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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024071115
(43)【公開日】2024-05-24
(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20240517BHJP
H05K 1/03 20060101ALI20240517BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20240517BHJP
H01L 23/15 20060101ALI20240517BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 N
H05K3/46 B
H05K1/03 610B
H01L23/12 N
H01L23/12 Q
H01L23/14 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022181881
(22)【出願日】2022-11-14
(71)【出願人】
【識別番号】000003193
【氏名又は名称】ＴＯＰＰＡＮホールディングス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003708
【氏名又は名称】弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100108855
【弁理士】
【氏名又は名称】蔵田 昌俊
(74)【代理人】
【識別番号】100179062
【弁理士】
【氏名又は名称】井上 正
(74)【代理人】
【識別番号】100199565
【弁理士】
【氏名又は名称】飯野 茂
(74)【代理人】
【識別番号】100209048
【弁理士】
【氏名又は名称】森川 元嗣
(74)【代理人】
【識別番号】100212705
【弁理士】
【氏名又は名称】矢頭 尚之
(74)【代理人】
【識別番号】100219542
【弁理士】
【氏名又は名称】大宅 郁治
(72)【発明者】
【氏名】梅村 優樹
【テーマコード（参考）】
5E316
【Ｆターム（参考）】
5E316AA32
5E316AA43
5E316CC05
5E316CC08
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC18
5E316CC31
5E316CC32
5E316CC34
5E316CC35
5E316CC36
5E316CC37
5E316DD17
5E316DD23
5E316DD24
5E316EE01
5E316FF04
5E316GG15
5E316GG17
5E316GG28
5E316HH11
5E316HH33
(57)【要約】
【課題】信頼性に優れた配線基板及び配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る配線基板１は、ガラス基板１０と、導体層７０と、絶縁体８０とを含む。ガラス基板１０は、第１面Ｓ１とその裏面である第２面Ｓ２とを有し、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２まで各々が伸びた１以上の貫通孔１２が設けられる。導体層７０は、１以上の貫通孔１２の側壁と、第２面Ｓ２とに設けられる。絶縁体８０は、１以上の貫通孔１２それぞれの内側に設けられる。１以上の貫通孔１２の側壁に設けられた導体層７０の表面粗さは、第２面Ｓ２に設けられた導体層７０の表面粗さよりも大きい。
【選択図】図２
【解決手段】実施形態に係る配線基板１は、ガラス基板１０と、導体層７０と、絶縁体８０とを含む。ガラス基板１０は、第１面Ｓ１とその裏面である第２面Ｓ２とを有し、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２まで各々が伸びた１以上の貫通孔１２が設けられる。導体層７０は、１以上の貫通孔１２の側壁と、第２面Ｓ２とに設けられる。絶縁体８０は、１以上の貫通孔１２それぞれの内側に設けられる。１以上の貫通孔１２の側壁に設けられた導体層７０の表面粗さは、第２面Ｓ２に設けられた導体層７０の表面粗さよりも大きい。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面とその裏面である第２面とを有し、前記第１面から前記第２面まで各々が伸びた１以上の貫通孔が設けられたガラス基板と、
前記１以上の貫通孔の側壁と、前記第２面とに設けられた導体層と、
前記１以上の貫通孔それぞれの内側に設けられた絶縁体と、
を備え、
前記１以上の貫通孔の側壁に設けられた前記導体層の表面粗さは、前記第２面に設けられた前記導体層の表面粗さよりも大きい、配線基板。
前記１以上の貫通孔の側壁と、前記第２面とに設けられた導体層と、
前記１以上の貫通孔それぞれの内側に設けられた絶縁体と、
を備え、
前記１以上の貫通孔の側壁に設けられた前記導体層の表面粗さは、前記第２面に設けられた前記導体層の表面粗さよりも大きい、配線基板。
【請求項2】
前記１以上の貫通孔の側壁に設けられた前記導体層の算術表面粗さＲａは１５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、
請求項１に記載の配線基板。
請求項１に記載の配線基板。
【請求項3】
前記第２面に設けられた前記導体層の算術表面粗さＲａは１００ｎｍ以下である、
請求項２に記載の配線基板。
請求項２に記載の配線基板。
【請求項4】
前記１以上の貫通孔の側壁に設けられた前記導体層と、前記絶縁体との間に設けられた、不連続部を有する腐食防止膜をさらに備える、
請求項１乃至請求項３いずれか１項に記載の配線基板。
請求項１乃至請求項３いずれか１項に記載の配線基板。
【請求項5】
前記１以上の貫通孔の側壁に設けられた前記導体層の表面粗さは、前記第２面側から前記第１面側に向けて大きくなる、請求項１乃至請求項３いずれか１項に記載の配線基板。
【請求項6】
前記１以上の貫通孔の側壁に設けられた前記導体層の表面粗さは、前記第１面側から前記第２面側に向けて大きくなる、請求項４に記載の配線基板。
【請求項7】
第１面とその裏面である第２面とを有するガラス基板の前記第１面上に第１導体層を形成することと、
前記ガラス基板へレーザ光を照射して、前記ガラス基板に１以上の改質部を形成することと、
前記第１導体層が形成された前記ガラス基板の前記第２面をエッチングして、前記１以上の改質部の位置に１以上の貫通孔をそれぞれ形成することと、
前記ガラス基板の前記第２面及び前記１以上の貫通孔の内壁に第２導体層を形成することと、
を備え、
前記１以上の貫通孔の内壁に設けられる前記第２導体層の表面粗さは、前記第２面に設けられる第２導体層の表面粗さよりも大きい、
配線基板の製造方法。
前記ガラス基板へレーザ光を照射して、前記ガラス基板に１以上の改質部を形成することと、
前記第１導体層が形成された前記ガラス基板の前記第２面をエッチングして、前記１以上の改質部の位置に１以上の貫通孔をそれぞれ形成することと、
前記ガラス基板の前記第２面及び前記１以上の貫通孔の内壁に第２導体層を形成することと、
を備え、
前記１以上の貫通孔の内壁に設けられる前記第２導体層の表面粗さは、前記第２面に設けられる第２導体層の表面粗さよりも大きい、
配線基板の製造方法。
【請求項8】
前記第２導体層を形成することは、
前記ガラス基板の前記第２面及び前記１以上の貫通孔の内壁にシード層を設けることと、
電解銅めっきにより前記シード層上に第２導電層を形成することと、
エッチングにより前記シード層のうち不要な部分を除去することと、
を含み、
前記電解銅めっきにおける液流量は、前記１以上の貫通孔内の方が、前記第２面に比べて小さい、請求項７に記載の配線基板の製造方法。
前記ガラス基板の前記第２面及び前記１以上の貫通孔の内壁にシード層を設けることと、
電解銅めっきにより前記シード層上に第２導電層を形成することと、
エッチングにより前記シード層のうち不要な部分を除去することと、
を含み、
前記電解銅めっきにおける液流量は、前記１以上の貫通孔内の方が、前記第２面に比べて小さい、請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項9】
前記第２導体層を形成することは、
前記ガラス基板の前記第２面及び前記１以上の貫通孔の内壁にシード層を設けることと、
電解銅めっきにより前記シード層上に第２導電層を形成することと、
前記第２導電層のうち前記１以上の貫通孔の内壁に設けられた部分上に不連続部を有する腐食防止膜を形成することと、
前記第２導電層を、前記腐食防止膜が形成された部分に対して前記腐食防止膜が形成されていない部分の膜厚が薄くなるようにエッチングすることと、
を含む、
請求項７に記載の配線基板の製造方法。
前記ガラス基板の前記第２面及び前記１以上の貫通孔の内壁にシード層を設けることと、
電解銅めっきにより前記シード層上に第２導電層を形成することと、
前記第２導電層のうち前記１以上の貫通孔の内壁に設けられた部分上に不連続部を有する腐食防止膜を形成することと、
前記第２導電層を、前記腐食防止膜が形成された部分に対して前記腐食防止膜が形成されていない部分の膜厚が薄くなるようにエッチングすることと、
を含む、
請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項10】
前記不連続部を有する腐食防止膜を形成することは、
前記ガラス基板の前記第２面に、前記１以上の貫通孔の位置が開口したマスクを設けることと、
前記１以上の貫通孔の内壁に、前記不連続部を有する酸化防止膜を設けることと、
前記マスクを除去することと、
を含む、
請求項９に記載の配線基板の製造方法。
前記ガラス基板の前記第２面に、前記１以上の貫通孔の位置が開口したマスクを設けることと、
