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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024072753
(43)【公開日】2024-05-28
(54)【発明の名称】積層型電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20240521BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 516
H01G4/30 201G
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023039198
(22)【出願日】2023-03-14
(31)【優先権主張番号】10-2022-0153746
(32)【優先日】2022-11-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】ユーン、ダエ ウー
(72)【発明者】
【氏名】カン、バン スク
(72)【発明者】
【氏名】キム、ダ ミ
(72)【発明者】
【氏名】リー、ス ジン
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AF06
5E082AA01
5E082AB03
5E082EE01
5E082FF05
5E082FG26
5E082GG10
5E082GG11
5E082GG12
(57)【要約】
【課題】
本発明は、積層型電子部品に関する。
【解決手段】
本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体上に配置され、上記内部電極と連結される電極層と、を含み、上記電極層はＣｕ粒子及びガラスを含み、上記Ｃｕ粒子と上記ガラスの界面の少なくとも一部には、Ｃｕを含む酸化物が配置される。
【選択図】図５
本発明は、積層型電子部品に関する。
【解決手段】
本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体上に配置され、上記内部電極と連結される電極層と、を含み、上記電極層はＣｕ粒子及びガラスを含み、上記Ｃｕ粒子と上記ガラスの界面の少なくとも一部には、Ｃｕを含む酸化物が配置される。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
誘電体層及び内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置され、前記内部電極と連結される電極層と、を含み、
前記電極層はＣｕ粒子及びガラスを含み、
前記Ｃｕ粒子と前記ガラスの界面の少なくとも一部には、Ｃｕを含む酸化物が配置される、積層型電子部品。
前記本体上に配置され、前記内部電極と連結される電極層と、を含み、
前記電極層はＣｕ粒子及びガラスを含み、
前記Ｃｕ粒子と前記ガラスの界面の少なくとも一部には、Ｃｕを含む酸化物が配置される、積層型電子部品。
【請求項2】
前記Ｃｕを含む酸化物はＣｕ２Ｏを含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項3】
前記Ｃｕを含む酸化物はＣｕ２Ｏである、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項4】
前記Ｃｕを含む酸化物は、前記Ｃｕ粒子の一部が酸化されて形成される、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項5】
前記ガラスは、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｇ、及びＩｎの少なくとも何れか１つを含む酸化物を含む、請求項１から４の何れか一項に記載の積層型電子部品。
【請求項6】
前記ガラスは、Ｃｏ及びＧｅの少なくとも何れか１つを含む酸化物をさらに含む、請求項５に記載の積層型電子部品。
【請求項7】
前記ガラスは、Ｔｉ及びＰの少なくとも何れか１つを含む酸化物をさらに含む、請求項５に記載の積層型電子部品。
【請求項8】
前記ガラスは、ＳｉまたはＡｌを含む酸化物を含み、前記Ｆｅ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｇ、及びＩｎの少なくとも何れか１つは、前記ＳｉまたはＡｌの合計１００モルに対して０．００５モル以上４．５モル以下である、請求項５に記載の積層型電子部品。
【請求項9】
前記ガラスはＦｅ３Ｏ４を含む、請求項１から４の何れか一項に記載の積層型電子部品。
【請求項10】
前記ガラスと前記Ｃｕ粒子が接する界面の少なくとも一部での、Ｏ元素に対するＣｕ元素の割合が２以上である、請求項１から４の何れか一項に記載の積層型電子部品。
【請求項11】
前記電極層の平均厚さが７μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項12】
前記Ｃｕを含む酸化物は、前記Ｃｕ粒子と前記ガラスとの間に層の形態で配置され、Ｃｕを含む酸化物層を成す、請求項１から４の何れか一項に記載の積層型電子部品。
【請求項13】
前記Ｃｕを含む酸化物層の平均厚さが１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、請求項１２に記載の積層型電子部品。
【請求項14】
前記Ｃｕを含む酸化物は、前記Ｃｕ粒子と前記ガラスの界面の少なくとも一部にのみ配置される、請求項１から４の何れか一項に記載の積層型電子部品。
【請求項15】
前記電極層上にＮｉを含む第１めっき層が配置される、請求項１から４の何れか一項に記載の積層型電子部品。
【請求項16】
前記第１めっき層上にＳｎを含む第２めっき層が配置される、請求項１５に記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層型電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
積層型電子部品の１つである積層セラミックキャパシター（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピューター、スマートフォン、及び携帯電話などの種々の電子製品のプリント回路基板に取り付けられ、電気を充電または放電させる役割を果たすチップ形態のコンデンサーである。
【0003】
かかる積層セラミックキャパシターは、小型でありながらも高容量が保障され、且つ実装が容易であるという利点を有するため、種々の電子装置の部品として用いられることができる。コンピューター、モバイル機器などの各種電子機器の小型化、高出力化に伴い、積層セラミックキャパシターに対する小型化及び高容量化の要求も増大している。
【0004】
また、近年、自動車用電装部品に対する業界の関心が高くなっており、積層セラミックキャパシターにおいても、自動車もしくはインフォテインメントシステムに用いられるために、高信頼性特性が求められている。
【0005】
積層セラミックキャパシターの外部電極の基礎電極として機能する焼結電極がガラスを含む場合、めっき溶液などの酸性条件下でガラスの溶出が発生する可能性がある。
