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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024072765
(43)【公開日】2024-05-28
(54)【発明の名称】プリント回路基板及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 1/02 20060101AFI20240521BHJP
H05K 3/46 20060101ALI20240521BHJP
H01L 23/12 20060101ALI20240521BHJP
【ＦＩ】
H05K1/02 J
H05K3/46 T
H05K3/46 Z
H05K3/46 B
H01L23/12 Q
【審査請求】未請求
【請求項の数】34
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023116101
(22)【出願日】2023-07-14
(31)【優先権主張番号】10-2022-0153872
(32)【優先日】2022-11-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(31)【優先権主張番号】10-2023-0002642
(32)【優先日】2023-01-09
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】李 栽欣
(72)【発明者】
【氏名】朴 鍾殷
(72)【発明者】
【氏名】朴 贊珍
(72)【発明者】
【氏名】梁 玄錫
(72)【発明者】
【氏名】柳 泰熙
【テーマコード（参考）】
5E316
5E338
【Ｆターム（参考）】
5E316AA32
5E316AA35
5E316AA43
5E316BB02
5E316BB06
5E316BB15
5E316CC04
5E316CC05
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC31
5E316CC32
5E316CC33
5E316CC34
5E316CC37
5E316CC38
5E316CC39
5E316DD17
5E316DD23
5E316DD24
5E316EE09
5E316FF04
5E316GG15
5E316GG17
5E316GG28
5E316HH26
5E316HH33
5E316JJ02
5E316JJ03
5E338AA03
5E338AA16
5E338BB75
5E338CC02
5E338CD13
5E338EE23
5E338EE33
(57)【要約】
【課題】微細回路形成が可能であり、信頼性に優れたプリント回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本開示は、第１絶縁層と、上記第１絶縁層上にそれぞれ配置された複数の第１回路パターンと、上記第１絶縁層上に配置され、上記複数の第１回路パターンのそれぞれの側面の一部を覆う第２絶縁層と、上記複数の第１回路パターンのうち、隣接する少なくとも一対の第１回路パターンの間に配置され、上記第１絶縁層と一体化された絶縁部と、を含む、プリント回路基板とその製造方法に関するものである。
【選択図】図３
【解決手段】本開示は、第１絶縁層と、上記第１絶縁層上にそれぞれ配置された複数の第１回路パターンと、上記第１絶縁層上に配置され、上記複数の第１回路パターンのそれぞれの側面の一部を覆う第２絶縁層と、上記複数の第１回路パターンのうち、隣接する少なくとも一対の第１回路パターンの間に配置され、上記第１絶縁層と一体化された絶縁部と、を含む、プリント回路基板とその製造方法に関するものである。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上にそれぞれ配置された複数の第１回路パターンと、
前記第１絶縁層上に配置され、前記複数の第１回路パターンのそれぞれの側面の一部を覆う第２絶縁層と、
前記複数の第１回路パターンのうち、隣接する少なくとも一対の第１回路パターンの間に配置され、前記第１絶縁層と一体化された絶縁部と、を含むプリント回路基板。
前記第１絶縁層上にそれぞれ配置された複数の第１回路パターンと、
前記第１絶縁層上に配置され、前記複数の第１回路パターンのそれぞれの側面の一部を覆う第２絶縁層と、
前記複数の第１回路パターンのうち、隣接する少なくとも一対の第１回路パターンの間に配置され、前記第１絶縁層と一体化された絶縁部と、を含むプリント回路基板。
【請求項2】
前記絶縁部は、前記第１絶縁層の一部が前記隣接する少なくとも一対の第１回路パターンの間に延びて配置されている、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項3】
前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間には境界が存在し、
前記第１絶縁層と前記絶縁部との間に境界が存在しない、請求項１に記載のプリント回路基板。
前記第１絶縁層と前記絶縁部との間に境界が存在しない、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項4】
前記絶縁部は、前記隣接する少なくとも一対の第１回路パターンのそれぞれの互いに向かい合う一側面同士の間に配置され、前記第２絶縁層は、前記隣接する少なくとも一対の第１回路パターンのそれぞれの前記一側面の反対側である他側面を覆う、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項5】
前記隣接する少なくとも一対の第１回路パターンのそれぞれの一側面と前記絶縁部との間にシード金属層が配置される、請求項４に記載のプリント回路基板。
【請求項6】
前記隣接する少なくとも一対の第１回路パターンのそれぞれの他側面と上面と下面には前記シード金属層が配置されない、請求項５に記載のプリント回路基板。
【請求項7】
前記複数の第１回路パターンのそれぞれの上面と、前記第２絶縁層の上面と、前記絶縁部の上面は、互いにコプラナーであり、
前記複数の第１回路パターンのそれぞれの下面と、前記第２絶縁層の下面は、互いにコプラナーである、請求項６に記載のプリント回路基板。
前記複数の第１回路パターンのそれぞれの下面と、前記第２絶縁層の下面は、互いにコプラナーである、請求項６に記載のプリント回路基板。
【請求項8】
断面上において、前記隣接する少なくとも一対の第１回路パターンのうち一つ、前記絶縁部、前記隣接する少なくとも一対の第１回路パターンのうち他の一つ、及び前記第２絶縁層は、この順に繰り返し配置される、請求項４に記載のプリント回路基板。
【請求項9】
前記断面上における繰り返し配置において、前記隣接する少なくとも一対の第１回路パターンのうち、一つと他の一つの線幅をそれぞれＷ１、前記絶縁部の幅をＷ２、前記第２絶縁層の幅をＷ３とするとき、線幅または幅がＷ１、Ｗ２、Ｗ１、Ｗ３の順で繰り返される、請求項８に記載のプリント回路基板。
【請求項10】
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は互いに異なる絶縁材を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項11】
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は互いに同じ絶縁材を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項12】
前記第１絶縁層上に配置され、断面上における前記複数の第１回路パターンのそれぞれより線幅がさらに広い第２回路パターンをさらに含み、
前記絶縁部は、前記第２回路パターンの両側面と離隔して配置され、前記第２絶縁層は、前記第２回路パターンの両側面を覆う、請求項４に記載のプリント回路基板。
前記絶縁部は、前記第２回路パターンの両側面と離隔して配置され、前記第２絶縁層は、前記第２回路パターンの両側面を覆う、請求項４に記載のプリント回路基板。
【請求項13】
前記第１絶縁層上に配置されるパッドパターンをさらに含み、
前記絶縁部は、前記パッドパターンの両側面と離隔して配置され、前記第２絶縁層は、前記パッドパターンの両側面を覆う、請求項１２に記載のプリント回路基板。
前記絶縁部は、前記パッドパターンの両側面と離隔して配置され、前記第２絶縁層は、前記パッドパターンの両側面を覆う、請求項１２に記載のプリント回路基板。
【請求項14】
前記プリント回路基板は、複数のビルドアップ絶縁層と複数のビルドアップ配線層と複数のビルドアップビア層を含み、
前記複数のビルドアップ絶縁層のうち少なくとも一つのビルドアップ絶縁層は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層と前記絶縁部を含み、
前記複数のビルドアップ配線層のうち少なくとも一つのビルドアップ配線層は、前記複数の第１回路パターンと前記第２回路パターンと前記パッドパターンを含む、請求項１３に記載のプリント回路基板。
前記複数のビルドアップ絶縁層のうち少なくとも一つのビルドアップ絶縁層は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層と前記絶縁部を含み、
前記複数のビルドアップ配線層のうち少なくとも一つのビルドアップ配線層は、前記複数の第１回路パターンと前記第２回路パターンと前記パッドパターンを含む、請求項１３に記載のプリント回路基板。
【請求項15】
前記複数の第１回路パターンと前記第２回路パターンと前記パッドパターンを含むビルドアップ配線層には、前記複数の第１回路パターンのそれぞれの一側面にシード金属層が配置されるが、前記複数の第１回路パターンと前記第２回路パターンと前記パッドパターンのそれぞれの上面及び下面にはシード金属層が配置されず、
前記複数のビルドアップ配線層のうち、前記複数の第１回路パターンと前記第２回路パターンと前記パッドパターンを含むビルドアップ配線層を除いた残りのビルドアップ配線層には、回路パターンのそれぞれの上面または下面にシード金属層が配置される、請求項１４に記載のプリント回路基板。
前記複数のビルドアップ配線層のうち、前記複数の第１回路パターンと前記第２回路パターンと前記パッドパターンを含むビルドアップ配線層を除いた残りのビルドアップ配線層には、回路パターンのそれぞれの上面または下面にシード金属層が配置される、請求項１４に記載のプリント回路基板。
【請求項16】
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層と前記絶縁部を含むビルドアップ絶縁層は、前記複数のビルドアップ絶縁層のうち最外層に配置され、
前記複数の第１回路パターンと前記第２回路パターンと前記パッドパターンを含むビルドアップ配線層は、前記複数のビルドアップ配線層のうち最外層に配置される、請求項１４に記載のプリント回路基板。
前記複数の第１回路パターンと前記第２回路パターンと前記パッドパターンを含むビルドアップ配線層は、前記複数のビルドアップ配線層のうち最外層に配置される、請求項１４に記載のプリント回路基板。
【請求項17】
前記プリント回路基板は、前記複数のビルドアップ絶縁層のうち最外層に配置されたビルドアップ絶縁層上に配置されたレジスト層をさらに含み、
前記レジスト層は、前記第２絶縁層及び前記絶縁部とそれぞれ接する、請求項１６に記載のプリント回路基板。
前記レジスト層は、前記第２絶縁層及び前記絶縁部とそれぞれ接する、請求項１６に記載のプリント回路基板。
【請求項18】
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層と前記絶縁部を含むビルドアップ絶縁層は、前記複数のビルドアップ絶縁層のうち内層に配置され、
前記複数の第１回路パターンと前記第２回路パターンと前記パッドパターンを含むビルドアップ配線層は、前記複数のビルドアップ配線層のうち内層に配置される、請求項１４に記載のプリント回路基板。
前記複数の第１回路パターンと前記第２回路パターンと前記パッドパターンを含むビルドアップ配線層は、前記複数のビルドアップ配線層のうち内層に配置される、請求項１４に記載のプリント回路基板。
【請求項19】
前記プリント回路基板は、コアタイプの第１基板部と、前記第１基板部上に配置され、複数のビルドアップ絶縁層と複数のビルドアップ配線層と複数のビルドアップビア層を含むコアレスタイプの第２基板部と、を含み、
前記複数のビルドアップ絶縁層のうち少なくとも一つのビルドアップ絶縁層は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層と前記絶縁部を含み、
前記複数のビルドアップ配線層のうち少なくとも一つのビルドアップ配線層は、前記複数の第１回路パターンと前記第２回路パターンと前記パッドパターンを含む、請求項１３に記載のプリント回路基板。
前記複数のビルドアップ絶縁層のうち少なくとも一つのビルドアップ絶縁層は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層と前記絶縁部を含み、
前記複数のビルドアップ配線層のうち少なくとも一つのビルドアップ配線層は、前記複数の第１回路パターンと前記第２回路パターンと前記パッドパターンを含む、請求項１３に記載のプリント回路基板。
【請求項20】
前記複数のビルドアップ絶縁層は、全層が前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層と前記絶縁部を含み、
前記複数のビルドアップ配線層は、全層が前記複数の第１回路パターンと前記第２回路パターンと前記パッドパターンを含む、請求項１９に記載のプリント回路基板。
前記複数のビルドアップ配線層は、全層が前記複数の第１回路パターンと前記第２回路パターンと前記パッドパターンを含む、請求項１９に記載のプリント回路基板。
【請求項21】
絶縁材と、
前記絶縁材にそれぞれ埋め込まれた複数の第１回路パターンと、を含み、
前記複数の第１回路パターンのうち隣接する少なくとも一対の第１回路パターンのそれぞれの互いに向かい合う一側面上にはシード金属層が配置されるが、前記一側面の反対側である他側面上には前記シード金属層が配置されない、プリント回路基板。
前記絶縁材にそれぞれ埋め込まれた複数の第１回路パターンと、を含み、
前記複数の第１回路パターンのうち隣接する少なくとも一対の第１回路パターンのそれぞれの互いに向かい合う一側面上にはシード金属層が配置されるが、前記一側面の反対側である他側面上には前記シード金属層が配置されない、プリント回路基板。
【請求項22】
前記隣接する少なくとも一対の第１回路パターンのそれぞれの上面及び下面上にはシード金属層が配置されない、請求項２１に記載のプリント回路基板。
【請求項23】
前記絶縁材に埋め込まれた第２回路パターンと、
前記絶縁材に埋め込まれたパッドパターンと、をさらに含み、
前記第２回路パターン及び前記パッドパターンのそれぞれの両側面と下面上にはシード金属層が配置されない、請求項２２に記載のプリント回路基板。
前記絶縁材に埋め込まれたパッドパターンと、をさらに含み、
前記第２回路パターン及び前記パッドパターンのそれぞれの両側面と下面上にはシード金属層が配置されない、請求項２２に記載のプリント回路基板。
【請求項24】
デタッチ基板上に第１ドライフィルムを形成する段階と、
前記第１ドライフィルムをパターニングして、前記デタッチ基板上で互いに離隔して配置される複数のドライフィルムパターンを形成する段階と、
前記デタッチ基板上に前記複数のドライフィルムパターンのそれぞれを覆うシード金属層を形成する段階と、
前記シード金属層上に前記デタッチ基板と前記複数のドライフィルムパターンに沿って第１めっき層を形成する段階と、
前記第１めっき層上に前記第１めっき層を覆い、前記第１めっき層の側面同士の間の空間を満たす第２絶縁層を形成する段階と、
前記第２絶縁層と前記第１めっき層と前記シード金属層のそれぞれの少なくとも一部を研磨する段階と、
前記シード金属層の側面同士の間に残存する前記複数のドライフィルムパターンを除去する段階と、
前記デタッチ基板上に前記第２絶縁層及び前記第１めっき層を覆い、前記シード金属層の側面同士の間の空間を満たす第１絶縁層を形成する段階と、
前記デタッチ基板を除去する段階と、
前記シード金属層と前記第１めっき層と前記第１絶縁層のそれぞれの少なくとも一部を研磨する段階と、を含む、プリント回路基板の製造方法。
