(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024070598
(43)【公開日】2024-05-23
(54)【発明の名称】クロムめっき部品及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
C25D 5/14 20060101AFI20240516BHJP
C25D 5/16 20060101ALI20240516BHJP
C25D 5/48 20060101ALI20240516BHJP
C25D 5/54 20060101ALI20240516BHJP
【ＦＩ】
C25D5/14
C25D5/16
C25D5/48
C25D5/54
【審査請求】有
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022181191
(22)【出願日】2022-11-11
(11)【特許番号】
(45)【特許公報発行日】2023-08-21
(71)【出願人】
【識別番号】000120386
【氏名又は名称】株式会社ＪＣＵ
(74)【代理人】
【識別番号】100120891
【弁理士】
【氏名又は名称】林 一好
(74)【代理人】
【識別番号】100150898
【弁理士】
【氏名又は名称】祐成 篤哉
(72)【発明者】
【氏名】中上 まどか
(72)【発明者】
【氏名】西川 賢一
【テーマコード（参考）】
4K024
【Ｆターム（参考）】
4K024AA02
4K024AA03
4K024AA09
4K024AB03
4K024AB04
4K024BA09
4K024BA12
4K024BA15
4K024BB02
4K024BB15
4K024BB18
4K024CA02
4K024CA06
4K024DB04
4K024GA04
(57)【要約】
【課題】上層が３価クロムめっき層であっても優れた耐食性を示し、外観が良好なクロムめっき部品、及びそうしたクロムめっき部品を煩雑な工程管理を要さずに簡便に作製し得る製造方法を提供すること。
【解決手段】銅又は銅合金からなる表面層を有する素地と、素地の表面層に接して形成された光沢ニッケルめっき層と、光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、光沢ニッケルめっき層に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する貴電位ニッケルめっき層と、貴電位ニッケルめっき層上に接して形成された３価クロムめっき層と、を備えるクロムめっき部品。光沢ニッケルめっき層と貴電位ニッケルめっき層との膜厚比率は、１：３０～１０：１であることが好ましい。また、貴電位ニッケルめっき層が、非導電性微粒子不含の層であることが好ましい。
【選択図】図１
【解決手段】銅又は銅合金からなる表面層を有する素地と、素地の表面層に接して形成された光沢ニッケルめっき層と、光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、光沢ニッケルめっき層に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する貴電位ニッケルめっき層と、貴電位ニッケルめっき層上に接して形成された３価クロムめっき層と、を備えるクロムめっき部品。光沢ニッケルめっき層と貴電位ニッケルめっき層との膜厚比率は、１：３０～１０：１であることが好ましい。また、貴電位ニッケルめっき層が、非導電性微粒子不含の層であることが好ましい。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
銅又は銅合金からなる表面層を有する素地と、
前記素地の前記表面層に接して形成された光沢ニッケルめっき層と、
前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、前記光沢ニッケルめっき層に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する貴電位ニッケルめっき層と、
前記貴電位ニッケルめっき層上に接して形成された３価クロムめっき層と、
を備えることを特徴とするクロムめっき部品。
前記素地の前記表面層に接して形成された光沢ニッケルめっき層と、
前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、前記光沢ニッケルめっき層に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する貴電位ニッケルめっき層と、
前記貴電位ニッケルめっき層上に接して形成された３価クロムめっき層と、
を備えることを特徴とするクロムめっき部品。
【請求項2】
前記光沢ニッケルめっき層と前記貴電位ニッケルめっき層との膜厚比率が１：３０～１０：１である、請求項１記載のクロムめっき部品。
【請求項3】
前記光沢ニッケルめっき層と前記貴電位ニッケルめっき層との膜厚比率が１：５～９：１である、請求項１記載のクロムめっき部品。
【請求項4】
前記光沢ニッケルめっき層と前記貴電位ニッケルめっき層との合計膜厚が１～３０μｍである、請求項１記載のクロムめっき部品。
【請求項5】
前記３価クロムめっき層上に、電解化成処理膜及び／又は浸漬化成処理膜をさらに備える、請求項１記載のクロムめっき部品。
【請求項6】
前記貴電位ニッケルめっき層が、非導電性微粒子不含の層である、請求項１記載のクロムめっき部品。
【請求項7】
前記素地が、樹脂、セラミックス、及び金属からなる群より選択される１種以上の材料からなり、かつ銅もしくは銅合金からなる前記表面層が付された基材であるか、又は銅もしくは銅合金からなる基材である、請求項１記載のクロムめっき部品。
【請求項8】
銅又は銅合金からなる表面層を有する素地上に、前記表面層に接して光沢ニッケルめっき層を形成する工程と、
前記光沢ニッケルめっき層上に接して、前記光沢ニッケルめっき層に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する貴電位ニッケルめっき層を形成する工程と、
前記貴電位ニッケルめっき層上に接して、３価クロムめっき層を形成する工程と、
を備えることを特徴とするクロムめっき部品の製造方法。
前記光沢ニッケルめっき層上に接して、前記光沢ニッケルめっき層に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する貴電位ニッケルめっき層を形成する工程と、
前記貴電位ニッケルめっき層上に接して、３価クロムめっき層を形成する工程と、
を備えることを特徴とするクロムめっき部品の製造方法。
【請求項9】
前記３価クロムめっき層の表面に、電解化成処理膜及び／又は浸漬化成処理膜を形成する工程をさらに含む、請求項８記載のクロムめっき部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、クロムめっき部品、特にニッケル－クロムめっき部品と、その製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来より、基材の装飾、防食、導電性付与等の目的から、クロムめっきが行われている。クロムめっきは通常、銀白色の外観を有するため、美的装飾性に優れ、装飾用のコーティング膜として有用である。クロムめっき層はまた、自己不動態化能力によって表面に不動態皮膜を形成することができるため、耐食性の点でも優れている。特に、樹脂基材の表面にクロムめっき膜が形成された製品は、金属素材の製品に比べて軽量かつ低コストであるため、自動車部品を始めとする様々な部品として用いられている。
【0003】
クロムめっき部品（製品）の内でも、下地としてニッケルめっき層を備える製品（ニッケル－クロムめっき製品）は、装飾性や耐食性が特に優れており、樹脂を始めとする様々な基材に用いられている。ニッケル－クロムめっきの高い耐食性は、下地のニッケル層が犠牲的に腐食を受け、クロムめっき層の腐食を防ぐことに起因すると考えられる。
【0004】
ニッケル－クロムめっき製品におけるニッケル層自体の耐食性は、硫黄分を殆ど含まない半光沢ニッケルめっき層と、硫黄分を含有する光沢ニッケルめっき層、さらには他の組成のニッケルめっき層とを組み合わせた二層又は三層の構造とすることによって改善できる（例えば、特許文献１～４参照）。これは、電位が卑な光沢ニッケルめっき層が、犠牲腐食されるためであり、こうしたニッケルめっき層を有するクロムめっき部品では、耐食性がより高いものとなっている。昨今はクロムめっき部品の耐食性に対する要求がますます高くなり、下地となるニッケルめっき層の構造を始めとする、さらなる耐食性改善検討が続けられている。
【0005】
例えば特許文献１及び２には、素地上に半光沢ニッケルめっき層、光沢ニッケルめっき層、及び共析ニッケルめっき層をこの順で付与し、その上にクロムめっき層を付したニッケル－クロムめっき製品が開示されている。ここで、共析ニッケルめっき層とは、シリカ等の微粒子が共析し、マイクロポーラス構造が形成された層である。多数のポアによって腐食電流が分散されるため、光沢ニッケルめっき層の腐食が抑制される。特許文献１記載の発明では、さらに各ニッケルめっき層間の電位差を調整することによって、また特許文献２記載の発明では、高電極電位の金属イオンの濃度を各ニッケルめっき層間で相違させることによって、耐食性の改善を図っている。
【0006】
特許文献３では、特許文献１及び２と同様の構造のクロムめっき部品の表面を酸化し、クロムめっき膜の表面にクロムの酸化皮膜を形成させる表面改質方法が開示されている。また、特許文献４では、樹脂基材上に銅めっき、硫黄なしニッケルめっき（半光沢ニッケルめっき）、光沢ニッケルめっき、貴電位ニッケルめっき、及びマイクロポーラス構造又はマイクロクラック構造の３価クロムめっきをこの順で備えるクロムめっき部品が開示されている。特許文献４では、貴電位ニッケルめっきとして、マイクロポーラス構造を備える共析ニッケルめっき（ＭＰニッケルめっき）も開示されている。特許文献３及び４記載の発明は、クロムめっき層の改質によってめっき部品の耐食性を改善する技術であるが、いずれにおいてもニッケルめっき層は、半光沢ニッケルめっき層を最下層とする三層構造となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特開平５－１７１４６８号公報
【特許文献2】特開平６－１４６０６９号公報
【特許文献3】特開２００７－２７５７５０号公報
【特許文献4】特開２０１０－１８５１１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
