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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024071159
(43)【公開日】2024-05-24
(54)【発明の名称】光学センサ付き液晶表示装置
(51)【国際特許分類】
G02F 1/133 20060101AFI20240517BHJP
G06F 3/041 20060101ALI20240517BHJP
G06F 3/042 20060101ALI20240517BHJP
G06F 3/044 20060101ALI20240517BHJP
G02F 1/1345 20060101ALI20240517BHJP
G02F 1/1333 20060101ALI20240517BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240517BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240517BHJP
【ＦＩ】
G02F1/133 530
G06F3/041 422
G06F3/041 410
G06F3/042 472
G06F3/044 120
G02F1/1345
G02F1/1333
G09F9/30 349Z
G09F9/00 346A
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022181963
(22)【出願日】2022-11-14
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】阿部 裕行
(72)【発明者】
【氏名】齋藤 玲彦
(72)【発明者】
【氏名】山田 哲平
【テーマコード（参考）】
2H092
2H189
2H193
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
2H092GA13
2H092GA21
2H092GA51
2H092GA62
2H092JA24
2H092JB04
2H092JB05
2H092JB23
2H092PA01
2H092PA06
2H092PA09
2H092PA11
2H092PA13
2H189LA02
2H189LA10
2H189LA15
2H189LA17
2H189LA20
2H189LA27
2H189LA31
2H193ZA04
2H193ZF23
2H193ZF42
2H193ZF51
2H193ZG04
2H193ZJ02
2H193ZJ04
2H193ZP01
2H193ZP13
2H193ZP15
5C094AA51
5C094BA03
5C094BA43
5C094CA19
5C094DB02
5G435BB12
5G435EE34
5G435EE40
5G435LL07
(57)【要約】
【課題】 狭額縁化を実現可能な光学センサ付き液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】 一実施形態に係る光学センサ付き液晶表示装置は、表示パネルと、ドライバＩＣと、を備える。表示パネルは、画素を含む表示領域と、表示領域を囲む周辺領域と、周辺領域に設けられる周辺回路と、入射する光に応じた検出信号を出力する光学センサと、を備える。周辺回路は、シフトレジスタと、シフトレジスタと接続し、第１ゲートスイッチおよび第２ゲートスイッチを含むゲートスイッチ群と、を備える。第１ゲートスイッチは、走査線を介して、画素を駆動するためのスイッチング素子に接続される。第２ゲートスイッチは、センサ用走査線を介して、光学センサを駆動するためのセンサ回路に含まれるスイッチング素子に接続される。
【選択図】図２
【解決手段】 一実施形態に係る光学センサ付き液晶表示装置は、表示パネルと、ドライバＩＣと、を備える。表示パネルは、画素を含む表示領域と、表示領域を囲む周辺領域と、周辺領域に設けられる周辺回路と、入射する光に応じた検出信号を出力する光学センサと、を備える。周辺回路は、シフトレジスタと、シフトレジスタと接続し、第１ゲートスイッチおよび第２ゲートスイッチを含むゲートスイッチ群と、を備える。第１ゲートスイッチは、走査線を介して、画素を駆動するためのスイッチング素子に接続される。第２ゲートスイッチは、センサ用走査線を介して、光学センサを駆動するためのセンサ回路に含まれるスイッチング素子に接続される。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に位置する液晶層と、を備える表示パネルと、
ドライバＩＣと、を具備し、
前記表示パネルは、
マトリクス状に配列された複数の画素を含む表示領域と、
前記表示領域を囲む周辺領域と、
前記ドライバＩＣと接続し、前記周辺領域のうち、前記表示領域の左右に位置する領域に設けられる周辺回路と、
前記複数の画素のうちの少なくとも一部に配置され、前記液晶層側から入射する光に応じた検出信号を出力する光電変換素子を備えた光学センサと、を備え、
前記周辺回路は、
シフトレジスタと、
前記シフトレジスタと接続し、第１ゲートスイッチおよび第２ゲートスイッチを含むゲートスイッチ群と、を備え、
前記第１ゲートスイッチは、走査線を介して、前記画素を駆動するためのスイッチング素子に接続され、
前記第２ゲートスイッチは、センサ用走査線を介して、前記光学センサを駆動するためのセンサ回路に含まれるスイッチング素子に接続される、
光学センサ付き液晶表示装置。
ドライバＩＣと、を具備し、
前記表示パネルは、
マトリクス状に配列された複数の画素を含む表示領域と、
前記表示領域を囲む周辺領域と、
前記ドライバＩＣと接続し、前記周辺領域のうち、前記表示領域の左右に位置する領域に設けられる周辺回路と、
前記複数の画素のうちの少なくとも一部に配置され、前記液晶層側から入射する光に応じた検出信号を出力する光電変換素子を備えた光学センサと、を備え、
前記周辺回路は、
シフトレジスタと、
前記シフトレジスタと接続し、第１ゲートスイッチおよび第２ゲートスイッチを含むゲートスイッチ群と、を備え、
前記第１ゲートスイッチは、走査線を介して、前記画素を駆動するためのスイッチング素子に接続され、
前記第２ゲートスイッチは、センサ用走査線を介して、前記光学センサを駆動するためのセンサ回路に含まれるスイッチング素子に接続される、
光学センサ付き液晶表示装置。
【請求項2】
第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に位置する液晶層と、を備える表示パネルと、
ドライバＩＣと、を具備し、
前記表示パネルは、
マトリクス状に配列された複数の画素を含む表示領域と、
前記表示領域を囲む周辺領域と、
前記ドライバＩＣと接続し、前記周辺領域のうち、前記表示領域の左右に位置する領域に設けられる第１周辺回路および第２周辺回路と、
前記複数の画素のうちの少なくとも一部に配置され、前記液晶層側から入射する光に応じた検出信号を出力する光電変換素子を備えた光学センサと、を備え、
前記第１周辺回路および前記第２周辺回路は、
シフトレジスタと、
前記シフトレジスタと接続し、第１ゲートスイッチおよび第２ゲートスイッチを含むゲートスイッチ群と、をそれぞれ備え、
前記各第１ゲートスイッチは、走査線を介して、前記画素を駆動するための第１スイッチング素子に接続され、
前記第１周辺回路に含まれる前記第２ゲートスイッチは、センサ用第１走査線を介して、前記光学センサを駆動するためのセンサ回路に含まれる第２スイッチング素子に接続され、
前記第２周辺回路に含まれる前記第２ゲートスイッチは、センサ用第２走査線を介して、前記光学センサを駆動するためのセンサ回路に含まれる第３スイッチング素子に接続される、
光学センサ付き液晶表示装置。
ドライバＩＣと、を具備し、
前記表示パネルは、
マトリクス状に配列された複数の画素を含む表示領域と、
前記表示領域を囲む周辺領域と、
前記ドライバＩＣと接続し、前記周辺領域のうち、前記表示領域の左右に位置する領域に設けられる第１周辺回路および第２周辺回路と、
前記複数の画素のうちの少なくとも一部に配置され、前記液晶層側から入射する光に応じた検出信号を出力する光電変換素子を備えた光学センサと、を備え、
前記第１周辺回路および前記第２周辺回路は、
シフトレジスタと、
前記シフトレジスタと接続し、第１ゲートスイッチおよび第２ゲートスイッチを含むゲートスイッチ群と、をそれぞれ備え、
前記各第１ゲートスイッチは、走査線を介して、前記画素を駆動するための第１スイッチング素子に接続され、
前記第１周辺回路に含まれる前記第２ゲートスイッチは、センサ用第１走査線を介して、前記光学センサを駆動するためのセンサ回路に含まれる第２スイッチング素子に接続され、
前記第２周辺回路に含まれる前記第２ゲートスイッチは、センサ用第２走査線を介して、前記光学センサを駆動するためのセンサ回路に含まれる第３スイッチング素子に接続される、
光学センサ付き液晶表示装置。
【請求項3】
前記各第１ゲートスイッチは、前記表示領域に画像を表示する第１期間にオンとなり、前記第１スイッチング素子に表示用走査信号を供給し、
前記第１周辺回路に含まれる前記第２ゲートスイッチは、前記光学センサの電位をリセットする第２期間にオンとなり、前記第２スイッチング素子にセンサ用第１走査信号を供給し、
前記第２周辺回路に含まれる前記第２ゲートスイッチは、前記第２期間、および、前記光学センサから前記検出信号を読み出す第３期間にオンとなり、前記第３スイッチング素子にセンサ用第２走査信号を供給する、
請求項２に記載の光学センサ付き液晶表示装置。
前記第１周辺回路に含まれる前記第２ゲートスイッチは、前記光学センサの電位をリセットする第２期間にオンとなり、前記第２スイッチング素子にセンサ用第１走査信号を供給し、
前記第２周辺回路に含まれる前記第２ゲートスイッチは、前記第２期間、および、前記光学センサから前記検出信号を読み出す第３期間にオンとなり、前記第３スイッチング素子にセンサ用第２走査信号を供給する、
請求項２に記載の光学センサ付き液晶表示装置。
【請求項4】
前記各第１ゲートスイッチおよび前記各第２ゲートスイッチは、前記シフトレジスタから出力される制御信号に基づき切替制御される、
請求項３に記載の光学センサ付き液晶表示装置。
請求項３に記載の光学センサ付き液晶表示装置。
【請求項5】
前記各第１ゲートスイッチは、前記表示用走査信号を前記走査線に出力するための第１制御信号を供給する配線に接続され、
前記第１周辺回路に含まれる前記第２ゲートスイッチは、前記センサ用第１走査信号を前記センサ用第１走査線に出力するための第２制御信号を供給する配線に接続され、
前記第２周辺回路に含まれる前記第２ゲートスイッチは、前記センサ用第２走査信号を前記センサ用第２走査線に出力するための第３制御信号を供給する配線に接続され、
前記各第１ゲートスイッチおよび前記各第２ゲートスイッチは、前記第１制御信号、前記第２制御信号および前記第３制御信号より電位の低い低電位電圧を供給する配線にそれぞれ接続される、
請求項３に記載の光学センサ付き液晶表示装置。
前記第１周辺回路に含まれる前記第２ゲートスイッチは、前記センサ用第１走査信号を前記センサ用第１走査線に出力するための第２制御信号を供給する配線に接続され、
前記第２周辺回路に含まれる前記第２ゲートスイッチは、前記センサ用第２走査信号を前記センサ用第２走査線に出力するための第３制御信号を供給する配線に接続され、
前記各第１ゲートスイッチおよび前記各第２ゲートスイッチは、前記第１制御信号、前記第２制御信号および前記第３制御信号より電位の低い低電位電圧を供給する配線にそれぞれ接続される、
請求項３に記載の光学センサ付き液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、光学センサ付き液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、指紋センサや静脈センサ等、生体情報を検出するセンサが内蔵された液晶表示装置（生体認証装置）が開発されている。この種のセンサとしては、例えば光電変換素子を用いた光学センサが用いられる。光学センサは、例えばバックライト等の光源から発せられ、対象物にて反射された光を検出することで、当該対象物の生体情報を検出する。
【0003】
一般的な液晶表示装置において狭額縁化が要望されるように、このような光学センサ付き液晶表示装置においても、狭額縁化の要望がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】米国特許出願公開第２０２０／０２６５２０７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本開示は、狭額縁化を実現可能な光学センサ付き液晶表示装置を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
一実施形態に係る光学センサ付き液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に位置する液晶層と、を備える表示パネルと、ドライバＩＣと、を具備する。前記表示パネルは、マトリクス状に配列された複数の画素を含む表示領域と、前記表示領域を囲む周辺領域と、前記ドライバＩＣと接続し、前記周辺領域のうち、前記表示領域の左右に位置する領域に設けられる周辺回路と、前記複数の画素のうちの少なくとも一部に配置され、前記液晶層側から入射する光に応じた検出信号を出力する光電変換素子を備えた光学センサと、を備える。前記周辺回路は、シフトレジスタと、前記シフトレジスタと接続し、第１ゲートスイッチおよび第２ゲートスイッチを含むゲートスイッチ群と、を備える。前記第１ゲートスイッチは、走査線を介して、前記画素を駆動するためのスイッチング素子に接続される。前記第２ゲートスイッチは、センサ用走査線を介して、前記光学センサを駆動するためのセンサ回路に含まれるスイッチング素子に接続される。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照して、実施形態について説明する。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の趣旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実施の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の趣旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実施の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。