前記第１ドライフィルムをパターニングして、前記デタッチ基板上で互いに離隔して配置される複数のドライフィルムパターンを形成する段階と、
前記デタッチ基板上に前記複数のドライフィルムパターンのそれぞれを覆うシード金属層を形成する段階と、
前記シード金属層上に前記デタッチ基板と前記複数のドライフィルムパターンに沿って第１めっき層を形成する段階と、
前記第１めっき層上に前記第１めっき層を覆い、前記第１めっき層の側面同士の間の空間を満たす第２絶縁層を形成する段階と、
前記第２絶縁層と前記第１めっき層と前記シード金属層のそれぞれの少なくとも一部を研磨する段階と、
前記シード金属層の側面同士の間に残存する前記複数のドライフィルムパターンを除去する段階と、
前記デタッチ基板上に前記第２絶縁層及び前記第１めっき層を覆い、前記シード金属層の側面同士の間の空間を満たす第１絶縁層を形成する段階と、
前記デタッチ基板を除去する段階と、
前記シード金属層と前記第１めっき層と前記第１絶縁層のそれぞれの少なくとも一部を研磨する段階と、を含む、プリント回路基板の製造方法。
【請求項25】
前記複数のドライフィルムパターンを形成する段階において、前記複数のドライフィルムパターンのそれぞれの断面上での幅をｎとするとき、断面上での前記複数のドライフィルムパターン同士の間の離隔距離は３ｎを満たす、請求項２４に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項26】
前記第１めっき層を形成する段階において、前記第１めっき層の断面上での厚さまたは幅はｎを満たす、請求項２５に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項27】
前記第２絶縁層と前記第１めっき層と前記シード金属層のそれぞれの研磨は、前記デタッチ基板が配置された側とは反対側から少なくとも前記複数のドライフィルムパターンが露出するまで行われ、
前記シード金属層と前記第１めっき層と前記第１絶縁層のそれぞれの研磨は、前記デタッチ基板が除去された側から少なくとも前記第２絶縁層が露出するまで行われる、請求項２４に記載のプリント回路基板の製造方法。
前記シード金属層と前記第１めっき層と前記第１絶縁層のそれぞれの研磨は、前記デタッチ基板が除去された側から少なくとも前記第２絶縁層が露出するまで行われる、請求項２４に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項28】
前記第１めっき層を形成する段階の後に、
前記第１めっき層及び前記シード金属層のうち平面上で前記複数のドライフィルムパターンのそれぞれの両端部に配置された部分を除去する段階をさらに含む、請求項２４に記載のプリント回路基板の製造方法。
前記第１めっき層及び前記シード金属層のうち平面上で前記複数のドライフィルムパターンのそれぞれの両端部に配置された部分を除去する段階をさらに含む、請求項２４に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項29】
前記第１めっき層を形成する段階の後に、
前記第１めっき層上に第２ドライフィルムを形成する段階と、
前記第２ドライフィルムをパターニングして前記第１めっき層を露出させる複数の開口パターンを形成する段階と、
前記複数の開口パターン内に第２めっき層を形成する段階と、
前記第２ドライフィルムを除去する段階と、をさらに含む、請求項２４に記載のプリント回路基板の製造方法。
前記第１めっき層上に第２ドライフィルムを形成する段階と、
前記第２ドライフィルムをパターニングして前記第１めっき層を露出させる複数の開口パターンを形成する段階と、
前記複数の開口パターン内に第２めっき層を形成する段階と、
前記第２ドライフィルムを除去する段階と、をさらに含む、請求項２４に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項30】
前記第２絶縁層を形成する段階において、前記第２絶縁層は、前記第２めっき層をさらに覆い、前記第２めっき層の側面同士の間の空間及び前記第１めっき層と前記第２めっき層との間の空間をさらに満たし、
前記第２絶縁層と前記第１めっき層と前記シード金属層のそれぞれの少なくとも一部を研磨する段階において、前記第２めっき層の少なくとも一部をさらに研磨し、
前記第１絶縁層を形成する段階において、前記第１絶縁層は前記第２めっき層をさらに覆う、請求項２９に記載のプリント回路基板の製造方法。
前記第２絶縁層と前記第１めっき層と前記シード金属層のそれぞれの少なくとも一部を研磨する段階において、前記第２めっき層の少なくとも一部をさらに研磨し、
前記第１絶縁層を形成する段階において、前記第１絶縁層は前記第２めっき層をさらに覆う、請求項２９に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項31】
前記第１絶縁層を形成する段階の後に、
複数の第１ビルドアップ絶縁層と複数の第１ビルドアップ配線層と複数の第１ビルドアップビア層を形成する段階をさらに含む、請求項３０に記載のプリント回路基板の製造方法。
複数の第１ビルドアップ絶縁層と複数の第１ビルドアップ配線層と複数の第１ビルドアップビア層を形成する段階をさらに含む、請求項３０に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項32】
前記シード金属層と前記第１めっき層と前記第１絶縁層のそれぞれの少なくとも一部を研磨する段階の後に、
前記複数の第１ビルドアップ絶縁層と複数の第１ビルドアップ配線層と複数の第１ビルドアップビア層が形成された側とは反対側に、複数の第２ビルドアップ絶縁層と複数の第２ビルドアップ配線層と複数の第２ビルドアップビア層を形成する段階をさらに含む、請求項３１に記載のプリント回路基板の製造方法。
前記複数の第１ビルドアップ絶縁層と複数の第１ビルドアップ配線層と複数の第１ビルドアップビア層が形成された側とは反対側に、複数の第２ビルドアップ絶縁層と複数の第２ビルドアップ配線層と複数の第２ビルドアップビア層を形成する段階をさらに含む、請求項３１に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項33】
前記第１絶縁層を形成する段階の後に、
前記第１絶縁層に前記第２めっき層を露出させる開口を形成する段階と、
前記開口内に金属バンプを形成する段階と、
前記金属バンプ上に低融点金属を形成する段階と、をさらに含む、請求項３０に記載のプリント回路基板の製造方法。
前記第１絶縁層に前記第２めっき層を露出させる開口を形成する段階と、
前記開口内に金属バンプを形成する段階と、
前記金属バンプ上に低融点金属を形成する段階と、をさらに含む、請求項３０に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項34】
前記プリント回路基板の製造方法は、コアタイプの第１基板部とコアレスタイプの第２基板部を準備した後、前記第１基板部及び前記第２基板部を一括積層することを含む、請求項３３に記載のプリント回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、プリント回路基板、例えば、微細回路を含むプリント回路基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
最近、電子部品産業において５Ｇ高速通信及び人工知能に対応するために高集積プリント回路基板が求められている。微細回路は高集積プリント回路基板を製造するための核心技術であり、例えばライン（Ｌｉｎｅ）／スペース（Ｓｐａｃｅ）が大略数マイクロメートルの微細回路を実現することができる技術確保のための研究開発を活発に進めている。但し、従来の回路形成方法、例えばＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ、セミアディティブプロセス）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ、モディファイドセミアディティブプロセス）、ＥＴＳ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｔｒａｃｅ Ｓｕｂｓｔｒｔｅ、埋め込みトレース基板）などの回路形成方法は、露光設備の解像力の限界とシードエッチング工程のマージンにより、上述したライン／スペース範囲の微細回路を実現するのに限界があり、またシードエッチング工程で不可避にリセス段差及び回路厚さのばらつきが生じて、信頼性が低下することがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
本開示の様々な目的の一つは、微細回路形成が可能なプリント回路基板及びその製造方法を提供することである。
【0004】
本開示の様々な目的のもう一つは、信頼性に優れたプリント回路基板及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示を通じて提案する様々な解決手段のうち１つは、ドライフィルムをライン／スペースの比率が１／１ではないそれ以上の比率となるように露光及び現像して複数のドライフィルムパターンを形成し、その上にシード金属層を形成し、シード金属層上に大略一定の厚さでめっき層を形成し、この後、第２絶縁層で覆った後、１次研磨を進行し、複数のドライフィルムパターンを除去した後、第１絶縁層で覆ってから、２次研磨を進行して、微細回路を形成することである。
【0006】
例えば、一例によるプリント回路基板の製造方法は、デタッチ基板上に第１ドライフィルムを形成する段階と、上記第１ドライフィルムをパターニングして、上記デタッチ基板上で互いに離隔して配置される複数のドライフィルムパターンを形成する段階と、上記デタッチ基板上に上記複数のドライフィルムパターンのそれぞれを覆うシード金属層を形成する段階と、上記シード金属層上に上記デタッチ基板と上記複数のドライフィルムパターンに沿って第１めっき層を形成する段階と、上記第１めっき層上に上記第１めっき層を覆い、上記第１めっき層間の空間を満たす第２絶縁層を形成する段階と、上記第２絶縁層と上記第１めっき層と上記シード金属層のそれぞれの少なくとも一部を研磨する段階と、上記シード金属層間に残存する上記複数のドライフィルムパターンを除去する段階と、上記デタッチ基板上に上記第２絶縁層及び上記第１めっき層を覆い、上記シード金属層間の空間を満たす第１絶縁層を形成する段階と、上記デタッチ基板を除去する段階と、上記シード金属層と上記第１めっき層と上記第１絶縁層のそれぞれの少なくとも一部を研磨する段階と、を含むものであることができる。
【0007】
また、一例に係るプリント回路基板は、第１絶縁層と、上記第１絶縁層上にそれぞれ配置された複数の第１回路パターンと、上記第１絶縁層上に配置され、上記複数の第１回路パターンのそれぞれの側面の一部を覆う第２絶縁層と、上記複数の第１回路パターンのうち、隣接する少なくとも一対の第１回路パターンの間に配置され、上記第１絶縁層と一体化された絶縁部と、を含むものであることができる。
【0008】
また、一例に係るプリント回路基板は絶縁材と、上記絶縁材にそれぞれ埋め込まれた複数の第１回路パターンと、を含み、上記複数の第１回路パターンのうち、隣接する少なくとも一対の第１回路パターンのそれぞれの互いに向かい合う一側面上にはシード金属層が配置されるが、上記一側面の反対側である他側面上には上記シード金属層が配置されないものであることもできる。
【発明の効果】
【0009】
本開示の様々な効果のうち一つとして、微細回路形成が可能なプリント回路基板及びその製造方法を提供することができる。
【0010】
本開示の様々な効果のうちもう一つとして、信頼性に優れたプリント回路基板及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】電子機器システムの例を概略的に示したブロック図である。
【図2】電子機器の一例を概略的に示した斜視図である。
【図3】プリント回路基板の一例を概略的に示した断面図である。
【図7】プリント回路基板の他の一例を概略的に示した断面図である。
【図10】プリント回路基板のまた他の一例を概略的に示した断面図である。
【図12】プリント回路基板のまた他の一例を概略的に示した断面図である。
【図14】プリント回路基板のまた他の一例を概略的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、添付の図面を参照して本開示について説明する。図面における要素の形状及び大きさなどは、より明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがある。
【0013】
電子機器
図１は、電子機器システムの例を概略的に示したブロック図である。
図１は、電子機器システムの例を概略的に示したブロック図である。
【0014】
図面を参照すると、電子機器１０００はメインボード１０１０を収容する。メインボード１０１０には、チップ関連部品１０２０、ネットワーク関連部品１０３０、及びその他の部品１０４０などが物理的及び／又は電気的に連結されている。これらは、後述する他の電子部品とも結合されて、様々な信号ライン１０９０を形成する。
【0015】
チップ関連部品１０２０としては、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリなどのメモリチップと、セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラなどのアプリケーションプロセッサチップと、アナログデジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップなどが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これ以外にもその他の形態のチップ関連の電子部品が含まれることもできる。さらに、これらのチップ関連部品１０２０を互いに組み合わせることもできる。チップ関連部品１０２０は、上述したチップや電子部品を含むパッケージ形態であることもできる。
【0016】
ネットワーク関連部品１０３０としては、Ｗｉ‐Ｆｉ（ＩＥＥＥ ８０２．１１ファミリなど）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ ８０２．１６ファミリなど）、ＩＥＥＥ ８０２．２０、ＬＴＥ（ｌｏｎｇ ｔｅｒｍ ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、Ｅｖ‐ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ、ＧＰＳ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、及びそれ以降のものとして指定された任意の他の無線及び有線プロトコルが含まれるが、これらに限定されず、これ以外にもその他の多数の無線または有線標準やプロトコルのいずれかが含まれ得る。また、ネットワーク関連部品１０３０がチップ関連部品１０２０とともに互いに組み合わされることもできる。
【0017】
その他の部品１０４０としては、高周波インダクタ、フェライトインダクタ、パワーインダクタ、フェライトビーズ、ＬＴＣＣ（ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－Ｆｉｒｉｎｇ Ｃｅｒａｍｉｃｓ、低温同時焼成セラミックス）、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ、電磁干渉）フィルタ、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ‐Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、多層セラミックキャパシタ）などが含まれる。但し、これらに限定されるものではなく、これ以外にもその他の様々な用途のために用いられるチップ部品の形態の受動素子などが含まれ得る。また、その他の部品１０４０をチップ関連部品１０２０及び／又はネットワーク関連部品１０３０と互いに組み合わせることもできる。
【0018】
