特開 2024-70384 センサーモジュールおよびセンサーモジュールの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024070384

(43)【公開日】2024-05-23

(54)【発明の名称】センサーモジュールおよびセンサーモジュールの製造方法

(51)【国際特許分類】

   G01C 19/5628 20120101AFI20240516BHJP

   H10N 30/30 20230101ALI20240516BHJP

【ＦＩ】

G01C19/5628

H01L41/113

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022180839

(22)【出願日】2022-11-11

(71)【出願人】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100179475

【弁理士】

【氏名又は名称】仲井 智至

(74)【代理人】

【識別番号】100216253

【弁理士】

【氏名又は名称】松岡 宏紀

(74)【代理人】

【識別番号】100225901

【弁理士】

【氏名又は名称】今村 真之

(72)【発明者】

【氏名】上野 仁

【テーマコード（参考）】

2F105

【Ｆターム（参考）】

2F105BB04

2F105BB12

2F105BB15

2F105BB17

2F105CC01

2F105CD02

2F105CD03

2F105CD05

2F105CD06

2F105CD13

(57)【要約】

【課題】製造中の前記第２物理量センサーの姿勢変化を抑制することのできるセンサーモジュールおよびセンサーモジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】センサーモジュールは、配線基板と、第１実装面を有する第１パッケージと、前記第１パッケージに収容されている第１検出素子と、を有し、前記第１実装面が前記配線基板に接合されている第１物理量センサーと、第２実装面を有する第２パッケージと、前記第２パッケージに収容されている第２検出素子と、を有する第２物理量センサーと、第１主面および第１側面を備え、前記第１主面に前記第２物理量センサーの前記第２実装面が接合され、前記第１側面が前記配線基板に接合されている第１支持基板と、を有し、前記第２物理量センサーと前記第１支持基板との集合体の重心は、前記第１支持基板内に位置する。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

配線基板と、
第１実装面を有する第１パッケージと、前記第１パッケージに収容されている第１検出素子と、を有し、前記第１実装面が前記配線基板に接合されている第１物理量センサーと、
第２実装面を有する第２パッケージと、前記第２パッケージに収容されている第２検出素子と、を有する第２物理量センサーと、
第１主面および第１側面を備え、前記第１主面に前記第２物理量センサーの前記第２実装面が接合され、前記第１側面が前記配線基板に接合されている第１支持基板と、を有し、
前記第２物理量センサーと前記第１支持基板との集合体の重心は、前記第１支持基板内に位置することを特徴とするセンサーモジュール。

【請求項2】

第３実装面を有する第３パッケージと、前記第３パッケージに収容されている第３検出素子と、を有する第３物理量センサーと、
第２主面および第２側面を備え、前記第２主面に前記第３物理量センサーの前記第３実装面が接合され、前記第２側面が前記配線基板に接合されている第２支持基板と、を有し、
前記第３物理量センサーと前記第２支持基板との集合体の重心は、前記第２支持基板内に位置する請求項１に記載のセンサーモジュール。

【請求項3】

前記第１支持基板は、第１側面に形成されているキャスタレーションを有し、
前記キャスタレーションは、前記第１側面の前記第１主面側に位置する第１キャスタレーションと、前記第１主面と表裏関係にある第１背面側に位置する第２キャスタレーションと、を有する請求項１に記載のセンサーモジュール。

【請求項4】

前記第２物理量センサーは、前記第１支持基板を介して前記配線基板と電気的に接続されている請求項１に記載のセンサーモジュール。

【請求項5】

前記第１パッケージは、前記第１実装面および前記第１検出素子を収容する第１凹部を有する第１ベースと、前記第１ベースに接合され前記第１凹部の開口を塞ぐ第１リッドと、を有し、
前記第２パッケージは、前記第２実装面および前記第２検出素子を収容する第２凹部を有する第２ベースと、前記第２ベースに接合され前記第２凹部の開口を塞ぐ第２リッドと、を有し、
前記配線基板、前記第１ベース、前記第２ベースおよび前記第１支持基板は、同一材料で構成されている請求項１に記載のセンサーモジュール。

【請求項6】

配線基板と、
第１実装面を有する第１パッケージと、前記第１パッケージに収容されている第１検出素子と、を有する第１物理量センサーと、
第２実装面を有する第２パッケージと、前記第２パッケージに収容されている第２検出素子と、を有する第２物理量センサーと、
第１主面および第１側面を備える第１支持基板と、を有するセンサーモジュールの製造方法であって、
前記第１支持基板の前記第１主面に前記第２物理量センサーの前記第２実装面を接合して集合体を得る集合体形成工程と、
前記配線基板に前記第１パッケージの前記第１実装面を接合する第１物理量センサー接合工程と、
前記第１側面を鉛直方向下側に向けた姿勢で前記集合体を前記配線基板に接合する集合体接合工程と、を含み、
前記集合体の重心は、前記第１支持基板内に位置することを特徴とするセンサーモジュールの製造方法。

【請求項7】

前記第１支持基板の前記第１側面を研磨する研磨工程を含む請求項６に記載のセンサーモジュールの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、センサーモジュールおよびセンサーモジュールの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１に記載のセンサーモジュールは、配線基板と、配線基板に実装された３つのセンサー部品と、を有する。また、各センサー部品は、角速度センサーであり、パッケージと、パッケージに収容されたセンサー用振動片と、を有する。また、これら３つのセンサー部品は、互いの検出軸を直交させた姿勢で配線基板に実装されている。そのため、１つのセンサー部品は、パッケージの底面において配線基板に実装され、残り２つのセンサー部品は、パッケージの側面において配線基板に実装されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００８－０５１６２９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、パッケージには、一般的なセラミックパッケージが用いられる。一般的なパッケージは、複数のセラミックパッケージを一枚のセラミックシートで一体形成した後にダイシングや折り取りによって個片化して形成される。そのため、個片化の方法や精度によってはパッケージの側面にバリや凹凸が形成されたり、側面が斜めに傾斜したりするおそれがある。そのため、センサー部品をパッケージの側面において配線基板に実装すると、製造中にセンサー部品の姿勢変化が生じたり、酷い場合には転倒してしまったりするおそれがある。つまり、特許文献１のセンサーモジュールでは、センサー部品を理想姿勢で実装することが困難である。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明のセンサーモジュールは、配線基板と、
第１実装面を有する第１パッケージと、前記第１パッケージに収容されている第１検出素子と、を有し、前記第１実装面が前記配線基板に接合されている第１物理量センサーと、
第２実装面を有する第２パッケージと、前記第２パッケージに収容されている第２検出素子と、を有する第２物理量センサーと、
第１主面および第１側面を備え、前記第１主面に前記第２物理量センサーの前記第２実装面が接合され、前記第１側面が前記配線基板に接合されている第１支持基板と、を有し、
前記第２物理量センサーと前記第１支持基板との集合体の重心は、前記第１支持基板内に位置する。

