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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024070450
(43)【公開日】2024-05-23
(54)【発明の名称】電磁波センサ
(51)【国際特許分類】
G01J 1/02 20060101AFI20240516BHJP
【ＦＩ】
G01J1/02 C
G01J1/02 Q
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022180956
(22)【出願日】2022-11-11
(71)【出願人】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100141139
【弁理士】
【氏名又は名称】及川 周
(74)【代理人】
【識別番号】100163496
【弁理士】
【氏名又は名称】荒 則彦
(74)【代理人】
【識別番号】100114937
【弁理士】
【氏名又は名称】松本 裕幸
(72)【発明者】
【氏名】小久保 眞生子
(72)【発明者】
【氏名】原 晋治
(72)【発明者】
【氏名】太田 尚城
(72)【発明者】
【氏名】青木 進
(72)【発明者】
【氏名】前川 和也
(72)【発明者】
【氏名】千里内 忠雄
(72)【発明者】
【氏名】木本 裕介
【テーマコード（参考）】
2G065
【Ｆターム（参考）】
2G065AA11
2G065AB02
2G065BA12
2G065BA14
2G065BA33
2G065BA34
2G065BA38
2G065BE08
2G065CA12
2G065CA13
2G065CA21
(57)【要約】
【課題】電磁波の良好な検出精度が得られる電磁波センサを提供する。
【解決手段】第１の方向Ｘに延在する第１のリード配線９ａと、第１の方向Ｘとは異なる第２の方向Ｙに延在する第２のリード配線９ｂと、第１のリード配線９ａと電気的に接続されると共に、第２のリード配線９ｂと電気的に接続された電磁波検出部とを備え、第２のリード配線９ｂは、第１の方向Ｘ及び第２の方向Ｙとは直交する第３の方向Ｚに間隔が設けられて、第１のリード配線９ａとは立体的に交差して配置されており、第１のリード配線９ａと第２のリード配線９ｂとの少なくとも一方のリード配線９ｂは、第３の方向Ｚから平面視したときに、第１のリード配線９ａと第２のリード配線９ｂとが互いに重なる重畳部３０において、一方のリード配線９ｂの重畳部３０を除く部分における幅の平均値よりも幅が大きい幅広部３１を有する。
【選択図】図１
【解決手段】第１の方向Ｘに延在する第１のリード配線９ａと、第１の方向Ｘとは異なる第２の方向Ｙに延在する第２のリード配線９ｂと、第１のリード配線９ａと電気的に接続されると共に、第２のリード配線９ｂと電気的に接続された電磁波検出部とを備え、第２のリード配線９ｂは、第１の方向Ｘ及び第２の方向Ｙとは直交する第３の方向Ｚに間隔が設けられて、第１のリード配線９ａとは立体的に交差して配置されており、第１のリード配線９ａと第２のリード配線９ｂとの少なくとも一方のリード配線９ｂは、第３の方向Ｚから平面視したときに、第１のリード配線９ａと第２のリード配線９ｂとが互いに重なる重畳部３０において、一方のリード配線９ｂの重畳部３０を除く部分における幅の平均値よりも幅が大きい幅広部３１を有する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の方向に延在する第１の配線と、
前記第１の方向とは異なる第２の方向に延在する第２の配線と、
前記第１の配線と電気的に接続されると共に、前記第２の配線と電気的に接続された電磁波検出部とを備え、
前記第２の配線は、前記第１の方向及び前記第２の方向とは直交する第３の方向に間隔が設けられて、前記第１の配線とは立体的に交差して配置されており、
前記第１の配線と前記第２の配線との少なくとも一方の配線は、前記第３の方向から平面視したときに、前記第１の配線と前記第２の配線とが互いに重なる重畳部において、前記一方の配線の前記重畳部を除く部分における幅の平均値よりも幅が大きい幅広部を有することを特徴とする電磁波センサ。
前記第１の方向とは異なる第２の方向に延在する第２の配線と、
前記第１の配線と電気的に接続されると共に、前記第２の配線と電気的に接続された電磁波検出部とを備え、
前記第２の配線は、前記第１の方向及び前記第２の方向とは直交する第３の方向に間隔が設けられて、前記第１の配線とは立体的に交差して配置されており、
前記第１の配線と前記第２の配線との少なくとも一方の配線は、前記第３の方向から平面視したときに、前記第１の配線と前記第２の配線とが互いに重なる重畳部において、前記一方の配線の前記重畳部を除く部分における幅の平均値よりも幅が大きい幅広部を有することを特徴とする電磁波センサ。
【請求項2】
前記第３の方向から平面視したときに、前記幅広部は、前記一方の配線の幅方向の一方側に突出していることを特徴とする請求項１に記載の電磁波センサ。
【請求項3】
前記第３の方向から平面視したときに、前記幅広部は、前記一方の配線の幅方向の両側に突出していることを特徴とする請求項１に記載の電磁波センサ。
【請求項4】
少なくとも前記第３の方向の成分を含む方向に延在すると共に、前記一方の配線及び前記電磁波検出部と電気的に接続されたレッグ部を備え、
前記一方の配線は、前記幅広部において、前記レッグ部の一端側と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電磁波センサ。
前記一方の配線は、前記幅広部において、前記レッグ部の一端側と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電磁波センサ。
【請求項5】
前記レッグ部の他端側と前記電磁波検出部との間を電気的に接続するアーム部を備えることを特徴とする請求項４に記載の電磁波センサ。
【請求項6】
前記電磁波検出部を複数備え、
前記一方の配線を複数備え、
複数の前記電磁波検出部は、複数の前記一方の配線が並ぶ方向に並んで設けられ、
前記複数の電磁波検出部のそれぞれが、前記複数の一方の配線のうちの対応する１つと電気的に接続されるように、前記複数の一方の配線が前記第１の方向又は前記第２の方向に並んで設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電磁波センサ。
前記一方の配線を複数備え、
複数の前記電磁波検出部は、複数の前記一方の配線が並ぶ方向に並んで設けられ、
前記複数の電磁波検出部のそれぞれが、前記複数の一方の配線のうちの対応する１つと電気的に接続されるように、前記複数の一方の配線が前記第１の方向又は前記第２の方向に並んで設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電磁波センサ。
【請求項7】
前記電磁波検出部を複数備え、
前記第１の配線を複数備え、
前記第２の配線を複数備え、
複数の前記電磁波検出部は、前記第１の方向及び前記第２の方向に二次元アレイ状に並んで設けられ、
前記複数の電磁波検出部のそれぞれが、複数の前記第１の配線のうちの対応する１つと電気的に接続されるように、前記複数の第１の配線が前記第２の方向に並んで設けられると共に、
前記複数の電磁波検出部のそれぞれが、複数の前記第２の配線のうちの対応する１つと電気的に接続されるように、前記複数の第２の配線が前記第１の方向に並んで設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電磁波センサ。
前記第１の配線を複数備え、
前記第２の配線を複数備え、
