特開 2024-71103 弾性波デバイス、及び、弾性波デバイスの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024071103

(43)【公開日】2024-05-24

(54)【発明の名称】弾性波デバイス、及び、弾性波デバイスの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/25 20060101AFI20240517BHJP

   H03H 3/08 20060101ALI20240517BHJP

   H01L 23/04 20060101ALI20240517BHJP

【ＦＩ】

H03H9/25 A

H03H3/08

H01L23/04 E

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022181860

(22)【出願日】2022-11-14

(71)【出願人】

【識別番号】518453730

【氏名又は名称】三安ジャパンテクノロジー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100098202

【弁理士】

【氏名又は名称】中村 信彦

(72)【発明者】

【氏名】李 鉄

(72)【発明者】

【氏名】塩井 伸一

【テーマコード（参考）】

5J097

【Ｆターム（参考）】

5J097AA29

5J097BB02

5J097BB11

5J097HA04

5J097JJ04

5J097JJ06

5J097KK10

(57)【要約】

【課題】弾性波デバイスをバンプによらずに、かつ、ギャップを形成させることなくモジュール基板に実装できるようにする。
【解決手段】一面２ａに機能素子６を形成させてなるデバイスチップ２と、前記機能素子６の形成領域を囲うように形成された支持層３と、前記支持層３上に形成されて前記形成領域を気密封止するキャビティ５を形成するカバー層４とを備える。前記デバイスチップ２の側面２ｃに、前記機能素子６に接続された外部接続端子９を位置させている。モジュール基板１１の実装面１１ａに対し前記カバー層４の外面４ａを密着させた状態で、前記外部接続端子９と前記実装面１１ａにおける前記カバー層４の前記外面４ａの密着領域１１ｂの外側に形成された前記モジュール基板１１側の接続端子１１ｃとを導電材料１２によりつなぎ合わせ可能としてなる。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

一面にＩＤＴ電極を含む機能素子を形成させてなるデバイスチップと、
前記一面において前記機能素子の形成領域を囲うように形成された支持層と、
前記支持層上に形成されて前記デバイスチップと前記支持層と共働して前記形成領域を気密封止するキャビティを形成するカバー層とを備える弾性波デバイスであって、
前記デバイスチップにおける前記一面と前記一面に対して背中合わせの位置にある他面との間の側面に、前記機能素子に接続された外部接続端子を位置させており、 モジュール基板の実装面に対し前記カバー層の外面を密着させた状態で、前記外部接続端子と前記実装面における前記カバー層の前記外面の密着領域の外側に形成された前記モジュール基板側の接続端子とを導電材料によりつなぎ合わせ可能としてなる、弾性波デバイス。

【請求項2】

前記外部接続端子は、前記デバイスチップの前記一面における、前記一面と前記側面とが接する外縁と前記支持層との間に位置されるブランク領域において、このブランク領域と前記側面とに亘るように形成された金属膜によって形成されてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項3】

前記デバイスチップは四角形の板状を呈すると共に、その四つの隅部の全部又は一部に前記ブランク領域を形成させてなる、請求項２に記載の弾性波デバイス。

【請求項4】

ウエハ上に設定されてそれぞれ前記デバイスチップの前記一面となる複数の四角形領域にそれぞれ前記機能素子を形成させた状態から、所定の位置において前記四角形領域の境界線と前記支持層との間に前記ブランク領域を形成させるように前記支持層及び前記カバー層を形成させた後、
隣り合う前記四角形領域間に有底溝を形成し、
次いで、前記ブランク領域と前記有底溝とに亘るように前記外部接続端子となる金属膜を形成し、
この後、前記有底溝の溝底にダイシングを施して前記四角形領域の数分の前記弾性波デバイスを生成するようにしてなる、請求項２又は請求項３に記載の弾性波デバイスの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

この発明は、モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用するのに適した弾性波デバイスの改良に関する。

【背景技術】

【0002】

モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用される弾性波デバイスＤとして図１３に示されるものがある。図１３中、符号１００はデバイスチップ、符号１０１はデバイスチップ１００の一面に形成された共振器１０１、符号１０２はデバイスチップ１００に形成された合成樹脂製の支持層、符号１０３は支持層１０２上に形成されて前記共振器１０１を気密封止するキャビティ１０４（内部空間、中空構造部）を形成する合成樹脂製のカバー層、符号１０５は前記共振器１０１を含むデバイスチップ１００に形成された回路に電気的に接続されたバンプである。