しかしながら、ニッケル下地層を有するクロムめっき部品は、耐食性の点でなおも改善の余地がある。近年では環境面への配慮から、クロムめっきにおいて６価クロムの代わりに３価クロムを用いる場合も多いが、こうした３価クロムめっきをニッケルめっき層上に行うと、６価クロムめっきほどの耐食性が必ずしも得られない。特許文献１及び２に記載のめっき製品は、いずれも６価クロムめっきによって製造されており、クロムめっき層が３価クロムめっきにより形成された場合には耐食性が不十分となるおそれがある。また、特許文献３記載の発明のようにクロムめっき層の表面を不動態化する方法では、表面酸化のための工程や設備が必要となり、製造コストの上昇をもたらす。
【0009】
特許文献４記載の発明では概して、３価クロムめっき層をマイクロポーラス構造又はマイクロクラック構造とする上で、微孔を形成するために、その直下の貴電位ニッケルめっき層にアルミナやシリカ等の非導電性微粒子を含有させている。特許文献１～３記載の発明においても、クロムめっき層直下の層は非導電性微粒子を含有している。しかしながら非導電性微粒子を含有する場合、それら微粒子の析出によるめっき製品の外観悪化を来す場合がある。また、めっき製品の製造において、微孔を安定的に発現させるための管理が煩雑となる。一方で、非導電性微粒子を含有しない場合は、十分な耐食性が得難いという難点がある。
【0010】
また、多くのニッケル－クロムめっき製品においては、ニッケルめっき層が三層構造を有し（ニッケルめっき層として２種の層を必須とする特許文献２及び４に記載のめっき製品においても）、素地側に半光沢ニッケルめっき層（硫黄なしニッケルめっき層）が形成されている。こうした三層構造は、本発明者らが見出したところによると、耐食性の点でさらなる改善の余地がある。そもそもニッケルめっき層を三層形成する上で、相応の工程管理と製造時間及びコストが必要となるため、製造工程が煩雑化する難点がある。
【0011】
本発明は、上記のような課題を解決すべく、上層が３価クロムめっき層であっても優れた耐食性を示し、外観が良好なクロムめっき部品、及びそうしたクロムめっき部品を煩雑な工程管理を要さずに簡便に作製し得る製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明者らは、３価クロムめっきにおいて、銅系の素地の直上に光沢ニッケルめっき層を形成し、次いでその直上に貴電位ニッケルめっき層を形成した上で３価クロムめっき層を形成し、かつ光沢ニッケルめっき層と貴電位ニッケルめっき層との電位差を特定の値に規定することにより、優れた耐食性と良好な外観を有するクロムめっき部品を製造でき、しかもめっき工程の管理が容易となって製造工程も簡略化されることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0013】
すなわち本発明は、以下の（１）～（９）を提供する。
（１）銅又は銅合金からなる表面層を有する素地と、前記素地の前記表面層に接して形成された光沢ニッケルめっき層と、前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、前記光沢ニッケルめっき層に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する貴電位ニッケルめっき層と、前記貴電位ニッケルめっき層上に接して形成された３価クロムめっき層と、を備えることを特徴とするクロムめっき部品。
（２）前記光沢ニッケルめっき層と前記貴電位ニッケルめっき層との膜厚比率が１：３０～１０：１である、上記（１）のクロムめっき部品。
（３）前記光沢ニッケルめっき層と前記貴電位ニッケルめっき層との膜厚比率が１：５～９：１である、上記（１）のクロムめっき部品。
（４）前記光沢ニッケルめっき層と前記貴電位ニッケルめっき層との合計膜厚が１～３０μｍである、上記（１）～（３）のいずれかのクロムめっき部品。
（５）前記３価クロムめっき層上に、電解化成処理膜及び／又は浸漬化成処理膜をさらに備える、上記（１）～（４）のいずれかのクロムめっき部品。
（６）前記貴電位ニッケルめっき層が、非導電性微粒子不含の層である、上記（１）～（５）のいずれかのクロムめっき部品。
（７）前記素地が、樹脂、セラミックス、及び金属からなる群より選択される１種以上の材料からなり、かつ銅もしくは銅合金からなる前記表面層が付された基材であるか、又は銅もしくは銅合金からなる基材である、上記（１）～（６）のいずれかのクロムめっき部品。
（８）銅又は銅合金からなる表面層を有する素地上に、前記表面層に接して光沢ニッケルめっき層を形成する工程と、
前記光沢ニッケルめっき層上に接して、前記光沢ニッケルめっき層に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する貴電位ニッケルめっき層を形成する工程と、
前記貴電位ニッケルめっき層上に接して、３価クロムめっき層を形成する工程と、
を備えることを特徴とするクロムめっき部品の製造方法。
（９）前記３価クロムめっき層の表面に、電解化成処理膜及び／又は浸漬化成処理膜を形成する工程をさらに含む、上記（８）のクロムめっき部品の製造方法。
（１）銅又は銅合金からなる表面層を有する素地と、前記素地の前記表面層に接して形成された光沢ニッケルめっき層と、前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、前記光沢ニッケルめっき層に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する貴電位ニッケルめっき層と、前記貴電位ニッケルめっき層上に接して形成された３価クロムめっき層と、を備えることを特徴とするクロムめっき部品。
（２）前記光沢ニッケルめっき層と前記貴電位ニッケルめっき層との膜厚比率が１：３０～１０：１である、上記（１）のクロムめっき部品。
（３）前記光沢ニッケルめっき層と前記貴電位ニッケルめっき層との膜厚比率が１：５～９：１である、上記（１）のクロムめっき部品。
（４）前記光沢ニッケルめっき層と前記貴電位ニッケルめっき層との合計膜厚が１～３０μｍである、上記（１）～（３）のいずれかのクロムめっき部品。
（５）前記３価クロムめっき層上に、電解化成処理膜及び／又は浸漬化成処理膜をさらに備える、上記（１）～（４）のいずれかのクロムめっき部品。
（６）前記貴電位ニッケルめっき層が、非導電性微粒子不含の層である、上記（１）～（５）のいずれかのクロムめっき部品。
（７）前記素地が、樹脂、セラミックス、及び金属からなる群より選択される１種以上の材料からなり、かつ銅もしくは銅合金からなる前記表面層が付された基材であるか、又は銅もしくは銅合金からなる基材である、上記（１）～（６）のいずれかのクロムめっき部品。
（８）銅又は銅合金からなる表面層を有する素地上に、前記表面層に接して光沢ニッケルめっき層を形成する工程と、
前記光沢ニッケルめっき層上に接して、前記光沢ニッケルめっき層に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する貴電位ニッケルめっき層を形成する工程と、
前記貴電位ニッケルめっき層上に接して、３価クロムめっき層を形成する工程と、
を備えることを特徴とするクロムめっき部品の製造方法。
（９）前記３価クロムめっき層の表面に、電解化成処理膜及び／又は浸漬化成処理膜を形成する工程をさらに含む、上記（８）のクロムめっき部品の製造方法。
【発明の効果】
【0014】
本発明のクロムめっき部品は、上層が３価クロムめっき層であっても優れた耐食性を示し、しかも外観が良好である。また、本発明のクロムめっき部品の製造方法によれば、耐食性と外観に優れるクロムめっき部品を、煩雑な工程管理を伴うことなく、より簡略化された工程で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】本発明のクロムめっき部品の一実施形態を示す、断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本発明を実施形態に基づき詳細に説明するが、本発明はこれら実施形態に限定されるものではない。
【0017】
≪クロムめっき部品≫
本発明のクロムめっき部品は、銅又は銅合金からなる表面層を有する素地と、素地の表面層に接して形成された光沢ニッケルめっき層と、光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、光沢ニッケルめっき層に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する貴電位ニッケルめっき層と、貴電位ニッケルめっき層上に接して形成された３価クロムめっき層と、を備えることを特徴とする。
本発明のクロムめっき部品は、銅又は銅合金からなる表面層を有する素地と、素地の表面層に接して形成された光沢ニッケルめっき層と、光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、光沢ニッケルめっき層に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する貴電位ニッケルめっき層と、貴電位ニッケルめっき層上に接して形成された３価クロムめっき層と、を備えることを特徴とする。
【0018】
図１は、本発明に係る一の実施形態のクロムめっき部品の断面を、模式的に示した概略図である。図１に示されるように、本実施形態のクロムめっき部品１においては、素地２の表面２Ａ上に光沢ニッケルめっき層３が、その上に貴電位ニッケルめっき層４が、さらにその上層に３価クロムめっき層５が、この順で、それぞれ直下の素地表面又はめっき層に接して形成されている。以下、これら各要素について説明する。
【0019】
［素地］
クロムめっき部品１において、素地２は、後述するめっき層がその表面２Ａに形成されるめっき対象である。素地２は、銅又は銅合金からなる表面層２２を、少なくともめっき層が形成される表面２Ａ側に有するものである。
クロムめっき部品１において、素地２は、後述するめっき層がその表面２Ａに形成されるめっき対象である。素地２は、銅又は銅合金からなる表面層２２を、少なくともめっき層が形成される表面２Ａ側に有するものである。
【0020】
具体的に、素地２は、基材２１と、銅又は銅合金からなる表面層２２とを有する。尚、本実施形態では、図１にあるように、基材２１と、表面層２２とが別々の要素により構成された素地２の例を示しているが、これに限られず、基材２１を銅又は銅合金により構成して、基材２１と表面層２２とが連続した一体のものであってもよい。