【0009】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、および、Ｚ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向をＸ方向または第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向をＹ方向または第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向をＺ方向、第３方向または厚さ方向と称する。Ｘ軸およびＹ軸によって規定される面をＸ－Ｙ平面と称し、Ｘ軸およびＺ軸によって規定される面をＸ－Ｚ平面と称する。Ｘ－Ｙ平面を見ることを平面視という。
【0010】
図１は、一実施形態に係る表示装置ＤＳＰを模式的に示す図である。詳細については後述するが、表示装置ＤＳＰは光学センサ付き液晶表示装置であり、生体認証装置と称されてもよい。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、カバー部材ＣＭと、第１偏光板ＰＬＺ１と、第２偏光板ＰＬＺ２と、照明装置ＩＬとを備えている。
【0011】
表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向する第２基板ＳＵＢ２と、シール材ＳＥと、液晶層ＬＣとを備えている。液晶層ＬＣは、シール材ＳＥにより第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の間に封入されている。本実施形態の表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側からの光を第２基板ＳＵＢ２の上面側に選択的に透過させることで画像を表示する透過型の表示パネルである。
【0012】
第１基板ＳＵＢ１は、光学センサＯＳとコリメート層ＣＬを備えている。光学センサＯＳは、第１基板ＳＵＢ１の主面のうち第２偏光板ＰＬＺ２と対向する主面と、コリメート層ＣＬとの間に位置している。光学センサＯＳは、光電変換素子ＰＣと、光電変換素子ＰＣの下面に配置され金属材料で形成される第１電極Ｅ１と、光電変換素子ＰＣの上面に配置され透明導電材料で形成される第２電極Ｅ２と、を備えている。光電変換素子ＰＣは、例えばフォトダイオードであり、入射する光に応じた検出信号を出力する。光電変換素子ＰＣとしては、ＰＩＮ（Positive Intrinsic Negative）フォトダイオードを用いることができる。なお、光学センサＯＳは、ＰＩＮフォトダイオードに代えて、ＯＰＤ（Organic Photo diode）を用いるものであってもよい。
【0013】
コリメート層ＣＬは、光学センサＯＳと重なる開口ＯＰを有している。コリメート層ＣＬは、例えば金属材料で形成され、遮光性を有している。このようなコリメート層ＣＬは、第１基板ＳＵＢ１だけでなく、第２基板ＳＵＢ２にさらに配置されてもよい。
【0014】
シール材ＳＥは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２を接着している。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の間には、図示しないスペーサによって所定のセルギャップが形成される。液晶層ＬＣは、このセルギャップ内に充填されている。
【0015】
カバー部材ＣＭは、表示パネルＰＮＬの上に設けられている。例えば、カバー部材ＣＭとしてはガラス基板や樹脂基板を用いることができる。カバー部材ＣＭは、光学センサＯＳによる検出の対象物が接触する上面ＵＳＦを有している。なお、本実施形態においては、カバー部材ＣＭの上面ＵＳＦが、光学センサＯＳの上面と平行である場合を想定する。図１の例においては、対象物の一例である指Ｆｇが上面ＵＳＦに接触している。第１偏光板ＰＬＺ１は、表示パネルＰＮＬとカバー部材ＣＭの間に設けられている。
【0016】
照明装置ＩＬは、表示パネルＰＮＬの下に設けられ、第１基板ＳＵＢ１に光Ｌを照射する。照明装置ＩＬは、例えばサイドエッジ型のバックライトであり、プレート状の導光体と、この導光体の側面に光を放つ複数の光源とを備えている。第２偏光板ＰＬＺ２は、表示パネルＰＮＬと照明装置ＩＬの間に設けられている。
【0017】
光Ｌのうち指Ｆｇで反射された反射光は、コリメート層ＣＬに形成された開口ＯＰを通って光学センサＯＳに入射する。すなわち、指Ｆｇで反射された反射光は、光学センサＯＳに入射するまでに、カバー部材ＣＭ、第１偏光板ＰＬＺ１、第２基板ＳＵＢ２、液晶層ＬＣ、さらには第１基板ＳＵＢ１のうち光学センサＯＳより上層に位置する部分を透過する。
【0018】
後述するように、表示パネルＰＮＬは複数の光学センサＯＳを備えており、これら光学センサＯＳが出力する検出信号に基づけば、指Ｆｇの凹凸、つまり指紋を検出することができる。
【0019】
光学センサＯＳは、より正確な検出信号を得るために、上面ＵＳＦの法線方向と平行な入射光を受光することが望ましい。コリメート層ＣＬは、光学センサＯＳに入射する光を平行化するコリメータとして機能する。つまり、コリメート層ＣＬによって上面ＵＳＦの法線方向に対して傾斜した光（換言すると、光学センサＯＳの上面の法線方向に対して傾斜した光）が遮断される。
【0020】
以上のように、表示装置ＤＳＰに光学センサＯＳを搭載することで、表示装置ＤＳＰに指紋センサとしての機能を付加することができる。また、光学センサＯＳは、指紋の検出に加えてあるいは指紋の検出に代えて、生体に関する情報を検出する用途で用いることもできる。生体に関する情報は、例えば、静脈等の血管像や脈拍、脈波等であり、指Ｆｇの内部で反射された光に基づき検出される。
【0021】
図２は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰを概略的に示す平面図である。表示装置ＤＳＰは、上記した表示パネルＰＮＬと、第１フレキシブルプリント回路基板１と、第２フレキシブルプリント回路基板２と、を備えている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む周辺領域ＰＡとを有している。
【0022】
第１基板ＳＵＢ１は、第２基板ＳＵＢ２と重ならない実装領域ＭＡを有している。実装領域ＭＡには、第１フレキシブルプリント回路基板１を実装するための端子部３が設けられる。シール材ＳＥは、周辺領域ＰＡに位置している。図２においては、シール材ＳＥが配置された領域が斜線で示されている。表示領域ＤＡは、シール材ＳＥの内側に位置している。表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。
【0023】
画素ＰＸは、赤色（Ｒ）の光を放つ副画素ＳＰ１と、緑色（Ｇ）の光を放つ副画素ＳＰ２と、青色（Ｂ）の光を放つ副画素ＳＰ３とを含む。なお、画素ＰＸは、赤色、緑色および青色以外の光を放つ副画素を含んでもよい。
【0024】
図２の例においては、各画素ＰＸに対して１つずつ光学センサＯＳが配置されている。より詳しくは、各画素ＰＸに含まれる青色の光を放つ副画素ＳＰ３に対して１つずつ光学センサＯＳが配置されている。表示領域ＤＡ全体では、複数の光学センサＯＳは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に並んでいる。
【0025】
光学センサＯＳは必ずしも全ての画素ＰＸに対して配置される必要はない。例えば、光学センサＯＳは、複数の画素ＰＸに対して１つの割合で配置されてもよい。また、光学センサＯＳは、表示領域ＤＡにおける一部の領域の画素ＰＸに対して配置され、その他の領域の画素ＰＸに対して配置されなくてもよい。
【0026】
周辺領域ＰＡであって、表示領域ＤＡの左右に位置する領域（以下、左右額縁領域と称する）には、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１と、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２とが設けられる。走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１と、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２とは、周辺回路と称されてもよい。本実施形態に係る表示装置ＤＳＰには、いわゆる両側給電方式が採用されており、１つの画素ＰＸに対して、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１と、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２との両方から給電することができる。走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１と、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２とは、ここでは図示しない配線を介して、ドライバＩＣ４と接続されている。なお、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１および走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２の詳細については後述するため、ここではその説明を省略する。
【0027】
第１フレキシブルプリント回路基板１は、実装領域ＭＡに設けられた端子部３に接続されている。第１フレキシブルプリント回路基板１には、ドライバＩＣ４が設けられている。ドライバＩＣ４は、画像を表示するための表示モードに対応した機能と、物体の接近または接触を検出するためのタッチセンシングモードに対応した機能と、光学センサＯＳによる検出動作に対応した機能と、を含む。ドライバＩＣ４は、例えばＡＣＦを用いたＣＯＦ（Chip On Film）によって第１フレキシブルプリント回路基板１に実装されている。
【0028】
第２フレキシブルプリント回路基板２には、コントローラＣＴが設けられている。光学センサＯＳが出力する検出信号は、ドライバＩＣ４を介してコントローラＣＴに出力される。コントローラＣＴは、複数の光学センサＯＳからの検出信号に基づき、指紋を検出するための演算処理等を実行する。なお、指紋を検出するための演算処理等は、ドライバＩＣ４により実行されてもよい。
【0029】
図３は、タッチセンサＴＳの一構成例を示す平面図である。ここでは、自己容量方式のタッチセンサＴＳについて説明するが、タッチセンサＴＳは相互容量方式であってもよい。タッチセンサＴＳは、複数のセンサ電極Ｒｘと、複数のタッチ検出線ＴＬと、を備えている。複数のセンサ電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに位置し、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。１つのセンサ電極Ｒｘは、図２に示した複数の画素ＰＸと平面視において重なり、１つのセンサブロックＢを構成している。センサブロックＢとは、タッチセンシングが可能な最小単位である。複数のタッチ検出線ＴＬは、表示領域ＤＡにおいて、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出し、第１方向Ｘに並んでいる。タッチ検出線ＴＬの各々は、画素ＰＸに映像信号を伝送するための信号線と重なる位置に配置されている。タッチ検出線ＴＬの各々は、対応するセンサ電極Ｒｘと電気的に接続されている。また、タッチ検出線ＴＬの各々は、周辺領域ＰＡに引き出され、第１フレキシブルプリント回路基板１を介してドライバＩＣ４と電気的に接続されている。
【0030】
タッチセンシングモードにおいては、センサ電極Ｒｘにはタッチ駆動電圧が印加され、センサ電極Ｒｘでのセンシングが行われる。センサ電極Ｒｘでのセンシング結果に対応したセンサ信号は、タッチ検出線ＴＬを介してドライバＩＣ４に出力される。ドライバＩＣ４あるいはコントローラＣＴは、センサ信号に基づいて、物体の接近または接触の有無、および、接近または接触している物体の位置座標を検出する。
【0031】
表示モードにおいては、センサ電極Ｒｘにはコモン電圧（Ｖｃｏｍ）が印加され、センサ電極Ｒｘは共通電極として機能する。
【0032】
図４は、本実施形態に係る光学センサＯＳと、光学センサＯＳに接続されるセンサ回路とを示す等価回路図である。
図４に示すように、センサ回路には、第１センサ用走査線ＳＧＬ１と、第２センサ用走査線ＳＧＬ２と、第１センサ用給電線ＳＰＬ１と、第２センサ用給電線ＳＰＬ２と、第３センサ用給電線ＳＰＬ３と、センサ用信号線ＳＳＬと、スイッチング素子ＳＷ２Ａと、スイッチング素子ＳＷ２Ｂと、スイッチング素子ＳＷ２Ｃと、キャパシタＣ１と、キャパシタＣ２と、が設けられる。
図４に示すように、センサ回路には、第１センサ用走査線ＳＧＬ１と、第２センサ用走査線ＳＧＬ２と、第１センサ用給電線ＳＰＬ１と、第２センサ用給電線ＳＰＬ２と、第３センサ用給電線ＳＰＬ３と、センサ用信号線ＳＳＬと、スイッチング素子ＳＷ２Ａと、スイッチング素子ＳＷ２Ｂと、スイッチング素子ＳＷ２Ｃと、キャパシタＣ１と、キャパシタＣ２と、が設けられる。
【0033】
なお、以下では、第１センサ用走査線ＳＧＬ１を第１走査線ＳＧＬ１と称し、第２センサ用走査線ＳＧＬ２を第２走査線ＳＧＬ２と称し、第１センサ用給電線ＳＰＬ１を第１給電線ＳＰＬ１と称し、第２センサ用給電線ＳＰＬ２を第２給電線ＳＰＬ２と称し、第３センサ用給電線ＳＰＬ３を第３給電線ＳＰＬ３と称して説明する。
【0034】
また、図４では、スイッチング素子ＳＷ２Ａ，ＳＷ２Ｂ，ＳＷ２Ｃがそれぞれ、ｎ型ＴＦＴ（Thin Film Transistor）で構成された場合を示しているが、スイッチング素子ＳＷ２Ａ，ＳＷ２Ｂ，ＳＷ２Ｃは、ｐ型ＴＦＴで構成されてもよい。
【0035】
光学センサＯＳについて、一方の電極は第２給電線ＳＰＬ２に接続され、他方の電極はノードＮ１に接続される。ノードＮ１は、スイッチング素子ＳＷ２Ａのドレイン電極およびスイッチング素子ＳＷ２Ｂのゲート電極に接続されている。光学センサＯＳの一方の電極には、第２給電線ＳＰＬ２を通じて第２電圧Ｖｃｏｍ＿ＦＰＳが供給される。第２電圧Ｖｃｏｍ＿ＦＰＳはセンサ用基準電圧と称されてもよい。光学センサＯＳに光が入射した場合、入射した光量に応じた信号（電荷）が光学センサＯＳより出力され、電荷が変動する。なお、キャパシタＣ２において保持される容量は、キャパシタＣ１において保持される容量に付加される寄生容量である。
