特開 2024-70169 透明導電性フィルムの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024070169

(43)【公開日】2024-05-22

(54)【発明の名称】透明導電性フィルムの製造方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/34 20060101AFI20240515BHJP

   H01B 13/00 20060101ALI20240515BHJP

【ＦＩ】

C23C14/34 M

H01B13/00 503B

【審査請求】有

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022180616

(22)【出願日】2022-11-10

(71)【出願人】

【識別番号】000003964

【氏名又は名称】日東電工株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100103517

【弁理士】

【氏名又は名称】岡本 寛之

(74)【代理人】

【識別番号】100149607

【弁理士】

【氏名又は名称】宇田 新一

(72)【発明者】

【氏名】藤野 望

(72)【発明者】

【氏名】岩松 祥平

【テーマコード（参考）】

4K029

5G323

【Ｆターム（参考）】

4K029AA11

4K029AA25

4K029BA45

4K029BA50

4K029BB07

4K029BC09

4K029CA06

4K029DA03

4K029DC05

4K029DC09

4K029DC34

4K029DC35

4K029DC39

4K029EA01

4K029EA05

4K029FA05

4K029FA07

5G323BA02

5G323BB05

(57)【要約】

【課題】透明導電層について加熱による抵抗値の上昇を抑制するのに適した、透明導電性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電性フィルムの製造方法は、長尺の基材フィルム１０と透明導電層２０とを厚み方向Ｈに順に備える透明導電性フィルムＸを製造する方法である。この製造方法は、成膜工程を含む。成膜工程では、不活性ガスと反応性ガスとを含む混合ガスが用いられる反応性スパッタリング法により、減圧雰囲気下で基材フィルム１０上に透明導電層２０が形成される。成膜工程は、不活性ガスに対する反応性ガスの混合割合を、減圧雰囲気における水分圧の低下後に低下させること、および／または、混合割合を水分圧の上昇後に上昇させることを含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

長尺の基材フィルムと透明導電層とを厚み方向に順に備える透明導電性フィルムの製造方法であって、
不活性ガスと反応性ガスとを含む混合ガスが用いられる反応性スパッタリング法により、減圧雰囲気下で基材フィルム上に透明導電層を形成する、成膜工程を含み、
前記成膜工程は、前記不活性ガスに対する前記反応性ガスの混合割合を、前記減圧雰囲気における水分圧の低下後に低下させること、および／または、前記混合割合を前記水分圧の上昇後に上昇させることを含む、透明導電性フィルムの製造方法。

【請求項2】

前記透明導電層が５０ｎｍ以上の厚さを有する、請求項１に記載の透明導電性フィルムの製造方法。

【請求項3】

前記透明導電層が非晶領域と結晶粒とを含む、請求項１または２に記載の透明導電性フィルムの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、透明導電性フィルムの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、樹脂製の透明な基材フィルムと透明な導電層（透明導電層）とを厚さ方向に順に備える透明導電性フィルムが知られている。透明導電層は、例えば、液晶ディスプレイ、タッチパネル、および太陽電池などの各種デバイスにおける透明電極を形成するための導体膜として用いられる。透明導電層は、ロールトゥロール方式のスパッタ成膜装置により、長尺の基材フィルム上に形成される（成膜工程）。成膜工程では、例えば、スパッタ成膜装置の成膜室内が減圧された後、当該成膜室内を通過する基材フィルム上に、反応性スパッタリング法によって導電性酸化物が成膜される。反応性スパッタリング法では、不活性ガスと反応性ガス（酸素など）との混合ガスが、成膜室内に導入される。このような透明導電性フィルムに関する技術については、例えば下記の特許文献１に記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１７－７１８５０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

透明導電性フィルムは、同フィルムを備えるデバイスの製造過程において、比較的高温の加熱プロセスに晒される場合がある。そのような透明導電性フィルムの透明導電層には、事後的な加熱による抵抗値の上昇が無いこと又は小さいことが要求される。透明導電性フィルムの透明導電層の事後加熱による抵抗値上昇は、当該透明導電性フィルムが組み込まれるデバイスの特性不良の原因となる。

【0005】

一方、本発明者らは、透明導電性フィルムの製造プロセスに関し、次のような知見を得た。ロールトゥロール方式での上述の成膜工程では、成膜室内において水分圧が経時的に変化する。成膜室内の水分圧に対する反応性ガスの分圧のバランス（成膜室内の水と反応性ガスとの量的バランスに相当する）は、当該成膜室内で形成される透明導電層の、事後加熱による抵抗値上昇の有無および大きさに影響を与える。

【0006】

本発明は、透明導電層について加熱による抵抗値の上昇を抑制するのに適した、透明導電性フィルムの製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明［１］は、長尺の基材フィルムと透明導電層とを厚み方向に順に備える透明導電性フィルムの製造方法であって、不活性ガスと反応性ガスとを含む混合ガスが用いられる反応性スパッタリング法により、減圧雰囲気下で基材フィルム上に透明導電層を形成する、成膜工程を含み、前記成膜工程は、前記不活性ガスに対する前記反応性ガスの混合割合を、前記減圧雰囲気における水分圧の低下後に低下させること、および／または、前記混合割合を前記水分圧の上昇後に上昇させることを含む、透明導電性フィルムの製造方法を含む。

【0008】

本発明［２］は、前記透明導電層が５０ｎｍ以上の厚さを有する、上記［１］に記載の透明導電性フィルムの製造方法を含む。

【0009】

本発明［３］は、前記透明導電層が非晶領域と結晶粒とを含む、上記［１］または［２］に記載の透明導電性フィルムの製造方法を含む。

【発明の効果】

【0010】

本発明の透明導電性フィルムの製造方法では、成膜工程が、上記のように、不活性ガスに対する反応性ガスの混合割合を、減圧雰囲気における水分圧の低下後に低下させること、および／または、混合割合を水分圧の上昇後に上昇させることを含む。このような透明導電性フィルムの製造方法は、成膜工程において、成膜室内の水分圧に対する反応性ガスの分圧のバランス（成膜室内の水と反応性ガスとの量的バランスに相当する）を確保するのに適する。したがって、透明導電性フィルムの製造方法は、透明導電層について、加熱による抵抗値の上昇を抑制するのに適する。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明の透明導電性フィルムの製造方法の一実施形態の工程図であり、図１Ａは、基材フィルムを用意する工程を表し、図１Ｂは、基材フィルム上に透明導電層を形成する工程を表す。