【0021】
（基材）
基材２１は、めっき対象である素地２の本体部に相当し、その形状及び材質については、特に制限はない。図１に示す実施形態では、基材２１に表面層２２が付された平板状の素地２の片面側に、各めっき層３～５が形成されているが、本発明のクロムめっき部品はこうした形態に限定されない。基材２１は例えば、各種形状のハンドル、グリル、モール、エンブレム等の自動車部品、船外機部品、水栓金具、ドアノブや窓枠を始めとする建材部品、家電部品等、どのような形状及び用途のものであっても良い。
基材２１は、めっき対象である素地２の本体部に相当し、その形状及び材質については、特に制限はない。図１に示す実施形態では、基材２１に表面層２２が付された平板状の素地２の片面側に、各めっき層３～５が形成されているが、本発明のクロムめっき部品はこうした形態に限定されない。基材２１は例えば、各種形状のハンドル、グリル、モール、エンブレム等の自動車部品、船外機部品、水栓金具、ドアノブや窓枠を始めとする建材部品、家電部品等、どのような形状及び用途のものであっても良い。
【0022】
基材２１は、樹脂、セラミックス、及び金属からなる群より選択される１種以上の材料からなり、銅もしくは銅合金からなる表面層２２が付されて素地２を構成していることが好ましいが、こうした材質に限定されない。基材２１は、各種の樹脂、エラストマー、セラミックス、金属、炭素材料等の複合材であってもよい。基材２１はまた、自身が銅もしくは銅合金からなり、別要素の表面層が付されることなく素地２を構成していてもよい。この場合、素地２の表面層は、当然に銅もしくは銅合金からなる。尚、本文において「銅もしくは銅合金からなる」とは、上記表面層が主として銅もしくは銅合金によって構成されていることを意味し、微量の添加物や不可避的不純物の含有を排除するものではない。
【0023】
基材２１が金属材料からなる場合、金属材料の組成に特に制限はない。金属としては、例えば、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、鉄、ステンレス、亜鉛等が挙げられるが、これらに限定されない。これらの金属には、適宜、密着性を得るために活性化処理やストライクめっきを施してもよい。ストライクめっき等の処理を銅又は銅合金を用いて行えば、得られた基材２１を、クロムめっき部品１における素地２としてそのまま使用することができる。
【0024】
基材２１を構成する樹脂等の種類にも、特に制限はない。例として、ＡＢＳ（アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン系樹脂）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＣ含有ＡＢＳ、ＳＢＳ（スチレン－ブタジエン－スチレン共重合体）、アクリル系樹脂、ポリプロピレンやポリエチレン等のポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ポリフェニレンスルフィド、ポリアセタール、ポリアミド、ポリイミド、ポリエステル、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、さらにはＣＦＲＰ（炭素繊維強化プラスチック）、ＣＮＦ（セルロースナノファイバー）含有樹脂等が挙げられるが、これらに限定されない。これらの内でもＡＢＳ樹脂をベースとする基材は、めっきが容易で銅又は銅合金の表面層を形成し易いために、クロムめっき部品１の基材として好適である。
【0025】
（基材のめっき処理）
上記のようなセラミックスや樹脂製の基材２１には、めっきをし易いように金属によって導電化処理をすることが好ましい。金属による導電化処理方法に特に制限はなく、無電解めっき、電解めっき、金属のスパッタリングや、金属蒸着等の種々の方法を用いることができる。特に、銅、銅合金、ニッケル、又はニッケル合金による無電解めっきが好ましい。無電解めっきの方法及び条件にも特に制限はなく、慣用の方法及び条件で行うことができる。
上記のようなセラミックスや樹脂製の基材２１には、めっきをし易いように金属によって導電化処理をすることが好ましい。金属による導電化処理方法に特に制限はなく、無電解めっき、電解めっき、金属のスパッタリングや、金属蒸着等の種々の方法を用いることができる。特に、銅、銅合金、ニッケル、又はニッケル合金による無電解めっきが好ましい。無電解めっきの方法及び条件にも特に制限はなく、慣用の方法及び条件で行うことができる。
【0026】
無電解めっきを施した基材２１には、さらに電解銅めっき又は電解銅合金めっき（電解銅系めっき）を行うことが好ましい。電解銅系めっきによれば密着性等に特に優れた表面層２２を形成することができる。無電解めっきを銅又は銅合金により行い、銅系の層が形成された場合にも、電解銅系めっきを重ねて行うことが好ましい。電解銅系めっきの方法及び条件にも特に制限はなく、慣用の方法及び条件で行うことができる。このようにして、素地２における表面層２２を調製することができる。
【0027】
（表面層）
表面層２２は、素地２において、基材２１の表面又はその上層であって、後述するめっき層が形成される側の表面を構成し、銅又は銅合金からなる。このように、銅又は銅合金からなる表面層２２には、後述するめっき層、具体的には光沢ニッケルめっき層３が、表面２Ａ側に接して形成される。
表面層２２は、素地２において、基材２１の表面又はその上層であって、後述するめっき層が形成される側の表面を構成し、銅又は銅合金からなる。このように、銅又は銅合金からなる表面層２２には、後述するめっき層、具体的には光沢ニッケルめっき層３が、表面２Ａ側に接して形成される。
【0028】
［光沢ニッケルめっき層］
クロムめっき部品１においては、素地２上に、銅又は銅合金の表面層２２に接した状態で、光沢ニッケルめっき層３が形成されている。すなわち、クロムめっき部品１では、光沢ニッケルめっき層３が素地２の直上に、半光沢ニッケル層等の他の層を介することなく形成される。
クロムめっき部品１においては、素地２上に、銅又は銅合金の表面層２２に接した状態で、光沢ニッケルめっき層３が形成されている。すなわち、クロムめっき部品１では、光沢ニッケルめっき層３が素地２の直上に、半光沢ニッケル層等の他の層を介することなく形成される。
【0029】
光沢ニッケルめっき層３は、ニッケルめっき皮膜に硫黄を含んだものである。光沢ニッケルめっき層３は、特に限定されない。
【0030】
（光沢ニッケルめっき）
光沢ニッケルめっき層３は、硫黄化合物等からなる一次光沢剤等を含有させた公知のニッケルめっき液を用い、電気めっき処理することにより形成することができる。具体的に、そのニッケルめっき液としては、特に限定されないが、例えば、ワット浴、スルファミン酸浴、クエン酸浴、ワイズベルグ浴等を用いることができる。
光沢ニッケルめっき層３は、硫黄化合物等からなる一次光沢剤等を含有させた公知のニッケルめっき液を用い、電気めっき処理することにより形成することができる。具体的に、そのニッケルめっき液としては、特に限定されないが、例えば、ワット浴、スルファミン酸浴、クエン酸浴、ワイズベルグ浴等を用いることができる。
【0031】
また、光沢ニッケルめっき層３を形成するためのニッケルめっき液に含まれる一次光沢剤としては、例えば、１，５－ナフタレンジスルホン酸ナトリウム、１，６－ナフタレンジスルホン酸ナトリウム、２，５－ナフタレンジスルホン酸ナトリウム、１，３，６－ナフタレントリスルホン酸ナトリウム、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ベンゼンスルフィン酸ナトリウム、ｏ－スルホベンズイミド（サッカリン）ナトリウム等の芳香族スルホンイミド類やスルフィン酸類、ビニルスルホン酸ナトリウム、アリルスルホン酸ナトリウム等のエチレン系不飽和スルホン酸塩等が挙げられる。これらは１種又は２種以上組み合わせて使用される。
【0032】
また、一次光沢剤と共にあるいはそれに代えて、光沢・レベリングを付与する目的の光沢・レベリング付与剤（二次光沢剤）を用いることができる。光沢・レベリング付与剤としては、例えば、１，４－ブチンジオール、ヘキシンジオール、プロパギルアルコール等のアセチレン系不飽和アルコール及びその誘導体、ピリジン系スルホン酸ナトリウム塩等が挙げられる。これらも１種又は２種以上組み合わせて使用される。
【0033】
尚、一次光沢剤及び光沢・レベリング付与剤（二次光沢剤）としては、例えば、ＨＩ－ＢＲＩＴＥ ＃８８プロセス（（株）ＪＣＵ製）に使用される＃８１、＃８３、＃８１０等の市販品を使用することもできる。
【0034】
ニッケルめっき液においては、上述した一次光沢剤を、例えば、０．１～１０ｇ／Ｌ、好ましくは１～５ｇ／Ｌ、より好ましくは１．５～４ｇ／Ｌ程度の濃度で含有する。また、ニッケルめっき液においては、光沢・レベリング付与剤を、例えば、０．５～３００ｐｐｍ、好ましくは１０～２００ｐｐｍ、より好ましくは２０～２００ｐｐｍ程度の濃度で含有する。
【0035】
光沢ニッケルめっき用のめっき液には、湿潤剤を含有させることが好ましい。湿潤剤としては、例えば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレングリコール等のノニオン系、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸ナトリウム等のアニオン系の界面活性剤等が挙げられる。これら界面活性剤は１種又は２種以上を用いることができる。尚、湿潤剤として、例えばＨＩ－ＢＲＩＴＥ ＃８８プロセス（（株）ＪＣＵ製）に使用される＃８２、＃８２－Ａ、＃８２－Ｋ等の市販品を利用してもよい。上記湿潤剤は、ニッケルめっき液に、例えば、１０～１０００ｐｐｍ、より好ましくは１００～５００ｐｐｍ程度の濃度で含有させる。
【0036】
また、光沢ニッケルめっき層３を形成するための電気めっきの条件についても、特に限定されず、慣用の条件を採用することができる。例えば、浴温を４０～６０℃、より好ましくは４５～５５℃、電流密度を１～１０Ａ／ｄｍ２、より好ましくは２～５Ａ／ｄｍ２とした条件で行うことができる。
【0037】
このようにして光沢ニッケルめっき層３を、素地２の表面層２２に接した状態で形成することができる。
【0038】
［貴電位ニッケルめっき層］
クロムめっき部品１においては、光沢ニッケルめっき層３に接して、その光沢ニッケルめっき層３に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する貴電位ニッケルめっき層４が形成されている。すなわち、クロムめっき部品１では、特定の電気化学的電位を有する貴電位ニッケルめっき層４が、後述するクロムめっき層５側に、かつ光沢ニッケルめっき層３の直上に、他の層を介することなく形成されている。