電子機器１０００の種類に応じて、電子機器１０００は、メインボード１０１０に物理的及び／又は電気的に連結されるか、または連結されない他の電子部品を含むことができる。他の電子部品の例を挙げると、カメラモジュール１０５０、アンテナモジュール１０６０、ディスプレイ１０７０、バッテリー１０８０などがある。但し、これらに限定されるものではなく、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、羅針盤、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカー、大容量記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）、ＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ ｄｉｓｋ）、ＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｅｒｓａｔｉｌｅ ｄｉｓｋ）なども挙げられる。これ以外にも、電子機器１０００の種類に応じて様々な用途のために用いられるその他の電子部品などが含まれることもできる。
【0019】
電子機器１０００は、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、個人用情報端末機（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｉｄｅｏ ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｔｉｌｌ ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｙｓｔｅｍ）、コンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニター（ｍｏｎｉｔｏｒ）、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）、ラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）、ネットブック（ｎｅｔｂｏｏｋ）、テレビジョン（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、オートモーティブ（Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ）部品などであることができる。但し、これらに限定されず、これ以外にもデータを処理する任意の他の電子機器であることもできる。
【0020】
図２は、電子機器の一例を概略的に示した斜視図である。
【0021】
図面を参照すると、電子機器は例えば、スマートフォン１１００であることができる。スマートフォン１１００の内部には、マザーボード１１１０が収容されており、このようなマザーボード１１１０には様々な部品１１２０が物理的及び／又は電気的に連結されている。さらに、カメラモジュール１１３０及び／又はスピーカー１１４０のように、マザーボード１１１０に物理的及び／又は電気的に連結されるか、または連結されない他の部品が内部に収容されている。部品１１２０の一部は、上述したチップ関連部品であることができ、例えば、部品パッケージ１１２１であることができるが、これに限定されるものではない。部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品を含む電子部品が表面に実装配置されたプリント回路基板の形態であることができる。または、部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品が内蔵されたプリント回路基板の形態であることもできる。一方、電子機器は必ずスマートフォン１１００に限定されるものではなく、上述したように他の電子機器であることもできる。
【0022】
【0023】
図面を参照すると、一例に係るプリント回路基板１００Ａは、第１絶縁層１１１、第１絶縁層１１１上にそれぞれ配置された複数の第１回路パターン１２１、及び第１絶縁層１１１上に配置され、複数の第１回路パターン１２１のそれぞれの側面の一部を覆う第２絶縁層１１２を含む。第１絶縁層１１１の一部、例えば絶縁部１１１Ｐは、複数の第１回路パターン１２１のうち隣接する少なくとも一対の第１回路パターン１２１の間に延びて配置される。第１絶縁層１１１と第２絶縁層１１２との間には層間界面、例えば境界が存在する一方、第１絶縁層１１１と絶縁部１１１Ｐとの間には層間界面、例えば境界が存在しない。例えば、絶縁部１１１Ｐと第１絶縁層１１１とは境界なしに一体化することができる。
【0024】
一方、絶縁部１１１Ｐは、隣接する少なくとも一対の第１回路パターン１２１のそれぞれの一側面同士の間に配置されることができる。また、第２絶縁層１１２は、隣接する少なくとも一対の第１回路パターン１２１のそれぞれの他側面を覆うことができる。このとき、隣接する少なくとも一対の第１回路パターン１２１のうち一つと絶縁部１１１Ｐと隣接する少なくとも一対の第１回路パターン１２１のうちもう一つと第２絶縁層１１２は断面上でこの順に少なくとも２回繰り返し配置されることができる。隣接する少なくとも一対の第１回路パターン１２１のそれぞれは、断面上で互いに実質的に同じ線幅を有することができ、したがって一定の線幅の回路パターン１２１が繰り返し配置されることができる。例えば、断面上で、隣接する少なくとも一対の第１回路パターン１２１のそれぞれの線幅をＷ１、絶縁部１１１Ｐの幅をＷ２、第２絶縁層１１２の幅をＷ３とするとき、線幅または幅がＷ１、Ｗ２、Ｗ１、Ｗ３の順に少なくとも２回繰り返すことができる。
【0025】
一方、隣接する少なくとも一対の第１回路パターン１２１のそれぞれの一側面と絶縁部１１１Ｐとの間にはシード金属層ｍが配置されることができる一方、隣接する少なくとも一対の第１回路パターン１２１のそれぞれの一側面の反対側である他側面、そして上面と下面にはシード金属層ｍが配置されないことができる。
【0026】
一方、複数の第１回路パターン１２１のそれぞれの上面と第２絶縁層１１２の上面と絶縁部１１１Ｐの上面は、互いに実質的にコプラナーであることができる。また、複数の第１回路パターン１２１のそれぞれの下面と第２絶縁層１１２の下面とは互いに実質的にコプラナーであることができる。
【0027】
一方、第１及び第２絶縁層１１１、１１２は、互いに異なる絶縁材を含むことができる。但し、これに限定されるものではなく、互いに実質的に同一の絶縁材を含むこともできる。この場合にも、上述したような層間境界が存在することができる。
【0028】
このような構造の一例に係るプリント回路基板１００Ａは、後述する新たな工程を通じて形成されることができ、この場合、従来のＳＡＰ、ＭＳＡＰ、ＥＴＳなどとは異なってパターンを形成するためのドライフィルムのライン／スペースを１／１以上、例えば約１：３程度の比率となるように露光及び現像してパターニングすることができるため、露光設備の解像力の限界を克服することができ、別途のシードエッチング工程を進めないことができるため、結果的にはライン／スペースが例えば約２μｍ／２μｍ以下の微細回路を容易に形成することができる。また、ＥＴＳのシードエッチング工程で不要に発生したリセス段差及び回路厚さのばらつきが発生しないため、製品の信頼性を向上させることができる。
【0029】
以下では、図面を参照して一例に係るプリント回路基板１００Ａの構成要素についてより詳細に説明する。
【0030】
第１及び第２絶縁層１１１、１１２はそれぞれ絶縁材を含むことができる。絶縁材は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、または樹脂と共に、無機フィラー、有機フィラー及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含むことができる。例えば、絶縁材は、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ‐ｕｐ Ｆｉｌｍ、味の素ビルドアップフィルム）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ、プリプレグ）などの非感光性絶縁材であることができるが、これに限定されるものではなく、それ以外にも他の高分子素材が用いられることができる。また、絶縁材は、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ、感光性誘電体）などの感光性絶縁材であることもできる。絶縁部１１１Ｐは、第１絶縁層１１１と実質的に同一の絶縁材を含むことができる。
【0031】
複数の第１回路パターン１２１はそれぞれ金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。複数の第１回路パターン１２１は、設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、信号パターンを含むことができる。複数の第１回路パターン１２１は、それぞれ電解めっき層（または電気銅めっき）を含むことができる。
【0032】
シード金属層ｍは金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。シード金属層ｍは、無電解めっき層（または化学銅めっき）またはスパッタ層を含むことができ、好ましくはスパッタ層を含むことができるが、これに限定されるものではない。スパッタ層は一層または複数層であることができる。シード金属層ｍは、複数の第１回路パターン１２１とそれぞれ区別することができる。
【0033】
【0034】
図面を参照すると、一例に係るプリント回路基板１００Ａの製造方法は、デタッチ基板２１０上に第１ドライフィルム２２０を形成する段階、第１ドライフィルム２２０をパターニングしてデタッチ基板２１０上で互いに離隔して配置される複数のドライフィルムパターン２２１を形成する段階、デタッチ基板２１０上に複数のドライフィルムパターン２２１のそれぞれを覆うシード金属層ｍを形成する段階、シード金属層ｍ上にデタッチ基板２１０と複数のドライフィルムパターン２２１に沿って第１めっき層Ｍ１を形成する段階、第１めっき層Ｍ１上に第１めっき層Ｍ１を覆って、第１めっき層Ｍ１の側面同士の間の空間Ｇ１を満たす第２絶縁層１１２を形成する段階、第２絶縁層１１２と第１めっき層Ｍ１とシード金属層ｍのそれぞれの少なくとも一部を研磨する段階、シード金属層ｍの側面同士の間に残存する複数のドライフィルムパターン２２１を除去する段階、デタッチ基板２１０上に第２絶縁層１１２及び第１めっき層Ｍ１を覆ってシード金属層ｍの側面同士の間の空間Ｇ２を満たす第１絶縁層１１１を形成する段階、デタッチ基板２１０を除去する段階、及びシード金属層ｍと第１めっき層Ｍ１と第１絶縁層１１１のそれぞれの少なくとも一部を研磨する段階を含む。
【0035】
一方、複数のドライフィルムパターン２２１を形成する段階において、複数のドライフィルムパターン２２１のそれぞれの断面上での幅をｎとするとき、断面上での複数のドライフィルムパターン２２１との間の離隔距離は実質的に３ｎを満たすことができる。また、第１めっき層Ｍ１を形成する段階において、第１めっき層Ｍ１の断面上での厚さまたは幅は実質的にｎを満たすことができる。例えば、第１ドライフィルム２２０をライン／スペースが約１／３程度の比率で露光しても、結果的にはライン／スペースが約１／１程度の複数の第１回路パターン１２１を形成することができるため、露光工程マージンの確保が可能であることができる。
【0036】
このような製造方法で形成される一例に係るプリント回路基板１００Ａは、上述したように従来のＳＡＰ、ＭＳＡＰ、ＥＴＳなどと異なってパターンを形成するためのドライフィルムのライン／スペースを１／１以上、例えば約１／３程度の比率となるように露光及び現像してパターニングすることができるため、露光設備の解像力の限界を克服することができ、別途のシードエッチング工程を進めないことができるため、結果的にはライン／スペースが例えば約２μｍ／２μｍ以下の微細回路を容易に形成することができる。また、ＥＴＳのシードエッチング工程で不要に発生したリセス段差及び回路厚さのばらつきが発生しないため、製品の信頼性を向上させることができる。
【0037】
以下では、図面を参照して一例に係るプリント回路基板１００Ａの製造方法についてより詳細に説明する。
【0038】
図５ａを参照すると、デタッチ基板２１０上に第１ドライフィルム２２０を形成する。デタッチ基板２１０は、ＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ、銅張積層板）であることができるが、これに限定されるものではなく、デタッチが可能な様々な種類のキャリア基板が用いられることができる。デタッチ基板２１０は、デタッチコア２１１とデタッチ層２１２を含むことができる。デタッチコア２１１は絶縁材を含むことができ、デタッチ層２１２は金属を含むことができる。必要に応じては、両者間に離型層がさらに配置されることができる。第１ドライフィルム２２０は、ポジティブまたはネガティブタイプの感光性絶縁材を含むことができる。
【0039】
図５ｂを参照すると、第１ドライフィルム２２０をパターニングして、デタッチ基板２１０上に互いに離隔して配置される複数のドライフィルムパターン２２１を形成する。第１ドライフィルム２２０のパターニングは、フォトリソグラフィ工程、例えば露光及び現像工程を用いることができる。このとき、上述したように複数のドライフィルムパターン２２１のそれぞれの断面上での幅をｎとするとき、断面上での複数のドライフィルムパターン２２１同士の間の離隔距離は実質的に３ｎを満たすことができる。すなわち、大略的にライン／スペースがｎ／３ｎ程度の比率を有することができるが、これに限定されるものではない。
【0040】
図５ｃを参照すると、デタッチ基板２１０上に複数のドライフィルムパターン２２１のそれぞれを覆うシード金属層ｍを形成する。シード金属層ｍはスパッタ工程で形成することができるが、これに限定されるものではなく、必要に応じては無電解めっき、例えば化学銅めっきで形成することもできる。シード金属層ｍは、デタッチ基板２１０と複数のドライフィルムパターン２２１に沿って薄い厚さで形成されることができる。
【0041】
図５ｄを参照すると、シード金属層ｍ上にデタッチ基板２１０と複数のドライフィルムパターン２２１に沿って第１めっき層Ｍ１を形成する。第１めっき層Ｍ１は、電解めっき、例えば電気銅めっきで形成することができる。このとき、上述したように、第１めっき層Ｍ１の断面上での厚さまたは幅は実質的にｎを満たすことができる。したがって、この後、ライン／スペースが約１：１程度の複数の第１回路パターン１２１を形成することができるが、これに限定されるものではない。
【0042】
図５ｅを参照すると、第１めっき層Ｍ１のうち、平面上で複数のドライフィルムパターン２２１のそれぞれの両端部に配置された部分を除去する。例えば、カットエッチングを進める。これにより、第１めっき層Ｍ１が複数のドライフィルムパターン２２１のそれぞれの両端部で続くことを防止することができる。この工程で、シード金属層ｍのうち、平面上で複数のドライフィルムパターン２２１のそれぞれの両端部に配置された部分も除去されることができる。これに対する具体的な工程は後述する。
【0043】
図５ｆを参照すると、第１めっき層Ｍ１上に第１めっき層Ｍ１を覆い、第１めっき層Ｍ１の側面同士の間の空間Ｇ１を満たす第２絶縁層１１２を形成する。第２絶縁層１１２は、未硬化状態のフィルムを積層した後、硬化して形成することができるが、これに限定されるものではない。第２絶縁層１１２は、第１めっき層Ｍ１の表面を全体的に覆うことができる。
【0044】
図５ｇを参照すると、デタッチ基板２１０が配置された側とは反対側で、第２絶縁層１１２と第１めっき層Ｍ１とシード金属層ｍのそれぞれの少なくとも一部を研磨する。例えば、少なくとも複数のドライフィルムパターン２２１が露出するまでこれらを研磨することができる。必要に応じては、複数のドライフィルムパターン２２１のそれぞれの一部も研磨することができる。一方、研磨工程としてはＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、化学機械研磨）を用いることができるが、これに限定されるものではなく、他の機械的及び／又は化学的平坦化工程を用いることもできる。
【0045】
図５ｈを参照すると、シード金属層ｍの側面同士の間に残存する複数のドライフィルムパターン２２１を除去する。複数のドライフィルムパターン２２１は、公知の剥離液を用いて除去することができるが、これに限定されるものではなく、機械的剥離を進行することもできる。
【0046】