【0006】

本発明のセンサーモジュールの製造方法は、配線基板と、
第１実装面を有する第１パッケージと、前記第１パッケージに収容されている第１検出素子と、を有する第１物理量センサーと、
第２実装面を有する第２パッケージと、前記第２パッケージに収容されている第２検出素子と、を有する第２物理量センサーと、
第１主面および第１側面を備える第１支持基板と、を有するセンサーモジュールの製造方法であって、
前記第１支持基板の前記第１主面に前記第２物理量センサーの前記第２実装面を接合して集合体を得る集合体形成工程と、
前記配線基板に前記第１パッケージの前記第１実装面を接合する第１物理量センサー接合工程と、
前記第１側面を鉛直方向下側に向けた姿勢で前記集合体を前記配線基板に接合する集合体接合工程と、を含み、
前記集合体の重心は、前記第１支持基板内に位置する。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】第１実施形態に係るセンサーモジュールを示す上面図である。

【図2】図１のセンサーモジュールからキャップを省略した上面図である。

【図3】図１のセンサーモジュールの下面図である。

【図4】第１支持基板の正面図である。

【図5】第１支持基板の断面図である。

【図6】第２支持基板の正面図である。

【図7】第２支持基板の断面図である。

【図8】第１支持基板の変形例を示す断面図である。

【図9】第１支持基板の変形例を示す断面図である。

【図10】第１支持基板の変形例を示す断面図である。

【図11】第１物理量センサーの断面図である。

【図12】図２中のＡ－Ａ線断面図である。

【図13】センサーモジュールの製造方法を示すフローチャートである。

【図14】センサーモジュールの製造方法を説明するための上面図である。

【図15】センサーモジュールの製造方法を説明するための上面図である。

【図16】センサーモジュールの製造方法を説明するための上面図である。

【図17】センサーモジュールの製造方法を説明するための上面図である。

【図18】センサーモジュールの製造方法を説明するための上面図である。

【図19】センサーモジュールの製造方法を説明するための上面図である。

【図20】センサーモジュールの製造方法を説明するための断面図である。

【図21】第２実施形態に係るセンサーモジュールを示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、本発明のセンサーモジュールおよびセンサーモジュールの製造方法を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。なお、説明の便宜上、各図には、互いに直交する３軸をＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸として図示している。Ｘ軸と平行な方向を「Ｘ軸方向」とも言い、Ｙ軸と平行な方向を「Ｙ軸方向」とも言い、Ｚ軸と平行な方向を「Ｚ軸方向」とも言う。また、Ｚ軸が鉛直方向に沿っており、Ｚ軸方向プラス側を「上」、Ｚ軸方向マイナス側を「下」とも言う。

【0009】

＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係るセンサーモジュールを示す上面図である。図２は、図１のセンサーモジュールからキャップを省略した上面図である。図３は、図１のセンサーモジュールの下面図である。図４は、第１支持基板の正面図である。図５は、第１支持基板の断面図である。図６は、第２支持基板の正面図である。図７は、第２支持基板の断面図である。図８ないし図１０は、それぞれ、第１支持基板の変形例を示す断面図である。図１１は、第１物理量センサーの断面図である。図１２は、図２中のＡ－Ａ線断面図である。図１３は、センサーモジュールの製造方法を示すフローチャートである。図１４ないし図１９は、センサーモジュールの製造方法を説明するための上面図である。図２０は、センサーモジュールの製造方法を説明するための断面図である。

【0010】

図１ないし図３に示すセンサーモジュール１は、ＱＦＰ（Quad Flat Package）構造である。また、センサーモジュール１は、配線基板２と、配線基板２の上面２１に接合された第１物理量センサー３ｚ、第１支持基板８および第２支持基板９と、第１支持基板８に接合された第２物理量センサー３ｘと、第２支持基板９に接合された第３物理量センサー３ｙと、第１、第２、第３物理量センサー３ｚ、３ｘ、３ｙを覆うように配線基板２に被せられたキャップ１０と、配線基板２の下面２２に接合された電子部品６と、配線基板２から延出するリード群７と、を有する。

【0011】

≪配線基板２≫
配線基板２は、平面視形状が略正方形の板状であり、互いに表裏関係にある上面２１および下面２２を有する。配線基板２は、セラミック基板であり、アルミナ、チタニア等の各種セラミック材料で構成されている。これにより、高い耐食性と優れた機械的強度とを有する配線基板２となる。また、吸湿し難く耐熱性にも優れるため、例えば、センサーモジュール１の製造時に加わる熱によるダメージを受け難い。なお、配線基板２は、例えば、所定の配線パターンが形成された複数のセラミックシート（グリーンシート）を積層し、この積層体を焼結することにより製造される。ただし、配線基板２は、セラミック基板に限定されず、例えば、各種半導体基板、各種ガラス基板、各種プリント基板等を用いることもできる。

【0012】

また、図２に示すように、配線基板２の上面２１には、第１物理量センサー３ｚと電気的に接続された端子Ｐ３ｚと、第１支持基板８と電気的に接続された端子Ｐ８と、第２支持基板９と電気的に接続された端子Ｐ９と、が形成されている。一方、図３に示すように、配線基板２の下面２２には、電子部品６と電気的に接続された端子Ｐ６と、リード群７と電気的に接続された端子Ｐ７と、が形成されている。これら各端子Ｐ３ｚ、Ｐ６、Ｐ７、Ｐ８、Ｐ９は、配線基板２に形成された図示しない配線を介して電気的に接続されている。

【0013】

≪第１、第２支持基板８、９≫
第１支持基板８は、第２物理量センサー３ｘの配線基板２への実装を中継するインターポーザー基板であり、第２支持基板９は、第３物理量センサー３ｙの配線基板２への実装を中継するインターポーザー基板である。これら第１、第２支持基板８、９は、互いに同一の構成である。これにより、第１、第２支持基板８、９を個別に準備する必要が無くなり、センサーモジュール１の製造コストを削減することができる。

【0014】

また、第１、第２支持基板８、９は、共に、セラミック基板であり、アルミナ、チタニア等の各種セラミック材料で構成されている。これにより、高い耐食性と優れた機械的強度とを有する第１、第２支持基板８、９となる。また、吸湿し難く、耐熱性にも優れるため、例えば、センサーモジュール１の製造時に加わる熱によるダメージを受け難い。なお、第１、第２支持基板８、９は、例えば、所定の配線パターンが形成された複数のセラミックシートを積層し、この積層体を焼結することにより製造される。ただし、第１、第２支持基板８、９は、セラミック基板に限定されず、例えば、各種半導体基板、各種ガラス基板、各種プリント基板等を用いることもできる。