クロムめっき部品１においては、光沢ニッケルめっき層３に接して、その光沢ニッケルめっき層３に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する貴電位ニッケルめっき層４が形成されている。すなわち、クロムめっき部品１では、特定の電気化学的電位を有する貴電位ニッケルめっき層４が、後述するクロムめっき層５側に、かつ光沢ニッケルめっき層３の直上に、他の層を介することなく形成されている。
【0039】
貴電位ニッケルめっき層４は、光沢ニッケルめっき層３に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有していれば、どのようなニッケルめっき層であってもよく、その組成等は特に限定されない。ニッケルめっき層の電気化学的電位は、各種成分の含有量のみで一義的に決まるものではないが、例えば、電位調整剤等によって、めっき層中の硫黄含有量や炭素含有量を調整することで制御することができる。
【0040】
（貴電位ニッケルめっき）
貴電位ニッケルめっき層４は、一次光沢剤や光沢・レベリング付与剤（二次光沢剤）、電位調整剤等を所望の量含有する公知のニッケルめっき液を用い、電気めっき処理することにより形成することができる。
貴電位ニッケルめっき層４は、一次光沢剤や光沢・レベリング付与剤（二次光沢剤）、電位調整剤等を所望の量含有する公知のニッケルめっき液を用い、電気めっき処理することにより形成することができる。
【0041】
具体的に、貴電位ニッケルめっき層４を形成するためのニッケルめっき液に関して、一次光沢剤や二次光沢剤としては、上述した光沢ニッケルめっき層３を形成するためのニッケルめっき液に用いられるものと同様のものを用いることができる。
【0042】
ニッケルめっき液に含まれる電位調整剤としても、公知のものを使用することができる。例えば、ブチンジオール、ヘキシンジオール、プロパギルアルコール、アリル硫酸ナトリウム、ホルマリン、抱水クロラール（２，２，２－トリクロロ－１，１－エタンジオール）、抱水ブロマール（２，２，２－トリブロモ－１，１－エタンジオール）等が挙げられる。
【0043】
尚、電位調整剤としては、例えば、ＡＤＤＩＴＩＶＥ－Ｅ（（株）ＪＣＵ製）等の市販品を使用することもできる。
【0044】
このような、一次光沢剤、二次光沢剤、及び電位調整剤等の濃度を適宜調整したニッケルめっき液を用いてめっき処理することにより、上記のような電位差を有する貴電位ニッケルめっき層４を形成することができる。
【0045】
ニッケルめっき液としては、シリカ等の非導電性微粒子を含有しないものを用い、非導電性微粒子不含の貴電位ニッケルめっき層４とすることが好ましい。非導電性微粒子を含まない貴電位ニッケルめっき層４とすることにより、クロムめっき部品１の外観をより良好なものとすることができる。また、めっき処理において非導電性微粒子を用いないニッケルめっき液を用いることで、めっき液の管理が容易になり、めっき工程を簡略化できる利点も生じる。
【0046】
また、貴電位ニッケルめっき層４を形成するための電気めっきの条件についても、特に限定されず、慣用の条件を採用することができる。例えば、浴温を４０～６０℃、より好ましくは４５～５５℃、電流密度を１～１０Ａ／ｄｍ２、より好ましくは２～５Ａ／ｄｍ２とした条件で行うことができる。
【0047】
（電位差測定）
上述したように、貴電位ニッケルめっき層４は、光沢ニッケルめっき層３に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する。また、光沢ニッケルめっき層３に対して、好ましくは３０～１６０ｍＶ、より好ましくは４０～１６０ｍＶ、さらに好ましくは６０～１２０ｍＶ、特に好ましくは６０～８０ｍＶ貴である電位を有する。
上述したように、貴電位ニッケルめっき層４は、光沢ニッケルめっき層３に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する。また、光沢ニッケルめっき層３に対して、好ましくは３０～１６０ｍＶ、より好ましくは４０～１６０ｍＶ、さらに好ましくは６０～１２０ｍＶ、特に好ましくは６０～８０ｍＶ貴である電位を有する。
【0048】
このような電位差は、例えばＡＳＴＭ Ｂ７６４：「多層ニッケル析出物中の個々の層の厚さと電位の同時決定」に従うＳＴＥＰ試験により、測定することができる。より具体的には、ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏを３００ｇ／Ｌ、ＮａＣｌを５０ｇ／Ｌ、Ｈ３ＢＯ３を２５ｇ／Ｌ含有する電解液（２０℃）中に、銀－塩化銀参照電極（基準電極）と、クロムめっき部品１から３価クロムめっき層５を除去した試料（電位差測定用試料）とを配置し、例えば多層ニッケルめっき耐食性測定装置等の市販の装置によって測定することができる。
【0049】
クロムめっき部品１では、上記のように素地２における表面層２２の直上に光沢ニッケルめっき層３が、その直上かつクロムめっき層５側に貴電位ニッケルめっき層４が形成され、そして、貴電位ニッケルめっき層４は光沢ニッケルめっき層３に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する。このようなクロムめっき部品１によれば、優れた耐食性と良好な外観が発現する。
【0050】
クロムめっき部品１において、上述した効果を奏する理由は定かではなく特定の理論により限定されるものではないが、第一の理由としては、電位が卑である光沢ニッケルめっき層３の犠牲腐食により、クロムめっき層５だけでなく下地となる貴電位ニッケルめっき層４自体の腐食反応が抑制されるためと考えられる。また、第二の理由として、素地２の表面層２２に直接接して形成されるニッケルめっき層が、半光沢ニッケルめっき層ではなく、電位がより卑な光沢ニッケルめっき層であることも寄与していると考えられ、その光沢ニッケルめっき層３の犠牲腐食によって隣接する銅又は銅合金からなる表面層２２の腐食がさらに抑制され、結果としてクロムめっき部品１全体の耐食性が改善されている可能性がある。
【0051】
［ニッケルめっき層の膜厚、膜厚比率］
クロムめっき部品１において、ニッケルめっき層である、光沢ニッケルめっき層３及び貴電位ニッケルめっき層４の膜厚は、特に限定されず、目的に応じて、例えば１００μｍ以下や、１～５０μｍ程度とすることができる。また、耐食性をより優れたものとし、かつニッケルめっきのコストを低減する観点からは、光沢ニッケルめっき層３と貴電位ニッケルめっき層４との合計膜厚（ニッケル膜厚）が、１～３０μｍ程度であることが好ましく、２～２０μｍ程度であることがより好ましく、５～１５μｍ程度であることが特に好ましい。
クロムめっき部品１において、ニッケルめっき層である、光沢ニッケルめっき層３及び貴電位ニッケルめっき層４の膜厚は、特に限定されず、目的に応じて、例えば１００μｍ以下や、１～５０μｍ程度とすることができる。また、耐食性をより優れたものとし、かつニッケルめっきのコストを低減する観点からは、光沢ニッケルめっき層３と貴電位ニッケルめっき層４との合計膜厚（ニッケル膜厚）が、１～３０μｍ程度であることが好ましく、２～２０μｍ程度であることがより好ましく、５～１５μｍ程度であることが特に好ましい。
【0052】
また、光沢ニッケルめっき層３：貴電位ニッケルめっき層４の膜厚比率は、１：３０～１０：１であることが好ましく、１：９～９：１の範囲内であることがより好ましい。これにより、より一層優れた耐食性を示す傾向がある。また、この膜厚比率は、１：５～９：１、中でも１：３～７：１、特に１：３～５：１の範囲内であることにより、クロムめっき部品１の優れた耐食性が、より長期間に亘って維持され得る。
【0053】
勿論、両ニッケルめっき層の膜厚比率は、上記に限定されず、目的や用途に応じて種々の値に設定することができる。具体的には、光沢ニッケルめっき層３の犠牲腐食に基づく効果を高める観点から、光沢ニッケルめっき層３：貴電位ニッケルめっき層４の膜厚比率を例えば１：２～７：１、中でも１：１～５：１、特に２：１～４：１の範囲内としてもよい。また、両ニッケルめっき層部位自体の腐食を低減する観点から、光沢ニッケルめっき層３：貴電位ニッケルめっき層４の膜厚比率を例えば１：３～４：１、特に１：３～２：１の範囲内としてもよい。
【0054】
［３価クロムめっき層］
クロムめっき部品１においては、貴電位ニッケルめっき層４上に接して、３価クロムめっき層５が形成されている。この３価クロムめっき層５により、耐食性及び美的装飾性に優れ、装飾用等として有用なめっき部品が提供される。
クロムめっき部品１においては、貴電位ニッケルめっき層４上に接して、３価クロムめっき層５が形成されている。この３価クロムめっき層５により、耐食性及び美的装飾性に優れ、装飾用等として有用なめっき部品が提供される。
【0055】
３価クロムめっき層５の形成方法についても、特に限定されず、慣用のめっき方法により所望の条件で処理を行えばよい。例えば、３価クロム化合物、錯化剤、導電性塩、及びｐＨ緩衝剤等を含有させた公知の３価クロムめっき液を用い、電気めっき処理することにより形成することができる。
【0056】
３価クロムめっき層５を形成するための３価クロムめっき液において、３価クロム化合物は、特に限定されない。例えば、塩基性硫酸クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ（ＯＨ）ＳＯ４）、硫酸クロム（ＩＩＩ）、塩化クロム（ＩＩＩ）、スルファミン酸クロム（ＩＩＩ）、酢酸クロム（ＩＩＩ）等が挙げられる。その中でも、塩基性硫酸クロム及び／又は硫酸クロムを使用することが好ましい。これら３価クロム化合物は、１種又は２種以上を組み合わせてもよい。また、３価クロムめっき液における３価クロム化合物の含有量は、例えば金属クロムとして１～２５ｇ／Ｌ程度とすることができる。
【0057】
また、錯化剤についても、特に限定されない。例えば、ギ酸、ギ酸アンモニウム、ギ酸カリウム等の脂肪族モノカルボン酸（塩）；コハク酸、マレイン酸、リンゴ酸等の脂肪族ジカルボン酸及びその塩；クエン酸、クエン酸三アンモニウム等の脂肪族トリカルボン酸（塩）；酒石酸、酒石酸ジアンモニウム、酒石酸ナトリウム等のヒドロキシ基を２つ以上、カルボキシ基を２つ以上有するカルボン酸（塩）；グリシン等のアミノカルボン酸等が挙げられる。これら錯化剤は、１種又は２種以上を組み合わせてもよい。３価クロムめっき液における錯化剤の含有量は、例えば０．１～５０ｇ／Ｌ程度とすることができる。