【0036】
スイッチング素子ＳＷ２Ａについて、ゲート電極は第１走査線ＳＧＬ１に接続され、ソース電極は第１給電線ＳＰＬ１に接続され、ドレイン電極はノードＮ１に接続されている。スイッチング素子ＳＷ２Ａが第１走査線ＳＧＬ１から供給される走査信号に応じてオンになると、ノードＮ１の電位（つまり、光学センサＯＳの他方の電極の電位）は第１給電線ＳＰＬ１を通じて供給される第１電圧ＶＰＰ１により第１電位ＶＰＰ１にリセットされる。第１電圧ＶＰＰ１はリセット電圧と称されてもよい。また、スイッチング素子ＳＷ２Ａはリセットトランジスタと称されてもよい。第２電圧Ｖｃｏｍ＿ＦＰＳは第１電圧ＶＰＰ１よりも低い値を示し、光学センサＯＳは逆バイアス駆動される。
【0037】
スイッチング素子ＳＷ２Ｂについて、ゲート電極はノードＮ１に接続され、ソース電極は第３電圧ＶＰＰ２を供給する第３給電線ＳＰＬ３に接続され、ドレイン電極はスイッチング素子ＳＷ２Ｃのソース電極に接続されている。スイッチング素子ＳＷ２Ｂのゲート電極には、光学センサＯＳから出力された信号が供給される。スイッチング素子ＳＷ２Ｂは、光学センサＯＳから出力された信号に応じた電圧信号（光学センサＯＳから出力された信号を増幅して得られる電圧信号）をスイッチング素子ＳＷ２Ｃに出力する。スイッチング素子ＳＷ２Ｂはソースフォロワトランジスタと称されてもよい。
【0038】
スイッチング素子ＳＷ２Ｃについて、ゲート電極は第２走査線ＳＧＬ２に接続され、ソース電極はスイッチング素子ＳＷ２Ｂのドレイン電極に接続され、ドレイン電極はセンサ用信号線ＳＳＬに接続されている。スイッチング素子ＳＷ２Ｃが第２走査線ＳＧＬ２から供給される走査信号に応じてオンになると、スイッチング素子ＳＷ２Ｂから出力される電圧信号が、検出信号Ｖｄｅｔとしてセンサ用信号線ＳＳＬに出力される。スイッチング素子ＳＷ２Ｃはリードトランジスタと称されてもよい。
【0039】
なお、図４では、スイッチング素子ＳＷ２Ａ，ＳＷ２Ｃがダブルゲート構造である場合を示したが、スイッチング素子ＳＷ２Ａ，ＳＷ２Ｃはシングルゲート構造やマルチゲート構造であってもよい。
【0040】
図５は、本実施形態に係る光学センサＯＳと当該光学センサＯＳに接続されるセンサ回路との動作例を説明するための図である。光学センサＯＳは、図５に示す指紋撮像期間ＦＰにおいて指紋の撮像（検出動作）を行う。図５に示すように、指紋撮像期間ＦＰは、リセット期間ＦＰ１と、露光期間ＦＰ２と、リード期間ＦＰ３とを含む。なお、ここでは図示を省略しているが、光学センサＯＳの一方の電極には、リセット期間ＦＰ１、露光期間ＦＰ２、リード期間ＦＰ３に亘って、第２電圧Ｖｃｏｍ＿ＦＰＳが供給される。
【0041】
リセット期間ＦＰ１は、ノードＮ１の電位をリセットする期間である。時刻ｔ０においてリセット期間ＦＰ１が開始され、スイッチング素子ＳＷ２Ａが第１走査線ＳＧＬ１から供給される走査信号に応じてオンになると、ノードＮ１の電位は、第１給電線ＳＰＬ１を通じて供給される第１電圧ＶＰＰ１によりＶＰＰ１にリセットされる。時刻ｔ１において、スイッチング素子ＳＷ２Ｃが第２走査線ＳＧＬ２から供給される走査信号に応じてオンになると、検出信号Ｖｄｅｔ１がセンサ用信号線ＳＳＬに出力される。検出信号Ｖｄｅｔ１の電位は、ＶＰＰ１－Ｖｔｈ－Ｖｓｗ２ｃとなる。なお、Ｖｔｈは、ソースフォロワトランジスタであるスイッチング素子ＳＷ２Ｂのしきい値電圧であり、Ｖｓｗ２ｃは、スイッチング素子ＳＷ２Ｃのオン抵抗に起因して発生する電圧降下である。
【0042】
時刻ｔ２においてリセット期間ＦＰ１が終了し露光期間ＦＰ２が開始されると、スイッチング素子ＳＷ２Ａはオフになる。露光期間ＦＰ２が開始されると、ノードＮ１の電位は、光学センサＯＳに入射した光量（指で反射された光）に応じて徐々に低下し、ＶＰＰ１－ΔＶｏｓとなる。なお、ΔＶｏｓは、光学センサＯＳに光が入射することで発生する電圧降下である。露光期間ＦＰ２中の時刻ｔ３において、スイッチング素子ＳＷ２Ｃはオフとなる。
【0043】
時刻ｔ４において露光期間ＦＰ２が終了しリード期間ＦＰ３が開始されると、スイッチング素子ＳＷ２Ｃが第２走査線ＳＧＬ２から供給される走査信号に応じてオンになり、検出信号Ｖｄｅｔ２がセンサ用信号線ＳＳＬに出力される。検出信号Ｖｄｅｔ２の電位は、ＶＰＰ１－Ｖｔｈ－Ｖｓｗ２ｃ－ΔＶｏｓとなる。つまり、検出信号Ｖｄｅｔ２の電位は、上記した検出信号Ｖｄｅｔ１の電位よりΔＶｏｓだけ低下している。時刻ｔ５においてリード期間ＦＰ３は終了する。
【0044】
コントローラＣＴ（またはドライバＩＣ４）は、検出信号Ｖｄｅｔ１の電位と、検出信号Ｖｄｅｔ２の電位とを比較し、その差分（つまり、ΔＶｏｓ）に基づいて、光学センサＯＳに入射した光を検出することができる。なお、図５では、１つの光学センサＯＳと１つのセンサ回路との動作例を示したが、全ての光学センサＯＳと全てのセンサ回路とは同様に動作することが可能である。コントローラＣＴ（またはドライバＩＣ４）は、全ての光学センサＯＳから得られる上記した差分の面内分布を解析することで、指の凹凸（指紋）や血管像（静脈パターン）等を検出することができる。
【0045】
図６は、本実施形態に係る走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１の構成例を示す図である。
走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１は、ドライバＩＣ４と接続している。走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１は、ドライバＩＣ４から供給される各種制御信号に基づいて動作し、例えば、マトリクス状に配列された各画素ＰＸの画素ＴＦＴに走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐを供給し、かつ、各画素ＰＸに配置された光学センサＯＳに接続されるセンサ回路に走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔを供給する。走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐは、各画素ＰＸに映像信号を書き込むために供給される信号であり、表示用走査信号と称されてもよい。また、走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔは、光学センサＯＳに接続されるノードＮ１の電位をリセットするために供給される信号であり、センサ用第１走査信号と称されてもよい。走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１は、走査線ＧＬを介して、各画素ＰＸを駆動するための画素ＴＦＴに接続され、かつ、第１走査線ＳＧＬ１を介して、各画素ＰＸに配置された光学センサＯＳを駆動するためのセンサ回路に含まれるスイッチング素子ＳＷ２Ａに接続される。走査線ＧＬは、第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに沿って並んでいる。第１走査線ＳＧＬ１は、第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに沿って並んでいる。走査線ＧＬおよび第１走査線ＳＧＬ１は、互いに第２方向Ｙに隣接して並んでいる。
走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１は、ドライバＩＣ４と接続している。走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１は、ドライバＩＣ４から供給される各種制御信号に基づいて動作し、例えば、マトリクス状に配列された各画素ＰＸの画素ＴＦＴに走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐを供給し、かつ、各画素ＰＸに配置された光学センサＯＳに接続されるセンサ回路に走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔを供給する。走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐは、各画素ＰＸに映像信号を書き込むために供給される信号であり、表示用走査信号と称されてもよい。また、走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔは、光学センサＯＳに接続されるノードＮ１の電位をリセットするために供給される信号であり、センサ用第１走査信号と称されてもよい。走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１は、走査線ＧＬを介して、各画素ＰＸを駆動するための画素ＴＦＴに接続され、かつ、第１走査線ＳＧＬ１を介して、各画素ＰＸに配置された光学センサＯＳを駆動するためのセンサ回路に含まれるスイッチング素子ＳＷ２Ａに接続される。走査線ＧＬは、第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに沿って並んでいる。第１走査線ＳＧＬ１は、第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに沿って並んでいる。走査線ＧＬおよび第１走査線ＳＧＬ１は、互いに第２方向Ｙに隣接して並んでいる。
【0046】
走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１は、複数のシフトレジスタＳＲ１Ａ，ＳＲ２Ａ，…，ＳＲｍＡと、複数のシフトレジスタＳＲ１Ａ，ＳＲ２Ａ，…，ＳＲｍＡのそれぞれに対応する複数のゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ａ，ＧＳＷＧ２Ａ，…，ＧＳＷＧｍＡと、を備えている。１つのシフトレジスタＳＲと、当該シフトレジスタＳＲに対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧとは、３本の配線Ｌ１Ａ，Ｌ２Ａ，Ｌ３Ａを介して接続されている。配線Ｌ１Ａ，Ｌ２Ａ，Ｌ３Ａは、シフトレジスタＳＲから出力される制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ａ，ＳＲ＿ｏｕｔ２Ａ，ＳＲ＿ｏｕｔ３Ａをゲートスイッチ群ＧＳＷＧに供給するための配線である。制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ａ，ＳＲ＿ｏｕｔ２Ａ，ＳＲ＿ｏｕｔ３Ａによれば、ゲートスイッチ群ＧＳＷＧに含まれる複数のゲートスイッチのオン・オフが制御される。
【0047】
複数のシフトレジスタＳＲ１Ａ，ＳＲ２Ａ，…，ＳＲｍＡは、第２方向Ｙに沿って並んでいる。複数のシフトレジスタＳＲ１Ａ，ＳＲ２Ａ，…，ＳＲｍＡのうち、最初に駆動されるシフトレジスタＳＲ１Ａには、スタートパルス信号ＳＴＶを供給するための配線Ｌ１１が接続されている。スタートパルス信号ＳＴＶは、配線Ｌ１１’を介して他のシフトレジスタＳＲ２Ａ～ＳＲｍＡに順次転送される。
【0048】
シフトレジスタＳＲ１Ａ，ＳＲ２Ａ，…，ＳＲｍＡはそれぞれ、リセット信号ＲＳＴを供給するための配線Ｌ１２と、クロック信号ＣＫＶを供給するための配線Ｌ１３と、高電位電圧ＶＧＨを供給するための配線Ｌ１４と、低電位電圧ＶＧＬを供給するための配線Ｌ１５とに接続される。シフトレジスタＳＲ１Ａ，ＳＲ２Ａ，…，ＳＲｍＡは、クロック信号ＣＫＶに基づき、他のシフトレジスタＳＲと同期して動作する。
【0049】
ゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ａ，ＧＳＷＧ２Ａ，…，ＧＳＷＧｍＡはそれぞれ、イネーブル信号ＥＮ１ｄを供給するための配線Ｌ２１と、イネーブル信号ＥＮ２ｄを供給するための配線Ｌ２２と、イネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅｓｅｔを供給するための配線Ｌ２３と、イネーブル信号ＥＮ２ｆ＿ｒｅｓｅｔを供給するための配線Ｌ２４と、低電位電圧ＶＧＬを供給するための配線Ｌ２５とに接続される。イネーブル信号ＥＮ１ｄ，ＥＮ２ｄは、走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐを走査線ＧＬに出力するためにドライバＩＣ４より供給される信号であり、低電位電圧ＶＧＬより高電位の信号である。イネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅｓｅｔ，ＥＮ２ｆ＿ｒｅｓｅｔは、走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔを第１走査線ＳＧＬ１に出力するためにドライバＩＣ４より供給される信号であり、低電位電圧ＶＧＬより高電位の信号である。なお、本明細書におけるイネーブル信号は、単に制御信号と称されてもよい。
【0050】
ゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ａは、１行目に位置する画素ＰＸに表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ１を供給し、１行目に位置する画素ＰＸに配置された光学センサＯＳのセンサ回路にセンサ用第１走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔ１を供給し、２行目に位置する画素ＰＸに表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ２を供給し、２行目に位置する画素ＰＸに配置された光学センサＯＳのセンサ回路にセンサ用第１走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔ２を供給する。
【0051】