前記１以上の貫通孔の内壁に、前記不連続部を有する酸化防止膜を設けることと、
前記マスクを除去することと、
を含む、
請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項11】
前記不連続部を有する腐食防止膜を形成することは、
前記ガラス基板の前記第２面及び前記１以上の貫通孔の内壁に連続膜である腐食防止膜を設けることと、
ドライエッチングにより前記ガラス基板の前記第２面から前記腐食防止膜を除去すると共に、前記１以上の貫通孔の内壁に前記不連続部を有する腐食防止膜を形成することと、
を含む、
請求項９に記載の配線基板の製造方法。
前記ガラス基板の前記第２面及び前記１以上の貫通孔の内壁に連続膜である腐食防止膜を設けることと、
ドライエッチングにより前記ガラス基板の前記第２面から前記腐食防止膜を除去すると共に、前記１以上の貫通孔の内壁に前記不連続部を有する腐食防止膜を形成することと、
を含む、
請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、電子機器の高機能化および小型化が進む中で、より周波数の高い信号が用いられており、電子機器に搭載されるインターポーザに代表される多層配線基板にも、高周波対応が求められている。
【0003】
特に、最近の多層配線基板においては、ガラス基板を採用し、ガラス基板に貫通孔を形成して、貫通電極を設けている。そして、ガラス基板の両面に導体層、絶縁樹脂層、導体層を順次積層する多層配線基板が採用されている。
【0004】
多層配線基板に用いられる貫通電極には、貫通孔の内部を充填しない導電体で形成されるコンフォーマル型の電極（コンフォーマルビア）と、貫通孔の内部を充填する充填型の電極（フィルドビア）とが含まれる。コンフォーマル型の場合には、貫通電極の内部を充填する電極が存在しないため、製造コストを低減したり、貫通電極起因の応力を低減させたりすることができる。一方、貫通孔が設けられた部分と重畳して配線部を配置することができないため、高集積化には設計の困難を伴う。
【0005】
特許文献１には、コンフォーマル型の貫通電極においても、貫通孔の基板表面側を塞ぐように導電体を配置する技術が開示されている。これによって、基板の少なくとも一方の面側において配線部を効率的に配置して高集積化を容易にする技術が開示されている。
【0006】
また、多層配線基板は、用途によっては小型化、高機能化と共に低背化が求められるが、ガラス基板の厚みが１００μｍ程度になった際に、多層配線基板の製造工程中にガラスコア基板に割れ等の障害が発生しやすい。
【0007】
このため、特許文献２では、このような割れを防ぐために、ガラス基板に剥離層を介して支持体を接着し、配線の形成後に支持体を剥離除去する工程が提案されている。
【0008】
具体的には、ガラス基板の第１面上に第１の配線の形成を行う工程と、該第１の配線が形成されたガラス基板の第１の配線側を支持体でサポートする工程と、上記ガラス基板に対し、貫通孔形成の起点となるレーザ改質部を、上記第１面とは反対側の面から照射するレーザで形成する工程と、上記ガラス基板の第１面とは反対側の面から第１面に向けて、フッ化水素エッチング液を用いてエッチングを施して、ガラス基板の薄板化を行いつつ貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、上記貫通孔形成工程の後に、上記貫通孔の内部に貫通電極を形成すると共に、上記ガラス基板の上記第１面とは反対側の面に第２の配線を形成して、貫通電極を介して上記第１の配線と上記第２の配線を接続する工程と、上記第２の配線を形成後に、上記ガラス基板から上記支持体を外す工程を有する配線基板の製造方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】国際公開第２０１７／２０９２９６号
【特許文献2】国際公開第２０１９／２３５６１７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
しかしながら、特許文献１、特許文献２に記載されているような、閉塞した貫通孔の内部に貫通電極を形成すると共に、上記ガラス基板の上記第１面とは反対側の面に第２の配線を形成したのちに、絶縁樹脂層を形成する構造および製造方法においては、貫通孔内部電極表面と絶縁樹脂との密着性の確保が難しく、信頼性を損なう場合がある。
【0011】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、信頼性に優れた配線基板及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明の一側面によると、第１面とその裏面である第２面とを有し、前記第１面から前記第２面まで各々が伸びた１以上の貫通孔が設けられたガラス基板と、前記１以上の貫通孔の側壁と、前記第２面とに設けられた導体層と、前記１以上の貫通孔それぞれの内側に設けられた絶縁体と、を備え、前記１以上の貫通孔の側壁に設けられた前記導体層の表面粗さは、前記第２面に設けられた前記導体層の表面粗さよりも大きい、配線基板が提供される。
【0013】
本発明の他の側面によると、前記１以上の貫通孔の側壁に設けられた前記導体層の算術表面粗さＲａは１５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、上記側面に係る配線基板が提供される。
【0014】
本発明の更に他の側面によると、前記第２面に設けられた前記導体層の算術表面粗さＲａは１００ｎｍ以下である、上記側面に係る配線基板が提供される。
【0015】
本発明の更に他の側面によると、前記１以上の貫通孔の側壁に設けられた前記導体層と、前記絶縁体との間に設けられた、不連続部を有する腐食防止膜をさらに備える、上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。
【0016】
本発明の更に他の側面によると、前記１以上の貫通孔の側壁に設けられた前記導体層の表面粗さは、前記第２面側から前記第１面側に向けて大きくなる、上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。
【0017】
本発明の更に他の側面によると、前記１以上の貫通孔の側壁に設けられた前記導体層の表面粗さは、前記第１面側から前記第２面側に向けて大きくなる、上記側面の何れかに係る配線基板が提供される。
【0018】
本発明の更に他の側面によると、第１面とその裏面である第２面とを有するガラス基板の前記第１面上に第１導体層を形成することと、前記ガラス基板へレーザ光を照射して、前記ガラス基板に１以上の改質部を形成することと、前記第１導体層が形成された前記ガラス基板の前記第２面をエッチングして、前記１以上の改質部の位置に１以上の貫通孔をそれぞれ形成することと、前記ガラス基板の前記第２面及び前記１以上の貫通孔の内壁に第２導体層を形成することと、を備え、前記１以上の貫通孔の内壁に設けられる前記第２導体層の表面粗さは、前記第２面に設けられる第２導体層の表面粗さよりも大きい、配線基板の製造方法が提供される。
【0019】
本発明の更に他の側面によると、前記第２導体層を形成することは、前記ガラス基板の前記第２面及び前記１以上の貫通孔の内壁にシード層を設けることと、電解銅めっきにより前記シード層上に第２導電層を形成することと、エッチングにより前記シード層のうち不要な部分を除去することと、を含み、前記電解銅めっきにおける液流量は、前記１以上の貫通孔内の方が、前記第２面に比べて小さい、上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。
【0020】
本発明の更に他の側面によると、前記第２導体層を形成することは、前記ガラス基板の前記第２面及び前記１以上の貫通孔の内壁にシード層を設けることと、電解銅めっきにより前記シード層上に第２導電層を形成することと、前記第２導電層のうち前記１以上の貫通孔の内壁に設けられた部分上に不連続部を有する腐食防止膜を形成することと、前記第２導電層を、前記腐食防止膜が形成された部分に対して前記腐食防止膜が形成されていない部分の膜厚が薄くなるようにエッチングすることと、を含む、上記側面の何れかに係る配線基板の製造方法が提供される。
【0021】
本発明の更に他の側面によると、前記不連続部を有する腐食防止膜を形成することは、前記ガラス基板の前記第２面に、前記１以上の貫通孔の位置が開口したマスクを設けることと、前記１以上の貫通孔の内壁に、前記不連続部を有する酸化防止膜を設けることと、前記マスクを除去することと、を含む、上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。
【0022】
本発明の更に他の側面によると、前記不連続部を有する腐食防止膜を形成することは、前記ガラス基板の前記第２面及び前記１以上の貫通孔の内壁に連続膜である腐食防止膜を設けることと、ドライエッチングにより前記ガラス基板の前記第２面から前記腐食防止膜を除去すると共に、前記１以上の貫通孔の内壁に前記不連続部を有する腐食防止膜を形成することと、を含む、上記側面の何れかに係る配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【0023】
本発明によれば、信頼性に優れた配線基板及び配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【発明を実施するための形態】
【0025】
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下に説明する実施形態は、上記側面の何れかをより具体化したものである。以下に記載する事項は、単独で又は複数を組み合わせて、上記側面の各々に組み入れることができる。