複数の前記電磁波検出部は、前記第１の方向及び前記第２の方向に二次元アレイ状に並んで設けられ、
前記複数の電磁波検出部のそれぞれが、複数の前記第１の配線のうちの対応する１つと電気的に接続されるように、前記複数の第１の配線が前記第２の方向に並んで設けられると共に、
前記複数の電磁波検出部のそれぞれが、複数の前記第２の配線のうちの対応する１つと電気的に接続されるように、前記複数の第２の配線が前記第１の方向に並んで設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電磁波センサ。
【請求項8】
前記電磁波検出部は、温度検知素子と、前記温度検知素子の少なくとも一部を覆う電磁波吸収体とを含むことを特徴とする請求項１に記載の電磁波センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電磁波センサに関する。
【背景技術】
【0002】
例えば、サーミスタ素子などの電磁波検出部を用いた電磁波センサがある。サーミスタ素子が有するサーミスタ膜の電気抵抗は、サーミスタ膜の温度変化に応じて変化する。電磁波センサでは、サーミスタ膜に入射した赤外線（電磁波）がサーミスタ膜又はサーミスタ膜の周辺の材料に吸収されることによって、このサーミスタ膜の温度が変化する。これにより、サーミスタ素子は、赤外線を検出する。
【0003】
ここで、シュテファン＝ボルツマンの法則から、測定対象の温度と、この測定対象から熱輻射により放出される赤外線（輻射熱）との間には相関関係がある。したがって、測定対象から放出される赤外線をサーミスタ素子を用いて検出することで、測定対象の温度を非接触により測定することが可能である。
【0004】
また、このようなサーミスタ素子は、二次元アレイ状に複数配列されることによって、測定対象の温度分布を二次元的に検出（撮像）する赤外線撮像素子（赤外線イメージセンサ）などの電磁波センサに応用されている（例えば、下記特許文献１を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】国際公開第２０１９／１７１４８８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
ところで、上述した電磁波センサでは、赤外線の良好な検出精度を得るため、サーミスタ素子と電気的に接続されるリード配線の電気抵抗値を低く抑えることが求められている。
【0007】
リード配線の電気抵抗値は、リード配線の幅を大きくすることで低くすることができるが、単にリード配線の全体の幅を大きくしてしまうと、平面視におけるリード配線の領域が大きくなり、これにより赤外線の検出精度が悪化することがあった。
【0008】
例えば、平面視におけるリード配線の領域が大きくなることにより、リード配線からの熱輻射がサーミスタ素子に与える影響が大きくなり、赤外線の検出精度が悪化することがあった。また、例えば、平面視におけるリード配線の領域が大きくなることにより、リード配線が測定対象の赤外線をサーミスタ素子に対して遮蔽する影響が大きくなり、赤外線の検出精度が悪化することがあった。
【0009】
本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、電磁波の良好な検出精度が得られる電磁波センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提供する。
〔１〕 第１の方向に延在する第１の配線と、
前記第１の方向とは異なる第２の方向に延在する第２の配線と、
前記第１の配線と電気的に接続されると共に、前記第２の配線と電気的に接続された電磁波検出部とを備え、
前記第２の配線は、前記第１の方向及び前記第２の方向とは直交する第３の方向に間隔が設けられて、前記第１の配線とは立体的に交差して配置されており、
前記第１の配線と前記第２の配線との少なくとも一方の配線は、前記第３の方向から平面視したときに、前記第１の配線と前記第２の配線とが互いに重なる重畳部において、前記一方の配線の前記重畳部を除く部分における幅の平均値よりも幅が大きい幅広部を有することを特徴とする電磁波センサ。
〔２〕 前記第３の方向から平面視したときに、前記幅広部は、前記一方の配線の幅方向の一方側に突出していることを特徴とする前記〔１〕に記載の電磁波センサ。
〔３〕 前記第３の方向から平面視したときに、前記幅広部は、前記一方の配線の幅方向の両側に突出していることを特徴とする前記〔１〕に記載の電磁波センサ。
〔４〕 少なくとも前記第３の方向の成分を含む方向に延在すると共に、前記一方の配線及び前記電磁波検出部と電気的に接続されたレッグ部を備え、
前記一方の配線は、前記幅広部において、前記レッグ部の一端側と電気的に接続されていることを特徴とする前記〔１〕に記載の電磁波センサ。
〔５〕 前記レッグ部の他端側と前記電磁波検出部との間を電気的に接続するアーム部を備えることを特徴とする前記〔４〕に記載の電磁波センサ。
〔６〕 前記電磁波検出部を複数備え、
前記一方の配線を複数備え、
複数の前記電磁波検出部は、複数の前記一方の配線が並ぶ方向に並んで設けられ、
前記複数の電磁波検出部のそれぞれが、前記複数の一方の配線のうちの対応する１つと電気的に接続されるように、前記複数の一方の配線が前記第１の方向又は前記第２の方向に並んで設けられていることを特徴とする前記〔１〕に記載の電磁波センサ。
〔７〕 前記電磁波検出部を複数備え、
前記第１の配線を複数備え、
前記第２の配線を複数備え、
複数の前記電磁波検出部は、前記第１の方向及び前記第２の方向に二次元アレイ状に並んで設けられ、
前記複数の電磁波検出部のそれぞれが、複数の前記第１の配線のうちの対応する１つと電気的に接続されるように、前記複数の第１の配線が前記第２の方向に並んで設けられると共に、
前記複数の電磁波検出部のそれぞれが、複数の前記第２の配線のうちの対応する１つと電気的に接続されるように、前記複数の第２の配線が前記第１の方向に並んで設けられていることを特徴とする前記〔１〕に記載の電磁波センサ。
〔８〕 前記電磁波検出部は、温度検知素子と、前記温度検知素子の少なくとも一部を覆う電磁波吸収体とを含むことを特徴とする前記〔１〕に記載の電磁波センサ。
〔１〕 第１の方向に延在する第１の配線と、
前記第１の方向とは異なる第２の方向に延在する第２の配線と、
前記第１の配線と電気的に接続されると共に、前記第２の配線と電気的に接続された電磁波検出部とを備え、
前記第２の配線は、前記第１の方向及び前記第２の方向とは直交する第３の方向に間隔が設けられて、前記第１の配線とは立体的に交差して配置されており、
前記第１の配線と前記第２の配線との少なくとも一方の配線は、前記第３の方向から平面視したときに、前記第１の配線と前記第２の配線とが互いに重なる重畳部において、前記一方の配線の前記重畳部を除く部分における幅の平均値よりも幅が大きい幅広部を有することを特徴とする電磁波センサ。
〔２〕 前記第３の方向から平面視したときに、前記幅広部は、前記一方の配線の幅方向の一方側に突出していることを特徴とする前記〔１〕に記載の電磁波センサ。
〔３〕 前記第３の方向から平面視したときに、前記幅広部は、前記一方の配線の幅方向の両側に突出していることを特徴とする前記〔１〕に記載の電磁波センサ。
〔４〕 少なくとも前記第３の方向の成分を含む方向に延在すると共に、前記一方の配線及び前記電磁波検出部と電気的に接続されたレッグ部を備え、
前記一方の配線は、前記幅広部において、前記レッグ部の一端側と電気的に接続されていることを特徴とする前記〔１〕に記載の電磁波センサ。
〔５〕 前記レッグ部の他端側と前記電磁波検出部との間を電気的に接続するアーム部を備えることを特徴とする前記〔４〕に記載の電磁波センサ。