また、ゲートスイッチ群ＧＳＷＧ２Ａは、３行目に位置する画素ＰＸに表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ３を供給し、３行目に位置する画素ＰＸに配置された光学センサＯＳのセンサ回路にセンサ用第１走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔ３を供給し、４行目に位置する画素ＰＸに表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ４を供給し、４行目に位置する画素ＰＸに配置された光学センサＯＳのセンサ回路にセンサ用第１走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔ４を供給する。
【0052】
さらに、ゲートスイッチ群ＧＳＷＧｍＡは、ｎ－１行目に位置する画素ＰＸに表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ＿ｎ－１を供給し、ｎ－１行目に位置する画素ＰＸに配置された光学センサＯＳのセンサ回路にセンサ用第１走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔ＿ｎ－１を供給し、ｎ行目に位置する画素ＰＸに表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ＿ｎを供給し、ｎ行目に位置する画素ＰＸに配置された光学センサＯＳのセンサ回路にセンサ用第１走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔ＿ｎを供給する。
【0053】
図７は、本実施形態に係る走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２の構成例を示す図である。
走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２は、ドライバＩＣ４と接続している。走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２は、ドライバＩＣ４から供給される各種制御信号に基づいて動作し、例えば、マトリクス状に配列された各画素ＰＸの画素ＴＦＴに走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐを供給し、かつ、各画素ＰＸに配置された光学センサＯＳに接続されるセンサ回路に走査信号Ｇ＿ｒｅａｄを供給する。走査信号Ｇ＿ｒｅａｄは、光学センサＯＳから検出信号Ｖｄｅｔを読み出すために供給される信号であり、センサ用第２走査信号と称されてもよい。走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２は、走査線ＧＬを介して、各画素ＰＸを駆動するための画素ＴＦＴに接続され、かつ、第２走査線ＳＧＬ２を介して、各画素ＰＸに配置された光学センサＯＳを駆動するためのセンサ回路に含まれるスイッチング素子ＳＷ２Ｃに接続される。第２走査線ＳＧＬ２は、第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに沿って並んでいる。走査線ＧＬおよび第２走査線ＳＧＬ２は、互いに第２方向Ｙに隣接して並んでいる。
走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２は、ドライバＩＣ４と接続している。走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２は、ドライバＩＣ４から供給される各種制御信号に基づいて動作し、例えば、マトリクス状に配列された各画素ＰＸの画素ＴＦＴに走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐを供給し、かつ、各画素ＰＸに配置された光学センサＯＳに接続されるセンサ回路に走査信号Ｇ＿ｒｅａｄを供給する。走査信号Ｇ＿ｒｅａｄは、光学センサＯＳから検出信号Ｖｄｅｔを読み出すために供給される信号であり、センサ用第２走査信号と称されてもよい。走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２は、走査線ＧＬを介して、各画素ＰＸを駆動するための画素ＴＦＴに接続され、かつ、第２走査線ＳＧＬ２を介して、各画素ＰＸに配置された光学センサＯＳを駆動するためのセンサ回路に含まれるスイッチング素子ＳＷ２Ｃに接続される。第２走査線ＳＧＬ２は、第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに沿って並んでいる。走査線ＧＬおよび第２走査線ＳＧＬ２は、互いに第２方向Ｙに隣接して並んでいる。
【0054】
走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２は、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１と同様に、複数のシフトレジスタＳＲ１Ｂ，ＳＲ２Ｂ，…，ＳＲｍＢと、複数のシフトレジスタＳＲ１Ｂ，ＳＲ２Ｂ，…，ＳＲｍＢのそれぞれに対応する複数のゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ｂ，ＧＳＷＧ２Ｂ，…，ＧＳＷＧｍＢと、を備えている。１つのシフトレジスタＳＲと、当該シフトレジスタＳＲに対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧとは、３本の配線Ｌ１Ｂ，Ｌ２Ｂ，Ｌ３Ｂを介して接続されている。配線Ｌ１Ｂ，Ｌ２Ｂ，Ｌ３Ｂは、シフトレジスタＳＲから出力される制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂ，ＳＲ＿ｏｕｔ２Ｂ，ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂをゲートスイッチ群ＧＳＷＧに供給するための配線である。制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂ，ＳＲ＿ｏｕｔ２Ｂ，ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂによれば、ゲートスイッチ群ＧＳＷＧに含まれる複数のゲートスイッチのオン・オフが制御される。
【0055】
複数のシフトレジスタＳＲ１Ｂ，ＳＲ２Ｂ，…，ＳＲｍＢは、第２方向Ｙに沿って並んでいる。複数のシフトレジスタＳＲ１Ｂ，ＳＲ２Ｂ，…，ＳＲｍＢのうち、最初に駆動されるシフトレジスタＳＲ１Ｂには、スタートパルス信号ＳＴＶを供給するための配線Ｌ３１が接続されている。スタートパルス信号ＳＴＶは、配線Ｌ３１’を介して他のシフトレジスタＳＲ２Ｂ～ＳＲｍＢに順次転送される。
【0056】
シフトレジスタＳＲ１Ｂ，ＳＲ２Ｂ，…，ＳＲｍＢはそれぞれ、リセット信号ＲＳＴを供給するための配線Ｌ３２と、クロック信号ＣＫＶを供給するための配線Ｌ３３と、高電位電圧ＶＧＨを供給するための配線Ｌ３４と、低電位電圧ＶＧＬを供給するための配線Ｌ３５とに接続される。シフトレジスタＳＲ１Ｂ，ＳＲ２Ｂ，…，ＳＲｍＢは、クロック信号ＣＫＶに基づき、他のシフトレジスタＳＲと同期して動作する。
【0057】
ゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ｂ，ＧＳＷＧ２Ｂ，…，ＧＳＷＧｍＢはそれぞれ、イネーブル信号ＥＮ１ｄを供給するための配線Ｌ４１と、イネーブル信号ＥＮ２ｄを供給するための配線Ｌ４２と、イネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅａｄを供給するための配線Ｌ４３と、イネーブル信号ＥＮ２ｆ＿ｒｅａｄを供給するための配線Ｌ４４と、低電位電圧ＶＧＬを供給するための配線Ｌ４５とに接続される。イネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅａｄ，ＥＮ２ｆ＿ｒｅａｄは、走査信号Ｇ＿ｒｅａｄを第２走査線ＳＧＬ２に出力するためにドライバＩＣ４より供給される信号であり、低電位電圧ＶＧＬより高電位の信号である。
【0058】
ゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ｂは、１行目に位置する画素ＰＸに表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ１を供給し、１行目に位置する画素ＰＸに配置された光学センサＯＳのセンサ回路にセンサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄ１を供給し、２行目に位置する画素ＰＸに表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ２を供給し、２行目に位置する画素ＰＸに配置された光学センサＯＳのセンサ回路にセンサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄ２を供給する。
【0059】
また、ゲートスイッチ群ＧＳＷＧ２Ｂは、３行目に位置する画素ＰＸに表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ３を供給し、３行目に位置する画素ＰＸに配置された光学センサＯＳのセンサ回路にセンサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄ３を供給し、４行目に位置する画素ＰＸに表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ４を供給し、４行目に位置する画素ＰＸに配置された光学センサＯＳのセンサ回路にセンサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄ４を供給する。
【0060】
さらに、ゲートスイッチ群ＧＳＷＧｍＢは、ｎ－１行目に位置する画素ＰＸに表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ＿ｎ－１を供給し、ｎ－１行目に位置する画素ＰＸに配置された光学センサＯＳのセンサ回路にセンサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄ＿ｎ－１を供給し、ｎ行目に位置する画素ＰＸに表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ＿ｎを供給し、ｎ行目に位置する画素ＰＸに配置された光学センサＯＳのセンサ回路にセンサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄ＿ｎを供給する。
【0061】
図８は、図６に示す走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１に含まれるゲートスイッチ群ＧＳＷＧ２Ａの構成例を示す図である。なお、ここでは、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１に含まれるゲートスイッチ群ＧＳＷＧの１つとして、ゲートスイッチ群ＧＳＷＧ２Ａについて説明するが、他のゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ａ，ＧＳＷＧｍＡも、ゲートスイッチ群ＧＳＷＧ２Ａと同様な構成を有している。
【0062】
ゲートスイッチ群ＧＳＷＧ２Ａは、４つのゲートスイッチＧＳＷ１Ａ～ＧＳＷ４Ａを備えている。
ゲートスイッチＧＳＷ１Ａは、イネーブル信号ＥＮ１ｄを供給するための配線Ｌ２１と、低電位電圧ＶＧＬを供給するための配線Ｌ２５と、表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ（この場合、表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ３）を供給するための走査線ＧＬとに接続される。
ゲートスイッチＧＳＷ１Ａは、イネーブル信号ＥＮ１ｄを供給するための配線Ｌ２１と、低電位電圧ＶＧＬを供給するための配線Ｌ２５と、表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ（この場合、表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ３）を供給するための走査線ＧＬとに接続される。
【0063】
ゲートスイッチＧＳＷ２Ａは、イネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅｓｅｔを供給するための配線Ｌ２３と、低電位電圧ＶＧＬを供給するための配線Ｌ２５と、センサ用第１走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔ（この場合、センサ用第１走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔ３）を供給するための第１走査線ＳＧＬ１とに接続される。
【0064】
ゲートスイッチＧＳＷ３Ａは、イネーブル信号ＥＮ２ｄを供給するための配線Ｌ２２と、低電位電圧ＶＧＬを供給するための配線Ｌ２５と、表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ（この場合、表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ４）を供給するための走査線ＧＬとに接続される。
【0065】
ゲートスイッチＧＳＷ４Ａは、イネーブル信号ＥＮ２ｆ＿ｒｅｓｅｔを供給するための配線Ｌ２４と、低電位電圧ＶＧＬを供給するための配線Ｌ２５と、センサ用第１走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔ（この場合、センサ用第１走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔ４）を供給するための第１走査線ＳＧＬ１とに接続される。
【0066】
なお、図８では図示を省略しているが、ゲートスイッチＧＳＷ１Ａ～ＧＳＷ４Ａはそれぞれ、図６に示した配線Ｌ１Ａ～Ｌ３Ａとも接続し、ゲートスイッチＧＳＷ１Ａ～ＧＳＷ４Ａのオン・オフは、これら配線Ｌ１Ａ～Ｌ３Ａを介して供給される制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ａ～ＳＲ＿ｏｕｔ３Ａに基づき切替制御される。
【0067】