【0026】
また、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、本発明の技術的思想は、下記の構成部材の材質、形状、及び構造等によって限定されるものではない。本発明の技術的思想には、請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
【0027】
なお、同様又は類似した機能を有する要素については、以下で参照する図面において同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面は模式的なものであり、或る方向の寸法と別の方向の寸法との関係、及び、或る部材の寸法と他の部材の寸法との関係等は、現実のものとは異なり得る。
【0028】
＜１＞第１実施形態
第１実施形態に係る配線基板について説明する。
第１実施形態に係る配線基板について説明する。
【0029】
【0030】
図１に示す配線基板１は、ガラスコア配線基板である。一例によれば、配線基板１は、インターポーザとして使用する配線基板、即ち、ガラスインターポーザである。
【0031】
配線基板１は、ガラス基板１０と、第１導体層２０と、層間絶縁膜４０と、導体層５０と、絶縁層６０と、第２導体層７０と、層間絶縁膜８０と、導体層９０と、絶縁層１００とを含んでいる。
【0032】
ガラス基板１０は、例えば、無アルカリガラスである。ガラス基板１０は、第１面Ｓ１と、その裏面である第２面Ｓ２とを有している。第１面Ｓ１と第２面Ｓ２とは、互いに対して平行である。ガラス基板１０の厚さは、例えば、２５μｍ以上１５０μｍ以下の範囲内にある。
【0033】
ガラス基板１０には、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２まで各々が伸びた１以上の貫通孔、ここでは、複数の貫通孔が設けられている。貫通孔の各々は、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１へ向けて先細りしている。
【0034】
第１導体層２０は、第１面Ｓ１上に設けられた導体パターンである。この導体パターンは、ランド部と、配線部とを含んでいる。第１導体層２０は、第１配線層である。
【0035】
第１導体層２０は、多層構造を有している。具体的には、第１導体層２０は、第１面Ｓ１と向き合った第１銅層２４と、第１銅層２４とガラス基板１０との間に介在した耐弗酸金属層２１とを含んでいる。第１導体層２０は、図２に示すように、耐弗酸金属層２１と第１銅層２４との間に介在した密着層２２と、密着層２２と第１銅層２４との間に介在したシード層２３とを更に含んでいる。
【0036】
第１導体層２０は、貫通孔の第１面Ｓ１側の開口を覆っている。
【0037】
耐弗酸金属層２１は、ガラス基板１０と比較して、弗酸によるエッチングに対する耐性に優れた金属材料からなる。耐弗酸金属層２１は、例えば、クロム、ニッケル及びニッケルクロム合金からなる群より得られる材料からなる。耐弗酸金属層２１の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内にある。
【0038】
密着層２２及びシード層２３は、耐弗酸金属層２１上にこの順に積層されている。密着層２２及びシード層２３には、それぞれ、後述する密着層７２及びシード層７３について例示する材料を使用することができる。密着層２２及びシード層２３は、第１銅層２４を電解めっきによって形成する場合に設ける。密着層２２は省略してもよい。また、第１銅層２４を無電解めっきやスパッタリングなどの他の方法を利用して形成する場合、密着層２２及びシード層２３の双方を省略してもよい。第１銅層２４の厚さは、例えば、２μｍ以上２０μｍ以下の範囲内にある。
【0039】
層間絶縁膜４０は、第１面Ｓ１を被覆するとともに、第１導体層２０を埋め込んでいる。層間絶縁膜４０には、第１導体層２０が含むランド部の位置に、貫通孔が設けられている。一例によれば、層間絶縁膜４０は、絶縁樹脂層である。絶縁樹脂層としては、熱硬化性樹脂にフィラーが充填された液状樹脂又はフィルム状樹脂が主に使用される。熱硬化性樹脂としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂の少なくとも１種類の材料を含むことが好ましい。フィラーとしては、シリカ、酸化チタン、ウレタン等の材料を含むことが好ましい。
【0040】
導体層５０は、層間絶縁膜４０上に設けられた導体パターンである。この導体パターンは、層間絶縁膜４０の主面に設けられたパッド部と、層間絶縁膜４０に設けられた貫通孔の側壁を被覆したビア部とを含んでいる。パッド部は、外部接続端子である。ビア部の各々は、第１導体層２０が含むランド部をパッド部へ接続している。
【0041】
導体層５０は、シード層５３と銅層５４とを含んでいる。シード層５３及び銅層５４は、層間絶縁膜４０上に、この順に積層されている。導体層５０は、層間絶縁膜４０とシード層５３との間に密着層を更に含むことができる。導体層５０が含む密着層及びシード層５３には、それぞれ、後述する密着層７２及びシード層７３について例示する材料を使用することができる。シード層５３は省略してもよい。
【0042】
絶縁層６０は、層間絶縁膜４０を少なくとも部分的に被覆するとともに、導体層５０を埋め込んでいる。絶縁層６０には、導体層５０が含むパッド部の位置に貫通孔が設けられている。絶縁層６０は、例えば、ソルダーレジストからなる。
【0043】
第２導体層７０は、ガラス基板１０の第２面Ｓ２を被覆した部分と、ガラス基板１０に設けられた貫通孔の側壁を被覆した部分と、第１導体層２０のうちガラス基板１０に設けられた貫通孔を覆う部分と接する部分と、を含んだ導体パターンである。この導体パターンは、ランド部と配線部とビア部とを含んでいる。第２導体層７０のうち第２面Ｓ２を被覆した部分は、第２配線層であって、ランド部と配線部とを含んでいる。ビア部は、第２導体層７０のうち、ガラス基板１０に設けられた貫通孔の側壁を被覆した部分と、第１導体層２０のうちガラス基板１０に設けられた貫通孔を覆う部分と接する部分とからなる。
【0044】
第２導体層７０は、多層構造を有している。具体的には、第２導体層７０は、図２に示すように、密着層７２とシード層７３と第２銅層７４とを含んでいる。密着層７２、シード層７３及び第２銅層７４は、ガラス基板１０上に、この順に積層されている。
【0045】
密着層７２は、ガラス基板１０に設けられた貫通孔の側壁、第１導体層２０のうちガラス基板１０に設けられた貫通孔を覆う部分、及び第２面Ｓ２のうち貫通孔の第２面Ｓ２側の開口を取り囲んだ領域を被覆している。密着層７２は、これらの面に対してコンフォーマルである。
【0046】
密着層７２は、シード層７３のガラス基板１０に対する密着性を高める。密着層７２は、チタン、クロム及びニッケルからなる群より選ばれる１以上の材料又はその酸化物からなることが好ましく、チタン又はチタン酸化物からなることがより好ましい。
【0047】
シード層７３は、密着層７２上に設けられている。シード層７３は、密着層７２に対してコンフォーマルである。シード層７３は、電解めっきにおいて給電層としての役割を果たす。シード層７３は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕ、ＡｌＣｕ、ＮｉＦｅ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＺｎＯ、ＰＺＴ、ＴｉＮ、及びＣｕ３Ｎ４からなる群から適宜選ばれる。
【0048】
第２銅層７４は、シード層７３上に設けられている。第２銅層７４は、シード層７３に対してコンフォーマルである。第２銅層７４の厚さは、例えば、２μｍ以上２０μｍ以下の範囲内にある。
【0049】
第２銅層７４は、貫通孔内に設けられた部分と、第２面Ｓ２上に設けられた部分とで、表面粗さが異なる。具体的には、第２銅層７４の、貫通孔内に設けられた部分における算術表面粗さＲａは、１５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内、より具体的には１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の範囲内にある。また、第２銅層７４の貫通孔の側壁に設けられた部分の算術表面粗さＲａは、上記した範囲内で、貫通孔の第２面Ｓ２側から第１面Ｓ１側に向かって大きくなる。第２銅層７４の、第２面Ｓ２上に設けられた部分における算術表面粗さＲａは、１００ｎｍ以下である。なお、「算術表面粗さＲａ」は、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１で規定される表面性状パラメータである。
【0050】
層間絶縁膜８０は、第２面Ｓ２を被覆するとともに、第２導体層７０を埋め込んでいる。層間絶縁膜８０には、第２導体層７０が含むランド部の位置に、貫通孔が設けられている。一例によれば、層間絶縁膜８０は、絶縁樹脂層である。層間絶縁膜８０が含む絶縁性樹脂層には、前述した層間絶縁膜４０が含む絶縁樹脂層について例示した材料を使用することができる。
【0051】
導体層９０は、層間絶縁膜８０上に設けられた導体パターンである。この導体パターンは、層間絶縁膜８０の主面に設けられたパッド部と、層間絶縁膜８０に設けられた貫通孔の側壁を被覆したビア部とを含んでいる。パッド部は、外部接続端子である。ビア部の各々は、第２導体層７０が含むランド部をパッド部へ接続している。
【0052】
導体層９０は、シード層９３と銅層９４とを含んでいる。シード層９３及び銅層９４は、層間絶縁膜８０上に、この順に積層されている。導体層９０は、層間絶縁膜８０とシード層９３との間に密着層を更に含むことができる。導体層９０が含む密着層及びシード層９３には、それぞれ、密着層７２及びシード層７３について例示した材料を使用することができる。シード層９３は省略してもよい。
