラムバスＹ３に連結されうる。第１２ダイオードＤ３４のアノードは、第１２ヒータＲ３４の第２電極に連結され、第１２ダイオードＤ３４のカソードは、第４カラムバスＹ４に連結されうる。
【0028】
第１３ダイオードＤ４１のアノードは、第１３ヒータＲ４１の第２電極に連結され、第１３ダイオードＤ４１のカソードは、第１カラムバスＹ１に連結されうる。第１４ダイオードＤ４２のアノードは、第１４ヒータＲ４２の第２電極に連結され、第１４ダイオードＤ４２のカソードは、第２カラムバスＹ２に連結されうる。第１５ダイオードＤ４３のアノードは、第１５ヒータＲ４３の第２電極に連結され、第１５ダイオードＤ４３のカソードは、第３カラムバスＹ３に連結されうる。第１６ダイオードＤ４４のアノードは、第１６ヒータＲ４４の第２電極に連結され、第１６ダイオードＤ４４のカソードは、第４カラムバスＹ４に連結されうる。
【0029】
第１ないし第１６ヒータＲ１１～Ｒ４４それぞれは、供給電圧ＶＳに基づいて熱を生成することができる。第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４それぞれは、正常（Ｎｏｒｍａｌ）状態で第１ないし第１６ヒータＲ１１～Ｒ４４を通過する電流方向を制限することができる。第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４は、それぞれのアノードからそれぞれのカソードへの電流を許容するが、それぞれのカソードからそれぞれのアノードへの電流を遮断することができる。第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４それぞれは、第１ないし第４ロウバスＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４の入力ノードｎａ、ｎｂ、ｎｃ、ｎｄから第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４を介した第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４の出力ノードｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４への電流を許容することができる。第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４それぞれは、第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４の出力ノードｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４から第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４を介した第１ないし第４ロウバスＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４の入力ノードｎａ、ｎｂ、ｎｃ、ｎｄへの電流を遮断することができる。
【0030】
第１カラムスイッチ素子Ｓ１は、第１カラムバスＹ１に連結され、第２カラムスイッチ素子Ｓ２は、第２カラムバスＹ２に連結され、第３カラムスイッチ素子Ｓ３は、第３カラムバスＹ３に連結され、第４カラムスイッチ素子Ｓ４は、第４カラムバスＹ４に連結されうる。
【0031】
第１カラムスイッチ素子Ｓ１は、第１カラムバスＹ１を介した電力伝達を許容するか、遮断し、第２カラムスイッチ素子Ｓ２は、第２カラムバスＹ２を介した電力伝達を許容するか、遮断し、第３カラムスイッチ素子Ｓ３は、第３カラムバスＹ３を介した電力伝達を許容するか、遮断し、第４カラムスイッチ素子Ｓ４は、第４カラムバスＹ４を介した電力伝達を許容するか、遮断する。
【0032】
一例として、第１ないし第４ロウスイッチ素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄ及び第１ないし第４カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４それぞれはリレーを含む。他の例として、第１ないし第４ロウスイッチ素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄ及び第１ないし第４カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４それぞれは、カップリングされた１つ以上のトランジスタを含む。
【0033】
第１電流計Ｓｃ１は、第１カラムバスＹ１を介して出力される電流をセンシングするように構成され、第２電流計Ｓｃ２は、第２カラムバスＹ２を介して出力される電流をセンシングするように構成され、第３電流計Ｓｃ３は、第３カラムバスＹ３を介して出力される電流をセンシングするように構成され、第４電流計Ｓｃ４は、第４カラムバスＹ４を介して出力される電流をセンシングするように構成されうる。
【0034】
以下、第４、第６、第７、第９、第１３、第１５及び第１６ダイオードＤ１４、Ｄ２２、Ｄ２３、Ｄ３１、Ｄ３４、Ｄ４３、Ｄ４４が欠陥である例示を参照し、温度制御システム１００の検査方法（すなわち、第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４のうち、欠陥のあるものを識別する方法）について詳細に説明する。
【0035】
欠陥のある第４、第６、第７、第９、第１３、第１５及び第１６ダイオードＤ１４、Ｄ２２、Ｄ２３、Ｄ３１、Ｄ３４、Ｄ４３、Ｄ４４は、逆方向電流を許容する。図２Ａないし図２Ｄにおいて、欠陥のある第４、第６、第７、第９、第１３、第１５及び第１６ダイオードＤ１４、Ｄ２２、Ｄ２３、Ｄ３１、Ｄ３４、Ｄ４３、Ｄ４４は、破線の円（ｄａｓｈｅｄ ｃｉｒｃｌｅ）で表示される。
【0036】