図９は、図７に示す走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２に含まれるゲートスイッチ群ＧＳＷＧ２Ｂの構成例を示す図である。なお、ここでは、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２に含まれるゲートスイッチ群ＧＳＷＧの１つとして、ゲートスイッチ群ＧＳＷＧ２Ｂについて説明するが、他のゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ｂ，ＧＳＷＧｍＢも、ゲートスイッチ群ＧＳＷＧ２Ｂと同様な構成を有している。
【0068】
ゲートスイッチ群ＧＳＷＧ２Ｂは、４つのゲートスイッチＧＳＷ１Ｂ～ＧＳＷ４Ｂを備えている。
ゲートスイッチＧＳＷ１Ｂは、イネーブル信号ＥＮ１ｄを供給するための配線Ｌ４１と、低電位電圧ＶＧＬを供給するための配線Ｌ４５と、表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ（この場合、表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ３）を供給するための走査線ＧＬとに接続される。
ゲートスイッチＧＳＷ１Ｂは、イネーブル信号ＥＮ１ｄを供給するための配線Ｌ４１と、低電位電圧ＶＧＬを供給するための配線Ｌ４５と、表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ（この場合、表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ３）を供給するための走査線ＧＬとに接続される。
【0069】
ゲートスイッチＧＳＷ２Ｂは、イネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅａｄを供給するための配線Ｌ４３と、低電位電圧ＶＧＬを供給するための配線Ｌ４５と、センサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄ（この場合、センサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄ３）を供給するための第２走査線ＳＧＬ２とに接続される。
【0070】
ゲートスイッチＧＳＷ３Ｂは、イネーブル信号ＥＮ２ｄを供給するための配線Ｌ４２と、低電位電圧ＶＧＬを供給するための配線Ｌ４５と、表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ（この場合、表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ４）を供給するための走査線ＧＬとに接続される。
【0071】
ゲートスイッチＧＳＷ４Ｂは、イネーブル信号ＥＮ２ｆ＿ｒｅａｄを供給するための配線Ｌ４４と、低電位電圧ＶＧＬを供給するための配線Ｌ４５と、センサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄ（この場合、センサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄ４）を供給するための第２走査線ＳＧＬ２とに接続される。
【0072】
なお、図９では図示を省略しているが、ゲートスイッチＧＳＷ１Ｂ～ＧＳＷ４Ｂはそれぞれ、図７に示した配線Ｌ１Ｂ～Ｌ３Ｂとも接続し、ゲートスイッチＧＳＷ１Ｂ～ＧＳＷ４Ｂのオン・オフは、これら配線Ｌ１Ｂ～Ｌ３Ｂを介して供給される制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂ～ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂに基づき切替制御される。
【0073】
図１０は、ゲートスイッチＧＳＷの構成例を示す図である。走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１および走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２にそれぞれ含まれるゲートスイッチＧＳＷ１Ａ～ＧＳＷ４Ａ，ＧＳＷ１Ｂ～ＧＳＷ４Ｂは、いずれも図１０に示す構成を有している。
【0074】
ゲートスイッチＧＳＷは、３つのスイッチング素子ＳＷ１１～ＳＷ１３を備えている。なお、ここでは、３つのスイッチング素子ＳＷ１１～ＳＷ１３がダブルゲート構造である場合を示したが、スイッチング素子ＳＷ１１～ＳＷ１３はシングルゲート構造やマルチゲート構造であってもよい。
【0075】
スイッチング素子ＳＷ１１は、ｎ型ＴＦＴであり、ゲート電極は制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１を供給するための配線（配線Ｌ１Ａ，Ｌ１Ｂ）に接続され、ソース電極は各種イネーブル信号ＥＮを供給するための配線（具体的には、配線Ｌ２１～Ｌ２４，Ｌ４１～Ｌ４４のいずれか）に接続され、ドレイン電極は各種走査信号Ｇを供給するための配線（具体的には、走査線ＧＬ、第１走査線ＳＧＬ１、第２走査線ＳＧＬ２のいずれか）に接続されている。スイッチング素子ＳＷ１１は、ゲート電極にハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１が供給されるとオンになり、ゲート電極にローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１が供給されるとオフになる。
【0076】
スイッチング素子ＳＷ１２は、ｐ型ＴＦＴであり、ゲート電極は制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２を供給するための配線（配線Ｌ２Ａ，Ｌ２Ｂ）に接続され、ドレイン電極は各種イネーブル信号ＥＮを供給するための配線（具体的には、配線Ｌ２１～Ｌ２４，Ｌ４１～Ｌ４４のいずれか）に接続され、ソース電極は各種走査信号Ｇを供給するための配線（具体的には、走査線ＧＬ、第１走査線ＳＧＬ１、第２走査線ＳＧＬ２のいずれか）に接続されている。スイッチング素子ＳＷ１２は、ゲート電極にローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２が供給されるとオンになり、ゲート電極にハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２が供給されるとオフになる。
【0077】
スイッチング素子ＳＷ１３は、ｎ型ＴＦＴであり、ゲート電極は制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３を供給するための配線（配線Ｌ３Ａ，Ｌ３Ｂ）に接続され、ソース電極は低電位電圧ＶＧＬを供給するための配線（配線Ｌ２５，Ｌ４５）に接続され、ドレイン電極は各種走査信号Ｇを供給するための配線（具体的には、走査線ＧＬ、第１走査線ＳＧＬ１、第２走査線ＳＧＬ２のいずれか）に接続されている。スイッチング素子ＳＷ１３は、ゲート電極にハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３が供給されるとオンになり、ゲート電極にローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３が供給されるとオフになる。
【0078】
スイッチング素子ＳＷ１１，ＳＷ１２がオンの時、スイッチング素子ＳＷ１３はオフとなり、各種走査線には、各種イネーブル信号ＥＮに基づく各種走査信号Ｇが出力される。一方、スイッチング素子ＳＷ１１，ＳＷ１２がオフの時、スイッチング素子ＳＷ１３はオンとなり、各種走査線には低電位電圧ＶＧＬが供給される。なお、本明細書において、ゲートスイッチＧＳＷがオンとは、スイッチング素子ＳＷ１１，ＳＷ１２がオンの状態を指し、ゲートスイッチＧＳＷがオフとは、スイッチング素子ＳＷ１１，ＳＷ１２がオフの状態を指すものとする。
【0079】
図１１は、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１と走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２との動作例を示すタイミングチャートである。
走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１および走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２は、１フレーム毎に入力されるスタートパルス信号ＳＴＶにしたがって動作し、後述する各種制御を行う。
走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１および走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２は、１フレーム毎に入力されるスタートパルス信号ＳＴＶにしたがって動作し、後述する各種制御を行う。
【0080】
画像を表示する表示期間ＤＰにおいては、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１および走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２は、表示領域ＤＡに画像を表示するための表示制御を行う。詳細については後述するが、表示期間ＤＰにおいては、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１および走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２は、クロック信号ＣＫＶ、イネーブル信号ＥＮ１ｄ、イネーブル信号ＥＮ２ｄにしたがって表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐを走査線ＧＬに出力する。
【0081】
指紋を撮像する指紋撮像期間ＦＰにおいては、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１および走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２は、指紋を撮像する（指の凹凸を検出する）ための制御を行う。指紋撮像期間ＦＰは、上記したように、リセット期間ＦＰ１と、露光期間ＦＰ２と、リード期間ＦＰ３とを含んでいる。
【0082】
詳細については後述するが、リセット期間ＦＰ１においては、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１は、クロック信号ＣＫＶ、イネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅｓｅｔ、イネーブル信号ＥＮ２ｆ＿ｒｅｓｅｔにしたがってセンサ用第１走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔを第１走査線ＳＧＬ１に出力する。また、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２は、クロック信号ＣＫＶ、イネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅａｄ、イネーブル信号ＥＮ２ｆ＿ｒｅａｄにしたがってセンサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄを第２走査線ＳＧＬ２に出力する。
【0083】
露光期間ＦＰ２においては、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１および走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２は、表示期間ＤＰと同様に動作する。つまり、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１および走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２は、クロック信号ＣＫＶ、イネーブル信号ＥＮ１ｄ、イネーブル信号ＥＮ２ｄにしたがって表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐを走査線ＧＬに出力する。
【0084】
詳細については後述するが、リード期間ＦＰ３においては、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２は、クロック信号ＣＫＶ、イネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅａｄ、イネーブル信号ＥＮ２ｆ＿ｒｅａｄにしたがってセンサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄを第２走査線ＳＧＬ２に出力する。
【0085】
なお、ここでは詳細な説明は省略しているが、リセット期間ＦＰ１の直前に、物体が接近または近接している位置（該当部分）を特定する動作が、タッチセンサＴＳにより行われる。リセット期間ＦＰ１およびリード期間ＦＰ３において、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１および走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２は、タッチセンサＴＳにより特定された該当部分については上記したように動作する。一方、上記した該当部分以外の非該当部分については、リセット期間ＦＰ１およびリード期間ＦＰ３において、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１および走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２は、当該非該当部分に対応するシフトレジスタを高速スキャンする動作を行う。このような高速スキャン動作によれば、検出信号Ｖｄｅｔ１，Ｖｄｅｔ２を読み出す時間を確保することが可能となる。
【0086】
図１２は、表示期間ＤＰにおける走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１と走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２との動作例を示すタイミングチャートである。