【0003】

かかる弾性波デバイスＤは前記バンプ１０５を利用して、他の電子デバイスと一緒にモジュール基板Ｍａに実装されてモジュールＭを構成する。バンプ１０５は典型的にはモジュール基板Ｍａ側に形成された電極に超音波接合などにより接合され、この接合後、弾性波デバイスＤはモジュール基板Ｍａ上に形成される封止樹脂層Ｍｂによって封止される。

【0004】

図１３に示される従来の弾性波デバイスでは、デバイスチップ１００の一面上にバンプ１０５が接合されるバンプパッド１０６の形成領域を必要とさせる。
また、図１３に示される従来の弾性波デバイスは、モジュール基板Ｍａに対しては前記バンプ１０５によって接合されるため、モジュール基板Ｍａとの間に通常３０ないし８０μｍのギャップＧを形成させた状態で、モジュール基板Ｍａに実装されることとなる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

この発明が解決しようとする主たる問題点は、この種の弾性波デバイスを前記のようなバンプによらずにモジュール基板に実装できるようにしてデバイスチップ上にバンプパッドを形成する必要がないようにすると共に、この種の弾性波デバイスを前記のようなギャップを形成させることなく、モジュール基板に実装できるようにする点にある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

前記課題を達成するために、この発明にあっては、第一の観点から、弾性波デバイスを、一面にＩＤＴ電極を含む機能素子を形成させてなるデバイスチップと、
前記一面において前記機能素子の形成領域を囲うように形成された支持層と、
前記支持層上に形成されて前記デバイスチップと前記支持層と共働して前記形成領域を気密封止するキャビティを形成するカバー層とを備える弾性波デバイスであって、
前記デバイスチップにおける前記一面と前記一面に対して背中合わせの位置にある他面との間の側面に、前記機能素子に接続された外部接続端子を位置させており、
モジュール基板の実装面に対し前記カバー層の外面を密着させた状態で、前記外部接続端子と前記実装面における前記カバー層の前記外面の密着領域の外側に形成された前記モジュール基板側の接続端子とを導電材料によりつなぎ合わせ可能としてなる、ものとした。

【0007】

前記外部接続端子を、前記デバイスチップの前記一面における、前記一面と前記側面とが接する外縁と前記支持層との間に位置されるブランク領域において、このブランク領域と前記側面とに亘るように形成された金属膜によって形成されたものとすることが、この発明の態様の一つとされる。

【0008】

また、前記デバイスチップは四角形の板状を呈すると共に、その四つの隅部の全部又は一部に前記ブランク領域を形成させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。

【0009】

また、前記課題を達成するために、この発明にあっては、第二の観点から、弾性波デバイスの製造方法を、
ウエハ上に設定されてそれぞれ前記デバイスチップの前記一面となる複数の四角形領域にそれぞれ前記機能素子を形成させた状態から、所定の位置において前記四角形領域の境界線と前記支持層との間に前記ブランク領域を形成させるように前記支持層及び前記カバー層を形成させた後、
隣り合う前記四角形領域間に有底溝を形成し、
次いで、前記ブランク領域と前記有底溝とに亘るように前記外部接続端子となる金属膜を形成し、
この後、前記有底溝の溝底にダイシングを施して前記四角形領域の数分の前記弾性波デバイスを生成するようにしてなる、ものとした。

【発明の効果】

【0010】

この発明にかかる弾性波デバイスにあっては、モジュール基板の実装面に対し前記カバー層の外面を密着させた状態で、前記デバイスチップの側面に位置された外部接続端子と前記モジュール基板側の接続端子とを導電材料によりつなぎ合わせ可能としてなることから、第一に、従来の弾性波デバイスのように、デバイスチップの一面上にバンプ用の電極（バンプパッド）を必要としない利点を有する。これは、デバイスチップの小型化に寄与する。
また、第二に、この発明にかかる弾性波デバイスは、モジュール基板への実装にあたって、従来の弾性波デバイスのようなバンプを必要とせず、前記カバー層をモジュール基板の実装面に密着させた状態で、モジュール基板に実装することができる利点を有する。モジュール基板の実装面に対しては弾性波デバイスなどの実装後に合成樹脂によるモールディング（封止樹脂層の形成）が施されるが、カバー層は実装面に密着されるため、カバー層を薄くしてもこのモールディングの際の樹脂の注入圧によるカバー層の変形が生じることがない。したがって、カバー層を可及的に薄く構成可能となる。これは、弾性波デバイスの低背化、ひいては、前記通信モジュールなどの低背化に寄与する。
また、第三に、この発明にかかる弾性波デバイスは、前記カバー層を実装面に面的に密着させた状態で、モジュール基板に実装されることから、この面的に密着させた箇所からモジュール基板側に弾性波デバイスの駆動により生じる熱を効果的に逃すことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、この発明の一実施の形態にかかる弾性波デバイスの平面構成図である。