図１及び図２Ａないし図２Ｄを参照すれば、Ｐ１０において、複数のロウスイッチ素子（例えば、第１ないし第４ロウスイッチ素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄ）のうち、選択された１つをターンオンさせ、複数のロウスイッチ素子、例えば、第１ないし第４ロウスイッチ素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄのうち、他のものをターンオフさせ、複数のカラムスイッチ素子（例えば、第１ないし第４カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）のうち、選択された１つをターンオフさせ、複数のカラムスイッチ素子（例えば、第１ないし第４カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）のうち、他のものをターンオンさせた後、第１ないし第４電流計Ｓｃ１、Ｓｃ２、Ｓｃ３、Ｓｃ４を用いて第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４を介して出力される電流をセンシングすることで、計測行列Ｋを決定することができる。
【0037】
この際、第１ないし第４ロウスイッチ素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄのうち、選択されたもの（すなわち、ターンオンされたもの）の序数をｉと定義し、第１ないし第４カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４のうち、選択されたもの（すなわち、ターンオフされたもの）の序数をｊと定義するとき、第１ないし第４電流計Ｓｃ１、Ｓｃ２、Ｓｃ３、Ｓｃ４の計測値から下記式１のように計測行列Ｋを生成することができる。
【0038】
【数1】
【0039】
ここで、Ｋｉｊは、計測行列Ｋのｉ行ｊ列成分（Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）であって、Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４によって決定される。Ｉ１は、第１電流計Ｓｃ１の測定値（Ｒｅａｄｉｎｇｓ）であり、Ｉ２は、第２電流計Ｓｃ２の測定値であり、Ｉ３は、第３電流計Ｓｃ３の測定値であり、Ｉ４は、第４電流計Ｓｃ４の測定値であり、｜ＶＳ｜は、供給電圧ＶＳの大きさであり、Ｒは、第１ないし第１６ヒータＲ１１～Ｒ４４それぞれの抵抗値である。後述するように、マトリックスの大きさによって決定されるものであって、マトリックスの行の数及び列の数より１ほど小さい値を有する。
【0040】
例えば、図２Ａのように、第１ロウスイッチ素子Ｓａがターンオンされ、第２ないし第４ロウスイッチ素子Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄがターンオフされ、第１カラムスイッチ素子Ｓ１がターンオフされ、第２ないし第４カラムスイッチ素子Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４がターンオンされた場合、第１ないし第４電流計Ｓｃ１、Ｓｃ２、Ｓｃ３、Ｓｃ４を用いて第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４を介して流れる電流の値をセンシングすることで、Ｋ１１を決定する。
【0041】
その場合、第１カラムスイッチ素子Ｓ１がターンオフされたので、Ｉ１値は、０である。第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４がいずれも正常である場合、Ｉ２ないしＩ４それぞれの値は
【0042】
【0043】
なので、Ｋ１１の値は、０である。しかし、本例示において、第４、第６、第７、第９、第１３、第１５及び第１６ダイオードＤ１４、Ｄ２２、Ｄ２３、Ｄ３１、Ｄ３４、Ｄ４３、Ｄ４４が故障しているので、第１ダイオードＤ１１を通過し、第９ダイオードＤ３１を逆方向に通過し、第１０ないし第１２ダイオードＤ３２、Ｄ３３、Ｄ３４のうち、いずれか１つを通過する迂回路が形成されうる。
【0044】
これにより、Ｋ１１の値は、下記の通りである。
【0045】
【数2】
【0046】
他の例として、図２Ｂのように、第１ロウスイッチ素子Ｓａがターンオンされ、第２ないし第４ロウスイッチ素子Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄがターンオフされ、第２カラムスイッチ素子Ｓ２がターンオフされ、第１、第３及び第４カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ３、Ｓ４がターンオンされた場合、第１ないし第４電流計Ｓｃ１、Ｓｃ２、Ｓｃ３、Ｓｃ４を用いて第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４を介して流れる電流の値をセンシングすることで、Ｋ１２を決定する。
【0047】
その場合、第２カラムスイッチ素子Ｓ２がターンオフされたので、Ｉ２値は、０である。第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４がいずれも正常である場合、Ｉ１、Ｉ３及びＩ４それぞれの値は、
【0048】
【0049】
なので、Ｋ１２の値は、０である。しかし、本例示において、第４、第６、第７、第９、第１３、第１５及び第１６ダイオードＤ１４、Ｄ２２、Ｄ２３、Ｄ３１、Ｄ３４、Ｄ４３、Ｄ４４が故障しているので、第２ダイオードＤ１２を通過し、第６ダイオードＤ２２を逆方向に通過し、第５、第７及び第８ダイオードＤ２１、Ｄ２３、Ｄ２４のうち、いずれか１つを通過する迂回路が形成されうる。
【0050】