〔６〕 前記電磁波検出部を複数備え、
前記一方の配線を複数備え、
複数の前記電磁波検出部は、複数の前記一方の配線が並ぶ方向に並んで設けられ、
前記複数の電磁波検出部のそれぞれが、前記複数の一方の配線のうちの対応する１つと電気的に接続されるように、前記複数の一方の配線が前記第１の方向又は前記第２の方向に並んで設けられていることを特徴とする前記〔１〕に記載の電磁波センサ。
〔７〕 前記電磁波検出部を複数備え、
前記第１の配線を複数備え、
前記第２の配線を複数備え、
複数の前記電磁波検出部は、前記第１の方向及び前記第２の方向に二次元アレイ状に並んで設けられ、
前記複数の電磁波検出部のそれぞれが、複数の前記第１の配線のうちの対応する１つと電気的に接続されるように、前記複数の第１の配線が前記第２の方向に並んで設けられると共に、
前記複数の電磁波検出部のそれぞれが、複数の前記第２の配線のうちの対応する１つと電気的に接続されるように、前記複数の第２の配線が前記第１の方向に並んで設けられていることを特徴とする前記〔１〕に記載の電磁波センサ。
〔８〕 前記電磁波検出部は、温度検知素子と、前記温度検知素子の少なくとも一部を覆う電磁波吸収体とを含むことを特徴とする前記〔１〕に記載の電磁波センサ。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、電磁波の良好な検出精度が得られる電磁波センサを提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本発明の第１の実施形態に係る電磁波センサの構成を示す平面図である。
【図9】本発明の第２の実施形態に係る電磁波センサの構成を示す平面図である。
【図14】本発明の第３の実施形態に係る電磁波センサの構成を模式的に示す平面図である。
【図15】本発明の第４の実施形態に係る電磁波センサの構成を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面においては、各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがあり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らないものとする。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、本発明はそれらに必ずしも限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
なお、以下の説明で用いる図面においては、各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがあり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らないものとする。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、本発明はそれらに必ずしも限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
【0014】
また、以下に示す図面では、ＸＹＺ直交座標系を設定し、Ｘ軸方向を電磁波センサの特定の面内における第１の方向Ｘとし、Ｙ軸方向を電磁波センサの特定の面内において第１の方向Ｘと直交する第２の方向Ｙとし、Ｚ軸方向を電磁波センサの特定の面内に対して直交する第３の方向Ｚとして示すものとする。第３の方向Ｚは、第１の方向Ｘ及び第２の方向Ｙと直交する方向である。
【0015】
【0016】
なお、図１は、電磁波センサ１Ａの構成を示す平面図である。図２は、電磁波センサ１Ａの構成を示す分解斜視図である。図３は、電磁波センサ１Ａの構成を示す平面図である。図４は、電磁波センサ１Ａが備える構造体２０Ａの構成を示す平面図である。図５は、図４中に示す線分Ａ１－Ａ１による構造体２０Ａの断面図である。図６は、図４中に示す線分Ｂ１－Ｂ１による構造体２０Ａの断面図である。図７は、電磁波センサ１Ａの別の構成例を示す平面図である。図８は、電磁波センサ１Ａの別の構成例を示す平面図である。
【0017】
本実施形態の電磁波センサ１Ａは、測定対象から放出される赤外線を検出することによって、この測定対象の温度分布を二次元的に検出（撮像）する赤外線撮像素子（赤外線イメージセンサ）に本発明を適用したものである。
【0018】
赤外線は、波長が０．７５μｍ以上、１０００μｍ以下である電磁波である。赤外線イメージセンサは、赤外線カメラとして屋内や屋外の暗視などに利用されるほか、非接触式の温度センサとして人や物の温度測定などに利用されている。
【0019】
具体的に、この電磁波センサ１Ａは、図１～図６に示すように、互いに対向して配置された第１の基板２及び第２の基板３と、これら第１の基板２と第２の基板３との間に配置された複数のサーミスタ素子４（図１及び図２において図示せず。）とを備えている。
【0020】
第１の基板２及び第２の基板３は、ある特定の波長の電磁波、具体的には１０μｍの波長を含む波長帯域を有する赤外線（本実施形態では波長８～１４μｍの長波長赤外線）ＩＲに対して透過性を有するシリコン基板からなる。また、赤外線ＩＲに対して透過性を有する基板としては、ゲルマニウム基板などを用いることができる。本実施形態の電磁波センサ１Ａは、測定対象から放出された検知対象の電磁波（測定対象から放出された赤外線ＩＲ）が第１の基板２側から入射するように構成されている。
【0021】
第１の基板２及び第２の基板３は、互いに対向する面の周囲をシール材（図示せず。）により封止することによって、その間に密閉された内部空間Ｋを構成している。また、内部空間Ｋは、高真空に減圧されている。
【0022】
これにより、本実施形態の電磁波センサ１Ａでは、内部空間Ｋでの対流による熱の影響を抑制し、サーミスタ素子４に対して測定対象から放出される赤外線ＩＲ以外の熱による影響を排除している。
【0023】
なお、本実施形態の電磁波センサ１Ａは、上述した密閉された内部空間Ｋを減圧した構成に必ずしも限定されるものではなく、大気圧のまま密閉又は開放された内部空間Ｋを有する構成であってもよい。
【0024】
サーミスタ素子４は、赤外線ＩＲを検出する電磁波検出部であり、温度検知素子としてのサーミスタ膜５と、サーミスタ膜５の一方の面に接触して設けられた一対の第１の電極６ａ，６ｂと、サーミスタ膜５の他方の面に接触して設けられた第２の電極６ｃと、サーミスタ膜５の少なくとも一部（本実施形態では全部）を覆う電磁波吸収体としての絶縁膜７ａ，７ｂ，７ｃとを備え、サーミスタ膜５の面直方向に電流が流れるＣＰＰ（Current-Perpendicular-to-Plane）構造を有している。絶縁膜７ｂは、一対の第１の電極６ａ，６ｂのサーミスタ膜５と接触する側とは反対側に設けられている。
【0025】
すなわち、このサーミスタ素子４では、第１の電極６ａから第２の電極６ｃに向けてサーミスタ膜５の面直方向に電流を流すと共に、第２の電極６ｃから第１の電極６ｂに向けてサーミスタ膜５の面直方向に電流を流すことが可能となっている。
【0026】
サーミスタ膜５としては、例えば、酸化バナジウム、非晶質シリコン、多結晶シリコン、マンガンを含むスピネル型結晶構造の酸化物、酸化チタン、又はイットリウム－バリウム－銅酸化物などを用いることができる。
【0027】
第１の電極６ａ，６ｂ及び第２の電極６ｃとしては、例えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ルテニウム（Ｒｕ）、銀（Ａｇ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）などの導電膜を用いることができる。