【図2】図２は、前記弾性波デバイスの断面構成図であり、図１におけるＡ－Ａ線位置で断面にして示している。

【図3】図３は、前記弾性波デバイスのデバイスチップに形成される共振器の一例を示した構成図である。

【図4】図４は、前記弾性波デバイスのデバイスチップに形成される回路の一例を示した構成図である。

【図5】図５は、前記弾性波デバイスをモジュール基板に実装した状態を示した断面構成図である。

【図6】図６は、前記弾性波デバイスの製造過程の一工程を示した平面構成図である。

【図7】図７は、図６の工程に続く前記弾性波デバイスの製造過程の一工程を示した平面構成図である。

【図8】図８は、図７の要部拡大構成図である。

【図9】図９は、図７の工程に続く前記弾性波デバイスの製造過程の一工程を示した要部拡大平面構成図である。

【図10】図１０は、図９の工程に続く前記弾性波デバイスの製造過程の一工程を示した断面構成図である。

【図11】図１１は、図１０の工程に続く前記弾性波デバイスの製造過程の一工程を示した断面構成図である。

【図12】図１２は、図１１の工程に続く前記弾性波デバイスの製造過程の一工程を示した断面構成図である。

【図13】図１３は、従来の弾性波デバイスを含んで構成されるモジュールの一例を示した断面構成図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、図１～図１２に基づいて、この発明の典型的な実施の形態について、説明する。この実施の形態にかかる弾性波デバイス１は、モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用するのに適したものである。

【0013】

かかる弾性波デバイス１は、
デバイスチップ２と、
前記デバイスチップ２の一面２ａに形成されたＩＤＴ電極６ｂなどの機能素子６と、
前記一面２ａにおいて前記機能素子６を囲うように形成された支持層３（ウォール／Wall）と、
前記支持層３上に形成されて前記デバイスチップ２と前記支持層３と共働して前記機能素子６を気密封止するキャビティ５（内部空間、中空構造部）を形成するカバー層４（ルーフ／Roof）とを備えたものとなっている。

【0014】

典型的には、前記デバイスチップ２は、一辺を０．５ないし１ｍｍとし、厚さを０．１５ないし０．２ｍｍとする四角形（図示の例では長方形）の板状をなすように構成される。
また、典型的には、支持層３は、前記デバイスチップ２の一面２ａに直交する向きの厚さ（デバイスチップ２の一面２ａを基準とした支持層３の高さ）を１０～３０μｍとするように構成される。
また、典型的には、カバー層４は、厚さを１５～３５μｍとするように構成される。
これらから構成される弾性波デバイス１は、典型的には、厚さを０．２５ないし０．３５ｍｍ程度とする。

【0015】

弾性波デバイスの断面構造を図２に示す。図中符号６は機能素子、符号５はキャビティ、符号３は支持層、符号４はカバー層、符号７は機能素子に接続されて機能素子と共に後述の回路を構成する配線（Wiring）である。

【0016】

デバイスチップ２の一面２ａ上には複数の機能素子６が形成されている。デバイスチップ２の一面２ａにおける各機能素子６の形成領域はそれぞれ、支持層３で囲繞されると共に、この支持層３上に形成されるカバー層４で蓋がされた形態となっており、これにより弾性波デバイス１は複数の前記キャビティ５を備えたものとなっている。
支持層３及びカバー層４は、絶縁材料、典型的には、合成樹脂から構成される。

【0017】

デバイスチップ２は、弾性波を伝搬させる機能を持つ。デバイスチップ２には、典型的には、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムが用いられ、また、デバイスチップ２は、これらにサファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスなどを積層させて、構成される場合もある。