【0006】
そこで、耐食性ガラスを外部電極に含ませてめっき液からの浸食を防止しようとする試みがあったが、外部電極の金属粒子との濡れ性が低下し、外部電極の緻密度が低下する副効果が発生することがある。
【0007】
よって、ガラスと金属粒子との濡れ性を改善し、外部電極の緻密度を向上させるために、ガラスと金属粒子を含む外部電極の微細構造を改善する必要性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明の様々な目的の１つは、焼結電極がガラスを含む場合、焼結電極のＣｕ粒子とガラスの濡れ性を改善することにある。
【0009】
本発明の様々な目的の１つは、焼結電極がガラスを含む場合、めっき液などの酸性条件下でガラスの溶出が発生する現象を防止するとともに、外部電極の緻密度を向上させることにある。
【0010】
但し、本発明の目的は上述の内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体上に配置され、上記内部電極と連結される電極層と、を含み、上記電極層はガラス及びＣｕ粒子を含み、上記ガラスと上記Ｃｕ粒子の界面の少なくとも一部には、Ｃｕを含む酸化物が配置されることができる。
【発明の効果】
【0012】
本発明の様々な効果の１つは、焼結電極に含まれるＣｕ粒子と、焼結電極に含まれるガラスとの界面の少なくとも一部に、Ｃｕを含む酸化物を配置することで、Ｃｕ粒子とガラスの濡れ性を向上させることにより、積層型電子部品の耐湿信頼性を向上させることである。
【0013】
本発明の様々な効果の１つは、めっき液からの耐食性を確保するために焼結電極に耐食性ガラスを含ませた場合にも、焼結電極中のＣｕ粒子と耐食性ガラスの濡れ性を確保することである。
【0014】
但し、本発明の多様で且つ有益な利点と効果は上述の内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】本発明の一実施形態による積層型電子部品を概略的に示した斜視図である。
【図8】図７のＡ－Ａ'線に沿って、ＴＥＭ－ＥＤＸ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）によりＣｕ元素の分布を分析したラインコンセントレーションプロファイル（ｌｉｎｅ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ｐｒｏｆｉｌｅ）である。
【図9】図７のＡ－Ａ'線に沿って、ＴＥＭ－ＥＤＸ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）によりＯ元素の分布を分析したラインコンセントレーションプロファイルである。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがある。
【0017】
なお、本発明を明確に説明すべく、図面において説明と関係ない部分は省略し、様々な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示し、同一思想の範囲内において機能が同一である構成要素に対しては同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある構成要素を「含む」とは、特に異なる趣旨の説明がされていない限り、他の構成要素を除外する趣旨ではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【0018】
図面において、第１方向は積層方向または厚さ（Ｔ）方向、第２方向は長さ（Ｌ）方向、第３方向は幅（Ｗ）方向と定義されることができる。
【0019】
図１は本発明の一実施形態による積層型電子部品を概略的に示した斜視図であり、図２は図１のＩ－Ｉ'の断面図であり、図３は図１のＩＩ－ＩＩ'の断面図であり、図４は図１の本体を分解して示した分解斜視図であり、図５は図２のＰ１領域を拡大して示した模式図であり、図６は図５のＰ２領域を拡大して示した模式図であり、図７は図１のＰ１領域を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ、 Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察した画像であり、図８は図７のＡ－Ａ'線に沿って、ＴＥＭ－ＥＤＸ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）によりＣｕ元素の分布を分析したラインコンセントレーションプロファイルであり、図９は図７のＡ－Ａ'線に沿って、ＴＥＭ－ＥＤＸ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）によりＯ元素の分布を分析したラインコンセントレーションプロファイルであり、図１０は図７のＡ－Ａ'線に沿って、ＴＥＭ－ＥＤＸ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）によりＳｉ元素の分布を分析したラインコンセントレーションプロファイルであり、図１１は図２のＫ１領域を拡大して示した模式図である。
【0020】
【0021】
図１から図６を参照すると、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、本体１１０上に配置され、内部電極１２１、１２２と連結される電極層１３１、１４１と、を含み、電極層１３１、１４１はＣｕ粒子１３１ａ及びガラス１３１ｂを含み、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面の少なくとも一部には、Ｃｕを含む酸化物１３１ｃが配置される。
【0022】
本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されている。
【0023】
本体１１０の具体的な形状は特に制限されないが、図示されたように、本体１１０は、六面体形状またはそれに類似の形状からなることができる。焼成過程における、本体１１０に含まれているセラミック粉末の収縮により、本体１１０は、完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。
【0024】
本体１１０は、第１方向（厚さ方向）に互いに対向する第１及び第２面１、２と、上記第１及び第２面１、２と連結されて第２方向（長さ方向）に互いに対向する第３及び第４面３、４と、第１及び第２面１、２と連結され、且つ第３及び第４面３、４と連結されて第３方向（幅方向）に互いに対向する第５及び第６面５、６と、を有することができる。
【0025】
本体１１０を成す複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１の間の境界は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いずには確認が困難な程度に一体化されていることができる。
【0026】
誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量を得ることができれば特に制限されない。例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料、またはチタン酸ストロンチウム系材料などが使用できる。上記チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ３系セラミック粉末を含むことができ、上記セラミック粉末の例として、ＢａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＣａｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）、またはＢａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。
【0027】
また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粉末に、本発明の目的に応じて、種々のセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。
【0028】
一方、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、特に限定する必要はない。但し、一般に、誘電体層を０．６μｍ未満の平均厚さで薄く形成する場合、特に、誘電体層の平均厚さｔｄが０．３５μｍ以下である場合には、信頼性が低下する恐れがある。
【0029】
本発明の一実施形態によると、電極層１３１、１４１に含まれるＣｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面の少なくとも一部にＣｕを含む酸化物が配置されることで、信頼性を向上させることができるため、誘電体層の平均厚さｔｄが０．３５μｍ以下である場合にも、優れた信頼性を確保することができる。
【0030】
したがって、誘電体層の平均厚さｔｄが０．３５μｍ以下である場合、本発明による効果がより顕著になることができ、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成することができる。
【0031】
誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、上記第１内部電極１２１と第２内部電極１２２との間に配置される誘電体層１１１の平均厚さを意味し得る。
【0032】
誘電体層１１１の平均厚さは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされた画像での１つの誘電体層において、長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定し、平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は、容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層に拡張して行うと、誘電体層の平均厚さをさらに一般化することができる。
【0033】
本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含み、容量が形成される容量形成部Ａｃと、上記容量形成部Ａｃの上部及び下部に形成されたカバー部１１２、１１３と、を含むことができる。
【0034】
また、上記容量形成部Ａｃは、キャパシターの容量形成に寄与する部分であり、誘電体層１１１を挟んで複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２を繰り返し積層することで形成されることができる。
【0035】
上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層または２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ厚さ方向に積層することで形成されることができ、基本的に、物理的または化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0036】
上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極を含まず、誘電体層１１１と同一の材料を含むことができる。
【0037】
すなわち、上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミック材料を含むことができる。
【0038】
カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは、特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは１５μｍ以下であることができる。また、本発明の一実施形態によると、電極層１３１、１４１に含まれるＣｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面の少なくとも一部にＣｕを含む酸化物が配置されることで、信頼性を向上させることができるため、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃが１５μｍ以下である場合にも、優れた信頼性を確保することができる。
【0039】
カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは第１方向のサイズを意味し、容量形成部Ａｃの上部または下部において等間隔の５個の地点で測定したカバー部１１２、１１３の第１方向のサイズを平均した値であることができる。
【0040】
上記容量形成部Ａｃの側面にはマージン部１１４、１１５が配置されることができる。
【0041】
マージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置されたマージン部１１４と、第６面６に配置されたマージン部１１５と、を含む。すなわち、マージン部１１４、１１５は、上記セラミック本体１１０の幅方向の両側面に配置されることができる。
【0042】
マージン部１１４、１１５は、図３に示されたように、上記本体１１０を幅－厚さ（Ｗ－Ｔ）方向に切断した断面において、第１及び第２内部電極１２１、１２２の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味し得る。
【0043】
マージン部１１４、１１５は、基本的に、物理的または化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0044】
マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上に、マージン部が形成されるべき箇所を除いて導電性ペーストを塗布して内部電極を形成することにより形成されたものであることができる。
【0045】
また、内部電極１２１、１２２による段差を抑えるために、積層後に内部電極が本体の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一の誘電体層または２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に幅方向に積層することでマージン部１１４、１１５が形成されてもよい。