図５ｉを参照すると、デタッチ基板２１０上に第２絶縁層１１２と第１めっき層Ｍ１を覆い、シード金属層ｍの側面同士の間の空間Ｇ２を満たす第１絶縁層１１１を形成する。第１絶縁層１１１は、未硬化状態のフィルムを積層した後、硬化して形成することができるが、これに限定されるものではない。第１絶縁層１１１は、第２絶縁層１１２と第１めっき層Ｍ１とシード金属層ｍのそれぞれの露出した表面を全体的に覆うことができる。
【0047】
図５ｊを参照すると、デタッチ基板２１０を除去する。例えば、デタッチコア２１１をデタッチ層２１２から分離する方法で、デタッチ基板２１０を除去することができる。残存するデタッチ層２１２は、先に除去するか、または後述する二番目の研磨段階で除去することができる。
【0048】
図５ｋを参照すると、デタッチ基板２１０が除去された側で、シード金属層ｍと第１めっき層Ｍ１と第１絶縁層１１１のそれぞれの少なくとも一部を研磨する。例えば、少なくとも第２絶縁層１１２が露出するまでこれらを研磨することができる。必要に応じては、第２絶縁層１１２の一部も研磨することができる。また、残存するデタッチ層２１２も研磨することができる。一方、研磨工程としてはＣＭＰを用いることができるが、これに限定されるものではなく、他の機械的及び／又は化学的平坦化工程を用いることもできる。研磨後の絶縁材１１１、１１１Ｐ、１１２にそれぞれ埋め込まれた複数の第１回路パターン１２１が形成されることができる。
【0049】
一連の工程を通じて上述した一例によるプリント回路基板１００Ａが形成されることができ、それ以外の他の内容は、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａで説明したものと実質的に同一であるため、これに対する重複する説明は省略する。
【0050】
【0051】
図６ａを参照すると、上述した図５ａ～図５ｄによって説明したように、シード金属層ｍ上にデタッチ基板２１０と複数のドライフィルムパターン２２１に沿って第１めっき層Ｍ１を形成する。このとき、複数のドライフィルムパターン２２１のそれぞれの両端部で第１めっき層Ｍ１及びシード金属層ｍが続くことができる。
【0052】
図６ｂを参照すると、第１めっき層Ｍ１上に第３ドライフィルム２４０を形成した後にパターニングして、複数のドライフィルムパターン２２１のそれぞれの両端部上に配置された第１めっき層Ｍ１を露出させる開口２４０ｈを形成する。第３ドライフィルム２４０は、ポジティブまたはネガティブタイプの感光性絶縁材を含むことができる。開口２４０ｈは、フォトリソグラフィ工程、例えば露光及び現像工程で形成することができる。
【0053】
図６ｃを参照すると、開口２４０ｈを介して露出した第１めっき層Ｍ１の続く部分をカットエッチングで除去する。カットエッチングとしては、公知のウェットまたはドライエッチングが用いられることができる。このとき、シード金属層ｍの続く部分も除去されることができる。
【0054】
図６ｄを参照すると、開口２４０ｈを介して露出したシード金属層ｍ上に第１めっき層Ｍ１を薄い厚さでさらに形成する。さらに形成される第１めっき層Ｍ１は、電解めっき、例えば電気銅めっきで形成することができる。このとき、さらに形成された第１めっき層Ｍ１は、複数のドライフィルムパターン２２１のそれぞれの両端部の側壁上で複数のドライフィルムパターン２２１上に配置される第１めっき層Ｍ１と断絶されることがある。
【0055】
図６ｅを参照すると、第３ドライフィルム２４０を除去する。第３ドライフィルム２４０は公知の剥離液を用いて除去することができるが、これに限定されるものではなく、機械的剥離を進行することもできる。
【0056】
一連の工程を通じて、上述したカットエッチングが進行することができ、これにより、第１めっき層Ｍ１及び／又はシード金属層ｍが複数のドライフィルムパターン２２１のそれぞれの両端部で続くことを防止することができる。
【0057】
【0058】
図面を参照すると、他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂは、上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａにおいて第１絶縁層１１１上にそれぞれ配置される第２回路パターン１２２及びパッドパターン１２３をさらに含む。第２回路パターン１２２は、微細回路ではない一般回路であることができ、したがって断面上での複数の第１回路パターン１２１のそれぞれより線幅がさらに広いことができる。パッドパターン１２３は、層間接続のためのビアが連結されるパターンであることができ、したがって断面上での幅が複数の第１回路パターン１２１のそれぞれの線幅及び／又は第２回路パターン１２２の線幅よりもさらに広いことができる。
【0059】
一方、第１絶縁層１１１は、第２回路パターン１２２及びパッドパターン１２３のそれぞれの両側面と離隔して配置されることができ、第２絶縁層１１２は第２回路パターン１２２及びパッドパターン１２３のそれぞれの両側面を覆うことができる。
【0060】
一方、第２回路パターン１２２及びパッドパターン１２３のそれぞれの上面は、複数の第１回路パターン１２１のそれぞれの上面、第２絶縁層１１２の上面、及び絶縁部１１１Ｐの上面と、互いに実質的にコプラナーであることができる。また、第２回路パターン１２２及びパッドパターン１２３のそれぞれの下面は、複数の第１回路パターン１２１のそれぞれの下面、及び第２絶縁層１１２の下面と、互いに実質的にコプラナーであることができる。
【0061】
一方、第２回路パターン１２２及びパッドパターン１２３のそれぞれの両側面と上面と下面上にはシード金属層ｍが配置されないことができる。
【0062】
このような構造の他の一例によるプリント回路基板１００Ｂは、後述する新しい工程を通じて形成されることができ、この場合、微細回路と一般回路の両方を全て含むことができるため、より多様な設計デザインが可能であることができる。また、パッドパターンを含むことができるため、多層基板により容易に適用されることができる。
【0063】
以下では、図面を参照して他の一例によるプリント回路基板１００Ｂの構成要素についてより詳細に説明する。
【0064】
第２回路パターン１２２は金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。第２回路パターン１２２は、設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、信号パターン、パワーパターン、グランドパターンなどを含むことができる。第２回路パターン１２２は複数個存在することができ、複数の第２回路パターン１２２のそれぞれはライン（ｌｉｎｅ）、プレーン（ｐｌａｎｅ）などの様々な形態を有することができる。第２回路パターン１２２は電解めっき層（または電気銅めっき）を含むことができる。
【0065】
パッドパターン１２３は金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。パッドパターン１２３は、設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、信号用パッドパターン、パワー用パッドパターン、グランド用パッドパターンなどを含むことができる。パッドパターン１２３は複数個存在することができ、複数の第１回路パターン１２１及び第２回路パターン１２２の少なくとも一つと電気的に連結されることができる。パッドパターン１２３は電解めっき層（または電気銅めっき）を含むことができる。
【0066】
それ以外の他の内容は、上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａで説明したものと実質的に同一であるため、これに対する重複する説明は省略する。
【0067】
【0068】
図面を参照すると、他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂの製造方法は、上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａの製造方法において、第１めっき層Ｍ１を形成する段階の後に、第１めっき層Ｍ１上に第２ドライフィルム２３０を形成する段階、第２ドライフィルム２３０をパターニングして第１めっき層Ｍ１を露出させる複数の開口パターン２３０ｈを形成する段階、複数の開口パターン２３０ｈ内に第２めっき層Ｍ２を形成する段階、及び第２ドライフィルム２３０を除去する段階をさらに含む。
【0069】
一方、第２絶縁層１１２を形成する段階で、第２絶縁層１１２は第２めっき層Ｍ２をさらに覆い、第２めっき層Ｍ２の側面同士の間の空間Ｇ３及び第１めっき層Ｍ１と第２めっき層Ｍ２との間の空間Ｇ４をさらに満たすことができる。また、第２絶縁層１１２と第１めっき層Ｍ１とシード金属層ｍのそれぞれの少なくとも一部を研磨する段階で、第２めっき層Ｍ２の少なくとも一部をさらに研磨することができる。また、第１絶縁層１１１を形成する段階で、第１絶縁層１１１は第２めっき層Ｍ２をさらに覆うことができる。
【0070】
このような製造方法で形成される他の一例によるプリント回路基板１００Ｂは、微細回路と一般回路の両方を全て含むことができ、パッドパターンを含むことができるため、より多様な設計デザインが可能であり、多層基板により容易に適用されることができる。
【0071】
以下では、図面を参照して他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂの製造方法についてより詳細に説明する。
【0072】
【0073】
図９ｂを参照すると、第１めっき層Ｍ１上に第２ドライフィルム２３０を形成し、第２ドライフィルム２３０をパターニングして第１めっき層Ｍ１を露出させる複数の開口パターン２３０ｈを形成した後、複数の開口パターン２３０ｈ内に第２めっき層Ｍ２を形成する。第２ドライフィルム２３０は、ポジティブまたはネガティブタイプの感光性絶縁材を含むことができ、フォトリソグラフィ工程、例えば露光及び現像工程で複数の開口パターン２３０ｈを形成することができる。第２めっき層Ｍ２は、電解めっき、例えば電気銅めっきで形成することができる。
【0074】
図９ｃを参照すると、第２ドライフィルム２３０を除去する。第２ドライフィルム２３０は公知の剥離液を用いて除去することができるが、これに限定されるものではなく、機械的剥離を進行することもできる。
【0075】
図９ｄを参照すると、第１めっき層Ｍ１及び第２めっき層Ｍ２上に第１めっき層Ｍ１及び第２めっき層Ｍ２を覆い、第１めっき層Ｍ１の側面同士の間の空間Ｇ１と第２めっき層Ｍ２の側面同士の間の空間Ｇ３と第１めっき層Ｍ１と第２めっき層Ｍ２との間の空間Ｇ４を満たす第２絶縁層１１２を形成する。第２絶縁層１１２は、未硬化状態のフィルムを積層した後、硬化して形成することができるが、これに限定されるものではない。第２絶縁層１１２は、第１及び第２めっき層Ｍ１、Ｍ２の表面を全体的に覆うことができる。
【0076】
図９ｅを参照すると、デタッチ基板２１０が配置された側とは反対側で、第２絶縁層１１２と第１及び第２めっき層Ｍ１、Ｍ２とシード金属層ｍのそれぞれの少なくとも一部を研磨する。例えば、少なくとも複数のドライフィルムパターン２２１が露出するまでこれらを研磨することができる。必要に応じては、複数のドライフィルムパターン２２１のそれぞれも一部研磨することができる。一方、研磨工程としてはＣＭＰを用いることができるが、これに限定されるものではなく、他の機械的及び／又は化学的平坦化工程を用いることもできる。
【0077】
図９ｆを参照すると、シード金属層ｍの側面同士の間に残存する複数のドライフィルムパターン２２１を除去する。複数のドライフィルムパターン２２１は、公知の剥離液を用いて除去することができるが、これに限定されるものではなく、機械的剥離を進行することもできる。
【0078】
図９ｇを参照すると、デタッチ基板２１０上に第２絶縁層１１２と第１及び第２めっき層Ｍ１、Ｍ２を覆い、シード金属層ｍの側面同士の間の空間Ｇ２を満たす第１絶縁層１１１を形成する。第１絶縁層１１１は、未硬化状態のフィルムを積層した後、硬化して形成することができるが、これに限定されるものではない。第１絶縁層１１１は、第２絶縁層１１２と第１及び第２めっき層Ｍ１、Ｍ２とシード金属層ｍのそれぞれの露出した表面を全体的に覆うことができる。
【0079】
図９ｈを参照すると、デタッチ基板２１０を除去する。例えば、デタッチコア２１１をデタッチ層２１２から分離する方法で、デタッチ基板２１０を除去することができる。残存するデタッチ層２１２は、先に除去するか、または後述する二番目の研磨段階で除去することができる。
【0080】
図９ｉを参照すると、デタッチ基板２１０が除去された側で、シード金属層ｍと第１めっき層Ｍ１と第１絶縁層１１１のそれぞれの少なくとも一部を研磨する。例えば、少なくとも第２絶縁層１１２及び第２めっき層Ｍ２が露出するまでこれらを研磨することができる。必要に応じては、第２絶縁層１１２及び第２めっき層Ｍ２のそれぞれの一部も研磨することができる。また、残存するデタッチ層２１２も研磨することができる。一方、研磨工程としてはＣＭＰを用いることができるが、これに限定されるものではなく、他の機械的及び／又は化学的平坦化工程を用いることもできる。研磨後に絶縁材１１１、１１１Ｐ、１１２にそれぞれ埋め込まれた複数の第１回路パターン１２１と第２回路パターン１２２とパッドパターン１２３が形成されることができる。
【0081】
一連の工程を通じて、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂが形成されることができ、それ以外の他の内容は、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂ及び上述したプリント回路基板１００Ａの製造方法で説明したものと実質的に同じであるため、これに対する重複する説明は省略する。
【0082】
図１０は、プリント回路基板のまた他の一例を概略的に示した断面図である。
【0083】
図面を参照すると、また他の一例によるプリント回路基板１００Ｃは、複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２と複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２と複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２を含む。複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２の少なくとも一つ１１０－１は、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂの第１絶縁層１１１及び第２絶縁層１１２と絶縁部１１１Ｐを含むことができ、複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２の少なくとも一つ１２０－１は、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂの複数の第１回路パターン１２１と第２回路パターン１２２とパッドパターン１２３を含むことができる。第１絶縁層１１１及び第２絶縁層１１２と絶縁部１１１Ｐを含むビルドアップ絶縁層１１０－１は、複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２のうち最外層に配置されることができ、複数の第１回路パターン１２１と第２回路パターン１２２とパッドパターン１２３を含むビルドアップ配線層１２０－１は、複数の配線層１２０－１、１２０－２のうち最外層に配置されることができる。例えば、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂの構造は、また他の一例に係るプリント回路基板１００Ｃの多層コアレス基板の構造において最外層として適用されることができる。
【0084】
一方、また他の一例に係るプリント回路基板１００Ｃは、複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２の両側にそれぞれ配置される第１レジスト層１４１及び第２レジスト層１４２をさらに含むことができる。第１レジスト層１４１及び第２レジスト層１４２はそれぞれ複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２のうち両側の最外側に配置されたビルドアップ配線層１２０－２、１２０－１のそれぞれの少なくとも一部をオープンさせる第１開口１４１ｈ及び第２開口１４２ｈを有することができる。
【0085】
