特開 2024-72489 基板処理方法および基板処理システム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024072489

(43)【公開日】2024-05-28

(54)【発明の名称】基板処理方法および基板処理システム

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240521BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 651L

H01L21/304 648A

H01L21/304 643A

H01L21/304 651Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022183329

(22)【出願日】2022-11-16

(71)【出願人】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100105935

【弁理士】

【氏名又は名称】振角 正一

(74)【代理人】

【識別番号】100136836

【弁理士】

【氏名又は名称】大西 一正

(72)【発明者】

【氏名】墨 周武

【テーマコード（参考）】

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F157AA09

5F157AB02

5F157AB13

5F157AB14

5F157AB33

5F157AB48

5F157AB51

5F157AB64

5F157AB90

5F157AC04

5F157AC56

5F157BB23

5F157BB45

5F157CB14

5F157CB26

5F157CB27

5F157CE76

5F157DA21

5F157DB37

(57)【要約】

【課題】チャンバ内で超臨界状態の処理流体を用いて基板を処理する基板処理技術において、基板の下面に付着した液体の量をチャンバに搬入される前に低減させる。
【解決手段】本発明に係る基板処理方法は、湿式処理装置が基板の上面に液膜を形成する工程と、搬送装置が液膜を形成された基板を超臨界処理装置のチャンバ内へ搬入する工程と、超臨界処理装置がチャンバ内で基板を超臨界処理流体により処理する工程とを備えている。基板に液膜が形成された後であって基板がチャンバ外にある期間の少なくとも一部において、水平姿勢に支持された基板の下面に向けて、気体吐出部が気体を吹き付ける工程がさらに設けられる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

湿式処理装置が、基板の上面に液膜を形成する工程と、
搬送装置が、前記液膜を形成された前記基板を超臨界処理装置のチャンバ内へ搬入する工程と、
前記超臨界処理装置が、前記チャンバ内で前記基板を超臨界処理流体により処理する工程と
を備え、
前記基板に前記液膜が形成された後であって、前記基板が前記チャンバ外にある期間の少なくとも一部において、水平姿勢に支持された前記基板の下面に向けて、気体吐出部が気体を吹き付ける工程をさらに備える、基板処理方法。

【請求項2】

前記超臨界処理装置では、前記搬送装置により搬送される前記基板を平板状の支持トレイに載置することで、前記基板を水平姿勢で支持し、
前記気体吐出部は、前記基板が前記支持トレイに載置されるよりも前に前記気体を吹き付ける、請求項１に記載の基板処理方法。

【請求項3】

前記湿式処理装置は、平板状で回転する基板保持部の上面に前記基板を載置した状態で前記液膜を形成し、
前記気体吐出部は、前記基板保持部の上面に設けられたノズルから前記気体を吐出する、請求項１または２に記載の基板処理方法。

【請求項4】

前記気体吐出部は、前記液膜の形成後、前記基板保持部の回転が停止された状態で前記気体の吹き付けを行う、請求項３に記載の基板処理方法。

【請求項5】

前記気体吐出部は、前記湿式処理装置内で前記湿式処理装置から搬出される前記基板の経路の下方に設けられたノズルから前記気体を吐出する、請求項１または２に記載の基板処理方法。

【請求項6】

前記搬送装置には、前記基板を保持するハンドが設けられ、
前記気体吐出部は、前記ハンドに設けられたノズルから、前記基板に向けて前記気体を吐出する、請求項１または２に記載の基板処理方法。

【請求項7】

前記気体は窒素ガスまたは乾燥空気である、請求項１または２に記載の基板処理方法。

【請求項8】

基板の上面に液膜を形成する湿式処理装置と、
前記液膜を形成された前記基板をチャンバ内に収容して超臨界処理流体で処理する超臨界処理装置と、
前記液膜を形成された前記基板を前記超臨界処理装置のチャンバ内へ搬入する搬送装置と
を備え、
前記湿式処理装置には、前記湿式処理装置から搬出される前記基板の経路の下方にノズルが配置され、前記搬送装置により搬出される前記基板の下面に向けて前記ノズルが気体を吹き付ける、基板処理システム。

【請求項9】

基板の上面に液膜を形成する湿式処理装置と、
前記液膜を形成された前記基板をチャンバ内に収容して超臨界処理流体で処理する超臨界処理装置と、
前記液膜を形成された前記基板を前記超臨界処理装置のチャンバ内へ搬入する搬送装置と
を備え、
前記搬送装置は、前記基板を保持するハンドと、前記ハンドに設けられ前記ハンドに保持される前記基板の下面に気体を吹き付けるノズルとを有する、基板処理システム。

【請求項10】

前記基板に前記液膜が形成された後であって、前記基板が前記チャンバ外にある期間の少なくとも一部において、水平姿勢に支持された前記基板の下面に向けて、前記ノズルが前記気体を吹き付ける、請求項８または９に記載の基板処理システム。

【請求項11】

前記超臨界処理装置は、前記基板を載置して前記チャンバ内に収容される平板状の支持トレイを有し、
前記ノズルは、前記基板が前記支持トレイに載置されるよりも前に前記気体を吹き付ける、請求項１０に記載の基板処理システム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

この発明は、処理容器内で超臨界状態の処理流体を用いて基板を処理する基板処理技術に関するものである。

【背景技術】

【0002】

半導体基板、表示装置用ガラス基板等の各種基板の処理工程には、基板を各種の処理流体によって処理するものが含まれる。このような処理は、処理流体の効率的な利用や外部への散逸防止を目的として、気密性の処理容器内で行われる場合がある。例えば特許文献１に記載の処理装置では、側面に開口を有するチャンバの内部空間に、処理対象となる基板が、蓋部と一体化された平板状の支持トレイに載置された状態で搬入され、蓋部が開口を閉塞することで内部空間が密閉される。この状態から、超臨界状態の処理流体が導入されて基板が処理される。チャンバの内部空間は、基板および支持トレイの包絡外形よりも僅かに大きく形成されているので、処理流体の使用量を低減し処理効率を向上させることが可能である。

【0003】

この種の技術では、処理前の基板が露出して空気に触れることを回避するため、あるいは基板表面に形成された微細パターンの倒壊を防止するために、基板がその表面に液盛りされた状態でチャンバに搬入されることがある。上記従来技術においても、搬入されてくる基板は、洗浄処理後、表面が有機溶剤、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の液膜で覆われたものである。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０２１－１３６３７３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