【0046】
内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１と交互に積層される。
【0047】
内部電極１２１、１２２は第１及び第２内部電極１２１、１２２を含むことができる。第１及び第２内部電極１２１、１２２は、本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ露出することができる。
【0048】
図２を参照すると、第１内部電極１２１は、第４面４から離隔して第３面３を介して露出し、第２内部電極１２２は、第３面３から離隔して第４面４を介して露出することができる。
【0049】
この時、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、その間に配置された誘電体層１１１により互いに電気的に分離されることができる。
【0050】
図３を参照すると、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成することで形成されることができる。
【0051】
内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に制限されず、電気伝導性に優れた材料を用いることができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金のうち１つ以上を含むことができる。
【0052】
また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金のうち１つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷することで形成されることができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを用いることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
【0053】
一方、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、特に限定する必要はない。但し、一般に、内部電極を０．６μｍ未満の厚さで薄く形成する場合、特に、内部電極の厚さが０．３５μｍ以下である場合には、信頼性が低下する恐れがある。
【0054】
本発明の一実施形態によると、電極層１３１、１４１に含まれるＣｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面の少なくとも一部にＣｕを含む酸化物が配置されることで、信頼性を向上させることができるため、内部電極１２１、１２２の平均厚さが０．３５μｍ以下である場合にも、優れた信頼性を確保することができる。
【0055】
したがって、内部電極１２１、１２２の平均厚さが０．３５μｍ以下である場合、本発明による効果がより顕著になることができ、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成することができる。
【0056】
内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さを意味し得る。
【0057】
内部電極１２１、１２２の平均厚さは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）でイメージスキャンして測定することができる。より具体的に、スキャンされた画像での１つの内部電極において、長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定し、平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は、容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極に拡張して行うと、内部電極の平均厚さをさらに一般化することができる。
【0058】
本体１１０上には、内部電極１２１、１２２と連結される電極層１３１、１４１が配置されることができる。具体的に、電極層１３１、１４１は本体１１０の第３面３及び第４面４に配置されることができ、本体１１０の第３面３に配置され、第１内部電極１２１と連結される第１電極層１３１と、本体１１０の第４面４に配置され、第２内部電極１２２と連結される第２電極層１４１と、を含むことができる。
【0059】
本実施形態では、積層型電子部品１００が２つの電極層１３１、１４１を有する構造を説明しているが、電極層１３１、１４１の個数や形状などは、内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的によって変わり得る。
【0060】
また、本明細書において、第１電極層１３１を基準として説明した実施形態は、第２電極層１４１にも同様に適用可能である。
【0061】
電極層１３１、１４１はＣｕ粒子を含むことができる。これにより、内部電極１２１、１２２との電気的連結性を確保することができ、特に、内部電極１２１、１２２がＮｉを含む場合、Ｎｉ－Ｃｕ合金を形成することで、内部電極１２１、１２２と電極層１３１、１４１との電気的連結性及び固着強度を向上させることができる。
【0062】
電極層１３１、１４１は、Ｃｕ粒子のような導電性金属粒子の他にも、ガラスを含むことができる。電極層１３１、１４１は、複数のＣｕ粉末粒子とガラスを含む導電性ペーストを本体１１０の第３面３及び第４面４に塗布し、乾燥過程を経て８６０℃以下の温度で焼成することで形成されることができる。焼成過程で、導電性ペーストに含まれる複数のＣｕ粉末粒子はネッキング（Ｎｅｃｋｉｎｇ）が起こり、導電性粒子同士の電気的連結性を確保することができる。導電性ペーストに含まれるガラスは、かかる焼成過程で電極層１３１、１４１の間に生じ得る空隙を満たし、電極層１３１、１４１の緻密度を高める役割を果たすことができ、セラミック材料を主成分とする本体１１０との接着力を向上させる役割を果たすことができる。
【0063】
電極層１３１、１４１の焼成過程で、ガラスは焼成変形（ｐｌａｓｔｉｃ ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎ）を起こして液体のような挙動を示すことができる。この時、ガラスは、Ｃｕ粒子に対して濡れ性（ｗｅｔｔａｂｉｌｉｔｙ）を示すことができる。Ｃｕ粒子とガラスとの濡れ性が大きいほど、最終的に形成される電極層１３１、１４１でＣｕ粒子とガラスの接触面積が広くなり、それらの接着性が改善されるだけでなく、電極層１３１、１４１自体の緻密性も向上するため、積層型電子部品１００の外部水分及びめっき液に対する信頼性も改善されることができる。
【0064】
本発明では、Ｃｕ粒子とガラスとの濡れ性を向上させるために、電極層１３１、１４１に含まれるＣｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面の少なくとも一部に反応層を形成し、最終的には電極層１３１、１４１の緻密度を向上させ、積層型電子部品１００の信頼性を向上させようとする。