【0015】

図４および図５に示すように、第１支持基板８は、平面視形状が略正方形の板状であり、第２物理量センサー３ｘが接合される第１主面８１と、第１主面８１と表裏関係にある第１背面８２と、配線基板２の上面２１に接合される第１側面８３と、を有する。また、第１主面８１には、第２物理量センサー３ｘと電気的に接続された複数の端子Ｐ３ｘが形成され、第１側面８３には、配線基板２と電気的に接続された複数のキャスタレーションＣ１が形成されている。なお、キャスタレーションＣ１は、第１側面８３に形成された半円状のスルーホールにメタライズ加工することにより形成される。

【0016】

キャスタレーションＣ１は、図示しない内部配線等を介して所定の端子Ｐ３ｘと電気的に接続されている。また、キャスタレーションＣ１は、第１主面８１側に位置し、第１主面８１上まで延出した複数の第１キャスタレーションＣ１１と、第１背面８２側に位置し、第１背面８２上まで延出した複数の第２キャスタレーションＣ１２と、を有する。つまり、キャスタレーションＣ１は、第１支持基板８の厚さ方向の両端部に分かれて形成されている。

【0017】

以上のような第１支持基板８は、第１主面８１をＸ軸方向に向け、かつ、第１側面８３を下側に向けた起立姿勢で、第１側面８３において複数の導電性の接合部材Ｂ８を介して配線基板２の上面２１に接合されている。また、各キャスタレーションＣ１は、接合部材Ｂ８を介して対応する端子Ｐ８と電気的に接続されている。前述したように、キャスタレーションＣ１が第１側面８３の両側に形成されているため、配線基板２上での第１支持基板８の姿勢が安定する。そのため、配線基板２に対する第１支持基板８の姿勢変化、特に、Ｙ軸まわりの傾斜を効果的に抑制することができる。また、接合部材Ｂ８がキャスタレーションＣ１内すなわち半円状のスルーホール内に入り込むと共に、第１主面８１および第１背面８２に立ち上がるフィレットを形成するため、配線基板２と第１支持基板８との接合強度をより高めることができる。

【0018】

接合部材Ｂ８は、半田であり、半田リフローによって第１支持基板８と配線基板２との機械的および電気的な接続を行っている。これにより、配線基板２への第１支持基板８の実装を容易かつ精度よく行うことができる。ただし、接合部材Ｂ８としては、半田に限定されず、例えば、金ろう、銀ろう等の各種ろう材、金バンプ、銀バンプ等の各種金属バンプ、樹脂系接着剤に導電性フィラーを分散させた各種導電性接着剤等を用いることができる。

【0019】

図６および図７に示すように、第２支持基板９は、上述した第１支持基板８と同様、平面視形状が略正方形の板状であり、第３物理量センサー３ｙが接合される第２主面９１と、第２主面９１と表裏関係にある第２背面９２と、配線基板２の上面２１に接合される第２側面９３と、を有する。また、第２主面９１には、第３物理量センサー３ｙと電気的に接続された複数の端子Ｐ３ｙが形成され、第２側面９３には、配線基板２と電気的に接続された複数のキャスタレーションＣ２が形成されている。

【0020】

キャスタレーションＣ２は、図示しない内部配線等を介して所定の端子Ｐ３ｙと電気的に接続されている。また、キャスタレーションＣ２は、第２主面９１側に位置し、第２主面９１上まで延出した複数の第１キャスタレーションＣ２１と、第２背面９２側に位置し、第２背面９２上まで延出した複数の第２キャスタレーションＣ２２と、を含む。

【0021】

以上のような第２支持基板９は、第２主面９１をＹ軸方向に向け、かつ、第２側面９３を下側に向けた起立姿勢で、第２側面９３において複数の導電性の接合部材Ｂ９を介して配線基板２の上面２１に接合されている。また、各キャスタレーションＣ２は、接合部材Ｂ９を介して対応する端子Ｐ９と電気的に接続されている。前述したように、キャスタレーションＣ２が第２側面９３の両側に形成されているため、配線基板２上での第２支持基板９の姿勢が安定する。そのため、配線基板２に対する第２支持基板９の姿勢変化、特に、Ｘ軸まわりの傾斜を効果的に抑制することができる。また、接合部材Ｂ９がキャスタレーションＣ２内に入り込むと共に、第２主面９１および第２背面９２に立ち上がるフィレットを形成するため、配線基板２と第２支持基板９との接合強度をより高めることができる。

【0022】

接合部材Ｂ９は、半田であり、半田リフローによって第２支持基板９と配線基板２との機械的および電気的な接続を行っている。これにより、配線基板２への第２支持基板９の実装を容易かつ精度よく行うことができる。ただし、接合部材Ｂ９としては、半田に限定されず、例えば、金ろう、銀ろう等の各種ろう材、金バンプ、銀バンプ等の各種金属バンプ、樹脂系接着剤に導電性フィラーを分散させた各種導電性接着剤等を用いることができる。

【0023】

以上、第１、第２支持基板８、９について説明した。ただし、第１支持基板８の形状としては、特に限定されず、例えば、図８ないし図１０に示すように、第１主面８１を有する部分８Ａよりも第１側面８３を有する部分８Ｂの方が、厚さが大きい形成であってもよい。これにより、第１側面８３の面積が広くなると共に、集合体Ｑ１の低重心化を図ることができるため、第１支持基板８の姿勢がより安定する。

【0024】

≪第１、第２、第３物理量センサー３ｚ、３ｘ、３ｙ≫
第１、第２、第３物理量センサー３ｚ、３ｘ、３ｙは、それぞれ、パッケージ化された表面実装部品である。これにより、素子が剥き出しの実装部品と比べて高い機械的強度を発揮することができる。さらに、第１物理量センサー３ｚの配線基板２への実装、第２物理量センサー３ｘの第１支持基板８への実装および第３物理量センサー３ｙの第２支持基板９への実装が容易となる。

【0025】

第１物理量センサー３ｚは、Ｚ軸まわりの角速度を検出する角速度センサーであり、第２物理量センサー３ｘは、Ｘ軸まわりの角速度を検出する角速度センサーであり、第３物理量センサー３ｙは、Ｙ軸まわりの角速度を検出する角速度センサーである。これら第１、第２、第３物理量センサー３ｚ、３ｘ、３ｙは、それぞれ、後述する検出素子３４の駆動周波数が異なること以外は、互いに同一の構成であり、検出軸がＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を向くように互いに姿勢を直交させて配置されている。第１、第２、第３物理量センサー３ｚ、３ｘ、３ｙを互いに同一の構成とすることにより、第１、第２、第３物理量センサー３ｚ、３ｘ、３ｙを個別に準備する必要が無くなり、センサーモジュール１の製造コストを削減することができる。