【0018】

図３に機能素子６の一例としての共振器６ａを示す。共振器６ａはＩＤＴ電極６ｂと、ＩＤＴ電極６ｂを挟むようにして形成される反射器６ｅとを有する。ＩＤＴ電極６ｂは、電極対からなり、各電極対は弾性波の伝搬方向ｘに長さ方向を交叉させるように平行配列された複数の電極指６ｃ同士をこれらの一端側においてバスバー６ｄで接続させてなる。反射器６ｅは、弾性波の伝搬方向ｘに長さ方向を交叉させるように平行配列された複数の電極指６ｆの端部間をバスバー６ｇで接続させてなる。
かかる機能素子６は、典型的には、フォトリソグラフィ技術により形成された導電性金属膜によって構成される。

【0019】

図４に一つのデバイスチップ２上に備えられる回路の一例の概念を示す。符号６ａａは入出力ポート（例えば後述の外部出力端子９）間に直列に接続された共振器６ａ、符号６ａｂは入出力ポート間に並列に接続された共振器６ａ、符号８はグランドを示す。機能素子６の数や配置は必要に応じて変更される。すなわち、図４の回路によってラダー型フィルタが構成されるようになっている。
かかる回路を構成する前記配線７も、典型的には、フォトリソグラフィ技術により形成された導電性金属膜によって構成される。

【0020】

この実施の形態にかかる弾性波デバイス１においては、前記デバイスチップ２における前記一面２ａと前記一面２ａに対して背中合わせの位置にある他面２ｂとの間の側面２ｃに、前記機能素子６に前記配線７を介して電気的に接続された外部接続端子９を位置させている。

【0021】

この実施の形態にあっては、前記外部接続端子９は、前記デバイスチップ２の前記一面２ａにおける、前記一面２ａと前記側面２ｃとが接する外縁２ｄと前記支持層３との間に位置されるブランク領域１０（デバイスチップ２の一面２ａ上の前記支持層３及びカバー層４が形成されていない領域）において、このブランク領域１０の前記一面２ａと前記側面２ｃとに亘るように形成された金属膜９ａによって形成されている。

【0022】

図示の例では、デバイスチップ２の一面２ａは、機能素子６の形成領域を除いて、概ね支持層３によって被覆された状態となっている。それと共に、図示の例では、デバイスチップ２の一面２ａの前記外縁２ｄ側において、デバイスチップ２の一面２ａを支持層３によって覆っていないブランク領域１０が４箇所形成されている。このブランク領域１０においてはカバー層４も形成されていない。

【0023】

図示の例では、前記デバイスチップ２は四角形の板状を呈すると共に、その四つの隅部２ｅの一部に前記ブランク領域１０を形成させている。図示は省略するがブランク領域１０は、四つの隅部２ｅの全部に形成させていても構わない。
図示の例では、デバイスチップ２の四つの隅部２ｅのうちの三つにブランク領域１０を形成させている。

【0024】

ブランク領域１０では、ブランク領域１０にあるデバイスチップ２の外縁２ｄと実質的に平行をなす支持層３の厚さ方向に沿った第一外面３ａが、デバイスチップ２の外縁２ｄよりもデバイスチップ２の中心２ｆ（図１参照）側に位置して、前記第一外面３ａと外縁２ｄとの間に間隔が形成されている。また、デバイスチップ２の中心２ｆを周回する方向でのブランク領域１０の二箇所の端末１０ａにはそれぞれ、前記第一外面３ａに実質的に直交する支持層３の厚さ方向に沿った第二外面３ｂが形成されている。この第一外面３ａと二箇所の第二外面３ｂとデバイスチップ２の外縁２ｄとに囲まれた箇所が前記ブランク領域１０となっている。

【0025】

弾性波デバイス１をデバイスチップ２の前記一面２ａに直交する向きから見た状態（図１）において、デバイスチップ２の隅部２ｅに形成されたブランク領域１０は、デバイスチップ２の角２ｇにおいて直角に屈曲し、かつ、この角２ｇと二箇所の前記第二外面３ｂとの間をデバイスチップ２の辺２ｈに沿わせた、Ｌ型状となっている。
図示の例では、デバイスチップ２の四つの隅部２ｅのうちのブランク領域１０が形成されていない隅部２ｅの近傍には、デバイスチップ２の辺２ｈに沿った直線的なブランク領域１０が形成されている（図１における左下のブランク領域１０）。