【0065】
本発明の一実施形態によると、電極層１３１、１４１はＣｕ粒子１３１ａ及びガラス１３１ｂを含み、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面の少なくとも一部には、Ｃｕを含む酸化物１３１ｃが配置される。
【0066】
【0067】
図５を参照すると、電極層１３１はＣｕ粒子１３１ａ及びガラス１３１ｂを含んでおり、Ｃｕ粒子１３１ａ及びガラス１３１ｂは焼成された状態で電極層１３１を形成することができる。この時、Ｃｕ粒子１３１ａ及びガラス１３１ｂには互いに接する界面が存在し、この界面の一部に、Ｃｕを含む酸化物１３１ｃが配置されることができる。
【0068】
【0069】
図６を参照すると、Ｐ２領域は、電極層１３１、１４１のうち、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面にＣｕ粒子を含む酸化物１３１ｃが形成された領域の１つを拡大したものである。すなわち、Ｐ２領域では、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂが直接接するのではなく、Ｃｕを含む酸化物１３１ｃを介して接する。上述のように、ガラス１３１ｂは、Ｃｕ粒子１３１ａよりも、Ｃｕを含む酸化物１３１ｃに対してより優れた濡れ性を示すため、Ｃｕを含む酸化物１３１ｃがＣｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面の一部に配置され、電極層１３１の緻密度を向上させることで積層型電子部品１００の信頼性を向上させることができる。
【0070】
図７は図６のＰ２領域を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ、Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察した画像である。図７を参照すると、Ｐ２領域で、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面の少なくとも一部には、Ｃｕを含む酸化物１３１ｃが配置されていることが確認できる。以下、図８から図１０では、Ａ－Ａ'線に沿って含まれる元素の含量と分布について説明する。
【0071】
図８は、図７のＡ－Ａ'線に沿って、ＴＥＭ－ＥＤＸ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）によりＣｕ元素の分布を分析したラインコンセントレーションプロファイルである。
【0072】
図８を参照すると、Ｃｕ元素はＡ－Ａ'線に沿って次第に減少し、Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙが０に収束することが確認できる。Ａ－Ａ'線において、Ｃｕ元素のＩｎｔｅｎｓｉｔｙが急激に減少して０に収束する部分（Ｂ－Ｂ'）を、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面と定義することができる。すなわち、Ｃｕ元素のＩｎｔｅｎｓｉｔｙ値は、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面（Ｂ－Ｂ'）からガラス１３１ｂに向かって次第に減少することができる。
【0073】
図９は、図７のＡ－Ａ'線に沿って、ＴＥＭ－ＥＤＸ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）によりＯ元素の分布を分析したラインコンセントレーションプロファイルである。
【0074】
図９を参照すると、Ｏ元素のＩｎｔｅｎｓｉｔｙは、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面（Ｂ－Ｂ'）からガラス１３１ｂに向かって次第に増加することができる。また、Ｏ元素のＩｎｔｅｎｓｉｔｙは、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面（Ｂ－Ｂ'）で勾配の傾斜の符号が変わる地点である変曲点を１つ以上有することができる。ＴＥＭ－ＥＤＸ分析でＩｎｔｅｎｓｉｔｙの大きさは該当元素の含量に比例するため、Ｏ元素の含量は、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面（Ｂ－Ｂ'）で勾配の傾斜の符号が変わる地点である変曲点を１つ以上有することができる。
【0075】
図１０は、図７のＡ－Ａ'線に沿って、ＴＥＭ－ＥＤＸ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）によりＳｉ元素の分布を分析したラインコンセントレーションプロファイルである。
【0076】
図１０を参照すると、Ｓｉ元素のＩｎｔｅｎｓｉｔｙは、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面（Ｂ－Ｂ'）からガラス１３１ｂに向かって次第に増加することができる。また、Ｓｉ元素のＩｎｔｅｎｓｉｔｙは、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面（Ｂ－Ｂ'）で勾配の傾斜の符号が変わる地点である変曲点を１つ以上有することができる。ＴＥＭ－ＥＤＸ分析でＩｎｔｅｎｓｉｔｙの大きさは該当元素の含量に比例するため、Ｓｉ元素の含量は、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面（Ｂ－Ｂ'）で勾配の傾斜の符号が変わる地点である変曲点を１つ以上有することができる。
【0077】
一実施形態において、ガラス１３１ｂは、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｇ、及びＩｎの少なくとも何れか１つを含む酸化物を含むことができる。これにより、Ｃｕ粒子１３１ａをより容易に酸化させ、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂが接する界面の少なくとも一部に反応層を形成し、ガラス１３１ｂのＣｕ粒子１３１ａに対する濡れ性をさらに向上させることができる。
【0078】
Ｆｅ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｇ、及び、Ｉｎの少なくとも何れか１つを含む酸化物の含量は特に制限されない。但し、Ｃｕを含む酸化物１３１ｃの形成面積をより広くするために、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｇ、及びＩｎの少なくとも何れか１つの含量は、Ｓｉ及びＡｌの合計１００モルに対して０．００５モル以上４．５モル以下であることができる。
【0079】