【0026】

このような第１、第２、第３物理量センサー３ｚ、３ｘ、３ｙは、それぞれ、パッケージ３１と、パッケージ３１に収容された検出素子３４と、を有する。また、パッケージ３１は、凹部を有し、凹部内に収容された検出素子３４を支持する箱型のベース３２と、凹部の開口を塞ぐようにベース３２に接合されたリッド３３と、を有する。このようなパッケージ３１では、ベース３２の底面が実装面３２０となっており、実装面３２０には検出素子３４と電気的に接続された複数の接続端子３２１が形成されている。なお、ベース３２の側面は、実装面３２０に対して直交するように設計されており、この側面には、各接続端子３２１から延びる複数のキャスタレーションが形成されている。

【0027】

また、ベース３２は、アルミナ、チタニア等のセラミック材料で構成され、リッド３３は、コバール等の金属材料で構成されている。これにより、ベース３２とリッド３３との線膨張係数差が小さくなり、熱応力の発生を効果的に抑制することができる。

【0028】

また、ベース３２をセラミック材料で構成することにより、配線基板２、各第１、第２、第３物理量センサー３ｚ、３ｘ、３ｙのベース３２および第１、第２支持基板８、９を同一材料で構成することができる。これにより、これらの線膨張係数が等しくなり、熱応力が生じ難くなる。そのため、クラック等の発生が抑制される。また、各振動素子３４に熱応力が加わり難くなり、角速度検出精度の低下を抑制することもできる。そのため、信頼性の高いセンサーモジュール１となる。

【0029】

検出素子３４は、例えば、駆動腕および振動腕を有する水晶振動素子である。水晶振動素子では、駆動信号を印加して駆動腕を駆動振動させた状態で検出軸まわりの角速度が加わると、コリオリの力によって検出腕に検出振動が励振される。そして、検出振動により検出腕に発生する電荷を検出信号として取り出し、取り出した検出信号に基づいて角速度を求めることができる。ただし、検出素子３４の構成は、特に限定されず、例えば、静電容量型のシリコン振動素子であり、静電容量の変化に基づいて角速度を検出する構成であってもよい。

【0030】

以上、第１、第２、第３物理量センサー３ｚ、３ｘ、３ｙについて説明した。なお、以下では、第１物理量センサー３ｚのパッケージ３１を「第１パッケージ３１ｚ」、ベース３２を「第１ベース３２ｚ」、リッド３３を「第１リッド３３ｚ」、実装面３２０を「第１実装面３２０ｚ」、検出素子３４を「第１検出素子３４ｚ」とも言う。また、第２物理量センサー３ｘのパッケージ３１を「第２パッケージ３１ｘ」、ベース３２を「第２ベース３２ｘ」、リッド３３を「第２リッド３３ｘ」、実装面３２０を「第２実装面３２０ｘ」、検出素子３４を「第２検出素子３４ｘ」とも言う。また、第３物理量センサー３ｙのパッケージ３１を「第３パッケージ３１ｙ」、ベース３２を「第３ベース３２ｙ」、リッド３３を「第３リッド３３ｙ」、実装面３２０を「第３実装面３２０ｙ」、検出素子３４を「第３検出素子３４ｙ」とも言う。

【0031】

図１１に示すように、第１物理量センサー３ｚは、第１実装面３２０ｚにおいて複数の導電性の接合部材Ｂ３ｚを介して配線基板２の上面２１に接合されている。また、第１実装面３２０ｚ上の各接続端子３２１は、接合部材Ｂ３ｚを介して所定の端子Ｐ３ｚと電気的に接続されている。

【0032】

また、図５に示すように、第２物理量センサー３ｘは、第２実装面３２０ｘにおいて複数の導電性の接合部材Ｂ３ｘを介して第１支持基板８の第１主面８１に接合されている。また、第２実装面３２０ｘ上の各接続端子３２１は、接合部材Ｂ３ｘを介して所定の端子Ｐ３ｘと電気的に接続されている。そのため、第２物理量センサー３ｘは、第１支持基板８を介して配線基板２と電気的に接続される。これにより、第２物理量センサー３ｘと配線基板２との電気的な接続が容易となる。

【0033】

また、図７に示すように、第３物理量センサー３ｙは、第３実装面３２０ｙにおいて複数の導電性の接合部材Ｂ３ｙを介して第２支持基板９の第２主面９１に接合されている。また、第３実装面３２０ｙ上の各接続端子３２１は、接合部材Ｂ３ｙを介して所定の端子Ｐ３ｙと電気的に接続されている。そのため、第３物理量センサー３ｙは、第２支持基板９を介して配線基板２と電気的に接続される。これにより、第３物理量センサー３ｙと配線基板２との電気的な接続が容易となる。

【0034】

接合部材Ｂ３ｚは、半田であり、半田リフローによって第１物理量センサー３ｚと配線基板２との機械的および電気的な接続を行っている。これにより、配線基板２への第１物理量センサー３ｚの実装を容易かつ精度よく行うことができる。同様に、接合部材Ｂ３ｘ、Ｂ３ｙは、それぞれ、半田であり、半田リフローによって第２、第３物理量センサー３ｘ、３ｙと第１、第２支持基板８、９との機械的および電気的な接続を行っている。これにより、第１、第２支持基板８、９への第２、第３物理量センサー３ｘ、３ｙの実装を容易かつ精度よく行うことができる。ただし、接合部材Ｂ３ｚ、Ｂ３ｘ、Ｂ３ｙとしては、半田に限定されず、例えば、金ろう、銀ろう等の各種ろう材、金バンプ、銀バンプ等の各種金属バンプ、樹脂系接着剤に導電性フィラーを分散させた各種導電性接着剤等を用いることができる。

【0035】

ここで、第１側面８３は、十分に平滑化されている。具体的には、第１側面８３は、第２物理量センサー３ｘの第２ベース３２ｘの側面よりも表面粗さが小さい。さらに、第１側面８３は、その傾きが高精度に制御され、図５に示すように、本実施形態では第１主面８１に対して直交している。つまり、第１主面８１と第１側面８３とのなす角θ１が９０°である。また、第１支持基板８は、第２ベース３２ｘよりも個体差が小さい。具体的には、無作為に選択された所定個数の第１支持基板８の角θ１の９０°からのずれ量の平均値Δθ１が、無作為に選択された同個数の第２ベース３２ｘの第２実装面３２０ｘと側面とのなす角θ２の９０°からのずれ量の平均値Δθ２よりも小さい。これにより、第１支持基板８を中継することなく第２物理量センサー３ｘを直接配線基板２に接合する場合と比べ、第２物理量センサー３ｘの検出軸のＸ軸からのずれを小さくすることができる。