このような液膜を形成する液体は、搬送時には基板の表面保護に寄与するものであるが、その後の超臨界処理においては早期に除去されるべきものである。しかしながら、上記従来技術のように基板が支持トレイに載置された状態で搬入される場合、基板下面と支持トレイとの微小な隙間に入り込んだ液体は特に排出されにくい。このため、液体を完全に排出するための処理に要する時間が長くなったり、液体が長く残留することにより処理結果が不良になったりするという問題が生じ得る。

【0006】

このことから、チャンバに搬入される基板の下面は、できるだけ液体が付着していない状態であることが好ましい。しかしながら、液膜の形成からチャンバへの搬入までの間において、下面側への液体の回り込みを完全になくすことは困難である。したがって、基板がチャンバに搬入されるまでに、基板の下面に付着した液体をできるだけ除去しておくことが求められる。そのような対策が取られていない上記従来技術は、この点において改良の余地があった。

【0007】

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、チャンバ内で超臨界状態の処理流体を用いて基板を処理する基板処理技術において、基板の下面に付着した液体の量を、チャンバに搬入される前に低減させることを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

この発明の一の態様は、湿式処理装置が基板の上面に液膜を形成する工程と、搬送装置が前記液膜を形成された前記基板を超臨界処理装置のチャンバ内へ搬入する工程と、前記超臨界処理装置が、前記チャンバ内で前記基板を超臨界処理流体により処理する工程とを備える基板処理方法である。この基板処理方法は、前記基板に前記液膜が形成された後であって、前記基板が前記チャンバ外にある期間の少なくとも一部において、水平姿勢に支持された前記基板の下面に向けて、気体吐出部が気体を吹き付ける工程をさらに備えている。

【0009】

このように構成された発明では、液膜の形成後、基板がチャンバ外にある間に、基板の下面に気体が吹き付けられる。これにより、基板の下面に付着した液体が吹き飛ばされて基板下面から除去される。その結果、基板がチャンバ内に収容される際にチャンバ内に持ち込まれる液体の量を減らすことができ、特に基板の下面に付着したまま持ち込まれる液体の量を大きく低減させることができる。

【発明の効果】

【0010】

上記のように、本発明では、基板が支持トレイとともにチャンバに収容された支持トレイの下面側にまず加圧気体を導入することにより、基板下面に付着した液体を押し流すことができる。そのため、その後の超臨界処理において残留液体を除去するのに要する時間を短縮することができ、また液体の残留に起因する処理不良を抑制することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】本発明を適用可能な基板処理システムの概略構成を示す図である。

【図2】この基板処理システムの処理の概要を示すフローチャートである。

【図3】湿式処理装置の構成例を示す図である。

【図4】湿式処理装置の動作の流れを模式的に示す図である。

【図5】超臨界処理装置の構成を示す側面図である。

【図6】基板の受け渡しの様子を模式的に示す図である。

【図7】気体の吹き付けを実行するための第１実施形態を示す図である。

【図8】気体の吹き付けを実行するための第２実施形態を示す図である。

【図9】気体の吹き付けを実行するための第３実施形態を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

＜システム構成＞
図１は本発明を適用可能な基板処理システムの概略構成を示す図である。以下の各図における方向を統一的に示すために、図１に示すようにＸＹＺ直交座標系を設定する。ここで、ＸＹ平面が水平面に相当し、Ｚ方向が鉛直方向に相当している。より具体的には、（－Ｚ）方向が鉛直下向きを表す。

【0013】

この基板処理システム１は、例えば半導体ウエハなどの各種基板の上面に処理液を供給して基板を湿式処理し、その後基板を乾燥させるための処理システムであり、本発明に係る基板処理方法を実施するのに好適なシステム構成を有している。すなわち、基板処理装置１は、その主要構成として、湿式処理装置２、搬送装置３、超臨界処理装置４および制御部９を備えている。

【0014】

湿式処理装置２、搬送装置３および超臨界処理装置４は、（＋Ｘ）方向に沿ってこの順番に並んでいる。湿式処理装置２の主要部は処理室２００の内部に収容されており、処理室２００の（＋Ｘ）側側面には、基板を出し入れするための開口（図示省略）が設けられ、該開口に対して開閉自在のシャッタ２０１が設けられている。一方、超臨界処理装置４の主要部は処理室４００の内部に収容されており、処理室４００の（－Ｘ）側側面には基板を出し入れするための開口（図示省略）が設けられるとともに、該開口に対して開閉自在のシャッタ４０１が設けられている。

【0015】

湿式処理装置２は、被処理基板を受け入れて所定の湿式処理を実行する。処理の内容は特に限定されない。搬送装置３は、湿式処理後の基板を湿式処理装置２から搬出して搬送し、超臨界処理装置４に搬入する。超臨界処理装置４は、搬入された基板に対し超臨界状態の処理流体を用いた乾燥処理（超臨界乾燥処理）を実行する。これらはクリーンルーム内に設置される。したがって、搬送装置３は大気雰囲気、大気圧下で基板Ｓを搬送することとなる。

【0016】

制御部９は、これらの各装置の動作を制御して所定の処理を実現する。この目的のために、制御部９は、ＣＰＵ９１、メモリ９２、ストレージ９３、およびインターフェース９４などを備えている。ＣＰＵ９１は、各種の制御プログラムを実行する。メモリ９２は、処理データを一時的に記憶する。ストレージ９３は、ＣＰＵ９１が実行する制御プログラムを記憶する。インターフェース９４は、ユーザや外部装置と情報交換を行う。後述する装置の動作は、ＣＰＵ９１が予めストレージ９３に書き込まれた制御プログラムを実行し、装置各部に所定の動作を行わせることにより実現される。

【0017】

ＣＰＵ９１が所定の制御プログラムを実行することにより、制御部９には、湿式処理装置２の動作を制御する湿式処理制御部９５、搬送装置３の動作を制御する搬送制御部９６、超臨界処理装置４の動作を制御する超臨界処理制御部９７などの機能ブロックがソフトウェア的に実現される。なお、これらの機能ブロックの各々は、その少なくとも一部が専用ハードウェアにより構成されてもよい。