これにより、Ｋ１２の値は、下記の通りである。
【0051】
【数3】
【0052】
他の例として、図２Ｃのように、第１ロウスイッチ素子Ｓａがターンオンされ、第２ないし第４ロウスイッチ素子Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄがターンオフされ、第３カラムスイッチ素子Ｓ３がターンオフされ、第１、第２及び第４カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ４がターンオンされた場合、第１ないし第４電流計Ｓｃ１、Ｓｃ２、Ｓｃ３、Ｓｃ４を用いて第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４を介して流れる電流の値をセンシングすることで、Ｋ１３を決定する。
【0053】
その場合、第３カラムスイッチ素子Ｓ３がターンオフされたので、Ｉ３値は、０である。第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４がいずれも正常である場合、Ｉ１、Ｉ２及びＩ４それぞれの値は、
【0054】
【0055】
なので、Ｋ１３の値は、０である。しかし、本例示において、第４、第６、第７、第９、第１３、第１５及び第１６ダイオードＤ１４、Ｄ２２、Ｄ２３、Ｄ３１、Ｄ３４、Ｄ４３、Ｄ４４が故障しているので、第３ダイオードＤ１３を通過し、第７ダイオードＤ２３を逆方向に通過し、第５、第６及び第８ダイオードＤ２１、Ｄ２２、Ｄ２４のうち、いずれか１つを通過する第１迂回路、及び第３ダイオードＤ１３を通過し、第１５ダイオードＤ４３を逆方向に通過し、第１３、第１４及び第１６ダイオードＤ４１、Ｄ４２、Ｄ４４のうち、いずれか１つを通過する第２迂回路が形成されうる。
【0056】
これにより、Ｋ１３の値は、下記の通りである。
【0057】
【数4】
【0058】
他の例として、図２Ｄのように、第１ロウスイッチ素子Ｓａがターンオンされ、第２ないし第４ロウスイッチ素子Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄがターンオフされ、第４カラムスイッチ素子Ｓ４がターンオフされ、第１ないし第３カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３がターンオンされた場合、第１ないし第４電流計Ｓｃ１、Ｓｃ２、Ｓｃ３、Ｓｃ４を用いて第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４を介して流れる電流の値をセンシングすることで、Ｋ１４を決定する。
【0059】
その場合、第４カラムスイッチ素子Ｓ４がターンオフされたので、Ｉ４の値は、０である。第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４がいずれも正常である場合、Ｉ１、Ｉ２及びＩ３それぞれの値は、
【0060】
【0061】
なので、Ｋ１４の値は、０である。しかし、本例示において、第４、第６、第７、第９、第１３、第１５及び第１６ダイオードＤ１４、Ｄ２２、Ｄ２３、Ｄ３１、Ｄ３４、Ｄ４３、Ｄ４４が故障しているので、第４ダイオードＤ１４を通過し、第１２ダイオードＤ３４を逆方向に通過し、第９、第１０及び第１１ダイオードＤ３１、Ｄ３２、Ｄ３３のうち、いずれか１つを通過する第１迂回路、及び第４ダイオードＤ１４を通過し、第１６ダイオードＤ４４を逆方向に通過し、第１３、第１４及び第１５ダイオードＤ４１、Ｄ４２、Ｄ４３のうち、いずれか１つを通過する第２迂回路が形成されうる。
【0062】
これにより、Ｋ１４の値は、下記の通りである。
【0063】
【数5】
【0064】
上述したところと同様の方式で計測行列Ｋの残りの成分を決定する。
【0065】
さらに具体的に、第２ロウスイッチ素子Ｓｂをターンオンさせ、第１、第３及び第４ロウスイッチ素子Ｓａ、Ｓｃ、Ｓｄをターンオフさせ、第１ないし第４カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４のうち、いずれか１つのみを順にターンオンさせた後、第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４を介して出力される電流の和を算出することで、計測行列Ｋの第２ロウの成分を決定する。
【0066】
また、第３ロウスイッチ素子Ｓｃをターンオンさせ、第１、第２及び第４ロウスイッチ素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｄをターンオフさせ、第１ないし第４カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４のうち、いずれか１つのみを順にターンオンさせた後、第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４を介して出力される電流の和を算出することで、計測行列Ｋの第３ロウの成分を決定する。
【0067】
また、第４ロウスイッチ素子Ｓｄをターンオンさせ、第１、第２及び第３ロウスイッチ素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃをターンオフさせ、第１ないし第４カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４のうち、いずれか１つのみを順にターンオンさせた後、第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４を介して出力される電流の和を算出することで、計測行列Ｋの第４ロウの成分を決定する。
【0068】
【数6】
【0069】