【0036】

また、第１支持基板８および第２物理量センサー３ｘの集合体を集合体Ｑ１としたとき、この集合体Ｑ１の重心Ｇ１が第１支持基板８内に位置する。具体的には、第１側面８３を鉛直方向下側に向けて配置したとき、鉛直方向からの平面視で、重心Ｇ１が第１側面８３と重なっている。これにより、第１支持基板８の第１側面８３を下側に向けた姿勢で集合体Ｑ１を自立させることができる。そのため、センサーモジュール１の製造が容易となる。

【0037】

同様に、第２側面９３は、十分に平滑化されている。具体的には、第２側面９３は、第３物理量センサー３ｙの第３ベース３２ｙの側面よりも表面粗さが小さい。さらに、第２側面９３は、その傾きが高精度に制御され、図７に示すように、本実施形態では第２主面９１に対して直交している。つまり、第２主面９１と第２側面９３とのなす角θ１が９０°である。また、第２支持基板９は、第３ベース３２ｙよりも個体差が小さい。

【0038】

また、第２支持基板９および第３物理量センサー３ｙの集合体を集合体Ｑ２としたとき、この集合体Ｑ２の重心Ｇ２が、第２支持基板９内に位置する。具体的には、第２側面９３を鉛直方向下側に向けて配置したとき、鉛直方向からの平面視で、重心Ｇ２が第２側面９３と重なっている。これにより、第２支持基板９の第２側面９３を下側に向けた姿勢で集合体Ｑ２を自立させることができる。そのため、センサーモジュール１の製造が容易となる。

【0039】

≪キャップ１０≫
図１２に示すように、キャップ１０は、配線基板２の上面２１に接合されており、配線基板２との間に第１、第２、第３物理量センサー３ｚ、３ｘ、３ｙを収容する。キャップ１０は、ハット型であり、下面に開口する凹部を有する基部１０１と、基部１０１の下端部から外周側に突出する環状のフランジ部１０２と、を有する。このようなキャップ１０は、凹部内に第１、第２、第３物理量センサー３ｚ、３ｘ、３ｙを収容するようにして配線基板２の上面２１に配置され、フランジ部１０２が接合部材Ｂ１０を介して上面２１に接合されている。そして、凹部内が気密封止されている。

【0040】

このように、第１、第２、第３物理量センサー３ｚ、３ｘ、３ｙを収容するキャップ１０を設けることで、第１、第２、第３物理量センサー３ｚ、３ｘ、３ｙを水分、埃、衝撃等から保護することができる。なお、本実施形態では、凹部内が大気封止されている。ただし、これに限定されず、例えば、減圧封止、陽圧封止してもよいし、窒素、アルゴン等の安定したガスに置換してもよい。

【0041】

また、キャップ１０は、導電性を有し、例えば、金属材料で構成されている。特に、本実施形態では、鉄－ニッケル系合金である４２アロイで構成されている。これにより、セラミック基板からなる配線基板２とキャップ１０との線膨張係数差を十分に小さくすることができ、これらの線膨張係数差に起因する熱応力の発生を効果的に抑制することができる。したがって、環境温度に影響を受け難く、安定した特性を有するセンサーモジュール１となる。

【0042】

また、キャップ１０は、センサーモジュール１の使用時にグランド（ＧＮＤ）に接続される。これにより、キャップ１０が外部からの電磁ノイズを遮断するシールドとして機能し、キャップ１０の内部に収容された第１、第２、第３物理量センサー３ｚ、３ｘ、３ｙの駆動がより安定する。ただし、キャップ１０の構成材料としては、４２アロイに限定されず、例えば、ＳＵＳ材等の金属材料、各種セラミック材料、各種樹脂材料、シリコン等の半導体材料、各種ガラス材料等を用いることもできる。

【0043】

≪電子部品６≫
電子部品６は、パッケージ化された表面実装部品である。これにより、素子が剥き出しの実装部品と比べて高い機械的強度を発揮することができる。さらに、電子部品６の配線基板２への実装も容易となる。

【0044】

図１２に示すように、電子部品６は、パッケージ６１と、パッケージ６１内に収容された加速度センサー４および回路素子５を有する。パッケージ６１は、凹部を有する箱型のベース６２と、凹部の開口を塞ぐようにベース６２に接合されたリッド６３と、を有する。ベース６２は、アルミナ、チタニア等のセラミック材料で構成され、リッド６３は、コバール等の金属材料で構成されている。

【0045】

そして、ベース６２の凹部の底面に回路素子５と加速度センサー４とが重ねて実装されている。また、回路素子５は、ボンディングワイヤーを介してベース４２に形成された内部端子と電気的に接続されており、加速度センサー４は、ボンディングワイヤーを介して回路素子５と電気的に接続されている。なお、パッケージ６１内における加速度センサー４および回路素子５の配置は、特に限定されない。

【0046】

加速度センサー４は、Ｘ軸方向の加速度、Ｙ軸方向の加速度およびＺ軸方向の加速度をそれぞれ独立して検出することができる３軸加速度センサーである。これにより、センサーモジュール１は、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸の各軸まわりの角速度および各軸方向の加速度を検出可能な６軸複合センサーとなる。そのため、様々な電子部品に搭載可能で、利便性および需要の高いセンサーモジュール１となる。

【0047】

加速度センサー４は、パッケージ４１と、パッケージ４１に収納されている加速度検出素子４４、４５、４６と、を有する。パッケージ４１は、加速度検出素子４４、４５、４６を支持するベース４２と、ベース４２との間に加速度検出素子４４、４５、４６を収容するようにしてベース４２に接合されたリッド４３と、を有する。

【0048】

また、加速度検出素子４４は、Ｘ軸方向の加速度を検出する素子であり、加速度検出素子４５は、Ｙ軸方向の加速度を検出する素子であり、加速度検出素子４６は、Ｚ軸方向の加速度を検出する素子である。これら加速度検出素子４４、４５、４６は、ベース４２に固定された固定電極と、ベース４２に対して可変な可動電極と、を有するシリコン振動素子である。検出軸方向の加速度を受けると可動電極が固定電極に対し変位し、固定電極と可動電極との間に形成された静電容量が変化する。そのため、加速度検出素子４４、４５、４６の静電容量の変化を検出信号として取り出し、取り出した検出信号に基づいて各軸方向の加速度を求めることができる。