Ｆｅ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｇ、及びＩｎの少なくとも何れか１つの含量がＳｉ及びＡｌの合計１００モルに対して０．００５モル未満である場合、Ｃｕを含む酸化物１３１ｃがＣｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面に十分に形成されず、電極層１３１、１４１の緻密度向上の効果が不足する可能性があり、４．５モルを超える場合、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｇ、及びＩｎの少なくとも何れか１つを含む結晶相が形成されてガラス１３１ｂの内部に拡散し、却ってＣｕを含む酸化物１３１ｃが十分に形成されない可能性がある。
【0080】
一実施形態によると、ガラス１３１ｂに含まれるＦｅ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｇ、及びＩｎの少なくとも何れか１つを含む酸化物の含量を、Ｓｉ及びＡｌの合計１００モルに対して０．００５モル以上４．５モル以下に調節することで、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面にＣｕを含む酸化物１３１ｃを十分に形成し、電極層１３１、１４１の緻密度を著しく向上させることができる。
【0081】
一実施形態において、Ｃｕを含む酸化物１３１ｃは、Ｃｕ粒子１３１ａの一部が酸化されて形成されたものであることができる。Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂを含む電極層１３１、１４１を形成する過程で、ガラス１３１ｂに含まれる金属酸化物の成分と含量を調節する場合、Ｃｕ粒子１３１ａの酸化を促進し、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面の少なくとも一部にＣｕ粒子１３１ａの一部が酸化されて形成されたＣｕを含む酸化物１３１ｃを形成することができる。この時、Ｃｕ粒子１３１ａの酸化を促進できるガラス１３１ｂに含まれる金属酸化物は、上述のＦｅ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｇ、及びＩｎの少なくとも何れか１つを含む酸化物であることが好適である。特に、電極層１３１、１４１を焼成する前に、ガラス１３１ｂにＦｅ２Ｏ３を添加する場合、電極層１３１、１４１の焼成過程でＣｕ粒子１３１ａが酸化される現象を促進することができる。電極層１３１、１４１の焼成前後に、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面でＣｕ粒子１３１ａの一部が酸化され、Ｃｕを含む酸化物１３１ｃが形成される反応は、下記の（化１）式で表されることができる。
【0082】
【化1】
【0083】
上記（化１）式によると、焼成前のＣｕ粒子（ｍｅｔａｌ、本発明での１３１a）の一部は、６６０℃以上の酸化または還元雰囲気でＦｅ２Ｏ３（ｇｌａｓｓ、本発明での焼成前のガラス）と反応してＣｕ２Ｏ（ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ、本発明でのＣｕ粒子とガラスの界面）を形成することができる。Ｆｅ２Ｏ３は、Ｃｕを酸化した後、焼成後の電極層１３１、１４１に含まれるガラス１３１ｂ内においてＦｅ３Ｏ４として存在することができる。すなわち、電極層１３１、１４１の焼成過程で（化１）式が進行されると、焼成後の電極層１３１、１４１は、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面に、Ｃｕ粒子１３１ａの一部が酸化されたＣｕを含む酸化物１３１ｃが配置されることができ、Ｃｕを含む酸化物１３１ｃはＣｕ２Ｏであることができる。
【0084】
Ｃｕを含む酸化物１３１ｃの組成を分析する方法は特に制限されない。上述のように、ＴＥＭ－ＥＤＸにより、Ｃｕを含む酸化物１３１ｃが形成された電極層１３１、１４１の領域で元素の種類と含量を分析することができる。また、Ｃｕを含む酸化物の種類を分析する時には、ＸＲＤ（Ｘ－Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）を用いることができる。積層型電子部品１００の第３方向の中央部で第１方向及び第２方向に切断し、電極層１３１、１４１の第１方向及び第２方向の切断面を研磨して試料を製作した後、ＸＲＤ分析により、Ｃｕを含む酸化物１３１ｃの結晶の種類を突き止めることで、Ｃｕを含む酸化物の種類を突き止めることができる。
【0085】
一方、本発明によると、焼成前のガラスの材料や電極層の材料に、Ｃｕを含む酸化物を別に添加しなくても、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面にＣｕを含む酸化物１３１ｃを形成することができるため、Ｃｕを含む酸化物１３１ｃは、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面の少なくとも一部にのみ配置されることができ、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面の少なくとも一部を除いた他の領域には配置されないことができる。これにより、電極層１３１、１４１の緻密度を向上させるとともに、Ｃｕ粒子１３１ａの過度な酸化を防止して電極層１３１、１４１の導電性を確保することができる。
【0086】
一方、一実施形態のように、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面にＣｕを含む酸化物１３１ｃが形成される場合、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂが接する界面の少なくとも一部において、Ｏ元素に対するＣｕ元素の割合は２以上であることができる。
【0087】
一方、一実施形態において、Ｃｕを含む酸化物１３１ｃは、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂとの間に層の形態で配置され、Ｃｕを含む酸化物層を成すことができる。
【0088】
この時、Ｃｕを含む酸化物層の平均厚さは、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることができるが、これに制限されるものではない。Ｃｕを含む酸化物層の平均厚さが１０ｎｍ未満である場合、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂが接する界面での濡れ性を向上させる効果が不足する可能性がある。Ｃｕを含む酸化物層の平均厚さが５０ｎｍを超える場合、Ｃｕ粒子１３１ａの過度な酸化により、電極層１３１、１４１の導電性を十分に確保することができない可能性がある。したがって、酸化物層の平均厚さを１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下に調節することで、電極層１３１、１４１の緻密度を向上させるとともに、適切な導電性を確保することにより、積層型電子部品１００のＥＳＲの増加を抑制することができる。
【0089】