【0026】

ブランク領域１０では、支持層３の前記第一外面３ａとデバイスチップ２の外縁２ｄとの間となる箇所まで、配線７が延び出している。すなわち、ブランク領域１０に前記配線７の一部７ａが位置されるようになっている。

【0027】

外部接続端子９は、ブランク領域１０に位置される前記配線７の一部７ａを覆って、ブランク領域１０と前記側面２ｃとに亘るように形成されている。図示の例では、外部接続端子９はブランク領域１０の全体を覆い、かつ、ブランク領域１０の直下においてデバイスチップ２の厚さ方向２ｉ（図２参照）中程の位置よりもやや一面２ａ側に近い位置までの範囲でデバイスチップ２の側面２ｃを覆っている。

【0028】

図示の例では、四箇所のブランク領域１０のぞれぞれにおいて、前記のように外部接続端子９が形成されている。

【0029】

そして、この実施の形態にあっては、モジュール基板１１の実装面１１ａに対し前記カバー層４の外面４ａを密着させた状態で、前記外部接続端子９と前記実装面１１ａにおける前記カバー層４の前記外面４ａの密着領域１１ｂの外側に形成された前記モジュール基板１１側の接続端子１１ｃとを導電材料１２によりつなぎ合わせ可能としている（図５）。

【0030】

具体的には、以上に説明した弾性波デバイス１と、その他の一又は二以上のデバイスとが実装されてモバイル通信機器などの通信モジュールなどとなるモジュール基板１１におけるデバイスが実装される実装面１１ａに対し、弾性波デバイス１は前記カバー層４の外面４ａを実装面１１ａに密着させた状態で、前記外部接続端子９とモジュール基板１１側の接続端子１１ｃとをハンダなどの導電材料１２を介して接続させることで、モジュール基板１１側に電気的に接続可能となる。カバー層４の外面４ａにモジュール基板１１の実装面１１ａに対する粘着機能を付与させておけば、両者の密着性を安定的に確保できる。かかる粘着機能の付与は、カバー層４の外面４ａが弱粘着性を持つようにする表面加工により、あるいは、カバー層４の外面４ａが弱粘着性を持つようにカバー層４を粘着性を持つ材料から構成することにより、実現できる。

【0031】

ブランク領域１０において配線７に接続されてデバイスチップ２の側面２ｃを覆いこの側面２ｃに位置される外部接続端子９に対して、この側面２ｃの外側に形成される導電材料１２によって弾性波デバイス１はモジュール基板１１側に電気的に接続される。
すなわち、この実施の形態にかかる弾性波デバイス１とモジュール基板１１とは、デバイスチップ２の側面２ｃに位置される外部接続端子９を利用して、前記カバー層４を実装面１１ａに密着させた状態で、モジュール基板１１に実装することができる。外部接続端子９はブランク領域１０において配線７に接続されていれば足り、ブランク領域１０の幅、すなわち、支持層３の第一外面３ａとデバイスチップ２の外縁２ｄとの間の距離は可及的に小さくすることが可能である。
これにより、この実施の形態にかかる弾性波デバイス１にあっては、第一に、従来の弾性波デバイス１（図１３）のように、デバイスチップ２の一面２ａ上にバンプ用の電極（バンプパッド）を必要としない利点を有する。これは、デバイスチップ２の小型化に寄与する。
また、第二に、モジュール基板１１への実装にあたって、従来の弾性波デバイス１（図１３）のようなバンプを必要とせず、前記カバー層４を実装面１１ａに密着させた状態で、モジュール基板１１に実装することができる利点を有する。モジュール基板１１の実装面１１ａに対しては弾性波デバイス１などの実装後に合成樹脂によるモールディングが施されるが、カバー層４は実装面１１ａに密着されるため、カバー層４を薄くしてもこのモールディングの際の樹脂の注入圧によるカバー層４の変形が生じることがない。したがって、カバー層４を可及的に薄く構成可能となる。これは、弾性波デバイス１の低背化、ひいては、前記通信モジュールなどの低背化に寄与する。
また、第三に、この実施の形態にかかる弾性波デバイス１は、前記カバー層４を実装面１１ａに面的に密着させた状態で、モジュール基板１１に実装されることから、この面的に密着させた箇所からモジュール基板１１側に弾性波デバイス１の駆動により生じる熱を効果的に逃すことが可能となる。