【0018】

本実施形態における「基板」としては、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などの各種基板を適用可能である。以下では主として円盤状の半導体ウエハの処理に用いられる基板処理装置を例に採って図面を参照して説明する。しかしながら、上に例示した各種の基板の処理にも同様に適用可能である。また基板の形状についても各種のものを適用可能である。

【0019】

図２はこの基板処理システムにより実行される処理の概要を示すフローチャートである。この基板処理システム１は、処理対象の基板Ｓを受け入れて、処理液を用いた湿式処理および超臨界処理流体を用いた超臨界乾燥処理を順番に実行する。具体的には以下の通りである。処理対象の基板Ｓは、基板処理システム１を構成する湿式処理装置２に収容される（ステップＳ１０１）。基板Ｓの搬入は、外部の搬送装置により直接行われてもよく、また外部の搬送手段から搬送装置３を介して搬入される態様でもよい。

【0020】

湿式処理装置２は、所定の処理液を用いて基板Ｓに対し湿式処理を施す（ステップＳ１０２）。その後、例えばＩＰＡなどの有機溶剤により液膜を表面に形成する液膜形成処理が行われる（ステップＳ１０３）。例えば基板Ｓの表面に微細パターンが形成されている場合、基板Ｓに残留付着している液体の表面張力によってパターンの倒壊が生じるおそれがある。また、不完全な乾燥によって基板Ｓの表面にウォーターマークが残留する場合がある。また、基板Ｓ表面が外気に触れることで酸化等の変質を生じる場合がある。このような問題を未然に回避するために、基板Ｓの表面（パターン形成面）を液体で覆った状態で搬送することがある。

【0021】

例えば洗浄液が水を主成分とするものである場合には、これより表面張力が低く、かつ基板に対する腐食性が低い液体、例えばＩＰＡやアセトン等の有機溶剤により液膜を形成した状態で、搬送が実行される。すなわち、基板Ｓは、水平状態に支持され、かつその上面に液膜が形成された状態で、搬送装置３により、湿式処理装置２から搬出され（ステップＳ１０４）、さらに搬送されて最終的に超臨界処理装置４に搬入される（ステップＳ１０５）。

【0022】

超臨界処理装置４は、搬送されてきた基板Ｓに対し超臨界乾燥処理を施す（ステップＳ１０６）。超臨界状態の処理流体は表面張力が極めて低く流動性が高い。そのため、基板Ｓの表面に形成された微細パターンの内部まで入り込み、パターン内部の液体を置換する。例えば超臨界処理流体として二酸化炭素を用いた場合、有機溶剤を良く溶かすため、液膜を形成していた液体を効率よく置換し基板表面から除去することができる。

【0023】

超臨界処理流体は、液相を介することなく気化して排出される。基板Ｓに付着していた液体は超臨界処理流体により置換されて排出され、処理流体も排出されることで、乾燥状態の基板Ｓが得られる。この過程で気液界面が形成されないため、表面張力によるパターン倒壊が生じるのを回避することができる。処理後の基板Ｓは、搬送装置３により超臨界処理装置４から搬出され、後工程へ受け渡される。後工程の内容は任意である。

【0024】

上記した一連の処理を実行するための基板処理システム１の各構成要素の構造につき、より具体的に説明する。

【0025】

搬送装置３には、図示を省略する伸縮・回動自在のアームの先端にハンド３１が設けられた搬送ロボット３０が設けられる。破線矢印で示すように、搬送ロボット３０はＺ軸回りに回動自在となっている。ハンド３１は基板の下面に部分的に当接することで基板を支持可能である。図１に点線で示すように、ハンド３１はカバー３２の内部に格納されており、必要に応じてカバー３２から外部へ進出することで、湿式処理装置２および超臨界装置４の双方に対し進退移動自在となっている。これにより、湿式処理装置２および超臨界装置４のそれぞれに対して、基板の搬入および搬出を行うことができる。搬送ロボット３０の動作は制御部９の搬送制御部９６により制御される。

【0026】

この種の搬送ロボットとしては、本願出願人が先に開示した特開２０２０－１８８２２８号公報に記載のものを好適に適用可能である。搬送ロボット３１の具体的な構造については当該公報を参照することができるので、ここでは詳しい説明を省略する。

【0027】

図３は湿式処理装置の構成例を示す図である。より具体的には、図３は湿式処理装置２の全体構成を示す側面図である。この湿式処理装置２は、基板の上面に処理液を供給して基板を処理する装置である。湿式処理装置２の動作は、制御部９の湿式処理制御部９５により制御される。

【0028】

湿式処理装置２は、基板Ｓの上面に処理液を供給して基板Ｓの表面処理や洗浄等の湿式処理を行う。この目的のために、湿式処理装置２は、処理室２００の内部に、基板保持部２１、スプラッシュガード２２、処理液供給部２３，２４を備えている。これらの動作は制御部９に設けられる湿式処理制御部９５より制御される。

【0029】

基板保持部２１は、基板Ｓとほぼ同等の直径を有する円板状のスピンチャック２１１を有し、スピンチャック２１１の周縁部には複数のチャックピン２１２が設けられている。チャックピン２１２が基板Ｓの周縁部に当接して基板Ｓを支持することにより、スピンチャック２１１はその上面から離間させた状態で基板Ｓを水平姿勢に保持することができる。

【0030】

スピンチャック２１１はその下面中央部から下向きに延びる回転支軸２１３により上面が水平となるように支持されている。回転支軸２１３は処理チャンバ２００の底部に取り付けられた回転機構２１４により回転自在に支持されている。回転機構２１４は図示しない回転モータを内蔵しており、制御部９からの制御指令に応じて回転モータが回転することで、回転支軸２１３に直結されたスピンチャック２１１が１点鎖線で示す鉛直軸周りに回転する。図２においては上下方向が鉛直方向である。これにより、基板Ｓが水平姿勢のまま鉛直軸周りに回転される。

【0031】

基板保持部２１を側方から取り囲むように、スプラッシュガード２２が設けられる。スプラッシュガード２２は、スピンチャック２１１の周縁部を覆うように設けられた概略筒状のカップ２２１と、カップ２２１の外周部の下方に設けられた液受け部２２２とを有している。カップ２２１は制御部９からの制御指令に応じて昇降する。カップ２２１は、図３に実線で示すようにカップ２２１の上端部がスピンチャック２１１に保持された基板Ｓの周縁部よりも下方まで下降した下方位置と、図３に点線で示すようにカップ２２１の上端部が基板Ｓの周縁部よりも上方に位置する上方位置との間で昇降移動する。