【図2】図１Ｂに示す透明導電性フィルムにおいて、透明導電層がパターニングされた場合を表す。

【図3】図１Ｂに示す透明導電性フィルムの変形例の断面模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本発明の一実施形態としての透明導電性フィルムの製造方法は、用意工程（図１Ａ）と、成膜工程（図１Ｂ）とを含む。この製造方法は、図１Ｂに示す透明導電性フィルムＸを製造する方法である。透明導電性フィルムＸは、長尺の基材フィルム１０と、透明導電層２０とを厚み方向Ｈに順に備える。透明導電性フィルムＸは、厚さ方向Ｈと直交する方向（面方向）に広がる。透明導電性フィルムＸは、タッチセンサ装置、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ部材、電磁波シールド部材、ヒーター部材、照明装置、および画像表示装置などに備えられる一要素である。

【0013】

まず、用意工程では、図１Ａに示すように、長尺の基材フィルム１０を用意する。基材フィルム１０の長さは、例えば５０ｍ以上であり、好ましくは１００ｍ以上である。基材フィルム１０の長さは、例えば２００００ｍ以下であり、好ましくは５０００ｍ以下である。基材フィルム１０の幅は、例えば２００ｍｍ以上であり、好ましくは５００ｍｍ以上、より好ましくは１０００ｍｍ以上である。基材フィルム１０の幅は、例えば３０００ｍｍ以下であり、好ましくは２０００ｍｍ以下である。

【0014】

基材フィルム１０は、透明導電性フィルムＸの強度を確保する基材である。基材フィルム１０は、本実施形態では、可撓性を有する透明な樹脂フィルムである。基材フィルム１０の材料としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、およびポリスチレン樹脂が挙げられる。ポリエステル樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、およびポリエチレンナフタレートが挙げられる。ポリオレフィン樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、およびシクロオレフィンポリマーが挙げられる。アクリル樹脂としては、例えば、ポリメタクリレートが挙げられる。基材フィルム１０の材料としては、例えば透明性および強度の観点から、好ましくはポリエステル樹脂が用いられ、より好ましくはＰＥＴが用いられる。

【0015】

基材フィルム１０において透明導電層２０が形成される側の表面１０ａは、表面改質処理されていてもよい。表面改質処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、オゾン処理、プライマー処理、グロー処理、およびカップリング剤処理が挙げられる。

【0016】

基材フィルム１０の厚さは、透明導電性フィルムＸの強度を確保する観点から、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、更に好ましくは３０μｍ以上である。基材フィルム１０の厚さは、ロールトゥロール方式における基材フィルム１０の取り扱い性を確保する観点から、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ以下、更に好ましくは２００μｍ以下、一層好ましくは１００μｍ以下、特に好ましくは７５μｍ以下である。

【0017】

基材フィルム１０の全光線透過率（ＪＩＳ Ｋ ７３７５－２００８）は、好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。このような構成は、タッチセンサ装置、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ部材、電磁波シールド部材、ヒーター部材、照明装置、および画像表示装置などに透明導電性フィルムＸが備えられる場合に当該透明導電性フィルムＸに求められる透明性を確保するのに適する。基材フィルム１０の全光線透過率は、例えば１００％以下である。

【0018】

次に、成膜工程では、図１Ｂに示すように、スパッタリング法により、基材フィルム１０の表面１０ａ（厚さ方向Ｈの一方面）上に、材料を成膜して透明導電層２０を形成する。スパッタリング法では、ロールトゥロール方式で成膜プロセスを実施できるスパッタ成膜装置を使用する。スパッタ成膜装置は、ワークフィルムを繰り出す繰出しロールと、成膜室と、ワークフィルムを巻き取る巻取りロールとを、ワークフィルムの流れ方向にこの順で備える。成膜室の内部は、減圧可能である。また、スパッタ成膜装置では、成膜室内の気圧を測定可能であり、水分圧を測定可能である。また、本工程のスパッタリング法としては、反応性スパッタリング法が実施される。反応性スパッタリング法では、スパッタリングガスとしての不活性ガスと反応性ガスとを含む混合ガスが用いられる。

【0019】

本工程のスパッタリング法では、具体的には、繰出しロールから巻取りロールまで基材フィルム１０をワークフィルムとして走行させつつ、成膜室内に減圧雰囲気下で不活性ガスと反応性ガスとを導入しつつ、成膜室内のカソード上に配置されたターゲットにマイナスの電圧を印加する。これにより、グロー放電を発生させてガス原子をイオン化し、当該ガスイオンを高速でターゲット表面に衝突させ、ターゲット表面からターゲット材料を弾き出し、弾き出たターゲット材料を基材フィルム１０上に堆積させる。

【0020】

成膜中の成膜室内の気圧は、例えば０.０２Ｐａ以上であり、また、例えば１Ｐａ以下である。

【0021】

不活性ガス（スパッタリングガス）としては、例えば、アルゴンおよびクリプトンが挙げられる。反応性ガスとしては、例えば、酸素および一酸化窒素が挙げられる。反応性ガスは、透明導電層２０を形成する材料に応じて選択される。透明導電層２０を形成する材料が導電性酸化物である場合、反応性ガスとしては酸素が好適に用いられる。また、成膜開始時の混合ガスにおける、不活性ガスに対する反応性ガスの割合（混合割合Ｒ）は、例えば０.５流量％以上であり、また、例えば５流量％以下である（混合割合Ｒは、百分率表示されている）。不活性ガスに対する反応性ガスの割合（混合割合Ｒ）は、不活性ガスの導入流量Ｆ１（sccm）に対する反応性ガス（活性ガス）の導入流量Ｆ２（sccm）の比率（Ｆ２／Ｆ１）を百分率表示したものである。混合割合Ｒの好ましい範囲は、後述の水分圧Ｐｗに応じて変わる。

【0022】

成膜中の基材フィルム１０の温度は、成膜中に基材フィルム１０からのアウトガスを抑制して透明導電層２０を適切に形成する観点から、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは７０℃以下、更に好ましくは４０℃以下、一層好ましくは１０℃以下、特に好ましくは－５℃以下である。同温度は、例えば、－５０℃以上、－２０℃以上または－１０℃以上である。