表示期間ＤＰが開始され、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１内のシフトレジスタＳＲ１Ａと、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２内のシフトレジスタＳＲ１Ｂとにスタートパルス信号ＳＴＶが供給されると、シフトレジスタＳＲ１Ａは、対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ａに含まれるゲートスイッチＧＳＷ１Ａにハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ａと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ａと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ａとを出力し、その他のゲートスイッチＧＳＷ２Ａ～ＧＳＷ４Ａにローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ａと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ａと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ａとを出力する。また、シフトレジスタＳＲ１Ｂは、対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ｂに含まれるゲートスイッチＧＳＷ１Ｂにハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ｂと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂとを出力し、その他のゲートスイッチＧＳＷ２Ｂ～ＧＳＷ４Ｂにローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ｂと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂとを出力する。これによれば、ゲートスイッチＧＳＷ１Ａ，ＧＳＷ１Ｂにそれぞれ含まれるスイッチング素子ＳＷ１１，ＳＷ１２がオンとなる。
表示期間ＤＰが開始され、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１内のシフトレジスタＳＲ１Ａと、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２内のシフトレジスタＳＲ１Ｂとにスタートパルス信号ＳＴＶが供給されると、シフトレジスタＳＲ１Ａは、対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ａに含まれるゲートスイッチＧＳＷ１Ａにハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ａと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ａと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ａとを出力し、その他のゲートスイッチＧＳＷ２Ａ～ＧＳＷ４Ａにローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ａと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ａと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ａとを出力する。また、シフトレジスタＳＲ１Ｂは、対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ｂに含まれるゲートスイッチＧＳＷ１Ｂにハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ｂと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂとを出力し、その他のゲートスイッチＧＳＷ２Ｂ～ＧＳＷ４Ｂにローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ｂと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂとを出力する。これによれば、ゲートスイッチＧＳＷ１Ａ，ＧＳＷ１Ｂにそれぞれ含まれるスイッチング素子ＳＷ１１，ＳＷ１２がオンとなる。
【0087】
ゲートスイッチＧＳＷ１Ａ，ＧＳＷ１Ｂが上記した状態になった後、クロック信号ＣＫＶの電位がハイからローに変化するまでの間に、イネーブル信号ＥＮ１ｄがゲートスイッチＧＳＷ１Ａ，ＧＳＷ１Ｂに供給される。イネーブル信号ＥＮ１ｄがゲートスイッチＧＳＷ１Ａ，ＧＳＷ１Ｂに供給されると、表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ１が当該ゲートスイッチＧＳＷ１Ａ，ＧＳＷ１Ｂから、対応する走査線ＧＬ（この場合、１行目に位置する画素ＰＸと接続する走査線ＧＬ）に出力される。
【0088】
イネーブル信号ＥＮ１ｄがゲートスイッチＧＳＷ１Ａ，ＧＳＷ１Ｂに供給された後、シフトレジスタＳＲ１Ａは、対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ａに含まれるゲートスイッチＧＳＷ３Ａにハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ａと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ａと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ａとを出力し、その他のゲートスイッチＧＳＷ１Ａ，ＧＳＷ２Ａ，ＧＳＷ４Ａにローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ａと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ａと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ａとを出力する。また、シフトレジスタＳＲ１Ｂは、対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ｂに含まれるゲートスイッチＧＳＷ３Ｂにハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ｂと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂとを出力し、その他のゲートスイッチＧＳＷ１Ｂ，ＧＳＷ２Ｂ，ＧＳＷ４Ｂにローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ｂと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂとを出力する。これによれば、ゲートスイッチＧＳＷ３Ａ，ＧＳＷ３Ｂにそれぞれ含まれるスイッチング素子ＳＷ１１，ＳＷ１２がオンとなる。
【0089】
ゲートスイッチＧＳＷ３Ａ，ＧＳＷ３Ｂが上記した状態になった後、クロック信号ＣＫＶの電位がハイからローに変化するまでの間に、イネーブル信号ＥＮ２ｄがゲートスイッチＧＳＷ３Ａ，ＧＳＷ３Ｂに供給される。イネーブル信号ＥＮ２ｄがゲートスイッチＧＳＷ３Ａ，ＧＳＷ３Ｂに供給されると、表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐ２が当該ゲートスイッチＧＳＷ３Ａ，ＧＳＷ３Ｂから、対応する走査線ＧＬ（この場合、２行目に位置する画素ＰＸと接続する走査線ＧＬ）に出力される。
【0090】
クロック信号ＣＫＶの電位がハイからローに変化すると、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１においては、シフトレジスタＳＲ１Ａから次のシフトレジスタＳＲ２Ａにスタートパルス信号ＳＴＶが転送される。同様に、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２においては、シフトレジスタＳＲ１Ｂから次のシフトレジスタＳＲ２Ｂにスタートパルス信号ＳＴＶが転送される。シフトレジスタＳＲ１Ａ，ＳＲ１Ｂからそれぞれ転送されるスタートパルス信号ＳＴＶの供給を受けたシフトレジスタＳＲ２Ａ，ＳＲ２Ｂと、これらシフトレジスタＳＲ２Ａ，ＳＲ２Ｂに対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ２Ａ，ＧＳＷＧ２Ｂとは、クロック信号ＣＫＶの電位がローからハイに変化するまでの間に、シフトレジスタＳＲ１Ａ，ＳＲ１Ｂと、これらシフトレジスタＳＲ１Ａ，ＳＲ１Ｂに対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ａ，ＧＳＷＧ１Ｂと同様に動作する。以降、最後のシフトレジスタＳＲｍＡ，ＳＲｍＢと、当該シフトレジスタＳＲｍＡ，ＳＲｍＢに対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧｍＡ，ＧＳＷＧｍＢとまで同様な動作が繰り返し実行される。
【0091】
なお、表示期間ＤＰにおいては、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１内の各ゲートスイッチ群ＧＳＷＧにそれぞれ含まれるゲートスイッチＧＳＷ２Ａ，ＧＳＷ４Ａには、イネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅｓｅｔ，ＥＮ２ｆ＿ｒｅｓｅｔは供給されない（つまり、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１から第１走査線ＳＧＬ１にセンサ用第１走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔは出力されない）。また、表示期間ＤＰにおいては、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２内の各ゲートスイッチ群ＧＳＷＧにそれぞれ含まれるゲートスイッチＧＳＷ２Ｂ，ＧＳＷ４Ｂには、イネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅａｄ，ＥＮ２ｆ＿ｒｅａｄは供給されない（つまり、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２から第２走査線ＳＧＬ２にセンサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄは出力されない）。
【0092】
図１３は、指紋撮像期間ＦＰに含まれるリセット期間ＦＰ１における走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１と走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２との動作例を示すタイミングチャートである。
指紋撮像期間ＦＰに含まれるリセット期間ＦＰ１が開始され、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１内のシフトレジスタＳＲ１Ａと、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２内のシフトレジスタＳＲ１Ｂとにスタートパルス信号ＳＴＶが供給されると、シフトレジスタＳＲ１Ａは、対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ａに含まれるゲートスイッチＧＳＷ２Ａにハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ａと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ａと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ａとを出力し、その他のゲートスイッチＧＳＷ１Ａ，ＧＳＷ３Ａ，ＧＳＷ４Ａにローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ａと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ａと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ａとを出力する。また、シフトレジスタＳＲ１Ｂは、対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ｂに含まれるゲートスイッチＧＳＷ２Ｂにハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂと、ローレベルのＳＲ＿ｏｕｔ２Ｂと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂとを出力し、その他のゲートスイッチＧＳＷ１Ｂ，ＧＳＷ３Ｂ，ＧＳＷ４Ｂにローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ｂと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂを出力する。これによれば、ゲートスイッチＧＳＷ２Ａ，ＧＳＷ２Ｂにそれぞれ含まれるスイッチング素子ＳＷ１１，ＳＷ１２がオンとなる。