次いで、Ｐ２０において、計測行列Ｋに基づいて変換行列Ｔを算出する。変換行列Ｔは、計測行列Ｋと同じ次元を有する。すなわち、変換行列Ｔのロウの数は、計測行列Ｋのロウの数と同一でもあり、変換行列Ｔのカラムの数は、計測行列Ｋのカラムの数と同一でもある。例えば、計測行列Ｋが４ｂｙ４行列である場合、変換行列Ｔも４ｂｙ４行列である。
【0070】
変換行列Ｔの各成分は、計測行列Ｋの各成分を式７の変換を適用することで得られる。
【0071】
【数7】
【0072】
ここで、変換係数αは、行列の大きさによって決定される。さらに具体的に、変換係数αは、計測行列Ｋのカラムの数によって決定される。例えば、Ｎ ｂｙ Ｎ行列である場合、α＝Ｎ／（Ｎ－１）でもあり、本例示のように計測行列のカラムの数Ｎ＝４である場合、α＝４／３である。式６に、式７の変換を適用する場合、下記式８のような変換行列が算出される。
【0073】
【数8】
【0074】
次いで、Ｐ３０において、変換行列Ｔに基づいて補助行列ＴＭを算出する。補助行列ＴＭは、変換行列Ｔと同じ次元を有する。すなわち、補助行列ＴＭのロウの数は、変換行列Ｔのロウの数と同一であり、補助行列ＴＭのカラムの数は、変換行列Ｔのカラムの数と同一である。
【0075】
これにより、補助行列ＴＭは、計測行列Ｋと同じ次元を有する。すなわち、補助行列ＴＭのロウの数は、計測行列Ｋのロウの数と同一であり、補助行列ＴＭのカラムの数は、計測行列Ｋのカラムの数と同一である。
【0076】
例示的な実施形態によれば、変換行列Ｔが４ｂｙ４行列である場合、補助行列ＴＭも４ｂｙ４行列である。補助行列ＴＭの各成分は、変換行列Ｔの各カラムの値のうち、最大値でもある。
【0077】
例えば、補助行列ＴＭの第１カラムに含まれた成分それぞれの値は、変換行列Ｔの第１カラムの成分のうち、最大値である１でもある。また、補助行列ＴＭの第２カラムに含まれた成分それぞれの値は、変換行列Ｔの第２カラムの成分のうち、最大値である１でもある。また、補助行列ＴＭの第３カラムに含まれた成分それぞれの値は、変換行列Ｔの第３カラムの成分のうち、最大値である２でもある。また、補助行列ＴＭの第４カラムに含まれた成分それぞれの値は、変換行列Ｔの第４カラムの成分のうち、最大値である３でもある。これにより、補助行列ＴＭは、式９のように決定されうる。
【0078】
【数9】
【0079】
上述した例示とは異なって、変換行列Ｔの特定カラムに含まれた成分それぞれの値が３／１３である場合、前記特定カラムの全ダイオードが故障しているので、ＴＭの対応するカラムに含まれた全成分の値は、１６／１３と決定される。
【0080】
次いで、Ｐ４０において、補助行列ＴＭと変換行列Ｔに基づいて欠陥マトリックスＤを算出する。例示的な実施形態によれば、式１０のように、補助行列ＴＭと変換行列Ｔに演算（例えば、差分演算）を遂行することで、第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４のうち、欠陥のあるものを示す欠陥マトリックスＤを決定することができる。
【0081】
【数10】
【0082】
式１０の０ではない（Ｎｏｎ ｚｅｒｏ）成分は、欠陥のある第４、第６、第７、第９、第１３、第１５及び第１６ダイオードＤ１４、Ｄ２２、Ｄ２３、Ｄ３１、Ｄ３４、Ｄ４３、Ｄ４４と一致する。
【0083】
変換行列Ｔにおいて、特定成分に対応するダイオードＤ１１～Ｄ４４が欠陥のある場合、前記特定成分と同一列に含まれた他の成分に当該成分の故障が反映される。
【0084】
さらに具体的に、第１カラムスイッチ素子Ｓ１がターンオフされた場合の測定値に基づき、計測行列Ｋ及び変換行列Ｔの第１カラムに含まれた（１，１）、（２，１）、（３，１）及び（４，１）成分が決定される。第１カラムに含まれた欠陥のあるダイオードは、第９ダイオードＤ３１である。第１カラムスイッチ素子Ｓ１がオフされた場合、欠陥のある第９ダイオードＤ３１は、第１０ないし第１２ダイオードＤ３２、Ｄ３３、Ｄ３４を経由する迂回路を提供するので、変換行列Ｔの（１，１）、（２，１）及び（４，１）成分の値は、１である。一方、変換行列Ｔの（３，１）成分の決定において、第１、第５及び第１３ダイオードＤ１１、Ｄ２１、Ｄ４１は、迂回路を提供しないので、変換行列Ｔの（３，１）成分の値は、０である。
【0085】
第２カラムスイッチ素子Ｓ２がターンオフされた場合の測定値に基づき、計測行列Ｋ及び変換行列Ｔの第２カラムに含まれた（１、２）、（２、２）、（３、２）及び（４、２）成分が決定される。第２カラムに含まれた欠陥のあるダイオードは、第６ダイオードＤ２２である。第２カラムスイッチ素子Ｓ２がターンオフされた場合、第６ダイオードＤ２２は、第５、第７及び第８ダイオードＤ２１、Ｄ２３、Ｄ２４を経由する迂回路を提供するので、変換行列Ｔの（１、２）、（３、２）及び（４、２）成分の値は、１である。一方、変換行列Ｔの（２、２）成分の決定において、第２、第１０及び第１４ダイオードＤ１２、Ｄ３２、Ｄ４２は、迂回路を提供しないので、変換行列Ｔの（２、２）成分の値は、０である。
【0086】
第３カラムスイッチ素子Ｓ３がターンオフされた場合の測定値に基づき、計測行列Ｋ及び変換行列Ｔの第３カラムに含まれた（１、３）、（２、３）、（３、３）及び（４、３）成分が決定される。第３カラムに含まれた欠陥のあるダイオードは、第７及び第１５ダイオードＤ２３、Ｄ４３である。第３カラムスイッチ素子Ｓ３がオフされた場合、第７ダイオードＤ２３は、第５、第６及び第８ダイオードＤ２１、Ｄ２２、Ｄ２４を経由する迂回路を提供し、第１５ダイオードＤ４３は、第１３、第１４及び第１６ダイオードＤ４１、Ｄ４２、Ｄ４４を経由する迂回路を提供する。これにより、変換行列Ｔの（１，３）、（３，３）成分は、第７ダイオードＤ２３を含む迂回路及び第１５ダイオードＤ４３を含む迂回路に影響を受けるので、変換行列Ｔの（１，３）、（３，３）成分の値は、２である。一方、変換行列Ｔの（２，３）成分は、第１５ダイオードＤ４３を含む第１迂回路によってのみ影響を受け、変換行列Ｔの（４，３）成分は、第７ダイオードＤ２３を含む第２迂回路によってのみ影響を受ける。これにより、変換行列Ｔの（２，３）成分、及び（４，３）成分の値はそれぞれ１である。