【0023】

ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、例えば、ＤＣ電源、ＡＣ電源、ＭＦ電源、およびＲＦ電源が挙げられる。電源としては、ＤＣ電源とＲＦ電源とを併用してもよい。成膜中の放電電圧の絶対値は、例えば５０Ｖ以上であり、また、例えば５００Ｖ以下である。ターゲット上の水平磁場強度は、例えば１０ｍＴ以上であり、また、例えば１００ｍＴ以下である。

【0024】

基材フィルム１０の走行速度は、透明導電性フィルムＸの製造効率の観点から、好ましくは０.５ｍ/分以上、より好ましくは１ｍ/分以上である。基材フィルム１０の走行速度は、透明導電層２０の適切な形成の観点から、好ましくは４０ｍ/分以下、より好ましくは１０ｍ/分以下、更に好ましくは５ｍ/分以下、一層好ましくは３ｍ/分以下である。

【0025】

透明導電層２０を形成する材料（ターゲットの材料）としては、例えば、導電性酸化物が挙げられる。導電性酸化物としては、例えば、インジウム含有導電性酸化物およびアンチモン含有導電性酸化物が挙げられる。インジウム含有導電性酸化物としては、例えば、インジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ）、インジウムガリウム複合酸化物（ＩＧＯ）、およびインジウムガリウム亜鉛複合酸化物（ＩＧＺＯ）が挙げられる。アンチモン含有導電性酸化物としては、例えば、アンチモンスズ複合酸化物（ＡＴＯ）が挙げられる。高い透明性と良好な電気伝導性とを実現する観点からは、導電性酸化物としては、好ましくはインジウム含有導電性酸化物が用いられ、より好ましくはＩＴＯが用いられる。このＩＴＯは、ＩｎおよびＳｎ以外の金属または半金属を、ＩｎおよびＳｎのそれぞれの含有量より少ない量で含有してもよい。

【0026】

導電性酸化物としてＩＴＯが用いられる場合、透明導電層２０の酸化スズ割合は、透明導電層２０の比抵抗を低減する観点から、好ましくは５質量％以上、より好ましくは８質量％以上、更に好ましくは１０質量％以上である。酸化スズ割合は、加湿信頼性試験での透明導電層２０の抵抗値変化を抑制する観点から、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２０質量％以下、更に好ましくは１５質量％以下である。

【0027】

ＩＴＯにおける酸化スズ割合は、例えば次のようにして同定できる。まず、Ｘ線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy）により、測定対象物としてのＩＴＯにおけるインジウム原子（Ｉｎ）とスズ原子（Ｓｎ）の存在比率を求める。ＩＴＯ中のＩｎおよびＳｎの各存在比率から、ＩＴＯ中のＩｎの原子数に対するＳｎの原子数の比率を求める。これにより、ＩＴＯにおける酸化スズ割合が得られる。また、ＩＴＯにおける酸化スズ割合は、成膜時に用いるＩＴＯターゲットの酸化スズ（ＳｎＯ_２）含有割合からも特定できる。

【0028】

成膜中の成膜室においては、水分圧が経時的に変化する。水分圧の変化の原因としては、成膜室の排気（水分圧の低下の原因）およびワークフィルム（本実施形態では基材フィルム１０）からのアウトガス中の水分（水分圧の上昇の原因）が挙げられる。成膜中の成膜室内の水分圧は、透明導電層２０の水含有量の調整の観点から、好ましくは０.１×１０^－４Ｐａ以上、より好ましくは０.５×１０^－４Ｐａ以上、更に好ましくは０.７×１０^－４Ｐａ以上、一層好ましくは０.９×１０^－４Ｐａ以上であり、また、好ましくは５.０×１０^－２Ｐａ以下、より好ましくは５.０×１０^－３Ｐａ以下、更に好ましくは３.０×１０^－４Ｐａ以下、一層好ましくは２.７×１０^－４Ｐａ以下、特に好ましくは２.５×１０^－４Ｐａ以下である。

【0029】

本工程では、成膜室内の水分圧Ｐｗを測定する。水分圧Ｐｗの測定には、成膜開始時の水分圧Ｐｗ_０の測定が含まれる。水分圧Ｐｗの測定は、連続測定でもよいし、断続的な測定でもよい。

【0030】

断続的な測定では、例えば、基材フィルム１０の所定長さ（長さＬ_１）が成膜室内を通過するごとに、成膜室内の水分圧Ｐｗを測定する。長さＬ_１は、水分圧Ｐｗのモニタリング精度を確保する観点から、好ましくは１０００ｍ以下、より好ましくは８００ｍ以下、更に好ましくは６００ｍ以下である。長さＬ_１は、例えば、１ｍ以上、１０ｍ以上、または１００ｍ以上である。透明導電性フィルムＸの全長（全長Ｌ_０）に対する長さＬ_１の比率（Ｌ_１／Ｌ_０）は、水分圧Ｐｗのモニタリング精度を確保する観点から、好ましくは１／２以下、より好ましくは１／３以下、更に好ましくは１／４以下である。比率（Ｌ_１／Ｌ_０）は、例えば、１／２００００００以上、１／２０００以上、１／５００以上、または１／１００以上である。本工程中、長さＬ_１は、一定であってもよいし、一定でなくてもよい。

【0031】

断続的な測定では、例えば、基材フィルム１０が連続的に通過する成膜室内の水分圧Ｐｗを所定時間（時間Ｔ）ごとに測定する。時間Ｔは、水分圧Ｐｗのモニタリング精度を確保する観点から、好ましくは３０分以下、より好ましくは１５分以下、更に好ましくは５分以下である。時間Ｔは、例えば、０.００００１分以上、０.０１分以上、または０.１分以上である。本工程中、時間Ｔは、一定であってもよいし、一定でなくてもよい。

【0032】

成膜工程は、反応性ガスの混合割合Ｒ（不活性ガスに対する反応性ガスの割合）を、減圧雰囲気における水分圧Ｐｗの低下後に低下させること、および／または、混合割合Ｒを水分圧Ｐｗの上昇後に上昇させることを含む。これにより、成膜室内の水と反応性ガスとの量的バランスをとる（成膜室内の水と反応性ガスとの量的バランスは、上述のように、成膜室内で形成される透明導電層２０の、事後加熱による抵抗値上昇の有無および大きさに影響を与える）。成膜工程での１回目の混合割合Ｒの変更（低下または上昇）は、次のように実施される。