【0058】
また、導電性塩についても、特に限定されない。例えば、硫酸カリウム、硫酸アンモニウム、硫酸ナトリウム等の硫酸塩；塩化カリウム、塩化アンモニウム、塩化ナトリウム等の塩化物；スルファミン酸カリウム、スルファミン酸アンモニウム、スルファミン酸ナトリウム等のスルファミン酸塩等が挙げられる。これら導電性塩は、１種又は２種以上を組み合わせてもよい。３価クロムめっき液における導電性塩の含有量は、例えば１００～５００ｇ／Ｌ程度とすることができる。
【0059】
また、ｐＨ緩衝剤についても、特に限定されない。例えば、ホウ酸、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、リン酸、リン酸水素２カリウム等が挙げられる。これらｐＨ緩衝剤は、１種又は２種以上を組み合わせてもよい。３価クロムめっき液におけるｐＨ緩衝剤の含有量は、例えば２５～２００ｇ／Ｌ程度とすることができる。
【0060】
３価クロムめっき液には、さらに、チオシアン酸ナトリウム、メチオニン、システイン等の黒色化剤、アスコルビン酸、アスコルビン酸ナトリウム、過酸化水素、ポリエチレングリコール、硫酸スズ、塩化スズ等のスズ塩、塩化鉄、サッカリンナトリウム、アリルスルホン酸ナトリウム、ビニルスルホン酸ナトリウム等を含有させてもよい。
【0061】
上記した錯化剤、導電性塩、ｐＨ緩衝剤を含有する３価クロムめっき液として、例えば、ＪＣＵ ＴＲＩＣＨＲＯＭ ＪＴＣシリーズ（（株）ＪＣＵ製）、トップファインクロムシリーズ（奥野製薬工業（株）製）、アーサスクロムシリーズ（ＳｕｒＴｅｃ製）、トライクロムシリーズ（Ａｔｏｔｅｃｈ製）、エンバイロクロムプロセス、トワイライトプロセス（いずれもＭａｃｄｅｒｍｉｄ製）等の市販品を使用してもよい。クロムめっき層は一般に銀白色の外観を有するが、めっき液に例えば上記の黒色化剤を配合して、黒色のめっき層を形成することもできる。
【0062】
３価クロムめっき層５を形成するための電気めっきの条件についても、特に限定されず、慣用の条件を採用することができる。例えば、浴温を３０～６０℃、アノードとしてカーボン又は酸化イリジウムを用い、陰極電流密度を５～２０Ａ／ｄｍ２とした条件で行うことができる。
【0063】
クロムめっき部品１では、後記する実施例でも示されるように、３価クロムめっき層５がどのような種類及び膜厚であっても、優れた耐食性と良好な外観を示す。そのため、３価クロムめっき層５の膜厚は、特に限定されず、例えばクロムめっき製品で一般的なめっき層厚である０．０５μｍ以上、具体的には０．１～１．０μｍ、特に０．１５～０．５０μｍ程度としてもよい。
【0064】
［電解化成処理・浸漬化成処理］
クロムめっき部品１は、好ましくは上記の３価クロムめっき層５上に、電解化成処理膜及び／又は浸漬化成処理膜をさらに備える。このことによって、クロムめっき部品１の耐食性がさらに高まる場合がある。３価クロムめっき層５の表面に行う電解化成処理及び浸漬化成処理に特に制限はなく、慣用の処理方法を所望に応じて適用することができる。例としてクロメート処理、ワックス処理、ベンゾトリアゾールやトリアジンチオール等の溶液による処理、アミノ基やイミノ基を有する化合物の溶液による処理、さらには熱処理等が挙げられるが、これらに限定されない。こうした後処理によって、クロムめっき部品の耐食性をさらに改善し、あるいは変色や水素脆化等をより有効に防止し得る。
クロムめっき部品１は、好ましくは上記の３価クロムめっき層５上に、電解化成処理膜及び／又は浸漬化成処理膜をさらに備える。このことによって、クロムめっき部品１の耐食性がさらに高まる場合がある。３価クロムめっき層５の表面に行う電解化成処理及び浸漬化成処理に特に制限はなく、慣用の処理方法を所望に応じて適用することができる。例としてクロメート処理、ワックス処理、ベンゾトリアゾールやトリアジンチオール等の溶液による処理、アミノ基やイミノ基を有する化合物の溶液による処理、さらには熱処理等が挙げられるが、これらに限定されない。こうした後処理によって、クロムめっき部品の耐食性をさらに改善し、あるいは変色や水素脆化等をより有効に防止し得る。
【0065】
（クロメート処理）
電解化成処理又は浸漬化成処理の内でも、６価クロムイオンを含む処理、いわゆるクロメート処理を行うことがより好ましい。クロメート皮膜は自己修復性を有するので、クロムめっき部品１の耐食性をさらに向上させ得る。
電解化成処理又は浸漬化成処理の内でも、６価クロムイオンを含む処理、いわゆるクロメート処理を行うことがより好ましい。クロメート皮膜は自己修復性を有するので、クロムめっき部品１の耐食性をさらに向上させ得る。
【0066】
クロメート処理としては、例えば、無水クロム酸、重クロム酸塩等の６価クロムイオンを利用した公知の電解化成処理又は浸漬化成処理が挙げられる。電解化成処理は慣用の方法で行うことができ、例えばＥＢＡＣＨＲＯ－５００プロセス、ＥＢＡＣＨＲＯ－９００プロセス（（株）ＪＣＵ製）等の市販のプロセスやこれに用いる処理剤を利用してもよい。また、クロメート処理に代えて、３価クロムイオンを含む化成処理や、モリブデン、バナジウム、リン酸、過マンガン酸、鉄等の金属を用いた、クロムフリー化成皮膜処理を活用することもできる。
【0067】
［クロムめっき部品及びその用途］
クロムめっき部品１は、上層が３価クロムめっき層５であっても優れた耐食性を示し、しかも外観が良好である。クロムめっき部品１は、例えばＪＩＳ Ｈ８５０２に準じた耐食性評価法であるＣＡＳＳ試験で、レイティングナンバー（Ｒ．Ｎ．）が概ね９以上、例えば９．３以上という高い評価結果を示す。そのため、クロムめっき部品１は、例えば、自動車部品、船外機部品、水栓金具、建材部品、家電部品等、様々な部品として利用することができる。
クロムめっき部品１は、上層が３価クロムめっき層５であっても優れた耐食性を示し、しかも外観が良好である。クロムめっき部品１は、例えばＪＩＳ Ｈ８５０２に準じた耐食性評価法であるＣＡＳＳ試験で、レイティングナンバー（Ｒ．Ｎ．）が概ね９以上、例えば９．３以上という高い評価結果を示す。そのため、クロムめっき部品１は、例えば、自動車部品、船外機部品、水栓金具、建材部品、家電部品等、様々な部品として利用することができる。
【0068】
≪クロムめっき部品の製造方法≫
クロムめっき部品１は、以上でも説明したように、銅又は銅合金からなる表面層２２を有する素地２上に、表面層２２に接して光沢ニッケルめっき層３を形成する工程と、光沢ニッケルめっき層３上に接して、光沢ニッケルめっき層３に対して３０～１８０ｍＶ高い電位を有する貴電位ニッケルめっき層４を形成する工程と、貴電位ニッケルめっき層４上に接して、３価クロムめっき層５を形成する工程と、を備える製造方法によって作製することができる。
クロムめっき部品１は、以上でも説明したように、銅又は銅合金からなる表面層２２を有する素地２上に、表面層２２に接して光沢ニッケルめっき層３を形成する工程と、光沢ニッケルめっき層３上に接して、光沢ニッケルめっき層３に対して３０～１８０ｍＶ高い電位を有する貴電位ニッケルめっき層４を形成する工程と、貴電位ニッケルめっき層４上に接して、３価クロムめっき層５を形成する工程と、を備える製造方法によって作製することができる。
【0069】
光沢ニッケルめっき層３、貴電位ニッケルめっき層４、及び３価クロムめっき層５を形成する各工程は、各々のめっき層についての説明で記載した方法及び条件を用いて行うことができる。３価クロムめっき層５の表面に、上記したような電解化成処理膜及び／又は浸漬化成処理膜をさらに形成してもよい。クロムめっき部品１の製造方法においては、ニッケルめっき層を二層形成すればよいため、煩雑な工程管理を伴うことなく、より少ない工程で製造することができる。
【実施例0070】
以下、実施例により、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの記載に何ら制限を受けるものではない。
【0071】
≪実施例１≫
本発明に従うクロムめっき部品を、以下のようにして製造した。
（素地の調製）
ＡＢＳ樹脂成形品（形状：平板）の全面をクロム酸でエッチングした後、常法に従って還元処理、触媒化、及び活性化を行い、次いで無電解ニッケルめっきに付した。クロム酸エッチングには、無水クロム酸：４００ｇ／Ｌ、硫酸：４００ｇ／Ｌ、３価クロム：１０ｇ／Ｌを含有する処理液を使用した。無電解ニッケルめっきは、ＥＮＩＬＥＸ ＮＩ－５プロセス（（株）ＪＣＵ製）を用いて４０℃で行った。その後、ＣＵ－ＢＲＩＴＥ ＥＰ－３０プロセス（（株）ＪＣＵ製）を用いて、室温、３Ａ／ｄｍ２の条件で電解銅めっきを行い、素地を調製した。
本発明に従うクロムめっき部品を、以下のようにして製造した。
（素地の調製）
ＡＢＳ樹脂成形品（形状：平板）の全面をクロム酸でエッチングした後、常法に従って還元処理、触媒化、及び活性化を行い、次いで無電解ニッケルめっきに付した。クロム酸エッチングには、無水クロム酸：４００ｇ／Ｌ、硫酸：４００ｇ／Ｌ、３価クロム：１０ｇ／Ｌを含有する処理液を使用した。無電解ニッケルめっきは、ＥＮＩＬＥＸ ＮＩ－５プロセス（（株）ＪＣＵ製）を用いて４０℃で行った。その後、ＣＵ－ＢＲＩＴＥ ＥＰ－３０プロセス（（株）ＪＣＵ製）を用いて、室温、３Ａ／ｄｍ２の条件で電解銅めっきを行い、素地を調製した。
【0072】
（光沢ニッケルめっき）
上記で得られた素地を下記の光沢ニッケルめっき液に浸漬し、５０℃、３Ａ／ｄｍ２にて１５分間の条件で厚さ６μｍの光沢ニッケルめっき層を形成した。
＜光沢ニッケルめっき液＞
・ワット浴
硫酸ニッケル ２６０ｇ／Ｌ
塩化ニッケル ４０ｇ／Ｌ
ホウ酸 ４０ｇ／Ｌ
・ＨＩ－ＢＲＩＴＥ＃８８プロセス（（株）ＪＣＵ製）
＃８１０（二次光沢剤） ３ｍｌ／Ｌ
＃８２（湿潤剤） ２ｍｌ／Ｌ
＃８３（一次光沢剤） １０ｍｌ／Ｌ
上記で得られた素地を下記の光沢ニッケルめっき液に浸漬し、５０℃、３Ａ／ｄｍ２にて１５分間の条件で厚さ６μｍの光沢ニッケルめっき層を形成した。
＜光沢ニッケルめっき液＞
・ワット浴
硫酸ニッケル ２６０ｇ／Ｌ
塩化ニッケル ４０ｇ／Ｌ
ホウ酸 ４０ｇ／Ｌ
・ＨＩ－ＢＲＩＴＥ＃８８プロセス（（株）ＪＣＵ製）
＃８１０（二次光沢剤） ３ｍｌ／Ｌ
＃８２（湿潤剤） ２ｍｌ／Ｌ
＃８３（一次光沢剤） １０ｍｌ／Ｌ
【0073】
（貴電位ニッケルめっき）
次に、下記の貴電位ニッケルめっき液に浸漬し、５５℃、３Ａ／ｄｍ２にて１５分間の条件で厚さ６μｍの貴電位ニッケルめっき層を形成した（光沢ニッケルめっき層と貴電位ニッケルめっき層との合計膜厚＝１２μｍ、光沢ニッケルめっき層厚：貴電位ニッケルめっき層厚＝１：１）。めっき液にはＡＤＤＩＴＩＶＥ－Ｅ（（株）ＪＣＵ製）の電位調整剤を濃度が０．１ｍｌ／Ｌとなる量にて配合し、光沢ニッケルめっき層に対する貴電位ニッケルめっき層の電位差が＋４５ｍＶとなるように調整した。