【0049】

回路素子５は、第１、第２、第３物理量センサー３ｚ、３ｘ、３ｙ、加速度センサー４およびリード群７と電気的に接続されている。回路素子５は、第１、第２、第３物理量センサー３ｚ、３ｘ、３ｙおよび加速度センサー４の駆動を制御する制御回路５１と、外部との通信を行うインターフェース回路５２と、を有する。

【0050】

制御回路５１は、第１、第２、第３物理量センサー３ｚ、３ｘ、３ｙおよび加速度センサー４の駆動を独立して制御し、第１、第２、第３物理量センサー３ｚ、３ｘ、３ｙおよび加速度センサー４から出力される検出信号に基づいて、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸の各軸まわりの角速度および各軸方向の加速度を独立して検出する。インターフェース回路５２は、信号の送受信を行い、外部装置からの指令を受け付けたり、検出した角速度および加速度を外部装置に出力したりする。

【0051】

このような構成の第４電子部品６は、パッケージ６１の底面において導電性の接合部材Ｂ６を介して基板２の下面２２に接合されている。パッケージ６１の底面には回路素子５と電気的に接続された端子６５が形成されており、この端子６５が接合部材Ｂ６を介して端子Ｐ６と電気的に接続されている。

【0052】

以上、電子部品６について説明したが、電子部品６の構成としては、特に限定されない。例えば、パッケージ６１および加速度センサー４を省略して回路素子５で構成されていてもよい。この場合、センサーモジュール１は、３軸角速度センサーとし機能する。また、パッケージ６１および回路素子５を省略してもよい。この場合、センサーモジュール１が実装される外部装置に回路素子５と同様の機能を有する回路を持たせ、当該回路によってセンサーモジュール１の制御を行えばよい。また、パッケージ６１を省略し、配線基板２の下面２２に回路素子５と加速度センサー４とを重ねて実装してもよい。また、電子部品６は、加速度以外の物理量を検出する物理量センサーであってもよいし、物理量センサーでなくてもよい。また、電子部品６は、省略してもよい。

【0053】

≪リード群７≫
図３および図１２に示すように、リード群７は、配線基板２の下面２２側に位置し、導電性の接合部材Ｂ７を介して配線基板２の下面２２に接合された複数のリード７１を有する。複数のリード７１は、配線基板２の四辺に沿ってほぼ均等に設けられている。また、複数のリード７１は、接合部材Ｂ７を介して配線基板２に形成された端子Ｐ７と電気的に接続されている。

【0054】

接合部材Ｂ７は、半田であり、半田リフローによってリード７１と配線基板２との機械的および電気的な接続を行っている。これにより、リード７１と配線基板２との接続を容易かつ精度よく行うことができる。また、経年劣化が少なく、信頼性の高い接合部材Ｂ７となる。ただし、接合部材Ｂ７としては、半田に限定されず、例えば、金ろう、銀ろう等の各種ろう材、金バンプ、銀バンプ等の各種金属バンプ、樹脂系接着剤に導電性フィラーを分散させた各種導電性接着剤等を用いることができる。

【0055】

以上、センサーモジュール１について説明した。センサーモジュール１は、前述したように、配線基板２と、第１実装面３２０ｚを有する第１パッケージ３１ｚと、第１パッケージ３１ｚに収容されている第１検出素子３４ｚと、を有し、第１実装面３２０ｚが配線基板２に接合されている第１物理量センサー３ｚと、第２実装面３２０ｘを有する第２パッケージ３１ｘと、第２パッケージ３１ｘに収容されている第２検出素子３４ｘと、を有する第２物理量センサー３ｘと、第１主面８１および第１側面８３を備え、第１主面８１に第２物理量センサー３ｘの第２実装面３２０ｘが接合され、第１側面８３が配線基板２に接合されている第１支持基板８と、を有する。そして、第２物理量センサー３ｘと第１支持基板８との集合体Ｑ１の重心Ｇ１は、第１支持基板８内に位置する。このような構成によれば、第１側面８３を下側に向けた姿勢で集合体Ｑ１を配線基板２上で自立させることができる。そのため、製造中、特に半田リフロー中の集合体Ｑ１の転倒や姿勢変化が抑制され、第２物理量センサー３ｘの理想姿勢からずれを効果的に抑制することができる。

【0056】

また、前述したように、センサーモジュール１は、第３実装面３２０ｙを有する第３パッケージ３１ｙと、第３パッケージ３１ｙに収容されている第３検出素子３４ｙと、を有する第３物理量センサー３ｙと、第２主面９１および第２側面９３を備え、第２主面９１に第３物理量センサー３ｙの第３実装面３２０ｙが接合され、第２側面９３が配線基板２に接合されている第２支持基板９と、を有する。そして、第３物理量センサー３ｙと第２支持基板９との集合体Ｑ２の重心Ｇ２は、第２支持基板９内に位置する。このような構成によれば、第２側面９３を下側に向けた姿勢で集合体Ｑ２を配線基板２上で自立させることができる。そのため、製造中、特に半田リフロー中の集合体Ｑ２の転倒や姿勢変化が抑制され、第３物理量センサー３ｙの理想姿勢からずれを効果的に抑制することができる。

【0057】

また、前述したように、第１支持基板８は、第１側面８３に形成されているキャスタレーションＣ１を有し、キャスタレーションＣ１は、第１側面８３の第１主面８１側に位置する第１キャスタレーションＣ１１と、第１主面８１と表裏関係にある第１背面８２側に位置する第２キャスタレーションＣ１２と、を有する。このようにキャスタレーションＣ１を第１側面８３の両側に形成することにより、配線基板２上での第１支持基板８の姿勢が安定する。また、配線基板２と第１支持基板８とを接合する接合部材Ｂ８がキャスタレーションＣ１内に入り込むため、配線基板２と第１支持基板８との接合強度をより高めることができる。

【0058】

また、前述したように、第２物理量センサー３ｘは、第１支持基板８を介して配線基板２と電気的に接続されている。これにより、第２物理量センサー３ｘと配線基板２との電気的な接続が容易となる。

【0059】

また、前述したように、第１パッケージ３１ｚは、第１実装面３２０ｚおよび第１検出素子３４ｚを収容する凹部を有する第１ベース３２ｚと、第１ベース３２ｚに接合され凹部の開口を塞ぐ第１リッド３３ｚと、を有し、第２パッケージ３１ｘは、第２実装面３２０ｘおよび第２検出素子３４ｘを収容する凹部を有する第２ベース３２ｘと、第２ベース３２ｘに接合され凹部の開口を塞ぐ第２リッド３３ｘと、を有し、配線基板２、第１ベース３２ｚ、第２ベース３２ｘおよび第１支持基板８は、同一材料で構成されている。これにより、これらの線膨張係数が等しくなり、熱応力が生じ難くなる。そのため、クラック等の発生が抑制され、信頼性の高いセンサーモジュール１となる。