【0032】

図３に実線で示すように、カップ２２１が下方位置にあるときには、スピンチャック２１１に保持される基板Ｓがカップ２２１外に露出した状態になっている。このため、例えばスピンチャック２１１への基板Ｓの搬入および搬出時にカップ２２１が障害となることが防止される。

【0033】

また、図３に点線で示すようにカップ２２１が上方位置にあるときには、スピンチャック２１１に保持される基板Ｓの周縁部を取り囲むことになる。これにより、後述する液供給時に基板Ｓの周縁部から振り切られる処理液がチャンバ２００内に飛散することが防止され、処理液を確実に回収することが可能となる。すなわち、基板Ｓが回転することで基板Ｓの周縁部から振り切られる処理液の液滴はカップ２２１の内壁に付着して下方へ流下し、カップ２２１の下方に配置された液受け部２２２により集められて回収される。複数の処理液を個別に回収するために、複数段のカップが同心に設けられてもよい。

【0034】

処理液供給部２３は、処理チャンバ２００に固定されたベース２３１に対し回動自在に設けられた回動支軸２３２から水平に伸びるアーム２３３の先端にノズル２３４が取り付けられた構造を有している。回動支軸２３２が制御部９からの制御指令に応じて回動することによりアーム２３３が揺動し、アーム２３３先端のノズル２３４が、基板Ｓの上方から側方へ退避した退避位置と、基板Ｓ上方の処理位置との間を移動する。

【0035】

ノズル２３４は処理液供給源２３８に接続されており、処理液供給源２３８から適宜の処理液が送出されると、ノズル２３４から基板Ｓに向けて処理液が吐出される。スピンチャック２１１が比較的低速で回転することで基板Ｓを回転させながら、基板Ｓの回転中心の上方に位置決めされたノズル２３４から処理液を供給することで、基板Ｓの上面Ｓａが処理液により処理される。処理液としては、現像液、エッチング液、洗浄液、リンス液等の各種の機能を有する液体を用いることができ、その組成は任意である。また複数種の処理液が組み合わされて処理が実行されてもよい。

【0036】

もう１組の処理液供給部２４も、上記した第１の処理液供給部２３と対応する構成を有している。すなわち、第２の処理液供給部２４は、ベース２４１、回動支軸２４２、アーム２４３、ノズル２４４等を有しており、これらの構成は、第１の処理液供給部２３において対応するものと同等である。回動支軸２４２が制御部９からの制御指令に応じて回動することによりアーム２４３が揺動する。アーム２４３先端のノズル２４４は、基板Ｓの上面Ｓａに対して処理液を供給する。

【0037】

この湿式処理装置２において、第２の処理液供給部２４は、湿式処理後の基板Ｓに対して乾燥防止用の液膜を形成する目的に使用される。すなわち、湿式処理後の基板Ｓは超臨界処理装置４に搬送されて超臨界乾燥処理を受けるが、搬送の間に基板Ｓの表面が露出して酸化したり、表面に形成された微細パターンが倒壊したりするのを防止するために、基板Ｓは表面がパドル状液膜で覆われた状態で搬送される。

【0038】

液膜を構成する液体としては、洗浄処理に用いられる処理液の主成分である水よりも表面張力の小さい物質、例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）またはアセトンなどの有機溶媒が用いられる。

【0039】

ここでは、湿式処理装置２に２組の処理液供給部が設けられているが、処理液供給部の設置数やその構造、機能についてはこれに限定されるものではない。例えば、処理液供給部は１組のみであってもよく、また３組以上設けられてもよい。また、１つの処理液供給部が複数のノズルを備えてもよい。例えば１つのアームの先端に複数のノズルが設けられてもよい。また、上記のようにノズルが所定の位置に位置決めされた状態で処理液を吐出する態様のみでなく、例えば基板Ｓの上面Ｓａに沿ってノズルが走査移動しながら処理液を吐出する態様が含まれてもよい。また、気体を吐出するノズルを有する気体供給部がさらに備えられてもよい。また処理液供給部に設けられた複数のノズルのうち少なくとも１つが気体を吐出する態様であってもよい。

【0040】

図４は湿式処理装置の動作の流れを模式的に示す図である。図４において、破線矢印は各部の移動方向を表している。図４（ａ）に示すように、カップ２２１が下方位置にある状態で、処理室２００のシャッタ２０１（図３）が開かれ、搬送装置３のハンド３１に支持された未処理の基板Ｓが搬入されてくる。スピンチャック２１１の上面周縁部に設けられたチャックピン２１２に基板Ｓを受け渡した後、ハンド３１は退避し、シャッタ２０１は閉じられる。

【0041】

ノズル２３４を用いた湿式処理の例では、図４（ｂ）に示すように、カップ２２１が上昇して上方位置に位置決めされるとともに、ノズル２３４が一点鎖線で示される基板Ｓの回転中心に向けて移動してくる。そして、図４（ｃ）に示すように、ノズル２３４が基板Ｓの回転中心に位置決めされた状態で、基板Ｓは所定の回転速度で回転され、ノズル２３４から処理液Ｌ１が吐出される。処理液Ｌ１は遠心力により基板Ｓの上面に沿って外向きに流れ、最終的には基板Ｓの周縁部から振り切られる。振り切られた液体はカップ２２１により回収される。

【0042】

また、基板Ｓが搬出される前には液膜形成処理（ステップＳ１０３）が行われる。すなわち、液膜形成用のノズル２４４が基板Ｓの回転中心に位置決めされ、ノズル２４４から液膜形成用の処理液、例えばＩＰＡが吐出される。これにより、基板Ｓの上面Ｓａが液膜ＬＰにより覆われる。液膜の厚さは基板Ｓの回転速度により調節可能である。

【0043】

処理液の供給および基板Ｓの回転が停止された後、液膜ＬＰが形成された基板Ｓが搬出される。すなわち、カップ２２１が下方位置へ下降し、搬送ロボット３０のハンド３１が基板Ｓを水平姿勢のまま搬出する。基板Ｓは液膜ＬＰとともに超臨界処理装置４へ搬送される。