＜貴電位ニッケルめっき液＞
・ワット浴
硫酸ニッケル ２６０ｇ／Ｌ
塩化ニッケル ４０ｇ／Ｌ
ホウ酸 ４０ｇ／Ｌ
・ＨＩ－ＢＲＩＴＥ＃８８プロセス（（株）ＪＣＵ製）
＃８１０（二次光沢剤） ３ｍｌ／Ｌ
＃８２（湿潤剤） ２ｍｌ／Ｌ
＃８３（一次光沢剤） １０ｍｌ／Ｌ
・ＡＤＤＩＴＩＶＥ－Ｅ ０．１ｍｌ／Ｌ
次に、下記の貴電位ニッケルめっき液に浸漬し、５５℃、３Ａ／ｄｍ２にて１５分間の条件で厚さ６μｍの貴電位ニッケルめっき層を形成した（光沢ニッケルめっき層と貴電位ニッケルめっき層との合計膜厚＝１２μｍ、光沢ニッケルめっき層厚：貴電位ニッケルめっき層厚＝１：１）。めっき液にはＡＤＤＩＴＩＶＥ－Ｅ（（株）ＪＣＵ製）の電位調整剤を濃度が０．１ｍｌ／Ｌとなる量にて配合し、光沢ニッケルめっき層に対する貴電位ニッケルめっき層の電位差が＋４５ｍＶとなるように調整した。
＜貴電位ニッケルめっき液＞
・ワット浴
硫酸ニッケル ２６０ｇ／Ｌ
塩化ニッケル ４０ｇ／Ｌ
ホウ酸 ４０ｇ／Ｌ
・ＨＩ－ＢＲＩＴＥ＃８８プロセス（（株）ＪＣＵ製）
＃８１０（二次光沢剤） ３ｍｌ／Ｌ
＃８２（湿潤剤） ２ｍｌ／Ｌ
＃８３（一次光沢剤） １０ｍｌ／Ｌ
・ＡＤＤＩＴＩＶＥ－Ｅ ０．１ｍｌ／Ｌ
【0074】
（３価クロムめっき）
次いで、下記の３価クロムめっき液に浸漬し、５５℃、１０Ａ／ｄｍ２にて４分間の条件で、白色３価クロムめっき層を上記貴電位ニッケルめっき層に接するように形成した。得られたクロムめっき部品試料は、良好な外観を呈していた。
＜３価クロムめっき液＞
・塩基性硫酸クロム １９．５ｇ／Ｌ （クロム濃度３ｇ／Ｌ）
・リンゴ酸 ３ｇ／Ｌ
・硫酸カリウム １５０ｇ／Ｌ
・ホウ酸 ７０ｇ／Ｌ
・サッカリン ３ｇ／Ｌ
・３－アミノロダニン ２０ｍｇ／Ｌ
次いで、下記の３価クロムめっき液に浸漬し、５５℃、１０Ａ／ｄｍ２にて４分間の条件で、白色３価クロムめっき層を上記貴電位ニッケルめっき層に接するように形成した。得られたクロムめっき部品試料は、良好な外観を呈していた。
＜３価クロムめっき液＞
・塩基性硫酸クロム １９．５ｇ／Ｌ （クロム濃度３ｇ／Ｌ）
・リンゴ酸 ３ｇ／Ｌ
・硫酸カリウム １５０ｇ／Ｌ
・ホウ酸 ７０ｇ／Ｌ
・サッカリン ３ｇ／Ｌ
・３－アミノロダニン ２０ｍｇ／Ｌ
【0075】
上記のようにして得られたクロムめっき部品試料について、外観を評価すると共に、膜厚等を測定し、耐食性評価試験を行った。試験方法は以下のとおりである。試験結果は、後記する表１に示す。
【0076】
（膜厚・電位差測定）
・各ニッケルめっき層の膜厚は、断面顕微鏡写真から測定した。
・クロムめっき層の膜厚（Ｃｒ膜厚）は、（株）日立テクノサイエンス製蛍光Ｘ線分析器「ＦＴ－１５０Ｈ」で測定した。
・光沢ニッケルめっき層に対する貴電位ニッケルめっき層の電位差は、ＡＳＴＭ Ｂ７６４：「多層ニッケル析出物中の個々の層の厚さと電位の同時決定」に従うＳＴＥＰ試験により測定した。測定に先立ち、ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏを３００ｇ／Ｌ、ＮａＣｌを５０ｇ／Ｌ、Ｈ３ＢＯ３を２５ｇ／Ｌ含有する電解液（２０℃）を用意した。該電解液中に上記電位差測定用試料を配置し、参照電極として銀－塩化銀電極を備える（株）中央製作所製の多層ニッケルめっき耐食性測定装置「ＥＤ－３」を用いて測定した。
・各ニッケルめっき層の膜厚は、断面顕微鏡写真から測定した。
・クロムめっき層の膜厚（Ｃｒ膜厚）は、（株）日立テクノサイエンス製蛍光Ｘ線分析器「ＦＴ－１５０Ｈ」で測定した。
・光沢ニッケルめっき層に対する貴電位ニッケルめっき層の電位差は、ＡＳＴＭ Ｂ７６４：「多層ニッケル析出物中の個々の層の厚さと電位の同時決定」に従うＳＴＥＰ試験により測定した。測定に先立ち、ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏを３００ｇ／Ｌ、ＮａＣｌを５０ｇ／Ｌ、Ｈ３ＢＯ３を２５ｇ／Ｌ含有する電解液（２０℃）を用意した。該電解液中に上記電位差測定用試料を配置し、参照電極として銀－塩化銀電極を備える（株）中央製作所製の多層ニッケルめっき耐食性測定装置「ＥＤ－３」を用いて測定した。
【0077】
（耐食性評価）
耐食性は、ＪＩＳ Ｈ８５０２に準じたＣＡＳＳ試験により評価した。塩化ナトリウムを５０±５ｇ／Ｌ及び塩化第二銅（ＣｕＣｌ２・２Ｈ２Ｏ）を０．２６±０．０２ｇ／Ｌ含有し、酢酸でｐＨを３．０～３．２に調整した水溶液を、下記条件で試料に噴霧して、８０時間後のレイティングナンバー（Ｒ．Ｎ．）を測定した（後記する他の一部実施例では、４０時間後及び１６０時間後のＲ．Ｎ．測定も行った）。
・噴霧量：１．５±０．５ｍｌ／８０ｃｍ２／ｈ
・試験層内温度：５０±２℃
・塩水タンク温度：５０±２℃
・空気飽和器温度：６３±２℃
・圧縮空気圧力：７０～１６７ｋＰａ
耐食性は、ＪＩＳ Ｈ８５０２に準じたＣＡＳＳ試験により評価した。塩化ナトリウムを５０±５ｇ／Ｌ及び塩化第二銅（ＣｕＣｌ２・２Ｈ２Ｏ）を０．２６±０．０２ｇ／Ｌ含有し、酢酸でｐＨを３．０～３．２に調整した水溶液を、下記条件で試料に噴霧して、８０時間後のレイティングナンバー（Ｒ．Ｎ．）を測定した（後記する他の一部実施例では、４０時間後及び１６０時間後のＲ．Ｎ．測定も行った）。
・噴霧量：１．５±０．５ｍｌ／８０ｃｍ２／ｈ
・試験層内温度：５０±２℃
・塩水タンク温度：５０±２℃
・空気飽和器温度：６３±２℃
・圧縮空気圧力：７０～１６７ｋＰａ
【0078】
≪実施例２≫
実施例１と同一の操作で得られたクロムめっき部品試料の表面層に、さらに電解クロメート処理を行った。電解クロメート処理は、ＥＢＡＣＨＲＯ－５００プロセス（（株）ＪＣＵ製ＥＣＲ－５００を１００ｍｌ／Ｌ含有する６価クロム系処理液）を用い、４０℃、０．１Ａ／ｄｍ２にて１分間の条件で行った。得られたクロムめっき部品試料は、良好な外観を呈していた。この試料について、実施例１と同様に試験した結果を、後記する表１に示す。
実施例１と同一の操作で得られたクロムめっき部品試料の表面層に、さらに電解クロメート処理を行った。電解クロメート処理は、ＥＢＡＣＨＲＯ－５００プロセス（（株）ＪＣＵ製ＥＣＲ－５００を１００ｍｌ／Ｌ含有する６価クロム系処理液）を用い、４０℃、０．１Ａ／ｄｍ２にて１分間の条件で行った。得られたクロムめっき部品試料は、良好な外観を呈していた。この試料について、実施例１と同様に試験した結果を、後記する表１に示す。
【0079】
≪実施例３～７≫
貴電位ニッケルめっき液中のＡＤＤＩＴＩＶＥ－Ｅの濃度を０．１～２ｍｌ／Ｌとの間で変化させ、光沢ニッケルめっき層に対する貴電位ニッケルめっき層の電位差が＋６５ｍＶ、＋８０ｍＶ、＋１６０ｍＶとなるように調整した以外は、実施例１又は２と同様の操作を行った。得られたクロムめっき部品試料は、いずれも良好な外観を呈していた。これら試料についての試験結果を、後記する表１に示す。
貴電位ニッケルめっき液中のＡＤＤＩＴＩＶＥ－Ｅの濃度を０．１～２ｍｌ／Ｌとの間で変化させ、光沢ニッケルめっき層に対する貴電位ニッケルめっき層の電位差が＋６５ｍＶ、＋８０ｍＶ、＋１６０ｍＶとなるように調整した以外は、実施例１又は２と同様の操作を行った。得られたクロムめっき部品試料は、いずれも良好な外観を呈していた。これら試料についての試験結果を、後記する表１に示す。
【0080】
≪比較例１≫
貴電位ニッケルめっき液の代わりに下記組成のめっき液を使用し、光沢ニッケルめっき層の直上に９５ｍＶ卑電位ニッケルめっき層を形成した以外は、実施例１と同様の操作を行った。尚、卑電位ニッケルめっき層の形成は、５０℃、３Ａ／ｄｍ２にて１５分間の条件で行った。得られたクロムめっき部品試料の試験結果を、後記する表１に示す。
＜卑電位ニッケルめっき液＞
・ワット浴
硫酸ニッケル ２６０ｇ／Ｌ
塩化ニッケル ４０ｇ／Ｌ
ホウ酸 ４０ｇ／Ｌ
・ＴＲＩ－ＳＴＲＩＫＥプロセス（（株）ＪＣＵ製）
ＴＲＩ－ＳＴＲＩＫＥ ５ｍｌ／Ｌ
＃８２（湿潤剤） ２ｍｌ／Ｌ
貴電位ニッケルめっき液の代わりに下記組成のめっき液を使用し、光沢ニッケルめっき層の直上に９５ｍＶ卑電位ニッケルめっき層を形成した以外は、実施例１と同様の操作を行った。尚、卑電位ニッケルめっき層の形成は、５０℃、３Ａ／ｄｍ２にて１５分間の条件で行った。得られたクロムめっき部品試料の試験結果を、後記する表１に示す。
＜卑電位ニッケルめっき液＞
・ワット浴
硫酸ニッケル ２６０ｇ／Ｌ
塩化ニッケル ４０ｇ／Ｌ
ホウ酸 ４０ｇ／Ｌ
・ＴＲＩ－ＳＴＲＩＫＥプロセス（（株）ＪＣＵ製）
ＴＲＩ－ＳＴＲＩＫＥ ５ｍｌ／Ｌ
＃８２（湿潤剤） ２ｍｌ／Ｌ
【0081】
≪比較例２≫
貴電位ニッケルめっき液をＡＤＤＩＴＩＶＥ－Ｅ不含とした上で浴温を５２℃に下げ、光沢ニッケルめっき層に対する貴電位ニッケルめっき層の電位差が５ｍＶとなるように調整した以外は、実施例１と同様の操作を行った。得られたクロムめっき部品試料の試験結果を、後記する表２に示す。
貴電位ニッケルめっき液をＡＤＤＩＴＩＶＥ－Ｅ不含とした上で浴温を５２℃に下げ、光沢ニッケルめっき層に対する貴電位ニッケルめっき層の電位差が５ｍＶとなるように調整した以外は、実施例１と同様の操作を行った。得られたクロムめっき部品試料の試験結果を、後記する表２に示す。
【0082】
≪比較例３≫
特許文献４記載のクロムめっき部品と同様にニッケルめっき層が三層構造を有する試料を、以下の条件で製造し、実施例１と同様にして評価した。
特許文献４記載のクロムめっき部品と同様にニッケルめっき層が三層構造を有する試料を、以下の条件で製造し、実施例１と同様にして評価した。
【0083】
（半光沢ニッケルめっき）
実施例１と同様にして調製した素地を、下記の半光沢ニッケルめっき液に浸漬し、５５℃、３Ａ／ｄｍ２にて１５分間の条件で半光沢ニッケルめっき層を形成した。
＜半光沢ニッケルめっき液＞
・ワット浴
硫酸ニッケル ２６０ｇ／Ｌ
塩化ニッケル ４０ｇ／Ｌ
ホウ酸 ４０ｇ／Ｌ
・ＣＦ－２４Ｔプロセス（（株）ＪＣＵ製）
ＣＦ－２４Ｔ １ｍｌ／Ｌ
＃８２－Ｋ（湿潤剤） １ｍｌ／Ｌ
実施例１と同様にして調製した素地を、下記の半光沢ニッケルめっき液に浸漬し、５５℃、３Ａ／ｄｍ２にて１５分間の条件で半光沢ニッケルめっき層を形成した。
＜半光沢ニッケルめっき液＞
・ワット浴
硫酸ニッケル ２６０ｇ／Ｌ
塩化ニッケル ４０ｇ／Ｌ
ホウ酸 ４０ｇ／Ｌ
・ＣＦ－２４Ｔプロセス（（株）ＪＣＵ製）
ＣＦ－２４Ｔ １ｍｌ／Ｌ
＃８２－Ｋ（湿潤剤） １ｍｌ／Ｌ
【0084】