【0033】

成膜室では、本工程の成膜開始時から、混合割合Ｒ_０（成膜開始時の混合割合）の条件での反応性スパッタリング法によって基材フィルム１０上に材料を成膜する。そして、成膜開始後の１回目または複数回目の水分圧測定によって測定された水分圧Ｐｗ_１と、成膜開始時の水分圧Ｐｗ_０とを比較する。水分圧Ｐｗ_０より水分圧Ｐｗ_１が小さい場合（水分圧Ｐｗが低下した場合）、混合割合Ｒを、混合割合Ｒ_０より小さい混合割合Ｒ_１に低下させる。或いは、水分圧Ｐｗ_０より水分圧Ｐｗ_１が大きい場合（水分圧Ｐｗが上昇した場合）、混合割合Ｒを、混合割合Ｒ_０より大きい混合割合Ｒ_１に上昇させる。

【0034】

成膜工程での１回目の混合割合Ｒの変更（低下または上昇）は、成膜開始時の水分圧Ｐｗ_０と、所定のタイミングで測定された水分圧Ｐｗ_１との差に基づき、以上のように実施される。同様に、ｎ回目の混合割合Ｒの変更（低下または上昇）は、所定のタイミングで測定された水分圧Ｐｗ_ｎ－１と、その後の所定のタイミングで測定された水分圧Ｐｗ_ｎとの差に基づき、実施される。

【0035】

反応性ガスとして酸素を用いて透明導電層２０として例えばＩＴＯ層を形成する場合、成膜工程で形成される透明導電層２０の表面抵抗値は、成膜室内への酸素導入量（酸素分圧）の変化に応じて変化する（即ち、透明導電層２０の表面抵抗値は酸素導入量依存性を示す）。具体的には、酸素導入量に対し、透明導電層２０の表面抵抗値は、極小値を有するような放物線様の依存性を示す。そして、透明導電層２０の表面抵抗値が極小値をとる酸素導入量（酸素分圧）は、成膜室内の水分圧が高くなるほど、高くなる傾向にある（成膜室内の水分圧が低くなるほど、低くなる傾向にある）。このような成膜工程では、例えば、透明導電層２０の表面抵抗値が極小値またはその近傍の値をとるように、成膜室内の水分圧の増減に応じて上記の混合割合Ｒを増減させる。

【0036】

水分圧Ｐｗが０.１×１０^－４Ｐａ低下した場合（Ｐｗ_ｎ－Ｐｗ_ｎ－１＝－０.１×１０^－４）、混合割合Ｒは、例えば０.０５流量％低下させ、好ましくは０.１流量％低下させる。水分圧Ｐｗが０.１×１０^－４Ｐａ上昇した場合（Ｐｗ_ｎ－Ｐｗ_ｎ－１＝０.１×１０^－４）、混合割合Ｒは、例えば０.０５流量％上昇させ、好ましくは０.１流量％上昇させる。

【0037】

成膜室内の水分圧Ｐｗが０.９×１０^－４Ｐａである場合、混合割合Ｒは、好ましくは１.８流量％以上、より好ましくは２.０流量％以上であり、また、好ましくは２.３流量％以下、より好ましくは２.１流量％以下である。成膜室内の水分圧Ｐｗが１.０×１０^－４Ｐａである場合、混合割合Ｒは、好ましくは１.９流量％以上、より好ましくは２.１流量％超であり、また、好ましくは２.３流量％以下、より好ましくは２.２流量％以下である。成膜室内の水分圧Ｐｗが１.１×１０^－４Ｐａ以上１.４×１０^－４Ｐａ未満である場合、混合割合Ｒは、好ましくは２.０流量％以上、より好ましくは２.２流量％超であり、また、好ましくは２.５流量％以下、より好ましくは２.３流量％以下である。成膜室内の水分圧Ｐｗが１.４×１０^－４Ｐａ以上１.７×１０^－４Ｐａ以下である場合、混合割合Ｒは、好ましくは２.１流量％以上、より好ましくは２.３流量％超であり、また、好ましくは２.６流量％以下、より好ましくは２.５流量％以下である。

【0038】

成膜工程では、以上のように混合割合Ｒを制御しつつ、基材フィルム１０の先端領域から後端領域にかけて透明導電層２０を形成する。これにより、透明導電性フィルムＸを製造できる。

【0039】

透明導電層２０は、光透過性と導電性とを兼ね備える。透明導電層２０は、好ましくは、非晶領域と結晶粒とを含む。結晶粒とは、最大長さ３０ｎｍ以上の結晶粒とする。透明導電層２０が非晶領域と結晶粒とを含むことは、透明導電層２０において、低抵抗化と、屈曲時の割れの抑制とを、両立するのに適する（非晶質透明導電層は高抵抗であり、結晶質透明導電層は割れやすい）。透明導電層（透明導電性フィルムＸでは、基材フィルム１０上の透明導電層２０）が非晶領域と結晶粒とを含むことは、例えば、電界放射型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）による透明導電層の観察によって判断できる。

【0040】

透明導電層２０の厚さは、透明導電層２０の低抵抗化の観点から、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは７０ｎｍ以上、更に好ましくは８０ｎｍ以上である。また、透明導電層２０の厚さは、透明導電層２０において加熱による割れを抑制する観点から、好ましくは３５０ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下、更に好ましくは１５０ｎｍ以下である。

【0041】

透明導電層２０の抵抗値Ｒ１は、透明導電層２０の低抵抗化の観点から、好ましくは１００Ω／□以下、より好ましくは７０Ω／□以下、更に好ましくは５０Ω／□以下、一層好ましくは４５Ω／□以下である。抵抗値Ｒ１は、例えば１Ω／□以上である。抵抗値Ｒ１は、表面抵抗率である（後記の抵抗値Ｒ２も同様である）。透明導電層の表面抵抗率は、ＪＩＳ Ｋ７１９４（１９９４年）に準拠した四端子法によって測定できる。抵抗値Ｒ１,Ｒ２の測定方法は、具体的には、実施例に関して後述するとおりである。

【0042】

透明導電層２０の、１４０℃で３０分間の加熱後の抵抗値Ｒ２は、透明導電層２０の低抵抗化の観点から、好ましくは１００Ω／□以下、より好ましくは７０Ω／□以下、更に好ましくは５０Ω／□以下、一層好ましくは４５Ω／□以下、より一層好ましくは４０Ω／□以下、特に好ましくは３８Ω／□以下である。抵抗値Ｒ２は、例えば１Ω／□以上である。