一方、複数の第１回路パターン１２１と第２回路パターン１２２とパッドパターン１２３を含むビルドアップ配線層１２０－１は、複数の第１回路パターン１２１のそれぞれの一側面にシード金属層ｍが配置されるが、複数の第１回路パターン１２１と第２回路パターン１２２とパッドパターン１２３のそれぞれの上面及び下面にはシード金属層が配置されないようにすることができる。一方、複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２のうち、上述したビルドアップ配線層１２０－１を除いた残りのビルドアップ配線層１２０－２は、回路パターンのそれぞれの上面または下面にシード金属層（図示せず）が配置されることができる。このように、複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２は、後述するように製造工程が異なるため、シード金属層の配置が異なることがある。
【0086】
以下では、図面を参照してまた他の一例に係るプリント回路基板１００Ｃの構成要素についてより詳細に説明する。
【0087】
複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２はそれぞれ絶縁材を含むことができる。絶縁材は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、またはこれらの樹脂と共に、無機フィラー、有機フィラー及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含むことができる。例えば、絶縁材は、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ‐ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）などの非感光性絶縁材であることができるが、これに限定されるものではなく、それ以外にも他の高分子素材が用いられることができる。また、絶縁材は、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）などの感光性絶縁材であることができる。
【0088】
複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２のうち最外層に配置されたビルドアップ絶縁層１１０－１は、複数の絶縁層１１１、１１２と絶縁部１１１Ｐを含むことができる。複数の絶縁層１１１、１１２は、互いに実質的に同じ絶縁材を含むか、または互いに異なる絶縁材を含むことができ、いずれの場合も互いに層間境界が存在することができる。絶縁層１１１と絶縁部１１１Ｐは、互いに実質的に同一の絶縁材を含むことができ、互いに境界なしに一体化することができる。複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２のうち残りのビルドアップ絶縁層１１０－２は、互いに実質的に同一の絶縁材を含むことができるが、必要に応じては異なる絶縁材を含むことができる。
【0089】
複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２はそれぞれ金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２は、それぞれ設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、信号パターン、パワーパターン、グランドパターンなどを含むことができる。これらのパターンはそれぞれライン、プレーン、パッドなどの様々な形態を有することができる。
【0090】
複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２のうち最外層に配置されたビルドアップ配線層１２０－１は、複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２のうち最外層に配置されたビルドアップ絶縁層１１０－１内に配置されることができる。複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２のうち残りのビルドアップ配線層１２０－２は、それぞれ複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２のうち残りのビルドアップ絶縁層１１０－２の上または内に配置されることができる。複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２のうち最外層に配置されたビルドアップ配線層１２０－１は、電解めっき層（又は電気銅めっき）を含むことができ、そのうち一部の微細回路のみの側面の一部にスパッタ層及び／又は無電解めっき層（または化学銅めっき）をシード金属層として含むことができる。残りのビルドアップ配線層１２０－２は、それぞれ無電解めっき層（または化学銅めっき）及び電解めっき層（または電気銅めっき）を含むことができる。あるいは、金属箔（または銅箔）及び電解めっき層（または電気銅めっき）を含むことができる。または、金属箔（または銅箔）、無電解めっき層（または化学銅めっき）及び電解めっき層（または電気銅めっき）を含むことができる。無電解めっき層（または化学銅めっき）の代わりにスパッタリング層を含むこともでき、必要に応じては両方の全てを含むこともできる。
【0091】
複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２はそれぞれ金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２は、それぞれビアホールを満たすフィルドビア（ｆｉｌｅｄ Ｖｉａ）を含むことができるが、ビアホールの壁面に沿って配置されるコンフォーマルビア（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ Ｖｉａ）を含むこともできる。複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２にそれぞれ含まれたビアは、設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２にそれぞれ含まれたビアは、断面上で互いに同じ方向のテーパ形状を有することができる。
【0092】
複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２のうち最外層に配置されたビルドアップビア層１３０－１は、複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２のうち最外層に配置されたビルドアップ絶縁層１１０－１を貫通することができ、複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２のうち最外層に配置されたビルドアップ配線層１２０－１と連結されることができる。複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２のうち残りのビルドアップビア層１３０－２は、複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２のうち残りのビルドアップ絶縁層１１０－２をそれぞれ貫通することができ、複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２のうち残りのビルドアップ配線層１２０－２とそれぞれ連結されることができる。複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２は、それぞれ無電解めっき層（または化学銅めっき）及び電解めっき層（または電気銅めっき）を含むことができる。無電解めっき層（または化学銅めっき）の代わりにスパッタリング層を含むこともでき、必要に応じては両方の全てを含むこともできる。
【0093】
第１レジスト層１４１及び第２レジスト層１４２は、液状またはフィルムタイプのソルダーレジスト（Ｓｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ）を含むことができるが、これに限定されるものではなく、他の種類の絶縁材が用いられることもできる。第１開口１４１ｈ及び／又は第２開口１４２ｈに露出するパターン上には必要に応じて表面処理層が形成されることができる。あるいは、第１開口１４１ｈ及び／又は第２開口１４２ｈに露出するパターン上には金属バンプが形成されることもできる。第２レジスト層１４２は、第２絶縁層１１２及び絶縁部１１１Ｐとそれぞれ接することができる。
【0094】
それ以外の他の内容は、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂで説明したものと実質的に同一であるため、これに対する重複する説明は省略する。
【0095】
【0096】
図面を参照すると、また他の一例に係るプリント回路基板１００Ｃの製造方法は、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂの製造方法において、第１絶縁層１１１を形成する段階の後に、複数のビルドアップ絶縁層１１０－２と複数のビルドアップ配線層１２０－２と複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２を形成する段階をさらに含む。例えば、また他の一例に係るプリント回路基板１００Ｃの製造方法は、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂの製造方法において、デタッチ段階前に多層コアレス基板を形成することができ、したがって、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂの構造がまた他の一例に係るプリント回路基板１００Ｃの多層コアレス基板の構造において最外層として適用されることができる。
【0097】
一方、また他の一例に係るプリント回路基板１００Ｃの製造方法は、シード金属層ｍと第１めっき層Ｍ１と第１絶縁層１１１のそれぞれの少なくとも一部を研磨段階後に複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２の両側にそれぞれ第１レジスト層１４１及び第２レジスト層１４２を形成する段階をさらに含むことができる。また、第１レジスト層１４１及び第２レジスト層１４２のそれぞれに複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２のうち両側の最外側に配置されたビルドアップ配線層１２０－２、１２０－１のそれぞれ少なくとも一部をオープンさせる第１開口１４１ｈ及び第２開口１４２ｈを形成する段階をさらに含むことができる。
【0098】
以下では、図面を参照してまた他の一例によるプリント回路基板１００Ｃの製造方法についてより詳細に説明する。
【0099】
図１１ａを参照すると、上述した図９ａ～図９ｇと実質的に同じ工程を介してデタッチ基板２１０上に第１絶縁層１１１及び第２絶縁層１１２と第１めっき層Ｍ１及び第２めっき層Ｍ２とシード金属層ｍを形成する。次に、ビルドアップ工程で、複数のビルドアップ絶縁層１１０－２と複数のビルドアップ配線層１２０－２と複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２を形成する。複数のビルドアップ絶縁層１１０－２は、未硬化状態の絶縁材を積層した後、硬化して形成することができ、複数のビルドアップ配線層１２０－２と複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２は、第１絶縁層１１１と複数のビルドアップ絶縁層１１０－２にビアホールを加工した後、ＳＡＰ、ＭＳＡＰ、Ｔｅｎｔｉｎｇなどを用いるめっき工程で形成することができる。
【0100】
図１１ｂを参照すると、デタッチ基板２１０を除去する。例えば、デタッチコア２１１をデタッチ層２１２から分離する方法でデタッチ基板２１０を除去することができる。残存するデタッチ層２１２は、先に除去するか、または後述する二番目の研磨段階で除去することができる。次に、デタッチ基板２１０が除去された側で、シード金属層ｍと第１めっき層Ｍ１と第１絶縁層１１１のそれぞれの少なくとも一部研磨する。例えば、少なくとも第２絶縁層１１２及び第２めっき層Ｍ２が露出するまでこれらを研磨することができる。必要に応じては、第２絶縁層１１２及び第２めっき層Ｍ２のそれぞれの一部も研磨することができる。また、残存するデタッチ層２１２も研磨することができる。一方、研磨工程としてはＣＭＰを用いることができるが、これに限定されるものではなく、他の機械的及び／又は化学的平坦化工程を用いることもできる。研磨後に、絶縁材１１１、１１１Ｐ、１１２にそれぞれ埋め込まれた複数の第１回路パターン１２１と第２回路パターン１２２とパッドパターン１２３が形成されることができる。複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２のうち最外層に配置されるビルドアップ絶縁層１１０－１は、第１絶縁層１１１及び第２絶縁層１１２を含むことができる。複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２のうち最外層に配置されるビルドアップ配線層１２０－１は、複数の第１回路パターン１２１と第２回路パターン１２２とパッドパターン１２３を含むことができる。
【0101】
図１１ｃを参照すると、複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２の両側にそれぞれ第１レジスト層１４１及び第２レジスト層１４２を形成する。また、第１及び第２レジスト層１４１、１４２のそれぞれに複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２のうち両側の最外側に配置されたビルドアップ配線層１２０－２、１２０－１のそれぞれの少なくとも一部をオープンさせる第１開口１４１ｈ及び第２開口１４２ｈを形成する。第１開口１４１ｈ及び／又は第２開口１４２ｈに露出するパターン上には表面処理層を形成することができる。あるいは、第１開口１４１ｈ及び／又は第２開口１４２ｈに露出するパターン上には金属バンプを形成することもできる。
【0102】
一連の工程を通じて、上述したまた他の一例によるプリント回路基板１００Ｃが形成されることができ、それ以外の他の内容は、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ及び上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂの製造方法で説明したものと実質的に同一であるため、これに対する重複する説明は省略する。
【0103】
図１２は、プリント回路基板のまた他の一例を概略的に示した断面図である。
【0104】
図面を参照すると、また他の一例によるプリント回路基板１００Ｄは、複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２、１１０－３と複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２、１２０－３と複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２、１３０－３を含む。複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２、１１０－３の少なくとも一つ１１０－１は、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂの第１絶縁層１１１及び第２絶縁層１１２と絶縁部１１１Ｐを含むことができ、複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２、１２０－３の少なくとも一つ１２０－１は、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂの複数の第１回路パターン１２１と第２回路パターン１２２とパッドパターン１２３を含むことができる。第１絶縁層１１１及び第２絶縁層１１２と絶縁部１１１Ｐを含むビルドアップ絶縁層１１０－１は、複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２、１１０－３のうち内層に配置されることができ、複数の第１回路パターン１２１と第２回路パターン１２２とパッドパターン１２３を含むビルドアップ配線層１２０－１は、複数の配線層１２０－１、１２０－２、１２０－３のうち内層に配置されることができる。例えば、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂの構造は、また他の一例に係るプリント回路基板１００Ｄの多層コアレス基板の構造において内層に適用されることができる。