【0044】

図５は超臨界処理装置の構成を示す側面図である。超臨界処理装置４は、湿式処理後の基板Ｓに対し超臨界状態の処理流体を用いた乾燥処理を施す装置である。より具体的には、超臨界処理装置４は、湿式処理後の基板Ｓを受け入れて、超臨界状態の処理流体によって基板Ｓに残留する液体を置換した後、処理流体を排出することで、最終的に基板Ｓを乾燥状態に至らせるための装置である。

【0045】

超臨界処理装置４は、処理室４００内に設けられた処理ユニット４１および移載ユニット４３と、供給ユニット４５とを備えている。処理ユニット４１は、超臨界乾燥処理の実行主体となるものである。移載ユニット４３は、搬送装置３により搬送されてくる湿式処理後の基板Ｓを受け取って処理ユニット４１に搬入し、また処理後の基板Ｓを処理ユニット４１から外部の搬送装置に受け渡す。供給ユニット４５は、処理に必要な化学物質、動力およびエネルギー等を、処理ユニット４１および移載ユニット４３に供給する。これらの動作は制御部９、特に超臨界処理制御部９７により制御される。

【0046】

処理ユニット４１は、台座４１１の上に処理チャンバ４１２が取り付けられた構造を有している。処理チャンバ４１２は、いくつかの金属ブロックの組み合わせにより構成され、その内部が空洞となって処理空間ＳＰを構成している。処理対象の基板Ｓは処理空間ＳＰ内に搬入されて処理を受ける。処理チャンバ４１２の（－Ｙ）側側面には、Ｘ方向に細長く延びるスリット状の開口４２１が形成されている。開口４２１を介して、処理空間ＳＰと外部空間とが連通している。処理空間ＳＰの断面形状は、開口４２１の開口形状と概ね同じである。すなわち、処理空間ＳＰはＸ方向に長くＺ方向に短い断面形状を有し、Ｙ方向に延びる空洞である。

【0047】

処理チャンバ４１２の（－Ｙ）側側面には、開口４２１を閉塞するように蓋部材４１３が設けられている。蓋部材４１３が処理チャンバ４１２の開口４２１を閉塞することにより、気密性の処理容器が構成される。これにより、内部の処理空間ＳＰで基板Ｓに対する高圧下での処理が可能となる。蓋部材４１３の（＋Ｙ）側側面には平板状の支持トレイ４１５が水平姿勢で取り付けられている。支持トレイ４１５の上面は、基板Ｓを載置可能な支持面となっている。蓋部材４１３は図示を省略する支持機構により、Ｙ方向に水平移動自在に支持されている。

【0048】

蓋部材４１３は、供給ユニット４５に設けられた進退機構４５３により、処理チャンバ４１２に対して進退移動可能となっている。具体的には、進退機構４５３は、例えばリニアモータ、直動ガイド、ボールねじ機構、ソレノイド、エアシリンダ等の直動機構を有している。このような直動機構が蓋部材４１３をＹ方向に移動させる。進退機構４５３は制御部９からの制御指令に応じて動作する。

【0049】

蓋部材４１３が（－Ｙ）方向に移動することにより処理チャンバ４１２から離間し、点線で示すように支持トレイ４１５が処理空間ＳＰから開口４２１を介して外部へ引き出されると、支持トレイ４１５へのアクセスが可能となる。すなわち、支持トレイ４１５への基板Ｓの載置、および支持トレイ４１５に載置されている基板Ｓの取り出しが可能となる。一方、蓋部材４１３が（＋Ｙ）方向に移動することにより、支持トレイ４１５は処理空間ＳＰ内へ収容される。支持トレイ４１５に基板Ｓが載置されている場合、基板Ｓは支持トレイ４１５とともに処理空間ＳＰに搬入される。

【0050】

蓋部材４１３が（＋Ｙ）方向に移動し開口４２１を塞ぐことにより、処理空間ＳＰが密閉される。蓋部材４１３の（＋Ｙ）側側面と処理チャンバ４１２の（－Ｙ）側側面との間にはシール部材４２２が設けられ、処理空間ＳＰの気密状態が保持される。シール部材４２２は例えばゴム製である。また、図示しないロック機構により、蓋部材４１３は処理チャンバ４１２に対して固定される。このように、蓋部材４１３は、開口４２１を閉塞して処理空間ＳＰを密閉する閉塞状態（実線）と、開口４２１から大きく離間して基板Ｓの出し入れが可能となる離間状態（点線）との間で切り替えられる。

【0051】

処理空間ＳＰの気密状態が確保された状態で、処理空間ＳＰ内で基板Ｓに対する処理が実行される。この実施形態では、供給ユニット４５に設けられた流体供給部４５７が、処理流体として、超臨界処理に利用可能な物質の処理流体、例えば二酸化炭素を送出し、さらに処理流体を処理チャンバ４１２内で加圧することで超臨界状態に至らせる。処理流体は気体または液体の状態で処理ユニット４１に供給される。二酸化炭素は、比較的低温、低圧で超臨界状態となり、また基板処理に多用される有機溶剤をよく溶かす性質を有するという点で、超臨界乾燥処理に好適な化学物質である。二酸化炭素が超臨界状態となる臨界点は、気圧（臨界圧力）が７．３８ＭＰａ、温度（臨界温度）が３１．１℃である。

【0052】

処理流体が処理空間ＳＰに充填され、処理空間ＳＰ内が適当な温度および圧力に到達すると、処理空間ＳＰは超臨界状態の処理流体で満たされる。こうして基板Ｓが処理チャンバ４１２内で超臨界流体により処理される。供給ユニット４５には流体回収部４５５が設けられており、処理後の流体は流体回収部４５５により回収される。流体供給部４５７および流体回収部４５５は、超臨界処理制御部９７により制御されている。

【0053】

処理空間ＳＰは、支持トレイ４１５およびこれに支持される基板Ｓを受け入れ可能な形状および容積を有している。すなわち、処理空間ＳＰは、水平方向には支持トレイ４１５の幅よりも広く、鉛直方向には支持トレイ４１５と基板Ｓとを合わせた高さよりも大きい概略矩形の断面形状と、支持トレイ４１５を受け入れ可能な奥行きとを有している。このように処理空間ＳＰは支持トレイ４１５および基板Ｓを受け入れるだけの形状および容積を有している。ただし、支持トレイ４１５および基板Ｓと、処理空間ＳＰの内壁面との間の隙間は僅かである。したがって、処理空間ＳＰを充填するために必要な処理流体の量は比較的少なくて済む。