【0087】
第４カラムスイッチ素子Ｓ４がターンオフされた場合の測定値に基づき、計測行列Ｋ及び変換行列Ｔの第４カラムに含まれた（１，４）、（２，４）、（３，４）及び（４，４）成分が決定される。第４カラムに含まれた欠陥のあるダイオードは、第４、第１２及び第１６ダイオードＤ１４、Ｄ３４、Ｄ４４である。第４カラムスイッチ素子Ｓ４がオフされた場合、第４ダイオードＤ１４は、第１、第２及び第３ダイオードＤ１１、Ｄ１２、Ｄ１３を経由する迂回路を提供し、第１２ダイオードＤ３４は、第９、第１０及び第１１ダイオードＤ３１、Ｄ３２、Ｄ３３を経由する迂回路を提供し、第１６ダイオードＤ４４は、第１３、第１４及び第１５ダイオードＤ４１、Ｄ４２、Ｄ４３を経由する迂回路を提供する。
【0088】
これにより、変換行列Ｔの（１，４）成分は、第１２及び第１６ダイオードＤ３４、Ｄ４４のうち、いずれか１つを逆方向に経由する含む迂回路に影響を受け、変換行列Ｔの（２，４）成分は、第４、第１２及び第１６ダイオードＤ１４、Ｄ３４、Ｄ４４のうち、いずれか１つを逆方向に経由する迂回路に影響を受け、変換行列Ｔの（３，４）成分は、第４及び第１６ダイオードＤ１４、Ｄ４４のうち、いずれか１つを逆方向に経由する迂回路に影響を受け、変換行列Ｔの（４，４）成分は、第４及び第１２ダイオードＤ１４、Ｄ３４のうち、いずれか１つを逆方向に経由する迂回路に影響を受ける。これにより、変換行列Ｔの（１，４）、（３，４）及び（４，４）成分それぞれの値は、２であり、変換行列Ｔの（２，４）成分の値は３である。
【0089】
ここで、正常であるダイオード（すなわち、第１、第２、第３、第５、第８、第１０、第１１、第１３及び第１４ダイオードＤ１１、Ｄ１２、Ｄ１３、Ｄ２１、Ｄ２４、Ｄ３２、Ｄ３３、Ｄ４１、Ｄ４２）に対応する変換行列Ｔの成分を正常成分と定義し、欠陥のあるダイオード（すなわち、第４、第６、第７、第９、第１２、第１５、及び第１６ダイオードＤ１４、Ｄ２２、Ｄ２３、Ｄ３１、Ｄ３４、Ｄ４３、Ｄ４４）に対応する変換行列Ｔの成分を故障成分と定義する。
【0090】
この際、変換行列Ｔの正常成分の値は、対応するダイオードと同じカラムバスに連結された欠陥のあるダイオードの個数と同一である。一方、変換行列Ｔの故障成分の値は、対応するダイオードと同じカラムバスに連結された欠陥のあるダイオードの個数－１と同一である。
【0091】
補助行列ＫＭは、変換行列Ｔの各カラムの最大値と決定されるところ、補助行列ＴＭの成分それぞれは、当該列に含まれた欠陥のあるダイオードの個数と同一である。したがって、変換行列Ｔと補助行列ＴＭとの差分演算であるＴＭ－Ｔにおいて、欠陥のあるダイオードに対応する成分の値は１となり、正常であるダイオードに対応する成分の値は０となる。
【0092】
従来の温度制御システム１００の検査において、第１ないし第４ロウスイッチ素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄのうち、１つをターンオンさせ、第１ないし第４カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４のうち、１つをターンオンさせることで、第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４の故障を決定した。しかし、従来の温度制御システム１００の検査は、電流計測値が正常値から変わることに基づいて、故障の発生を確認することはできるが、第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４のうち、欠陥のあるものの位置を確認することができない。
【0093】
例示的な実施形態による温度制御システム１００の検査方法は、第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４の故障発生有無を確認することに加えて、第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４のうち、欠陥のあるダイオードを決定することができる。
【0094】
実際のチップ抵抗のような抵抗素子の形成において、工程の厳密性にもかかわらず、同一抵抗を有するように設計された第１ないし第１６ヒータＲ１１～Ｒ４４の抵抗値の間に差があり得る。これにより、式１０と同様の方式を通じて算出された行列は、正常ダイオードに対応する０ではない（ｎｏｎ－ｚｅｒｏ）成分を含むことができる。
【0095】
但し、このような第１ないし第１６ヒータＲ１１～Ｒ４４の抵抗値の公差（Ｔｏｌｅｒａｎｃｅ）は、第１ないし第１６ヒータＲ１１～Ｒ４４の抵抗値に比べて非常に小さい値なので、第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４のうち、正常なものに対応するものの欠陥マトリックスＤの成分は非常に小さい値を有する。これにより、欠陥マトリックスＤの判別は、０ではない（ｎｏｎ－ｚｅｒｏ）行列の成分を識別する以外に、既設定の臨界値に基づいて欠陥マトリックスＤの成分に対応する第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４を故障と決定することを含みうる。例示的な実施形態によれば、欠陥マトリックスＤの判別は、設定されたしきい値以上の欠陥マトリックスＤの成分に対応する第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４を故障と決定することを含む。一例として、臨界値は、約１／１００００以上でもある。他の例において、前記臨界値は、約１／１０００以上でもある。他の例において、前記臨界値は、約１／１００以下でもある。
【0096】