【0053】
絶縁層１００は、層間絶縁膜８０を少なくとも部分的に被覆するとともに、導体層９０を埋め込んでいる。絶縁層１００には、導体層９０が含むパッド部の位置に貫通孔が設けられている。絶縁層１００は、例えば、ソルダーレジストからなる。
【0054】
＜１．２＞配線基板の製造方法
上記の配線基板１は、例えば、以下の方法により製造することができる。
上記の配線基板１は、例えば、以下の方法により製造することができる。
【0055】
【0056】
＜１．２．１＞第１工程
まず、図３に示すように、第２面Ｓ２に、接着層１４２を介し支持体１４１を貼り合わせる。ガラス基板１０に支持体１４１を貼り合わせるためには、例えば、ラミネータ、真空加圧プレス、減圧貼り合わせ機等を使用することができる。
まず、図３に示すように、第２面Ｓ２に、接着層１４２を介し支持体１４１を貼り合わせる。ガラス基板１０に支持体１４１を貼り合わせるためには、例えば、ラミネータ、真空加圧プレス、減圧貼り合わせ機等を使用することができる。
【0057】
接着層１４２は、ガラス基板１０に対して支持体１４１を仮固定するための接着層である。接着層１４２には、樹脂、又は支持体１４１に形成された官能基が用いられる。樹脂としては、ＵＶ光等の光を吸収して発熱、昇華、又は変質することにより剥離可能となる樹脂、熱によって発泡することにより剥離可能となる樹脂等が挙げられる。一例によれば、接着層１４２は、第２面Ｓ２上に形成された官能基である。接着層１４２として用いられる官能基としては、例えば、水酸基（ヒドロキシル基）が挙げられる。
【0058】
なお、図３乃至図７では、説明の便宜上、接着層１４２を、厚さを有する層状に図示している。しかしながら、接着層１４２として第２面Ｓ２上に形成された官能基が用いられる場合、接着層１４２の厚さは、ガラス基板１０及び支持体１４１と比較して無視できるほど小さい。このため、接着層１４２は、ガラス基板１０と支持体１４１との間の界面と表現することもできる。この場合、支持体１４１は、ガラス基板１０と直接貼り合わされているとも表現することもできる。
【0059】
支持体１４１は、第１支持体であり、薄板状のキャリアである。接着性の観点から、支持体１４１は、ガラス基板１０と同一の材料で構成されることが望ましい。即ち、ガラス基板１０が無アルカリガラスである場合、支持体１４１も無アルカリガラスであることが好ましい。支持体１４１の厚さは、ガラス基板１０の厚さに応じて適宜設定して構わない。支持体１４１の厚さは、ガラス基板１０の搬送性を鑑み、３００μｍ以上、１５００μｍ以下の範囲内にあることが好ましい。
【0060】
一例によれば、貼り合わせられたガラス基板１０、接着層１４２、及び支持体１４１を含む積層構造体として、日本電気硝子社製 Ｇｌａｓｓ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ（ＧＯＧ）を使用する。この場合、支持体１４１はガラスであり、接着層１４２は水酸基（ヒドロキシル基）及び複数の官能基を含む。
【0061】
＜１．２．２＞第２工程
次に、ガラス基板１０に対してレーザ光を照射して、ガラス基板１０に１以上の改質部１１を形成する。レーザ光の照射方向は、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けた方向でもよいし、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１へ向けた方向でもよい。改質部１１は、例えば、レーザ照射によって加熱されることにより、レーザ光未照射部との間で結晶性等に相違を生じた部分である。改質部１１は、ガラス基板１０に形成される予定の貫通孔に対応した位置に形成される。改質部１１は、例えば、第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２と交差する方向に延びる。図４に示すように、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２に向かってレーザ光が照射される場合、改質部１１は、接着層１４２及び支持体１４１まで到達するように形成されてもよい。
次に、ガラス基板１０に対してレーザ光を照射して、ガラス基板１０に１以上の改質部１１を形成する。レーザ光の照射方向は、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２へ向けた方向でもよいし、第２面Ｓ２から第１面Ｓ１へ向けた方向でもよい。改質部１１は、例えば、レーザ照射によって加熱されることにより、レーザ光未照射部との間で結晶性等に相違を生じた部分である。改質部１１は、ガラス基板１０に形成される予定の貫通孔に対応した位置に形成される。改質部１１は、例えば、第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２と交差する方向に延びる。図４に示すように、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２に向かってレーザ光が照射される場合、改質部１１は、接着層１４２及び支持体１４１まで到達するように形成されてもよい。
【0062】
ここで用いるレーザ光の波長は、５３５ｎｍ以下である。レーザ光の好ましい波長は、３５５ｎｍ以上、５３５ｎｍ以下である。レーザ光の波長を３５５ｎｍ未満とすると、十分なレーザ出力を得ることが難しく、安定的なレーザ改質が難しくなるおそれがある。一方、レーザ光の波長を５３５ｎｍより大きくすると、照射スポットが大きくなり、小範囲のレーザ改質が難しくなる。また、熱の影響により、マイクロクラックが発生し、ガラス基板１０が割れやすくなる。
【0063】
パルスレーザを用いる場合、レーザパルス幅はピコ秒からフェムト秒の範囲内にあることが望ましい。レーザパルス幅がナノ秒以上になると、１パルス当たりのエネルギー量の制御が困難となり、マイクロクラックが発生して、ガラス基板１０が割れやすくなる。
【0064】
レーザパルスのエネルギーは、ガラスの組成や、どのようなレーザ改質を生じさせるかに応じて好ましい値が選択され、５μＪ以上、１５０μＪ以下の範囲内にあることが好ましい。レーザパルスのエネルギーを増加させることで、それに比例するように改質部１１の長さを大きくすることが可能となる。
【0065】
＜１．２．３＞第３工程
次に、図５に示すように、改質部１１を覆うように、第１面Ｓ１上に第１導体層２０が形成される。
次に、図５に示すように、改質部１１を覆うように、第１面Ｓ１上に第１導体層２０が形成される。
【0066】
例えば、まず、第１面Ｓ１上に、耐弗酸金属層２１及びシード層２３をこの順に形成する。ここでは、耐弗酸金属層２１及びシード層２３の各々は、連続膜として形成する。耐弗酸金属層２１は、例えば、スパッタリングにより形成する。シード層２３は、例えば、スパッタリング又は無電解めっきにより形成する。シード層２３を形成するのに先立ち、耐弗酸金属層２１上に、図２に示す密着層２２を形成してもよい。密着層２２は、例えば、スパッタリング又は無電解めっきにより、連続膜として形成する。密着層２２を形成すると、耐弗酸金属層２１とシード層２３との間の密着性が向上する。
【0067】
次に、シード層２３上に、絶縁体からなり、第１銅層２４に対応した位置で開口したマスクパターンを形成する。マスクパターンは、例えば、シード層２３上にフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層へのパターン露光及び現像を行うことにより形成する。一例によれば、昭和電工マテリアルズ社製のドライフォトレジストであるＲＤ１２２５をシード層２３へラミネートし、このドライフォトレジストへのパターン露光及び現像を順次行うことにより、樹脂からなるマスクパターンを得る。
【0068】
続いて、シード層２３を給電層として用いた電解銅めっきを行う。これにより、マスクパターンの開口部の位置でシード層２３上に銅を堆積させて、図５に示す第１銅層２４を得る。
【0069】
その後、マスクパターンを除去する。例えば、ドライフィルムレジストを溶解剥離する。次いで、第１銅層２４とガラス基板１０とを含んだ複合体の第１銅層２４側の面全体を、シード層２３の露出部が除去されるまでエッチングする。また、シード層２３と耐弗酸金属層２１との間に密着層２２が存在している場合には、この複合体の第１銅層２４側の面全体を、密着層２２のうち、シード層２３の露出部を除去することによって露出した部分も除去されるまで更にエッチングする。そして、第１銅層２４とガラス基板１０とを含んだ複合体の第１銅層２４側の面全体を、耐弗酸金属層２１の露出部が除去されるまでエッチングする。
【0070】
以上のようにして、図５に示す第１導体層２０を得る。なお、第１導体層２０は、上記の通り、ランド部と配線部とを含んでいる。
【0071】
その後、ガラス基板１０の第１導体層２０が設けられた面に、層間絶縁膜４０を設ける。液状樹脂の場合、層間絶縁膜４０は、スピンコート法により形成される。フィルム状樹脂の場合、層間絶縁膜４０は、真空ラミネータを用いて真空下で加熱及び加圧することにより形成される。一例によれば、層間絶縁膜４０として、味の素ファインテクノ社製の絶縁樹脂フィルムであるＡＢＦ－ＧＸＴ３１（３２．５μｍ厚）を上記の面へラミネートし、これをプリキュアする。
【0072】
＜１．２．４＞第４工程
次に、図６に示すように、ガラス基板１０と層間絶縁膜４０とを含んだ複合体を、支持体１４３に支持させる。ここでは、上記複合体の層間絶縁膜４０が支持体１４３と向き合うように、上記複合体と支持体１４３とを接着層１４４を介して貼り合わせる。
次に、図６に示すように、ガラス基板１０と層間絶縁膜４０とを含んだ複合体を、支持体１４３に支持させる。ここでは、上記複合体の層間絶縁膜４０が支持体１４３と向き合うように、上記複合体と支持体１４３とを接着層１４４を介して貼り合わせる。