【0054】

流体供給部４５７は、基板Ｓの（＋Ｙ）側端部よりもさらに（＋Ｙ）側で、処理空間ＳＰに対して処理流体を供給する。一方、流体回収部５５は、基板Ｓの（－Ｙ）側端部よりもさらに（－Ｙ）側で、処理空間ＳＰのうち基板Ｓよりも上方の空間および支持トレイ４１５よりも下方の空間を流通してくる処理流体を排出する。これにより、処理空間ＳＰ内では、基板Ｓの上方と支持トレイ４１５の下方とのそれぞれに、（＋Ｙ）側から（－Ｙ）側に向かう処理流体の層流が形成されることになる。

【0055】

制御部９の超臨界処理制御部９７は、図示しない検出部の検出結果に基づいて処理空間ＳＰ内の圧力および温度を特定し、その結果に基づき流体供給部４５７および流体回収部４５５を制御する。これにより、処理空間ＳＰへの処理流体の供給および処理空間ＳＰからの処理流体の排出が適切に管理され、処理空間ＳＰ内の圧力および温度が予め定められた処理レシピに応じて調整される。

【0056】

移載ユニット４３は、搬送機構３と支持トレイ４１５との間における基板Ｓの受け渡しを担う。この目的のために、移載ユニット４３は、本体４３１と、昇降部材４３３と、ベース部材４３５と、複数のリフトピン４３７とを備えている。昇降部材４３３はＺ方向に延びる柱状の部材であり、図示しない支持機構により、本体４３１に対してＺ方向に移動自在に支持されている。昇降部材４３３の上部には、略水平の上面を有するベース部材４３５が取り付けられている。ベース部材４３５の上面から上向きに、複数のリフトピン４３７が立設されている。リフトピン４３７の各々は、その上端部が基板Ｓの下面に当接することで基板Ｓを下方から水平姿勢に支持する。基板Ｓを水平姿勢で安定的に支持するために、上端部の高さが互いに等しい３以上のリフトピン４３７が設けられることが望ましい。

【0057】

昇降部材４３３は、供給ユニット４５に設けられた昇降機構４５１により昇降移動可能となっている。具体的には、昇降機構４５１は、例えばリニアモータ、直動ガイド、ボールねじ機構、ソレノイド、エアシリンダ等の直動機構を有しており、このような直動機構が昇降部材４３３をＺ方向に移動させる。昇降機構４５１は制御部９からの制御指令に応じて動作する。

【0058】

昇降部材４３３の昇降によりベース部材４３５が上下動し、これと一体的に複数のリフトピン４３７が上下動する。これにより、移載ユニット４３と支持トレイ４１５との間での基板Ｓの受け渡しが実現される。より具体的には、図３に点線で示すように、支持トレイ４１５がチャンバ外へ引き出された状態で基板Ｓが受け渡される。この目的のために、支持トレイ４１５にはリフトピン４３７を挿通させるための貫通孔４１７が設けられている。ベース部材４３５が上昇すると、リフトピン４３７の上端は貫通孔４１７を通して支持トレイ４１５の上面よりも上方に到達する。この状態で、搬送ロボット３０により搬送されてくる基板Ｓが、搬送ロボット３０のハンド３１からリフトピン４３７に受け渡される。リフトピン４３７が下降することにより、基板Ｓはリフトピン４３７から支持トレイ４１５へ受け渡される。基板Ｓの搬出は、上記と逆の手順により行うことができる。

【0059】

図６は基板の受け渡しの様子を模式的に示す図である。図６（ａ）ないし図６（ｄ）を参照し、基板Ｓの受け渡しにおける各部の動作について説明する。装置の初期状態は図５に示されている。この状態から、外部から搬入される基板Ｓを受け取るとき、図６（ａ）に示すように、蓋部材４１３が（－Ｙ）側に移動して支持トレイ４１５が処理チャンバ４１２から引き出される。このときの支持トレイ４１５の位置を、以下では「引き出し位置」と称する。また、昇降部材４３３が上昇することでリフトピン４３７が支持トレイ４１５の上面（支持面）より突出した状態となる。昇降部材４３３の上昇によってベース部材４３５が上昇するとき、リフトピン４３７は貫通孔４１７を通して支持面よりも上方に突出する。

【0060】

図６（ａ）に示すように、基板Ｓは搬送装置３の搬送ロボット３０に設けられたハンド３１により保持された状態で搬送されてくる。リフトピン４３７がハンド３１の上面よりも上方まで突出することで、基板Ｓはハンド３１からリフトピン４３７に受け渡される。ハンド３１とリフトピン４３７とは互いに干渉しないように形状および配置が定められる。この状態で、ハンド３１は側方へ退避することができる。図６（ｂ）に示すように、昇降部材４３３が下降することで、リフトピン４３７により支持される基板Ｓが下降する。

【0061】

最終的には図６（ｃ）に示すように、基板Ｓの下面が支持トレイ４１５の上面に当接し、リフトピン４３７が支持トレイ４１５よりも下方まで下降することで、基板Ｓはリフトピン４３７から支持トレイ４１５へ受け渡される。このようにして、搬送ロボット３０から支持トレイ４１５へ基板Ｓが受け渡される。その後、図６（ｄ）に示すように、蓋部材４１３が（＋Ｙ）方向へ移動することで、支持トレイ４１５とともに基板Ｓが処理チャンバ４１２の処理空間ＳＰに収容される。

【0062】

処理後の基板Ｓの搬出は、上記とは逆の動きとなる。すなわち、図６（ｃ）に示すように、処理後の基板Ｓが支持トレイ４１５とともに処理チャンバ４１２から引き出された後、昇降部材４３３が上昇することで、リフトピン４３７が基板Ｓを支持トレイ４１５から持ち上げる。そして、図６（ａ）に示すように、外部から進入してくるハンド３１にリフトピン４３７から基板Ｓを受け渡すことで、基板Ｓはハンド３１により保持されることとなる。ハンド３１が基板Ｓを外部へ搬出することで、基板Ｓは超臨界処理装置４から払い出される。