以上、理解の便宜上、４ｂｙ４行列を基準に欠陥のあるダイオードを決定する方法について説明したが、ＭｂｙＮ行列も前記と同様の方式で決定されうる。ここで、Ｍ及びＮは、２以上の任意の整数である。
【0097】
まず、第１ないし第Ｎ電流計の測定値に基づいて一般化されたＮ ｂｙ Ｎ計測行列ＧＫを下記式１１のように決定する。
【0098】
【数11】
【0099】
次いで、下記式１２によって定義される変換式に基づいて変換行列を算出する。
【0100】
【数12】
【0101】
ここで、Ｎは、一般化された計測行列ＧＫのカラムの数である。
【0102】
次いで、式１３に基づいて下記のように定義される一般化された補助行列ＧＴＭを算出する。
【0103】
【数13】
【0104】
ここで、ｍａｘは、因子である
【0105】
【0106】
のうち、最大値を算出する関数てある。例外的に、ｊ番目カラムに含まれた成分それぞれの値がいずれもＮ－１である場合、すなわち、
【0107】
【0108】
である場合、ｊ番目カラムの全ダイオードが故障しているので、ＧＴＭｉｊ＝Ｎと決定される。
【0109】
次いで、式１４と同様に、一般化された変換行列ＧＴと一般化された補助行列ＧＴＭ間の演算を通じて、欠陥のあるダイオードを示す一般化された欠陥マトリックスＧＤを算出することができる。
【0110】
【数14】
【0111】
一般化された欠陥マトリックスＧＤにおいて、０の値を有する成分に対応するダイオードは、正常であり、０ではない値を有する成分に対応するダイオードは、欠陥のあるものである。
【0112】
他の例において、一般化された欠陥マトリックスＧＤにおいて、しきい値未満の値を有する成分に対応するダイオードは、正常であり、しきい値以上の値を有する成分に対応するダイオードは、欠陥のあるものである。
【0113】
図３は、例示的な実施形態による温度制御システム１０１の検査方法を説明するためのフローチャートである。
【0114】
図４は、例示的な実施形態による温度制御システム１０１を示す。
【0115】
図３及び図４を参照すれば、温度制御システム１０１は、電源１１０、第１ないし第４ロウバスＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、第１ないし第４ロウスイッチ素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄ、第１ないし第１６ヒータＲ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４（以下、Ｒ１１～Ｒ４４）、第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４、第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、第１ないし第４電流計Ｓｃ１、Ｓｃ２、Ｓｃ３、Ｓｃ４及び第１ないし第４カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４を含む。
【0116】
例示的な実施形態によれば、温度制御システム１０１は、第１電流計Ｓｃ１が第１ロウバスＸ１に連結され、第２電流計Ｓｃ２が第２ロウバスＸ２に連結され、第３電流計Ｓｃ３が第３ロウバスＸ３に連結され、第４電流計Ｓｃ４が第４ロウバスＸ４に連結されたことを除き、図２Ａないし図２Ｄを参照して説明した温度制御システム１００と同一である。
【0117】
温度制御システム１０１の検査方法において、Ｐ１１は、第１ないし第４電流計Ｓｃ１、Ｓｃ２、Ｓｃ３、Ｓｃ４を用いて第１ないし第４ロウバスＸ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４を介して流れる電流の和を算出することを除き、Ｐ１０と同一である。
【0118】
【0119】
図５は、他の例示的な実施形態による温度制御システム１００の検査方法を説明するためのフローチャートである。
【0120】
【0121】
図５及び図６Ａないし図６Ｄを参照すれば、Ｐ１１０において、複数のロウスイッチ素子（例えば、第１ないし第４ロウスイッチ素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄ）のうち、選択された１つをターンオフさせ、複数のロウスイッチ素子、例えば、第１ないし第４ロウスイッチ素子Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄのうち、他のものをターンオンさせ、複数のカラムスイッチ素子（例えば、第１ないし第４カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）のうち、選択された１つをターンオンさせ、複数のカラムスイッチ素子（例えば、第１ないし第４カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）のうち、他のものをターンオフさせた後、第１ないし第４電流計Ｓｃ１、Ｓｃ２、Ｓｃ３、Ｓｃ４を用いて第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４を介して出力される電流をセンシングすることで、計測行列Ｋ’を決定することができる。
【0122】
計測行列の各成分Ｋｉｊ’は、下記の式１５のように決定されうる。
【0123】
【数15】
【0124】
例えば、図６Ａでのように、第１ロウスイッチ素子Ｓａがターンオフされ、第２ないし第４ロウスイッチ素子Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄがターンオンされ、第１カラムスイッチ素子Ｓ１がターンオンされ、第２ないし第４カラムスイッチ素子Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４がターンオフされた場合、第１ないし第４電流計Ｓｃ１、Ｓｃ２、Ｓｃ３、Ｓｃ４を用いて第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４を介して流れる電流の値をセンシングすることで、Ｋ１１’を決定する。