【0043】

抵抗値Ｒ１と抵抗値Ｒ２との差Ｒ１－Ｒ２は、透明導電層２０の加熱による抵抗値の上昇を抑制する観点から、例えば３０Ω／□以下であり、好ましくは１５Ω／□以下、より好ましくは１３Ω／□以下、更に好ましくは１０Ω／□以下である（差Ｒ１－Ｒ２が負の値であることは、抵抗値が上昇したことを意味する）。

【0044】

抵抗値Ｒ１に対する抵抗値Ｒ２の比率（Ｒ２／Ｒ１）は、透明導電層２０の抵抗安定性の観点から、例えば０.５５以上であり、好ましくは０.７０以上、より好ましくは０.８０以上、更に好ましくは０.８５以上、特に好ましくは０.９０以上であり、また、好ましくは１.０以下である。

【0045】

透明導電性フィルムＸの全光線透過率（ＪＩＳ Ｋ ７３７５－２００８）は、好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上、更に好ましくは８５％以上である。このような構成は、タッチセンサ装置、調光素子、光電変換素子、熱線制御部材、アンテナ部材、電磁波シールド部材、ヒーター部材、照明装置、および画像表示装置などに透明導電性フィルムＸが備えられる場合に当該透明導電性フィルムＸに求められる透明性を確保するのに適する。基材フィルム１０の全光線透過率は、例えば１００％以下である。

【0046】

透明導電性フィルムＸにおける透明導電層２０は、図２に模式的に示すように、パターニングされてもよい。所定のエッチングマスクを介して透明導電層２０をエッチング処理することにより、透明導電層２０をパターニングできる。パターニングされた透明導電層２０は、例えば、配線パターンとして機能する。

【0047】

透明導電性フィルムの製造方法において、成膜室内の水分圧に対する反応性ガス（本実施形態では酸素）の分圧のバランス（成膜室内の水と反応性ガスとの量的バランスに相当する）は、当該成膜室内で形成される透明導電層２０の、事後加熱による抵抗値上昇の有無および大きさに影響を与える。透明導電性フィルムの製造方法では、成膜工程（図１Ｂ）が、上述のように、不活性ガスに対する反応性ガスの混合割合Ｒを、減圧雰囲気における水分圧Ｐｗの低下後に低下させること、および／または、混合割合Ｒを水分圧Ｐｗの上昇後に上昇させることを含む。このような透明導電性フィルムの製造方法は、成膜工程において、水分圧Ｐｗに対する不活性ガスの分圧のバランスを確保するのに適する。したがって、透明導電性フィルムの製造方法は、透明導電層２０について、加熱による抵抗値の上昇を抑制するのに適する。具体的には、後記の実施例および比較例をもって示すとおりである。

【0048】

図３に示すように、透明導電性フィルムＸの基材フィルム１０は、樹脂フィルム１１と機能層１２とを備えてもよい。樹脂フィルム１１の材料としては、基材フィルム１０の材料として上記した材料が挙げられる。機能層１２は、樹脂フィルム１１の厚さ方向Ｈの一方面上に配置されている。機能層１２は、樹脂フィルム１１に接する。機能層１２は、透明導電層２０にも接する。機能層１２は、例えば、透明導電層２０の露出表面（図３では上面）に擦り傷が形成されにくくするためのハードコート層である。

【0049】

ハードコート層は、硬化性樹脂組成物の硬化物である。硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂を含有する。硬化性樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、アクリルウレタン樹脂、アクリル樹脂（アクリルウレタン樹脂を除く）、ウレタン樹脂（アクリルウレタン樹脂を除く）、アミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、およびメラミン樹脂が挙げられる。これら硬化性樹脂は、単独で用いられてもよいし、二種類以上が併用されてもよい。ハードコート層の高硬度の確保の観点からは、硬化性樹脂としては、好ましくは、アクリルウレタン樹脂およびアクリル樹脂からなる群より選択される少なくとも一つが用いられる。

【0050】

また、硬化性樹脂としては、例えば、紫外線硬化型樹脂および熱硬化型樹脂が挙げられる。高温加熱せずに硬化可能であるために透明導電性フィルムＸの製造効率向上に役立つ観点から、硬化性樹脂としては、紫外線硬化型樹脂が好ましい。

【0051】

硬化性樹脂組成物は、粒子を含有してもよい。粒子としては、例えば、無機酸化物粒子および有機粒子が挙げられる。無機酸化物粒子の材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化カルシウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化カドミウム、および酸化アンチモンが挙げられる。有機粒子の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリウレタン、アクリル・スチレン共重合体、ベンゾグアナミン、メラミン、およびポリカーボネートが挙げられる。

【0052】

機能層１２における透明導電層２０側表面は、表面改質処理されていてもよい。表面改質処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、オゾン処理、プライマー処理、グロー処理、およびカップリング剤処理が挙げられる。

【0053】

ハードコート層としての機能層１２の厚さは、透明導電層２０において充分な耐擦過性を発現させる観点から、好ましくは０.１μｍ以上、より好ましくは０.５μｍ以上、更に好ましくは１μｍ以上である。ハードコート層としての機能層１２の厚さは、機能層１２の透明性を確保する観点から、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下、更に好ましくは３μｍ以下である。

【0054】

ハードコート層としての上述の機能層１２は、樹脂フィルム１１上に、硬化性樹脂組成物を塗布して塗膜を形成した後、この塗膜を硬化させることによって形成できる。硬化性樹脂組成物が紫外線硬化型樹脂を含有する場合には、紫外線照射によって前記塗膜を硬化させる。硬化性樹脂組成物が熱硬化型樹脂を含有する場合には、加熱によって前記塗膜を硬化させる。

【0055】

機能層１２は、樹脂フィルム１１に対する透明導電層２０の高い密着性を実現するための密着性向上層であってもよい。機能層１２が密着性向上層である構成は、樹脂フィルム１１と透明導電層２０との間の密着力を確保するのに適する。

【0056】

機能層１２は、基材フィルム１０の表面（厚さ方向Ｈの一方面）の反射率を調整するための屈折率調整層（index-matching layer）であってもよい。機能層１２が屈折率調整層である構成は、基材フィルム１０上の透明導電層２０がパターニングされている場合に、当該透明導電層２０のパターン形状を視認されにくくするのに適する。