【0028】
絶縁膜７ａ，７ｂ，７ｃとしては、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化カルシウム、酸窒化アルミニウム、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウムマグネシウム、ホウ化ケイ素、窒化ホウ素、又はサイアロン（ケイ素とアルミニウムとの酸窒化物）などを用いることができる。
【0029】
絶縁膜７ａ，７ｂ，７ｃは、少なくともサーミスタ膜５の少なくとも一部を覆うように設けられた構成であればよい。本実施形態では、サーミスタ膜５の両面を覆うように、絶縁膜７ａ，７ｂ，７ｃが設けられている。
【0030】
なお、上記サーミスタ素子４は、上述したＣＰＰ構造を有しているが、これに対して、第２の電極６ｃを省略したＣＩＰ構造を有する構成としてもよい。
【0031】
複数のサーミスタ素子４は、互いに同じ大きさで形成されている。また、複数のサーミスタ素子４は、第１の基板２及び第２の基板３と平行な面内（以下、「特定の面内」という。）に二次元アレイ状に配列されている。すなわち、これら複数のサーミスタ素子４は、特定の面内において互いに交差（本実施形態では直交）する第１の方向Ｘと第２の方向Ｙとにマトリックス状に並んで配置されている。なお、第１の方向Ｘと第２の方向Ｙとは、特定の面内において必ずしも直交していなくてもよい。
【0032】
また、各サーミスタ素子４は、第１の方向Ｘを行方向とし、第２の方向Ｙを列方向として、第１の方向Ｘに一定の間隔で並んで配置されると共に、第２の方向Ｙに一定の間隔で並んで配置されている。
【0033】
なお、上記サーミスタ素子４の行列数としては、例えば６４０行×４８０列、１０２４行×７６８列などが挙げられるが、これら行列数に必ずしも限定されるものではなく、適宜変更することが可能である。
【0034】
第１の基板２側には、第１の絶縁体層８と、後述する回路部１５と電気的に接続された配線部９と、各サーミスタ素子４と配線部９との間を電気的に接続する第１の接続部１０とが設けられている。
【0035】
第１の絶縁体層８は、第１の基板２の一方の面（第２の基板３と対向する面）側において形成された絶縁膜からなる。絶縁膜としては、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化カルシウム、酸窒化アルミニウム、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウムマグネシウム、ホウ化ケイ素、窒化ホウ素、サイアロン（ケイ素とアルミニウムの酸窒化物）などを用いることができる。
【0036】
配線部９は、複数の第１のリード配線９ａと、複数の第２のリード配線９ｂとを有している。第１のリード配線９ａのそれぞれ及び第２のリード配線９ｂのそれぞれは、例えば銅や金などの導電膜からなる。
【0037】
複数の第１のリード配線９ａと複数の第２のリード配線９ｂとは、第３の方向Ｚの異なる位置に配置され、立体的に交差するように配置されている。このうち、複数の第１のリード配線９ａは、第１の方向Ｘに延在し、且つ、第２の方向Ｙに一定の間隔で並んで設けられている。一方、複数の第２のリード配線９ｂは、第２の方向Ｙに延在し、且つ、第１の方向Ｘに一定の間隔で並んで設けられている。
【0038】
すなわち、それぞれの第１の配線リード配線９ａは、第３の方向Ｚに間隔が設けられて、複数の第２の配線リード配線９ｂと立体的に交差するように配置されている。また、それぞれの第２の配線リード配線９ｂは、第３の方向Ｚに間隔が設けられて、複数の第１のリード配線９ａと立体的に交差するように配置されている。第１のリード配線９ａと第２の配線リード配線９ｂとに挟まれた部分には、第１の絶縁体層８の一部が配置されている。
【0039】
なお、本実施形態では、第１のリード配線９ａ及び第２のリード配線９ｂが第１の絶縁体層８の層内に位置しているが、第１のリード配線９ａと第２のリード配線９ｂとの少なくとも一方のリード配線の少なくとも表面が、第１の絶縁体層８から露出していてもよい。
【0040】
各サーミスタ素子４は、第３の方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において、これら複数の第１のリード配線９ａと複数の第２のリード配線９ｂとによって区画された領域Ｅ毎に設けられている。各サーミスタ膜５と第１の基板２の厚さ方向において対向する領域（平面視で重なる領域）には、第１の基板２とサーミスタ膜５との間で赤外線ＩＲを透過させる窓部Ｗが存在している。
【0041】
第１の接続部１０は、複数のサーミスタ素子４のそれぞれに対応して設けられた一対の第１の接続部材１１ａ，１１ｂを有している。本実施形態の電磁波センサ１Ａでは、複数のサーミスタ素子４のそれぞれが、複数の第１のリード配線９ａのうちの対応する１つと第１の接続部材１１ａを介して電気的に接続されると共に、複数のサーミスタ素子４のそれぞれが、複数の第２のリード配線９ｂのうちの対応する１つと第１の接続部材１１ａを介して電気的に接続されている。
【0042】
【0043】
一対の第１の接続部材１１ａ，１１ｂは、一対のアーム部１２ａ，１２ｂと、一対のレッグ部１３ａ，１３ｂとを有している。
【0044】
アーム部１２ａ，１２ｂは、それぞれの形状が線状である。アーム部１２ａ，１２ｂは、サーミスタ素子４が有するサーミスタ膜５と電気的に接続される線状の配線層２１と、配線層２１の両面にその一部が配置された保護層２２ａ，２２ｂとを有している。保護層２２ａ，２２ｂのそれぞれの形状は、配線層２１の形状に合わせた線状である。
【0045】
アーム部１２ａが有する配線層２１は、第１の電極６ａを介してサーミスタ膜５と電気的に接続されている。アーム部１２ｂが有する配線層２１は、第１の電極６ｂを介してサーミスタ膜５と電気的に接続されている。配線層２１は、例えば、アルミニウム、金、銀、銅、タングステン、チタン、タンタル、クロム、シリコン、窒化チタン、窒化タンタル、窒化クロム、窒化タングステン及び窒化ジルコニウムの中から選ばれる少なくとも１種からなる。なお、配線層２１のみでアーム部１２ａ，１２ｂの十分な機械的強度が得られる場合は、配線層２１の両面に保護層２２ａ，２２ｂを設けなくてもよい。
【0046】
保護層２２ａ，２２ｂは、上述したサーミスタ膜５を覆う絶縁膜７ａ，７ｂ，７ｃからなる。このうち、配線層２１の一面側に配置された保護層（以下、「第１の保護層」として区別する。）２２ａは、絶縁膜７ａにより構成され、配線層２１の他面側に配置された保護層（以下、「第２の保護層」として区別する。）２２ｂは、絶縁膜７ｂ，７ｃにより構成されている。
【0047】
一対のアーム部１２ａ，１２ｂは、第３の方向Ｚから見た平面視において、サーミスタ素子４を挟んだ両側に位置している。また、各アーム部１２ａ，１２ｂは、少なくともサーミスタ素子４の周囲に沿って延在する部分と、サーミスタ素子４と連結される部分とを有している。
【0048】
具体的に、本実施形態のアーム部１２ａ，１２ｂは、第１の方向Ｘに延在する複数（本実施形態では２つ）の部分が第２の方向Ｙに並んで配置されると共に、互いに隣り合う部分の一端と他端とを第２の方向Ｙに延在する部分を介して折り返し連結した構造を有している。また、一対のアーム部１２ａ，１２ｂは、第２の方向Ｙに延在する部分を介してサーミスタ素子４を挟む位置にてサーミスタ素子４と連結されている。
【0049】