指紋撮像期間ＦＰに含まれるリセット期間ＦＰ１が開始され、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１内のシフトレジスタＳＲ１Ａと、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２内のシフトレジスタＳＲ１Ｂとにスタートパルス信号ＳＴＶが供給されると、シフトレジスタＳＲ１Ａは、対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ａに含まれるゲートスイッチＧＳＷ２Ａにハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ａと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ａと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ａとを出力し、その他のゲートスイッチＧＳＷ１Ａ，ＧＳＷ３Ａ，ＧＳＷ４Ａにローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ａと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ａと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ａとを出力する。また、シフトレジスタＳＲ１Ｂは、対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ｂに含まれるゲートスイッチＧＳＷ２Ｂにハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂと、ローレベルのＳＲ＿ｏｕｔ２Ｂと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂとを出力し、その他のゲートスイッチＧＳＷ１Ｂ，ＧＳＷ３Ｂ，ＧＳＷ４Ｂにローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ｂと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂを出力する。これによれば、ゲートスイッチＧＳＷ２Ａ，ＧＳＷ２Ｂにそれぞれ含まれるスイッチング素子ＳＷ１１，ＳＷ１２がオンとなる。
【0093】
ゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ａにおいては、ゲートスイッチＧＳＷ２Ａが上記した状態になった後、クロック信号ＣＫＶの電位がローからハイに変化した後に、イネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅｓｅｔがゲートスイッチＧＳＷ２Ａに供給される。イネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅｓｅｔがゲートスイッチＧＳＷ２Ａに供給されると、センサ用第１走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔ１が当該ゲートスイッチＧＳＷ２Ａから、対応する第１走査線ＳＧＬ１（この場合、１行目に位置する光学センサＯＳのセンサ回路に含まれるスイッチング素子ＳＷ２Ａと接続する第１走査線ＳＧＬ１）に出力される。
【0094】
一方、ゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ｂにおいては、ゲートスイッチＧＳＷ２Ｂが上記した状態になった後、クロック信号ＣＫＶの電位がローからハイに変化した後に、イネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅａｄがゲートスイッチＧＳＷ２Ｂに供給される。なお、イネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅａｄは、上記したイネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅｓｅｔがゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１ＡのゲートスイッチＧＳＷ２Ａに供給されるタイミングより少し遅れて供給される。イネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅａｄがゲートスイッチＧＳＷ２Ｂに供給されると、センサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄ１が当該ゲートスイッチＧＳＷ２Ｂから、対応する第２走査線ＳＧＬ２（この場合、１行目に位置する光学センサＯＳのセンサ回路に含まれるスイッチング素子ＳＷ２Ｃと接続する第２走査線ＳＧＬ２）に出力される。
【0095】
イネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅｓｅｔ，ＥＮ１ｆ＿ｒｅａｄがゲートスイッチＧＳＷ２Ａ，ＧＳＷ２Ｂに供給された後、シフトレジスタＳＲ１Ａは、対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ａに含まれるゲートスイッチＧＳＷ４Ａにハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ａと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ａと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ａとを出力し、その他のゲートスイッチＧＳＷ１Ａ～ＧＳＷ３Ａにローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ａと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ａと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ａとを出力する。また、シフトレジスタＳＲ１Ｂは、対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ｂに含まれるゲートスイッチＧＳＷ４Ｂにハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ｂと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂとを出力し、その他のゲートスイッチＧＳＷ１Ｂ～ＧＳＷ３Ｂにローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ｂと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂとを出力する。これによれば、ゲートスイッチＧＳＷ４Ａ，ＧＳＷ４Ｂにそれぞれ含まれるスイッチング素子ＳＷ１１，ＳＷ１２がオンとなる。
【0096】
ゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ａにおいては、ゲートスイッチＧＳＷ４Ａが上記した状態になった後、クロック信号ＣＫＶの電位がローからハイに変化した後に、イネーブル信号ＥＮ２ｆ＿ｒｅｓｅｔがゲートスイッチＧＳＷ４Ａに供給される。イネーブル信号ＥＮ２ｆ＿ｒｅｓｅｔがゲートスイッチＧＳＷ４Ａに供給されると、センサ用第１走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔ２が当該ゲートスイッチＧＳＷ４Ａから、対応する第１走査線ＳＧＬ１（この場合、２行目に位置する光学センサＯＳのセンサ回路に含まれるスイッチング素子ＳＷ２Ａと接続する第１走査線ＳＧＬ１）に出力される。
【0097】
一方、ゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ｂにおいては、ゲートスイッチＧＳＷ４Ｂが上記した状態になった後、クロック信号ＣＫＶの電位がローからハイに変化した後に、イネーブル信号ＥＮ２ｆ＿ｒｅａｄがゲートスイッチＧＳＷ４Ｂに供給される。なお、イネーブル信号ＥＮ２ｆ＿ｒｅａｄは、上記したイネーブル信号ＥＮ２ｆ＿ｒｅｓｅｔがゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１ＡのゲートスイッチＧＳＷ４Ａに供給されるタイミングより少し遅れて供給される。イネーブル信号ＥＮ２ｆ＿ｒｅａｄがゲートスイッチＧＳＷ４Ｂに供給されると、センサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄ２が当該ゲートスイッチＧＳＷ４Ｂから、対応する第２走査線ＳＧＬ２（この場合、２行目に位置する光学センサＯＳのセンサ回路に含まれるスイッチング素子ＳＷ２Ｃと接続する第２走査線ＳＧＬ２）に出力される。
【0098】
クロック信号ＣＫＶの電位がハイからローに変化すると、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１においては、シフトレジスタＳＲ１Ａから次のシフトレジスタＳＲ２Ａにスタートパルス信号ＳＴＶが転送される。同様に、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２においては、シフトレジスタＳＲ１Ｂから次のシフトレジスタＳＲ２Ｂにスタートパルス信号ＳＴＶが転送される。シフトレジスタＳＲ１Ａ，ＳＲ１Ｂからそれぞれ転送されるスタートパルス信号ＳＴＶの供給を受けたシフトレジスタＳＲ２Ａ，ＳＲ２Ｂと、これらシフトレジスタＳＲ２Ａ，ＳＲ２Ｂに対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ２Ａ，ＧＳＷＧ２Ｂとは、クロック信号ＣＫＶの電位がローからハイに変化するまでの間に、シフトレジスタＳＲ１Ａ，ＳＲ１Ｂと、これらシフトレジスタＳＲ１Ａ，ＳＲ１Ｂに対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ａ，ＧＳＷＧ１Ｂと同様に動作する。以降、最後のシフトレジスタＳＲｍＡ，ＳＲｍＢと、当該シフトレジスタＳＲｍＡ，ＳＲｍＢに対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧｍＡ，ＧＳＷＧｍＢとまで同様な動作が繰り返し実行される。
【0099】
なお、リセット期間ＦＰ１においては、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１内の各ゲートスイッチ群ＧＳＷＧにそれぞれ含まれるゲートスイッチＧＳＷ１Ａ，ＧＳＷ３Ａには、イネーブル信号ＥＮ１ｄ，ＥＮ２ｄは供給されない（つまり、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１から走査線ＧＬに表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐは出力されない）。同様に、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２内の各ゲートスイッチ群にそれぞれ含まれるゲートスイッチＧＳＷ１Ｂ，ＧＳＷ３Ｂには、イネーブル信号ＥＮ１ｄ，ＥＮ２ｄは供給されない（つまり、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２から走査線ＧＬに表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐは出力されない）。
【0100】
図１４は、指紋撮像期間ＦＰに含まれるリード期間ＦＰ３における走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１と走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２との動作例を示すタイミングチャートである。
指紋撮像期間ＦＰに含まれるリード期間ＦＰ３が開始され、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１内のシフトレジスタＳＲ１Ａと、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２内のシフトレジスタＳＲ１Ｂとにスタートパルス信号ＳＴＶが供給されると、シフトレジスタＳＲ１Ａは、対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ａに含まれるゲートスイッチＧＳＷ１Ａ～ＧＳＷ４Ａにローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ａと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ａと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ａとを出力する。また、シフトレジスタＳＲ１Ｂは、対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ｂに含まれるゲートスイッチＧＳＷ２Ｂにハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ｂと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂとを出力し、その他のゲートスイッチＧＳＷ１Ｂ，ＧＳＷ３Ｂ，ＧＳＷ４Ｂにローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ｂと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂとを出力する。これによれば、ゲートスイッチＧＳＷ２Ｂに含まれるスイッチング素子ＳＷ１１，ＳＷ１２がオンとなる。
指紋撮像期間ＦＰに含まれるリード期間ＦＰ３が開始され、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１内のシフトレジスタＳＲ１Ａと、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２内のシフトレジスタＳＲ１Ｂとにスタートパルス信号ＳＴＶが供給されると、シフトレジスタＳＲ１Ａは、対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ａに含まれるゲートスイッチＧＳＷ１Ａ～ＧＳＷ４Ａにローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ａと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ａと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ａとを出力する。また、シフトレジスタＳＲ１Ｂは、対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ｂに含まれるゲートスイッチＧＳＷ２Ｂにハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ｂと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂとを出力し、その他のゲートスイッチＧＳＷ１Ｂ，ＧＳＷ３Ｂ，ＧＳＷ４Ｂにローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ｂと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂとを出力する。これによれば、ゲートスイッチＧＳＷ２Ｂに含まれるスイッチング素子ＳＷ１１，ＳＷ１２がオンとなる。