【0057】

機能層１２は、基材フィルム１０から透明導電層２０を実用的に剥離可能にするための剥離機能層であってもよい。機能層１２が剥離機能層である構成は、基材フィルム１０から透明導電層２０を剥離して、当該透明導電層２０を他の部材に転写するのに適する。

【0058】

機能層１２は、複数の層が厚さ方向Ｈに連なる複合層であってもよい。複合層は、好ましくは、ハードコート層、密着性向上層、屈折率調整層、および剥離機能層からなる群より選択される２以上の層を含む。このような構成は、選択される各層の上述の機能を、機能層１２において複合的に発現するのに適する。好ましい一形態では、機能層１２は、樹脂フィルム１１上において、密着性向上層と、ハードコート層と、屈折率調整層とを、厚さ方向Ｈの一方側に向かってこの順で備える。好ましい他の形態では、機能層１２は、樹脂フィルム１１上において、剥離機能層と、ハードコート層と、屈折率調整層とを、厚さ方向Ｈの一方側に向かってこの順で備える。

【0059】

透明導電性フィルムＸは、物品に対して固定され、且つ必要に応じて透明導電層２０がパターニングされた状態で、利用される。透明導電性フィルムＸは、例えば、固着機能層を介して、物品に対して貼り合わされる。

【0060】

物品としては、例えば、素子、部材、および装置が挙げられる。すなわち、透明導電性フィルム付き物品としては、例えば、透明導電性フィルム付き素子、透明導電性フィルム付き部材、および透明導電性フィルム付き装置が挙げられる。

【0061】

素子としては、例えば、調光素子および光電変換素子が挙げられる。調光素子としては、例えば、電流駆動型調光素子および電界駆動型調光素子が挙げられる。電流駆動型調光素子としては、例えば、エレクトロクロミック（ＥＣ）調光素子が挙げられる。電界駆動型調光素子としては、例えば、ＰＤＬＣ（polymer dispersed liquid crystal）調光素子、ＰＮＬＣ（polymer network liquid crystal）調光素子、および、ＳＰＤ（suspended particle device）調光素子が挙げられる。光電変換素子としては、例えば太陽電池などが挙げられる。太陽電池としては、例えば、有機薄膜太陽電池および色素増感太陽電池が挙げられる。部材としては、例えば、電磁波シールド部材、熱線制御部材、ヒーター部材、およびアンテナ部材が挙げられる。装置としては、例えば、タッチセンサ装置、照明装置、および画像表示装置が挙げられる。

【0062】

上述の固着機能層としては、例えば、粘着層および接着層が挙げられる。固着機能層の材料としては、透明性を有し且つ固着機能を発揮する材料であれば、特に制限なく用いられる。固着機能層は、好ましくは、樹脂から形成されている。樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリビニルエーテル樹脂、酢酸ビニル／塩化ビニルコポリマー、変性ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、天然ゴム、および合成ゴムが挙げられる。凝集性、接着性、適度な濡れ性などの粘着特性を示すこと、透明性に優れること、並びに、耐候性および耐熱性に優れることから、前記樹脂としては、アクリル樹脂が好ましい。

【0063】

固着機能層（固着機能層を形成する樹脂）には、透明導電層２０の腐食抑制のために、腐食防止剤を配合してもよい。固着機能層（固着機能層を形成する樹脂）には、透明導電層２０のマイグレーション抑制のために、マイグレーション防止剤（例えば、特開２０１５－０２２３９７号に開示の材料）を配合してもよい。また、固着機能層（固着機能層を形成する樹脂）には、物品の屋外使用時の劣化を抑制するために、紫外線吸収剤を配合してもよい。紫外線吸収剤としては、例えば、ベンゾフェノン化合物、ベンゾトリアゾール化合物、サリチル酸化合物、シュウ酸アニリド化合物、シアノアクリレート化合物、および、トリアジン化合物が挙げられる。

【0064】

また、透明導電性フィルムＸの基材フィルム１０を、物品に対して固着機能層を介して固定した場合、透明導電性フィルムＸにおいて透明導電層２０（パターニング後の透明導電層２０を含む）は露出する。このような場合、透明導電層２０の当該露出面にカバー層を配置してもよい。カバー層は、透明導電層２０を被覆する層であり、透明導電層２０の信頼性を向上させ、また、透明導電層２０の受傷による機能劣化を抑制できる。そのようなカバー層は、好ましくは、誘電体材料から形成されており、より好ましくは、樹脂と無機材料との複合材料から形成されている。樹脂としては、例えば、固着機能層に関して上記した樹脂が挙げられる。無機材料としては、例えば、無機酸化物およびフッ化物が挙げられる。無機酸化物としては、例えば、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、および酸化カルシウムが挙げられる。フッ化物としては、例えばフッ化マグネシウムが挙げられる。また、カバー層（樹脂および無機材料の混合物）には、上記の腐食防止剤、マイグレーション防止剤、および紫外線吸収剤を配合してもよい。

【実施例0065】

本発明について、以下に実施例を示して具体的に説明する。ただし、本発明は、実施例に限定されない。また、以下に記載されている配合量（含有量）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上述の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合量（含有量）、物性値、パラメータなどの上限（「以下」または「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」または「超える」として定義されている数値）に代替できる。

【0066】

〔実施例１〕
まず、長尺の基材フィルムとしてのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（厚さ１２５μｍ，三菱ケミカル社製）のロール体を用意した。ＰＥＴフィルムは、２０００メートルの長さを有し、且つ１５００ｍｍの幅を有する。

【0067】

次に、反応性スパッタリング法により、ＰＥＴフィルム上に、厚さ１２５ｎｍの透明導電層を形成した（成膜工程）。本工程では、ロールトゥロール方式のスパッタ成膜装置（ＤＣマグネトロンスパッタ成膜装置）を使用した。同装置は、ロールトゥロール方式でワークフィルムを走行させつつ成膜プロセスを実施できる成膜室を備える。スパッタ成膜の条件は、次のとおりである。