【0073】
接着層１４４には、樹脂、又は支持体１４３に形成された官能基が用いられる。樹脂としては、ＵＶ光等の光を吸収して発熱、昇華、又は変質することにより剥離可能となる樹脂、熱によって発泡することにより剥離可能となる樹脂等が挙げられる。接着層１４４は、接着層１４２とは異なる材料で構成されることが好ましい。一例によれば、接着層１４４として、日東電工社製のリバアルファ（登録商標）が使用される。
【0074】
支持体１４３は、第２支持体であり、薄板状のキャリアである。支持体１４３は、ガラス基板１０と同一の材料で構成されることが望ましい。即ち、ガラス基板１０が無アルカリガラスである場合、支持体１４３も無アルカリガラスであることが好ましい。支持体１４３の厚さは、ガラス基板１０の厚さに応じて適宜設定して構わない。支持体１４３の厚さは、ガラス基板１０の搬送性を鑑み、３００μｍ以上、１５００μｍ以下の範囲内にあることが好ましい。
【0075】
＜１．２．５＞第５工程
次に、図７に示すように、ガラス基板１０から接着層１４２及び支持体１４１を分離させる。ガラス基板１０からの接着層１４２及び支持体１４１の分離に際しては、接着層１４２に使用した材料に応じて、ＵＶ光の照射、加熱処理、物理剥離等から適宜剥離方式を選択することとなる。接着層１４２及び支持体１４１の剥離処理後に、ガラス基板１０に接着層１４２の残差が生じる場合、プラズマ洗浄、超音波洗浄、水洗浄、及びアルコールを使用した溶剤洗浄等を行ってもよい。
次に、図７に示すように、ガラス基板１０から接着層１４２及び支持体１４１を分離させる。ガラス基板１０からの接着層１４２及び支持体１４１の分離に際しては、接着層１４２に使用した材料に応じて、ＵＶ光の照射、加熱処理、物理剥離等から適宜剥離方式を選択することとなる。接着層１４２及び支持体１４１の剥離処理後に、ガラス基板１０に接着層１４２の残差が生じる場合、プラズマ洗浄、超音波洗浄、水洗浄、及びアルコールを使用した溶剤洗浄等を行ってもよい。
【0076】
＜１．２．６＞第６工程
次に、接着層１４２及び支持体１４１を剥離させたガラス基板１０の第２面Ｓ２を、弗化水素を含んだエッチング液でエッチングする。これにより、図８に示すように、第２面Ｓ２を後退させるとともに、改質部１１の位置に貫通孔１２をそれぞれ形成する。ガラス基板１０のうち、改質部１１は、他の部分と比較して、エッチングレートが高い。従って、当該エッチング処理によって、ガラス基板１０の薄板化と貫通孔１２の形成とを同時に達成できる。
次に、接着層１４２及び支持体１４１を剥離させたガラス基板１０の第２面Ｓ２を、弗化水素を含んだエッチング液でエッチングする。これにより、図８に示すように、第２面Ｓ２を後退させるとともに、改質部１１の位置に貫通孔１２をそれぞれ形成する。ガラス基板１０のうち、改質部１１は、他の部分と比較して、エッチングレートが高い。従って、当該エッチング処理によって、ガラス基板１０の薄板化と貫通孔１２の形成とを同時に達成できる。
【0077】
当該エッチング処理によるエッチング量は、ガラス基板１０の厚さに応じて、適宜設定される。例えば、エッチング処理前のガラス基板１０の厚さが２００μｍである場合、ガラス基板１０のエッチング量は、５０μｍ以上、１７５μｍ以下の範囲内であることが好ましい。これにより、エッチング処理後のガラス基板１０の厚さは、２５μｍ以上、１５０μｍ以下の範囲内とすることができる。
【0078】
なお、当該エッチング処理において、耐弗酸金属層２１は、エッチングストッパ膜としての役割を果たす。また、上記のエッチングによって得られる貫通孔１２は、図８では、第２面Ｓ２側の径（又は断面積）が第１面Ｓ１側の径（又は断面積）よりも大きい円錐台形状を有している。
【0079】
弗化水素を含んだエッチング液は、例えば、弗化水素水溶液である。エッチング液は、硝酸、塩酸及び硫酸からなる群から選ばれる１種以上の無機酸を更に含むことができる。
【0080】
エッチング液の弗化水素濃度は、例えば１.０質量％以上６.０質量％以下の範囲内にあり、好ましくは２.０質量％以上５.０質量％以下の範囲内にある。無機酸濃度は、例えば１.０質量％以上２０.０質量％以下の範囲内にあり、好ましくは３.０質量％以上１６.０質量％以下の範囲内にある。各成分の濃度を上記範囲内に設定したエッチング液を使用して、１．０μｍ／ｍｉｎ以下のエッチングレートでエッチング処理を行うことが望ましい。エッチング処理の際のエッチング液の温度は、１０℃以上４０℃以下の範囲内とすることが望ましい。
【0081】
＜１．２．７＞第７工程
その後、図２に示す密着層７２を形成する。ここでは、密着層７２は、貫通孔１２の側壁及び第２面Ｓ２を被覆した連続膜として形成する。密着層７２は、例えば、スパッタリング又は無電解めっきにより、連続膜として形成する。
その後、図２に示す密着層７２を形成する。ここでは、密着層７２は、貫通孔１２の側壁及び第２面Ｓ２を被覆した連続膜として形成する。密着層７２は、例えば、スパッタリング又は無電解めっきにより、連続膜として形成する。
【0082】
次いで、密着層７２上に、図９に示すシード層７３を形成する。シード層７３は、例えば、スパッタリング又は無電解めっきにより、連続膜として形成する。
【0083】
次に、図９に示すように、シード層７３上に第２銅層７４を形成する。
【0084】
例えば、先ず、シード層７３上に、絶縁体からなり、第２銅層７４に対応した位置で開口したマスクパターンを形成する。マスクパターンは、例えば、シード層７３上にフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層へのパターン露光及び現像を行うことにより形成する。一例によれば、昭和電工マテリアルズ社製のドライフォトレジストであるＲＤ１２２５をシード層７３へラミネートし、このドライフォトレジストへのパターン露光及び現像を順次行うことにより、樹脂からなるマスクパターンを得る。
【0085】
続いて、シード層７３を給電層として用いた電解銅めっきを行う。これにより、マスクパターンの開口部の位置でシード層７３上に銅を堆積させて、図９に示す第２銅層７４を得る。
【0086】
この電解銅めっきは、例えば、不溶性アノード電極を用い、噴流攪拌方式の電解めっき装置にて、電流密度１．０ＡＳＤ～２．０ＡＳＤ、噴流量１０Ｌ／（ｍｉｎ・ｍ２）～３０Ｌ／（ｍｉｎ・ｍ２）の条件にて、硫酸銅電解Ｃｕめっき液を用いて実行される。硫酸銅電解Ｃｕめっき液は、ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ８０ｇ／Ｌ～２００ｇ／Ｌ、Ｈ２ＳＯ４ ２０ｇ／Ｌ～２００ｇ／Ｌ、添加剤として促進剤 ３ｍｇ／Ｌ～６ｍｇ／Ｌ、抑制剤 ０．１ｍｇ／Ｌ～５ｍｇ／Ｌ、ＨＣｌ ５ｐｐｍ～３０ｐｐｍ、及びレベラー ０．５ｍｇ／Ｌ～２ｍｇ／Ｌを含む。また、めっき液が噴出するノズルからガラス基板１０までの距離は、５０ｍｍ～１５０ｍｍである。このような条件で電解銅めっきを行うことで、貫通孔１２内部と第２面Ｓ２とでめっき液の循環速度に差が生じ、めっきの結晶性、粗さが貫通孔１２内部と第２面Ｓ２とで異なる仕上がりとなる。具体的には、貫通孔１２の側壁に設けられる第２銅層７４の算術表面粗さＲａが、第２面Ｓ２に設けられる第２銅層７４の算術表面粗さＲａよりも大きくなる。また、第２銅層７４の貫通孔の側壁に設けられた部分の算術表面粗さＲａは、貫通孔の第２面Ｓ２側から第１面Ｓ１側に向かって大きくなる。
【0087】
その後、マスクパターンを除去する。例えば、ドライフィルムレジストを溶解剥離する。次いで、第２銅層７４とガラス基板１０とを含んだ複合体の第２銅層７４側の面全体をエッチングして、シード層７３の露出部を除去する。続いて、上記複合体の第２銅層７４側の面全体を、密着層７２のうち、シード層７３の露出部を除去することによって露出した部分が除去されるまで更にエッチングする。
【0088】
以上のようにして、図９に示す第２導体層７０を得る。なお、第２導体層７０は、上記の通り、ランド部と配線部とを含んでいる。また、貫通孔１２の側壁に設けられる第２銅層７４の算術表面粗さＲａは、１５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下となる。かつ、第２面Ｓ２に設けられる第２銅層７４の算術表面粗さＲａは、１００ｎｍ以下となる。
【0089】
＜１．２．８＞第８工程
次いで、図１０に示すように、第２導体層７０及びガラス基板１０を含んだ複合体の第２導体層７０側の面に、層間絶縁膜８０を設ける。液状樹脂の場合、層間絶縁膜８０は、スピンコート法により形成される。フィルム状樹脂の場合、層間絶縁膜８０は、真空ラミネータを用いて真空下で加熱及び加圧することにより形成される。一例によれば、層間絶縁膜８０として、味の素ファインテクノ社製の絶縁樹脂フィルムであるＡＢＦ－ＧＸＴ３１（３２．５μｍ厚）を上記の面へラミネートし、これをプリキュアする。
次いで、図１０に示すように、第２導体層７０及びガラス基板１０を含んだ複合体の第２導体層７０側の面に、層間絶縁膜８０を設ける。液状樹脂の場合、層間絶縁膜８０は、スピンコート法により形成される。フィルム状樹脂の場合、層間絶縁膜８０は、真空ラミネータを用いて真空下で加熱及び加圧することにより形成される。一例によれば、層間絶縁膜８０として、味の素ファインテクノ社製の絶縁樹脂フィルムであるＡＢＦ－ＧＸＴ３１（３２．５μｍ厚）を上記の面へラミネートし、これをプリキュアする。
【0090】
＜１．２．９＞第９工程
次に、図１１に示すように、ガラス基板１０から接着層１４４及び支持体１４３を分離させる。ガラス基板１０からの接着層１４４及び支持体１４３の分離に際しては、接着層１４４に使用した材料に応じて、ＵＶ光の照射、加熱処理、物理剥離等から適宜剥離方式を選択することとなる。接着層１４４及び支持体１４３の剥離処理後に、ガラス基板１０に接着層１４４の残差が生じる場合、プラズマ洗浄、超音波洗浄、水洗浄、及びアルコールを使用した溶剤洗浄等を行ってもよい。