【0032】

以上に説明した弾性波デバイス１１は、以下のようにすることで、適切且つ合理的に製造し得る。この実施の形態にかかる弾性波デバイス１１の製造ステップの要部を図６～図１２に示す。

【0033】

先ず、ウエハ１３上に設定されてそれぞれ前記デバイスチップ２となる複数の四角形領域１４（図６参照）にそれぞれ、前記機能素子６及び配線７を形成させる（ステップ１／図７、図８）。典型的には、一つの四角形領域１４に複数の機能素子６が形成される。図７では配線７は一部のみを模式的に表している。
四角形領域１４の大きさなどは必要に応じて適宜設定される。図６中の一点鎖線は、設定される四角形領域１４の境界を理解しやすいように示した仮想の境界線である。隣り合う四角形領域１４間には、後述の有底溝１６が形成される隙間１５が形成される。この隙間１５は格子状のものとして観念される。

【0034】

次いで、前記四角形領域１４に前記支持層３及び前記カバー層４を形成させると共に、所定の位置において前記境界線と前記支持層３との間に前記ブランク領域１０を形成させる（ステップ２／図９）。図示の例では、一つの四角形領域１４において、四つのブランク領域１０を形成させている。ブランク領域１０には前記のように配線７が延び出している（図９においては、カバー層４の記載を省略している。また、ブランク領域１０に位置される配線７の一部７ａにハッチングを付している。）。

【0035】

次いで、隣り合う前記四角形領域１４間に有底溝１６（トレンチ）を形成する（ステップ３／図１０）。有底溝１６は隙間１５内に形成され格子状をなす。有底溝１６は、典型的には、レーザー加工やエッチングにより形成される。

【0036】

次いで、前記ブランク領域１０と前記有底溝１６とに亘るように前記外部接続端子９となる導電性を備えた金属膜９ａを形成する（ステップ４／図１１）。金属膜９ａは、典型的には、蒸着、スパッタ、メッキにより形成される。

【0037】

次いで、前記有底溝１６の溝底にダイシングを施して前記四角形領域１４の数分の前記弾性波デバイス１を生成する（ステップ５／図１２）。
ダイシングは、前記有底溝１６に沿って、かつ、有底溝１６の左右の溝壁との間にそれぞれ間隔を開けるようにして、施される。ダイシングされた部分を図１２において符号１７で示す。このダイシングによって、前記ウエハ１３から前記四角形領域１４の数分の弾性波デバイス１が切り分けられる。
このように生成される弾性波デバイス１の側面２ｃは、弾性波デバイス１の中心２ｆを巡るいずれの箇所においても、前記有底溝１６の溝底であった段差面２ｃａと、この段差面２ｃａと前記一面２ａとの間に位置される上側垂直面２ｃｂと、この段差面２ｃａと前記他面２ｂとの間に位置される下側垂直面２ｃｃとから構成される。金属膜９ａは前記一面２ａにおけるブランク領域１０にある部分と、上側垂直面２ｃｂと、段差面２ｃａとに亘って形成されることとなる。

【0038】

なお、当然のことながら、本発明は以上に説明した実施態様に限定されるものではなく、本発明の目的を達成し得るすべての実施態様を含むものである。

【符号の説明】

【0039】

１ 弾性波デバイス
２ デバイスチップ
２ａ 一面
２ｂ 他面
２ｃ 側面
２ｃａ 段差面
２ｃｂ 上側垂直面
２ｃｃ 下側垂直面
２ｄ 外縁
２ｅ 隅部
２ｆ 中心
２ｇ 角
２ｈ 辺
２ｉ 厚さ方向
３ 支持層
３ａ 第一外面
３ｂ 第二外面
４ カバー層
４ａ 外面
５ キャビティ
６ 機能素子
６ａ、６ａａ、６ａｂ 共振器
６ｂ ＩＤＴ電極
６ｃ 電極指
６ｄ バスバー
６ｅ 反射器
６ｆ 電極指
６ｇ バスバー
７ 配線
７ａ 配線の一部
８ グランド
９ 外部接続端子
９ａ 金属膜
１０ ブランク領域
１０ａ 端末
１１ モジュール基板
１１ａ 実装面
１１ｂ 密着領域
１１ｃ 接続端子
１２ 導電材料
１３ ウエハ
１４ 四角形領域
１５ 隙間
１６ 有底溝
ｘ 伝搬方向

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】