【0068】

スパッタ成膜装置の成膜室内の到達真空度が０.９×１０^－４Ｐａに至るまで成膜室内を真空排気した後、成膜室内に、スパッタリングガス（不活性ガス）としてのアルゴンと、反応性ガスとしての酸素との混合ガスを導入し、成膜室内の気圧を０.２Ｐａとした。混合ガスにおける、アルゴンガスに対する酸素の混合割合Ｒ（成膜室へのアルゴン導入量に対する酸素導入量の割合）は、２.４流量％（アルゴン５００sccmに対して酸素１２sccm）とした。ターゲットとしては、酸化インジウムと酸化スズとの焼結体（酸化スズ濃度が１２質量％）を用いた。ターゲットに対する電圧印加のための電源としては、ＤＣ電源を用いた。ターゲット上の水平磁場強度は３０ｍＴとした。成膜温度（透明導電層が積層される基材フィルムの温度）は－３℃とした。基材フィルムの走行速度は２.０ｍ/分とした。以上の条件で、ワークフィルムとしてＰＥＴフィルムを走行させつつ、成膜室において、ＰＥＴフィルム上にインジウムスズ複合酸化物（ＩＴＯ）を成膜して透明導電層を形成し続けた。また、成膜工程中、成膜室内の水分圧Ｐｗを1０秒毎に測定した。成膜開始時の水分圧Ｐｗ_０は１.５×１０^－４Ｐａであった。

【0069】

成膜開始の後、成膜室内の水分圧は次第に低下し、ＰＥＴフィルムにおける先端から６００メートル地点の成膜時の水分圧Ｐｗは１.１×１０^－４Ｐａとなった（第１時点）。ＰＥＴフィルムにおける先端から６００メートル地点の成膜時（第１時点の直後）に、酸素の混合割合Ｒを２.４流量％から２.３流量％に変更した（第１の変更）。

【0070】

酸素の混合割合Ｒの第１の変更の後、成膜室内の水分圧は次第に低下し、ＰＥＴフィルムにおける先端から１２００メートル地点の成膜時の水分圧Ｐｗは１.０×１０^－４Ｐａとなった（第２時点）。ＰＥＴフィルムにおける先端から１２００メートル地点の成膜時（第２時点の直後）に、酸素の混合割合Ｒを２.３流量％から２.２流量％に変更した（第２の変更）。

【0071】

酸素の混合割合Ｒの第２の変更の後、成膜室内の水分圧は次第に低下し、ＰＥＴフィルムにおける先端から１７００メートル地点の成膜時の水分圧Ｐｗは０.９１×１０^－４Ｐａとなった（第３時点）。ＰＥＴフィルムにおける先端から１７００メートル地点の成膜時（第３時点の直後）に、酸素の混合割合Ｒを２.２流量％から２.１流量％に変更した（第３の変更）。

【0072】

以上のようにして、実施例１のロール状の透明導電性フィルム（長さ２０００メートル，幅１５００ｍｍ）を作製した。

【0073】

〔比較例１〕
成膜工程における酸素の混合割合Ｒを２.４流量％に維持したこと以外は、実施例１の透明導電性フィルムと同様にして、比較例１のロール状の透明導電性フィルム（長さ２０００メートル，幅１５００ｍｍ）を作製した。

【0074】

〈透明導電層の厚さ〉
実施例１および比較例１における各透明導電性フィルムの透明導電層の厚さを、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ－ＴＥＭ）での観察により測定した。具体的には、まず、ＦＩＢマイクロサンプリング法により、実施例１および比較例１における各透明導電層の断面観察用サンプルを作製した。ＦＩＢマイクロサンプリング法では、ＦＩＢ装置（品名「ＦＢ２２００」，Ｈｉｔａｃｈｉ製）を使用し、加速電圧を１０ｋＶとした。次に、断面観察用サンプルにおける透明導電層の断面をＦＥ－ＴＥＭによって観察し、当該観察画像において透明導電層の厚さを測定した。同観察では、ＦＥ－ＴＥＭ装置（品名「ＪＥＭ－２８００」，ＪＥＯＬ製）を使用し、加速電圧を２００ｋＶとした。測定結果を表１に示す。

【0075】

〈加熱による抵抗変化〉
実施例１および比較例１の各透明導電性フィルムについて、事後加熱による透明導電層の抵抗値の変化を調べた。具体的には、以下のとおりである。

【0076】

まず、長尺の透明導電性フィルムから、抵抗値測定用の１２枚の試料フィルム（第１～第１２試料フィルム）を切り出した。各試料フィルムは、５０ｍｍ（透明導電性フィルムの長さ方向の寸法）×１００ｍｍ（透明導電性フィルムの幅方向の寸法）のサイズを有する。第１試料フィルムは、透明導電性フィルムの長さ方向においては、先端から５０ｍの領域（先端領域）内であって、透明導電性フィルム幅方向においては一方端（フィルム走行方向を向いてフィルム右端側）から２００ｍｍ離れた位置から３００ｍｍ離れた位置までの区画から切り出されたものである。第１試料フィルムの幅方向中心位置は、透明導電性フィルムの幅方向における一方端から２５０ｍｍ離れた位置である（後記の第４試料フィルム、第７試料フィルムおよび第１０試料フィルムの幅方向中心位置も同様）。第２試料フィルムは、先端領域内において、透明導電性フィルム幅方向における一方端から７００ｍｍ離れた位置から８００ｍｍ離れた位置までの区画から切り出されたものである。第２試料フィルムの幅方向中心位置は、透明導電性フィルムの幅方向における一方端から７５０ｍｍ離れた位置である（後記の第５試料フィルム、第８試料フィルムおよび第１１試料フィルムの幅方向中心位置も同様）。第３試料フィルムは、先端領域内において、透明導電性フィルム幅方向における一方端から１２００ｍｍ離れた位置から１３００ｍｍ離れた位置までの区画から切り出されたものである。第３試料フィルムの幅方向中心位置は、透明導電性フィルムの幅方向における一方端から１２５０ｍｍ離れた位置である（後記の第６試料フィルム、第９試料フィルムおよび第１２試料フィルムの幅方向中心位置も同様）。第４試料フィルムは、透明導電性フィルムの長さ方向においては、先端から６００～６５０ｍの領域（第１中間領域）内であって、透明導電性フィルム幅方向においては一方端から２００ｍｍ離れた位置から３００ｍｍ離れた位置までの区画から切り出されたものである。第５試料フィルムは、第１中間領域内において、透明導電性フィルム幅方向における一方端から７００ｍｍ離れた位置から８００ｍｍ離れた位置までの区画から切り出されたものである。第６試料フィルムは、第１中間領域内において、透明導電性フィルム幅方向における一方端から１２００ｍｍ離れた位置から１３００ｍｍ離れた位置までの区画から切り出されたものである。第７試料フィルムは、透明導電性フィルムの長さ方向においては、先端から１２００～１２５０ｍの領域（第２中間領域）内であって、透明導電性フィルム幅方向においては一方端から２００ｍｍ離れた位置から３００ｍｍ離れた位置までの区画から切り出されたものである。第８試料フィルムは、第２中間領域内において、透明導電性フィルム幅方向における一方端から７００ｍｍ離れた位置から８００ｍｍ離れた位置までの区画から切り出されたものである。第９試料フィルムは、第２中間領域内において、透明導電性フィルム幅方向における一方端から１２００ｍｍ離れた位置から１３００ｍｍ離れた位置までの区画から切り出されたものである。第１０試料フィルムは、透明導電性フィルムの長さ方向においては、先端から１７００～１７５０ｍの領域（第３中間領域）内であって、透明導電性フィルム幅方向においては一方端から２００ｍｍ離れた位置から３００ｍｍ離れた位置までの区画から切り出されたものである。第１１試料フィルムは、第３中間領域内において、透明導電性フィルム幅方向における一方端から７００ｍｍ離れた位置から８００ｍｍ離れた位置までの区画から切り出されたものである。第１２試料フィルムは、第３中間領域内において、透明導電性フィルム幅方向における一方端から１２００ｍｍ離れた位置から１３００ｍｍ離れた位置までの区画から切り出されたものである。