Ｃｕを含む酸化物層の平均厚さは、第３方向の中央で第１及び第２方向に切断した電極層１３１、１４１の断面を観察して測定されることができ、Ｃｕを含む酸化物１３１ｃが形成された任意の５個以上の地点で測定された値の平均値であることができる。具体的に、ＴＥＭ－ＥＤＸにより、Ｃｕ元素の含量が急激に減少する部分から０に収束する地点までの距離を測定し、これらの平均値を取ることができる。
【0090】
一実施形態において、ガラス１３１ｂは、Ｃｏ及びＧｅの少なくとも何れか１つを含む酸化物をさらに含むことができる。これにより、ガラス１３１ｂの相互間の架橋酸素の量を増大させ、電極層１３１、１４１の緻密度をさらに向上させることができる。
【0091】
一実施形態において、ガラス１３１ｂは、Ｔｉ及びＰの少なくとも何れか１つを含む酸化物をさらに含むことができる。これにより、Ｃｕ粒子１３１ａの反応性を高め、Ｃｕを含む酸化物１３１ｃがより多く生成されるようにすることで、電極層１３１、１４１の緻密度をさらに向上させることができるだけでなく、耐薬品性を向上させることができる。
【0092】
一実施形態において、ガラス１３１ｂは、Ｓｉ、Ａｌ、及びＢの少なくとも何れか１つを含む酸化物をさらに含むことができる。Ｓｉ、Ａｌ、及びＢの少なくとも何れか１つを含む酸化物は、ガラスマトリックス構造を形成することで、ガラス１３１ｂの結合力を向上させる役割を果たすことができる。一方、Ｓｉ、Ａｌ、及びＢの少なくとも何れか１つを含む酸化物の含量を調節すると、ガラスの結合力を調節することができる。
【0093】
一方、焼成前のガラスフリットにＳｉを含む酸化物の含量を４０ｗｔ％以上にして電極層１３１、１４１に含まれるガラスを形成する場合、Ｓｉ－Ｏの強い結合により、外部めっき液に対する耐食性に優れるため、めっき過程でガラス１３１ｂの浸食に対する抵抗性が大きいという利点がある。
【0094】
しかし、このようなＳｉの含量が相対的に高いガラスは、ガラスとＣｕ粒子の界面での高い界面エネルギーにより、ガラスのＣｕ粒子に対する濡れ性が減少して電極層の緻密度を減少させる結果をもたらす可能性がある。かかる問題は、優れた耐食性を確保するためにＡｌまたはＢを含む酸化物の含量を高くしてガラスを形成する場合にも、同様に起こる恐れがある。
【0095】
本発明の一実施形態によると、電極層１３１、１４１はＣｕ粒子１３１ａ及びガラス１３１ｂを含み、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面の少なくとも一部には、Ｃｕを含む酸化物１３１ｃが配置されることで、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面での濡れ性を改善することができるため、ガラス１３１ｂにＳｉ、Ａｌ、及びＢの何れか１つを４．５ｗｔ％以上含有する高耐食性のガラスを適用した場合にも、電極層１３１、１４１の耐食性を確保するとともに、緻密性の低下を防止することができる。これにより、積層型電子部品１００の信頼性がさらに向上することができる。すなわち、一実施形態に従って、ガラス１３１ｂがＳｉ、Ａｌ、及びＢの何れか１つを４．５ｗｔ％以上含む場合、本発明による積層型電子部品の信頼性向上の効果がさらに顕著になることができる。
【0096】
一実施形態において、ガラス１３１ｂは、Ｌｉ、Ｎａ及びＫ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒの少なくとも何れか１つを含む酸化物をさらに含むことができる。Ｌｉ、Ｎａ及びＫ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒの少なくとも何れか１つを含む酸化物は、ガラス１３１ｂの融点と流動性を制御する役割を果たすことができる。
【0097】
一実施形態において、ガラス１３１ｂは、Ｚｎを含む酸化物をさらに含むことができる。Ｚｎを含む酸化物がガラス１３１ｂに含まれる場合、ガラス１３１ｂのめっき液に対する耐食性がさらに向上することができる。
【0098】
一方、ガラス１３１ｂに含まれる元素の組成を分析する方法は特に制限されない。
【0099】
積層型電子部品１００の単位体積当たりの容量を増加させるためには、電極層１３１、１４１が積層型電子部品１００の全体に占める割合を最小化する必要がある。そこで、電極層１３１、１４１を薄層化しようとする試みがあった。すなわち、積層型電子部品１００の単位体積当たりの容量を最大化するために、電極層１３１、１４１の平均厚さは７μｍ以下であることが好ましい。但し、電極層の平均厚さが７μｍ以下である場合、電極層１３１、１４１に含まれるガラス１３１ｂがめっき液により溶出されやすいという問題が発生する可能性がある。しかし、本発明の一実施形態によると、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面の少なくとも一部にＣｕを含む酸化物１３１ｃが配置されることで、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面での濡れ性を改善することができるため、電極層１３１、１４１の緻密性を改善することができることから、平均厚さが７μｍ以下である電極層１３１、１４１の場合にも、ガラスの溶出による信頼性の低下を防止することができる。これにより、積層型電子部品１００の信頼性がさらに向上することができる。すなわち、一実施形態に従って、電極層１３１、１４１の平均厚さが７μｍ以下である場合、本発明による積層型電子部品の信頼性向上の効果がより顕著になることができる。電極層１３１、１４１の平均厚さの下限は特に制限されない。但し、内部電極１２１、１２２との電気的連結性を確保するために、５μｍ以上であることが好ましい。
【0100】
【0101】
図１１を参照すると、電極層１３１の平均厚さは、第３方向の中央で第１及び第２方向に切断した断面を観察して測定されることができ、第３面または第４面上に配置された厚さ方向に等間隔である５個の地点で測定した電極層１３１の第１方向のサイズを平均した値であることができる。具体的に、本体の幅方向（第３方向）の中央で長さ方向（第２方向）及び厚さ方向（第１方向）に切断した断面（Ｌ－Ｔ断面）で、最下部に配置された内部電極から最上部に配置された内部電極１２１まで、厚さ方向に均等な間隔を有する５個の地点（Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５）における電極層１３１の第１方向のサイズの平均値であることができる。
【0102】
一方、本発明は、第１電極層１３１を基準として電極層１３１、１４１の平均厚さを測定する方法を述べているが、このような方法は、第２電極層１４１の平均厚さを測定する時にも同様に適用可能である。
【0103】
電極層１３１、１４１上にはめっき層１３２、１３３、１４２、１４３が配置されることができる。
【0104】
めっき層は、実装特性を向上させる役割を果たす。めっき層の種類は特に限定されず、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、及びこれらの合金のうち１つ以上を含むめっき層であってもよく、複数の層で形成されてもよい。
【0105】