各レッグ部１３ａ，１３ｂは、第１のリード配線９ａ又は第２のリード配線９ｂと電気的に接続されるコンタクトプラグである。各レッグ部１３ａ，１３ｂは、例えば銅、金、ＦｅＣｏＮｉ合金又はＮｉＦｅ合金（パーマロイ）などのめっきによって断面円形状の導体ピラーにより形成されている。各レッグ部１３ａ，１３ｂは、第３の方向Ｚの成分を含む方向（本実施形態では第３の方向Ｚ）に延在する。
【0050】
第１の接続部材１１ａは、第１の電極６ａと電気的に接続されたアーム部１２ａと、アーム部１２ｂと第１のリード配線９ａとの間を電気的に接続するレッグ部１３ａとを有して、第１の電極６ａと第１のリード配線９ａとの間を電気的に接続している。すなわち、レッグ部１３ａは、第１のリード配線９ａ及びサーミスタ素子４（サーミスタ膜５）と電気的に接続されている。
【0051】
第１の接続部材１１ｂは、第１の電極６ｂと電気的に接続されたアーム部１２ｂと、アーム部１２ｂと第２のリード配線９ｂとの間を電気的に接続するレッグ部１３ｂとを有して、第１の電極６ｂと第２のリード配線９ｂとの間を電気的に接続している。すなわち、レッグ部１３ｂは、第２のリード配線９ｂ及びサーミスタ素子４（サーミスタ膜５）と電気的に接続されている。
【0052】
これにより、サーミスタ素子４は、その面内の対角方向に位置する一対の第１の接続部材１１ａ，１１ｂにより第３の方向Ｚに吊り下げられた状態で支持されている。また、サーミスタ素子４と第１の絶縁体層８との間には、空間Ｇが設けられている。
【0053】
第２の基板３側には、第２の絶縁体層１４と、サーミスタ素子４から出力される電圧の変化を検出して輝度温度に変換する回路部１５と、各サーミスタ素子４と回路部１５との間を電気的に接続する第２の接続部１６とが設けられている。
【0054】
第２の絶縁体層１４は、第２の基板３の一方の面（第１の基板２と対向する面）側において形成された絶縁膜からなる。絶縁膜としては、上記第１の絶縁体層８で例示した絶縁膜と同じものを用いることができる。
【0055】
回路部１５は、読み出し集積回路（ＲＯＩＣ：Read Out Integrated Circuit）やレギュレータ、Ａ／Ｄコンバータ（Analog-to-Digital Converter）、マルチプレクサなどからなり、第２の絶縁体層１４の層内に設けられている。
【0056】
また、第２の絶縁体層１４の面上には、複数の第１のリード配線９ａに対応した複数の接続端子１７ａと、複数の第２のリード配線９ｂに対応した複数の接続端子１７ｂとが設けられている。接続端子１７ａ，１７ｂは、例えば銅や金などの導電膜からなる。
【0057】
接続端子１７ａは、回路部１５の周囲を囲む領域のうちの第１の方向Ｘの一方側の領域に位置して、第２の方向Ｙに一定の間隔で並んで設けられている。接続端子１７ｂは、回路部１５の周囲を囲む領域のうちの第２の方向Ｙの一方側の領域に位置して、第１の方向Ｘに一定の間隔で並んで設けられている。
【0058】
第２の接続部１６は、複数の第１のリード配線９ａに対応して設けられた複数の第２の接続部材１８ａと、複数の第２のリード配線９ｂに対応して設けられた複数の第２の接続部材１８ｂとを有している。複数の第２の接続部材１８ａ，１８ｂは、例えば銅や金などのめっきによって形成された断面円形状の導体ピラーからなる。複数の第２の接続部材１８ａ，１８ｂは、第３の方向Ｚの成分を含む方向（本実施形態では第３の方向Ｚ）に延在する。
【0059】
第２の接続部材１８ａは、第１のリード配線９ａの一端側と接続端子１７ａとの間を電気的に接続している。第２の接続部材１８ｂは、第２のリード配線９ｂの一端側と接続端子１７ｂとの間を電気的に接続している。これにより、複数の第１のリード配線９ａと回路部１５との間が第２の接続部材１８ａ及び接続端子１７ａを介して電気的に接続されている。また、複数の第２のリード配線９ｂと回路部１５との間が第２の接続部材１８ｂ及び接続端子１７ｂを介して電気的に接続されている。
【0060】
第１の基板２のサーミスタ素子４と対向する面側には、反射防止層１９が設けられている。本実施形態では、第１の基板２と第１の絶縁体層８との間に反射防止層１９が設けられている。反射防止層１９の少なくとも一部は、サーミスタ素子４の少なくとも一部と対向している。反射防止層１９は、測定対象から放出された赤外線ＩＲが第１の基板２側から窓部Ｗを通過してサーミスタ膜５に入射するまでの間に、第１の基板２と空間Ｇとの界面で赤外線ＩＲが反射されることを防止し、第１の基板２を透過した赤外線ＩＲをサーミスタ膜５側に効率良く入射させるためのものである。
【0061】
反射防止層１９としては、例えば、硫化亜鉛、フッ化イットリウム、カルコゲナイドガラス、ゲルマニウム、シリコン、セレン化亜鉛、ガリウム砒素などを用いることができる。
【0062】
また、反射防止層１９は、屈折率の異なる膜を交互に積層し、各層で反射する波の干渉を利用して赤外線ＩＲの反射率を低減する構成であってもよい。この場合、反射防止層１９として、上述した材料の他にも、例えば、酸化膜、窒化膜、硫化膜、フッ化膜、ホウ化膜、臭化膜、塩化膜、セレン化膜、Ｇｅ膜，ダイヤモンド膜、カルコゲナイド膜、Ｓｉ膜などを積層した積層膜を用いることができる。
【0063】
第１の絶縁体層８のサーミスタ素子４と対向する部分には、第１の絶縁体層８を貫通する孔部８ａが設けられている。換言すると、反射防止層１９とサーミスタ素子４との間には、第１の絶縁体層８を貫通する孔部８ａが設けられている。孔部８ａは、第１の絶縁体層８が設けられた層Ｔにおけるサーミスタ素子４と対向する部分に設けられている。
【0064】
以上のような構成を有する本実施形態の電磁波センサ１Ａでは、測定対象から放出された赤外線ＩＲが第１の基板２側から窓部Ｗを通過してサーミスタ素子４に入射する。
【0065】
サーミスタ素子４では、サーミスタ膜５の近傍に形成された絶縁膜７ａ，７ｂ，７ｃに入射した赤外線ＩＲが絶縁膜７ａ，７ｂ，７ｃに吸収されること、並びに、サーミスタ膜５に入射した赤外線ＩＲがサーミスタ膜５に吸収されることによって、このサーミスタ膜５の温度が変化する。また、サーミスタ素子４では、サーミスタ膜５の温度変化に対して、このサーミスタ膜５の電気抵抗が変化することで、一対の第１の電極６ａ，６ｂの間の出力電圧が変化する。本実施形態の電磁波センサ１Ａでは、サーミスタ素子４がボロメータ素子として機能する。
【0066】
本実施形態の電磁波センサ１Ａでは、測定対象から放出される赤外線ＩＲを複数のサーミスタ素子４により平面的に検出した後、各サーミスタ素子４から出力される電気信号（電圧信号）を輝度温度に変換することによって、測定対象の温度分布（温度画像）を二次元的に検出（撮像）することが可能である。
【0067】
本実施形態の電磁波センサ１Ａでは、サーミスタ膜５に定電流を印加して、サーミスタ膜５の温度変化に対して、サーミスタ膜５から出力される電圧の変化を検出しているが、サーミスタ膜５に定電圧を印加し、サーミスタ膜５の温度変化に対して、サーミスタ膜５に流れる電流の変化を検出して輝度温度に変換することも可能である。
【0068】
ところで、本実施形態の電磁波センサ１Ａにおいて、第１のリード配線９ａと第２のリード配線９ｂとの少なくとも一方のリード配線（本実施形態では第２のリード配線９ｂ）は、図１に示すように、第３の方向Ｚから平面視したときに、第１のリード配線９ａと第２のリード配線９ｂとが互いに重なる重畳部３０において、一方のリード配線（第２のリード配線９ｂ）の重畳部３０を除く部分における幅の平均値よりも幅が大きい幅広部３１を有している。
【0069】
すなわち、この幅広部３１は、他方のリード配線（本実施形態では第１のリード配線９ａ）と平面視において重なり、平面視において一方のリード配線（第２のリード配線９ｂ）の幅方向の一方側に突出している。
【0070】