【0063】

前記した通り、超臨界処理装置４に搬入される基板Ｓの上面には、表面保護のための液膜ＬＰが形成されている。液膜ＬＰを構成する液体は、後に導入される超臨界処理流体によって置換されるが、その処理の効率を高めるためには、処理チャンバ４１２に持ち込まれる液体の量は少ないほどよい。基板Ｓの上面全体を確実に保護するために、液膜ＬＰを構成する液体の量を減らすことは難しい。

【0064】

一方、基板Ｓの下面については、液体が付着していないことが望ましい。基板Ｓが支持トレイ４１５に載置された状態で処理チャンバ４１２に搬入されるため、基板Ｓの下面に付着した液体は、基板Ｓの下面と支持トレイ４１５の上面との微小な隙間に入り込むこととなる。そうすると、超臨界処理流体でこの液体を置換し除去するのに長い時間が必要となり、また除去しきれず残留した液体が処理不良の原因ともなり得る。このことから、基板Ｓが処理チャンバ４１２に搬入されるまでに、より好ましくは基板Ｓが支持トレイ４１５に載置されるよりも前に、下面側に付着する液体が十分に除去されていることが求められる。

【0065】

そこで、この基板処理システムでは、湿式処理装置２で基板Ｓの上面Ｓａに液膜が形成された後の一定期間、基板Ｓの下面側に気体を吹き付ける処理を行う。これにより、液膜形成後に基板Ｓの下面に付着した液体を除去する。これを可能にする具体的な構成についてはいくつかの考え方があり、以下では３つの実施形態について説明する。なお、各実施形態間で共通の構成については共通の符号を付し、重複する説明を省略することとする。

【0066】

＜第１実施形態＞
図７は気体の吹き付けを実行するための第１実施形態を示す図である。より具体的には、図７（ａ）および図７（ｂ）は第１実施形態の湿式処理装置２Ａの要部を示す図である。図７（ａ）に示すように、この実施形態では、回転支軸２１３の中心は空洞に仕上げられ、その内部がガス流路２１５となっている。その上端はスピンチャック２１１の上面に設けられたガスノズル２１６に接続されている。ガス流路２１５には、ガス供給源２５から適宜の気体、例えば窒素ガスまたは乾燥空気が制御部９からの制御指令に応じて供給される。供給された気体はガスノズル２１６から基板Ｓの下面に向けて吹き付けられる。

【0067】

基板Ｓに液膜ＬＰが形成され基板Ｓの回転が停止された後で、回転支軸２１３の内部に設けられたガス流路２１５に対し、ガス供給源２５から気体が供給される。気体はガスノズル２１６から吐出され基板Ｓの下面Ｓｂに吹き付けられる。これにより、基板Ｓの下面Ｓｂ側では、中心から周縁部に向かって流れる気流が形成され、この気流により基板Ｓの下面Ｓｂに付着した液体を吹き飛ばすことができる。

【0068】

液体が周囲に飛散することがあるため、カップ２２１については上方位置に位置決めされていることが望ましい。なお、ここでは基板Ｓの回転を停止しているが、上面Ｓａ側の液膜ＬＰを維持することができる限りにおいて、基板Ｓを低速で回転させておくこともできる。

【0069】

また、図７（ｂ）に示すように、ノズル２４４から液膜形成用の処理液Ｌ２が供給されている時点から、下面Ｓｂへの気体の吹き付けが実行されていてもよい。このようにした場合、液膜形成時に基板Ｓの下面Ｓｂに回り込んでくる液体を速やかに排出し、下面Ｓｂへの液体の付着自体を低減させることが可能である。

【0070】

要するに、液膜形成用処理液の供給停止後、より好ましくは基板Ｓの回転停止後であって、基板Ｓが超臨界処理装置４に搬送され支持トレイ４１５に載置されるよりも前の一定期間、基板Ｓの下面Ｓｂ側に気体を吹き付ける工程を設けることが、下面Ｓｂへの液体の付着を抑える上で有効である。具体的には、図２のステップＳ１０３の開始後、ステップＳ１０５が終了するまでの間に、気体の吹き付けが行われればよい。

【0071】

＜第２実施形態＞
図８は気体の吹き付けを実行するための第２実施形態を示す図である。より具体的には、図８（ａ）は第２実施形態の湿式処理装置２Ｂの内部構造を示す側面断面図であり、図８（ｂ）は平面断面図である。この実施形態では、処理容器２００内であってシャッタ２０１が設けられた開口２０２の近傍に、ガスノズル２５１が配置される。図８（ｂ）に示すように、ガスノズル２５１は、Ｙ方向に沿って細長く延びた外形を有し、複数の吐出口２５２がＹ方向に配列された多孔ノズルである。

【0072】

ガスノズル２５１は、スピンチャック２１１に載置された基板Ｓが開口２０２を介して搬出される際の基板Ｓの経路の下方に配置されて、各吐出口２５２は上向きに開口している。点線矢印で示すように、搬送ロボット３０のハンド３１により基板Ｓが搬出されるとき、各吐出口２５２からは、ガス供給源２５から供給される気体が上向きに吐出される。したがって、液膜形成後の基板Ｓがガスノズル２５１の上方を通過する際、当該基板Ｓの下面に気体が吹き付けられ、これにより基板Ｓの下面に付着した液体が吹き飛ばされる。

【0073】

このような構成によれば、液膜形成後、湿式処理装置２から搬出するための基板Ｓの移動開始後に液体が上面側から下面側に回り込んできた場合でも、湿式処理装置２内でこれを除去することが可能である。なお、液体の除去効果を高めるために、例えば搬送中の基板Ｓがノズル２５１の直上位置にあるときに、ハンド３１が一時的に停止したり、移動速度を低下させたりしてもよい。

【0074】

＜第３実施形態＞
図９は気体の吹き付けを実行するための第３実施形態を示す図である。第１および第２実施形態では、気体を吹き付けるための構成を湿式処理装置２に設けている。一方、この第３実施形態では、搬送ロボット３０が気体を吹き付けるための構成を有している。

【0075】

具体的には、この実施形態における搬送ロボット３０のハンド３１Ａは、図示しない伸縮アームに取り付けられたベース部３１１から、２本の基板支持部３１２が略平行に延びた構造を有している。各基板支持部３１２には、基板Ｓの裏面および周縁部に部分的に当接して基板Ｓを支持する支持ピン３１３が設けられている。そして、ベース部３１１に、気体を吹き出すガスノズル３１５が取り付けられている。