めっき層のより具体的な例としては、めっき層は、Ｎｉめっき層またはＳｎめっき層であることができ、電極層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順に形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層、及びＳｎめっき層が順に形成された形態であってもよい。また、めっき層は複数のＮｉめっき層及び／または複数のＳｎめっき層を含んでもよい。
【0106】
図１を参照すると、一実施形態において、電極層１３１上にはＮｉを含む第１めっき層１３２、１４２が配置されることができる。これにより、積層型電子部品１００を基板に実装した場合に、半田リフローによる熱衝撃を緩和することができる。
【0107】
図１を参照すると、一実施形態において、Ｎｉを含む第１めっき層１３２、１４２上には、Ｓｎを含む第２めっき層１３３、１４３を含むことができる。すなわち、積層型電子部品は、電極層１３１、１４１、Ｎｉを含む第１めっき層１３２、１４２、及びＳｎを含む第２めっき層１３３、１４３が順に積層された形態で外部電極１３０、１４０を形成することができる。
【0108】
第２めっき層１３３、１４３はＳｎを含み、外部電極１３０、１４０の最外層に配置された場合に、実装特性を向上させる役割を果たすことができる。
【0109】
（実施例）
表１は、Ｃｕを含む酸化物の形成有無による、Ｃｕ粒子とガラスの界面の接着力と積層型電子部品の耐湿信頼性を評価した結果である。
表１は、Ｃｕを含む酸化物の形成有無による、Ｃｕ粒子とガラスの界面の接着力と積層型電子部品の耐湿信頼性を評価した結果である。
【0110】
試験番号毎に５００個の積層型電子部品のサンプルを作製し、焼成温度を除いては同一の条件下でサンプルを作製して特性を評価した。
【0111】
積層型電子部品のサンプルは、本発明の一実施形態のように、内部電極及び誘電体層を含む本体上に、Ｃｕ粒子とガラスフリット、バインダー及び分散剤を含む導電性ペーストを塗布及び乾燥した後、焼成炉での焼成過程を完了して電極層を形成した。その後、電極層上に、Ｎｉを含む第１めっき層とＳｎを含む第２めっき層を形成することで、積層型電子部品のサンプルを完成した。
【0112】
Ｃｕ粒子とガラスの界面にＣｕを含む酸化物が形成される場合、Ｃｕ粒子とガラスの接着力に優れる場合、耐湿信頼性に優れる場合を良品と判断し、表１で、サンプル０００個のうち良品の割合が０％である場合をＸ、良品の割合が６０％未満である場合を△、６０％以上９０％未満である場合を○、９０％以上１００％未満である場合を◎と表示した。
【0113】
Ｃｕ粒子とガラスの界面にＣｕを含む酸化物が形成されたか否かは、積層型電子部品１００の第３方向の中央部で第１方向及び第２方向に切断し、電極層１３１、１４１の第１方向及び第２方向の切断面を研磨して試料を製作した後、電極層１３１、１４１の一領域に含まれている元素の種類と含量をＴＥＭ－ＥＤＸにより分析して確認した。
【0114】
Ｃｕ粒子とガラスの接着力（接合強度）は、せん断強度測定機を用いて、０．００１ｍｍ／ｓのクロスヘッド移送速度で、実験条件当たりに３個の試験片のせん断強度の平均及び標準偏差を測定した。せん断強度の全平均に対して１３０％以上の値を超えるサンプルを良品と評価した。
【0115】
耐湿信頼性の評価は、８５℃、８５％の湿度で、２．５Ｖで１０時間印加し、絶縁抵抗（ＩＲ、Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）値が１個以上でも１ｅ４Ω未満に劣化してＮＧと判定される場合を不良、そうではない場合を良品と評価した。
【0116】
【表1】
【0117】
表１を参照すると、Ｃｕ粒子とガラスの界面にＣｕを含む酸化物が形成された試験番号１２～２２は、Ｃｕ粒子とガラスの界面の接着力に優れており、積層型電子部品の耐湿信頼性に優れることが確認できる。
【0118】
特に、焼成温度が５５０℃以上９００℃以下である試験番号１５～２２は、各特性を満たす良品の割合が６０％以上であって、積層型電子部品の信頼性向上の効果に優れることが確認でき、焼成温度が６５０℃以上８００℃以下である場合、積層型電子部品の耐湿信頼性向上の効果がさらに優れることが確認できる。
【0119】
したがって、本発明の一実施形態に従って、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの界面の少なくとも一部にＣｕを含む酸化物１３１ｃを配置させることで、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの接着力を向上させることができ、これにより、積層型電子部品１００の耐湿信頼性を向上させることができる。
【0120】
一方、一実施形態によると、電極層１３１、１４１の焼成温度を５５０℃以上９００℃以下、好ましくは６５０℃以上８００℃以下に調節することで、Ｃｕを含む酸化物１３１ｃを十分に配置させることにより、Ｃｕ粒子１３１ａとガラス１３１ｂの接着力を効果的に向上させることができ、これにより、積層型電子部品１００の耐湿信頼性を著しく向上させることができる。
【0121】
本発明で用いられた一実施例という表現は、互いに同一の実施例を意味せず、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されるものである。しかし、上記提示された一実施例は、他の実施例の特徴と結合して実施される場合を排除しない。例えば、特定の一実施例で説明された事項が他の実施例で説明されていなくても、他の実施例でその事項と反対の説明がされているかその事項と矛盾する説明がされていない限り、他の実施例に関連する説明であると解釈することもできる。
【0122】
また、本発明で用いられた用語は、一例を説明するために説明されたものであるだけで、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は文脈上明確に異なる意味でない限り、複数を含む。
【0123】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態及び添付図面により限定されず、添付の特許請求の範囲により限定される。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で、当技術分野の通常の知識を有する者によって様々な形態の置換、変形、及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。
【符号の説明】
【0124】
１００ 積層型電子部品
１１１ 誘電体層
１１２、１１３ カバー部
１１４、１１５ マージン部
１２１、１２２ 内部電極
１３０、１４０ 外部電極
１３１、１４１ 電極層
１３１ａ Ｃｕ粒子
１３１ｂ ガラス
１３１ｃ Ｃｕを含む酸化物
１３２、１４２ 第１めっき層
１３３、１４３ 第２めっき層
１１１ 誘電体層
１１２、１１３ カバー部
１１４、１１５ マージン部
１２１、１２２ 内部電極
１３０、１４０ 外部電極
１３１、１４１ 電極層
１３１ａ Ｃｕ粒子
１３１ｂ ガラス
１３１ｃ Ｃｕを含む酸化物
１３２、１４２ 第１めっき層
１３３、１４３ 第２めっき層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】