【0077】

次に、ＪＩＳ Ｋ ７１９４（１９９４年）に準拠した四端子法により、試料フィルムの透明導電層の抵抗値Ｒ１（加熱処理前の表面抵抗率）を測定した。次に、熱風式の加熱オーブン内で、試料フィルムを加熱処理した。加熱処理において、加熱温度は１４０℃とし、加熱時間は３０分間とした。次に、ＪＩＳ Ｋ ７１９４（１９９４年）に準拠した四端子法により、同試料フィルムの透明導電層の抵抗値Ｒ２（加熱処理後の表面抵抗率）を測定した。また、抵抗値Ｒ１に対する抵抗値Ｒ２の差Ｒ１－Ｒ２を算出した。そして、透明導電層の抵抗値上昇の抑制について、差Ｒ１－Ｒ２が０.０以上の場合（抵抗値が上昇しなかった場合）を“良”と評価し、差Ｒ１－Ｒ２が０.０未満の場合（抵抗値が上昇した場合）を“不良”と評価した。これらの結果を、表１に示す。また、表１では、各抵抗値につき、フィルム幅方向の同一位置における先端領域の抵抗値との差（透明導電性フィルムの長さ方向における抵抗値変化量）をカギ括弧内に示す。実施例１の透明導電性フィルムの抵抗値Ｒ１において、長さ方向の抵抗値変化量の最大値は６Ω/□であった。実施例１の透明導電性フィルムの抵抗値Ｒ２において、長さ方向の抵抗値変化量の最大値は３Ω/□であった。比較例１の透明導電性フィルムの抵抗値Ｒ１において、長さ方向の抵抗値変化量の最大値は１０Ω/□であった。比較例１の透明導電性フィルムの抵抗値Ｒ２において、長さ方向の抵抗値変化量の最大値は２０Ω/□であった。

【0078】

【表1】

【符号の説明】

【0079】

Ｘ 透明導電性フィルム
Ｈ 厚さ方向
１０ 基材フィルム
１１ 樹脂フィルム
１２ 機能層
２０ 透明導電層

【図1】

【図2】

【図3】

【手続補正書】

【提出日】2024-01-30

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【請求項1】

長尺の基材フィルムと透明導電層とを厚み方向に順に備える透明導電性フィルムの製造方法であって、
不活性ガスと反応性ガスとを含む混合ガスが用いられる反応性スパッタリング法により、減圧雰囲気下で基材フィルム上に透明導電層を形成する、成膜工程を含み、
前記減圧雰囲気における水分圧が、５．０×１０ ^?３ Ｐａ以下であり、
前記成膜工程では、前記不活性ガスに対する前記反応性ガスの混合割合の変更を実施し、
前記混合割合の変更は、前記不活性ガスに対する前記反応性ガスの混合割合を、前記減圧雰囲気における水分圧の低下後に低下させることを含む、透明導電性フィルムの製造方法。

【請求項2】

前記減圧雰囲気における水分圧が、１．５×１０ ^?４ Ｐａ以下である、請求項１に記載の透明導電性フィルムの製造方法。

【請求項3】

前記基材フィルムの幅が、１０００ｍｍ以上である、請求項１に記載の透明導電性フィルムの製造方法。

【請求項4】

前記透明導電層が５０ｎｍ以上の厚さを有する、請求項１に記載の透明導電性フィルムの製造方法。

【請求項5】

前記透明導電層が非晶領域と結晶粒とを含む、請求項１または２に記載の透明導電性フィルムの製造方法。

【手続補正書】

【提出日】2024-05-14

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【請求項1】

長尺の基材フィルムと透明導電層とを厚み方向に順に備える透明導電性フィルムの製造方法であって、
不活性ガスと反応性ガスとを含む混合ガスが用いられる反応性スパッタリング法により、減圧雰囲気下で基材フィルム上に透明導電層を形成する、成膜工程を含み、
前記減圧雰囲気における水分圧が、１．５×１０ ^－４ Ｐａ以下であり、
前記成膜工程では、前記不活性ガスに対する前記反応性ガスの混合割合の変更を実施し、
前記混合割合の変更は、前記不活性ガスに対する前記反応性ガスの混合割合を、前記減圧雰囲気における水分圧の低下後に低下させることを含む、透明導電性フィルムの製造方法。

【請求項2】

前記基材フィルムの幅が、１０００ｍｍ以上である、請求項１に記載の透明導電性フィルムの製造方法。

【請求項3】

前記透明導電層が５０ｎｍ以上の厚さを有する、請求項１に記載の透明導電性フィルムの製造方法。

【請求項4】

前記透明導電層が非晶領域と結晶粒とを含む、請求項１に記載の透明導電性フィルムの製造方法。