【0076】

ガスノズル３１５では、複数の吐出口３１６が水平方向に配列されており、ガスノズル３１５は多孔ノズルとなっている。各吐出口３１６は、ガスノズル３１５のうち基板Ｓ側に向く側面に設けられ、ガス供給源２５から供給される気体を略水平に吐出する。図９（ｂ）に示すように、水平視において、吐出口３１６は、支持ピン３１３により支持される基板Ｓの下面Ｓｂよりも下方で開口しており、破線矢印で示すように、比較的狭角で気体を吹き出す。一方、図９（ａ）に破線矢印で示すように、水平方向には比較的広角で気体が吹き出される。したがって、気体は基板Ｓの下面Ｓｂに沿って広がり、この面に付着している液体を吹き飛ばす。

【0077】

ハンド３１Ａはカバー３２に格納されており、必要に応じてカバー３２から外部へ進出する。搬送ロボット３０が湿式処理装置２から基板Ｓを受け取り超臨界処理装置４に搬入する過程においては、ハンド３１Ａは、カバー３２に格納された状態と、カバー３２から処理室２００または処理室４００に進出した状態とを取り得る。したがって、気体吹き付けにより吹き飛ばされた液体は、カバー３２内または処理室２００，４００内に落下するのみであり、周囲に液体が飛散することは防止されている。

【0078】

ガスノズル３１５は、ハンド３１Ａが基板Ｓを保持している期間のうちの少なくとも一部において、吐出口３１６から気体を吐出する。当該期間の全体において気体を吐出してもよく、また基板Ｓの有無に関わらず常時気体が吐出される態様であってもよい。ガスの流量は一定であってもよく、液体の除去効果を高めるために一時的に流速が高くなる期間が設けられてもよい。この実施形態では、搬送開始直後から処理チャンバ４１２への搬入の直前まで、気体の吹き付けを実行することが可能である。

【0079】

なお、ガス供給源２５については、カバー３２内の雰囲気制御、あるいは搬送ロボット３０の電気的、機械的接点の保護等の目的でカバー３２内に窒素ガス等が供給されている場合には、そのためのガス供給源からガスノズル３１５へ気体を供給することが可能である。

【0080】

＜その他＞
以上説明したように、上記各実施形態においては、スピンチャック２１１が本発明の「基板保持部」として機能している。また、ガスノズル２１６，２５１，３１５が、本発明の「気体吐出部」として機能している。

【0081】

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記では基板下面に気体を吹き付けるための構成として３つの実施形態につき説明したが、これらを単独で実施するだけでなく、２つ以上を組み合わせて実施することも可能である。

【0082】

また例えば、上記実施形態では、超臨界処理用の処理流体として二酸化炭素を、基板下面に吹き付ける気体として窒素ガスまたは乾燥空気、また液膜を形成するための液体としてＩＰＡを用いている。しかしながら、これは単なる例示であり、用いられる化学物質はこれらに限定されるものではない。

【0083】

以上、具体的な実施形態を例示して説明してきたように、本発明に係る基板処理方法において、超臨界処理装置は、搬送装置により搬送される基板を平板状の支持トレイに載置することで、基板を水平姿勢で支持し、気体吐出部は、基板が支持トレイに載置されるよりも前に気体を吹き付けるように構成されてもよい。

【0084】

また例えば、湿式処理装置は、平板状で回転する基板保持部の上面に基板を載置した状態で液膜を形成し、気体吐出部は、基板保持部の上面に設けられたノズルから気体を吐出するように構成されてもよい。この場合、気体吐出部は、液膜の形成後、基板保持部の回転が停止された状態で気体の吹き付けを行ってもよい。

【0085】

また例えば、気体吐出部は、湿式処理装置内で湿式処理装置から搬出される基板の経路の下方に設けられたノズルから気体を吐出するように構成されてもよい。さらには、搬送装置に基板を保持するハンドが設けられ、気体吐出部は、ハンドに設けられたノズルから基板に向けて気体を吐出するように構成されてもよい。

【0086】

ここで、気体吐出部から吐出される気体としては、窒素ガスまたは乾燥空気を好適に利用可能である。

【0087】

また、この発明は、基板の上面に液膜を形成する湿式処理装置と、液膜を形成された基板をチャンバ内に収容して超臨界処理流体で処理する超臨界処理装置と、液膜を形成された基板を前記超臨界処理装置のチャンバ内へ搬入する搬送装置とを備える基板処理システムとして実現することが可能である。例えば、湿式処理装置に、湿式処理装置から搬出される基板の経路の下方にノズルを配置し、搬送装置により搬出される基板の下面にノズルが気体を吹き付けるように構成することができる。あるいは、搬送装置が、基板を保持するハンドと、ハンドに設けられハンドに保持される基板の下面に気体を吹き付けるノズルとを有するように構成されてもよい。

【0088】

これらの基板処理システムにおいては、例えば、基板に液膜が形成された後であって、基板がチャンバ外にある期間の少なくとも一部において、水平姿勢に支持された基板の下面に向けてノズルが気体を吹き付けるように構成することができる。

【0089】

また例えば、超臨界処理装置が、基板を載置してチャンバ内に収容される平板状の支持トレイを有する場合には、ノズルは、基板が支持トレイに載置されるよりも前に気体を吹き付けることが好ましい。こうすることで、基板と支持トレイとの隙間に液体が入り込むことが抑制され、超臨界処理において、液体の置換に長時間を要したり、残留する液体によって処理不良が発生したりするという問題を未然に回避することができる。

【産業上の利用可能性】

【0090】

この発明は、超臨界流体を用いて基板を処理する基板処理装置全般に適用することができる。特に、半導体基板等の基板を超臨界流体によって乾燥させる基板乾燥処理に好適に適用することができる。

【符号の説明】

【0091】

１ 基板処理システム
２ 湿式処理装置
３ 搬送装置
４ 超臨界処理装置
３１ ハンド
２１１ スピンチャック（基板保持部）
２１６，２５１，３１５ ガスノズル（気体吐出部）
４１２ 処理チャンバ（チャンバ）
４１５ 支持トレイ
Ｓ 基板
ＳＰ 処理空間

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】