図１に示す構成では、幅広部３１は、一方のリード配線（第２のリード配線９ｂ）の重畳部３０を除く部分に対して幅方向に突出している。なお、図１に示す例において、リード配線の幅方向とは、平面視においてリード配線の延在方向に垂直な方向である。すなわち、図１に示す例において、幅広部３１は、第２の方向Ｙに延在する第２のリード配線９ｂの重畳部３０を除く部分における第１の方向Ｘの幅の平均値よりも第１の方向Ｘの幅が大きくなっている。図１に示す例において、幅広部３１の範囲は、第２のリード配線９ｂの重畳部３０の範囲と同じになっている。
【0071】
なお、幅広部３１については、上述した平面視において一方のリード配線（第２のリード配線９ｂ）が他方のリード配線（第１のリード配線９ａ）と平面視において重なる範囲（重畳部３０の範囲）に限らず、平面視において重畳部３０の範囲の外側に亘って形成されていてもよい。幅広部３１は、平面視において電磁波検出部（サーミスタ素子４）とは重ならないことが好ましい。
【0072】
また、幅広部３１は、平面視において一方のリード配線（第２のリード配線９ｂ）の幅方向の両側に突出した構成としてもよい。また、幅広部３１の形状についても、特に限定されるものではなく、その形状について適宜変更することが可能である。
【0073】
本実施形態の電磁波センサ１Ａでは、このような幅広部３１を重畳部３０に設けることによって、平面視におけるリード配線の領域（平面視における第１のリード配線９ａと第２のリード配線９ｂとからなる領域）の増加を抑制しながら、一方のリード配線（第２のリード配線９ｂ）の幅を幅広部３１において広げることが可能である。これにより、通電により熱源となるリード配線９ａ，９ｂから電磁波検出部（サーミスタ素子４）への熱輻射の増加を抑制しながら、一方のリード配線（第２のリード配線９ｂ）の電気抵抗値を低減することが可能である。
【0074】
また、本実施形態の電磁波センサ１Ａでは、電磁波検出部（サーミスタ素子４）から見て、第１のリード配線９ａ及び第２のリード配線９ｂが測定対象の電磁波（赤外線ＩＲ）の入射方向側に配置されているため、第１のリード配線９ａ及び第２のリード配線９ｂの平面視における電磁波検出部（サーミスタ素子４）との重なり部分により、電磁波検出部（サーミスタ素子４）に向かって入射する測定対象の電磁波の一部が遮蔽されることが考えられる。
【0075】
本実施形態の電磁波センサ１Ａでは、平面視において第１のリード配線９ａ及び第２のリード配線９ｂが電磁波検出部（サーミスタ素子４）と重なる範囲が増加することを抑制しながら、一方のリード配線（第２のリード配線９ｂ）の幅を幅広部３１において広げることが可能である。これにより、リード配線９ａ，９ｂによる測定対象の電磁波の遮蔽の影響の増加を抑制しながら、一方のリード配線（第２のリード配線９ｂ）の電気抵抗値を低減することが可能である。
【0076】
したがって、本実施形態の電磁波センサ１Ａでは、電磁波（赤外線ＩＲ）の良好な検出精度を得ることが可能である。
【0077】
なお、上記電磁波センサ１Ａでは、上述した第１のリード配線９ａと第２のリード配線９ｂとのうち、第２のリード配線９ｂに幅広部３１が設けられた構成となっているが、例えば図７に示すように、第１のリード配線９ａに幅広部３１が設けられた構成としてもよい。なお、図７では、上記構造体２０Ａの具体的な図示を省略している。
【0078】
具体的に、この図７に示す構成は、第３の方向Ｚから平面視したときに、重畳部３０において、第１のリード配線９ａの重畳部３０を除く部分における幅の平均値よりも幅が大きい幅広部３１が第１のリード配線９ａ側に設けられた構成となっている。
【0079】
図７に示す構成では、幅広部３１は、第１のリード配線９ａの重畳部３０を除く部分に対して幅方向に突出している。なお、図７に示す例において、リード配線の幅方向とは、平面視においてリード配線の延在方向に垂直な方向である。図７に示す例において、幅広部３１は、第１の方向Ｘに延在する第１のリード配線９ａの重畳部３０を除く部分における第２の方向Ｙの幅の平均値よりも第２の方向Ｙの幅が大きくなっている。図７に示す例において、幅広部３１の範囲は、第１のリード配線９ａの重畳部３０の範囲と同じになっている。
【0080】
すなわち、この幅広部３１は、第２のリード配線９ｂと平面視において重なり、平面視において、第１のリード配線９ａの幅方向の一方側に突出している。幅広部３１は、平面視において第１のリード配線９ａの幅方向の両側に突出した構成としてもよい。
【0081】
さらに、上記電磁波センサ１Ａは、例えば図８に示すように、第１のリード配線９ａに第１の幅広部３１ａが設けられると共に、第２のリード配線９ｂに第２の幅広部３１ｂが設けられた構成としてもよい。なお、図８では、上記構造体２０Ａの具体的な図示を省略している。
【0082】
具体的に、この図８に示す構成は、第３の方向Ｚから平面視したときに、重畳部３０において、第１のリード配線９ａの重畳部３０を除く部分における幅の平均値よりも幅が大きい第１の幅広部３１ａが第１のリード配線９ａに設けられ、第２のリード配線９ｂの重畳部３０を除く部分における幅の平均値よりも幅が大きい第２の幅広部３１ｂが第２のリード配線９ｂに設けられた構成となっている。
【0083】
すなわち、第１の幅広部３１ａは、第２のリード配線９ｂと平面視において重なり、平面視において第１のリード配線９ａの幅方向の一方側に突出している。第１の幅広部３１ａは、平面視において第１のリード配線９ａの幅方向の両側に突出した構成としてもよい。
【0084】
第２の幅広部３１ｂは、第１のリード配線９ａと平面視において重なり、平面視において第２のリード配線９ｂの幅方向の一方側に突出している。第２の幅広部３１ｂは、平面視において第２のリード配線９ｂの幅方向の両側に突出した構成としてもよい。
【0085】
図８に示す電磁波センサ１Ａの構成では、通電により熱源となるリード配線９ａ，９ｂから電磁波検出部（サーミスタ素子４）への熱輻射の増加を抑制しながら、両方の配線（第１のリード配線９ａ及び第２のリード配線９ｂ）の電気抵抗値を低減することが可能である。また、図８に示す電磁波センサ１Ａの構成では、リード配線９ａ，９ｂによる測定対象の電磁波の遮蔽の影響の増加を抑制しながら、両方の配線（第１のリード配線９ａ及び第２のリード配線９ｂ）の電気抵抗値を低減することが可能である。
【0086】
【0087】
なお、図９は、電磁波センサ１Ｂの構成を示す平面図である。図１０は、電磁波センサ１Ｂが備える構造体２０Ｂの構成を示す平面図である。図１１は、図１０中に示す線分Ａ２－Ａ２による構造体２０Ｂの断面図である。図１２は、図１０中に示す線分Ｂ２－Ｂ２による構造体２０Ｂの断面図である。図１３は、電磁波センサ１Ｂの別の構成例を示す平面図である。また、以下の説明では、上記電磁波センサ１Ａと同等の部位については、説明を省略すると共に、図面において同じ符号を付すものとする。
【0088】
本実施形態の電磁波センサ１Ｂは、上記構造体２０Ａの代わりに、例えば図９～図１２に示すような構造体２０Ｂを備えている。また、電磁波センサ１Ｂでは、第１のリード配線９ａと第２のリード配線９ｂの配置順が電磁波センサ１Ａとは異なっている。それ以外は、電磁波センサ１Ｂは、上記電磁波センサ１Ａと基本的に同じ構成を有している。
【0089】
具体的に、この電磁波センサ１Ｂでは、複数のサーミスタ素子４のそれぞれが、複数の第１のリード配線９ａのうちの対応する１つと第１の接続部材１１ａを介して電気的に接続されると共に、複数のサーミスタ素子４のそれぞれが、複数の第２のリード配線９ｂのうちの対応する１つと第１の接続部材１１ａを介して電気的に接続されている。
【0090】
また、一対の第１の接続部材１１ａ，１１ｂ及び１つのサーミスタ素子４が１つの構造体２０Ｂを構成している。
【0091】