【0125】
その場合、第２ないし第４カラムスイッチ素子Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４がターンオフされたので、Ｉ２、Ｉ３及びＩ４値は、０である。第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４がいずれも正常である場合、Ｉ１の値は、
なので、Ｋ１１’の値は、０である。しかし、本例示において、第４、第６、第７、第９、第１３、第１５及び第１６ダイオードＤ１４、Ｄ２２、Ｄ２３、Ｄ３１、Ｄ３４、Ｄ４３、Ｄ４４が故障しているので、第８、第１２及び第１６ダイオードＤ２４、Ｄ３４、Ｄ４４のうち、いずれか１つを通過し、第４ダイオードＤ１４を逆方向に通過し、第１ダイオードＤ１１を通過する迂回路が形成されうる。
【0126】
これにより、Ｋ１１’の値は、下記数式１６の通りである。
【0127】
【数16】
【0128】
他の例において、図６Ｂでのように、第１ロウスイッチ素子Ｓａがターンオフされ、第２ないし第４ロウスイッチ素子Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄがターンオンされ、第２カラムスイッチ素子Ｓ２がターンオンされ、第１、第３及び第４カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ３、Ｓ４がターンオフされた場合、第１ないし第４電流計Ｓｃ１、Ｓｃ２、Ｓｃ３、Ｓｃ４を用いて第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４を介して流れる電流の値をセンシングすることで、Ｋ１２’を決定する。
【0129】
その場合、第１、第３及び第４カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ３、Ｓ４がターンオフされたので、Ｉ１、Ｉ３及びＩ４値は、０である。第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４がいずれも正常である場合、Ｉ２の値は、
【0130】
【0131】
なので、Ｋ１２’の値は、０である。しかし、本例示において、第４、第６、第７、第９、第１３、第１５及び第１６ダイオードＤ１４、Ｄ２２、Ｄ２３、Ｄ３１、Ｄ３４、Ｄ４３、Ｄ４４が故障しているので、第４ダイオードＤ１４を逆方向に通過し、第２ダイオードＤ１２を通過する迂回路が形成されうる。
【0132】
これにより、Ｋ１２’の値は、下記数式１７の通りである。
【0133】
【数17】
【0134】
他の例において、図６Ｃでのように、第１ロウスイッチ素子Ｓａがターンオフされ、第２ないし第４ロウスイッチ素子Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄがターンオンされ、第３カラムスイッチ素子Ｓ３がターンオンされ、第１、第２及び第４カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ４がターンオフされた場合、第１ないし第４電流計Ｓｃ１、Ｓｃ２、Ｓｃ３、Ｓｃ４を用いて第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４を介して流れる電流の値をセンシングすることで、Ｋ１３’を決定することができる。
【0135】
この場合、第１、第２及び第４カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ４がターンオフされたので、Ｉ１、Ｉ２及びＩ４値は、０である。第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４がいずれも正常である場合、Ｉ３の値は
【0136】
【0137】
なので、Ｋ１３’の値は、０である。しかし、本例示において、第４、第６、第７、第９、第１３、第１５及び第１６ダイオードＤ１４、Ｄ２２、Ｄ２３、Ｄ３１、Ｄ３４、Ｄ４３、Ｄ４４が故障しているので、第４ダイオードＤ１４を逆方向に通過し、第３ダイオードＤ１３を通過する迂回路が形成されうる。
【0138】
これにより、Ｋ１３’の値は、下記式１８の通りである。
【0139】
【数18】
【0140】
他の例において、図６Ｄでのように、第１ロウスイッチ素子Ｓａがターンオンされ、第２ないし第４ロウスイッチ素子Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｄがターンオフされ、第４カラムスイッチ素子Ｓ４がターンオフされ、第１ないし第３カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３がターンオンされた場合、第１ないし第４電流計Ｓｃ１、Ｓｃ２、Ｓｃ３、Ｓｃ４を用いて第１ないし第４カラムバスＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４を介して流れる電流の値をセンシングすることで、Ｋ１４’を決定することができる。
【0141】
この場合、第１ないし第３カラムスイッチ素子Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３がターンオフされたので、Ｉ１、Ｉ２及びＩ３の値は、０である。第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４がいずれも正常である場合、Ｉ１、Ｉ２及びＩ３それぞれの値は
【0142】
【0143】