【0105】
一方、また他の一例に係るプリント回路基板１００Ｄは、複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２、１１０－３の両側にそれぞれ配置される第１レジスト層１４１及び第２レジスト層１４２をさらに含むことができる。第１レジスト層１４１及び第２レジスト層１４２は、それぞれ複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２、１２０－３のうち両側の最外側に配置されたビルドアップ配線層１２０－２、１２０－３のそれぞれの少なくとも一部をオープンさせる第１開口１４１ｈ及び第２開口１４２ｈを有することができる。
【0106】
一方、複数の第１回路パターン１２１と第２回路パターン１２２とパッドパターン１２３を含むビルドアップ配線層１２０－１は、複数の第１回路パターン１２１のそれぞれの側面にシード金属層ｍが配置されるが、複数の第１回路パターン１２１と第２回路パターン１２２とパッドパターン１２３のそれぞれの上面及び下面にはシード金属層が配置されないことができる。一方、複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２、１２０－３のうち上述したビルドアップ配線層１２０－１を除いた残りのビルドアップ配線層１２０－２、１２０－３は回路パターンのそれぞれの上面または下面にシード金属層（図示せず）が配置されることができる。このように、複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２、１２０－３は、後述するように製造工程が異なるため、シード金属層の配置が異なることがある。
【0107】
以下では、図面を参照してまた他の一例に係るプリント回路基板１００Ｄの構成要素についてより詳細に説明する。
【0108】
複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２、１１０－３はそれぞれ絶縁材を含むことができる。絶縁材は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、または樹脂と共に、無機フィラー、有機フィラー及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含むことができる。例えば、絶縁材は、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ‐ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）などの非感光性絶縁材であることができるが、これに限定されるものではなく、それ以外にも他の高分子素材が用いられることができる。また、絶縁材は、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）などの感光性絶縁材であることができる。
【0109】
複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２、１１０－３のうち内層に配置されたビルドアップ絶縁層１１０－１は、複数の絶縁層１１１、１１２と絶縁部１１１Ｐを含むことができる。複数の絶縁層１１１、１１２は、互いに実質的に同じ絶縁材を含むか、または互いに異なる絶縁材を含むことができ、いずれの場合にも互いに層間境界が存在することができる。絶縁層１１１と絶縁部１１１Ｐは、互いに実質的に同一の絶縁材を含むことができ、互いに境界なしに一体化されることができる。複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２、１１０－３のうち残りのビルドアップ絶縁層１１０－２、１１０－３は、互いに実質的に同一の絶縁材を含むことができるが、異なる絶縁材を含むこともできる。
【0110】
複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２、１２０－３はそれぞれ金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２、１２０－３は、それぞれ設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、信号パターン、パワーパターン、グランドパターンなどを含むことができる。これらのパターンはそれぞれライン、プレーン、パッドなどの様々な形態を有することができる。
【0111】
複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２、１２０－３のうち内層に配置されたビルドアップ配線層１２０－１は、複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２、１１０－３のうち内層に配置されたビルドアップ絶縁層１１０－１内に配置されることができる。複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２、１２０－３のうち残りのビルドアップ配線層１２０－２、１２０－３は、それぞれ複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２、１１０－３のうち残りのビルドアップ絶縁層１１０－２、１１０－３の上または内に配置されることができる。複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２、１２０－３のうち内層に配置されたビルドアップ配線層１２０－１は、電解めっき層（または電気銅めっき）を含むことができ、そのうち一部の微細回路のみが側面の一部にスパッタ層及び／又は無電解めっき層（または化学銅めっき）をシード金属層として含むことができる。残りのビルドアップ配線層１２０－２、１２０－３は、それぞれ無電解めっき層（または化学銅めっき）及び電解めっき層（または電気銅めっき）を含むことができる。あるいは、金属箔（または銅箔）及び電解めっき層（または電気銅めっき）を含むことができる。あるいは、金属箔（または銅箔）、無電解めっき層（または化学銅めっき）及び電解めっき層（または電気銅めっき）を含むことができる。無電解めっき層（または化学銅めっき）の代わりにスパッタリング層を含むこともでき、必要に応じては両方の全てを含むこともできる。
【0112】
複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２、１３０－３はそれぞれ金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２、１３０－３は、それぞれビアホールを満たすフィルドビア（ｆｉｌｅｄ Ｖｉａ）を含むことができるが、ビアホールの壁面に沿って配置されるコンフォーマルビア（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ Ｖｉａ）を含むこともできる。複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２、１３０－３にそれぞれ含まれたビアは、設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２、１３０－３のうち内層に配置されたビルドアップビア層１３０－１は、その下側に配置されたビルドアップビア層１３０－２と断面上で同じ方向のテーパ形状を有することができ、その上側に配置されたビルドアップビア層１３０－３とは断面上で反対方向のテーパ形状を有することができる。
【0113】
複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２、１３０－３のうち内層に配置されたビルドアップビア層１３０－１は、複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２、１１０－３のうち内層に配置されたビルドアップ絶縁層１１０－１を貫通することができ、複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２、１２０－３のうち内層に配置されたビルドアップ配線層１２０－１と連結されることができる。複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２、１３０－３のうち残りのビルドアップビア層１３０－２、１３０－３は、複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２、１１０－３のうち残りのビルドアップ絶縁層１１０－２、１１０－３をそれぞれ貫通することができ、複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２、１２０－３のうち残りのビルドアップ配線層１２０－２、１２０－３とそれぞれ連結されることができる。複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２、１３０－３は、それぞれ無電解めっき層（または化学銅めっき）及び電解めっき層（または電気銅めっき）を含むことができる。無電解めっき層（または化学銅めっき）の代わりにスパッタリング層を含むこともでき、必要に応じては両方の全てを含むこともできる。
【0114】
第１レジスト層１４１及び第２レジスト層１４２は、液状またはフィルムタイプのソルダーレジストを含むことができるが、これに限定されるものではなく、他の種類の絶縁材が用いられることもできる。第１開口１４１ｈ及び／又は第２開口１４２ｈに露出するパターン上には必要に応じて表面処理層が形成されることができる。あるいは、第１開口１４１ｈ及び／又は第２開口１４２ｈに露出するパターン上には金属バンプが形成されることもできる。
【0115】
それ以外の他の内容は、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃで説明したものと実質的に同じであるため、これに対する重複する説明は省略する。
【0116】
【0117】
図面を参照すると、また他の一例に係るプリント回路基板１００Ｄの製造方法は、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂの製造方法において、第１絶縁層１１１を形成する段階の後に、複数のビルドアップ絶縁層１１０－２と複数のビルドアップ配線層１２０－２と複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２を形成する段階をさらに含む。また、シード金属層ｍと第１めっき層Ｍ１と第１絶縁層１１１のそれぞれの少なくとも一部を研磨段階後に、残りの複数のビルドアップ絶縁層１１０－３と複数のビルドアップ配線層１２０－３と複数のビルドアップビア層１３０－３を形成する段階をさらに含む。例えば、また他の一例に係るプリント回路基板１００Ｄの製造方法は、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂの製造方法において、デタッチ段階の前と後にそれぞれ多層コアレス基板を形成することができ、したがって、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂの構造がまた他の一例に係るプリント回路基板１００Ｄの多層コアレス基板の構造において内層として適用されることができる。
【0118】
一方、また他の一例に係るプリント回路基板１００Ｄの製造方法は、シード金属層ｍと第１めっき層Ｍ１と第１絶縁層１１１のそれぞれの少なくとも一部を研磨段階後に複数のビルドアップ絶縁層１１０－３と複数のビルドアップ配線層１２０－３と複数のビルドアップビア層１３０－３を形成した後、複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２、１１０－３の両側にそれぞれ第１レジスト層１４１及び第２レジスト層１４２を形成する段階をさらに含むことができる。また、第１レジスト層１４１及び第２レジスト層１４２のそれぞれに複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２、１２０－３のうち、両側の最外側に配置されたビルドアップ配線層１２０－２、１２０－３のそれぞれの少なくとも一部をオープンさせる第１開口１４１ｈ及び第２開口１４２ｈを形成する段階をさらに含むことができる。
【0119】
以下では、図面を参照してまた他の一例によるプリント回路基板１００Ｄの製造方法についてより詳細に説明する。
【0120】
図１３ａを参照すると、上述した図９ａ～図９ｇと実質的に同じ工程を介してデタッチ基板２１０上に第１絶縁層１１１及び第２絶縁層１１２と第１めっき層Ｍ１及び第２めっき層Ｍ２とシード金属層ｍを形成する。次に、ビルドアップ工程で複数のビルドアップ絶縁層１１０－２と複数のビルドアップ配線層１２０－２と複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２を形成する。複数のビルドアップ絶縁層１１０－２は、未硬化状態の絶縁材を積層した後、硬化して形成することができ、複数のビルドアップ配線層１２０－２と複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２は、第１絶縁層１１１と複数のビルドアップ絶縁層１１０－２にビアホールを加工した後、ＳＡＰ、ＭＳＡＰ、Ｔｅｎｔｉｎｇなどを用いるめっき工程で形成することができる。
【0121】
図１３ｂを参照すると、デタッチ基板２１０を除去する。例えば、デタッチコア２１１をデタッチ層２１２から分離する方法で、デタッチ基板２１０を除去することができる。残存するデタッチ層２１２は、先に除去するか、または後述する二番目の研磨段階で除去することができる。次に、デタッチ基板２１０が除去された側で、シード金属層ｍと第１めっき層Ｍ１と第１絶縁層１１１のそれぞれの少なくとも一部を研磨する。例えば、少なくとも第２絶縁層１１２及び第２めっき層Ｍ２が露出するまでこれらを研磨することができる。必要に応じては、第２絶縁層１１２及び第２めっき層Ｍ２のそれぞれの一部も研磨することができる。また、残存するデタッチ層２１２も研磨することができる。一方、研磨工程としてはＣＭＰを用いることができるが、これに限定されるものではなく、他の機械的及び／又は化学的平坦化工程を用いることもできる。研磨後に、絶縁材１１１、１１１Ｐ、１１２にそれぞれ埋め込まれた複数の第１回路パターン１２１と第２回路パターン１２２とパッドパターン１２３が形成されることができる。複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２のうち最外層に配置されるビルドアップ絶縁層１１０－１は、第１及び第２絶縁層１１１、１１２を含むことができる。複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２のうち最外層に配置されるビルドアップ配線層１２０－１は、複数の第１回路パターン１２１と第２回路パターン１２２とパッドパターン１２３を含むことができる。
【0122】
図１３ｃを参照すると、ビルドアップ工程で複数のビルドアップ絶縁層１１０－２と複数のビルドアップ配線層１２０－２と複数のビルドアップビア層１３０－１、１３０－２が形成された側の反対側に、残りの複数のビルドアップ絶縁層１１０－３と複数のビルドアップ配線層１２０－３と複数のビルドアップビア層１３０－３を形成する。複数のビルドアップ絶縁層１１０－３は、未硬化状態の絶縁材を積層した後、硬化して形成することができ、複数のビルドアップ配線層１２０－３と複数のビルドアップビア層１３０－３は、複数のビルドアップ絶縁層１１０－３にビアホールを加工した後、ＳＡＰ、ＭＳＡＰ、テンティング（Ｔｅｎｔｉｎｇ）などを用いるめっき工程で形成することができる。次に、複数のビルドアップ絶縁層１１０－１、１１０－２、１１０－３の両側にそれぞれ第１レジスト層１４１及び第２レジスト層１４２を形成する。また、第１レジスト層１４１及び第２レジスト層１４２のそれぞれに複数のビルドアップ配線層１２０－１、１２０－２、１２０－３のうち両側の最外側に配置されたビルドアップ配線層１２０－２、１２０－３のそれぞれの少なくとも一部をオープンさせる第１開口１４１ｈ及び第２開口１４２ｈを形成する。第１開口１４１ｈ及び／又は第２開口１４２ｈに露出するパターン上には表面処理層を形成することができる。あるいは、第１開口１４１ｈ及び／又は第２開口１４２ｈに露出するパターン上には金属バンプを形成することもできる。