次に、図１１に示すように、ガラス基板１０から接着層１４４及び支持体１４３を分離させる。ガラス基板１０からの接着層１４４及び支持体１４３の分離に際しては、接着層１４４に使用した材料に応じて、ＵＶ光の照射、加熱処理、物理剥離等から適宜剥離方式を選択することとなる。接着層１４４及び支持体１４３の剥離処理後に、ガラス基板１０に接着層１４４の残差が生じる場合、プラズマ洗浄、超音波洗浄、水洗浄、及びアルコールを使用した溶剤洗浄等を行ってもよい。
【0091】
＜１．２．１０＞第１０工程
次いで、レーザ加工によって層間絶縁膜４０にブラインドビアを形成する。その後、デスミア処理を実施して、レーザ加工によって発生した残渣を除去する。なお、ブラインドビアの形成に用いられるレーザは、改質部１１の形成に用いられるレーザとは異なっていてもよい。例えば、ブラインドビアの形成には、炭酸ガスレーザ、ＵＶ－ＹＡＧレーザ等のパルスレーザを用いることが好ましい。パルスレーザを用いる場合、レーザパルス幅は、マイクロ秒の範囲内にあることが好ましい。
次いで、レーザ加工によって層間絶縁膜４０にブラインドビアを形成する。その後、デスミア処理を実施して、レーザ加工によって発生した残渣を除去する。なお、ブラインドビアの形成に用いられるレーザは、改質部１１の形成に用いられるレーザとは異なっていてもよい。例えば、ブラインドビアの形成には、炭酸ガスレーザ、ＵＶ－ＹＡＧレーザ等のパルスレーザを用いることが好ましい。パルスレーザを用いる場合、レーザパルス幅は、マイクロ秒の範囲内にあることが好ましい。
【0092】
次いで、スパッタリング又は無電解めっきにより、シード層５３を形成する。ここでは、シード層５３は、層間絶縁膜４０の上面、これに設けられた貫通孔の側壁、及び、第１導体層２０のうちこれら貫通孔の位置で露出した部分を被覆するように形成する。
【0093】
次に、シード層５３上に、絶縁体からなり、銅層５４に対応した位置で開口したマスクパターンを形成する。マスクパターンは、例えば、シード層５３上にフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層へのパターン露光及び現像を行うことにより形成する。一例によれば、昭和電工マテリアルズ社製のドライフィルムレジストであるＲＤ１２２５をシード層５３へラミネートし、このドライフィルムレジストへのパターン露光及び現像を順次行うことにより、樹脂からなるマスクパターンを得る。
【0094】
続いて、シード層５３を給電層として用いた電解銅めっきを行う。これにより、マスクパターンの開口部の位置でシード層５３上に銅を堆積させて、図１に示す銅層５４を得る。
【0095】
その後、マスクパターンを除去する。例えば、ドライフィルムレジストを溶解剥離する。次いで、銅層５４とガラス基板１０とを含んだ複合体の銅層５４側の面全体を、シード層５３の露出部が除去されるまでエッチングする。以上のようにして、導体層５０を得る。
【0096】
次いで、層間絶縁膜４０上に、図１に示す絶縁層６０を設ける。例えば、層間絶縁膜４０上にソルダーレジストを設け、フォトリソグラフィ法などを用いてこれをパターニングする。
【0097】
反対側の面についても同様の処理を実施し、導体層９０及び絶縁層１００を得る。
【0098】
以上のようにして、図１に示す配線基板１を得る。
【0099】
＜１．３＞第１実施形態に係る効果
銅層と樹脂との密着性を確保するには、銅層の表面粗さが大きいことが好ましい。しかし、銅層の表面粗さが大きくなると、高周波信号の伝送に影響を及ぼし得る。
銅層と樹脂との密着性を確保するには、銅層の表面粗さが大きいことが好ましい。しかし、銅層の表面粗さが大きくなると、高周波信号の伝送に影響を及ぼし得る。
【0100】
第１実施形態によれば、めっき液の噴流量を１０Ｌ／（ｍｉｎ・ｍ２）～３０Ｌ／（ｍｉｎ・ｍ２）に抑えた電解銅めっきにおいて、第２銅層７４が設けられる。これにより、第２銅層７４のうち貫通孔１２内に設けられる部分の表面粗さが、第２銅層７４のうち第２面Ｓ２に設けられる部分の表面粗さよりも大きくなる。このため、貫通孔１２内において、第２銅層７４と層間絶縁膜８０との密着性を確保することができる。また、表面粗さが大きい部分は貫通孔１２の内部に限られるため、第２面Ｓ２に設けられる部分を含めた第２銅層７４全体の表面粗さを大きくする場合と比べて、高周波信号の伝送に及ぼす影響が抑制される。従って、上述した製造方法によると、高周波信号の伝送に及ぼす影響を抑制しつつ、高い信頼性を達成可能である。
【0101】
また、第１実施形態によれば、第２銅層７４の表面粗さを第２面Ｓ２上と貫通孔１２内部とで異ならせない場合から電解銅めっきの条件を変更することで、貫通孔１２の側壁と第２面Ｓ２とに、表面粗さの異なる第２銅層７４をそれぞれ設けることができる。つまり、第２銅層７４の表面粗さを第２面Ｓ２上と貫通孔１２内部とで異ならせない場合に対して追加の工程を要さずに、高い信頼性を達成できる。
【0102】
＜２＞第２実施形態
本発明の第２実施形態は、第１実施形態に対して、腐食防止膜を用いて、貫通孔の側壁に設けられた銅層と樹脂との密着性を確保する点が異なる。第２実施形態について、第１実施形態と異なる点を説明する。
本発明の第２実施形態は、第１実施形態に対して、腐食防止膜を用いて、貫通孔の側壁に設けられた銅層と樹脂との密着性を確保する点が異なる。第２実施形態について、第１実施形態と異なる点を説明する。
【0103】
＜２．１＞配線基板の構成
図１２は、第２実施形態に係る配線基板の一部を拡大して示す断面図である。
図１２は、第２実施形態に係る配線基板の一部を拡大して示す断面図である。
【0104】
配線基板１は、腐食防止膜１１０をさらに含んでいる。
【0105】
第２銅層７４は、ガラス基板１０に設けられた貫通孔のうち側壁に設けられた部分と、第２面Ｓ２上に設けられた部分及びガラス基板１０に設けられた貫通孔のうち第１面Ｓ１側に設けられた部分とで、表面粗さが異なる。具体的には、第２銅層７４の、貫通孔の側壁に設けられた部分における算術表面粗さＲａは、１５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、より具体的には３００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内にある。また、第２銅層７４の貫通孔の側壁に設けられた部分の算術表面粗さＲａは、上記した範囲内で、貫通孔の第１面Ｓ１側から第２面Ｓ２側に向かって大きくなる。第２銅層７４の、第２面Ｓ２上に設けられた部分及びガラス基板１０に設けられた貫通孔のうち第１面Ｓ１側に設けられた部分における算術表面粗さＲａは、１００ｎｍ以下である。
【0106】
第２銅層７４は貫通孔の側壁において複数の凸部を有する。複数の凸部は側壁全体にわたって点在している。複数の凸部における第２銅層７４の膜厚は、貫通孔の側壁上の凸部以外の部分における第２銅層７４の膜厚よりも大きい。第２銅層７４の凸部は、第１面Ｓ１側の面には設けられない。
【0107】
腐食防止膜１１０は、貫通孔の内部かつ第２銅層７４上に設けられる。腐食防止膜１１０のうち貫通孔の第１面Ｓ１側の面を覆う部分は、連続膜として設けられる。腐食防止膜１１０のうち貫通孔の側壁上に設けられた部分は、第２銅層７４の凸部上に点在している。言い換えると、腐食防止膜１１０は、貫通孔の側壁において、第２銅層７４の凸部以外の部分で開口している。すなわち、腐食防止膜１１０は、貫通孔の側壁部分において不連続部を有する。腐食防止膜１１０は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ等の無機材料を含む。
【0108】
層間絶縁膜８０は、第２面Ｓ２を被覆するとともに、第２導体層７０及び腐食防止膜１１０を埋め込んでいる。層間絶縁膜８０には、第２導体層７０が含むランド部の位置に、貫通孔が設けられている。一例によれば、層間絶縁膜８０は、絶縁樹脂層である。層間絶縁膜８０が含む絶縁性樹脂層には、前述した層間絶縁膜４０が含む絶縁樹脂層について例示した材料を使用することができる。
【0109】
その他の構成は、第１実施形態と同様である。
【0110】
【0111】
【0112】
＜２．２．１＞第１乃至第６工程
まず、第１乃至第６工程を順次実施する。これにより、図８に示す構造を得る。
まず、第１乃至第６工程を順次実施する。これにより、図８に示す構造を得る。
【0113】
＜２．２．２＞第１１工程
その後、図２に示す密着層７２を形成する。ここでは、密着層７２は、貫通孔１２の側壁及び第２面Ｓ２を被覆した連続膜として形成する。密着層７２は、例えば、スパッタリング又は無電解めっきにより、連続膜として形成する。
その後、図２に示す密着層７２を形成する。ここでは、密着層７２は、貫通孔１２の側壁及び第２面Ｓ２を被覆した連続膜として形成する。密着層７２は、例えば、スパッタリング又は無電解めっきにより、連続膜として形成する。
【0114】
次いで、密着層７２上に、図９に示すシード層７３を形成する。シード層７３は、例えば、スパッタリング又は無電解めっきにより、連続膜として形成する。
【0115】
次に、図９に示すように、シード層７３上に第２銅層７４を形成する。
【0116】
例えば、先ず、シード層７３上に、絶縁体からなり、第２銅層７４に対応した位置で開口したマスクパターンを形成する。マスクパターンは、例えば、シード層７３上にフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層へのパターン露光及び現像を行うことにより形成する。一例によれば、昭和電工マテリアルズ社製のドライフォトレジストであるＲＤ１２２５をシード層７３へラミネートし、このドライフォトレジストへのパターン露光及び現像を順次行うことにより、樹脂からなるマスクパターンを得る。
【0117】