具体的に、この構造体２０Ｂは、一対のアーム部１２ａ，１２ｂ及び一対のレッグ部１３ａ，１３ｂを含む一対の第１の接続部材１１ａ，１１ｂを備え、サーミスタ素子４が一対の第１の接続部材１１ａ，１１ｂを介してサーミスタ素子４と対向する第１の基板２に対して吊り下げられた構造を有している。
【0092】
また、構造体２０Ｂでは、平面視において、サーミスタ素子４の中心を基準に点対称に一対のアーム部１２ａ，１２ｂが配置されている。構造体２０Ｂでは、レッグ部１３ｂと第２のリード配線９ｂとの接続位置が、上記構造体２０Ａとは異なっている。それ以外は、構造体２０Ｂは、上記構造体２０Ａと基本的に同じ構成を有している。
【0093】
また、電磁波センサ１Ｂでは、第２のリード配線９ｂの方が第１のリード配線９ａよりも、第３の方向Ｚにおいてアーム部１２ａ，１２ｂに近い側にある。すなわち、電磁波センサ１Ｂでは、第２のリード配線９ｂの第３の方向Ｚの位置は、第１のリード配線９ａの第３の方向Ｚの位置とアーム部１２ａ，１２ｂの第３の方向Ｚの位置との間にある。
【0094】
ところで、本実施形態の電磁波センサ１Ｂは、図９に示すように、第１のリード配線９ａと第２のリード配線９ｂとの少なくとも一方のリード配線（本実施形態では第２のリード配線９ｂ）に幅広部３１が設けられ、一方のリード配線（第２のリード配線９ｂ）が、この幅広部３１において、レッグ部１３ｂの一端側と電気的に接続された構成となっている。
【0095】
すなわち、この幅広部３１は、他方のリード配線（本実施形態では第１のリード配線９ａ）と平面視において重なり、平面視において、一方のリード配線（第２のリード配線９ｂ）の幅方向の一方側に突出している。また、幅広部３１の端部は、平面視において丸みを帯びた形状を有している。
【0096】
なお、本実施形態では、幅広部３１のうちの幅方向に突出している部分において、一方のリード配線（第２のリード配線９ｂ）がレッグ部１３ｂの一端側と電気的に接続されている。また、本実施形態では、幅広部３１（幅広部３１のうちの幅方向に突出している部分）がレッグ部１３ｂの一端側と直接接続されている。
【0097】
なお、幅広部３１については、上述した平面視において一方のリード配線（第２のリード配線９ｂ）が他方のリード配線（第１のリード配線９ａ）と重なる範囲（重畳部３０の範囲）に限らず、平面視において重畳部３０の範囲の外側に亘って形成されていてもよい。また、幅広部３１は、平面視において電磁波検出部（サーミスタ素子４）とは重ならないことが好ましい。また、幅広部３１は、平面視において一方のリード配線（第２のリード配線９ｂ）の幅方向の両側に突出した構成としてもよい。
【0098】
また、幅広部３１の形状についても、上述した幅広部３１の端部が平面視で丸みを帯びた形状を有するものに必ずしも限定されるものではなく、その形状について適宜変更することが可能である。
【0099】
本実施形態の電磁波センサ１Ｂでは、このような幅広部３１を重畳部３０に設けることによって、第１の実施形態の電磁波センサ１Ａと同様に、電磁波（赤外線ＩＲ）の良好な検出精度を得ることが可能である。
【0100】
また、本実施形態の電磁波センサ１Ｂでは、一方のリード配線（第２のリード配線９ｂ）が、上述した幅広部３１において、レッグ部１３ｂの一端側と電気的に接続されている。これにより、複数の構造体２０Ｂをスペース効率良く配置することが可能である。また、アーム部１２ａとアーム部１２ｂとを対称性良く形成することが可能である。さらに、対称性良く形成されたアーム部１２ａ，１２ｂは、ゆがみを生じ難いため、電磁波センサ１Ｂの高い信頼性が得られる。
【0101】
なお、上記電磁波センサ１Ｂでは、上述した第１のリード配線９ａと第２のリード配線９ｂとのうち、第２のリード配線９ｂに幅広部３１が設けられ、第２のリード配線９ｂが、この幅広部３１において、レッグ部１３ｂの一端側と電気的に接続された構成となっているが、例えば図１３に示すように、第１のリード配線９ａに第１の幅広部３１ａが設けられると共に、第２のリード配線９ｂに第２の幅広部３１ｂが設けられ、第２のリード配線９ｂが、この第２の幅広部３１ｂにおいて、レッグ部１３ｂの一端側と電気的に接続された構成としてもよい。
【0102】
すなわち、この第１の幅広部３１ａは、第２のリード配線９ｂと平面視において重なり、第１のリード配線９ａの幅方向の両側に突出している。第１の幅広部３１ａは、平面視において第１のリード配線９ａの幅方向の一方側に突出した構成としてもよい。
【0103】
第２の幅広部３１ｂは、第１のリード配線９ａと平面視において重なり、第２のリード配線９ｂの幅方向の両側に突出している。第２の幅広部３１ｂは、平面視において第２のリード配線９ｂの幅方向の一方側に突出した構成としてもよい。
【0104】
なお、図１３に示す例では、第２の幅広部３１ｂがレッグ部１３ｂの一端側と直接接続されている。また、図１３に示す例では、第２のリード配線９ｂが、第２の幅広部３１ｂにおいて、レッグ部１３ｂの一端側と電気的に接続された構成となっているが、第１のリード配線９ａが、第１の幅広部３１ａにおいて、レッグ部１３ａの一端側と電気的に接続された構成となっていてもよく、さらに、これら両方の構成を含むものであってもよい。
【0105】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態として、例えば図１４に示す電磁波センサ１Ｃについて説明する。
次に、本発明の第３の実施形態として、例えば図１４に示す電磁波センサ１Ｃについて説明する。
【0106】
なお、図１４は、電磁波センサ１Ｃの構成を模式的に示す平面図である。また、以下の説明では、上記電磁波センサ１Ａ，１Ｂと同等の部位については、説明を省略すると共に、図面において同じ符号を付すものとする。
【0107】
本実施形態の電磁波センサ１Ｃは、図１４に示すように、複数のサーミスタ素子４が１列に配列された構造を有している。
【0108】
すなわち、この電磁波センサ１Ｃは、１つの第２のリード配線９ｂと、複数の第１のリード配線９ａとを備えている。また、電磁波センサ１Ｃでは、複数のサーミスタ素子４が第２の方向Ｙに並んで設けられている。また、複数のサーミスタ素子４のそれぞれが、複数の第１のリード配線９ａのうちの対応する１つと電気的に接続されるように、複数の第１のリード配線９ａが第２の方向Ｙに並んで設けられている。また、複数のサーミスタ素子４のそれぞれは、１つの第２のリード配線９ｂと電気的に接続されている。
【0109】
電磁波センサ１Ｃは、上記電磁波センサ１Ａが備える構造体２０Ａの代わりに、図１４に示すような構造体２０Ｃを備えている。構造体２０Ｃは、アーム部の形状が、構造体２０Ａが備えるアーム部１２ａ，１２ｂと若干異なっているが、それ以外は、構造体２０Ａと基本的に同じ構成を有している。
【0110】
第１の実施形態の電磁波センサ１Ａと同様に、図１４に示す電磁波センサ１Ｃにおいて、第１のリード配線９ａと第２のリード配線９ｂとの少なくとも一方のリード配線（本実施形態では第２のリード配線９ｂ）は、第３の方向Ｚから平面視したときに、第１のリード配線９ａと第２のリード配線９ｂとが互いに重なる重畳部３０において、一方のリード配線（第２のリード配線９ｂ）の重畳部３０を除く部分における幅の平均値よりも幅が大きい幅広部３１を有している。
【0111】
すなわち、この幅広部３１は、他方のリード配線（本実施形態では第１のリード配線９ａ）と平面視において重なり、平面視において一方のリード配線（第２のリード配線９ｂ）の幅方向の両側に突出している。
【0112】