【0123】
一連の工程を通じて、上述したまた他の一例によるプリント回路基板１００Ｄが形成されることができ、それ以外の他の内容は、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ及び上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃの製造方法で説明したものと実質的に同じであるため、これに対する重複する説明は省略する。
【0124】
図１４は、プリント回路基板のまた他の一例を概略的に示した断面図である。
【0125】
図面を参照すると、また他の一例によるプリント回路基板５００は、コアタイプの第１基板部３００と第１基板部３００上に配置されるコアレスタイプの第２基板部４００を含む。コアタイプの第１基板部３００は、コア絶縁層３１１と複数のビルドアップ絶縁層３１２、３１３と複数のコア配線層３２１、３２２と複数のビルドアップ配線層３２３、３２４とコアビア層３３１と複数のビルドアップビア層３３２、３３３を含むことができる。コアレスタイプの第２基板部４００は、複数のビルドアップ絶縁層４１１と複数のビルドアップ配線層４２１と複数のビルドアップビア層４３１を含むことができる。第２基板部４００の複数のビルドアップ絶縁層４１１の少なくとも一つは、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂの第１絶縁層１１１及び第２絶縁層１１２と絶縁部１１１Ｐを含むことができる。第２基板部４００の複数のビルドアップ配線層４２１の少なくとも一つは、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂの複数の第１回路パターン１２１と第２回路パターン１２２とパッドパターン１２３を含むことができる。例えば、第２基板部４００の複数のビルドアップ絶縁層４１１は、全層が第１絶縁層１１１及び第２絶縁層１１２と絶縁部１１１Ｐを含むことができ、複数のビルドアップ配線層４２１は、全層が複数の第１回路パターン１２１と第２回路パターン１２２とパッドパターン１２３を含むことができる。例えば、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂの構造は、また他の一例に係るプリント回路基板１００Ｄの多層パッケージ基板の構造において、第２基板部４００の全層に適用されることができる。但し、これに限定されるものではなく、必要に応じては一部の層にのみ適用されることもできる。
【0126】
一方、また他の一例に係るプリント回路基板５００は、第１基板部３００及び第２基板部４００のそれぞれの最外側に配置された第１外側パッドＰ１及び第２外側パッドＰ２と第１レジスト層３５０及び第２レジスト層４５０をさらに含むことができる。第１レジスト層３５０は、第１基板部３００の最外側に配置された複数の第１外側パッドＰ１のそれぞれの少なくとも一部を露出させる複数の第１開口３５０ｈを有することができる。第２レジスト層４５０は、第２基板部４００の最外側に配置された複数の第２外側パッドＰ２のそれぞれの少なくとも一部を露出させる１つの第２開口４５０ｈを有することができる。
【0127】
以下では、図面を参照してまた他の一例に係るプリント回路基板５００の構成要素についてより詳細に説明する。
【0128】
第１基板部３００は、多層コアタイプの基板であることができる。例えば、第１基板部３００は、コア絶縁層３１１、コア絶縁層３１１の両面にそれぞれ配置された複数のコア配線層３２１、３２２、コア絶縁層３１１を貫通し、複数のコア配線層３２１、３２２を連結するコアビア層３３１、コア絶縁層３１１の両面上にそれぞれ配置された複数のビルドアップ絶縁層３１２、３１３、複数のビルドアップ絶縁層３１２、３１３上または内にそれぞれ配置された複数のビルドアップ配線層３２３、３２４、複数のビルドアップ絶縁層３１２、３１３の少なくとも一つをそれぞれ貫通し、複数のビルドアップ配線層３２３、３２４の少なくとも一つとそれぞれ連結される複数のビルドアップビア層３３２、３３３を含むことができる。但し、第１基板部３００は、必要に応じて多層コアレスタイプの基板に代替することもできる。
【0129】
コア絶縁層３１１は絶縁材を含むことができる。絶縁材としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、またはこれらの絶縁樹脂がシリカなどの無機フィラーと混合された材料、または無機フィラーとともにガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）などの芯材に含浸された樹脂、例えばＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）の絶縁材などが用いられることができるが、これに限定されるものではない。コア絶縁層３１１は、複数のビルドアップ絶縁層３１２、３１３のそれぞれより厚さがさらに厚いことができるが、これに限定されるものではない。
【0130】
複数のビルドアップ絶縁層３１２、３１３はそれぞれ絶縁材を含むことができる。絶縁材としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、またはこれらの絶縁樹脂がシリカなどの無機フィラーと混合された材料、または無機フィラーと共にガラス繊維などの芯材に含浸された樹脂、例えば、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ‐ｕｐ Ｆｉｌｍ）、プリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）の絶縁材などが用いられることができるが、これに限定されるものではない。複数のビルドアップ絶縁層３１２、３１３の層数は特に限定されず、互いに同一であることができるが、これに限定されるものではない。
【0131】
複数のコア配線層３２１、３２２はそれぞれ金属を含むことができる。金属としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などを用いることができ、好ましくは銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。複数のコア配線層３２１、３２２は、それぞれ無電解めっき層（または化学銅めっき）と電解めっき層（または電気銅めっき）を含むことができるが、これに限定されるものではない。無電解めっき層の代わりにスパッタリング層が形成されることもでき、両方を全て含むこともできる。さらに、銅箔をさらに含むことができる。複数のコア配線層３２１、３２２は、それぞれ該当層の設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、グランドパターン、パワーパターン、信号パターンなどを含むことができる。これらのパターンはそれぞれラインパターン、プレーンパターン及び／又はパッドパターンを含むことができる。
【0132】
複数のビルドアップ配線層３２３、３２４はそれぞれ金属を含むことができる。金属としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などを用いることができ、好ましくは銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。複数のビルドアップ配線層３２３、３２４は、それぞれ無電解めっき層（または化学銅めっき）及び電解めっき層（または電気銅めっき）を含むことができるが、これに限定されるものではない。無電解めっき層の代わりにスパッタリング層が形成されることもでき、両方を全て含むこともできる。さらに、銅箔をさらに含むことができる。複数のビルドアップ配線層３２３、３２４は、それぞれ該当層の設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、グランドパターン、パワーパターン、信号パターンなどを含むことができる。これらのパターンはそれぞれラインパターン、プレーンパターン及び／又はパッドパターンを含むことができる。
【0133】
コアビア層３３１は貫通ビアを含むことができる。貫通ビアは、貫通孔の壁面に形成された金属層と金属層を満たすプラグを含むことができる。金属層は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などを含むことができ、好ましくは銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。プラグは絶縁材質のインクを含むことができる。金属層は、無電解めっき層（または化学銅めっき）と電解めっき層（または電気銅めっき）を含むことができるが、これに限定されるものではない。無電解めっき層の代わりにスパッタリング層が形成されることもでき、両方を全て含むこともできる。貫通ビア層３３１は、設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。
【0134】
複数のビルドアップビア層３３２、３３３はマイクロビアを含むことができる。マイクロビアは、ビアホールを満たすフィルドビア（ｆｉｌｅｄ Ｖｉａ）であるか、またはビアホールの壁面に沿って配置されるコンフォーマルビア（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ Ｖｉａ）であることができる。マイクロビアは、スタックタイプ（ｓｔａｃｋｅｄ ｔｙｐｅ）及び／又はスタッガードタイプ（ｓｔａｇｇｅｒｅｄ ｔｙｐｅ）に配置されることができる。複数のビルドアップビア層３３２、３３３はそれぞれ金属を含むことができ、金属は銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などを含むことができ、好ましくは銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。複数のビルドアップビア層３３２、３３３は、それぞれ無電解めっき層（または化学銅めっき）及び電解めっき層（または電気銅めっき）を含むことができるが、これに限定されるものではない。無電解めっき層の代わりにスパッタリング層が形成されることもでき、両方を全て含むこともできる。複数のビルドアップビア層３３２、３３３は、該当層の設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。
【0135】
第２基板部４００は、微細回路を含むコアレスタイプの多層ビルドアップ基板であることができる。例えば、第２基板部４００は、複数のビルドアップ絶縁層４１１、複数のビルドアップ絶縁層４１１内にそれぞれ配置される複数のビルドアップ配線層４２１及び複数のビルドアップ絶縁層４１１の少なくとも一つをそれぞれ貫通し、複数のビルドアップ配線層４２１の少なくとも一つとそれぞれ連結される複数のビルドアップビア層４３１を含むことができる。
【0136】
複数のビルドアップ絶縁層４１１はそれぞれ絶縁材を含むことができる。絶縁材は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、または樹脂と共に、無機フィラー、有機フィラー及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含むことができる。例えば、絶縁材は、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ‐ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）などの非感光性絶縁材であることができるが、これに限定されるものではなく、それ以外にも他の高分子素材が用いられることができる。また、絶縁材は、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）などの感光性絶縁材であることができる。
【0137】
複数のビルドアップ絶縁層４１１の少なくとも一つのビルドアップ絶縁層４１１は、複数の絶縁層１１１、１１２と絶縁部１１１Ｐを含むことができる。例えば、全層のビルドアップ絶縁層４１１がそれぞれ複数の絶縁層１１１、１１２と絶縁部１１１Ｐを含むことができる。複数の絶縁層１１１、１１２は、互いに実質的に同じ絶縁材を含むか、または互いに異なる絶縁材を含むことができ、いずれの場合にも互いに層間境界が存在することができる。絶縁層１１１と絶縁部１１１Ｐは、互いに実質的に同一の絶縁材を含むことができ、互いに境界なしに一体化することができる。
【0138】
複数のビルドアップ配線層４２１はそれぞれ金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。複数のビルドアップ配線層４２１は、それぞれ設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、信号パターン、パワーパターン、グランドパターンなどを含むことができる。これらのパターンはそれぞれライン、プレーン、パッドなどの様々な形態を有することができる。
【0139】
複数のビルドアップ配線層４２１の少なくとも一つのビルドアップ配線層４２１は、複数の第１回路パターン１２１と第２回路パターン１２２とパッドパターン１２３を含むことができる。例えば、全層のビルドアップ配線層４２１がそれぞれ複数の第１回路パターン１２１と第２回路パターン１２２とパッドパターン１２３を含むことができる。複数のビルドアップ配線層４２１は、それぞれ電解めっき層（または電気銅めっき）を含むことができ、そのうち一部の微細回路、例えば第１回路パターン１２１のみが側面の一部にスパッタ層及び／又は無電解めっき層（あるいは、化学銅めっき）をシード金属層として含むことができる。
【0140】
複数のビルドアップビア層４３１は、それぞれビアホールを満たす金属バンプ１３１を含むことができる。金属バンプ１３１はそれぞれ金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。各金属バンプ１３１上には、低融点金属１３２、例えばソルダーなどが配置されることができる。各金属バンプ１３１は、設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、グランド用金属バンプ、パワー用金属バンプ、信号用金属バンプなどを含むことができる。
【0141】
複数のビルドアップビア層４３１は、それぞれ複数のビルドアップ絶縁層４１１のうち第１絶縁層１１１を貫通することができ、複数のビルドアップ配線層４２１のうちパッドパターン１２３と連結されることができる。例えば、各金属バンプ１３１は、下側のパッドパターン１２３と直接連結されることができる。また、各金属バンプ１３１は、上側のパッドパターン１２３と低融点金属１３２を介して連結されることができる。
【0142】
第１基板部３００の第２基板部４００と連結される最外層にも金属バンプ３３５及び低融点金属３３６が形成されることができる。金属バンプ３３５及び低融点金属３３６は、金属バンプ１３１及び低融点金属１３２で説明したものと実質的に同一であることができる。
【0143】
第１レジスト層３５０及び第２レジスト層４５０は、液状またはフィルムタイプのソルダーレジストを含むことができるが、これらに限定されるものではなく、他の種類の絶縁材が用いられることもできる。複数の第１開口３５０ｈを介して露出する複数の第１外側パッドＰ１上にはそれぞれ第１表面処理層が配置されることができる。１つの第２開口４５０ｈを介して露出する複数の第２外側パッドＰ２上にはそれぞれ第２表面処理層が配置されることができる。
【0144】