続いて、シード層７３を給電層として用いた電解銅めっきを行う。これにより、マスクパターンの開口部の位置でシード層７３上に銅を堆積させて、図９に示す第２銅層７４を得る。
【0118】
この電解銅めっきは、貫通孔の側壁に設けられる第２銅層７４の表面粗さを制御する必要は無く、第２面Ｓ２に設けられる第２銅層７４の算術表面粗さＲａが１００ｎｍ以下となる方法の中から、生産性に優れた方法を選択すればよい。
【0119】
その後、マスクパターンを除去する。例えば、ドライフィルムレジストを溶解剥離する。
【0120】
＜２．２．３＞第１２工程
次に、図１３に示すように、貫通孔内に腐食防止膜１１０を形成する。
次に、図１３に示すように、貫通孔内に腐食防止膜１１０を形成する。
【0121】
例えば、まず、第２面Ｓ２上に、貫通孔に対応した位置で開口したマスクパターンを形成する。マスクパターンは、例えば、第２面Ｓ２上にフォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層へのパターン露光及び現像を行うことにより形成する。
【0122】
続いて、図１３に示す腐食防止膜１１０を形成する。腐食防止膜１１０は、例えば、プラズマＣＶＤ又はスパッタリングによって１０ｎｍ～５０ｎｍ程度形成される。腐食防止膜１１０は、不連続部を含むように形成される。より詳細には、腐食防止膜１１０は、貫通孔の側壁において、成膜された部分と成膜されなかった部分とが入り交じった状態となる。
【0123】
その後、マスクパターンを除去する。
【0124】
以上のようにして、図１３に示す腐食防止膜１１０を得る。このように、無機材料をドライプロセスにて極めて薄く成膜することで、少なくとも１以上の開口部を有した無機膜である腐食防止膜１１０が形成できる。
【0125】
＜２．２．４＞第１３工程
次いで、第２銅層７４と腐食防止膜１１０とガラス基板１０とを含んだ複合体の第２銅層７４側の面全体をエッチングして、シード層７３の露出部を除去する。続いて、上記複合体の第２銅層７４側の面全体を、密着層７２のうち、シード層７３の露出部を除去することによって露出した部分が除去されるまで更にエッチングする。
次いで、第２銅層７４と腐食防止膜１１０とガラス基板１０とを含んだ複合体の第２銅層７４側の面全体をエッチングして、シード層７３の露出部を除去する。続いて、上記複合体の第２銅層７４側の面全体を、密着層７２のうち、シード層７３の露出部を除去することによって露出した部分が除去されるまで更にエッチングする。
【0126】
シード層７３がＣｕを用いている場合、このエッチングにより、第２銅層７４も同時にエッチングされる。このとき、第２銅層７４の腐食防止膜１１０に覆われた部分はエッチングが抑制される。これにより、第２銅層７４の腐食防止膜１１０に覆われた部分は、第２銅層７４の腐食防止膜１１０に覆われていない部分に対して膜厚が大きい凸部となる。このため、貫通孔１２の側壁に設けられた第２銅層７４の表面が粗くなる。以上のようにして、図１４に示す第２銅層７４を得る。貫通孔１２の側壁に設けられる第２銅層７４の算術表面粗さＲａは、１５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下となる。
【0127】
なお、シード層７３がＣｕを用いていない場合は、Ｃｕエッチング液による処理を、シード層７３を除去する前後いずれかに実施すればよい。Ｃｕエッチング液として、硫酸過水系のエッチング液を用いることで、貫通孔１２の側壁上の第２銅層７４のうち腐食防止膜１１０に覆われていない部分を選択的にエッチングできる。
【0128】
＜２．２．５＞第８乃至第１０工程
さらに、第２導体層７０及びガラス基板１０を含んだ複合体に対して、第８乃至第１０工程を順次実施する。これにより、図１２に示す配線基板１を得る。
さらに、第２導体層７０及びガラス基板１０を含んだ複合体に対して、第８乃至第１０工程を順次実施する。これにより、図１２に示す配線基板１を得る。
【0129】
＜２．３＞第２実施形態に係る効果
第２実施形態によれば、腐食防止膜１１０は、第２銅層７４上に、ドライプロセスによって、１０～５０ｎｍ程度の極めて薄い厚さとなるように形成されることにより、腐食防止膜１１０は、貫通孔１２の側壁上に不連続に点在するように成膜される。そして、以降のエッチング処理により、貫通孔１２の側壁上の第２銅層７４のうち腐食防止膜１１０に覆われていない部分が、選択的にエッチングされる。これにより、第２銅層７４のうち貫通孔１２の側壁に設けられる部分の表面粗さが、第２銅層７４のうち第２面Ｓ２に設けられる部分の表面粗さよりも大きくなる。このため、貫通孔１２の側壁において、第２銅層７４と層間絶縁膜８０との密着性を確保することができる。また、表面粗さが大きい部分は貫通孔１２の側壁に限られるため、第２面Ｓ２に設けられる部分を含めた第２銅層７４全体の表面粗さを大きくする場合と比べて、高周波信号の伝送に及ぼす影響が抑制される。従って、上述した製造方法によると、高周波信号の伝送に及ぼす影響を抑制しつつ、高い信頼性を達成可能である。
第２実施形態によれば、腐食防止膜１１０は、第２銅層７４上に、ドライプロセスによって、１０～５０ｎｍ程度の極めて薄い厚さとなるように形成されることにより、腐食防止膜１１０は、貫通孔１２の側壁上に不連続に点在するように成膜される。そして、以降のエッチング処理により、貫通孔１２の側壁上の第２銅層７４のうち腐食防止膜１１０に覆われていない部分が、選択的にエッチングされる。これにより、第２銅層７４のうち貫通孔１２の側壁に設けられる部分の表面粗さが、第２銅層７４のうち第２面Ｓ２に設けられる部分の表面粗さよりも大きくなる。このため、貫通孔１２の側壁において、第２銅層７４と層間絶縁膜８０との密着性を確保することができる。また、表面粗さが大きい部分は貫通孔１２の側壁に限られるため、第２面Ｓ２に設けられる部分を含めた第２銅層７４全体の表面粗さを大きくする場合と比べて、高周波信号の伝送に及ぼす影響が抑制される。従って、上述した製造方法によると、高周波信号の伝送に及ぼす影響を抑制しつつ、高い信頼性を達成可能である。
【0130】
また、第２実施形態によれば、第２銅層７４の表面粗さを、エッチングの有無によって大きくする。このため、算術表面粗さＲａを１５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲で、１０００ｎｍに近い値まで大きくすることができ、より信頼性に優れた配線基板を提供できる。
【0131】
＜２．４＞変形例
上述した第２実施形態に係る配線基板は、様々な変形が可能である。
上述した第２実施形態に係る配線基板は、様々な変形が可能である。
【0132】
＜２．４．１＞腐食防止膜の形成方法
例えば、腐食防止膜１１０を、第１２工程の代わりに以下の第１４工程によって形成してもよい。
例えば、腐食防止膜１１０を、第１２工程の代わりに以下の第１４工程によって形成してもよい。
【0133】
＜２．２．６＞第１４工程
次に、図１３に示すように、貫通孔内に腐食防止膜１１０を形成する。
次に、図１３に示すように、貫通孔内に腐食防止膜１１０を形成する。
【0134】
例えば、まず、第２面Ｓ２上及び貫通孔内に腐食防止膜１１０を形成する。腐食防止膜１１０は、例えば、プラズマＣＶＤ又はスパッタリングによって１００ｎｍ～１０００ｎｍ程度形成される。
【0135】
次に、第２面Ｓ２全体をドライエッチングして、第２面Ｓ２上に形成された腐食防止膜１１０を除去する。直進性の高いドライエッチングにおいては、貫通孔の側壁に形成された腐食防止膜１１０のエッチングが進みにくい。このため、第２面Ｓ２上の腐食防止膜１１０を十分に除去した上で、貫通孔の側壁に多数の開口部を有した無機膜である腐食防止膜１１０を残留させることができる。
【0136】
以上のようにして、図１３に示す腐食防止膜１１０を得る。
【0137】
＜２．４．２＞腐食防止膜の除去
例えば、腐食防止膜１１０は、第１３工程が完了した後であれば、除去してもよい。図１５は、第２実施形態の変形例に係る配線基板の一部を拡大して示す断面図である。このように、腐食防止膜を除去した場合であっても、信頼性に優れた配線基板を提供できる。
例えば、腐食防止膜１１０は、第１３工程が完了した後であれば、除去してもよい。図１５は、第２実施形態の変形例に係る配線基板の一部を拡大して示す断面図である。このように、腐食防止膜を除去した場合であっても、信頼性に優れた配線基板を提供できる。
【実施例0138】
以下に、本発明に関連して行った試験について記載する。
【0139】
（例１）
図１及び図２を参照しながら説明した配線基板１を製造した。この配線基板１について、配線基板１上のマイクロストリップラインで３０ＧＨｚにおける伝送損失Ｓ２１を測定した。また、－５５℃～１２５℃の範囲で繰り返し熱負荷をかける温度サイクル試験を行い、貫通電極のデイジーチェーンについて断線の有無を確認した。
図１及び図２を参照しながら説明した配線基板１を製造した。この配線基板１について、配線基板１上のマイクロストリップラインで３０ＧＨｚにおける伝送損失Ｓ２１を測定した。また、－５５℃～１２５℃の範囲で繰り返し熱負荷をかける温度サイクル試験を行い、貫通電極のデイジーチェーンについて断線の有無を確認した。
【0140】
（例２）
図１２を参照しながら説明した配線基板１を製造した。この配線基板１についても、例１と同様の方法により、伝送損失Ｓ２１の測定と、温度サイクル試験における断線の有無を確認した。
図１２を参照しながら説明した配線基板１を製造した。この配線基板１についても、例１と同様の方法により、伝送損失Ｓ２１の測定と、温度サイクル試験における断線の有無を確認した。
【0141】
（比較例１）
貫通孔の側壁に設けられた第２銅層７４の算術表面粗さＲａと、第２面Ｓ２に設けられた第２銅層７４の算術表面粗さＲａが、どちらも１００ｎｍ以下になるようにしたこと以外は、例１において製造したのと同様の配線基板を製造した。この配線基板についても、例１と同様の方法により、伝送損失Ｓ２１の測定と、温度サイクル試験における断線の有無を確認した。