また、本実施形態の電磁波センサ１Ｃにおいて、幅広部３１は、平面視において一方のリード配線（第２のリード配線９ｂ）の幅方向の一方側に突出した構成としてもよい。また、電磁波センサ１Ｃは、第１の実施形態の電磁波センサ１Ａと同様に、第１のリード配線９ａに幅広部が設けられた構成としてもよい。この場合、第１のリード配線９ａに設けられた幅広部は、平面視において第１のリード配線９ａの幅方向の両側に突出した構成としてもよく、平面視において第１のリード配線９ａの幅方向の一方側に突出した構成としてもよい。
【0113】
また、電磁波センサ１Ｃは、第２の実施形態の電磁波センサ１Ｂと同様に、第２のリード配線９ｂが、幅広部３１においてレッグ部１３ｂの一端側と電気的に接続された構成としてもよい。
【0114】
本実施形態の電磁波センサ１Ｃでは、このような幅広部３１を有する重畳部３０を設けることによって、第１の実施形態の電磁波センサ１Ａと同様に、電磁波（赤外線ＩＲ）の良好な検出精度を得ることが可能である。
【0115】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態として、例えば図１５に示す電磁波センサ１Ｄについて説明する。
次に、本発明の第４の実施形態として、例えば図１５に示す電磁波センサ１Ｄについて説明する。
【0116】
なお、図１５は、電磁波センサ１Ｄの構成を模式的に示す断面図である。理解を容易とするために、図１５は１つの断面ではなく、複数の断面を組み合わせた模式的な断面図としている。また、以下の説明では、上記電磁波センサ１Ａ，１Ｂ，１Ｃと同等の部位については、説明を省略すると共に、図面において同じ符号を付すものとする。
【0117】
本実施形態の電磁波センサ１Ｄは、図１５に示すように、複数のサーミスタ素子４が、サーミスタ素子４と対向する第２の基板３に対して懸架された構造を有している。
【0118】
この場合、配線部９は、第２の基板３側に配置されている。すなわち、第１のリード配線９ａと第２のリード配線９ｂとは、第２の基板３側において、第３の方向Ｚの異なる位置に、立体的に交差するように配置されている。
【0119】
具体的に、本実施形態の電磁波センサ１Ｄでは、第１の実施形態の電磁波センサ１Ａにおいて第１のリード配線９ａ及び第２のリード配線９ｂが第１の絶縁体層８の層内に位置しているのと同様に、第１のリード配線９ａ及び第２のリード配線９ｂが第２の基板３に形成された絶縁体層の層内に位置している。また、第１のリード配線９ａと第２の配線リード配線９ｂとに挟まれた部分には、絶縁体層の一部が配置されている。
【0120】
また、第１のリード配線９ａと第２のリード配線９ｂとの少なくとも一方のリード配線の少なくとも表面は、第２の基板３に形成された絶縁体層から露出していてもよい。本実施形態において、配線部９（第１のリード配線９ａ及び第２のリード配線９ｂ）は、第２の基板３に設けられた読み出し回路（ＲＯＩＣ）の一部を構成している。すなわち、第１の接続部材１１ａ，１１ｂは、第２の基板３に設けられた読み出し回路（ＲＯＩＣ）に直接接続されている。
【0121】
また、本実施形態の電磁波センサ１Ｄでは、第１の基板２、シール部材２３及び第２の基板３により密閉された内部空間Ｋ内に複数のサーミスタ素子４が配置されている。一方、読み出し回路（ＲＯＩＣ）と電気的に接続された電極パッド２４が、その内部空間Ｋの外側に配置されている。
【0122】
また、本実施形態の電磁波センサ１Ｄでは、第１の接続部材１１ａ，１１ｂ及び１つのサーミスタ素子４を含む構造体として、上記電磁波センサ１Ａ，１Ｂ，１Ｃが備える構造体２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃと同様の構成を採用することが可能である。
【0123】
また、本実施形態の電磁波センサ１Ｄでは、第１のリード配線９ａ及び第２のリード配線９ｂとして、上記電磁波センサ１Ａ，１Ｂ，１Ｃが備える第１のリード配線９ａ及び第２のリード配線９ｂと同様の構成を採用することが可能である。
【0124】
すなわち、本実施形態の電磁波センサ１Ｄでは、上記電磁波センサ１Ａ，１Ｂ，１Ｃと同様に、第１のリード配線９ａと第２のリード配線９ｂとの少なくとも一方のリード配線（例えば第２のリード配線９ｂ）が、第３の方向Ｚから平面視したときに、第１のリード配線９ａと第２のリード配線９ｂとが互いに重なる重畳部３０において、一方のリード配線（例えば第２のリード配線９ｂ）の重畳部３０を除く部分における幅の平均値よりも幅が大きい幅広部３１を有している。
【0125】
また、本実施形態の電磁波センサ１Ｄでは、上記電磁波センサ１Ａ，１Ｂ，１Ｃと同様に、第１のリード配線９ａが、重畳部３０において、第１のリード配線９ａの重畳部３０を除く部分における幅の平均値よりも幅が大きい幅広部３１を有し、第２のリード配線９ｂが、重畳部３０において、第２のリード配線９ｂの重畳部３０を除く部分における幅の平均値よりも幅が大きい幅広部３１を有していてもよい。
【0126】
本実施形態の電磁波センサ１Ｄでは、このような幅広部３１を重畳部３０に設けることによって、第１の実施形態の電磁波センサ１Ａと同様に、通電により熱源となるリード配線９ａ，９ｂから電磁波検出部（サーミスタ素子４）への熱輻射の増加を抑制しながら、一方のリード配線（例えば第２のリード配線９ｂ）又は両方の配線（第１のリード配線９ａ及び第２のリード配線９ｂ）の電気抵抗値を低減することが可能である。
【0127】
したがって、本実施形態の電磁波センサ１Ｄでは、電磁波（赤外線ＩＲ）の良好な検出精度を得ることが可能である。
【0128】
なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【0129】
例えば、本発明を適用した電磁波センサは、上述した複数のサーミスタ素子４を二次元アレイ状又は線状に配列した赤外線イメージセンサの構成に必ずしも限定されるものではなく、１つのサーミスタ素子４を用いた電磁波センサなどにも本発明を適用することが可能である。
【0130】
また、本発明を適用した電磁波センサは、電磁波として、上述した赤外線ＩＲを検出するものに必ずしも限定されるものではなく、例えば波長が３０μｍ以上、３ｍｍ以下のテラヘルツ波を検出するものであってもよく、可視光線を検出するものであってよい。
【0131】
また、本発明を適用した電磁波センサは、電磁波検出部として上述したサーミスタ素子４を用いたものに必ずしも限定されるものではなく、例えば、サーミスタ膜５に代えて、サーモパイル（熱電対）型や焦電型、ダイオード型などの温度検知素子を用いたものを電磁波検出部として用いることが可能である。また、上述したサーミスタ素子４に代えて、フォトダイオードなどの電磁波を直接検出する素子を電磁波検出部として用いることも可能である。
【符号の説明】
【0132】
１，１Ａ～１Ｄ…電磁波センサ ２…第１の基板 ３…第２の基板 ４…サーミスタ素子（電磁波検出部） ５…サーミスタ膜（温度検知素子） ６ａ，６ｂ…第１の電極 ６ｃ…第２の電極 ７ａ，７ｂ，７ｃ…絶縁膜（電磁波吸収体） ８…第１の絶縁体層（中間層） ８ａ…孔部 ９…配線部 ９ａ…第１のリード配線 ９ｂ…第２のリード配線 １０…第１の接続部 １１ａ，１１ｂ…第１の接続部材 １２ａ，１２ｂ…アーム部 １３ａ，１３ｂ…レッグ部 １４…第２の絶縁体層 １５…回路部 １６…第２の接続部 １７ａ，１７ｂ…接続端子 １８ａ，１８ｂ…第２の接続部材 １９…反射防止層 ２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ…構造体 ２１…配線層 ２２ａ…第１の保護層 ２２ｂ…第２の保護層 ２３…シール部材 ３０…重畳部 ３１…幅広部 ３１ａ…第１の幅広部 ３１ｂ…第２の幅広部 ＩＲ…赤外線（電磁波） Ｇ…空間
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】