第１外側パッドＰ１及び第２外側パッドＰ２はそれぞれ金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。第１外側パッドＰ１及び第２外側パッドＰ２は、それぞれ設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、グランド用外側パッド、パワー用外側パッド、信号用外側バンプなどを含むことができる。第１外側パッドＰ１及び第２外側パッドＰ２は、それぞれ無電解めっき層（または化学銅めっき）及び電解めっき層（または電気銅めっき）を含むことができるが、これに限定されるものではない。無電解めっき層の代わりにスパッタリング層が形成されることもでき、両方を全て含むこともできる。また、銅箔をさらに含むことができる。第１外側パッドＰ１及び第２外側パッドＰ２はそれぞれパターン部を含むことができ、少なくとも一部はビア部をさらに含むことができる。
【0145】
第１表面処理層及び第２表面処理層は当該技術分野で公知のものであれば特に限定されるものではなく、例えば、電解金めっき、無電解金めっき、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）又は無電解スズめっき、無電解銀めっき、無電解ニッケルめっき／置換金めっき、ＤＩＧ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｇｏｌｄ）めっき、ＨＡＳＬ（Ｈｏｔ Ａｉｒ Ｓｏｌｄｅｒ Ｌｅｖｅｌｉｎｇ）などによって形成されることができるが、これに限定されるものではない。
【0146】
それ以外の他の内容は、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄで説明したものと実質的に同じであるため、これに対する重複する説明は省略する。
【0147】
【0148】
図面を参照すると、また他の一例に係るプリント回路基板５００の製造方法は、コアタイプの第１基板部３００を準備する段階、コアレスタイプの第２基板部４００を準備する段階と、第１基板部３００及び第２基板部４００を一括積層する段階を含む。第２基板部４００を準備する段階は、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂの構造に第１絶縁層１１１を貫通し、パッドパターン１２３と連結される金属バンプ１３１及び金属バンプ１３１上に配置される低融点金属１３２をさらに形成した基板を複数個準備するものであることができる。例えば、これらの基板の製造方法は、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂの製造方法において、第１絶縁層１１１を形成する段階の後に、第１絶縁層１１１に第２めっき層Ｍ２を露出させる開口１１１ｈを形成する段階、開口１１１ｈ内に金属バンプ１３１を形成する段階、及び金属バンプ１３１上に低融点金属１３２を形成する段階をさらに含むことができる。したがって、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂの構造は、また他の一例に係るプリント回路基板１００Ｄの多層パッケージ基板の構造において第２基板部４００の全層に適用されることができる。
【0149】
一方、また他の一例に係るプリント回路基板５００の製造方法は、一括積層する段階後に第１基板部３００及び第２基板部４００上にそれぞれ第１外側パッドＰ１及び第２外側パッドＰ２と第１レジスト層３５０及び第２レジスト層４５０を形成する段階をさらに含むことができる。さらに、第１レジスト層３５０及び第２レジスト層４５０のそれぞれに第１開口３５０ｈ及び第２開口４５０ｈを形成する段階をさらに含むことができる。
【0150】
以下では、図面を参照してまた他の一例によるプリント回路基板５００の製造方法についてより詳細に説明する。
【0151】
図１５ａを参照すると、上述した図９ａ～図９ｇと実質的に同じ工程を介してデタッチ基板２１０上に第１絶縁層１１１及び第２絶縁層１１２と第１めっき層Ｍ１及び第２めっき層Ｍ２とシード金属層ｍを形成する。次に、第１絶縁層１１１に第２めっき層Ｍ２を露出させる開口１１１ｈを形成する。開口１１１ｈは、第１絶縁層１１１が感光性絶縁材を含む場合、フォトリソグラフィ工程で形成することができ、第１絶縁層１１１が非感光性絶縁材を含む場合はレーザ工程で形成することができる。
【0152】
図１５ｂを参照すると、開口１１１ｈ内に金属バンプ１３１を形成し、金属バンプ１３１上に低融点金属１３２を形成する。金属バンプ１３１は電解めっき、例えば電気銅めっきで形成することができるが、これに限定されるものではない。低融点金属１３２は、コーティング、めっきなどの公知の様々な方法で形成することができる。
【0153】
図１５ｃを参照すると、デタッチ基板２１０を除去する。例えば、デタッチコア２１１をデタッチ層２１２から分離する方法で、デタッチ基板２１０を除去することができる。残存するデタッチ層２１２は、先に除去するか、または後述する二番目の研磨段階で除去することができる。次に、デタッチ基板２１０が除去された側で、シード金属層ｍと第１めっき層Ｍ１と第１絶縁層１１１のそれぞれの少なくとも一部を研磨する。例えば、第２絶縁層１１２及び第２めっき層Ｍ２が露出するまでこれらを研磨することができる。必要に応じては、第２絶縁層１１２及び第２めっき層Ｍ２のそれぞれの一部も研磨することができる。また、残存するデタッチ層２１２も研磨することができる。一方、研磨工程としてはＣＭＰを用いることができるが、これに限定されるものではなく、他の機械的及び／又は化学的平坦化工程を用いることもできる。研磨工程において反対側はマスクフィルム２５０で保護することができる。研磨後に、絶縁材１１１、１１１Ｐ、１１２にそれぞれ埋め込まれた複数の第１回路パターン１２１と第２回路パターン１２２とパッドパターン１２３が形成されることができる。また、パッドパターン１２３上に金属バンプ１３１及び低融点金属１３２が形成されることができる。
【0154】
図１５ｄ及び図１５ｅを参照すると、ＣＣＬなどのコア材を中心として両面ビルドアップ工程を進行して上述した構造のコアタイプの第１基板部３００を準備し、第１基板部３００上に上述した図１５ａ～図１５ｃの前記段階を介して製造された基板を複数個含む第２基板部４００を配置し、この後、カバーフィルム６１０、６２０を用いてこれらを一括積層する。一方、第１基板部３００の第２基板部４００と連結される最外層にも金属バンプ３３５及び低融点金属３３６が形成されることができる。このような一括積層によってコアタイプの第１基板部３００上にコアレスタイプの第２基板部４００が配置された多層パッケージ基板構造が形成されることができる。
【0155】
図１５ｆを参照すると、第１基板部３００及び第２基板部４００の最外層にそれぞれ第１外側パッドＰ１及び第２外側パッドＰ２と第１レジスト層３５０及び第２レジスト層４５０を形成し、また第１レジスト層３５０及び第２レジスト層４５０にそれぞれ第１外側パッドＰ１及び第２外側パッドＰ２のそれぞれの少なくとも一部を露出させる第１開口３５０ｈ及び第２開口４５０ｈを形成する。第１外側パッドＰ１及び第２外側パッドＰ２は、ＳＡＰ、ＭＳＡＰ、テンティング（Ｔｅｎｔｉｎｇ）などを利用するめっき工程で形成することができる。第１レジスト層３５０及び第２レジスト層４５０は、ソルダーレジストを塗布した後に硬化するか、又はフィルムタイプのソルダーレジストを積層した後、硬化して形成することができる。第１開口３５０ｈ及び第２開口４５０ｈはフォトリソグラフィ工程で形成することができる。必要に応じて、複数の第１開口３５０ｈを介して露出する複数の第１外側パッドＰ１上にはそれぞれ第１表面処理層を形成することができ、１つの第２開口４５０ｈを介して露出する複数の第２外側パッドＰ２上にはそれぞれ第２表面処理層を形成することができる。
【0156】
一連の工程を通じて、上述したまた他の一例によるプリント回路基板５００が形成されることができ、それ以外の他の内容は、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ、５００及び上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄの製造方法で説明したものと実質的に同じであるため、これに対する重複する説明は省略する。
【0157】
本開示において、覆うという表現は、全体的に覆う場合だけでなく、少なくとも一部を覆う場合を含むことができ、また直接覆う場合だけでなく、間接的に覆う場合も含むことができる。
【0158】
本開示において、満たすという表現は、完全に満たす場合だけでなく、大略的に満たす場合を含むことができ、例えば、一部の空隙やボイドなどが存在する場合を含むことができる。
【0159】
本開示において、厚さ、幅、線幅などは、プリント回路基板の研磨または切断断面を基準として走査顕微鏡または光学顕微鏡を用いて測定することができる。厚さ、幅、線幅などが一定ではない場合には、任意の５地点で測定した値の平均値で厚さ、幅、線幅などを比較することができる。
【0160】
本開示において、実質的には製造工程上で発生する工程誤差や位置偏差、測定時の誤差などを含んで判断することができる。例えば、実質的に同じ線幅を有することは、完全に数値上同じ場合だけでなく、誤差範囲内で大略的に類似した数値を有することを含むことができる。また、実質的にコプラナーであるということは、完全に同一平面に存在する場合だけでなく、大略的に同一平面に存在する場合も含むことができる。
【0161】
本開示において、同じ絶縁材は、完全に同じ絶縁材である場合だけでなく、同じタイプの絶縁材を含む意味であることができる。したがって、絶縁材の組成は実質的に同じであるが、これらの具体的な組成比は少しずつ異なることがある。
【0162】
本開示において、断面上という意味は、対象物を垂直に切断したときの断面形状、または対象物を垂直に切断した時の断面形状、または対象物をサイドビューから見たときの断面形状を意味することができる。また、平面上という意味は、対象物を水平に切断したときの平面形状、または対象物をトップビューまたはボトムビューから見たときの平面形状を意味することができる。
【0163】
本開示において、下側、下部、下面などは、便宜上、図面の断面を基準として下方の方向を意味するものとして用い、上側、上部、上面などはその反対方向を意味するものと用いた。但し、これは説明の便宜上の方向を定義したものであって、特許請求の範囲の権利範囲がこのような方向に対する記載によって特に限定されず、上／下の概念はどの場合にも変わることができる。
【0164】
本開示において、連結されるという意味は、直接連結された場合だけでなく、接着剤層などを介して間接的に連結された場合も含む概念である。また、電気的に連結されるという意味は、物理的に連結された場合と、連結されていない場合を全て含む概念である。さらに、第１、第２などの表現は、ある構成要素と他の構成要素を区分するために用いられるものであって、該当構成要素の順序及び／又は重要度などを限定しない。場合によっては、権利範囲から逸脱することなく、第１構成要素は第２構成要素と命名されることもでき、同様に第２構成要素は第１構成要素と命名されることもできる。
【0165】
本開示で用いられた一例という表現は、互いに同一の実施例を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかしながら、上記提示された一例は、他の一例の特徴と組み合わせて実現されることを排除しない。例えば、特定の一例で説明された事項が他の一例で説明されていなくても、他の一例でその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一例に関連した説明であると理解することができる。
【0166】
本開示で用いられた用語は、単に一例を説明するために用いられたものであり、本開示を限定する意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なるものを意味しない限り、複数の表現を含む。
【符号の説明】
【0167】
１０００ 電子機器
１０１０ メインボード
１０２０ チップ関連部品
１０３０ ネットワーク関連部品
１０４０ その他の部品
１０５０ カメラ
１０６０ アンテナ
１０７０ ディスプレイ
１０８０ バッテリー
１０９０ 信号ライン
１１００ スマートフォン
１１１０ マザーボード
１１２０ 部品
１１２１ 部品パッケージ
１１３０ カメラモジュール
１１４０ スピーカー
１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ プリント回路基板
１１０－１、１１０－２、１１０－３ ビルドアップ絶縁層
１１１ 第１絶縁層
１１１Ｐ 絶縁部
１１２ 第２絶縁層
１２０－１、１２０－２、１２０－３ ビルドアップ配線層
１２１ 第１回路パターン
１２２ 第２回路パターン
１２３ パッドパターン
１３０－１、１３０－２、１３０－３ ビルドアップビア層
１３１ 金属バンプ
１３２ 低融点金属
１４１ 第１レジスト層
１４２ 第２レジスト層
１４１ｈ 第１開口
１４２ｈ 第２開口
２１０ デタッチ基板
２１１ デタッチコア
２１２ デタッチ層
２２０ 第１ドライフィルム
２２１ 複数のドライフィルムパターン
２３０ 第２ドライフィルム
２３０ｈ 開口パターン
２４０ 第３ドライフィルム
２４０ｈ 開口
２５０ マスクフィルム
ｍ シード金属層
Ｍ１ 第１めっき層
Ｍ２ 第２めっき層
Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３ 空間
５００ プリント回路基板
３００ 第１基板部
３１１ コア絶縁層
３１２、３１３ ビルドアップ絶縁層
３２１、３２２ コア配線層
３２３、３２４ ビルドアップ配線層
３３１ コアビア層
３３２、３３３ ビルドアップビア層
３５０ 第１レジスト層
３５０ｈ 第１開口
４００ 第２基板部
４１１ ビルドアップ絶縁層
４２１ ビルドアップ配線層
４３１ ビルドアップビア層
４５０ 第２レジスト層
４５０ｈ 第２開口
Ｐ１ 第１外側パッド
Ｐ２ 第２外側パッド
６１０、６２０ カバーフィルム
１０１０ メインボード
１０２０ チップ関連部品
１０３０ ネットワーク関連部品
１０４０ その他の部品
１０５０ カメラ
１０６０ アンテナ
１０７０ ディスプレイ
１０８０ バッテリー
１０９０ 信号ライン
１１００ スマートフォン
１１１０ マザーボード
１１２０ 部品
１１２１ 部品パッケージ
１１３０ カメラモジュール
１１４０ スピーカー
１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ プリント回路基板
１１０－１、１１０－２、１１０－３ ビルドアップ絶縁層
１１１ 第１絶縁層
１１１Ｐ 絶縁部
１１２ 第２絶縁層
１２０－１、１２０－２、１２０－３ ビルドアップ配線層
１２１ 第１回路パターン
１２２ 第２回路パターン
１２３ パッドパターン
１３０－１、１３０－２、１３０－３ ビルドアップビア層
１３１ 金属バンプ
１３２ 低融点金属
１４１ 第１レジスト層
１４２ 第２レジスト層
１４１ｈ 第１開口
１４２ｈ 第２開口
２１０ デタッチ基板
２１１ デタッチコア
２１２ デタッチ層
２２０ 第１ドライフィルム
２２１ 複数のドライフィルムパターン
２３０ 第２ドライフィルム
２３０ｈ 開口パターン
２４０ 第３ドライフィルム
２４０ｈ 開口
２５０ マスクフィルム
ｍ シード金属層
Ｍ１ 第１めっき層
Ｍ２ 第２めっき層
Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３ 空間
５００ プリント回路基板
３００ 第１基板部
３１１ コア絶縁層
３１２、３１３ ビルドアップ絶縁層
３２１、３２２ コア配線層
３２３、３２４ ビルドアップ配線層
３３１ コアビア層
３３２、３３３ ビルドアップビア層
３５０ 第１レジスト層
３５０ｈ 第１開口
４００ 第２基板部
４１１ ビルドアップ絶縁層
４２１ ビルドアップ配線層
４３１ ビルドアップビア層
４５０ 第２レジスト層
４５０ｈ 第２開口
Ｐ１ 第１外側パッド
Ｐ２ 第２外側パッド
６１０、６２０ カバーフィルム
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5a】
【図5b】
【図5c】
【図5d】
【図5e】
【図5f】
【図5g】
【図5h】
【図5i】
【図5j】
【図5k】
【図6a】
【図6b】
【図6c】
【図6d】
【図6e】
【図7】
【図8】
【図9a】
【図9b】
【図9c】
【図9d】
【図9e】
【図9f】
【図9g】
【図9h】
【図9i】
【図10】
【図11a】
【図11b】
【図11c】
【図12】
【図13a】
【図13b】
【図13c】
【図14】
【図15a】
【図15b】
【図15c】
【図15d】
【図15e】
【図15f】