貫通孔の側壁に設けられた第２銅層７４の算術表面粗さＲａと、第２面Ｓ２に設けられた第２銅層７４の算術表面粗さＲａが、どちらも１００ｎｍ以下になるようにしたこと以外は、例１において製造したのと同様の配線基板を製造した。この配線基板についても、例１と同様の方法により、伝送損失Ｓ２１の測定と、温度サイクル試験における断線の有無を確認した。
【0142】
（比較例２）
貫通孔の側壁に設けられた第２銅層７４の算術表面粗さＲａと、第２面Ｓ２に設けられた第２銅層７４の算術表面粗さＲａが、どちらも１５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下になるようにしたこと以外は、例１において製造したのと同様の配線基板を製造した。この配線基板についても、例１と同様の方法により、伝送損失Ｓ２１の測定と、温度サイクル試験における断線の有無を確認した。
（結果）
以下の表１に結果を示す。
貫通孔の側壁に設けられた第２銅層７４の算術表面粗さＲａと、第２面Ｓ２に設けられた第２銅層７４の算術表面粗さＲａが、どちらも１５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下になるようにしたこと以外は、例１において製造したのと同様の配線基板を製造した。この配線基板についても、例１と同様の方法により、伝送損失Ｓ２１の測定と、温度サイクル試験における断線の有無を確認した。
（結果）
以下の表１に結果を示す。
【0143】
【表1】
【0144】
表１において、「○」はデイジーチェーンが断線しなかったことを示し、「×」はデイジーチェーンが断線したことを示す。
【0145】
表１に示すように、例１及び例２は、比較例２に比べて、伝送損失Ｓ２１を抑えることができた。また、例１及び例２は、比較例１に比べて、信頼性の低下を抑えることができた。
【符号の説明】
【0146】
１…配線基板、１０…ガラス基板、１１…改質部、１２…貫通孔、２０…第１導体層、２１…耐弗酸金属層、２２…密着層、２３…シード層、２４…第１銅層、４０…層間絶縁膜、５０…導体層、５３…シード層、５４…銅層、６０…絶縁層、７０…第２導体層、７０…導体層、７２…密着層、７３…シード層、７４…第２銅層、８０…絶縁体、８０…層間絶縁膜、９０…導体層、９３…シード層、９４…銅層、１００…絶縁層、１１０…腐食防止膜、１４１…支持体、１４２…接着層、１４３…支持体、１４４…接着層、Ｓ１…第１面、Ｓ２…第２面。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【手続補正書】
【提出日】2023-10-17
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面とその裏面である第２面とを有し、前記第１面から前記第２面まで各々が伸びた１以上の貫通孔が設けられたガラス基板と、
前記１以上の貫通孔の側壁と、前記第２面とに設けられた導体層と、
前記１以上の貫通孔それぞれの内側に設けられた絶縁体と、
を備え、
前記１以上の貫通孔の側壁に設けられた前記導体層の表面粗さは、前記第２面に設けられた前記導体層の表面粗さよりも大きい、配線基板。
前記１以上の貫通孔の側壁と、前記第２面とに設けられた導体層と、
前記１以上の貫通孔それぞれの内側に設けられた絶縁体と、
を備え、
前記１以上の貫通孔の側壁に設けられた前記導体層の表面粗さは、前記第２面に設けられた前記導体層の表面粗さよりも大きい、配線基板。
【請求項2】
前記１以上の貫通孔の側壁に設けられた前記導体層の算術表面粗さＲａは１５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、
請求項１に記載の配線基板。
請求項１に記載の配線基板。
【請求項3】
前記第２面に設けられた前記導体層の算術表面粗さＲａは１００ｎｍ以下である、
請求項２に記載の配線基板。
請求項２に記載の配線基板。
【請求項4】
前記１以上の貫通孔の側壁に設けられた前記導体層と、前記絶縁体との間に設けられた、不連続部を有する腐食防止膜をさらに備える、
請求項１乃至請求項３いずれか１項に記載の配線基板。
請求項１乃至請求項３いずれか１項に記載の配線基板。
【請求項5】
前記１以上の貫通孔の側壁に設けられた前記導体層の表面粗さは、前記第２面側から前記第１面側に向けて大きくなる、請求項１乃至請求項３いずれか１項に記載の配線基板。
【請求項6】
前記１以上の貫通孔の側壁に設けられた前記導体層の表面粗さは、前記第１面側から前記第２面側に向けて大きくなる、請求項４に記載の配線基板。
【請求項7】
第１面とその裏面である第２面とを有するガラス基板の前記第１面上に第１導体層を形成することと、
前記ガラス基板へレーザ光を照射して、前記ガラス基板に１以上の改質部を形成することと、
前記第１導体層が形成された前記ガラス基板の前記第２面をエッチングして、前記１以上の改質部の位置に１以上の貫通孔をそれぞれ形成することと、
前記ガラス基板の前記第２面及び前記１以上の貫通孔の内壁に第２導体層を形成することと、
を備え、
前記１以上の貫通孔の内壁に設けられる前記第２導体層の表面粗さは、前記第２面に設けられる第２導体層の表面粗さよりも大きい、
配線基板の製造方法。
前記ガラス基板へレーザ光を照射して、前記ガラス基板に１以上の改質部を形成することと、
前記第１導体層が形成された前記ガラス基板の前記第２面をエッチングして、前記１以上の改質部の位置に１以上の貫通孔をそれぞれ形成することと、
前記ガラス基板の前記第２面及び前記１以上の貫通孔の内壁に第２導体層を形成することと、
を備え、
前記１以上の貫通孔の内壁に設けられる前記第２導体層の表面粗さは、前記第２面に設けられる第２導体層の表面粗さよりも大きい、
配線基板の製造方法。
【請求項8】
前記第２導体層を形成することは、
前記ガラス基板の前記第２面及び前記１以上の貫通孔の内壁にシード層を設けることと、
電解銅めっきにより前記シード層上に第２導電層を形成することと、
エッチングにより前記シード層のうち不要な部分を除去することと、
を含み、
前記電解銅めっきにおける液流量は、前記１以上の貫通孔内の方が、前記第２面に比べて小さい、請求項７に記載の配線基板の製造方法。
前記ガラス基板の前記第２面及び前記１以上の貫通孔の内壁にシード層を設けることと、
電解銅めっきにより前記シード層上に第２導電層を形成することと、
エッチングにより前記シード層のうち不要な部分を除去することと、
を含み、
前記電解銅めっきにおける液流量は、前記１以上の貫通孔内の方が、前記第２面に比べて小さい、請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項9】
前記第２導体層を形成することは、
前記ガラス基板の前記第２面及び前記１以上の貫通孔の内壁にシード層を設けることと、
電解銅めっきにより前記シード層上に第２導電層を形成することと、
前記第２導電層のうち前記１以上の貫通孔の内壁に設けられた部分上に不連続部を有する腐食防止膜を形成することと、
前記第２導電層を、前記腐食防止膜が形成された部分に対して前記腐食防止膜が形成されていない部分の膜厚が薄くなるようにエッチングすることと、
を含む、
請求項７に記載の配線基板の製造方法。
前記ガラス基板の前記第２面及び前記１以上の貫通孔の内壁にシード層を設けることと、
電解銅めっきにより前記シード層上に第２導電層を形成することと、
前記第２導電層のうち前記１以上の貫通孔の内壁に設けられた部分上に不連続部を有する腐食防止膜を形成することと、
前記第２導電層を、前記腐食防止膜が形成された部分に対して前記腐食防止膜が形成されていない部分の膜厚が薄くなるようにエッチングすることと、
を含む、
請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項10】
前記不連続部を有する腐食防止膜を形成することは、
前記ガラス基板の前記第２面に、前記１以上の貫通孔の位置が開口したマスクを設けることと、
前記１以上の貫通孔の内壁に、前記不連続部を有する腐食防止膜を設けることと、
前記マスクを除去することと、
を含む、
請求項９に記載の配線基板の製造方法。
前記ガラス基板の前記第２面に、前記１以上の貫通孔の位置が開口したマスクを設けることと、
前記１以上の貫通孔の内壁に、前記不連続部を有する腐食防止膜を設けることと、
前記マスクを除去することと、
を含む、
請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項11】
前記不連続部を有する腐食防止膜を形成することは、
前記ガラス基板の前記第２面及び前記１以上の貫通孔の内壁に連続膜である腐食防止膜を設けることと、
ドライエッチングにより前記ガラス基板の前記第２面から前記腐食防止膜を除去すると共に、前記１以上の貫通孔の内壁に前記不連続部を有する腐食防止膜を形成することと、
を含む、
請求項９に記載の配線基板の製造方法。
前記ガラス基板の前記第２面及び前記１以上の貫通孔の内壁に連続膜である腐食防止膜を設けることと、
ドライエッチングにより前記ガラス基板の前記第２面から前記腐食防止膜を除去すると共に、前記１以上の貫通孔の内壁に前記不連続部を有する腐食防止膜を形成することと、
を含む、
請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0021】
本発明の更に他の側面によると、前記不連続部を有する腐食防止膜を形成することは、前記ガラス基板の前記第２面に、前記１以上の貫通孔の位置が開口したマスクを設けることと、前記１以上の貫通孔の内壁に、前記不連続部を有する腐食防止膜を設けることと、前記マスクを除去することと、を含む、上記側面に係る配線基板の製造方法が提供される。