（光沢ニッケルめっき）
次に、下記の光沢ニッケルめっき液に浸漬し、５０℃、３Ａ／ｄｍ２にて１２分間の条件で光沢ニッケルめっき層を形成した。この光沢ニッケルめっき層は、下層の半光沢ニッケルめっき層に対して、１４５ｍＶ卑である電位を有していた。
＜光沢ニッケルめっき液＞
・ワット浴
硫酸ニッケル ２６０ｇ／Ｌ
塩化ニッケル ４０ｇ／Ｌ
ホウ酸 ４０ｇ／Ｌ
・ＨＩ－ＢＲＩＴＥ＃８８プロセス（（株）ＪＣＵ製）
＃８１０（二次光沢剤） ３ｍｌ／Ｌ
＃８２（湿潤剤） ２ｍｌ／Ｌ
＃８３（一次光沢剤） １０ｍｌ／Ｌ
次に、下記の光沢ニッケルめっき液に浸漬し、５０℃、３Ａ／ｄｍ２にて１２分間の条件で光沢ニッケルめっき層を形成した。この光沢ニッケルめっき層は、下層の半光沢ニッケルめっき層に対して、１４５ｍＶ卑である電位を有していた。
＜光沢ニッケルめっき液＞
・ワット浴
硫酸ニッケル ２６０ｇ／Ｌ
塩化ニッケル ４０ｇ／Ｌ
ホウ酸 ４０ｇ／Ｌ
・ＨＩ－ＢＲＩＴＥ＃８８プロセス（（株）ＪＣＵ製）
＃８１０（二次光沢剤） ３ｍｌ／Ｌ
＃８２（湿潤剤） ２ｍｌ／Ｌ
＃８３（一次光沢剤） １０ｍｌ／Ｌ
【0085】
（ＭＰニッケルめっき）
さらに、下記のＭＰニッケルめっき液に浸漬し、５５℃、３Ａ／ｄｍ２にて３分間の条件でＭＰニッケルめっき層を形成した。このＭＰニッケルめっき層は、下層の光沢ニッケルめっき層に対して、５５ｍＶ貴である電位を有していた。
＜ＭＰニッケルめっき液＞
・ワット浴
硫酸ニッケル ２６０ｇ／Ｌ
塩化ニッケル ４０ｇ／Ｌ
ホウ酸 ４０ｇ／Ｌ
・ＭＰ－ＮＩ３０８プロセス（（株）ＪＣＵ製）
ＭＰ－３０３ １０ｍｌ／Ｌ
ＭＰ－３１１ ３ｍｌ／Ｌ
ＭＰ ＰＯＷＤＥＲ ３０８ ３ｇ／Ｌ
ＭＰ－３０８Ｂ ２ｍｌ／Ｌ
ＡＤＤＩＴＩＶＥ－Ｅ ０．１５ｍｌ／Ｌ
さらに、下記のＭＰニッケルめっき液に浸漬し、５５℃、３Ａ／ｄｍ２にて３分間の条件でＭＰニッケルめっき層を形成した。このＭＰニッケルめっき層は、下層の光沢ニッケルめっき層に対して、５５ｍＶ貴である電位を有していた。
＜ＭＰニッケルめっき液＞
・ワット浴
硫酸ニッケル ２６０ｇ／Ｌ
塩化ニッケル ４０ｇ／Ｌ
ホウ酸 ４０ｇ／Ｌ
・ＭＰ－ＮＩ３０８プロセス（（株）ＪＣＵ製）
ＭＰ－３０３ １０ｍｌ／Ｌ
ＭＰ－３１１ ３ｍｌ／Ｌ
ＭＰ ＰＯＷＤＥＲ ３０８ ３ｇ／Ｌ
ＭＰ－３０８Ｂ ２ｍｌ／Ｌ
ＡＤＤＩＴＩＶＥ－Ｅ ０．１５ｍｌ／Ｌ
【0086】
（クロムめっき部品試料の調製）
次いで、実施例１と同様の条件で３価クロムめっきを行ってクロムめっき部品試料を調製し、物性を評価した。評価結果を、後記する表１に示す。
次いで、実施例１と同様の条件で３価クロムめっきを行ってクロムめっき部品試料を調製し、物性を評価した。評価結果を、後記する表１に示す。
【0087】
≪比較例４≫
光沢ニッケルめっき層が素地側ではなく、クロムめっき層側に形成された試料を作製した。実施例１と同様にして調製した素地に、半光沢ニッケルめっき、光沢ニッケルめっき、３価クロムめっきをこの順で行ってクロムめっき部品試料を調製し、物性試験を行った。尚、各めっき処理は、比較例１及び３等と同様の条件で、但し光沢ニッケルめっきのめっき時間を１５分間として行った。また、本比較例のクロムめっき部品試料においては、光沢ニッケルめっき層は、下層の半光沢ニッケルめっき層に対して、１４５ｍＶ卑である電位を有していた。得られたクロムめっき部品試料の試験結果を、後記する表１に示す。
光沢ニッケルめっき層が素地側ではなく、クロムめっき層側に形成された試料を作製した。実施例１と同様にして調製した素地に、半光沢ニッケルめっき、光沢ニッケルめっき、３価クロムめっきをこの順で行ってクロムめっき部品試料を調製し、物性試験を行った。尚、各めっき処理は、比較例１及び３等と同様の条件で、但し光沢ニッケルめっきのめっき時間を１５分間として行った。また、本比較例のクロムめっき部品試料においては、光沢ニッケルめっき層は、下層の半光沢ニッケルめっき層に対して、１４５ｍＶ卑である電位を有していた。得られたクロムめっき部品試料の試験結果を、後記する表１に示す。
【0088】
≪比較例５≫
参考のため、６価クロムめっき部品も調製した。３価クロムめっきの代わりに下記のめっき液を使用して、４２℃、１０Ａ／ｄｍ２にて３分間の条件で６価クロムめっきを行った以外は、比較例１と同様の操作を行った。得られたクロムめっき部品試料の試験結果を、後記する表１に示す。
＜６価クロムめっき液＞
・ＥＢＡＣＨＲＯＭ Ｅ－３００ＬＮプロセス（（株）ＪＣＵ製）
クロム酸 ２４０ｇ／Ｌ
硫酸 １ｇ／Ｌ
ＥＣＲ－３００ＬＮ １０ｍｌ／Ｌ
ＭＩＳＴＳＨＵＴ ＮＰ ０．１ｍｌ／Ｌ
参考のため、６価クロムめっき部品も調製した。３価クロムめっきの代わりに下記のめっき液を使用して、４２℃、１０Ａ／ｄｍ２にて３分間の条件で６価クロムめっきを行った以外は、比較例１と同様の操作を行った。得られたクロムめっき部品試料の試験結果を、後記する表１に示す。
＜６価クロムめっき液＞
・ＥＢＡＣＨＲＯＭ Ｅ－３００ＬＮプロセス（（株）ＪＣＵ製）
クロム酸 ２４０ｇ／Ｌ
硫酸 １ｇ／Ｌ
ＥＣＲ－３００ＬＮ １０ｍｌ／Ｌ
ＭＩＳＴＳＨＵＴ ＮＰ ０．１ｍｌ／Ｌ
【0089】
≪比較例６≫
３価クロムめっきの代わりに比較例５と同様の６価クロムめっきを行った以外は、実施例５と同様の操作を行った。得られたクロムめっき部品試料は、外観が極めて悪いものであった。そのため、耐食性評価は実施していない。
３価クロムめっきの代わりに比較例５と同様の６価クロムめっきを行った以外は、実施例５と同様の操作を行った。得られたクロムめっき部品試料は、外観が極めて悪いものであった。そのため、耐食性評価は実施していない。
【0090】
【表1】
【0091】
本発明に従い、下層側光沢ニッケルめっき層に対する電位差が＋３０～＋１８０ｍＶの範囲内である貴電位ニッケルめっき層を上層側に有する実施例１～７のクロムめっき部品試料は、いずれもＣＡＳＳ試験におけるレイティングナンバー（Ｒ．Ｎ．）が９．３以上と、優れた耐食性を示した。これらのＲ．Ｎ．は、両ニッケルめっき層間の電位差が本発明の範囲外である比較例１及び２、特に上側ニッケルめっき層が卑電位となっている比較例１の試料に比べて大幅に高く、上記電位差を規定することによる耐食性改善効果が示された。
【0092】
実施例１～７におけるＲ．Ｎ．はまた、特許文献４記載のような三層ニッケルめっき構造とした比較例３や、６価クロムめっきを行った比較例５における値と比べても高かった。また、クロメート処理に付していない実施例の試料でも、クロメート処理品と同様の高いＲ．Ｎ．が発現した。本発明によれば、ニッケルめっき工程が通常のニッケル－クロムめっきよりも一工程少ないにも拘らず、６価クロム系の薬剤を用いることなく耐食性及び外観が良好なクロムめっき部品を製造し得ることが明らかとなった。
【0093】
本発明に従う実施例１～７の試料はまた、素地側に半光沢ニッケルめっき層を、クロムめっき層側に光沢ニッケルめっき層をそれぞれ有する比較例４の試料に比べ、著しく良好な耐食性を発現した。光沢ニッケルめっき層を、素地上表面に接して形成することの重要性が示された。尚、実施例５の試料においては、クロムめっき層の膜厚が他の実施例における膜厚に比べて倍以上の値となっているが、Ｒ．Ｎ．は他実施例と同等の値であった。本発明のクロムめっき部品は、３価クロムめっき層がどのような膜厚であっても優れた耐食性を発現することが示唆される。
【0094】
尚、本発明のクロムめっき部品はニッケル膜厚が１２μｍであってもＲ．Ｎ．が９．３以上と高く、後記するニッケル膜厚が２５μｍのクロムめっき部品と同等又はそれ以上の値であった。ニッケル膜厚が半分以下であるにも拘らず同等の耐食性が発現していることから、本発明によってニッケルを多用することなく耐食性を改善し得ることが示された。すなわち、本発明の製造方法によれば、ニッケルの使用量を低減でき、それ故にニッケルめっき工程をより短時間かつ低コストで行うことも可能となる。
【0095】
≪実施例８～４３≫
貴電位ニッケルめっき液中のＡＤＤＩＴＩＶＥ－Ｅの濃度を０．１～２ｍｌ／Ｌとの間で変化させて、両ニッケルめっき層間の電位差を種々に調製し、かつ光沢ニッケルめっき及び貴電位ニッケルめっきの処理時間を、それぞれ１～２９分間及び１～２９分間として両ニッケルめっき層の膜厚比を種々に変化させた以外は、実施例１又は２と同様の操作を行って、クロムめっき部品試料を製造した（ニッケル膜厚はいずれも１２μｍ）。尚、めっき時間と各ニッケルめっき層の膜厚との相関が取れていることは、上記した断面顕微鏡写真に基づく測定により確認した。得られたクロムめっき部品試料は、いずれも良好な外観を呈していた。これら試料についての試験結果を、比較例１及び２等の結果と共に、表２に示す。
貴電位ニッケルめっき液中のＡＤＤＩＴＩＶＥ－Ｅの濃度を０．１～２ｍｌ／Ｌとの間で変化させて、両ニッケルめっき層間の電位差を種々に調製し、かつ光沢ニッケルめっき及び貴電位ニッケルめっきの処理時間を、それぞれ１～２９分間及び１～２９分間として両ニッケルめっき層の膜厚比を種々に変化させた以外は、実施例１又は２と同様の操作を行って、クロムめっき部品試料を製造した（ニッケル膜厚はいずれも１２μｍ）。尚、めっき時間と各ニッケルめっき層の膜厚との相関が取れていることは、上記した断面顕微鏡写真に基づく測定により確認した。得られたクロムめっき部品試料は、いずれも良好な外観を呈していた。これら試料についての試験結果を、比較例１及び２等の結果と共に、表２に示す。
【0096】
【表2】
【0097】
本発明に従う、光沢ニッケルめっき層（下側ニッケルめっき層）に対して３５～１６０ｍＶ貴である電位を有する貴電位ニッケルめっき層（上側ニッケルめっき層）を備えた実施例１～４３の試料はいずれも、ＣＡＳＳ試験におけるＲ．Ｎ．が９．０以上と、優れた耐食性を示した。特に、両ニッケルめっき層間の電位差が＋６５ｍＶ以上の試料は、Ｒ．Ｎ．が概ね９．５以上と、極めて優れた耐食性を示した。
【0098】
尚、実施例５と実施例３０とでは、クロムめっき層の膜厚が大きく異なるが、いずれも外観・耐食性共に良好であった。本発明のクロムめっき部品は、３価クロムめっき層がどのような膜厚であっても優れた耐食性を発現し得ることが、再度示された。また、実施例８～１１及び実施例２８～３１の結果より、両ニッケルめっき層の膜厚比率が約９：１より均等であると、クロムめっき部品試料のＲ．Ｎ．がより高くなることが示唆される。
【0099】
≪実施例４４～７１≫