【0060】

次に、センサーモジュール１の製造方法について説明する。図１３に示すように、センサーモジュール１の製造方法は、集合体形成工程Ｓ１と、研磨工程Ｓ２と、リード形成工程Ｓ３と、第１物理量センサー接合工程Ｓ４と、集合体接合工程Ｓ５と、電子部品接合工程Ｓ６と、キャップ接合工程Ｓ７と、リード整形工程Ｓ８と、を含む。以下、これら各工程Ｓ１～Ｓ８について詳細に説明する。

【0061】

［集合体形成工程Ｓ１］
本工程Ｓ１では、集合体Ｑ１、Ｑ２を形成する。なお、集合体Ｑ１、Ｑ２の形成方法は、互いに同様であるため、以下では、集合体Ｑ１の形成方法について代表して説明し、集合体Ｑ２の形成方法については、その説明を省略する。

【0062】

まず、所定の配線パターンが形成された複数のセラミックシートを積層し、この積層体を焼結する。これにより、図１４に示すように、複数の第１支持基板８が一体形成されたセラミック基板８０が得られる。次に、図１５に示すように、半田リフローによって、各第１支持基板８の第１主面８１に第２物理量センサー３ｘを接合する。具体的には、第１主面８１に形成された端子Ｐ３ｘ上に接合部材Ｂ３ｘとしての半田ペーストを印刷し、その上に第２物理量センサー３ｘを配置し、リフロー炉で加熱して半田ペーストを溶解させることで、各第１支持基板８の第１主面８１に第２物理量センサー３ｘを接合する。このように、半田リフローを用いることにより、本工程が容易となる。

【0063】

次に、セラミック基板８０から各第１支持基板８を個片化する。これにより、複数の集合体Ｑ１が一括して得られる。なお、個片化の方法は、特に限定されず、例えば、「チョコレートブレーク」、「チップブレーク」等とも呼ばれる折り取りや、ダイシングソーやレーザーを用いたダイシング等が挙げられる。

【0064】

［研磨工程Ｓ２］
本工程Ｓ２では、集合体形成工程Ｓ１で得られた集合体Ｑ１、Ｑ２を研磨する。具体的には、第１、第２支持基板８、９の第１、第２側面８３、９３を研磨して、第１、第２側面８３、９３をより平坦な面とすると共に、第１、第２主面８１、９１とのなす角θ１を９０°に合わせ込む。これにより、第２、第３物理量センサー３ｘ、３ｙを目的の姿勢に合わせ込むことができる。研磨方法としては、特に限定されないが、例えば、化学機械研磨を用いることができる。なお、本工程Ｓ２は、必要に応じて行えばよく、集合体形成工程Ｓ１で十分な精度の第１、第２側面８３、９３を形成することができれば、省略してもよい。

【0065】

［リード形成工程Ｓ３］
本工程Ｓ３では、まず、図１６に示すように、リードフレーム７０を準備する。リードフレーム７０は、枠状のフレーム７３と、フレーム７３の内側に位置し、フレーム７３に支持された複数のリード７１と、これら複数のリード７１同士を接続するタイバー７４と、を有する。次に、図１７に示すように、半田リフローによって、リードフレーム７０に配線基板２を接合する。ただし、接合方法は、特に限定されない。

【0066】

［第１物理量センサー接合工程Ｓ４］
本工程Ｓ４では、図１８に示すように、半田リフローによって、接合部材Ｂ３ｚを介して配線基板２の上面２１に第１物理量センサー３ｚを接合する。具体的には、第１物理量センサー３ｚの第１実装面３２０ｚを上面２１に接合する。

【0067】

［集合体接合工程Ｓ５］
本工程Ｓ５では、図１９に示すように、半田リフローによって、接合部材Ｂ８、Ｂ９を介して配線基板２の上面２１に第２、第３物理量センサー３ｘ、３ｙを接合する。具体的には、図２０に示すように、まず、配線基板２の端子Ｐ８、Ｐ９上に半田ペーストである接合部材Ｂ８、Ｂ９を印刷する。次に、集合体Ｑ１、Ｑ２を第１、第２側面８３、９３を鉛直方向下側に向けた姿勢で接合部材Ｂ８、Ｂ９上に配置する。この際、集合体Ｑ１の重心Ｇ１が第１支持基板８内に位置しているため、集合体Ｑ１は、転倒せずに自立する。同様に、集合体Ｑ２の重心Ｇ２が第２支持基板９内に位置しているため、集合体Ｑ２は、転倒せずに自立する。次に、リフロー炉で加熱して接合部材Ｂ８、Ｂ９を溶解させることで、配線基板２に集合体Ｑ１、Ｑ２を接合する。

【0068】

前述したように、集合体Ｑ１、Ｑ２が自立し、第１、第２側面８３、９３が十分な平坦面であるため、接合部材Ｂ８、Ｂ９が溶解して集合体Ｑ１、Ｑ２が沈み込む際の転倒や姿勢変化を効果的に抑制することができる。また、角θ１が９０°に合わせ込まれているため、第２物理量センサー３ｘの検出軸が自然とＸ軸方向に沿い、第３物理量センサー３ｙの検出軸が自然とＹ軸方向に沿う。

【0069】

なお、本工程Ｓ５は、前述した第１物理量センサー接合工程Ｓ４と同時に行ってもよい。つまり、第１物理量センサー３ｚおよび集合体Ｑ１、Ｑ２を同時に半田リフローにより配線基板２に接合してもよい。これにより、センサーモジュール１の熱履歴を低減することができる。

【0070】

［電子部品接合工程Ｓ６］
本工程Ｓ６では、半田リフローによって、接合部材Ｂ６を介して配線基板２の下面２２に電子部品６を接合する。

【0071】

［キャップ接合工程Ｓ７］
本工程Ｓ７では、半田リフローによって、接合部材Ｂ１０を介して配線基板２の上面２１にキャップ１０を接合する。

【0072】

［リード整形工程Ｓ８］
本工程では、まず、リードフレーム７０からフレーム７３を除去すると共に、リード７１を所定の形状に折り曲げる。次に、リード７１同士を接続するタイバー７４をレーザーやトリム金型等によって切断する。以上により、センサーモジュール１が製造される。