なので、Ｋ１４’の値は、０である。本例示において、第４、第６、第７、第９、第１３、第１５及び第１６ダイオードＤ１４、Ｄ２２、Ｄ２３、Ｄ３１、Ｄ３４、Ｄ４３、Ｄ４４が故障しているので、図６Ｄのスイッチ状態で、迂回路は形成されない。
【0144】
これにより、Ｋ１４’の値は、下記式１９の通りである。
【0145】
【数19】
【0146】
上述したところのような方式で計測行列Ｋ’の残り成分を決定することができる。計測行列Ｋ’は、数式２０の通りである。
【0147】
【数20】
【0148】
次いで、Ｐ１２０において、計測行列Ｋ’に基づいて変換行列Ｔ’を算出することができる。変換行列Ｔ’は、計測行列Ｋ’と同じ次元を有する。すなわち、変換行列Ｔ’のロウの数は、計測行列Ｋ’のロウの数と同一でもあり、変換行列Ｔ’のカラムの数は、計測行列Ｋ’のカラムの数と同一でもある。例えば、計測行列Ｋ’が４ｂｙ４行列である場合、変換行列Ｔも４ｂｙ４行列でもある。
【0149】
変換行列Ｔの各成分は、計測行列Ｋの各成分に式２１の変換を適用することで得られる。
【0150】
【数21】
【0151】
ここで、変換係数αは、行列の大きさによって決定される。さらに具体的に、変換係数αは、行列のロウの数によって決定される。例えば、Ｎ ｂｙ Ｎ行列である場合、α＝Ｎ／（Ｎ－１）でもあり、本例示と共にロウの数Ｎが４である場合、α＝４／３である。数式２０に数式２１の変換を適用する場合、下記式２２のような変換行列が算出される。
【0152】
【数22】
【0153】
次いで、Ｐ１３０において、変換行列Ｔ’に基づいて補助行列ＴＭ’を算出することができる。
【0154】
補助行列ＴＭ’は、変換行列Ｔ’と同じ次元を有する。例えば、変換行列Ｔ’が４ｂｙ４行列である場合、補助行列ＴＭ’も４ｂｙ４行列でもある。補助行列ＴＭ’の各成分は、変換行列Ｔ’の各ロウの値のうち、最大値でもある。
【0155】
例えば、補助行列ＴＭ’の第１ロウに含まれた成分それぞれの値は、変換行列Ｔ’の第１ロウの成分のうち、最大値である１でもある。例えば、補助行列ＴＭ’の第２ロウに含まれた成分それぞれの値は、変換行列Ｔ’の第２ロウの成分のうち、最大値である２でもある。例えば、補助行列ＴＭ’の第３ロウに含まれた成分それぞれの値は、変換行列Ｔ’の第３ロウの成分のうち、最大値である２でもある。例えば、補助行列ＴＭ’の第４ロウに含まれた成分それぞれの値は、変換行列Ｔ’の第４ロウの成分のうち、最大値である２でもある。これにより、補助行列ＴＭ’は、数式２４のように決定されうる。
【0156】
【数24】
【0157】
上述した例示とは異なって、変換行列Ｔ’の特定ロウに含まれた成分それぞれの値が３の場合（すなわち、ロウの数－１である場合）、前記ロウの全ダイオードが故障しているので、対応するロウに含まれた全成分の値は、４と決定される。
【0158】
次いで、Ｐ１４０において、補助行列ＴＭ’と変換行列Ｔ’に基づいて欠陥マトリックスＤ’を算出することができる。例示的な実施形態によれば、数式２５のように、補助行列ＴＭ’と変換行列Ｔ’に演算（例えば、差分演算）を遂行することで、第１ないし第１６ダイオードＤ１１～Ｄ４４のうち、欠陥のあるものを示す欠陥マトリックスＤ’を決定する。
【0159】
【数25】
【0160】
以上で、理解の便宜上、４ｂｙ４行列を基準に欠陥のあるダイオードを決定する方法について説明したが、Ｎ ｂｙ Ｎ行列も前記と同様の方式で決定されうる。
【0161】
まず、第１ないし第Ｎ電流計の測定値に基づいて一般化された計測行列ＧＫ’を下記式２６のように決定する。
【0162】
【数26】
【0163】
次いで、下記式２７によって定義される変換式に基づいて一般化された変換行列ＧＴ’を算出する。
【0164】
【数27】
【0165】
ここで、Ｎは、一般化された変換行列ＧＴ’のロウの数である。
【0166】
次いで、下記数式２８のように定義される一般化された補助行列ＧＴＭ’を算出する。
【0167】
【数28】
【0168】
ここで、ｍａｘは、因子である
【0169】
【0170】
のうち、最大値を算出する関数てある。例外的に、ｊ番目ロウに含まれた成分それぞれの値がいずれもＮ－１である場合、すなわち、
【0171】
【0172】
である場合、ｊ番目ロウの全ダイオードが故障しているので、
【0173】
【0174】
と決定される。
【0175】
次いで、数式３０のように、一般化された変換行列ＧＴ’と一般化された補助行列ＧＴＭ’との演算を通じて、欠陥のあるダイオードを示す一般化された欠陥マトリックスＧＤを算出する。
【0176】
【数30】
【0177】
一般化された欠陥マトリックスＧＤ’において、０の値を有する成分に対応するダイオードは正常であり、０ではない値を有する成分に対応するダイオードは、欠陥のあるものである。
【0178】
他の例において、一般化された欠陥マトリックスＧＤ’において、しきい値未満の値を有する成分に対応するダイオードは、正常であり、しきい値以上の値を有する成分に対応するダイオードは、欠陥のあるものである。
【0179】
前述したように図面と明細書において例示的な実施形態が開示された。本明細書において特定の用語を使用して実施形態を説明したが、これは、単に本開示の技術的思想を説明するための目的で使用されたものであって、意味限定や特許請求の範囲に記載の本開示の範囲を制限するために使用されたものではない。したがって、当該技術分野の通常の知識を有する者であれば、これらから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するであろう。したがって、本開示の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。
【符号の説明】
【0180】
１００，１０１ 温度制御システム
１１０ 電源
１１０ 電源
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