【0101】
ゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ｂにおいて、ゲートスイッチＧＳＷ２Ｂが上記した状態になった後、クロック信号ＣＫＶの電位がハイからローに変化するまでの間に、イネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅａｄがゲートスイッチＧＳＷ２Ｂに供給される。イネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅａｄがゲートスイッチＧＳＷ２Ｂに供給されると、センサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄ１が当該ゲートスイッチＧＳＷ２Ｂから、対応する第２走査線ＳＧＬ２（この場合、１行目に位置する光学センサＯＳのセンサ回路に含まれるスイッチング素子ＳＷ２Ｃと接続する第２走査線ＳＧＬ２）に出力される。
【0102】
イネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅａｄがゲートスイッチＧＳＷ２Ｂに供給された後、シフトレジスタＳＲ１Ｂは、対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ｂに含まれるゲートスイッチＧＳＷ４Ｂにハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ｂと、ローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂとを出力し、その他のゲートスイッチＧＳＷ１Ｂ～ＧＳＷ３Ｂにローレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ１Ｂと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ２Ｂと、ハイレベルの制御信号ＳＲ＿ｏｕｔ３Ｂとを出力する。これによれば、ゲートスイッチＧＳＷ４Ｂに含まれるスイッチング素子ＳＷ１１，ＳＷ１２がオンとなる。
【0103】
ゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ｂにおいて、ゲートスイッチＧＳＷ４Ｂが上記した状態になった後、クロック信号ＣＫＶの電位がハイからローに変化するまでの間に、イネーブル信号ＥＮ２ｆ＿ｒｅａｄがゲートスイッチＧＳＷ４Ｂに供給される。イネーブル信号ＥＮ２ｆ＿ｒｅａｄがゲートスイッチＧＳＷ４Ｂに供給されると、センサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄ２が当該ゲートスイッチＧＳＷ４Ｂから、対応する第２走査線ＳＧＬ２（この場合、２行目に位置する光学センサＯＳのセンサ回路に含まれるスイッチング素子ＳＷ２Ｃと接続する第２走査線ＳＧＬ２）に出力される。
【0104】
クロック信号ＣＫＶの電位がハイからローに変化すると、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１においては、シフトレジスタＳＲ１Ａから次のシフトレジスタＳＲ２Ａにスタートパルス信号ＳＴＶが転送される。同様に、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２においては、シフトレジスタＳＲ１Ｂから次のシフトレジスタＳＲ２Ｂにスタートパルス信号ＳＴＶが転送される。シフトレジスタＳＲ１Ａ，ＳＲ１Ｂからそれぞれ転送されるスタートパルス信号ＳＴＶの供給を受けたシフトレジスタＳＲ２Ａ，ＳＲ２Ｂと、これらシフトレジスタＳＲ２Ａ，ＳＲ２Ｂに対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ２Ａ，ＧＳＷＧ２Ｂとは、クロック信号ＣＫＶの電位がローからハイに変化するまでの間に、シフトレジスタＳＲ１Ａ，ＳＲ１Ｂと、これらシフトレジスタＳＲ１Ａ，ＳＲ１Ｂに対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ１Ａ，ＧＳＷＧ１Ｂと同様に動作する。以降、最後のシフトレジスタＳＲｍＡ，ＳＲｍＢと、当該シフトレジスタＳＲｍＡ，ＳＲｍＢに対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧｍＡ，ＧＳＷＧｍＢとまで同様な動作が繰り返し実行される。
【0105】
なお、リード期間ＦＰ３においては、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１内の各ゲートスイッチ群ＧＳＷＧにそれぞれ含まれるゲートスイッチＧＳＷ１Ａ～ＧＳＷ４Ａには、イネーブル信号ＥＮ１ｄ，ＥＮ２ｄ，ＥＮ１ｆ＿ｒｅｓｅｔ，ＥＮ２ｆ＿ｒｅｓｅｔは供給されない（つまり、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１から走査線ＧＬおよび第１走査線ＳＧＬ１に表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐおよびセンサ用第１走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔは出力されない）。また、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２内の各ゲートスイッチ群ＧＳＷＧにそれぞれ含まれるゲートスイッチＧＳＷ１Ｂ，ＧＳＷ３Ｂには、イネーブル信号ＥＮ１ｄ，ＥＮ２ｄは供給されない（つまり、走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２から走査線ＧＬに表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐは出力されない）。
【0106】
以下では、比較例を用いて、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの効果について説明する。なお、比較例は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰが奏し得る効果の一部を説明するためのものであって、本実施形態と比較例とで共通する構成や効果を本願発明の範囲から除外するものではない。
【0107】
図１５は、第１比較例に係る表示装置ＤＳＰ１を概略的に示す平面図である。第１比較例に係る表示装置ＤＳＰ１は、左右額縁領域に、２つの表示用走査線駆動回路５１，５２と、センサ用第１走査線駆動回路５３と、センサ用第２走査線駆動回路５４と、２つのデコーダ５５，５６と、２つのテスト回路５７，５８とが設けられている点で、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰと相違している。
【0108】
表示用走査線駆動回路５１，５２は、画素ＰＸの画素ＴＦＴに、走査線ＧＬを介して表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐを供給する回路である。センサ用第１走査線駆動回路５３は、各画素ＰＸに配置された光学センサＯＳのセンサ回路に、第１走査線ＳＧＬ１を介してセンサ用第１走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔを供給する回路である。センサ用第２走査線駆動回路５４は、各画素ＰＸに配置された光学センサＯＳのセンサ回路に、第２走査線ＳＧＬ２を介してセンサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄを供給する回路である。デコーダ５５は、例えば５ビットのデコーダであり、ドライバＩＣ４からの制御信号を復号し、センサ用第１走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔを出力する第１走査線ＳＧＬ１を選択するための回路である。同様に、デコーダ５６は、例えば５ビットのデコーダであり、ドライバＩＣ４からの制御信号を復号し、センサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄを出力する第２走査線ＳＧＬ２を選択するための回路である。テスト回路５７，５８は、各種配線のショート系を検査するための回路である。
【0109】
第１比較例に係る表示装置ＤＳＰ１の構成の場合、左右額縁領域に配置する要素が多く、左右額縁領域が１．５ｍｍ程度まで大きくなってしまうといった問題がある。
【0110】
図１６は、第２比較例に係る表示装置ＤＳＰ２を概略的に示す平面図である。第２比較例に係る表示装置ＤＳＰ２は、第１比較例に係る表示装置ＤＳＰ１から、デコーダ５５，５６と、テスト回路５７，５８とを省略した構成を有している。詳細な説明は省略するが、デコーダ５５，５６が省略されたことに伴い、センサ用第１走査線駆動回路５３と、センサ用第２走査線駆動回路５４とには、表示用走査線駆動回路５１，５２同様、シフトレジスタが設けられる。
【0111】
第２比較例に係る表示装置ＤＳＰ２の構成の場合、第１比較例に係る表示装置ＤＳＰ１に比べて左右額縁領域に配置する要素が少なく、左右額縁領域を１．０ｍｍ程度まで小さくすることが可能である。しかしながら、近年のスマートフォン等の左右額縁領域は０．７ｍｍ～０．８ｍｍ程度のため、第２比較例に係る表示装置ＤＳＰ２の構成であってもまだ左右額縁領域が大きいといった問題が残る。
【0112】
これに対し、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰは、第１比較例および第２比較例に示した表示用走査線駆動回路５１および第１走査線駆動回路５３の機能を併せ持った走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１と、表示用走査線駆動回路５２および第２走査線駆動回路５４の機能を併せ持った走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２と、を備えている。
【0113】
表示用走査線駆動回路５１および第１走査線駆動回路５３の機能を併せ持った走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１を実現するにあたっては、表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐを出力する走査線ＧＬを選択するためのシフトレジスタＳＲと、センサ用第１走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔを出力する第１走査線ＳＧＬ１を選択するためのシフトレジスタＳＲとを共用化し、かつ、当該シフトレジスタＳＲに対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ内に、表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐを出力するためのイネーブル信号ＥＮ１ｄ，ＥＮ２ｄを供給するゲートスイッチＧＳＷ１Ａ，ＧＳＷ３Ａと、センサ用第１走査信号Ｇ＿ｒｅｓｅｔを出力するためのイネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅｓｅｔ，ＥＮ２ｆ＿ｒｅｓｅｔを供給するゲートスイッチＧＳＷ２Ａ，ＧＳＷ４Ａとを設けるとしている。
【0114】
同様に、表示用走査線駆動回路５２および第２走査線駆動回路５４の機能を併せ持った走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２を実現するにあたっては、表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐを出力する走査線ＧＬを選択するためのシフトレジスタＳＲと、センサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄを出力する第２走査線ＳＧＬ２を選択するためのシフトレジスタＳＲとを共用化し、かつ、当該シフトレジスタＳＲに対応するゲートスイッチ群ＧＳＷＧ内に、表示用走査信号Ｇ＿ｄｉｓｐを出力するためのイネーブル信号ＥＮ１ｄ，ＥＮ２ｄを供給するゲートスイッチＧＳＷ１Ｂ，ＧＳＷ３Ｂと、センサ用第２走査信号Ｇ＿ｒｅａｄを出力するためのイネーブル信号ＥＮ１ｆ＿ｒｅａｄ，ＥＮ２ｆ＿ｒｅａｄを供給するゲートスイッチＧＳＷ２Ｂ，ＧＳＷ４Ｂとを設けるとしている。
【0115】
これによれば、走査線／第１走査線駆動回路ＧＤ１および走査線／第２走査線駆動回路ＧＤ２を構成することが可能なため、第２比較例に係る構成より左右額縁領域に配置する要素をさらに減らすことができ、ひいては、スマートフォン等に対応し得る程度まで左右額縁領域を小さくすることができる。
【0116】
以上説明した一実施形態によれば、狭額縁化を実現することが可能な光学センサ付き液晶表示装置を提供することが可能である。
【0117】
なお、本実施形態では、表示装置ＤＳＰは照明装置ＩＬを備えた液晶表示装置であるとしたが、これに限定されず、表示装置ＤＳＰは表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置であってもよい。
【0118】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0119】
ＤＳＰ…表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、ＬＣ…液晶層、４…ドライバＩＣ、ＤＡ…表示領域、ＰＸ…画素、ＰＡ…周辺領域、ＧＤ１…走査線／第１走査線駆動回路、ＧＤ２…走査線／第２走査線駆動回路、ＯＳ…光学センサ、ＰＣ…光電変換素子、Ｖｄｅｔ…検出信号、ＳＲ…シフトレジスタ、ＧＳＷＧ…ゲートスイッチ群、ＧＳＷ…ゲートスイッチ、ＧＬ…走査線、ＳＧＬ１…第１走査線、ＳＧＬ２…第２走査線、ＳＷ２Ａ，ＳＷ２Ｃ…スイッチング素子。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】