【0073】

このような製造方法によれば、第２物理量センサー３ｘよりも外形の形成精度が高い第１支持基板８を介して第２物理量センサー３ｘを配線基板２に接合し、第３物理量センサー３ｙよりも外形の形成精度が高い第２支持基板９を介して第３物理量センサー３ｙを配線基板２に接合する。そのため、第２、第３物理量センサー３ｘ、３ｙを直接配線基板２に接合する場合と比べて、第２、第３物理量センサー３ｘ、３ｙの姿勢変化すなわち理想姿勢からずれを効果的に抑制することができる。また、集合体Ｑ１、Ｑ２の重心Ｇ１、Ｇ２が第１、第２支持基板８、９内に位置しているため、集合体Ｑ１、Ｑ２が転倒することなく配線基板２上で自立する。そのため、製造中、特に半田リフロー中の集合体Ｑ１、Ｑ２の転倒や姿勢変化が抑制され、第２、第３物理量センサー３ｘ、３ｙの姿勢変化すなわち理想姿勢からずれを効果的に抑制することができる。

【0074】

以上、センサーモジュール１の製造方法について説明した。センサーモジュール１の製造方法は、前述したように、配線基板２と、第１実装面３２０ｚを有する第１パッケージ３１ｚと、第１パッケージ３１ｚに収容されている第１検出素子３４ｚと、を有する第１物理量センサー３ｚと、第２実装面３２０ｘを有する第２パッケージ３１ｘと、第２パッケージ３１ｘに収容されている第２検出素子３４ｘと、を有する第２物理量センサー３ｘと、第１主面８１および第１側面８３を備える第１支持基板８と、を有するセンサーモジュール１の製造方法であって、第１支持基板８の第１主面８１に第２物理量センサー３ｘの第２実装面３２０ｘを接合して集合体Ｑ１を得る集合体形成工程Ｓ１と、配線基板２に第１パッケージ３１ｚの第１実装面３２０ｚを接合する第１物理量センサー接合工程Ｓ４と、第１側面８３を鉛直方向下側に向けた姿勢で集合体Ｑ１を配線基板２に接合する集合体接合工程Ｓ５と、を含み、集合体Ｑ１の重心Ｇ１は、第１支持基板８内に位置する。このような方法によれば、第１側面８３を下側に向けた姿勢で集合体Ｑ１を配線基板２上で自立させることができる。そのため、製造中、特に集合体接合工程Ｓ５での半田リフロー中の集合体Ｑ１の転倒や姿勢変化が抑制され、第２物理量センサー３ｘの理想姿勢からずれを効果的に抑制することができる。

【0075】

また、前述したように、センサーモジュール１の製造方法は、第１支持基板８の第１側面８３を研磨する研磨工程Ｓ２を含む。これにより、第１側面８３をより平坦な面とすると共に、第１主面８１とのなす角θ１を９０°に合わせ込むことができる。そのため、第２物理量センサー３ｘを目的の姿勢に合わせ込むことができる。

【0076】

＜第２実施形態＞
図２１は、第２実施形態に係るセンサーモジュールを示す断面図である。

【0077】

本実施形態のセンサーモジュールは、電子部品６の構成が異なることと、モールド部Ｍが設けられていること以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、以下の説明では、本実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、本実施形態の図において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。

【0078】

図２１に示すように、本実施形態のセンサーモジュール１では、電子部品６からパッケージ６１が省略されており、加速度センサー４と回路素子５とが剥き出しになっている。その替わりに、センサーモジュール１は、電子部品６をモールドするモールド部Ｍを有する。これにより、電子部品６を水分、埃、衝撃等から保護している。また、キャップ１０は、接合部材Ｂ１０ではなく、モールド部Ｍにより基板２に接合されている。モールド部Ｍを構成するモールド材としては、特に限定されず、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂、その他、硬化型の樹脂材料を用いることができる。また、モールド部Ｍは、例えば、トランスファーモールド法等によって形成することができる。

【0079】

このような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。

【0080】

以上、本発明のセンサーモジュールおよびセンサーモジュールの製造方法を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、本発明に、任意の目的の工程が付加されたものであってもよい。

【符号の説明】

【0081】

１…センサーモジュール、１０…キャップ、１０１…基部、１０２…フランジ部、２…配線基板、２１…上面、２２…下面、３ｘ…第２物理量センサー、３ｙ…第３物理量センサー、３ｚ…第１物理量センサー、３１…パッケージ、３１ｘ…第２パッケージ、３１ｙ…第３パッケージ、３１ｚ…第１パッケージ、３２…ベース、３２ｘ…第２ベース、３２ｙ…第３ベース、３２ｚ…第１ベース、３２０…実装面、３２０ｘ…第２実装面、３２０ｙ…第３実装面、３２０ｚ…第１実装面、３２１…接続端子、３３…リッド、３３ｘ…第２リッド、３３ｙ…第３リッド、３３ｚ…第１リッド、３４…検出素子、３４ｘ…第２検出素子、３４ｙ…第３検出素子、３４ｚ…第１検出素子、４…加速度センサー、４１…パッケージ、４２…ベース、４３…リッド、４４…加速度検出素子、４５…加速度検出素子、４６…加速度検出素子、５…回路素子、５１…制御回路、５２…インターフェース回路、６…電子部品、６１…パッケージ、６２…ベース、６３…リッド、６５…端子、７…リード群、７０…リードフレーム、７１…リード、７３…フレーム、７４…タイバー、８…第１支持基板、８Ａ…部分、８Ｂ…部分、８０…セラミック基板、８１…第１主面、８２…第１背面、８３…第１側面、９…第２支持基板、９１…第２主面、９２…第２背面、９３…第２側面、Ｂ３ｘ…接合部材、Ｂ３ｙ…接合部材、Ｂ３ｚ…接合部材、Ｂ６…接合部材、Ｂ７…接合部材、Ｂ８…接合部材、Ｂ９…接合部材、Ｂ１０…接合部材、Ｃ１…キャスタレーション、Ｃ１１…第１キャスタレーション、Ｃ１２…第２キャスタレーション、Ｃ２…キャスタレーション、Ｃ２１…第１キャスタレーション、Ｃ２２…第２キャスタレーション、Ｇ１…重心、Ｇ２…重心、Ｍ…モールド部、Ｐ３ｘ…端子、Ｐ３ｙ…端子、Ｐ３ｚ…端子、Ｐ６…端子、Ｐ７…端子、Ｐ８…端子、Ｐ９…端子、Ｑ１…集合体、Ｑ２…集合体、Ｓ１…集合体形成工程、Ｓ２…研磨工程、Ｓ３…リード形成工程、Ｓ４…第１物理量センサー接合工程、Ｓ５…集合体接合工程、Ｓ６…電子部品接合工程、Ｓ７…キャップ接合工程、Ｓ８…リード整形工程、θ１…角、θ２…角

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】