両ニッケルめっき層間の電位差を＋６５ｍＶに、ニッケル膜厚を１２μｍに、それぞれ固定して、膜厚比が耐食性に及ぼす影響について検討した。光沢ニッケルめっき及び貴電位ニッケルめっきの処理時間を、それぞれ１～２９分間及び１～２９分間として両ニッケルめっき層の膜厚比を種々に変化させた以外は、実施例３又は４と同様の操作を行った。尚、ＣＡＳＳ試験は４０時間、８０時間、及び１６０時間実施した。また、めっき時間と各ニッケルめっき層の膜厚との相関が取れていることは、上記した断面顕微鏡写真に基づく測定により確認した。得られたクロムめっき部品試料は、いずれも良好な外観を呈していた。これら試料についての試験結果を、実施例３及び比較例３等の結果と共に、表３に示す。
両ニッケルめっき層間の電位差を＋６５ｍＶに、ニッケル膜厚を１２μｍに、それぞれ固定して、膜厚比が耐食性に及ぼす影響について検討した。光沢ニッケルめっき及び貴電位ニッケルめっきの処理時間を、それぞれ１～２９分間及び１～２９分間として両ニッケルめっき層の膜厚比を種々に変化させた以外は、実施例３又は４と同様の操作を行った。尚、ＣＡＳＳ試験は４０時間、８０時間、及び１６０時間実施した。また、めっき時間と各ニッケルめっき層の膜厚との相関が取れていることは、上記した断面顕微鏡写真に基づく測定により確認した。得られたクロムめっき部品試料は、いずれも良好な外観を呈していた。これら試料についての試験結果を、実施例３及び比較例３等の結果と共に、表３に示す。
【0100】
【表3】
【0101】
これら実施例のクロムめっき部品試料はいずれも、ニッケルめっき層が三層構造の比較例３の試料と比べ、同等以上のＲ．Ｎ．を示した。すなわち、製造工程が煩雑でない二層ニッケルめっき構造であるにも拘らず、より良好な耐食性を有していた。これらの内、光沢ニッケルめっき層：貴電位ニッケルめっき層の膜厚比率が１：２９～９：１の試料、中でも同膜厚比率が１：５～９：１の試料は、いずれも８０時間後のＲ．Ｎ．が、クロメート処理なしで９．０以上、クロメート処理後は９．３以上と、優れた耐食性を示した。特に、同膜厚比率が１：３～５：１の試料は、８０時間後のＲ．Ｎ．が概ね９．５以上と、極めて優れていた。
【0102】
≪実施例７２～８１≫
光沢ニッケルめっき層と貴電位ニッケルめっき層との合計膜厚を２５μｍとした以外は、実施例３又は４と同様の操作を行った（両ニッケルめっき層間の電位差は６５ｍＶ）。得られたクロムめっき部品試料は、いずれも良好な外観を呈していた。これら試料についての試験結果を、後記する表４に示す。
光沢ニッケルめっき層と貴電位ニッケルめっき層との合計膜厚を２５μｍとした以外は、実施例３又は４と同様の操作を行った（両ニッケルめっき層間の電位差は６５ｍＶ）。得られたクロムめっき部品試料は、いずれも良好な外観を呈していた。これら試料についての試験結果を、後記する表４に示す。
【0103】
≪比較例７～１０≫
全ニッケルめっき層の合計膜厚を２５μｍとし、かつ光沢ニッケルめっき層に対するＭＰニッケルめっき層の電位差を＋３０ｍＶ又は＋７０ｍＶとした以外は、比較例３と同様の操作を行った。比較例８及び１０においては、実施例４と同様のクロメート処理も行った。得られた試料についての試験結果を、後記する表４に示す。
全ニッケルめっき層の合計膜厚を２５μｍとし、かつ光沢ニッケルめっき層に対するＭＰニッケルめっき層の電位差を＋３０ｍＶ又は＋７０ｍＶとした以外は、比較例３と同様の操作を行った。比較例８及び１０においては、実施例４と同様のクロメート処理も行った。得られた試料についての試験結果を、後記する表４に示す。
【0104】
≪比較例１１≫
３価クロムめっきの代わりに６価クロムめっきを行った以外は、比較例７と同様の操作を行った。６価クロムめっきは、比較例５と同様にして行った。得られた試料についての試験結果を、表４に示す。
３価クロムめっきの代わりに６価クロムめっきを行った以外は、比較例７と同様の操作を行った。６価クロムめっきは、比較例５と同様にして行った。得られた試料についての試験結果を、表４に示す。
【0105】
【表4】
【0106】
本発明に従う実施例７２～８１のクロムめっき部品試料はいずれも、ＣＡＳＳ試験におけるＲ．Ｎ．が９．０以上と、三層ニッケルめっき構造を有する比較例７～１１と同等又はそれ以上の耐食性を示した。特に、クロメート処理を行っていない光沢ニッケルめっき層：貴電位ニッケルめっき層の膜厚比率が１：２９～３：１のクロムめっき部品試料は、Ｒ．Ｎ．が９．３以上と、極めて優れた耐食性を示した。
【0107】
≪実施例８２～８３≫
クロムめっきとして白色３価クロムめっきの代わりに黒色３価クロムめっきを行った以外は、実施例５と同様の操作を行った。黒色３価クロムめっきは、試料を下記の黒色３価クロムめっき液に浸漬し、４０℃、１０Ａ／ｄｍ２にて３分間の条件で行った。得られたクロムめっき部品試料は、良好な外観を呈していた。得られた試料についての試験結果を、後記する表５に示す。
＜黒色３価クロムめっき液＞
・ＪＴＣ－ＢＫプロセス（（株）ＪＣＵ製）
ＪＴＣ－ＣＲ２ １３０ｇ／Ｌ
ＪＴＣ－ＢＫ－Ｓ ３００ｇ／Ｌ
ＪＴＣ－Ａ ９０ｍＬ／Ｌ
ＪＴＣ－ＢＫ－Ｂ ２０ｍＬ／Ｌ
ＪＴＣ－ＢＫ－Ｃ ２０ｍＬ／Ｌ
ＪＴＣ－ＷＡ ２ｍＬ／Ｌ
クロムめっきとして白色３価クロムめっきの代わりに黒色３価クロムめっきを行った以外は、実施例５と同様の操作を行った。黒色３価クロムめっきは、試料を下記の黒色３価クロムめっき液に浸漬し、４０℃、１０Ａ／ｄｍ２にて３分間の条件で行った。得られたクロムめっき部品試料は、良好な外観を呈していた。得られた試料についての試験結果を、後記する表５に示す。
＜黒色３価クロムめっき液＞
・ＪＴＣ－ＢＫプロセス（（株）ＪＣＵ製）
ＪＴＣ－ＣＲ２ １３０ｇ／Ｌ
ＪＴＣ－ＢＫ－Ｓ ３００ｇ／Ｌ
ＪＴＣ－Ａ ９０ｍＬ／Ｌ
ＪＴＣ－ＢＫ－Ｂ ２０ｍＬ／Ｌ
ＪＴＣ－ＢＫ－Ｃ ２０ｍＬ／Ｌ
ＪＴＣ－ＷＡ ２ｍＬ／Ｌ
【0108】
≪比較例１２～１３≫
クロムめっきとして黒色３価クロムめっきを行い、かつ光沢ニッケルめっき層に対するＭＰニッケルめっき層の電位差を＋３５ｍＶとした以外は、比較例７又は８と同様の操作を行った。黒色３価クロムめっきは、実施例８２～８３と同様にして行った。得られた試料についての試験結果を、表５に示す。
クロムめっきとして黒色３価クロムめっきを行い、かつ光沢ニッケルめっき層に対するＭＰニッケルめっき層の電位差を＋３５ｍＶとした以外は、比較例７又は８と同様の操作を行った。黒色３価クロムめっきは、実施例８２～８３と同様にして行った。得られた試料についての試験結果を、表５に示す。
【0109】
【表5】
【0110】
本発明に従う実施例８２及び８３のクロムめっき部品試料は、三層のニッケルめっき層を備えた比較例１２及び１３の試料を凌駕する、優れた耐食性を示した。本発明の効果は、３価クロムめっき層が白色３価クロムめっき層や黒色３価クロムめっき層等のどのようなものであっても発現することが、明らかとなった。
【0111】
以上の実施例からも明らかなように、本発明によれば、上層が３価クロムめっき層であっても優れた耐食性を示し、外観が良好なクロムめっき部品を、煩雑な工程管理を伴うことなく、より簡略化された工程で製造することができる。
【符号の説明】
【0112】
１ クロムめっき部品
２ 素地
２Ａ 素地の表面
３ 光沢ニッケルめっき層
４ 貴電位ニッケルめっき層
５ ３価クロムめっき層
２１ 基材
２２ 表面層
２ 素地
２Ａ 素地の表面
３ 光沢ニッケルめっき層
４ 貴電位ニッケルめっき層
５ ３価クロムめっき層
２１ 基材
２２ 表面層
【図1】
【手続補正書】
【提出日】2023-07-21
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
銅又は銅合金からなる表面層を有する素地と、
前記素地の前記表面層に接して形成された光沢ニッケルめっき層と、
前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、前記光沢ニッケルめっき層に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する貴電位ニッケルめっき層と、
前記貴電位ニッケルめっき層上に接して形成された３価クロムめっき層と、
を備え、
前記貴電位ニッケルめっき層が、非導電性微粒子不含の層であることを特徴とするクロムめっき部品。
前記素地の前記表面層に接して形成された光沢ニッケルめっき層と、
前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、前記光沢ニッケルめっき層に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する貴電位ニッケルめっき層と、
前記貴電位ニッケルめっき層上に接して形成された３価クロムめっき層と、
を備え、
前記貴電位ニッケルめっき層が、非導電性微粒子不含の層であることを特徴とするクロムめっき部品。
【請求項2】
前記光沢ニッケルめっき層と前記貴電位ニッケルめっき層との膜厚比率が１：３０～１０：１である、請求項１記載のクロムめっき部品。
【請求項3】
前記光沢ニッケルめっき層と前記貴電位ニッケルめっき層との膜厚比率が１：５～９：１である、請求項１記載のクロムめっき部品。
【請求項4】
前記光沢ニッケルめっき層と前記貴電位ニッケルめっき層との合計膜厚が１～３０μｍである、請求項１記載のクロムめっき部品。
【請求項5】
前記３価クロムめっき層上に、電解化成処理膜及び／又は浸漬化成処理膜をさらに備える、請求項１記載のクロムめっき部品。
【請求項6】
前記素地が、樹脂、セラミックス、及び金属からなる群より選択される１種以上の材料からなり、かつ銅もしくは銅合金からなる前記表面層が付された基材であるか、又は銅もしくは銅合金からなる基材である、請求項１記載のクロムめっき部品。
【請求項7】
銅又は銅合金からなる表面層を有する素地上に、前記表面層に接して光沢ニッケルめっき層を形成する工程と、
前記光沢ニッケルめっき層上に接して、前記光沢ニッケルめっき層に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する、非導電性微粒子不含の貴電位ニッケルめっき層を形成する工程と、
前記貴電位ニッケルめっき層上に接して、３価クロムめっき層を形成する工程と、
を備えることを特徴とするクロムめっき部品の製造方法。
前記光沢ニッケルめっき層上に接して、前記光沢ニッケルめっき層に対して３０～１８０ｍＶ貴である電位を有する、非導電性微粒子不含の貴電位ニッケルめっき層を形成する工程と、
前記貴電位ニッケルめっき層上に接して、３価クロムめっき層を形成する工程と、
を備えることを特徴とするクロムめっき部品の製造方法。
【請求項8】
前記３価クロムめっき層の表面に、電解化成処理膜及び／又は浸漬化成処理膜を形成する工程をさらに含む、請求項７記載のクロムめっき部品の製造方法。